JP2023072426A - 成膜方法、および多結晶シリコン膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】成膜方法は、アモルファスシリコン膜を基板に成膜する。成膜方法は、前記基板を収容した処理容器内にモノシラン(SiH4)ガスを供給するとともに、(a)前記処理容器内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定し、かつ(b)前記処理容器内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定したプロセス条件で成膜処理を行う。【選択図】図1
Description
本開示は、成膜方法、および多結晶シリコン膜の形成方法に関する。
絶縁膜の上に、結晶化の進行を抑制する不純物がドープされたアモルファスシリコン膜と、ノンドープアモルファスシリコン膜とをこの順に積層し、次いで積層されたアモルファスシリコン膜を結晶化させる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
本開示は、均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を形成できる技術を提供する。
本開示の一態様によれば、アモルファスシリコン膜を基板に成膜する成膜方法であって、前記基板を収容した処理容器内にSiH4ガスを供給するとともに、以下の(a)および(b)のプロセス条件で成膜処理を行う、成膜方法が提供される。
(a)前記処理容器内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)前記処理容器内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
(a)前記処理容器内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)前記処理容器内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
一態様によれば、均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を形成できる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
本開示の一実施形態に係る多結晶シリコン膜の形成方法は、図1に示すように、第1成膜工程S1、第2成膜工程S2および結晶化工程S3を順に行う。また、本開示の一実施形態に係る成膜方法は、第1成膜工程S1の成膜処理に関するものである。
図2に示すように、多結晶シリコン膜の形成方法を行う基板100は、例えば、VNAND等のメモリに適用される半導体ウエハである。なお、基板100は、メモリ以外の用途に利用されるものでもよい。
基板100は、当該基板100の表面に絶縁膜(下地層)110を有する。絶縁膜110は、メモリにおいてゲートを絶縁する。この絶縁膜110としては、シリコン酸化膜(SiO2膜)、シリコン窒化膜(SiN膜)等があげられる。多結晶シリコン膜の形成方法では、絶縁膜110の上にアモルファスシリコン膜を成膜する。なお、アモルファスシリコン膜を形成する際に、絶縁膜110の表面には、アミノシラン等の有機シランがコーティングされていることが好ましい。
第2成膜工程S2まで行うと、絶縁膜110の上に、第1アモルファスシリコン膜(シード層121)および第2アモルファスシリコン膜(バルク層122)が積層した状態となる。すなわち、多結晶シリコン膜の形成方法は、第1成膜工程S1により絶縁膜110の上にシード層121を成膜し、第2成膜工程S2によりシード層121の上にバルク層122を成膜する。
結晶化工程S3では、シード層121およびバルク層122を有する基板100を所定の温度に加熱することにより、シード層121およびバルク層122を結晶化させる。これにより、基板100は、絶縁膜110上に多結晶シリコン膜が形成される。
以下、図3を参照して、上記の多結晶シリコン膜の形成方法を実施する処理装置1の一例について説明する。処理装置1は、絶縁膜110を有する複数の基板100に対して、一度に処理を行うバッチ式の装置である。
処理装置1は、処理容器10、ガス供給部30、排気部40、加熱部50および制御部80等を有する。
処理容器10は、内部を減圧可能であり、基板100を収容する。処理容器10は、下端が開放された有天井の円筒形状の内管11と、下端が開放されて内管11の外側を覆う有天井の円筒形状の外管12とを有する。内管11および外管12は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて2重管構造となっている。
内管11の天井は、例えば平坦になっている。内管11の一側には、その長手方向(上下方向)に沿ってガスノズルを収容する収容部13が形成されている。収容部13は、内管11の側壁の一部を外側へ向けて突出させて形成された凸部14内の領域である。
収容部13に対向させて内管11の反対側の側壁には、その長手方向(上下方向)に沿って矩形状の開口15が形成されている。
開口15は、内管11内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口15の長さは、ウエハボート16の長さと同じであるか、またはウエハボート16の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。
処理容器10の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド17によって支持されている。マニホールド17の上端にはフランジ18が形成されており、フランジ18上に外管12の下端を設置して支持するようになっている。フランジ18と外管12との下端との間にはOリング等のシール部材19を介在させて外管12内を気密状態にしている。
マニホールド17の上部の内壁には、円環状の支持部20が設けられており、支持部20上に内管11の下端を設置して支持するようになっている。マニホールド17の下端の開口には、蓋体21がOリング等のシール部材22を介して気密に取り付けられており、処理容器10の下端の開口、すなわち、マニホールド17の開口を気密に塞ぐようになっている。蓋体21は、例えばステンレス鋼により形成される。
蓋体21の中央部には、磁性流体シール23を介してウエハボート16を回転可能に支持する回転軸24が貫通して設けられている。回転軸24の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構25のアーム25Aに回転自在に支持されている。
回転軸24の上端には回転プレート26が設けられており、回転プレート26上に石英製の保温台27を介して基板100を保持するウエハボート16が載置されるようになっている。したがって、昇降機構25を昇降させることによって、蓋体21とウエハボート16とは一体に上下動し、ウエハボート16を処理容器10内から離脱できるようになっている。ウエハボート16は、処理容器10内に収容可能であり、複数(例えば、50~150枚)の基板100を、上下方向に間隔をあけて略水平に保持する。
ガス供給部30は、前述した第1成膜工程S1および第2成膜工程S2において、処理ガスおよびパージガスを内管11内に供給するガスノズル31を有する。処理ガスは、シリコン含有ガスであるモノシラン(SiH4)ガスを使用する。一方、パージガスは、例えば、窒素(N2)ガス、アルゴン(Ar)ガスを利用できる。
ガスノズル31は、例えば、石英製であり、内管11内の鉛直方向に沿って設けられるとともに、その基端がL字状に屈曲されてマニホールド17を貫通するように支持されている。ガスノズル31は、その長手方向に沿って複数のガス孔32を備えており、各ガス孔32から水平方向に向けて処理ガスを放出する。複数のガス孔32は、例えば、ウエハボート16に支持される基板100の間隔と同じ間隔で配置される。ガスノズル31には、流量が制御された処理ガスが導入される。
図3では、ガス供給部30が1つのガスノズル31を有する場合を示しているが、これに限定されず、ガス供給部30は複数のガスノズルを有してもよい。例えば、モノシランガスと、パージガスとは、異なるガスノズルから内管11内に供給されてもよい。
排気部40は、内管11内から開口15を介して排出され、内管11と外管12との間の空間P1を介してガス出口41から排出されるガスを排気する。ガス出口41は、マニホールド17の上部の側壁であって、支持部20の上方に形成されている。ガス出口41には、排気経路42が接続されている。排気経路42には、圧力調整弁43および真空ポンプ44が下流側に向かって順に設けられ、処理容器10内の内圧を調整できるようになっている。
加熱部50は、外管12の周囲を囲うように設けられ、例えばベースプレート28上に固定されている。加熱部50は、外管12を覆うように円筒形状を有する。加熱部50は、例えば発熱体を含み、処理容器10内の基板100を加熱する。
制御部80は、処理装置1の各部の動作を制御する。制御部80は、図示しない1以上のプロセッサ、メモリ、入出力インタフェースおよび電子回路を有するコンピュータを適用し得る。プロセッサは、CPU、ASIC、FPGA、複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち1つまたは複数を組み合わせたものである。メモリは、揮発性メモリ、不揮発性メモリにより構成される。また、メモリは、制御部80に接続された記憶媒体90(例えば、コンパクトディスク、DVD、ハードディスク、フラッシュメモリ等)を含み、処理装置1を動作させるプログラム、基板処理のレシピ(プロセス条件)を記憶している。
次に、処理装置1の動作について説明する。多結晶シリコン膜の形成方法は、制御部80が処理装置1の各部の動作を制御することにより実施される。
処理装置1は、基板処理において、まず複数の基板100を搭載したウエハボート16を処理容器10内に搬入する。続いて、マニホールド17の下端の開口を蓋体21により閉じることにより処理容器10内を密閉空間とする。
密閉空間の形成後、処理装置1は、第1成膜工程S1を行う。本実施形態に係る第1成膜工程S1は、以下のプロセス条件で各基板100の成膜処理を行う。
処理ガス:モノシラン(SiH4)ガス
処理容器10内の温度:300℃以上440℃以下
処理容器10内の圧力:10Torr(≒1.3kPa)以上
100Torr(≒13kPa)以下
処理ガスの流量:0.1slm以上3slm以下
処理ガス:モノシラン(SiH4)ガス
処理容器10内の温度:300℃以上440℃以下
処理容器10内の圧力:10Torr(≒1.3kPa)以上
100Torr(≒13kPa)以下
処理ガスの流量:0.1slm以上3slm以下
すなわち、処理装置1は、第1成膜工程S1におけるモノシランガスの熱分解温度を、従来の成膜処理で一般的に用いられる熱分解温度(450℃~530℃)よりも低い温度(300℃~440℃)に設定している。この第1成膜工程S1におけるモノシランガスの熱分解温度は、後記の第2成膜工程S2におけるモノシランガスの熱分解温度よりも低い温度である。
図4(A)は、第1成膜工程S1における処理容器10内の温度に対するシード層121の膜中の水素濃度の関係を示す対数グラフである。グラフにおいて、横軸は処理容器10内の温度を示し、縦軸は膜中の水素濃度を示す。このグラフから分かるように、モノシランガスによる成膜処理では、処理容器10内の温度が低くなる程、膜中の水素濃度が高くなる。つまり、モノシランガスの熱分解温度が低い環境下で成膜処理を行うことで、シード層121は、モノシランガスに含まれていた水素が膜中に多く残存するようになる。
このように膜中の水素濃度が高くなると、結晶化工程S3において結晶化を行った際に、水素の脱離に伴い大粒径の多結晶シリコン膜を形成できる。言い換えれば、第1成膜工程S1において300℃以上440℃以下の温度で基板100を加熱してシード層121を形成することで、多結晶シリコン膜の大粒径を促すことが可能となる。
また、処理装置1は、第1成膜工程S1においてモノシランガスの熱分解温度を低くしたことでシード層121のシリコンの核の粒径が小さくなることを抑制するために、処理容器10内の圧力を高圧に維持して成膜処理を行う。具体的には、上記のプロセス条件に示すように、処理装置1は、従来の成膜処理で一般的に用いられる圧力(5Torr≒667Pa以下)よりも、第1成膜工程S1における処理容器10内の圧力を高く(10Torr~100Torr)に設定している。この第1成膜工程S1における処理容器10内の圧力は、後記の第2成膜工程S2における処理容器10内の圧力よりも高い圧力である。
図4(B)は、処理容器10内の温度が430℃の場合における処理容器10内の圧力と、シード層121の膜中の水素濃度との関係を示す対数グラフである。グラフにおいて、横軸は処理容器10内の圧力を示し、縦軸は膜中の水素濃度を示す。このグラフから分かるように、モノシランガスの成膜処理では、処理容器10内の温度が同じであれば、処理容器10内の圧力が高くなる程、膜中の水素濃度が高くなる。つまり、処理容器10内の圧力が高い環境下で成膜処理を行うことで、シード層121はモノシランガスに含まれていた水素が膜中に多く残存するようになる。
また、処理装置1は、処理容器10内の圧力を一定に維持するために、ガス供給部30により処理容器10内に供給するモノシランガスの流量を、0.1slm~3slmの範囲に設定することが好ましい。これにより、処理装置1は、処理容器10内の各基板100にモノシランガスを安定的に供給して、シード層121の成膜を進行させることができる。
以上の第1成膜工程S1のプロセス条件を行うために、制御部80は、排気部40を制御して処理容器10内を真空引きし、プロセス条件で示した10Torr以上100Torr以下の圧力のうち所定の圧力(例えば、19Torr)に維持する。また、制御部80は、加熱部50の供給電力を制御して、処理容器10内の温度をプロセス条件で示した300℃以上440℃以下のうち所定の温度(例えば、380℃)に上昇させる。
処理容器10内が所定の圧力で安定し、かつ処理容器10内の温度が所定の温度で安定すると、処理容器10内にモノシランガスを供給する。モノシランガスの供給量は、プロセス条件で示した0.1slm以上3slm以下の流量のうち所定の流量(例えば、0.3slm)に設定される。なお、処理装置1は、モノシランガスの供給に伴って、ウエハボート16を回転してもよい。そして、処理装置1は、任意のプロセス時間をかけて、以上の成膜処理を行う。
これにより、処理装置1は、均一な膜厚を有する第1アモルファスシリコン膜(シード層121)を絶縁膜110の上に成膜することができる。処理装置1は、所望の膜厚を有するシード層121を形成すると、第1成膜工程S1を終了する。なお、処理装置1は、第1成膜工程S1が終了しても、ウエハボート16の回転を継続させる。
次に、処理装置1は、第2成膜工程S2を行う。第2成膜工程S2は、以下のプロセス条件で各基板100の成膜処理を行う。
処理ガス:シリコン含有ガス
処理容器10内の温度:450℃以上530℃以下
処理容器10内の圧力:5Torr(≒1.3kPa)以下
処理ガスの流量:0.1slm以上5slm以下
処理ガス:シリコン含有ガス
処理容器10内の温度:450℃以上530℃以下
処理容器10内の圧力:5Torr(≒1.3kPa)以下
処理ガスの流量:0.1slm以上5slm以下
第2成膜工程S2のシリコン含有ガスとしては、例えば、モノシランガス、高次シランガス、ハロゲン含有シリコンガスまたはこれら2種以上の混合ガスを利用できる。ハロゲン含有シリコンガスとしては、例えばSiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F等のフッ素含有シリコンガス、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2(DCS)、SiH3Cl等の塩素含有シリコンガス、SiBr4、SiHBr3、SiH2Br2、SiH3Br等の臭素含有ガスが挙げられる。本実施形態に係る第2成膜工程S2のシリコン含有ガスとしては、成膜レートが大きく、かつ安価であるという観点から、モノシランガスを適用している。
第1成膜工程S1から第2成膜工程S2に移行した際に、処理装置1は、ウエハボート16の回転を継続しつつ、処理容器10内へのモノシランガスの供給を継続する。そして、処理装置1は、処理容器10内の圧力を、第1成膜工程S1の圧力から、第2成膜工程S2のプロセス条件で示した5Torr以下の圧力のうち所定の圧力に調整する。また、処理装置1は、加熱部50の供給電力を制御して、処理容器10内の温度をプロセス条件で示した450℃以上530℃以下のうち所定の温度(例えば、470℃)に調整する。
そして、処理装置1は、処理容器10内が第2成膜工程S2の圧力で安定し、かつ処理容器10内の温度が第2成膜工程S2の温度で安定した状態で、任意のプロセス時間をかけて第2成膜工程S2の成膜処理を行う。これにより、シード層121を覆うバルク層122が形成される。シード層121がバルク層122によって完全に覆われた後、処理容器10内へのモノシランガスの供給を停止する。なお、処理装置1は、第2成膜工程S2が終了しても、ウエハボート16の回転を継続させる。
最後に、処理装置1は、結晶化工程S3を行う。この際、処理装置1は、処理容器10内を不活性ガス雰囲気に調整する。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気であってよい。また、不活性ガス雰囲気に代えて、水素雰囲気等の還元ガス雰囲気であってもよい。なお、本実施形態では、第1成膜工程S1および第2成膜工程S2と同じ装置で結晶化工程を実施しているが、これに限定されず、結晶化工程は別の装置で行ってもよい。
また、処理装置1は、加熱部50への供給電力を制御して結晶化工程S3の温度に調整する。結晶化工程S3の温度は、550℃以上700℃以下の範囲のうち所定の温度(例えば650℃)であるとよい。これにより、シード層121、バルク層122の結晶化が進行する。上記したように、本実施形態では、低温かつ高圧の環境下においてシード層121を形成したことで、シード層121のシリコンの核が大きく生成され、生成された核を起点としてバルク層122が結晶化する。これにより、大粒径の多結晶シリコン膜を形成できる。
特に、本実施形態に係る第1成膜工程S1の成膜処理は、図5(A)に示すように、基板100の面方向に沿って平坦状に連続する平面部111と、平面部111から基板100の厚さ方向に穿設された凹部112と、を有する絶縁膜110において有効である。絶縁膜110の凹部112としては、ホール、トレンチ等があげられる。また、図5(A)(および後記の図5(B))において、凹部112のシード層121、221に付したTOP、MID1、MID2、MID3、BTMは、凹部112の深さ方向に設定した膜厚測定位置を示している。TOPは、凹部112の開口周辺の膜厚測定位置であり、BTMは、凹部112の底部周辺の膜厚測定位置であり、MID1、MID2、MID3は、TOP側からBTMに向かって順に間隔をあけて設定した膜厚測定位置である。
本実施形態に係る成膜処理は、モノシランガスにより絶縁膜110の上にシード層121を形成することで、図5(A)に示すように凹部112の被覆において高いカバレッジ性を示すことができる。言い換えれば、上記した成膜方法、および多結晶シリコン膜の形成方法は、凹部112の深さ方向に沿って、当該凹部112の内面に均一な膜厚のシード層121を形成することが可能となる。
これに対して、従来の成膜処理では、図5(B)に示すように、ジシラン(Si2H6)ガス等の高次シランガスにより絶縁膜210の上にシード層221を成膜していた。ジシランガスは、凹部212の奥に入り込み難く、凹部212の被覆において低いカバレッジ性を示す。このため、ジシランガスは、凹部212の開口(TOP)側から底部(BTM)に向かって、薄いシード層221を形成していた。
具体的に、本実施形態に係る成膜処理を行った際の凹部112に形成されるシード層121の膜厚と、従来の成膜処理を行った際の凹部212に形成されるシード層221の膜厚とを比較すると、図5(C)に示す結果となった。図5(C)のグラフにおいて、横軸のTOP、MID1、MID2、MID3、BTMは、図5(A)および図5(B)のTOP、MID1、MID2、MID3、BTMに対応している。また図5(C)のグラフにおいて、縦軸は、凹部112、212のTOPに対する各膜厚測定位置の膜厚の比(=膜厚レート)である。
図5(C)に示すように、従来の成膜処理により形成されたシード層221は、TOPに対するBTMの膜厚レートが67.9%となった。このように底側の膜厚が薄くなることで、次の工程で、シード層221の上に積層されるバルク層222も不均一な膜厚に形成される可能性がある。
これに対し、本実施形態に係る成膜処理により形成されたシード層121は、TOPに対するBTMの膜厚レートが97.7%となった。つまり、本実施形態に係る成膜処理は、従来の成膜処理に対して、凹部112の内面に、より均一な膜厚のシード層121を形成できると言える。このように均一な膜厚のシード層121によって、第2成膜工程S2で成膜されるバルク層122も、凹部112の内面に均一な膜厚で成膜されることになる。
なお、本実施形態に係る成膜方法により形成されるシード層121のカバレッジ性は、従来の成膜処理により形成されるシード層221のカバレッジ性よりも優れる。このため、本実施形態に係る成膜処理は、平面部111の上に形成したシード層121の膜厚についても、従来の成膜処理で平面部211の上に形成したシード層221の膜厚に対して一層均一化することができる。また、本実施形態に係る成膜方法は、シード層121の成膜に限らず、膜厚の均一化を図る等の目的に応じて他の成膜に適用してよい。
以上の実施形態で説明した本開示の技術的思想および効果について以下に記載する。
本開示の第1の態様は、アモルファスシリコン膜(シード層121)を基板100に成膜する成膜方法であって、基板100を収容した処理容器10内にモノシラン(SiH4)ガスを供給するとともに、以下の(a)および(b)のプロセス条件で成膜処理を行う。
(a)処理容器10内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)処理容器10内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
(a)処理容器10内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)処理容器10内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
上記によれば、成膜方法は、処理容器10内を低温かつ高圧の環境下としてモノシラン(SiH4)ガスを供給する。この結果、基板100には、均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を形成できる。これにより、例えば、成膜されるアモルファスシリコン膜が基板100の界面側の核となるシード層121であれば、当該シード層121のカバレッジ性を高めることが可能となる。また、成膜方法は、アモルファスシリコン膜を結晶化した際に、大粒径とすることができる。
また、成膜処理は、さらに以下の(c)のプロセス条件を含む。
(c)処理容器10内に供給するモノシラン(SiH4)ガスの流量を0.1slm以上3slm以下の範囲に設定する。
(c)処理容器10内に供給するモノシラン(SiH4)ガスの流量を0.1slm以上3slm以下の範囲に設定する。
これにより、成膜方法は、上記の(a)、(b)のプロセス条件でもモノシランガスを処理容器10内に安定して供給し、基板100への成膜を促すことができる。
また、基板100は、当該基板100の面方向に沿って平坦状に連続する平面部111を有し、成膜処理では、アモルファスシリコン膜(シード層121)を平面部111に成膜する。これにより、成膜方法は、均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を平面部111に形成できる。
また、基板100は、平面部111から当該基板100の厚さ方向に沿って形成された凹部112を有し、成膜処理では、平面部111および凹部112に対してアモルファスシリコン膜(シード層121)を成膜する。このように基板100が凹部112を有していても、成膜方法は、低温かつ高圧の環境下でモノシランガスを供給することにより、基板100の厚み方向に沿って凹部112の内面に均一な膜厚のアモルファスシリコン膜(シード層121)を形成できる。
また、基板100には絶縁膜110が形成されており、アモルファスシリコン膜(シード層121)は絶縁膜110の上に形成される。これにより、成膜方法は、均一な膜厚を有するアモルファスシリコン膜を絶縁膜110に形成できる。
また、本開示の第2の態様は、第1アモルファスシリコン膜(シード層121)を基板100に形成する工程と、第1アモルファスシリコン膜を覆う第2アモルファスシリコン膜(バルク層122)を形成する工程と、基板100を加熱する工程と、を有し、第1アモルファスシリコン膜を基板100に形成する工程は、基板100を収容した処理容器10内にモノシラン(SiH4)ガスを供給するとともに、以下の(a)および(b)のプロセス条件で成膜処理を行う。
(a)処理容器10内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)処理容器10内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
(a)処理容器10内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)処理容器10内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
これにより、多結晶シリコン膜の形成方法は、均一な膜厚を有する第1アモルファスシリコン膜を基板100に形成できる。
また、第2アモルファスシリコン膜(バルク層122)を形成する工程は、第1アモルファスシリコン膜(シード層121)を基板100に形成する工程よりも高い温度かつ低い圧力で成膜処理を行う。これにより、多結晶シリコン膜の形成方法、シード層121の上にバルク層122を効率的に形成できる。
また、第2アモルファスシリコン膜(バルク層122)を形成する工程は、処理容器10内にモノシラン(SiH4)ガスを供給するとともに、以下の(d)および(e)のプロセス条件で成膜処理を行う。
(d)処理容器10内の温度を450℃~530℃の範囲に設定する
(e)処理容器10内の圧力を5Torr以下に設定する
(d)処理容器10内の温度を450℃~530℃の範囲に設定する
(e)処理容器10内の圧力を5Torr以下に設定する
これにより、多結晶シリコン膜の形成方法は、第1アモルファスシリコン膜(シード層121)の上に、所望の膜厚を有する第2アモルファスシリコン膜を安定して形成できる。
今回開示された実施形態に係る成膜方法、および多結晶シリコン膜の形成方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
上記の実施形態では、処理装置が複数の基板に対して一度に処理を行うバッチ式の装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置は基板を1枚ずつ処理する枚葉式の装置であってもよい。
10 処理容器
100 基板
121 シード層
122 バルク層
S1 第1成膜工程
S2 第2成膜工程
S3 結晶化工程
100 基板
121 シード層
122 バルク層
S1 第1成膜工程
S2 第2成膜工程
S3 結晶化工程
Claims (8)
- アモルファスシリコン膜を基板に成膜する成膜方法であって、
前記基板を収容した処理容器内にSiH4ガスを供給するとともに、以下の(a)および(b)のプロセス条件で成膜処理を行う、
(a)前記処理容器内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)前記処理容器内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
成膜方法。 - 前記成膜処理は、さらに以下の(c)のプロセス条件を含む、
(c)前記処理容器内に供給する前記SiH4ガスの流量を0.1slm以上3slm以下の範囲に設定する、
請求項1に記載の成膜方法。 - 前記基板は、当該基板の面方向に沿って平坦状に連続する平面部を有し、
前記成膜処理では、前記アモルファスシリコン膜を前記平面部に成膜する、
請求項1または2に記載の成膜方法。 - 前記基板は、前記平面部から当該基板の厚さ方向に沿って形成された凹部を有し、
前記成膜処理では、前記平面部および前記凹部に対して前記アモルファスシリコン膜を成膜する、
請求項3に記載の成膜方法。 - 前記基板には絶縁膜が形成されており、
前記アモルファスシリコン膜は前記絶縁膜の上に形成される、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 第1アモルファスシリコン膜を基板に形成する工程と、
前記第1アモルファスシリコン膜を覆う第2アモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記基板を加熱する工程と、を有し、
前記第1アモルファスシリコン膜を前記基板に形成する工程は、
前記基板を収容した処理容器内にSiH4ガスを供給するとともに、以下の(a)および(b)のプロセス条件で成膜処理を行う、
(a)前記処理容器内の温度を300℃以上440℃以下の範囲に設定する
(b)前記処理容器内の圧力を10Torr以上100Torr以下の範囲に設定する
多結晶シリコン膜の形成方法。 - 前記第2アモルファスシリコン膜を形成する工程は、前記第1アモルファスシリコン膜を基板に形成する工程よりも高い温度かつ低い圧力で成膜処理を行う、
請求項6に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。 - 前記第2アモルファスシリコン膜を形成する工程は、
前記処理容器内に前記SiH4ガスを供給するとともに、以下の(d)および(e)のプロセス条件で成膜処理を行う、
(d)前記処理容器内の温度を450℃以上530℃以下の範囲に設定する
(e)前記処理容器内の圧力を5Torr以下に設定する
請求項7に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。
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