JP2023042873A

JP2023042873A - 磁気ディスク装置

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Publication number: JP2023042873A
Application number: JP2021150270A
Authority: JP
Inventors: 公康会田; Kimiyasu Aida; 和弥高田; Kazuya Takada
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date: 2021-09-15
Filing date: 2021-09-15
Publication date: 2023-03-28
Also published as: US11817133B2; US20230078768A1; CN115810367A

Abstract

【課題】障害の原因を安価に調査することができる磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気ディスク装置１は、第１磁気ディスク３００－１～３００－３と、第１磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第１アクチュエータ１２０Ａと、第１アクチュエータを制御する第１制御部であるＭＰＵ１０１Ａと、第２磁気ディスク３００－４～３００－６と、第２磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第２アクチュエータ１２０Ｂと、第２アクチュエータを制御する第２制御部であるＭＰＵ１０１Ｂとを備える。第１制御部は、リード／ライト処理を実行する。第２制御部は、第１制御部がリード／ライト処理を実行する場合、当該リード／ライト処理のトレースデータを記憶する。【選択図】図１

Description

実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置は、使用時に何らかの原因により障害が発生する場合がある。このような場合、障害の原因を調査するために、磁気ディスク装置に高額のバスアナライザを取り付けて調査することが行われている。

米国特許第１０８３９８４０号明細書米国特許第７２７４５２５号明細書特開２００８－００１０４８４号公報

既述のように磁気ディスク装置にバスアナライザを取り付けた場合、バスアナライザを取り付けることでインタフェース上の信号品質が変化し、エラー現象が再現できなくなる事態が生じ得る。このような事態が生じると、高額のバスアナライザを用いているにもかかわらず、磁気ディスク装置の障害の原因を調査することができなくなる。

また、顧客先によっては、磁気ディスク装置の設置場所への入室をセキュリティの都合により断られる場合がある。このような場合には、バスアナライザを取り付けて調査を行うことができない。

さらに、磁気ディスク装置の中には、気ディスク装置自身が自己の健康状態を記憶したSMART(Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology)情報が記憶されている場合がある。このような磁気ディスク装置の場合、障害が発生した磁気ディスク装置からSMART情報を読み出し、障害の原因を調査することも考えられる。しかし、SMART情報の内容は、具体的には、エラー情報、エラー発生回数等のような限られた情報である。このため、ホストと、磁気ディスク装置とのインタフェース上のトラブルで発生した障害の原因を特定することは困難であった。

実施形態は、障害の原因を安価に調査することができる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。

一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、第１磁気ディスクと、前記第１磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第１アクチュエータと、前記第１アクチュエータを制御する第１制御部と、第２磁気ディスクと、前記第２磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第２アクチュエータと、前記第２アクチュエータを制御する第２制御部と、を備える。また、前記第１制御部はリード／ライト処理を実行し、前記第２制御部は、前記第１制御部が前記リード／ライト処理を実行する場合、当該リード／ライト処理のトレースデータを記憶する。

実施形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示す図。同実施形態に係るリードコマンド、又はライトコマンドを受信した場合の処理の一例を示すフローチャート。同実施形態に係るコマンド“Primitive”の定義の一例を示す図。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

（第１実施形態）
図１は、磁気ディスク装置１の構成の一例を示す図である。
図１に示すように、磁気ディスク装置１は、システム・オン・チップ（ＳｏＣ：第１制御部）１００Ａ，ＳｏＣ（第２制御部）１００Ｂ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）部１１０Ａ，１１０Ｂ、４つのアクチュエータ１２０Ａ，１２０Ｂ、４つのサスペンション１３０Ａ，１３０Ｂ、ヘッドアンプ１４０Ａ，１４０Ｂ、サーボコンボ（ＳＶＣ）１５０Ａ，１５０Ｂ、ＲＡＭ１６０、磁気ディスク３００、スピンドルモータ（ＳＰＭ）３１０、軸３２０、軸３３０を備えている。ＳｏＣ１００Ａは、ホスト２００、及びＳｏＣ１００Ｂと通信可能に構成される。

磁気ディスク３００は、本実施形態では、３００－１～３００～６（これらを総称して３００と称する。）の６枚設けられている。これら磁気ディスク３００は、軸３３０に固定されている。軸３３０は、ＳＰＭ３１０に設けられており、ＳＰＭ３１０が回転すると、当該回転に同期して回転する。これにより、磁気ディスク３００もＳＰＭ３１０の回転に同期して回転するように構成される。

４つのアクチュエータ（第１アクチュエータ）１２０Ａは、磁気ディスク（第１磁気ディスク）３００－１～３００－３と交互に重ねられるように所定間隔をあけて設けられている。また、４つのアクチュエータ１２０Ａは、ＶＣＭ部１１０Ａに固定される。さらに、４つのサスペンション１３０Ａの先端、かつ、ディスク面と対向する面には、磁気ヘッドＨＤ１１～ＨＤ１６がそれぞれ設けられている。これにより、３枚の磁気ディスク３００－１～３００－３の両面にＨＤ１１～ＨＤ１６のいずれかが位置付けられるように構成される。

また、４つのアクチュエータ（第２アクチュエータ）１２０Ｂも４つのアクチュエータ１２０Ａと同様に構成される。つまり、４つのアクチュエータ１２０Ｂは、磁気ディスク（第２磁気ディスク）３００－４～３００－６と交互に重ねられるように所定間隔をあけて設けられている。また、４つのアクチュエータ１２０Ｂは、ＶＣＭ部１１０Ｂに固定される。さらに、４つのサスペンション１３０Ｂの先端、かつ、ディスク面と対向する面には、磁気ヘッドＨＤ２１～ＨＤ２６がそれぞれ設けられている。これにより、３枚の磁気ディスク３００－４～３００－６の両面にＨＤ２１～ＨＤ２６のいずれかが位置付けられるように構成される。

ＶＣＭ部１１０Ａ、及びＶＣＭ部１１０Ｂは、それぞれボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１１１Ａ，ＶＣＭ１１１Ｂを有している。ＶＣＭ１１１Ａが動作することにより、ＶＣＭ部１１０Ａが回動し、これと共にＶＣＭ部１１０Ａに固定されたアクチュエータ１２０Ａも回動する。これにより、サスペンション１３０Ａの先端に設けられた磁気ヘッド（ＨＤ１１～ＨＤ１６）を、磁気ディスク３００－１～３００－３上の所定の位置に位置づけることが可能になる。また、ＶＣＭ１１１Ｂが動作することにより、ＶＣＭ部１１０Ｂが回動し、これと共にＶＣＭ部１１０Ｂに固定されたアクチュエータ１２０Ｂも回動する。これにより、サスペンション１３０Ｂの先端に設けられた磁気ヘッド（ＨＤ２１～ＨＤ２６）を、磁気ディスク３００－４～３００－６上の所定の位置に位置づけることが可能になる。

ＳｏＣ１００Ａは、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１０１Ａ、及び図示省略のリード／ライトチャネル、並びにハードディスクコントローラが組み込まれたチップである。また、ＳｏＣ１００Ｂは、ＳｏＣ１００Ａと同様に、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１０１Ｂ、及び図示省略のリード／ライトチャネル、並びにハードディスクコントローラが組み込まれたチップである。ＭＰＵ１００Ａと、ＭＰＵ１００Ｂとは、バスライン（後述する経路Ｒ２）により接続される。ＳｏＣ１００Ａ、及びＳｏＣ１００Ｂは、それぞれ、図示省略のメモリと接続される。このメモリには、不揮発性メモリ、及び揮発性メモリが含まれる。

ＳｏＣ１００ＡのＭＰＵ１０１Ａは、磁気ディスク装置１のコントローラであり、磁気ディスク３００－１～３００－３に対するリード／ライト動作の制御およびＨＤ１１～ＨＤ１６の位置決めに必要なサーボ制御を実行する。リード／ライトチャネルは、読み出し（リード）／書き込み（ライト）に関連する信号を処理する信号処理回路である。ハードディスクコントローラは、ＨＤ１１～ＨＤ１６、ヘッドアンプ１４０Ａ、リード／ライトチャネル、及びＭＰＵ１０１Ａを介した、磁気ディスク３００－１～３００－３へのデータの書き込みと、磁気ディスク３００－１～３００－３からのデータの読み出しとを制御する。

ＳｏＣ１００ＢのＭＰＵ１０１Ｂは、磁気ディスク装置１のコントローラであり、磁気ディスク３００－４～３００－６に対するリード／ライト動作の制御を実行する。リード／ライトチャネルは、読み出し（リード）／書き込み（ライト）に関連する信号を処理する信号処理回路である。ハードディスクコントローラは、ＨＤ２１～ＨＤ２６、ヘッドアンプ１４０Ｂ、リード／ライトチャネル、及びＭＰＵ１０１Ｂを介した、磁気ディスク３００－４～３００－６へのデータの書き込みと、磁気ディスク３００－４～３００－６からのデータの読み出しとを制御する。磁気ディスク３００－４～３００－６には、後述するトレースデータが記憶されるようになっている。

ヘッドアンプ１４０Ａは、ＳｏＣ１００Ａに含まれるＲ／Ｗチャネルから供給されるライトデータに応じたライト信号（ライト電流）をＨＤ１１～１６に供給する。また、ヘッドアンプ１４０Ａは、ＨＤ１１～１６から出力されたリード信号を増幅して、ＳｏＣ１００Ａに含まれるＲ／Ｗチャネルに伝送する。ヘッドアンプ１４０Ｂは、ＳｏＣ１００Ｂに含まれるＲ／Ｗチャネルから供給されるライトデータに応じたライト信号（ライト電流）をＨＤ２１～２６に供給する。また、ヘッドアンプ１４０Ｂは、ＨＤ２１～２６から出力されたリード信号を増幅して、ＳｏＣ１００Ｂに含まれるＲ／Ｗチャネルに伝送する。

ＳＶＣ１５０Ａは、ＭＰＵ１０１Ａの制御の下で、磁気ヘッドＨＤ１１～ＨＤ１６の位置決めに必要なサーボ制御を実行する。ＳＶＣ１５０Ａは、サーボ制御の情報をＭＰＵ１０１Ｂに沿送信する。また、ＳＶＣ１５０Ｂは、ＭＰＵ１０１Ｂの制御の下で、磁気ヘッドＨＤ２１～ＨＤ２６の位置決めに必要なサーボ制御を実行する。ＳＶＣ１５０Ｂは、サーボ制御の情報をＭＰＵ１０１Ａに沿送信する。

ＲＡＭ１６０は、フロー制御を実行する際にバッファメモリとして機能する揮発性メモリである。ＲＡＭ１６０は、ＳｏＣ１００Ａ、及びＳｏＣ１００Ｂにそれぞれ接続される。ここで、フロー制御とは、バッファメモリとして機能するＲＡＭ１６０のデータセグメント毎にセクタ数のカウンタを持っており、ＲＡＭ１６０にデータが展開され、カウンタが閾値に達すると信号が通知される。当該信号としてリード転送が通知される場合、ファームウェアを介さずに、ホスト２００へリードデータ転送を開始し、磁気ディスク３００から続きのデータがＲＡＭ１６０に読込まれる。また、当該信号としてライト転送が通知される場合、ファームウェアを介さずに、ホスト２００へコマンド（例えば、XFER_RDY）を送信し、ホスト２００から受領したライトデータは、ＲＡＭ１６０に展開され、ＲＡＭ１６から磁気ディスク３００まで、そのまま書込まれる制御をいう。本実施形態では、ＲＡＭ１６０から磁気ディスク３００－４～３００－６にトレースデータが書き込まれる場合にもフロー制御が実行される。

ホスト２００は、磁気ディスク装置１の上位装置である。ホスト２００は、磁気ディスク装置にリードコマンド、ライトコマンド等のコマンドを送信し、磁気ディスク装置１からリードデータ、処理結果等を受信する。ホスト２００は、ＳｏＣ１００ＡとSerial attached SCSI（ＳＡＳ）、又はSerial ＡＴＡ（ＳＡＴＡ）の規格のインタフェースにより接続される。

以上のように、磁気ディスク装置１は、ＭＰＵ１０１Ａが気ディスク３００－１～３００－３に対して行う処理と、ＭＰＵ１０１Ｂが気ディスク３００－４～３００－６に対して行う処理とを独立して行うことができるように構成される。つまり、磁気ディスク装置１は、いわゆるマルチアクチュエータを有する磁気ディスク装置になっている。このため、磁気ディスク装置１は、２系統の異なる処理を実行することができる。本実施形態では、磁気ディスク装置において、ＳｏＣ１００Ａはリード／ライト処理を実行する場合、ＳｏＣ１００Ｂは、ＳｏＣ１００Ａが実行するリード／ライト処理のトレースデータを記憶する処理を実行する場合で説明する。

例えば、ホスト２００からライトコマンドを受信した場合、経路Ｒ１を介してＳｏＣ１００Ａにライトコマンドが送信される。ライトコマンドを受信した場合、ＳｏＣ１０１Ａ内のＭＰＵ１０１ＡからＳｏＣ１０１Ｂ内のＭＰＵ１０１Ｂへ経路Ｒ２を介してライトコマンドが送信される。また、ライトコマンドは、ＲＡＭ１６０に経路Ｒ３を介して送信され、ＲＡＭ１６０に保持される。このＲＡＭ１６０に保持されたライトコマンドのライト処理が行われる場合に、ライト処理の内容がＭＰＵ１０１Ａに経路Ｒ３を介して送信されライト処理が実行されると共に、経路Ｒ４を介してＭＰＵ１０１Ｂに送信される。この経路Ｒ４を構成するバスは、トレースデータを記憶するために設けられる専用バスのバスラインである。ＭＰＵ１０１Ａは、ヘッドアンプ１４０Ａ、及びＳＶＣ１５０Ａを制御して、ライト処理の内容に基づいて磁気ディスク３００－１～３００－３に対してライト処理を実行する。また、ＭＰＵ１０１Ｂは、ヘッドアンプ１４０Ａ、及びＳＶＣ１５０Ａを制御して、ライト処理の内容（トレースデータ）を磁気ディスク３００－４～３００－６に対してライトするライト処理を実行する。

次に、ホストからリードコマンド、又はライトコマンドを磁気ディスク装置が受信した場合の処理について説明する。図２は、リードコマンド、又はライトコマンドを受信した場合の処理の一例を示すフローチャートである。なお、当該処理は、図示省略の電源が磁気ディスク装置１に投入された後に実行される処理である。

まず、ＭＰＵ１０１Ａは、パワーオン処理を実行する（ＳＴ１０１）。ここで、パワーオン処理とはフロー制御で用いるバッファメモリを初期化等する処理である。本実施形態では、ＲＡＭ１６０が初期化され、図示省略の不揮発性メモリからＲＡＭ１６０に、後述するトリガー条件やフィルタ条件等が読み込まれる。例えば、コマンドタイムアウトの調査においては、Primitive の中のALIGN（link rateの速度調整に使用）やNOTIFY（モーター起動指示）をフィルタアウトするようにフィルタ条件を設定することができる。ALIGN、NOTIFYは、はIF上に多数送信され続ける。このため、これらを、フィルタ条件として設定しておくことで、トレースデータの記憶領域を節約することが可能になる。

次に、ＭＰＵ１０１Ｂは、トレースデータの記録を開始する（ＳＴ１０２）。そして、ＭＰＵ１０１Ｂは、トレースデータを記憶する（ＳＴ１０３）。但し、まだスピンドルモータ３１０等がレディ状態にあるため、ＭＰＵ１０１Ｂは、磁気ディスク３００－４～３００－６にトレースデータを記憶せずに、ＲＡＭ１６０上でリング形式によりトレースデータ保持する。

このような状態において、ＭＰＵ１０１Ａは、トリガー条件に合致したか否かを判定する（ＳＴ１０４）。例えば、ホスト２００側が送信したコマンドのタイムアウトエラーを調査したい場合は、ホスト２００側は磁気ディスク装置１に対して、当該コマンドをアボート（Abort）するために、タスクフレーム（Task Frame：ABORT TASK等）を送信し、それでも応答しない場合は、コマンド（HARD_RESET Primitive）を送信するようになっている。このような構成の場合、（HARD_RESET Primitive）をトリガー条件にすることが考えらえる。図３は、コマンド“Primitive”の定義Ｔの一例を示す図である。

トリガー条件に合致していないと判定した場合（ＳＴ１０４：ＮＯ）、ＭＰＵ１０１Ａこの処理は終了する。一方、トリガー条件に合致したと判定した場合（ＳＴ１０４：ＮＯ）、ＭＰＵ１０１Ｂは、スピンドルモータ３１０等がレディ状態か否かを判定する（ＳＴ１０５）。レディ状態でないと判定した場合（ＳＴ１０５：ＮＯ）、処理はステップＳＴ１０３へ戻る。

レディ状態であると判定した場合（ＳＴ１０５：ＹＥＳ）、ＭＰＵ１０１Ａは、データライトをＯＮする（ＳＴ１０６）。これにより、ＭＰＵ１０１Ａは、データのライトを磁気ディスク３００―１～３００－３に対して実行する。なお、本実施形態では、データライトの場合で説明するが、データリードの場合も同様である。

次に、ＭＰＵ１０１Ａは、トレースデータ側のフロー制御をＯＮする（ＳＴ１０７）。これにより、ＭＰＵ１０１Ｂのフロー制御が実行される。次に、ＭＰＵ１０１Ａは、ＲＡＭ１６０を監視し、セクタカウンタが閾値に達したか否かを判定する（ＳＴ１０８）。セクタカウンタが閾値に達していないと判定した場合（ＳＴ１０８：ＮＯ）、ＭＰＵ１０１Ａは、アクチュエータ（第１アクチュエータ）１２０Ａのライトを一時停止する（ＳＴ１０９）。ＲＡＭ１６０から磁気ディスク３００－４～３００－６の所定エリアに書き込むトレースデータがなくなるためである。また、セクタカウンタが閾値に達しと判定した場合（ＳＴ１０８：ＹＥＳ）、ＭＰＵ１０１Ａは、アクチュエータ（第１アクチュエータ）１２０Ａのライトを継続する（ＳＴ１１０）。ＲＡＭ１６０から磁気ディスク３００－４～３００－６の所定エリアに書き込むトレースデータがまだあるため、フロー制御が継続される。

次に、ＭＰＵ１０１Ｂは、空きはあるか否かを判定する（ＳＴ１１１）。具体的には、磁気ディスク３００－４～３００－６にトレースデータを記憶する領域の空きがあるか否かが判定される。空きがあると判定した場合（ＳＴ１１１：ＹＥＳ）、処理は、ステップＳＴ１０３に戻る。これにより、既述のステップＳＴ１０３からＳＴ１１０の処理が繰り返され、トレースデータが記憶される。

一方、ＭＰＵ１０１Ｂは、空きがないと判定した場合（ＳＴ１１１：ＮＯ）、ＭＰＵ１０１Ｂは、記録方式はリング形式か否かを判定する（ＳＴ１１２）。記録方式がリング形式であると判定した場合（ＳＴ１１２：ＹＥＳ）、処理は、ステップＳＴ１０３に戻る。これにより、既述のステップＳＴ１０３からＳＴ１１０の処理が繰り返され、トレースデータが記憶される。また、ＭＰＵ１０１Ｂにより記録方式がリング形式でないと判定された場合（ＳＴ１１２：ＮＯ）、この処理は終了する。

以上のように構成された磁気ディスク装置１によると、ＳｏＣ１００Ａはリード／ライト処理を実行し、ＳｏＣ１００Ｂは、ＳｏＣ１００Ａがリード／ライト処理を実行する場合、当該リード／ライト処理のトレースデータを記憶する。このため、磁気ディスク装置１は、障害が発生した場合に、作業者は、磁気ディスク３００に記憶されたトレースデータを確認、及び分析することにより、磁気ディスク装置にどのような障害発生したかを調査することができる。よって、磁気ディスク装置１は、高額なバスアナライザを必要とせずに、障害の原因を安価に調査することができる。

また、磁気ディスク装置１は、コマンドレベルでなく、コマンドレベルの層より下層に位置付けられる“Primitive”単位でインタフェースの障害の解析を行うことができる。このため、磁気ディスク装置１は、より詳細な障害の調査を行うことができる。

さらに、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク３００－１～３００－３に対してリード／ライトするアクチュエータ１２０Ａと、磁気ディスク３００－４～３００－６に対してトレースデータをライトするアクチュエータ１２０ｂとを別個に動作するように構成されている。このため、磁気ディスク装置１は、トレースデータをライトする場合に、リード／ライトに基づくデータの転送のフロー制御を停止する必要がない。したがって、磁気ディスク装置１は、Ｉ／Ｏスループット性能に影響を及ぼすことなく、トレースデータを磁気ディスク３００－１～３００－３にライトすることができる。

さらに、上記実施形態では、ＳｏＣ１００Ａと、ホスト２００との接続は、ＳＡＳ、又はＳＡＴＡの規格に基づくインタフェースで接続される場合を説明したが、これに限るものではない。例えば、Non-Volatile Memory Express（ＮＶＭｅ）の規定に基づいて、ＳｏＣ１００Ａと、ホスト２００とが接続される場合にも、上記実施形態の技術を適用することが可能である。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１００Ａ，１００Ｂ…ＳｏＣ（システム・オン・チップ）、１０１Ａ，１０１Ｂ…ＭＰＵ、１２０Ａ，１２０Ｂ…アクチュエータ、１６０…ＲＡＭ、２００…ホスト、３００（３００－１～３００－６）…磁気ディスク

Claims

第１磁気ディスクと、
前記第１磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第１アクチュエータと、
前記第１アクチュエータを制御する第１制御部と、
第２磁気ディスクと、
前記第２磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする第２アクチュエータと、
前記第２アクチュエータを制御する第２制御部と、
を備え、
前記第１制御部はリード／ライト処理を実行し、前記第２制御部は、前記第１制御部が前記リード／ライト処理を実行する場合、当該リード／ライト処理のトレースデータを記憶する、
磁気ディスク装置。
前記第２制御部は、前記トレースデータを前記第２磁気ディスクに記憶する、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
前記第１制御部は、ホストと通信可能に構成され、
前記第１制御部と、前記第２制御部とは、バスラインを介して接続される、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
前記第１制御部、及び前記第２制御部と接続されるバッファメモリを備え、
前記第１制御部は、前記ホストからコマンドを受信した場合、前記バッファメモリにコマンドを格納すると共に、前記第２制御部に前記コマンドを送信し、
前記第１制御部が前記バッファメモリに格納された前記コマンドに基づく処理を前記第１磁気ディスクに実行する場合、前記第２制御部は前記コマンドに基づく前記第１制御部の処理内容を前記バッファメモリから取得し、当該取得した処理内容を前記トレースデータとして前記第２磁気ディスクに記憶する、
請求項３に記載の磁気ディスク装置。
前記第２制御部と、前記バッファメモリとを接続するバスラインを備え、
前記バスラインは、前記トレースデータを前記バッファメモリから前記第２制御部に送信する、
請求項４に記載の磁気ディスク装置。
前記第２制御部は、フロー制御により前記第２磁気ディスクに前記トレースデータを記憶する、
請求項４に記載の磁気ディスク装置。
前記トレースデータは、プリミティブ単位で前記第２磁気ディスクに記憶される、
請求項６に記載の磁気ディスク装置。