JP2022552301A

JP2022552301A - 集積型電気光学可撓性回路基板

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Publication number: JP2022552301A
Application number: JP2022521404A
Authority: JP
Inventors: リュンプンケルヴィン，ポ; チョンチー，ワウ; ジェイソン，ロタンソン
Original assignee: コンパステクノロジーカンパニーリミテッド
Priority date: 2019-10-16
Filing date: 2020-10-16
Publication date: 2022-12-15
Also published as: US11553598B2; EP4045955A4; CN114730054A; US20210315108A1; KR20220084053A; WO2021072987A1; EP4045955A1; US20210120680A1; US11076491B2

Abstract

集積型電気光学回路基板は、上側および下側を有する第１可撓性基板（１０）と、充填されたビア（２０）を介して第１可撓性基板（１０）の上表面に接続された第１可撓性基板（１０）の下側上の少なくとも１つの第１光回路（１２）と、第１可撓性基板（１０）の上側上の少なくとも１つの第１金属配線（２６）と、第１可撓性基板（１０）の下側と第２可撓性基板（１８）の上側とを接続する光学接着剤層（１６）と、第２可撓性基板（１８）の下面上の少なくとも１つの第２金属配線（３０）であって、第２可撓性基板（１８）、光学接着剤層（１６）、および第１可撓性基板（１０）を貫通する充填ビア（２０）によって、少なくとも１つの第１金属配線（２６）に接続された第２金属配線（３０）と、を備える。【選択図】図１

Description

本出願は、集積回路基板に関するものであり、特に、光回路と電気回路基板との集積化に関する。

ハイパフォーマンス・コンピューティング（ＨＰＣ）のような高速・大容量データ伝送を行う将来の機器を支えるために、光接続は最適な技術であると言える。銅線による接続を備えた従来の電気回路は、データ帯域幅の制限と信号品位の問題により、もはや実用的ではない。光接続であれば、高性能機器に多くの利点がもたらされ、電磁干渉やノイズの影響をほとんど受けずに、減衰／損失、待ち時間、消費電力を抑えながら、大量データ伝送速度を実現できる。一方、配電や信号処理・制御には、電気接続が適している。電気接続は、業界で確立されたインフラストラクチャを備えた成熟した技術でもあるため、コスト面での利点も大きい。

可撓性を有する電子部品には、剛性を有するプリント基板（ＰＣＢ）に比べて高密度化、薄型化、軽量化、折りたたみ・曲げ加工が可能といった形状適合性等の多くの利点があり、素子の小型化のための有望な解決策として近年浮上してきている。さらに高密度化するために、信号伝達材料で充填したビアホールで層間の回路を接続した多層回路が採用されている。

光接続と電気接続とを１つのパッケージに集積することで両方のシステムの利点を実現することができる。これは、スーパーコンピュータ、ＩｏＴ（ＩｎｔｅｒｎｅｔｏｆＴｈｉｎｇｓ）、通信ネットワーク、画像検出、スマートディスプレイなどの高性能機器の、複雑で厳しい技術要件に対応する魅力的な解決策である。

ただし、両方の接続システムを組み合わせてコンパクトなパッケージングモジュールを実現するには、材料やプロセスの観点から大きな課題がある。光回路では、光信号はクラッド材で完全に覆われたコア材を通して伝送される。この光信号は全反射の原理に基づいて伝送されるため、コア材料の屈折率はクラッド材料の屈折率よりも高くなければならない。光信号を伝送する導波路として機能するコアは、通常、シリコン、ＩＩＩ－Ｖ、ガラス、またはその他の高分子材料でできている。電気回路では、通常、絶縁誘電体材料の間にある銅の配線を通じて電子信号が伝達される。前述のように、電気インタフェースの形成については十分に確立されており、通常は可撓性を有するポリイミド材料である誘電体表面の上に銅を蒸着し、パターン化し、エッチングして回路を形成する。各インタフェースの要件が大幅に異なるため、材料の積み重ねの新たな組み合わせが、集積化電気光学可撓性回路基板モジュールを実現する鍵となる。これに関して、そのユニークな特性から、光と電気の両方の接続に利用できる魅力的な材料としてガラスが浮上している。光インタフェースにおいて、ガラスは屈折率が比較的低いため、様々なコア材に対するクラッド材として適している。電気インタフェースにおいて、ガラスは、銅配線やビア接続に実質的に誘電損失を与えず優れた絶縁性を発揮する。さらにガラスは、シリコンなどの主流の半導体材料に近い熱膨張係数を備え、優れた熱安定性を有する。

光電子集積、光学接着剤、環状オレフィン重合体について、さまざまな米国特許において議論されている。例えば、米国特許６，９１０，８１２（Ｐｏｍｍｅｒｅｔａｌ）、９，１３０，２５４（Ｉｚａｄｉａｎ）、９，１１０，２００（Ｎｉｃｈｏｌｅｔａｌ）、および１０，０８９，５１６（Ｐｏｐｏｖｉｃｈｅｔａｌ）および米国特許出願２０１８／０１３８３４６（Ｓｉｍａｖｏｒｙａｎｅｔａｌ）および米国特許出願２０１８／０２２６０１４（Ｋｏｍａｎｄｕｒｉｅｔａｌ）が挙げられる。

本開示の主たる目的は、可撓性電気回路に光回路を埋め込む方法を提供することである。

本開示の他の目的は、集積型電気光学可撓性回路基板を提供することである。

本開示のさらなる目的は、電気および光接続の両方をパッケージ化した集積型電気光学可撓性回路基板を提供することである。

本開示の目的によれば、集積型電気光学可撓性回路基板が実現される。この集積型電気光学回路基板は、上側および下側を有する第１可撓性基板と、充填されたビアを介して第１可撓性基板の上側表面に接続された第１可撓性基板の下側上の少なくとも１つの第１光回路と、第１可撓性基板の上側上の少なくとも１つの第１金属配線と、第１可撓性基板の下側と第２可撓性基板の上側とを接続する光学接着剤層と、第２可撓性基板の下面上の少なくとも１つの第２金属配線であって、第２可撓性基板、光学接着剤層、および第１可撓性基板を貫通する充填ビアによって、少なくとも１つの第１金属配線に接続された第２金属配線と、を備える。

また、本開示の目的によれば、集積型電気光学可撓性回路基板が実現される。この集積型電気光学回路基板は、上側および下側を有する第１可撓性基板と、充填されたビアを介して第１可撓性基板の上側表面に接続された第１可撓性基板の下側上の少なくとも１つの第１光回路と、第１可撓性基板の上側上の少なくとも１つの第１金属配線と、第１可撓性基板の下側と第２可撓性基板の上側とを接続する光学接着剤層と、第２可撓性基板の上側上の少なくとも１つの第２金属配線と、第２可撓性基板の下側上の少なくとも１つの第３金属配線であって第２可撓性基板を貫通する充填ビアによって少なくとも１つの第２金属配線に接続された第３金属配線と、を備える。

本明細書の重要な部分を構成する添付図面として、以下を示す。
本開示の第１の好ましい実施形態の投影図である。本開示の第２の好ましい実施形態の投影図である。本開示の第３の好ましい実施形態の投影図である。本開示の第４の好ましい実施形態の投影図である。本開示の第５の好ましい実施形態を示す断面図である。本開示の完成したパッケージの断面図である。

本開示において、いくつかの形態の集積型電気光学可撓性回路基板（ＥＯＦＣＢ）を開示する。これらの回路基板はさまざまな特徴を有し、電気および光回路、可撓性電子部品、ガラス素材を備える。電気回路は一般的に信号が低速で、配電に使われることが多く、回路密度は低い。一方、光回路は一般的に信号が高速で、回路密度が高い。可撓性電子部品は、小型で薄型であり、一般的に配線密度が高く、折り畳みおよび折り曲げ可能である。ガラス材料は、滑らかで透明な表面を有し、誘電体信号の損失が少ない。

本開示のコンセプトは、可撓性電気回路に光回路を埋め込むことである。優れた絶縁特性とするために、可撓性電気回路に使用されるのと同じガラス基板上で製作を行う。光学接着剤を利用して導波路上にコア－クラッド構造を作成し、表面改質を利用してガラス表面を銅で直接金属化する。本開示のＥＯＦＣＢによれば、結合効率が高くなり光減衰が低くなる。結合効率とは、異なるインタフェース／媒体間を移動する際の信号損失を指し、減衰とは、インタフェース／媒体内での伝送中の信号強度の低下を指す。

基板表面が滑らかなガラスであるため、薄膜加工に適し、伝送ロスを最小限に抑える。ガラス固有の特性により、配線およびビアによる引き回しでの誘電損失が最小限に抑えられる。従来のプリント回路基板（ＰＣＢ）上で光モジュールと電子モジュールとを組み立てて相互に接続する必要があった分離型の光モジュールと電子モジュールと比較して、高密度配線と多層積層構造による大幅な寸法の縮小と共にモジュール組立工程の簡素化が見込まれる。これらの複数の組み立て工程を省略できるため、全体的なプロセスが簡素化される。

ここで特に図１を参照して、本開示の第１の好ましい実施形態について説明する。可撓性ガラス１０のベースフィルム材料を提供する。このガラス基板の厚さは、約１２．５～１００μｍの範囲である。ガラス基板を環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）に置き換えて、曲げ性と可撓性を高めてもよい。コア導波路材料を、ガラス基板１０上に堆積する。導波路材料の屈折率は、可撓性ガラス基板１０の屈折率より高くなければならない。導波路材料としては、シリコン、二酸化シリコン、ガリウムヒ素、リン化ガリウム、各種ポリマーなどがあり、導波路材料の厚さの範囲は、約４～１５μｍである。

導波路材料をパターニングし、光回路１２を形成する。導波管側壁の特定位置には、角度４５°のテーパー形状を形成する。このテーパー形状表面上には、４５度のマイクロミラー１４を堆積する。

パターン化された導波路光回路とベースフィルム１０との上に光学接着剤材料１６を積層する。この光学接着剤は、可撓性ガラス材１０の屈折率と全く同じ屈折率を有する必要がある。この光学接着剤材料として、エポキシ、ポリウレタン、シリコーンエラストマー、紫外線硬化型アクリル、シアノアクリレート等のさまざまな代替材料が挙げられる。光学接着剤の厚さの範囲は、約２５～５０μｍの間である。

光学接着剤の反対側に、可撓性ガラスや環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）であってよいベースフィルム材料の第２層１８を積層する。この第２ベースフィルム１８の厚さは、約１２．５～１００μｍの範囲である。

指定した界面を貫通するガラス貫通ビア（ＴＧＶ）２０、２２を形成する。光ビア２０のＴＧＶは、ベースフィルム界面１０のみを貫通する。このＴＧＶの直径は１５～２５μｍであってよい。光ビア２０を完全に充填するように導波路材料を選択的に堆積する。

各可撓性ガラス基板１０、１８の外表面を改質してＳｉオリゴマー構造を形成した後、Ｐｄ触媒を堆積させて五員環配位（ｐｅｎｔａｇｏｎａｌｒｉｎｇｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ）により安定に保持する。改質可撓性ガラス表面に回路パターンを形成し、銅回路を構築するとともに、ＴＧＶ２２を充填して回路の片側をもう一方側と接続する。銅回路の厚さは、４～１５μｍの範囲である。ガラスまたはＣＯＰ基板１０および１８の外表面に電気インタフェースを形成する。例えば、基板１０、１８の外表面にＮｉ－Ｐまたは銅、銀、あるいはニッケル－クロムなど任意の種類の金属合金のシード層を形成し、所望のパターンを形成してもよい。その後、シード層上に銅配線をメッキによって形成してもよい。図では、シード層２４および銅配線２６が、基板１０の外表面にあり、シード層２８および銅配線３０が、基板１８の外表面にある。充填後のＴＧＶ２２によって、銅配線３０の少なくとも１つを銅配線２６の少なくとも１つに接続する。

図２は、本開示の第２の好ましい実施形態を示す図である。第１実施形態と同様に、可撓性ガラス１０のベースフィルム材料を提供する。このガラス基板の厚さは、約１２．５～１００μｍの範囲である。コア導波路材料を、ガラス基板１０上に堆積する。導波路材料の屈折率は、可撓性ガラス基板１０の屈折率より高くなければならない。他の導波路材料としては、シリコン、二酸化シリコン、ガリウムヒ素、リン化ガリウム、各種ポリマーなどがあり、導波路材料の厚さの範囲は、約４～１５μｍである。

本実施形態では、約１２．５～１００μｍの厚さを有する可撓性ガラス１８の第２ベースフィルム材を設ける。この第２のガラス基板１８上には、導波路材料１２と同一のコア導波路材料を堆積させる。導波路材料をパターニングし、第２光回路４２を形成する。導波管側壁の特定位置には、角度４５°のテーパー形状を形成する。このテーパー形状表面上には、４５度の第２マイクロミラー４４を堆積する。

ガラス基板１０と１８とが、光学接着剤材料１６で積層されている。光回路１２、４２は互いに向かい合い、光学接着剤内に積層される。上述のように、この光学接着剤は、可撓性ガラス材１０、１８の屈折率と全く同じ屈折率を有する必要がある。この光学接着剤として、エポキシ、ポリウレタン、シリコーンエラストマー、紫外線硬化型アクリル、シアノアクリレート等のさまざまな代替材料が挙げられる。光学接着剤の厚さの範囲は、約２５～５０μｍの間である。

光回路１２、４２にそれぞれガラス貫通ビア（ＴＧＶ）２０、４０を設け、第１ガラス基板１２上の銅配線２６と第２ガラス基板１８上の銅配線３０とをＴＧＶ２２で接続して、第１実施形態と同様にパッケージが完成する。

本開示の第３の好ましい実施形態では、図３に示すように、第２のガラス基板１８が、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）の積層基板１９で置き換えられている。この第２ベースフィルム１９の厚さは、１２．５～１００μｍの範囲にある。

ガラス基板１０の下側には、光回路１２とマイクロミラー１４が形成される。第２ベースフィルム１９の外表面を改質し、厚さ５～１５ｎｍの範囲のポリアミック酸（ＰＡＡ）層を形成し、その後、Ｐｄ触媒を蒸着した後、基材層１９の上側にシード層５１を備えた電気回路５３、基材層１９の下側にシード層２８を備えた金属配線３０を形成する。基板１９の一方側にある金属配線５３の少なくとも１つと、基板１９の反対側にある金属配線３０の少なくとも１つとを接続するために、ビア接続部５４が基板１９を貫通して形成される。

図４は、本開示の第４の好ましい実施形態を示す図である。本実施形態は、第２ベース基板１８をポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）層などの積層基板１９で置換した第３実施形態と同様なものである。第４の実施形態では、単一の基板層１９ではなく、界面の間に挿入された接合膜を備えた電気インタフェースの多層金属層基板を設けている。

第４実施形態では、ガラス基板１０の下側に、光回路１２とマイクロミラー１４が形成される。基板層１９の上側にはシード層５１を有する金属配線５３が形成され、基板層１９の下側にはシード層５６を有する金属配線５８が形成される。基板１９の一方側にある金属配線５３の少なくとも１つと、基板１９の反対側にある金属配線５８の少なくとも１つとを接続するために、ビア接続部５４が基板１９を貫通して形成される。同様に、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）層の積層基板からなる第２基板４９の一方側に、シード層６２を備えた金属配線６４が形成される。この２枚の基板１９と４９とは、その間に接合層５０を挟んで積層されている。この接合層は、約１０～５０μｍ（好ましくは約２５μｍ）の範囲の厚さを有する、エポキシ、シアニドエステル、アクリル系接着剤、エポキシによる変性ポリイミド（ＭＰＩ）などの繊維で強化された接着剤フィルムであってもよい。

多層金属基板１９／５０／４９は、上記のように、光学接着剤１６を用いてベースフィルム基板１０に積層され、上部、下部のビアと配線とが形成されている。ガラス貫通ビア２０および２２が、基板１０および光学接着剤１６を介して形成される。光ビア２０を完全に充填するように導波路材料を選択的に堆積する。可撓性ガラス基板１０の外表面を改質してＳｉオリゴマー構造を形成した後、Ｐｄ触媒を堆積させて五員環配位により安定に保持する。ガラス基板１０の外表面に電気インタフェースを形成する。例えば、基板１０の外表面にＮｉ－Ｐまたは銅、銀、あるいはニッケル－クロムなど任意の種類の金属合金のシード層を形成し、所望のパターンを形成してもよい。その後、シード層上に銅配線をメッキによって形成してもよい。図では、シード層２４および銅配線２６が、基板の外表面にある。充填後のＴＧＶ２２によって、銅配線２６の少なくとも１つを、折り曲げ可能な多層金属基板１９上の銅配線５３の少なくとも１つに接続する。

同様に、折り曲げ可能な多層金属基板のベースフィルム４９と接合膜５０とを貫通するビア開口６０、６１を形成する。外側のベースフィルム４９の外表面を改質し、厚さ５～１５ｎｍの範囲のポリアミック酸（ＰＡＡ）層を形成し、その後、Ｐｄ触媒を蒸着した後、ベースフィルム層４９の外側にシード層７８を備えた電気回路８０を形成する。

図５は、本開示の第５の好ましい実施形態を示す図である。この実施形態では、可撓性ポリイミド基板４７が折り畳まれている。ガラスまたはＣＯＦ基板１０は、折り畳まれた可撓性基板４７の両端部の間に位置する。マイクロミラー１４を備えた導波路回路１２が形成された基板１０の一方の表面上で、光学接着剤層１４により基板１０を可撓性基板４７に接合する。基板１０の反対側の表面では、接合膜５０によって基板１０と可撓性基板４７の反対側のアーム部とを接合する。

図６は、集積型電気光学可撓性回路基板を示す図である。この可撓性回路基板は、第１の実施形態における図１の基板と同様である。ただし、以下に説明する製造工程において第１から第５の実施形態のいずれかを使用可能であると理解されるであろう。アンプ・ドライバ集積回路１００などの電子素子は、可撓性回路基板の一方の外側面の銅配線２６の上に実装される。垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）や光検出器（ＰＤ）モジュールなどの光電子素子１０２は、可撓性回路基板の同じ外側面の銅配線２６上に実装される。これらの素子１０２は、光学ビア２０と位置合わせされている。例えば、素子１００および１０２は、フリップチップまたはワイヤボンディングなどの表面実装技術（ＳＭＴ）によって表面実装素子（ＳＭＤ）９０に実装してもよい。光インタフェース１０４は、他の任意のモジュールからの着信信号１０６またはこのパッケージ構造で説明したモジュールからの発信信号用の導波路（媒体）である。

本開示では、集積型電気光学可撓性回路基板の様々な実施形態について説明してきた。本開示のＥＯＦＣＢによれば、結合効率を高め光減衰を抑えるとともに、高密度配線と多層積層によって大幅なサイズの縮小を実現する。

本開示の好ましい実施形態について例示し、その形態について詳細に説明してきたが、当業者であれば、本開示の精神または添付の請求項の範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされ得ることが容易に理解されよう。

Claims

集積型電気光学回路基板であって、
上側と下側とを有する第１可撓性基板と、
充填されたビアを介して前記第１可撓性基板の前記上側表面に接続された前記下側上の少なくとも１つの第１光回路と、
前記第１可撓性基板の前記上側上の少なくとも１つの第１金属配線と、
前記第１可撓性基板の前記下側と第２可撓性基板の上側とを接続する光学接着剤層と、
前記第２可撓性基板の下面上の少なくとも１つの第２金属配線であって、前記第２可撓性基板、前記光学接着剤層、および前記第１可撓性基板を貫通する充填ビアによって、前記少なくとも１つの第１金属配線に接続された第２金属配線と、を備える集積型電気光学回路基板。
前記第１可撓性基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有するガラスまたは環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）を含む、請求項１に記載の装置。
前記少なくとも１つの第１光回路が、約４～１５μｍの厚さを有し、前記第１可撓性基板の屈折率よりも高い屈折率を有する、シリコン、二酸化シリコン、ガリウムヒ素、リン化ガリウム、またはポリマーを含む導波路である、請求項１に記載の装置。
前記第１光回路と前記充填されたビアとの間に４５度のマイクロミラーをさらに備える、請求項３に記載の装置。
前記光学接着剤材料は、約２５～５０μｍの厚さを有し、前記第１可撓性基板の屈折率と同一の屈折率を有する、エポキシ、ポリウレタン、シリコーンエラストマー、紫外線硬化型アクリル、またはシアノアクリレートを含む、請求項１に記載の装置。
前記第１および第２金属配線が、約４～１５μｍの厚さを有する銅と、約０．０１～０．５μｍの厚さを有するＮｉ－Ｐの下層シード層とを備える、請求項１に記載の装置。
前記第２可撓性基板の前記上側表面上に少なくとも１つの第２光回路をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記第２可撓性基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有する可撓性ガラスまたは環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）を含む、請求項１に記載の装置。
前記少なくとも１つの第１金属配線上に実装した少なくとも１つの電気素子と、
前記少なくとも１つの第１光回路上に実装した少なくとも１つの光電子素子と、をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記少なくとも１つの電気素子と前記少なくとも１つの光電子素子とが、フリップチップおよびワイヤボンディングを含む表面実装技術（ＳＭＴ）によって実装される、請求項９に記載の装置。
集積型電気光学回路基板であって、
上側と下側とを有する第１可撓性基板と、
充填されたビアを介して前記第１可撓性基板の前記上側表面に接続された前記第１可撓性基板の前記下側上の少なくとも１つの第１光回路と、
前記第１可撓性基板の前記上側上の少なくとも１つの第１金属配線と、
前記第１可撓性基板の前記下側と第２可撓性基板の上側とを接続する光学接着剤層と、
前記第２可撓性基板の上側上の少なくとも１つの第２金属配線と、前記第２可撓性基板の下側上の少なくとも１つの第３金属配線であって前記第２可撓性基板を貫通する充填ビアによって前記少なくとも１つの第２金属配線に接続された第３金属配線と、を備える集積型電気光学回路基板。
前記第１可撓性基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有するガラスまたは環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）を含む、請求項１１に記載の装置。
前記少なくとも１つの第１光回路が、約４～１５μｍの厚さを有し、前記第１可撓性基板の屈折率よりも高い屈折率を有する、シリコン、二酸化シリコン、ガリウムヒ素、リン化ガリウム、またはポリマーを含む導波路である、請求項１１に記載の装置。
前記第１光回路と前記充填されたビアとの間に４５度のマイクロミラーをさらに備える、請求項１３に記載の装置。
前記光学接着剤材料は、約２５～５０μｍの厚さを有し、前記第１可撓性基板の屈折率と同一の屈折率を有する、エポキシ、ポリウレタン、シリコーンエラストマー、紫外線硬化型アクリル、またはシアノアクリレートを含む、請求項１１に記載の装置。
前記第１、第２、および第３金属配線が、約４～１５μｍの厚さを有する銅と、約０．０１～０．５μｍの厚さを有するＮｉ－Ｐの下層シード層とを備える、請求項１１に記載の装置。
前記第２可撓性基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有する、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）の積層基板を含む、請求項１１に記載の装置。
前記第２可撓性基板が多層金属層基板を含む、請求項１１に記載の装置。
前記多層金属層基板は、接合膜を間に挟んだ第３および第４可撓性基板を備え、第４および第５金属配線が前記第３可撓性基板上および前記第３可撓性基板を貫通して形成され、第６および第７金属配線が前記第４可撓性基板および前記接合膜上およびそれらを貫通して形成され、前記第３及び第４可撓性基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有する、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）の積層基板を含む、請求項１８に記載の装置。
前記多層金属層基板が、約１２．５～１００μｍの厚さを有する、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン、またはエポキシとＢＴ、テフロン（登録商標）、または変性テフロン（登録商標）の積層基板を含む、第３可撓性基板を備え、
第４金属配線が、前記第３可撓性基板の第１半分上およびそれを貫通して形成され、
前記第２および第３金属配線が、前記第３可撓性基板の第２半分上およびそれを貫通して形成され、
接合膜が、前記第３可撓性基板の前記第１半分と前記第１可撓性基板の上側とを接合し、
前記第１金属配線と前記第２金属配線との間に電気接続が形成され、
前記光学接着剤が、前記第１可撓性基板の前記下側と前記第３可撓性基板の前記第２半分とを接合する、請求項１８に記載の装置。
前記少なくとも１つの第１金属配線上に実装した少なくとも１つの電気素子と、
前記少なくとも１つの第１光回路上に実装した少なくとも１つの光電子素子と、をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
前記少なくとも１つの電気素子と前記少なくとも１つの光電子素子とが、フリップチップおよびワイヤボンディングを含む表面実装技術（ＳＭＴ）によって実装される、請求項２１に記載の装置。