JP2023057367A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板における光導波路の構造の簡易化及び光結合効率の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１導体パッド１１ａを備える表面２１ａを有する絶縁層２１と、第１導体パッド１１ａに接続される部品Ｅ１に覆われるべき領域である第１部品領域Ａ１と、光を伝えるコア部５１を含んでいて第１部品領域Ａ１の外側に設けられている光導波路５と、を含んでいる。コア部５１は、第１部品領域Ａ１側を向いて露出する第１端面５ａを有し、光導波路５は、第１部品領域Ａ１と第１端面５ａとが隣接するように位置付けられている。【選択図】図３

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、光導波路及び光半導体素子が表面に搭載された光部品搭載用基板が開示されている。一端側に光入出射部を有する光導波路と、光半導体素子の発光部（又は受光部）とが光導波路の他端側で光結合されている。光半導体素子で発せられた光は光導波路のコア部に入射して光入出射部へと伝播し、外部から光入出射部に入射した光はコア部を通って他端側から光半導体素子に入射する。

特開２００８－１２９３８５号公報

特許文献１に開示の基板では、光入出射部又は光半導体素子から伝播する光は光導波路内で伝播方向を９０°変えて光半導体素子又は光入出射部へと伝播する。そのため、光導波路の他端側に光路変換部が形成されている。光路変換部には反射板などが必要になると考えられる。また、コア部と光半導体素子との間には光導波路のクラッド層が介在している。そのため、コア部と光半導体素子との間の間隔が大きく、加えて、クラッド層内では光が任意の方向に進むので、光結合に関して高い効率が得られ難いと考えられる。

本発明の配線基板は、第１導体パッドを備える表面を有する絶縁層と、前記第１導体パッドに接続される部品に覆われるべき領域である第１部品領域と、光を伝えるコア部を含んでいて前記第１部品領域の外側に設けられている光導波路と、を含んでいる。そして、前記コア部は、前記第１部品領域側を向いて露出する第１端面を有し、前記光導波路は、前記第１部品領域と前記第１端面とが隣接するように位置付けられている。

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる光導波路の構造をシンプルにすると共に、光導波路と部品との間の光結合の効率を高めることができると考えられる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の表面状態の一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 本発明の一実施形態における導体ポスト及び光導波路の変形例を示す拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。 図５のVI部の変形例を示す拡大図。 本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 実施形態の配線基板における光導波路の製造工程の一例を示す斜視図。 実施形態の配線基板における光導波路の製造工程の一例を示す斜視図。 実施形態の配線基板における光導波路の製造工程の一例を示す斜視図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。 図４に示される変形例の導体ポストの製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、平面視における図１の配線基板１００の一例を示している（図１は図２のＩ－Ｉ線での断面図である）。「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。図３は、図１のIII部の拡大図を示している。配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に順に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面に形成されている導体層３１とを含んでいる。絶縁層３２には、絶縁層３２を貫通して両側の導体層３１同士を接続するスルーホール導体３３が設けられている。

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

配線基板１００は、絶縁層２１及び導体層１１を含んでいる。絶縁層２１は、コア基板３の第１面３ａの上に積層されている。絶縁層２１はコア基板３側と反対側に表面２１ａを有しており、表面２１ａの上に導体層１１が形成されている。図１の配線基板１００は、さらに、被覆層４１を含んでいる。被覆層４１は、絶縁層２１及び導体層１１それぞれを部分的に覆っている。被覆層４１には、導体層１１の一部を露出させる開口４１ａが形成されている。

一方、コア基板３の第２面３ｂ上には、絶縁層２２が積層されている。絶縁層２２の上に導体層１２が形成されており、絶縁層２２及び導体層１２を覆うソルダーレジスト４２が形成されている。ソルダーレジスト４２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。ソルダーレジスト４２には、導体層１２の一部を露出させる開口４２ａが形成されている。絶縁層２１及び絶縁層２２には、それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２０が形成されている。

配線基板１００は、さらに、絶縁層２１の表面２１ａ側に配置されている光導波路５を含んでいる。図１～図３の例の配線基板１００は、さらに、スペーサ８を含んでいる。スペーサ８は、絶縁層２１の表面２１ａに配置されている。光導波路５は、スペーサ８における絶縁層２１側と反対側の表面上に設けられている。すなわち、光導波路５は、スペーサ８を介して絶縁層２１の表面２１ａに載置されている。光導波路５及びスペーサ８は、図１～図３に示されるように、平面視で、絶縁層２１の表面２１ａにおける被覆層４１に覆われていない領域に設けられている。

光導波路５は、光を伝えるコア部５１、及び、コア部５１の周囲に設けられているクラッド部５２を含んでいる。クラッド部５２は、コア部５１の延長方向、すなわち、コア部５１内での光の伝播方向（以下、「Ｘ方向」とも称される）と直交する任意の方向においてコア部５１を挟み込んでいる。クラッド部５２は、Ｘ方向に直交する面においてコア部５１を囲んでいる。光導波路５は、例えば、露光及び現像によりコア部の材料をパターニングするフォトリソグラフィ法、コア部形成用材料を吐出させながらクラッド内でニードルを走査させるＭｏｓｑｕｉｔｏ法、又はインプリント法などで形成される。しかし、光導波路５の形成方法は、これらに限定されない。

光導波路５は、例えば、接着剤（図示せず）などを用いてスペーサ８の表面に接着されている。光導波路５とスペーサ８とは、半硬化状態のクラッド部５２の材料をスペーサ８上で硬化させることによって接合されていてもよい。スペーサ８も例えば接着剤（図示せず）を用いて絶縁層２１の表面２１ａに固定されている。しかし、光導波路５とスペーサ８との固定方法、及びスペーサ８と絶縁層２１との固定方法は特に限定されず、光導波路５は任意の手段でスペーサ８に固定され得る。スペーサ８も任意の手段で絶縁層２１の表面２１ａに固定され得る。

図１の配線基板１００は、さらに、導体層１１の上に形成されている導体ポスト６１、６２を含んでいる。導体ポスト６１、６２は、導体層１１から絶縁層２１と反対方向に向かって延びる、例えば柱状、錘台状、又は逆錘台状の形状を有する導電体である。導体ポスト６１、６２は、被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面よりも突出している。導体ポスト６１、６２は、配線基板１００の厚さ方向と直交する断面及び表面において任意の形状を有し得る。導体ポスト６１には、外部の部品Ｅ１が接続され、導体ポスト６２には外部の部品Ｅ２が接続される。すなわち、配線基板１００には、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１及び部品Ｅ２が接続される。そのため、配線基板１００は、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１に覆われるべき領域である部品領域Ａ１（第１部品領域）、及び部品Ｅ２に覆われるべき領域である部品領域Ａ２（第２部品領域）を含んでいる。

部品領域Ａ１には、導体ポスト６１に接続される部品Ｅ１が位置づけられ、部品領域Ａ２には、導体ポスト６２に接続される部品Ｅ２が位置づけられる。一方、光導波路５は部品領域Ａ１の外側に設けられている。そのため、光導波路５は、部品領域Ａ１に部品Ｅ１が搭載されると部品Ｅ１の側方に位置する。すなわち、光導波路５は、平面視で、部品領域Ａ１及び部品Ｅ１と重ならないように設けられる。換言すると、部品Ｅ１は、光導波路５の側方に位置付けられる。

絶縁層２１、２２、及び絶縁層３２は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂によって形成される。図示されていないが、各絶縁層は、さらに、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）を含んでいてもよく、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラーを含んでいてもよい。

被覆層４１は任意の絶縁性材料で形成される。例えば被覆層４１は、ソルダーレジスト４２と同様のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂で形成され、各導体ポスト間の短絡を防ぐソルダーレジストとして機能してもよい。或いは、被覆層４１は、絶縁層２１及び絶縁層２２のような層間絶縁層に用いられるエポキシ樹脂やＢＴ樹脂又はフェノール樹脂で形成されてもよい。すなわち、被覆層４１の材料は、絶縁性を有していて導体層１１及び絶縁層２１の所定の領域を覆い得るものであればよく、特定の材料に限定されない。

光導波路５のコア部５１及びクラッド部５２は、適切な屈折率を有する材料を用いて形成されている。コア部５１及びクラッド部５２は、例えば、有機系素材、無機系素材、又は、無機ポリマーのような有機成分と無機成分とを含む混成素材によって構成され得る。無機系素材として、石英ガラスやシリコンなどが例示され、有機系素材として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、及びエポキシ系樹脂などが例示される。また、ポリシランなどの無機ポリマーが用いられてもよい。コア部５１及びクラッド部５２は、互いに異なる材料で構成されてもよく、互いに同じ系統の材料で構成されていてもよい。

しかし、コア部５１にはクラッド部５２に用いられる材料よりも高い屈折率を有する材料が用いられる。コア部５１とクラッド部５２との界面に臨界角以上の入射角で入射した光の全反射が可能となるため、コア部５１に入射した光が効率良くコア部５１内を伝播し得る。コア部５１及びクラッド部５２は、同一の屈折率を有する材料で形成された後に、適切な処理によって互いの屈折率を異ならされてもよい。例えば、ポリシランは、紫外線の照射によって屈折率が低下する。

導体層１１、１２及び導体層３１、スルーホール導体３３、ビア導体２０、並びに、導体ポスト６１、６２及び後述される導体ポスト６３（図７参照）は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。これら各導電体は、図１では簡略化されて一層で描かれているが、図３において拡大されている導体ポスト６１のように、２以上の膜体を含む多層構造を有し得る。例えば、導体層１１、１２は、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。導体ポスト６１～６３は、例えば、無電解めっき及び／又は電解めっきによって析出されるめっき金属によって形成されている。

導体層１１、１２、及び、導体層３１は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。図１～図３に示されるように、導体層１１は、少なくとも導体パッド１１ａ（第１導体パッド）を含んでいる。図１の例では、導体層１１は、さらに、導体パッド１１ｂ（第２導体パッド）、導体パッド１１ｄ、及び配線１１ｅも含んでいる。すなわち、絶縁層２１の表面２１ａには、導体パッド１１ａ、１１ｂ、１１ｄ、及び配線１１ｅが備わっている。配線１１ｅは、導体層１１に含まれる配線パターンによって構成されている。導体パッド１１ａと導体パッド１１ｂの少なくとも１つとが配線１１ｅで接続されている。

導体パッド１１ａ上には導体ポスト６１が形成されており、導体ポスト６１と導体パッド１１ａとが接続されている。従って、部品Ｅ１の電極Ｅ１ａは、導体ポスト６１を介して導体パッド１１ａに物理的及び電気的に接続される。同様に、導体パッド１１ｂ上には導体ポスト６２が形成されており、導体ポスト６２と導体パッド１１ｂとが接続されている。従って、部品Ｅ２の電極Ｅ２ａは、導体ポスト６２を介して導体パッド１１ｂに物理的及び電気的に接続される。導体ポスト６１は導体パッド１１ａにおける絶縁層２１側と反対側の表面から突出して被覆層４１を貫通している。同様に、導体ポスト６２は導体パッド１１ｂの表面から突出して被覆層４１を貫通している。

配線基板１００の使用時には、光電変換機能を有する受光素子及び／又は発光素子を含む電気部品が部品Ｅ１として部品領域Ａ１に搭載される。図１～図３の例の部品Ｅ１は、電極Ｅ１ａに加えて受光又は発光部Ｅ１ｂを備えている。受光又は発光部Ｅ１ｂは、部品Ｅ１の側方を向く受光又は発光面Ｅ１ｃ（図３参照）を有している。電極Ｅ１ａ及び受光又は発光部Ｅ１ｂは、部品Ｅ１における配線基板１００側に向けられる面に備えられている。すなわち、図１～図３の例において部品Ｅ１は、所謂フェイスダウン実装（フリップチップ実装）される。

部品Ｅ１としては、フォトダイオードなどの受光素子、並びに、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、及び、垂直共振型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）などの発光素子が例示される。部品Ｅ１が発光素子である場合、部品Ｅ１は、電極Ｅ１ａに入力される電気信号に基づく光を生成し、発光部として機能する受光又は発光部Ｅ１ｂから光を出射する。また、部品Ｅ１が受光素子である場合、受光部として機能する受光又は発光部Ｅ１ｂに入射する光に基づく電気信号が生成されて電極Ｅ１ａから出力される。

図１の例において、部品Ｅ２は、配線基板１００側に向けられる面に電極Ｅ２ａを備えている。すなわち部品Ｅ２も、所謂フェイスダウン実装される。部品Ｅ２は、部品Ｅ１を発光させる電気信号の生成、及び／又は、部品Ｅ１で生成された電気信号の処理などを行う半導体装置などの電子部品であり得る。部品Ｅ２としては、半導体装置、例えば、汎用オペアンプ、ドライバＩＣ、マイコン、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）などが例示される。

光導波路５のコア部５１は、光導波路５に沿ってその一端側から他端側に延びている。コア部５１は、光が入射及び出射する第１端面５ａと、第１端面５ａと反対側の端面であって光が入射及び出射する第２端面５ｂとを有している。光導波路５は、部品領域Ａ１と第１端面５ａとが隣接するように位置付けられている。「部品領域Ａ１と第１端面５ａとが隣接する」は、平面視において部品領域Ａ１と第１端面５ａとの間に遮光物が存在せず、且つ、部品領域Ａ１に搭載される部品Ｅ１とコア部５１との間で光の送受が可能なほど部品領域Ａ１と第１端面５ａとが近接していることを意味している。「光の送受が可能」は、部品Ｅ１、及び、コア部５１の第２端部５ｂ側に接続される受光素子（図示せず）のいずれかにおいてコア部５１を介して受光した光に基づいて所望の情報が得られる程度に、第１端面５ａと部品Ｅ１との間で光が伝播することを意味している。

換言すると、光導波路５は、部品Ｅ１が部品領域Ａ１に搭載されたときに、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとコア部５１の第１端面５ａとが光結合するように配置されている。また、図１の例では、光導波路５は、第２端面５ｂにおいて、光ファイバＦと接続されている外部の光コネクタＣと光結合される。光ファイバＦを伝播してきた光は、光コネクタＣを介してコア部５１の第２端面５ｂに入射し、コア部５１内を伝播して第１端面５ａから出射する。その光は、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂに入射して部品Ｅ１で電気信号に変換される。その電気信号は、電極Ｅ１ａから出力されて部品Ｅ２に入力され、部品Ｅ２で処理される。反対に、部品Ｅ２から出力された電気信号は、逆の経路で部品Ｅ１に入力されて光に変換される。その光は、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂから出射してコア部５１の第１端面５ａに入射し、コア部５１内を伝播して、第２端面５ｂから出射する。

このように、本実施形態では、光導波路５のコア部５１の第１端面５ａが部品領域Ａ１を向いて露出し、光導波路５は、部品領域Ａと第１端面５ａとが隣接するように位置付けられている。そのため、部品領域Ａ１に搭載される部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂとコア部５１の第１端面５ａとを対向させることができ、受光又は発光部Ｅ１ｂとコア部５１とを直接光結合することができる。すなわち、コア部５１から出射する光は、クラッド部５２を通ることなく、部品Ｅ１と第１端面５ａとの間の比較的短いギャップだけを通って受光又は発光部Ｅ１ｂに入射する。同様に、受光又は発光部Ｅ１ｂから出射する光は、クラッド部５２を通ることなくコア部５１に入射する。従って、光導波路５のコア部５１と部品Ｅ１とを高い結合効率で光結合させ得ると考えられる。光導波路５と部品Ｅ１との間を少ない損失で効率良く光が伝播し得ると考えられる。

さらに本実施形態では、絶縁層２１の表面２１ａに沿う方向で光導波路５内を伝播する光の伝播方向を転換させる必要がないので、光導波路５内に反射板などを設ける必要がない。従って、光導波路５の構造をシンプルにすることができ、光導波路５の製造を容易にすることができる。このように、本実施形態によれば、導体パッドを備える絶縁層の表面に設けられる光導波路のコア部と、導体パッドに接続される部品とを高い結合効率で光結合することができると考えられる。

図１～図３の例では、図２に示されるように、光導波路５は、並列する２つのコア部５１を有している。このように、実施形態の配線基板に備えられる光導波路５は、複数のコア部５１を有し得る。また、図２に示されるように、複数の配線１１ｅが備えられている。複数の導体パッド１１ａと複数の導体パッド１１ｂとが、並列する複数の配線１１ｅによって接続されている。図１及び図２などの例では、導体パッド１１ａそれぞれの上に導体ポスト６１が形成され、導体パッド１１ｂそれぞれの上には導体ポスト６２が形成されている。従って、隣接する導体パッド１１ａ同士、及び、隣接する導体パッド１１ｂ同士の間の短絡不良が生じ難いと考えられる。そのため、複数の配線１１ｅが、例えば、１０μｍ以下のような狭いピッチで配置され得ることがある。

なお、図１～図３の例では、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂの真下に相当する位置には導体ポスト６１が形成されていない。しかし、特に図２に示されるように、受光又は発光部Ｅ１ｂに隣接する部品Ｅ１の一辺Ｅ１１の近傍となる位置に、一辺Ｅ１１に沿って、導体ポスト６１が形成されている。従って、部品Ｅ１が、顕著に傾くことなく保持され得る。

図１～図３の例では、第１端面５ａと絶縁層２１の表面２１ａとの間の距離Ｄ１は、導体パッド１１ａの厚さＴ１よりも大きい。そのため、部品Ｅ１が部品領域Ａ１において導体パッド１１ａの上に搭載されると、第１端面５ａと部品Ｅ１とが対向し得る。

また、図１～図３の例の光導波路５は、前述したように、部品領域Ａ１の外側の領域であって、絶縁層２１の表面２１ａのうちの被複層４１に覆われていない領域に設けられている。そして図３に示されるように第１端面５ａと絶縁層２１の表面２１ａとの間の距離Ｄ１は、被覆層４１の厚さＴ１１よりも大きい。そのため、図１～図３の例のように部品Ｅ１が部品領域Ａ１において被覆層４１を貫通する導体ポスト６１の上に搭載される場合でも、第１端面５ａは部品Ｅ１と対向し得る。

好ましくは、第１端面５ａは、部品Ｅ１の受光又は発光部Ｅ１ｂにおいて部品Ｅ１の側方を向く受光又は発光面Ｅ１ｃと、表面２１ａに沿う方向、すなわちＸ方向において対向する。例えば、コア部５１よりも絶縁層２１側に位置するクラッド部５２の厚さ、及び／又はスペーサ８の厚さを調整することによって、第１端面５ａと受光又は発光面Ｅ１ｃとを全面的又は部分的に対向させることができる。

なお「距離Ｄ１」は、絶縁層２１の表面２１ａの鉛直方向における第１端面５ａと表面２１ａとの間の最短距離である。また、被覆層４１の「厚さＴ１１」は、導体層１１を覆っている部分における被覆層４１の厚さではなく、絶縁層２１の表面２１ａと接している部分における厚さである。すなわち、被覆層４１の厚さＴは、絶縁層２１の表面２１ａと、被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面（上面）との距離である。

このように、図１～図３の例では、第１端面５ａが導体パッド１１ａの上面よりも絶縁層２１の表面２１ａから離れている。特に図１～図３の例では、第１端面５ａが被覆層４１の上面よりも絶縁層２１の表面２１ａから離れている。そのため、導体ポスト６１の上に搭載される部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃとコア部５１の第１端面５ａとを対向させることができる。従って、光導波路５のコア部５１と、導体ポスト６１の上に搭載される部品Ｅ１とを高い結合効率で光結合させることができると考えられる。

また、図１～図３の例では、前述したように、導体パッド１１ａの上に導体ポスト６１が形成されているので、隣接する導体パッド１１ａ同士の間の短絡不良が生じ難く、配線１１ｅ（図１参照）が狭いピッチで配置され得ることがある。さらに、配線基板１００への部品Ｅ１の実装のためにはんだバンプなどが用いられる場合には、導体ポスト６１が備わっているので、小さいはんだバンプ、すなわち、低い高さと細い幅を有するはんだバンプを用い得ることがある。そのため、導体ポスト６１が形成されない場合と比べて、導体パッド１１ａ同士を近接させて配置できることがある。従って、より狭いピッチで配列された複数の電極Ｅ１ａを備える部品Ｅ１を実装し得ることがある。さらに、大きなバンプを用いる場合と比べてバンプによるインピーダンスの変化が小さいので、より良好な高周波伝送特性が得られることがある。すなわち、図１～図３の例によれば、配線基板の高密度化や良好な高周波特性の実現に寄与し得ることがある。

前述したように、絶縁層２１の表面２１ａからの光導波路５の高さは、例えばスペーサ８によって調整され得る。具体的には、スペーサ８の厚さによって、表面２１ａからの光導波路５のコア部５１の高さが調整される。すなわち、スペーサ８は、所定の高さに対する光導波路５単体でのコア部５１の高さ不足を補う補完材である。また、スペーサ８は、所定の高さに位置するコア部５１を含む光導波路５と絶縁層２１の表面２１ａとの隙間を埋める充填材とも称され得る。また、スペーサ８は、光導波路５の製造時に光導波路５の下地として用いられる基材によって構成されていてもよい。すなわち、その基材が、光導波路５の形成完了後に光導波路５から分離されずにスペーサ８として用いられてもよい。そのような観点から、スペーサ８はベース材とも称され得る。スペーサ８は、図１～図３に示されるように板状の形状を有し得る。又、スペーサ８は、光導波路５の大きさに応じて、板状というよりはむしろ棒状又はブロック状の形状を有していてもよい。

スペーサ８は、導体、絶縁体、又は半導体など、任意の電気的特性及び物理的特性を有する材料で形成され得る。例えば、スペーサ８は、シリコンやゲルマニウムなどの元素半導体、又は、酸化シリコンや砒化ガリウムなどの化合物半導体からなる半導体基板であり得る。また、スペーサ８は、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などのような絶縁性樹脂で形成されていてもよく、アルミナや窒化アルミニウムなどの無機絶縁体で形成されていてもよく、銅やニッケルなどの導電体（金属）で形成されていてもよい。スペーサ８は、光が所望の高さでコア部５１に入射又はコア部５１から出射し得るように、光導波路５を所定の高さで支持し得るものであれば、その形状及び材料について特に限定されない。

なお、光導波路５単体で、絶縁層２１の表面２１ａ上の所望の高さにコア部５１が位置付けられ得る場合は、スペーサ８は配線基板１００に備えられなくてもよい。例えば、図１においてコア部５１よりも絶縁層２１側に位置するクラッド部５２が、図１のスペーサ８の厚さを加えた厚さを有している場合は、スペーサ８が備えられなくてもよい。

図３を参照して、光導波路５、スペーサ８、及び導体ポスト６１がさらに説明される。なお、導体ポスト６１に対する説明は、導体ポスト６２にも適用され得る。図３に示されるように、部品Ｅ１は、導体ポスト６１における絶縁層２１と反対側の端面６１ａの上に搭載される。一方、スペーサ８とコア部５１との間にはクラッド部５２が介在する。図３の例の配線基板１００では、スペーサ８の厚さＴ２は、導体ポスト６１の端面６１ａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ２よりも小さい。そのため、コア部５１の第１端面５ａと部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃとが、Ｘ方向において対向し易いことがある。

図３の例の導体ポスト６１は、下層６１２と上層６１３とを有する２層構造を有している。下層６１２は、例えば、無電解めっきやスパッタリングで形成される金属膜である。上層６１３は、例えば、下層６１２を給電層として用いる電解めっきによって形成される電解めっき膜である。導体ポスト６１は、導体パッド１１ａに向かって先細るテーパー部を被覆層４１内に有している。従って、導体ポスト６１と導体パッド１１ａとの接続面積よりも大きな面積で、導体ポスト６１と部品Ｅ１の電極Ｅ１ａとを接続できることがある。

図３に示されるように、配線基板１００は、さらに、接続層７を含んでいる。接続層７は、導体ポスト６１の端面６１ａの上に形成されている。接続層７は、導体ポスト６１よりも低融点の材料で形成されている。従って、接続層７は、導体ポスト６１（又は導体ポスト６２）と部品Ｅ１（又は部品Ｅ２）との接続に寄与し得る。接続層７の材料としては、例えば、すず系はんだや金系はんだなどが例示される。接続層７を含む配線基板１００では、部品Ｅ１や部品Ｅ２の実装の際に、はんだなどの接合材の供給を省略し得ることがある。

図３に示されるように、光導波路５のコア部５１の第１端面５ａは、導体ポスト６１の端面６１ａよりも絶縁層２１の表面２１ａから離れている。そのため、図３の例のように導体ポスト６１の端面６１ａ上に接続層７が形成される場合でも、第１端面５ａと部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃとが、Ｘ方向において対向し易いと考えられる。

図４には、図１～図３の導体ポスト６１の変形例である導体ポスト６１１及び光導波路５の変形例である光導波路５０が示されている。図４に示されるように、導体ポスト６１１は、導体パッド１１ａ側から導体パッド１１ａ側と反対側、すなわち、配線基板１００の使用時に部品Ｅ１と向かい合う側まで、略一定の幅を有している。また、導体ポスト６１１は一体として形成されている。すなわち、図４の例では、導体ポスト６１１全体が、例えば電解めっき膜によって一体的に形成されている。図４の導体ポスト６１１には、例えば、異なる材料同士の界面や形成時期の異なる領域同士の界面は含まれていない。このように、全体的に略一定の幅で一体として形成されている導体ポスト６１１では、応力集中によるクラックや界面剥離などが生じ難いと考えられる。

また、図４の例では、光導波路５０のコア部５１の第１端面５ａと絶縁層２１の表面２１ａとの間の距離Ｄ１は、導体ポスト６１１における絶縁層２１と反対側の端面６１１ａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ２よりも小さい。しかし、導体ポスト６１１の上に搭載される部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃは、コア部５１の第１端面５ａと、Ｘ方向において対向している。このように、第１端面５ａと表面２１ａとの間の距離は、コア部５１の大きさ、クラッド部５２の厚さ、並びに、接続層７の有無及び厚さに応じて、部品Ｅ１の受光又は発光面Ｅ１ｃとコア部５１の第１端面５ａとが少なくとも部分的に対向するように、設定され得る。換言すると、コア部５１の第１端面５ａと絶縁層２１の表面２１ａとの間の距離と、導体ポスト６１１の端面６１１ａ（又は図３の例の導体ポスト６１の端面６１ａ）と表面２１ａとの間の距離との大小関係は、任意に設定され得る。

図５には、一実施形態の配線基板の変形例である配線基板１００ａが示されている。図５の例の配線基板１００ａの部品領域Ａ１には、部品Ｅ３が実装される。図５に示されるように、部品Ｅ３は、電極Ｅ３ａ及び受光又は発光部Ｅ３ｂを配線基板１００ａと反対方向に向けて実装される。すなわち、配線基板１００ａは、光電変換機能を有していて部品領域Ａ１に搭載される部品が所謂フェイスアップ方式で実装される場合に適することがある。

配線基板１００ａでは、光導波路５は、絶縁層２１の表面２１ａ上に配置されているスペーサ８ａの上に載置されている。そして表面２１ａからの光導波路５のコア部５１の高さが、図１の例と異なっている。すなわち、スペーサ８ａの厚さは、図１のスペーサ８の厚さよりも厚い。そのため、配線基板１００ａのコア部５１の端面５ａと表面２１ａとの間の距離は、図１の配線基板１００におけるコア部５１の端面５ａと表面２１ａとの間の距離よりも大きい。

図５の例においてスペーサ８ａの厚さＴ３は、導体ポスト６１における絶縁層２１と反対側の端面６１ａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離Ｄ２よりも大きい。そのため、導体ポスト６１の端面６１ａの上に搭載される部品Ｅ３の受光又は発光部Ｅ３ｂと、スペーサ８ａ上に載置される光導波路５のコア部５１とが、Ｘ方向において対向し易い。具体的には、受光又は発光部Ｅ３ｂにおいて側方を向く受光又は発光面Ｅ３ｃと、コア部５１の第１端面５ａとが対向し易い。光導波路５と部品Ｅ３とが、良好な結合効率で光結合され易い。なお、図５の例においても、スペーサ８ａが設けられず、その代わりに、図５においてコア部５１よりも絶縁層２１側に位置するクラッド部５２が、図５のスペーサ８ａの厚さＴ３を加えた厚さを有していてもよい。

図５の例において部品Ｅ３は、フェイスアップ実装に適するように、電極Ｅ３ａに接続されている貫通電極Ｅ３ｄ及び接続用電極Ｅ３ｅを備えている。接続用電極Ｅ３ｅは、配線基板１００ａに向けられる部品Ｅ３の表面において電極Ｅ３ａと対向する位置に設けられている。接続用電極Ｅ３ｅが、接続層７を介して導体ポスト６１に接続される。貫通電極Ｅ３ｄは、電極Ｅ３ａと接続用電極Ｅ３ｅとを電気的に接続している。貫通電極Ｅ３ｄは、例えばシリコン貫通電極（ＴＳＶ）であってもよい。

また図５の例では、光コネクタＣが、光導波路５と共に、スペーサ８ａにおける絶縁層２１と反対側に向けられる表面上に載置されている。光コネクタＣの受光又は発光部（図示せず）と、光導波路５のコア部５１の第２端面５ｂとが対向するように、光導波路５及び光コネクタＣが配置されている。スペーサ８ａ（及び図１のスペーサ８）の表面上には、図５の例のように、光コネクタＣのような光導波路５以外の任意の部品が、光導波路５と共に載置されてもよい。

図５の例の配線基板１００ａは、導体ポスト６１と同様に形成されているダミーポスト６ｄを有し、部品Ｅ３は、配線基板１００ａに向けられる表面にさらにダミー電極Ｅ３ｆを有している。ダミーポスト６ｄとダミー電極Ｅ３ｆとの当接によって部品Ｅ３が支持されるので、部品Ｅ３は顕著に傾くことなく保持され得る。図５に示される例は、スペーサ８ａの厚さ（コア部５１の高さ）、光コネクタＣの載置、並びに、部品Ｅ３の構造及び実装方式を除いて、図１に示される例と同様の構造を有している。図５において、図１に示される構成要素と同様の構成要素には、図１において付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、その構成要素についての繰り返しとなる説明は省略される。

図６には、図５のさらなる変形例における図５のVI部に相当する部分が拡大して示されている。図６に示される例は、部品Ｅ３が部分的にスペーサ８ａの上に載置されている点で、図５の例と異なっている。部品Ｅ３及びスペーサ８ａ以外の構成要素については、図５の例と同様であるので、それら同様の構成要素には、図５に付されている符号と同様の符号が付され、それらについての繰り返しとなる説明は省略される。

図６に示されるスペーサ８ａは、絶縁層２１と反対側を向く表面において光導波路５が載置されていない領域αを有している。領域αは、光導波路５が載置されている領域βよりも、絶縁層２１の表面２１ａに近接している。すなわち、スペーサ８ａにおける絶縁層２１と反対側を向く表面は、領域αと領域βとの間に段差を有している。スペーサ８ａは、領域αの少なくとも一部が平面視で部品領域Ａ１に重なるように、絶縁層２１上に配置されている。

図６に示されるように、部品Ｅ３は、導体ポスト６１の上、及びスペーサ８ａの領域αの上に搭載される。領域ａと領域βとの間に段差があるため、光導波路５のコア部５１の第１端面５ａと部品Ｅ３の受光又は発光面Ｅ３ｃとは、Ｘ方向において対向している。図６の例では、図５に例示されるダミーポスト６ｄ及び部品Ｅ３のダミー電極Ｅ３ｆは設けられていない。しかし、部品Ｅ３は、領域αに支持されるので、顕著に傾くことなく保持され得る。このように実施形態の配線基板では、スペーサ８ａのような、その上に光導波路が載置されるスペーサは、部品領域に搭載される部品を支持する領域を有していてもよい。

図７には、他の実施形態の配線基板の一例である配線基板１０１が示されている。配線基板１０１は、以下に説明される事項を除いて、図１などに示される一実施形態の配線基板１００と同様の構成要素で構成され、配線基板１００と同様の構造を有している。配線基板１００の構成要素と同様の構成要素には、図７において、図１に付されている符号と同様の符号が付されるか適宜省略され、その再度の説明は省略される。

図７に示されるように、配線基板１０１は、図１の配線基板１００と同様に、第１端面５ａ及び第２端面５ｂを有するコア部５１と、クラッド部５２とを含む光導波路５を含んでいる。図７の例の光導波路５は、図１の例の光導波路５と同様に、絶縁層２１の表面２１ａにおいて、部品領域Ａ１の外側の被覆層４１に覆われていない領域に設けられている。

配線基板１０１の導体層１１は、導体パッド１１ａ及び導体パッド１１ｂに加えて、導体パッド１１ｃ（第３導体パッド）を含んでいる。すなわち、絶縁層２１の表面２１ａには、さらに、第３導体パッド１１ｃが備えられている。導体パッド１１ｃ上には、導体ポスト６３が形成されており、導体ポスト６３と導体パッド１１ｃとが接続している。導体ポスト６３は、導体ポスト６１、６２と同様に、導体層１１から絶縁層２１と反対方向に向かって延びる柱状、錘台状、又は逆錘台状の形状を有する導電体である。導体ポスト６３は導体パッド１１ｃの上面から突出して被覆層４１を貫通している。

配線基板１０１の使用時には、図７に示されるように、導体ポスト６３に外部の部品Ｅ４が接続される。具体的には部品Ｅ４の電極Ｅ４ａと導体ポスト６３とが接続される。従って、部品Ｅ４は、導体ポスト６３を介して導体パッド１１ｃに物理的及び電気的に接続される。また、配線基板１０１は、配線基板１０１の使用時に部品Ｅ４に覆われるべき領域である部品領域Ａ３（第３部品領域）を含んでいる。部品領域Ａ３に部品Ｅ４が位置づけられる。

部品Ｅ４は、部品Ｅ１と同様に、光電変換機能を有する受光素子及び／又は発光素子を含む電気部品である。部品Ｅ１に関して前述された受光素子又は発光素子が部品Ｅ４として配線基板１０１に搭載される。そのため、部品Ｅ４は、電極Ｅ４ａに加えて受光又は発光部Ｅ４ｂを備えている。電極Ｅ４ａ及び受光又は発光部Ｅ４ｂは、部品Ｅ４における配線基板１０１側に向けられる面に備えられている。すなわち、図７の例において部品Ｅ４は、所謂フェイスダウン実装される。

図７の例の光導波路５は、部品領域Ａ３の外側に設けられている。光導波路５は、部品領域Ａ１と部品領域Ａ３との間に設けられている。図７の例においても、光導波路５のコア部５１の第１端面５ａは、部品領域Ａ１を向いて光導波路５から露出している。一方、図７の例では、コア部５１の第１端面５ａと反対側の端面である第２端面５ｂは、部品領域Ａ３側を向いて光導波路５から露出している。すなわち、第２端面５ｂは、配線基板１０１の使用時に部品Ｅ４を向くように光導波路５から露出している。第２端面５ｂは、配線基板１０１の使用時に、部品Ｅ４の受光又は発光部Ｅ４ｂにおける部品Ｅ４の側方を向く受光又は発行面と対向するように位置づけられる。

配線基板１００では、光導波路５は、部品領域Ａと第１端面５ａとが隣接するように、且つ、部品領域Ａ３と第２端面５ｂとが隣接するように、位置付けられている。また、配線基板１０１においても、第１端面５ａと絶縁層２１の表面２１ａとの距離は、導体パッド１１ａの厚さ及び被覆層４１の厚さよりも大きい。第２端面５ｂと絶縁層２１の表面２１ａとの距離も、導体パッド１１ｃの厚さ及び被覆層４１の厚さよりも大きい。従って、光導波路５の第１端面５ａ及び部品Ｅ１の受光又は発行部Ｅ１ｂに関する前述の説明と同様に、光導波路５の第２端面５ｂと部品Ｅ４の受光又は発光部Ｅ４ｂとを高い結合効率で光結合させ得ることがある。また、導体パッド１１ｃ上には導体ポスト６３が形成されているので、配線基板の高密度化や良好な高周波特性が実現されることがある。

つぎに、実施形態の配線基板を製造する方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図８Ａ～図８Ｄを参照して説明される。

図８Ａに示されるように、コア基板３の両側に、絶縁層２１、２２、及び導体層１１、１２が形成される。例えば、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層を含む両面銅張積層基板に、サブトラクティブ法によって所望の導体パターンを有する導体層３１とスルーホール導体３３とが形成される。そして、コア基板３の第１面３ａ上に絶縁層２１が形成され、第２面３ｂ上に絶縁層２２が形成される。絶縁層２１及び絶縁層２２は、例えば、コア基板３上へのフィルム状のエポキシ樹脂の積層、及びその熱圧着によって形成される。各絶縁層には、ビア導体２０を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。そして、絶縁層２１の表面２１ａの上に導体層１１が形成され、絶縁層２２の上には導体層１２が形成される。導体層１１は、導体パッド１１ａ、１１ｂ、１１ｄ及び配線１１ｅを含むように形成される。導体層１１及び導体層１２は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。

図８Ｂに示されるように、被覆層４１が形成される。被覆層４１は、例えば、液状又はシート状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを、印刷、塗布、吹き付け、又は積層などの方法で、絶縁層２１の表面２１ａ上、及びその上の導体層１１上に供給することによって形成される。例えば、感光性を有するエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂が用いられる。被覆層４１は、必要に応じて、加熱又は紫外線照射などによって本硬化又は仮硬化される。なお、コア基板３の第２面３ｂ側には、ソルダーレジスト４２がエポキシ樹脂やポリイミド樹脂の塗布や積層によって形成される。

そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、被覆層４１に開口４１ａ及び開口４１ｂが形成されると共に、被覆層４１における、光導波路５（図１参照）が設けられる領域に対応する部分が除去される。絶縁層２１の表面２１ａのうちの光導波路５が設けられる領域が露出する。開口４１ｂは、導体ポスト６１（図８Ｃ参照）が形成される位置に形成される。ソルダーレジスト４２にも開口４２ａが形成される。

図８Ｃに示されるように、導体ポスト６１の下層６１２を構成する金属膜６１０が、例えば無電解めっき又はスパッタリングによって形成される。なお、図８Ｃは、図８ＢのVIIIＣ部に相当する部分を拡大して示している。金属膜６１０は、被覆層４１上、開口４１ｂの内壁面上、及び被覆層４１に覆われていない絶縁層２１の表面上に形成される。そして、開口４１ｂを露出させる開口Ｒ１ａを有するめっきレジストＲ１が形成される。例えば、めっきレジストＲ１は感光性樹脂を含み、開口Ｒ１ａは露光及び現像によって形成される。図示されていないが、めっきレジストＲ１は、被覆層４１の開口４１ａ（図８Ｂ参照）も覆うように形成される。

開口Ｒ１ａ内及び開口４１ｂ内に、上層６１３を構成する金属が電解めっきによって析出される。金属膜６１０が給電層として用いられ得る。その結果、下層６１２及び上層６１３を有する２層構造の導体ポスト６１が形成される。さらに、接続層７が、金属膜６１０を給電層として用いる電解めっきによって、導体ポスト６１の端面６１ａ上に形成される。接続層７として、例えば、すず、すず合金、又は、金合金などからなる金属膜が形成される。その後、めっきレジストＲ１が適切な剥離剤を用いて除去される。その除去によって露出する金属膜６１０がクイックエッチングなどによって除去される。

図８Ｄに示されるように、スペーサ８上に載置された光導波路５が用意される。光導波路５は、前述したように、例えば、フォトリソグラフィ法、Ｍｏｓｑｕｉｔｏ法、又はインプリント法などを用いて形成される。光導波路５は、後述されるように、例えば半導体基板などからなるスペーサ８上で形成されてもよいし、コア部５１及びクラッド部５２の形成後に、別途用意されたスペーサ８上に任意の接着剤（図示せず）を用いて接着されてもよい。

被覆層４１から露出している絶縁層２１の表面２１ａの所定の部分に、例えば、熱硬化性、常温硬化性、又は光硬化性などの任意の接着剤Ｂが供給され、その上に光導波路５を備えたスペーサ８が搭載される。必要に応じて、加熱などによる接着剤Ｂの硬化処理が行われ、スペーサ８が固定される。さらに、接続層７が、リフロー処理などによって一旦溶かされて半球状の形状に整形される。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１００が完成する。

図９Ａ～図９Ｃには、一例として、フォトリソグラフィ法による光導波路５の製造工程が示されている。図９Ａ～図９Ｃの例では、図８Ｄに示されるスペーサ８となる基材８０を用いて光導波路５が形成される。基材８０は、スペーサ８について前述された任意の材料を用いて用意され得る。例えば半導体基板が基材８０として用意される。図９Ａに示されるように、基材８０の表面上に、下部クラッド層５２１が形成される。例えばＰＭＭＡのような、クラッド部５２（図８Ｄ参照）の構成材料として前述された材料が、フィルム状に成形されて基材８０に熱圧着される。さらに、下部クラッド層５２１上に、感光性を有するコア層５１０が形成される。コア層５１０は、例えばＰＭＭＡのような、コア部５１（図８Ｄ参照）の構成材料として前述された材料を用いて形成される。例えば、コア部５１の構成材料が、フィルム状に成形されて下部クラッド層５２１上に熱圧着される。

コア層５１０がパターニングされ、図９Ｂに示されるようにコア部５１が形成される。コア部５１に対応する開口を有する露光マスク（図示せず）を用いてコア層５１０に対する露光及び現像が行われる。コア層５１０の不要部分が除去されて所定の幅を有するコア部５１が形成される。

図９Ｃに示されるように、上部クラッド層５２２が下部クラッド層５２１及びコア部５１上に形成される。例えば、下部クラッド層５２１の形成と同様に、例えばＰＭＭＡのような、クラッド部５２の構成材料が、フィルム状に成形されて下部クラッド層５２１及びコア部５１に熱圧着される。その結果、コア部５１を覆う上部クラッド層５２２が形成される。すなわち、下部クラッド層５２１及び上部クラッド層５２２からなるクラッド部５２が形成される。コア部５１及びクラッド部５２を含む光導波路５が、基材８０上で完成する。

光導波路５を表面上に備える基材８０は、そのまま、先に参照された図８Ｄに示される工程において、スペーサ８として、光導波路５と共に、絶縁層２１の表面２１ａ上に配置され得る。或いは、基材８０上で完成した光導波路５は、基材８０から分離され、別途用意されるスペーサ８の表面に、例えば接着剤を用いて固定されてもよい。また、基材８０から分離された光導波路５は、別途用意されて単独で絶縁層２１の表面２１ａ上に配置されているスペーサ８の表面に、接着剤などを用いて固定されてもよい。

先に参照された図４に示される導体ポスト６１１の形成方法が、図１０Ａ～図１０Ｄを参照して以下に説明される。図１０Ａには、図８ＡのＸＡ部の拡大図が示されている。セミアディティブ法による導体層１１などの形成では、図１０Ａに示されるように、絶縁層２１の表面２１ａに、例えば無電解めっきやスパッタリングによって金属膜１１１が形成される。その金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによって、めっき膜１１２が形成される。図４の例の導体ポスト６１１が形成される場合は、金属膜１１１が全面的に残されたまま、導体ポスト６１１が形成される。

図１０Ｂに示されるように、導体層１１及び絶縁層２１の上に、導体ポスト６１１の形成箇所に開口Ｒ１ａを有するめっきレジストＲ１が形成される。そして開口Ｒ１ａ内に、例えば、金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきによって導体ポスト６１１が形成される。導体ポスト６１１は、後工程における被覆層４１の形成完了時（図１０Ｄ参照）に被覆層４１を貫通し得る高さ、好ましくは、被覆層４１の上面よりも突出し得る高さを有するように形成される。

さらに、接続層７として、すず、すず合金、又は、金合金などからなる金属膜が形成される。接続層７は、金属膜１１１を給電層として用いる電解めっきによって形成され得る。接続層７の形成後、めっきレジストＲ１が除去される。そして、金属膜１１１のうちのめっきレジストＲ１の除去によって露出する部分、すなわち、めっき膜１１２に覆われていない部分が、例えば、クイックエッチングによって除去される。導体パッド１１ａなどの導体層１１の各導体パターンが、他の導体パターンと物理的及び電気的に分離される。

図１０Ｃに示されるように、絶縁層２１及び導体層１１、導体ポスト６１１、及び接続層７を覆う被覆層４１が形成される。被覆層４１は、図１０Ｃに示される段階では、導体ポスト６１１、及び接続層７を含めて、絶縁層２１の表面２１ａ上の全ての構成要素を覆うように形成される。

被覆層４１は、図８Ｂを参照して説明された方法と同様の方法で形成されてもよく、適切な成型型を用いたインジェクションモールドによって形成されてもよい。コア基板３の第２面３ｂ側には、ソルダーレジスト４２がエポキシ樹脂やポリイミド樹脂の塗布や積層によって形成され、導体層１２及び絶縁層２２全体がソルダーレジスト４２によって覆われる。

図１０Ｄに示されるように、導体ポスト６１１における絶縁層２１と反対側の端部が接続層７と共に被覆層４１から露出するように、被覆層４１の厚さ方向の一部が除去される。具体的には、被覆層４１における絶縁層２１と反対側の表面から所定の厚さを有する部分が全面的に除去される。被覆層４１の厚さの減少によって、導体ポスト６１１における絶縁層２１と反対側の端部が被覆層４１から露出する。

被覆層４１の厚さ方向の一部は、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスを用いるプラズマエッチングなどのドライエッチンングによって除去され得る。また、ブラスト処理によって被覆層４１の一部が除去されてもよい。図示されていないが、コア基板３の第２面３ｂ側の表面は、導体ポスト６１１の形成の間、及び／又は、被覆層４１の一部の除去の間、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムのような保護膜の貼付によって保護されてもよい。例えば以上の工程を経ることによって、図４の例の導体ポスト６１１が形成される。

なお、図６の例のスペーサ８ａが用いられる場合は、任意の方法でスペーサ８ａの表面に領域αが設けられる。例えば、研磨などの機械加工でスペーサ８ａの表面付近の一部を除去することによって領域αが設けられる。領域αの形成は、スペーサ８ａが光導波路５を表面上に備えない状態で行われてもよく、光導波路５が備えられた状態で、光導波路５の一部をスペーサ８ａの一部と共に除去しながら行われてもよい。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば、実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。また、前述したように、スペーサ８、８ａは設けられなくてもよい。部品Ｅ２を搭載する導体パッド１１ｂ及び導体ポスト６２は形成されていなくてもよく、従って、部品領域Ａ２は含まれていなくてもよい。さらに、被覆層４１及び導体ポスト６１も、必ずしも設けられない。

１００、１００ａ、１０１ 配線基板
１１、１２ 導体層
１１ａ～１１ｄ 導体パッド
１１ｅ 配線
２１、２２ 絶縁層
２１ａ 絶縁層の表面
４１ 被覆層
５、５０ 光導波路
５１ コア部
５２ クラッド部
５ａ 第１端面
５ｂ 第２端面
６１～６３、６１１ 導体ポスト
６１ａ 導体ポストにおける絶縁層と反対側の端面
７ 接続層
８、８ａ スペーサ
Ａ１ 部品領域（第１部品領域）
Ａ２ 部品領域（第２部品領域）
Ａ３ 部品領域（第３部品領域）
Ｄ１ 第１端面と絶縁層の表面との間の距離
Ｄ２ 導体ポストの端面と絶縁層の表面との距離
Ｅ１～Ｅ４ 部品
Ｔ１ 導体パッドの厚さ
Ｔ１１ 被覆層の厚さ
Ｘ コア部内の光の伝播方向

Claims (10)

1. 第１導体パッドを備える表面を有する絶縁層と、
   前記第１導体パッドに接続される部品に覆われるべき領域である第１部品領域と、
   光を伝えるコア部を含んでいて前記第１部品領域の外側に設けられている光導波路と、
   を含む配線基板であって、
   前記コア部は、前記第１部品領域側を向いて露出する第１端面を有し、
   前記光導波路は、前記第１部品領域と前記第１端面とが隣接するように位置付けられている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されている導体ポストを含んでおり、
   前記第１端面は、前記導体ポストにおける前記絶縁層と反対側の端面よりも、前記絶縁層の前記表面から離れている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されている導体ポストを含んでおり、
   前記第１端面と前記絶縁層の前記表面との間の距離は、前記導体ポストにおける前記絶縁層と反対側の端面と前記絶縁層の前記表面との距離よりも小さい。
4. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記絶縁層の前記表面に配置されているスペーサを含み、
   前記光導波路は、前記スペーサを介して前記絶縁層の前記表面に載置されている。
5. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記絶縁層を部分的に覆う被覆層を含んでおり、
   前記光導波路は、平面視で、前記絶縁層の前記表面における前記被覆層に覆われていない領域に設けられている。
6. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記絶縁層の前記表面には、さらに第２導体パッド及び配線が備えられており、
   前記配線基板は、さらに、前記第２導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第２部品領域を含み、
   前記第２導体パッドと、前記第１導体パッドとが前記配線で接続されている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記絶縁層の前記表面には、さらに第３導体パッドが備えられており、
   前記配線基板は、さらに、前記第３導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第３部品領域を含み、
   前記コア部の前記第１端面と反対側の端面は、前記第３部品領域側を向いて前記光導波路から露出している。
8. 請求項７記載の配線基板であって、
   前記絶縁層の前記表面には、さらに第２導体パッド及び配線が備えられており、
   前記配線基板は、さらに、前記第２導体パッドに電気的に接続される部品に覆われるべき領域である第２部品領域を含み、
   前記第２導体パッドと、前記第１導体パッドとが前記配線で接続されている。
9. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されている導体ポストを含んでおり、
   前記導体ポストは、前記第１導体パッド側から前記第１導体パッド側と反対側まで略一定の幅で一体として形成されている。
10. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、
    前記第１導体パッドの上にめっき金属で形成されている導体ポストと、
    前記導体ポストにおける前記絶縁層と反対側の端面の上に前記導体ポストよりも低融点の材料で形成されている接続層と、を含んでいる。

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