JP2023031983A - 液晶装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】イオン性不純物によるシミやムラを抑制できる液晶装置を提供する。【解決手段】液晶装置１００は、表示領域Ｅに設けられ、液晶を構成する液晶分子５０ａを駆動するための電位が印加される第１電極としての画素電極９ａ及び第２電極としての対向電極２１と、表示領域Ｅの外側の周辺領域Ｆに設けられ、第１方向である＋Ｘ方向のＸ軸方向に沿って延在する辺に対応する第１部分と、第１方向と交差する第２方向である＋Ｙ方向に沿って延在する辺に対応する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、液晶分子５０ａは、画素電極９ａ及び対向電極２１への電位無印加時において、第１方向及び第２方向と交差する第３方向である配向方向Ｙ１に沿って配向されており、第３電極１０８は、第１部分１０８ａと第２部分１０８ｂとの交差領域Ｆ１において、表示領域Ｅ側が切りかかれている。【選択図】図１

Description

本発明は、液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器に関する。

液晶装置に光が入射すると、当該入射光と、液晶材料または配向層との光化学反応によって、様々なイオン性不純物が発生することがある。また、液晶装置の製造過程で用いられる材料や装置などからイオン性不純物が液晶層に混じるおそれもある。

液晶層中のイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱によって表示領域に拡散したり、部分的に凝集したりすると、表示において、例えばシミやムラとして認識され、表示特性の劣化を招くことが知られている。

このようなイオン性不純物による不具合を改善するため、例えば、特許文献１には、表示領域とシール材との間に、第１電極と第２電極とを設け、当該第１電極と第２電極とに交流信号を印加することによって、液晶層中のイオン性不純物を、表示領域から周辺領域に引き寄せて捕集する技術が記載されている。

特開２０１８－１２４３１０号公報

周辺領域に捕集されたイオン性不純物は、液晶装置への通電がオフになった際、再び表示領域へ拡散して、シミやムラの原因となる。この点について特許文献１では、通電オフ時の表示領域へのイオン性不純物の再拡散は、第１電極と第２電極とを覆う無機配向膜によって抑制される、としている。
しかしながら、特許文献１の技術には改良の余地があり、さらなる表示特性の向上が求められている。つまり、イオン性不純物によるシミやムラを抑制できる液晶装置が求められている。

本開示の一態様における液晶装置は、表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、前記表示領域の外側に設けられ、第１方向に沿って延在する第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向に沿って配向されており、前記第３電極は、前記第１部分と前記第２部分との交差領域において、前記表示領域側が切りかかれている。

本開示の一態様における液晶装置は、表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、前記表示領域の外側に設けられ、第１方向に沿って延在する第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向に沿って配向されており、前記第１部分のうち、前記表示領域の前記第３方向にある角部に沿う第１領域と前記表示領域との間隔が、前記第１部分のうち前記第１領域以外の第２領域と前記表示領域との間隔よりも広い。

本開示の一態様における液晶装置は、表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、前記表示領域の外側の領域において、前記表示領域の第１辺に沿って設けられる第３電極と、前記表示領域の外側の領域において、前記第１辺に交差する前記表示領域の第２辺に沿って設けられる第４電極と、を備え、前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１辺が延びる方向である第１方向及び前記第２辺が延びる方向である第２方向と交差する第３方向に沿って配向され、前記第１辺と前記第２辺とに挟まれた前記表示領域の角部が、前記表示領域における前記第３方向にある角部である場合、前記第３電極は、前記第２辺から延在する第２延在線と重ならないように設けられ、前記第４電極は、前記第１辺から延在する第１延在線と重ならないように設けられている。

本開示の一態様における電子機器は、上記記載の液晶装置を備える。

実施形態１にかかる液晶装置の概略的な構成を示す平面図。 図１のＨ－Ｈ’線に沿った断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 無機配向層の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図。 液晶分子の挙動を示す説明図。 液晶装置の通電時におけるイオン性不純物の挙動を示す説明図。 液晶装置の通電オフ時におけるイオン性不純物の挙動を示す説明図。 比較例に係る液晶装置において、通電時におけるイオン性不純物の挙動を示す説明図。 比較例に係る液晶装置において、通電オフ時におけるイオン性不純物の挙動を示す説明図。 実施形態２にかかる液晶装置の概略的な構成を示す平面図。 実施形態３にかかる液晶装置の概略的な構成を示す平面図。 実施形態４にかかる電子機器としての投射型表示装置の概略構成図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
ここで、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。また、以下の各図において、必要に応じて、相互に直交する座標軸としてＸＹＺ軸を付し、各図において、軸に沿った各矢印が指す方向を＋方向とし、＋方向と反対の方向を－方向とする。なお、＋Ｘ方向を第１方向、＋Ｙ方向を第２方向という。また、＋Ｚ方向を上方、－Ｚ方向を下方ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的という。さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。

１．実施形態１
図１は、液晶装置を、対向基板側から見た平面図である。
本実施形態では、液晶装置１００として、画素ごとに画素スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置１００を例に挙げて説明する。この液晶装置１００は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置１０００において、光変調装置として好適に用いることができるものである。

１．１．液晶装置の概要
図１に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とを備える。なお、破線で示す対向基板２０の外縁の内側において、実線で記載された構成は、いずれも、対向基板２０と素子基板１０との間に設けられた構成である。
シール材６０は、対向基板２０と素子基板１０との間において、対向基板２０の外縁に沿って枠状に設けられている。シール材６０は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材を含んでいる。

表示領域Ｅは、マトリクス状に配置された画素Ｐを有する。表示領域Ｅの形状は、長方形であり、図１において、長辺がＸ軸に沿って配置され、短辺がＹ軸に沿って配置される。
素子基板１０と対向基板２０との間には、後述する液晶層５０が配置される。素子基板１０において、液晶層５０側の面には、第１配向層１８が配置され、対向基板２０において、液晶層５０側の面には、第２配向層２２が配置される。

表示領域Ｅの外側の領域であって、表示領域Ｅとシール材６０との間は、遮光された周辺領域Ｆとなっている。周辺領域Ｆは、後述する見切り部２４や図示しない遮光部材によって遮光されており、図示しない走査線駆動回路が配置される。
シール材６０の外側の素子基板１０の対向基板２０から図面下側に張り出した部分には、データ線駆動回路１０１、と複数の外部端子１０４とが配置される。
対向基板２０の４つの角部と重なる位置には、素子基板１０と対向基板２０との電気的な導通を取るための、基板間導通部１０６が配置される。

第１配向層１８と第２配向層２２とは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの無機材料を、斜め蒸着法によって形成した斜方蒸着層を含む。第１配向層１８の斜め蒸着方向は、素子基板１０側では、表示領域Ｅの表示面において矢印Ｙ２で示す方向であって、図面右上から左下に向かって、Ｙ軸と角度βで交差する方向であり、対向基板２０側では、表示領域Ｅの表示面において、矢印Ｙ１で示す方向であって、図面左下から右上に向かって、Ｙ軸と角度αで交差する方向である。角度α，βは、例えば４５度である。なお、図１に示す斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。また、角度α，βは、図１に示す角度に限定されない。なお、矢印Ｙ１で示す方向は、第３方向の一例である。

液晶層５０に電界が印加されると、後述する液晶を構成する液晶分子５０ａに挙動ないし振動が生じ、液晶層５０内に、矢印Ｙ１，Ｙ２で示す斜め方向の流れが生じる。そして、液晶層５０に負極性または正極性のイオン性不純物が含まれていると、当該イオン性不純物は、液晶層５０内の流れによって、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に向かって移動し、角部Ｃ１，Ｃ２の辺りで凝集する。ここで、イオン性不純物が、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に凝集する理由は、遮光されている周辺領域Ｆにおけるイオン性不純物の移動度が、光が照射されている表示領域Ｅの移動度よりも低いことによって、周辺領域Ｆの手前の角部Ｃ１およびＣ２で、イオン性不純物が停滞しやすくなるため、と考えられる。

そして、角部Ｃ１，Ｃ２に、イオン性不純物が凝集することによって、角部Ｃ１，Ｃ２に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、表示のムラやシミとして観測される。

第３電極１０８は、周辺領域Ｆにおいて、表示領域Ｅの外周を囲うように設けられている。第３電極１０８は、外部端子１０４に電気的に接続され、外部から直流電位が供給される。第３電極１０８は、当該直流電位により生じる電界によってイオン性不純物を第３電極１０８に引き寄せ、捕捉するイオントラップ電極として機能する。

直流電位として、例えば、後述する共通電位より高い正極性電位を印加する場合、液晶層５０に含まれる負極性のイオン性不純物が、第３電極１０８に引き寄せられ、捕捉され、正極性のイオン性不純物が、第３電極１０８から遠ざけられる。他方、直流電位として、共通電位より低い負極性電位を印加する場合は、正極性のイオン性不純物が、第３電極１０８に引き寄せられ、捕捉され、負極性のイオン性不純物が、第３電極１０８から遠ざけられる。

第３電極１０８は、第１方向であるＸ軸方向に沿って延在する辺に対応する第１部分１０８ａと、第２方向であるＹ軸方向に沿って延在する辺に対応する第２部分１０８ｂと、第１部分１０８ａと第２部分１０８ｂとの交差領域Ｆ１において、表示領域Ｅ側が切りかかれた第３部分１０８ｃを備える。

第３部分１０８ｃは、第１部分１０８ａと第２部分１０８ｂの一部であって、第１部分１０８ａに属する第１領域１０８ａ１と、第２部分１０８ｂに属する第３領域１０８ｂ１とを含む。
第１部分１０８ａのうち、第１領域１０８ａ１を除く幅広の部分が、第２領域１０８ａ２である。第２部分１０８ｂのうち、第３領域１０８ｂ１を除く幅広の部分が、第４領域１０８ｂ２である。

第３部分１０８ｃは、第１部分１０８ａおよび第２部分１０８ｂにおいて、表示領域Ｅの角部Ｃ１に対応する部分である。第３電極１０８において、表示領域Ｅの他の３つの角部Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に沿う側も、角部Ｃ１と同様に、切り欠かれている。
ここで、周辺領域Ｆにおいて、表示領域Ｅの長辺から延在する第１延在線ｈ１と、表示領域Ｅの短辺から延在する第２延在線ｈ２とに挟まれた領域を周辺領域Ｆ１とし、長辺と第２延在線ｈ２とに挟まれた領域を周辺領域Ｆ２とし、短辺と第１延在線ｈ１とに挟まれた領域を周辺領域Ｆ３とすると、交差領域Ｆ１は周辺領域Ｆ１に対応する。

第３電極１０８の第３部分１０８ｃと第１部分１０８ａとの表示領域Ｅ側の境界Ｂ１，第３電極１０８の第３部分１０８ｃと第２部分１０８ｂとの表示領域Ｅ側の境界Ｂ２は、長辺側の境界Ｂ１および短辺側の境界Ｂ２のいずれとも、周辺領域Ｆ１に位置していない。すなわち、第３電極１０８の切り欠かれた部分において、第３部分１０８ｃと第１部分１０８ａとの表示領域Ｅの長辺側の境界Ｂ１は、周辺領域Ｆ２に設けられ、第３部分１０８ｃと第２部分１０８ｂとの表示領域Ｅの短辺側の境界Ｂ２は、周辺領域Ｆ３に設けられている。

第１部分１０８ａの第１領域１０８ａ１の幅ｗ１は、第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２の幅ｗ２よりも狭く、第１領域１０８ａ１と表示領域Ｅとの間隔ｓ１は、第２領域１０８ａ２と表示領域Ｅとの間隔ｓ２よりも広い。なお、間隔ｓ３は、矢印Ｙ１に沿った方向において、表示領域Ｅの角部Ｃ１の頂点と、第３電極１０８の第３部分１０８ｃとの間隔であり、当該間隔ｓ３は、間隔ｓ１よりも広い。また、第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２の幅は、第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２の幅ｗ２と同じであり、第２部分１０８ｂの第３領域１０８ｂ１の幅は、第１部分１０８ａの第１領域１０８ａ１の幅ｗ１と同じある。また、第２部分１０８ｂの第３領域１０８ｂ１および第４領域１０８ｂ２と表示領域Ｅとの間隔も、第１部分１０８ａの間隔ｓ１，ｓ２と同じである。

このように、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２との間が、広く空いているため、表示領域の角部Ｃ１，Ｃ２周辺では、第３部分１０８ｃに生じる電界による影響が、第１部分１０８ａに生じる電界よる影響よりも弱まる。よって、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２周辺に集まったイオン性不純物は、角部Ｃ１，Ｃ２から第３部分１０８ｃに引き寄せられにくくなる。

また、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２との間が、広く空いているため、通電オフ時において、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに引き寄せられ、捕捉されたイオン性不純物は、まず、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間の広く空いている部分に拡散し、その多くが、当該広く空いている部分に留まるため、表示領域Ｅにまで拡散するイオン性不純物の量を減らすことができる。
よって、通電オフ時におけるイオン性不純物の表示領域Ｅへの再拡散を低減することができる。

１．２．液晶装置の断面構成の概要
図２は、図１のＨ－Ｈ’線に沿った液晶装置の概略的な構成を示す断面図である。
図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とが、その外縁においてシール材６０によって貼り合わされ、素子基板１０と対向基板２０とシール材６０とに囲まれた空間に充填された液晶層５０を有する。

素子基板１０は、その基板１０ｗと液晶層５０との間に、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極９ａと、第３電極１０８と、画素電極９ａと第３電極１０８とを覆って配置された第１配向層１８とを備える。画素電極９ａは、第１電極の一例である。

対向基板２０は、その基板２０ｗと液晶層５０との間に、見切り部２４と、絶縁層２５と、対向電極２１と、対向電極２１を覆って配置された第２配向層２２とを備える。対向電極２１は、第２電極の一例である。

見切り部２４は、遮光性の材料からなる遮光層であり、周辺領域Ｆにおいて、表示領域Ｅを取り囲み、平面視で、第３電極１０８、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間の広く空いている部分、走査線駆動回路や検査回路などの周辺領域Ｆに配置される回路などと重なる位置に設ける。この見切り部２４によって、対向基板２０側から入射される光Ｌが遮蔽されて、回路の誤動作が防止される。

画素電極９ａと対向電極２１とは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料によって形成される。基板１０ｗと基板２０ｗは、それぞれ透光性を有する基板であり、例えば、ガラス基板、または、石英基板が用いられる。
液晶層５０は、例えば、負の誘電異方性を有するネマティック液晶からなる。当該液晶を構成する液晶分子５０ａは、画素電極９ａと対向電極２１との間に、駆動電圧が印加されていない電圧無印加時、すなわち、画素電極９ａ及び対向電極２１への電位無印加時において、第１配向層１８および第２配向層２２の法線方向に対して、所定のプレチルト角度を有して、略垂直になるように配向（ＶＡ；Vertical Alignment）している。また、液晶装置１００の光の入射側と射出側とには、それぞれ図示しない偏光素子が配置される。

１．３．画素回路の概要
図３は、表示領域Ｅの電気的な構成を示す等価回路図である。
液晶装置１００の表示領域Ｅには、走査線３とデータ線６と容量線８とが配置されている。走査線３とデータ線６との交差に対応して、画素Ｐが位置する。画素Ｐは、画素電極９ａとＴＦＴ（thin film transistor）３０と容量素子１６とを備える。容量素子１６の一方の電極は、画素電極９ａに電気的に接続され、他方の電極は、容量線８に電気的に接続される。ＴＦＴ３０のゲート電極は走査線３に電気的に接続され、ソース電極はデータ線６に電気的に接続され、ドレイン電極は画素電極９ａが接続される。

複数の走査線３には、走査線駆動回路からの走査信号が、所定の順番で供給される。同じ走査線３に電気的に接続された複数の画素Ｐは、同じ走査信号によって、一斉にオンまたはオフに制御される。
複数のデータ線６には、データ線駆動回路１０１から画像信号が所定の順番で供給され、走査信号で選択された画素Ｐの画素電極９ａに、画像信号が供給される。画像信号は、表示する階調に応じて液晶分子５０ａを駆動するアナログ電圧信号であり、対向電極２１に供給される共通電位との電位差に応じた駆動電圧によって、液晶を構成する液晶分子５０ａを駆動する。言い換えると、画素電極９ａには、対向電極２１に供給される共通電位に対して、表示される階調に応じた電位差となるような駆動電位が印加される。なお、画像信号は、デジタル電圧信号であってもよい。

１．４．配向層の概要
図４Ａは、図１の液晶装置における無機配向層の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図である。
画素電極９ａおよび対向電極２１の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法によって斜め蒸着して得られた第１配向層１８および第２配向層２２が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した基板面１０ｓ，２０ｓに対する蒸着方向の角度γはおよそ４５°である。なお、基板面１０ｓ，２０ｓの法線方向から見た蒸着方向は、図１に示すように、矢印Ｙ１，Ｙ２で示す方向である。

図４Ａにおいて、このような斜め蒸着によって基板面１０ｓ，２０ｓには蒸着方向に向って酸化シリコンの結晶体が柱状に成長する。この柱状結晶体をカラム１８ａ，２２ａと呼ぶ。第１配向層１８は、カラム１８ａの集合体であり、第２配向層２２は、カラム２２ａの集合体である。
基板面１０ｓ，２０ｓに対するカラム１８ａ，２２ａの角度δは、蒸着方向の角度γと必ずしも一致しなくてもよい。なお、カラム１８ａ，２２ａの基板面１０ｓ，２０ｓの法線方向から見た方位角方向は、図１において矢印Ｙ１，Ｙ２で示す蒸着方向と同じである。

図４Ａにおいて、画素電極９ａと対向電極２１との間に駆動電圧が印加されていない電圧無印加時における液晶分子５０ａのプレチルト角ρはおよそ８５°である。また、基板面１０ｓ，２０ｓの法線方向から見た液晶分子５０ａのプレチルトの方向、すなわち、プレチルトの方位角方向は、図１において、矢印Ｙ１，Ｙ２で示す第１配向層１８および第２配向層２２の蒸着方向と同じである。

図４Ｂは、液晶を構成する液晶分子の挙動を示す説明図である。
画素電極９ａと対向電極２１との間に、駆動電圧を印加すると、液晶分子５０ａがプレチルトの方位角方向に倒れ、高い透過率が得られ、駆動電圧の印加をオフすると、初期の配向状態に戻る。このように、液晶層５０の駆動、すなわち、駆動電圧のＯＮ／ＯＦＦを繰り返すと、液晶分子５０ａはプレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。

このような液晶分子５０ａの挙動によって、液晶層５０内に、図１において矢印Ｙ１，Ｙ２で示す方向の流れが生じる。そして、液晶層５０内のイオン性不純物は、液晶層５０内の流れに沿って、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に向かって移動し、角部Ｃ１，Ｃ２の辺りで凝集する。

１．５．イオン性不純物の挙動の概要
次に、液晶装置の通電時と、通電オフ時におけるイオン性不純物の挙動について、説明する。
図５Ａは、通電時において、第３電極に引き寄せられ、捕捉されるイオン性不純物の挙動を示す説明図であり、図５Ｂは、通電オフ時において、表示領域に再拡散するイオン性不純物の挙動を示す説明図である。

図５Ａにおいて、イオン性不純物ｖは、矢印Ｙ１，Ｙ２で示す液晶層５０内に生じた流れによって、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に移動する。角部Ｃ１，Ｃ２に移動したイオン性不純物ｖは、第３電極１０８に生じる電界の影響を受ける。そして、上述したように、第３電極１０８に正極性の電位が印加される場合、マイナス電荷を持った負極性のイオン性不純物ｖが、第３電極１０８に引き寄せられ、捕捉される。

第３電極１０８の第３部分１０８ｃに生じる電界を矢印Ｄ１ａ，Ｄ２ａで示し、第１部分１０８ａのうち第２領域１０８ａ２に生じる電界を矢印Ｄ１ｂ、対向する長辺の第２領域１０８ａ２に生じる電界を矢印Ｄ２ｂで示し、第２部分１０８ｂのうち第４領域１０８ｂ２に生じる電界を矢印Ｄ１ｃ、対向する短辺の第４領域１０８ｂ２に生じる電界を矢印Ｄ２ｃで示す。なお、電界Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ１ｃ，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂ，Ｄ２ｃは、いずれも同じ強さの電界である。

第３電極１０８の第１部分１０８ａに生じる電界Ｄ１ｂ，Ｄ１ｃは、表示領域Ｅの角部Ｃ１と重なっているが、第３部分１０８ｃに生じる電界Ｄ１ａは、角部Ｃ１と重なっていない。このことから、表示領域Ｅの角部Ｃ１において、電界Ｄ１ａによる影響は、電界Ｄ１ｂ、Ｄ１ｃによる影響よりも小さい。よって、角部Ｃ１のイオン性不純物ｖは、第３部分１０８ｃよりも第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２や第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２に多く引き寄せられて、捕捉される。角部Ｃ２においても同様に、イオン性不純物ｖは、第３部分１０８ｃよりも第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２や第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２に多く引き寄せられて、捕捉される。

通電オフ時には、図５Ｂに示すように、第３電極１０８の電界Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ、Ｄ１ｃが消失するため、イオン性不純物ｖは時間とともに拡散する。
第３電極１０８の第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２や第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２に捕捉されたイオン性不純物ｖは、第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２と表示領域Ｅとの間の周辺領域Ｆや第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２と表示領域Ｅとの間の周辺領域Ｆを超えて表示領域Ｅに拡散している。他方、第３部分１０８ｃに捕捉されたイオン性不純物ｖは、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間において、第３電極１０８が切り欠かれて広く空いた部分に拡散しているものがあるが、表示領域Ｅにまで拡散しているものは、ほとんどない。

図６Ａと図６Ｂは、比較例に係る液晶装置のイオン性不純物の挙動を示す説明図であり、図６Ａは、通電時における周辺電極に引き寄せられ、捕捉されるイオン性不純物の挙動を示す説明図であり、図６Ｂは、通電オフ時において、表示領域に再拡散するイオン性不純物の挙動を示す説明図である。
比較例に係る液晶装置５００において、イオントラップ電極である周辺電極１０９には、切り欠かれた部分は設けられていない。
図６Ａに示すように、通電時には、本実施形態と同様に、イオン性不純物ｖは、矢印Ｙ１，Ｙ２で示す液晶層５０内に生じた流れによって、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に移動する。

周辺電極１０９の角部１０９ａに生じる電界Ｇ１ａは、表示領域Ｅの角部Ｃ１と重なっており、角部Ｃ１では、電界Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ，Ｇ１ｃの影響を同様に受ける。よって、角部Ｃ１のイオン性不純物ｖは、周辺電極１０９の角部１０９ａに引き寄せられて、捕捉される。角部Ｃ２においても同様に、イオン性不純物ｖは、電界Ｇ２ａ，Ｇ２ｂ，Ｇ２ｃの影響を受けて、周辺電極１０９の角部１０９ａに引き寄せられて、捕捉される。

通電オフ時には、図６Ｂに示すように、周辺電極１０９の電界Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ、Ｇ１ｃ，Ｇ２ａ，Ｇ２ｂ，Ｇ２ｃが消失するため、イオン性不純物ｖは時間とともに拡散する。周辺電極１０９の角部１０９ａに捕捉されたイオン性不純物ｖは、周辺電極１０９と表示領域Ｅとの間の周辺領域Ｆの幅が狭いため、周辺領域Ｆを超えて表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に再拡散している。

以上、述べたとおり、本実施形態の液晶装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態における液晶装置１００は、表示領域Ｅに設けられ、液晶を構成する液晶分子５０ａを駆動するための電位が印加される第１電極としての画素電極９ａ及び第２電極としての対向電極２１と、表示領域Ｅの外側の周辺領域Ｆに設けられ、第１方向である＋Ｘ方向のＸ軸方向に沿って延在する辺に対応する第１部分と、第１方向と交差する第２方向である＋Ｙ方向に沿って延在する辺に対応する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、液晶分子５０ａは、画素電極９ａ及び対向電極２１への電位無印加時において、第１方向及び第２方向と交差する第３方向である配向方向Ｙ１に沿って配向されており、第３電極１０８は、第１部分１０８ａと第２部分１０８ｂとの交差領域Ｆ１において、表示領域Ｅ側が切りかかれている。

この構成によれば、第３電極１０８は、第１部分１０８ａと第２部分１０８ｂとの交差領域Ｆ１において、表示領域Ｅ側が切りかかれている。
すなわち、第３電極１０８が切りかかれることによって、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２との間が、広く空いている。このため、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２では、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに生じる電界Ｄ１ａ，Ｄ２ａによる影響が弱くなり、イオン性不純物ｖは、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに引き寄せられにくくなる。

さらには、通電オフ時において、当該切り欠かれた部分の第３電極１０８の第３部分１０８ｃに捕集されたイオン性不純物ｖは、電界Ｄ１ａ，Ｄ２ａの消失によって拡散するが、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間が、広く空いているため、イオン性不純物ｖは、まず、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間の広く空いた周辺領域Ｆに拡散するので、表示領域Ｅにまで拡散するイオン性不純物ｖの量を減らすことができる。
よって、通電オフ時におけるイオン性不純物ｖの表示領域Ｅへの再拡散を低減することができる。したがって、表示特性の劣化を抑制できる液晶装置１００を提供することができる。

液晶装置１００において、第１部分１０８ａは、表示領域Ｅの第３方向である配向方向Ｙ１における角部Ｃ１に沿う第１領域１０８ａ１と、第１部分１０８ａのうち第１領域１０８ａ１以外の第２領域１０８ａ２と、を有し、第１領域１０８ａ１の幅は、第２領域１０８ａ２の幅よりも狭い。
この構成によれば、第１領域１０８ａ１の幅ｗ１を第２領域１０８ａ２の幅ｗ２よりも狭くすることで、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間を広く空けているため、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間を広く空けた構成としても、周辺領域Ｆの幅が広がることがなく、液晶装置１００の基板サイズが大きくなることがない。

液晶装置１００において、第２部分１０８ｂは、表示領域Ｅの第３方向である配向方向Ｙ１における角部Ｃ１に沿う第３領域１０８ｂ１と、第２部分１０８ｂのうち第３領域１０８ｂ１以外の第４領域１０８ｂ２と、を有し、第３領域１０８ｂ１の幅ｗ１は、第４領域１０８ｂ２の幅ｗ２よりも狭い。
この構成によれば、第３領域１０８ｂ１の幅ｗ２を第４領域１０８ｂ２の幅ｗ２よりも狭くすることで、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間を広く空けているため、第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間を広く空けた構成としても、周辺領域Ｆの幅が広がることがなく、液晶装置１００の基板サイズが大きくなることがない。

本実施形態における液晶装置１００は、表示領域Ｅに設けられ、液晶を構成する液晶分子５０ａを駆動するための電位が印加される第１電極としての画素電極９ａ及び第２電極としての対向電極２１と、表示領域Ｅの外側の周辺領域Ｆに設けられ、第１方向である＋Ｘ方向のＸ軸方向に沿って延在する辺に対応する第１部分と、第１方向と交差する第２方向である＋Ｙ方向に沿って延在する辺に対応する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、液晶分子５０ａは、画素電極９ａ及び対向電極２１への電位無印加時において、第１方向及び第２方向と交差する第３方向である配向方向Ｙ１に沿って配向されており、第１部分１０８ａのうち、表示領域Ｅの第３方向である配向方向Ｙ１にある角部Ｃ１に沿う第１領域１０８ａ１と表示領域Ｅとの間隔ｓ１が、第１部分１０８ａのうち第１領域１０８ａ１以外の第２領域１０８ａ２と表示領域Ｅとの間隔ｓ２よりも広い。

この構成によれば、第１部分１０８ａの第１領域１０８ａ１と表示領域Ｅとの間隔ｓ１が、第１部分１０８ａの第２領域１０８ａ２と表示領域Ｅとの間隔ｓ２よりも広いため、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２において、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに生じる電界Ｄ１ａ，Ｄ２ａによる影響が弱まる。よって、イオン性不純物ｖは、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に引き寄せられにくくなる。

さらには、通電オフ時において、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに捕集されたイオン性不純物ｖは、電界Ｄ１ａ，Ｄ２ａの消失によって拡散をはじめるが、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間が、広く空いているため、イオン性不純物ｖは、まず、第３電極１０８の第３部分１０８ｃと表示領域Ｅとの間の広く空いた周辺領域Ｆに拡散するので、表示領域Ｅにまで拡散するイオン性不純物ｖの量を減らすことができる。
よって、通電オフ時におけるイオン性不純物ｖの表示領域Ｅへの再拡散を低減することができる。したがって、表示特性の劣化を抑制できる液晶装置１００を提供することができる。

液晶装置１００において、第３電極１０８の第１部分１０８ａにおける第１領域１０８ａ１と第２領域１０８ａ２との表示領域側の境界Ｂ１は、表示領域Ｅの外側において、表示領域Ｅの第１辺である長辺と、第１辺に交差する表示領域の第２辺である短辺から延在する第２延在線ｈ２と、に接する領域Ｆ２に位置する。

この構成によれば、境界Ｂ１は、周辺領域Ｆにおいて、第１延在線ｈ１と第２延在線ｈ２とに接する領域Ｆ１に位置しないため、第１部分１０８ａの第１領域１０８ａ１の長さを長くすることができる。すなわち、第３電極１０８の第１部分１０８ａにおいて、第１領域１０８ａ１の長さを長く確保することができる。よって、第３部分１０８ｃに捕集されるイオン性不純物ｖの量を減らすことができるとともに、通電オフ時において、第３部分１０８ｃから表示領域Ｅに拡散するイオン性不純物ｖの量も減らすことができる。

また、液晶装置１００において、第３電極１０８の第２部分１０８ｂは、表示領域Ｅの第３方向である配向方向Ｙ１における角部Ｃ１に沿う第３領域１０８ｂ１と、第２部分１０８ｂのうち第３領域１０８ｂ１以外の第４領域１０８ｂ２と、を有し、第２部分１０８ｂのうち、第３領域１０８ｂ１と表示領域Ｅとの間隔ｓ１が、第４領域１０８ｂ２と表示領域Ｅとの間隔ｓ２よりも広い。

この構成によれば、第２部分１０８ｂの第３領域１０８ｂ１と表示領域Ｅとの間隔ｓ１が、第２部分１０８ｂの第４領域１０８ｂ２と表示領域Ｅとの間隔ｓ２よりも広いため、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２において、第３電極１０８の第３部分１０８ｃに生じる電界Ｄ１ａ，Ｄ２ａによる影響が弱まる。よって、イオン性不純物ｖは、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に引き寄せられにくくなる。

また、第３電極１０８の第２部分１０８ｂにおける第３領域１０８ｂ１と第４領域１０８ｂ２との表示領域Ｅ側の境界Ｂ２は、表示領域Ｅの外側において、表示領域Ｅの第１辺である長辺から延在する第１延在線ｈ１と、表示領域Ｅの第２辺である短辺と、に接する領域Ｆ３に位置する。
この構成によれば、境界Ｂ２は、周辺領域Ｆにおいて、第１延在線ｈ１と第２延在線ｈ２とに接する領域Ｆ１に位置しないため、第２部分１０８ｂの第３領域１０８ｂ１の長さを長く確保することができる。すなわち、第３電極１０８の第３部分１０８ｃの長さを長く確保することができる。よって、第３部分１０８ｃに捕集されるイオン性不純物ｖの量を減らすことができるとともに、通電オフ時において、第３部分１０８ｃから表示領域Ｅに拡散するイオン性不純物ｖの量も減らすことができる。

液晶装置１００は、表示領域Ｅの外側に設けられ、平面視において、第３電極１０８と重なる遮光層としての見切り部２４を備える。

２．実施形態２
図７は、液晶装置を、対向基板側から見た平面図である。
本実施形態の液晶装置２００は、イオントラップ電極である第３電極２０８の４つのコーナーのうち、表示領域Ｅの角部Ｃ１，Ｃ２に対応する部分のみが切り欠かれ、角部Ｃ３，Ｃ４に対応する部分が切り欠かれていない点で、実施形態１の第３電極１０８と異なる。なお、以下の説明では、実施形態１と同一の構成には同一の符号を使用して、重複する説明は省略する。

本実施形態の液晶装置２００によれば、実施形態１の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
液晶装置２００において、第３電極２０８は、画素Ｐへの駆動電圧の無印加時における液晶層５０の配向方向Ｙ１，Ｙ２と交差する方向に対応する表示領域Ｅの角部Ｃ３，Ｃ４に沿う側が、切り欠かれていない。

この構成によれば、表示領域Ｅの角部Ｃ３，Ｃ４では、上述した比較例と同様に、第３電極２０８からの電界の影響を強く受けるため、液晶層５０に含まれるイオン性不純物を、確実に、第３電極２０８に引き寄せ、捕捉することができる。したがって、表示領域Ｅの角部Ｃ３，Ｃ４でのシミやムラの発生を確実に抑制することができる。

３．実施形態３
図８は、液晶装置を、対向基板側から見た平面図である。
本実施形態の液晶装置３００は、イオントラップ電極が、第３電極３０８ａ，第４電極３０８ｂ，第５電極３０８ｃ，第６電極３０８ｄに分かれている点で、実施形態１の第３電極１０８および実施形態２の第３電極２０８と異なる。なお、以下の説明では、実施形態１，２と同一の構成には同一の符号を使用して、重複する説明は省略する。

第３電極３０８ａ，第４電極３０８ｂ，第５電極３０８ｃ，第６電極３０８ｄは、それぞれ、平面視で長方形の形状に設けられている。第３電極３０８ａの短辺Ｍ１は、周辺領域Ｆ２に位置しており、第４電極３０８ｂの短辺Ｍ２は、周辺領域Ｆ３に位置しており、第３電極３０８ａおよび第４電極３０８ｂのいずれとも、周辺領域Ｆ１に位置していない。同様に、第３電極３０８ａ，第４電極３０８ｂ，第５電極３０８ｃ，第６電極３０８ｄのいずれの短辺も、周辺領域Ｆの四隅の周辺領域Ｆ１に対応する領域に位置していない。すなわち、第３電極３０８ａは、第２延在線ｈ２と重ならないように設けられ、第４電極３０８ｂは、第１延在線ｈ１と重ならないように設けられている。

第３電極３０８ａと第４電極３０８ｂとは、同じ外部端子１０４に接続され、同じ極性の直流電位が供給される。第５電極３０８ｃと第６電極３０８ｄとは、同じ外部端子１０４に接続され、同じ極性の直流電位が供給される。

配向方向Ｙ１に対応する表示領域Ｅの角部Ｃ１を挟むように配置される第３電極３０８ａと第４電極３０８ｂとに、同じ極性の直流電位を印加することで、第３電極３０８ａと第４電極３０８ｂとに、異なる極性の直流電位を印加するよりも、シミやムラの抑制効果を高めることができる。同様に、配向方向Ｙ２に対応する表示領域Ｅの角部Ｃ２を挟むように配置される第５電極３０８ｃと第６電極３０８ｄとに、同じ極性の直流電位を印加することで、異なる極性の直流電位を印加するよりも、シミやムラの抑制効果を高めることができる。

液晶層５０に含まれるイオン性不純物は、負極性のイオン性不純物と正極性のイオン性不純物とが、同じような濃度で存在するのではなく、どちらか一方の極性のイオン性不純物の濃度が高いと考えられている。例えば、シール材６０から負極性のイオン性不純物が、液晶層５０中に溶け出して、負極性のイオン性不純物の濃度が高くなる場合がある。

この場合、第３電極３０８ａと第４電極３０８ｂとに同じ正極性の直流電位を印加することで、液晶層５０中の負極性のイオン性不純物を効率よく、第３電極３０８ａ，第４電極３０８ｂに引き寄せ、捕捉することができる。よって、シミやムラの抑制効果を高めることができる。

他方、第３電極３０８ａに正極性の直流電位を印加し、第４電極３０８ｂに負極性の直流電位を印加した場合、負極性のイオン性不純物を引き寄せるイオントラップ電極が片方のみになるため、捕捉される負極性のイオン性不純物の量が減る。よって、シミやムラの抑制効果が低下する。さらには、正極性の直流電位が印加される第４電極３０８ｂの電界によって、負極性のイオン性不純物が、表示領域Ｅに押しやられて、シミやムラの原因となってしまう。

なお、第３電極３０８ａおよび第４電極３０８ｂ、第５電極３０８ｃおよび第６電極３０８ｄに供給する直流電位の極性を異ならせるとともに、定期的に、第３電極３０８ａおよび第４電極３０８ｂ、第５電極３０８ｃおよび第６電極３０８ｄに印加する直流電位の極性を入れ替えることで、焼き付きの発生を抑えることができる。

本実施形態の液晶装置３００によれば、実施形態１，２の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
本実施形態における液晶装置３００は、表示領域Ｅに設けられ、液晶を構成する液晶分子５０ａを駆動するための電位が印加される第１電極としての画素電極９ａ及び第２電極としての対向電極２１と、表示領域Ｅの外側の領域である周辺領域Ｆにおいて、表示領域Ｅの第１辺である長辺に沿って設けられる第３電極３０８ａと、表示領域Ｅの外側の領域である周辺領域Ｆにおいて、第１辺としての長辺に交差する表示領域Ｅの第２辺としての短辺に沿って設けられる第４電極３０８ｂと、を備え、液晶分子５０ａは、第１電極としての画素電極９ａ及び第２電極としての対向電極２１への電位無印加時において、第１辺である長辺が延びる方向である第１方向として＋Ｘ方向及び第２辺である短辺が延びる方向である第２方向としての＋Ｙ方向と交差する第３方向としての配向方向Ｙ１に沿って配向され、第１辺と第２辺とに挟まれた表示領域Ｅの角部Ｃ１が、表示領域Ｅにおける第３方向としての配向方向Ｙ１にある角部Ｃ１である場合、第３電極３０８ａは、第２辺から延在する第２延在線ｈ２と重ならないように設けられ、第４電極３０８ｂは、第１辺から延在する第１延在線ｈ１と重ならないように設けられている。

この構成によれば、第３電極３０８ａは、第２辺である短辺から延在する第２延在線ｈ２と重ならないように設けられ、第４電極である第４電極３０８ｂは、第１辺である長辺から延在する第１延在線ｈ１と重ならないように設けられている。
すなわち、周辺領域Ｆ１にイオントラップ電極がないため、表示領域Ｅの角部Ｃ１では、イオン性不純物を周辺領域Ｆ１に引き寄せる電界が生じないため、イオン性不純物は、周辺領域Ｆ１に引き寄せられにくくなる。

さらには、通電オフ時において、第３電極３０８ａ、第４電極３０８ｂに捕集されたイオン性不純物は、電界の消失によって拡散するが、周辺領域Ｆ１から再拡散してくるイオン性不純物はないため、表示領域Ｅの角部Ｃ１に拡散するイオン性不純物の量を減らすことができる。
よって、通電オフ時におけるイオン性不純物の表示領域Ｅへの再拡散を低減することができる。したがって、表示特性の劣化を抑制できる液晶装置３００を提供することができる。

４．実施形態４
４．１．電子機器の概要
図９は、本実施形態に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略構成図である。本実施形態では、上述した液晶装置としての液晶装置１００を備えた電子機器について、投射型表示装置１０００を例に挙げて説明する。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、光源としてのランプユニット１００１、色分離光学系としてのダイクロイックミラー１０１１，１０１２、液晶パネルである３個の液晶装置１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ、３個の反射ミラー１１１１，１１１２，１１１３、３個のリレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３、色合成光学系としてのダイクロイックプリズム１１３０、投射光学系としての投射レンズ１１４０を備えている。

ランプユニット１００１では、例えば、放電型の光源を採用している。光源の方式はこれに限定されず、発光ダイオード、レーザーなどの固体光源を採用してもよい。

ランプユニット１００１から射出された光は、２個のダイクロイックミラー１０１１，１０１２によって、各々異なる波長域の３色の色光に分離する。３色の色光とは、略赤色の光、略緑色の光、略青色の光である。以降の説明において、上記略赤色の光を赤色光Ｒともいい、上記略緑色の光を緑色光Ｇともいい、上記略青色の光を青色光Ｂともいう。

ダイクロイックミラー１０１１は、赤色光Ｒを透過させると共に、赤色光Ｒよりも波長が短い、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射させる。ダイクロイックミラー１０１１を透過した赤色光Ｒは、反射ミラー１１１１で反射され、液晶装置１００Ｒに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射された緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１０１２によって反射された後、液晶装置１００Ｇに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射された青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１０１２を透過して、リレーレンズ系１１２０へ射出される。

リレーレンズ系１１２０は、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３、反射ミラー１１１２，１１１３を有している。青色光Ｂは、緑色光Ｇや赤色光Ｒと比べて光路が長いため、光束が大きくなりやすい。そのため、リレーレンズ１１２２を用いて光束の拡大を抑えている。リレーレンズ系１１２０に入射した青色光Ｂは、反射ミラー１１１２で反射されると共に、リレーレンズ１１２１によってリレーレンズ１１２２の近傍で収束される。そして、青色光Ｂは、反射ミラー１１１３およびリレーレンズ１１２３を経て、液晶装置１００Ｂに入射する。

投射型表示装置１０００における、光変調装置である液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂには、実施形態１にかかる液晶装置１００が適用されている。また、光変調装置である液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに、実施形態２または実施形態３にかかる液晶装置２００または液晶装置３００を適用してもよい。

液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのそれぞれは、投射型表示装置１０００の上位回路と電気的に接続される。これによって、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂの階調レベルを指定する画像信号がそれぞれ外部回路から供給され、上位回路で処理される。これによって、液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂが駆動されて、それぞれの色光が変調される。

液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによって変調された赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、ダイクロイックプリズム１１３０に３方向から入射する。ダイクロイックプリズム１１３０は、入射した赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂを合成する。ダイクロイックプリズム１１３０において、赤色光Ｒおよび青色光Ｂは９０度に反射され、緑色光Ｇは透過する。そのため、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、カラー画像を表示する表示光として合成され、投射レンズ１１４０に向かって射出される。

投射レンズ１１４０は、投射型表示装置１０００の外側を向いて配置されている。表示光は、投射レンズ１１４０を介して拡大されて射出され、投射対象であるスクリーン１２００に投射される。

本実施形態では、電子機器として投射型表示装置１０００を例示したが、液晶装置１００が適用される電子機器はこれに限定されない。例えば、ＨＵＤ（Head-Up Display）、ＨＭＤ（Head Mounted Display）、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ、液晶テレビなどの電子機器に適用されてもよい。

以上述べた通り、本実施形態の投射型表示装置１０００によれば、上記各実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
電子機器としての投射型表示装置１０００は、上記各実施形態にかかる液晶装置１００，２００，３００を備えることが好ましい。

この構成によれば、シミやムラの発生による表示特性の劣化を抑制できる液晶装置１００を採用した、すぐれた電子機器を提供することができる。
また、上記実施形態では、液晶装置としての液晶装置１００として、透過型の液晶装置を例示したが、液晶装置１００としては、反射型の液晶装置またはＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）型の液晶装置としてもよい。

また、上記実施形態において、イオントラップ電極である第３電極１０８，２０８，３０８ａ、第４電極３０８ｂ、第５電極３０８ｃ、第６電極３０８ｄには、直流電位を印加しているが、直流電位の極性を、定期的に変える構成としてもよい。

また、上記実施形態において、液晶装置１００に対する光Ｌは、対向基板２０側から入射するが、素子基板１０側から入射する構成としてもよい。また、光Ｌの入射側または射出側に位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。

また、上記実施形態において、対向基板２０の対向電極２１と基板２０ｗとの間に、画素電極９ａと１対１に対応するマイクロレンズを設けていてもよい。
また、上記実施形態において、素子基板１０の画素電極９ａと基板１０ｗとの間に、画素電極９ａと１対１に対応するマイクロレンズを設けていてもよい。

また、上記実施形態では、対向電極２１を対向基板２０側に配置した場合を例示したが、対向電極２１を配置する位置は、これに限定されない。例えば、画素電極９ａと基板１０ｗとの間に配置する構成としてもよい。

９ａ…画素電極、１０…素子基板、１８…第１配向層、１８ａ…カラム、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…第２配向層、２２ａ…カラム、２４…見切り部、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、６０…シール材、１００，２００，３００，５００…液晶装置、１０４…外部端子、１０８，２０８，３０８ａ…第３電極，３０８ｂ…第４電極、３０８ｃ…第５電極，３０８ｄ…第６電極、１０８ａ…第１部分、１０８ａ１…第１領域、１０８ａ２…第２領域、１０８ｂ…第２部分、１０８ｂ１…第３領域、１０８ｂ２…第４領域、１０８ｃ…第３部分、１０９…周辺電極、１０９ａ…角部、１０００…投射型表示装置、Ｂ１，Ｂ２…境界、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…角部、Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ１ｃ…電界、Ｅ…表示領域、Ｆ，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３…周辺領域、Ｇ１ａ，Ｇ２ａ…電界、Ｍ１，Ｍ２…短辺、Ｙ１，Ｙ２…配向方向、ｈ１…第１延在線、ｈ２…第２延在線、ｓ１，ｓ２…間隔、ｗ１，ｗ２…幅。

Claims (11)

1. 表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、
   前記表示領域の外側に設けられ、第１方向に沿って延在する第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、
   前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向に沿って配向されており、
   前記第３電極は、前記第１部分と前記第２部分との交差領域において、前記表示領域側が切りかかれている、
   ことを特徴とする液晶装置。
2. 前記第１部分は、前記表示領域の前記第３方向における角部に沿う第１領域と、前記第１部分のうち前記第１領域以外の第２領域と、を有し、
   前記第１領域の幅は、前記第２領域の幅よりも狭い、
   請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第２部分は、前記表示領域の前記第３方向における角部に沿う第３領域と、前記第２部分のうち前記第３領域以外の第４領域と、を有し、
   前記第３領域の幅は、前記第４領域の幅よりも狭い、
   請求項１に記載の液晶装置。
4. 表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、
   前記表示領域の外側に設けられ、第１方向に沿って延在する第１部分と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第２部分と、を有する第３電極と、を備え、
   前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向に沿って配向されており、
   前記第１部分のうち、前記表示領域の前記第３方向にある角部に沿う第１領域と前記表示領域との間隔が、前記第１部分のうち前記第１領域以外の第２領域と前記表示領域との間隔よりも広い
   ことを特徴とする液晶装置。
5. 前記第１部分における前記第１領域と前記第２領域との前記表示領域側の境界は、
   前記表示領域の外側において、前記表示領域の第１辺と、前記第１辺に交差する前記表示領域の第２辺から延在する第２延在線と、に接する領域に位置する、
   請求項２または３に記載の液晶装置。
6. 前記第２部分は、前記表示領域の前記第３方向における角部に沿う第３領域と、前記第２部分のうち前記第３領域以外の第４領域と、を有し、
   前記第２部分のうち、前記第３領域と前記表示領域との間隔が、前記第４領域と前記表示領域との間隔よりも広い、
   請求項４または請求項５に記載の液晶装置。
7. 前記第２部分における前記第３領域と前記第４領域との前記表示領域側の境界は、
   前記表示領域の外側において、前記表示領域の第１辺から延在する第１延在線と、前記表示領域の第２辺と、に接する領域に位置する、
   請求項６に記載の液晶装置。
8. 前記第３電極において、前記第３方向に交差する方向の前記表示領域の角部側は、切り欠かれていない、
   請求項１ないし請求項７に記載の液晶装置。
9. 表示領域に設けられ、液晶を駆動するための電位が印加される第１電極及び第２電極と、
   前記表示領域の外側の領域において、前記表示領域の第１辺に沿って設けられる第３電極と、
   前記表示領域の外側の領域において、前記第１辺に交差する前記表示領域の第２辺に沿って設けられる第４電極と、を備え、
   前記液晶は、前記第１電極及び前記第２電極への電位無印加時において、前記第１辺が延びる方向である第１方向及び前記第２辺が延びる方向である第２方向と交差する第３方向に沿って配向され、
   前記第１辺と前記第２辺とに挟まれた前記表示領域の角部が、前記表示領域における前記第３方向にある角部である場合、
   前記第３電極は、前記第２辺から延在する第２延在線と重ならないように設けられ、前記第４電極は、前記第１辺から延在する第１延在線と重ならないように設けられている、
   ことを特徴とする液晶装置。
10. 前記表示領域の外側に設けられ、平面視において、前記第３電極と重なる遮光層をさらに備える、
    請求項１ないし請求項９に記載の液晶装置。
11. 請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の液晶装置を備える電子機器。

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