JP2023020446A - チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂層が配設されたウエーハを分割して、積層し熱圧着したときにチップ不良が生じないチップを製造する。【解決手段】第１の面に樹脂層を備えたウエーハを加工予定ラインに沿って分割してチップを製造するチップの製造方法であって、該第１の面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップの後に、該ウエーハが吸収性を有する波長の第１のレーザビームを該第１の面側から該加工予定ラインに沿って該ウエーハに照射して該ウエーハに加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップの後に、硬化した該樹脂層の硬化領域を除去する硬化領域除去ステップと、該硬化領域除去ステップの後に、該第１の面に形成された該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、該加工溝に沿って該ウエーハが分割されることで個々のチップが形成される。【選択図】図１０

Description

本発明は、樹脂層を備えたウエーハを分割してチップを製造するチップの製造方法に関する。

携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウエーハの表面に複数の交差する加工予定ライン（ストリート）を設定する。そして、該加工予定ラインで区画される各領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-scale Integrated circuit）等のデバイスを形成する。その後、ウエーハを該加工予定ラインに沿って加工して分割すると、個々のデバイスチップが形成される。

ウエーハの分割には、例えば、該ウエーハをレーザビームでレーザ加工できるレーザ加工装置が使用される。レーザ加工装置は、例えば、ウエーハが吸収できる波長のレーザビームを加工予定ラインに沿って該ウエーハに照射して、該ウエーハをアブレーション加工する。

近年、デバイスチップの実装面積を低減するために、複数のチップを縦に積み重ねてＴＳＶ（Through Silicon Via）により互いに電気的に接続しつつ一体化するＨＢＭ（High Bandwidth Memory）などの技術が開発されている。そして、複数のチップの積層に使用されるＮＣＦ（Non Conductive Film）と呼ばれる樹脂層が開発されている（特許文献１及び特許文献２参照）。

チップに分断される前のウエーハの表面に樹脂層を配設し、ウエーハにレーザビームを照射して樹脂層ごとウエーハを分割すると、一方の面に樹脂層を備えるチップが得られる。そして、得られたチップを重ねて積層体を形成し、積層体を上下から押圧して各樹脂層を押し広げつつ加熱することで各チップを熱圧着すると、樹脂層により互いに貼り付けられて一体化されたチップが得られる。

特開２００９－２７７８１８号公報 特開２０１６－９２１８８号公報

しかしながら、樹脂層が配設されたウエーハをレーザビームでアブレーション加工すると、レーザビームの照射で生じた熱によりレーザビームの照射箇所の周囲で樹脂層が部分的に変質して硬化してしまう。そして、樹脂層の硬化領域は、複数のチップを積層して熱圧着するときに伸び広がりにくく、樹脂層の硬化領域に入り込んだ気泡も抜けにくい。

そのため、樹脂層に硬化領域が形成されると、熱圧着が適切に進行せずに各チップが所定の品質で一体化されない場合や、一体化された各チップが分離しやすくなる場合、気泡を介して不必要な電気的接続が形成される場合があった。すなわち、樹脂層の部分的な硬化がチップ不良の原因となる場合があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、樹脂層が配設されたウエーハを分割することでチップを製造する方法であって、チップを積層して熱圧着したときにチップ不良が生じないチップの製造方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、第１の面に樹脂層を備えたウエーハを加工予定ラインに沿って分割してチップを製造するチップの製造方法であって、該第１の面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップの後に、該ウエーハが吸収性を有する波長の第１のレーザビームを該第１の面側から該加工予定ラインに沿って該ウエーハに照射して該ウエーハに加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップの後に、硬化した該樹脂層の硬化領域を除去する硬化領域除去ステップと、該硬化領域除去ステップの後に、該第１の面に形成された該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、該加工溝に沿って該ウエーハが分割されることで個々のチップが形成されることを特徴とするチップの製造方法が提供される。

好ましくは、該硬化領域除去ステップでは、該樹脂層の該硬化領域を含む領域に第２のレーザビームを照射することで該硬化領域を除去する。

また、好ましくは、該第２のレーザビームのエネルギー密度は、該第１のレーザビームのエネルギー密度よりも低い。

また、好ましくは、該第１のレーザビームはガウシアンビームであり、該第２のレーザビームはトップハットビームである。

さらに好ましくは、該硬化領域除去ステップでは、該加工溝の幅よりも幅の広い該第２のレーザビームを該ウエーハに照射する。

また、好ましくは、該硬化領域除去ステップでは、該第２のレーザビームを長軸と短軸の長さが異なる楕円形状、長辺と短辺の長さが異なる長方形状、または、４つの辺の長さが等しい正方形状に整形し、該長軸、該長辺、または、１つの該辺が該加工予定ラインに垂直な方向に向いた状態で該第２のレーザビームを該ウエーハに照射する。

また、好ましくは、該硬化領域除去ステップにおいて、該第２のレーザビームは該ウエーハの該加工予定ラインに平行な方向及び垂直な方向の一方もしくは両方に分岐して照射される。

また、好ましくは、該硬化領域除去ステップでは、該第２のレーザビームが該樹脂層の該硬化領域を含む該領域に該樹脂層が硬化する閾値未満の条件で照射される。

または、好ましくは、該硬化領域除去ステップでは、該樹脂層の該硬化領域を切削ブレードで切削する。

そして、好ましくは、該加工溝形成ステップにおいて、該第１のレーザビームは、該ウエーハの該加工予定ラインに平行な方向と、垂直な方向と、の一方または両方に分岐されて該ウエーハに照射される。

また、好ましくは、該樹脂層は、ＮＣＦである。

また、好ましくは、該保護膜の厚みは、５μｍ以上である。

また、好ましくは、該加工溝形成ステップで形成される加工溝は、該第１の面と平行な該ウエーハの第２の面に達しておらず、該ウエーハに外力が付与されることで該ウエーハが該加工溝に沿って分割される。

本発明の一態様にチップの製造方法では、第１の面に樹脂層を備えたウエーハの該第１の面に保護膜を形成し、第１のレーザビームを照射して該ウエーハを分割する。このとき、樹脂層に硬化領域が形成されるが、その後、この硬化領域を除去した上で保護膜を第１の面から除去する。この場合、得られたチップには、第１のレーザビームにより硬化した樹脂層の硬化領域が残らない。そのため、得られた複数のチップを積層して熱圧着したときに硬化領域に起因するチップ不良が生じない。

したがって、本発明の一態様によると、樹脂層が配設されたウエーハを分割することでチップを製造する方法であって、チップを積層して熱圧着したときにチップ不良が生じないチップの製造方法が提供される。

第１の面に樹脂層を備えたウエーハを模式的に示す斜視図である。 保護膜形成ステップを模式的に示す断面図である。 加工溝形成ステップを模式的に示す断面図である。 図４（Ａ）は、保護膜が配設されたウエーハを拡大して模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、加工溝が形成されたウエーハを拡大して模式的に示す断面図である。 硬化領域除去ステップを模式的に示す断面図である。 図６（Ａ）は、加工予定ラインに平行な方向に分岐されたレーザビームを模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、加工予定ラインに平行な方向及び垂直な方向に分岐されたレーザビームを模式的に示す斜視図である。 保護膜除去ステップを模式的に示す断面図である。 図８（Ａ）は、樹脂層の硬化領域が除去されたウエーハを拡大して模式的に示す断面図であり、図８（Ｂ）は、保護膜が除去されたウエーハを拡大して模式的に示す断面図である。 硬化領域除去ステップの変形例を模式的に示す断面図である。 チップの製造方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るチップの製造方法では、第１の面に樹脂層を備えたウエーハを加工予定ラインに沿って分割し、個々のチップを製造する。まず、本実施形態に係るチップの製造方法において加工される被加工物となるウエーハについて説明する。図１は、第１の面（表面）１ａに樹脂層７が配設されたウエーハ１を模式的に示す斜視図である。

ウエーハ１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料からなる円板状のウエーハである。ウエーハ１の第１の面１ａは、互いに交差する複数の加工予定ライン３で区画される。また、ウエーハ１の第１の面１ａの加工予定ライン３で区画された各領域には、ＩＣやＬＳＩ等のデバイス５が形成される。

ただし、ウエーハ１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板等をウエーハ１として用いることもできる。また、デバイス５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、ウエーハ１にはデバイス５が形成されていなくてもよい。

複数のデバイス５が第１の面１ａに設けられたウエーハ１を加工予定ライン３に沿って分割すると、それぞれデバイス５を備える複数のチップが得られる。ウエーハ１は、図１に示すフレームユニット１３の状態で加工装置に搬入され分割される。すなわち、加工され分割されるウエーハ１は、予め、ダイシングテープと呼ばれるテープ９と、環状のフレーム１１と、と一体化されるとよく、フレームユニット１３が形成されるとよい。

フレーム１１及びテープ９を介してウエーハ１を扱うと、ウエーハ１の搬送に伴う衝撃からウエーハ１を保護できるため、ウエーハ１の取り扱いが容易となる。また、ウエーハ１が分割されて形成された個々のチップはテープ９に支持されるため、形成されるチップの取り扱いも容易となる。その後、テープ９をフレーム１１の開口の内部で径方向外側に拡張すると、各チップ間の間隔が広がりチップのピックアップが容易となる。

テープ９は、柔軟性を有するシート状の基材と、基材の上に設けられた粘着層と、を備える。基材には、例えば、ＰＯ（ポリオレフィン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられる。また、粘着層には、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。

環状のフレーム１１は、金属等の材料で形成され、ウエーハ１の径よりも大きい径の開口を備える。フレーム１１の開口の周辺部には、予め開口を塞ぐようにテープ９が貼着されており、開口にはテープ９の貼着面が露出している。そして、フレーム１１に貼着されたテープ９の開口中に露出した貼着面にウエーハ１を貼着すると、フレームユニット１３を形成できる。

ウエーハ１を分割して得られたチップは、所定の実装対象に実装されて使用される。近年、チップの実装面積の低減やチップの高機能化・省電力化等の目的のため、複数のチップが縦に積み重ねられて互いに電気的に接続され、一体化される。例えば、各チップ間に樹脂膜を挟み、各チップをＴＳＶにより互いに接続しつつチップの積層体を熱圧着すると、各チップが軟化した該樹脂膜により貼り付けられて一体化される。

ここで、ウエーハ１を分割して得られた個々のチップのそれぞれに樹脂膜を設ける作業を実施するのは非効率的である。そこで、分割されるウエーハ１の第１の面１ａ側に予めＮＣＦと呼ばれる樹脂層７を配設し、樹脂層７ごとウエーハ１を分割する。この場合、一方の面に樹脂層７を備える個々のチップを効率的に形成できる。

樹脂層７をウエーハ１の第１の面１ａ側に配設するには、例えば、シート状に形成された樹脂膜を第１の面１ａに貼り付けるとよい。または、樹脂層７は、液状樹脂が第１の面１ａに塗布され硬化されることで設けられてもよい。樹脂層７は、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド径樹脂等の材料で構成され、これらの組み合わせにより構成されてもよい。樹脂層７は、各種の機能的な添加剤が混ぜ込まれたものでもよく、樹脂層７の構成に特に限定はない。

ウエーハ１から分割されて形成されたチップを積層して積層体を形成し、該積層体を所定の温度で加熱しつつ所定の大きさの力で押圧したとき、樹脂層７が適度に軟化して押し広げられる。そして、積層体の加熱を停止すると樹脂層７が硬化して各チップを互いに貼り付ける。

例えば、ウエーハ１は厚さが５０μｍ程度の薄いシリコンウエーハであり、樹脂層７の厚みは２０μｍ程度である。例えば、加工予定ライン３の幅は８０μｍ程度とされ、ウエーハ１からは５ｍｍ角のチップが製造される。ウエーハ１を分割する方法としては円環状の切削ブレードによる切削加工が考えられるが、薄いウエーハ１を切削すると第２の面１ｂ側にチッピングとよばれる欠けが形成されやすくなる。

また、ウエーハ１を透過する波長のレーザビームをウエーハ１に集光して改質層を形成し、改質層を起点として上下に伸長するクラックを形成してウエーハ１を分割する方法も考えられる。しかしながら、ウエーハ１が薄い場合、テープ９の厚みのばらつきに起因する改質層の形成高さのばらつきが無視できなくなる。すなわち、加工予定ライン３に沿ってウエーハ１を一様に分割しにくくなる。

そこで、ウエーハ１の分割には、ウエーハ１が吸収性を有する波長（ウエーハ１に対して吸収性を有する波長）のレーザビームを加工予定ライン３に沿ってウエーハ１に照射してウエーハ１をアブレーション加工できるレーザ加工装置が使用されるとよい。ウエーハ１を加工予定ライン３に沿ってアブレーション加工すると、加工予定ライン３に沿った加工溝がウエーハ１に形成され、ウエーハ１が加工溝に沿って分割されて個々のチップが得られる。このときに、ウエーハ１の第１の面１ａに配設された樹脂層７も分断される。

しかしながら、形成された加工溝の周囲では、レーザビームの照射により生じた熱により樹脂層７が加熱され、樹脂層７が部分的に変質して硬化してしまう。そのため、形成された個々のチップの縁に沿って樹脂層７に硬化領域が残る。樹脂層７の硬化領域は、複数のチップを熱圧着するときに適切に伸び広がりにくく、樹脂層７の硬化領域に入り込んだ気泡も抜けにくい。

そのため、各チップが熱圧着で適切に一体化されない場合や、一体化された各チップが分離しやすくなる場合、気泡を介して不必要な電気的接続が形成される場合があった。すなわち、樹脂層７の部分的な硬化がチップ不良の原因となる場合があった。

そこで、本実施形態に係るチップの製造方法により、積層して熱圧着したときにチップ不良が生じないチップを製造する。以下、本実施形態に係るチップの製造方法の各ステップについて説明する。図１０は、本実施形態に係るチップの製造方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。

本実施形態に係るチップの製造方法では、まず、保護膜形成ステップＳ１０を実施する。図２は、保護膜形成ステップＳ１０を模式的に示す断面図である。保護膜形成ステップＳ１０では、ウエーハ１の第１の面１ａに保護膜を形成する。

保護膜形成ステップＳ１０は、例えば、スピンコータ２で実施される。スピンコータ２は、ウエーハ１（フレームユニット１３）を回転可能に支持するチャックテーブル６と、チャックテーブル６に支持されたウエーハ１に保護膜の材料となる液状樹脂１６を供給する液状樹脂供給ノズル１４と、を備える。

チャックテーブル６は、上方に開口した凹部が形成された枠体１０と、枠体１０の該凹部に収容された多孔質部材１２と、を備える。枠体１０には、一端が吸引源（不図示）に接続され、他端が多孔質部材１２に接続された吸引路（不図示）が形成される。チャックテーブル６にテープ９を介してウエーハ１を載せ、該吸引源を作動させてウエーハ１に負圧を作用させると、チャックテーブル６でウエーハ１を吸引保持できる。

チャックテーブル６の周囲には、チャックテーブル６に載せられたフレームユニット１３のフレーム１１を把持できる複数のクランプ８が配設されている。また、チャックテーブル６の枠体１０の底面中央には、チャックテーブル６を支持するテーブルベース４が接続されている。テーブルベース４には、モータ等の図示しない回転駆動源が接続されており、この回転駆動源を作動させるとチャックテーブル６を上面に垂直な回転軸の周りに回転できる。

液状樹脂供給ノズル１４は、チャックテーブル６の上面の中央の上方に位置付けられる吐出口を備え、チャックテーブル６に保持されたウエーハ１の第１の面１ａに液状樹脂１６を供給する。液状樹脂供給ノズル１４からウエーハ１に供給される液状樹脂１６には、空気中で乾燥すると固化して水溶性樹脂となる材料を使用できる。例えば、液状樹脂１６としては、ポリビニルアルコール、または、ポリビニルピロリドン、株式会社ディスコ製の“ＨＯＧＯＭＡＸ（登録商標）”シリーズ等を使用できる。ただし、液状樹脂１６はこれに限定されない。

保護膜形成ステップＳ１０では、フレームユニット１３をスピンコータ２に搬入してチャックテーブル６に載せ、クランプ８でフレーム１１を把持するとともにチャックテーブル６でウエーハ１を吸引保持する。そして、液状樹脂供給ノズル１４をウエーハ１の中央上方に位置付け、回転駆動源を作動させてチャックテーブル６を回転軸の周りに高速で回転させつつ液状樹脂供給ノズル１４から液状樹脂１６をウエーハ１の第１の面１ａに滴下する。

すると、ウエーハ１がスピンコートされて、第１の面１ａが液状樹脂１６により被覆される。その後、ウエーハ１を大気中で１０分間以上３０分間以下の時間で放置して液状樹脂１６を固化すると、ウエーハ１の第１の面１ａに保護膜１５（図３等参照）が配設される。図４（Ａ）は、保護膜１５が形成されたウエーハ１を拡大して模式的に示す断面図である。

保護膜１５の機能の一つは、後述の通りウエーハ１がアブレーション加工される際に飛散するデブリと呼ばれる溶融物のウエーハ１の第１の面１ａへの再付着を防ぐことである。ウエーハ１をアブレーション加工したとき、デブリは保護膜１５の上面に付着する。そして、保護膜１５をウエーハ１から除去したときデブリもウエーハ１から除去される。そのため、ウエーハ１の第１の面１ａ側がデブリで汚染されることはない。

ここで、単にデブリ等のウエーハ１への再付着を防止するのであれば、保護膜１５の厚みは１μｍ程度で十分である。しかしながら、保護膜形成ステップＳ１０では、ウエーハ１に比較的厚い保護膜１５が配設されることが望ましい。例えば、保護膜１５の厚みは、５μｍ以上であることが好ましく、７μｍ以上３０μｍで以下であることがさらに好ましい。樹脂層７を備えるウエーハ１に厚い保護膜１５が配設されていると、後述の通りウエーハ１をアブレーション加工したときに、樹脂層７の硬化領域の広がりを低減できる。

これは、アブレーション加工で生じた高温のデブリが保護膜１５の表面に付着したときに保護膜１５を介したデブリから樹脂層７への熱の伝わりが低減されることに起因すると考えられる。または、厚い保護膜１５により高温のデブリがガイドされ上方に排出されやすくなることに起因するとも考えられる。または、厚い保護膜１５により放熱が促進されて樹脂層７への熱の影響を低減できることに起因するとも考えられる。いずれにせよ、厚い保護膜１５は、樹脂層７の硬化領域の広がりを低減するとの機能を発揮する。

樹脂層７を備えたウエーハ１に厚い保護膜１５を形成するには、スピンコートを繰り返すことが考えられる。すなわち、第１のスピンコートを実施してウエーハ１の第１の面１ａ側に液状樹脂１６を塗布して乾燥させ保護膜１５の第１層を形成し、次に第２のスピンコートを実施して第１層の上に液状樹脂１６を塗布して乾燥させ保護膜１５の第２層を形成する。こうしてスピンコートを繰り返すと、厚い保護膜１５をウエーハ１の第１の面１ａに形成できる。

複数のスピンコートを実施して厚い保護膜１５を形成する場合、上面の平坦性の良好な保護膜１５を短時間で形成するために、スピンコートの各段階で成膜条件を変更するとよい。例えば、初期のスピンコートでは、チャックテーブル６の回転数を低くして厚い層を形成するとともに、終期のスピンコートでは、チャックテーブル６の回転数を高くして上面の平坦性の良好な層を形成するとよい。

保護膜形成ステップＳ１０の後に、ウエーハ１が吸収性を有する波長（ウエーハ１に対して吸収性を有する波長）の第１のレーザビームを第１の面１ａ側から加工予定ライン３に沿ってウエーハ１に照射して加工溝を形成する加工溝形成ステップＳ２０を実施する。図３は、加工溝形成ステップＳ２０を模式的に示す断面図である。

加工溝形成ステップＳ２０は、例えば、図３に示すレーザ加工装置１８で実施される。レーザ加工装置１８は、ウエーハ１を吸引保持するチャックテーブル６ａと、チャックテーブル６ａで保持されたウエーハ１に第１のレーザビーム２２を照射するレーザ加工ユニット２０と、を備える。

チャックテーブル６ａは、枠体１０ａと、枠体１０ａに収容された多孔質部材１２ａと、を有し、テーブルベース４ａに支持される。また、チャックテーブル６ａの周囲には、フレームユニット１３のフレーム１１を把持できるクランプ８ａが配設されている。なお、チャックテーブル６ａ等の構成及び構造はスピンコータ２のチャックテーブル６等と同様であるため、詳細な説明を省略する。

レーザ加工ユニット２０は、ウエーハ１に吸収される波長のレーザを発振できるレーザ発振器（不図示）と、レーザ発振器から出射したレーザビームを導きウエーハ１に集光させる光学系（不図示）と、を有する。例えば、ウエーハ１がシリコンウエーハである場合、レーザ加工ユニット２０は、波長３５５ｎｍのレーザビームをウエーハ１に照射できるとよい。

レーザ加工装置１８は、チャックテーブル６ａ及びレーザ加工ユニット２０を加工送り方向に相対的に移動できる加工送りユニットと、該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動できる割り出し送りユニットと、を備える。

ウエーハ１を分割する際には、まず、チャックテーブル６ａの上にフレームユニット１３を載せ、チャックテーブル６ａでフレームユニット１３を吸引保持する。その後、チャックテーブル６ａを回転させてウエーハ１の加工予定ライン３の向きを加工送り方向に合わせる。

そして、加工送りユニットを作動させてチャックテーブル６ａ及びレーザ加工ユニット２０を加工送り方向に相対移動させつつ、レーザ加工ユニット２０を作動させて第１のレーザビーム２２をウエーハ１の加工予定ライン３に照射する。すると、アブレーションにより加工予定ライン３に沿った加工溝１７がウエーハ１に形成される。このとき、ウエーハ１から生じて飛散するデブリは保護膜１５に付着するため、ウエーハ１の第１の面１ａ側にデブリが付着することはない。

加工溝形成ステップＳ２０における第１のレーザビーム２２の照射条件は、例えば、以下のように設定される。ただし、第１のレーザビーム２２の照射条件は、これに限定されない。
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：３００ｋＨｚ
平均出力 ：７Ｗ
送り速度 ：１０００ｍｍ／秒

一つの加工予定ライン３に沿ってアブレーション加工を実施した後、チャックテーブル６ａ及びレーザ加工ユニット２０を加工送り方向とは垂直な割り出し送り方向に相対的に移動させ、他の加工予定ライン３に沿って同様にウエーハ１をアブレーション加工する。一つの方向に沿った全ての加工予定ライン３に沿って加工溝１７を形成した後、チャックテーブル６ａを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、他の方向に沿った加工予定ライン３に沿って同様にウエーハ１をアブレーション加工する。

例えば、ウエーハ１のすべての加工予定ライン３に沿って形成された加工溝１７が第１の面（表面）１ａから第２の面（裏面）１ｂまで貫通していると、ウエーハ１が分割され個々のチップが形成される。ただし、加工溝１７はこれに限定されず、加工溝１７はウエーハ１の第２の面１ｂに達していなくてもよい。この場合、他の追加的な処理により加工溝１７の底部から第２の面１ｂにかけてウエーハ１が分断されるとよい。

なお、加工溝１７がウエーハ１の第２の面１ｂに達していない場合、この時点ではウエーハ１の各領域が互いに切り離されていないため、各領域の位置が互いにずれることはない。この場合、後述の通り、硬化領域除去ステップＳ３０において第２のレーザビーム２４をウエーハ１に向けて照射する際の照射対象となる領域が互いに固定されるため、ずれが生じることなく第２のレーザビーム２４がウエーハ１の所望の箇所に照射されやすい。すなわち、第２のレーザビーム２４による加工精度が高まる。

そのため、加工途中のウエーハ１の加工状態を検査する必要性も低くなり、検査の回数を低減してウエーハ１の加工を早く終了できる。すなわち、加工溝１７がウエーハ１の第２の面１ｂに達していないことがチップの製造効率の向上に繋がる。なお、この場合、最終的にウエーハ１に外力が付与されることでウエーハ１が加工溝１７に沿って分割される。ただし、加工溝形成ステップＳ２０はこれに限定されず、加工溝１７が第２の面１ｂに達していてもよい。

なお、加工溝１７がウエーハ１の第２の面１ｂに達していない場合にウエーハ１を分割するために付与される外力は、例えば、フレーム１１の開口の内側においてテープ９を径方向外側に拡張することでウエーハ１に付与される。テープ９を径方向外側に拡張すると、テープ９に貼着されたウエーハ１に径方向外側に向いた力がかかり、加工溝１７の底部にクラックが生じてウエーハ１が分割される。このときに該クラックが生じるように、加工溝１７の底部の高さ位置が決定されるとよい。

または、ウエーハ１を分割するために付与される外力は、ウエーハ１の径を超える長さのローラーでウエーハ１を上方から押圧しつつ、該ローラーをウエーハ１の第１の面１ａ上で転がすことでウエーハ１に付与されてもよい。もしくは、外力は、フレームユニット１３のテープ９の裏面を下方から押圧しつつ、該ローラーをテープ９の裏面側で転がすことでウエーハ１に付与されてもよい。

さらに、ウエーハ１を分割するために付与される外力は、さらなるレーザビームの照射によりウエーハ１に付与されてもよい。すなわち、ウエーハ１の第１の面１ａ側から加工溝１７の底部にレーザビームを照射し、加工溝１７の下方でウエーハ１をレーザ加工する。これによりウエーハ１の第２の面１ｂ側に達する分割溝を形成してウエーハ１を分割するとよい。なお、このときのレーザビームの被照射領域は樹脂層７から離れているため、レーザビームの照射による後述のような変質及び硬化が樹脂層７に生じにくい。

ここで、加工溝形成ステップＳ２０では、第１のレーザビーム２２は、ウエーハ１の加工予定ライン３に平行な方向（加工送り方向）と、垂直な方向（割り出し送り方向）と、の一方または両方に分岐されてウエーハ１に照射されてもよい。この場合、分岐された第１のレーザビーム２２が各加工点に次々に照射されることとなるため、分岐されていない強力な第１のレーザビーム２２が各加工点に照射される場合と異なり、ウエーハ１にかかる負荷が小さくなる。また、各加工点が過度に加熱されることはない。

ただし、第１のレーザビーム２２が分岐されてウエーハ１に照射される場合においても、第１のレーザビーム２２によりウエーハ１が加熱されるため、加工溝１７の周囲において樹脂層７が変質して硬化してしまう。図４（Ｂ）は、加工溝１７が形成されたウエーハ１を拡大して模式的に示す断面図である。図４（Ｂ）には、樹脂層７の硬化領域７ａ及び保護膜１５の変質領域１５ａが模式的に示されている。

加工溝形成ステップＳ２０の後に、硬化した該樹脂層７の硬化領域７ａを除去する硬化領域除去ステップＳ３０を実施する。図５は、硬化領域除去ステップＳ３０を模式的に示す断面図である。なお、図５では、硬化領域７ａ等の表示が省略されている。硬化領域除去ステップＳ３０は、加工溝形成ステップＳ２０に引き続き、レーザ加工装置１８で実施されるとよい。ただし、硬化領域除去ステップＳ３０はこれに限定されず、他のレーザ加工装置で実施されてもよい。

硬化領域除去ステップＳ３０では、例えば、樹脂層７が硬化する閾値未満の条件で樹脂層７の硬化領域７ａを含む領域に第２のレーザビーム２４を照射する。第２のレーザビーム２４の照射条件は、エネルギー密度が第１のレーザビーム２２よりも低くなるように決定されるが、第２のレーザビーム２４は、加工溝形成ステップＳ２０における第１のレーザビーム２２と同様にウエーハ１に照射されるとよい。

なお、硬化領域除去ステップＳ３０における第２のレーザビーム２４の照射条件は、例えば、以下のように設定される。ただし、第２のレーザビーム２４の照射条件は、これに限定されない。
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：３００ｋＨｚ
平均出力 ：６Ｗ
送り速度 ：１０００ｍｍ／秒

ここで、硬化領域除去ステップＳ３０において、第２のレーザビーム２４はウエーハ１の加工予定ライン３に平行な方向（加工送り方向）及び垂直な方向（割り出し送り方向）の一方もしくは両方に分岐して照射されるとよい。また、硬化領域除去ステップＳ３０では、第２のレーザビーム２４を長軸と短軸の長さが異なる楕円形状、長辺と短辺の長さが異なる長方形状、または、４つの辺の長さが等しい正方形状に整形してウエーハ１に照射するとよい。

なお、楕円形状の第２のレーザビーム２４の該長軸、長方形状の第２のレーザビーム２４の該長辺、または、正方形状の第２のレーザビーム２４の１つの該辺が加工予定ライン３に垂直な方向に向いた状態で第２のレーザビーム２４をウエーハ１に照射するとよい。また、第２のレーザビーム２４はウエーハ１の加工予定ライン３に平行な方向及び垂直な方向の一方もしくは両方に分岐して照射されるとよい。

図６（Ａ）は、一例に係る分岐された第２のレーザビーム２４の各分岐成分２６を模式的に示す斜視図である。なお、図６（Ａ）では、説明の便宜のために各分岐成分２６を実線で記載している。図６（Ａ）に示す例では、第２のレーザビーム２４は、加工予定ライン３に平行な方向（図６（Ａ）においてＸ軸方向）に分岐されている。そして、第２のレーザビーム２４の各分岐成分２６は長方形状に整形されており、その短辺３０より長い長辺２８が加工予定ライン３に垂直な方向（図６（Ａ）においてＹ軸方向）に向いている。

例えば、硬化領域除去ステップＳ３０では、加工溝形成ステップＳ２０でウエーハ１に形成された加工溝１７の幅よりも幅の広い第２のレーザビーム２４がウエーハ１に照射されるとよい。すなわち、第２のレーザビーム２４の長方形状の各分岐成分２６の長辺２８は、加工溝１７の幅よりも長いことが好ましい。または、第２のレーザビーム２４の楕円形状の各分岐成分の長軸は、加工溝１７の幅よりも長いことが好ましい。

そして、第２のレーザビーム２４は、加工溝１７の両側に形成された樹脂層７の２つの硬化領域７ａが長辺２８の一端と他端の間に収められる態様でウエーハ１に照射されることがさらに好ましい。すなわち、長辺２８は、加工溝１７の一方側に形成された硬化領域７ａの外縁と、加工溝１７の他方側に形成された硬化領域７ａの外縁と、の距離を超えた長さとされることがより好ましい。

この場合、加工溝１７に沿って第２のレーザビーム２４を加工溝１７の両側の硬化領域７ａに照射すると、硬化領域７ａを除去できる。図８（Ａ）は、樹脂層７の硬化領域７ａが除去されたウエーハ１を拡大して模式的に示す断面図である。ここで、硬化領域７ａを確実に除去できるように、第２のレーザビーム２４は、樹脂層７の硬化領域７ａに隣接する未硬化の領域にも照射されてもよく、未硬化の領域が部分的に第２のレーザビーム２４により除去されてもよい。

ここで、加工溝形成ステップＳ２０でウエーハ１に照射される第１のレーザビーム２２と、硬化領域除去ステップＳ３０でウエーハ１に照射される第２のレーザビーム２４と、の照射条件のその他の違いについて説明する。

例えば、第１のレーザビーム２２は、被照射領域におけるビーム強度分布がガウシアン分布となるガウシアンビームであることが好ましい。ガウシアンビームは、被照射領域における中心のビーム強度が高く、深い加工溝１７の形成に有用である。その一方で、第２のレーザビーム２４は、被照射領域におけるビーム強度分布がより均一となるトップハットビームであることが好ましい。トップハットビームは、照射位置のずれに対する許容範囲が広く、また、硬化領域７ａの再上端から再下端までを確実に除去しやすい。

レーザ加工ユニット２０は、ガウシアンビームをトップハットビームに変化するビームシェーパー（レーザビーム整形素子）を有することが好ましく、第２のレーザビーム２４は、該ビームシェーパーを経てウエーハ１に照射されるとよい。該ビームシェーパーは、例えば、ＤｏＥ（Diffractive Optical Element）またはホモジナイザ等である。

なお、加工溝形成ステップＳ２０で形成される硬化領域７ａの幅は、第１のレーザビーム２２の照射条件や、ウエーハ１、樹脂層７、及び保護膜１５の材質及び厚み等により変化する。そこで、加工溝形成ステップＳ２０が実施された後、ウエーハ１を観察して硬化領域７ａの幅に関する知見を得てもよく、得られた知見に基づいて第２のレーザビーム２４の長辺２８の長さが決定されてもよい。

なお、第１のレーザビーム２２の照射条件や、ウエーハ１、樹脂層７、及び保護膜１５の材質及び厚み等が一定であれば、硬化領域７ａの幅もおおむね一定となる。そのため、同様のウエーハ１を同様の加工条件でくり返し加工してチップを製造する場合、第２のレーザビーム２４の長辺２８の長さを決定するためにウエーハ１をその都度観察する必要はない。硬化領域除去ステップＳ３０では、長辺２８が導出された所定の長さとなるように整形された第２のレーザビーム２４をウエーハ１に照射するとよい。

また、図６（Ｂ）は、他の一例に係る分岐された第２のレーザビーム２４の各分岐成分３２を模式的に示す斜視図である。なお、図６（Ｂ）では、説明の便宜のために各分岐成分３２を実線で記載している。第２のレーザビーム２４の各分岐成分３２は長方形状に整形されており、その短辺より長い長辺３７が加工予定ライン３に垂直な方向に向いている。

また、図６（Ｂ）に示す例では、第２のレーザビーム２４は、加工予定ライン３に平行な方向（図６（Ｂ）においてＸ軸方向）に複数に分岐されており、加工予定ライン３に垂直な方向（図６（Ｂ）においてＹ軸方向）に２つに分岐されている。

加工予定ライン３の垂直な方向に２つに分岐された２条の各分岐成分３２の間隔３６は、例えば、ウエーハ１に形成された加工溝１７の幅以下とされるとよい。そして、第２のレーザビーム２４の長方形状の各分岐成分３２の長辺３７は、加工溝１７の両側に形成された硬化領域７ａのそれぞれの幅よりも長いことが好ましい。

硬化領域除去ステップＳ３０では、加工溝形成ステップＳ２０でウエーハ１に形成された加工溝１７の両側に形成された樹脂層７の硬化領域７ａのそれぞれに、２条に分岐された第２のレーザビーム２４のそれぞれを照射するとよい。より詳細には、硬化領域７ａの一方に２条に分岐された第２のレーザビーム２４の第１条目を照射し、加工溝１７を挟んで反対側である硬化領域７ａの他方に第２のレーザビーム２４の第２条目を照射するとよい。

本実施形態に係るチップの製造方法では、加工溝形成ステップＳ２０及び硬化領域除去ステップＳ３０を実施したときにデブリや加工屑が生じ、これらがウエーハ１の第１の面１ａ側に飛散して保護膜１５に付着する。そこで、硬化領域除去ステップＳ３０の後に、ウエーハ１の第１の面１ａに形成された保護膜１５を除去する保護膜除去ステップＳ４０を実施して、保護膜１５ごとデブリや加工屑をウエーハ１から除去する。

図７は、保護膜除去ステップＳ４０を模式的に示す断面図である。保護膜除去ステップＳ４０は、ウエーハ１を含むフレームユニット１３に洗浄水４２を供給する洗浄装置３８で実施されるとよい。洗浄装置３８は、テープ９を介してウエーハ１を吸引保持するチャックテーブル６ｂと、チャックテーブル６ｂで保持されたウエーハ１に洗浄水４２を供給する洗浄水供給ノズル４０と、を備える。

チャックテーブル６ｂは、枠体１０ｂと、枠体１０ｂに収容された多孔質部材１２ｂと、を有し、テーブルベース４ｂに支持される。また、チャックテーブル６ｂの周囲には、フレームユニット１３のフレーム１１を把持できるクランプ８ｂが配設されている。

テーブルベース４ｂには、モータ等の図示しない回転駆動源が接続されており、この回転駆動源を作動させるとチャックテーブル６ｂを上面に垂直な回転軸の周りに回転できる。なお、チャックテーブル６ｂ等の構成及び構造はスピンコータ２のチャックテーブル６等と同様であるため、詳細な説明を省略する。

洗浄水供給ノズル４０は、チャックテーブル６ｂの上面の中央の上方を通る軌道を往復移動できる吐出口を備え、チャックテーブル６ｂに保持されたウエーハ１の第１の面１ａに純水等の洗浄水４２を供給して洗浄する。なお、洗浄水供給ノズル４０からウエーハ１に供給される洗浄水４２には高圧ガスが混ぜ込まれてもよく、ウエーハ１には純水と高圧ガスの混合流体による洗浄が実施されてもよい。

保護膜除去ステップＳ４０では、フレームユニット１３を洗浄装置３８に搬入してチャックテーブル６ｂに載せ、クランプ８ｂでフレーム１１を把持するとともにチャックテーブル６ｂでテープ９を介してウエーハ１を吸引保持する。そして、洗浄水供給ノズル４０の吐出口を所定の軌道上で往復移動させながら、回転駆動源を作動させてチャックテーブル６ｂを回転軸の周りに高速で回転させる。そして、洗浄水供給ノズル４０から洗浄水をウエーハ１の第１の面１ａに噴射する。

すると、ウエーハ１の第１の面１ａ側が洗浄水４２で洗浄される。そして、水溶性樹脂である保護膜１５が洗浄水４２により除去されて、デブリや加工屑等も除去される。その後、洗浄水供給ノズル４０からの洗浄水４２の噴出を停止させ、ウエーハ１を乾燥させる。図８（Ｂ）は、保護膜１５が除去されたウエーハ１を模式的に示す断面図である。ウエーハ１が加工溝１７で分断されていると、上面にそれぞれ樹脂層７を備える複数のチップが得られる。

以上に説明する通り、本実施形態に係るチップの製造方法では、第１の面１ａに樹脂層７を備えたウエーハ１の該第１の面１ａに保護膜１５を形成し、第１のレーザビーム２２を照射して該ウエーハ１を分割する。このとき、樹脂層７に硬化領域７ａが形成されるが、その後にこの硬化領域７ａを除去した上で保護膜１５を第１の面１ａから除去する。

そのため、ウエーハ１を分割して得られたチップには、第１のレーザビーム２２により硬化した樹脂層７の硬化領域７ａが残らない。そのため、得られた複数のチップを積層して熱圧着したとき、樹脂層７が適切に伸び広がり内部に気泡が残ることもない。したがって、得られた積層チップに硬化領域７ａに起因するチップ不良が生じることはない。

なお、本発明は上記の各実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、硬化領域除去ステップＳ３０において、第２のレーザビーム２４を樹脂層７の硬化領域７ａに照射して硬化領域７ａを除去する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。すなわち、硬化領域除去ステップＳ３０では他の方法により樹脂層７の硬化領域７ａがウエーハ１から除去されてもよい。次に硬化領域除去ステップＳ３０の変形例について説明する。

図９は、変形例に係る硬化領域除去ステップＳ３０を模式的に示す断面図である。変形例に係る硬化領域除去ステップＳ３０では、樹脂層７の硬化領域７ａを円環状の切削ブレード５０で切削することにより除去する。硬化領域７ａの切削は、図９に示す切削装置４４で実施する。切削装置４４は、ウエーハ１を吸引保持するチャックテーブル６ｃと、チャックテーブル６ｃで保持されたウエーハ１を切削する切削ユニット４６と、を備える。

チャックテーブル６ｃは、枠体１０ｃと、枠体１０ｃに収容された多孔質部材１２ｃと、を有し、テーブルベース４ｃに支持される。また、チャックテーブル６ｃの周囲には、フレームユニット１３のフレーム１１を把持できるクランプ８ｃが配設されている。なお、チャックテーブル６ｃ等の構成及び構造はスピンコータ２のチャックテーブル６等と同様であるため、詳細な説明を省略する。

切削装置４４は、チャックテーブル６ｃ及び切削ユニット４６を加工送り方向に相対的に移動できる加工送りユニットと、該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に相対的に移動できる割り出し送りユニットと、を備える。

切削装置４４の切削ユニット４６は、割り出し送り方向に沿ったスピンドル４８と、スピンドル４８の先端に固定された切削ブレード５０と、を備える。スピンドル４８の基端側にはモータ等の回転駆動源が接続されており、該回転駆動源を作動させると切削ブレード５０がスピンドル４８を軸として回転する。

切削ブレード５０は、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状の基台５２と、基台５２の外周に固定された円環状の砥石部５４と、を備える。砥石部５４は、ダイヤモンド等で形成された砥粒と、該砥粒を分散固定する結合材と、により構成される。切削ブレード５０を回転させ砥石部５４を被加工物に接触させると、被加工物が切削される。

ここで、スピンドル４８の先端に装着する切削ブレード５０の刃厚（砥石部５４の厚み）は、加工溝形成ステップＳ２０でウエーハ１に形成された加工溝１７の幅よりも大きいことが好ましい。さらに、切削ブレードは、加工溝１７の両側に形成された樹脂層７の硬化領域７ａの全域を切削できるように、加工溝１７の一方側の硬化領域７ａの外縁と、他方側の硬化領域７ａの外縁と、の距離よりも大きい刃厚であることが好ましい。

硬化領域７ａを切削する際には、まず、チャックテーブル６ｃの上にフレームユニット１３を載せ、チャックテーブル６ｃでフレームユニット１３を吸引保持する。その後、チャックテーブル６ｃを回転させてウエーハ１の加工予定ライン３の向きを加工送り方向に合わせる。

そして、ウエーハ１に形成された加工溝１７の延長線の上方に切削ブレード５０の砥石部５４を位置付けて、切削ブレード５０を所定の回転数で回転させる。そして、砥石部５４の下端が樹脂層７の下端の高さ位置に位置付けられるように切削ユニット４６を下降させる。その後、加工送りユニットを作動させてチャックテーブル６ｃ及び切削ユニット４６を加工送り方向に相対移動させて、切削ブレード５０を樹脂層７の硬化領域７ａに切り込ませて硬化領域７ａを除去する。

一つの加工予定ライン３に沿って硬化領域７ａを切削した後、チャックテーブル６ｃ及び切削ユニット４６を割り出し送り方向に移動させ、他の加工予定ライン３に沿って同様に樹脂層７の硬化領域７ａを切削する。一つの方向に沿った全ての加工予定ライン３に沿って硬化領域７ａを除去した後、チャックテーブル６ｃを回転させ、同様に他の方向に沿った加工予定ライン３に沿って硬化領域７ａを切削する。これによりウエーハ１の樹脂層７のすべての硬化領域７ａを除去できる。

なお、硬化領域除去ステップＳ３０を切削ブレード５０による切削で実施する場合においても、加工溝１７の両側に形成された樹脂層７の硬化領域７ａを個々に除去してもよい。この場合、切削ブレード５０の刃厚は、加工溝１７の両側に形成された硬化領域７ａのそれぞれの幅よりも大きいことが好ましい。このように、硬化領域除去ステップＳ３０は切削ブレード５０による切削でも実施可能である。

また、上記実施形態では、ウエーハ１の第１の面１ａ側にＮＣＦとして機能する樹脂層７が設けられ、樹脂層７に形成される硬化領域７ａを除去する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。すなわち、ウエーハ１の第１の面１ａ側に設けられる樹脂層７は、ＮＣＦでなくてもよい。

例えば、ウエーハ１の第１の面１ａ側には、他の目的のために樹脂層７が設けられる場合がある。そして、アブレーション加工によりウエーハ１を分割してチップを形成した際、樹脂層７が部分的に加熱されて変質することがあり、チップに残る樹脂層７に変質領域が形成される場合がある。例えば、アブレーション加工による熱の影響により樹脂層７が部分的に変色してしまい、ウエーハ１が分割されて形成されるチップの見栄えが悪くなる場合がある。

そこで、第２のレーザビーム２４等により樹脂層７の変質領域が除去されてもよい。すなわち、硬化領域除去ステップＳ３０として説明した上述の手順により樹脂層７の変質領域が除去される。この場合、硬化領域除去ステップＳ３０は変質領域除去ステップに読み替えられ、樹脂層７の硬化領域７ａは変質領域に読み替えられる。

また、上記実施形態では、ウエーハ１の樹脂層７が配設された第１の面１ａ側にデバイス５が形成されている場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。すなわち、デバイス５は、第２の面１ｂ側に設けられてもよい。この場合、ウエーハ１の第１の面１ａが裏面と呼ばれ、第２の面１ｂが表面とよばれる。この場合においても、第１の面１ａ側からウエーハ１に第１のレーザビーム２２を照射した際に樹脂層７に形成される硬化領域７ａを硬化領域除去ステップＳ３０で除去できる。

すなわち、本発明の一態様に係るチップの製造方法は、アブレーション加工の際にレーザビームが照射される側の面に樹脂層７が配設されたウエーハ１をアブレーション加工により分割する過程を含むあらゆるチップの製造方法に広く適用可能である。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウエーハ
１ａ 第１の面
１ｂ 第２の面
３ 加工予定ライン
５ デバイス
７ 樹脂層
７ａ 硬化領域
９ テープ
１１ フレーム
１３ フレームユニット
１５ 保護膜
１５ａ 変質領域
１７ 加工溝
２ スピンコータ
４，４ａ，４ｂ，４ｃ テーブルベース
６，６ａ，６ｂ，６ｃ チャックテーブル
８，８ａ，８ｂ，８ｃ クランプ
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ 枠体
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ 多孔質部材
１４ 液状樹脂供給ノズル
１６ 液状樹脂
１８ レーザ加工装置
２０ レーザ加工ユニット
２２，２４ レーザビーム
２６，３２ 分岐成分
２８，３７ 長辺
３０ 短辺
３８ 洗浄装置
４０ 洗浄水供給ノズル
４２ 洗浄水
４４ 切削装置
４６ 切削ユニット
４８ スピンドル
５０ 切削ブレード
５２ 基台
５４ 砥石部

Claims (13)

1. 第１の面に樹脂層を備えたウエーハを加工予定ラインに沿って分割してチップを製造するチップの製造方法であって、
   該第１の面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
   該保護膜形成ステップの後に、該ウエーハが吸収性を有する波長の第１のレーザビームを該第１の面側から該加工予定ラインに沿って該ウエーハに照射して該ウエーハに加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
   該加工溝形成ステップの後に、硬化した該樹脂層の硬化領域を除去する硬化領域除去ステップと、
   該硬化領域除去ステップの後に、該第１の面に形成された該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、
   該加工溝に沿って該ウエーハが分割されることで個々のチップが形成されることを特徴とするチップの製造方法。
2. 該硬化領域除去ステップでは、該樹脂層の該硬化領域を含む領域に第２のレーザビームを照射することで該硬化領域を除去することを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。
3. 該第２のレーザビームのエネルギー密度は、該第１のレーザビームのエネルギー密度よりも低いことを特徴とする請求項２に記載のチップの製造方法。
4. 該第１のレーザビームはガウシアンビームであり、該第２のレーザビームはトップハットビームであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のチップの製造方法。
5. 該硬化領域除去ステップでは、該加工溝の幅よりも幅の広い該第２のレーザビームを該ウエーハに照射することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
6. 該硬化領域除去ステップでは、該第２のレーザビームを長軸と短軸の長さが異なる楕円形状、長辺と短辺の長さが異なる長方形状、または、４つの辺の長さが等しい正方形状に整形し、該長軸、該長辺、または、１つの該辺が該加工予定ラインに垂直な方向に向いた状態で該第２のレーザビームを該ウエーハに照射することを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
7. 該硬化領域除去ステップにおいて、該第２のレーザビームは該ウエーハの該加工予定ラインに平行な方向及び垂直な方向の一方もしくは両方に分岐して照射されることを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
8. 該硬化領域除去ステップでは、該第２のレーザビームが該樹脂層の該硬化領域を含む該領域に該樹脂層が硬化する閾値未満の条件で照射されることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
9. 該硬化領域除去ステップでは、該樹脂層の該硬化領域を切削ブレードで切削することにより除去することを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。
10. 該加工溝形成ステップにおいて、該第１のレーザビームは、該ウエーハの該加工予定ラインに平行な方向と、垂直な方向と、の一方または両方に分岐されて該ウエーハに照射されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
11. 該樹脂層は、ＮＣＦであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
12. 該保護膜の厚みは、５μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のチップの製造方法。
13. 該加工溝形成ステップで形成される該加工溝は、該第１の面と平行な該ウエーハの第２の面に達しておらず、
    該ウエーハに外力が付与されることで該ウエーハが該加工溝に沿って分割されることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載のチップの製造方法。

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