JP2023059152A - 支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法 - Google Patents

支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023059152A
JP2023059152A JP2021169106A JP2021169106A JP2023059152A JP 2023059152 A JP2023059152 A JP 2023059152A JP 2021169106 A JP2021169106 A JP 2021169106A JP 2021169106 A JP2021169106 A JP 2021169106A JP 2023059152 A JP2023059152 A JP 2023059152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature control
control medium
temperature
medium
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021169106A
Other languages
English (en)
Inventor
顕太朗 小西
Kentaro Konishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021169106A priority Critical patent/JP2023059152A/ja
Priority to US17/937,822 priority patent/US12061226B2/en
Priority to KR1020220126992A priority patent/KR20230053513A/ko
Priority to CN202211221522.5A priority patent/CN115985806A/zh
Publication of JP2023059152A publication Critical patent/JP2023059152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0202—Switches
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

【課題】検査対象である基板Ｗを支持する支持部の温度制御を柔軟に行うことが可能な検査システムを提供する。【解決手段】検査対象を支持し、第１温調媒体が流入口から流出口まで流れる流路を内部に有する支持部と、設定された比率で、前記流出口から流出する前記第１温調媒体と、外部から供給される第２温調媒体と、を混合した第３温調媒体を排出する混合部と、前記第３温調媒体を前記第１温調媒体として前記流入口に送る媒体移送部と、前記第１温調媒体又は前記第３温調媒体を加熱する加熱部と、を備える支持装置。【選択図】図７

Description

本開示は、支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法に関する。
例えば、特許文献１には、ステージ上の被検査体の電気的検査を行う検査ユニットを収容する検査室を複数備える検査システムが開示されている。特許文献１には、検査システムが、ステージに冷媒を供給する冷媒供給部と、冷媒供給部から対応する検査室に延びる複数の冷媒配管と、を備えることが開示されている。
特開２０１９－０２９６２７号公報
本開示は、検査対象の基板を支持する支持部の温度制御を柔軟に行うことが可能な検査システムを提供する。
本開示の一の態様によれば、検査対象を支持し、第１温調媒体が流入口から流出口まで流れる流路を内部に有する支持部と、設定された比率で、前記流出口から流出する前記第１温調媒体と、外部から供給される第２温調媒体と、を混合した第３温調媒体を排出する混合部と、前記第３温調媒体を前記第１温調媒体として前記流入口に送る媒体移送部と、前記第１温調媒体又は前記第３温調媒体を加熱する加熱部と、を備える支持装置が提供される。
本開示は、検査対象の基板を支持する支持部の温度制御を柔軟に行うことが可能な検査システムを提供する。
図１は、本実施形態に係る検査システムの概略構成を示す上面横断面図である。 図２は、本実施形態に係る検査システムの概略構成を示す正面縦断面図である。 図３は、本実施形態に係る検査システムの検査領域の構成を示す正面縦断面図である。 図４は、本実施形態に係る検査システムのテスタの詳細を示す部分拡大図である。 図５は、本実施形態に係る検査システムのチャックトップの詳細を示す断面図である。 図６は、第１実施形態に係る検査システムの支持装置の概略を示す図である。 図７は、第１実施形態に係る検査システムの温調媒体の流れを説明する図である。 図８は、第１実施形態に係る検査システムの温調媒体の流れを説明する図である。 図９は、第２実施形態に係る検査システムの支持装置の概略を示す図である。 図１０は、第３実施形態に係る検査システムの概略を示す図である。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
＜検査システムの全体構成＞
図１は、本実施形態に係る検査システム１００の概略構成を示す上面横断面図である。図２は、本実施形態に係る検査システム１００の概略構成を示す正面縦断面図である。
基板の一例である基板Ｗごとに設定された設定温度に基づき電気的特性の検査を行う装置である検査システム１００は、筐体１１０を備える。筐体１１０の内部は、搬入出領域１１１、搬送領域１１２及び検査領域１１３に分割されている。
搬入出領域１１１は、検査前の基板Ｗを検査システム１００に搬入したり、検査後の基板Ｗを検査システム１００から搬出したりするための領域である。また、後述するプローブカード１８０を検査システム１００に搬入したり、検査システム１００から搬出したりするための領域である。搬入出領域１１１には、複数の基板Ｗを収容したカセットＣを受け入れるポート１２０及び後述するプローブカード１８０を収容するローダ１２１が設けられている。また、搬入出領域１１１には、検査システム１００の各構成要素を制御する制御部１２２が設けられている。
搬送領域１１２は、搬入出領域１１１と検査領域１１３との間で基板Ｗ等を運搬するための領域である。搬送領域１１２には、基板Ｗ等を保持した状態で自在に移動可能な搬送装置１３０が配置されている。この搬送装置１３０は、搬入出領域１１１のポート１２０内のカセットＣと検査領域１１３の後述する位置合わせ部１５０との間で、基板Ｗの搬送を行う。また、搬送装置１３０は、検査領域１１３内の後述するポゴフレーム１７０に固定されたプローブカード１８０のうちメンテナンスを必要とするプローブカード１８０を、搬入出領域１１１のローダ１２１へ搬送する。さらに、搬送装置１３０は、新規又はメンテナンス済みのプローブカード１８０をローダ１２１から検査領域１１３内の上記ポゴフレーム１７０へ搬送する。
検査領域１１３は、基板Ｗに形成された電子デバイスの電気的特性の検査が行われる領域である。検査領域１１３には、検査部としてのテスタ１４０が複数設けられている。具体的には、検査領域１１３は、図２に示すように、鉛直方向に３つに分割され、各分割領域１１３ａには、図２の水平方向に配列された４つのテスタ１４０からなるテスタ列が設けられている。また、各分割領域１１３ａには、１つの位置合わせ部１５０と、１つのカメラ１６０が設けられている。なお、テスタ１４０、位置合わせ部１５０、カメラ１６０の数や配置は任意に選択できる。テスタ１４０は、電気的特性検査用の電気信号を基板Ｗとの間で送受するものである。
位置合わせ部１５０は、チャックトップ１５１と、アライナ１５３と、を備える。チャックトップ１５１とアライナ１５３の詳細については、後述する。位置合わせ部１５０は、基板である基板Ｗを載置する。また、位置合わせ部１５０は、当該載置された基板Ｗと、テスタ１４０の下方に配設されるプローブカード１８０との位置合わせを行う。位置合わせ部１５０は、位置合わせを行うためにテスタ１４０の下方の領域内を移動できるように設けられている。
カメラ１６０は、当該テスタ１４０の下方に配設されるプローブカード１８０と、位置合わせ部１５０に載置された基板Ｗとの位置関係を撮像する。カメラ１６０は、水平に移動して、当該カメラ１６０が設けられた分割領域１１３ａ内の各テスタ１４０の前に位置するように設けられている。
本実施形態に係る検査システム１００では、搬送装置１３０が分割領域１１３ａの複数のテスタ１４０の中の１つのテスタ１４０へ向けて基板Ｗを搬送している間に、分割領域１１３ａの他のテスタ１４０は他の基板Ｗに形成された電子デバイスの電気的特性の検査を行うことができる。
次に、図３及び図４を用いて、テスタ１４０と位置合わせ部１５０とそれらに関連する構成について詳細を説明する。図３は、本実施形態に係る検査システム１００の検査領域１１３の構成を示す正面縦断面図である。図４は、本実施形態に係る検査システム１００のテスタ１４０の詳細を示す部分拡大図である。
テスタ１４０は、図３及び図４に示すように、テスタ１４０の底部に水平に設けられたテスタマザーボード１４１を有する。テスタマザーボード１４１には、不図示の複数の検査回路基板が立設状態で装着されている。また、テスタマザーボード１４１の底面には複数の電極が設けられている。
さらに、テスタ１４０の下方には、ポゴフレーム１７０とプローブカード１８０とがそれぞれ１つずつ上側からこの順で設けられている。
テスタ１４０の周囲において、各分割領域１１３ａの上壁１１０ａから複数の支持壁１１０ｂが鉛直方向下方に延出して設けられている。そして、互いに対向する支持壁１１０ｂの下部にポゴフレーム１７０が取り付けられている。当該互いに対向する支持壁１１０ｂ及び当該支持壁１１０ｂ間に取り付けられているポゴフレーム１７０により、各テスタ１４０は支持されている。
ポゴフレーム１７０は、プローブカード１８０を支持すると共に、当該プローブカード１８０とテスタ１４０とを電気的に接続する。ポゴフレーム１７０は、テスタ１４０とプローブカード１８０との間に位置するように配設されている。ポゴフレーム１７０は、テスタ１４０とプローブカード１８０とを電気的に接続するポゴピンを有する。具体的には、ポゴフレーム１７０は、多数のポゴピンを保持するポゴブロック１７２と、このポゴブロック１７２が挿嵌されることによりポゴピンが取り付けられる取付孔１７３ａが形成されたフレーム本体部１７３と、を有する。
ポゴフレーム１７０の下面には、プローブカード１８０が、所定の位置に位置合わせされた状態で真空吸着される。
また、ポゴフレーム１７０の下面には、プローブカード１８０の取り付け位置を囲むように、鉛直下方に延出するベローズ１７４が取り付けられている。当該ベローズ１７４により、プローブカード１８０と基板Ｗを含む密閉空間が形成される。当該密閉空間内では、後述するチャックトップ１５１上の基板Ｗがプローブカード１８０の後述するプローブ１８２に接触させた状態になっている。
また、バキューム機構（図示せず）によってポゴフレーム１７０及びプローブカード１８０に真空吸引力が作用する。当該真空吸引力により、ポゴフレーム１７０の各ポゴピンの下端は、プローブカード１８０の後述するカード本体１８１における上面の対応する電極パッドに接触する。また、当該真空吸引力により、ポゴフレーム１７０の各ポゴピンの上端は、テスタマザーボード１４１の下面の対応する電極に接触する。
プローブカード１８０は、円板状のカード本体１８１と、カード本体１８１の上面に設けられた複数の電極パッド（図示せず）と、カード本体１８１の下面から下方へ向けて延びる複数の針状の端子であるプローブ１８２とを有する。カード本体１８１の上面に設けられた上述の複数の電極はそれぞれ対応するプローブ１８２と電気的に接続されている。また、検査時には、プローブ１８２はそれぞれ、基板Ｗに形成された電子デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触する。したがって、電気的特性検査時には、ポゴピン、カード本体１８１の上面に設けられた電極及びプローブ１８２を介して、テスタマザーボード１４１と基板Ｗ上の電子デバイスとの間で、検査に係る電気信号が送受される。
位置合わせ部１５０は、チャックトップ１５１と、アライナ１５３と、を備える。チャックトップ１５１は、アライナ１５３に着脱可能に載置される。チャックトップ１５１には、基板Ｗが載置される。また、チャックトップ１５１は、当該載置された基板Ｗを吸着する。チャックトップ１５１には、温度調整機構１５２が設けられている。この温度調整機構１５２は、電気的特性検査時にチャックトップ１５１の温度調整を行う。温度調整機構１５２により温度調整を行うことにより、チャックトップ１５１に載置された基板Ｗの電気的特性検査時の温度を例えば－３０℃～＋１３０℃に調整することができる。
また、アライナ１５３は、チャックトップ１５１を支持し、当該チャックトップ１５１を図３及び図４の上下方向、紙面前後方向及び左右方向に移動させる。
この位置合わせ部１５０により、チャックトップ１５１上の基板Ｗとプローブカード１８０のプローブ１８２とを接触させた状態に位置合わせする。また、当該位置合わせ後に、プローブカード１８０と基板Ｗを含む密閉空間を形成し、その密閉空間をバキューム機構（図示せず）により真空引きする。このときにアライナ１５３を下方に移動させることにより、チャックトップ１５１がアライナ１５３から切り離され、ポゴフレーム１７０側に吸着される。
＜チャックトップ＞
次に、本実施形態の係る検査システム１００のチャックトップ１５１について説明する。図５は、本実施形態に係る検査システム１００のチャックトップ１５１の詳細を示す断面図である。なお、図５は、基板Ｗがチャックトップ１５１上に載置された状態の図である。
本実施形態に係る検査システム１００のチャックトップ１５１は、トッププレート１５５と、冷却ジャケット１５６と、を備える。
トッププレート１５５は、基板Ｗが載置される部材である。トッププレート１５５には、基板Ｗを吸着するための機構、例えば、静電チャック等、が設けられている。
冷却ジャケット１５６は、基板Ｗの温度を調整するための部材である。冷却ジャケット１５６の内部には、温調媒体ＨＭが流通する媒体流路１５８が形成されている。媒体流路１５８は、例えば、上面視で螺旋状に形成されている。なお、媒体流路１５８の上面視形状は螺旋状に限らず、例えば、ジグザグ形状でもよい。媒体流路１５８に導入された温調媒体ＨＭは冷却ジャケット１５６の外側に設けられた導入導出配管１５８ａより、後述する冷媒供給部２に接続される。なお、温度を調節するための部材として、別途ヒータを備えるようにしてもよい。温調媒体ＨＭは、基板Ｗの温度を調節するための媒体である。温調媒体ＨＭは、例えば、水、ブライン等である。温調媒体ＨＭは、基板Ｗを冷却するために用いてもよいし、基板Ｗを加熱するために用いてもよい。
≪第１実施形態≫
＜検査システムＳ１＞
第１実施形態に係る検査システムの一例である検査システムＳ１について説明する。第１実施形態に係る検査システムＳ１について、上述の検査システム１００の構成から、第１実施形態に係る検査システムＳ１の要点となる部分を抽出して説明する。図６は、第１実施形態に係る検査システムの一例である検査システムＳ１について概略を説明する図である。
検査システムＳ１は、温度を調整した状態で基板Ｗの電気的検査を行う。検査システムＳ１は、検査装置１と、冷媒供給部２と、を備える。検査システムＳ１は、検査を行うセルの数、すなわち、支持部１０の数と、冷媒供給部２の数とが１対１の関係となっている。
検査装置１は、基板Ｗの電気的検査を行う。冷媒供給部２は、検査装置１に温度調整された温調媒体を供給する。
［検査装置１］
検査装置１は、支持装置３と、検査部７０と、制御部８０と、を備える。支持装置３は、検査対象である基板Ｗを載置して支持する。検査部７０は、支持装置３に支持された基板Ｗの電気的検査を行う。
検査装置１には、冷媒供給部２から温調媒体が供給され、回収される。冷媒供給部２は、配管Ｐａ１を継ぎ手Ｆ１に接続して、配管Ｐ１と接続される。冷媒供給部２は、配管Ｐａ１を介して検査装置１に温調媒体を供給する。配管Ｐ１は、ストップバルブＳＶ１を介して、配管Ｐ２に接続される。また、冷媒供給部２は、配管Ｐａ２を継ぎ手Ｆ２に接続して、配管Ｐ１２と接続される。冷媒供給部２は、配管Ｐａ２を介して検査装置１から温調媒体を回収する。配管Ｐ１２は、ストップバルブＳＶ２を介して、配管Ｐ１１に接続される。なお、ストップバルブＳＶ１及びストップバルブＳＶ２は、制御部８０により制御される。
各要素について説明する。
（支持装置３）
支持装置３は、検査対象である基板Ｗが所望の温度になるように温度調整しながら、基板Ｗを保持する。支持装置３は、支持部１０と、混合部２０と、媒体移送部３０と、加熱部４０と、を備える。
（支持部１０）
支持部１０は、検査対象である基板Ｗを載置して保持する。支持部１０は、例えば、検査システム１００におけるチャックトップ１５１である。支持部１０は、内部に流路１１（媒体流路）を有する。支持部１０は、温調媒体が流入する流入口１２ａと、温調媒体が流出する流出口１２ｂと、を有する。流路１１には、温調媒体が流入口１２ａから流入して、流出口１２ｂから流出するように温調媒体が流れる。
支持部１０の内部に温調媒体が流れて、基板Ｗと熱交換することにより、基板Ｗの温度が所望の温度に制御される。
また、支持部１０は、温度計測素子１５を備える。温度計測素子１５は、支持部１０の温度を測定する。温度計測素子１５が計測した結果は、制御部８０に入力される。制御部８０は、温度計測素子１５により計測した温度が、所望の温度になるように制御を行う。
（混合部２０）
混合部２０は、検査装置１の外部、具体的には冷媒供給部２、から供給される温調媒体と、支持部１０の流出口１２ｂから流出する温調媒体とを、混合した温調媒体を媒体移送部３０に排出する。
混合部２０は、三方弁２１と、分岐管Ｂ１、分岐管Ｂ２及び分岐管Ｂ３と、を備える。分岐管Ｂ１、分岐管Ｂ２及び分岐管Ｂ３のそれぞれは、三方に分岐している。
三方弁２１は、冷媒供給部２から供給される温調媒体が流入する流入口２１ａと、冷媒供給部２に回収される経路に温調媒体を流出する第１流出口２１ｂと、支持部１０に流す経路に温調媒体を流出する第２流出口２１ｃと、を有する。
三方弁２１の流入口２１ａには、冷媒供給部２から供給される温調媒体が流れる配管Ｐ２が接続される。三方弁２１の第１流出口２１ｂには、分岐管Ｂ３に接続する配管Ｐ１０が接続される。三方弁２１の第２流出口２１ｃには、分岐管Ｂ１に接続する配管Ｐ３が接続される。なお、配管Ｐ３には、温調媒体が三方弁２１から分岐管Ｂ１に流れて、分岐管Ｂ１から三方弁２１に流れないように、逆止弁２２が設けられる。
分岐管Ｂ１は、前述のように配管Ｐ３と、支持部１０に温調媒体を流す経路の配管Ｐ４と、分岐管Ｂ２に接続する配管Ｐ８と、に接続する。なお、配管Ｐ８には、温調媒体が分岐管Ｂ２から分岐管Ｂ１に流れて、分岐管Ｂ１から分岐管Ｂ２に流れないように、逆止弁２３が設けられる。
分岐管Ｂ２は、支持部１０から流出する温調媒体が流れる配管Ｐ７と、前述のように配管Ｐ８と、分岐管Ｂ３に接続する配管Ｐ９と、に接続する。分岐管Ｂ３は、前述のように配管Ｐ９と、配管Ｐ１０と、冷媒供給部２に温調媒体を流す配管Ｐ１１と、に接続する。
三方弁２１は、開度を調整することにより、流入口２１ａから第１流出口２１ｂに流出する温調媒体の量と、流入口２１ａから第２流出口２１ｃに流出する温調媒体の量との分配する比率を制御できる。三方弁２１は、制御部８０に接続される。制御部８０は、三方弁２１の開度が所望の開度になるように制御する。制御部８０が三方弁２１の開度を制御することにより、流入口２１ａから第１流出口２１ｂに流出する温調媒体の量と、流入口２１ａから第２流出口２１ｃに流出する温調媒体の量との比率を、所望の比率に制御できる。
（媒体移送部３０）
媒体移送部３０は、配管Ｐ５から流入する温調媒体を配管Ｐ６に流す。媒体移送部３０は、例えば、ポンプである。媒体移送部３０は、混合部２０から流出する温調媒体を支持部１０の流入口１２ａに流す。媒体移送部３０に用いられるポンプの種類は特に限定されず、例えば、軸流ポンプ等である。
媒体移送部３０は、制御部８０に接続される。制御部８０は、媒体移送部３０が流す温調媒体の流量を制御する。制御部８０は、媒体移送部３０が回転式ポンプの場合は、ポンプの回転数を制御する。なお、別途バルブを設けて流量を制御してもよい。
（加熱部４０）
加熱部４０は、温調媒体を加熱する。加熱部４０は、例えば、熱線ヒータである。加熱部４０は、制御部８０に接続される。制御部８０は、加熱部４０の加熱量を制御する。例えば、加熱部４０が熱線ヒータの場合は、熱線ヒータに供給する電力を制御して、熱線ヒータから発する発熱量を制御する。
（検査部７０）
検査部７０は、基板Ｗを電気的に検査する。検査部７０は、例えば、検査システム１００におけるテスタ１４０及びプローブカード１８０である。検査部７０は、例えば、検査プローブを備える。検査部７０は、基板Ｗにプローブを接触させることにより、基板Ｗの電気的検査を行う。
（制御部８０）
制御部８０は、検査装置１を制御する。制御部８０は、演算部と、記憶部と、を備えたコンピュータにより構成される。制御部８０は、検査装置１の各部を制御する。演算部は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。記憶部は、例えば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）又はこれらの組み合わせを含む。
記憶部は、検査処理に必要な動作を実行するためのステップ（命令）群が組まれたプログラムを記憶する。プログラムには、例えば、基板Ｗの温度、より具体的には、温度計測素子１５の温度、を所望の温度に調整するように、混合部２０の三方弁２１、媒体移送部３０及び加熱部４０の動作を制御するように構成されたステップ群が含まれる。プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、記憶媒体からコンピュータにインストールされる。
例えば、制御部８０は、支持部１０の温度計測素子１５の温度が所望の温度になるように、三方弁２１の開度を制御する。制御部８０が三方弁２１の開度を制御することにより、支持部１０から排出された温調媒体と、冷媒供給部２から供給された温調媒体の混合する比率を制御する。上述のように、制御部８０により、本実施形態に係る制御方法が実行される。
［冷媒供給部２］
冷媒供給部２は、所定の温度の温調媒体を検査装置１に供給する。冷媒供給部２は、例えば、チラーである。冷媒供給部２が供給する温調媒体の温度は、支持部１０を流れる温調媒体より低い温度になっている。
冷媒供給部２は、配管Ｐａ１を継ぎ手Ｆ１に接続することにより、温調媒体を検査装置１に供給する。また、冷媒供給部２は、配管Ｐａ２を継ぎ手Ｆ２に接続することにより、温調媒体を検査装置１から回収する。
＜検査システムＳ１における温調媒体の流れ＞
検査システムＳ１における温調媒体の流れについて説明する。図７及び図８は、第１実施形態に係る検査システムＳ１の温調媒体の流れを説明する図である。
検査システムＳ１は、加熱モードと冷却モードの二つのモードを有する。それぞれのモードについて説明する。
（加熱モード）
加熱モードは、例えば、基板Ｗの発熱がなく、冷却する必要がない場合に用いられるモードである。加熱モードにおける温調媒体の流れを図７に示す。加熱モードにおいては、支持部１０を流れる温調媒体（以下、第１温調媒体Ｌ１という）を媒体移送部３０によって循環させる。また、加熱モードにおいては、冷媒供給部２から供給される温調媒体（以下、第２温調媒体Ｌ２という）を、すべて冷媒供給部２に戻す。
具体的には、混合部２０の三方弁２１において、第２温調媒体Ｌ２を支持部１０の側に流さないようにする。そして、混合部２０の三方弁２１において、第２温調媒体Ｌ２のすべてを冷媒供給部２に戻す。すなわち、三方弁２１において、分岐管Ｂ１に流れる第２温調媒体Ｌ２の比率を零にする。
加熱部４０は、混合部２０から排出された第１温調媒体Ｌ１を加熱する。加熱された第１温調媒体Ｌ１は、媒体移送部３０により支持部１０に送られる。
（冷却モード）
冷却モードは、例えば、検査を行うことによって、基板Ｗが発熱し、基板を冷却する必要がある場合に用いられるモードである。冷却モードにおける温調媒体の流れを図８に示す。冷却モードにおいては、混合部２０において、支持部１０から流出した第１温調媒体Ｌ１の一部（第１温調媒体Ｌ１ａ）と、冷媒供給部２から供給される第２温調媒体Ｌ２の一部（第２温調媒体Ｌ２ａ）とを混合した第３温調媒体Ｌ３を媒体移送部３０に排出する。
加熱部４０は、混合部２０から排出された第３温調媒体Ｌ３を加熱する。加熱された第３温調媒体Ｌ３は、媒体移送部３０により第１温調媒体Ｌ１として支持部１０に送られる。
具体的には、混合部２０の三方弁２１において、第２温調媒体Ｌ２の一部である第２温調媒体Ｌ２ａを支持部１０の側に流す。一方、第２温調媒体Ｌ２において、支持部１０の側に流れなかった残りの第２温調媒体Ｌ２ｂは、分岐管Ｂ３に流れる。また、分岐管Ｂ２において、第１温調媒体Ｌ１の一部である第１温調媒体Ｌ１ａが分岐管Ｂ１側に流れる。一方、第１温調媒体Ｌ１において、分岐管Ｂ２から分岐管Ｂ１側に流れなかった第１温調媒体Ｌ１ｂは、分岐管Ｂ３側に流れる。なお、第１温調媒体Ｌ１ｂの量は、第２温調媒体Ｌ２ａの量と等しくなる。
分岐管Ｂ１において、第１温調媒体Ｌ１ａと第２温調媒体Ｌ２ａは混合される。そして、第１温調媒体Ｌ１ａと第２温調媒体Ｌ２ａとが混合された第３温調媒体Ｌ３は、媒体移送部３０側に流れる。検査装置１においては、第３温調媒体Ｌ３は、加熱部４０で加熱され、媒体移送部３０から支持部１０に送られる。
一方、分岐管Ｂ３において、第１温調媒体Ｌ１ｂと第２温調媒体Ｌ２ｂは混合される。そして、第１温調媒体Ｌ１ｂと第２温調媒体Ｌ２ｂとが混合された温調媒体Ｌ２ｒは、冷媒供給部２に回収される。
また、制御部８０は、所望の温度（目標温度）に対して、支持部１０の温度が高い場合は、第２温調媒体Ｌ２ａの割合が高くなるように比率を制御する。
なお、上記の説明では、加熱モードと、冷却モードを分けて説明したが、加熱モードは、冷却モードにおいて、混合部２０の三方弁２１において分岐管Ｂ１に流れる第２温調媒体Ｌ２の比率を零にした第３温調媒体Ｌ３を混合部２０から排出する場合であるとしてもよい。その場合は、混合部２０の三方弁２１において分岐管Ｂ１に流れる第２温調媒体Ｌ２の比率を零にした第３温調媒体Ｌ３は、第１温調媒体Ｌ１と等しい。
＜作用、効果＞
第１実施形態に係る検査システムＳ１によれば、検査対象の基板を支持する支持部の温度制御を柔軟に行うことができる。
検査システムＳ１によれば、基板Ｗの温度を制御するために、加熱部４０と、三方弁２１と、を制御することにより、検査対象である基板Ｗを支持する支持部１０の温度を制御する際に、支持部１０を流れる温調媒体の温度を制御できる。チラーである冷媒供給部２においては、温調媒体の温度を一定に保つために、一定の流量を流すことが望ましい。検査システムＳ１によれば、冷媒供給部２から供給される温調媒体の流量は、支持部１０の目標温度によらず一定の流量となることから、冷媒供給部２から供給される温調媒体の温度を安定させることができる。また、検査システムＳ１によれば、ヒータである加熱部４０により、温調媒体を加熱させることから、温調媒体の温度を高い応答速度で制御できる。
また、検査システムＳ１によれば、基板Ｗの温度を制御するために、媒体移送部３０を制御することにより、検査対象である基板Ｗを支持する支持部１０の温度を制御する際に、支持部１０を流れる温調媒体の流量を制御できる。検査システムＳ１によれば、温調媒体の流量を制御することにより、単位時間あたりの温調媒体から支持部１０に伝達する熱量を制御できる。したがって、検査システムＳ１によれば、支持部１０の単位時間あたりの温度の応答速度を制御できる。
例えば、一般には、検査対象である基板Ｗを支持する支持台の温度制御は、供給される温調媒体の温度を一定にして、温調媒体の流量を制御する。チラーによって、温調媒体の温度を変動させると、応答速度が遅い場合がある。また、チラーにおいて、流量が変動すると、温調媒体の温度が安定しない場合がある。本実施形態に係る検査システムＳ１によれば、安定して温度を制御することができるとともに、応答速度を考慮した制御ができる。
≪第２実施形態≫
＜検査システムＳ２＞
第１実施形態に係る検査システムＳ１では、加熱部４０は、支持部１０とは別に設けられていたが、加熱部を支持部の内部に設けてもよい。第２実施形態に係る検査システムＳ２は、検査装置１に換えて、支持装置３Ａを備える検査装置１Ａを備える。
支持装置３Ａは、第１実施形態に係る支持装置３の支持部１０に換えて支持部１０Ａを備える。また、支持装置３Ａは、第１実施形態に係る支持装置３の加熱部４０に換えて支持部１０Ａの内部に設けられる加熱部４０Ａを備える。
第２実施形態に係る検査システムの一例である検査システムＳ２について説明する。図９は、第２実施形態に係る検査システムの一例である検査システムＳ２について概略を説明する図である。
（支持部１０Ａ）
支持部１０Ａは、検査対象である基板Ｗを載置して保持する。支持部１０Ａは、内部に流路１１を有する。支持部１０Ａは、温調媒体が流入する流入口１２ａと、温調媒体が流出する流出口１２ｂと、を有する。流路１１には、温調媒体が流入口１２ａから流入して、流出口１２ｂから流出するように温調媒体が流れる。
また、支持部１０Ａは、内部に加熱部４０Ａを備える。加熱部４０Ａは、第１温調媒体Ｌ１を加熱する。加熱部４０Ａは、支持部１０Ａを加熱するとともに、温調媒体を加熱する。加熱部４０Ａは、例えば、熱線ヒータである。加熱部４０Ａは、制御部８０に接続される。制御部８０は、加熱部４０Ａの加熱量を制御する。支持部１０Ａの内部に温調媒体が流れて、加熱部４０Ａにより温調媒体が加熱されるとともに、基板Ｗと温調媒体とが熱交換することにより、基板Ｗの温度が所望の温度に制御される。
＜作用、効果＞
第２実施形態に係る検査システムＳ２によれば、第１実施形態に係る検査システムＳ１の作用、効果に加えて、加熱部を支持部と一体化することにより、システムの規模を小さくできる。
なお、第２実施形態に係る検査システムＳ２においては、支持部１０の外部に加熱部を備えていないが、支持部１０の内部の加熱部４０Ａとは別に更に温調媒体を加熱する加熱部を支持部１０の外部に備えてもよい。
≪第３実施形態≫
＜検査システムＳ３＞
第１実施形態に係る検査システムＳ１では、支持装置３と冷媒供給部２とは、１対１の関係になっていたが、１つの冷媒供給部２に対して、複数の支持装置３を備えるようにしてもよい。第３実施形態に係る検査システムＳ３は、検査装置１に換えて、複数の支持装置３を備える検査装置１Ｂを備える。すなわち、検査システムＳ３は、支持装置３を複数備える。検査システムＳ３は、いわゆるマルチセルテストシステムである。図１０は、第３実施形態に係る検査システムＳ３の概略を示す図である。
第３実施形態に係る検査システムＳ３の検査装置１Ｂは、１つの冷媒供給部２に対して、複数の支持装置３を備える。冷媒供給部２から供給される温調媒体は、配管により分岐されて、複数の支持装置３のそれぞれに供給される。また、複数の支持装置３のそれぞれから排出された温調媒体は、分岐した配管から合流して冷媒供給部２に回収される。
なお、検査システムＳ３において、支持装置３に換えて、第２実施形態に係る検査システムＳ２が備える支持装置３Ａを用いてもよい。
＜作用、効果＞
第３実施形態に係る検査システムＳ３によれば、第１実施形態に係る検査システムＳ１の作用、効果に加えて、複数の支持装置３のそれぞれにおいて個別に温度を制御できる。すなわち、検査システムＳ３によれば、複数の検査装置のそれぞれにおいて、異なる温度条件で検査をできる。
例えば、検査システム１００のような複数のテスタを備えるマルチセルテストシステムにおいては、１つの冷媒供給部から複数の検査装置に温調媒体を供給すると、複数の検査装置のすべてにおいて、同じ温度条件での検査しかできない。本実施形態に係る検査システムＳ３によれば、複数の支持装置３のそれぞれが混合部２０、媒体移送部３０及び加熱部４０を備えることから、複数のテスタのそれぞれにおいて、個別に温度の制御ができる。したがって、検査システムＳ３によれば、複数のテスタのそれぞれにおいて、異なる温度条件で検査をできる。
また、検査システムＳ３によれば、冷媒供給部２から各検査装置１Ｂに供給される温調媒体の流量の総量は、各支持装置３における支持部１０の目標温度によらず一定の流量となることから、冷媒供給部２から供給される温調媒体の温度を安定させることができる。
今回開示された本実施形態に係る支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
１、１Ａ、１Ｂ 検査装置
２ 冷媒供給部
３、３Ａ 支持装置
１０、１０Ａ 支持部
１１ 流路
１２ａ 流入口
１２ｂ 流出口
１５ 温度計測素子
２０ 混合部
２１ 三方弁
３０ 媒体移送部
４０、４０Ａ 加熱部
７０ 検査部
８０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (10)

  1. 検査対象を支持し、第１温調媒体が流入口から流出口まで流れる流路を内部に有する支持部と、
    設定された比率で、前記流出口から流出する前記第１温調媒体と、外部から供給される第２温調媒体と、を混合した第３温調媒体を排出する混合部と、
    前記第３温調媒体を前記第１温調媒体として前記流入口に送る媒体移送部と、
    前記第１温調媒体又は前記第３温調媒体を加熱する加熱部と、
    を備える、
    支持装置。
  2. 制御部を更に備え、
    前記制御部は、前記支持部の温度に応じて、前記比率を制御する、
    請求項１に記載の支持装置。
  3. 前記第２温調媒体の温度は、前記第１温調媒体より温度が低く、
    前記制御部は、前記支持部の温度が目標温度より高い場合は、前記第２温調媒体の割合が多くなるように前記比率を制御する、
    請求項２に記載の支持装置。
  4. 前記制御部は、前記第２温調媒体の割合を零に制御する、
    請求項３に記載の支持装置。
  5. 前記制御部は、前記加熱部の発熱量と前記媒体移送部の流量を制御する、
    請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の支持装置。
  6. 前記混合部は、三方弁を備え、
    前記三方弁は、外部から供給された温調媒体を、外部に排出する経路と前記媒体移送部に送る経路に分配する、
    請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持装置。
  7. 前記混合部は、三方弁を備え、
    前記三方弁は、外部から供給された温調媒体を、外部に排出する経路と前記媒体移送部に送る経路に分配し、
    前記制御部は、前記三方弁の開度を制御する、
    請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の支持装置。
  8. 前記支持部は、内部に前記加熱部を備える、
    請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の支持装置。
  9. 冷媒供給部と、
    請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の支持装置を複数備え、
    前記冷媒供給部は、複数の前記支持装置のそれぞれに、前記第２温調媒体を供給する、
    検査システム。
  10. 検査対象を支持し、第１温調媒体が流入口から流出口まで流れる流路を内部に有する支持部と、
    前記第１温調媒体を加熱する加熱部と、
    設定された比率で、前記流出口から流出する前記第１温調媒体と、外部から供給される第２温調媒体と、を混合した第３温調媒体を排出する混合部と、
    前記第３温調媒体を前記第１温調媒体として前記流入口に送る媒体移送部と、
    を備える支持装置の制御方法であって、
    前記支持部の温度に応じて、前記比率を制御する、
    制御方法。
JP2021169106A 2021-10-14 2021-10-14 支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法 Pending JP2023059152A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021169106A JP2023059152A (ja) 2021-10-14 2021-10-14 支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法
US17/937,822 US12061226B2 (en) 2021-10-14 2022-10-04 Support device, test system, and method of controlling support device
KR1020220126992A KR20230053513A (ko) 2021-10-14 2022-10-05 지지 장치, 검사 시스템 및 지지 장치 제어 방법
CN202211221522.5A CN115985806A (zh) 2021-10-14 2022-10-08 支承装置、检查系统以及支承装置的控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021169106A JP2023059152A (ja) 2021-10-14 2021-10-14 支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023059152A true JP2023059152A (ja) 2023-04-26

Family

ID=85966931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021169106A Pending JP2023059152A (ja) 2021-10-14 2021-10-14 支持装置、検査システム及び支持装置の制御方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12061226B2 (ja)
JP (1) JP2023059152A (ja)
KR (1) KR20230053513A (ja)
CN (1) CN115985806A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11774486B2 (en) * 2021-06-30 2023-10-03 Delta Design Inc. Temperature control system including contactor assembly

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11011355B2 (en) * 2017-05-12 2021-05-18 Lam Research Corporation Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
JP6615153B2 (ja) * 2017-06-16 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法
JP6827385B2 (ja) 2017-08-03 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 検査システム
US10509321B2 (en) * 2018-01-30 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Temperature controlling apparatus and method for forming coating layer
KR20220028846A (ko) * 2020-08-31 2022-03-08 세메스 주식회사 챔버 모듈 및 이를 포함하는 테스트 핸들러

Also Published As

Publication number Publication date
CN115985806A (zh) 2023-04-18
KR20230053513A (ko) 2023-04-21
US12061226B2 (en) 2024-08-13
US20230119110A1 (en) 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9885747B2 (en) Substrate inspection apparatus and substrate temperature control method
US7554350B2 (en) Burn-in system with heating blocks accommodated in cooling blocks
US11454664B2 (en) Testing system
WO2020033335A1 (en) Apparatus and method for testing semiconductor devices
JP2003028923A (ja) ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法
JP2010087090A (ja) 検査装置及び検査方法
US12061226B2 (en) Support device, test system, and method of controlling support device
KR20160009481A (ko) 전자 부품 반송 장치 및 전자 부품 검사 장치
KR102659795B1 (ko) 검사 시스템 및 검사 방법
US20190025370A1 (en) Substrate Mounting Table and Substrate Inspection Apparatus
JP3328664B2 (ja) 多段容器の温度管理装置
KR101015600B1 (ko) 프로브 스테이션용 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼검사 장치
US20240142513A1 (en) Liquid cooled test system for testing semiconductor integrated circuit chips
US11269004B2 (en) Inspection apparatus and inspection method for inspecting electrical characteristic of electronic device
US11852677B2 (en) Test system
JP2017133948A (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
WO2024062887A1 (ja) 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板
JP2008082792A (ja) 検査装置及び検査方法
WO2023137100A1 (en) Apparatus and method for testing semiconductor devices
JP2021190629A (ja) 検査装置及び検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240716