JP2023037315A - 樹脂組成物、樹脂シート及びこれを用いた回路基板材料 - Google Patents

Abstract

【課題】環状ポリオレフィン樹脂を用い、かつ、誘電正接を低減させた、すなわち、環状ポリオレフィン樹脂を用いた場合において、低誘電特性に優れた樹脂組成物、樹脂シート及びこれを用いた回路基板材料を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る樹脂組成物は、環状ポリオレフィン樹脂と、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である酸化マグネシウムと、を含有し、１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０３未満である。本発明の別の一態様に係る樹脂シートは、前記樹脂組成物からなる。また、本発明の別の一態様に係る回路基板材料は、前記樹脂組成物からなる絶縁層と、導体とを積層してなる。
【選択図】なし

Description

本発明は低誘電特性に優れた樹脂組成物、樹脂シート及びこれを用いた回路基板材料に関する。

一般に、電気・電子機器に使用される回路基板材料としては、銅張積層板（ＣＣＬ）と言われる、紙やガラス等の基材に樹脂を含浸させたシート（プリプレグ）を重ね、加圧加熱処理して得た絶縁板の表面に銅箔を施したものや、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）と言われる、ベースフィルムの上に絶縁接着層を形成してその上に銅等の導体箔を張り合わせたものが主に使われる。

近年、電気・電子機器において情報伝達量、速度の向上のため、通信周波数の高周波化が進んでおり、その中で、伝送損失（α）の増大が大きな課題となっている。この伝送損失（α）の値が低いほど、情報信号の減衰が少なく、通信の高い信頼性が確保できることを意味する。
伝送損失（α）は周波数（ｆ）に比例するため、高周波数領域での通信ではαが大きくなり、信頼性の低下につながる。伝送損失（α）を抑える手法として、周波数（ｆ）と同じく、αが比例する誘電正接（ｔａｎδ）を低減する方法が挙げられる。一方で、比誘電率は、αに対して平方根で比例する。そのため、通信信号をより高速に伝送するためには、比誘電率を低くするよりも、誘電正接（ｔａｎδ）を低くする方が効果的であり、低誘電正接を有する材料が求められている。

低誘電正接を有する材料として、例えば、特定の構造を有する環状ポリオレフィン樹脂が提案されている（特許文献１及び２）。

特開２０１０－１００８４３号公報 特開２０２０－１１７６５１号公報 特願２０１３－２５６５９６号公報

ところで、特許文献１や特許文献２では、環状ポリオレフィン樹脂に無機充填材を添加してもよいことが示唆されている。しかし、これらにおいては、無機充填材を添加した例は記載されていない。また、特許文献３に記載されているように、添加する無機充填材の種類によっては、環状ポリオレフィン樹脂単独よりも誘電正接が悪化してしまう場合がある。
そこで、本発明の目的は、環状ポリオレフィン樹脂を用い、かつ、誘電正接を低減させた、すなわち、環状ポリオレフィン樹脂を用いた場合において、低誘電特性に優れた樹脂組成物、樹脂シート及びこれを用いた回路基板材料を提供することにある。

本発明者は、上記解決すべく鋭意検討した結果、酸化マグネシウムがもつ低誘電正接特性に着目し、環状ポリオレフィン樹脂に特定の酸化マグネシウムを添加することで、上記課題を解決し得ることを見出した。
即ち、本発明は以下の特徴を有する。

［１］環状ポリオレフィン樹脂と、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である酸化マグネシウムとを含有し、１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０３未満である樹脂組成物。
［２］前記樹脂組成物１００質量％中に、前記酸化マグネシウムを５質量％以上８０質量％以下含有する、上記［１］に記載の樹脂組成物。
［３］前記酸化マグネシウムの平均二次粒子径が０．５μｍ以上５０μｍ以下である、上記［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］前記環状ポリオレフィン樹脂が、ポリオレフィンの側鎖に脂環式構造を有する樹脂である、上記［１］～［３］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［５］前記環状ポリオレフィン樹脂が、重合体の主鎖に脂環式構造を有する樹脂である、上記［１］～［３］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［６］ＪＩＳ Ｋ７２０９に基づいて測定される、２３℃、２４時間吸水後の吸水率が０．３％未満である、上記［１］～［５］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［７］上記［１］～［６］のいずれか１つに記載の樹脂組成物からなる樹脂シート。
［８］上記［１］～［６］のいずれか１つに記載の樹脂組成物からなる絶縁層と、導体とを積層してなる回路基板材料。

本発明によれば、環状ポリオレフィン樹脂を用いた場合であっても、低誘電特性に優れた樹脂組成物、樹脂シート及びこれを用いた回路基板材料を得ることができる。

以下に本発明について詳細に説明するが、以下の説明は、本発明の実施の形態の一例であり、本発明はその要旨を超えない限り、以下の記載内容に限定されるものではない。
以下において「～」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いるものとする。

＜＜樹脂組成物＞＞
本発明の樹脂組成物は、環状ポリオレフィン樹脂及び酸化マグネシウムを含有し、特定の誘電正接を有する。
本発明の樹脂組成物の１０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．０３未満が好ましく、０．０２未満がより好ましく、０．０１未満がさらに好ましく、０．００５未満がよりさらに好ましく、０．００３未満がいっそう好ましく、０．００１未満がよりいっそう好ましい。誘電正接が小さいほど誘電損失が小さいので、回路基板材料とした際の電気信号の伝達効率、高速化が得られる。誘電正接の下限は特に限定されず、０以上であればよい。
なお、本発明における誘電正接は、樹脂組成物から厚み２００μｍのシートを作製し、２３℃、１０ＧＨｚの条件で測定した値である。

本発明の樹脂組成物の吸水率は、０．３％未満が好ましく、０．２５％未満がより好ましく、０．２％未満がさらに好ましく、０．１５％未満がよりさらに好ましく、０．１％未満がいっそう好ましい。吸水率が低いほど、吸湿による誘電正接の上昇を抑制でき、より安定して電気信号を伝達できる。吸水率の下限は特に限定されず、０以上であればよい。
なお、本発明における吸水率は、樹脂組成物から厚み２００μｍのシートを作製し、ＡＳＴＭ Ｄ５７０相当のＪＩＳ Ｋ７２０９に基づいて測定された、２３℃、２４時間吸水後の吸水率である。

＜環状ポリオレフィン樹脂＞
本発明の環状ポリオレフィン樹脂は、脂環式構造を有するポリオレフィン樹脂を含む樹脂である。当該脂環式構造の好適な例としては、シクロアルカン、ビシクロアルカン、ノルボルネン、多環式化合物等が挙げられる。
環状ポリオレフィン樹脂としては、ポリオレフィンの側鎖に脂環式構造を有する環状ポリオレフィン樹脂（以下、「環状ポリオレフィン樹脂（α－１）」ともいう。）、及び重合体の主鎖に脂環式構造を有するポリオレフィン樹脂（以下、「環状ポリオレフィン（α－２）」ともいう。）等が挙げられる。

１．環状ポリオレフィン（α－１）
環状ポリオレフィン（α－１）は、ポリオレフィンの側鎖に脂環式構造を有する環状ポリオレフィン樹脂であり、低誘電正接の観点から、少なくとも１種の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位及び少なくとも１種の水素化共役ジエンポリマーブロック単位を含む環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）が好ましい。さらに、銅箔等の金属層との接着性が向上することから、当該環状ポリオレフィンの不飽和カルボン酸及び／若しくはその無水物による変性体（以下、「変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）」ともいう。）がより好ましい。

環状ポリオレフィン（α－１）は、ポリオレフィンの側鎖に脂環式構造を有する構造であるために、結晶融解ピーク温度が１００℃未満に存在する傾向がある。一方、後述する環状ポリオレフィン（α－２）は、結晶融解ピーク温度が１００℃未満に存在しないか、あるいは非晶性である傾向がある。
環状ポリオレフィン（α－１）の結晶融解ピーク温度は、５０℃以上が好ましく、６０℃以上がより好ましく、６５℃以上がさらに好ましい。また、結晶融解ピーク温度は、９０℃以下が好ましく、８５℃以下がより好ましい。
本発明における結晶融解ピーク温度とは、加熱速度１０℃／分で測定される示差走査熱量測定（ＤＳＣ）において、結晶融解ピークが検出されたときの温度である。本発明の環状ポリオレフィン（α－１）は、結晶融解ピークが１００℃未満に存在するものであればよく、例えば、１００℃未満と、１００℃以上の２点に結晶融解ピークが存在する場合も含まれる。

本発明において「ブロック」とは、コポリマーの構造的又は組成的に異なった重合セグメントからのミクロ相分離を表すコポリマーの重合セグメントをいう。ミクロ相分離は、ブロックコポリマー中で重合セグメントが混じり合わないことにより生ずる。
なお、ミクロ相分離とブロックコポリマーは、ＰＨＹＳＩＣＳ ＴＯＤＡＹの１９９９年２月号３２－３８頁の“Ｂｌｏｃｋ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ－Ｄｅｓｉｇｎｅｒ Ｓｏｆｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”で広範に議論されている。

（１）環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）は、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位（以下「ブロックＡ」ともいう）及び水素化共役ジエンポリマーブロック（以下「ブロックＢ」ともいう）からなるジブロックコポリマー、ブロックＡ及びブロックＢの少なくとも一方を２以上含むトリブロックコポリマー、テトラブロックコポリマー、ペンタブロックコポリマー等が挙げられる。
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）は、ブロックＡを少なくとも２個含むことが好ましく、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型、Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ型、Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－Ａ型などが好適に挙げられる。

また、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）はそれぞれの末端に芳香族ビニルポリマーからなるセグメントを含むことが好ましい。このため、本発明の水素化ブロックコポリマーは、少なくとも２個の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位（ブロックＡ）を有し、この２個の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位（ブロックＡ）の間には、少なくとも１つの水素化共役ジエンポリマーブロック単位（ブロックＢ）を有することが好ましい。これらの観点から、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）は、Ａ－Ｂ－Ａ型又はＡ－Ｂ－Ａ－Ｂ－Ａ型がより好ましい。

環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）における水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位（ブロックＡ）の含有率は、好ましくは３０～９９モル％、より好ましくは４０～９０モル％である。なかでも、さらに好ましくは５０モル％以上、よりさらに好ましくは６０モル％以上である。
水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位（ブロックＡ）の比率が上記下限以上であれば剛性が低下することがなく、耐熱性や線熱膨張率も良好となる。一方、上記上限以下であれば柔軟性が良好となる。

また、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）における水素化共役ジエンポリマーブロック単位（ブロックＢ）の含有率は、好ましくは１～７０モル％、より好ましくは１０～６０モル％である。なかでも、さらに好ましくは５０モル％以下、よりさらに好ましくは４０モル％以下である。
水素化共役ジエンポリマーブロック単位（ブロックＢ）の比率が上記下限以上であれば柔軟性が良好となる。一方、上記上限以下であれば剛性が低下することがなく、耐熱性や線熱膨張率も良好となる。

環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）を構成する水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位及び水素化共役ジエンポリマーブロック単位はそれぞれ、後に詳述する芳香族ビニルモノマー及び１，３－ブタジエンなどの共役ジエンモノマーから構成されるポリマーブロックを水素化することで得ることができる。

以下、水素化する前の芳香族ビニルポリマーブロック単位及び共役ジエンポリマーブロック単位を形成するためのモノマーについて説明する。

（芳香族ビニルモノマー）
水素化前の芳香族ビニルポリマーブロック単位の原料となる芳香族ビニルモノマーは、一般式（１）で示されるモノマーである。

上記一般式（１）において、Ｒは水素又はアルキル基であり、Ａｒはフェニル基、ハロフェニル基、アルキルフェニル基、アルキルハロフェニル基、ナフチル基、ピリジニル基又はアントラセニル基である。

前記Ｒがアルキル基である場合、炭素数は好ましくは１～６であり、該アルキル基はハロ基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基及びカルボキシル基のような官能基で単置換若しくは多重置換されていてもよい。
また、前記Ａｒは、フェニル基又はアルキルフェニル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン（全ての異性体を含み、特にｐ－ビニルトルエンが好ましい）、エチルスチレン、プロピルスチレン、ブチルスチレン、ビニルビフェニル、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン（全ての異性体を含む）、及びこれらの混合物が挙げられ、なかでも、スチレンが好ましい。

（共役ジエンモノマー）
水素化前の共役ジエンポリマーブロック単位の原料となる共役ジエンモノマーは、２個の共役二重結合を持つモノマーであればよく、特に限定されるものではない。
共役ジエンモノマーとしては、例えば、１，３－ブタジエン、２－メチル－１，３－ブタジエン（イソプレン）、２－メチル－１，３－ペンタジエンとその類似化合物、及びこれらの混合物が挙げられ、なかでも、１，３－ブタジエンが好ましい。

なお、共役ジエンモノマーとして１，３－ブタジエンを用いる場合、その重合体であるポリブタジエンは、１，４－結合単位（［－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－］）と１，２－結合単位（［－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ＝ＣＨ_２）－］）とが存在するため、水素化により、前者はポリエチレンの繰り返し単位と同様の構造（エチレン構造）を与え、後者は１－ブテンを重合した際の繰り返し単位と同様の構造（１－ブテン構造）を与える。したがって、本発明に係る水素化共役ジエンポリマーブロックは、エチレン構造及び１－ブテン構造の少なくともいずれか一方を含むことが好ましい。
また、共役ジエンモノマーとしてイソプレンを用いる場合、その重合体であるポリイソプレンは、１，４－結合単位（［－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ－ＣＨ_２－］）、３，４－結合単位（［－ＣＨ_２－ＣＨ（Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）－］）及び１，２－結合単位（［－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ＝ＣＨ_２）－］）が存在し、水素化により得られる３種の繰り返し単位の少なくともいずれかを含むものとなる。

（ブロック構造）
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）はＳＢＳ、ＳＢＳＢ、ＳＢＳＢＳ、ＳＢＳＢＳＢ、ＳＩＳ、ＳＩＳＩＳ、及びＳＩＳＢＳ（ここで、Ｓはポリスチレン、Ｂはポリブタジエン、Ｉはポリイソプレンを意味する。）のようなトリブロックコポリマー、テトラブロックコポリマー、ペンタブロックコポリマー等のマルチブロックコポリマーの水素化によって製造されることが好ましい。ブロックは、線状ブロックでもよく、分岐していてもよい。分岐している場合の重合連鎖はコポリマーの骨格に沿ってどの位置に結合していてもよい。また、ブロックは、線状ブロックのほかに、テーパーブロック、又はスターブロックであってもよい。

環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）を構成する水素化前のブロックコポリマーは、芳香族ビニルポリマーブロック単位及び共役ジエンポリマーブロック単位以外の１種又は複数の追加ブロック単位を含んでいてもよく、例えばトリブロックコポリマーの場合には、これらの追加ブロック単位はトリブロックポリマー骨格のどの位置に結合していてもよい。

前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の好ましい例としては、水素化ポリスチレンを挙げることができ、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位の好ましい例としては、水素化ポリブタジエン又は水素化ポリイソプレンを挙げることができ、水素化ポリブタジエンがより好ましい。
そして、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の好ましい一態様としては、スチレンとブタジエンの水素化トリブロック又は水素化ペンタブロックコポリマーを挙げることができ、他の如何なる官能基又は構造的変性剤も含まないことが好ましい。

（水素化レベル）
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）は、ブタジエンなどの共役ジエンに由来する二重結合に加えて、スチレンなどに由来する芳香族環も水素化されるものであり、実質的に完全に水素化されている。具体的には、以下に示す水素化レベルを達成しているものをいう。
前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の水素化レベルは、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上、更に好ましくは９８％以上、特に好ましくは９９．５％以上である。
前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化レベルは、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上、更に好ましくは９９．５％以上である。
このように高レベルの水素化をすることによって、誘電損失を低減することができ、剛性と耐熱性も良好となる。
なお、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の水素化レベルとは、芳香族ビニルポリマーブロック単位が水素化によって飽和される割合を示し、水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化レベルとは、共役ジエンポリマーブロック単位が水素化によって飽和される割合を示す。
なお、各ブロック単位の水素化レベルは、プロトンＮＭＲを用いて決定される。

環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明の環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）としては、市販のものを用いることができ、具体的には三菱ケミカル（株）製：テファブロック（登録商標）が挙げられる。

（２）変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）
変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）は、前述した環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の、不飽和カルボン酸及び／又はその無水物による変性体である。
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）を変性することによりポリマーの極性が大きくなるので、銅箔等の金属層との接着性向上が期待できる。

（環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の変性操作）
以下、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の変性操作について説明する。この変性操作は、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）に、変性剤として不飽和カルボン酸及び／又はその無水物を添加して反応させることによって行われることが好ましい。

［変性剤］
前記変性剤としての不飽和カルボン酸及び／又はその無水物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、α－エチルアクリル酸、マレイン酸、フマール酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、ナジック酸類等の不飽和カルボン酸、及びこれらの無水物が挙げられる。
また、酸無水物としては、具体的には、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水ナジック酸類が挙げられる。
なお、ナジック酸類又はその無水物としては、エンドシス－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２，３－ジカルボン酸（ナジック酸）、メチル－エンドシス－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボン酸（メチルナジック酸）等及びその無水物が挙げられる。

これらの不飽和カルボン酸及び／又はその無水物の中では、アクリル酸、マレイン酸、ナジック酸、無水マレイン酸、無水ナジック酸が好ましい。
不飽和カルボン酸及び／又はその無水物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

［変性方法］
上記環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の変性の方法としては、溶液変性、溶融変性、電子線や電離放射線の照射による固相変性、超臨界流体中での変性等が好適に用いられる。
中でも設備やコスト競争力に優れた溶融変性が好ましく、連続生産性に優れた押出機を用いた溶融混練変性がより好ましい。
このとき用いられる装置としては、例えば、単軸押出機、二軸押出機、バンバリーミキサー、ロールミキサーが挙げられる。中でも連続生産性に優れた単軸押出機、二軸押出機が好ましい。

一般に、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）への不飽和カルボン酸及び／又はその無水物による変性は、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）を構成するブロック単位の１つである水素化共役ジエンポリマーブロック単位の炭素－水素結合を開裂させて炭素ラジカルを発生させ、これに不飽和官能基が付加するというグラフト反応によって行われる。
炭素ラジカルの発生源としては、上述した電子線や電離放射線の他、高温度とする方法や、有機過酸化物、無機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル発生剤を用いることもできる。ラジカル発生剤としては、コストや操作性の観点から有機過酸化物を用いることが好ましい。

上記アゾ化合物としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、アゾビス（２－メチルブチロニトリル）、ジアゾニトロフェノールが挙げられる。
上記無機過酸化物としては、例えば、過酸化水素、過酸化カリウム、過酸化ナトリウム、過酸化カルシウム、過酸化マグネシウム、過酸化バリウムが挙げられる。

上記有機過酸化物としては、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル及びケトンパーオキサイド群に含まれるものが挙げられる。
具体的には、キュメンハイドロパーオキサイド、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド；ジクミルパーオキサイド、ジｔ－ブチルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３等のジアルキルパーオキサイド；ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド；ｔ－ブチルパーオキシアセテート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエイト、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシエステル；シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイドが挙げられる。
これらのラジカル発生剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

［溶融混練変性］
一般的に用いられる溶融混練変性の操作は、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）、不飽和カルボン酸及び／又はその無水物、有機過酸化物を配合し、混練機、押出機に投入し、加熱溶融混練しながら押出を行ない、先端ダイスから出てくる溶融樹脂を水槽等で冷却して変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）を得るものである。

環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）と不飽和カルボン酸及び／又はその無水物との配合比率は、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）１００質量部に対し、不飽和カルボン酸及び／又はその無水物が０．２～５質量部がよい。
環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）に対する不飽和カルボン酸及び／又はその無水物の配合比率が上記下限以上であれば、本発明の効果を奏するために必要な所定の変性率が得られる。また、上記上限以下であれば、未反応の不飽和カルボン酸及び／又はその無水物が残留することがなく、誘電特性としても好ましい。

上記不飽和カルボン酸及び／又はその無水物と上記有機過酸化物との配合比率は、上記不飽和カルボン酸及び／又はその無水物１００質量部に対し、上記有機過酸化物が２０～１００質量部がよい。
上記不飽和カルボン酸及び／又はその無水物に対する上記有機過酸化物の配合比率が上記下限以上であれば、本発明の効果を奏するために必要な所定の変性率が得られる。また、上記上限以下であれば、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の劣化が生じず、色相が悪化することがない。

また溶融混練変性条件としては、例えば、単軸押出機、二軸押出機においては１５０～３００℃の温度にて押出すことが好ましい。

［変性率］
上記不飽和カルボン酸及び／又はその無水物による、変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）の変性率は０．１～２質量％が好ましい。
変性率が上記下限以上であれば、ポリマーの極性が大きくなり、銅箔等の金属層との接着性が向上するので好ましい。また、上記上限以下であれば、環状ポリオレフィン樹脂共重合体（ａ－１）の誘電損失の悪化を防止できる。また、臭気の発生や色の悪化も防ぐことができる。
上記変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）の変性率は、上記変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）をメチルエステル化処理した後、プロトンＮＭＲにて測定することができる。

２．環状ポリオレフィン（α－２）
環状ポリオレフィン（α－２）としては、例えば、不飽和環状オレフィンモノマーの開環メタセシス重合体の水素添加物（以下、「環状ポリオレフィン（ａ－２）」ともいう。）、及びエチレンとノルボルネン系モノマーとの共重合体（以下、「環状ポリオレフィン（ａ－３）」ともいう。）等が挙げられる。環状ポリオレフィン（α－２）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

環状ポリオレフィン（α－２）は、耐熱性の観点から、ガラス転移温度が高いことが好ましい。
環状ポリオレフィン（α－２）のガラス転移温度は、１００℃以上が好ましく、１２０℃以上がより好ましく、１４０℃以上がよりさらに好ましい。
なお、ガラス転移温度は、具体的には実施例に記載される方法で測定することができる。

（１）環状ポリオレフィン（ａ－２）
環状ポリオレフィン（ａ－２）は、ポリオレフィンの主鎖に脂環式構造を有する環状ポリオレフィン樹脂であり、例えば、単環シクロオレフィン及び置換基を有するそれらの誘導体、並びにノルボルネン環を有する置換及び未置換の二環又は三環以上の多環環状オレフィンモノマー（以下、「ノルボルネン系モノマー」ともいう。）等が挙げられる。中でも、製造適性の観点から、ノルボルネン系モノマーが好ましい。

単環シクロオレフィンとしては、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、シクロドデセン等が挙げられる。
ノルボルネン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン、メチルノルボルネン、ジメチルノルボルネン、エチルノルボルネン、塩素化ノルボルネン、クロロメチルノルボルネン、トリメチルシリルノルボルネン、フェニルノルボルネン、シアノノルボルネン、ジシアノノルボルネン、メトキシカルボニルノルボルネン、ピリジルノルボルネン、ナジック酸無水物、ナジック酸イミド等の二環シクロオレフィン；ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエンやそのアルキル、アルケニル、アルキリデン、アリール置換体等の三環シクロオレフィン；ジメタノヘキサヒドロナフタレン、ジメタノオクタヒドロナフタレンやそのアルキル、アルケニル、アルキリデン、アリール置換体等の四環シクロオレフィン；トリシクロペンタジエン等の五環シクロオレフィン；ヘキサシクロヘプタデセン等の六環シクロオレフィン等が挙げられる。また、ジノルボルネン、二個のノルボルネン環を炭化水素鎖又はエステル基等で結合した化合物、これらのアルキル、アリール置換体等のノルボルネン環を含む化合物等を用いることもできる。

環状ポリオレフィン（ａ－２）の製造方法は特に限定されることなく、公知の種々の製造方法が採用可能である。環状ポリオレフィン（ａ－２）は、例えば、上記の不飽和環状オレフィンモノマーを開環重合した後、生成した重合体が有するオレフィン性不飽和結合部分を水素化することによって製造することができる。該開環重合は、例えば、不飽和環状オレフィンモノマーを、遷移金属化合物又は白金族金属化合物と有機アルミニウム化合物等の有機金属化合物を含む触媒系において、必要に応じて脂肪族又は芳香族の第三級アミン等の添加剤の存在下に、－２０℃～１００℃の範囲内の温度、０．０１～５０ｋｇ／ｃｍ^２Ｇの範囲内の圧力で行うことができる。また該水素化は、通常の水素化触媒の存在下で行うことができる。

環状ポリオレフィン（ａ－２）は、上記環状ポリオレフィン（α－１）と同様、銅箔等の金属層との接着性を向上するため、変性剤として不飽和カルボン酸及び／又はその無水物を添加して反応させ、変性体として用いてもよい（以下、「変性環状ポリオレフィン（ａ’－２）」ともいう）。

本発明の環状ポリオレフィン（ａ－２）としては、市販のものを用いることができ、具体的には日本ゼオン（株）製：Ｚｅｏｎｅｘ（登録商標）、Ｚｅｏｎｏｒ（登録商標）、ＪＳＲ（株）製：ＡＲＴＯＮ（登録商標）等が挙げられる。また、変性環状ポリオレフィン（ａ’－２）としては、ＪＳＲ（株）製：ＡＲＴＯＮ（登録商標）Ｆシリーズ等が挙げられる。

（２）環状ポリオレフィン（ａ－３）
前記環状ポリオレフィン（ａ－３）におけるノルボルネン系モノマーとしては、上記環状オレフィン（ａ－２）で例示したノルボルネン系モノマーを用いることができる。

本発明の環状ポリオレフィン（ａ－３）としては、市販のものを用いることができ、具体的には三井化学（株）製：アペル（登録商標）、ＴＯＰＡＳ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ社製：ＴＯＰＡＳ（登録商標）等が挙げられる。

［物性］
前記環状ポリオレフィン樹脂の誘電正接は、１０ＧＨｚにおいて０．０５未満であることが好ましく、０．０３未満であることがより好ましい。誘電正接が小さければ小さいほど誘電損失も小さくなるので、回路基板材料とした際の電気信号の伝達効率、高速化が得られるために好ましい。誘電正接の下限は特に限定されず、０以上であればよい。

本発明の環状ポリオレフィン樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ）は特に限定されないが、通常０．１ｇ／１０分以上であり、成形方法や成形体の外観の観点から、好ましくは０．５ｇ／１０分以上である。また通常５０．０ｇ／１０分以下であり、材料強度の観点から、好ましくは３０．０ｇ／１０分以下である。
ＭＦＲは、ＩＳＯ Ｒ１１３３に従って、実施例に記載する条件で測定することで求められる。

＜酸化マグネシウム＞
本発明の酸化マグネシウムのＢＥＴ比表面積は１０ｍ^２／ｇ以下が好ましく、５ｍ^２／ｇ以下がより好ましく、３ｍ^２／ｇ以下がさらに好ましく、２ｍ^２／ｇ以下がよりさらに好ましい。
ＢＥＴ比表面積が小さいほど、酸化マグネシウムの吸湿を抑制でき、それによる誘電正接の悪化を抑制することができる。これは、酸化マグネシウムの比表面積が小さいことにより吸湿を抑えられ、酸化マグネシウムの表面に極性基を有する水酸化マグネシウムが生じにくくなるためであると考えられる。
なお、本発明において「ＢＥＴ比表面積」とは、ＢＥＴ法を用いて測定した窒素吸着比表面積をいう。

酸化マグネシウムの平均二次粒子径は特に限定されないが、強度と成形性の観点から、０．５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、０．８μｍ以上４０μｍ以下がより好ましく、１μｍ以上３０μｍ以下がさらに好ましい。
なお、本発明において「平均二次粒子径」とは、レーザー光回折散乱法により、粒度分布測定を行って求めた平均二次粒子径をいう。

酸化マグネシウムは、強度を高くし、比表面積を小さくする観点から、球状であることが好ましい。
「球状」とは、アスペクト比（長径と短径の比）が１以上２以下、好ましくは１以上１．８以下、より好ましくは１以上１．５以下であることをいう。
当該アスペクト比は、酸化マグネシウムを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した画像から２０個以上の粒子を任意に選択し、それぞれの長径と短径の比を求めて平均値を算出することにより求めることができる。

酸化マグネシウムは、耐湿性及び樹脂への分散性を向上させる観点から、表面処理を施すことが好ましい。
コストやプロセスの簡便さから、シランカップリング剤やリン酸エステル、チタネートカップリング剤で表面処理することが好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル・トリス（β－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシラン等のビニル系シラン化合物、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－ユレイドプロピルトリエトキシシラン等のアミノ系シラン化合物、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエポキシ系シラン化合物、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト系シラン化合物、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン等のフェニルアミノ系シラン化合物等が挙げられる。

リン酸エステルとしては、例えば、ブチルアシッドフォスフェイト、２－エチルヘキシルアシッドフォスフェイト、ラウリルアシッドフォスフェイト、トリデシルアシッドフォスフェイト、ステアリルアシッドフォスフェイト、ジ－２－エチルヘキシルフォスフェイト、オレイルアシッドフォスフェイト等が挙げられる。
チタネートカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリイソステアロイル化チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラ（１，１－ジアリルオキシメチルー１－ブチル）ビス－（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等のチタネート化合物等が挙げられる。

表面処理に用いられる上記カップリング剤の添加量は、酸化マグネシウム１００質量部あたり０．０１～３質量部が好ましく、０．０５～２質量部がより好ましい。
カップリング剤の添加量が上記範囲内であると、耐湿性と酸化マグネシウムの特性をバランスよく満たすことができる。

樹脂組成物１００質量％中における酸化マグネシウムの含有量は、５質量％以上８０質量％以下が好ましく、１０質量％以上７５質量％以下がより好ましく、２０質量％以上７０質量％以下がさらに好ましい。
酸化マグネシウムの含有量が上記下限値以上であると、樹脂組成物の誘電正接を十分に低下させることができる。一方、酸化マグネシウムの含有量が上記上限値以下であると、樹脂組成物の流動性が良好となり、成形しやすくなる。

酸化マグネシウムは、１種を単独で用いてもよく、粒子径や表面処理状態の異なる２種以上を併用してもよい。
本発明の酸化マグネシウムとしては、市販のものを用いることができ、具体的には、協和化学工業（株）製：パイロキスマ（登録商標）、宇部マテリアルズ（株）製：ＲＦシリーズ、神島化学工業（株）製：スターマグ等が挙げられる。

＜その他の成分＞
本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、環状ポリオレフィン樹脂以外の熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂、難燃剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、光吸収材剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、有機充填剤等を本発明の目的を損なわない程度に配合することができ、その配合割合は適宜量である。

環状ポリオレフィン樹脂以外の熱可塑性樹脂としては、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー及びエチレン系重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂が好ましい。
上記熱可塑性樹脂を配合することで、樹脂組成物の靭性が良好となる。特に、環状ポリオレフィン（α－１）は単体でも靭性が低く、さらに酸化マグネシウム粒子を配合すると靭性はより低下するため、環状ポリオレフィン樹脂として環状ポリオレフィン（α－１）を用いる場合には、上記熱可塑性樹脂を配合することが好ましい。
樹脂組成物１００質量％中における上記熱可塑性樹脂の含有量は、０質量％以上４０質量％以下が好ましく、１質量％以上３０質量％以下がより好ましく、５質量％以上２０質量％以下がさらに好ましい。含有量が上記範囲内であると、靭性と低誘電特性を両立できる。
上記熱可塑性樹脂としては、市販のものを用いることができ、具体的には旭化成ケミカルズ（株）製：タフテック（商標登録）、クラレ（株）製：セプトン（商標登録）、シェルジャパン製：クレイトン（登録商標）、三井化学（株）製：ミラストマー（登録商標）、三井化学（株）製：タフマー（登録商標）、ＪＳＲ（株）製：ＥＸＣＥＬＩＮＫ（登録商標）等が挙げられる。

上記以外の任意成分として配合される安定剤として、具体的には、テトラキス〔メチレン－３（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、β－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２，２′－オキザミドビス〔エチル－３（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）〕プロピオネート等のフェノール系酸化防止剤；ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２－ヒドロキシステアリン酸カルシウム等の脂肪酸金属塩；グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコール脂肪酸エステル等を挙げることができる。これらは単独で配合してもよいし、組合せて配合してもよく、例えば、テトラキス〔メチレン－３（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタンとステアリン酸亜およびグリセリンモノステアレートとの組合せ等を例示できる。

＜樹脂組成物の製造方法＞
本発明の樹脂組成物は、環状ポリオレフィン樹脂に酸化マグネシウムを分散させることにより製造できる。
例えば、混練機又は攪拌機等を用いて、環状ポリオレフィン樹脂及び酸化マグネシウムを溶融混練することにより、樹脂組成物を製造してもよい。あるいは、環状ポリオレフィン樹脂を溶剤中に溶解させ、酸化マグネシウムを添加して混合し、その後溶剤を揮発等で除去することにより、樹脂組成物を製造してもよい。中でも、成形が容易な点から、溶融混練法を用いることが好ましい。

＜＜樹脂シート＞＞
本発明の樹脂シートは、上記樹脂組成物をシート化することで得られる。
樹脂シートの製造方法は特に限定されるものではないが、公知の方法、例えば、押出成形、射出成形、ブロー成形、真空成形、圧空成形、プレス成形等を採用することができる。

本発明の樹脂シートは、一方向又は二方向に延伸を施した一軸又は二軸延伸シートであってもよい。延伸シートの製造方法としては、Ｔダイキャスト法、プレス法、カレンダー法等によって前駆体としての未延伸シートを作製した後、ロール延伸法、テンター延伸法等により延伸成形する方法や、インフレーション法、チューブラー法等により、溶融押出と延伸成形を一体的に行う方法を挙げることができる。

プレス法やＴダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、用いる樹脂組成物の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね２００℃以上、２６０℃以下である。溶融混練には、一般的に使用される単軸押出機、二軸押出機、ニーダーやミキサーなどが使用でき、特に制限されるものではない。

樹脂シートの厚みは、１０μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、３０μｍ以上４００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以上３００μｍ以下がさらに好ましい。厚みが上記範囲内であることにより、強度を適度に保ちつつ、電気・電子機器の小型化に対応可能な回路基板材料を得ることができる。

＜＜樹脂組成物の用途＞＞
本発明の樹脂組成物の用途の一例としては、銅箔積層板、フレキシブルプリント基板、多層プリント配線基板、キャパシタ等の電気・電子機器用回路基板材料を含む回路基板材料、アンダーフィル材料、３Ｄ－ＬＳＩ用インターチップフィル、絶縁シート、放熱基板が挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。

＜回路基板材料＞
本発明の樹脂組成物は、導体と積層することにより回路基板材料とすることができる。

導体としては、銅、アルミニウム等の導電性金属や、これらの金属を含む合金等からなる金属箔、あるいはメッキやスパッタリングで形成された金属層を用いることができる。

電気・電子機器用の回路基板材料として用いる場合、樹脂組成物からなる絶縁層の厚みは１０μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以上４００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下がさらに好ましい。また、導体の厚みは０．２μｍ以上７０μｍ以下が好ましい。

本発明の回路基板材料は、誘電正接が十分に低いことが特徴である。
回路基板材料の誘電正接は、１０ＧＨｚにおいて０．０３未満が好ましく、０．０２未満がより好ましく、０．０１未満がさらに好ましく、０．００５未満がよりさらに好ましく、０．００３未満がいっそう好ましく、０．００１未満がよりいっそう好ましい。誘電正接が小さいほど誘電損失が小さくなり、回路基板の電気信号の伝達効率、高速化が得られるために好ましい。誘電正接の下限は特に限定されず、０以上であればよい。

＜回路基板材料の製造方法＞
本発明における回路基板材料は、例えば次のような方法で製造できる。
本発明の樹脂組成物を公知の方法によりシート化して絶縁層を作製し、当該絶縁層の上に導体を積層したあと、フォトレジスト等を用いて回路を形成し、こうした層を必要数重ねる。
絶縁層と導体との積層は、絶縁層に導電性金属箔を直接重ね合わせる方法であってもよく、接着剤を用いて絶縁層と導電性金属箔とを接着する方法であってもよい。また、メッキやスパッタリングにより導電性金属層を形成する方法であってもよく、これらの方法を組み合わせて行ってもよい。

以下、実施例を用いて本発明の内容を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例によって限定されるものではない。以下の実施例における各種の製造条件や評価結果の値は、本発明の実施態様における上限または下限の好ましい値としての意味をもつものであり、好ましい範囲は前記した上限または下限の値と、下記実施例の値又は実施例同士の値との組み合わせで規定される範囲であってもよい。
なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。

＜測定方法＞
（１）吸水率
樹脂シートから、約１ｇ試験片を切り出し、５０℃の熱風乾燥機で２４時間乾燥させた後に重量（Ｗ１）を測定した。試験片を２３℃イオン交換水に２４時間浸漬させ、浸漬後の重量（Ｗ２）を測定し、重量変化（Ｗ２－Ｗ１）より当該試験片の吸水率を測定した。
評価は下記の基準で行った。
Ａ（ｖｅｒｙ ｇｏｏｄ）：誘電体用樹脂組成物の吸水率が０．２％未満のもの。
Ｂ（ｇｏｏｄ） ：誘電体用樹脂組成物の吸水率が０．２％以上、０．３％未満のもの。
Ｃ（ｐｏｏｒ） ：誘電体用樹脂組成物の吸水率が０．３％以上のもの。

（２）誘電特性
空洞共振器法を用いて、樹脂シートの面内方向の１０ＧＨｚにおける誘電正接を測定した。酸化マグネシウムを添加していない場合の誘電正接の値（参考例１～３）と比較して、下記の基準で評価した。
Ａ（ｇｏｏｄ）：樹脂組成物の誘電正接が低下したもの。
Ｂ（ｐｏｏｒ）：誘電正接が上昇したもの。

（３）結晶融解ピーク温度及びガラス転移温度
原料ペレットについて、ＪＩＳ Ｋ７１２１：２０１２に準拠して、示差走査熱量計Ｐｙｒｉｓ１ ＤＳＣ（パーキンエルマー社製）を用いて、温度範囲２５～３００℃、加熱速度１０℃／分で示差走査熱量計Ｐｙｒｉｓ１ ＤＳＣ（パーキンエルマー社製）を用い、再昇温過程において検出されたＤＳＣ曲線の吸熱ピークから結晶融解ピーク温度を求め、変曲点からガラス転移温度を求めた。

＜原料＞
［環状ポリオレフィン樹脂］
・Ａ－１：変性環状ポリオレフィン（ａ’－１）である三菱ケミカル（株）製「テファブロック（登録商標）ＣＰ ＭＣ９４０ＡＰ」。
・結晶融解ピーク温度：７５℃、
・誘電正接：０．０００６０、
・密度（ＡＳＴＭ Ｄ７９２）：０．９４ｇ／ｃｍ^３、
・ＭＦＲ（２３０℃、２．１６ｋｇ）：３ｇ／１０分、
・水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位：含有率６７モル％、水素化レベル９９．５％以上の水素化ポリスチレン、
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位：含有率３３モル％、水素化レベル９９．５％以上の水素化ポリブタジエン、
・ブロック構造：ペンタブロック構造、合計水素化レベル：９９．５％以上、
・マレイン酸変性率：１．２質量％、
・Ｍｗ：６８０００。

・Ａ－２：環状ポリオレフィン（ａ－２）である日本ゼオン（株）製「ＺＥＯＮＯＲ（登録商標）１０２０Ｒ」。
・誘電正接：０．０００６７（１０ＧＨｚ）、
・密度（ＡＳＴＭ Ｄ７９２）：１．０１ｇ／ｃｍ^３、
・ＭＦＲ（２８０℃、２．１６ｋｇ）：２０ｇ／１０分、
・ガラス転移温度：１０２℃・

・Ａ－３：変性環状ポリオレフィン（ａ’－２）であるＪＳＲ（株）製「ＡＲＴＯＮ（登録商標）Ｆ４５２０」。
・誘電正接：０．０２０２、
・密度（ＪＩＳ Ｋ７１１２）：１．０８ｇ／ｃｍ^３、
・ＭＦＲ（２３０℃、２．１６ｋｇ）：１５ｇ／１０分、
・ガラス転移温度：１６３℃。

［熱可塑性樹脂］
・Ｂ－１：タフテックＨ１０５２（旭化成（株）製、ＳＥＢＳ、スチレン比率：２０質量％）。

［酸化マグネシウム］
・Ｃ－１：パイロキスマ ３３３０（協和化学工業（株）製、粒径：２０μｍ、ＢＥＴ比表面積：０．５ｍ^２／ｇ、表面処理：無）。
・Ｃ－２：パイロキスマ ５３０１（協和化学工業（株）製、粒径：２μｍ、ＢＥＴ比表面積：１．４ｍ^２／ｇ、表面処理：無）。
・Ｃ－３：パイロキスマ ５３０１Ｋ（協和化学工業（株）製、粒径：２μｍ、ＢＥＴ比表面積：１．４ｍ^２／ｇ、表面処理：有（オレフィン系シランカップリング剤）)。
・Ｃ－４：キョーワマグ３０（協和化学工業（株）製、粒径：３μｍ、ＢＥＴ比表面積：４０ｍ^２／ｇ、表面処理：無）。
・Ｃ－５：マグサラット３０（協和化学工業（株）製、粒径：３μｍ、ＢＥＴ比表面積：３９ｍ^２／ｇ、表面処理：有（アルキル系リン酸エステル））。
なお、Ｃ－１～Ｃ－５はいずれも球状である。

（参考例１）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－１）と熱可塑性樹脂（Ｂ－１）のペレットをドライブレンドし、（株）東洋精機製作所製のプラストグラフミキサーに供給し、温度＝２４０℃、回転数＝４０ｒｐｍで３分溶融混練したあと、温度＝２４０℃、回転数＝４０ｒｐｍで５分間溶融混練し、樹脂組成物を得た。２枚の金属板間に挟み込み、温度＝２４０℃、圧力＝３ＭＰａ、成形時間＝１０秒の条件でプレス成形し、その後１００℃以下まで水冷で徐冷することで、厚さ２００μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートについて上記評価を実施した。結果を表１に示す。

（参考例２）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－２）のペレットを２枚の金属板間に挟み込み、温度＝２４０℃、圧力＝３ＭＰａ、成形時間＝１０秒の条件でプレス成形し、その後１００℃以下まで水冷で徐冷することで、厚さ２００μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートについて上記評価を実施した。結果を表１に示す。

（参考例３）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－３）のペレットを２枚の金属板間に挟み込み、温度＝２４０℃、圧力＝３ＭＰａ、成形時間＝１０秒の条件でプレス成形し、その後１００℃以下まで水冷で徐冷することで、厚さ２００μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートについて上記評価を実施した。結果を表１に示す。

（実施例１）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－１）と熱可塑性樹脂（Ｂ－１）のペレットをドライブレンドし、（株）東洋精機製作所製のプラストグラフミキサーに供給し、温度＝２４０℃、回転数＝４０ｒｐｍで３分溶融混練した。その後、酸化マグネシウム（Ｃ－１）を誘電体用樹脂組成物１００質量部に対して４０質量部となるよう供給し、温度＝２４０℃、回転数＝４０ｒｐｍで５分間溶融混練し、樹脂組成物を得た。２枚の金属板間に挟み込み、温度＝２４０℃、圧力＝３ＭＰａ、成形時間＝１０秒の条件でプレス成形し、その後１００℃以下まで水冷で徐冷することで、厚さ２００μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートについて上記評価を実施した。結果を表１に示す。

（実施例２）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－２）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例３）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－３）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例４）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の含有量を７０質量％に変更した以外は実施例１と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例５）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－２）を用いた以外は実施例４と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例６）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－３）を用いた以外は実施例４と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例７）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－１）及び熱可塑性樹脂（Ｂ－１）の代わりに環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－２）を用いた場合以外は実施例３と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例８）
環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－２）の代わりに環状ポリオレフィン樹脂（Ａ－３）を用いた場合以外は実施例７と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例１）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－４）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例２）
酸化マグネシウム（Ｃ－１）の代わりに酸化マグネシウム（Ｃ－５）を用いた以外は実施例１と同様の方法で、フィルムの作製、評価を行った。結果を表１に示す。

上記の表１の実施例１～６の結果より、樹脂組成物が比表面積の小さい酸化マグネシウムを含有することで、マトリックス樹脂単体よりも誘電正接をさらに低減できることが示された。これは、酸化マグネシウムの比表面積が小さいことで、酸化マグネシウムの表面に存在する水酸基の影響やそれによる吸湿性（吸水性）を抑制でき、結果として酸化マグネシウムの低誘電正接特性が効果的に発揮されたためと考えられる。
特に、比表面積が小さく、表面処理が施された酸化マグネシウムを含有する樹脂組成物が最も誘電正接が低いことが示された。これは、表面処理を施すことで、酸化マグネシウム粒子表面に存在する水酸基の影響やそれによる吸湿性（吸水性）をさらに抑制できるためと考えられる。
このような樹脂組成物であれば、例えば回路基板材料として用いる際に、誘電損失をさらに低減できる。

一方で、比較例１～２のように、比表面積の大きい酸化マグネシウムを含有する場合は樹脂組成物の誘電正接の値がマトリックス樹脂単体よりも増大した。これは酸化マグネシウム表面の水酸基の影響やそれによる吸湿性が増大したためと考えられる。

Claims (8)

1. 環状ポリオレフィン樹脂と、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である酸化マグネシウムとを含有し、１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０３未満である樹脂組成物。
2. 前記樹脂組成物１００質量％中に、前記酸化マグネシウムを５質量％以上８０質量％以下含有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記酸化マグネシウムの平均二次粒子径が０．５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. 前記環状ポリオレフィン樹脂が、ポリオレフィンの側鎖に脂環式構造を有する樹脂である、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
5. 前記環状ポリオレフィン樹脂が、重合体の主鎖に脂環式構造を有する樹脂である、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
6. ＪＩＳ Ｋ７２０９に基づいて測定される、２３℃、２４時間吸水後の吸水率が０．３％未満である、請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる樹脂シート。
8. 請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる絶縁層と、導体とを積層してなる回路基板材料。