KR20230103247A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230103247A
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KR1020210193996A
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김주홍
이휘득
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 복수의 화소가 배치된 기판; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 터치 배선; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 데이터 배선; 상기 복수의 터치 배선 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 보상 전극; 상기 복수의 터치 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 상에 배치되고, 상기 투과 영역과 대응되는 개구부를 포함하는 평탄화층; 상기 평탄화층 상에서 상기 발광 영역에 배치되는 발광 소자; 및 상기 투과 영역에서 상기 개구부 내에 배치되는 터치 전극을 포함하고, 상기 복수의 터치 배선은 제1 터치 배선 및 상기 제1 터치 배선보다 상기 복수의 데이터 배선과 가깝게 배치되는 제2 터치 배선을 포함하고, 상기 보상 전극은 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 센싱의 정확도가 향상될 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.
이러한 표시 장치 중, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력방식을 제공하는 표시 장치가 있다. 터치 기반의 표시 장치는 크게 자기 정전 용량 방식(self-capacitance type)과 상호 정전 용량 방식(mutual-capacitance type)으로 구분될 수 있다. 자기 정전 용량 방식은 복수의 터치 전극과 사용자의 입력 사이에 정전 용량이 형성되도록 함으로써, 사용자의 터치 시 발생하는 정전 용량의 변화량을 통해 터치를 인식하는 방식일 수 있다. 상호 정전 용량 방식은 터치 전극을 구동 전극과 센싱 전극으로 나누어 이들 사이에 상호 정전 용량이 형성되도록 함으로써, 사용자의 터치 시 발생하는 상호 정전 용량의 변화량을 통해 터치를 인식하는 방식일 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 인셀 터치 구조의 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 터치 센싱의 정확도가 향상될 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 복수의 화소가 배치된 기판; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 터치 배선; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 데이터 배선; 상기 복수의 터치 배선 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 보상 전극; 상기 복수의 터치 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 상에 배치되고, 상기 투과 영역과 대응되는 개구부를 포함하는 평탄화층; 상기 평탄화층 상에서 상기 발광 영역에 배치되는 발광 소자; 및 상기 투과 영역에서 상기 개구부 내에 배치되는 터치 전극을 포함하고, 상기 복수의 터치 배선은 제1 터치 배선 및 상기 제1 터치 배선보다 상기 복수의 데이터 배선과 가깝게 배치되는 제2 터치 배선을 포함하고, 상기 보상 전극은 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결된다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 투명한 인셀 구조의 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 발명은 화소 내의 보상 패턴을 통해 터치 배선들 간의 커패시턴스 차이를 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 화소의 구성도이다.
도 3은 도 2의 화소의 확대도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV'에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI'에 따른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 화소의 구성도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110), 복수의 플렉서블 필름(120) 및 복수의 인쇄 회로 기판(130)만을 도시하였다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 복수의 플렉서블 필름(120) 및 복수의 인쇄 회로 기판(130)을 포함한다. 표시 장치(100)는 인셀(in-cell) 터치 구조의 투명 표시 장치일 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다.
표시 영역(AA)은 기판(110)의 중앙부에 배치되고, 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역일 수 있다. 표시 영역(AA)에는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 후술할 애노드(AN), 발광층(EL) 및 캐소드(CT)을 포함하는 발광 소자(OLED)로 구성될 수 있다. 또한, 표시 소자를 구동하기 위한 트랜지스터(TR), 커패시터, 배선 등과 같은 다양한 구동 소자가 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다.
표시 영역(AA)에는 복수의 터치 전극 블록(TEB)이 배치된다. 복수의 터치 전극 블록(TEB)은 도 3 및 도 4에서 후술할 복수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 즉, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 터치 전극(TE)을 영역에 따라 복수의 블록으로 분할하여 복수의 터치 전극 블록(TEB)을 구성할 수 있다. 이때, 하나의 터치 전극 블록(TEB) 내에 배치된 복수의 터치 전극(TE)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 터치 전극 블록(TEB)은 복수의 터치 배선(TL) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 복수의 터치 전극 블록(TEB)은 복수의 터치 배선(TL)을 통해 터치 구동 신호을 인가받아 터치를 감지할 수 있다. 또한, 복수의 터치 전극 블록(TEB)은 감지된 터치 감지 신호를 복수의 터치 배선(TL)으로 전송할 수 있다. 복수의 터치 전극 블록(TEB)은 자기 정전 용량 방식(self-capacitance type)을 통해 터치를 인식할 수 있다.
복수의 터치 전극 블록(TEB) 각각에는 복수의 화소(PX)가 배치된다. 복수의 화소(PX) 각각은 발광 영역(EA) 및 투과 영역(TA)을 포함한다.
구체적으로, 도 2를 참조하면, 화소(PX)는 발광 영역(EA) 및 투과 영역(TA)을 포함한다. 발광 영역(EA)에는 복수의 서브 화소(SP)가 배치될 수 있다. 투과 영역(TA)에는 터치 센서부(TSP)가 배치될 수 있다.
발광 영역(EA)은 발광이 이루어짐으로써 실제 화상이 구현되는 영역일 수 있다. 발광 영역(EA)은 화소(PX) 내에서 복수의 투과 영역(TA)이 배치되지 않은 영역으로 정의될 수 있다. 발광 영역(EA)에는 복수의 서브 화소(SP)가 배치될 수 있다. 즉, 발광 영역(EA)은 복수의 서브 화소(SP) 각각에 배치된 발광 소자(OLED)를 통해 발광이 이루어질 수 있다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 서로 다른 파장의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 서브 화소일 수 있고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 서브 화소일 수 있고, 제3 서브 화소(SP3)는 청색 서브 화소일 수 있고, 제4 서브 화소(SP4)는 백색 서브 화소일 수 있다. 즉, 하나의 화소(PX)는 서로 다른 색을 발광하는 4개의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
서브 화소(SP)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 발광 소자(OLED) 및 구동 회로를 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 제1 방향으로 배치된 복수의 게이트 배선(GL) 및 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 배치된 복수의 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제1 방향은 도 1 및 도 2의 가로 방향일 수 있고, 제2 방향은 도 1 및 도 2의 세로 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
서브 화소(SP)의 구동 회로는 발광 소자(OLED)의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 예를 들면, 구동 회로는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터 등을 포함할 수 있다. 구동 회로는 비표시 영역(NA)에 배치된 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC 등과 연결되는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 등과 같은 신호 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
투과 영역(TA)은 외부로부터 입사되는 빛의 적어도 일부가 투과되는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)에는 복수의 서브 화소(SP)가 배치되지 않는다. 투과 영역(TA)에는 터치 센서부(TSP)가 배치될 수 있다. 투과 영역(TA)은 투명한 물질들로 구성될 수 있다. 이에, 표시 장치(100)는 투과 영역(TA)을 통해 투명성을 가질 수 있다. 투과 영역(TA)은 하나의 화소(PX) 내에서 복수로 배치될 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 화소(PX)의 양측부에 하나씩 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
터치 센서부(TSP)에는 터치 감지를 위한 터치 전극(TE)이 배치된다. 터치 전극(TE)은 터치 배선(TL)과 전기적으로 연결되어 터치 드라이버 IC와 터치 구동 신호 또는 터치 감지 신호를 주고받을 수 있다. 터치 전극(TE)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 터치 센서부(TSP)에는 후술할 더미 유기층(DM) 및 복수의 절연층들이 배치될 수 있다. 이때, 더미 유기층(DM) 및 복수의 절연층들은 투명한 물질로 이루어질 수 있다.
비표시 영역(NA)은 기판(110)의 둘레 영역에 배치되고, 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP) 및 복수의 터치 센서부(TSP)를 구동하기 위한 다양한 구성요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 및 복수의 터치 센서부(TSP)의 구동을 위한 신호를 공급하는 구동 IC, 구동 회로, 신호 배선, 플렉서블 필름(120) 등이 배치될 수 있다.
기판(110)의 일단에 복수의 플렉서블 필름(120)이 배치된다. 기판(110)의 일단에 복수의 플렉서블 필름(120)이 전기적으로 연결된다. 복수의 플렉서블 필름(120)은 연성을 가진 베이스 필름에 각종 부품이 배치되어 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소(SP)로 신호를 공급하기 위한 필름이다. 복수의 플렉서블 필름(120)은 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 일단이 배치되어 데이터 전압 등을 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소(SP)로 공급할 수 있다. 한편, 도 1에서는 복수의 플렉서블 필름(120)이 4개인 것으로 도시하였으나, 복수의 플렉서블 필름(120)의 개수는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 플렉서블 필름(120)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC, 터치 드라이버 IC와 같은 구동 IC가 배치될 수 있다. 구동 IC는 영상을 표시하기 위한 데이터와 이를 처리하기 위한 구동 신호를 처리하는 부품이다. 또한, 구동 IC는 터치를 감지하기 위한 터치 구동 신호와 터치 감지 신호를 처리할 수 있다. 구동 IC는 실장되는 방식에 따라 칩 온 글래스(Chip On Glass; COG), 칩 온 필름(Chip On Film; COF), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; TCP) 등의 방식으로 배치될 수 있다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 구동 IC가 복수의 플렉서블 필름(120) 상에 실장된 칩 온 필름 방식인 것으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
인쇄 회로 기판(130)은 복수의 플렉서블 필름(120)과 연결된다. 인쇄 회로 기판(130)은 구동 IC에 신호를 공급하는 부품이다. 인쇄 회로 기판(130)에는 구동 신호, 데이터 전압 등과 같은 다양한 구동 신호를 구동 IC로 공급하기 위한 각종 부품이 배치될 수 있다. 한편, 도 1에서는 인쇄 회로 기판(130)이 2개인 것으로 도시하였으나, 인쇄 회로 기판(130)의 개수는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
표시 장치(100)는 투명 표시 장치로서, 복수의 투과 영역(TA)을 통해 투명성을 가짐과 동시에 발광 영역(EA)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 발광 영역(EA)을 통해 발광됨으로써 동영상, 정지 영상, 스틸컷 등의 영상을 표시할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 복수의 투과 영역(TA)을 통해 외부로부터 입사되는 빛을 투과함으로써 투명성을 가질 수 있다.
또한, 표시 장치(100)는 탑 에미션(top emission) 방식의 표시 장치일 수 있다. 탑 에미션 방식은 발광 소자(OLED)에서 발광된 빛이 발광 소자(OLED)가 배치된 기판(110)의 상부로 발광되는 방식이다. 탑 에미션 방식인 경우, 발광 소자에서 발광된 빛을 기판의 상부, 즉, 캐소드 측으로 진행시키기 위해, 애노드 하부에 반사층이 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 화소의 확대도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV'에 따른 단면도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 기준 배선(RL), 고전위 전원 배선(VDD), 저전위 전원 배선(VSS), 터치 배선(TL), 캐소드(CT), 터치 전극(TE) 및 보상 전극(CE)만을 도시하였다. 또한, 캐소드(CT) 및 터치 전극(TE)의 테두리는 굵은 실선으로 도시하였다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 차광층(LS), 기준 배선(RL), 터치 배선(TL), 트랜지스터(TR), 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 보상 전극(CE), 고전위 전원 배선(VDD), 저전위 전원 배선(VSS), 발광 소자(OLED) 및 터치 전극(TE)을 포함한다.
한편, 도 2를 함께 참조하면, 발광 영역(EA)은 복수의 서브 화소(SP)를 포함하고, 투과 영역(EA)은 터치 센서부(TSP)를 포함한다. 즉, 도 3에는 도시되지 않았으나, 발광 영역(EA)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)를 포함한다. 구체적으로, 게이트 배선(GL)의 상부에서 기준 배선(RL)의 좌측과 우측 각각은 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2)와 대응될 수 있다. 또한, 게이트 배선(GL)의 하부에서 기준 배선(RL)의 좌측과 우측 각각은 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)와 대응될 수 있다. 또한, 투과 영역(TA)에서 터치 전극(TE)이 배치된 영역은 터치 센서부(TSP)와 대응될 수 있다.
발광 영역(EA)에는 복수의 터치 배선(TL), 복수의 데이터 배선(DL), 고전위 전원 배선(VDD), 저전위 전원 배선(VSS), 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)가 배치된다. 즉, 발광 영역(EA)은 실제로 발광이 이루어지는 복수의 서브 화소(SP)를 포함하고, 구동 회로가 배치되는 영역으로 정의될 수 있다.
투과 영역(TA)에는 복수의 터치 배선(TL), 복수의 데이터 배선(DL), 고전위 전원 배선(VDD), 저전위 전원 배선(VSS), 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)가 배치되지 않는다. 즉, 투과 영역(TA)은 표시 장치(100)의 반대편에서 보이는 사물이 인식될 수 있도록 구성되어야 한다. 따라서, 투과 영역(TA)에서는 빛이 투과될 수 있어야 한다. 이에, 투과 영역(TA)에는 불투명한 물질을 포함하는 복수의 터치 배선(TL), 복수의 데이터 배선(DL), 고전위 전원 배선(VDD), 저전위 전원 배선(VSS), 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)를 배치하지 않음으로써, 투과 영역(TA)의 투명성 또는 반투과성을 구현할 수 있다.
한편, 게이트 배선(GL)이 화소(PX)를 가로지르며 제1 방향으로 배치됨에 따라, 게이트 배선(GL)의 일부는 투과 영역(TA)을 통과하도록 배치될 수 있다. 다만, 투과 영역(TA) 중 게이트 배선(GL)과 중첩하는 영역은 일부에 불과하므로, 투과 영역(TA)은 투명성을 유지할 수 있다.
기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판이다. 기판(110)은 유리 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기준 배선(RL), 복수의 터치 배선(TL) 및 차광층(LS)은 기판(110) 상에 배치된다. 기준 배선(RL), 복수의 터치 배선(TL) 및 차광층(LS)은 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 기준 배선(RL), 복수의 터치 배선(TL) 및 차광층(LS)은 기판(110) 상에서 동일 공정에 의하여 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기준 배선(RL), 복수의 터치 배선(TL) 및 차광층(LS)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금과 같은 도전성 물질로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
기준 배선(RL)은 화소(PX)의 중앙부에서 제2 방향으로 연장되어 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 기준 전압을 전달하는 배선이다. 예를 들어, 기준 배선(RL)은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)의 사이 및 제3 서브 화소(SP3)와 제4 서브 화소(SP4)의 사이와 대응되도록 배치될 수 있다. 하나의 화소(PX)를 이루는 복수의 서브 화소(SP)는 하나의 기준 배선(RL)을 공유할 수 있다. 예를 들어, 하나의 기준 배선(RL)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4) 각각으로 기준 전압을 전달할 수 있다.
복수의 터치 배선(TL)은 복수의 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호를 인가하고, 복수의 터치 전극(TE)으로부터 터치 감지 신호를 인가받는 배선이다. 복수의 터치 배선(TL)은 기판(110)의 제2 방향으로 연장될 수 있다. 복수의 터치 배선(TL)의 일부는 투과 영역(TA)으로 연장되어 터치 전극(TE)과 컨택할 수 있다.
하나의 화소(PX)에는 4개의 터치 배선(TL)이 배치될 수 있다. 즉, 터치 배선(TL)은 제1 터치 배선(TL1), 제2 터치 배선(TL2), 제3 터치 배선(TL3) 및 제4 터치 배선(TL4)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 터치 배선(TL1)과 제2 터치 배선(TL2)은 발광 영역(EA)의 일측에 배치된 투과 영역(TA)과 인접하게 배치될 수 있다. 제3 터치 배선(TL3)과 제4 터치 배선(TL4)은 발광 영역(EA)의 타측에 배치된 투과 영역(TA)과 인접하게 배치될 수 있다. 복수의 터치 배선(TL1, TL2, TL3, TL4) 각각은 서로 다른 터치 전극 블록(TEB)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 배선(TL1)은 복수의 터치 전극 블록(TEB) 중 하나에 배치된 복수의 화소(PX) 내의 모든 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도 3에서는 하나의 화소(PX)에 4개의 터치 배선(TL)이 배치되는 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 즉, 표시 장치(100)의 설계에 따라 하나의 화소(PX)와 중첩하는 터치 배선(TL)의 수는 상이해질 수 있다.
차광층(LS)은 트랜지스터(TR)의 액티브층(ACT)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 차광층(LS)은 액티브층(ACT)으로 입사되는 광을 차단할 수 있다. 만약, 액티브층(ACT)에 광이 조사되면 누설 전류가 발생하므로, 구동 트랜지스터인 트랜지스터(TR)의 신뢰성이 저하될 수 있다. 이에, 불투명한 도전성 물질로 구성된 차광층(LS)을 액티브층(ACT)에 중첩하게 배치한다면 기판(110)의 하부에서 액티브층(ACT)으로 입사하는 광을 차단할 수 있다. 따라서, 차광층(LS)을 통해 트랜지스터(TR)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도시되지는 않았으나, 차광층(LS)은 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 또는 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 만약, 차광층(LS)이 전기적으로 플로팅(floating) 되어 있으면, 차광층(LS)과 액티브층(ACT) 사이의 기생 커패시턴스의 변동이 나타나고, 트랜지스터(TR)의 문턱 전압의 쉬프트 양이 다양해질 수 있다. 이는 휘도 변화와 같은 시각적 결함을 발생시킬 수 있다. 이에, 차광층(LS)을 소스 전극(SE) 또는 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결함으로써, 기생 커패시턴스가 일정하게 유지되도록 할 수 있다.
기준 배선(RL), 복수의 터치 배선(TL) 및 차광층(LS) 상에는 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111)의 상부 및 하부에 배치되는 구성들을 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
트랜지스터(TR)는 버퍼층(111) 상에 배치된다. 트랜지스터(TR)는 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 소자로 사용될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 도 4에 도시된 트랜지스터(TR)는 구동 트랜지스터이고, 게이트 전극(GE)이 액티브층(ACT) 상에 배치되는 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터이다. 다만, 이에 제한되지 않고, 트랜지스터(TR)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 트랜지스터로 구현될 수도 있다.
도 2에서는 표시 장치(100)에 포함되는 다양한 트랜지스터 중 구동 트랜지스터(TR)만을 도시하였으나, 스위칭 트랜지스터 등과 같은 다른 트랜지스터들도 배치될 수도 있다.
액티브층(ACT)은 버퍼층(111) 상에 배치된다. 액티브층(ACT)은 트랜지스터(TR) 구동 시 채널이 형성되는 영역이다. 액티브층(ACT)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 액티브층(ACT)이 산화물 반도체로 형성된 경우, 액티브층(ACT)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어지고, 소스 영역 및 드레인 영역은 도체화된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층(ACT) 상에는 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 전기적으로 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 절연층(112)은 도 4에 도시된 바와 같이 액티브층(ACT) 상에서 게이트 전극(GE)과 동일한 폭을 갖도록 패터닝 될 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 게이트 절연층(112)은 기판(110)의 전면에 걸쳐 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(112)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층, 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연층(112) 상에 배치된다. 게이트 전극(GE)은 액티브층(ACT)의 채널 영역과 중첩하도록 게이트 절연층(112) 상에 배치된다. 게이트 전극(GE)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 전극(GE)은 게이트 배선(GL)으로부터 연장될 수 있다. 즉, 게이트 전극(GE)은 게이트 배선(GL)과 일체로 이루어질 수 있고, 게이트 전극(GE)과 게이트 배선(GL)은 동일한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 배선(GL)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 배선(GL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 게이트 전압을 전달하는 배선으로, 화소(PX)를 가로지르며 제1 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 게이트 배선(GL)은 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3)의 사이 및 제2 서브 화소(SP2)와 제4 서브 화소(SP4)의 사이와 대응되도록 배치될 수 있다. 게이트 배선(GL)은 제1 방향으로 연장 배치되어, 제2 방향으로 연장된 고전위 전원 배선(VDD), 복수의 터치 배선(TL), 복수의 데이터 배선(DL), 기준 배선(RL) 및 저전위 전원 배선(VSS)과 교차할 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층, 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 층간 절연층(113)에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각이 액티브층(ACT)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 컨택하기 위한 컨택홀이 형성된다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 동일 층에서 이격되어 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(113)의 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결된다.
복수의 데이터 배선(DL)은 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 즉, 복수의 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(113) 상에서 동일 공정에 의하여 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수의 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 데이터 배선(DL)은 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL)은 제2 방향으로 연장되어 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 데이터 전압을 전달하는 배선이다. 복수의 데이터 배선(DL)은 제1 데이터 배선(DL1), 제2 데이터 배선(DL2), 제3 데이터 배선(DL3) 및 제4 데이터 배선(DL4)을 포함한다. 제1 데이터 배선(DL1)과 제2 데이터 배선(DL2)은 기준 배선(RL)의 일측에 배치될 수 있다. 이때, 제1 데이터 배선(DL1)은 제1 터치 배선(TL1) 및 제2 터치 배선(TL2)과 인접하게 배치되고, 제2 데이터 배선(DL2)은 기준 배선(RL)과 인접하게 배치될 수 있다. 제3 데이터 배선(DL3)과 제4 데이터 배선(DL4)은 기준 배선(RL)의 타측에 배치될 수 있다. 이때, 제4 데이터 배선(DL4)은 제3 터치 배선(TL3) 및 제4 터치 배선(TL4)과 인접하게 배치되고, 제3 데이터 배선(DL3)은 기준 배선(RL)과 인접하게 배치될 수 있다. 제1 데이터 배선(DL1)은 제1 서브 화소(SP1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 데이터 배선(DL2)은 제3 서브 화소(SP3)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 데이터 배선(DL3)은 제2 서브 화소(SP2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 데이터 배선(DL4)은 제4 서브 화소(SP4)와 전기적으로 연결될 수 있다.
보상 전극(CE)은 층간 절연층(113) 상에 배치된다. 보상 전극(CE)은 발광 영역(EA)에 배치된 복수의 터치 배선(TL) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 보상 전극(CE)은 발광 영역(EA)에 배치된 제1 터치 배선(TL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제1 터치 배선(TL1)은 제2 터치 배선(TL2)보다 복수의 데이터 배선(DL)으로부터 멀리 이격된 배선일 수 있다. 보상 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성되어 발광 영역(EA)으로부터 투과 영역(TA)으로 연장될 수 있다. 특히, 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 단부는 발광 소자(OLED)의 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 이에, 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이에는 커패시턴스(Cp3)가 발생할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)은 제1 터치 배선(TL1)과 제2 터치 배선(TL2)의 커패시턴스 차이를 보상할 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 화소(PX)에는 두개의 보상 전극(CE)이 배치될 수 있다. 즉, 보상 전극(CE)은 화소(PX)의 일측 및 타측에 각각 하나씩 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소(PX)의 일측에 배치된 보상 전극(CE)은 화소의 일측에 배치된 투과 영역(TA)과 발광 영역(EA)의 경계 영역에 배치될 수 있다. 화소(PX)의 타측에 배치된 보상 전극(CE)은 화소(PX)의 타측에 배치된 투과 영역(TA)과 발광 영역(EA)의 경계 영역에 배치될 수 있다.
구체적으로, 화소(PX)의 타측에 배치된 보상 전극(CE)은 발광 영역(EA)에 배치된 제4 터치 배선(TL4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제4 터치 배선(TL4)은 제3 터치 배선(TL3)보다 복수의 데이터 배선(DL)으로부터 멀리 이격된 배선일 수 있다. 보상 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성되어 발광 영역(EA)으로부터 투과 영역(TA)으로 연장될 수 있다. 특히, 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 단부는 발광 소자(OLED)의 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 이에, 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이에는 커패시턴스가 발생할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)은 제4 터치 배선(TL4)과 제3 터치 배선(TL3)의 커패시턴스 차이를 보상할 수 있다.
한편, 도 3에서는 보상 전극(CE)이 화소(PX)의 하부에 배치된 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 보상 전극(CE)의 위치는 표시 장치(100)의 설계에 따라 상이하게 구성될 수도 있다. 또한, 도 3에서는 제1 터치 전극(TL1) 및 제4 터치 전극(TL4) 각각과 연결된 보상 전극(CE)의 크기가 동일한 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 위치 차이에 의하여 제1 터치 배선(TL1)과 제4 터치 배선(TL4)에 발생하는 커패시턴스에 차이가 있을 경우, 보상 전극(CE)의 크기는 상이하게 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 제1 터치 배선(TL1)에 발생된 커패시턴스가 제4 터치 배선(TL4)에 발생된 커패시턴스보다 작을 경우, 제1 터치 배선(TL1)과 연결된 보상 전극(CE)의 크기가 제4 터치 배선(TL4)에 연결된 보상 전극(CE)의 크기보다 크게 구성될 수도 있다.
트랜지스터(TR), 복수의 데이터 배선(DL) 및 보상 전극(CE) 상에는 제1 패시베이션층(114)이 배치된다. 제1 패시베이션층(114)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층, 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 패시베이션층(114)에는 드레인 전극(DE)이 발광 소자(OLED)의 애노드(AN)와 컨택하기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.
고전위 전원 배선(VDD) 및 저전위 전원 배선(VSS)은 제1 패시베이션층(114) 상에 배치된다. 고전위 전원 배선(VDD) 및 저전위 전원 배선(VSS)은 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 고전위 전원 배선(VDD) 및 저전위 전원 배선(VSS)은 제1 패시베이션층(114) 상에서 동일 공정에 의하여 동일 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 고전위 전원 배선(VDD) 및 저전위 전원 배선(VSS)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금과 같은 도전성 물질로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
고전위 전원 배선(VDD)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 고전위 전원 전압을 전달하는 배선이다. 하나의 화소(PX)를 이루는 복수의 서브 화소(SP)는 하나의 고전위 전원 배선(VDD)을 공유할 수 있다. 예를 들어, 하나의 고전위 전원 배선(VDD)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4) 각각으로 고전위 전원 전압을 전달할 수 있다. 고전위 전원 배선(VDD)은 제1 터치 배선(TL1) 및 제2 터치 배선(TL2)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 이에, 고전위 전원 배선(VDD)은 제1 터치 배선(TL1) 및 제2 터치 배선(TL2)과 애노드(AN) 사이의 기생 커패시턴스 발생을 방지할 수 있다.
저전위 전원 배선(VSS)은 복수의 서브 화소(SP) 각각의 캐소드(CT)로 저전위 전원 전압을 전달하는 배선이다. 이때, 캐소드(CT)는 발광 영역(EA)의 전체에 걸쳐 형성된 공통층일 수 있다. 이에, 하나의 화소(PX)를 이루는 복수의 서브 화소(SP)는 하나의 저전위 전원 배선(VSS)을 공유할 수 있다. 예를 들어, 하나의 저전위 전원 배선(VSS)은 공통층인 캐소드(CT)를 통해 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4) 각각으로 저전위 전원 전압을 전달할 수 있다. 저전위 전원 배선(VSS)은 제3 터치 배선(TL3) 및 제4 터치 배선(TL4)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 이에, 저전위 전원 배선(VSS)은 제3 터치 배선(TL3) 및 제4 터치 배선(TL4)과 애노드(AN) 사이의 기생 커패시턴스 발생을 방지할 수 있다.
고전위 전원 배선(VDD) 및 저전위 전원 배선(VSS) 상에는 제2 패시베이션층(115)이 배치된다. 제2 패시베이션층(115)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층, 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 패시베이션층(115)에는 드레인 전극(DE)이 발광 소자(OLED)의 애노드(AN)와 컨택하기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.
제2 패시베이션층(115) 상에는 평탄화층(116)이 배치된다. 평탄화층(116)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층이다. 평탄화층(116)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(116)은 투과 영역(TA)과 대응되는 개구부(OP)를 포함할 수 있다. 개구부(OP)는 제2 패시베이션층(115)의 일부를 노출시키도록 구성될 수 있다. 이때, 개구부(OP)는 상부에서 하부로 갈수록 폭이 넓어질 수 있다. 즉, 평탄화층(116)의 상부는 평탄화층(116)의 하부보다 개구부(OP)를 향하여 돌출될 수 있다. 이에, 평탄화층(116)의 돌출된 상부에 의하여 개구부(OP)의 하부에는 언더컷(under-cut) 영역이 형성될 수 있다. 언더컷 영역에 의하여 후술할 발광층(EL) 및 캐소드(CT)는 개구부(OP)와 대응되는 영역에서 단절된 구조를 가질 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.
발광 소자(OLED)는 평탄화층(116) 상에 배치된다. 발광 소자(OLED)는 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 발광 소자(OLED)는 복수의 서브 화소(SP) 각각에 배치될 수 있다. 발광 소자(OLED)는 애노드(AN), 발광층(EL) 및 캐소드(CT)를 포함한다.
애노드(AN)는 평탄화층(116) 상에서 복수의 서브 화소(SP) 각각과 대응되도록 배치된다. 애노드(AN)는 발광 영역(EA)에만 배치되고, 투과 영역(TA)에는 배치되지 않는다. 애노드(AN)는 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 트랜지스터(TR)의 종류, 구동 회로의 설계 방식 등에 따라 애노드(AN)는 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되도록 구성될 수도 있다. 애노드(AN)는 발광층(EL)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 애노드(AN)는 투명 도전막 및 반사효율이 높은 불투명 도전막을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 투명 도전막은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO)과 같은 일함수 값이 비교적 큰 재질로 이루질 수 있다. 불투명 도전막은 Al, Ag, Cu, Pb, Mo, Ti 또는 이들의 합금을 포함하는 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 그러나, 애노드(AN)의 물질은 이에 제한되지 않는다.
애노드(AN) 및 평탄화층(116) 상에 뱅크(117)가 배치된다. 뱅크(117)는 애노드(AN)의 가장자리를 덮도록 평탄화층(116) 상에 형성될 수 있다. 뱅크(117)는 복수의 서브 화소(SP)를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치된 절연층이다. 뱅크(117)는 서로 인접한 서브 화소(SP) 간의 경계에 배치되어, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 발광 소자(OLED)로부터 발광된 광의 혼색을 저감할 수 있다. 또한, 뱅크(117)는 발광 영역(EA)과 투과 영역(TA)의 경계에 배치되어 발광 영역(EA)과 투과 영역(TA)을 구분할 수 있다. 뱅크(117)는 유기 절연 물질일 수 있다. 예를 들어, 뱅크(117)는 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐 및 포토레지스트 중 하나로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
발광층(EL)은 애노드(AN) 및 뱅크(117) 상에 배치된다. 발광층(EL)은 기판(110)의 전면에 걸쳐서 형성될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 복수의 서브 화소(SP)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 또한, 발광층(EL)의 일부는 투과 영역(TA)에도 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 유기층일 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 및 백색 발광층 중 하나일 수 있다. 발광층(EL)이 백색 발광층으로 구성된 경우, 발광 소자(OLED) 상부에 컬러 필터가 더 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 저지층, 전자 수송층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있다.
캐소드(CT)는 발광층(EL) 상에 배치된다. 캐소드(CT)는 기판(110)의 전면에 걸쳐서 형성될 수 있다. 즉, 캐소드(CT)는 복수의 서브 화소(SP)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 또한, 캐소드(CT)의 일부는 투과 영역(TA)에도 배치될 수 있다. 캐소드(CT)는 발광층(EL)으로 전자를 공급하므로, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(CT)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질, MgAg와 같은 금속 합금이나 이테르븀(Yb) 합금 등으로 형성될 수 있고, 금속 도핑층이 더 포함될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
한편, 발광층(EL) 및 캐소드(CT)는 기판(110)의 전면에 걸쳐 형성되므로, 발광층(EL) 및 캐소드(CT)의 일부는 투과 영역(TA)에도 배치될 수 있다.
평탄화층(116)의 개구부(OP) 내에는 더미 유기층(DM)이 배치된다. 더미 유기층(DM)은 제2 패시베이션층(115) 상에 배치될 수 있다. 더미 유기층(DM)은 투과 영역(TA)에 배치될 수 있다. 더미 유기층(DM)은 발광층(EL)과 동일 공정에 의하여 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 더미 유기층(DM)과 발광층(EL)은 서로 이격되어 전기적으로 절연될 수 있다.
터치 전극(TE)은 평탄화층(116)의 개구부(OP) 내에 배치된다. 터치 전극(TE)은 더미 유기층(DM)을 커버하도록 배치될 수 있다. 터치 전극(TE)은 투과 영역(TA)에 배치될 수 있다. 터치 전극(TE)은 캐소드(CT)와 동일 공정에 의하여 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 터치 전극(TE)과 캐소드(CT)는 서로 이격되어 전기적으로 절연될 수 있다.
평탄화층(116)의 개구부(OP)는 언더컷 영역을 포함할 수 있다. 즉, 평탄화층(116)의 상부는 평탄화층(116)의 하부보다 개구부(OP)를 향하여 돌출될 수 있다. 따라서, 개구부(OP)는 평탄화층(116)의 돌출된 상부에 의하여 가려진 언더컷 영역을 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 캐소드(CT)가 기판(110)의 전면에 걸쳐 증착될 때, 언더컷 영역에는 발광층(EL) 및 캐소드(CT)가 증착되기 어려울 수 있다. 이에, 평탄화층(116) 상에 배치되는 발광층(EL)과 캐소드(CT)는 개구부(OP)의 일측 및 타측에서 비연속적으로 배치될 수 있다. 또한, 발광층(EL)의 증착 시, 개구부(OP) 내에는 발광층(EL)과 동일한 물질인 더미 유기층(DM)이 배치될 수 있다. 발광층(EL)과 더미 유기층(DM)은 단절된 구조를 가질 수 있다. 캐소드(CT)의 증착 시, 개구부(OP) 내에는 캐소드(CT)와 동일한 물질인 터치 전극(TE)이 증착될 수 있다. 캐소드(CT)와 터치 전극(TE)은 단절된 구조를 가질 수 있다.
복수의 터치 배선들의 위치 차이에 따라 복수의 터치 배선들 각각에 발생하는 총 커패시턴스에 편차가 발생할 수 있다. 이는 터치 센싱의 정확도를 저하시키는 원인이 될 수 있다. 특히, 복수의 터치 배선들과 데이터 배선 사이의 거리, 복수의 터치 배선들과 고전위 전원 배선 사이의 거리 또는 복수의 터치 배선들과 저전위 배선 사이의 거리가 복수의 터치 배선들의 커패시턴스 편차에 가장 큰 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 복수의 터치 배선(TL) 사이의 커패시턴스 편차를 최소화하기 위하여 보상 전극(CE)을 배치할 수 있다. 이에, 복수의 터치 배선(TL) 각각의 총 커패시턴스를 균일하게 형성하여 터치 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 제2 터치 배선(TL2)은 제1 터치 배선(TL1)에 비하여 제1 데이터 배선(DL1)과 가깝게 배치된다. 이에, 제2 터치 배선(TL2)과 제1 데이터 배선(DL1) 사이의 커패시턴스(Cp2)는 제1 터치 배선(TL1)과 제1 데이터 배선(DL1) 사이의 커패시턴스(Cp1)보다 크다. 이를 보상하기 위하여, 제1 터치 배선(TL1)은 보상 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 보상 전극(CE)을 통해 제1 터치 배선(TL1)의 총 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 보상 전극(CE)의 일단은 제1 터치 배선(TL1)과 전기적으로 연결되고, 타단은 발광 소자(OLED)의 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이에는 커패시턴스(Cp3)가 발생할 수 있다. 이때, 제1 터치 배선(TL1)과 제1 데이터 배선(DL1) 사이의 커패시턴스(Cp1)와 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이의 커패시턴스(Cp3)의 합은 제2 터치 배선(TL2)과 제1 데이터 배선(DL1) 사이의 커패시턴스(Cp2)와 동일하게 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 터치 배선(TL1)과 제2 터치 배선(TL2) 사이의 커패시턴스 편차가 최소화될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 화소(PX)는 2개의 보상 전극(CE)을 포함할 수 있다. 즉, 복수의 보상 전극(CE) 중 하나는 제1 터치 배선(TL1)과 전기적으로 연결되고, 다른 하나는 제4 터치 배선(TL4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 터치 배선(TL4)은 제3 터치 배선(TL3)에 비하여 제4 데이터 배선(DL4)으로부터 멀리 배치되는 배선일 수 있다. 이에, 제4 터치 배선(TL4)과 제4 데이터 배선(DL4) 사이의 커패시턴스는 제3 터치 배선(TL4)과 제4 데이터 배선(DL4) 사이의 커패시턴스보다 작다. 따라서, 제4 터치 배선(TL4)과 전기적으로 연결되는 보상 전극(CE)을 통해 제4 터치 배선(TL4)의 총 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 즉, 보상 전극(CE)와 캐소드(CT) 사이에 발생되는 커패시턴스를 통해 제3 터치 배선(TL3)과 제4 터치 배선(TL4) 사이의 커패시턴스 편차를 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 복수의 화소(PX) 각각에 보상 전극(CE)이 배치될 수 있다. 즉, 하나의 터치 배선(TL)과 연결되는 보상 전극(CE)이 하나의 특정 지점에만 배치되는 것이 아닌, 복수의 화소(PX)에 복수로 구비될 수 있다. 만약, 커패시턴스 편차를 보상하기 위한 보상 패턴이 터치 배선(TL)의 하나의 특정 지점에만 배치될 경우, 보상 패턴과 대응되는 영역에서 센싱되는 출력량이 다른 영역에 비하여 급격하게 커지는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 센싱되는 출력량이 정상 출력 범위를 넘어설 수 있고, 결국, 터치 변화를 인지하지 못하는 현상이 발생할 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 보상 전극(CE)에 의한 보상 커패시턴스가 복수의 화소(PX)에 걸쳐 고르게 분포할 수 있다. 따라서, 터치 배선(TL)의 출력량이 특정 지점에서 급격하게 증가되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 터치 배선(TL)의 출력량은 하나의 배선의 전체 영역에서 균일한 값을 가질 수 있다. 따라서, 터치 배선(TL)의 센싱 정확도가 향상되고, 표시 장치(100)의 품질이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 보상 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 이에, 보상 전극(CE)은 터치 배선(TL)이 배치된 발광 영역(EA)으로부터 투과 영역(TA)으로 연장될 수 있다. 이때, 투과 영역(TA)에는 복수의 서브 화소(SP)의 구동을 위한 불투명한 전극 또는 배선이 배치되지 않는다. 따라서, 보상 전극(CE)은 투과 영역(TA) 내에서 터치 배선(TL)의 커패시턴스 보상을 위한 충분한 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 보상 전극(CE)이 형성되더라도 발광 영역(EA)의 구성들의 설계에는 영향을 미치지 않을 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)을 화소(PX) 내에 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 인셀(in-cell) 터치 구조의 표시 장치(100)일 수 있다. 즉, 터치 구현을 위한 구조가 별도로 형성되는 것이 아닌, 표시 장치(100) 내에서 연속 공정으로 다른 구성 요소들과 함께 형성될 수 있다. 구체적으로, 복수의 터치 배선(TL)은 차광층(LS)과 동일 공정에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 복수의 터치 전극(TE)은 캐소드(CT)와 동일 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에, 간단한 공정을 통해 최소한의 비용으로 표시 장치(100) 내에 터치 구조를 구현할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 6은 도 5의 VI-VI'에 따른 단면도이다. 도 5 및 도 6의 표시 장치(500)는 도 1 내지 도 4의 표시 장치(100)와 비교하여 복수의 터치 배선(TL) 및 보상 전극(CE)을 제외하고는 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하도록 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 표시 장치(500)는 복수의 터치 배선(TL)을 포함하고, 복수의 터치 배선(TL) 중 적어도 하나는 보상 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 터치 배선(TL)은 제1 터치 배선(TL1), 제2 터치 배선(TL2), 제3 터치 배선(TL3) 및 제4 터치 배선(TL4)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 터치 배선(TL1)과 제2 터치 배선(TL2)은 발광 영역(EA)의 일측에 배치된 투과 영역(TA)과 인접하게 배치될 수 있다. 제3 터치 배선(TL3)과 제4 터치 배선(TL4)은 발광 영역(EA)의 타측에 배치된 투과 영역(TA)과 인접하게 배치될 수 있다.
제2 터치 배선(TL2)은 제1 터치 배선(TL1)에 비하여 제1 데이터 배선(DL1)과 가깝게 배치될 수 있다. 제2 터치 배선(TL2)의 폭은 제1 터치 배선(TL1)의 폭보다 넓을 수 있다. 제3 터치 배선(TL3)은 제4 터치 배선(TL4)에 비하여 제4 데이터 배선(DL4)과 가깝게 배치될 수 있다. 제3 터치 배선(TL3)의 폭은 제4 터치 배선(TL4)의 폭보다 넓을 수 있다.
보상 전극(CE)은 발광 영역(EA)에 배치된 제1 터치 배선(TL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 보상 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성되어 발광 영역(EA)으로부터 투과 영역(TA)으로 연장될 수 있다. 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 일부는 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 또한, 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 단부는 터치 전극(TE)과 중첩할 수 있다. 이에, 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이에는 커패시턴스(Cp3)가 발생할 수 있다. 또한, 보상 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에는 커패시턴스(Cp4)가 발생할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)은 제1 터치 배선(TL1)과 제2 터치 배선(TL2)의 커패시턴스 차이를 보상할 수 있다.
또한, 보상 전극(CE)은 발광 영역(EA)에 배치된 제4 터치 배선(TL4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 보상 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성되어 발광 영역(EA)으로부터 투과 영역(TA)으로 연장될 수 있다. 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 일부는 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 또한, 투과 영역(TA)에 배치된 보상 전극(CE)의 단부는 터치 전극(TE)과 중첩할 수 있다. 이에, 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이에는 커패시턴스가 발생할 수 있다. 또한, 보상 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에는 커패시턴스가 발생할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)은 제4 터치 배선(TL4)과 제3 터치 배선(TL3)의 커패시턴스 차이를 보상할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)는 복수의 터치 배선(TL) 사이의 커패시턴스 편차를 최소화하기 위하여 보상 전극(CE)을 배치할 수 있다. 이때, 보상 전극(CE)의 일단은 발광 영역(EA)에 배치되고, 타단은 투과 영역(TA)에 배치될 수 있다. 특히, 보상 전극(CE)의 타단은 투과 영역(TA)의 터치 전극(TE)과 중첩할 수 있다. 따라서, 보상 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 발생하는 커패시턴스에 의하여 복수의 터치 배선(TL) 사이의 커패시턴스 차이를 최소화할 수 있다.
한편, 캐소드(CT)의 일부는 투과 영역(TA)에도 배치되므로, 보상 전극(CE)은 투과 영역(TA) 내에서 캐소드(CT)와 중첩할 수 있다. 즉, 보상 전극(CE)에 의한 커패시턴스는 보상 전극(CE)과 캐소드(CT) 사이의 커패시턴스(Cp3)와 보상 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이의 커패시턴스(Cp4)를 포함할 수 있다. 이때, 보상 전극(CE)과 연결된 터치 배선(TL1, TL4)의 폭은 보상 전극(CE)과 연결되지 않은 터치 배선(TL2, TL3)의 폭보다 작게 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 터치 배선(TL1)에 발생하는 커패시턴스의 합과 제2 터치 배선(TL2)에 발생하는 커패시턴스의 합은 유사하게 이루어질 수 있다. 또한, 제4 터치 배선(TL4)에 발생하는 커패시턴스의 합과 제3 터치 배선(TL3)에 발생하는 커패시턴스의 합은 유사하게 이루어질 수 있다. 이에, 복수의 터치 배선(TL) 간의 커패시턴스 편차가 최소화되어 터치 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 복수의 화소가 배치된 기판; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 터치 배선; 상기 발광 영역에 배치되는 복수의 데이터 배선; 상기 복수의 터치 배선 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 보상 전극; 상기 복수의 터치 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 상에 배치되고, 상기 투과 영역과 대응되는 개구부를 포함하는 평탄화층; 상기 평탄화층 상에서 상기 발광 영역에 배치되는 발광 소자; 및 상기 투과 영역에서 상기 개구부 내에 배치되는 터치 전극을 포함하고, 상기 복수의 터치 배선은 제1 터치 배선 및 상기 제1 터치 배선보다 상기 복수의 데이터 배선과 가깝게 배치되는 제2 터치 배선을 포함하고, 상기 보상 전극은 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 복수의 터치 배선과 상기 복수의 데이터 배선은 서로 다른 절연층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 보상 전극은 상기 발광 영역으로부터 상기 투과 영역으로 연장될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 보상 전극의 일단은 상기 발광 영역에서 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 보상 전극의 타단은 상기 투과 영역에서 상기 발광 소자의 캐소드와 중첩할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 보상 전극의 일단은 상기 발광 영역에서 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 보상 전극의 타단은 상기 투과 영역에서 상기 터치 전극과 중첩할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제2 터치 배선의 폭은 상기 제1 터치 배선의 폭보다 넓을 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 발광 소자의 애노드는 상기 발광 영역과 상기 투과 영역 중 상기 발광 영역에만 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 보상 전극은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 투과 영역의 상기 개구부 내에 배치되고, 상기 발광 소자의 발광층과 동일한 물질로 이루어지는 더미 유기층을 더 포함하고, 상기 터치 전극은 상기 더미 유기층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 유기층과 상기 발광층은 서로 이격될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 터치 전극과 상기 발광 소자의 캐소드는 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 터치 전극과 상기 캐소드는 서로 이격될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 터치 전극과 상기 캐소드는 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 500: 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 제1 패시베이션층
115: 제2 패시베이션층
116: 평탄화층
117: 뱅크
120: 플렉서블 필름
130: 인쇄 회로 기판
TR: 트랜지스터
ACT: 액티브층
GE: 게이트 전극
SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극
OLED: 발광 소자
AN: 애노드
EL: 발광층
CT: 캐소드
DM: 더미 유기층
TE: 터치 전극
CE: 보상 전극
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
TEB: 터치 전극 블록
PX: 화소
EA: 발광 영역
TA: 투과 영역
SP, SP1, SP2, SP3, SP4: 서브 화소
TSP: 터치 센서부
GL: 게이트 배선
RL: 기준 배선
DL, DL1, DL2, DL3, DL4: 데이터 배선
TL, TL1, TL2, TL3, TL4: 터치 배선
VDD: 고전위 전원 배선
VSS: 저전위 전원 배선
OP: 개구부

Claims (13)

  1. 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 복수의 화소가 배치된 기판;
    상기 발광 영역에 배치되는 복수의 터치 배선;
    상기 발광 영역에 배치되는 복수의 데이터 배선;
    상기 복수의 터치 배선 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 보상 전극;
    상기 복수의 터치 배선 및 상기 복수의 데이터 배선 상에 배치되고, 상기 투과 영역과 대응되는 개구부를 포함하는 평탄화층;
    상기 평탄화층 상에서 상기 발광 영역에 배치되는 발광 소자; 및
    상기 투과 영역에서 상기 개구부 내에 배치되는 터치 전극을 포함하고,
    상기 복수의 터치 배선은 제1 터치 배선 및 상기 제1 터치 배선보다 상기 복수의 데이터 배선과 가깝게 배치되는 제2 터치 배선을 포함하고,
    상기 보상 전극은 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 터치 배선과 상기 복수의 데이터 배선은 서로 다른 절연층 상에 배치되는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보상 전극은 상기 발광 영역으로부터 상기 투과 영역으로 연장되는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보상 전극의 일단은 상기 발광 영역에서 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결되고,
    상기 보상 전극의 타단은 상기 투과 영역에서 상기 발광 소자의 캐소드와 중첩하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보상 전극의 일단은 상기 발광 영역에서 상기 제1 터치 배선과 전기적으로 연결되고,
    상기 보상 전극의 타단은 상기 투과 영역에서 상기 터치 전극과 중첩하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 터치 배선의 폭은 상기 제1 터치 배선의 폭보다 넓은, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자의 애노드는 상기 발광 영역과 상기 투과 영역 중 상기 발광 영역에만 배치되는, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보상 전극은 투명 도전성 물질로 이루어지는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투과 영역의 상기 개구부 내에 배치되고, 상기 발광 소자의 발광층과 동일한 물질로 이루어지는 더미 유기층을 더 포함하고,
    상기 터치 전극은 상기 더미 유기층 상에 배치되는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 더미 유기층과 상기 발광층은 서로 이격되는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 터치 전극과 상기 발광 소자의 캐소드는 동일한 물질로 이루어지는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 터치 전극과 상기 캐소드는 서로 이격되는, 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 터치 전극과 상기 캐소드는 투명 도전성 물질로 이루어지는, 표시 장치.
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