CN116414245A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开的一个方面，显示装置包括：设置有多个像素的基板，每个像素包括发光区域和透射区域。此外，显示装置包括在发光区域中的多条触摸线和在发光区域中的多条数据线。此外，显示装置包括电连接到多条触摸线中的至少一条触摸线的补偿电极。此外，显示装置包括在多条触摸线和多条数据线上的平坦化层，平坦化层包括对应于透射区域的开口。此外，显示装置包括在发光区域中的平坦化层上的发光二极管和设置在透射区域中的开口内的触摸电极。多条触摸线包括第一触摸线和比第一触摸线更靠近多条数据线的第二触摸线。补偿电极电连接到第一触摸线。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0193996号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种可具有提高的触摸感测精度的显示装置。

背景技术

随着信息时代的到来，用于视觉上显示电信息信号的显示装置领域正在快速发展。因此，已试图减小各种显示装置的体积、重量和功耗的努力。

除了使用按钮、键盘、鼠标等的传统输入方式之外，某些显示装置还提供基于触摸的输入方式，其使得用户能够容易地、直观且方便地输入信息或命令。基于触摸的显示装置大致可分为自电容型和互电容型。在多个触摸电极与用户的输入之间形成电容的自电容型显示装置可基于在用户触摸时产生的电容的变化来识别触摸。其中触摸电极被划分为驱动电极和感测电极并且在它们之间形成互电容的互电容型显示装置可基于在用户触摸时产生的互电容的变化来识别触摸。

发明内容

本公开要实现的一个目的在于提供一种具有内嵌式(in-cell)触摸结构的显示装置。

本公开要实现的另一目的在于提供一种可具有提高的触摸感测精度的显示装置。

本公开的目的不限于上述目的，本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上面未提及的其他目的。

根据本公开的一个方面，一种显示装置，包括：设置有多个像素的基板，每个像素包括发光区域和透射区域。此外，所述显示装置包括在所述发光区域中的多条触摸线和在所述发光区域中的多条数据线。此外，所述显示装置包括电连接到所述多条触摸线中的至少一条触摸线的补偿电极。此外，所述显示装置包括在所述多条触摸线和所述多条数据线上的平坦化层，所述平坦化层包括对应于所述透射区域的开口。此外，所述显示装置包括在所述发光区域中的所述平坦化层上的发光二极管和设置在所述透射区域中的所述开口内的触摸电极。所述多条触摸线包括第一触摸线和比第一触摸线更靠近所述多条数据线的第二触摸线。所述补偿电极电连接到所述第一触摸线。

示例性实施方式的其他详细内容包括在详细描述和附图中。

根据本公开，可实现具有内嵌式结构的透明显示装置。

根据本公开，可通过使用像素内的补偿电极来使触摸线之间的电容的差异最小化。

根据本公开的效果不限于以上例示的内容，本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是例示根据本公开一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图2是图1中所示的像素的配置图；

图3是图2中所示的像素的放大图；

图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面图；

图5是例示根据本公开另一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图。

具体实施方式

本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实施。这些示例性实施方式仅以举例的方式提供，以便本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。

附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可能省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地混淆本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。

即使没有明确说明，组件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述两部分之间的位置关系时，可在这两个部分之间设置一个或多个部分，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当一元件或层设置在另一元件或层“上”时，该一元件或层可直接设置在该另一元件或层上或者在它们之间可插置其他元件或其他层。

尽管使用术语“第一”、“第二”等描述各种部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅是用于区分一个部件与其他部件。因此，在本发明的技术构思内，下面提到的第一部件可以是第二部件。

在整个申请中相同的参考标记通常表示相同的元件。

为了便于说明示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，本发明不限于图示的部件的尺寸和厚度。

本公开的各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上以各种方式互锁和操作，这些实施方式可彼此独立地实施，或者彼此关联地实施。

在下文中，将参照附图详细描述本公开。

图1是例示根据本公开一示例性实施方式的显示装置的平面图。图2是图1中所示的像素的配置图。在图1中，为了描述方便，仅例示了显示装置100的各个部件之中的基板110、多个柔性膜120和多个印刷电路板130。

参照图1，根据本公开一示例性实施方式的显示装置100包括基板110、多个柔性膜120和多个印刷电路板130。显示装置100可以是具有内嵌式触摸结构的透明显示装置。

基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA设置在基板110的中央部分，并且可以是显示装置100中显示图像的区域。在显示区域AA中，可设置有显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可由稍后将描述的包括阳极AN、发光层EL和阴极CT的发光二极管OLED构成。此外，用于驱动显示元件的诸如晶体管TR、电容器和线之类的各种驱动元件可设置在显示区AA域中。

在显示区域AA中设置有多个触摸电极块TEB。多个触摸电极块TEB可以包括多个触摸电极TE，稍后将参照图3和图4对其进行描述。也就是说，设置在显示区域AA中的多个触摸电极TE可根据区域划分为多个块并且可形成多个触摸电极块TEB。这里，设置在单个触摸电极块TEB中的多个触摸电极TE可彼此电连接。此外，多个触摸电极块TEB可分别电连接到多条触摸线TL。因此，多个触摸电极块TEB可通过经由多条触摸线TL接收触摸驱动信号来识别触摸。此外，多个触摸电极块TEB可将触摸感测信号传输到多条触摸线TL。多个触摸电极块TEB可通过自电容型方法识别触摸。

在多个触摸电极块TEB的每一个中设置有多个像素PX。多个像素PX的每一个包括发光区域EA和透射区域TA。

具体来说，参照图2，每个像素PX包括发光区域EA和透射区域TA。在发光区域EA中，可设置多个子像素SP。在透射区域TA中，可设置触摸传感器部分TSP。

发光区域EA可以是发光时实际实现图像的区域。发光区域EA可被定义为在像素PX内未设置有多个透射区域TA的区域。在发光区域EA中，可设置有多个子像素SP。也就是说，发光区域EA可通过设置在多个子像素SP的每一个中的发光二极管OLED发光。多个子像素SP可分别发射不同波长的光。例如，多个子像素SP可包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。这里，第一子像素SP1可以是红色子像素，第二子像素SP2可以是绿色子像素，第三子像素SP3可以是蓝色子像素，第四子像素SP4可以是白色子像素。也就是说，单个像素PX可包括发射不同颜色的光的四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。然而，本公开不限于此。

每个子像素SP是用于形成图像的最小单元，并且多个子像素SP的每一个可包括发光二极管OLED和驱动器电路。多个子像素SP可电连接到沿第一方向设置的多条栅极线GL和沿与第一方向不同的第二方向设置的多条数据线DL。这里，第一方向可以是图1和图2中所示的水平方向，第二方向可以是图1和图2中所示的垂直方向，但不限于此。

子像素SP的驱动器电路是用于控制发光二极管OLED的驱动的电路。例如，驱动器电路可包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器等。驱动器电路可电连接到信号线，信号线诸如是与设置在非显示区域NA中的栅极驱动器IC、数据驱动器IC等连接的栅极线GL和数据线DL。

透射区域TA可以是从外部入射的光的至少一部分透过的区域。在透射区域TA中未设置多个子像素SP。在透射区域TA中可设置触摸传感器部分TSP。透射区域TA可由透明材料制成。因此，显示装置100由于透射区域TA可具有透明性。在单个像素PX内可设置多个透射区域TA。例如，可在像素PX的两侧部分分别设置透射区域TA，但不限于此。

在触摸传感器部分TSP中设置有用于感测触摸的触摸电极TE。触摸电极TE可电连接到触摸线TL并且可从触摸驱动器IC接收触摸驱动信号或者将触摸感测信号传输到触摸驱动器IC。触摸电极TE可由透明导电材料制成。此外，可在触摸传感器部分TSP中设置稍后将描述的虚拟有机层DM和多个绝缘层。这里，虚拟有机层DM和多个绝缘层可由透明材料制成。

非显示区域NA设置于基板110的外周区域并且可以是不显示图像的区域。非显示区域NA可设置为围绕显示区域AA，但不限于此。在非显示区域NA中，可设置用于驱动设置在显示区域AA中的多个子像素SP和多个触摸传感器部分TSP的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素SP和多个触摸传感器部分TSP的信号的驱动器IC、驱动器电路、信号线、柔性膜120等可设置在非显示区域NA。

多个柔性膜120设置于基板110的一端。多个柔性膜120电连接到基板110的一端。多个柔性膜120的每一个是其中在具有延展性的基膜上设置有各种部件以向显示区域AA中的多个子像素SP提供信号的一种膜。多个柔性膜120的一端可设置在基板110的非显示区域NA中，以向显示区域AA中的多个子像素SP提供数据电压等。另外，虽然在图1中示出了四个柔性膜120，但柔性膜120的数量可根据设计而变化，并不限于此。

在多个柔性膜120的每一个上可设置有诸如栅极驱动器IC、数据驱动器IC或触摸驱动器IC之类的驱动器IC。驱动器IC可以是处理用于显示图像的数据以及用于处理该数据的驱动信号的部件。驱动器IC可处理触摸驱动信号和用于感测触摸的触摸感测信号。根据安装方法，可通过玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)或载带封装(TCP)技术来设置驱动器IC。然而，在本申请中，为了描述方便，驱动器IC被描述为通过COF技术安装在多个柔性膜120上，但不限于此。

印刷电路板130连接到多个柔性膜120。印刷电路板130可以是向驱动器IC提供信号的部件。在印刷电路板130中可设置有向驱动器IC提供诸如驱动信号或数据电压之类的各种驱动信号的各种部件。同时，尽管图1中示出了两个印刷电路板130，但是印刷电路板130的数量可根据设计而变化，并不限于此。

显示装置100是透明显示装置。显示装置100由于多个透射区域TA而可具有透明性并且还可通过发光区域EA显示图像。也就是说，当通过发光区域EA发光时，显示装置100可显示图像，诸如视频、静态图像、静止画面等。此外，显示装置100可通过使从外部入射的光透过多个透射区域TA而具有透明性。

显示装置100可以是顶部发射型显示装置。对于顶部发射类型，从发光二极管OLED发出的光朝向设置有发光二极管OLED的基板110的上部发射。在顶部发射型的情况下，可在阳极下方形成反射层，以使从发光二极管发出的光向基板的上部，即，朝向阴极传播。

图3是图2中所示像素的放大图。图4是沿图3的线IV-IV'截取的截面图。在图3中，为了描述方便，仅示出了显示装置100的各种部件之中的栅极线GL、数据线DL、基准线RL、高电位电源线VDD、低电位电源线VSS、触摸线TL、阴极CT、触摸电极TE和补偿电极CE。此外，阴极CT和触摸电极TE的边缘由粗实线表示。

参照图3和图4，显示装置100包括基板110、遮光层LS、基准线RL、触摸线TL、栅极线GL、数据线DL、补偿电极CE、高电位电源线VDD、低电位电源线VSS、晶体管TR、发光二极管OLED和触摸电极TE。

另外，参照图2，发光区域EA包括多个子像素SP，并且透射区域TA包括触摸传感器部分TSP。也就是说，虽然未在图3中示出，但是发光区域EA包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。具体地，在栅极线GL上方的基准线RL的左侧和右侧可分别对应于第一子像素SP1和第二子像素SP2。此外，在栅极线GL下方的基准线RL的左侧和右侧可分别对应于第三子像素SP3和第四子像素SP4。此外，在透射区域TA中，设置有触摸电极TE的区域可对应于触摸传感器部分TSP。

在发光区域EA中，设置有多条触摸线TL、多条数据线DL、高电位电源线VDD、低电位电源线VSS、晶体管TR和发光二极管OLED。也就是说，发光区域EA包括实际发光的多个子像素SP，并且可被定义为设置驱动器电路的区域。

在透射区域TA中未设置多条触摸线TL、多条数据线DL、高电位电源线VDD、低电位电源线VSS、晶体管TR和发光二极管OLED。也就是说，透射区域TA需要配置为允许通过透射区域TA看到显示装置100后面的物体。因此，透射区域TA需要配置为透射光。因此，在透射区域TA中未设置包含不透明材料的多条触摸线TL、多条数据线DL、高电位电源线VDD、低电位电源线VSS、晶体管TR和发光二极管OLED。因此，可实现透射区域TA的透明性或半透明性。

另外，由于栅极线GL沿与像素PX交叉的第一方向设置，所以栅极线GL的一部分可设置成穿过透射区域TA。然而，与栅极线GL交叠的区域只是透射区域TA的一部分。因此，透射区域TA可保持透明性。

基板110是用于支撑和保护显示装置100的各种部件的基板。基板110可由玻璃或具有柔性的塑料材料制成。当基板110由塑料材料制成时，基板110例如可由聚酰亚胺(PI)制成，但不限于此。

基准线RL、多条触摸线TL、以及遮光层LS设置在基板110上。基准线RL、多条触摸线TL、以及遮光层LS可设置在发光区域EA中。基准线RL、多条触摸线TL、以及遮光层LS可在基板110上通过相同的工艺由相同的材料制成。例如，基准线RL、多条触摸线TL、以及遮光层LS可由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金之类的导电材料制成，但不限于此。

基准线RL是从像素PX的中央部分沿第二方向延伸的线，并且配置为将基准电压传送到多个子像素SP中的每一个子像素。例如，基准线RL可设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间以及第三子像素SP3与第四子像素SP4之间。形成单个像素PX的多个子像素SP可共享单个基准线RL。例如，单个基准线RL可将基准电压传送到第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个子像素。

多条触摸线TL将触摸驱动信号施加至多个触摸电极TE并且从多个触摸电极TE接收触摸感测信号。多条触摸线TL可沿基板110的第二方向延伸。多条触摸线TL的一部分可延伸至透射区域TA以与触摸电极TE接触。

可在单个像素PX中设置四条触摸线TL。也就是说，触摸线TL可包括第一触摸线TL1、第二触摸线TL2、第三触摸线TL3和第四触摸线TL4。在此，第一触摸线TL1和第二触摸线TL2可与设置在发光区域EA的一侧的透射区域TA相邻地设置。第三触摸线TL3和第四触摸线TL4可与设置在发光区域EA的另一侧的透射区域TA相邻地设置。多条触摸线TL1、TL2、TL3和TL4可分别电连接到不同的触摸电极块TEB。例如，第一触摸线TL1可电连接到设置在多个触摸电极块TEB之一中的多个像素PX内的所有触摸电极TE。

另外，图3示出了在单个像素PX中设置四条触摸线TL，但本公开不限于此。也就是说，与单个像素PX交叠的触摸线TL的数量可根据显示装置100的设计而变化。

遮光层LS可设置为与晶体管TR的有源层ACT交叠。遮光层LS可阻挡入射到有源层ACT的光。当光照射到有源层ACT时，会发生漏电流。因此，作为驱动晶体管的晶体管TR的可靠性会降低。因此，如果由不透明导电材料制成的遮光层LS设置为与有源层ACT交叠，则可阻挡从基板110下方入射到有源层ACT的光。因此，可通过遮光层LS提高晶体管TR的可靠性。

另外，虽然图中未示出，但是遮光层LS可电连接到晶体管TR的源极电极SE或漏极电极DE。如果遮光层LS电浮置，则遮光层LS与有源层ACT之间的寄生电容发生变化。此外，晶体管TR的阈值电压的偏移量会变化。这会导致视觉缺陷，例如亮度变化。因此，遮光层LS电连接到源极电极SE或漏极电极DE，因此可保持恒定的寄生电容。

缓冲层111设置在基准线RL、多条触摸线TL和遮光层LS上。缓冲层111配置为使缓冲层111之上和之下的部件绝缘，缓冲层111可由绝缘材料制成。例如，缓冲层111可形成为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或者它们的多层，但不限于此。

晶体管TR设置在缓冲层111上。晶体管TR可设置在发光区域EA中。晶体管TR可用作用于驱动发光二极管OLED的驱动元件。晶体管TR包括有源层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。图4中所示的晶体管TR是驱动晶体管并且是具有其中栅极电极GE设置在有源层ACT上的顶栅结构的薄膜晶体管，但不限于此。晶体管TR也可实现为具有底栅结构的晶体管。

图4仅例示了显示装置100中所包括的各种晶体管之中的驱动晶体管TR，但是诸如开关晶体管之类的其他晶体管也可设置在缓冲层111上。

有源层ACT设置在缓冲层111上。有源层ACT是晶体管TR被驱动时形成沟道的区域。有源层ACT可由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料制成，但不限于此。例如，当有源层ACT由氧化物半导体制成时，有源层ACT由沟道区域、源极区域和漏极区域构成。这里，源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。

栅极绝缘层112设置在有源层ACT上。栅极绝缘层112配置为使有源层ACT与栅极电极GE电绝缘，栅极绝缘层112可由绝缘材料制成。如图4中所示，栅极绝缘层112可在有源层ACT上被图案化以具有与栅极电极GE相同的宽度，但不限于此。也就是说，栅极绝缘层112可遍及基板110的整个表面形成。栅极绝缘层112可形成为作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者它们的多层，但不限于此。

栅极电极GE设置在栅极绝缘层112上。栅极电极GE设置在栅极绝缘层112上以与有源层ACT的沟道区交叠。栅极电极GE可由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的任何一种或它们中的两种或更多种的合金制成，或者栅极电极GE可以是它们的多层，但不限于此。

栅极电极GE可从栅极线GL延伸。也就是说，栅极电极GE可与栅极线GL一体地形成，并且栅极电极GE和栅极线GL可由相同的导电材料制成。例如，栅极线GL可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们中的两种或更多种的合金制成，或者栅极线GL可以是它们的多层，但不限于此。

栅极线GL是配置为将栅极电压传送到多个子像素SP中的每一个子像素的线，栅极线GL可沿与像素PX交叉的第一方向延伸。例如，栅极线GL可设置在第一子像素SP1与第三子像素SP3之间以及第二子像素SP2与第四子像素SP4之间。沿第一方向延伸的栅极线GL可与沿第二方向延伸的高电位电源线VDD、多条触摸线TL、多条数据线DL、基准线RL和低电位电源线VSS交叉。

层间绝缘层113设置在栅极电极GE上。层间绝缘层113可形成为作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者它们的多层，但不限于此。在层间绝缘层113中，形成有用于源极电极SE与有源层ACT的源极区域之间的接触以及漏极电极DE与有源层ACT的漏极区域之间的接触的接触孔。

源极电极SE和漏极电极DE设置在层间绝缘层113上。源极电极SE和漏极电极DE设置在同一层上并且彼此间隔开。源极电极SE和漏极电极DE通过层间绝缘层113中的接触孔电连接到有源层ACT。

多条数据线DL设置在层间绝缘层113上。也就是说，多条数据线DL、源极电极SE和漏极电极DE可在层间绝缘层113上通过相同的工艺由相同的材料制成。例如，多条数据线DL、源极电极SE和漏极电极DE可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们中的两种或更多种的合金制成，或者可以是它们的多层，但不限于此。

多条数据线DL可设置在发光区域EA中。多条数据线DL是沿第二方向延伸并且配置为将数据电压传送到多个子像素SP中的每一个子像素的线。多条数据线DL包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1和第二数据线DL2可设置在基准线RL的一侧。在这种情况下，第一数据线DL1可与第一触摸线TL1和第二触摸线TL2相邻地设置，并且第二数据线DL2可与基准线RL相邻地设置。第三数据线DL3和第四数据线DL4可设置在基准线RL的另一侧。在这种情况下，第四数据线DL4可与第三触摸线TL3和第四触摸线TL4相邻地设置，第三数据线DL3可与基准线RL相邻地设置。第一数据线DL1可电连接到第一子像素SP1。第二数据线DL2可电连接到第三子像素SP3。第三数据线DL3可电连接到第二子像素SP2。第四数据线DL4可电连接到第四子像素SP4。

补偿电极CE设置在层间绝缘层113上。补偿电极CE可电连接到设置在发光区域EA中的多条触摸线TL中的至少一条触摸线。具体地，补偿电极CE可电连接到设置在发光区域EA中的第一触摸线TL1。在此，相比于第二触摸线TL2，第一触摸线TL1可与多条数据线DL间隔开更远。补偿电极CE可由透明导电材料制成并且从发光区域EA延伸到透射区域TA。特别地，补偿电极CE的设置在透射区域TA中的端部可与发光二极管OLED的阴极CT交叠。因此，可在补偿电极CE与阴极CT之间产生电容Cp3。因此，补偿电极CE可补偿第一触摸线TL1与第二触摸线TL2之间的电容的差异。

另外，如图3中所示，可在单个像素PX中设置两个补偿电极CE。也就是说，可在像素PX的一侧和另一侧分别设置补偿电极CE。例如，设置在像素PX的一侧的补偿电极CE可设置在设置于像素PX的一侧的透射区域TA与发光区域EA之间的边界处。设置在像素PX的另一侧的补偿电极CE可设置在设置于像素PX的另一侧的透射区域TA与发光区域EA之间的边界处。

具体地，设置在像素PX的另一侧的补偿电极CE可电连接到设置在发光区域EA中的第四触摸线TL4。这里，相比于第三触摸线TL3，第四触摸线TL4可与多条数据线DL间隔开更远。补偿电极CE可由透明导电材料制成并且从发光区域EA延伸到透射区域TA。特别地，补偿电极CE的设置在透射区域TA中的端部可与发光二极管OLED的阴极CT交叠。因此，可在补偿电极CE与阴极CT之间产生电容。因此，补偿电极CE可补偿第四触摸线TL4与第三触摸线TL3之间的电容的差异。

另外，图3示出了补偿电极CE设置在像素PX的下部，但本公开不限于此。也就是说，补偿电极CE的位置可根据显示装置100的设计而变化。此外，图3示出了分别连接到第一触摸线TL1和第四触摸线TL4的补偿电极CE具有相同的尺寸，但本公开不限于此。也就是说，如果由于位置不同而在第一触摸线TL1和第四触摸线TL4处产生的电容存在差异，则补偿电极CE可具有彼此不同的尺寸。例如，如果在第一触摸线TL1处产生的电容小于在第四触摸线TL4处产生的电容，则连接到第一触摸线TL1的补偿电极CE的尺寸可大于连接到第四触摸线TL4的补偿电极CE的尺寸。

第一钝化层114设置在晶体管TR、多条数据线DL和补偿电极CE上。第一钝化层114可形成为作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者它们的多层，但不限于此。在第一钝化层114中，可形成用于漏极电极DE与发光二极管OLED的阳极AN之间的接触的接触孔。

高电位电源线VDD和低电位电源线VSS设置在第一钝化层114上。高电位电源线VDD和低电位电源线VSS可设置在发光区域EA中。高电位电源线VDD和低电位电源线VSS可在第一钝化层114上通过相同的工艺由相同的材料制成。例如，高电位电源线VDD和低电位电源线VSS可由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金之类的导电材料制成，但不限于此。

高电位电源线VDD是配置为将高电位电源电压传送到多个子像素SP中的每一个子像素的线。形成单个像素PX的多个子像素SP可共享单个高电位电源线VDD。例如，单个高电位电源线VDD可将高电位电源电压传送到第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个子像素。高电位电源线VDD可设置为与第一触摸线TL1和第二触摸线TL2交叠。因此，高电位电源线VDD可抑制在第一触摸线TL1与阳极AN之间以及在第二触摸线TL2与阳极AN之间产生寄生电容。

低电位电源线VSS是配置为将低电位电源电压传送到多个子像素SP中的每一个子像素的线。在这种情况下，阴极CT可以是遍及整个发光区域EA形成的公共层。因此，形成单个像素PX的多个子像素SP可共享单个低电位电源线VSS。例如，单个低电位电源线VSS可通过作为公共层的阴极CT将低电位电源电压传送到第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个子像素。低电位电源线VSS可设置为与第三触摸线TL3和第四触摸线TL4交叠。因此，低电位电源线VSS可抑制在第三触摸线TL3与阳极AN之间以及在第四触摸线TL4与阳极AN之间产生寄生电容。

第二钝化层115设置在高电位电源线VDD和低电位电源线VSS上。第二钝化层115可形成为作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者它们的多层，但不限于此。在第二钝化层115中，可形成用于漏极电极DE与发光二极管OLED的阳极AN之间的接触的接触孔。

平坦化层116设置在第二钝化层115上。平坦化层116是配置为将基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层116可由有机材料制成，并且可形成为例如聚酰亚胺或光学压克力的单层或者它们的多层，但是不限于此。

平坦化层116可包括对应于透射区域TA的开口OP。开口OP可暴露第二钝化层115的一部分。这里，开口OP的宽度可从上到下增加。也就是说，平坦化层116的上部可比平坦化层116的下部更朝向开口OP突出。因此，通过平坦化层116的突出的上部可在开口OP的下部形成底切区域。稍后将描述的发光层EL和阴极CT可在对应于开口OP的区域处被底切区域切断。这将在后面描述。

发光二极管OLED设置在平坦化层116上。发光二极管OLED可设置在发光区域EA中。发光二极管OLED可设置在多个子像素SP中的每一个子像素中。发光二极管OLED包括阳极AN、发光层EL和阴极CT。

阳极AN与多个子像素SP中的每一个子像素对应地设置在平坦化层116上。阳极AN仅设置在发光区域EA中，而不设置在透射区域TA中。阳极AN可电连接到晶体管TR的漏极电极DE。然而，根据晶体管TR的类型和驱动器电路的设计方法，阳极AN也可电连接到晶体管TR的源极电极SE。阳极AN可由具有高功函数的导电材料制成，以向发光层EL提供空穴。例如，阳极AN可形成为具有多层结构，该多层结构包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层。透明导电层可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的具有相对较高功函数值的材料制成。不透明导电层可形成为包含Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或它们的合金的单层或者多层。然而，阳极AN的材料不限于此。

堤部117设置在阳极AN和平坦化层116上。可在平坦化层116上形成堤部117以覆盖阳极AN的边缘。堤部117是设置在多个子像素SP之间以区分多个子像素SP的绝缘层。堤部117可设置在彼此相邻的子像素SP之间的边界处，以抑制分别从多个子像素SP的发光二极管OLED发射的光的颜色的混合。此外，堤部117可设置在发光区域EA与透射区域TA之间的边界处，以区分发光区域EA和透射区域TA。堤部117可由有机绝缘材料制成。例如，堤部117可由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、苯并环丁烯和光刻胶中的一种制成，但不限于此。

发光层EL设置在阳极AN和堤部117上。发光层EL可遍及基板110的整个表面形成。也就是说，发光层EL可以是公共地形成在多个子像素SP中的公共层。另外，发光层EL的一部分也可设置在透射区域TA中。发光层EL可以是用于发射特定颜色的光的有机层。例如，发光层EL可以是红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层中的一种。当发光层EL是白色发光层时，可在发光二极管OLED上进一步设置滤色器。发光层EL可进一步包括各种层，诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层、电子传输层等。

阴极CT设置在发光层EL上。阴极CT可遍及基板110的整个表面形成。也就是说，阴极CT可以是公共地形成在多个子像素SP中的公共层。此外，阴极CT的一部分也可设置在透射区域TA中。阴极CT向发光层EL提供电子，因此阴极CT可由具有较低功函数的导电材料制成。阴极CT例如可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料、诸如MgAg之类的金属合金、或镱(Yb)合金制成。阴极CT可进一步包括金属掺杂层，但不限于此。

由于发光层EL和阴极CT遍及基板110的整个表面形成，所以发光层EL的一部分和阴极CT的一部分也可设置在透射区域TA中。

虚拟有机层DM设置在平坦化层116的开口OP内。虚拟有机层DM可设置在第二钝化层115上。虚拟有机层DM可设置在透射区域TA中。虚拟有机层DM可通过与发光层EL相同的工艺由与发光层EL相同的材料制成。在此，虚拟有机层DM和发光层EL彼此间隔开，因此可彼此电绝缘。

触摸电极TE设置在平坦化层116的开口OP内。触摸电极TE可设置为覆盖虚拟有机层DM。触摸电极TE可设置在透射区域TA中。触摸电极TE可通过与阴极CT相同的工艺由与阴极CT相同的材料制成。在此，触摸电极TE和阴极CT彼此间隔开，因此可彼此电绝缘。

平坦化层116的开口OP可包括底切区域。也就是说，平坦化层116的上部可比平坦化层116的下部更朝向开口OP突出。因此，开口OP可包括被平坦化层116的突出的上部遮蔽的底切区域。当遍及基板110的整个表面沉积发光层EL和阴极CT时，很难在底切区域上沉积发光层EL和阴极CT。因此，设置在平坦化层116上的发光层EL和阴极CT可不连续地设置在开口OP的一侧和另一侧。此外，当沉积发光层EL时，可在开口OP内设置由与发光层EL相同的材料制成的虚拟有机层DM。发光层EL和虚拟有机层DM可彼此被切断。当沉积阴极CT时，可在开口OP内设置由与阴极CT相同的材料制成的触摸电极TE。阴极CT和触摸电极TE可彼此被切断。

根据多条触摸线中的每条触摸线的位置，在多条触摸线之间存在总电容的差异，这会导致触摸感测精度的降低。具体地，多条触摸线之间的电容的差异会最受数据线与多条触摸线之间的距离、高电位电源线与多条触摸线之间的距离、或低电位电源线与多条触摸线之间距离的影响。

在根据本公开一示例性实施方式的显示装置100中，可设置补偿电极CE来使多条触摸线TL之间的电容的差异最小化。因此，多条触摸线TL中的每条触摸线的总电容可以是均匀的，这可提高触摸感测精度。

具体地，第二触摸线TL2设置为比第一触摸线TL1更靠近第一数据线DL1。因此，第二触摸线TL2与第一数据线DL1之间的电容Cp2大于第一触摸线TL1与第一数据线DL1之间的电容Cp1。为了补偿这一差异，第一触摸线TL1可电连接到补偿电极CE。也就是说，可通过补偿电极CE增加第一触摸线TL1的总电容。补偿电极CE的一端可电连接到第一触摸线TL1，并且补偿电极CE的另一端可与发光二极管OLED的阴极CT交叠。因此，可在补偿电极CE与阴极CT之间产生电容Cp3。在这种情况下，第一触摸线TL1与第一数据线DL1之间的电容Cp1和补偿电极CE与阴极CT之间的电容Cp3之和可等于第二触摸线TL2与第一数据线DL1之间的电容Cp2。因此，第一触摸线TL1与第二触摸线TL2之间的电容的差异可被最小化。

此外，如图3中所示，每个像素PX可包括两个补偿电极CE。也就是说，多个补偿电极CE中的一个补偿电极可电连接到第一触摸线TL1，并且另一个补偿电极CE可电连接到第四触摸线TL4。相比于第三触摸线TL3，第四触摸线TL4可设置得离第四数据线DL4更远。因此，第四触摸线TL4与第四数据线DL4之间的电容小于第三触摸线TL3与第四数据线DL4之间的电容。因此，可通过与第四触摸线TL4电连接的补偿电极CE增加第四触摸线TL4的总电容。也就是说，可通过在补偿电极CE与阴极CT之间产生的电容使第三触摸线TL3与第四触摸线TL4之间的电容的差异最小化。

在根据本公开一示例性实施方式的显示装置100中，可在多个像素PX的每一个像素中设置补偿电极CE。也就是说，连接到单个触摸线TL的补偿电极CE不是设置在单个特定点处，而是可在多个像素PX中设置多个补偿电极CE，使得多个补偿电极CE可连接到单个触摸线TL。如果用于补偿电容的差异的补偿电极设置在触摸线TL的单个特定点处，则在对应于补偿电极的区域处感测到的输出量会显着增加。在这种情况下，感测到的输出量会超出正常输出范围。结果，可能无法识别触摸的变化。因此，在根据本公开一示例性实施方式的显示装置100中，通过补偿电极CE产生的补偿电容可遍及多个像素PX均匀地分布。因此，可抑制触摸线TL的输出量在特定点处的显著增加。也就是说，来自触摸线TL的输出量遍及整条触摸线可以是均匀的。因此，可提高触摸线TL的感测精度，并且可提高显示装置100的质量。

在根据本公开一示例性实施方式的显示装置100中，补偿电极CE可由透明导电材料制成。因此，补偿电极CE可从设置有触摸线TL的发光区域EA延伸到透射区域TA。这里，用于驱动多个子像素SP的不透明电极或线不设置在透射区域TA中。因此，补偿电极CE可形成在透射区域TA内，从而具有足够的面积来补偿触摸线TL的电容。此外，补偿电极CE不会影响发光区域EA中的部件的设计。因此，可容易地在像素PX内形成补偿电极CE。

根据本公开一示例性实施方式的显示装置100可以是具有内嵌式触摸结构的显示装置。也就是说，用于实现触摸感测的结构不是单独形成的，而是可通过连续的工艺与显示装置100内的其他部件一起形成。具体地，可通过与遮光层LS相同的工艺形成多条触摸线TL。此外，可通过与阴极CT相同的工艺形成多个触摸电极TE。因此，可通过简单的工艺以最低的成本在显示装置100内实现触摸结构。

图5是例示根据本公开另一示例性实施方式的显示装置的平面图。图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图。图5和图6中所示的显示装置500与图1到图4中所示的显示装置100基本相同，不同之处在于多条触摸线TL和补偿电极CE。因此，将省略对其冗余的描述。

参照图5和图6，显示装置500包括多条触摸线TL，并且多条触摸线TL中的至少一条触摸线可电连接到补偿电极CE。

多条触摸线TL可包括第一触摸线TL1、第二触摸线TL2、第三触摸线TL3和第四触摸线TL4。在这种情况下，第一触摸线TL1和第二触摸线TL2可与设置在发光区域EA的一侧的透射区域TA相邻地设置。第三触摸线TL3和第四触摸线TL4可与设置在发光区域EA的另一侧的透射区域TA相邻地设置。

第二触摸线TL2可设置为比第一触摸线TL1更靠近第一数据线DL1。第二触摸线TL2可具有比第一触摸线TL1的宽度大的宽度。第三触摸线TL3可设置为比第四触摸线TL4更靠近第四数据线DL4。第三触摸线TL3可具有比第四触摸线TL4的宽度大的宽度。

补偿电极CE可电连接到设置在发光区域EA中的第一触摸线TL1。补偿电极CE可由透明导电材料制成并且从发光区域EA延伸到透射区域TA。设置在透射区域TA中的补偿电极CE的一部分可与阴极CT交叠。此外，设置在透射区域TA中的补偿电极CE的端部可与触摸电极TE交叠。因此，可在补偿电极CE与阴极CT之间产生电容Cp3。此外，可在补偿电极CE与触摸电极TE之间产生电容Cp4。因此，补偿电极CE可补偿第一触摸线TL1与第二触摸线TL2之间的电容的差异。

此外，补偿电极CE可电连接到设置在发光区域EA中的第四触摸线TL4。补偿电极CE可由透明导电材料制成并且从发光区域EA延伸到透射区域TA。设置在透射区域TA中的补偿电极CE的一部分可与阴极CT交叠。此外，设置在透射区域TA中的补偿电极CE的端部可与触摸电极TE交叠。因此，可在补偿电极CE与阴极CT之间产生电容。此外，可在补偿电极CE与触摸电极TE之间产生电容。因此，补偿电极CE可补偿第四触摸线TL4与第三触摸线TL3之间的电容的差异。

在根据本公开另一示例性实施方式的显示装置500中，可设置补偿电极CE来使多条触摸线TL之间的电容的差异最小化。在这种情况下，补偿电极CE的一端可设置在发光区域EA中，并且补偿电极CE的另一端可设置在透射区域TA中。特别是，补偿电极CE的另一端可在透射区域TA中与触摸电极TE交叠。因此，可通过在补偿电极CE与触摸电极TE之间产生的电容来使多条触摸线TL之间的电容的差异最小化。

另外，阴极CT的一部分也设置在透射区域TA中，因此补偿电极CE可在透射区域TA中与阴极CT交叠。也就是说，通过补偿电极CE产生的电容可包括：补偿电极CE与阴极CT之间的电容Cp3、以及补偿电极CE与触摸电极TE之间的电容Cp4。在这种情况下，连接到补偿电极CE的触摸线TL1和TL4可具有比未连接到补偿电极CE的触摸线TL2和TL3的宽度小的宽度。因此，在第一触摸线TL1产生的电容的总和可类似于在第二触摸线TL2产生的电容的总和。此外，在第四触摸线TL4产生的电容的总和可类似于在第三触摸线TL3产生的电容的总和。因此，可使多条触摸线TL之间的电容的差异最小化，这可提高触摸感测精度。

本公开的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本公开的一个方面，显示装置包括：设置有多个像素的基板，每个像素包括发光区域和透射区域。此外，所述显示装置包括在所述发光区域中的多条触摸线和在所述发光区域中的多条数据线。此外，所述显示装置包括电连接到所述多条触摸线中的至少一条触摸线的补偿电极。此外，所述显示装置包括在所述多条触摸线和所述多条数据线上的平坦化层，所述平坦化层包括对应于所述透射区域的开口。此外，所述显示装置包括在所述发光区域中的所述平坦化层上的发光二极管和设置在所述透射区域中的所述开口内的触摸电极。所述多条触摸线包括第一触摸线和比第一触摸线更靠近所述多条数据线的第二触摸线。所述补偿电极电连接到所述第一触摸线。

所述多条触摸线和所述多条数据线可设置在不同的绝缘层上。

所述补偿电极可从所述发光区域延伸到所述透射区域。

所述补偿电极的一端可在所述发光区域中电连接到所述第一触摸线，并且所述补偿电极的另一端可在所述透射区域中与所述发光二极管的阴极交叠。

所述补偿电极的一端可在所述发光区域中电连接到所述第一触摸线，并且所述补偿电极的另一端可在所述透射区域中与所述触摸电极交叠。

所述第二触摸线可具有比所述第一触摸线的宽度大的宽度。

所述发光二极管的阳极可仅设置在所述发光区域和所述透射区域之中的所述发光区域中。

所述补偿电极可由透明导电材料制成。

所述显示装置可进一步包括虚拟有机层，所述虚拟有机层设置在所述透射区域中的所述开口内并且由与所述发光二极管的发光层相同的材料制成。所述触摸电极可设置在所述虚拟有机层上。

所述虚拟有机层和所述发光层可彼此间隔开。

所述触摸电极和所述发光二极管的阴极可由相同的材料制成。

所述触摸电极和所述阴极可彼此间隔开。

所述触摸电极和所述阴极可由透明导电材料制成。

所述开口的宽度可从上到下增加，使得在所述开口的下部形成底切区域。

在所述多个像素中可设置有多个所述补偿电极，使得多个所述补偿电极电连接到所述第一触摸线。

尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的，并不限制本公开。应基于所附权利要求解释本公开的保护范围，其等同范围内的所有技术构思均应解释为落入本公开的范围之内。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：

设置有多个像素的基板，每个像素包括发光区域和透射区域；

在所述发光区域中的多条触摸线；

在所述发光区域中的多条数据线；

电连接到所述多条触摸线中的至少一条触摸线的补偿电极；

在所述多条触摸线和所述多条数据线上的平坦化层，所述平坦化层包括对应于所述透射区域的开口；

在所述发光区域中的所述平坦化层上的发光二极管；以及

设置在所述透射区域中的所述开口内的触摸电极，

其中所述多条触摸线包括第一触摸线和比所述第一触摸线更靠近所述多条数据线的第二触摸线，并且

其中所述补偿电极电连接到所述第一触摸线。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多条触摸线和所述多条数据线设置在不同的绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述补偿电极从所述发光区域延伸到所述透射区域。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述补偿电极的一端在所述发光区域中电连接到所述第一触摸线，并且

其中所述补偿电极的另一端在所述透射区域中与所述发光二极管的阴极交叠。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述补偿电极的一端在所述发光区域中电连接到所述第一触摸线，并且

其中所述补偿电极的另一端在所述透射区域中与所述触摸电极交叠。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第二触摸线具有比所述第一触摸线的宽度大的宽度。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光二极管的阳极仅设置在所述发光区域和所述透射区域之中的所述发光区域中。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述补偿电极由透明导电材料制成。

9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

虚拟有机层，所述虚拟有机层设置在所述透射区域中的所述开口内并且由与所述发光二极管的发光层相同的材料制成，

其中所述触摸电极设置在所述虚拟有机层上。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述虚拟有机层和所述发光层彼此间隔开。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述触摸电极和所述发光二极管的阴极由相同的材料制成。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述触摸电极和所述阴极彼此间隔开。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述触摸电极和所述阴极由透明导电材料制成。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述开口的宽度从上到下增加，使得在所述开口的下部形成底切区域。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述多个像素中设置有多个所述补偿电极，使得多个所述补偿电极电连接到所述第一触摸线。

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