JP2023042567A - 積層型電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】容量形成部と第１カバー部間の結合力を向上させ、これによりＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制し、信頼性に優れる積層型電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１を含み、誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１及び容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含む本体１１０と、本体に配置される外部電極１３１、１３２と、を含む。複数の内部電極のうち、第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下である。【選択図】図２
Description
本発明は、積層型電子部品及びその製造方法に関する。
セラミック電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着され、電気を充填または放電させる役割をするチップ状のコンデンサである。
かかる積層セラミックキャパシタは、小型でかつ高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、多様な電子装置の部品として使用されることができる。最近、コンピュータ、モバイル機器などの各種の電子機器が小型化、高出力化されることにより、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化への要求も増大している。
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要がある。現在、内部電極の厚さが約０．６μｍ水準まで到逹した状態であり、引き続き薄層化が進行している。しかし、内部電極の厚さを薄くするために母材である金属粉末は微粒化され、これにより焼結収縮開始温度が低くなり、誘電体層との収縮挙動の不一致が大きくなるためディラミネーションなどの不良が発生するおそれがある。
特に、容量形成部とカバー部間の結合力は、容量形成部内における誘電体層と内部電極間の結合力に比べてさらに低いため、容量形成部とカバー部間のクラック（Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ）が発生するおそれがある。容量形成部とカバー部間のクラック（Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ）が発生する場合、短絡が発生するか、破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋｉｎｇ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低下することがあり、信頼性が低下し得る。
そこで、容量形成部とカバー部間のクラック（Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ）を抑制することができる方案が必要な実情である。
そこで、容量形成部とカバー部間のクラック（Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ）を抑制することができる方案が必要な実情である。
本発明のいくつかの目的の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品及びその製造方法を提供することである。
本発明のいくつかの目的の一つは、容量形成部とカバー部間のクラック（Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ）が抑制された積層型電子部品を提供することである。
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び内部電極を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、上記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部、及び上記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、上記本体に配置される外部電極とを含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であることができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び内部電極を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、上記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部、及び上記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、上記本体に配置される外部電極とを含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であることができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法は、酸素雰囲気で金属粒子を表面処理して第１導電性粉末を準備する段階と、セラミックグリーンシート上に上記第１導電性粉末を含む内部電極用ペーストを塗布して第１セラミックグリーンシートを準備する段階と、複数のセラミックグリーンシートを第１方向に積層して積層体を形成し、上記積層体の第１方向の上部及び下部には内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートをそれぞれ一つ以上積層してカバー部を積層し、上記積層体の第１方向の中央部には内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して容量形成部を積層し、上記容量形成部の第１方向の最上部に配置されたセラミックグリーンシートは上記第１セラミックグリーンシートである積層体形成段階と、上記積層体を焼成して誘電体層及び内部電極を含む本体を形成する段階と、上記本体に外部電極を形成する段階とを含むことができる。
本発明のいくつかの効果の一つとして、第１カバー部と容量形成部の結合力を向上させて第１カバー部と容量形成部間のクラックを抑制することができ、これにより信頼性を向上させることができる。
本発明のいくつかの効果の一つは、第１カバー部と最も近く配置された内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比を制御することで、容量形成部と第１カバー部間の結合力を向上させることができる。
本発明のいくつかの効果の一つは、第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が一定数値範囲を有するように制御することで、容量形成部と第１カバー部間の結合力を向上させることができる。
但し、本発明の多様でかつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面において示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意で示したため、本発明が必ずしも図示によって限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を付与して説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅方向（Ｗ）と定義することができる。
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'断面図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'断面図を概略的に示したものであり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'断面図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'断面図を概略的に示したものであり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。
以下、図１～図４を参照して本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳しく説明する。
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、上記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び上記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含む本体１１０と、上記本体に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であることができる。
容量形成部Ａｃとカバー部Ｃ１、Ｃ２間の結合力は、容量形成部Ａｃ内における誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２間の結合力に比べてさらに低いため、容量形成部とカバー部間のクラック（以下、「Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋ」という）が発生し得る。また、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋは、第１方向の下部に配置された第２カバー部Ｃ２よりは第１方向の上部に配置された第１カバー部Ｃ１と容量形成部Ａｃ間で発生する確率が高く、これは、積層工程で受ける圧力が異なることに起因したものであることができる。Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋが発生する場合、短絡が発生するか、破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋｉｎｇ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低下することがあり、信頼性が低下し得る。
誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２間の結合力は、界面で－Ｈと－ＯＨによる相互水素結合に最も大きな影響を受ける。そこで、本発明では、第１カバー部Ｃ１と最も近く配置された内部電極ＩＥ１のＮｉ（ＯＨ）２の割合を増加させてＩＥ１の－ＯＨの割合を増やすことで、水素結合による結合力を向上させて容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力を向上させ、これによりＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制しようとした。
以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について各構成別に詳しく説明する。
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されることができる。
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体状であるか、これと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが実質的に六面体状を有することができる。
本体１１０は、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を有することができる。
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重畳することにより内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／または第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準としてみると、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程における収縮挙動により第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／または第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準としてみると、本体１１０の第１方向の中央側に収縮された形態を有することができる。または、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行いラウンド処理することで、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／または第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形態を有することができる。
一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２個以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合は、第１面と第５及び第６面を連結する部分及び第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮された形態を有さなくてよい。
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認し難い程度に一体化されることができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、特に限定する必要はない。
但し、一般的に誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に誘電体層の厚さが０．３７μｍ以下の場合は信頼性が低下するおそれがあった。
本発明の一実施形態によると、第１カバー部Ｃ１と容量形成部Ａｃ間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができるため、誘電体層１１１の平均厚さが０．３７μｍ以下の場合にも優れた信頼性を確保することができる。
したがって、誘電体層１１１の平均厚さが０．３７μｍ以下の場合に本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。
上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。
誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、かかる平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
本体１１０は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含むことができる。
容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２は、単一誘電体層１１１または２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を行うことができる。
第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２は内部電極を含まず、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。但し、カバー部Ｃ１、Ｃ２の誘電体層と容量形成部Ａｃの誘電体層１１１を必ずしも同一の材料に限定する必要はなく、必要に応じて他の材料を含むことができる。第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２は、セラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
一方、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。すなわち、第１カバー部Ｃ１の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができ、第２カバー部Ｃ２の平均厚さｔｃも１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、第１カバー部Ｃ１と容量形成部Ａｃ間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができるため、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃが１５μｍ以下の場合にも優れた信頼性を確保することができる。
カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃは、第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５個地点で測定したカバー部Ｃ１、Ｃ２の第１方向の大きさを平均した値であることができる。
また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。
マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切った断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両末端と本体１１０の境界面間の領域を意味することができる。
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割をすることができる。
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することで形成されたものであることができる。
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２個以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、第１カバー部Ｃ１と容量形成部Ａｃ間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができるため、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下の場合にも優れた信頼性を確保することができる。
マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層されることができる。
内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。
第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し第３面３を通じて露出し、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し第４面４を通じて露出することができる。本体の第３面３には、第１外部電極１３１が配置され第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には、第２外部電極１３２が配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。
すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結される。よって、第１内部電極１２１は、第４面４で一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３で一定距離離隔して形成されることができる。
この時、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
本発明の一実施形態によると、複数の内部電極１２１、１２２のうち第１カバー部Ｃ１と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であることができる。
誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２間の結合力は、界面で－Ｈと－ＯＨによる相互水素結合に最も大きな影響を受ける。ここで、－ＯＨは内部電極のＮｉ（ＯＨ）２に含まれたものであることができ、－Ｈは誘電体層の表面に配置されたものであることができる。誘電体層を形成する材料には－Ｈが含まれなくてよいが、空気中の微量の水分と反応して誘電体層の表面の一部に－Ｈが配置されることができるからである。
電気陰性度（ｅｌｅｃｔｒｏｎｅｇａｔｉｖｉｔｙ）の強い窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、フッ素（Ｆ）などの原子に水素（Ｈ）原子が共有結合で結合すれば、電気陰性度の強い原子は部分的な負（－）電荷を帯び、水素原子は部分的な正（＋）電荷を帯びる。かかる水素原子に電気陰性度の強い原子が互いに隣合うと、該二つの原子間に静電気的な引力が生じるが、これを水素結合（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｂｏｎｄ）という。水素結合は、原子間の化学結合ではなく分子間に存在する引力（ｉｎｔｅｒｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ）であり、他の極性引力である分散力、双極子－双極子力、双極子－誘発双極子力のような分子間相互作用に比べて遥かに強い結合力を有する。内部電極の－ＯＨが部分的な負電荷を帯び、誘電体層の－Ｈが部分的な正電荷を帯びることにより誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２間の結合力を向上させることができる。
ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下を満たすことにより、第１カバー部Ｃ１の誘電体層とＩＥ１間の水素結合力を最大に確保することができるため、容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができる。
ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５未満の場合は、－ＯＨ割合が不十分であり、容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力向上効果が不十分なことがある。
一方、ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が７．５超の場合は、－ＯＨ割合が必要以上に多くなり、むしろ容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力が低下するおそれがある。－ＯＨ割合が高くなり過ぎる場合、水素結合力による容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力は向上するが、親水性が増加し過ぎて水分浸透の可能性が高くなるため、むしろ結合力が低下し得るからである。
したがって、ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であることが好ましく、より好ましくはＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．８８以上７．０７以下であることができる。
一実施形態において、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下であることができる。
複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下を満たすことにより、容量形成部Ａｃ内における誘電体層と内部電極間の結合力と容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力の差異を減らして応力を分散させることができるため、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋをより効果的に抑制することができる。
但し、これに制限されるものではなく、複数の内部電極１２１、１２２のいずれもＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下を満たす場合を本発明から除外するものではないことに留意する必要がある。
一実施形態において、上記複数の内部電極のうちＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下である内部電極の個数の割合は、９０％以上であることができる。これにより、容量形成部Ａｃ内における誘電体層と内部電極間の結合力と容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力の差異をさらに減らして応力を分散させることができるため、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋをより効果的に抑制することができる。
一実施形態において、第２カバー部Ｃ２と最も近く配置された内部電極をＩＥ２とした時、ＩＥ２はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であることができる。
これにより、第２カバー部Ｃ２の誘電体層とＩＥ２間の水素結合力を最大に確保することができるため、容量形成部Ａｃと第２カバー部Ｃ２間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができる。より好ましくは、ＩＥ２は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．８８以上７．０７以下であることができる。
一実施形態において、上記容量形成部のうち上記第１カバー部と隣接した領域をＫ１、上記容量形成部のうち上記第２カバー部と隣接した領域をＫ２、上記Ｋ１とＫ２間に配置された領域をＫｃとした時、上記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であり、上記Ｋｃに含まれた内部電極はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下であることができる。
第１及び第２カバー部と隣接した領域Ｋ１、Ｋ２に含まれた内部電極は、カバー部Ｃ１、Ｃ２と容量形成部Ａｃ間の結合力に及ぶ影響がＫｃに含まれた内部電極より大きいため、Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であり、Ｋｃに含まれた内部電極はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下を満たすことにより、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋをより効果的に抑制することができる。
この時、容量形成部Ａｃの第１方向の最大大きさに対して上記Ｋｃの第１方向の最大大きさは０．９以上であり、上記Ｋ１及びＫ２はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比が４．５以上７．５以下である内部電極を一つ以上含むことができる。これにより、容量形成部Ａｃ内における誘電体層と内部電極間の結合力と容量形成部Ａｃとカバー部Ｃ１、Ｃ２間の結合力の差異をさらに減らして応力を分散させることができるため、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋを効果的に抑制することができる。
一方、内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を４．５以上７．５以下に制御する方法は特に限定しない。例えば、金属粒子２１ａ及び上記金属粒子の表面に配置されたＮｉ（ＯＨ）２が含まれたシェル２１ｂを含む導電性粉末２１を用いて内部電極を形成することで、内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を４．５以上７．５以下に制御することができる。
この時、金属粒子２１ａ及び上記金属粒子の表面に配置されたＮｉ（ＯＨ）２が含まれたシェル２１ｂを含む導電性粉末２１は、金属粒子２１ａに酸素過量雰囲気で物理的酸素吸着工程を行って得られたものであることができる。また、上記物理的酸素吸着工程は、スパッタリング工法またはバレル型スパッタリング工法を利用することができる。
内部電極１２１、１２２は、ＮｉＯ及びＮｉ（ＯＨ）２の他にニッケル（Ｎｉ）をさらに含むことができ、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
一実施形態において、ＩＥ１及びＩＥ２のうち一つ以上は、セラミック添加剤をさらに含むことができる。ＩＥ１及びＩＥ２のうち一つ以上がセラミック添加剤を含むことにより、カバー部Ｃ１、Ｃ２の誘電体層との収縮挙動不一致を減らすことができ、容量形成部Ａｃとカバー部Ｃ１、Ｃ２間の結合力を向上させることができる。セラミック添加剤の種類は特に限定する必要はなく、誘電体層に含まれたセラミックと同一の種類のセラミックであることができる。
一実施形態において、内部電極１２１、１２２はセラミック添加剤をさらに含むことができる。内部電極がセラミック添加剤を含むことにより、誘電体層と内部電極間の収縮挙動の不一致を減らすことができ、誘電体層と内部電極間のディラミネーションを抑制することができる。
内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を測定する方法は、特に限定する必要はない。例えば、内部電極をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯによるスペクトルの面積（Ｓ１）に対するＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積（Ｓ２）の比（Ｓ２／Ｓ１）を内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比にすることができる。
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ、Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）とは、測定対象の組成、化学状態を分析する電子分光法の一種であり、内部電極にＸ線を照射した時に光電効果によって原子から放出される光電子のエネルギー分布、具体的にはＸ線によって励起される光電子の運動エネルギーを測定することで、Ｘ線エネルギーと上記運動エネルギーとの差異、すなわち、結合エネルギーを求め、これにより元素の同定と化学状態を分析することができる。
具体的に、Ｘ線光電子分光装置としてはＴｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃを利用し、本体１１０の第２方向の中央で第１及び第３方向に切断した断面において、ＩＥ１の第１及び第３方向の中央地点にＸ線を照射して図６（ａ）のようなＬ１スペクトルを得ることができる。以後、Ｌ１スペクトルをＡｖａｎｔａｇｅプログラムを用いて、Ｎｉ（ＯＨ）２によるスペクトルＬ２及びＮｉＯによるスペクトルＬ３の全体面積を積分する方式でピーク分離して図６（ｂ）のようなスペクトルを得ることができる。ここで、Ｌ４はＸＰＳピーク分離時に使用されるＢａｓｅｌｉｎｅである。図６（ｃ）に示した陰影部分の面積がＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積Ｓ２であり、図６（ｄ）に示した陰影部分の面積がＮｉＯによるスペクトルの面積Ｓ１である。［Ｓ２／Ｓ１］の値が［Ｎｉ（ＯＨ）２質量／ＮｉＯ 質量］に該当し、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を意味する。
一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。
但し、一般的に内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下の場合は信頼性が低下するおそれがあった。
本発明の一実施形態によると、第１カバー部Ｃ１と容量形成部Ａｃ間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができるため、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合にも優れた信頼性を確保することができる。
したがって、内部電極１２１、１２２の厚さが平均０．３５μｍ以下の場合に本発明による効果がより顕著になることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。
上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。
内部電極１２１、１２２の平均厚さは本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つの内部電極を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、かかる平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。この時、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１、第２、第５及び第６面のうち一つ以上の面に延長して配置されるバンド部を含むことができる。
本実施形態では、積層型電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであればある物質を使用して形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に形成されたメッキ層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。
また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されることができる。
電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属として電気伝導性に優れた材料を使用することができ、特に限定しない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上であることができる。
メッキ層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を行う。メッキ層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定せず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むメッキ層であることができ、複数の層で形成されることができる。
メッキ層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、メッキ層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉメッキ層またはＳｎメッキ層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉメッキ層及びＳｎメッキ層が順次に形成された形態であることができ、Ｓｎメッキ層、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ層が順次に形成された形態であることができる。また、メッキ層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉメッキ層及び／または複数のＳｎメッキ層を含むこともできる。
積層型電子部品１００のサイズは、特に限定する必要はない。但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要があるため、０６０３（長さ×幅、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において、本発明による信頼性及び絶縁抵抗の向上効果がより顕著になることができる。
したがって、製造誤差、外部電極の大きさなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが０．６６ｍｍ以下であり、幅が０．３３ｍｍ以下の場合、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大大きさを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大大きさを意味することができる。
以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳しく説明する。但し、上述した本発明の一実施形態による積層型電子部品と重複する内容は省略する。
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、上記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び上記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含む本体１１０と、上記本体に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であることができる。
ＩＥ１のＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下を満たすことにより、第１カバー部Ｃ１の誘電体層とＩＥ１間の水素結合力を最大に確保することができるため、容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができる。
ＩＥ１のＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６未満の場合は、－ＯＨ割合が不十分であり、容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力の向上効果が不十分な可能性があり、３．５５超の場合は、－ＯＨ割合が必要以上に多くなり、むしろ容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力が低下するおそれがある。
この時、上記ＩＥ１は、ＮｉＯのピーク値が８４００以上１１０００以下であり、Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク値が２７１００以上３２８００以下であることができる。
一実施形態において、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下であることができる。
複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つ以上の内部電極がＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下を満たすことにより、容量形成部Ａｃ内における誘電体層と内部電極間の結合力と容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力の差異を減らして応力を分散させることができるため、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋをより効果的に抑制することができる。
この時、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、ＮｉＯのピーク値が２８１００以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク値が２３２００以下であることができる。
一実施形態において、上記Ｘ線光電子分光法で分析したグラフにおいて、ＮｉＯによるスペクトルの面積をＳ１、Ｎｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積をＳ２とした時、上記ＩＥ１は、４．８８≦Ｓ２／Ｓ１≦７．０７を満たすことができる。これにより、ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下を満たすことができ、第１カバー部Ｃ１の誘電体層とＩＥ１間の水素結合力を最大に確保することができるため、容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができる。
この時、上記ＩＥ１のＳ１は１１．４以上１５．０以下であり、上記ＩＥ１のＳ２は７３．２以上８８．８以下であることができる。
一実施形態において、上記第２カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ２とした時、ＩＥ２はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であることができる。
これにより、第２カバー部Ｃ２の誘電体層とＩＥ２間の水素結合力を最大に確保することができるため、容量形成部Ａｃと第２カバー部Ｃ２間の結合力を向上させてＡ／Ｃ ｃｒａｃｋを抑制することができる。
一実施形態において、容量形成部Ａｃのうち上記第１カバー部Ｃ１と隣接した領域をＫ１、容量形成部Ａｃのうち第２カバー部Ｃ２と隣接した領域をＫ２、上記Ｋ１とＫ２間に配置された領域をＫｃとした時、上記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であり、上記Ｋｃに含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下であることができる。
第１及び第２カバー部Ｃ１、Ｃ２と隣接した領域Ｋ１、Ｋ２に含まれた内部電極は、カバー部Ｃ１、Ｃ２と容量形成部Ａｃ間の結合力に及ぶ影響がＫｃに含まれた内部電極より大きいため、上記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であり、上記Ｋｃに含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下を満たすことにより、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋをより効果的に抑制することができる。
この時、上記容量形成部の第１方向の最大大きさに対する上記Ｋｃの第１方向の最大大きさは０．９以上であり、上記Ｋ１及びＫ２は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいて、ＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下の内部電極を一つ以上含むことができる。これにより、容量形成部Ａｃ内における誘電体層と内部電極間の結合力と容量形成部Ａｃとカバー部Ｃ１、Ｃ２間の結合力の差異をさらに減らして応力を分散させることができるため、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋを効果的に抑制することができる。
積層型電子部品の製造方法
図９は、第１導電性粉末を示したものである。図１０は、本発明の一実施形態による積層体を形成する段階を説明するための図面である。
図９は、第１導電性粉末を示したものである。図１０は、本発明の一実施形態による積層体を形成する段階を説明するための図面である。
以下、図９及び図１０を参照して、上述した本発明の一実施形態による積層型電子部品１００を容易に製造することができる積層型電子部品の製造方法について説明する。
但し、上述した本発明の一実施形態による積層型電子部品１００を製造するための製造方法が後述する製造方法に制限されるものではないことに留意する必要がある。また、上述した内容と重複する内容は、重複した説明を避けるために省略されることができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法は、酸素雰囲気で金属粒子を表面処理して第１導電性粉末２１を準備する段階と、セラミックグリーンシートＧＳ上に上記第１導電性粉末２１を含む内部電極用ペーストＰ１を塗布して第１セラミックグリーンシート１１を準備する段階と、複数のセラミックグリーンシート１１、１２、ＧＳを第１方向に積層して積層体ＭＬを形成し、上記積層体ＭＬの第１方向の上部及び下部には内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートＧＳをそれぞれ一つ以上積層してカバー部Ｃ１'、Ｃ２'を積層し、上記積層体ＭＬの第１方向の中央部には、内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して容量形成部Ａｃ'を積層し、上記容量形成部Ａｃ'の第１方向の最上部に配置されたセラミックグリーンシートは、上記第１セラミックグリーンシート１１である積層体形成段階と、上記積層体ＭＬを焼成して誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０を形成する段階と、上記本体に外部電極１３１、１３２を形成する段階とを含むことができる。
第１導電性粉末を準備する段階
酸素雰囲気で金属粒子を表面処理して第１導電性粉末２１を準備することができる。第１導電性粉末２１を用いて内部電極を形成することで、内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を４．５以上７．５以下に容易に制御することができる。
酸素雰囲気で金属粒子を表面処理して第１導電性粉末２１を準備することができる。第１導電性粉末２１を用いて内部電極を形成することで、内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を４．５以上７．５以下に容易に制御することができる。
上記表面処理は、酸素過量雰囲気で物理的酸素吸着工程を行うものであることができる。物理的酸素吸着工程を利用することにより均一な薄膜コーティングが可能であり、Ｔａｒｇｅｔ元素の定量コーティングが容易であることができる。また、上記物理的酸素吸着工程は、スパッタリング工法またはバレル型スパッタリング工法を利用することができる。
この時、第１導電性粉末２１は、金属粒子２１ａ及び上記金属粒子の表面に配置されたＮｉ（ＯＨ）２が含まれたシェル２１ｂを含むことができる。
第１導電性粉末２１の金属粒子２１ａは、Ｎｉであることができ、シェル２１ｂは、ＮｉＯ及びＮｉをさらに含むことができる。また、第１導電性粉末２１は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
また、金属粒子２１ａの表面の全体にＮｉ（ＯＨ）２が配置される必要はなく、少なくとも一部に配置されることができる。
例えば、スパッタリング工法を用いて表面処理を行う場合、シェル２１ｂに含まれるＮｉ（ＯＨ）２の含量を精密に制御することができ、均一でかつ薄いシェル２１ｂを形成することができる。
また、バレル型スパッタリング工法を利用する場合、スパッタリング工法と同様に、シェル２１ｂに含まれるＮｉ（ＯＨ）２の含量を精密に制御することができ、均一でかつ薄いシェル２１ｂが形成できるだけでなく、雰囲気ガスを精密に制御することができ、低電力でシェル２１ｂを形成することができるという長所がある。
第１セラミックグリーンシートを準備する段階
セラミックグリーンシートＧＳ上に第１導電性粉末２１を含む内部電極用ペーストＰ１を塗布して第１セラミックグリーンシート１１を準備することができる。
セラミックグリーンシートＧＳ上に第１導電性粉末２１を含む内部電極用ペーストＰ１を塗布して第１セラミックグリーンシート１１を準備することができる。
この時、第１導電性粉末２１を含む内部電極用ペーストＰ１は、セラミック添加剤をさらに含むことができる。これにより、焼成時にカバー部Ｃ１'、Ｃ２'と容量形成部Ａｃ'間の収縮挙動不一致を減らすことができ、容量形成部Ａｃ'とカバー部Ｃ１'、Ｃ２'間の結合力を向上させることができる。セラミック添加剤の種類は、特に限定する必要はなく、誘電体層に含まれたセラミックと同一に種類のセラミックであることができる。
セラミックグリーンシートＧＳは、特に限定する必要はなく、セラミック粉末を用いてセラミックグリーンシートを形成することができる。例えば、セラミック粉末に添加剤を添加した後、エタノールとトルエンを溶媒として分散剤と共に混合した後、バインダーを混合してセラミックグリーンシートＧＳを形成することができる。セラミック粉末は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末であることができ、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
第１導電性粉末２１を含む内部電極用ペーストＰ１の塗布方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができ、本発明がこれに限定されるものではない。
積層体形成段階
複数のセラミックグリーンシート１１、１２、ＧＳを第１方向に積層して積層体ＭＬを形成し、上記積層体ＭＬの第１方向の上部及び下部には、内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートＧＳをそれぞれ一つ以上積層してカバー部Ｃ１'、Ｃ２'を積層し、上記積層体ＭＬの第１方向の中央部には内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して容量形成部Ａｃ'を積層し、上記容量形成部Ａｃ'の第１方向の最上部に配置されたセラミックグリーンシートは、上記第１セラミックグリーンシート１１であることができる。
複数のセラミックグリーンシート１１、１２、ＧＳを第１方向に積層して積層体ＭＬを形成し、上記積層体ＭＬの第１方向の上部及び下部には、内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートＧＳをそれぞれ一つ以上積層してカバー部Ｃ１'、Ｃ２'を積層し、上記積層体ＭＬの第１方向の中央部には内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して容量形成部Ａｃ'を積層し、上記容量形成部Ａｃ'の第１方向の最上部に配置されたセラミックグリーンシートは、上記第１セラミックグリーンシート１１であることができる。
積層体ＭＬのカバー部Ｃ１'、Ｃ２'は、焼結工程後に本体１１０の第１及び第２カバー部Ｃ１、Ｃ２となり、積層体ＭＬの容量形成部Ａｃ'は、焼結工程後に本体１１０の容量形成部Ａｃとなることができる。
図１０において、内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートＧＳが第１方向の上部及び下部にそれぞれ２枚ずつ配置されたことを示しているが、これに制限されるものではなく、内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートＧＳを第１方向の上部及び下部にそれぞれ１枚ずつ配置してもよく、３枚以上ずつ配置してもよい。
また、第１セラミックグリーンシート１１は、１枚が配置されたことを示しているが、２枚以上ずつ配置してもよい。すなわち、容量形成部Ａｃ'の第１方向の上部に第１セラミックグリーンシートを複数個配置するか、図１１のように容量形成部Ａｃ''の第１方向の最上部及び最下部に第１セラミックグリーンシートを配置してもよい。但し、これに制限されるものではなく、容量形成部Ａｃ'全体に第１セラミックグリーンシートを積層して形成してもよい。
一方、容量形成部Ａｃ'を構成する複数個のセラミックグリーンシートは、第１セラミックグリーンシート１１の他に第２セラミックグリーンシート１２を一つ以上含むことができる。
第２セラミックグリーンシート１２は、セラミックグリーンシートＧＳ上に酸素雰囲気で表面処理を行わない第２導電性粉末を含む内部電極用ペーストＰ２を塗布して準備することができる。別途の表面処理を行わなくても第２導電性粉末がＮｉの場合、ＮｉＯ及びＮｉ（ＯＨ）２を含むことができる。但し、第１導電性粉末と異なり、Ｎｉ（ＯＨ）２を含むシェルは形成されなくてよい。酸素雰囲気で別途の表面処理を行わない第２導電性粉末を用いて内部電極を形成することで、内部電極のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比を３．０以下に容易に制御することができる。
また、第２導電性粉末は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
また、第２導電性粉末を含む内部電極用ペーストＰ２は、セラミック添加剤をさらに含むことができる。これにより、焼成時に誘電体層と内部電極間の収縮挙動の不一致を減らすことができ、誘電体層と内部電極間のディラミネーションを抑制することができる。
第２導電性粉末を含む内部電極用ペーストＰ２の塗布方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができ、本発明がこれに限定されるものではない。
本体形成段階
次に、上記積層体を焼成して誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０を形成することができる。焼成前に積層体をチップ単位で切断した後、焼成を行うことができる。
次に、上記積層体を焼成して誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０を形成することができる。焼成前に積層体をチップ単位で切断した後、焼成を行うことができる。
この時、上記焼成は、急速昇温を通じて内部電極と誘電体層が同時に焼成されることができる適正温度に短時間で到逹することで、誘電体層と内部電極間の収縮挙動の不一致が最小化されるように行われることができる。例えば、４０℃／ｍｉｎ以上の昇温速度で昇温して焼成を行うことができ、より好ましくは、５０℃／ｍｉｎ以上の昇温速度で昇温して焼成を行うことができる。
外部電極形成段階
次に、上記本体１１０に外部電極１３１、１３２を形成して積層型電子部品１００を製造することができる。
次に、上記本体１１０に外部電極１３１、１３２を形成して積層型電子部品１００を製造することができる。
外部電極１３１、１３２を形成する方法は特に限定せず、導電性金属及びガラスを含むペーストにディッピングする方法を利用することができ、導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されることもできる。また、導電性金属及び樹脂を含むペーストを利用するか、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）工法、分子層蒸着（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＬＤ）工法、化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）工法、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工法などを用いて外部電極を形成することもできる。
また、メッキ工程をさらに行い外部電極がメッキ層１３１ｂ、１３２ｂを含むようにすることができる。
（実験例）
複数のセラミックグリーンシートを積層して、図１０に示すように積層体ＭＬを形成した。以後、上記積層体をチップ単位で切断した後、焼成してサンプルチップを製作した。
複数のセラミックグリーンシートを積層して、図１０に示すように積層体ＭＬを形成した。以後、上記積層体をチップ単位で切断した後、焼成してサンプルチップを製作した。
試験番号１～４の場合、酸素雰囲気で表面処理を行わないＮｉパウダーを用いて容量形成部を構成し、試験番号５～１５は、スパッタリング工法で酸素過量雰囲気で物理的酸素吸着工程を行ったＮｉパウダーを用いて容量形成部を構成した。但し、試験番号５から試験番号１５にいくほどＮｉパウダー表面のＮｉ（ＯＨ）２含量が増加するように物理的酸素吸着工程を進行した。
図５のように、各試験番号のサンプルチップを第２方向の中央で第１及び第３方向に切断した後、その断面で第１カバー部と最も近く配置された内部電極ＩＥ１の第１及び第３方向の中央地点にＸ線を照射してスペクトルＬ１を得て、Ｎｉ（ＯＨ）２によるスペクトルＬ２及びＮｉＯによるスペクトルＬ３をピーク分離した。Ｘ線光電子分光装置としてはＴｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃを利用し、ピーク分離はＡｖａｎｔａｇｅプログラムを利用した。
各試験番号のサンプルチップに対するＮｉＯによるスペクトルＬ３のピーク値Ｐｖ１、ＮｉＯによるスペクトルＬ３の面積Ｓ１、Ｎｉ（ＯＨ）２によるスペクトルＬ２のピーク値Ｐｖ２及びＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルＬ２の面積Ｓ２を計算して下記の表１に記載した。
図６（ａ）～図６（ｄ）は、試験番号１２のサンプルチップに対して、上述した方法で得たスペクトルであり、図６（ａ）はピーク分離前のスペクトル、図６（ｂ）はピーク分離後のスペクトル、図６（ｃ）はＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積Ｓ２を表示したグラフ、及び図６（ｄ）はＮｉＯによるスペクトルの面積Ｓ１を表示したグラフである。
図７（ａ）～図７（ｄ）は、試験番号３のサンプルチップに対して、上述した方法で得たスペクトルであり、図７（ａ）はピーク分離前のスペクトル、図７（ｂ）はピーク分離後のスペクトル、図７（ｃ）はＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積Ｓ２を表示したグラフ、及び図７（ｄ）はＮｉＯによるスペクトルの面積Ｓ１を表示したグラフである。
Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋは、各試験番号当たり２０００個のサンプルチップを準備した後、サンプルチップの第３方向の中央で第２及び第１方向に切断した断面を観察して、図８のように容量形成部Ａｃと第１カバー部Ｃ１間に３００ｎｍ以上の浮きが観察される場合、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋが発生したと判断し、２０００個のサンプルチップのうちＡ／Ｃ ｃｒａｃｋが発生したサンプルチップの個数を下記の表１に記載した。
短絡率は、各試験番号当たり１００個のサンプルチップを準備した後、測定電圧：０．５Ｖ、周波数：１ｋＨｚの条件で測定して、容量が３．２μＦ以下または４．２μＦ以上で測定された場合に短絡したと判断して、全体サンプルチップのうち短絡が発生したサンプルチップの割合を下記の表１に記載した。
破壊電圧（ＢＤＶ）は、各試験番号当たり１０個のサンプルチップに対して昇圧速度２０Ｖ／ｓｅｃ、電流制限２０ｍＡの条件で測定して、その平均値を記載した。
接着力は、容量形成部用セラミックグリーンシートを１０００ｋｇｆ／ｃｍ２で圧着して焼成した後、Ｔｉｒａ社の装備を用いて［測定速度：３０ｍｍ／ｍｉｎ］の条件で測定した接着力を下記の表１に記載した。
試験番号１～４の場合、Ｓ２／Ｓ１値が１．６２以下で非常に低く、Ａ／Ｃ ｃｒａｃｋが多量発生し、短絡率も高くＢＤＶも低い水準であった。
試験番号７～１３は、ＩＥ１のＳ２／Ｓ１値が４．５以上７．５以下であり、Ａ／Ｃ Ｃｒａｃｋがほぼ発生せず、短絡率も低くＢＤＶも高い水準であることを確認することができる。
試験番号６及び７を比較すると、ＩＥ１のＳ２／Ｓ１値４．５を境界としてＡ／Ｃ Ｃｒａｃｋの発生に顕著な差異があることが分かる。
試験番号５及び６は、ＩＥ１のＳ２／Ｓ１値が４．５未満でＡ／Ｃ ｃｒａｃｋ、短絡率及びＢＤＶが試験番号１～４と類似した水準であった。
また、試験番号１３及び１４を比較すると、ＩＥ１のＳ２／Ｓ１値７．５を境界としてＡ／Ｃ Ｃｒａｃｋの発生に顕著な差異があることが分かる。
試験番号１４及び１５は、ＩＥ１のＳ２／Ｓ１値が７．５超でＡ／Ｃ ｃｒａｃｋは試験番号１～４より低く発生したが、試験番号１～４より短絡率は高く、ＢＤＶは低くて信頼性に劣った。これは、－ＯＨ割合の増加に伴う親水性増加により水分の浸透のよるものと判断することができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
また、本発明で使用された「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有な特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合されて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態で説明されていないとしても、他の一実施形態でその事項と反対するか矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に係わる説明として理解されることができる。
本発明で使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。この時、単数の表現は文脈上明らかに異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
Ｃ１、Ｃ２：第１及び第２カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：メッキ層
２１：第１導電性粉末
２１ａ：金属粒子
２１ｂ：シェル
１１：第１セラミックグリーンシート
１２：第２セラミックグリーンシート
ＧＳ：セラミックグリーンシート
１１０：本体
１１１：誘電体層
Ｃ１、Ｃ２：第１及び第２カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：メッキ層
２１：第１導電性粉末
２１ａ：金属粒子
２１ｂ：シェル
１１：第１セラミックグリーンシート
１２：第２セラミックグリーンシート
ＧＳ：セラミックグリーンシート
Claims (34)
- 複数の誘電体層及び複数の内部電極を含み、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、前記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部、及び前記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、
前記本体に配置される外部電極とを含み、
前記複数の内部電極のうち前記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下である、
積層型電子部品。 - 前記ＩＥ１は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．８８以上７．０７以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記複数の内部電極のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記複数の内部電極のうちＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下である内部電極の個数の割合は９０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第２カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ２とした時、ＩＥ２はＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記ＩＥ１及びＩＥ２は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．８８以上７．０７以下である、請求項５に記載の積層型電子部品。
- 前記容量形成部のうち前記第１カバー部と隣接した領域をＫ１、前記容量形成部のうち前記第２カバー部と隣接した領域をＫ２、前記Ｋ１とＫ２間に配置された領域をＫｃとした時、
前記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が４．５以上７．５以下であり、
前記Ｋｃに含まれた内部電極は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比が３．０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 前記容量形成部の第１方向の最大大きさに対して前記Ｋｃの第１方向の最大大きさの比は０．９以上であり、
前記Ｋ１及びＫ２は、ＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２の質量の比が４．５以上７．５以下である内部電極を一つ以上含む、請求項７に記載の積層型電子部品。 - 前記ＩＥ１は、金属粒子及び前記金属粒子の表面の少なくとも一部に配置されたＮｉ（ＯＨ）２を含む導電性粉末を用いて形成されたものである、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは０．３７μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１カバー部の平均厚さは１５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、前記第１方向に向かい合う第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され第２方向に向かい合う第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され第３方向に向かい合う第５及び第６面を含み、
前記積層型電子部品の第２方向の最大大きさは０．６６ｍｍ以下であり、第３方向の最大大きさは０．３３ｍｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 前記ＩＥ１のＮｉＯ質量に対するＮｉ（ＯＨ）２質量の比は、前記ＩＥ１をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯによるスペクトルの面積に対するＮｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積の比である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 複数の誘電体層及び複数の内部電極を含み、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、前記容量形成部の第１方向の一面に配置され誘電体層を含む第１カバー部、及び前記容量形成部の第１方向の他面に配置され誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、
前記本体に配置される外部電極とを含み、
前記複数の内部電極のうち前記第１カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ１とした時、ＩＥ１はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下である、積層型電子部品。 - 前記ＩＥ１は、ＮｉＯのピーク値が８４００以上１１０００以下であり、Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク値が２７１００以上３２８００以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記Ｘ線光電子分光法で分析したグラフにおいて、ＮｉＯによるスペクトルの面積をＳ１、Ｎｉ（ＯＨ）２によるスペクトルの面積をＳ２とした時、前記ＩＥ１は４．８８≦Ｓ２／Ｓ１≦７．０７を満たす、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記ＩＥ１のＳ１は１１．４以上１５．０以下であり、前記ＩＥ１のＳ２は７３．２以上８８．８以下である、請求項１７に記載の積層型電子部品。
- 前記第２カバー部と最も近く配置された内部電極をＩＥ２とした時、ＩＥ２は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記複数の内部電極のうち少なくとも一つ以上の内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記容量形成部のうち前記第１カバー部と隣接した領域をＫ１、前記容量形成部のうち前記第２カバー部と隣接した領域をＫ２、前記Ｋ１とＫ２間に配置された領域をＫｃとした時、
前記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下であり、
前記Ｋｃに含まれた内部電極は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が０．８３以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。 - 前記容量形成部の第１方向の最大大きさに対して前記Ｋｃの第１方向の最大大きさは０．９以上であり、前記Ｋ１及びＫ２は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したスペクトルにおいてＮｉＯのピーク値に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク値の比が２．４６以上３．５５以下である内部電極を一つ以上含む、請求項２１に記載の積層型電子部品。
- 前記内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは０．３７μｍ以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記第１カバー部の平均厚さは１５μｍ以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、前記第１方向に向かい合う第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され第２方向に向かい合う第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され第３方向に向かい合う第５及び第６面を含み、
前記積層型電子部品の第２方向の最大大きさは０．６６ｍｍ以下であり、第３方向の最大大きさは０．３３ｍｍ以下である、請求項１５に記載の積層型電子部品。 - 酸素雰囲気で金属粒子を表面処理して第１導電性粉末を準備する段階と、
セラミックグリーンシート上に前記第１導電性粉末を含む内部電極用ペーストを塗布して第１セラミックグリーンシートを準備する段階と、
複数のセラミックグリーンシートを第１方向に積層して積層体を形成し、
前記積層体の第１方向の上部及び下部には内部電極用ペーストが塗布されないセラミックグリーンシートをそれぞれ一つ以上積層してカバー部を積層し、前記積層体の第１方向の中央部には内部電極用ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを複数個積層して容量形成部を積層し、前記容量形成部の第１方向の最上部に配置されたセラミックグリーンシートは前記第１セラミックグリーンシートである積層体形成段階と、
前記積層体を焼成して誘電体層及び内部電極を含む本体を形成する段階と、
前記本体に外部電極を形成する段階とを含む、積層型電子部品の製造方法。 - 前記積層体形成段階において、前記容量形成部の第１方向の最上部及び最下部に配置されたセラミックグリーンシートは、前記第１セラミックグリーンシートである、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記積層体形成段階において、前記容量形成部の第１方向の上部には前記第１セラミックグリーンシートが複数個配置される、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記積層体形成段階において、前記容量形成部の第１方向の上部及び下部には前記第１セラミックグリーンシートが複数個配置される、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記第１導電性粉末は、金属粒子及び前記金属粒子の表面に配置されたＮｉ（ＯＨ）２が含まれたシェルを含む、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記容量形成部は、酸素雰囲気で表面処理を行わない第２導電性粉末を含む内部電極用ペーストを塗布した第２セラミックグリーンシートを一つ以上含む、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記表面処理は、物理的酸素吸着工程を用いて行う、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
- 前記表面処理は、スパッタリング工法またはバレル型スパッタリング工法を用いて行う、請求項２７に記載の積層型電子部品の製造方法。
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