JP2023038125A - マルチビーム入射角調整方法及びマルチビーム照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】中心ビームが斜め入射するマルチビームについて、中心ビームをアパーチャアレイに垂直に入射可能な方法を提供する。【解決手段】マルチビーム入射角調整方法は、マルチビームを放出する工程と、ビーム選択アパーチャ基板を用いてマルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させる工程と、ビーム選択アパーチャ基板よりもマルチビームの軌道の下流側に配置される第１と第２の偏向器を用いて、アパーチャアレイ基板上を、電磁レンズの中心を通るように、第２の偏向器を用いて中心ビームで走査して得られる、アパーチャアレイ基板に形成されるマルチビームが通過するための複数の第１の通過孔の中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像のうち中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように第１と第２の偏向器の偏向量を調整する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図９

Description

本発明は、マルチビーム入射角調整方法及びマルチビーム照射装置に関し、例えば、マルチ電子ビームをマルチアパーチャ基板に垂直入射させる手法に関する。

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、１ギガビット級のＤＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）に代表されるように、ＬＳＩを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになっている。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、半導体ウェハ上に転写された超微細パターンの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。その他、歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。そのため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。

検査装置では、例えば、電子ビームを使ったマルチビームを検査対象基板に照射して、検査対象基板から放出される各ビームに対応する２次電子をマルチ検出器で個別に検出して、パターン画像を撮像する。そして撮像された測定画像と、設計データ、あるいは基板上の同一パターンを撮像した測定画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、同一基板上の異なる場所の同一パターンを撮像した測定画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ－ダイ）検査」や、パターン設計された設計データをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる測定画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ－データベース）検査」がある。撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。

上述した検査装置を一例とするマルチビームを照射する装置では、収差補正器等でビーム軌道を補正することが行われる。そのためには、収差補正器等のアパーチャアレイにマルチビームを通過させる必要がある。この場合に、光学系の配置誤差等の要因により中心ビームがアパーチャアレイに斜めに入射してしまう。これにより、アパーチャ側壁にいずれかのビームが衝突し、試料面での電流量が減少してしまうといった問題が生じる。また、各ビームがそれぞれのアパーチャを通過する場合でも、収差補正器等に印加される電位によってマルチビームには非対称な収差が発生してしまうといった問題が生じる。その結果、非対称な位置ずれが生じたマルチビームが試料面に照射されてしまう。これを回避するためには、中心ビームをアパーチャアレイに垂直に入射させることが必要となる。

ここで、ビーム選択アパーチャとビーム選択アパーチャを挟んだ２段のアライメントコイルを使って、垂直入射する中心ビームの軌道軸をレンズ中心軸に合わせると共に、合わせた軸に中心を合わせるように収差補正器を移動する手法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、かかる技術は、斜め入射するビームの調整については何ら記載されていない。

特開２０１９－２０４６９４号公報

本発明の実施形態では、中心ビームが斜め入射するマルチビームについて、中心ビームをアパーチャアレイに垂直に入射可能な方法を提供する。

本発明の一態様のマルチビーム入射角調整方法は、
マルチビームを放出する工程と、
ビーム選択アパーチャ基板を用いてマルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させる工程と、
ビーム選択アパーチャ基板よりもマルチビームの軌道の下流側に配置される第１と第２の偏向器を用いて、第１と第２の偏向器よりもマルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズの中心を通るように、選択された前記中心ビームを入射させる工程と、
電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは中心高さ位置よりもマルチビームの軌道の下流側に配置されるアパーチャアレイ基板上を、第２の偏向器を用いて中心ビームで走査して得られる、アパーチャアレイ基板に形成されるマルチビームが通過するための複数の第１の通過孔のうち中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像のうち中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように第１と第２の偏向器の偏向量を調整する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、第２の偏向器を用いてアパーチャアレイ基板上を中心ビームで走査して、複数の第１の通過孔のうち中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像を検出器で検出する工程をさらに備え、
検出された複数の第２の通過孔の走査像のうち中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように第１と第２の偏向器の偏向量が調整されると好適である。

また、他の通過孔の像のうち中心の通過孔の像を通る第１の軸の方向に並ぶ、中心の通過孔の像と隣接する第１と第２の像の中心の通過孔の像からの第１と第２のピッチと、第１の軸と直交すると共に中心の通過孔の像を通る第２の軸の方向に並ぶ、中心の通過孔の像と隣接する第３と第４の像の中心の通過孔の像からの第３と第４のピッチと、第１と第２の像を結ぶ直線と第３と第４の像を結ぶ直線との直交度と、を用いて、第１と第２の偏向器の偏向量が調整されると好適である。

また、アパーチャアレイ基板は、多極子アレイが配置された基板と、静電レンズアレイ基板とのうち少なくとも１つを有すると好適である。

本発明の他の態様のマルチビーム入射角調整方法は、
ビーム選択アパーチャ基板を用いてマルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させる工程と、
前記ビーム選択アパーチャ基板よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される第１と第２の偏向器と、前記第１と第２の偏向器よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズとを用いて、前記アパーチャアレイ基板上を前記中心ビームで走査しながら前記電磁レンズのウォブル動作を実施して、前記電磁レンズのウォブル動作に対して、前記電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは前記中心高さ位置よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置されるアパーチャアレイ基板の走査像が動かないように、前記第１と第２の偏向器を用いてビームシフト量を調整する工程と、
ビームシフト量を調整後、アパーチャアレイ基板上を中心ビームで走査しながら、アパーチャアレイ基板の走査像が中心の通過孔の像に対して他の複数の通過孔の像が対称に配置されるように、第１と第２の偏向器を用いてビームチルト量を調整する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様のマルチビーム照射装置は、
マルチビームを放出する放出源と、
マルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させるビーム選択アパーチャ基板と、
選択アパーチャ基板よりもマルチビームの軌道の下流側に配置され、前記マルチビームを偏向する第１と第２の偏向器と、
第１と第２の偏向器よりもマルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズと、
電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは中心高さ位置よりもマルチビームの軌道の下流側に配置される、マルチビームが通過するための複数の第１の通過孔が形成されたアパーチャアレイ基板と、
アパーチャアレイ基板の位置を移動させる駆動機構と、
選択された中心ビームが電磁レンズの中心を通るように第１と第２の偏向器を制御すると共に、アパーチャアレイ基板上を中心ビームで走査して得られる、複数の第１の通過孔のうち中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像のうち中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように第１と第２の偏向器の偏向量を制御する制御回路と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、中心ビームが斜め入射するマルチビームについて、中心ビームをアパーチャアレイに垂直に入射できる。その結果、アパーチャアレイに起因する非対称な収差の発生を抑制できる。

実施の形態１におけるマルチビーム照射装置の構成を示す構成図である。 実施の形態１における成形アパーチャレンズアレイ基板の構成を示す概念図である。 実施の形態１における収差補正器の一例と静電レンズアレイの一例の断面図である。 実施の形態１における収差補正器の第２電極基板の一例を示す上面図である。 実施の形態１の比較例におけるビーム軌道軸調整の仕方を説明するための図である。 実施の形態１の比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の一例を示す図である。 実施の形態１における中心ビームが収差補正器に垂直入射した状態の一例と比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の他の一例とを示す図である。 実施の形態１の比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の他の一例を示す図である。 実施の形態１におけるマルチビーム照射方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における中心ビーム軌道の一例を示す図である。 実施の形態１における中心ビームが電磁レンズ中心を通る場合の一例を示す図である。 実施の形態１におけるビームシフト調整の仕方を説明するための図である。 実施の形態１における中心ビームがアパーチャアレイ基板に垂直入射する場合の一例を示す図である。 実施の形態１におけるビームチルト調整の仕方を説明するための図である。 実施の形態１における走査像の一例を示す図である。

以下、実施の形態では、マルチビームの一例として、マルチ電子ビームを用いる構成について説明する。但し、これに限るものではない。マルチビームは、マルチ荷電粒子ビームであればよい。例えば、マルチイオンビームであっても構わない。また、以下、互いに直交するｘ，ｙ，ｚ方向について、高さ方向をｚ方向とする。また、マルチビームの軌道中心軸はｚ軸に一致するものとして説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるマルチビーム照射装置の構成を示す構成図である。図１において、基板にマルチビームを照射する照射装置１００は、ビーム照射機構１５０、及び制御系回路１６０を備えている。ビーム照射機構１５０は、電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）を備えている。電子ビームカラム１０２内には、電子銃２０１、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３、電磁レンズ２０４、ビーム選択アパーチャ基板２１０、駆動機構２１２、電磁偏向器２０６，２０８、電磁レンズ２１４、収差補正器２２０、静電レンズアレイ２３０、アパーチャアレイステージ２２５、駆動機構２２７、検出器２４０、駆動機構２４１、電子光学系２５０、及びステージ１０５が配置される。

ステージ１０５上には、ビームの照射対象となる基板１０１（試料）が配置される。基板１０１には、マスクブランクス、露光用マスク基板、及びシリコンウェハ等の半導体基板が含まれる。基板１０１が半導体基板である場合、半導体基板には複数のチップパターン（ウェハダイ）が形成されている。基板１０１が露光用マスク基板である場合、露光用マスク基板には、チップパターンが形成されている。チップパターンは、複数の図形パターンによって構成される。かかる露光用マスク基板に形成されたチップパターンが半導体基板上に複数回露光転写されることで、半導体基板には複数のチップパターン（ウェハダイ）が形成されることになる。基板１０１がマスクブランクスである場合、基板１０１上にはレジスト膜が形成される。

アパーチャアレイステージ２２５上には、収差補正器２２０、及び静電レンズアレイ２３０が載置される。

制御系回路１６０では、照射装置１００全体を制御する制御計算機１１０が、バス１２０を介して、メモリ１１２、磁気ディスク装置等の記憶装置１４０、レンズアレイ制御回路１１４、電磁偏向器制御回路１１６、レンズ制御回路１１８、収差補正器制御回路１２２、画像生成制御回路１２４、画像確認回路１２６、及びステージ制御回路１２９に接続される。

レンズアレイ制御回路１１４は、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３に接続され、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３を制御する。電磁偏向器制御回路１１６は、電磁偏向器２０６，２０８に接続され、電磁偏向器２０６，２０８を制御する。レンズ制御回路１１８は、電磁レンズ２０４、電磁レンズ２１４、及び電子光学系２５０内の図示しない電磁レンズに接続され、各電磁レンズを制御する。収差補正器制御回路１２２は、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０に接続され、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を制御する。ステージ制御回路１２９は、駆動機構２１２、駆動機構２２７、駆動機構２４１、及び駆動回路１０７に接続され、各駆動機構を制御する。画像生成制御回路１２４は検出回路１０６に接続される。検出回路１０６は検出器２４０に接続され、検出器２４０によって検出されるビーム強度信号を変換して画像信号を生成する。画像生成制御回路１２４は検出回路１０６で生成される画像信号を使って画像を生成する。

各駆動機構は、例えば、ステージ座標系におけるｘ方向、ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ－Ｙ－θ）モータの様な駆動系が構成される。例えば、駆動機構１０７によって、ｘｙθ方向にステージ１０５が移動可能となっている。これらの、図示しないｘモータ、ｙモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。ステージ１０５は、ｘｙθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。

同様に、例えば、駆動機構２１２によって、ｘｙθ方向にビーム選択アパーチャ基板２１０が移動可能となっている。これにより、ビーム選択アパーチャ基板２１０が水平方向及び回転方向に移動可能である。

同様に、例えば、駆動機構２２７によって、ｘｙθ方向にアパーチャアレイステージ２２５が移動可能となっている。これにより、アパーチャアレイステージ２２５上に配置される収差補正器２２０、及び静電レンズアレイ２３０が水平方向及び回転方向に移動可能である。

同様に、例えば、駆動機構２４１によって、ｘｙ面内の少なくとも一方向に検出器２４０が移動可能となっている。これにより、検出器２４０はマルチビームの軌道内と軌道外との間で移動可能である。

ビーム選択アパーチャ基板２１０には、１本のビームを通過させ、残りのビームを遮蔽可能な開口部（通過孔）が形成される。ビーム選択アパーチャ基板２１０は、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３、及び電磁レンズ２０４よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される。

電磁偏向器２０６，２０８の一例として、アライメントコイルが用いられる。電磁偏向器２０６，２０８は、ビーム選択アパーチャ基板２１０よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される。

電磁レンズ２１４は、電磁偏向器２０６，２０８よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される。

収差補正器２２０は、電磁レンズ２１４の中心高さ位置に配置される、若しくは中心高さ位置よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される。図１の例では、収差補正器２２０が、例えば、電磁レンズ２１４の中心高さ位置よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される場合を示している。収差補正器２２０は、アパーチャアレイ基板の一例である。

静電レンズアレイ２３０は、収差補正器２２０よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される。静電レンズアレイ２３０は、アパーチャアレイ基板の他の一例である。

実施の形態１では、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０の両方が配置される場合を説明するが、これに限るものではない。収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０の一方が配置される場合であってもよい。実施の形態１では、マルチビーム２０が通過するための複数の通過孔が形成されたアパーチャアレイ基板が、電磁レンズ２１４の中心高さ位置に配置される、若しくは中心高さ位置よりもマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される場合であればよい。

また、後述するように、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０は、それぞれ複数段の基板で構成される場合を説明する。しかしながら、実施の形態１のアパーチャアレイ基板は、マルチビーム２０が通過するための複数の通過孔が形成された基板であれば、１段の基板で構成される場合であっても構わない。実施の形態１のアパーチャアレイ基板は、多極子アレイが配置された基板と、静電レンズアレイ基板とのうち少なくとも１つを有することで構わない。

電子銃２０１には、図示しない高圧電源回路が接続され、電子銃２０１内の図示しないフィラメント（カソード）と引出電極（アノード）間への高圧電源回路からの加速電圧の印加と共に、別の引出電極（ウェネルト）の電圧の印加と所定の温度のカソードの加熱によって、カソードから放出された電子群が加速させられ、電子ビーム２００となって放出される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。検査装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における成形アパーチャレンズアレイ基板の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３には、２次元状の横（ｘ方向）ｍ_１列×縦（ｙ方向）ｎ_１段（ｍ_１，ｎ_１は２以上の整数）の穴（開口部）２２がｘ，ｙ方向に所定の配列ピッチで形成されている。図２の例では、１１×１１の穴（開口部）２２が形成されている場合を示している。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。成形アパーチャレンズアレイ基板２０３は、マルチビームを放出する放出源の一例である。成形アパーチャレンズアレイ基板２０３は、マルチビーム２０を形成し、放出する。具体的には、これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。

また、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３の上方、若しくは下方、又は上下方向に、電子ビーム２００（或いはマルチビーム２０）が通過可能な開口部が形成され、グランド電位が印加される図示しない基板が配置される。そして、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３にレンズアレイ制御回路１１４から制御電位が印加され、これにより、形成されたマルチビーム２０の各ビームを屈折させ、各ビームの中間像を形成する。

次に、ビーム照射機構１５０の動作について説明する。具体的には、以下のように動作する。なお、基板１０１にマルチビーム２０を照射する場合には、ビーム選択アパーチャ基板２１０、及び検出器２４０をマルチビーム２０の軌道内から軌道外へと移動させておく。

電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、広がりながら成形アパーチャレンズアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャレンズアレイ基板２０３には、図２に示すように、複数の穴２２（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャレンズアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、マルチビーム２０が形成される。

形成されたマルチビーム２０は、拡がりながら進み、各ビームの中間像を形成後、電磁レンズ２０４によって集束方向に屈折させられ、中間像およびクロスオーバーを形成して電磁レンズ２１４に進む。そして、マルチビーム２０は、電磁レンズ２１４によって集束方向に屈折させられ、収差補正器２２０に進む。

図３は、実施の形態１における収差補正器の一例と静電レンズアレイの一例の断面図である。図４は、実施の形態１における収差補正器の第２電極基板の一例を示す上面図である。図３において、収差補正器２２０は、例えば、第１電極基板２２１と第２電極基板２２３とで構成される。第１電極基板２２１は、基板本体にマルチビーム２０が通過する複数の通過孔が形成され、基板本体の露出面全体がシールド膜で覆われている。第２電極基板２２３は、基板本体１２にマルチビーム２０が通過する第１電極基板２２１と同じ孔径サイズの複数の通過孔１３が形成される。そして、図４に示すように、基板本体上には通過孔１３を囲むように多極子となる複数の電極１６が絶縁層を介して配置される。図４の例では、例えば、８極子となる電極１６ａ～１６ｈが配置される場合を示している。また、第２電極基板２２３の基板本体の通過孔内壁、底面、及び側面には、シールド膜が形成される。各電極１６には、電源Ｖ１から個別に制御電位が印加される。第１電極基板２２１と第２電極基板２２３との各シールド膜には、グランド電位が印加される。ビームが通過する通過孔毎に多極子が配置されることにより、非点やディストーション（歪曲収差）といった収差について、マルチビーム２０の各ビームを個別に軌道補正できる。

また、図３において、収差補正器２２０に対してマルチビーム２０の軌道の下流側に配置される静電レンズアレイ２３０は、例えば、第１電極基板２３１と第２電極基板２３３と第３電極基板２３５で構成される。第１電極基板２３１と第２電極基板２３３と第３電極基板２３５には、それぞれマルチビーム２０が通過する複数の通過孔が形成される。第１電極基板２３１と第３電極基板２３５は、露出面全体がシールド膜で覆われている。第１電極基板２３１と第３電極基板２３５の各シールド膜には、グランド電位が印加される。第２電極基板２３３には、各通過孔を取り囲む図示しない環状電極がそれぞれ配置される。各環状電極には電源Ｖ２から個別に制御電位が印加される。静電レンズアレイ２３０では、第２電極基板２３３の各環状電極に印加する電位を個別に調整することで、各ビームの焦点位置を個別に制御できる。

収差補正器２２０によって、個別に非点やディストーション（歪曲収差）といった収差が補正されたマルチビーム２０は、静電レンズアレイ２３０でさらに焦点が個別に補正される。そして、静電レンズアレイ２３０を通過したマルチビーム２０は電子光学系２５０に進む。そして、電子光学系２５０によってマルチビーム２０は、基板１０１を照射する。

ここで、照射装置１００を組み立てた場合、ビームの軌道軸と各レンズ等の軸とは製造上の誤差等により一致していないことが一般的である。例えば、成形アパーチャレンズアレイ基板２０３によって形成されたマルチビーム２０の軌道軸と電磁レンズ２１４中心と収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０といったアパーチャアレイの軸とは一致しない。よって、これらの軸調整が必要となる。

図５は、実施の形態１の比較例におけるビーム軌道軸調整の仕方を説明するための図である。比較例１では、磁気偏向器２０６，２０８を使って、マルチビーム２０の軌道軸と電磁レンズ２１４中心と収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０といったアパーチャアレイの軸との調整を行う。比較例１では、まず、ビーム選択アパーチャ基板２１０を用いて、マルチビーム２０の中心ビーム２１だけが通過するようにビームを選択する。次に、中心ビーム２１が収差補正器２２０及び静電アパーチャアレイ２３０のいずれかの通過孔を通過して、検出器２４０で検出されるようにアパーチャアレイステージ２２５を移動させる。次に、磁気偏向器２０６，２０８を使って、中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通るように偏向量を調整する。例えば、磁気偏向器２０８を使って中心ビーム２１で収差補正器２２０上を走査する。そして、電磁レンズ２１４をウォブル動作させても検出器２４０で得られるアパーチャ像の位置が動かない偏向量の組み合わせに磁気偏向器２０６，２０８を調整する。これにより、中心ビーム２１を電磁レンズ２１４の中心に通すことができる。そして、アパーチャ像を取得しながら、中心ビーム２１のスキャン中心（走査画像の中心）が収差補正器２２０の中心の通過孔と一致するようにアパーチャアレイステージ２２５を移動させる。これにより、少なくとも中心ビーム２１を電磁レンズ２１４の中心に通しながら、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０に通すことができる。しかしながら、これでは、中心ビーム２１が収差補正器２２０に斜め入射してしまう場合がある。

図６は、実施の形態１の比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の一例を示す図である。マルチビーム２０の中心ビーム２１が収差補正器２２０に斜め入射する場合、例えば、図６に示すように、中心ビーム２１の少なくとも一部が収差補正器２２０或いは静電レンズアレイ２３０の通過孔内壁に衝突してしまう場合がある。その場合、衝突した箇所から散乱電子が放出される。通過孔内壁にビームが衝突することで中心ビーム２１のうち通過するビームの電流量が減少してしまうといった問題がある。また、散乱電子により基板１０１面の像が劣化してしまうといった問題がある。

図７は、実施の形態１における中心ビームが収差補正器に垂直入射した状態の一例と比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の他の一例とを示す図である。実施の形態１においてマルチビーム２０の中心ビームが収差補正器２２０に垂直入射する場合、図７（ａ）に示すように、マルチビーム２０の各ビームが収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過できるように調整される。しかしながら、マルチビーム２０の中心ビームが収差補正器２２０に斜め入射する場合、マルチビーム２０の中心ビームが収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過できた場合であっても、図７（ｂ）に示すように、周辺ビームの少なくとも一部が収差補正器２２０或いは静電レンズアレイ２３０に衝突してしまう場合がある。これにより、中心ビームが衝突する場合と同様の問題が周辺ビームに生じることになる。

図８は、実施の形態１の比較例における中心ビームが収差補正器に斜め入射した状態の他の一例を示す図である。図８では、図５に示す調整によって、仮に、マルチビーム２０全体が収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過できた場合の一例を示す。磁気偏向器２０６，２０８の調整によって、マルチビーム２０全体が収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過できた場合でも、レンズ２１４の中心高さ位置において、マルチビーム２０の軌道中心軸からの距離が、例えばｘ方向の周辺ビームにおいて異なる。そのため、収差補正器２２０及び／或いは静電レンズアレイ２３０によって、中心ビームに対して非対称の収差が発生してしまう。その結果、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過し、検出器２４０で検出される中心ビーム２１のスキャン像は、中心の通過孔像に対して非対称の収差による位置ずれが生じてしまう。図８の例では、中心の通過孔の位置とスキャン中心との位置とを一致させていない段階での状態を示している。

そこで、実施の形態１では、マルチビーム２０の少なくとも中心ビームがレンズ２１４の中心を通ると共に、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０といったアパーチャアレイ基板に垂直入射するようにビームを調整する。

ここで、垂直入射について、実施の形態１では、設計上のマルチビーム２０の軌道中心軸が高さ方向を示すｚ軸方向に一致するため、中心ビームが収差補正器２２０に垂直入射することが求められる。但し、これに限られるものではない。設計上のマルチビーム２０の軌道中心軸がｚ軸からずれている方向、例えば、水平方向のうちの一方向を示すｘ方向である場合、中心ビームは収差補正器２２０面に直交するｘ方向から入射させる。言い換えれば、中心ビームは設計上のマルチビーム２０の軌道中心軸と同じ方向から収差補正器２２０に入射させればよい。

図９は、実施の形態１におけるマルチビーム照射方法の要部工程を示すフローチャート図である。図９において、実施の形態１におけるマルチビーム照射方法は、ビーム選択工程（Ｓ１０２）と、ステージ移動工程（Ｓ１０４）と、レンズ中心合わせ工程（Ｓ１０６）と、垂直入射調整工程（Ｓ１１４）と、ステージ移動工程（Ｓ１２０）と、スキャン及び像確認工程（Ｓ１２２）と、いう一連の工程を実施する。
レンズ中心合わせ工程（Ｓ１０６）は、内部工程として、レンズウォブル工程（Ｓ１０７）と、スキャン及び像確認工程（Ｓ１０８）と、ビームシフト調整工程（Ｓ１１０）と、レンズウォブル停止工程（Ｓ１１２）と、を実施する。
垂直入射調整工程（Ｓ１１４）は、内部工程として、スキャン及び像確認工程（Ｓ１１５）と、スキャン像ピッチ／角度抽出工程（Ｓ１１６）と、ビームチルト調整工程（Ｓ１１８）と、を実施する。

また、実施の形態１におけるマルチビーム入射角調整方法は、図９に示す各工程を実施する。

ビーム選択工程（Ｓ１０２）として、まず、ステージ制御回路１２９による制御の下、駆動機構２１２は、マルチビーム２０のうち中心ビーム２１がビーム選択アパーチャ基板２１０に形成される図示しない通過孔を通過するようにビーム選択アパーチャ基板２１０を水平移動させる。そして、ビーム選択アパーチャ基板２１０は、マルチビーム２０のうち中心ビーム２１を選択的に通過させる。残りのビームは、ビーム選択アパーチャ基板２１０で遮蔽する。

ステージ移動工程（Ｓ１０４）として、ステージ制御回路１２９による制御の下、駆動機構２２７は、中心ビーム２１が収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０のいずれかの通過孔を通過する位置にアパーチャアレイステージ２２５を移動させる。

図１０は、実施の形態１における中心ビーム軌道の一例を示す図である。図１０において、電磁偏向器２０６，２０８には、電磁偏向器制御回路１１６による制御のもとそれぞれ初期値の偏向量が設定される。言い換えれば、電磁偏向器制御回路１１６からそれぞれの偏向量に対応する励磁電流が電磁偏向器２０６，２０８に供給される。中心ビーム２１は、ビーム選択アパーチャ基板２１０を通過後、電磁偏向器２０６により斜め入射する方向とは逆方向に偏向される。そして、電磁偏向器２０８により電磁偏向器２０６による偏向方向とは逆方向に振り戻される。そして、電磁レンズ２１４及び収差補正器２２０に進む。中心ビーム２１が収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０の中心の通過孔を通過するように位置を合わせることが望ましいが、図１０に示すように、他の通過孔を通過する場合であっても構わない。中心ビーム２１が収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過したことは、検出器２４０で中心ビーム２１を検出することで把握できる。

レンズ中心合わせ工程（Ｓ１０６）として、電磁偏向器２０６，２０８を用いて、マルチビーム２０の軌道の下流側に配置される電磁レンズ２１４の中心を通るように、選択された中心ビーム２１を電磁レンズ２１４に入射させる。

図１１は、実施の形態１における中心ビームが電磁レンズ中心を通る場合の一例を示す図である。図１１において、中心ビーム２１は、ビーム選択アパーチャ基板２１０を通過後、電磁偏向器２０６により斜め入射する方向とは逆方向に偏向される。そして、電磁偏向器２０８により電磁偏向器２０６による偏向方向とは逆方向に振り戻される。その際、中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通るように電磁偏向器２０６，２０８を調整する。

図１２は、実施の形態１におけるビームシフト調整の仕方を説明するための図である。図１２では、例えば、収差補正器２２０の中心の通過孔の走査像（アパーチャ像）を示している。図１２（ａ）では、ウォブル動作前の中心ビーム２１によるアパーチャ像が、例えば画像中心で検出される場合を示している。中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通過していない場合、電磁レンズ２１４の励磁値を変えると図１２（ｂ）に示すようにアパーチャ像の位置が動く。一方、中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通過している場合、電磁レンズ２１４の励磁値を変えても図１２（ｃ）に示すようにアパーチャ像の位置が動かない。そこで、実施の形態１では、図１２（ｃ）に示すようにアパーチャ像の位置が動かないように電磁偏向器２０６，２０８の各偏向量を調整する。そのために、電磁偏向器２０６，２０８と、電磁レンズ２１４とを用いて、収差補正器２２０上を中心ビーム２１で走査しながら電磁レンズ２１４のウォブル動作を実施して、電磁レンズのウォブル動作に対して、収差補正器２２０の走査像が動かないように、電磁偏向器２０６，２０８を用いてビームシフト量を調整する。具体的には、以下のように動作する。

レンズウォブル工程（Ｓ１０７）として、レンズ制御回路１１８は、電磁レンズ２１４に励磁する電流値をウォブルさせる（ウォブル動作させる）。具体的には、設計値の励磁値Ｉを中心に、所定の励磁範囲で可変させる。言い換えれば、励磁値を複数の値に振る。

スキャン及び像確認工程（Ｓ１０８）として、電磁偏向器２０８を用いて収差補正器２２０上を中心ビーム２１で走査して、収差補正器２２０の複数の通過孔の走査像を検出器２４０で検出する。具体的には以下のように動作する。ウォブル動作の励磁状態毎に、電磁偏向器２０８により中心ビーム２１で収差補正器２２０上をスキャンする。スキャン領域は、設定されている電磁偏向器２０８の励磁値を中心にした所定の範囲とする。そして、画像生成制御回路１２４は、ウォブル動作の励磁状態毎に、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過し、検出器２４０で検出されたスキャン像を生成する。そして、画像確認回路１２６は、生成されたスキャン像を確認する。

なお、中心ビーム２１のスキャン範囲は、収差補正器２２０にマルチビーム２０のすべてのビームが通過するための複数の通過孔（第１の通過孔）を含む場合に限るものではない。マルチビーム２０のうち中心ビームを含む一部のビーム群が通過する複数の通過孔（第２の通過孔）を中心ビーム２１のスキャン範囲としても構わない。言い換えれば、中心の通過孔を中心とする、複数の通過孔（第２の通過孔）を中心ビーム２１のスキャン範囲としても構わない。この場合に得らえる走査像には、収差補正器２２０に形成されるマルチビーム２０用のすべての通過孔、例えば１１×１１の通過孔の像ではなく、中心の通過孔を中心とする複数の通過孔、例えば３×３の通過孔の像が含まれることになる。

ビームシフト調整工程（Ｓ１１０）として、電磁レンズ２１４のウォブル動作に対して、収差補正器２２０の走査像が動かないように、電磁偏向器制御回路１１６は、電磁偏向器２０６，２０８のビームシフト量を調整する。ビームシフト量の調整では、収差補正器２２０での中心ビーム２１の入射位置を不動のまま電磁レンズ２１４の入射位置を変更することができる電磁偏向器２０６，２０８の連動比に従って、それぞれの偏向器の励磁値を変えることにより、電磁レンズ２１４への中心ビーム２１の入射位置を変える。

そして、レンズウォブル工程（Ｓ１０７）に戻り、電磁レンズ２１４のウォブル動作に対して、収差補正器２２０の走査像が動かなくなるまで、レンズウォブル工程（Ｓ１０７）からビームシフト調整工程（Ｓ１１０）までの各工程を繰り返す。

レンズウォブル停止工程（Ｓ１１２）として、中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通過するように調整された場合に、電磁レンズ２１４のウォブル動作を停止する。

垂直入射調整工程（Ｓ１１４）として、電磁偏向器２０６，２０８を用いて、選択された中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通りながら、中心ビーム２１を収差補正器２２０に垂直入射させる。

図１３は、実施の形態１における中心ビームがアパーチャアレイ基板に垂直入射する場合の一例を示す図である。図１３において、中心ビーム２１は、ビーム選択アパーチャ基板２１０を通過後、電磁偏向器２０６により斜め入射する方向とは逆方向に偏向される。そして、電磁偏向器２０８により電磁偏向器２０６による偏向方向とは逆方向に振り戻される。その際、中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通ると共に、収差補正器２２０に垂直入射するように電磁偏向器２０６，２０８を調整する。そのために、電磁偏向器２０８を用いて中心ビーム２１で収差補正器２２０上を走査して得られる、収差補正器２２０の複数の通過孔の走査像のうち中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように電磁偏向器２０６，２０８の偏向量を調整する。走査像は、中心ビーム２１で収差補正器２２０上を走査して、検出器２４０によって検出される。

図１４は、実施の形態１におけるビームチルト調整の仕方を説明するための図である。図１４では、例えば、収差補正器２２０の中心の通過孔３０とｘ方向の両側の通過孔３２，３４とｙ方向の両側の通過孔３６，３８との走査像（アパーチャ像）を示している。ビームシフト量を調整後、収差補正器２２０上を中心ビーム２１で走査しながら、収差補正器２２０の走査像が中心の通過孔３０の像に対して他の複数の通過孔３２，３４，３６，３８の像が対称に配置されるように、電磁偏向器２０６，２０８を用いてビームチルト量を調整する。ここでは、中心の通過孔の像３０以外の他の通過孔の像のうち、中心の通過孔の像３０を通るｘ軸（第１の軸）の方向に並ぶ、中心の通過孔の像と隣接するｘ方向側の通過孔の像３２（第１の像）と－ｘ方向側の通過孔の像３４（第２の像）との中心の通過孔の像３０からのピッチＸ１，Ｘ２（第１と第２のピッチ）を用いて電磁偏向器２０６，２０８のビームチルト量（偏向量の一例）が調整される。同様に、ｘ軸と直交すると共に中心の通過孔の像３０を通るｙ軸（第２の軸）の方向に並ぶ、中心の通過孔の像３０と隣接するｙ方向側の通過孔の像３６（第３の像）と－ｙ方向側の通過孔の像３８（第４の像）との中心の通過孔の像３０からのピッチＹ１，Ｙ２（第３と第４のピッチ）を用いて電磁偏向器２０６，２０８のビームチルト量が調整される。また、像３２と像３４を結ぶ直線と像３６と像３８を結ぶ直線との直交度を用いて電磁偏向器２０６，２０８のビームチルト量が調整される。なお、各ピッチは像の中心間の距離を示す。像３２と像３４を結ぶ直線は、像３２の中心と像３４の中心を結ぶ直線を用いる。像３６と像３８を結ぶ直線は、像３６の中心と像３８の中心を結ぶ直線を用いる。実施の形態１では、ピッチＸ１とビッチＸ２が１：１、ピッチＹ１とビッチＹ２が１：１、及び像３２と像３４を結ぶ直線と像３６と像３８を結ぶ直線とが直交するように電磁偏向器２０６，２０８のビームチルト量が調整される。具体的には以下のように動作する。

スキャン及び像確認工程（Ｓ１１５）として、電磁偏向器２０８を用いて収差補正器２２０上を中心ビーム２１で走査して、収差補正器２２０の複数の通過孔の走査像を検出器２４０で検出する。具体的には以下のように動作する。電磁偏向器２０８により中心ビーム２１で収差補正器２２０上をスキャンする。スキャン領域は、設定されている電磁偏向器２０８の励磁値を中心にした所定の範囲とする。そして、画像生成制御回路１２４は、ビームチルト量毎に、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過し、検出器２４０で検出されたスキャン像を生成する。そして、画像確認回路１２６は、生成されたスキャン像を確認する。

なお、中心ビーム２１のスキャン範囲は、上述したように収差補正器２２０にマルチビーム２０のすべてのビームが通過するための複数の通過孔（第１の通過孔）を含む場合に限るものではない。中心の通過孔を中心とする、複数の通過孔（第２の通過孔）を中心ビーム２１のスキャン範囲としても構わない。この場合に得らえる走査像には、上述したように収差補正器２２０に形成されるマルチビーム２０用のすべての通過孔、例えば１１×１１の通過孔の像ではなく、中心の通過孔を中心とする複数の通過孔、例えば３×３の通過孔の像が含まれることになる。

スキャン像ピッチ／角度抽出工程（Ｓ１１６）として、画像確認回路１２６は、検出された走査像からｘ方向のピッチＸ１，Ｘ２とｙ方向のピッチＹ１，Ｙ２を抽出する。また、像３２と像３４を結ぶ直線と像３６と像３８を結ぶ直線との角度を抽出（算出）する。

画像確認回路１２６は、ピッチＸ１，Ｘ２が１：１かどうかを判定する。画像確認回路１２６は、ピッチＹ１，Ｙ２が１：１かどうかを判定する。画像確認回路１２６は、像３２と像３４を結ぶ直線と像３６と像３８を結ぶ直線との角度が実質的に直角かどうかを判定する。言い換えれば、それぞれ許容される誤差範囲内かどうかを判定する。そして、ピッチＸ１，Ｘ２が１：１ではない、ピッチＹ１，Ｙ２が１：１ではない、或いは上述したｘｙ方向の２直線が直交していない場合、ビームチルト調整工程（Ｓ１１８）に進む。

ビームチルト調整工程（Ｓ１１８）として、電磁偏向器制御回路１１６は、電磁偏向器２０６，２０８のビームチルト量を調整する。ビームチルト量の調整では、電磁偏向器２０６，２０８の励磁値の連動比を維持したまま、それぞれの励磁値を変えることにより電磁レンズ２１４への中心ビーム２１の入射位置を変えずに入射角度を変える。

そして、スキャン及び像確認工程（Ｓ１１５）に戻り、ピッチＸ１，Ｘ２が１：１、ピッチＹ１，Ｙ２が１：１、及び上述したｘｙ方向の２直線が直交するまで、スキャン及び像確認工程（Ｓ１１５）からビームチルト調整工程（Ｓ１１８）までの各工程を繰り返す。

以上により、図１３に示すように中心ビーム２１が電磁レンズ２１４の中心を通りながら、中心ビーム２１を収差補正器２２０に垂直入射させることができる。

ステージ移動工程（Ｓ１２０）として、得られた走査像において、中心の通過孔の像３０が、走査像の中心（スキャン領域の中心）に位置するように、ステージ制御回路１２９による制御の下、駆動機構２２７は、アパーチャアレイステージ２２５を移動させる。中心の通過孔の像３０が、走査像の中心からずれている場合には、中心ビーム２１が収差補正器２２０の中心の通過孔以外の通過孔に入射している、或いは、中心の通過孔の中心を通っていないことが想定される。そこで、アパーチャアレイステージ２２５を移動させて、中心ビーム２１が収差補正器２２０の中心の通過孔を通るように収差補正器２２０の位置を調整する。

スキャン及び像確認工程（Ｓ１２２）として、電磁偏向器２０８により中心ビーム２１で収差補正器２２０上をスキャンする。スキャン領域は、設定されている電磁偏向器２０８の励磁値を中心にした所定の範囲とする。そして、画像生成制御回路１２４は、ビームチルト量毎に、収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過し、検出器２４０で検出されたスキャン像を生成する。そして、画像確認回路１２６は、生成されたスキャン像を確認する。ここでは、中心の通過孔の像３０が、走査像の中心に位置するか確認する。

図１５は、実施の形態１における走査像の一例を示す図である。中心ビーム２１を偏向器２０８で走査していない場合に電磁レンズ２１４の中心を中心ビーム２１が垂直入射することで、走査時の電磁レンズ２１４で生じる収差を対称に生じさせることができる。その結果、図１５に示すように中心の通過孔に対して周囲の通過孔の像が対称に配置される。よって、中心の通過孔像に対して非対称の収差による位置ずれを抑制できる。

また、中心ビーム２１を収差補正器２２０に垂直入射することで、中心ビーム２１の少なくとも一部が収差補正器２２０或いは静電レンズアレイ２３０の通過孔内壁に衝突してしまうことを回避できる。よって、中心ビーム２１のうち通過するビームの電流量が減少してしまうことを抑制できる。また、散乱電子の発生を抑制するので基板１０１面の像が劣化を低減できる。また、実施の形態１においてマルチビーム２０の中心ビームが収差補正器２２０に垂直入射する場合、図７（ａ）に示すように、マルチビーム２０の各ビームが収差補正器２２０及び静電レンズアレイ２３０を通過できるように調整される。よって、中心ビーム２１を収差補正器２２０に垂直入射することで、周辺ビームの少なくとも一部が収差補正器２２０或いは静電レンズアレイ２３０に衝突してしまうことを回避できる。よって、周辺ビームの電流量が減少してしまうことを抑制できる。また、散乱電子の発生を抑制するので基板１０１面の像が劣化を低減できる。

以上のマルチビームの入射角調整を終了後、まずは、ビーム選択アパーチャ基板２１０及び検出器２４０をマルチビーム２０の軌道上から退避させる。その後、基板１０１にマルチビーム２０を照射する。

以上のように、実施の形態１によれば、中心ビーム２１が斜め入射するマルチビーム２０について、中心ビーム２１を収差補正器２２０等のアパーチャアレイに垂直に入射できる。その結果、アパーチャアレイに起因する非対称な収差の発生を抑制できる。

以上の説明において、一連の「～回路」は、処理回路を含み、その処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「～回路」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いてもよい。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録されればよい。例えば、これらの回路内での処理を制御計算機１１０で実施しても良い。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。図１の例では、１つの照射源となる電子銃２０１から照射された１本のビームから成形アパーチャレンズアレイ基板２０３によりマルチビーム２０を形成する場合を示しているが、これに限るものではない。複数の照射源からそれぞれ１次電子ビームを照射することによってマルチビーム２０を形成する態様であっても構わない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチビーム入射角調整方法及びマルチビーム照射装置は、本発明の範囲に包含される。

１２ 基板本体
１３ 通過孔
１６ 電極
２０ マルチビーム
２１ 中心ビーム
２２ 穴
３０，３２，３４，３６，３８ 像
１００ 照射装置
１０１ 基板
１０２ 電子ビームカラム
１０５ ステージ
１０６ 検出回路
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１１４ レンズアレイ制御回路
１１６ 電磁偏向器制御回路
１１８ レンズ制御回路
１２０ バス
１２２ 収差補正器制御回路
１２４ 画像生成制御回路
１２６ 画像確認回路
１２９ ステージ制御回路
１４０ 記憶装置
１５０ ビーム照射機構
１６０ 制御系回路
２０１ 電子銃
２０３ 成形アパーチャレンズアレイ基板
２０４ 電磁レンズ
２０６，２０８ 電磁偏向器
２１０ ビーム選択アパーチャ基板
２１２ 駆動機構
２１４ 電磁レンズ
２２０ 収差補正器
２２１ 第１電極基板
２２３ 第２電極基板
２２５ アパーチャアレイステージ
２２７ 駆動機構
２３０ 静電レンズアレイ
２３１ 第１電極基板
２３３ 第２電極基板
２３５ 第３電極基板
２４０ 検出器
２４１ 駆動機構
２５０ 電子光学系

Claims (6)

1. マルチビームを放出する工程と、
   ビーム選択アパーチャ基板を用いて前記マルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させる工程と、
   前記ビーム選択アパーチャ基板よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される第１と第２の偏向器を用いて、前記第１と第２の偏向器よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズの中心を通るように、選択された前記中心ビームを入射させる工程と、
   前記電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは前記中心高さ位置よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置されるアパーチャアレイ基板上を、前記第２の偏向器を用いて前記中心ビームで走査して得られる、前記アパーチャアレイ基板に形成される前記マルチビームが通過するための複数の第１の通過孔のうち前記中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像のうち前記中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、前記中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように前記第１と第２の偏向器の偏向量を調整する工程と、
   を備えたことを特徴とするマルチビーム入射角調整方法。
2. 前記第２の偏向器を用いて前記アパーチャアレイ基板上を前記中心ビームで走査して、前記複数の第１の通過孔のうち前記中心の通過孔を中心とする前記複数の第２の通過孔の走査像を検出器で検出する工程をさらに備え、
   検出された前記複数の第２の通過孔の走査像のうち前記中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、前記中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように前記第１と第２の偏向器の偏向量が調整されることを特徴とする請求項１記載のマルチビーム入射角調整方法。
3. 前記他の通過孔の像のうち前記中心の通過孔の像を通る第１の軸の方向に並ぶ、前記中心の通過孔の像と隣接する第１と第２の像の前記中心の通過孔の像からの第１と第２のピッチと、前記第１の軸と直交すると共に前記中心の通過孔の像を通る第２の軸の方向に並ぶ、前記中心の通過孔の像と隣接する第３と第４の像の前記中心の通過孔の像からの第３と第４のピッチと、前記第１と第２の像を結ぶ直線と前記第３と第４の像を結ぶ直線との直交度と、を用いて、前記第１と第２の偏向器の偏向量が調整されることを特徴とする請求項１又は２記載のマルチビーム入射角調整方法。
4. 前記アパーチャアレイ基板は、多極子アレイが配置された基板と、静電レンズアレイ基板とのうち少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のマルチビーム入射角調整方法。
5. ビーム選択アパーチャ基板を用いてマルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させる工程と、
   前記ビーム選択アパーチャ基板よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される第１と第２の偏向器と、前記第１と第２の偏向器よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズとを用いて、前記アパーチャアレイ基板上を前記中心ビームで走査しながら前記電磁レンズのウォブル動作を実施して、前記電磁レンズのウォブル動作に対して、前記電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは前記中心高さ位置よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置されるアパーチャアレイ基板の走査像が動かないように、前記第１と第２の偏向器を用いてビームシフト量を調整する工程と、
   前記ビームシフト量を調整後、前記アパーチャアレイ基板上を前記中心ビームで走査しながら、前記アパーチャアレイ基板の走査像が中心の通過孔の像に対して他の複数の通過孔の像が対称に配置されるように、前記第１と第２の偏向器を用いてビームチルト量を調整する工程と、
   を備えたことを特徴とするマルチビーム入射角調整方法。
6. マルチビームを放出する放出源と、
   前記マルチビームのうち中心ビームを選択的に通過させるビーム選択アパーチャ基板と、
   前記選択アパーチャ基板よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置され、前記マルチビームを偏向する第１と第２の偏向器と、
   前記第１と第２の偏向器よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される電磁レンズと、
   前記電磁レンズの中心高さ位置に配置される、若しくは前記中心高さ位置よりも前記マルチビームの軌道の下流側に配置される、前記マルチビームが通過するための複数の第１の通過孔が形成されたアパーチャアレイ基板と、
   前記アパーチャアレイ基板の位置を移動させる駆動機構と、
   選択された前記中心ビームが前記電磁レンズの中心を通るように前記第１と第２の偏向器を制御すると共に、前記アパーチャアレイ基板上を前記中心ビームで走査して得られる、前記複数の第１の通過孔のうち前記中心の通過孔を中心とする複数の第２の通過孔の走査像のうち前記中心の通過孔以外の他の通過孔の像が、前記中心の通過孔の像に対して対称に配置されるように前記第１と第２の偏向器の偏向量を制御する制御回路と、
   を備えたことを特徴とするマルチビーム照射装置。

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