JP2023071304A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に複数のＬＥＤと複数の電子部品を効率的にレイアウトして、レイアウト領域のデッドスペースを削減すること。【解決手段】半導体発光装置２０は、平面視矩形状の基板３０と、基板３０上に実装された半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄおよび電子部品５０Ａ～５０Ｊとを備える。半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄは、基板３０の角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤのうちの第１角部ＣＡと第２角部ＣＢとを結ぶ第１対角線に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第１角部ＣＡとの間に位置する第１半導体発光素子４０Ａを含む。電子部品５０Ａ～５０Ｊは、第１対角線に沿った方向において第１半導体発光素子４０Ａと第１角部ＣＡとの間に位置する平面視矩形状の第１電子部品５０Ａを含む。第１電子部品５０Ａは、第１電子部品５０Ａの各側面が基板３０の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で基板３０上に配置されている。【選択図】図６

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

半導体発光装置として例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）装置を用いた照明装置は現在、様々な分野で広く利用されている。例えば、車載用光源ユニットの多くがハロゲンランプからＬＥＤ照明装置に置き換えられるようになってきている。一般に、半導体発光装置では、ＬＥＤとともに複数の電子部品が基板上に実装される（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３－１１５３６８号公報

半導体発光装置の基板上に複数のＬＥＤを搭載する場合、基板の限られた領域に複数のＬＥＤとともに複数の電子部品を効率的にレイアウトして、レイアウト領域のデッドスペースを削減することが求められる。

本開示の一態様による半導体発光装置は、平面視矩形状の基板と、前記基板上に実装された複数の半導体発光素子と、前記基板上に実装され、前記複数の半導体発光素子を駆動する複数の電子部品とを備える。前記複数の半導体発光素子は、前記基板の４つの角部のうちの第１角部と第２角部とを結ぶ第１対角線に沿った方向において前記基板の中心と前記第１角部との間に位置する第１半導体発光素子を含む。前記複数の電子部品は、前記第１対角線に沿った方向において前記第１半導体発光素子と前記第１角部との間に位置する平面視矩形状の第１電子部品を含む。前記第１電子部品は、前記第１電子部品の４つの側面が前記基板の４つの辺のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板上に配置されている。

本開示の半導体発光装置によれば、基板上に複数のＬＥＤと複数の電子部品を効率的にレイアウトして、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

図１は、第１実施形態による例示的な半導体発光装置を備えた例示的な照明装置の概略斜視図である。 図２は、図１とは反対側から視た照明装置の概略斜視図である。 図３は、図１の照明装置の概略平面図である。 図４は、図３のＦ４－Ｆ４線に沿った照明装置の概略断面図である。 図５は、図３のＦ５－Ｆ５線に沿った照明装置の概略断面図である。 図６は、図１の半導体発光装置の概略平面図である。 図７は、複数の半導体発光素子、複数の電子部品、および包囲部材を搭載する前の図６の半導体発光装置の概略平面図である。 図８は、図６の半導体発光装置の概略回路図である。 図９は、複数の半導体発光素子および複数の電子部品のレイアウトの詳細を説明する半導体発光装置の概略平面図である。 図１０は、複数の基板（半導体発光装置）を製造するための大型基板を示す概略平面図である。 図１１は、４５度の面取り角部を得るために大型基板に形成される矩形孔を参考例として示す概略平面図である。 図１２は、凹Ｒ状の面取り角部を得るために大型基板に形成される円形孔を示す概略平面図である。 図１３は、第２実施形態による例示的な半導体発光装置の概略斜視図である。

以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置の実施形態を説明する。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチングが省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。

以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。

［第１実施形態］
［半導体発光装置を含む照明装置］
第１実施形態にかかる半導体発光装置は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）を使用したＬＥＤ装置に具体化されており、照明装置は、ＬＥＤ装置を用いた例えばＬＥＤ照明装置として具体化されている。照明装置は、例えば、車載用光源ユニットに用いられる。ただし、照明装置の用途は特に限定されない。以下ではまず、照明装置の例示的な構成を説明する。

図１は、例示的な照明装置１０の概略斜視図であり、図２は、図１とは反対側から視た照明装置１０の概略斜視図である。図３は、図１の照明装置１０の概略平面図である。図４は、図３のＦ４－Ｆ４線に沿った照明装置１０の概略断面図であり、図５は、図３のＦ５－Ｆ５線に沿った照明装置１０の概略断面図である。

図１に示されるように、照明装置１０は、半導体発光装置２０と、半導体発光装置２０を収容するソケット１１とを備えている。ソケット１１は、照明装置１０の外形を画定するものであり、例えば車両などへの照明装置１０の取付部としても用いられる。

図１および図２に示されるように、ソケット１１は、発光装置収容部１２、端子収容部１３（図２参照）、防水部材取付部１４、および放熱部１５を含む。放熱部１５は、各々略平板状の複数のフィン１５Ａを含む。ソケット１１は、例えばカーボンを混入した樹脂により形成されている。樹脂は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であってよい。なお、ソケット１１は、その他の金属または合成樹脂から形成されてもよい。

図３に示されるように、半導体発光装置２０は、発光装置収容部１２に収容されている。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、互いに直交するＸＹＺ軸（例えば図３参照）のＺ軸方向に半導体発光装置２０（またはその他の部材）を視ることをいう。本開示においては、説明を分かり易くするために、＋Ｚ方向を上、－Ｚ方向を下、＋Ｘ方向を右、－Ｘ方向を左と定義する。以下、明示的に別段の記載がない限り、「平面視」とは、半導体発光装置２０をＺ軸に沿って上方から視ることを指す。

図４に示されるように、発光装置収容部１２は底部１２Ａを含む。発光装置収容部１２は、例えば筒状の外形を有しており、底部１２Ａとは反対側の端部に開口を有している。放熱部１５、すなわち複数のフィン１５Ａは、発光装置収容部１２の底部１２Ａから下方に延びている。複数のフィン１５Ａは、同じ長さで形成され得る。

図５に示されるように、端子収容部１３は、発光装置収容部１２の底部１２Ａから下方に延びており、底部１２Ａとは反対側の端部に開口を有している。防水部材取付部１４には、例えばリング状の防水部材１６が取り付けられてよい。防水部材１６は、照明装置１０が例えば車両に取り付けられた際に、水分などの浸入を防ぐためのものである。

照明装置１０はさらに、発光装置収容部１２の底部１２Ａに固定された放熱板１７と、複数（例えば、２本）の接続端子１８（図３参照）とを備えている。図５に示されるように、放熱板１７は接続端子１８を避けた位置に設けられている。半導体発光装置２０は、例えば放熱板１７上に搭載されている。半導体発光装置２０は、例えば図示しない接着剤を用いて放熱板１７に接着されている。接着剤には、絶縁性接着剤または導電性接着剤を用いることができる。絶縁性接着剤としては、放熱フィラー（例えばアルミナフィラー）を含有したシリコーン系の絶縁性接着剤を用いることができ、導電性接着剤としては、例えば銀（Ａｇ）ペーストを用いた接着剤を用いることができる。導電性接着剤を用いることで、放熱板１７による放熱特性を向上することができる。放熱板１７は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる。

図５に示されるように、各接続端子１８は、端子収容部１３から底部１２Ａの貫通孔１２Ｂを介して発光装置収容部１２まで延びている。換言すれば、各接続端子１８は、端子収容部１３内に位置する一端部と、発光装置収容部１２内に位置する他端部とを含む。各接続端子１８は、半導体発光装置２０の基板３０を貫通し、例えば半田により基板３０に接合されている。一実施例において、２本の接続端子１８（図３参照）は、接地電圧（第１電源電圧）を供給する第１接続端子１８Ａと、動作電圧（第２電源電圧）を供給する第２接続端子１８Ｂとを含む。

［半導体発光装置］
次に、半導体発光装置２０の構成を説明する。
図６は、図１の半導体発光装置２０の概略平面図である。

図６に示されるように、半導体発光装置２０は、基板３０と、基板３０上に実装された複数（例えば、４個）の半導体発光素子４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ（以下、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄと称す）とを含む。半導体発光装置２０がＬＥＤ装置の場合、各半導体発光素子４０Ａ～４０ＤはＬＥＤである。基板３０は平面視矩形状を有し得る。また、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄは各々、平面視矩形状を有し得る。なお、本開示において使用される「矩形状」とは、各角部が９０度である完全な矩形状だけでなく、各角部が丸みを帯びている（完全に９０度ではない）実質的な矩形状も含むことを意図する。

また、半導体発光装置２０は、基板３０上に実装され、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを駆動する複数（例えば、１０個）の電子部品５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ，５０Ｇ，５０Ｈ，５０Ｉ，５０Ｊ（以下、電子部品５０Ａ～５０Ｊと称す）を含む。電子部品５０Ａ～５０Ｊは各々、平面視矩形状を有し得る。

また、半導体発光装置２０は、基板３０（すなわちチップ）毎に半導体発光装置２０を識別するためのチップ識別部５１を含み得る。例えば、半導体発光装置２０を１枚の大型基板から多数個取りする場合に、半導体発光装置２０の位置を識別する識別コードおよび製造ロット番号などがチップ識別部５１に付与され得る。

以下では、説明を簡単にして分かり易くするために、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを互いに区別しない場合に、これらの半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄをまとめて半導体発光素子４０と称す。同様に、電子部品５０Ａ～５０Ｊを互いに区別しない場合は、これらの電子部品５０Ａ～５０Ｊをまとめて電子部品５０と称す。

半導体発光装置２０はさらに、基板３０上に設けられ、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを囲む包囲部材６０と、包囲部材６０により囲まれた領域において基板３０上に設けられた樹脂部材７０（図１、図４、および図５参照）とを含み得る。樹脂部材７０は、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを封止する保護部材として設けられている。なお、図示が複雑になるのを避けるために、図６では樹脂部材７０の図示を省略している。

樹脂部材７０は、各半導体発光素子４０が発した光を透過させる透明樹脂で形成されている。なお、透明樹脂に蛍光体が添加されていてもよい。例えば、各半導体発光素子４０が青色光を発するものとして構成されている場合、青色光により励起されて赤色を発する蛍光体が透明樹脂に添加されていてもよい。樹脂部材７０の形状は特に限定されないが、例えば、樹脂部材７０は、包囲部材６０の上端から上方に膨出するドーム状に形成されてもよい（図１、図４、および図５参照）。

半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄは同一構成を有し得る。例えば、各半導体発光素子４０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料などの窒化物半導体材料により形成されてよい。ＧａＮ系半導体材料を用いて半導体発光素子４０が形成される場合、半導体発光素子４０は例えば青色光を発する。ただし、半導体発光素子４０に用いられる半導体材料の種類および半導体発光素子４０が発する光の色は特に限定されない。また、半導体発光素子４０が発する光は可視光に限定されない。また、半導体発光素子４０の個数も特に限定されない。

電子部品５０Ａ～５０Ｊは、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄの発光を制御する発光回路を構成する。電子部品５０Ａ～５０Ｊは、例えば、集積回路（ＩＣ）、ダイオード、コンデンサ、サーミスタ、抵抗器などを含む。ただし、電子部品５０の種類および個数は特に限定されない。

図６の例では、電子部品５０Ａは、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄの発光を制御するドライバＩＣであり、以下では、ドライバＩＣ５０Ａとも称す。電子部品５０Ｂは、サージ保護ダイオード、すなわち静電気放電（ＥＳＤ：Electro-Static Discharge）保護ダイオードとして設けられる過渡電圧抑制（ＴＶＳ：Transient Voltage Suppressor）ダイオードであり、以下では、ＴＶＳダイオード５０Ｂとも称す。

電子部品５０Ｃは整流ダイオードであり、以下では、整流ダイオード５０Ｃとも称す。電子部品５０Ｄは、コンデンサ（例えば、セラミックコンデンサまたはシリコンコンデンサであってよい）であり、以下では、コンデンサ５０Ｄとも称す。電子部品５０Ｅは温度保護素子としてのサーミスタであり、以下では、サーミスタ５０Ｅとも称す。

電子部品５０Ｆ，５０Ｇ，５０Ｈ，５０Ｉ，５０Ｊは各々抵抗器であり、以下では、それぞれ抵抗器５０Ｆ，５０Ｇ，５０Ｈ，５０Ｉ，５０Ｊとも称す。これら５つの抵抗器５０Ｆ，５０Ｇ，５０Ｈ，５０Ｉ，５０Ｊのうち、抵抗器５０Ｆは、耐サージ特性に優れた抵抗器として構成されてよい。半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄおよび電子部品５０Ａ～５０Ｊの電気的接続構成については詳述する。

包囲部材６０は、平面視において半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを囲む包囲壁として設けられ、樹脂部材７０の形成領域を画定する。包囲部材６０はダム部材とも呼ばれ得る。図６の例では、包囲部材６０の外形は平面視円形状であるが、平面視多角形状（例えば、八角形状など）であってもよい。図６の例では、包囲部材６０は円筒状である。包囲部材６０は、基板３０の厚さ方向において、半導体発光素子４０の厚さよりも大きな厚さ（高さ）を有している。なお、本開示において、基板３０の厚さ方向とは、基板３０の主面（素子搭載面）に直交する方向であり、Ｚ方向に対応する。包囲部材６０は、例えばポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂によって形成されるが、他の絶縁材料で形成されてもよい。

［半導体発光装置の基板］
図６に示されるように、基板３０は平面視矩形状を有し、４つの辺、すなわち、互いに平行な第１の辺ＳＡおよび第２の辺ＳＢと、互いに平行な第３の辺ＳＣおよび第４の辺ＳＤとを含む。また、基板３０は、４つの角部（コーナー）、すなわち、第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤを含む。各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは面取りされていてもよい。各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤを面取りすることで、基板３０のサイズを小さくすることができる。図６の例では、各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは、基板３０の中心ＳＯに向かって内側に湾曲する凹Ｒ状の面取り角部として形成されている。したがって、図６の基板３０は、各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが面取りされている点を除いて平面視矩形状である。各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは、例えば中心角が９０度の円弧面を有し得る。

図６の例では、基板３０は略正方形状を有している。基板３０の１辺の長さは、例えば１４．５ｍｍ程度とすることができる。ここで、基板３０の１辺の長さとは、各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが面取りされていない状態の基板３０の１辺の長さ（図６において、第１の辺ＳＡから第２の辺ＳＢまでのＹ方向の距離、および第３の辺ＳＣから第４の辺ＳＤまでのＸ方向の距離）を言う。

基板３０は、例えばプリント回路基板（ＰＣＢ）により形成されている。基板３０は、基材３２と、基材３２上に形成された配線層８０と、基材３２上に形成されて配線層８０を覆う絶縁層９０とを含む。絶縁層９０は、配線層８０および基材３２を部分的に露出させるように形成されている。包囲部材６０は、基材３２の一部、配線層８０の一部、および絶縁層９０の一部の上に、例えばシリコーン系の絶縁性接着剤（図示略）を用いて接合されている。

基材３２は、例えばセラミックスにより形成されるが、他の材料により形成されてもよい。基材３２は、第１接続端子１８Ａ（図３参照）が挿通される第１貫通孔３２ＨＡと、第２接続端子１８Ｂ（図３参照）が挿通される第２貫通孔３２ＨＢとを含む。

配線層８０は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、またはアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料で形成されている。配線層８０の厚さは、例えば１０μｍ以上１８μｍ以下であってよい。絶縁層９０は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などの絶縁材料により形成されている。絶縁層９０の厚さは、例えば１０μｍ以上２２μｍ以下であってよい。なお、配線層８０の金属材料および絶縁層９０の絶縁材料は、特に限定されない。

［半導体発光装置の配線レイアウト］
図７は、半導体発光素子４０、電子部品５０、および包囲部材６０を搭載する前の図６の半導体発光装置２０の概略平面図である。図７では、理解を容易にするために、配線層８０がドットハッチングで示されている。

配線層８０は、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄ（図６参照）を実装するための発光素子実装部８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄ（以下、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄと称す）を含む。詳細な図示は省略するが、例えば、各半導体発光素子４０は、主面（発光面）の一部に設けられた第１電極と、主面とは反対側の裏面全面に設けられた第２電極とを含み、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄには半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄの第２電極が接合されている。絶縁層９０は、これらの発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄを露出させる発光素子実装領域開口部９１Ａ（図６参照）を含む。

配線層８０はさらに、電子部品５０Ａ～５０Ｊ（図６参照）を実装するための部品実装部８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄ，８２Ｅ，８２Ｆ，８２Ｇ，８２Ｈ，８２Ｉ，８２Ｊ（以下、部品実装部８２Ａ～８２Ｊと称す）を含む。絶縁層９０は、これらの部品実装部８２Ａ～８２Ｊを露出させる複数（例えば、１４個）の部品実装領域開口部９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆ，９２Ｇ，９２Ｈ，９２Ｉ，９２Ｊ，９２Ｋ，９２Ｌ，９２Ｍ，９２Ｎ（図６参照）を含む。

また、配線層８０は、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄに実装された半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄにそれぞれワイヤ３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ（以下、ワイヤ３４Ａ～３４Ｄと称す）（図６参照）により接続されるワイヤ接続部８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ，８３Ｄ（以下、ワイヤ接続部８３Ａ～８３Ｄと称す）を含む。ワイヤ３４Ａ～３４Ｄは、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄの第１電極に接合されている。ワイヤ接続部８３Ａ～８３Ｄは、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄとともに、発光素子実装領域開口部９１Ａ（図６参照）から露出されている。

また、配線層８０は、第１接続端子１８Ａ（図３参照）と電気的に接続される第１端子接続部８４Ａと、第２接続端子１８Ｂ（図３参照）に電気的に接続される第２端子接続部８４Ｂとを含む。第１端子接続部８４Ａは、絶縁層９０の第１端子開口部９３Ａ（図６参照）から露出され、第２端子接続部８４Ｂは、絶縁層９０の第２端子開口部９３Ｂ（図６参照）から露出されている。図６の例では、第１端子接続部８４Ａは第４角部ＣＤの近傍に配置され、第２端子接続部８４Ｂは第２角部ＣＢの近傍に配置されている。

また、配線層８０は、複数（図７の例では８個）のプローブ接続部８５を含み得る。プローブ接続部８５は、検査プローブ（図示略）を用いて半導体発光装置２０を検査装置（図示略）に接続して半導体発光装置２０の動作を試験するために用いられる。符号は省略しているが、絶縁層９０は、プローブ接続部８５を個別に露出する開口部を含む。

配線層８０は、配線パターン８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉ，８０Ｊ，８０Ｋ，８０Ｌ（以下、配線パターン８０Ａ～８０Ｌと称す）を含む。発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄ、部品実装部８２Ａ～８２Ｊ、ワイヤ接続部８３Ａ～８３Ｄ、第１端子接続部８４Ａ、第２端子接続部８４Ｂ、およびプローブ接続部８５は、配線パターン８０Ａ～８０Ｋの一部を用いて形成される。

図７の例では、発光素子実装部８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄは、配線パターン８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄにそれぞれ形成されている。発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄは、基板３０の中心ＳＯの周りに同一円周上に互いに離間して配置され得る。すなわち、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄ（図６参照）は、基板３０の中心ＳＯの周りに同一円周上に互いに離間して配置され得る。半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを円周上に配置することで、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄが互いに干渉することを抑制しつつ半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄをできる限り基板３０の中心ＳＯにまとめて配置することができる。

ワイヤ接続部８３Ａは、配線パターン８０Ｅに形成されており、ワイヤ接続部８３Ｂ，８３Ｃ，８３Ｄは、配線パターン８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃにそれぞれ形成されている。したがって、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄに実装された半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄ（図６参照）がそれぞれワイヤ３４Ａ～３４Ｄ（図６参照）によってワイヤ接続部８３Ａ～８３Ｄに接続されると、半導体発光素子４０Ａが配線パターン８０Ｅに接続されるとともに、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄが直列に接続される。

部品実装部８２Ａは、ドライバＩＣ５０Ａを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉに形成されている。部品実装部８２Ｂは、ＴＶＳダイオード５０Ｂを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｆに形成されている。

部品実装部８２Ｃは、整流ダイオード５０Ｃを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｆ，８０Ｊに形成されている。部品実装部８２Ｄは、コンデンサ５０Ｄを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｆに形成されている。部品実装部８２Ｅは、サーミスタ５０Ｅを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｉに形成されている。

部品実装部８２Ｆは、抵抗器５０Ｆを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｆに形成されている。部品実装部８２Ｇは、抵抗器５０Ｇを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｋに形成されている。部品実装部８２Ｈは、抵抗器５０Ｈを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｆ，８０Ｋに形成されている。部品実装部８２Ｉは、抵抗器５０Ｉを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｇ，８０Ｋに形成されている。部品実装部８２Ｊは、抵抗器５０Ｊを実装する配線部分であり、配線パターン８０Ｄ，８０Ｈに形成されている。

第１端子接続部８４Ａは、第１貫通孔３２ＨＡの周囲において、配線パターン８０Ｄに形成され、第２端子接続部８４Ｂは、第２貫通孔３２ＨＢの周囲において、配線パターン８０Ｊに形成されている。プローブ接続部８５は、配線パターン８０Ｃ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉに形成されている。配線パターン８０Ｌは、チップ識別部５１の直下に配置されている。

配線パターン８０Ａ～８０Ｌの配置および形状は、基板３０上におけるレイアウト領域のデッドスペースを小さくするように、基板３０上の半導体発光素子４０および電子部品５０の相対配置、ならびに基板３０上の各電子部品５０の向き（配向）を考慮して決定され得る。例えば、発光素子実装部８１Ａ～８１Ｄは、上記したように半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄが基板３０の中心ＳＯの周りに同一円周上に配置されるように配置され得る。

また、配線パターン８０Ａ～８０Ｌのうちの少なくとも一つは、基板３０の任意の一つの角部（第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤのうちの任意の一つ）とその角部の近傍に位置する電子部品との間の領域を通過する配線延在部を含むように形成され得る。図６および図７に示される例では、配線パターン８０Ｆは、第１角部ＣＡとその第１角部ＣＡの近傍に位置するドライバＩＣ５０Ａとの間の領域を通過する配線延在部８０Ｆ１を含む。配線パターン８０Ｆはさらに、第３角部ＣＣとその第３角部ＣＣの近傍に位置するＴＶＳダイオード５０Ｂとの間の領域を通過する配線延在部８０Ｆ２を含む。また、図６および図７に示される例では、配線パターン８０Ｇは、第１角部ＣＡとドライバＩＣ５０Ａとの間の領域を通過する配線延在部８０Ｇ１を含む。このような配線延在部８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１を採用することで、レイアウト領域のデッドスペースを有効活用することができる。

なお、各配線延在部８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１は、対応する角部ＣＡ，ＣＣの形状に対応した形状を有していてもよい。図７の例では、各配線延在部８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１は、角部ＣＡ，ＣＣの凹Ｒ状に対応して凹Ｒ状に湾曲している。このような湾曲形状を採用することで、レイアウト領域のデッドスペースをより効率的に活用することができる。

また、部品実装部８２Ａ～８２Ｄのうちの少なくとも一つの組は、対応する電子部品５０が基板３０の各辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤに対して斜め配向となるように配置され得る。図６および図７に示される例では、ドライバＩＣ５０Ａ、ＴＶＳダイオード５０Ｂ、および抵抗器５０Ｇが基板３０の各辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤに対して斜め配向となるように、部品実装部８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｇが配置されている。さらに、各部品実装部８２Ａ～８２Ｄの配向および位置は、互いに隣接する電子部品５０の配向および位置を考慮して決定され得る。

［半導体発光装置の回路構成］
図８は、図６の半導体発光装置２０の概略回路図である。図８の回路図は、図７の配線パターン８０Ａ～８０Ｌを採用した配線レイアウトに基づいて実装された半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄおよび電子部品５０Ａ～５０Ｊの電気的な接続構成を示している。

図８に示されるように、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄは、接地電圧が印加される第１接続端子１８ＡとドライバＩＣ５０Ａとの間に直列に接続されている。ドライバＩＣ５０Ａには、ＴＶＳダイオード５０Ｂ、整流ダイオード５０Ｃ、コンデンサ５０Ｄ、サーミスタ５０Ｅ、および抵抗器５０Ｆ～５０Ｊが電気的に接続されている。

整流ダイオード５０Ｃのアノードは、動作電圧が印加される第２接続端子１８Ｂに接続されている。整流ダイオード５０Ｃのカソードは、ＴＶＳダイオード５０ＢのカソードおよびドライバＩＣ５０Ａに接続されている。ＴＶＳダイオード５０Ｂのアノードは、第１接続端子１８Ａに接続されている。コンデンサ５０Ｄは、整流ダイオード５０Ｃのカソードと第１接続端子１８Ａとの間に直列に接続されている。

抵抗器５０Ｆは、第１接続端子１８Ａと第２接続端子１８Ｂとの間に接続されている。抵抗器５０Ｇ，５０Ｈは、整流ダイオード５０Ｃのカソードと第１接続端子１８Ａとの間に直列に接続されている。また、抵抗器５０Ｇ，５０Ｈの直列回路は、コンデンサ５０Ｄに並列に接続されている。抵抗器５０Ｉは、抵抗器５０Ｇ，５０Ｈ間の接続ノードとドライバＩＣ５０Ａとの間に接続されている。サーミスタ５０Ｅは、ドライバＩＣ５０Ａと第１接続端子１８Ａとの間に接続されている。また、抵抗器５０Ｊは、ドライバＩＣ５０Ａと第１接続端子１８Ａとの間に接続されている。

このように構成された半導体発光装置２０では、動作電圧に応じた電流が整流ダイオード５０Ｃを介してコンデンサ５０Ｄに流れ、コンデンサ５０Ｄに蓄積された電荷に基づいてドライバＩＣ５０Ａにより半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄの発光が制御される。

［複数の半導体発光素子および複数の電子部品のレイアウトの詳細］
次に、図９を参照して、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄおよび電子部品５０Ａ～５０Ｊのレイアウトの詳細について説明する。なお、図９のレイアウトは図６に示すものと同一であるが、図面が複雑になるのを避けるために、図９では包囲部材６０および樹脂部材７０の図示を省略している。

半導体発光素子４０Ａ，４０Ｃは、第１角部ＣＡと第２角部ＣＢとを結ぶ第１対角線ＤＬ１に沿った方向に整列している。半導体発光素子４０Ａは、第１対角線ＤＬ１に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第１角部ＣＡとの間に位置しており、半導体発光素子４０Ｃは、第１対角線ＤＬ１に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第２角部ＣＢとの間に位置している。半導体発光素子４０Ａは第１半導体発光素子の一例であり、半導体発光素子４０Ｃは第３半導体発光素子の一例である。

半導体発光素子４０Ｂ，４０Ｄは、第３角部ＣＣと第４角部ＣＤとを結ぶ第２対角線ＤＬ２に沿った方向に整列している。半導体発光素子４０Ｂは、第２対角線ＤＬ２に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第３角部ＣＣとの間に位置しており、半導体発光素子４０Ｄは、第２対角線ＤＬ２に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第４角部ＣＤとの間に位置している。半導体発光素子４０Ｂは第２半導体発光素子の一例であり、半導体発光素子４０Ｄは第４半導体発光素子の一例である。

ドライバＩＣ５０Ａは、第１対角線ＤＬ１に沿った方向において半導体発光素子４０Ａと第１角部ＣＡとの間に位置している。ドライバＩＣ５０Ａは、第１電子部品の一例である。ドライバＩＣ５０Ａは、第１対角線ＤＬ１に平行な第１側面５０Ａ１および第２側面５０Ａ２と、第１対角線ＤＬ１に沿った方向と交差する第３側面５０Ａ３および第４側面５０Ａ４とを含む。なお、第１対角線ＤＬ１に「平行」とは、第１対角線ＤＬ１に完全に平行な場合だけでなく、第１対角線ＤＬ１に実質的に平行な場合も含む（すなわち、第１側面５０Ａ１および第２側面５０Ａ２が、基板３０の辺ＳＣ，ＳＤまたは辺ＳＡ，ＳＢに対して非平行であればよい）ことが意図される。

また、ドライバＩＣ５０Ａは、第１側面５０Ａ１および第２側面５０Ａ２の各々に沿って並置された複数の端子５０ＡＴを含む。これらの端子５０ＡＴは、部品実装部８２Ａ上に実装されている。なお、図示は省略するが、ドライバＩＣ５０Ａは、ドライバＩＣ５０Ａの直下を通過する配線パターン８０Ｄ（図７参照）に接続される放熱パッドを含んでもよい。

ドライバＩＣ５０Ａは、その第１～第４側面５０Ａ１，５０Ａ２，５０Ａ３，５０Ａ４が基板３０の第１～第４の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で基板３０上に配置されている。このように斜め配向で配置されたドライバＩＣ５０Ａの第１および第２側面５０Ａ１，５０Ａ２に端子５０ＡＴを設けることで、ドライバＩＣ５０Ａに接続される配線パターン８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

ＴＶＳダイオード５０Ｂは、第２対角線ＤＬ２に沿った方向において半導体発光素子４０Ｂと第３角部ＣＣとの間に位置している。ＴＶＳダイオード５０Ｂは、第２電子部品の一例である。

ＴＶＳダイオード５０Ｂは、第２対角線ＤＬ２に平行な第１側面５０Ｂ１および第２側面５０Ｂ２と、第２対角線ＤＬ２に沿った方向と交差する第３側面５０Ｂ３および第４側面５０Ｂ４とを含む。第３側面５０Ｂ３および第４側面５０Ｂ４は、平面視において、第１側面５０Ｂ１および第２側面５０Ｂ２よりも長い。短辺側の第１および第２側面５０Ｂ１，５０Ｂ２が第２対角線ＤＬ２に平行となるようにＴＶＳダイオード５０Ｂを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。なお、第２対角線ＤＬ２に「平行」とは、第２対角線ＤＬ２に完全に平行な場合だけでなく、第２対角線ＤＬ２に実質的に平行な場合も含む（すなわち、第１側面５０Ｂ１および第２側面５０Ｂ２が、基板３０の辺ＳＣ，ＳＤまたは辺ＳＡ，ＳＢに対して非平行であればよい）ことが意図される。

また、ＴＶＳダイオード５０Ｂは、第１側面５０Ｂ１に設けられた第１電極５０ＢＴ１と、第２側面５０Ｂ２に設けられた第２電極５０ＢＴ２とを含む。なお、第１電極５０ＢＴ１はアノード電極であり、第２電極５０ＢＴ２はカソード電極である。これら第１電極５０ＢＴ１および第２電極５０ＢＴ２は各々、部品実装部８２Ｂ上に実装されている。

ＴＶＳダイオード５０Ｂは、その第１～第４側面５０Ｂ１，５０Ｂ２，５０Ｂ３，５０Ｂ４が基板３０の第１～第４の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で基板３０上に配置されている。このように斜め配向で配置されたＴＶＳダイオード５０Ｂの第１および第２側面５０Ｂ１，５０Ｂ２に第１および第２電極５０ＢＴ１，５０ＢＴ２を設けることで、ＴＶＳダイオード５０Ｂに接続される配線パターン８０Ｄ，８０Ｆ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

抵抗器５０Ｇは、第２対角線ＤＬ２に沿った方向において半導体発光素子４０Ｄと第４角部ＣＤとの間に位置している。抵抗器５０Ｇは、第３電子部品の一例である。
抵抗器５０Ｇは、第２対角線ＤＬ２に平行な第１側面５０Ｇ１および第２側面５０Ｇ２と、第２対角線ＤＬ２に沿った方向と交差する第３側面５０Ｇ３および第４側面５０Ｇ４とを含む。第３側面５０Ｇ３および第４側面５０Ｇ４は、平面視において、第１側面５０Ｇ１および第２側面５０Ｇ２よりも長い。短辺側の第１および第２側面５０Ｇ１，５０Ｇ２が第２対角線ＤＬ２に平行となるように抵抗器５０Ｇを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。なお、第２対角線ＤＬ２に「平行」とは、第２対角線ＤＬ２に完全に平行な場合だけでなく、第２対角線ＤＬ２に実質的に平行な場合も含む（すなわち、第１側面５０Ｇ１および第２側面５０Ｇ２が、基板３０の辺ＳＣ，ＳＤまたは辺ＳＡ，ＳＢに対して非平行であればよい）ことが意図される。

また、抵抗器５０Ｇは、第１側面５０Ｇ１に設けられた第１端子５０ＧＴ１と、第２側面５０Ｇ２に設けられた第２端子５０ＧＴ２とを含む。これら第１端子５０ＧＴ１および第２端子５０ＧＴ２は各々、部品実装部８２Ｇ上に実装されている。

抵抗器５０Ｇは、その第１～第４側面５０Ｇ１，５０Ｇ２，５０Ｇ３，５０Ｇ４が基板３０の第１～第４の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で基板３０上に配置されている。このように斜め配向で配置された抵抗器５０Ｇの第１および第２側面５０Ｇ１，５０Ｇ２に第１および第２端子５０ＧＴ１，５０ＧＴ２を設けることで、抵抗器５０Ｇに接続される配線パターン８０Ｄ，８０Ｋ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

整流ダイオード５０Ｃは、基板３０の第４の辺ＳＤに沿って配置されている。整流ダイオード５０Ｃは、第４電子部品の一例である。
整流ダイオード５０Ｃは、第４の辺ＳＤに平行な第１側面５０Ｃ１および第２側面５０Ｃ２と、第１側面５０Ｃ１と第２側面５０Ｃ２とを各々接続する第３側面５０Ｃ３および第４側面５０Ｃ４とを含む。第１側面５０Ｃ１および第２側面５０Ｃ２は、平面視において、第３側面５０Ｃ３および第４側面５０Ｃ４よりも長い。長辺側の第１および第２側面５０Ｃ１，５０Ｃ２が第４の辺ＳＤに平行となるように整流ダイオード５０Ｃを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

また、整流ダイオード５０Ｃは、第３側面５０Ｃ３に設けられた第１電極５０ＣＴ１と、第４側面５０Ｃ４に設けられた第２電極５０ＣＴ２とを含む。なお、第１電極５０ＣＴ１はアノード電極であり、第２電極５０ＣＴ２はカソード電極である。これら第１および第２電極５０ＣＴ１，５０ＣＴ２は各々、部品実装部８２Ｃ上に実装されている。このような電極配置により、整流ダイオード５０Ｃに接続される配線パターン８０Ｆ，８０Ｊ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

コンデンサ５０Ｄは、基板３０の第３の辺ＳＣに沿って配置されている。コンデンサ５０Ｄは、第４電子部品の一例である。
コンデンサ５０Ｄは、第３の辺ＳＣに平行な第１側面５０Ｄ１および第２側面５０Ｄ２と、第１側面５０Ｄ１と第２側面５０Ｄ２とを各々接続する第３側面５０Ｄ３および第４側面５０Ｄ４とを含む。第１側面５０Ｄ１および第２側面５０Ｄ２は、平面視において、第３側面５０Ｄ３および第４側面５０Ｄ４よりも長い。長辺側の第１および第２側面５０Ｄ１，５０Ｄ２が第３の辺ＳＣに平行となるようにコンデンサ５０Ｄを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

また、コンデンサ５０Ｄは、第３側面５０Ｄ３に設けられた第１電極５０ＤＴ１と、第４側面５０Ｄ４に設けられた第２電極５０ＤＴ２とを含む。これら第１および第２電極５０ＤＴ１，５０ＤＴ２は各々、部品実装部８２Ｄ上に実装されている。このような電極配置により、コンデンサ５０Ｄに接続される配線パターン８０Ｄ，８０Ｆ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

抵抗器５０Ｈ，５０Ｉは、整流ダイオード５０Ｃに隣接して配置されている。抵抗器５０Ｈ，５０Ｉは各々、第５電子部品の一例である。
抵抗器５０Ｈは、第４の辺ＳＤに平行な第１側面５０Ｈ１および第２側面５０Ｈ２と、第１側面５０Ｈ１と第２側面５０Ｈ２とを各々接続する第３側面５０Ｈ３および第４側面５０Ｈ４とを含む。第１側面５０Ｈ１および第２側面５０Ｈ２は、平面視において、第３側面５０Ｈ３および第４側面５０Ｈ４よりも長い。長辺側の第１および第２側面５０Ｈ１，５０Ｈ２が第４の辺ＳＤに平行となるように抵抗器５０Ｈを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

また、抵抗器５０Ｈは、第３側面５０Ｈ３に設けられた第１端子５０ＨＴ１と、第４側面５０Ｈ４に設けられた第２端子５０ＨＴ２とを含む。これら第１および第２端子５０ＨＴ１，５０ＨＴ２は各々、部品実装部８２Ｈ上に実装されている。このような端子配置により、抵抗器５０Ｈに接続される配線パターン８０Ｆ，８０Ｋ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

同様に、抵抗器５０Ｉは、第４の辺ＳＤに平行な第１側面５０Ｉ１および第２側面５０Ｉ２と、第１側面５０Ｉ１と第２側面５０Ｉ２とを各々接続する第３側面５０Ｉ３および第４側面５０Ｉ４とを含む。第１側面５０Ｉ１および第２側面５０Ｉ２は、平面視において、第３側面５０Ｉ３および第４側面５０Ｉ４よりも長い。長辺側の第１および第２側面５０Ｉ１，５０Ｉ２が第４の辺ＳＤに平行となるように抵抗器５０Ｉを設けることで、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

また、抵抗器５０Ｉは、第３側面５０Ｉ３に設けられた第１端子５０ＩＴ１と、第４側面５０Ｉ４に設けられた第２端子５０ＩＴ２とを含む。これら第１および第２端子５０ＩＴ１，５０ＩＴ２は各々、部品実装部８２Ｉ上に実装されている。このような端子配置により、抵抗器５０Ｉに接続される配線パターン８０Ｇ，８０Ｋ（図７参照）を、より短い配線長でレイアウトすることが可能となる。

サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊは、ドライバＩＣ５０ＡとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間に位置している。サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊは、互いに隣接して配置されている。サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊは各々、第６電子部品の一例である。

サーミスタ５０Ｅは、第１の辺ＳＡに平行な第１側面５０Ｅ１および第２側面５０Ｅ２と、第１側面５０Ｅ１と第２側面５０Ｅ２とを各々接続する第３側面５０Ｅ３および第４側面５０Ｅ４とを含む。第３側面５０Ｅ３および第４側面５０Ｅ４は、平面視において、第１側面５０Ｅ１および第２側面５０Ｈ２よりも長い。サーミスタ５０Ｅは、第１側面５０Ｅ１に設けられた第１電極５０ＥＴ１と、第２側面５０Ｅ２に設けられた第２電極５０ＥＴ２とを含む。これらの第１および第２電極５０ＥＴ１，５０ＥＴ２は各々、部品実装部８２Ｅ上に実装されている。

抵抗器５０Ｊは、第１の辺ＳＡに平行な第１側面５０Ｊ１および第２側面５０Ｊ２と、第１側面５０Ｊ１と第２側面５０Ｊ２とを各々接続する第３側面５０Ｊ３および第４側面５０Ｊ４とを含む。第３側面５０Ｊ３および第４側面５０Ｊ４は、平面視において、第１側面５０Ｊ１および第２側面５０Ｊ２よりも長い。抵抗器５０Ｊは、第１側面５０Ｊ１に設けられた第１端子５０ＪＴ１と、第２側面５０Ｊ２に設けられた第２端子５０ＪＴ２とを含む。これらの第１および第２端子５０ＪＴ１，５０ＪＴ２は各々、部品実装部８２Ｊ上に実装されている。

サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊは、サーミスタ５０Ｅの長辺側（第３および第４側面５０Ｅ３，５０Ｅ４）が抵抗器５０Ｊの長辺側（第３および第４側面５０Ｊ３，５０Ｊ４）に平行となるように互いに隣接して配置されている。この構成では、ドライバＩＣ５０ＡとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間の狭い領域に、サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊを効率良く配置して、レイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

抵抗器５０Ｆは、基板３０の第２の辺ＳＢに沿って配置されている。抵抗器５０Ｆは、第２の辺ＳＢに平行な第１側面５０Ｆ１および第２側面５０Ｆ２と、第１側面５０Ｆ１と第２側面５０Ｆ２とを各々接続する第３側面５０Ｆ３および第４側面５０Ｆ４とを含む。第３側面５０Ｆ３および第４側面５０Ｆ４は、平面視において、第１側面５０Ｆ１および第２側面５０Ｆ２よりも長い。抵抗器５０Ｆは、第１側面５０Ｆ１に設けられた第１電極５０ＦＴ１と、第２側面５０Ｆ２に設けられた第２電極５０ＦＴ２とを含む。第１および第２電極５０ＦＴ１，５０ＦＴ２は各々、部品実装部８２Ｆ上に実装されている。

［面取り角部の形状と応力との関係］
図１０は、複数の基板３０（半導体発光装置２０）を製造するための１枚の大型基板３００を示す概略平面図である。図１０に示されるように、基板３０は、１枚の大型基板３００から多数個取りされ得る。なお、図１０の例では、大型基板３００に４×６個の基板３０が製造されるが、実際には、より多くの数の基板３０が製造され得る。この大型基板３００における各基板３０の各角部に円形孔３００Ａを形成することで、大型基板３００を個片化したときに、各基板３０の各角部を凹Ｒ状の面取り角部（すなわち、図６に示される各角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ）として形成することができる。

ここで、図１１（参考例）に示されるように、円形孔３００Ａに代えて例えば矩形孔３００Ｂを大型基板３００に形成した場合には、個片化された各基板３０の各角部を４５度の面取り角部として得ることができる。しかしながら、この場合は、矩形孔３００Ｂの各角部に発生する応力Ｆ１が他の箇所で発生する応力Ｆ２よりも大きくなるため、大型基板３００を複数の基板３０に個片化する際に、熱応力によるクラックが生じ易くなる。

この点、図１２（すなわち図１０）に示されるように、凹Ｒ状の面取り角部を得るために円形孔３００Ａを大型基板３００に形成した場合には、円形孔３００Ａから均等に応力Ｆｅが分散するようになるため、個片化する際に熱応力によるクラックが生じ難くなる。このため、矩形孔３００Ｂを形成する場合に比べて、基板３０（半導体発光装置２０）の製造歩留まりを向上させることができる。

次に、半導体発光装置２０の作用について説明する。
半導体発光装置２０の基板３０に実装されたドライバＩＣ５０Ａは、基板３０の第１角部ＣＡと第２角部ＣＢとを結ぶ第１対角線ＤＬ１に沿った方向において基板３０の中心ＳＯと第１角部ＣＡとの間に位置している。このドライバＩＣ５０Ａは、ドライバＩＣ５０Ａの４つの側面５０Ａ１～５０Ａ４が基板３０の４つの辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で基板３０上に配置されている。

ドライバＩＣ５０Ａは、相対的な大きなサイズを有する電子部品であり、他の電子部品に比べて多数の配線パターン８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉに接続される。このため、ドライバＩＣ５０Ａを基板３０の角部（ここでは第１角部ＣＡ）近傍に配置する場合には、配線パターン８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉのレイアウトに起因したデッドスペースが生じ易い。

この点、ドライバＩＣ５０Ａが第１角部ＣＡの近傍において斜め配向で配置されることにより、第１角部ＣＡから延びる２つの辺ＳＡ，ＳＣに沿って配線パターン８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆ，８０Ｇ，８０Ｈ，８０Ｉを配置し易くなり、配線レイアウトに起因するデッドスペースを削除することができる。このようなデッドスペースの削減は結果的に基板３０のサイズを低減することにも繋がる。

また、第１実施形態では、ドライバＩＣ５０Ａに加えて、第３角部ＣＣ近傍に位置するＴＶＳダイオード５０Ｂおよび第４角部ＣＤ近傍に位置する抵抗器５０Ｇも、斜め配向で配置されている。このように斜め配向で配置される電子部品の数を増やすことで、デッドスペースをより削減することができる。

また、第１実施形態では、基板３０の中心ＳＯ付近に半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄが配置されている。このように半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄが基板３０の中央に集中的にレイアウトされる場合、ドライバＩＣ５０Ａ、ＴＶＳダイオード５０Ｂ、および抵抗器５０Ｇの斜め配向を組み合わせることによって、デッドスペースをより効果的に削減することができる。

また、第１実施形態では、基板３０の角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが凹Ｒ状に面取りされている。このように角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤを面取りすることで基板３０のサイズを小さくすることができる一方、レイアウト領域は制限されることとなる。この点、ドライバＩＣ５０Ａ（さらには、ＴＶＳダイオード５０Ｂおよび抵抗器５０Ｇ）の斜め配向を採用してデッドスペースを削減することができるため、レイアウトを効率化して基板３０の小型化を実現することができる。

第１実施形態の半導体発光装置２０は、以下の利点を有する。
（１－１）ドライバＩＣ５０Ａが基板３０の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で第１角部ＣＡの近傍に配置されている。この構成によれば、ドライバＩＣ５０Ａを第１角部ＣＡの近傍に効率的にレイアウトして、第１角部ＣＡにおけるレイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

（１－２）ドライバＩＣ５０Ａの端子５０ＡＴが、第１対角線ＤＬ１に平行な第１側面５０Ａ１および第２側面５０Ａ２に配置されている。この構成によれば、第１角部ＣＡの近傍においてドライバＩＣ５０Ａの配線レイアウトを行い易くしてデッドスペースをより削減することができる。

（１－３）ＴＶＳダイオード５０Ｂが基板３０の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で第３角部ＣＣの近傍に配置されている。この構成によれば、ＴＶＳダイオード５０Ｂを第３角部ＣＣの近傍に効率的にレイアウトして、第３角部ＣＣにおけるレイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

（１－４）ＴＶＳダイオード５０Ｂの第１電極５０ＢＴ１および第２電極５０ＢＴ２が、第２対角線ＤＬ２に平行な第１側面５０Ｂ１および第２側面５０Ｂ２に配置されている。この構成によれば、第３角部ＣＣの近傍においてＴＶＳダイオード５０Ｂの配線レイアウトを行い易くしてデッドスペースをより削減することができる。

（１－５）半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄは、基板３０の中心ＳＯの周りに同一円周上に互いに離間して配置されている。この構成によれば、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを基板３０の中央に集中的にレイアウトしつつ、ドライバＩＣ５０Ａ（および他の電子部品）を斜め配向とすることで、デッドスペースをより削減することができる。

（１－６）抵抗器５０Ｇが基板３０の辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤのいずれとも非平行となる斜め配向で第４角部ＣＤの近傍に配置されている。この構成によれば、抵抗器５０Ｇを第４角部ＣＤの近傍に効率的にレイアウトして、第４角部ＣＤにおけるレイアウト領域のデッドスペースを削減することができる。

（１－７）抵抗器５０Ｇの第１端子５０ＧＴ１および第２端子５０ＧＴ２が、第２対角線ＤＬ２に平行な第１側面５０Ｇ１および第２側面５０Ｇ２に配置されている。この構成によれば、第４角部ＣＤの近傍において抵抗器５０Ｇの配線レイアウトを行い易くしてデッドスペースをより削減することができる。

（１－８）整流ダイオード５０Ｃは、長辺側である第１側面５０Ｃ１および第２側面５０Ｃ２が基板３０の第４の辺ＳＤに沿って配置されている。また、整流ダイオード５０Ｃに隣接する抵抗器５０Ｈは、長辺側である第１側面５０Ｈ１および第２側面５０Ｈ２が第４の辺ＳＤに対して平行となるように配置されている。同様に、整流ダイオード５０Ｃに隣接する抵抗器５０Ｉは、長辺側である第１側面５０Ｉ１および第２側面５０Ｉ２が第４の辺ＳＤに対して平行となるように配置されている。この構成によれば、整流ダイオード５０Ｃ、抵抗器５０Ｈ、および抵抗器５０Ｉを、第４の辺ＳＤの近傍に効率良くレイアウトすることができる。

（１－９）サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊは、ドライバＩＣ５０ＡとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間に位置している。そして、サーミスタ５０Ｅの短辺側（第１側面５０Ｅ１および第２側面５０Ｅ２）および抵抗器５０Ｊの短辺側（第１側面５０Ｊ１および第２側面５０Ｊ２）は、基板３０の第１の辺ＳＡに対して平行に配置されている。この構成によれば、サーミスタ５０Ｅおよび抵抗器５０Ｊを、ドライバＩＣ５０ＡとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間に効率良くレイアウトすることができる。

（１－１０）基板３０の角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが凹Ｒ状の面取り角部として形成されている。この構成によれば、角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが面取りされることで、基板３０のサイズを全体的に小さくすることができる。なお、基板３０のサイズが小さくなるとレイアウト領域は制限されることとなるが、ドライバＩＣ５０Ａ（さらには、ＴＶＳダイオード５０Ｂおよび抵抗器５０Ｇ）の斜め配向を採用してデッドスペースを削減することにより基板３０の小型化を実現することができる。

（１－１１）配線パターン８０Ｆ，８０Ｇは、第１角部ＣＡとドライバＩＣ５０Ａとの間の領域を通過する配線延在部８０Ｆ１，８０Ｇ１を含む。また、配線パターン８０Ｆは、第３角部ＣＣとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間の領域を通過する配線延在部８０Ｆ２を含む。このような配線延在部８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１を採用することでレイアウト領域のデッドスペースを有効活用することができる。

（１－１２）各配線延在部８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１は、対応する角部ＣＡ，ＣＣの凹Ｒ状に対応して凹Ｒ状に湾曲している。このような湾曲形状を採用することで、レイアウト領域のデッドスペースをより効率的に活用することができる。

（１－１３）半導体発光装置２０は、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを囲む平面視円形状の包囲部材６０と、包囲部材６０の内部に充填され、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを封止する樹脂部材７０とを備えている。包囲部材６０を平面視円形状とすることで、包囲部材６０を小型化することができる。このため、基板３０の小型化を実現する上で有利な構成とすることができる。

［第２実施形態］
図１３は、第２実施形態にかかる例示的な半導体発光装置２０Ａの概略斜視図である。以下、第１実施形態との相違点を中心に、第２実施形態の半導体発光装置２０Ａの構成について説明する。なお、第１実施形態の構成と同様な構成については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

第２実施形態の半導体発光装置２０Ａでは、基板３０の角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤが面取りされていない（すなわち、各々９０度の角部である）。また、半導体発光装置２０Ａでは、サーミスタ５０Ｅが第１対角線ＤＬ１に沿った方向においてドライバＩＣ５０Ａと第１角部ＣＡとの間に配置されている。配線パターン８０Ｆ，８０Ｇの配線延在部８０Ｆ１，８０Ｇ１は、サーミスタ５０Ｅと第１角部ＣＡとの間の領域を通過するように配置されている。

また、第２実施形態の半導体発光装置２０Ａでは、第２端子接続部８４Ｂが第２角部ＣＢよりも第１端子接続部８４Ａに近い位置に配置されている。そして、チップ識別部５１は第２角部ＣＢ付近に配置されている。

第２実施形態の半導体発光装置２０Ａは、第１実施形態で得られる（１－１）～（１－８）、（１－１１）、および（１－１３）の利点に加えて、以下の利点を有する。
（２－１）サーミスタ５０Ｅが、第１対角線ＤＬ１に沿った方向においてドライバＩＣ５０Ａと第１角部ＣＡとの間に配置されている。これにより、ドライバＩＣ５０ＡとＴＶＳダイオード５０Ｂとの間の距離を短くして、基板３０の第１の辺ＳＡ（および第１の辺ＳＡに平行な第２の辺ＳＢ）の長さを第１実施形態に比べて短くすることができる。

（２－２）第２端子接続部８４Ｂが、第２角部ＣＢよりも第１端子接続部８４Ａに近い位置に配置されている。そして、チップ識別部５１が、第２角部ＣＢ付近に配置されている。これにより、基板３０の第３の辺ＳＣ（および第３の辺ＳＣに平行な第４の辺ＳＤ）の長さを第１実施形態に比べて短くすることができる。

（２－３）上記（２－１）および上記（２－２）により基板３０の各辺ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤの長さを第１実施形態よりも短くすることができる。例えば第２実施形態では、基板３０の１辺の長さは１２．６ｍｍ程度とすることができる。

［変更例］
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・４個の半導体発光素子４０を含む上記実施形態は単に一例に過ぎず、半導体発光素子４０の個数は複数であればよい。
・１０個の電子部品５０を含む上記実施形態は単に一例に過ぎず、電子部品５０の個数は複数であればよい。

・包囲部材６０は、反射部材（すなわち、リフレクタ）として設けられてもよい。反射部材は、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄを囲みつつ基板３０の厚さ方向に対して傾斜する反射面を含み得る。反射面は、反射部材の内面を画定し、反射部材の上端から下端に向けて反射部材の開口幅が小さくなるように形成され得る。この構成では、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄから放出された光は、反射面で反射されて上方へと配向される。反射面は、例えば平面視円形状であってよい。反射部材を用いることで、半導体発光素子４０Ａ～４０Ｄから放出された光を効率的に反射することができる。

・図６に示された基板３０において、第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤの面取り形状は、特に限定されない。第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは、凹Ｒ状（湾曲状）に面取りされることに限定されず、所与の面取り角度（例えば、４５度）で面取りされてもよい。

・図６に示された基板３０において、第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは面取りされていなくてもよい。すなわち、第１～第４角部ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤは各々９０度の角部であってもよい。

・第２実施形態では、第２端子接続部８４Ｂ（動作電圧が印加される端子接続部）が第２角部ＣＢよりも第１端子接続部８４Ａ（接地電圧が印加される端子接続部）に近い位置に配置されたが、逆の関係でもよい。すなわち、第１端子接続部８４Ａが第４角部ＣＤよりも第２端子接続部８４Ｂに近い位置に配置されてもよい。

本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば、「第１要素が第２要素上に実装される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。

本開示で使用されるＺ軸方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造（例えば、図６に示される構造）は、本明細書で説明されるＺ軸方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ軸方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ軸方向が鉛直方向であってもよい。

本開示で使用される「第１～」、「第２～」などの数詞は単に構成部品を明確に区別するために用いたものであり、必ずしも順番どおりの構成部品を備えることが必須とされるものではない。

［付記］
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。

（付記Ａ１）
平面視矩形状の基板（３０）と、
前記基板（３０）上に実装された複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）と、
前記基板（３０）上に実装され、前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）を駆動する複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）と、
を備え、
前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）は、前記基板（３０）の４つの角部（ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ）のうちの第１角部（ＣＡ）と第２角部（ＣＢ）とを結ぶ第１対角線（ＤＬ１）に沿った方向において前記基板（３０）の中心（ＳＯ）と前記第１角部（ＣＡ）との間に位置する第１半導体発光素子（４０Ａ）を含み、
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、前記第１対角線（ＤＬ１）に沿った方向において前記第１半導体発光素子（４０Ａ）と前記第１角部（ＣＡ）との間に位置する平面視矩形状の第１電子部品（５０Ａ）を含み、
前記第１電子部品（５０Ａ）は、前記第１電子部品（５０Ａ）の４つの側面（５０Ａ１～５０Ａ４）が前記基板（３０）の４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板（３０）上に配置されている、半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ２）
前記第１電子部品（５０Ａ）は、前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）の発光を制御する集積回路であり、
前記集積回路（５０Ａ）の前記４つの側面（５０Ａ１～５０Ａ４）は、前記第１対角線（ＤＬ１）に平行な第１側面（５０Ａ１）および第２側面（５０Ａ２）と、前記第１対角線（ＤＬ１）に沿った方向と交差する第３側面（５０Ａ３）および第４側面（５０Ａ４）とを含み、
前記集積回路（５０Ａ）は、前記第１側面（５０Ａ１）および前記第２側面（５０Ａ２）の各々に沿って並置された複数の端子（５０ＡＴ）を含む、付記Ａ１に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ３）
前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）は、前記基板（３０）の前記４つの角部（ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ）のうちの第３角部（ＣＣ）と第４角部（ＣＤ）とを結ぶ第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向において前記基板（３０）の中心（ＳＯ）と前記第３角部（ＣＣ）との間に位置する第２半導体発光素子（４０Ｂ）を含み、
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、前記第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向において前記第２半導体発光素子（４０Ｂ）と前記第３角部（ＣＣ）との間に位置する平面視矩形状の第２電子部品（５０Ｂ）を含み、
前記第２電子部品（５０Ｂ）は、前記第２電子部品（５０Ｂ）の４つの側面（５０Ｂ１～５０Ｂ４）が前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板（３０）上に配置されている、付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ４）
前記第２電子部品（５０Ｂ）はダイオードであり、
前記ダイオード（５０Ｂ）の前記４つの側面（５０Ｂ１～５０Ｂ４）は、前記第２対角線（ＤＬ２）に平行な第１側面（５０Ｂ１）および第２側面（５０Ｂ２）と、前記第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向と交差する第３側面（５０Ｂ３）および第４側面（５０Ｂ４）とを含み、
前記ダイオード（５０Ｂ）の第３側面（５０Ｂ３）および第４側面（５０Ｂ４）は、平面視において、前記ダイオードの第１側面（５０Ｂ１）および第２側面（５０Ｂ２）よりも長く、
前記ダイオード（５０Ｂ）は、前記ダイオード（５０Ｂ）の第１側面（５０Ｂ１）に設けられた第１電極（５０ＢＴ１）と、前記ダイオード（５０Ｂ）の第２側面（５０Ｂ２）に設けられた第２電極（５０ＢＴ２）とを含む、付記Ａ３に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ５）
前記第２電子部品（５０Ｂ）は、静電気放電保護ダイオードである、付記Ａ４に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ６）
前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）は、
前記第１対角線（ＤＬ１）に沿った方向において前記基板（３０）の中心（ＳＯ）と前記第２角部（ＣＢ）との間に位置する第３半導体発光素子（４０Ｃ）と、
前記第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向において前記基板（３０）の中心（ＳＯ）と前記第４角部（ＣＤ）との間に位置する第４半導体発光素子（４０Ｄ）と、を含み、
前記第１半導体発光素子（４０Ａ）、前記第２半導体発光素子（４０Ｂ）、前記第３半導体発光素子（４０Ｃ）、および前記第４半導体発光素子（４０Ｄ）は、前記基板（３０）の中心（ＳＯ）の周りに同一円周上に互いに離間して配置されている、付記Ａ３～Ａ５のうちのいずれか一つに記載の半導体装置。

（付記Ａ７）
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、前記第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向において前記第４半導体発光素子（４０Ｄ）と前記第４角部（ＣＤ）との間に位置する平面視矩形状の第３電子部品（５０Ｇ）を含み、
前記第３電子部品（５０Ｇ）は、前記第３電子部品（５０Ｇ）の４つの側面（５０Ｇ１～５０Ｇ４）が前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板（３０）上に配置されている、付記Ａ６に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ８）
前記第３電子部品（５０Ｇ）は抵抗器であり、
前記抵抗器（５０Ｇ）の前記４つの側面（５０Ｇ１～５０Ｇ４）は、前記第２対角線（ＤＬ２）に平行な第１側面（５０Ｇ１）および第２側面（５０Ｇ２）と、前記第２対角線（ＤＬ２）に沿った方向と交差する第３側面（５０Ｇ３）および第４側面（５０Ｇ４）とを含み、
前記抵抗器（５０Ｇ）の第３側面（５０Ｇ３）および第４側面（５０Ｇ４）は、平面視において、前記抵抗器（５０Ｇ）の第１側面（５０Ｇ１）および第２側面（５０Ｇ２）よりも長く、
前記抵抗器（５０Ｇ）は、前記抵抗器（５０Ｇ）の第１側面（５０Ｇ１）に設けられた第１端子（５０ＧＴ１）と、前記抵抗器（５０Ｇ）の第２側面（５０Ｇ２）に設けられた第２端子（５０ＧＴ２）とを含む、付記Ａ７に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ９）
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、
前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のうちの１つに沿って配置される平面視矩形状の第４電子部品（５０Ｃ）と、
前記第４電子部品（５０Ｃ）に隣接して配置される平面視矩形状の第５電子部品（５０Ｈ；５０Ｉ）と、を含み、
前記第４電子部品（５０Ｃ）の４つの側面（５０Ｃ１～５０Ｃ４）は、前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のうちの１つに平行な第１側面（５０Ｃ１）および第２側面（５０Ｃ２）と、前記第４電子部品（５０Ｃ）の第１側面（５０Ｃ１）と第２側面（５０Ｃ１）とを各々接続する第３側面（５０Ｃ３）および第４側面（５０Ｃ４）とを含み、
前記第４電子部品（５０Ｃ）の第１側面（５０Ｃ１）および第２側面（５０Ｃ２）は、平面視において、前記第４電子部品（５０Ｃ）の第３側面（５０Ｃ３）および第４側面（５０Ｃ４）よりも長く、
前記第５電子部品（５０Ｈ；５０Ｉ）の４つの側面（５０Ｈ１～５０Ｈ４；５０Ｉ１～５０Ｉ４）は、前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のうちの１つに平行な第１側面（５０Ｈ１；５０Ｉ１）および第２側面（５０Ｈ２；５０Ｉ２）と、前記第５電子部品（５０Ｈ；５０Ｉ）の第１側面（５０Ｈ１；５０Ｉ１）と第２側面（５０Ｈ２；５０Ｉ２）とを各々接続する第３側面（５０Ｈ３；５０Ｉ３）および第４側面（５０Ｈ４；５０Ｉ４）とを含み、
前記第５電子部品（５０Ｈ；５０Ｉ）の第１側面（５０Ｈ１；５０Ｉ１）および第２側面（５０Ｈ２；５０Ｉ２）は、平面視において、前記第５電子部品（５０Ｈ；５０Ｉ）の第３側面（５０Ｈ３；５０Ｉ３）および第４側面（５０Ｈ４；５０Ｉ４）よりも長い、付記Ａ１～Ａ８のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１０）
前記基板（３０）の前記４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）は、前記第１角部（ＣＡ）と前記第３角部（ＣＣ）とを接続する第１の辺（ＳＡ）を含み、
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、前記第１電子部品（５０Ａ）と前記第２電子部品（５０Ｂ）との間に位置する平面視矩形状の第６電子部品（５０Ｅ；５０Ｊ）を含み、
前記第６電子部品（５０Ｅ；５０Ｊ）の４つの側面（５０Ｅ１～５０Ｅ４；５０Ｊ１～５０Ｊ４）は、前記基板（３０）の前記第１の辺（ＳＡ）に平行な第１側面（５０Ｅ１；５０Ｊ１）および第２側面（５０Ｅ２；５０Ｊ２）と、前記第６電子部品（５０Ｅ；５０Ｊ）の第１側面（５０Ｅ１；５０Ｊ１）と第２側面（５０Ｅ２；５０Ｊ２）とを各々接続する第３側面（５０Ｅ３；５０Ｊ３）および第４側面（５０Ｅ４；５０Ｊ４）とを含み、
前記第６電子部品（５０Ｅ；５０Ｊ）の第３側面（５０Ｅ３；５０Ｊ３）および第４側面（５０Ｅ４；５０Ｊ４）は、平面視において、前記第６電子部品（５０Ｅ；５０Ｊ）の第１側面（５０Ｅ１；５０Ｊ１）および第２側面（５０Ｅ２；５０Ｊ２）よりも長い、付記Ａ３～Ａ８のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１１）
前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）は、前記第１対角線（ＤＬ１）に沿った方向において前記第１電子部品（５０Ａ）と前記第１角部（ＣＡ）との間に位置する平面視矩形状の第７電子部品（５０Ｅ）を含み、
前記第７電子部品（５０Ｅ）は、前記第７電子部品（５０Ｅ）の４つの側面（５０Ｅ１～５０Ｅ４）が前記基板（３０）の４つの辺（ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ）のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板（３０）上に配置されている、付記Ａ１～Ａ１０のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１２）
前記第７電子部品（５０Ｅ）はサーミスタである、付記Ａ１１に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１３）
前記基板（３０）は、
第１電源電圧を供給する第１接続端子（１８Ａ）と電気的に接続される第１端子接続部（８４Ａ）と、
第２電源電圧を供給する第２接続端子（１８Ｂ）と電気的に接続される第２端子接続部（８４Ｂ）と、を含み、
前記第１端子接続部（８４Ａ）および前記第２端子接続部（８４Ｂ）は、前記基板（３０）の前記第２角部（ＣＢ）と前記第４角部（ＣＤ）とを接続する辺（ＳＢ）に沿って配置され、
前記第１端子接続部（８４Ａ）は、前記第４角部（ＣＤ）の近傍に配置され、
前記第２端子接続部（８４Ｂ）は、前記第２角部（ＣＢ）よりも前記第１端子接続部（８４Ａ）に近い位置に配置されている、付記Ａ３～Ａ１２のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１４）
前記基板（３０）の前記４つの角部（ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ）は、凹Ｒ状の面取り角部として形成されている、付記Ａ１～Ａ１３のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１５）
前記凹Ｒ状の面取り角部は、中心角が９０度の円弧面を含む、付記Ａ１４に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１６）
前記基板（３０）は、前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）と前記複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）とを相互に電気的に接続する複数の配線パターンを含み、
前記複数の配線パターンのうちの１つまたは複数は、平面視において、前記第１角部（ＣＡ）と前記第１電子部品（５０Ａ）との間の領域を通過する配線延在部（８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１）を含み、
前記配線延在部（８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１）が前記第１角部（ＣＡ）の凹Ｒ状に対応して凹Ｒ状に湾曲している、付記Ａ１４またはＡ１５に記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１７）
前記基板（３０）上に設けられ、前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）を囲む平面視円形状の包囲部材（６０）と、
前記包囲部材（６０）の内部に充填される樹脂部材（７０）と、をさらに備える付記Ａ１～Ａ１６のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）。

（付記Ａ１８）
付記Ａ１～Ａ１７のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（２０）を備えた照明装置（１０）。

（付記Ｂ１）
平面視矩形状の基板（３０）と、
前記基板（３０）上に実装された複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）と、
前記基板（３０）上に実装され、前記複数の半導体発光素子（４０Ａ～４０Ｄ）を駆動する複数の電子部品（５０Ａ～５０Ｊ）と、
を備え、
前記基板（３０）の４つの角部（ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ）は凹Ｒ状の面取り角部として形成されている、半導体発光装置（２０）。

（付記Ｂ２）
付記Ｂ１に記載の半導体発光装置（２０）を備えた照明装置（１０）。
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。

１０…照明装置
１８Ａ…第１接続端子
１８Ｂ…第２接続端子
２０…半導体発光装置
３０…基板
ＳＯ…基板の中心
ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ…基板の辺
ＣＡ，ＣＢ，ＣＣ，ＣＤ…基板の角部
ＤＬ１…第１対角線
ＤＬ２…第２対角線
４０Ａ～４０Ｄ…半導体発光素子
５０Ａ～５０Ｊ…電子部品
６０…包囲部材
７０…樹脂部材
８０…配線層
８０Ａ～８０Ｌ…配線パターン
８０Ｆ１，８０Ｆ２，８０Ｇ１…配線延在部
８４Ａ…第１端子接続部
８４Ｂ…第２端子接続部

Claims (17)

1. 平面視矩形状の基板と、
   前記基板上に実装された複数の半導体発光素子と、
   前記基板上に実装され、前記複数の半導体発光素子を駆動する複数の電子部品と、
   を備え、
   前記複数の半導体発光素子は、前記基板の４つの角部のうちの第１角部と第２角部とを結ぶ第１対角線に沿った方向において前記基板の中心と前記第１角部との間に位置する第１半導体発光素子を含み、
   前記複数の電子部品は、前記第１対角線に沿った方向において前記第１半導体発光素子と前記第１角部との間に位置する平面視矩形状の第１電子部品を含み、
   前記第１電子部品は、前記第１電子部品の４つの側面が前記基板の４つの辺のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板上に配置されている、半導体発光装置。
2. 前記第１電子部品は、前記複数の半導体発光素子の発光を制御する集積回路であり、
   前記集積回路の前記４つの側面は、前記第１対角線に平行な第１側面および第２側面と、前記第１対角線に沿った方向と交差する第３側面および第４側面とを含み、
   前記集積回路は、前記第１側面および前記第２側面の各々に沿って並置された複数の端子を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記複数の半導体発光素子は、前記基板の前記４つの角部のうちの第３角部と第４角部とを結ぶ第２対角線に沿った方向において前記基板の中心と前記第３角部との間に位置する第２半導体発光素子を含み、
   前記複数の電子部品は、前記第２対角線に沿った方向において前記第２半導体発光素子と前記第３角部との間に位置する平面視矩形状の第２電子部品を含み、
   前記第２電子部品は、前記第２電子部品の４つの側面が前記基板の前記４つの辺のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板上に配置されている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第２電子部品はダイオードであり、
   前記ダイオードの前記４つの側面は、前記第２対角線に平行な第１側面および第２側面と、前記第２対角線に沿った方向と交差する第３側面および第４側面とを含み、
   前記ダイオードの第３側面および第４側面は、平面視において、前記ダイオードの第１側面および第２側面よりも長く、
   前記ダイオードは、前記ダイオードの第１側面に設けられた第１電極と、前記ダイオードの第２側面に設けられた第２電極とを含む、請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記第２電子部品は、静電気放電保護ダイオードである、請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記複数の半導体発光素子は、
   前記第１対角線に沿った方向において前記基板の中心と前記第２角部との間に位置する第３半導体発光素子と、
   前記第２対角線に沿った方向において前記基板の中心と前記第４角部との間に位置する第４半導体発光素子と、を含み、
   前記第１半導体発光素子、前記第２半導体発光素子、前記第３半導体発光素子、および前記第４半導体発光素子は、前記基板の中心の周りに同一円周上に互いに離間して配置されている、請求項３～５のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記複数の電子部品は、前記第２対角線に沿った方向において前記第４半導体発光素子と前記第４角部との間に位置する平面視矩形状の第３電子部品を含み、
   前記第３電子部品は、前記第３電子部品の４つの側面が前記基板の前記４つの辺のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板上に配置されている、請求項６に記載の半導体発光装置。
8. 前記第３電子部品は抵抗器であり、
   前記抵抗器の前記４つの側面は、前記第２対角線に平行な第１側面および第２側面と、前記第２対角線に沿った方向と交差する第３側面および第４側面とを含み、
   前記抵抗器の第３側面および第４側面は、平面視において、前記抵抗器の第１側面および第２側面よりも長く、
   前記抵抗器は、前記抵抗器の第１側面に設けられた第１端子と、前記抵抗器の第２側面に設けられた第２端子とを含む、請求項７に記載の半導体発光装置。
9. 前記複数の電子部品は、
   前記基板の前記４つの辺のうちの１つに沿って配置される平面視矩形状の第４電子部品と、
   前記第４電子部品に隣接して配置される平面視矩形状の第５電子部品と、を含み、
   前記第４電子部品の４つの側面は、前記基板の前記４つの辺のうちの１つに平行な第１側面および第２側面と、前記第４電子部品の第１側面と第２側面とを各々接続する第３側面および第４側面とを含み、
   前記第４電子部品の第１側面および第２側面は、平面視において、前記第４電子部品の第３側面および第４側面よりも長く、
   前記第５電子部品の４つの側面は、前記基板の前記４つの辺のうちの１つに平行な第１側面および第２側面と、前記第５電子部品の第１側面と第２側面とを各々接続する第３側面および第４側面とを含み、
   前記第５電子部品の第１側面および第２側面は、平面視において、前記第５電子部品の第３側面および第４側面よりも長い、請求項１～８のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
10. 前記基板の前記４つの辺は、前記第１角部と前記第３角部とを接続する第１の辺を含み、
    前記複数の電子部品は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置する平面視矩形状の第６電子部品を含み、
    前記第６電子部品の４つの側面は、前記基板の前記第１の辺に平行な第１側面および第２側面と、前記第６電子部品の第１側面と第２側面とを各々接続する第３側面および第４側面とを含み、
    前記第６電子部品の第３側面および第４側面は、平面視において、前記第６電子部品の第１側面および第２側面よりも長い、請求項３～８のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
11. 前記複数の電子部品は、前記第１対角線に沿った方向において前記第１電子部品と前記第１角部との間に位置する平面視矩形状の第７電子部品を含み、
    前記第７電子部品は、前記第７電子部品の４つの側面が前記基板の４つの辺のいずれとも非平行となる斜め配向で前記基板上に配置されている、請求項１～１０のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
12. 前記第７電子部品はサーミスタである、請求項１１に記載の半導体発光装置。
13. 前記基板は、
    第１電源電圧を供給する第１接続端子と電気的に接続される第１端子接続部と、
    第２電源電圧を供給する第２接続端子と電気的に接続される第２端子接続部と、を含み、
    前記第１端子接続部および前記第２端子接続部は、前記基板の前記第２角部と前記第４角部とを接続する辺に沿って配置され、
    前記第１端子接続部は、前記第４角部の近傍に配置され、
    前記第２端子接続部は、前記第２角部よりも前記第１端子接続部に近い位置に配置されている、請求項３～１２のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
14. 前記基板の前記４つの角部は、凹Ｒ状の面取り角部として形成されている、請求項１～１３のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
15. 前記凹Ｒ状の面取り角部は、中心角が９０度の円弧面を含む、請求項１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記基板は、前記複数の半導体発光素子と前記複数の電子部品とを相互に電気的に接続する複数の配線パターンを含み、
    前記複数の配線パターンのうちの１つまたは複数は、平面視において、前記第１角部と前記第１電子部品との間の領域を通過する配線延在部を含み、
    前記配線延在部が前記第１角部の凹Ｒ状に対応して凹Ｒ状に湾曲している、請求項１４または１５に記載の半導体発光装置。
17. 前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子を囲む平面視円形状の包囲部材と、
    前記包囲部材の内部に充填される樹脂部材と、をさらに備える請求項１～１６のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。

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