JP2022553336A - 選択的酸化物ｃｍｐのための組成物及び方法 - Google Patents

選択的酸化物ｃｍｐのための組成物及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022553336A
JP2022553336A JP2022523605A JP2022523605A JP2022553336A JP 2022553336 A JP2022553336 A JP 2022553336A JP 2022523605 A JP2022523605 A JP 2022523605A JP 2022523605 A JP2022523605 A JP 2022523605A JP 2022553336 A JP2022553336 A JP 2022553336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
poly
composition
acid
abrasive particles
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022523605A
Other languages
English (en)
Inventor
ジョンソン ブリタニー
ダブリュ．ヘインズ アレクサンダー
ブロスナン サラ
クラフト スティーブン
Original Assignee
シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド filed Critical シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド
Publication of JP2022553336A publication Critical patent/JP2022553336A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/241—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion containing two or more rare earth metals, e.g. NdPrO3 or LaNdPrO3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/06—Other polishing compositions
    • C09G1/14—Other polishing compositions based on non-waxy substances
    • C09G1/16—Other polishing compositions based on non-waxy substances on natural or synthetic resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/38—Particle morphology extending in three dimensions cube-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

ケイ素酸素材料を有する基板を研磨するための化学機械研磨組成物が、液体キャリアと、前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方とを含む。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１９年１０月２２日付けで出願された「Composition and Method for Selective Oxide CMP」と題する米国仮出願第６２／９２４，３５２号明細書の優先権を主張する。
化学機械研磨は、集積回路（ＩＣ）及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の製作における重要なイネーブリング技術である。基板（例えばウエハー）の表面を研磨（又は平坦化）するためのＣＭＰ組成物及び方法が当業者によく知られている。（研磨スラリー、ＣＭＰスラリー、及びＣＭＰ組成物としても知られている）研磨組成物は一般に、材料除去速度を高め、平坦化効率を改善し、且つ／又はＣＭＰ作業中に欠陥率を低減するために、水溶液中に懸濁（分散）された研磨剤粒子を含んでいる。
酸化セリウム（セリア）研磨剤がこの業界において、具体的には例えば酸化ケイ素材料、例えばテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、窒化ケイ素、及び／又はポリシリコンを含むシリコン含有基板を研磨する上でよく知られている。浅型トレンチ分離用途を含む高度な誘電体用途には、セリア研磨組成物が広く使用される。セリア研磨剤の使用は知られてはいるものの、改善されたセリア研磨剤を基剤とするＣＭＰ組成物が依然として必要である。具体的には、除去速度を改善し平坦化を改善する（例えばエロージョン及びディッシングを低減する）ＣＭＰ組成物が依然として必要である。さらに、１つのシリコン含有材料の、別のシリコン含有材料に対する除去速度選択性（例えば窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の選択性、又はポリシリコンに対する酸化ケイ素の選択性）が依然として必要である。
ケイ素酸素材料（例えば酸化ケイ素）を有する基板を研磨するための化学機械研磨組成物が開示される。１実施態様では、研磨組成物は、液体キャリアと、前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方とを含み、これらから成り、又は本質的にこれらから成る。
開示された主題及びその利点をより完全に理解するために、添付の図面とともに以下に詳しく説明する。
図１及び２は、正方形の面を有するセリア研磨剤粒子を示す立方体状セリア研磨剤試料の透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）顕微鏡写真である。 図１及び２は、正方形の面を有するセリア研磨剤粒子を示す立方体状セリア研磨剤試料の透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）顕微鏡写真である。 図３は、正方形の面を有するセリア研磨剤粒子を示す立方体状セリア研磨剤試料の走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）顕微鏡写真である。
ケイ素酸素材料（例えば酸化ケイ素）を有する基板を研磨するための化学機械研磨組成物が開示される。研磨組成物は、液体キャリアと、前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方とを含み、これらから成り、又は本質的にこれらから成る。１実施態様では、研磨組成物はアニオン性ポリマー、例えばポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、及び／又はポリ（ビニルスルホン酸）を含む。別の実施態様では、研磨組成物は非ポリマー系アニオン性化合物、例えば、４－ドデシルベンゼンスルホン酸を含む。さらに別の実施態様では、研磨組成物は、非イオン性ポリマー、例えばポリビニルピロリドン又はポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）を含む。
開示された研磨組成物及び対応する（ＣＭＰ方法）は、有意な、そして予期せぬ利点をもたらすことができる。例えば、開示された組成物は、酸化ケイ素除去速度を有意に改善することができ、ひいては処理量を改善し、時間及びコストを節約することができる。開示された組成物はさらに、窒化ケイ素層及び／又はポリシリコン層に対する選択性を改善することができ、ひいてはさらなるプロセスフレキシビリティを提供することができる。
研磨組成物は、液体キャリア中に懸濁された立方体状セリア研磨剤粒子を含む研磨剤粒子を含有する。「立方体状」とは、セリア研磨剤粒子が立方体の形態又は形状を成しており、すなわちほぼ立方体であることを意味する。換言すれば、立方体状セリア研磨剤粒子は形状及び性質において立方体である。しかしながら、言うまでもなくエッジ寸法、コーナー、及びコーナー角度は、正確又は精密に完全立方体のものである必要はない。例えば、立方体状研磨剤粒子はわずかに丸みを帯びた又は欠けたコーナー、わずかに丸みを帯びたエッジ、互いに正確には等しくないエッジ寸法、正確には９０度でないコーナー角度、及び／又は軽微な不規則性を有していてよく、立方体の基本形状をなおも保つことができる。当業者には容易に判るように（例えば走査電子顕微鏡法又は透過電子顕微鏡法を介して）、立方体状セリア研磨剤粒子は、概ね粒子成長及びデアグロメレーションのために許された許容差を伴った状態で立方体の形状を成している。
図１，２及び３は、立方体状セリア研磨剤粒子の例を示している。これらの透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）及び透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）の画像は、正方形の面を有するセリア研磨剤粒子を示している。例えば、これらの画像において、示された粒子面はそれぞれ、ほぼ同じ長さ（例えば互いに２０％以内、又は互いに１０パーセント以内、又はそれ未満）を有する４つのエッジを含んでいる。さらに、エッジはコーナーにおいてほぼ９０度の角度（例えば約８０～１００度の範囲内、又は約８５～約９５度の範囲内）を成して合体している。当業者には明らかなように、ＴＥＭ及びＳＥＭ画像には、示された研磨剤粒子の大部分が、上で定義した正方形の面を有しているという点で立方体状である。粒子のいくつかは、例えば１つ又は２つ以上のコーナー上に欠陥を含むことを観察し得る。再び述べておくが、立方体状という用語は、正確に立方体であるセリア研磨剤粒子を表すように意図されるのではなく、上で定義され且つ図１、２及び３に示されているように本質的に概ね立方体である粒子を表すように意図される。
本明細書中に使用される、立方体状セリア研磨剤を含む化学機械研磨組成物は、研磨剤粒子の少なくとも２５数パーセントが本質的に立方体（上述のように形態又は形状において立方体）であるものである。好ましい実施態様では、研磨剤粒子の少なくとも４０数パーセント（例えば少なくとも６０パーセント、又は少なくとも８０パーセント）が本質的に立方体である。上記のように、立方体状セリア研磨剤粒子は、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像を用いて、例えば約１０，０００倍～約５００，０００倍の倍率で容易に評価しカウントすることができる。ＳＥＭ又はＴＥＭ画像に示された研磨剤粒子は、長さが同様である４つの辺を有する面を有している（例えば互いに２０パーセント以内）。画像はまた、隣接する辺がほぼ垂直であり、例えば約９０度の角度（例えば約８０度～１００度の範囲内）を成していることを示している。セリア研磨組成物が立方体状セリア研磨剤粒子を含むか否かを割り出すために、統計学的分析を行い、これにより正方形の面を有する粒子のパーセンテージを割り出すように、ＳＥＭ又はＴＥＭによって、ランダムに選択された多数の粒子（すなわち２００個以上）を観察するものとする。保持された粒子は、これらの画像が顕微鏡写真上で良好に見えるようになっていなければならない。粒子のいくつかは粒子の表面及び／又は粒子のコーナーの１つ又は２つ以上に何らかの欠陥を呈することがあるが、それでもなお立方体状としてカウントすることができる。
立方体状セリア研磨剤粒子はほぼ純粋なセリア研磨剤粒子（不純物に対する通常の許容差以内）であってよく、あるいはドープ型セリア研磨剤粒子であってもよい。ドープ型セリア研磨剤粒子は間質ドーパント（通常は占有されない格子内の空間を占有するドーパント）、又は置換型ドーパント（セリウム又は酸素原子によって通常は占有される格子内の空間を占有するドーパント）を含んでよい。このようなドーパントは、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｓｃ又はＹを含む、実質的にはいかなる金属原子を含んでもよい。
ある特定の有利な実施態様では、ドーパントは、例えばランタン、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、及びこれに類するものを含む１種又は２種以上のランタニドを含んでよい。特に好適な１実施態様では、立方体状セリア研磨剤粒子はセリウムとランタンとの混合酸化物を含む。混合酸化物研磨剤粒子の、（Ｌａ＋Ｃｅ）に対するＬａのモル比は、約０．０１～約０．１５、例えば約０．０１～約０．１２であってよい。言うまでもなく、このような研磨剤粒子は加えて他の元素及び／又は酸化物（例えば不純物として）を含んでよい。このような不純物は、研磨剤粒子の調製プロセス中に使用される原材料又は出発材料を起源とし得る。不純物の総比率は粒子の０．２質量％未満であることが好ましい。残留硝酸塩は不純物として考えられない。
ある特定の実施態様では、（Ｌａ＋Ｃｅ）に対するＬａのモル比は、約０．０１～約０．０４（例えば約０．０２～約０．０３）であってよい。１つのこのような実施態様では、立方体状セリア研磨剤粒子は約２．５モル％の酸化ランタンと約９７．５モル％の酸化セリウムとを含む。他の実施態様では、モル比は約０．０８～約０．１２（例えば約０．０９～約０．１１）であってよい。１つのこのような他の実施態様では、立方体状セリア研磨剤粒子は約１０モル％の酸化ランタンと約９０モル％の酸化セリウムとを含む。研磨剤粒子は、ランタン原子が酸化セリウム結晶構造内のセリウム原子を置換する、単相固溶体であってよい。１実施態様では、固溶体は対称的なＸ線回折パターンを呈し、この場合ピークは、約２７度～約２９度の間に位置していて、純粋酸化セリウムよりも小さな角度にシフトされている。エイジング・サブ工程（後述）の温度が約６０℃よりも高いときに固溶体を得ることができる。本明細書中で使用される「固溶体」という用語は、Ｘ線回折が、個々のピークのシフトの有無とは無関係に、しかし他の相の存在を示す付加的なピークなしに、酸化セリウム結晶構造のパターンだけを示すことを意味する。
立方体状セリア研磨剤粒子は任意には、ブルナウアー－エメット－テラー（Brunauer-Emmett-Teller）法（ＢＥＴ法）を用いた窒素の吸着によって、粉末上で割り出されたこれらの比表面積によって特徴づけることもできる。この方法はASTM D3663-03（2015年に再承認）に開示されている。研磨剤粒子の比表面積は約３～約１４ｍ２／ｇ（例えば約７～約１３ｍ２／ｇ、又は約８～約１２ｍ２／ｇ）であってよい。
立方体状セリア研磨剤粒子は任意には、これらの平均粒径及び／又は粒径分布によって特徴づけることもできる。研磨剤粒子の平均粒径は、約５０ｎｍ～約１０００ｎｍ（例えば約８０ｎｍ～約５００ｎｍ、約８０ｎｍ～約２５０ｎｍ、約１００ｎｍ～約２５０ｎｍ、又は約１５０ｎｍ～約２５０ｎｍ）であってよい。さらに、平均粒径は、約５０ｎｍ超（例えば約８０ｎｍ超又は約１００ｎｍ超）であってよい。平均粒径は、動的光散乱（ＤＬＳ）を介して割り出すことができ、これは中央粒径（Ｄ５０）に相当する。ＤＬＳ測定は、例えばZetasizer（Malvern Instrumentsから入手可能）を使用して行うことができる。当業者には明らかなように、ＤＬＳ測定は、比較的大きい粒子の存在において測定されると小さい粒子を有意に過少カウントすることがある。本明細書に開示された立方体状セリア研磨剤粒子に関しては、ＤＬＳ技術は約４０ｎｍ未満の粒子を過少カウントする傾向がある。言うまでもなく、開示された実施態様はＤＬＳによってカウントされないこのような小さな粒子（４０ｎｍ未満）を数多く含むことがあり、したがって、平均粒径には寄与しない。
粒径分布を特徴づけるためにレーザー回折技術を任意に用いることもできる。当業者には明らかなように、レーザー回折技術も小さな粒子（例えば開示された実施態様では約４０ｎｍ未満）を過少カウントする傾向がある。レーザー回折測定は例えば、相対屈折率１．７を用いてHoriba LA-960を使用して行うことができる。レーザー回折測定で得られた分布から、例えばＤ１０、Ｄ５０、Ｄ９０、Ｄ９９及び分散指数（下で定義される）を含む種々のパラメータを得ることができる。レーザー回折測定に基づいて、研磨剤粒子は約１００ｎｍ～約７００ｎｍ（例えば約１００ｎｍ～約２００ｎｍ）の中央直径（Ｄ５０）を含んでよい。例えば、Ｄ５０は約１００ｎｍ～約１５０ｎｍ又は約１５０ｎｍ～約２００ｎｍであってよい。Ｄ５０は、レーザー回折によって得られた分布から割り出された中央直径である。
立方体状セリア研磨剤粒子のＤ１０は任意には、約８０ｎｍ～約４００ｎｍ（例えば約８０ｎｍ～約２５０ｎｍ、約８０ｎｍ～約１５０ｎｍ、又は約１００ｎｍ～約１３０ｎｍ）であってよい。言うまでもなく、Ｄ１０はレーザー回折によって得られた粒径であって、粒子の１０％の直径がＤ１０未満である、その粒径である。
立方体状セリア研磨剤粒子のＤ９０は任意には、約１５０ｎｍ～約１２００ｎｍ（ｅ．ｇ．約１５０ｎｍ～約１０００ｎｍ、約１５０～約７５０ｎｍ、約１５０～約５００ｎｍ、約１５０～約３００ｎｍ、又は約２００ｎｍ～約３００ｎｍ）であってよい。Ｄ９０はレーザー回折によって得られた粒径であって、粒子の９０％の直径がＤ９０未満である、その粒径を表す。機械的デアグロメレーションを施された研磨剤粒子のＤ９０は約３００ｎｍ未満であってよい。
立方体状セリア研磨剤粒子は任意には低い分散指数を呈することができる。「分散指数（dispersion index）」は、下記式、
分散指数＝（Ｄ９０－Ｄ１０）／２・Ｄ５０
によって定義される。分散指数は約０．６０未満、例えば約０．５未満、約０．４未満、又は約０．３０未満であってよい。機械的デアグロメレーションを施された研磨剤粒子の分散指数は約０．３０未満であってよい。さらに、Ｄ９０／Ｄ５０は、機械的デアグロメレーションを施された粒子の場合、約１．３～約２であってよい。
立方体状セリア研磨剤粒子のＤ９９は任意には、約１５０ｎｍ～約３０００ｎｍ（例えば約２００ｎｍ～約２０００ｎｍ、約２００ｎｍ～約１８００ｎｍ、約２００～約１２００、約２００～約９００、約２００ｎｍ～約６００ｎｍ、約２００～約５００ｎｍ、又は約２００～約４００ｎｍ)であってよい。機械的デアグロメレーションを施された研磨剤粒子のＤ９９は約６００ｎｍ未満（例えば約５００又は約４００未満）であってよい。Ｄ９９はレーザー回折によって得られた粒径であって、粒子の９９％の直径がＤ９９未満である、その粒径を表す。
研磨剤粒子は、立方体状セリア研磨剤粒子を製造するのに適した実質的に任意の適宜の方法を用いて調製することができる。開示された実施態様は、このような研磨剤粒子を含む化学機械研磨組成物、及びこのような研磨剤粒子を使用して基板を研磨する方法に関し、いかなる特定の粒子製造方法にも限定されない。ある特定の実施態様では、立方体状セリア研磨剤粒子は、硝酸セリウム（及び任意には、ドープ型セリア研磨剤が調製される場合には他の硝酸塩）を沈降させることによって調製されてよい。沈降させた材料を次いで特定の温度・圧力レジームにおいて成長させることにより、立方体状セリア研磨剤粒子の成長を促進することができる。これらの粒子を次いで清浄化し、デアグロメレーション処理することができる。立方体状セリア研磨剤粒子の分散体を次いで調製して、本発明の化学機械組成物を製剤するために使用することができる。
１つの有利な実施態様では、セリウム及びランタンの硝酸塩を沈降させることにより立方体状酸化セリウムランタン研磨剤粒子を調製することができる。このような１つの調整方法は下記工程、すなわち、
（ｉ）不活性雰囲気下で硝酸セリウム水溶液と水性塩基とを混合する工程、
（ｉｉ）（ｉ）で得られた混合物を不活性雰囲気下で加熱する工程、
（ｉｉｉ）任意には（ｉｉ）で得られた熱処理済みの混合物を酸性化する工程、
（ｉｖ）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）で得られた固形材料を水で洗浄する工程、
（ｖ）（ｉｖ）で得られた固形材料を機械的に処理することにより、セリア粒子をデアグロメレーション処理する工程、
を含む。
上記方法の工程（ｉ）で使用される硝酸セリウム溶液は、硝酸セリウムと硝酸ランタンとの水溶液を混合することにより調製することができる。この水溶液は、ＣｅＩＩＩ、ＣｅＩＶ及びＬａＩＩＩを含み、そして総Ｃｅに対するＣｅＩＶのモル比が約１／（５００，０００）～約１／（４，０００）であることによって特徴づけることができる。１実施態様では、このモル比は約１／（１００，０００）～約１／（９０，０００）であってよい。高純度、例えば少なくとも９９．５質量パーセント又は９９．９質量パーセントの純度を有する塩及び成分を使用することが概ね有利である。
工程（ｉ）は硝酸セリウム水溶液と水性塩基とを混合し／反応させる工程を含む。例えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物及び水性アンモニアを含む水酸化物タイプの塩基が有利であり得る。第２級、第３級又は第４級アミンを使用してもよい。不活性ガスで泡立てることにより、塩基の水溶液を予め脱気（脱酸素化）してもよい。硝酸セリウム水溶液を水性塩基中に導入することにより、混合を実施することができる。混合は不活性雰囲気下で例えば閉鎖反応器又は半閉鎖反応器内で不活性ガス（例えば窒素又はアルゴン）パージとともに行われる。混合は撹拌しながら行われてもよい。（Ｃｅ＋Ｌａ）に対する塩基のモル比は約８．０～約３０．０（例えば約９．０超）であってよい。工程（ｉ）はさらに、５℃～約５０℃の温度、例えば約２０℃～２５℃の温度で実施されてよい。
工程（ｉｉ）は先行の工程の終了時に得られた混合物を加熱することを含み、そして加熱サブ工程とエイジングサブ工程とを含んでよい。加熱サブ工程は、混合物を７５℃～約９５℃、例えば約８５℃～約９０℃の温度まで加熱することを含んでよい。エイジングサブ工程は、約２時間～約２０時間にわたって混合物をその温度に維持（保持）することを含んでよい。概ねエイジング時間は、温度が高まるのに伴って短くなる。工程（ｉｉ）は工程（ｉ）に関して上述したように、不活性雰囲気下で撹拌しながら実施することもできる。
工程（ｉｉｉ）において、ステップ（ｉｉ）の終了時に得られた混合物を、例えば硝酸を使用して任意には酸性化することができる。熱処理済み反応混合物を例えば約３．０未満（例えば約１．５～約２．５）のｐＨまで酸性化することができる。
工程（ｉｖ）では、工程（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）で得られた固形材料を水（例えば脱イオン水）で洗浄してよい。洗浄することによって最終分散体中の残留硝酸塩を低減し、目標導電性を得ることができる。洗浄は、混合物からの固形物を濾過し、そして固形物を水中に再分散することを含んでよい。濾過及び再分散は必要であれば数回にわたって実施されてよい。
工程（ｖ）では、（ｉｖ）で得られた洗浄済み固形材料を任意には機械的に処理することにより、セリア研磨剤粒子をデアグロメレーション処理又は部分デアグロメレーション処理することができる。機械処理は、例えばダブルジェット処理又は超音波デアグロメレーション処理を含み、通常、狭い粒径分布をもたらし、また大きい凝集粒子の数を減らす。
工程（ｉｖ）又は（ｖ）の後、固形材料を乾燥させることにより、セリウム系粒子を粉末形態で得ることができる。水又は水と混和性液体有機化合物との混合物を添加することにより、粉末を再分散させ、これにより液状媒体中のセリウム系粒子の分散体を得ることができる。液状媒体は水又は水と水混和性有機液体との混合物であってよい。水混和性有機液体は例えばアルコール、例えばイソプロピルアルコール、エタノール、１－プロパノール、メタノール、１－ヘキサノール、ケトン、例えばアセトン、ジアセトンアルコール、メチルエチルケトン、エステル、例えばギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸エチル、酢酸メチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、乳酸エチルを含んでよい。水と有機液体との比率は８０：２０～９９：１質量部であってよい。さらに、分散体は約１質量パーセント～約４０質量パーセント、例えば約１０質量パーセント～約３５質量パーセントのセリウム系粒子を含んでよい。分散体はまた、約３００μＳ／ｃｍ未満、例えば約１５０μＳ／ｃｍ未満、より具体的には１５０μＳ／ｃｍ未満、又は約１００μＳ／ｃｍ未満の導電率を有していてもよい。
研磨組成物は、実質的に任意の適量の立方体状セリア研磨剤粒子を含んでいてよい。例えば、研磨組成物はユースポイントで、約０．００１質量パーセント以上（例えば約０．００５質量パーセント以上、約０．０１質量パーセント以上、約０．０２質量パーセント以上、約０．０５質量パーセント以上、又は約０．１質量パーセント以上)の立方体状セリア研磨剤粒子を含んでよい。研磨組成物はユースポイントで、約５質量パーセント以下（例えば約２質量パーセント以下、約１．５質量パーセント以下、又は約１質量パーセント以下）の立方体状セリア研磨剤粒子を含んでよい。言うまでもなく、立方体状セリア研磨剤粒子は、前述のエンドポイントのいずれか２つによって仕切られた濃度で、研磨組成物中に存在していてよい。例えば、研磨組成物中の立方体状セリア研磨剤粒子の濃度はユースポイントで、約０．００１質量パーセント～約５質量パーセント（例えば約０．０１質量パーセント～約２質量パーセント、約０．０５質量パーセント～約１．５質量パーセント、又は約０．１質量パーセント～約１質量パーセント）であってよい。
研磨（例えば平坦化）されるべき基板の表面に研磨剤及びあらゆる任意の化学添加剤を塗布するのを容易にするために、水性液体キャリアが使用される。水性とは、液体キャリアが少なくとも５０ｗｔ％の水（例えば脱イオン水）から成ることを意味する。液体キャリアは、低級アルコール（例えばメタノール、エタノールなど）及びエーテル（例えばジオキサン、テトラヒドロフランなど）を含む、他の適宜の非水性キャリアを含んでよい。好ましくは、液体キャリアは水、より好ましくは脱イオン水から本質的に成っているか又はこれから成っている。
研磨組成物は概ね弱酸性、中性、又はアルカリ性であり、約４～約１１のｐＨを有している。例えば、研磨組成物のｐＨは約５～約１０であってよい。１実施態様では、研磨組成物は弱酸性であって、約４～約７のｐＨ（例えば約４～約６、又は約４．５～約６）を有している。例えば、このような弱酸性の実施態様の場合、ｐＨは約５であってよい。別の実施態様では、研磨組成物はアルカリ性であって、約８～約１１のｐＨ（例えば約９～約１１、又は約９～約１０．５、又は約９．５～約１０．５）を有している。例えば、このようなアルカリ性の実施態様の場合、ｐＨは約１０であってよい。さらに別の実施態様では、研磨組成物は中性であって、約６～約８のｐＨ（例えば約６．５～約７．５）を有している。
研磨組成物はさらに化学添加剤を含んでいてよい。化学添加剤は立方体状セリア研磨剤粒子の表面と連携し、且つ／又は研磨される基板の表面と（例えば静電相互作用及び／又は水素結合を介して）連携する。化学添加剤は例えば分散剤、レオロジー剤、研磨速度促進剤、研磨速度抑制剤、又は選択率促進剤（１つの材料の別の材料に対する除去速度比を改善するため）であってよい。好ましい化学添加剤はアニオン性化合物（例えばアニオン性ポリマー及びアニオン性界面活性剤）と、非イオン性化合物、例えば非イオン性ポリマーを含む。
好適なアニオン性化合物は、アニオン性ポリマー及び非ポリマー系アニオン性化合物（例えば界面活性剤）を含んでよい。アニオン性化合物は水溶性高分子電解質、ポリアニオン、ポリ酸、ポリアクリレート、ポリ（ビニル酸）、アニオン性洗浄剤、アルキル又はアルキルエーテルスルホネート及びスルフェート、アルキル又はアルキルエーテルホスホネート及びホスフェート、及びアルキル又はアルキルエーテルカルボキシレートを含んでよい。
アニオン性ポリマーはホモポリマー又はコポリマーであり、そしてカルボン酸基、スルフェート又はスルホン酸基、及びホスフェート又はホスホン酸基から選択されたモノマー単位を含んでよい。好適なアニオン性ポリマーは、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（マレイン酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（ビニルスルフェート）、ポリ（ビニルリン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、及びこれらの組み合わせを含んでよい。アニオン性化合物は、上述の化合物のナトリウム及びアンモニウム塩バージョン（例えばポリ（メタクリル酸、ナトリウム塩）を含んでもよい。アニオン化合物は、上述の化合物の誘導体を含んでもよい。例えば、これらの誘導体において、１つ又は２つ以上のアルキル基又は他の官能基が化合物内に含まれている。例えば、ポリ（メタクリル酸）はポリ（アクリル酸）の誘導体である。
アニオン性ポリマーの例はさらに、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸、スルフェート、スチレンスルホン酸及びホスフェートモノマーのうちの１つ又は２つ以上を含むコポリマーを含んでもよい。このようなアニオン性ポリマーは任意には、１つ又は２つ以上の非イオン性モノマーを含んでよい。非イオン性モノマーは例えば（限定はしない）メタクリレートエステル、ビニルアセテート、アクリルアミド、及びＮ－ビニルピロリドンを含む。コポリマーの例は、ポリ（メチルメタクリレート－コ－メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド－コ－アクリル酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、及びポリ（アクリル酸－コ－マレイン酸）を含んでよい。
非ポリマー系アニオン性化合物は、アルキル又はアルキルアリールスルフェート、アルキル又はアルキルアリールスルホネート、アルキル又はアルキルアリールホスフェート、アルキル又はアルキルアリールカルボキシレート、又はこれらの組み合わせを含んでよい。アニオン性化合物の例は、ドデシルベンゼンスルホン酸、アンモニウムラウリルスルフェート、１－デカンスルホネート、ステアリン酸、ジヘキサデシルホスフェート、ドデシルホスホン酸、及びこれらの組み合わせ、これらのアンモニウム及びナトリウム塩バージョン、及びこれらの誘導体を含む。
好適な非イオン化合物は、水溶性非イオン性ポリマー及び非ポリマー系非イオン性化合物を含んでよい。非イオン性化合物は水溶性ポリエーテル、ポリエーテルグリコール、アルコールエトキシレート、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリエステル、ビニルアクリレート、又はこれらの組み合わせを含んでよい。
非イオン性ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーであってよく、そして実質的に任意の適宜の非イオン性モノマー単位を含んでよい。非イオン性ポリマーの例は、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリ（ビニルフェニルケトン）、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニルイミダゾール）、ポリ（アクリルアミド）、ポリアクロレイン、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリエチレン、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ（エチレングリコール）モノラウレート、ポリ（エチレングリコール）モノオレエート、ポリ（エチレングリコール）ジステアレート、及び前述のモノマー単位のうちの１種又は２種以上を含むコポリマーを含む。コポリマーの例は、ポリ（ビニルアセテート－コ－メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）、ポリ（エチレン－コ－ビニルアセテート）を含む。
非イオン性化合物は、上述の化合物の誘導体を含んでもよい。例えば、これらの誘導体において、１つ又は２つ以上のアルキル基又は他の官能基が化合物内に含まれている。例えばポリ（Ｎ－イソプロピルアクリルアミド）がポリ（アクリルアミド）の誘導体である。
研磨組成物は実質的に任意の適量のアニオン性及び／又は非イオン性化合物を含んでよい。例えば、研磨組成物は、ユースポイントにおいて、約１００質量ｐｐｍ（０．０１質量パーセント）以上（例えば約２５０質量ｐｐｍ以上、約５００質量ｐｐｍ以上、約７５０質量ｐｐｍ以上、約１０００質量ｐｐｍ（０．１質量％）以上）のアニオン性及び／又は非イオン性化合物を含んでよい。研磨組成物は、ユースポイントにおいて約２質量％以下（例えば約１．５質量パーセント以下、約１．２質量パーセント以下、又は約１質量パーセント以下）のアニオン性及び／又は非イオン性化合物を含んでよい。言うまでもなく、アニオン性及び／又は非イオン性化合物は、前述のエンドポイントのいずれか２つによって仕切られた濃度で、研磨組成物中に存在していてよい。例えば、研磨組成物中のアニオン及び／又は非イオン性化合物の濃度は、ユースポイントにおいて約０．０１質量％～約２質量パーセント（約０．０５質量％～約１．５質量パーセント、又は約０．１質量％～約１質量パーセント）であってよい。
研磨組成物はさらに他の任意の添加剤、例えば二次的な研磨速度加速剤又は抑制剤、分散剤、コンディショナ、スケール阻害剤、キレート剤、安定剤、ｐＨ調節・緩衝化合物、及び殺生物剤を含む添加剤を含んでよい。このような添加剤は純粋に任意である。開示された実施態様はそのようには限定されず、このような添加剤のいずれか１種又は２種以上の使用を必要とはしない。
研磨組成物は任意にはさらに殺生物剤を含んでよい。殺生物剤は実質的に任意の適宜の殺生物剤、例えばイソチアゾリノン殺生物剤、例えばメチルイソチアゾリノン又はベンズイソチアゾロンを含んでよい。研磨組成物内の殺生物剤の量は典型的には、ユースポイントにおいて約１質量ｐｐｍ～約１００質量ｐｐｍ、例えば約５質量ｐｐｍ～約７５質量ｐｐｍである。
研磨組成物は、任意の適宜の技術を用いて調製することができる。これらの技術の多くは当業者に知られている。研磨組成物はバッチ法又は連続法で調製することができる。大まかに言えば、研磨組成物はその成分を任意の順番で合体することにより調製することができる。本明細書中に使用される「成分（component）」は個々の成分（ingredients）（例えば研磨剤粒子、アニオン性及び／又は非イオン性化合物、及び任意の添加剤）を含む。例えば、アニオン性及び／又は非イオン性化合物を、水性キャリア（例えば水）に所望の濃度で添加することができる。次いでｐＨを（所望の通りに）調節し、そして立方体状セリア研磨剤を所望の濃度で添加することにより、研磨組成物を形成することができる。研磨組成物は使用前に調製することができ、この場合使用直前（例えば使用前の約１分以内、又は使用前の約１時間以内、又は使用前の約１日又は約７日前）に１種又は２種以上の成分を研磨組成物に添加する。研磨組成物は（例えば研磨パッド上の）研磨作業中に、基板表面において成分を混合することにより、調製することもできる。
ある特定の実施態様では、研磨組成物は「２パック」システムとして提供することができる。例えば、第１パックは立方体状セリア研磨剤と、他の任意の成分とを含んでよく、そして第２パックはアニオン性及び／又は非イオン性化合物と、さらに他の任意の成分とを含んでよい。第１及び第２パックは別個に出荷し、研磨の前（研磨の１時間以内又は１日以内）に、又はＣＭＰ作業中に研磨パッド上で合体させることができる。
本発明の研磨組成物は濃縮物として提供されてよい。濃縮物は使用前に適量の水で希釈されるように意図されている。このような実施態様では、研磨組成物濃縮物は、濃縮物を適量の水で希釈すると、研磨組成物の各成分が、各成分に関して上述した適切な範囲内の量で研磨組成物中に存在することになるような量で、立方体状セリア研磨剤粒子と上記他の成分とを含むことができる。例えば、立方体状セリア研磨剤粒子、自動停止剤、カチオン性ポリマー、及び他の任意の添加剤はそれぞれ、各成分に関して上述したユースポイント濃度の約３倍（例えば約４倍、約５倍、約６倍、約７倍、約８倍、約１０倍、約１５倍、約２０倍、又は約２５倍）である量で研磨組成物中に存在することができるので、濃縮物が等体積（例えば２等体積の水、３等体積の水、４等体積の水、５等体積の水、６等体積の水、７等体積の水、９等体積の水、１４等体積の水、１９等体積の水、又は２４等体積の水）で希釈されると、各成分は各成分に関して上述した範囲内の量で研磨組成物中に存在することになる。
研磨組成物が２パックシステムとして提供される実施態様では、パックの一方又は両方は濃縮物として提供され、他方のパックとの混合前に希釈を必要とする。例えば、１実施態様では、第１パックは濃縮物として提供されて、濃縮物は上記のユースポイント濃度の約３倍（例えば約５倍、約８倍、約１０倍、約１５倍、又は約２０倍）高い濃度で立方体状セリア研磨剤粒子を含むようになっている。濃縮された第１パックは、第２パックとの合体前に適量の水と混合させることができる。同様に、第２パックも濃縮物として提供されて、濃縮物は上記のユースポイント濃度の約３倍（例えば約５倍、約８倍、約１０倍、約１５倍、又は約２０倍）高い濃度で、アニオン性及び／又は非イオン性化合物を含むようになっている。このような実施態様では、濃縮された第２パックは、第１パックとの合体前に適量の水と混合させることができる。ある特定の実施態様では、第１パック及び第２パックの両方は、合体前に水で希釈することができる。開示された実施態様はこれらに関して限定されない。
本発明の研磨方法は具体的には、例えばプラテン及びプラテンに固定されたパッドを含む化学機械研磨（ＣＭＰ）装置と併せて用いるのに特に適している。当業者に知られているように、基板を研磨パッド及び本発明の研磨組成物と接触させた時に、基板の研磨を行い、次いで研磨パッドと基板とを相対運動させることにより、基板の少なくとも一部を研削処理する。本発明の方法は、上記本発明の組成物を用意し、基板（例えばウエハー）を本発明の研磨組成物と接触させ、基板に対して研磨組成物を動かし、そして基板を研削処理することによって、基板から酸化ケイ素材料の一部を除去し、これにより基板を研磨する。
基板は大まかに言えば、多くがよく知られているパターン化誘電層を含む。パターン化誘電層は、酸化ケイ素及び酸化ケイ素系誘電材料の種々の形態を含む。例えば、酸化ケイ素及び酸化ケイ素系誘電層を含む誘電材料は、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物、リンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）酸化物、スピンオン誘電（ＳＯＤ）酸化物、化学蒸着（ＣＶＤ）酸化物、プラズマ支援テトラエチルオルトケイ酸塩（ＰＥＴＥＯＳ）、熱酸化物、又は非ドープ型ケイ酸塩ガラスを含み、これから成り、又は本質的にこれから成る。
研磨組成物は、酸化ケイ素材料を含む基板を研磨するときに高い除去速度を望ましく呈することができる。例えば、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物及び／又はプラズマ支援型テトラエチルオルトシリケート（ＰＥＴＥＯＳ）、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）、及び／又はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含むシリコンウエハーを研磨する場合には、研磨組成物は約１０００Å／ｍｉｎ以上（例えば約２０００Å／ｍｉｎ以上、約２，５００Å／ｍｉｎ以上、約３，０００Å／ｍｉｎ以上、約３，５００Å／ｍｉｎ以上、約４０００Å／ｍｉｎ以上、約４５００Å／ｍｉｎ以上、又は約５０００Å／ｍｉｎ以上）の酸化ケイ素除去速度を望ましく呈することができる。
研磨組成物はさらに、酸化ケイ素材料及び窒化ケイ素材料の両方を含む基板を研磨するのに適することがある。ある特定の実施態様の場合、酸化ケイ素材料の除去速度が窒化ケイ素材料の除去速度を超えること（すなわち、窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の除去速度選択率が１よりも高いこと）が望ましい場合がある。実施態様の例において、研磨組成物は、２超（例えばある特定の実施態様において３超、５超、７超、１０超、１５超、２０超）の、窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の除去速度選択率を呈すると有利である。
研磨組成物を使用して酸化ケイ素材料及び窒化ケイ素材料の両方を研磨する他の用途において、窒化ケイ素材料の除去速度が酸化ケイ素材料の除去速度を上回ることが望ましい場合がある。実施態様の例において、研磨組成物は、１を上回る、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択率を呈すると有利である場合がある（すなわち窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の選択率が１未満である）。
研磨組成物はさらに、酸化ケイ素材料及びポリシリコン材料の両方を含む基板を研磨するのに適することがある。ある特定の実施態様の場合、酸化ケイ素材料の除去速度がポリシリコンの除去速度を超えること（すなわち、ポリシリコンに対する酸化ケイ素の除去速度選択率が１よりも高いこと）が望ましい場合がある。実施態様の例において、研磨組成物は、２超（例えばある特定の実施態様において３超、５超、７超、１０超、１５超、２０超）の、ポリシリコンに対する酸化ケイ素の除去速度選択率を呈すると有利である。
本発明の方法は、例えば（初期高さを有する）隆起領域と（初期トレンチ厚さを有する）トレンチとの間の初期ステップ高さを低減することを介して、パターン化誘電材料を望ましく平坦化する。この平坦化を効果的且つ効率的に達成するために、本発明の方法は、（アクティブパターン誘電材料の）隆起領域の高い除去速度と、トレンチの誘電材料の比較的低い除去速度とを望ましく有している。研磨が進むにつれて、隆起領域とトレンチとの間のステップ高さを低減することにより、ウエハーは平坦化される。
言うまでもなく、開示は数多くの実施態様を含む。これらの実施態様は下記実施態様を含むが、しかしこれらに限定されはしない。
第１実施態様では、化学機械研磨組成物が、液体キャリアと、前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方とを含む。
第２実施態様は第１実施態様を含んでよく、前記立方体状セリア研磨剤粒子が、酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含む。
第３実施態様は第１～第２実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記立方体状セリア研磨剤粒子の、ランタン及びセリウムに対するランタンのモル比が約１～約１５パーセントである。
第４実施態様は第１～第３実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記立方体状セリア研磨剤粒子のＢＥＴ表面積が約３ｍ２／ｇ～約１４ｍ２／ｇである。
第５実施態様は第１～第４実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記立方体状セリア研磨剤粒子の平均粒径が約５０～約５００ｎｍである。
第６実施態様は第１～第５実施態様のいずれか１つを含んでよく、ユースポイントで約０．０１～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子を含む。
第７実施態様は第１～第６実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記アニオン性化合物が水溶性高分子電解質、ポリアニオン、ポリ酸、ポリアクリレート、ポリ（ビニル酸）、アニオン性洗浄剤、アルキル又はアルキルエーテルスルホネート及びスルフェート、アルキル又はアルキルエーテルホスホネート及びホスフェート、及びアルキル又はアルキルエーテルカルボキシレートを含む。
第８実施態様は第１～第７実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記アニオン性化合物がアニオン性ホモポリマー又はコポリマーであり、そしてアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸、スルフェート、スチレンスルホン酸及びホスフェートから選択された少なくとも１種のモノマー単位を含む。
第９実施態様は第１～第８実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記アニオン性化合物がポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（マレイン酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（ビニルスルフェート）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（ビニルリン酸）、ポリ（メチルメタクリレート－コ－メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸－コ－マレイン酸）、ポリ（アクリルアミド－コ－アクリル酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、又はこれらの組み合わせを含む。
第１０実施態様は第１～第９実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記アニオン性化合物が非ポリマー化合物であり、そしてアルキル又はアルキルアリールスルフェート、アルキル又はアルキルアリールスルホネート、アルキル又はアルキルアリールホスフェート、アルキル又はアルキルアリールカルボキシレート、又はこれらの組み合わせを含む。
第１１実施態様は第１～第１０実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記アニオン性化合物が、ドデシルベンゼンスルホン酸、アンモニウムラウリルスルフェート、ステアリン酸、ジヘキサホスフェート、ドデシルリン酸、１－デカンスルホネート、これらの誘導体、これらのアンモニウム又はナトリウム塩、又はこれらの組み合わせである。
第１２実施態様は第１～第１１実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記非イオン性化合物が、水溶性ポリエーテル、ポリエーテルグリコール、アルコールエトキシレート、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリエステル、ビニルアクリレート、又はこれらの組み合わせを含む非イオン性ポリマーである。
第１３実施態様は第１～第１２実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記非イオン性化合物が、非イオン性ホモポリマー又はコポリマーであり、そしてポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリ（ビニルフェニルケトン）、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニルイミダゾール）、ポリ（アクリルアミド）、ポリアクロレイン、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリエチレン、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ（エチレングリコール）モノラウレート、ポリ（エチレングリコール）モノオレエート、ポリ（エチレングリコール）ジステアレート、ポリ（ビニルアセテート－コ－メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）、ポリ（エチレン－コ－ビニルアセテート）、及びこれらの組み合わせを含む。
第１４実施態様は第１～第１３実施態様のいずれか１つを含んでよく、約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントのアニオン性化合物又は非イオン性化合物をユースポイントで含む。
第１５実施態様は第１～第１４実施態様のいずれか１つを含んでよく、ｐＨが約４～約６、又は約９～約１１である。
第１６実施態様は第１～第１５実施態様のいずれか１つを含んでよく、約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、（ｉ）前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍ平均粒径を有しており、（ｉｉ）前記アニオン性化合物がポリ（アクリル酸）を含み、そして（ｉｉｉ）前記組成物のｐＨが約４～約６である。
第１７実施態様は第１～第１６実施態様のいずれか１つを含んでよく、約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、（ｉ）前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍ平均粒径を有しており、（ｉｉ）前記非イオン性化合物がポリビニルピロリドン、ポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）、又はこれらの混合物を含み、そして（ｉｉｉ）前記組成物のｐＨが約９～約１１である。
第１８実施態様は第１～第１７実施態様のいずれか１つを含んでよく、約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、
（ｉ）前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍ平均粒径を有しており、
（ｉｉ）前記アニオン性化合物がポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びこれらの混合物を含み、そして
（ｉｉｉ）前記組成物のｐＨが約９～約１１である。
第１９実施態様は、酸化ケイ素誘電材料を含む基板を化学機械研磨する方法を含む。この方法は、（ａ）第１～第１８研磨組成物実施態様のいずれか１つを用意し、（ｂ）前記基板を前記用意された研磨組成物と接触させ、（ｃ）前記基板に対して前記研磨組成物を動かし、そして（ｄ）前記酸化ケイ素誘電材料の一部を前記基板から除去するために前記基板をアブレーション処理し、これにより前記基板を研磨することを含む。
第２０実施態様は第１９実施態様を含んでよく、前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの平均粒径を有しており、（ｉｉ）前記アニオン性化合物がポリ（アクリル酸）を含み、（ｉｉｉ）前記研磨組成物のｐＨが約４～約６であり、そして（ｉｖ）（ｄ）におけるアブレーション処理中、前記酸化ケイ素誘電材料の除去速度が少なくとも１０００Å／ｍｉｎである。
第２１実施態様は第２０実施態様を含んでよく、前記基板がさらに、窒化ケイ素材料及びポリシリコン材料のうちの少なくとも一方を含み、前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率、又はポリシリコン材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が（ｄ）において約１０：１超である。
第２２実施態様は第１９実施態様を含んでよく、（ｉ）前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの平均粒径を有しており、（ｉｉ）前記非イオン性化合物がポリビニルピロリドンを含み、（ｉｉｉ）前記研磨組成物のｐＨが約９～約１１であり、（ｉｖ）前記基板がさらに窒化ケイ素材料を含み、そして（ｖ）前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が（ｄ）において約１：１未満である。
第２３実施態様は第１９実施態様を含んでよく、（ｉ）前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの平均粒径を有しており、（ｉｉ）前記アニオン性化合物がポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びこれらの混合物を含み、（ｉｉｉ）前記組成物のｐＨが約９～約１１であり、そして（ｉｖ）（ｄ）におけるアブレーション処理中、前記酸化ケイ素誘電材料の除去速度が少なくとも３０００Å／ｍｉｎである。
第２４実施態様は第２３実施態様を含んでよく、前記基板がさらに、窒化ケイ素材料を含み、前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が（ｄ）において約１０：１未満である。
第２５実施態様は第１９～第２４実施態様のいずれか１つを含んでよく、前記研磨組成物を用意することが、研磨濃縮物を用意し、そして１部の研磨濃縮物に対して少なくとも１部の水で研磨濃縮物を希釈することを含む。
下記例は本発明をさらに例示するが、しかしその範囲を限定するものと決して解釈するべきではない。Applied Materials Mirra（登録商標）研磨工具（Applied Materials, Inc.から入手可能）を使用して種々の基板を研磨した。プラテン速度１００ｒｐｍ、ヘッド速度８５ｒｐｍ、ダウンフォース３ｐｓｉ、及びスラリー流量１５０ｍｌ／ｍｉｎで、Mirra（登録商標）上で６０秒間にわたってブランケットウエハーを研磨した。６ポンドのダウンフォースのSaesol DS8051コンディショナーを使用した現場コンディショニングによって、ウエハーをNexPlanar（登録商標）E6088パッド（Cabot Microelectronics Corporatioから入手可能）上で研磨した。
ブランケットテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、ＳｉＮ、及びポリシリコンウエハーを下記例において研磨した。ＴＥＯＳウエハーはWRS Materialsから入手し、２０ｋÅのＴＥＯＳ層を含んだ。ＳｉＮウエハーはＳｉＮ ＰＥウエハー及びＳｉＮ ＬＰウエハーの両方を含んだ。ＳｉＮ ＰＥはAdvantecから入手し、５ｋÅのＰＥ ＳｉＮ層を含んだ。ＳｉＮ ＬＰウエハーはNovatiから入手し、３ｋÅのＬＰ ＳｉＮ層を含んだ。ポリシリコンウエハーはWRS Materialsから入手し、１０ｋÅ ＰｏｌｙＳｉ層を含んだ。
例１
ストック酸化セリウム分散体を下記のように調製した。１３．１ｋｇの３Ｍ硝酸三価セリウム（ＩＩＩ）溶液と、０．３ｋｇの３Ｍ硝酸ランタン溶液と、２．０ｋｇの６８％硝酸（ＨＮＯ３）溶液と、０．５ｋｇの脱イオン水と、硝酸セリウム（ＩＶ）とを、セリウム（総量）に対するセリウム（ＩＶ）のモル比０．００００５５で合体させることにより、硝酸セリウム溶液を調製した。硝酸セリウム溶液を次いで２０Ｌ容器内で、撹拌及び窒素バブリングによって脱気した。
７５ｋｇの脱イオン水と、１３．１ｋｇの２５％水性アンモニアの溶液とを合体させる（これにより硝酸セリウム溶液中のセリウム及びランタンの総量に対するアンモニア水溶液中のＮＨ４ＯＨのモル比は９．０となった）ことにより、水性アンモニア溶液を調製した。水性アンモニア溶液を次いで１００Ｌ容器のジャケット付き反応器内で、撹拌及び窒素バブリングによって脱気した。
次いで窒素パージ下で同じ撹拌を加えながら、硝酸セリウム溶液を周囲温度で水性アンモニア溶液に添加した。反応混合物の温度を次いで８０℃に高め、そして１８時間にわたってその温度で保持した。次いで反応混合物を冷ましておき、冷却したら、６８％硝酸を添加することによりｐＨ２に酸性化した。
次いで反応混合物を濾過し、脱イオン水で洗浄した。洗浄溶液の導電率が０．０４ｍＳ／ｃｍ未満になったら洗浄を繰り返した。脱イオン水を添加することにより、最終酸化セリウム濃度を１０質量パーセントに調節した。立方体状セリア研磨剤粒子は２．５モルパーセントの酸化ランタンと９７．５モルパーセントの酸化セリウムとを含んだ。
窒素吸着によりＢＥＴ比表面積が１１．３ｍ２／グラムであることを割り出した。平均粒径はHoriba 960によって測定して１０２ｎｍであり、Malvern Zetasizerによって測定して１４０ｎｍであった。
例２
２種の研磨組成物を試験することにより、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉの研磨速度を評価した。各組成物はポリ（アクリル酸）（ＭＷ約５０００）及びセリアをｐＨ４．５で含んだ。組成物２Ａは対照セリア（Rhodiaから商業的に入手可能な湿式プロセスセリアHC60（登録商標））を含み、これに対して組成物２Ｂは上記例１において上述した立方体状セリアを含んだ。ユースポイント濃度は表１Ａに示した通りである。
Figure 2022553336000002
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉウエハーを研磨した。研磨結果を表１Ｂに示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＰＥ、ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＬＰ及びＴＥＯＳ：ＰｏｌｙＳｉの選択率が表１Ｃに示されている。
Figure 2022553336000003
Figure 2022553336000004
表１Ｂ及び１Ｃに示された結果から容易に明らかなように、（立方体状セリア研磨剤を含む）組成物２ＢのＴＥＯＳ除去速度は、（対照セリアを含む）組成物２Ａの３倍であり、これに対して窒化ケイ素及びポリシリコンの除去速度は同様であった。結果として、組成物２Ｂは組成物２Ａの約３倍高い、ＳｉＮに対するＴＥＯＳの選択率、及びポリシリコンに対するＴＥＯＳの選択率を呈した。
例３
２種の研磨組成物を試験することにより、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉの研磨速度を評価した。各組成物はポリ（メタクリル酸）ナトリウム塩（ＭＷ約９５００ｇ／ｍｏｌ）及びセリアをｐＨ１０で含んだ。組成物３Ａは、例２に上述した対照セリアを含み、これに対して組成物３Ｂは上記例１において上述した立方体状セリアを含んだ。ユースポイント濃度は表２Ａに示した通りである。
Figure 2022553336000005
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉウエハーを研磨した。研磨結果を表２Ｂに示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＰＥ、ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＬＰ及びＴＥＯＳ：ＰｏｌｙＳｉの選択率が表２Ｃに示されている。
Figure 2022553336000006
Figure 2022553336000007
表２Ｂ及び２Ｃに示された結果から容易に明らかなように、（立方体状セリア研磨剤を含む）組成物３ＢのＴＥＯＳ及びＳｉＮの除去速度は、予期せぬことに、（対照セリアを含む）組成物３Ａの約２倍であり、これに対してポリシリコンの除去速度は同様であった。結果として、組成物３Ｂは両方ともより高い除去率を呈し、そして組成物３Ａと比較して、ポリシリコンに対するＴＥＯＳの選択率を２倍増大させた。
例４
２種の研磨組成物を試験することにより、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉの研磨速度を評価した。各組成物はポリ（ビニルスルホン酸）及びセリアをｐＨ１０で含んだ。組成物４Ａは例２において上述した対照セリアを含み、これに対して組成物４Ｂは上記例１において上述した立方体状セリアを含んだ。ユースポイント濃度は表３Ａに示した通りである。
Figure 2022553336000008
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉウエハーを研磨した。研磨結果を表３Ｂに示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＰＥ、ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＬＰ及びＴＥＯＳ：ＰｏｌｙＳｉの選択率が表３Ｃに示されている。
Figure 2022553336000009
Figure 2022553336000010
表３Ｂ及び３Ｃに示された結果から容易に明らかなように、（立方体状セリア研磨剤を含む）組成物４ＢのＴＥＯＳ除去速度及びＳｉＮ除去速度は、（対照セリアを含む）組成物４Ａよりも著しく高く（ＴＥＯＳは１．９倍、ＳｉＮ－ＰＥは約２．６倍、そしてＳｉＮ－ＬＰは約１．７倍）、これに対してポリシリコンの除去速度は同様であった。結果として、組成物４Ｂは予期せぬことに組成物４Ａと比較して、ＴＥＯＳ及びＳｉＮの増大した除去速度、ＳｉＮ－ＰＥに対するＴＥＯＳの低減した選択率、及びポリシリコンに対するＴＥＯＳの７０％増大した選択率を呈した。さらに、立方体状セリア研磨剤粒子を基剤とする組成物はＳｉＮ－ＬＰよりもＳｉＮ－ＰＥ除去速度を著しく高めた（１５０パーセント対７０パーセント）。
例５
２種の研磨組成物を試験することにより、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉの研磨速度を評価した。各組成物は４－ドデシルベンゼンスルホン酸及びセリアをｐＨ１０で含んだ。組成物５Ａは、例２に上述した対照セリアを含み、これに対して組成物５Ｂは上記例１において上述した立方体状セリアを含んだ。ユースポイント濃度は表２Ａに示した通りである。
Figure 2022553336000011
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉウエハーを研磨した。研磨結果を表４Ｂに示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＰＥ、ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＬＰ及びＴＥＯＳ：ＰｏｌｙＳｉの選択率が表４Ｃに示されている。
Figure 2022553336000012
Figure 2022553336000013
表４Ｂ及び４Ｃに示された結果から容易に明らかなように、（立方体状セリア研磨剤を含む）組成物５ＢのＴＥＯＳ及びＳｉＮの除去速度は、予期せぬことに（対照セリアを含む）組成物５Ａと比較して増大した（それぞれ約２倍及び１．３倍）のに対して、ポリシリコンの除去速度は同様であった。結果として、組成物５Ｂは予期せぬことに組成物５Ａと比較して、ＴＥＯＳ及びＳｉＮ－ＬＰの増大した除去速度、及びポリシリコンに対するＴＥＯＳの２倍増大した選択率を示した。さらに、立方体状セリア系組成物は予期せぬことに、ＳｉＮ－ＬＰ除去速度をＳｉＮ－ＰＥよりも著しく増大させた（１００パーセント対２５パーセント）。
例６
４種の研磨組成物を試験することにより、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉの研磨速度を評価した。各組成物はポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）（６Ａ及び６Ｂ）又はポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）（ＰＶＰ－コ－ＶＡ）（６Ｃ及び６Ｄ）及びセリアをｐＨ５で含んだ。組成物６Ａ及び６Ｃは、例２に上述した対照セリアを含み、これに対して組成物６Ｂ及び６Ｄは上記例１において上述した立方体状セリアを含んだ。ユースポイント濃度は表５Ａに示した通りである。
Figure 2022553336000014
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳ、ＳｉＮ－ＰＥ、ＳｉＮ－ＬＰ、及びＰｏｌｙＳｉウエハーを研磨した。研磨結果を表５Ｂに示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＰＥ、ＴＥＯＳ：ＳｉＮ－ＬＰ及びＴＥＯＳ：ＰｏｌｙＳｉの選択率が表５Ｃに示されている。
Figure 2022553336000015
Figure 2022553336000016
表５Ｂ及び５Ｃに示された結果から容易に明らかなように、（立方体状セリア研磨剤及びコポリマーポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）を含む）組成物６Ｄは、（対照セリア及び同じコポリマーを含む）組成物６Ｃと比較して、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ、及びポリシリコンのより高い除去速度を呈した。しかしながら、（立方体状セリア研磨剤及びホモポリマーポリビニルピロリドンを含む）組成物６Ｂは、（対照セリア及び同じホモポリマーを含む）組成物６Ａと比較して、ＴＥＯＳ除去速度が４分の１であり、そしてＳｉＮ－ＰＥに対する除去速度が１５％高く、またＳｉＮ－ＬＰに対する除去速度が２５％高かった。組成物６Ｂは驚くべきことに窒化ケイ素に対して選択的であった（ＳｉＮ－ＰＥとＴＥＯＳとの選択率２：１）。
例７
３種の組成物を試験することにより、立方体状セリア研磨剤粒子中のランタンドーピングのレベルがＴＥＯＳ除去速度に与える影響を評価した。組成物７Ａは、例２において上述した０．２８質量パーセントの対照セリアを含んだ。組成物７Ｂは、２．５モルパーセントの酸化ランタンを含む０．２８質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子を含み、例１において上述したストックセリア分散体を、３４部の水対１部のストックセリア分散体で希釈することにより調製した。組成物７Ｃは、１０モルパーセントの酸化ランタンを含む０．２８質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子を含み、下記段落において説明するセリア分散体を、３４部の水対１部のセリア分散体で希釈することにより調製した。組成物７Ａ～７ＣのそれぞれのｐＨは４であった。
酸化セリウム分散体を下記の通りに調製した。１１．５ｋｇの３Ｍ硝酸三価セリウム（ＩＩＩ）溶液と、１．３ｋｇの３Ｍ硝酸ランタン溶液と、１．８６ｋｇの６８％硝酸（ＨＮＯ３）溶液と、０．５ｋｇの脱イオン水と、硝酸セリウム（ＩＶ）とを、セリウム（総量）に対するセリウム（ＩＶ）のモル比０．００００１２５ （１／８０，２３５）で合体させることにより、硝酸セリウム溶液を調製した。硝酸セリウム溶液を次いで２０Ｌ容器内で、撹拌及び窒素バブリングによって脱気した。
７０ｋｇの脱イオン水と、１４ｋｇの２５％水性アンモニアの溶液とを合体させる（これにより硝酸セリウム溶液中のセリウム及びランタンの総量に対するアンモニア水溶液中のＮＨ４ＯＨのモル比は１０となった）ことにより、水性アンモニア溶液を調製した。水性アンモニア溶液を次いで１００Ｌ容器のジャケット付き反応器内で、撹拌及び窒素バブリングによって脱気した。
次いで窒素パージ下で同じ撹拌を加えながら、硝酸セリウム溶液を周囲温度で水性アンモニア溶液に添加した。反応混合物の温度を次いで８８℃に高め、そして１３．５時間にわたってその温度で保持した。次いで反応混合物を冷ましておき、冷却したら、６８％硝酸を添加することによりｐＨ２に酸性化した。
次いで反応混合物を濾過し、脱イオン水で洗浄した。洗浄溶液の導電率が０．０４ｍＳ／ｃｍ未満になったら洗浄を繰り返した。脱イオン水を添加することにより、最終酸化セリウム濃度を１０質量パーセントに調節した。立方体状セリア研磨剤粒子は１０モルパーセントの酸化ランタンと９０モルパーセントの酸化セリウムとを含んだ。
窒素吸着によりＢＥＴ比表面積が８．６ｍ２／グラムであることを割り出した。平均粒径はMalvern Zetasizerによって測定して１４２ｎｍであった。
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳウエハーを研磨した。ポリシング結果は表６に示されている。全ての除去速度（ＲＲ）は１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で挙げられている。
Figure 2022553336000017
表６に示されたデータから容易に明らかなように、組成物７Ｂ及び７Ｃは、組成物７Ａの除去速度の１．６倍を上回る同等のＴＥＯＳ除去速度を呈した。
例８
３種の研磨組成物を試験することにより、立方体状セリア研磨剤粒子内のランタンドーピングレベルの、ＴＥＯＳ除去速度に対する効果を評価した。組成物８Ａ及び８Ｂのそれぞれは、８３．３質量ｐｐｍのピコリン酸と、１０００質量ｐｐｍのポリ（エチレングリコール）（ＭＷ約８０００ｇ／ｍｏｌ）と、１０．７質量ｐｐｍのKordek MLXと、０．４質量％のセリア研磨剤とを含んだ。組成物８Ａは対照セリア（例２）を含んだ。組成物８Ｂは、２．５モル％の酸化ランタンを含む立方体状セリア研磨剤粒子を含んだ。組成物８Ｃは、５８．３質量ｐｐｍのピコリン酸と、７００質量ｐｐｍのポリ（エチレングリコール）（ＭＷ約８０００ｇ／ｍｏｌ）と、７．５質量ｐｐｍのKordek MLXと、１０モル％の酸化ランタンを含む０．２８質量％の立方体状セリア研磨剤粒子とを含んだ。組成物８Ａ～８ＣのそれぞれのｐＨは４であった。
上記条件において６０秒間にわたってMirra（登録商標）工具上でブランケットＴＥＯＳウエハーを研磨した。研磨結果を表７に示す。全ての除去速度（ＲＲ）が１分当たりのオングストローム（Å／ｍｉｎ）で示されている。
Figure 2022553336000018
表７に示された結果から容易に明らかなように、立方体状セリア系組成物（８Ｂ及び８Ｃ）は同様のＴＥＯＳ除去速度を呈した。さらに、立方体状セリア組成物は、対照と比較して著しく改善されたＴＥＯＳ除去速度を呈した（約６０パーセントの改善）。
“a”及び“an”及び“the”及び同様の指示対象を、本発明を説明するという文脈において使用する際には、これは特に断りのない限り、又は文脈によって明らかに矛盾するのでない限り、単数形及び複数形の両方をカバーするものと解釈されるべきである。「含む“comprising”」、「有する“having”」、「含む“including”」及び「含有する“containing”」という用語は、特に断りのない限り、オープンエンド用語（すなわち「含むが、しかしこれに限定されない」）と解釈されるべきである。本明細書中の値の範囲の記述は特に断りのない限り、単にその範囲内に含まれるそれぞれ別個の値に個別に言及する省略法として役立つように意図されているのにすぎず、そしてそれぞれの別個の値は、それがあたかも本明細書中に個別に記述されているかのように、本明細書中に組み込まれる。本明細書中に記載された全ての方法は、本明細書中に特に断りのない限り、又は文脈によって明らかに否定されるのでない限り、任意の適宜の順番で実施することができる。本明細書中に提供された任意のそして全ての例、又は例を意味する言語（例えば「～のような“such as”」）は、単に本発明をより良く例示するように意図されているにすぎない。明細書中のいかなる言語も、任意の非クレーム要素を本発明の実施に必須のものとして示すものと解釈されるべきではない。
本発明の好ましい実施態様が、本発明を実施するために発明者に知られた最善の態様を含めて本明細書中に記載されている。これらの好ましい実施態様の変更は、前記説明を読めば当業者には明らかになり得る。発明者は、当業者がこのような変更形を必要に応じて採用することを想定し、発明者は、本発明が本明細書中に具体的に記載したものとは異なる形で実施されることを意図する。したがって、本発明は、適用可能な法によって許される、ここに添付された特許請求の範囲に挙げられた主題のあらゆる改変形及び等価形を含む。さらに、あらゆる可能な変更形における上記要素のいかなる組み合わせも、本明細書中に特に断りのない限り、又は文脈によって明らかに否定されるのでない限り、本発明によって包含される。
言うまでもなく、開示内容は、上記例に含まれたものを超えた数多くの実施態様を含む。これらの実施態様は、添付の特許請求の範囲に挙げられた態様を含むが、しかしこれに限定されるものではない。

Claims (25)

  1. 化学機械研磨組成物であって、
    液体キャリアと、
    前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、
    アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方と、
    を含む化学機械研磨組成物。
  2. 前記立方体状セリア研磨剤粒子が、酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記立方体状セリア研磨剤粒子の、ランタン及びセリウムに対するランタンのモル比が約１～約１５パーセントである、請求項１に記載の組成物。
  4. 前記立方体状セリア研磨剤粒子が、約３ｍ２／ｇ～約１４ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を有する、請求項１に記載の組成物。
  5. 前記立方体状セリア研磨剤粒子が、約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有する、請求項１に記載の組成物。
  6. ユースポイントで約０．０１～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子を含む、請求項１に記載の組成物。
  7. 前記アニオン性化合物が、水溶性高分子電解質、ポリアニオン、ポリ酸、ポリアクリレート、ポリ（ビニル酸）、アニオン性洗浄剤、アルキルもしくはアルキルエーテルスルホネート及びスルフェート、アルキルもしくはアルキルエーテルホスホネート及びホスフェート、ならびにアルキルもしくはアルキルエーテルカルボキシレートを含む、請求項１に記載の組成物。
  8. 前記アニオン性化合物が、アニオン性ホモポリマー又はコポリマーであり、そしてアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸、スルフェート、スチレンスルホン酸及びホスフェートから選択された少なくとも１種のモノマー単位を含む、請求項１に記載の組成物。
  9. 前記アニオン性化合物が、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（マレイン酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（ビニルスルフェート）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（ビニルリン酸）、ポリ（メチルメタクリレート－コ－メタクリル酸）、ポリ（アクリル酸－コ－マレイン酸）、ポリ（アクリルアミド－コ－アクリル酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
  10. 前記アニオン性化合物が、非ポリマー化合物であり、そしてアルキル又はアルキルアリールスルフェート、アルキル又はアルキルアリールスルホネート、アルキル又はアルキルアリールホスフェート、アルキル又はアルキルアリールカルボキシレート、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
  11. 前記アニオン性化合物が、ドデシルベンゼンスルホン酸、アンモニウムラウリルスルフェート、ステアリン酸、ジヘキサホスフェート、ドデシルリン酸、１－デカンスルホネート、これらの誘導体、これらのアンモニウム又はナトリウム塩、又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の組成物。
  12. 前記非イオン性化合物が、水溶性ポリエーテル、ポリエーテルグリコール、アルコールエトキシレート、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリエステル、ビニルアクリレート、又はこれらの組み合わせを含む非イオン性ポリマーである、請求項１に記載の組成物。
  13. 前記非イオン性化合物が、非イオン性ホモポリマー又はコポリマーであり、そしてポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリ（ビニルフェニルケトン）、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニルイミダゾール）、ポリ（アクリルアミド）、ポリアクロレイン、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリエチレン、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ（エチレングリコール）モノラウレート、ポリ（エチレングリコール）モノオレエート、ポリ（エチレングリコール）ジステアレート、ポリ（ビニルアセテート－コ－メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）、ポリ（エチレン－コ－ビニルアセテート）、及びこれらの組み合わせを含む、請求項１２に記載の組成物。
  14. 約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントのアニオン性化合物又は非イオン性化合物をユースポイントで含む、請求項１に記載の組成物。
  15. ｐＨが約４～約６、又は約９～約１１の範囲である、請求項１に記載の組成物。
  16. 約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、
    前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記アニオン性化合物がポリ（アクリル酸）を含み、そして、
    前記組成物のｐＨが約４～約６の範囲である、
    請求項１に記載の組成物。
  17. 約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、
    前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記非イオン性化合物がポリビニルピロリドン、ポリ（ビニルピロリドン－コ－ビニルアセテート）、又はこれらの混合物を含み、そして、
    前記組成物のｐＨが約９～約１１の範囲である、
    請求項１に記載の組成物。
  18. 約０．０１質量パーセント～約２質量パーセントの立方体状セリア研磨剤粒子をユースポイントで含み、
    前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記アニオン性化合物が、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びこれらの混合物を含み、そして、
    前記組成物のｐＨが約９～約１１の範囲である、
    請求項１に記載の組成物。
  19. 酸化ケイ素誘電材料を含む基板を化学機械研磨する方法であって、前記方法が、
    （ａ）（ｉ）液体キャリアと、（ｉｉ）前記液体キャリア中に分散された立方体状研磨剤粒子と、（ｉｉｉ）アニオン性化合物及び非イオン性化合物のうちの少なくとも一方とを用意し、
    （ｂ）前記基板を前記用意された研磨組成物と接触させ、
    （ｃ）前記基板に対して前記研磨組成物を動かし、そして
    （ｄ）前記基板を研削して、前記酸化ケイ素誘電材料の一部を前記基板から除去し、これにより前記基板を研磨すること、
    を含む、酸化ケイ素誘電材料を含む基板を化学機械研磨する方法。
  20. 前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記アニオン性化合物がポリ（アクリル酸）を含み、
    前記研磨組成物のｐＨが約４～約６の範囲であり、そして、
    工程（ｄ）における研削中に、前記酸化ケイ素誘電材料の除去速度が少なくとも１０００Å／ｍｉｎである、
    請求項１９に記載の方法。
  21. 前記基板がさらに、窒化ケイ素材料及びポリシリコン材料のうちの少なくとも一方を含み、そして
    前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率、又はポリシリコン材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が、工程（ｄ）において約１０：１超である、
    請求項２０に記載の方法。
  22. 前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記非イオン性化合物がポリビニルピロリドンを含み、
    前記研磨組成物のｐＨが約９～約１１の範囲であり、
    前記基板がさらに窒化ケイ素材料を含み、そして、
    前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が工程（ｄ）において約１：１未満である、
    請求項１９に記載の方法。
  23. 前記研磨組成物がユースポイントで約０．０１～２質量％の立方体状セリア研磨剤粒子を含み、前記立方体状セリア研磨剤粒子が酸化セリウムと酸化ランタンとの混合物を含み、そして約５０～約５００ｎｍの範囲の平均粒径を有しており、
    前記アニオン性化合物が、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）、ポリ（４－スチレンスルホン酸－コ－マレイン酸）、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びこれらの混合物を含み、
    前記組成物のｐＨが約９～約１１の範囲であり、そして、
    工程（ｄ）における研削中に、前記酸化ケイ素誘電材料の除去速度が少なくとも３０００Å／ｍｉｎである、
    請求項１９に記載の方法。
  24. 前記基板がさらに、窒化ケイ素材料を含み、
    前記窒化ケイ素材料に対する酸化ケイ素誘電材料の除去速度選択率が工程（ｄ）において約１０：１未満である、
    請求項２３に記載の方法。
  25. 前記研磨組成物を用意することが、（ａｉ）研磨濃縮物を用意し、そして（ａｉｉ）１部の研磨濃縮物に対して少なくとも１部の水で研磨濃縮物を希釈することを含む、請求項１９に記載の方法。
JP2022523605A 2019-10-22 2020-10-22 選択的酸化物ｃｍｐのための組成物及び方法 Pending JP2022553336A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962924352P 2019-10-22 2019-10-22
US62/924,352 2019-10-22
PCT/US2020/056818 WO2021081176A1 (en) 2019-10-22 2020-10-22 Composition and method for selective oxide cmp

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022553336A true JP2022553336A (ja) 2022-12-22

Family

ID=75490938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022523605A Pending JP2022553336A (ja) 2019-10-22 2020-10-22 選択的酸化物ｃｍｐのための組成物及び方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210115302A1 (ja)
EP (1) EP4048748A4 (ja)
JP (1) JP2022553336A (ja)
KR (1) KR20220087493A (ja)
CN (1) CN114599752A (ja)
TW (1) TW202122520A (ja)
WO (1) WO2021081176A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202138505A (zh) * 2020-03-31 2021-10-16 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 研磨組成物及其使用方法
CN115960540A (zh) * 2022-12-23 2023-04-14 昂士特科技(深圳)有限公司 具有改进颗粒的化学机械抛光组合物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852242B1 (ko) * 2006-08-16 2008-08-13 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법및 반도체 메모리 소자의 제조 방법
US20100107509A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Guiselin Olivier L Coated abrasive article for polishing or lapping applications and system and method for producing the same.
JP2015502993A (ja) 2011-11-09 2015-01-29 ローディア オペレーションズ ガラス基板を研磨するための添加剤混合物および組成物ならびに方法
US8916061B2 (en) 2012-03-14 2014-12-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity
KR101726486B1 (ko) * 2012-05-30 2017-04-26 주식회사 쿠라레 화학 기계 연마용 슬러리 및 화학 기계 연마 방법
US8821215B2 (en) 2012-09-07 2014-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Polypyrrolidone polishing composition and method
SG11201610969UA (en) 2014-07-09 2017-02-27 Hitachi Chemical Co Ltd Cmp polishing liquid, and polishing method
JP5893700B1 (ja) 2014-09-26 2016-03-23 花王株式会社 酸化珪素膜用研磨液組成物
US9505952B2 (en) * 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive
US10414947B2 (en) 2015-03-05 2019-09-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria particles and method of use
US9758697B2 (en) 2015-03-05 2017-09-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing cationic polymer additive
CN108026433B (zh) * 2015-09-25 2021-02-26 昭和电工株式会社 铈系研磨材料及其制造方法
JP6827318B2 (ja) * 2016-12-28 2021-02-10 花王株式会社 酸化セリウム砥粒
WO2018229005A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Rhodia Operations Cerium based particles

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220087493A (ko) 2022-06-24
CN114599752A (zh) 2022-06-07
WO2021081176A1 (en) 2021-04-29
US20210115302A1 (en) 2021-04-22
TW202122520A (zh) 2021-06-16
EP4048748A1 (en) 2022-08-31
EP4048748A4 (en) 2023-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5038199B2 (ja) 酸化物ｃｍｐのための組成物
KR102625476B1 (ko) 질화규소 제거를 위한 ｃｍｐ 조성물
TWI406815B (zh) 氧化鈰的製造方法、以此方法製造之氧化鈰、以及含此氧化鈰之化學機械研磨液
EP2794733B1 (en) Method for manufacturing cmp composition and application thereof
US20210115301A1 (en) Self-stopping polishing composition and method
JP2022553336A (ja) 選択的酸化物ｃｍｐのための組成物及び方法
TWI777278B (zh) 用於介電質化學機械拋光之組合物及方法
EP3475375B1 (en) Polishing composition comprising an amine-containing surfactant
TWI764338B (zh) 用於氧化矽和碳摻雜之氧化矽化學機械拋光的組合物及方法
KR20180068423A (ko) 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조방법
CN115960540A (zh) 具有改进颗粒的化学机械抛光组合物
WO2022140334A1 (en) Self-stopping polishing composition and method for high topological selectivity
JP2006036963A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231023