JP2023004743A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品の電磁波のシールド効果を向上させること。【解決手段】弾性波デバイス１００は、支持基板１０と、支持基板１０上に設けられる弾性波素子７０と、平面視して弾性波素子７０を囲んで支持基板１０上に設けられ、弾性波素子７０とは反対側の側面３３が支持基板１０の側面１７より内側に位置する枠体３０と、枠体３０上に設けられ、側面２７が枠体３０の側面３３より外側に位置し、支持基板１０とで空隙１５を挟み空隙１５内に弾性波素子７０を封止するリッド２０と、枠体３０の側面３３を覆う被覆層５０と、支持基板１０の側面１７と被覆層５０の側面５２とリッド２０の側面２７とを連続して覆い、グランド端子１２ｃに接続される外装金属膜５１とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関する。

機能素子を囲む枠体上にリッドを設け、リッドと基板との間の空隙内に機能素子を封止する電子部品が知られている（例えば特許文献１、２）。

特開２０２０－２０５５００号公報 特開２００６－３３３１３０号公報

ノイズ対策のために、電子部品の表面を外装金属膜で覆うことが考えられる。この場合に、基板上に枠体を設け、枠体上にリッドを設けた構造では、外装金属膜が枠体の側面において上下に分断されて、電磁波のシールド効果が弱まり、ノイズ対策が不十分になることがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電磁波のシールド効果を向上させることを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられる機能素子と、平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられ、前記機能素子とは反対側の側面が前記基板の側面より内側に位置する枠体と、前記枠体上に設けられ、側面が前記枠体の前記側面より外側に位置し、前記基板とで空隙を挟み前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、前記枠体の前記側面を覆う被覆層と、前記基板の側面と前記被覆層の側面と前記リッドの側面とを連続して覆い、グランド端子に接続される外装金属膜と、を備える電子部品である。

上記構成において、前記リッドは金属材料により形成され、前記外装金属膜は前記リッドに直接接している構成とすることができる。

上記構成において、前記リッドは絶縁材料を含んで形成され、前記外装金属膜は前記リッドの側面と前記リッドの前記空隙とは反対側の面とを覆っている構成とすることができる。

上記構成において、前記グランド端子は、前記基板の前記機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、前記外装金属膜は、前記基板の側面から前記基板の前記第２面に連続して設けられて前記グランド端子に直接接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記基板下に設けられる他の基板と、前記他の基板の前記基板側の面上に設けられる他の機能素子と、平面視して前記他の機能素子を囲んで前記他の基板と前記基板の間に設けられ、前記他の機能素子とは反対側の側面が前記基板の側面および前記他の基板の側面より内側に位置し、前記他の基板と前記基板の間の他の空隙内に前記他の機能素子を封止する他の枠体と、前記基板の前記他の空隙側の面を覆って設けられ、側面が前記他の枠体の前記側面より外側に位置して前記外装金属膜に電気的に接続された中間金属層と、前記他の枠体の前記側面を覆う他の被覆層と、を備え、前記外装金属膜は、前記他の被覆層の側面と前記基板の側面と前記被覆層の側面と前記リッドの側面とを連続して覆う構成とすることができる。

上記構成において、前記グランド端子は、前記他の基板の前記他の機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、前記外装金属膜は、前記他の基板の側面から前記他の基板の前記第２面に連続して設けられて前記グランド端子に直接接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記グランド端子は、前記他の基板の前記他の機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、前記中間金属層は、前記他の基板に設けられたビア配線を介して前記グランド端子に電気的に接続され、前記外装金属膜は、前記中間金属層と前記ビア配線を介して前記グランド端子に電気的に接続される構成とすることができる。

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。

上記構成において、前記弾性波素子によりフィルタが形成されている構成とすることができる。

上記構成において、前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている構成とすることができる。

本発明によれば、電磁波のシールド効果を向上させることができる。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。 図２（ａ）は、図１のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。 図３は、実施例１における弾性波素子の平面図である。 図４（ａ）はフィルタの回路図、図４（ｂ）はデュプレクサのブロック図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの第１の製造方法を示す断面図（その１）である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの第１の製造方法を示す断面図（その２）である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの第１の製造方法を示す断面図（その３）である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの第１の製造方法を示す断面図（その４）である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの第２の製造方法を示す断面図である。 図１０は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１１（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図であり、図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１２（ｂ）は、実施例２における弾性波素子の断面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｃ）は、実施例３に係る弾性波デバイスにおける支持基板の平面図、図１３（ｂ）は、中間金属層の平面図である。 図１４は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図１７は、実施例３の変形例に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１８（ａ）は、比較例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１８（ｂ）は、比較例３に係る弾性波デバイスの断面図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施例について、電子部品として弾性波デバイスの場合を例に説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。図１は、外装金属膜５１およびリッド２０を透視して、支持基板１０、圧電層１１、ビア配線１３、配線１４、枠体３０、柱状体４０、被覆層５０、および弾性波素子７０を主に図示している。また、図１では、支持基板１０の下面に設けられた入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、およびグランド端子１２ｃを破線で図示している。図１では、図の明瞭化のために、配線１４、枠体３０、および被覆層５０にハッチングを付している。

図１、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１００は、支持基板１０の上面に圧電層１１が接合されている。支持基板１０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、またはシリコン基板であり、厚さが５０μｍ～３００μｍ程度である。サファイア基板は単結晶のＡｌ_２Ｏ_３を主成分とする基板であり、アルミナ基板は多結晶のＡｌ_２Ｏ_３を主成分とする基板であり、スピネル基板は単結晶または多結晶のＭｇＡｌ_２Ｏ_４を主成分とする基板である。石英基板はアモルファスのＳｉＯ_２を主成分とする基板であり、水晶基板は単結晶のＳｉＯ_２を主成分とする基板であり、シリコン基板は、単結晶または多結晶のＳｉを主成分とする基板である。圧電層１１は、例えば単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層であり、厚さが０．５μｍ～３０μｍ程度である。支持基板１０の線膨張係数は圧電層１１の線膨張係数より小さい。これにより、弾性波デバイス１００の周波数温度係数を低減できる。支持基板１０と圧電層１１の間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁層を設けてもよい。このように、圧電層１１は支持基板１０に直接または間接的に接合されている。

圧電層１１の上面に、１または複数の弾性波素子７０が設けられている。支持基板１０の下面に入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、およびグランド端子１２ｃが設けられている。入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、およびグランド端子１２ｃは、弾性波素子７０を外部と電気的に接続するためのフットパッドである。支持基板１０を貫通するビア配線１３が設けられている。ビア配線１３は、一端が入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、またはグランド端子１２ｃに接続され、他端が配線１４に接続されている。これにより、複数の弾性波素子７０は、配線１４およびビア配線１３を介して、入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、およびグランド端子１２ｃに電気的に接続されている。入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、グランド端子１２ｃ、ビア配線１３、および配線１４は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および／または金等を含む金属層であり、単層の金属層でもよいし、積層の金属層でもよい。

図３は、実施例１における弾性波素子７０の平面図である。図３に示すように、弾性波素子７０は弾性表面波共振子である。圧電層１１の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）７１と反射器７２が設けられている。ＩＤＴ７１は、対向する一対の櫛型電極７３を有する。櫛型電極７３は、複数の電極指７４と、複数の電極指７４が接続するバスバー７５と、を有する。反射器７２は、ＩＤＴ７１の両側に設けられている。ＩＤＴ７１が圧電層１１に弾性表面波を励振する。一対の櫛型電極７３のうち一方の櫛型電極７３の電極指７４のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。複数の電極指７４のピッチＤのほぼ２倍が、弾性波の波長λとなる。ＩＤＴ７１および反射器７２は、例えばアルミニウム、銅、またはモリブデン等の金属膜により形成される。圧電層１１の上面にＩＤＴ７１および反射器７２を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。櫛型電極７３はダミー電極指を有していてもよい。

圧電層１１の上面に形成された複数の弾性波素子７０によってフィルタが形成されてもよいし、デュプレクサが形成されてもよい。図４（ａ）はフィルタの回路図、図４（ｂ）はデュプレクサのブロック図である。

図４（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔの間に１または複数の直列共振器Ｓ１～Ｓ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔの間に１または複数の並列共振器Ｐ１～Ｐ３が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１～Ｓ４および並列共振器Ｐ１～Ｐ３が弾性波素子７０である。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタであってもよい。

図４（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘの間に送信フィルタ９０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘの間に受信フィルタ９１が接続されている。送信フィルタ９０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ９１は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。なお、マルチプレクサとしてデュプレクサを例に示したがトリプレクサまたはクワッドプレクサであってもよい。

図１においては、複数の弾性波素子７０により直列共振器Ｓ１～Ｓ４および並列共振器Ｐ１～Ｐ３が形成されたラダー型フィルタ９２の場合を例に示している。直列共振器Ｓ１～Ｓ４は、入力端子１２ａと出力端子１２ｂの間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１～Ｐ３は、入力端子１２ａと出力端子１２ｂの間に並列に接続されている。すなわち、並列共振器Ｐ１～Ｐ３の一端は直列共振器Ｓ１～Ｓ４の間を接続する配線１４に接続され、他端はグランド端子１２ｃに接続されている。

図１、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示すように、支持基板１０の周縁領域には圧電層１１は設けられていない。平面視において、圧電層１１を囲むように支持基板１０上に枠体３０が設けられている。枠体３０は圧電層１１から離れて支持基板１０上に設けられている。枠体３０の弾性波素子７０とは反対側の側面３３は、支持基板１０の側面１７より内側（弾性波素子７０側）に位置している。枠体３０の高さは例えば１５μｍ～３０μｍ程度であり、幅は例えば１０μｍ～４０μｍ程度である。

枠体３０は、環状金属層３１と環状接合層３２を備える。環状金属層３１は例えば支持基板１０の上面に直接接して設けられている。環状接合層３２は環状金属層３１上に設けられている。環状金属層３１は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および／または金等を含む金属層であり、単層の金属層でもよいし、積層の金属層でもよい。環状接合層３２は、例えば金錫、銀錫、または錫銀銅等のろう材金属層である。

枠体３０上に、支持基板１０との間に空隙１５が形成されるように、リッド２０が設けられている。リッド２０の側面２７は、枠体３０の側面３３より外側に位置している。言い換えると、枠体３０の側面３３は、リッド２０の側面２７より内側（弾性波素子７０側）に位置している。リッド２０は、接合層２１と本体２２を備える。リッド２０は、接合層２１が環状接合層３２に接合することで、枠体３０に接合されている。これにより、弾性波素子７０は、支持基板１０、リッド２０、および枠体３０により空隙１５内に封止される。本体２２は、接合層２１より厚く、リッド２０が潰れないように接合層２１より硬い材料で形成されている。接合層２１は例えば金層である。本体２２は、線膨張係数の小さい金属層であり、例えばコバール層である。コバールは、鉄にニッケルとコバルトを配合した合金である。リッド２０の厚さは、例えば２０μｍ～１００μｍ程度である。

圧電層１１は、リッド２０の中央付近に、上面から下面にかけて貫通する開口１６を有する。開口１６では例えば支持基板１０の上面が露出している。開口１６において、支持基板１０とリッド２０の間に、支持基板１０に対してリッド２０を支持する柱状体４０が設けられている。柱状体４０は、空隙１５内に位置し、圧電層１１から離れて設けられ、例えば支持基板１０の上面に接している。柱状体４０の高さは、例えば枠体３０と略同じか枠体３０より高く、例えば１５μｍ～４０μｍ程度である。柱状体４０の幅は、例えば枠体３０と略同じか枠体３０より大きく、例えば１０μｍ～５０μｍ程度である。柱状体４０は、支持基板１０とリッド２０の間に２つ設けられる場合に限られず、１つの場合でもよいし、３つ以上の場合でもよい。

柱状体４０は、金属層４１と接合層４２を備える。金属層４１は例えば支持基板１０の上面に直接接して設けられている。接合層４２は金属層４１上に設けられている。金属層４１は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および／または金等を含む金属層であり、単層の金属層でもよいし、積層の金属層でもよい。金属層４１は、例えば環状金属層３１と同じ材料により形成されかつ同じ層構成をしている。接合層４２は、例えば金錫、銀錫、または錫銀銅等のろう材金属層である。接合層４２は、例えば環状接合層３２と同じ材料により形成されている。

リッド２０は、接合層２１が接合層４２に接合することで、柱状体４０に接合されている。支持基板１０とリッド２０の間に柱状体４０が設けられることで、リッド２０に上方から圧力が加わった場合でも、リッド２０に撓みが生じることを抑制できる。このため、リッド２０が弾性波素子７０および配線１４等に接触または接近して特性が劣化することを抑制できる。

なお、枠体３０および柱状体４０は、樹脂等の絶縁体であってもよい。リッド２０の本体２２は、コバール層の他に、銅層、金層、アルミニウム層、またはタングステン層等の金属層であってもよいし、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、シリコン基板、タンタル酸リチウム基板、またはニオブ酸リチウム基板等の絶縁基板であってもよい。

枠体３０の側面３３を覆って被覆層５０が設けられている。被覆層５０は、例えば枠体３０の側面３３に接して側面３３を覆っている。枠体３０の側面３３上における被覆層５０の厚さは例えば０．５μｍ～３．０μｍ程度である。被覆層５０は、枠体３０の側面３３の略全面を覆っている場合が好ましい。略全面を覆うとは、枠体３０の側面３３の総面積の９０％以上を覆うことであり、９５％以上を覆う場合でもよく、１００％覆う場合でもよい。

被覆層５０が枠体３０の側面３３を覆っているため、被覆層５０の枠体３０とは反対側の側面５２と支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７との間の最大距離Ｘ２は、枠体３０の側面３３と支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７との間の最大距離Ｘ１より小さくなっている。

被覆層５０は、例えば支持基板１０を構成する元素であり酸素および炭素以外である元素を含んで形成されてもよいし、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂等の樹脂材料を含んで形成されてもよいし、銅、ニッケル、金、錫、銀、またはパラジウム等の金属材料を含んで形成されてもよい。樹脂材料を含んで形成される場合、導電性フィラーを含有して導電性を有していてもよいし、導電性フィラーを含有していなくてもよい。支持基板１０を構成する元素を含んで形成される場合、支持基板１０がサファイア基板であるときは、被覆層５０はアルミニウムを少なくとも含んで形成される。

支持基板１０の側面１７、被覆層５０の側面５２、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３を覆って外装金属膜５１が設けられている。外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７から被覆層５０の側面５２を介してリッド２０の側面２７および上面２３に連続して設けられている。したがって、弾性波デバイス１００の表面は外装金属膜５１により覆われている。外装金属膜５１の厚さは、電磁波のシールド効果の観点から、遮蔽する電磁波の表皮深さ以上である場合が好ましく、例えば１μｍ～５μｍ程度である。外装金属膜５１は、例えばチタン、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、および／または金等を含む金属層であり、単層の金属層でもよいし、積層の金属層でもよい。外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７、被覆層５０の側面５２、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３の略全面を覆っている場合が好ましい。略全面を覆うとは、支持基板１０の側面１７の総面積の９０％以上を覆い、被覆層５０の側面５２の総面積の９０％以上を覆い、リッド２０の側面２７の総面積の９０％以上を覆い、リッド２０の上面２３の総面積の９０％以上を覆うことであり、それぞれの９５％以上を覆う場合でもよく、１００％覆う場合でもよい。

外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７から支持基板１０の下面の一部に延びていて、グランド端子１２ｃに直接接続している。これにより、外装金属膜５１にグランド電位が供給されることになり、外装金属膜５１に電磁波のシールド効果を付与することができる。これにより、外部から弾性波素子７０へのノイズの影響および弾性波素子７０から外部へのノイズの発生を抑制することができる。

［第１の製造方法］
図５（ａ）から図８（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の第１の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）から図８（ｂ）で説明する製造方法は多面取りプロセスによる製造方法である。図５（ａ）に示すように、支持基板１０の上面に例えばレーザ光を照射してビアホールを形成し、ビアホール内に金属層を例えば電解めっき法を用いて形成する。その後、支持基板１０の上面が露出するように金属層の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて平坦化する。これにより、支持基板１０にビア配線１３が形成される。次いで、支持基板１０の上面に圧電基板を例えば表面活性化法を用いて常温接合する。支持基板１０と圧電基板とは数ｎｍのアモルファス層を介し直接接合されてもよいし、絶縁層を介し間接的に接合されてもよい。その後、圧電基板の上面を例えばＣＭＰ法を用いて研磨する。これにより、支持基板１０の上面に直接または間接的に接合された圧電層１１が形成される。次いで、圧電層１１の上面に弾性波素子７０を形成する。

図５（ｂ）に示すように、圧電層１１の一部を例えばエッチング法を用いて除去する。これにより、弾性波デバイスの周囲となる領域の圧電層１１が除去されて、ビア配線１３が露出する。また、圧電層１１に開口１６（図１および図２（ｂ）参照）が形成される。次いで、圧電層１１の上面からビア配線１３まで延在し、弾性波素子７０とビア配線１３とを電気的に接続させる配線１４を形成する。

図６（ａ）に示すように、支持基板１０上に例えば電解めっき法を用いて枠体３０および柱状体４０（図１および図２（ｂ）参照）を形成する。枠体３０は、環状金属層３１と環状接合層３２を備え、圧電層１１を平面視して囲むように形成される。柱状体４０は、金属層４１と接合層４２を備え（図２（ｂ）参照）、圧電層１１に設けられた開口１６に形成される。

図６（ｂ）に示すように、枠体３０および柱状体４０にリッド２０を接合する。リッド２０は、接合層２１が環状接合層３２および接合層４２と反応して合金化することで、枠体３０および柱状体４０に接合される。これにより、支持基板１０とリッド２０の間に形成された空隙１５内に弾性波素子７０が封止される。

図７（ａ）に示すように、支持基板１０の下面を例えばＣＭＰ法を用いて研磨する。これにより、ビア配線１３が支持基板１０の下面に露出する。次いで、支持基板１０の下面にビア配線１３に接続する入力端子１２ａ（図１参照）、出力端子１２ｂ、およびグランド端子１２ｃを形成する。

図７（ｂ）に示すように、隣接する弾性波デバイスの間の切断領域にレーザ光１を照射することで、支持基板１０およびリッド２０を切断して弾性波デバイスを個片化する。例えば、パルスＵＶレーザを用い、パルスＵＶレーザから出射される波長３５５ｎｍのレーザ光１をリッド２０および支持基板１０に照射することで弾性波デバイスを個片化する。リッド２０および支持基板１０は、レーザ光１が照射されることで溶融する。このとき、レーザ光１の照射条件を適切にすることで、支持基板１０およびリッド２０の溶融物が適切に飛散して枠体３０の側面３３に適切な量で堆積するようになる。

図８（ａ）に示すように、弾性波デバイスの個片化が終了すると、枠体３０の側面３３には、支持基板１０およびリッド２０の溶融物が堆積されたことにより適切な厚さの被覆層５０が形成される。被覆層５０は、支持基板１０を構成する元素を少なくとも含んで形成される。また、レーザ光１の照射により支持基板１０およびリッド２０は溶融するため、支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７には溶融した後に再び硬化することで凹凸形状が形成される。また、レーザ光１が照射されることで支持基板１０の側面１７は改質されて非晶質な領域が形成される。例えば、支持基板１０がサファイア基板である場合、支持基板１０の内側は単結晶であるのに対し、支持基板１０の側面１７には非晶質な領域が形成される。なお、リッド２０の側面２７もリッド２０の材料によっては非晶質な領域が形成されてもよい。

図８（ｂ）に示すように、弾性波デバイスの表面に例えばスパッタリング法を用いて外装金属膜５１を形成する。外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７、被覆層５０の側面５２、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３を覆うとともに、グランド端子１２ｃに直接接続するように支持基板１０の下面の一部にも形成される。以上により、実施例１に係る弾性波デバイス１００が形成される。

［第２の製造方法］
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の第２の製造方法を示す断面図である。まず、図５（ａ）から図７（ａ）に示した工程と同じ工程を実施した後、弾性波デバイスを個片化する。このとき、図９（ａ）に示すように、枠体３０の側面３３には、被覆層５０の代わりに絶縁膜５８が形成されている。絶縁膜５８は、個片化のために支持基板１０およびリッド２０にレーザ光１を照射した際に支持基板１０の溶融物が飛散することによって形成されたものであり、レーザ光１の照射条件によって被覆層５０より薄くなっている。このように、個片化のために支持基板１０にレーザ光１を照射することで、枠体３０の側面３３に絶縁膜５８が形成されることがある。

図９（ｂ）に示すように、支持基板１０の側面１７、枠体３０の側面３３、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３を覆うように、ポジ型の感光性樹脂膜２を塗布する。感光性樹脂膜２は、例えばエポキシ系樹脂膜またはポリイミド系樹脂膜である。その後、感光性樹脂膜２に対して露光、現像、およびポストベークを実施する。枠体３０の側面３３に形成された感光性樹脂膜２は、リッド２０が庇となって露光時の光が照射されないため、現像後に残存する。このため、図８（ａ）と同様に、枠体３０の側面３３に絶縁膜５８と感光性樹脂膜２とからなる被覆層５０が形成される。その後、図８（ｂ）と同様に、弾性波デバイスの表面に外装金属膜５１を形成する。これにより、実施例１に係る弾性波デバイス１００が形成される。

［第３の製造方法］
実施例１に係る弾性波デバイス１００の第３の製造方法は、まず、図５（ａ）から図７（ａ）に示した工程と同じ工程を実施した後、弾性波デバイスを個片化する。このとき、第２の製造工程と同様に、枠体３０の側面３３には被覆層５０の代わりに絶縁膜５８が形成されている（図９（ａ）参照）。弾性波デバイスを個片化した後、例えば無電解めっき法を用いて枠体３０の側面３３にめっき膜を堆積する。めっき膜は、例えば銅めっき膜、ニッケルめっき膜、リンめっき膜、金めっき膜、錫めっき膜、銀めっき膜、またはパラジウムめっき膜である。これにより、図８（ａ）と同様に、枠体３０の側面３３に絶縁膜５８とめっき膜とからなる被覆層５０が形成される。その後、図８（ｂ）と同様に、弾性波デバイスの表面に外装金属膜５１を形成する。これにより、実施例１に係る弾性波デバイス１００が形成される。

［比較例１］
図１０は、比較例１に係る弾性波デバイス１１００の断面図である。図１０に示すように、弾性波デバイス１１００では、枠体３０の側面３３に、被覆層５０の代わりに、被覆層５０より薄い絶縁膜５８が形成されている。製造上の理由および／または部品の公差等により、枠体３０の側面３３は支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７より内側に入って形成される。このため、支持基板１０と枠体３０とリッド２０とにより形成された凹凸によって、外装金属膜５１がリッド２０側と支持基板１０側とに分断されてしまうことがある。外装金属膜５１が枠体３０において分断されかつ絶縁膜５８が枠体３０の側面３３に形成されていることで、外装金属膜５１が支持基板１０の下面に延びてグランド端子１２ｃに直接接続されたとしても、外装金属膜５１のうちリッド２０を覆う部分にはグランド電位が供給されなくなる。このため、外装金属膜５１による電磁波のシールド効果が弱まり、ノイズ対策が不十分となってしまう。

一方、実施例１によれば、図２（ａ）および図２（ｂ）のように、枠体３０の側面３３を覆って被覆層５０が設けられている。外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７から被覆層５０の側面５２を介してリッド２０の側面２７に連続して設けられ、支持基板１０の側面１７と被覆層５０の側面５２とリッド２０の側面２７とを覆っている。これにより、外装金属膜５１がグランド端子１２ｃに接続されてグランド電位が供給されることで、外装金属膜５１全体がグランド電位となるため、電磁波のシールド効果を向上させることができる。よって、ノイズ対策の効果を向上させることができる。

外装金属膜５１によるシールド効果の観点から、外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７の総面積の７０％以上を覆い、被覆層５０の側面５２の総面積の７０％以上を覆い、リッド２０の側面２７の総面積の７０％以上を覆う場合が好ましく、それぞれの８０％以上を覆う場合がより好ましく、それぞれの略全面である９０％以上を覆う場合が更に好ましい。

また、実施例１では、リッド２０は金属材料により形成され、外装金属膜５１はリッド２０に直接接している。これにより、リッド２０がグランド電位となるため、電磁波のシールド効果を向上させることができる。

実施例１において、リッド２０は絶縁材料を含んで形成され、外装金属膜５１はリッド２０の側面２７と空隙１５とは反対側の面である上面２３とを覆っている場合でもよい。これにより、リッド２０が絶縁材料を含んで形成されている場合でも、外装金属膜５１により電磁波をシールドすることができる。電磁波をシールドする観点から、外装金属膜５１は、リッド２０の上面２３の総面積の７０％以上を覆う場合が好ましく、８０％以上を覆う場合がより好ましく、略全面である９０％以上を覆う場合が更に好ましい。また、リッド２０は支持基板１０と同じ絶縁材料を含んでいてもよい。例えば、支持基板１０とリッド２０の本体２２が共にサファイア基板である場合でもよい。この場合、支持基板１０とリッド２０の線膨張係数の差が小さくなるため、温度変化により発生する熱応力を低減することができる。

また、実施例１では、図２（ａ）のように、外装金属膜５１は、支持基板１０の側面１７から支持基板１０の下面に連続して設けられてグランド端子１２ｃに直接接続している。例えば、外装金属膜５１が支持基板１０に設けられたビア配線を介してグランド端子１２ｃに電気的に接続される場合、外装金属膜５１はビア配線のインダクタンス成分によって十分なグランド性能を有さない場合がある。これに対し、外装金属膜５１が支持基板１０の側面１７から下面に延びてグランド端子１２ｃに直接接続することで、外装金属膜５１のグランド性能を向上させることができ、電磁波のシールド効果を向上させることができる。

なお、実施例１において、外装金属膜５１が枠体３０において分断することを抑制する観点から、被覆層５０の側面５２と支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７との間の最大距離Ｘ２（図２（ｂ）参照）は、枠体３０の側面３３と支持基板１０の側面１７およびリッド２０の側面２７との間の最大距離Ｘ１（図２（ｂ）参照）の１／２以下が好ましく、１／５以下がより好ましく、１／１０以下が更に好ましい。

［変形例］
図１１（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイス１１０の断面図であり、図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイス１２０の断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１１０、１２０では、枠体３０の環状金属層３１および環状接合層３２が狭幅部分を有するくびれ形状となっている。環状金属層３１は、例えば電解めっき法により形成されるが、めっき条件等によっては、くびれ形状となる場合がある。また、枠体３０が柱状体４０より支持基板１０からの高さが低い場合、枠体３０の環状接合層３２および柱状体４０の接合層４２をリッド２０の接合層２１に接合させる際に、接合層２１が接合層４２に接したときに、環状接合層３２とは十分には接していない状態になることがある。この場合、接合層２１と接合層４２とは適切な荷重がかかった状態で接合されるが、接合層２１と環状接合層３２とは適切な荷重が掛かっていない状態で接合されるため、環状接合層３２がくびれ形状となる場合がある。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

枠体３０の環状金属層３１および／または環状接合層３２がくびれ形状となり、枠体３０の側面３３にくびれ形状による凹凸が形成された場合でも、枠体３０の側面３３を覆って被覆層５０が設けられることで、外装金属膜５１が枠体３０において分断されることを抑制できる。

被覆層５０は、図１１（ａ）に示すように、支持基板１０の外形およびリッド２０の外形の内側に納まる場合でもよいし、図１１（ｂ）に示すように、支持基板１０の外形およびリッド２０の外形より外側に出っ張る場合でもよい。

図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の断面図、図１２（ｂ）は、実施例２における弾性波素子７０ａの断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、弾性波デバイス２００では、支持基板１０上に弾性波素子７０の代わりに弾性波素子７０ａが設けられている。弾性波素子７０ａは圧電薄膜共振子である。弾性波素子７０ａは、支持基板１０上に設けられた圧電層８２と、圧電層８２を挟む下部電極８１および上部電極８３と、を備える。下部電極８１と支持基板１０との間に空隙８４が形成されている。圧電層８２の少なくとも一部を挟み下部電極８１と上部電極８３とが対向する領域が共振領域８５である。共振領域８５において、下部電極８１および上部電極８３は圧電層８２内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。なお、圧電層８２の共振領域８５の外周領域にＱ値を高めるため、または、温度補償のための挿入膜が挿入されていてもよい。

下部電極８１および上部電極８３は例えばルテニウム膜等を含む金属膜である。圧電層８２は例えば窒化アルミニウム層または酸化亜鉛層である。空隙８４の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。

実施例１およびその変形例のように、支持基板１０上に設けられた機能素子は、単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層である圧電層１１上に設けられた櫛型電極７３を含む弾性波素子７０の場合でもよい。実施例２のように、機能素子は、圧電層８２を挟んで下部電極８１と上部電極８３が設けられた圧電薄膜共振子である弾性波素子７０ａの場合でもよい。また、機能素子は、弾性波素子以外の場合でもよく、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）素子等の圧電素子の場合や、その他の場合でもよい。

図１３（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイス３００における支持基板１０ｂの平面図、図１３（ｂ）は、中間金属層５３の平面図、図１３（ｃ）は、支持基板１０ａの平面図である。図１４は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の断面図である。図１３（ｃ）では、支持基板１０ａの下面に設けられたアンテナ端子１８ａ、送信端子１８ｂ、受信端子１８ｃ、およびグランド端子１８ｄを破線で図示している。図１３（ａ）から図１３（ｃ）では、図の明瞭化のために、配線１４ａおよび１４ｂ、枠体３０ａおよび３０ｂ、被覆層５０ａおよび５０ｂ、並びに中間金属層５３にハッチングを付している。

図１３（ａ）から図１３（ｃ）および図１４に示すように、弾性波デバイス３００は、支持基板１０ａの上面に圧電層１１ａが接合され、圧電層１１ａ上に１または複数の弾性波素子７０が設けられている。弾性波素子７０により直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２と並列共振器Ｐ１１が形成されている。支持基板１０ａの下面にはアンテナ端子１８ａ、送信端子１８ｂ、受信端子１８ｃ、およびグランド端子１８ｄが設けられている。直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２は、配線１４ａとビア配線１３ａを介して、アンテナ端子１８ａと送信端子１８ｂの間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１１は、一端が直列共振器Ｓ１１とＳ１２の間の配線１４ａに接続され、他端が配線１４ａおよびビア配線１３ａを介してグランド端子１８ｄに接続されている。これにより、並列共振器Ｐ１１は、アンテナ端子１８ａと送信端子１８ｂの間に並列に接続されている。このように、支持基板１０ａ上に直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２と並列共振器Ｐ１１とを有する送信フィルタ９０が形成されている。

支持基板１０ａの圧電層１１ａが設けられていない周縁領域に、平面視して圧電層１１ａを囲むように枠体３０ａが設けられている。枠体３０ａは環状金属層３１ａと環状接合層３２ａを備える。枠体３０ａ上に支持基板１０ｂが設けられている。支持基板１０ｂの下面には、支持基板１０ｂの下面を覆って中間金属層５３が設けられている。支持基板１０ｂは、中間金属層５３が環状接合層３２ａに接合することで、枠体３０ａに接合されている。これにより、圧電層１１ａ上に設けられた弾性波素子７０は、支持基板１０ａと支持基板１０ｂと枠体３０ａとにより、支持基板１０ａと中間金属層５３との間に形成された空隙１５ａ内に封止されている。中間金属層５３は、本体部５４と島部５５とを有する。島部５５は、本体部５４との間に空隙５６が形成されることで本体部５４とは電気的に絶縁されている。なお、空隙５６に絶縁膜が埋め込まれていてもよい。中間金属層５３は、例えば金層である。中間金属層５３の厚さは、遮蔽する電磁波の表皮厚さ以上である場合が好ましく、厚さが１μｍ～４０μｍ程度である。

支持基板１０ｂの上面に圧電層１１ｂが接合され、圧電層１１ｂ上に１または複数の弾性波素子７０が設けられている。弾性波素子７０により直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２と並列共振器Ｐ２１が形成されている。直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２は、配線１４ｂとビア配線１３ｂと中間金属層５３の島部５５とピラー６０と配線１４ａとビア配線１３ａとを介して、アンテナ端子１８ａと受信端子１８ｃの間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ２１は、一端が直列共振器Ｓ２１とＳ２２の間の配線１４ｂに接続され、他端が配線１４ｂとビア配線１３ｂと中間金属層５３の本体部５４とピラー６０と配線１４ａとビア配線１３ａとを介してグランド端子１８ｄに接続されている。これにより、並列共振器Ｐ２１は、アンテナ端子１８ａと受信端子１８ｃの間に並列に接続されている。このように、支持基板１０ｂ上に直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２と並列共振器Ｐ２１とを有する受信フィルタ９１が形成されている。

ピラー６０は、支持基板１０ａと中間金属層５３との間で空隙１５ａ内に位置して設けられている。ピラー６０は、金属層６１と接合層６２を備える。金属層６１は配線１４ａの上面に直接接して設けられている。接合層６２は金属層６１上に設けられている。接合層６２は中間金属層５３に接合されている。金属層６１は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および／または金等を含む金属層であり、単層の金属層でもよいし、積層の金属層でもよい。接合層６２は、例えば金錫、銀錫、または錫銀銅等のろう材金属層である。

支持基板１０ｂの圧電層１１ｂが設けられていない周縁領域に、平面視して圧電層１１ｂを囲むように枠体３０ｂが設けられている。枠体３０ｂは環状金属層３１ｂと環状接合層３２ｂを備える。枠体３０ｂ上にリッド２０が設けられている。リッド２０は、接合層２１が環状接合層３２ｂに接合することで、枠体３０ｂに接合されている。これにより、圧電層１１ｂ上に設けられた弾性波素子７０は、支持基板１０ｂとリッド２０と枠体３０ｂとにより、支持基板１０ｂとリッド２０との間に形成された空隙１５ｂ内に封止されている。

圧電層１１ｂは、リッド２０の中央付近に開口１６を有する。開口１６において、支持基板１０ｂとリッド２０の間で空隙１５ｂ内に位置して柱状体４０が設けられている。柱状体４０は、接合層４２が接合層２１に接合されることで、リッド２０に接合されている。

枠体３０ａの空隙１５ａとは反対側の側面３３ａを覆って被覆層５０ａが設けられ、枠体３０ｂの空隙１５ｂとは反対側の側面３３ｂを覆って被覆層５０ｂが設けられている。支持基板１０ａの側面１７ａ、被覆層５０ａの側面５２ａ、支持基板１０ｂの側面１７ｂ、被覆層５０ｂの側面５２ｂ、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３を覆って外装金属膜５１が設けられている。外装金属膜５１は、支持基板１０ａの側面１７ａから被覆層５０ａの側面５２ａと支持基板１０ｂの側面１７ｂと被覆層５０ｂの側面５２ｂとを介してリッド２０の側面２７に連続して設けられている。外装金属膜５１は、支持基板１０ａの側面１７ａ、被覆層５０ａの側面５２ａ、支持基板１０ｂの側面１７ｂ、被覆層５０ｂの側面５２ｂ、リッド２０の側面２７、およびリッド２０の上面２３の略全面を覆っている場合が好ましい。略全面を覆うとは、支持基板１０ａの側面１７ａの総面積の９０％以上を覆い、被覆層５０ａの側面５２ａの総面積の９０％以上を覆い、支持基板１０ｂの側面１７ｂの総面積の９０％以上を覆い、被覆層５０ｂの側面５２ｂの総面積の９０％以上を覆い、リッド２０の側面２７の総面積の９０％以上を覆い、リッド２０の上面２３の総面積の９０％以上を覆うことであり、それぞれの９５％以上を覆う場合でもよく、１００％覆う場合でもよい。

外装金属膜５１は、支持基板１０ａの側面１７ａから支持基板１０ａの下面の一部に延びていて、グランド端子１８ｄに直接接続している。これにより、外装金属膜５１にグランド電位が供給されることになり、外装金属膜５１に電磁波のシールド効果を付与することができる。よって、外部から弾性波素子７０へのノイズの影響および弾性波素子７０から外部へのノイズの発生を抑制することができる。

中間金属層５３は、側面５７が枠体３０ａの側面３３ａより外側（弾性波素子７０とは反対側）に位置し、外装金属膜５１に直接接続している。したがって、外装金属膜５１がグランド端子１８ｄに直接接続してグランド電位が供給されることで、中間金属層５３にもグランド電位が供給される。よって、中間金属層５３に電磁波のシールド効果が付与される。中間金属層５３は圧電層１１ａ上の弾性波素子７０と圧電層１１ｂ上の弾性波素子７０との間に位置することから、圧電層１１ａ上の弾性波素子７０と圧電層１１ｂ上の弾性波素子７０との間の電磁的な結合を抑制することができる。

［製造方法］
図１５（ａ）から図１６（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の製造方法を示す断面図である。図１５（ａ）から図１６（ｂ）で説明する製造方法は多面取りプロセスによる製造方法である。図１５（ａ）に示すように、実施例１の図５（ａ）から図７（ａ）で説明した工程と同様の工程を実施して、支持基板１０ｂと支持基板１０ｂに枠体３０ｂを介して接合されたリッド２０とを有する上基板３５０を製造する。このとき、支持基板１０ｂの下面には、端子の代わりに中間金属層５３を形成する。

図１５（ｂ）に示すように、実施例１の図５（ａ）から図６（ａ）で説明した工程と同様の工程を実施して、支持基板１０ａと支持基板１０ａ上に設けられた枠体３０ａおよびピラー６０とを有する下基板３６０を製造する。

図１６（ａ）に示すように、下基板３６０に備わる枠体３０ａの環状接合層３２ａとピラー６０の接合層６２とを上基板３５０に備わる中間金属層５３に接合することで、上基板３５０と下基板３６０を接合して一体化させる。次いで、支持基板１０ａの下面を例えばＣＭＰ法を用いて研磨してビア配線１３ａを露出させた後、支持基板１０ａの下面にビア配線１３ａに接続するアンテナ端子１８ａ、送信端子１８ｂ（図１３（ｃ）参照）、受信端子１８ｃ（図１３（ｃ）参照）、およびグランド端子１８ｄを形成する。次いで、隣接する弾性波デバイスの間の切断領域にレーザ光１を照射することで、支持基板１０ａ、１０ｂおよびリッド２０を切断して弾性波デバイスを個片化する。

図１６（ｂ）に示すように、レーザ光１による弾性波デバイスの個片化が終了すると、レーザ光１の照射により飛散した支持基板１０ａ、１０ｂおよび中間金属層５３の溶融物が枠体３０ａの側面３３ａに堆積されて被覆層５０ａが形成される。同様に、レーザ光１の照射により飛散した支持基板１０ｂおよびリッド２０の溶融物が枠体３０ｂの側面３３ｂに堆積されて被覆層５０ｂが形成される。その後、弾性波デバイスの表面に例えばスパッタリング法を用いて外装金属膜５１を形成することで、図１４に示すような、実施例３の弾性波デバイス３００が形成される。なお、被覆層５０ａ、５０ｂは、上記の方法により形成される場合に限られず、実施例１と同様に、感光性樹脂膜を用いたフォトリソグラフィ法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよい。

［変形例］
図１７は、実施例３の変形例に係る弾性波デバイス３１０の断面図である。図１７に示すように、弾性波デバイス３１０では、外装金属膜５１は支持基板１０ａの下面まで延びてなく、グランド端子１８ｄに直接接続されていない。支持基板１０ａに枠体３０ａとグランド端子１８ｄを電気的に接続させるビア配線１３ａが設けられている。中間金属層５３は、枠体３０ａおよびビア配線１３ａを介してグランド端子１８ｄに電気的に接続されている。外装金属膜５１は、中間金属層５３と枠体３０ａとビア配線１３ａとを介してグランド端子１８ｄに電気的に接続されている。その他の構成は実施例３と同じであるため説明を省略する。

［比較例］
図１８（ａ）は、比較例２に係る弾性波デバイス１２００の断面図、図１８（ｂ）は、比較例３に係る弾性波デバイス１３００の断面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１２００、１３００では、枠体３０ａの側面３３ａに被覆層５０ａの代わりに絶縁膜５８が設けられ、かつ、枠体３０ｂの側面３３ｂに被覆層５０ｂの代わりに絶縁膜５８が設けられている。絶縁膜５８は、上述したように、個片化の製造工程によって形成されることがあり、被覆層５０ａ、５０ｂに比べて薄い。このため、支持基板１０ａと枠体３０ａと支持基板１０ｂとにより形成される凹凸によって、外装金属膜５１が枠体３０ａにおいて支持基板１０ａ側と支持基板１０ｂ側とに分断されてしまうことがある。同様に、支持基板１０ｂと枠体３０ｂとリッド２０とにより形成される凹凸によって、外装金属膜５１が枠体３０ｂにおいて支持基板１０ｂ側とリッド２０側とに分断されてしまうことがある。

図１８（ａ）に示すように、外装金属膜５１が支持基板１０ａの下面に延びてグランド端子１８ｄに直接接続されたとしても、外装金属膜５１が枠体３０ａにおいて分断されかつ絶縁膜５８が枠体３０ａの側面３３ａに形成されていることで、外装金属膜５１のうち支持基板１０ｂの側面１７ｂから枠体３０ｂの側面３３ｂを覆っている部分およびリッド２０の側面２７および上面２３を覆っている部分にはグランド電位が供給されなくなる。このため、外装金属膜５１による電磁波のシールド効果が弱まり、ノイズ対策が不十分となってしまう。

図１８（ｂ）に示すように、外装金属膜５１が中間金属層５３と枠体３０ａとビア配線１３ａとを介してグランド端子１８ｄに電気的に接続されたとしても、外装金属膜５１が枠体３０ａ、３０ｂにおいて分断されかつ絶縁膜５８が枠体３０ａ、３０ｂの側面３３ａ、３３ｂに形成されていることで、外装金属膜５１のうち支持基板１０ａの側面１７ａから枠体３０ａの側面３３ａを覆っている部分およびリッド２０の側面２７および上面２３を覆っている部分にはグランド電位が供給されなくなる。このため、外装金属膜５１による電磁波のシールド効果が弱まり、ノイズ対策が不十分となってしまう。

一方、実施例３およびその変形例によれば、図１４および図１７のように、枠体３０ａの側面３３ａを覆って被覆層５０ａが設けられ、枠体３０ｂの側面３３ｂを覆って被覆層５０ｂが設けられている。外装金属膜５１は、被覆層５０ａの側面５２ａから支持基板１０ｂの側面１７ｂと被覆層５０ｂの側面５２ｂとを介してリッド２０の側面２７に連続して設けられ、被覆層５０ａの側面５２ａと支持基板１０ｂの側面１７ｂと被覆層５０ｂの側面５２ｂとリッド２０の側面２７とを覆っている。これにより、外装金属膜５１がグランド端子１８ｄに接続されてグランド電位が供給されることで、外装金属膜５１の全体がグランド電位となるため、電磁波のシールド効果を向上させることができる。よって、ノイズ対策の効果を向上させることができる。また、支持基板１０ｂの空隙１５ａ側の面に、側面５７が枠体３０ａの側面３３ａより外側に位置して外装金属膜５１に電気的に接続された中間金属層５３が設けられている。これにより、中間金属層５３が電磁波のシールド効果を発揮するため、圧電層１１ａ上の弾性波素子７０と圧電層１１ｂ上の弾性波素子７０との間の電磁的な結合を抑制することができる。

また、実施例３によれば、図１４のように、外装金属膜５１は、支持基板１０ａの側面１７ａから支持基板１０ａの下面に連続して設けられてグランド端子１８ｄに直接接続している。これにより、外装金属膜５１および中間金属層５３のグランド性能を向上させることができ、電磁波のシールド効果を向上させることができる。

また、実施例３の変形例によれば、図１７のように、中間金属層５３はビア配線１３ａを介してグランド端子１８ｄに電気的に接続されている。外装金属膜５１は中間金属層５３とビア配線１３ａを介してグランド端子１８ｄに電気的に接続されている。このような場合でも、外装金属膜５１の全体をグランド電位にすることができるため、電磁波のシールド効果を向上させることができる。

なお、実施例３およびその変形例において、外装金属膜５１によるシールド効果の観点から、外装金属膜５１は、支持基板１０ａの側面１７ａの総面積の７０％以上を覆い、被覆層５０ａの側面５２ａの総面積の７０％以上を覆い、支持基板１０ｂの側面１７ｂの総面積の７０％以上を覆い、被覆層５０ｂの側面５２ｂの総面積の７０％以上を覆い、リッド２０の側面２７の総面積の７０％以上を覆い、リッド２０の上面２３の総面積の７０％以上を覆う場合が好ましく、それぞれの８０％以上を覆う場合がより好ましく、それぞれの略全面である９０％以上を覆う場合が更に好ましい。

なお、実施例３およびその変形例において、圧電層１１ａ上の弾性波素子７０と圧電層１１ｂ上の弾性波素子７０との間の電磁的な結合を抑制する観点から、中間金属層５３の本体部５４は、支持基板１０ｂの下面の５０％以上を覆っている場合が好ましく、７５％以上を覆っている場合がより好ましく、９０％以上を覆っている場合が更に好ましい。実施例３の変形例において、中間金属層５３および外装金属膜５１のグランド性能を向上させるために、枠体３０ａとグランド端子１８ｄとを接続するビア配線１３ａは複数設けられている場合が好ましい。また、実施例３の変形例において、枠体３０ａが樹脂等の絶縁材料で形成されている場合、支持基板１０ａと中間金属層５３の間に金属ピラーを設け、この金属ピラーとビア配線を介して中間金属層５３がグランド端子１８ｄに電気的に接続される場合でもよい。

なお、実施例１においても、実施例３の変形例と同様に、リッド２０の空隙１５側の面に、支持基板１０を貫通するビア配線を介してグランド端子１２ｃに電気的に接続される中間金属層が設けられてもよい。この場合、外装金属膜５１は、グランド端子１２ｃに直接接続されずに、中間金属層とビア配線を介してグランド端子１２ｃに電気的に接続されてもよい。

なお、実施例３およびその変形例において、実施例１の変形例１および変形例２と同様に、被覆層５０ａは支持基板１０ａおよび支持基板１０ｂの外形の内側に納まる場合でもよいし、外側に出っ張る場合でもよい。被覆層５０ｂは支持基板１０ｂおよびリッド２０の外形の内側に納まる場合でもよいし、外側に出っ張る場合でもよい。被覆層５０ａが支持基板１０ａおよび支持基板１０ｂの外形より外側に出っ張ることで中間金属層５３と外装金属膜５１とが直接接続せずに被覆層５０ａを介して接続する場合、被覆層５０ａに導電層を用いることで、中間金属層５３と外装金属膜５１とを電気的に接続させることができる。また、実施例３およびその変形例において、実施例２と同様に、弾性波素子７０の代わりに弾性波素子７０ａを用いてもよい。

なお、実施例１およびその変形例では、支持基板１０上に圧電層１１が設けられている場合を例に示したが、支持基板１０が設けられずに、圧電層１１が厚い圧電基板となっている場合でもよい。同様に、実施例３およびその変形例においても、支持基板１０ａ、１０ｂが設けられずに、圧電層１１ａ、１１ｂが厚い圧電基板となっている場合でもよい。

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１ レーザ光
２ 感光性樹脂膜
１０、１０ａ、１０ｂ 支持基板
１１、１１ａ、１１ｂ 圧電層
１２ａ 入力端子
１２ｂ 出力端子
１２ｃ グランド端子
１３、１３ａ、１３ｂ ビア配線
１４、１４ａ、１４ｂ 配線
１５、１５ａ、１５ｂ 空隙
１６ 開口
１７、１７ａ、１７ｂ 側面
１８ａ アンテナ端子
１８ｂ 送信端子
１８ｃ 受信端子
１８ｄ グランド端子
２０ リッド
２１ 接合層
２２ 本体
２３ 上面
２７ 側面
３０、３０ａ、３０ｂ 枠体
３１、３１ａ、３１ｂ 環状金属層
３２、３２ａ、３２ｂ 環状接合層
３３、３３ａ、３３ｂ 側面
４０ 柱状体
４１ 金属層
４２ 接合層
５０、５０ａ、５０ｂ 被覆層
５１ 外装金属膜
５２、５２ａ、５２ｂ 側面
５３ 中間金属層
５４ 本体部
５５ 島部
５６ 空隙
５７ 側面
５８ 絶縁膜
６０ ピラー
６１ 金属層
６２ 接合層
７０、７０ａ 弾性波素子
９０ 送信フィルタ
９１ 受信フィルタ
９２ ラダー型フィルタ
１００、１１０、１２０、２００、３００、３１０、１１００、１２００、１３００ 弾性波デバイス

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられる機能素子と、
   平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられ、前記機能素子とは反対側の側面が前記基板の側面より内側に位置する枠体と、
   前記枠体上に設けられ、側面が前記枠体の前記側面より外側に位置し、前記基板とで空隙を挟み前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、
   前記枠体の前記側面を覆う被覆層と、
   前記基板の側面と前記被覆層の側面と前記リッドの側面とを連続して覆い、グランド端子に接続される外装金属膜と、を備える電子部品。
2. 前記リッドは金属材料により形成され、
   前記外装金属膜は前記リッドに直接接している、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記リッドは絶縁材料を含んで形成され、
   前記外装金属膜は前記リッドの側面と前記リッドの前記空隙とは反対側の面とを覆っている、請求項１に記載の電子部品。
4. 前記グランド端子は、前記基板の前記機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、
   前記外装金属膜は、前記基板の側面から前記基板の前記第２面に連続して設けられて前記グランド端子に直接接続する、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。
5. 前記基板下に設けられる他の基板と、
   前記他の基板の前記基板側の面上に設けられる他の機能素子と、
   平面視して前記他の機能素子を囲んで前記他の基板と前記基板の間に設けられ、前記他の機能素子とは反対側の側面が前記基板の側面および前記他の基板の側面より内側に位置し、前記他の基板と前記基板の間の他の空隙内に前記他の機能素子を封止する他の枠体と、
   前記基板の前記他の空隙側の面を覆って設けられ、側面が前記他の枠体の前記側面より外側に位置して前記外装金属膜に電気的に接続された中間金属層と、
   前記他の枠体の前記側面を覆う他の被覆層と、を備え、
   前記外装金属膜は、前記他の被覆層の側面と前記基板の側面と前記被覆層の側面と前記リッドの側面とを連続して覆う、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記グランド端子は、前記他の基板の前記他の機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、
   前記外装金属膜は、前記他の基板の側面から前記他の基板の前記第２面に連続して設けられて前記グランド端子に直接接続する、請求項５に記載の電子部品。
7. 前記グランド端子は、前記他の基板の前記他の機能素子が設けられた第１面とは反対の第２面上に設けられ、
   前記中間金属層は、前記他の基板に設けられたビア配線を介して前記グランド端子に電気的に接続され、
   前記外装金属膜は、前記中間金属層と前記ビア配線を介して前記グランド端子に電気的に接続される、請求項５に記載の電子部品。
8. 前記機能素子は弾性波素子である、請求項１から７のいずれか一項に記載の電子部品。
9. 前記弾性波素子によりフィルタが形成されている、請求項８に記載の電子部品。
10. 前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている、請求項９に記載の電子部品。
    

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