JP2023020986A - 透明表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサおよびタッチラインによる光透過率の損失を最小限に抑え、タッチ工程を単純化する。
【解決手段】本発明の一実施例による透明表示装置は、複数の透過領域、および隣接する透過領域の間に配置された複数の発光領域を含む非透過領域を備えた基板、基板上で複数の発光領域のそれぞれに設けられた複数の発光素子、基板上で複数の透過領域のそれぞれに設けられた複数のタッチセンサ、基板上で非透過領域に設けられ、第１方向に延長された複数のタッチライン、及び基板上で非透過領域に設けられ、第２方向に延長して第２方向に配置された少なくとも２つ以上のタッチセンサと、複数のタッチラインの中の１つを連結する複数のブリッジラインを含む。
【選択図】図３

Description

本明細書は、透明表示装置に関するものである。

情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形で増加している。これにより、近年では、液晶表示装置（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ、Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、量子ドット発光表示装置（ＱＬＥＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのさまざまな表示装置が活用されている。

一方、近年では、使用者が表示装置を透過して反対側に位置する事物やイメージを見ることができる透明表示装置の研究が盛んに行われている。

透明表示装置は、画像が表示される表示領域が外部光を透過させ得る透過領域と非透過領域を含み、透過領域を介して表示領域において高い光透過率を有し得る。

透明表示装置は、タッチ機能を実現するために複数のタッチセンサおよび複数のタッチラインを構成することができる。しかしながら、透明表示装置は、複数のタッチセンサ及び複数のタッチラインを形成することが容易ではなく、又は工程が複雑であり、複数のタッチセンサ及び複数のタッチラインにより、光透過率が低下し得るという問題がある。

本発明は、タッチセンサおよびタッチラインによる光透過率の損失を最小限に抑えることができる透明表示装置を提供することを技術的課題とする。

また、本発明は、タッチ工程を簡略化することができる透明表示装置を提供することを他の技術的課題とする。

本発明の一実施例による透明表示装置は、複数の透過領域、および隣接する複数の透過領域の間に配置された複数の発光領域を含む非透過領域を構成した基板と、基板上の複数の発光領域のそれぞれに構成された複数の発光素子と、基板上の複数の透過領域のそれぞれに構成された複数のタッチセンサと、基板上の非透過領域に構成され、第１方向に延長された複数のタッチラインと、基板上で前記非透過領域に構成され、第２方向に延長して第２方向に配置された少なくとも２つのタッチセンサおよび複数のタッチラインの中の１つ連結する複数のブリッジラインとを含む。

本発明の他の実施例による透明表示装置は、複数の透過領域、および複数の隣接する透過領域の間に配置された非透過領域を含む表示領域、および非表示領域を構成した基板と、非透過領域に構成された複数の画素、および複数の透過領域のそれぞれに構成された複数のタッチセンサを含む複数のタッチブロックと、基板上に構成され、一端がタッチ駆動部に連結し、表示領域において第１方向に延長された複数のタッチラインと、基板上に構成され、一端が複数のタッチラインの中のいずれか一つに連結し、表示領域内で第２方向に延長して第２方向に配列された少なくとも２つのタッチセンサに連結した複数のブリッジラインを含む。

本発明は、第１アンダーカット構造を用いてタッチセンサのタッチセンサ電極と発光素子のカソード電極を同時に形成するので、タッチ工程が単純であり、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）のためのマスクを別途追加する必要がない。

また、本発明は、平坦化膜と複数の無機絶縁膜を用いて、第１アンダーカット構造を形成することで、光透過率の損失を防止することができる。

また、本発明は、タッチラインを回路領域と重畳しないように配置することにより、回路素子による影響を最小化するとともに、寄生容量の均一性も向上させることができる。

本発明で得られる効果は、以上で言及した効果に限定されず、言及していない他の効果は、以下の記載から本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に明確に理解され得るであろう。

透明表示パネルを模式的に示す平面図である。 図１のＡ領域に構成された画素の一実施例を模式的に示す図である。 図２のＢ領域に構成された信号ライン、タッチラインおよびタッチセンサの一例を説明するための図である。 複数のタッチブロックおよび複数のタッチラインの連結関係を説明するための図である。 １つのタッチブロック内の複数のタッチラインおよび複数のタッチセンサの間の連結関係を説明するための図である。 図３のＩ－Ｉ’の一例を示す断面図である。 図３のＩＩ－ＩＩ’の一例を示す断面図である。 図３のＩＩＩ－ＩＩＩ’の一例を示す断面図である。 図８Ａの変形例を示す断面図である。 図８Ａの他の変形例を示す断面図である。 カソード電極、タッチセンサ電極、第１アンダーカット構造、第２アンダーカット構造および第３アンダーカット構造が配置された例を示す図である。 図６に示す第１アンダーカット構造と比較するための他のアンダーカット構造を示す図である。 図６に示す第１アンダーカット構造と比較するための他のアンダーカット構造を示す図である。 図３の変形実施例を示す図である。 図１２のＩＶ－ＩＶ’の一例を示す断面図である。

本明細書の利点および特徴、ならびにそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述される実施例を参照することによって明らかになるであろう。しかしながら、本明細書は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で構成されるものであり、単に本実施例は本明細書の開示を完全にするものであり、本明細書が属する技術分野における通常の知識を有する者に、発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は特許請求の範囲によって定義されるだけである。

本明細書の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本明細書が示された事項に限定されない。明細書全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。なお、本明細書の説明において、関連する公知技術の具体的な説明が、本明細書の要旨を不必要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈する際には、別途明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係の説明である場合、例えば、「～上」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」あるいは、「直接」が使用されていない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が配置され得る。

時間関係の説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続き」、「～の後に」、「～前に」などで時間的先後関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含まれ得る。

第１、第２などは様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されない。これらの用語は、単一の構成要素を他の構成要素と区別するために使用されることを意味する。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得る。

「少なくとも１つ」という用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むことを理解しなければならない。例えば、「第１項目、第２項目および第３項目の中の少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれ、ならびに第１項目、第２項目および第３項目の中の２つ以上で提示できる全ての項目の組み合わせを意味することができる。

本明細書のいくつかの実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施例は互いに独立して実施可能であり、関連して一緒に実施することもできる。

以下では、本発明による透明表示装置の好ましい例を添付の図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を追加する際に、同一の構成要素については、異なる図面に表示されていても、できる限り同一の符号を有することができる。なお、本発明の説明において、関連する公知の構成または機能の具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にし得ると判断される場合には、その詳細な説明は省略することができる。

以下、添付の図を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図１は、透明表示パネル１１０を模式的に示す平面図である。

以下において、Ｘ軸はスキャンラインと平行な方向を示し、Ｙ軸はデータラインと平行な方向を示し、Ｚ軸は透明表示装置１００の高さ方向を示す。

本発明の一実施例に係る透明表示装置１００は、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）で構成されたことを中心に説明したが、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ、Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、量子ドット発光表示装置（ＱＬＥＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）、または電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ ｄｉｓｐｌａｙ）としても構成することができる。

図１を参照すると、本発明の一実施例による透明表示装置１００は、透明表示パネル１１０、ソースドライブ集積回路（integrated circuit、以下「ＩＣ」という）、軟性フィルム、回路ボード、およびタイミング制御部を含む。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、画素が形成されて画像を表示する表示領域（ＤＡ）と、画像を表示しない非表示領域（ＮＤＡ）とに区分することができる。

表示領域（ＤＡ）には、第１信号ライン（ＳＬ１）、第２信号ライン（ＳＬ２）、及び画素を構成することができ、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッドが配置されたパッド領域（ＰＡ）及び少なくとも一つのゲート駆動部２０５を構成することができる。

第１信号ライン（ＳＬ１）は、第１方向（Ｙ軸方向）に延長することができ、表示領域（ＤＡ）において、第２信号ライン（ＳＬ２）と交差することができる。第２信号ライン（ＳＬ２）は、表示領域（ＤＡ）において、第２方向（Ｘ軸方向）に延長することができる。画素は、第１信号ライン（ＳＬ１）と第２信号ライン（ＳＬ２）とが交差する領域に構成され、所定の光を放出して画像を表示する。

ゲート駆動部２０５は、スキャンラインに接続してスキャン信号を供給する。このようなゲート駆動部２０５は、透明表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の片側または両側の外側の非表示領域（ＮＤＡ）にＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で形成することができる。

透明表示パネル１１０には、タッチ機能を具現するために、第１信号ライン（ＳＬ１）、第２信号ライン（ＳＬ２）、及び画素以外にタッチライン及びタッチセンサをさらに構成することができる。タッチラインおよびタッチセンサの詳細な説明は、図２～図１３を参照して後述する。

図２は、図１のＡ領域に構成された画素の一実施例を模式的に示す図であり、図３は、図２のＢ領域に構成された信号ライン、タッチライン、及びタッチセンサの一例を説明するための図である。

図２～図３を参照すると、表示領域（ＤＡ）は、図２に示すように、透過領域（ＴＡ）と非透過領域（ＮＴＡ）を含む。透過領域（ＴＡ）は、外部から入射する光の大部分を通過させる領域であり、非透過領域（ＮＴＡ）は、外部から入射する光の大部分を通過させない領域である。一例として、透過領域（ＴＡ）は、光透過率がα％、例えば９０％より大きい領域であり、非透過領域（ＮＴＡ）は、光透過率がβ％、例えば５０％より小さい領域であり得る。ここで、αはβより大きい値である。透明表示パネル１１０は、透過領域（ＴＡ）によって、透明表示パネル１１０の背面に位置する事物または背景を見ることができる。

非透過領域（ＮＴＡ）には、第１非透過領域（ＮＴＡ１）、第２非透過領域（ＮＴＡ２）、及び画素（Ｐ）を構成することができる。

画素（Ｐ）は、第１非透過領域（ＮＴＡ１）と第２非透過領域（ＮＴＡ２）が交差する交差領域に構成され、光を放出して画像を表示する。発光領域（ＥＡ）は、画素（Ｐ）で光を発光する領域に該当することができる。

各画素（Ｐ）のそれぞれは、図２に示すように、第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、第３サブ画素（ＳＰ３）、及び第４サブ画素（ＳＰ４）を含むことができる。第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１色光を放出する第１発光領域（ＥＡ１）を含み、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第２色光を放出する第２発光領域（ＥＡ２）を含むことができる。第３サブ画素（ＳＰ３）は、第３色光を放出する第３発光領域（ＥＡ３）を含み、第４サブ画素（ＳＰ４）は第４色光を放出する第４発光領域（ＥＡ４）を含むことができる。

一例では、第１～第４発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、全て異なる色の光を放出することができる。例えば、第１発光領域（ＥＡ１）は、緑色光を放出することができ、第２発光領域（ＥＡ２）は、赤色光を放出することができる。第３発光領域（ＥＡ３）は、青色光を放出することができ、第４発光領域（ＥＡ４）は白色光を放出することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではない。

また、各サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の配列順序は、様々に変更することができる。

第１非透過領域（ＮＴＡ１）は、表示領域（ＤＡ）において第１方向（Ｙ軸方向）に延長され、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）と少なくとも一部が重畳するように配置され得る。透明表示パネル１１０には、複数の第１非透過領域（ＮＴＡ１）が構成され、隣接する２つの第１非透過領域（ＮＴＡ１）の間に透過領域（ＴＡ）を構成することができる。このような第１非透過領域（ＮＴＡ１）には、第１方向（Ｙ軸方向）に延長された第１信号ラインと第１方向（Ｙ軸方向）に延長されたタッチライン（ＴＬ）とを互いに離隔して配置することができる。

第１信号ラインは、一例として、画素電源ライン（ＶＤＤ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、データライン（ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）の中の少なくとも１つを含むことができる。

画素電源ライン（ＶＤＤ）は、表示領域（ＤＡ）に構成されたサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に、第１電源を供給することができる。

共通電源ライン（ＶＳＳ）は、表示領域（ＤＡ）に構成されたサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のカソード電極（ＣＥ）に、第２電源を供給することができる。ここで、第２電源は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に共通に供給する共通電源であり得る。

共通電源ライン（ＶＳＳ）は、透過領域（ＴＡ）および共通電源ライン（ＶＳＳ）の間に構成されたカソードコンタクト部（ＣＣＴ）を介して、カソード電極（ＣＥ）に第２電源を供給することができる。共通電源ライン（ＶＳＳ）およびカソードコンタクト部（ＣＣＴ）の間には、電源連結ライン（ＶＣＬ）を配置することができる。電源連結ライン（ＶＣＬ）は、一端が共通電源ライン（ＶＳＳ）に連結し、他端がカソードコンタクト部（ＣＣＴ）に連結する。一方、カソード電極（ＣＥ）は、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）に接続することができる。その結果、カソード電極（ＣＥ）を、電源連結ライン（ＶＣＬ）およびカソードコンタクト部（ＣＣＴ）を介して、共通電源ライン（ＶＳＳ）と電気的に連結することができる。

リファレンスライン（ＲＥＦ）は、表示領域（ＤＡ）に構成されたサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）それぞれの駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に、初期化電圧（又はセンシング電圧）を供給することができる。

リファレンスライン（ＲＥＦ）は、複数のデータライン（ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）の間に配置することができる。一例として、リファレンスライン（ＲＥＦ）は、複数のデータライン（ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）の中央、すなわち、第２データライン（ＤＬ２）および第３データライン（ＤＬ３）の間に配置することができる。

リファレンスライン（ＲＥＦ）は、分岐して複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に連結することができる。具体的には、リファレンスライン（ＲＥＦ）は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の回路素子と連結し、各サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に基準信号を供給することができる。

このようなリファレンスライン（ＲＥＦ）は、第１非透過領域（ＮＴＡ１）の端に近接して配置されると、分岐した地点から複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の各回路素子までの連結長の間の偏差が大きくなる。例えば、リファレンスライン（ＲＥＦ）が、第１非透過領域（ＮＴＡ１）が形成される領域の最も左側に配置された場合、分岐した地点から第１非透過領域（ＮＴＡ１）の右側に配置された回路素子までの連結長が、分岐した地点から第１非透過領域（ＮＴＡ１）の左側に配置された回路素子までの連結長よりも大きくなり得る。このような場合、第１非透過領域（ＮＴＡ１）の右側に配置された回路部に供給される信号および第１非透過領域（ＮＴＡ１）の左側に配置された回路部に供給される信号の間に、差が生じ得る。

本発明の一実施例に係る透明表示パネル１１０は、リファレンスライン（ＲＥＦ）を第１非透過領域（ＮＴＡ１）の中央領域に配置することにより、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）それぞれの回路素子までの連結長の偏差を最小限に抑えることができる。これにより、リファレンスライン（ＲＥＦ）は、複数のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の各回路素子に均等に信号を供給することができる。

データライン（ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）の各々は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）にデータ電圧を供給することができる。一例として、第１データライン（ＤＬ１）は、第１サブ画素（ＳＰ１）の第１駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に第１データ電圧を供給し、第２データライン（ＤＬ２）は、第２サブ画素（ＳＰ２）の第２駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に第２データ電圧を供給し、第３データライン（ＤＬ３）は、第３サブ画素（ＳＰ３）の第３駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に第３データ電圧を供給し、４データライン（ＤＬ４）は、第４サブ画素（ＳＰ４）の第４駆動トランジスタ（ＴＦＴ）に第４データ電圧を供給することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、第１非透過領域（ＮＴＡ１）にタッチライン（ＴＬ）をさらに配置することができる。

タッチライン（ＴＬ）は、１つの第１非透過領域（ＮＴＡ１）に少なくとも２つ構成することができる。透明表示パネル１１０において、複数のタッチライン（ＴＬ）を透過領域（ＴＡ）に配置すると、複数のタッチライン（ＴＬ）によって、光透過率が低下することがあり得る。

また、複数のタッチライン（ＴＬ）間に、スリット、具体的には、細長い線形または長方形を形成することができる。外部光がスリットを通過すると、回折現象が発生し得る。回折現象は、平面波である光がスリットを通過することによって球面波に変化し、球面波で干渉現象が発生し得る。したがって、球面波において補強干渉と相殺干渉が発生することによって、スリットを通過した外部光は、不規則な光の強度を有し得る。これにより、透明表示パネル１１０は、反対側に位置する事物またはイメージの鮮明度を低減させ得る。このような理由で、複数のタッチライン（ＴＬ）を、透過領域（ＴＡ）よりも第１非透過領域（ＮＴＡ１）に配置することが好ましい。

複数のタッチライン（ＴＬ）は、図３に示すように、第１非透過領域（ＮＴＡ１）において、第１信号ラインおよび透過領域（ＴＡ）の間に配置することができる。一例として、１つの第１非透過領域（ＮＴＡ１）には、６本のタッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４、ＴＬ５、ＴＬ６）を配置することができる。３本のタッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）は、画素電源ライン（ＶＤＤ）および透過領域（ＴＡ）の間に配置することができ、他の３本のタッチライン（ＴＬ４、ＴＬ５、ＴＬ６）は、共通電源ライン（ＶＳＳ）および過透過領域（ＴＡ）の間に配置することができる。しかしながら、必ずしもこのような構成に限定されるものではない。

複数のタッチライン（ＴＬ）は、回路素子が配置された回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳しなければよく、第１信号ラインとの配置順序は、様々に変更することができる。他の実施例では、図１２に示すように、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１信号ラインの間に配置することもできる。６本のタッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４、ＴＬ５、ＴＬ６）のそれぞれは、画素電源ライン（ＶＤＤ）、第１データライン（ＤＬ１）、第２データライン（ＤＬ２）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、第３データライン（ＤＬ３）、第４データライン（ＤＬ４）、及び共通電源ライン（ＶＳＳ）の順に第１信号ライン間に配置され得る。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、隣接する透過領域（ＴＡ）間に画素（Ｐ）が構成され、画素（Ｐ）は、発光素子が配置されて光を発光する発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）を含むことができる。透明表示パネル１１０は、非透過領域（ＮＴＡ）の面積が小さいため、回路素子が発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）と重畳するように配置することができる。すなわち、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、回路素子が配置された回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）を含むことができる。

一例として、回路領域は、第１サブ画素（ＳＰ１）に連結した回路素子が配置された第１回路領域（ＣＡ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）に連結した回路素子が配置された第２回路領域（ＣＡ２）、第３サブ画素（ＳＰ３）に連結した回路素子が配置された第３回路領域（ＣＡ３）、および第４サブ画素（ＳＰ４）に連結した回路素子が配置された第４回路領域（ＣＡ４）を含むことができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）が回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳しないので、回路素子によるタッチライン（ＴＬ）の寄生容量を最小限に抑えることができる。

さらに、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、タッチライン（ＴＬ）の水平距離の差を減少させることができる。回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）には、少なくとも２つ以上のトランジスタとキャパシタが配置されているので、タッチライン（ＴＬ）は、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）内に一直線に形成され難く、一定の水平距離を有することは困難であり得る。これにより、タッチライン（ＴＬ）の水平距離の差が大きくなり、これにより寄生容量の均一性が非常に低くなる場合がある。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳しないようにタッチライン（ＴＬ）を配置することにより、回路素子による影響を低減しながら、同時にタッチライン（ＴＬ）の水平距離の差を減らして寄生容量の均一性も向上させることができる。

第２非透過領域（ＮＴＡ２）は、表示領域（ＤＡ）において第２方向（Ｘ軸方向）に延長し、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）と少なくとも一部が重畳するように配置され得る。透明表示パネル１１０には、第２非透過領域（ＮＴＡ２）が複数構成され、隣接する２つの第２非透過領域（ＮＴＡ２）間に透過領域（ＴＡ）を構成することができる。このような第２非透過領域（ＮＴＡ２）には、第２信号ラインおよびブリッジライン（ＢＬ）を互いに離隔して配置することができる。

第２信号ラインは、第２方向（Ｘ軸方向）に延長され、一例では、スキャンライン（ＳＣＡＮＬ）を含むことができる。スキャンライン（ＳＣＡＮＬ）は、画素（Ｐ）のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）にスキャン信号を供給することができる。

ブリッジライン（ＢＬ）は、複数のタッチライン（ＴＬ）の中のいずれか一つとタッチセンサ（ＴＳ）を連結することができる。図５を参照すると、Ｘ軸方向に延長されたブリッジライン（ＢＬ）は、タッチセンサ（ＴＳ）に連結するためにＹ軸方向に延長されたサブブリッジライン（ＳＢＬ）を含むことができる。ブリッジライン（ＢＬ）のサブブリッジライン（ＳＢＬ）は、複数のタッチライン（ＴＬ）の中のいずれか一つと第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して連結することができる。また、ブリッジライン（ＢＬ）のサブブリッジライン（ＳＢＬ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に延長しながら第２方向（Ｘ軸方向）に配列された少なくとも２つ以上のタッチセンサ（ＴＳ）と第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介して、連結することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）を第２非透過領域（ＮＴＡ２）ではなく、第１非透過領域（ＮＴＡ１）に配置することにより、複数のタッチライン（ＴＬ）による光透過率の低下を防止することができる。第２方向（Ｘ軸方向）に延長された第２非透過領域（ＮＴＡ２）は、図３に示すように隣接して配置された透過領域（ＴＡ）間を横切る。透過領域（ＴＡ）を横切る第２非透過領域（ＮＴＡ２）の幅が大きくなると、透過領域（ＴＡ）は、その分だけ面積が減少する。

複数のタッチライン（ＴＬ）を第２非透過領域（ＮＴＡ２）に配置すると、第２非透過領域（ＮＴＡ２）は、多数のラインを配置するために幅が大きくなり、透過領域（ＴＡ）の面積が小さくなる。すなわち、複数のタッチライン（ＴＬ）によって、透明表示パネル１１０の光透過率が低下するという問題が発生し得る。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１非透過領域（ＮＴＡ１）に配置し、第２非透過領域（ＮＴＡ２）には、複数のタッチセンサ（ＴＳ）を連結するための１つのブリッジライン（ＢＬ）のみを構成する。これにより、本発明の一実施例に係る透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）及びブリッジライン（ＢＬ）によって、透過領域（ＴＡ）の面積が減少したり、光透過率が減少したりすることを軽減することができる。

透過領域（ＴＡ）には、タッチセンサ（ＴＳ）を構成することができる。タッチセンサ（ＴＳ）は、複数の透過領域（ＴＡ）のそれぞれに配置され、使用者が接触すると静電容量に変化が生じ得る。タッチ駆動部（未図示）は、複数のタッチライン（ＴＬ）を介して、複数のタッチセンサ（ＴＳ）と連結し、複数のタッチセンサ（ＴＳ）の静電容量変化を感知することができる。

以下では、図４および図５を参照して、複数のタッチセンサおよび複数のタッチラインとの間の連結関係をより詳細に説明する。

図４は、複数のタッチブロックおよび複数のタッチラインの間の連結関係を説明するための図であり、図５は、１つのタッチブロック内の複数のタッチラインおよび複数のタッチセンサの間の連結関係を説明するための図である。

図４および図５を参照すると、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチブロック（ＴＢ）を含むことができる。複数のタッチブロック（ＴＢ）のそれぞれは、使用者のタッチ位置を決定するための基本単位であり、複数の画素（Ｐ）および複数の画素（Ｐ）と１対１に対応するように配置された複数の透過領域（ＴＡ）を含むことができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図５に示すように、透過領域（ＴＡ）内にタッチセンサ（ＴＳ）を構成することができる。例えば、複数のタッチブロック（ＴＢ）のそれぞれは、１２×１５個の画素（Ｐ）および１２×１５個のタッチセンサ（ＴＳ）を含むことができる。このような場合、画像解像度が１９２０×１０８０であれば、タッチ解像度は１６０×７２になり得る。

ここで、タッチセンサ（ＴＳ）は、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）を含むことができる。タッチセンサ電極（ＴＳＥ）は、画素（Ｐ）のカソード電極（ＣＥ）と同じ層で同じ物質で形成することができる。このような場合、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）とカソード電極（ＣＥ）は、互いに離隔して配置することもできる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）の各々が、複数のタッチブロック（ＴＢ）の中のいずれか一つのみに連結し、連結したタッチブロック（ＴＢ）に構成されたタッチセンサ（ＴＳ）の静電容量の変化を感知することができる。すなわち、透明表示パネル１１０に構成された複数のタッチライン（ＴＬ）は、複数のタッチブロック（ＴＢ）と一対一で対応することができる。したがって、透明表示パネル１１０には、タッチライン（ＴＬ）をタッチブロック（ＴＢ）と同じ数だけ配置することができる。例えば、タッチブロック（ＴＢ）の数が１６０×７２の場合、タッチライン（ＴＬ）も１６０×７２本配置され、タッチ駆動部（ＴＩＣ）と連結することができる。

上述したように、タッチブロック（ＴＢ）の数だけのタッチライン（ＴＬ）を形成するためには、１つの第１非透過領域（ＮＴＡ１）に少なくとも２つ以上のタッチライン（ＴＬ）を形成しなければならない。例えば、画像解像度が１９２０×１０８０、タッチ解像度が１６０×７２の場合、透明表示パネル１１０に、１６０×７２本のタッチライン（ＴＬ）を形成するために、図３及び図５に示すように、１つの第１非透過領域（ＮＴＡ１）には、６本のタッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４、ＴＬ５、ＴＬ６）を構成することができる。

一方、１つのタッチブロック（ＴＢ）に構成された複数のタッチセンサ（ＴＳ）は、図５に示すように、１つのタッチブロック（ＴＢ）内に構成された複数のタッチライン（ＴＬ）の中の１つと連結することができる。例えば、１つのタッチブロック（ＴＢ）には１２個の第１非透過領域（ＮＴＡ１）を構成することができ、１２個の第１非透過領域（ＮＴＡ１）それぞれに６本のタッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、ＴＬ４、ＴＬ５、ＴＬ６）を配置することができる。その結果、１つのタッチブロック（ＴＢ）には、７２本のタッチライン（ＴＬ１、…、ＴＬ７２）を構成することができる。このような場合、１つのタッチブロック（ＴＢ）に構成された複数のタッチセンサ（ＴＳ）は、７２本のタッチライン（ＴＬ１、…、ＴＬ７２）の中の１つの特定のタッチライン（ＴＬ）に連結することができる。ここで、特定のタッチライン（ＴＬ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に延長されたブリッジライン（ＢＬ）を介して、第２方向（Ｘ軸方向）に配列された複数のタッチセンサ（ＴＳ）に連結することができる。

このように、複数のタッチライン（ＴＬ）のそれぞれは、タッチブロック（ＴＢ）と１対１で対応することができる。各タッチライン（ＴＬ）は、対応するタッチブロック（ＴＢ）に構成された複数のタッチセンサ（ＴＳ）を、タッチ駆動部（ＴＩＣ）に連結する。具体的には、各タッチライン（ＴＬ）は、タッチブロック（ＴＢ）内に構成されたタッチセンサ（ＴＳ）から提供された変化した静電容量を、タッチ駆動部（ＴＩＣ）に伝達することができる。タッチ駆動部（ＴＩＣ）は、静電容量の変化を感知し、使用者のタッチ位置を決定することができる。また、各タッチライン（ＴＬ）は、タッチ駆動部（ＴＩＣ）から生成されたセンシング電圧をタッチブロック（ＴＢ）内に構成されたタッチセンサ（ＴＳ）に提供することができる。

再び図３を参照すると、タッチセンサ（ＴＳ）は、透過領域（ＴＡ）内に配置されたタッチコンタクト部（ＴＣＴ）、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）、及びブリッジライン（ＢＬ）を介して、複数のタッチライン（ＴＬ）の中のいずれか一つと連結することができる。具体的には、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）は、ブリッジライン（ＢＬ）およびタッチコンタクト部（ＴＣＴ）の間に配置され、一端がブリッジライン（ＢＬ）に連結し、他端がタッチコンタクト部（ＴＣＴ）に連結することができる。ブリッジライン（ＢＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して、複数のタッチライン（ＴＬ）の中のいずれか一つと連結することができる。その結果、タッチセンサ（ＴＳ）は、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）に接続することで、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）、およびブリッジライン（ＢＬ）を介して、複数のタッチライン（ＴＬ）の中のいずれか一つに連結することができる。

以下では、図６～図１３を参照して、タッチセンサ（ＴＳ）と画素（Ｐ）のカソード電極（ＣＥ）、タッチセンサ（ＴＳ）とタッチライン（ＴＬ）の連結構造、及び画素（Ｐ）のカソード電極（ＣＥ）と共通電源ライン（ＶＳＳ）の連結構造をより具体的に説明する。

図６は、図３のＩ－Ｉ’線における断面図であり、図７は、図３のＩＩ－ＩＩ’線における断面図であり、図８Ａは、図３のＩＩＩ－ＩＩＩ’線における断面図である。図８Ｂは、図８Ａの変形例を示す断面図であり、図８Ｃは、図８Ａの他の変形例を示す断面図である。図９は、カソード電極、タッチセンサ電極、第１アンダーカット構造、第２アンダーカット構造、及び第３アンダーカット構造が配置された例を示す図であり、図１０は、図６に示した第１アンダーカット構造と比較するための他のアンダーカット構造を示す図であり、図１１は、図６に示す第１アンダーカット構造と比較するためのまた他のアンダーカット構造を示す図である。図１２は、図３の変形実施例を示す図であり、図１３は、図１２のＩＶ－ＩＶ’線における断面図である。

図３、図６～図１３を参照すると、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０の第１基板１１１は、複数の透過領域（ＴＡ）および隣接する透過領域（ＴＡ）の間に配置された複数の発光領域（ＥＡ）を含む非透過領域（ＮＴＡ）を構成することができる。非透過領域（ＮＴＡ）は、第１方向（Ｙ軸方向）に延長された第１非透過領域（ＮＴＡ１）、および第２方向（Ｘ軸方向）に延長された第２非透過領域（ＮＴＡ２）を含むことができる。

第１非透過領域（ＮＴＡ１）は、少なくとも１つ以上のトランジスタとキャパシタが配置された回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）を含み、第１方向（Ｙ軸方向）に延長され、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳しないように配置された画素電源ライン（ＶＤＤ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、データライン（ＤＬ）、およびタッチライン（ＴＬ）を構成することができる。第２非透過領域（ＮＴＡ２）は、第２方向（Ｘ軸方向）に延長された第２信号ラインおよびブリッジラインを構成することができる。

少なくとも１つ以上のトランジスタは、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）、スイッチングトランジスタ、およびセンシングトランジスタを含むことができる。

スイッチングトランジスタは、スキャンラインに供給されるスキャン信号によってスイッチングされ、データラインから供給されるデータ電圧をキャパシタに充電する。センシングトランジスタは、センシング信号によって、画質低下の原因となる駆動トランジスタ（ＴＦＴ）のしきい値電圧の偏差をセンシングする役割をする。駆動トランジスタ（ＴＦＴ）は、キャパシタに充電されたデータ電圧によってスイッチングされ、画素電源ライン（ＶＤＤ）から供給される電源からデータ電流を生成し、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の第１電極１２０に供給する役割をする。このような駆動トランジスタ（ＴＦＴ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）、ゲート電極（ＧＥ）、ソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）を含むことができる。

具体的には、第１基板１１１上には、遮光層（ＬＳ）を構成することができる。遮光層（ＬＳ）は、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された領域で、アクティブ層（ＡＣＴ）に入射する外部光を遮断する役割をすることができる。遮光層（ＬＳ）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図６～図８に示すように、遮光層（ＬＳ）と同じ層に、画素電源ライン（ＶＤＤ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、データライン（ＤＬ）およびタッチライン（ＴＬ）の中の少なくとも一部を形成することができる。一例として、複数のタッチライン（ＴＬ）の中の一部（ＴＬ２、ＴＬ５）、画素電源ライン（ＶＤＤ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、及び共通電源ライン（ＶＳＳ）は、遮光層（ＬＳ）と同じ層で同じ物質で形成することができる。図６～図８において、第２タッチライン（ＴＬ２）、画素電源ライン（ＶＤＤ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）及び第５タッチライン（ＴＬ５）を、遮光層（ＬＳ）と同じ層に形成することを示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、画素電源ライン（ＶＤＤ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、データライン（ＤＬ）及びタッチライン（ＴＬ）の配置順序によって、遮光層（ＬＳ）と同じ層に形成される信号ラインと異なり得る。ただし、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、隣接して配置された２つの信号ラインが、全て遮光層（ＬＳ）と同じ層に配置されないようにしてもよい。すなわち、隣接して配置された２本の信号ラインの中の一方を遮光層（ＬＳ）と同じ層に配置することができ、隣接して配置された２本の信号ラインの中の他方を遮光層（ＬＳ）と異なる層、例えば、ゲート電極（ＧＥ）またはソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に配置することもできる。これにより、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、信号ライン間の離隔距離を確保することができる。

一方、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図８に示すように、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）を、遮光層（ＬＳ）と同じ層で同じ物質で形成することができる。タッチ連結ライン（ＴＣＬ）は、一端が第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介してブリッジライン（ＢＬ）に連結し、他端が第６コンタクトホール（ＣＨ６）を介してタッチコンタクト部（ＴＣＴ）に連結することができる。ここで、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）は、第２非透過領域（ＮＴＡ）に配置されたブリッジライン（ＢＬ）から透過領域（ＴＡ）に配置されたタッチコンタクト部（ＴＣＴ）まで延長されるので、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を横切るしかない。第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、湿式エッチング工程によって形成することができる。本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成するための湿式エッチング工程で、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）が流失することを防止するために、遮光層（ＬＳ）と同じ層に形成することができる。

遮光層（ＬＳ）、タッチライン（ＴＬ２、ＴＬ５）、画素電源ライン（ＶＤＤ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）及びタッチ連結ライン（ＴＣＬ）上には、バッファ膜（ＢＦ）を構成することができる。バッファ膜（ＢＦ）は、透湿に弱い第１基板１１１を介して浸透する水分からトランジスタ（ＴＦＴ）を保護するためのものであり、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、または、それらの多層膜で形成することができる。

バッファ膜（ＢＦ）上には、アクティブ層（ＡＣＴ）を構成することができる。アクティブ層（ＡＣＴ）は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。

アクティブ層（ＡＣＴ）上には、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を構成することができる。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、非透過領域（ＮＴＡ）に構成され、透過領域（ＴＡ）における光透過率の向上と第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の形成のために、透過領域（ＴＡ）の少なくとも一部に構成しなくてもよい。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

ゲート絶縁膜（ＧＩ）上には、ゲート電極（ＧＥ）を構成することができる。ゲート電極（ＧＥ）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ、又はこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図７に示すように、電源連結ライン（ＶＣＬ）をゲート電極（ＧＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。電源連結ライン（ＶＣＬ）は、一端が第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して共通電源ライン（ＶＳＳ）に連結し、他端が第４コンタクトホール（ＣＨ４）を介してカソードコンタクト部（ＣＣＴ）に連結することができる。

図７は、電源連結ライン（ＶＣＬ）が、第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して共通電源ライン（ＶＳＳ）に直接に連結することを示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の実施例では、電源連結ライン（ＶＣＬ）は、電源連結ライン（ＶＣＬ）とは異なる層に構成された別途の連結パターン（未図示）を用いて共通電源ライン（ＶＳＳ）に連結することができる。一例では、連結パターンは、ソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に配置され、共通電源ライン（ＶＳＳ）に直接に連結することができる。電源連結ライン（ＶＣＬ）は、コンタクトホールを介して連結パターンと連結することにより、共通電源ライン（ＶＳＳ）と電気的に連結することができる。

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図８Ａに示すように、第１ブリッジライン（ＢＬ１）をゲート電極（ＧＥ）と同じ層で同じ物質で形成することができる。具体的には、ブリッジライン（ＢＬ）は、ゲート電極（ＧＥ）と同じ層で同じ物質で形成された第１ブリッジライン（ＢＬ１）、およびソース電極（ＳＥ）、ドレイン電極（ＤＥ）と同じ層で同じ物質で形成された第２ブリッジライン（ＢＬ２）を含むことができる。第１ブリッジライン（ＢＬ１）は、第２非透過領域（ＮＴＡ２）のうち、第１非透過領域（ＮＴＡ１）と重畳する領域に配置され、複数のタッチライン（ＴＬ）の中の１つと第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して連結することができる。第２ブリッジライン（ＢＬ２）は、第２非透過領域（ＮＴＡ２）のうち、第１非透過領域（ＮＴＡ１）と重畳しない領域に配置され、第７コンタクトホール（ＣＨ７）を介して第１ブリッジライン（ＢＬ１）と連結することができる。

図８Ａでは、ブリッジライン（ＢＬ）が２つの層で形成されることを示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の一実施例では、ブリッジライン（ＢＬ）は、ゲート電極（ＧＥ）と同じ層で同じ材料で形成された第１ブリッジライン（ＢＬ１）のみから形成することもできる。第１ブリッジライン（ＢＬ１）は、第２非透過領域（ＮＴＡ２）において、第１非透過領域（ＮＴＡ１）と重畳する領域において、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して、複数のタッチライン（ＴＬ）の中の１つと連結することができる。また、第１ブリッジライン（ＢＬ１）は、第２方向（Ｘ軸方向）に延長して、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介してタッチ連結ライン（ＴＣＬ）と連結することができる。一実施例では、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）は、図５に示すようにサブブリッジライン（ＳＢＬ）を含むことができる。

一方、図８Ａ及び図８Ｂでは、ブリッジライン（ＢＬ）が、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に構成されたタッチライン（ＴＬ１）と連結することを示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の一実施例では、ブリッジライン（ＢＬ）は、図８Ｃのように遮光層（ＬＳ）と同じ層に構成されたタッチライン（ＴＬ２）と連結することもできる。

ゲート電極（ＧＥ）、電源連結ライン（ＶＣＬ）、及び第１ブリッジライン（ＢＬ１）上には、層間絶縁膜（ＩＬＤ）を構成することができる。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、非透過領域（ＮＴＡ）に構成され、透過領域（ＴＡ）における光透過率の向上と第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の形成のために、透過領域（ＴＡ）の少なくとも一部に構成しなくてもよい。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多層膜で形成することができる。

層間絶縁膜（ＩＬＤ）上には、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）を構成することができる。ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）と層間絶縁膜（ＩＬＤ）を貫通する第５コンタクトホール（ＣＨ５）を介して、アクティブ層（ＡＣＴ）に連結することができる。ソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ、またはそれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図６～図８に示すように、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に、画素電源ライン（ＶＤＤ）、共通電源ライン（ＶＳＳ）、リファレンスライン（ＲＥＦ）、データライン（ＤＬ）、およびタッチライン（ＴＬ）の中の少なくとも一部を形成することができる。一例として、複数のタッチライン（ＴＬ）の中の一部（ＴＬ１、ＴＬ３、ＴＬ４、ＴＬ６）及びデータライン（ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３、ＤＬ４）は、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同じ層で同じ物質で形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図７に示すように、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）をソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。カソードコンタクト部（ＣＣＴ）は、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）によって、上面の少なくとも一部が露出し、露出した上面にカソード電極（ＣＥ）が接続することができる。カソードコンタクト部（ＣＣＴ）は、第４コンタクトホール（ＣＨ４）を介して電源連結ライン（ＶＣＬ）に連結し、電源連結ライン（ＶＣＬ）を介して、共通電源ライン（ＶＳＳ）から供給された電源を、カソード電極（ＣＥ）に伝達することができる。

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図８に示すように、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）を、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。タッチコンタクト部（ＴＣＴ）は、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）によって、上面の少なくとも一部が露出し、露出した上面にタッチセンサ電極（ＴＳＥ）が接続することができる。タッチコンタクト部（ＴＣＴ）は、第６コンタクトホール（ＣＨ６）を介してタッチ連結ライン（ＴＣＬ）に連結し、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）及びブリッジライン（ＢＬ）を介して、タッチライン（ＴＬ）にタッチセンサ電極（ＴＳＥ）の静電容量の変化を伝達することができる。

一方、ブリッジライン（ＢＬ）が２つの層からなる場合、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、図８に示すように、第２ブリッジライン（ＢＬ２）をソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第２ブリッジライン（ＢＬ２）は、第２非透過領域（ＮＴＡ２）のうち、第１非透過領域（ＮＴＡ１）と重畳しない領域に配置され、両端で第７コンタクトホール（ＣＨ７）を介して、第１ブリッジライン（ＢＬ１）と連結することができる。そして、第２ブリッジライン（ＢＬ２）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介して、タッチ連結ライン（ＴＣＬ）と連結することができる。

ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）、及びタッチコンタクト部（ＴＣＴ）上には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）を絶縁するためのパッシベーション膜（ＰＡＳ）を構成することができる。パッシベーション膜（ＰＡＳ）は、非透過領域（ＮＴＡ）に構成され、透過領域（ＴＡ）における光透過率の向上と第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の形成のために、透過領域（ＴＡ）の少なくとも一部には構成しなくてもよい。

また、パッシベーション膜（ＰＡＳ）は、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）を形成するために、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）の少なくとも一部が露出するように形成することができる。そして、パッシベーション膜（ＰＡＳ）は、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）の形成のために、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）の少なくとも一部が露出するように形成することができる。

このようなパッシベーション膜（ＰＡＳ）は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多層膜で形成することができる。

パッシベーション膜（ＰＡＳ）上には、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）と、複数の信号ラインによる段差を平坦にするための平坦化膜（ＰＬＮ）を構成することができる。平坦化膜（ＰＬＮ）は、非透過領域（ＮＴＡ）に構成され、透過領域（ＴＡ）における光透過率の向上と第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の形成のために、透過領域（ＴＡ）の少なくとも一部には構成しなくてもよい。

平坦化膜（ＰＬＮ）は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成することができる。

本発明の一実施例に係る透明表示パネル１１０は、平坦化膜（ＰＬＮ）と複数の無機絶縁膜、例えば、パッシベーション膜（ＰＡＳ）、層間絶縁膜（ＩＬＤ）及びゲート絶縁膜（ＧＩ）を用いて、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成することができる。具体的には、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、平坦化膜（ＰＬＮ）が透過領域（ＴＡ）方向に複数の無機絶縁膜、例えば、パッシベーション膜（ＰＡＳ）、層間絶縁膜（ＩＬＤ）及びゲート絶縁膜（ＧＩ）よりも突出することによって形成することができる。これにより、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、平坦化膜（ＰＬＮ）の下部面の少なくとも一部を露出させ、露出した下部面の下に複数の無機絶縁膜が構成されず、バッファ膜（ＢＦ）との離隔空間を形成することができる。

このような第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、湿式エッチング工程によって形成することができる。第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成するための湿式エッチング工程は、特性上、等方性エッチングとすることができる。したがって、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、平坦化膜（ＰＬＮ）の終端から複数の無機絶縁膜の終端までの第１離隔距離（ｄ１）が、平坦化膜（ＰＬＮ）の下部面からバッファ膜（ＢＦ）の上部面までの第２離隔距離（ｄ２）と等しく形成することができる。ここで、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の第１離隔距離（ｄ１）は、カソード電極（ＣＥ）とタッチセンサ電極（ＴＳＥ）の分離を確実にするために最小限の距離値、例えば、２μｍ以上を有しなければならない。したがって、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）の第２離隔距離（ｄ２）も、１μｍ以上でなければならないので、パッシベーション膜（ＰＡＳ）、層間絶縁膜（ＩＬＤ）及びゲート絶縁膜（ＧＩ）の厚さの合計を、２μｍ以上とすることができる。

このような第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、透過領域（ＴＡ）内に構成され、平面状に閉じた形状を有することができる。一例として、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、図９に示すように、透過領域（ＴＡ）の端に沿ってタッチセンサ（ＴＳ）を囲むように形成することもできる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、有機発光層１３０と第２電極１４０が、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）により、非透過領域（ＮＴＡ）および透過領域（ＴＡ）の間で連続せずに分離することができる。具体的には、有機発光層１３０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）によって、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された有機発光層１３１と透過領域（ＴＡ）に構成された有機発光層１３２とを分離することができる。また、第２電極１４０も、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）により、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された第２電極（ＣＥ）と透過領域（ＴＡ）に構成された第２電極（ＴＳＥ）とを分離することができる。ここで、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された第２電極（ＣＥ）は、発光素子をなすカソード電極（ＣＥ）であり得、透過領域（ＴＡ）に構成された第２電極（ＴＳＥ）は、タッチセンサ（ＴＳ）をなすタッチセンサ電極（ＴＳＥ）であり得る。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、平坦化膜（ＰＬＮ）と複数の無機絶縁膜を用いて、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成することにより、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）による光透過率が減少することを防止できる。

第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、図１０に示すように、複数の無機絶縁膜よりも透過領域（ＴＡ）方向に突出した、別途の金属パターン１２１を用いて形成することもできる。このような金属パターン１２１は、第１電極１２０と同じ層に同じ物質で形成され、第１電極１２０と離隔して配置することができる。このような場合、金属パターン１２１は、不透明な金属物質からなるので、金属パターン１２１が形成された領域は、透過領域（ＴＡ）になることができず、非透過領域（ＮＴＡ）になり得る。すなわち、図１０に示すような第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、光透過率を低下させるため、好ましくない。

一方、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、図１１に示すように、複数の無機絶縁膜よりも透過領域（ＴＡ）方向に突出したバンク１２５を用いて形成することもできる。バンク１２５は、有機発光層１３０と直接に接触するので、アウトガッシング（ｏｕｔ ｇａｓｓｉｎｇ）が良好な物質を含んで形成されなければならない。一例では、バンク１２５は、ポリイミドからなり得る。ポリイミドは、無機膜との接着力が良くないため、バンク１２５がパッシベーション膜（ＰＡＳ）と剥離しないように、バンク１２５およびパッシベーション膜（ＰＡＳ）の間に金属パターン１２３を構成することができる。金属パターン１２３は、第１電極１２０と同じ層に同じ物質で形成され、第１電極１２０と離隔して配置され得る。このような場合、金属パターン１２３は、不透明な金属物質からなるため、金属パターン１２３が形成された領域は、透過領域（ＴＡ）とはなり得ず、非透過領域（ＮＴＡ）となり得る。すなわち、図１１に示すような第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、光透過率を低下させるため、好ましくない。

結果的に、図６～図８に示す第１アンダーカット構造（ＵＣ１）は、図１０および図１１に示す第１アンダーカット構造（ＵＣ１）と比較して、光透過率の損失を防止することができる。

一方、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、平坦化膜（ＰＬＮ）とパッシベーション膜（ＰＡＳ）を用いて、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）を形成することができる。具体的には、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）は、平坦化膜（ＰＬＮ）が共通電源ライン（ＶＳＳ）の配置された方向に、パッシベーション膜（ＰＡＳ）より突出させることにより形成できる。これにより、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）は、平坦化膜（ＰＬＮ）の下部面の少なくとも一部を露出させ、露出した下部面の下にパッシベーション膜（ＰＡＳ）を構成せず、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）の上面の少なくとも一部を露出させることができる。

このような第２アンダーカット構造（ＵＣ２）は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）が形成された領域の外側に構成することができる。具体的には、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）は、図９に示すように、第１アンダーカット構造（ＵＣ1）および発光領域（ＥＡ）の間に配置することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）によって、カソード電極（ＣＥ）をカソードコンタクト部（ＣＣＴ）に接続することができる。具体的には、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）は、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）によって、上面の少なくとも一部を露出することができる。カソード電極（ＣＥ）は、露出したカソードコンタクト部（ＣＣＴ）の上面に蒸着されることによって、カソードコンタクト部（ＣＣＴ）と連結することができる。

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、平坦化膜（ＰＬＮ）とパッシベーション膜（ＰＡＳ）を用いて、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）を形成することができる。具体的には、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）は、平坦化膜（ＰＬＮ）をブリッジライン（ＢＬ）が配置された方向に、パッシベーション膜（ＰＡＳ）よりも突出させることにより、形成することができる。これにより、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）は、平坦化膜（ＰＬＮ）の下部面の少なくとも一部を露出させ、露出した下部面の下にパッシベーション膜（ＰＡＳ）が構成されず、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）の上面の少なくとも一部を露出させることができる。

このような第３アンダーカット構造（ＵＣ３）は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）が形成された領域の内部に構成することができる。具体的には、図９に示すように、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）をタッチセンサ（ＴＳ）内に配置することができる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）によって、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）をタッチコンタクト部（ＴＣＴ）に接続することができる。具体的には、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）は、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）によって、上面の少なくとも一部を露出することができる。タッチセンサ電極（ＴＳＥ）は、露出したタッチコンタクト部（ＴＣＴ）の上面に蒸着されることにより、タッチコンタクト部（ＴＣＴ）と連結することができる。

平坦化膜（ＰＬＮ１）上には、第１電極１２０、有機発光層１３０、及びカソード電極（ＣＥ）からなる発光素子とバンク１２５を構成することができる。

第１電極１２０は、平坦化膜（ＰＬＮ）上にサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）毎に構成することができる。そして、第１電極１２０は、透過領域（ＴＡ）には構成されない。

第１電極１２０は、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）と連結することができる。具体的には、第１電極１２０は、平坦化膜（ＰＬＮ）及びパッシベーション膜（ＰＡＳ）を貫通するコンタクトホール（未図示）を介して、駆動トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）の中の１つに接続することができる。

第１電極１２０は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、Ａｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）、ＭｏＴｉ合金、およびＭｏＴｉ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＭｏＴｉ合金／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。ＭｏＴｉ合金は、モリブデン（Ｍｏ）とチタン（Ｔｉ）の合金であり得る。第１電極１２０は、アノード電極であり得る。

バンク１２５は、平坦化膜（ＰＬＮ）上に構成することができる。また、バンク１２５は、第１電極１２０の端を覆い、第１電極１２０の一部が露出するように形成することができる。これにより、バンク１２５は、第１電極１２０の先端に電流が集中して発光効率が低下する問題が発生することを防止することができる。

バンク１２５は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）を定義することができる。サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、第１電極１２０、有機発光層１３０、及びカソード電極（ＣＥ）が順に積層され、第１電極１２０からの正孔とカソード電極（ＣＥ）からの電子が、有機発光層１３０で互いに結合して発光する領域を示す。この場合、バンク１２５が形成された領域は、光を発光しないので非発光領域（ＮＥＡ）となり、バンク１２５が形成されず、第１電極１２０が露出した領域が、発光領域（ＥＡ）となり得る。

バンク１２５は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜で形成することができる。

有機発光層１３０は、第１電極１２０上に構成することができる。有機発光層１３０は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を含むことができる。この場合、第１電極１２０とカソード電極（ＣＥ）に電圧が印加されると、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動し、発光層で互いに結合して発光するようになる。

一実施例では、有機発光層１３０は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に共通に形成される共通層であり得る。ここで、発光層は、白色光を放出する白色発光層であり得る。

他の実施例では、有機発光層１３０は、発光層をサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）毎に形成することができる。一例として、第１サブ画素（ＳＰ１）には緑色光を放出する緑色発光層が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）には赤色光を放出する赤色発光層が形成され、第３サブ画素（ＳＰ３）には青色光を放出する青色発光層が形成され、第４サブ画素（ＳＰ４）に白色光を放出する白色発光層が形成され得る。このような場合、有機発光層１３０の発光層は、透過領域（ＴＡ）に形成されない。

有機発光層１３０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）によって、非透過領域（ＮＴＡ）および透過領域（ＴＡ）の間で連続することなく分離することができる。具体的には、有機発光層１３０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）によって、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された有機発光層１３１と透過領域（ＴＡ）に構成された有機発光層１３２とを分離することができる。すなわち、有機発光層１３０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）により、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された有機発光層１３１と透過領域（ＴＡ）に構成された有機発光層１３２を互いに離隔させることができる。

第２電極１４０は、有機発光層１３０及びバンク１２５上に構成することができる。第２電極１４０を全面に蒸着すると、第２電極１４０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）によって、非透過領域（ＮＴＡ）および透過領域（ＴＡ）の間で連続しないで分離することができる。具体的には、第２電極１４０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）により、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された第２電極（ＣＥ）と透過領域（ＴＡ）に構成された第２電極（ＴＳＥ）を分離することができる。

ここで、非透過領域（ＮＴＡ）に構成された第２電極（ＣＥ）は、カソード電極（ＣＥ）として発光素子をなす構成であり得る。カソード電極（ＣＥ）は、第２アンダーカット構造（ＵＣ２）によって、露出したカソードコンタクト部（ＣＣＴ）に接続し、共通電源ライン（ＶＳＳ）から電源の供給を受けることができる。このようなカソード電極（ＣＥ）は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に共通に形成され、同じ電圧を印加する共通層であり得る。

また、透過領域（ＴＡ）に構成された第２電極（ＴＳＥ）は、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）として、タッチセンサ（ＴＳ）をなす構成であり得る。タッチセンサ電極（ＴＳＥ）は、第３アンダーカット構造（ＵＣ３）によって露出したタッチコンタクト部（ＴＣＴ）に接続し、タッチライン（ＴＬ）に静電容量の変化を提供することができる。

カソード電極（ＣＥ）とタッチセンサ電極（ＴＳＥ）を含む第２電極１４０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金などの半透過金属物質（Ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成することができる。第２電極１４０が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏ ｃａｖｉｔｙ）によって出光効率を高めることができる。

発光素子及びタッチセンサ（ＴＳ）上には、封止膜１５０を構成することができる。封止膜１５０は、カソード電極（ＣＥ）とタッチセンサ電極（ＴＳＥ）上で、カソード電極（ＣＥ）とタッチセンサ電極（ＴＳＥ）を覆うように形成することができる。

封止膜１５０は、有機発光層１３０、カソード電極（ＣＥ）及びタッチセンサ電極（ＴＳＥ）に、酸素又は水分が浸透することを防止する役割をする。このために、封止膜１５０は、少なくとも１つの無機膜と少なくとも１つの有機膜とを含むことができる。

一方、図６～図８に示していないが、第２電極１４０および封止膜１５０の間に、キャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）をさらに形成することもできる。

封止膜１５０上には、カラーフィルタ（ＣＦ）を構成することができる。カラーフィルタ（ＣＦ）は、第１基板１１１と対向する第２基板１１２の一面に構成することができる。このような場合、封止膜１５０を構成した第１基板１１１とカラーフィルタ（ＣＦ）を構成した第２基板１１２は、別途の接着層１６０によって合着させることができる。ここで、接着層１６０は、透明な接着レジン層（ＯＣＲ）または透明な接着レジンフィルム（ＯＣＣ）であり得る。

カラーフィルタ（ＣＦ）は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）毎にパターン形成することができる。具体的には、カラーフィルタ（ＣＦ）は、第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、及び第３カラーフィルタを含むことができる。第１カラーフィルタは、第１サブ画素（ＳＰ１）の発光領域（ＥＡ１）に対応するように配置することができ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタであり得る。第２カラーフィルタは、第２サブ画素（ＳＰ２）の発光領域（ＥＡ２）に対応するように配置することができ、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタであり得る。第３カラーフィルタは、第３サブ画素（ＳＰ３）の発光領域（ＥＡ３）に対応するように配置することができ、青色光を透過させる青色カラーフィルタであり得る。

カラーフィルタ（ＣＦ）の間に、ブラックマトリクス（ＢＭ）を構成することができる。ブラックマトリクス（ＢＭ）は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の間に構成され、隣接するサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）間に混色が発生することを防止できる。また、ブラックマトリクス（ＢＭ）は、外部から入射する光が、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の間に構成された複数の配線、例えばスキャンライン、データライン、画素電源ライン、共通電源ライン、リファレンスラインなどに反射することを防止できる。

本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を用いて、タッチセンサのタッチセンサ電極（ＴＳＥ）と発光素子のカソード電極（ＣＥ）を同じ層に形成することができる。このような本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、タッチ工程が単純であり、タッチセンサ電極（ＴＳＥ）用の別途のマスクを追加する必要がない。

また、本発明の一実施例に係る透明表示パネル１１０は、平坦化膜（ＰＬＮ）と複数の無機絶縁膜を用いて、第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成することにより、光透過率の損失なしに第１アンダーカット構造（ＵＣ１）を形成することができる。

また、本発明の一実施例に係る透明表示パネル１１０は、タッチライン（ＴＬ）を発光素子の下に配置することにより、タッチライン（ＴＬ）によって画素（Ｐ）の発光効率が低下することを防止できる。

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、タッチライン（ＴＬ）を回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳しないように配置することにより、回路素子による影響を最小化すると同時に寄生容量の均一性も向上させることができる。

また、本発明の一実施例による透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１非透過領域（ＮＴＡ１）に配置し、第２非透過領域（ＮＴＡ２）に複数のタッチセンサ（ＴＳ）を連結するための１本のブリッジライン（ＢＬ）のみを構成することにより、複数のタッチライン（ＴＬ）及びブリッジライン（ＢＬ）による透過領域（ＴＡ）の面積が減少したり、光透過率が減少することを軽減できる。

一方、図６～図８では、複数のタッチライン（ＴＬ）が第１信号ラインの中の少なくとも１つと同じ層に配置されることを示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。

他の一実施例では、図１２および図１３に示すように、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１信号ラインと異なる層に配置することもできる。第１信号ライン上には、第１パッシベーション膜（ＰＡＳ１）を構成することができる。複数のタッチライン（ＴＬ）は、第１パッシベーション膜（ＰＡＳ１）上に構成することができ、第２パッシベーション膜（ＰＡＳ２）を複数のタッチライン（ＴＬ）上に構成することができる。

このような透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１パッシベーション膜（ＰＡＳ１）上に構成することで、第１信号ラインとの水平距離及び垂直距離が増加し、これにより、複数のタッチライン（ＴＬ）の寄生容量を減少させることができる。

また、透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）を第１信号ラインとは異なる層に形成することにより、複数のタッチライン（ＴＬ）を設計する際に、第１信号ラインによる空間的制約を減らすことができる。これにより、透明表示パネル１１０は、複数のタッチライン（ＴＬ）間の離隔距離に差が生じないように設計することができ、複数のタッチライン（ＴＬ）間の寄生容量の均一性を向上させることができる。

以上、添付の図を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲内で多様に変形して実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、上記で説明した実施例は、すべての点で例示的なものであり、限定的なものではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１００：透明表示装置
１１０：透明表示パネル
１１１：第１基板
１１２：第２基板
１２０：第１電極
１３０：有機発光層
１４０：第２電極
１５０：封止膜
１６０：接着層
２０５：ゲート駆動部
ＶＤＤ：画素電源ライン
ＶＳＳ：共通電源ライン
ＲＥＦ：リファレンスライン
ＤＬ：データライン
ＴＬ：タッチライン
ＢＬ：ブリッジライン
ＳＣＡＮＬ：スキャンライン

Claims (20)

1. 複数の透過領域、および隣接する複数の透過領域の間に配置された複数の発光領域を含む非透過領域を構成した基板と、
   前記基板上で複数の発光領域のそれぞれに構成された複数の発光素子と、
   前記基板上で複数の透過領域のそれぞれに構成された複数のタッチセンサと、
   前記基板上で前記非透過領域に構成され、第１方向に延長された複数のタッチラインと、
   前記基板上で前記非透過領域に構成され、第２方向に延長して前記第２方向に配置された少なくとも２つのタッチセンサ、および前記複数のタッチラインの中の１つを電気的に連結する複数のブリッジラインとを含む、透明表示装置。
2. 前記基板上の前記発光領域のそれぞれに構成された第１電極と、
   前記第１電極上に構成された発光層と、
   前記発光層上に構成された第２電極とをさらに含み、
   前記第２電極が、前記非透過領域に構成され、前記発光素子をなすカソード電極、および前記透過領域に構成されて前記タッチセンサをなすタッチセンサ電極を含む、請求項１に記載の透明表示装置。
3. 前記透過領域の端に沿って構成された第１アンダーカット構造をさらに含み、
   前記カソード電極および前記タッチセンサ電極が、前記第１アンダーカット構造によって分離される、請求項２に記載の透明表示装置。
4. 前記基板上の前記非透過領域に構成され、無機物質からなる複数の無機絶縁膜と、
   前記複数の無機絶縁膜上で前記非透過領域に構成され、有機物質からなる平坦化膜とをさらに含み、
   前記第１アンダーカット構造が、前記平坦化膜が前記透過領域方向に前記複数の無機絶縁膜より突出して形成される、請求項３に記載の透明表示装置。
5. 前記基板上の前記非透過領域に構成され、前記第１方向に延長された共通電源ライン、
   前記共通電源ラインおよび前記透過領域の間に構成されたカソードコンタクト部、および
   前記カソードコンタクト部と前記共通電源ラインを電気的に連結する電源連結ラインをさらに含み、
   前記カソード電極が、前記カソードコンタクト部を介して前記共通電源ラインと電気的に連結する、請求項２に記載の透明表示装置。
6. 前記カソードコンタクト部の少なくとも一部を露出させる第２アンダーカット構造をさらに含み、
   前記カソード電極が、前記第２アンダーカット構造によって露出したカソードコンタクト部と直接に接する、請求項５に記載の透明表示装置。
7. 前記透過領域内に構成されたタッチコンタクト部と、
   前記タッチコンタクト部と前記ブリッジラインを連結するタッチ連結ラインとをさらに含み、
   前記タッチセンサ電極が、前記タッチコンタクト部を介して前記タッチラインと電気的に連結する、請求項２に記載の透明表示装置。
8. 前記タッチコンタクト部の少なくとも一部を露出させる第３アンダーカット構造をさらに含み、
   前記タッチセンサ電極が、前記第３アンダーカット構造によって露出したタッチコンタクト部と直接に接する、請求項７に記載の透明表示装置。
9. １つのブリッジラインが、前記複数のタッチラインの中の１つと電気的に連結し、前記第２方向に配列された少なくとも２つのタッチセンサのそれぞれに電気的に連結した少なくとも２つのタッチ連結ラインと電気的に連結する、請求項７に記載の透明表示装置。
10. 前記基板および前記第１電極の間に構成された駆動トランジスタ、および
    前記基板および前記駆動トランジスタの間に構成された遮光層をさらに含み、
    前記タッチ連結ラインが、前記遮光層と同じ層に構成される、請求項７に記載の透明表示装置。
11. 前記複数のタッチラインが、前記基板および前記第１電極の間に前記複数の発光領域と重畳するように構成される、請求項２に記載の透明表示装置。
12. 複数の透過領域、および隣接する複数の透過領域の間に配置された非透過領域を含む表示領域および非表示領域を構成した基板と、
    前記非透過領域に構成された複数の画素、および前記複数の透過領域のそれぞれに構成された複数のタッチセンサを含む複数のタッチブロックと、
    前記基板上に構成され、一端がタッチ駆動部と電気的に連結し、前記表示領域で第１方向に延長された複数のタッチラインと、
    前記基板上に構成され、一端が前記複数のタッチラインの中のいずれか一つと電気的に連結し、前記表示領域において第２方向に延長された複数のブリッジラインとを含む、透明表示装置。
13. 前記基板上に構成されたタッチラインの数が、前記基板に構成されたタッチブロックの数と同じ、請求項１２に記載の透明表示装置。
14. 複数の前記タッチラインが、隣接する透過領域の間に配置され、
    １つの前記ブリッジラインが、隣接する透過領域の間に配置される、請求項１２に記載の透明表示装置。
15. １つの前記ブリッジラインが、前記複数のタッチラインの中の１つと電気的に連結し、前記第２方向に配列された少なくとも２つのタッチセンサと連結する、請求項１４に記載の透明表示装置。
16. 前記複数の画素の各々が、アノード電極、発光層及びカソード電極を含み、
    前記複数のタッチセンサの各々は、タッチセンサ電極を含み、
    前記画素のカソード電極と前記タッチセンサのタッチセンサ電極は、同じ層に同じ物質で形成される、請求項１２に記載の透明表示装置。
17. 前記タッチセンサ電極が、前記透過領域内に配置され、前記カソード電極は、前記タッチセンサ電極が配置された領域を除いた領域に配置され、
    前記タッチセンサ電極および前記カソード電極は、互いに離隔して配置される、請求項１６に記載の透明表示装置。
18. 前記透過領域内に構成され、平面状に閉じた形状を有する第１アンダーカット構造をさらに含み、
    前記タッチセンサ電極および前記カソード電極が、前記第１アンダーカット構造によって分離する、請求項１６に記載の透明表示装置。
19. 前記基板上で前記非透過領域に構成され、前記第１方向に延長された共通電源ライン、
    前記共通電源ラインと前記第１アンダーカット構造の間に構成され、前記カソード電極と連結するカソードコンタクト部、および
    前記カソードコンタクト部と前記共通電源ラインを連結する電源連結ラインをさらに含む、請求項１８に記載の透明表示装置。
20. 前記第１アンダーカット構造の閉じた形状の内部に構成され、前記タッチセンサ電極と連結するタッチコンタクト部、および
    前記タッチコンタクト部と前記ブリッジラインを電気的に連結するタッチ連結ラインをさらに構成する、請求項１８に記載の透明表示装置。

Images