JP2023057016A - 流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置 - Google Patents

流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】内部気流を安定化させるために配管内に設けられる流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、ハウジング１１０と、ハウジングの内部に設けられ、両側で基板Ｗを支持する支持ユニット１３０と、ハウジングの側壁に設けられ、基板を処理するための熱を発生させる加熱部材１４０と、ハウジングの内部に基板を処理するための流体を供給し、流体を基板の上部に供給する上部流体供給部１５１、流体を基板の下部に供給する下部流体供給部１５２並びに上部流体供給部および下部流体供給部の少なくとも一つの流体供給部と連結される供給配管１５３を含む流体供給ユニット１５０と、供給配管に設けられ、供給配管を通過する流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニット１８０と、を含む。流動抵抗発生ユニットは、供給配管に含まれる曲管と流体供給部の間に設けられる。【選択図】図１

Description

本発明は流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関する。より詳細には、半導体素子を製造するために基板を洗浄する際に適用できる流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関する。
半導体素子の製造工程は半導体素子製造設備内で連続的に行われることができ、前工程および後工程に区分される。半導体素子製造設備は半導体素子を製造するためにファブ（ＦＡＢ）と定義される空間内に設けられる。
前工程はウエハ（Ｗａｆｅｒ）上に回路パターンを形成してチップ（Ｃｈｉｐ）を完成する工程をいう。前工程はウエハ上に薄膜を形成する蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、フォトマスク（Ｐｈｏｔｏ Ｍａｓｋ）を用いて薄膜上にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）を転写するフォトリソグラフィ工程（Ｐｈｏｔｏ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ウエハ上に所望する回路パターンを形成するために化学物質や反応性ガスを用いて必要ない部分を選択的に除去するエッチング工程（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、エッチングした後に残っているフォトレジストを除去するアッシング工程（Ａｓｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、回路パターンと連結される部分にイオンを注入して電子素子の特性を有するようにするイオン注入工程（Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ウエハ上で汚染源を除去する洗浄工程（Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを含むことができる。
後工程は前工程により完成された製品の性能を評価する工程をいう。後工程はウエハ上のそれぞれのチップに対して動作の有無を検査して良品と不良を選別する１次検査工程、ダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）、ダイボンディング（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）、モールディング（Ｍｏｌｄｉｎｇ）、マーキング（Ｍａｒｋｉｎｇ）などによりそれぞれのチップを切断および分離して製品の形状を備えるようにするパッケージ工程（Ｐａｃｋａｇｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、電気的特性検査、バーンイン（Ｂｕｒｎ Ｉｎ）検査などにより製品の特性と信頼性を最終的に検査する最終検査工程などを含むことができる。
洗浄工程はケミカル（Ｃｈｅｍｉｃａｌ）で基板上の異物を除去する工程、ケミカルを純水（例えば、ＤＩ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ） Ｗａｔｅｒ）で洗浄する工程、基板を乾燥させる工程などを順に経て行われる。
基板を乾燥させる工程の場合、基板が内部に配置されたベッセルを（Ｖｅｓｓｅｌ）の内部に超臨界流体を供給して基板を処理する。しかし、超臨界流体がベッセルに供給される配管は複数の曲管（Ｂｅｎｔ Ｐｉｐｅ）で構成されている。したがって、曲管によって配管内で超臨界流体の流動不均衡が発生し、ベッセル内の吐出部で流動不均衡が発生する。
また、このような現象によりベッセル内の基板に塗布された現像液乾燥が不均衡な流動場によって非均一に乾燥され、これによって集まり性パーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生する。
本発明で解決しようとする技術的課題は、内部気流を安定化させるために配管内に設けられる流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置を提供することにある。
本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（Ａｓｐｅｃｔ）は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に設けられ、両側で基板を支持する支持ユニットと、前記ハウジングの側壁に設けられ、前記基板を処理するための熱を発生させる加熱部材と、前記ハウジングの内部に前記基板を処理するための流体を供給し、前記流体を前記基板の上部に供給する上部流体供給部、前記流体を前記基板の下部に供給する下部流体供給部、および前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つの流体供給部と連結される供給配管を含む流体供給ユニットと、前記供給配管に設けられ、前記供給配管を通過する前記流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニットを含み、前記流動抵抗発生ユニットは前記供給配管に含まれる曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられる。
前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管を通過して前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させ得る。
前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管が複数である場合、前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に隣接する曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられ得る。
前記流動抵抗発生ユニットは前記流体の流量を制限して前記流体に対して流動抵抗を発生させ得る。
前記流動抵抗発生ユニットは複数設けられ得る。
前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管の前後にそれぞれ設けられ得る。
前記流動抵抗発生ユニットは、本体と、前記本体の内部に形成される内部孔を含み、前記内部孔の幅は可変され得る。
前記内部孔はボトルネック区間を含み得る。
前記内部孔の幅は中央に向かうほど減少し、両端に向かうほど増加し得る。
前記流動抵抗発生ユニットはオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ）タイプの構造物、マルチパイプタイプの構造物およびバッファタンクタイプの構造物のいずれか一つの構造物として設けられ得る。
前記流動抵抗発生ユニットはオリフィスタイプの構造物として設けられる場合、ボトルネック区間を含む内部孔を有し得る。
前記流動抵抗発生ユニットはマルチパイプタイプの構造物として設けられる場合、分岐後再結合され得る。
前記流動抵抗発生ユニットはバッファタンクタイプの構造物として設けられる場合、前記供給配管より大きな幅の内部孔を有し得る。
前記流動抵抗発生ユニットは、本体と、前記本体の内部に形成される内部孔と、前記本体の内部面で突出形成される羽根部材を含み、前記羽根部材は前記流体を回転させ得る。
前記羽根部材は前記本体の内部面の周囲に沿って前記本体の一端から他端に延長形成され得る。
前記羽根部材は複数設けられ、複数の羽根部材は前記本体の内部面で離隔して設けられ、互いに異なる高さに設けられ得る。
前記基板処理装置は、内部孔に形成され、前記流体を回転させる羽根部材をさらに含み、前記羽根部材は前記供給配管、前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つに設けられ得る。
前記流体は超臨界流体であり得る。
前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に設けられ、両側で基板を支持する支持ユニットと、前記ハウジングの側壁に設けられ、前記基板を処理するための熱を発生させる加熱部材と、前記ハウジングの内部に前記基板を処理するための流体を供給し、前記流体を前記基板の上部に供給する上部流体供給部、前記流体を前記基板の下部に供給する下部流体供給部、および前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つの流体供給部と連結される供給配管を含む流体供給ユニットと、前記供給配管に設けられ、前記供給配管を通過する前記流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニットを含み、前記流動抵抗発生ユニットは前記供給配管に含まれる曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられ前記曲管を通過して前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させ、前記流動抵抗発生ユニットはオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ）タイプの構造物、マルチパイプタイプの構造物およびバッファタンクタイプの構造物のいずれか一つの構造物として設けられ、オリフィスタイプの構造物として設けられる場合、ボトルネック区間を含む内部孔を有し、マルチパイプタイプの構造物として設けられる場合、分岐後再結合され、バッファタンクタイプの構造物として設けられる場合、前記供給配管より大きな幅の内部孔を有する。
前記技術的課題を達成するための本発明の流動抵抗発生ユニットの一面は、本体と、前記本体の内部に形成される内部孔を含み、基板を処理するために前記基板が配置されているハウジングの内部に流体を供給する供給配管に設けられ、前記供給配管に含まれる曲管および前記流体を前記基板の上下に伝達するために前記ハウジングに設けられる流体供給部の間に設けられ、前記曲管を通過して前記流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させ、前記内部孔の幅変化により前記流体の流量を制限して前記流体に対して流動抵抗を発生させる。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の一実施形態による基板処理装置の構造を例示的に示す概略図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第１例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第２例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第３例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第１例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの効果を説明するための例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第２例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第３例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第４例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第１例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第２例示図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第３例示図である。
以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で実現でき、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「の上（ｏｎ）」または「上（ｏｎ）」と称される場合は他の素子または層真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「真上」と称される場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用できる。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれられ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含むことができる。素子は他の方向に配向されてもよく、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。
第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。
本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのものであり本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。
他に定義のない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通して理解される意味で使用される。また、一般的に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるかまたは対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。
本発明は配管内で流動抵抗を発生させて曲管による流動不均衡問題を解消し、内部気流を安定化させる流動抵抗発生ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関するものである。以下では図面などを参照して本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置の構造を例示的に示す概略図である。
図１によれば、基板処理装置１００はハウジング１１０、昇降ユニット１２０、支持ユニット１３０、加熱部材１４０、流体供給ユニット１５０、遮断部材１６０、排気部材１７０および流動抵抗発生ユニット１８０を含んで構成されることができる。
基板処理装置１００は超臨界流体を用いて基板を処理する。基板処理装置１００は例えば、超臨界流体として二酸化炭素（ＣＯ２）を用いて基板を乾燥させる。
ハウジング１１０は内部に超臨界乾燥工程が行われる処理空間を提供する。ハウジング１１０は臨界圧力以上の高圧を耐える材質で提供される。
ハウジング１１０は上部モジュール１１１と下部モジュール１１２を含む。下部モジュール１１２は上部モジュール１１１の下で上部モジュール１１１と結合されて提供される。上部モジュール１１１と下部モジュール１１２の組み合わせにより生成された空間は基板処理工程を行う処理空間として提供される。
上部モジュール１１１は外部構造物に固定されるように設けられる。下部モジュール１１２は上部モジュール１１１に対して昇降可能に提供される。下部モジュール１１２は下降して上部モジュール１１１から離隔すると、基板処理装置１００の内部に処理空間が開放される。この場合、基板Ｗが基板処理装置１００の内部空間に搬入されるか、または内部空間から搬出され得る。
基板処理装置１００に搬入される基板Ｗは基板洗浄液（例えば、ＤＩ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ） Ｗａｔｅｒ）が残留する状態であり得る。下部モジュール１１２が上昇して上部モジュール１１１に密着すると基板処理装置１００の内部に処理空間が密閉される。密閉された処理空間では超臨界流体により基板が処理される。上述した例とは異なりハウジング１１０で下部モジュール１１２が固定して設けられ、上部モジュール１１１が昇降する構造で提供されることもできる。
昇降ユニット１２０は下部モジュール１１２を昇降させる。昇降ユニット１２０は昇降シリンダ１２１および昇降ロッド１２２を含む。昇降シリンダ１２１は下部モジュール１１２に結合されて上下方向の駆動力を発生させる。昇降シリンダ１２１は超臨界流体を利用した基板処理が行われる間、基板処理装置１００内部の臨界圧力以上の高圧に勝って、上部モジュール１１１と下部モジュール１１２を密着させて基板処理装置１００を密閉させ得る程度の駆動力を発生させる。昇降ロッド１２２はその一端が昇降シリンダ１２１に挿入されて垂直上方（第３方向３０）に延びて他端が上部モジュール１１１に結合される。
昇降シリンダ１２１で駆動力発生時、昇降シリンダ１２１と昇降ロッド１２２が相対的に昇降して昇降シリンダ１２１に結合された下部モジュール１１２が昇降し得る。昇降シリンダ１２１により下部モジュール１１２が昇降する間、昇降ロッド１２２は上部モジュール１１１と下部モジュール１１２が水平方向（第１方向１０または第２方向２０）に動くことを防止して昇降方向を案内し、上部モジュール１１１と下部モジュール１１２が互いに定位置から離脱することを防止することができる。
支持ユニット１３０はハウジング１１０の処理空間に位置して基板Ｗを支持する。支持ユニット１３０は上部モジュール１１１に結合される。支持ユニット１３０は垂直部１３１と水平部１３２を含む。
垂直部１３１はハウジング１１０の上部壁から下に延びて提供される。垂直部１３１は上部モジュール１１１の下面に設けられる。垂直部１３１は上部モジュール１１１の下方に延びて提供される。垂直部１３１の終端は水平部１３２と垂直に結合される。水平部１３２は垂直部１３１の終端でハウジング１１０の内側に延びて提供される。水平部１３２には基板Ｗが置かれる。水平部１３２は基板Ｗの縁領域の底面を支持する。
支持ユニット１３０が基板Ｗの縁領域に接触して基板Ｗを支持して基板Ｗの上面の全体領域と下面の多くの領域に対して超臨界流体による基板処理が行われる。ここで、基板Ｗはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面であり得る。
支持ユニット１３０は上部モジュール１１１に設けられる。支持ユニット１３０は下部モジュール１１２が昇降する間比較的安定的に基板Ｗを支持することができる。
支持ユニット１３０が設けられる上部モジュール１１１には水平調整部材１１３が設けられる。水平調整部材１１３は上部モジュール１１１の水平度を調整する。上部モジュール１１１の水平度が調整され、上部モジュール１１１に設けられた支持ユニット１３０に安着した基板Ｗの水平が調整される。上部モジュール１１１が昇降して下部モジュール１１２が固定されて設けられるか、支持ユニット１３０が下部モジュール１１２に設けられる場合には、水平調整部材１１３は下部モジュール１１２に設けられることもできる。
加熱部材１４０は基板処理装置１００の内部を加熱する。加熱部材１４０は基板処理装置１００の内部に供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体相で維持する。加熱部材１４０は超臨界流体が液化した場合には再び超臨界流体になるように超臨界流体を加熱する。加熱部材１４０は上部モジュール１１１および下部モジュール１１２の少なくとも一つの壁内に埋設されて設けられる。加熱部材１４０は外部から電源を受けて熱を発生させる。加熱部材１４０は例えば、ヒーターとして提供される。
流体供給ユニット１５０は基板処理装置１００に流体を供給する。供給される流体は超臨界流体であり得る。一例として供給される超臨界流体は二酸化炭素であり得る。
流体供給ユニット１５０は上部流体供給部１５１、下部流体供給部１５２、供給配管１５３および弁１５４，１５５を含む。
上部流体供給部１５１は基板Ｗの上面に直接超臨界流体を供給する。上部流体供給部１５１は上部モジュール１１１に連結されて提供される。上部流体供給部１５１は基板Ｗの中央上面に対向する上部モジュール１１１に連結されて提供される。
下部流体供給部１５２は基板Ｗの下面に超臨界流体を供給する。下部流体供給部１５２は下部モジュール１１２に連結されて提供される。下部流体供給部１５２は基板Ｗの中央下面に対向する下部モジュール１１２に連結されて提供される。
上部流体供給部１５１と下部流体供給部１５２で噴射される超臨界流体は基板Ｗの中央領域に到達して縁領域に広がって基板Ｗの全領域に均一に提供される。
供給配管１５３は上部流体供給部１５１および下部流体供給部１５２と連結される。供給配管１５３は外部に別に備えられる超臨界流体貯蔵部１５６から超臨界流体の供給を受けて上部流体供給部１５１と下部流体供給部１５２に超臨界流体を供給する。
弁１５４，１５５は供給配管１５３に設けられる。弁１５４，１５５は供給ラインに複数提供される。それぞれの弁１５４，１５５は上部流体供給部１５１と下部流体供給部１５２に供給される超臨界流体の流量を調節する。図１に示されていないが、弁１５４，１５５は制御器によってハウジング１１０の内部に供給される流量調節が可能である。
流体供給ユニット１５０は先に下部流体供給部１５２で超臨界流体を供給する。以後、上部流体供給部１５１が超臨界流体を供給する。超臨界乾燥工程は初期に基板処理装置１００の内部が臨界圧力に達していない状態で行われる。基板処理装置１００の内部が臨界圧力に達していないとき内部に供給される超臨界流体は液化され得る。超臨界流体が液化されると重力によって基板Ｗに落下して基板Ｗを損傷させ得る。
したがって、下部流体供給部１５２で先に超臨界流体を供給する。基板処理装置１００に超臨界流体が供給された後、内部圧力は臨界圧力に到達する。基板処理装置１００の内部圧力が臨界圧力に到達した後、上部流体供給部１５１で超臨界流体を供給する。下部流体供給部１５２で上部流体供給部１５１より先に超臨界流体を供給して超臨界流体が液化して基板Ｗに落下することを防止することができる。
遮断部材１６０は流体供給ユニット１５０から供給される超臨界流体が基板Ｗの下面に直接噴射されることを防止する。遮断部材１６０は遮断プレート１６１および支持台１６２を含む。
遮断プレート１６１はハウジング１１０の内部すなわち、処理空間に位置する。遮断プレート１６１は支持ユニット１３０と下部流体供給部１５２の間に配置される。遮断プレート１６１は基板Ｗに対応する形状で提供される。一例として、遮断プレート１６１は円形の板形状で提供される。遮断プレート１６１の半径は基板Ｗと類似するかまたはより大きく提供され得る。遮断プレート１６１は支持ユニット１３０に置かれる基板Ｗの下面に位置して下部流体供給部１５２を介して供給される超臨界流体が基板Ｗの下面に直接噴射されることを防止する。遮断プレート１６１の半径が基板Ｗと類似するかまたはより大きく提供される場合には超臨界流体が基板Ｗに直接噴射されることを完全に遮断することができる。
これとは異なり遮断プレート１６１の半径は基板Ｗより小さく提供されることもできる。この場合、超臨界流体が基板Ｗに直接噴射されることを遮断する。また、超臨界流体の流速を最小限に低下させて基板Ｗに超臨界流体が比較的容易に到達できるようにする。遮断プレート１６１の半径が基板Ｗより小さく提供される場合、基板Ｗに対する超臨界乾燥工程が効果的に行われる。
支持台１６２は遮断プレート１６１を支持する。支持台１６２は遮断プレート１６１の後面を支持する。支持台１６２はハウジング１１０の下部壁に設けられ垂直（第３方向３０）に提供される。支持台１６２と遮断プレート１６１は別途の結合を行わず遮断プレート１６１の重力によって支持台１６２に置かれられるように設けられ得る。
これとは異なり、支持台１６２と遮断プレート１６１がナットやボルトなどの結合手段によって結合され得る。または支持台１６２と遮断プレート１６１は一体的に提供されることもできる。
排気部材１７０は基板処理装置１００から超臨界流体を排気する。排気部材１７０は超臨界流体を排気する排気ラインに連結される。図１には示されていないが、前記の場合、排気部材１７０には排気ラインに排気する超臨界流体の流量を調節する弁が設けられ得る。
排気ラインを介して排気する超臨界流体は大気中に放出される。または超臨界流体は超臨界流体再生システムに供給されることもできる。排気部材１７０は下部モジュール１１２に結合される。
超臨界流体による基板処理工程の後期には基板処理装置１００から超臨界流体が排気してその内部圧力が臨界圧力以下に減圧して超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は重力によって下部モジュール１１２に形成された排気部材１７０を介して排出される。
流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３内で流動抵抗を発生させるものである。先立って説明したが、超臨界流体を用いて基板を乾燥処理する場合、超臨界流体をハウジング１１０の内部に供給する供給配管１５３は多数の曲管で構成される。そのため超臨界流体が多数の曲管を通過して上部流体供給部１５１に進入する時には片寄って移動する現象が発生し、これによって上部流体供給部１５１で流動不均衡現象が発生する。上部流体供給部１５１で流動不均衡現象が発生すると、基板Ｗに塗布された現像液乾燥が不均衡な流動場によって非均一に乾燥され、この場合基板Ｗ内に集まり性パーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生し得る。
流動抵抗発生ユニット１８０はこのような問題を解決するために供給配管１５３に設けられる。以下では流動抵抗発生ユニット１８０について詳しく説明する。
図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第１例示図である。
流動抵抗発生ユニット１８０は超臨界流体貯蔵部１５６および上部流体供給部１５１を連結する供給配管１５３に設けられる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。流動抵抗発生ユニット１８０は超臨界流体貯蔵部１５６および下部流体供給部１５２を連結する供給配管１５３に設けられることも可能である。
以下では流動抵抗発生ユニット１８０が超臨界流体貯蔵部１５６および上部流体供給部１５１を連結する供給配管１５３に設けられる場合を例にあげて説明するが、流動抵抗発生ユニット１８０が超臨界流体貯蔵部１５６および下部流体供給部１５２を連結する供給配管１５３に設けられる場合にも同じ方式で適用できるのはもちろんである。
一方、本実施形態で供給配管１５３は複数の曲管を含むことができる。図２では供給配管１５３が三個の曲管２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃを含むこととして示したが、供給配管１５３に設けられる曲管の個数はこれに限定されず、二個やまたは四個以上であってもよい。以下では説明の便宜上供給配管１５３に設けられる曲管の個数が三個２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃの場合を例にあげて説明する。
供給配管１５３が超臨界流体貯蔵部１５６および上部流体供給部１５１を連結する場合、流動抵抗発生ユニット１８０は上部流体供給部１５１に隣接して配置される。具体的には、供給配管１５３が複数の曲管２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃを含んで超臨界流体貯蔵部１５６および上部流体供給部１５１を連結する場合、流動抵抗発生ユニット１８０は最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置される。前記で、最後の曲管２１０ｃは超臨界流体貯蔵部１５６から最も遠い距離に位置する曲管を意味する。または最後の曲管２１０ｃは上部流体供給部１５１から最も近い距離に位置する曲管を意味する。または最後の曲管２１０ｃは複数の曲管のうち超臨界流体が最後に通過する曲管を意味する。
流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に単一個設けられる。この場合、流動抵抗発生ユニット１８０は図２を参照して説明した通り最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に複数設けられることも可能である。
例えば、図３に示すように流動抵抗発生ユニット１８０が供給配管１５３に二個設けられる場合、いずれか一つの流動抵抗発生ユニット１８０ｂは最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置され、他の一つの流動抵抗発生ユニット１８０ａは超臨界流体貯蔵部１５６と一番目の曲管２１０ａの間に配置される。前記で、一番目の曲管２１０ａは超臨界流体貯蔵部１５６から最も近い距離に位置する曲管を意味する。または一番目の曲管２１０ａは上部流体供給部１５１から最も遠い距離に位置する曲管を意味する。または一番目の曲管２１０ａは複数の曲管のうち超臨界流体が初めに通過する曲管を意味する。図３は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第２例示図である。
なお、流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に二個設けられる場合、最後の曲管２１０ｃの前後に配置されることも可能である。
一方、流動抵抗発生ユニット１８０が供給配管１５３に二個設けられる場合、いずれか一つの流動抵抗発生ユニット１８０ｂは最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置され、他の一つの流動抵抗発生ユニット１８０ａは最後の曲管２１０ｃとその前の曲管２１０ｂの間に配置されることも可能である。すなわち、流動抵抗発生ユニット１８０が供給配管１５３に二個設けられる場合、いずれか一つの流動抵抗発生ユニット１８０ｂは最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置され、他の一つの流動抵抗発生ユニット１８０ａは超臨界流体貯蔵部１５６、第１曲管２１０ａ、第２曲管２１０ｂおよび第３曲管２１０ｃから選択される二個の構造物の間に配置される。
なお、流動抵抗発生ユニット１８０は図４に示すように曲管２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃの前後に配置されることも可能である。この場合、供給配管１５３がＮ個の曲管を含む場合、流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３にＮ＋１個設けられる（ここで、Ｎは自然数）。図４は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの配置構造を説明するための第３例示図である。
一方、流動抵抗発生ユニット１８０は同一位置に複数が連続して設けられることも可能である。例えば、流動抵抗発生ユニット１８０は最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に複数が配置されることができる。
流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３の内部に流動抵抗を発生させるために流量リストリクター（Ｆｌｏｗ Ｒｅｓｔｒｉｃｔｏｒ）として設けられる。流動抵抗発生ユニット１８０は、例えば、オリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅｓ）タイプの構造物、マルチネットワークパイプ（Ｍｕｌｔｉ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｐｉｐｅｓ）タイプの構造物、バッファタンク（Ｂｕｆｆｅｒ Ｔａｎｋ）タイプの構造物などとして設けられる。
流動抵抗発生ユニット１８０はオリフィスタイプの構造物として設けられる場合、図５に示すように超臨界流体が通過できる内部孔２２０を含む。図５は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第１例示図である。
内部孔２２０は上部孔３１０、中間孔３３０および下部孔３２０を含む。ここで、上部孔３１０の幅ｗ１は中間孔３３０の幅ｗ３より大きく（ｗ１＞ｗ３）、下部孔３２０の幅ｗ２も中間孔３３０の幅ｗ３より大きい（ｗ２＞ｗ３）ことを特徴とする。
内部孔２２０がこのように幅の変化を有する上部孔３１０、中間孔３３０および下部孔３２０を含むと、図６に示すように超臨界流体がボトルネック区間（図５では中間孔３３０）を通過した後にボトルネック区間より幅が広い区間（図５では下部孔３２０）を通過することになるので、曲管２１０の影響で超臨界流体が片寄る現象を解消する効果を得ることができる。図６は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの効果を説明するための例示図である。
再び図５を参照して説明する。
上部孔３１０、中間孔３３０および下部孔３２０は一定の幅を有するように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。上部孔３１０は中間孔３３０の幅ｗ３より大きい範囲内で幅の変化を有するように形成されることも可能である。同様に、下部孔３２０は中間孔３３０の幅ｗ３より大きい範囲内で幅の変化を有するように形成される。なお、中間孔３３０は上部孔３１０や下部孔３２０の最小幅より小さい範囲内で幅の変化を有するように形成できるのはもちろんである。
また、上部孔３１０と下部孔３２０は同じ幅を有するように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。上部孔３１０は下部孔３２０より大きな幅を有するように形成されることも可能である。または下部孔３２０は上部孔３１０より大きな幅を有するように形成されることもできる。
流動抵抗発生ユニット１８０が内部孔２２０を含む場合、内部孔２２０は図７に示すように上部孔３１０、第１ミドルホール３４０、第２ミドルホール３５０、第３ミドルホール３６０および下部孔３２０を含むこともできる。図７は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第２例示図である。
第１ミドルホール３４０は上部孔３１０の下方に位置する。この時、第２ミドルホール３５０は第１ミドルホール３４０の下方に位置する。第１ミドルホール３４０は幅が減少する方向に形成される。第１ミドルホール３４０は上部孔３１０と同じ幅ｗ１を最大幅とし、第２ミドルホール３５０と同じ幅ｗ３を最小幅として幅が減少する方向に形成される。
第３ミドルホール３６０は下部孔３２０の上側に位置する。この時、第３ミドルホール３６０は第２ミドルホール３５０の下方に位置する。第３ミドルホール３６０は幅が増加する方向に形成される。第３ミドルホール３６０は第２ミドルホール３５０と同じ幅ｗ３を最小幅として下部孔３２０と同じ幅ｗ２を最大幅として幅が増加する方向に形成される。
以上、図５および図７を参照して流動抵抗発生ユニット１８０がオリフィスタイプの構造物として設けられる場合、流動抵抗発生ユニット１８０の内部に形成される内部孔２２０の多様な形状について例示を挙げて説明した。本実施形態では流動抵抗発生ユニット１８０の内部に形成される内部孔２２０がボトルネック区間を含めるように幅が狭くなってからまた広くなる形態で形成されれば充分であり、図５および図７に示された例示はそのような形状を例示的に示すことに留意する。
一方、内部孔２２０は単一個形成されるが、複数形成されることも可能であることはもちろんである。
次に、流動抵抗発生ユニット１８０がマルチネットワークパイプタイプの構造物として設けられる場合について説明する。
図８は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第３例示図である。
流動抵抗発生ユニット１８０は超臨界流体が移動できる複数のパイプ部材を含む。図８では流動抵抗発生ユニット１８０が四個のパイプ部材４１０，４２０，４３０，４４０を含むこととして示されているが、流動抵抗発生ユニット１８０に含まれるパイプ部材の個数はこれに限定されず、二個または三個であるか、五個以上のものも可能であるのはもちろんである。
以下では流動抵抗発生ユニット１８０が四個のパイプ部材４１０，４２０，４３０，４４０を含む場合を例にあげて説明する。
第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は供給配管１５３から分岐し、上部流体供給部１５１に到達する前に再結合されることを特徴とする。
第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は供給配管１５３から同時に分岐するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。すなわち、本実施形態では第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０の少なくとも一つのパイプ部材が異なる地点で分岐してもよい。
同様に、第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は上部流体供給部１５１に到達する前に同時に再結合され得るが、本実施形態はこれに限定されるものではない。すなわち、本実施形態では第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０の少なくとも一つのパイプ部材が異なる地点で再結合されてもよい。
第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０はその内部孔が同じ幅を有するように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０の少なくとも一つのパイプ部材はその内部孔が異なる幅を有するように形成されることも可能である。
第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は供給配管１５３と同じ幅を有するように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は供給配管１５３と異なる幅を有するように形成されることも可能である。例えば、第１パイプ部材４１０、第２パイプ部材４２０、第３パイプ部材４３０および第４パイプ部材４４０は供給配管１５３よりさらに大きな幅を有するように形成されたり、または供給配管１５３よりさらに小さな幅を有するように形成されることも可能である。
なお、複数のパイプ部材を含む流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に単一個設けられる。この場合、複数のパイプ部材を含む流動抵抗発生ユニット１８０は図２を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０と同様に最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置されることができる。
複数のパイプ部材を含む流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に複数設けられることもできる。この場合、複数のパイプ部材を含む流動抵抗発生ユニット１８０は図３および図４を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０と同様に配置されるのはもちろんである。
次に、流動抵抗発生ユニット１８０がバッファタンクタイプの構造物として設けられる場合について説明する。
図９は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットの形状を説明するための第４例示図である。
流動抵抗発生ユニット１８０はバッファタンクタイプの構造物として設けられる場合、その内部孔４５０が供給配管１５３の内部孔より大きな幅を有するように形成される。この時、流動抵抗発生ユニット１８０の内部孔４５０は一定の幅を有するように形成されるが、可変される幅を有するように形成されることも可能である。流動抵抗発生ユニット１８０が大きさが可変される内部孔４５０を有する場合、その一端部すなわち、供給配管１５３と接続する部分は供給配管１５３の内部孔より大きな幅を有するように形成されることに留意する。
なお、流動抵抗発生ユニット１８０の他端部すなわち、上部流体供給部１５１と接続する部分も上部流体供給部１５１の内部孔より大きな幅を有するように形成されるが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、上部流体供給部１５１の内部孔と同じ幅を有するように形成されることもできるのはもちろんである。
一方、バッファタンクタイプの流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に単一個設けられる。この場合、バッファタンクタイプの流動抵抗発生ユニット１８０は図２を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０と同様に最後の曲管２１０ｃと上部流体供給部１５１の間に配置されることができる。
バッファタンクタイプの流動抵抗発生ユニット１８０は供給配管１５３に複数設けられる。この場合、バッファタンクタイプの流動抵抗発生ユニット１８０は図３および図４を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０と同様に配置できるのはもちろんである。
以上、図５ないし図９を参照して流動抵抗発生ユニット１８０がオリフィスタイプの構造物、マルチネットワークパイプタイプの構造物、バッファタンクタイプの構造物などとして設けられる場合について説明した。本実施形態では流動抵抗発生ユニット１８０はこれに限定されず、その内部面に空いている空間に突出する形状の羽根を含むことも可能である。以下ではこれについて説明する。
図１０は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第１例示図である。
図１０によれば、流動抵抗発生ユニット１８０は本体５３０の内部に空いている空間すなわち、孔５１０が形成され、羽根部材５２０は本体５３０の内部面で空いている空間に突出する形状に形成される。この時、羽根部材５２０はねじ山形状のように内部面の周囲に沿って下方（第３方向３０）に延長形成される。
内部孔５１０を有する流動抵抗発生ユニット１８０がこのような形状の羽根部材５２０をその内部孔５１０に含んで形成されれば、超臨界流体が羽根部材５２０に沿って移動しながら渦巻き（Ｖｏｒｔｅｘ）を発生させ得、これによる超臨界流体の流動抑制および流動誘導により基板Ｗに吐出される超臨界流体の流動を均一にする効果を得ることができる。
なお、流動抵抗発生ユニット１８０はねじ山形状のように内部面の周囲に沿って下方（第３方向３０）に延長形成される溝により渦巻きを発生させることも可能である。
羽根部材５２０は本体５３０の内部孔５１０に単一個形成される場合、図１０に示すように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。羽根部材５２０は本体５３０の内部孔５１０に複数形成されることも可能である。以下ではこれについて説明する。
図１１は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第２例示図であり、図１２は本発明の一実施形態による基板処理装置を構成する流動抵抗発生ユニットが羽根部材を含む場合、その形状を説明するための第３例示図である。
図１１および図１２では羽根部材５２０が四個の羽根５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃ，５２０ｄで構成される場合を例にあげて説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、羽根部材５２０は二個の羽根または三個の羽根で構成されるか、または五個以上の羽根で構成できるのはもちろんである。
第１羽根５２０ａ、第２羽根５２０ｂ、第３羽根５２０ｃおよび第４羽根５２０ｄは相互離隔した状態で本体５３０の内部面に沿って形成され、この時、第１羽根５２０ａ、第２羽根５２０ｂ、第３羽根５２０ｃおよび第４羽根５２０ｄは内部孔５１０を囲む形態で配置される。
第１羽根５２０ａ、第２羽根５２０ｂ、第３羽根５２０ｃおよび第４羽根５２０ｄは階段状に（すなわち、第３方向３０に）下降する形態で本体５３０の内部面に沿って形成される。図１１および図１２には四個の羽根５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃ，５２０ｄが本体５３０の内部面にそれぞれ単一個ずつ形成されることとして示されているが、このような四個の羽根５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃ，５２０ｄは第３方向３０に繰り返し形成されて本体５３０の内部面にそれぞれ複数個ずつ形成されることも可能であるのはもちろんである。
羽根部材５２０がこのように複数の羽根で構成される場合にも、図１１および図１２による配置によって図１０の場合と同じ効果が得られるのはもちろんである。
なお、羽根部材５２０は流動抵抗発生ユニット１８０の内部に設けられるが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、羽根部材５２０は上部流体供給部１５１に隣接する供給配管１５３内に設けられるか、上部流体供給部１５１内に設けられることもできる。この場合、流動抵抗発生ユニット１８０は基板処理装置１００内に含まれなくてもよい。
また、羽根部材５２０は流動抵抗発生ユニット１８０の内部、上部流体供給部１５１に隣接する供給配管１５３の内部、および上部流体供給部１５１の内部から選択されるいずれか一つのところに設けられることに限定されず、少なくとも二ヶ所以上に設けられることもできる。
一方、羽根部材５２０は本体５３０の内部面に沿って回転して超臨界流体に渦巻き現象を発生させることも可能である。
一方、先立って説明したが、図２ないし図１２を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０は超臨界流体貯蔵部１５６と下部流体供給部１５２を相互連結する供給配管１５３にも同じ方式で適用できる。
一方、流動抵抗発生ユニット１８０は同一位置に複数が連続して設けられることも可能である。
以上図１ないし図１２を参照して流動抵抗発生ユニット１８０およびそれを含む基板処理装置１００について説明した。本発明で流動抵抗発生ユニット１８０が有する特徴をもう一度整理してみると次のとおりである。
第一に、従来の供給配管では曲管による流動不均衡および周期的な流動の揺れ現象が発生するが、本発明では供給配管１５３内で流動抵抗が発生するように流動抵抗発生構造物すなわち、流動抵抗発生ユニット１８０を挿入させることによって、気流が均一に混合（Ｍｉｘｉｎｇ）されるように誘導して内部気流を安定化させることができる。
流動抵抗発生ユニット１８０は流量リストリクター（Ｆｌｏｗ Ｒｅｓｔｒｉｃｔｏｒ）として設けられ、例えばオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅｓ）タイプの構造物、マルチネットワークパイプ（Ｍｕｌｔｉ－Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｐｉｐｅｓ）タイプの構造物、バッファタンク（Ｂｕｆｆｅｒ Ｔａｎｋ）タイプの構造物などとして設けられる。
流動抵抗発生ユニット１８０がオリフィスタイプの構造物として設けられる場合、ベッセル（Ｖｅｓｓｅｌ）に供給される最後の曲管の後、あるいは前後二ヶ所に設けられ得る。本発明ではそれによって発生した流動抵抗により配管内に流動の流れを改善させてウエハ表面で超臨界流体の流動を均等に分布させることができる。
一方、オリフィスの変形構造としては多孔（Ｍｕｌｔｉ Ｈｏｌｅ）構造、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造、格子（Ｌａｔｔｉｃｅ）構造などが可能であり、超臨界ベッセルに連結されて使用できるオリフィスサイズ（Ｏｒｉｆｉｃｅ Ｓｉｚｅ）の範囲は例えば０．００２ｉｎ～０．１ｉｎ、または０．０５ｍｍ～２．４ｍｍである。
また、流動抵抗発生ユニット１８０がマルチネットワークパイプタイプの構造物として設けられる場合、ベッセルに供給される配管をマルチパイプで構成して流動を分岐後再併合するネットワークで流動の流れを改善することができる。
また、流動抵抗発生ユニット１８０がバッファタンクタイプの構造物として設けられる場合、ベッセルに供給される配管にバッファタンクを構成してバッファタンク内で超臨界流体の速度と圧力を変化させてウエハ表面で超臨界流体の流動を均等に分布させることができる。
第二に、曲管を通過した超臨界流体（例えば、ＣＯ２気流）は流動の片寄りが改善され、そのため曲管および超臨界流体吐出部（本発明の場合、上部流体供給部１５１および下部流体供給部１５２）を経てベッセル内のウエハの上部および下部に噴射される気流も流動不均衡（非対称流動場）が改善されることができる。
第三に、ウエハの表面に塗布された現像液乾燥時パーティクルのウエハ表面に形成される流動場形状に集まり性Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｓｔａｉｎ－Ｍａｒｋの形成なしに均一に現像液が乾燥されることができる。
以上、図１ないし図１２を参照して説明した流動抵抗発生ユニット１８０およびそれを含む基板処理装置１００は、半導体素子工程のうち乾燥工程を行う設備に適用することができる。具体的には、流動抵抗発生ユニット１８０およびそれを含む基板処理装置１００はフォト工程（例えば、現像工程）を行う設備に適用することができる。
以上のように添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
１００ 基板処理装置
１１０ ハウジング
１２０ 昇降ユニット
１３０ 支持ユニット
１４０ 加熱部材
１５０ 流体供給ユニット
１５１ 上部流体供給部
１５２ 下部流体供給部
１５３ 供給配管
１５６ 超臨界流体貯蔵部
１６０ 遮断部材
１７０ 排気部材
１８０ 流動抵抗発生ユニット
２１０ 曲管
２１０ａ 第１曲管
２１０ｂ 第２曲管
２１０ｃ 第３曲管
２２０，４５０，５１０ 内部孔
３１０ 上部孔
３２０ 下部孔
３３０ 中間孔
３４０ 第１ミドルホール
３５０ 第２ミドルホール
３６０ 第３ミドルホール
４１０ 第１パイプ部材
４２０ 第２パイプ部材
４３０ 第３パイプ部材
４４０ 第４パイプ部材
５２０ 羽根部材
５２０ａ 第１羽根
５２０ｂ 第２羽根
５２０ｃ 第３羽根
５２０ｄ 第４羽根

Claims (20)

  1. ハウジングと、
    前記ハウジングの内部に設けられ、両側で基板を支持する支持ユニットと、
    前記ハウジングの側壁に設けられ、前記基板を処理するための熱を発生させる加熱部材と、
    前記ハウジングの内部に前記基板を処理するための流体を供給し、前記流体を前記基板の上部に供給する上部流体供給部、前記流体を前記基板の下部に供給する下部流体供給部、および前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つの流体供給部と連結される供給配管を含む流体供給ユニットと、
    前記供給配管に設けられ、前記供給配管を通過する前記流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニットを含み、
    前記流動抵抗発生ユニットは前記供給配管に含まれる曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられる、基板処理装置。
  2. 前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管を通過して前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管が複数である場合、前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に隣接する曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記流動抵抗発生ユニットは前記流体の流量を制限して前記流体に対して流動抵抗を発生させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記流動抵抗発生ユニットは複数設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記流動抵抗発生ユニットは前記曲管の前後にそれぞれ設けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記流動抵抗発生ユニットは、
    本体と、
    前記本体の内部に形成される内部孔を含み、
    前記内部孔の幅は可変される、請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記内部孔はボトルネック区間を含む、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記内部孔の幅は中央に向かうほど減少し、両端に向かうほど増加する、請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記流動抵抗発生ユニットはオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ）タイプの構造物、マルチパイプタイプの構造物およびバッファタンクタイプの構造物のいずれか一つの構造物として設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 前記流動抵抗発生ユニットはオリフィスタイプの構造物として設けられる場合、ボトルネック区間を含む内部孔を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記流動抵抗発生ユニットはマルチパイプタイプの構造物として設けられる場合、分岐後再結合される、請求項１０に記載の基板処理装置。
  13. 前記流動抵抗発生ユニットはバッファタンクタイプの構造物として設けられる場合、前記供給配管より大きな幅の内部孔を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  14. 前記流動抵抗発生ユニットは、
    本体と、
    前記本体の内部に形成される内部孔と、
    前記本体の内部面で突出形成される羽根部材を含み、
    前記羽根部材は前記流体を回転させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  15. 前記羽根部材は前記本体の内部面の周囲に沿って前記本体の一端から他端に延長形成される、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記羽根部材は複数設けられ、
    複数の羽根部材は前記本体の内部面で離隔して設けられ、互いに異なる高さに設けられる、請求項１４に記載の基板処理装置。
  17. 内部孔に形成され、前記流体を回転させる羽根部材をさらに含み、
    前記羽根部材は前記供給配管、前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つに設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
  18. 前記流体は超臨界流体である、請求項１に記載の基板処理装置。
  19. ハウジングと、
    前記ハウジングの内部に設けられ、両側で基板を支持する支持ユニットと、
    前記ハウジングの側壁に設けられ、前記基板を処理するための熱を発生させる加熱部材と、
    前記ハウジングの内部に前記基板を処理するための流体を供給し、前記流体を前記基板の上部に供給する上部流体供給部、前記流体を前記基板の下部に供給する下部流体供給部、および前記上部流体供給部および前記下部流体供給部の少なくとも一つの流体供給部と連結される供給配管を含む流体供給ユニットと、
    前記供給配管に設けられ、前記供給配管を通過する前記流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニットを含み、
    前記流動抵抗発生ユニットは前記供給配管に含まれる曲管と前記上部流体供給部または前記下部流体供給部の間に設けられ、前記曲管を通過して前記上部流体供給部または前記下部流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させ、
    前記流動抵抗発生ユニットはオリフィス（Ｏｒｉｆｉｃｅ）タイプの構造物、マルチパイプタイプの構造物およびバッファタンクタイプの構造物のいずれか一つの構造物として設けられ、オリフィスタイプの構造物として設けられる場合、ボトルネック区間を含む内部孔を有し、マルチパイプタイプの構造物として設けられる場合、分岐後再結合され、バッファタンクタイプの構造物として設けられる場合前記供給配管より大きな幅の内部孔を有する、基板処理装置。
  20. 本体と、
    前記本体の内部に形成される内部孔を含み、
    基板を処理するために前記基板が配置されているハウジングの内部に流体を供給する供給配管に設けられ、前記供給配管に含まれる曲管および前記流体を前記基板の上下に伝達するために前記ハウジングに設けられる流体供給部の間に設けられて前記曲管を通過して前記流体供給部に向かう流体に対して流動抵抗を発生させ、
    前記内部孔の幅変化により前記流体の流量を制限して前記流体に対して流動抵抗を発生させる流動抵抗発生ユニット。
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