JP2022551954A - 折り曲げ可能な装置を作製する方法 - Google Patents

Abstract

折り曲げ可能な装置は、厚み（Ｔ）と第１主要表面に沿って延在する複数の溝とを有する折り曲げ可能な基板を備えうる。溝間隔（Ｇｓ）は一対の溝間に画定される。前記複数の溝の第１の溝は溝深さ（Ｇｄ）と溝幅（Ｇｗ）を有する。幾つかの実施形態では、７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０。幾つかの実施形態では、（Ｇｗ／Ｔ）≧０．１、（Ｇｓ／Ｔ）≦１．５、０．３＜（Ｇｄ／Ｔ）≦０．９５。幾つかの実施形態では、中央容積で割った結合溝容積は約０．３以上でありうる。折り曲げ可能な装置を作製する方法は、ある量の溶融材料からリボンを引っ張り形成デバイスから離すステップを含む。方法はドロー方向に進むリボンの目標位置にレーザービームを当てリボンに溝を形成するステップを更に含む。幾つかの実施形態では、前記溝は複数の溝から成りうる。

Description

関連出願

本出願は、２０１９年１０月１４日に出願された米国仮特許出願第６２／９１４７６２号及び２０１９年１０月１４日に出願された米国仮特許出願第６２／９１４７４６号の米国特許法第１１９条の下の優先権の利益を主張するものであり、それぞれの内容全体を本明細書に援用する。

本開示は概ね、折り曲げ可能な装置及び作製方法、特に、折り曲げ可能な基板を備える折り曲げ可能な装置及び折り曲げ可能な装置を作製する方法に関する。

ガラスベース基板が、例えば表示用途、例えば液晶表示器（ＬＣＤ）、電気泳動表示器（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード表示器（ＯＬＥＤ）、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）などで広く使用される。このような表示器は、例えば携帯電話、タブレット、ラップトップ、腕時計、装着型装置、及び／又はタッチ可能モニター又はディスプレイに組み込まれうる。

ガラスベース基板をレーザーで除去することでガラスベース基板に溝を形成することは知られている。溝が形成されると、ガラスベース基板は、レーザー形成された溝により折り曲げ軸に沿って折り曲げできる折り曲げ可能なガラスベース基板と成りうる。しかし、ガラスベース基板を除去することは、溝の近傍でガラスベース基板に表面損傷を生じうる。表面損傷はガラスベース基板を折り曲げる時に亀裂破損点として働き、従ってガラスベース基板の折り曲げ性を制限しうる。また、ガラスベース基板に溝を形成することは、時間がかかり複数のステップを含みうる。

表示器の折り曲げ可能なバージョンと折り曲げ可能な表示器に装着する折り曲げ可能な保護カバーを開発することが望まれている。折り曲げ可能な表示器及びカバーは良好な耐衝撃及び穿孔性を持つべきである。同時に、折り曲げ可能な表示器及びカバーは小さな最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル（ｍｍ）以下）を持つべきである。しかし、小さな最小曲げ半径を持つプラスチック表示器及びカバーは不十分な耐衝撃及び／又は穿孔性を持ちやすい。また、従来の知識は、小さな最小曲げ半径を持つ極薄ガラスベースシート（例えば、厚さ約７５マイクロメートル（μｍ）以下）は不十分な耐衝撃及び／又は穿孔性を持ちやすいことを示唆する。また、良好な耐衝撃及び／又は穿孔性を持つより厚いガラスベースシート（例えば、１２５マイクロメートル超）は、比較的大きな最小曲げ半径（例えば、約３０ミリメートル以上）を持ちやすい。

従って、小さな最小曲げ半径と良好な耐衝撃及び穿孔性を持つ折り曲げ可能な装置のための折り曲げ可能な基板（例えば、折り曲げ可能なガラスベース基板、折り曲げ可能なセラミックベース基板）を開発する必要がある。

折り曲げ可能な装置と、折り曲げ可能な基板を備える折り曲げ可能な装置を作製する方法とが本明細書に明記される。本開示の実施形態に係る装置は幾つかの技術的利点を提供しうる。本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な基板に複数の溝を備える装置は、溝のない折り曲げ可能な基板に比べて折り曲げ可能な基板の曲げ誘発応力を低減できる。低減された曲げ誘発応力は向上した折り曲げ性能という技術的利点を提供し、例えばより小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル以下）を達成しうる。低減された曲げ誘発応力は、所定の有効曲げ半径のより厚い折り曲げ可能な基板の使用を可能にし、より厚い折り曲げ可能な基板は良好な耐衝撃及び／又は穿孔性を可能にしうる。約１．５以下の比（Ｇｓ／Ｔ）、約０．３から約０．９５の範囲の比（Ｇｄ／Ｔ）、約０．３以上の比（Ｇｗ／Ｔ）、又はこれらの組み合わせを有する複数の溝を設けることは、低減された曲げ誘発応力を提供できる。式７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす複数の溝を折り曲げ可能な基板に設けることは、曲げ誘発応力低減を提供できる。結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）が約０．３以上となるように複数の溝を設けることは、曲げ誘発応力低減を提供できる。また、折り曲げ可能な基板（例えば、基板の中央部分）を化学的に強化することは、向上した有効最小曲げ半径及び／又は折り曲げ可能な基板の低減された損傷（例えば、破損及び／又は亀裂）の技術的利点を提供しうる。これは化学的強化による圧縮応力は引張り曲げ誘発力を打ち消しうるからである。また、中央部分を第２厚み及び有効最小曲げ半径（例えば、曲げ長さ）の約３倍以上（例えば、４．４倍）の幅とすることは、折り曲げ可能な装置の応力集中と損傷を低減しうる。光学的に透明な接着剤の屈折率を折り曲げ可能な基板の屈折率に合わせる（例えば、約０．１以内）ことは、折り曲げ可能な装置の光学的歪みを最小にしうる。

また、折り曲げ可能な装置を作る方法は基板（例えば、ガラスベース基板及び／又はセラミックベース基板）の表面損傷（従来技術ではできる場合がある）を低減又は無くしうる。幾つかの実施形態では、溝を形成するための基板の除去は、基板の目標位置にレーザービームを当てることで実行されうり、レーザービームを目標位置に最初当て始める時に基板の目標位置はセ氏５００度（℃）以上の加熱温度である。基板の加熱温度はレーザー除去処置で生じた表面損傷を部分的に又は完全に修復するのを助けうる。レーザー除去時の目標位置の加熱温度は、基板の一部が流れ表面損傷又はレーザー除去処理で生じた他の残留欠陥を部分的に又は完全に消去及び／又は修復及び／又は低減するのを許しうる。また、溝はリボンを形成する方法に続いて形成され、溝を形成するステップを減らしうる。また、溝はリボン形成プロセスに続いて形成されるので、幾つかの実施形態では、溝形成後に個々の折り曲げ可能な基板をリボンから分離する代わりに、溝が既に形成された単一のリボンを格納ロールに巻き付けてもよい。後で、リボンは格納ロールから解かれ個々の折り曲げ可能な基板に分離されてもよい。従って、単一の格納ロールは容易に保管され、次に、個々の折り曲げ可能な基板を、望む時に、格納ロールから解かれたリボンから分離してもよい。また、格納ロールからリボンを解く時、中央部分の数は各個々の折り曲げ可能な基板に対して選択されてもよい。即ち、２つ折りの折り曲げ可能な基板、３つ折りの折り曲げ可能な基板、又は他の折り曲げ可能な基板構成を格納ロールからリボンを解く時に選択してもよい。

本開示の幾つかの実施形態が下記に説明され、様々な実施形態の特徴のいずれも単独で又は互いに組み合わせて使用されてよいことが理解される。

実施形態１：折り曲げ可能な装置は折り曲げ可能な基板の幅の方向に延在する軸の周りに折り曲げ可能な前記基板を備える。前記折り曲げ可能な基板は、第１主要表面、第２主要表面、及び前記第１主要表面と前記第２主要表面の間に画定された厚み（Ｔ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記第１主要表面に沿って延在する複数の溝を備える中央部分を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記複数の溝のうち一対の溝間に画定された溝間隔（Ｇｓ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記厚み（Ｔ）の方向の溝深さ（Ｇｄ）、前記折り曲げ可能な基板の幅の方向の溝長さ、及び前記折り曲げ可能な基板の前記幅に垂直な長さの方向の溝幅（Ｇｗ）を有する前記複数の溝の第１の溝を更に有する。７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす。

実施形態２：前記比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．１以上である、実施形態１記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３：前記比（Ｇｓ／Ｔ）は約１．５以下である、実施形態１及び２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態４：前記比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．３から約０．９５の範囲内である、実施形態１～３のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態５：折り曲げ可能な装置は折り曲げ可能な基板の幅の方向に延在する軸の周りに折り曲げ可能な前記基板を備える。前記折り曲げ可能な基板は、第１主要表面、第２主要表面、及び前記第１主要表面と前記第２主要表面の間に画定された厚み（Ｔ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記第１主要表面に沿って延在する複数の溝を備える中央部分を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記複数の溝のうち一対の溝間に画定された溝間隔（Ｇｓ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記厚み（Ｔ）の方向の溝深さ（Ｇｄ）、前記折り曲げ可能な基板の幅の方向の溝長さ、及び前記折り曲げ可能な基板の前記幅に垂直な長さの方向の溝幅（Ｇｗ）を有する前記複数の溝の第１の溝を更に有する。溝幅（Ｇｗ）と厚み（Ｔ）の比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．１以上である。溝間隔（Ｇｓ）と厚み（Ｔ）の比（Ｇｓ／Ｔ）は約１．５以下である。溝深さ（Ｇｄ）と厚み（Ｔ）の比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．３から約０．９５の範囲内である。

実施形態６：前記第１主要表面は第１平面に沿って延在し、前記第２主要表面は前記第１平面に平行な第２平面に沿って延在する、実施形態１～５のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。該折り曲げ可能な装置は前記複数の溝の各溝の前記第１平面で区切られ前記中央部分の外縁によって外接された容積の和から成る結合溝容積（Ｖｇ）を更に有する。該折り曲げ可能な装置は前記第１平面と前記第２平面の間に画定され前記中央部分の外縁によって外接された中央容積（Ｖｃ）を更に有する。前記結合溝容積（Ｖｇ）と前記中央容積（Ｖｃ）の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３以上である。

実施形態７：折り曲げ可能な装置は折り曲げ可能な基板の幅の方向に延在する軸の周りに折り曲げ可能な前記基板を備える。前記折り曲げ可能な基板は、第１平面に沿って延在する第１主要表面、前記第１平面に平行な第２平面に沿って延在する第２主要表面、及び前記第１主要表面と前記第２主要表面の間に画定された厚み（Ｔ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記第１主要表面に沿って延在する複数の溝を備える中央部分を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記複数の溝のうち一対の溝間に画定された溝間隔（Ｇｓ）を更に有する。前記折り曲げ可能な基板は、前記厚み（Ｔ）の方向の溝深さ（Ｇｄ）、前記折り曲げ可能な基板の幅の方向の溝長さ、及び前記折り曲げ可能な基板の前記幅に垂直な長さの方向の溝幅（Ｇｗ）を有する前記複数の溝の第１の溝を更に有する。該折り曲げ可能な装置は前記複数の溝の各溝の前記第１平面で区切られ前記中央部分の外縁によって外接された容積の和から成る結合溝容積（Ｖｇ）を更に有する。該折り曲げ可能な装置は前記第１平面と前記第２平面の間に画定され前記中央部分の外縁によって外接された中央容積（Ｖｃ）を更に有する。前記結合溝容積（Ｖｇ）と前記中央容積（Ｖｃ）の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３以上である。

実施形態８：前記比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３から約０．６の範囲内である、実施形態６及び７のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態９：前記第１の溝は概ね真っ直ぐである、実施形態１～８のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１０：前記第１の溝は前記溝長さに垂直な断面輪郭であって、全溝長さに沿って等距離隔てた１０個の位置で概ね同一の断面輪郭を有する、実施形態１～９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１１：前記第１の溝は前記複数の溝の第２の溝と概ね平行である、実施形態１～１０のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１２：前記厚み（Ｔ）は約１００マイクロメートルから約３ミリメートルの範囲内である、実施形態１～１１のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１３：前記第１の溝は溝表面によって画定され、前記溝表面と前記第２主要表面の間の最小距離は約２０マイクロメートルから約１００マイクロメートルの範囲内である、実施形態１～１２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１４：前記複数の溝の各溝は概ね同じ溝深さ（Ｇｄ）を有する、実施形態１～１３のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１５：前記溝幅（Ｇｗ）は約２０マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲内である、実施形態１～１４のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１６：前記複数の溝の各溝は概ね同じ溝幅（Ｇｗ）を有する、実施形態１～１５のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１７：前記溝長さは前記折り曲げ可能な基板の幅に等しい、実施形態１～１６のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１８：前記複数の溝の各溝は概ね同じ溝長さを有する、実施形態１～１７のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１９：前記複数の溝は概ね同一の溝である、実施形態１～１８のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２０：前記折り曲げ可能な基板はセラミックベース基板から成る、実施形態１～１９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２１：前記折り曲げ可能な基板はガラスベース基板から成る、実施形態１～１９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２２：前記折り曲げ可能な基板は前記第２主要表面から第２圧縮深さまで延在する第２圧縮応力領域を有する、実施形態２０又は２１記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２３：前記折り曲げ可能な基板は前記第１主要表面から第１圧縮深さまで延在する第１圧縮応力領域を有する、実施形態２２記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２４：前記第１圧縮応力領域の最大圧縮応力は約２００メガパスカルから約１５００メガパスカルの範囲内であり、前記第２圧縮応力領域の最大圧縮応力は約２００メガパスカルから約１５００メガパスカルの範囲内である、実施形態２３記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２５：前記第１圧縮応力領域の最大応力は前記第２圧縮応力領域の最大応力と概ね等しい、実施形態２４記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２６：前記第１圧縮深さは前記厚み（Ｔ）の約１０％から約３０％の範囲内であり、前記第２圧縮深さは前記厚み（Ｔ）の約１０％から約３０％の範囲内である、実施形態２３～２５のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２７：前記第１圧縮深さは前記第２圧縮深さと概ね等しい、実施形態２６記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２８：前記折り曲げ可能な基板は約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の有効最小曲げ半径を有する、実施形態１～２７のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態２９：前記折り曲げ可能な基板は５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施形態２８記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３０：前記折り曲げ可能な基板の長さ方向の前記中央部分の中央幅は約０．５ミリメートルから約５０ミリメートルの範囲内である、実施形態１～２９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３１：前記第１主要表面に接触する第１接触表面を有する光学的に透明な接着剤を更に備え、前記光学的に透明な接着剤は前記第１の溝を満たす、実施形態１～３０のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３２：前記折り曲げ可能な基板の屈折率と前記光学的に透明な接着剤の屈折率の差の大きさは約０．１以下である、実施形態３１記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３３：剥離ライナーが前記光学的に透明な接着剤の第１接触表面と反対側の第２接触表面に接触する、実施形態３０～３２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３４：表示器が前記光学的に透明な接着剤の第１接触表面と反対側の第２接触表面に接触する、実施形態３０～３２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３５：前面、裏面、及び側面を有するハウジングを備える消費家電製品。前記消費家電製品は少なくとも部分的に前記ハウジング内に電気部品を備える。電気部品はコントローラ、メモリ、及びディスプレイを含み、ディスプレイはハウジングの前面に又は前面の近くにある。消費家電製品はディスプレイ上に配置されたカバー基板を備える。ハウジングの一部又はカバー基板の少なくとも１つは、実施形態１～３４のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置を備える。

実施形態３６：折り曲げ可能な装置を作製する方法は、ある量の溶融材料からリボンをドロー方向に進むように引っ張り形成デバイスから離すステップを含む。前記方法はレーザーからレーザービームを放出するステップと、ドロー方向に進むリボンの目標位置にレーザービームを当てリボンに溝を形成するステップを更に含む。前記リボンは前記溝を備える折り曲げ可能な基板を形成する。前記折り曲げ可能な基板の厚みは前記折り曲げ可能な基板の第１主要表面と、前記第１主要表面と反対側の第２主要表面の間に画定される。前記折り曲げ可能な基板の前記溝は前記厚みの方向の溝深さを有し、前記溝深さは約１０マイクロメートルから前記折り曲げ可能な基板の前記厚みの約９５％までの範囲内である。

実施形態３７：前記溝を形成するステップは複数の溝を形成することから成り、前記目標位置に当てることは、前記リボンの複数の目標位置に前記レーザービームを当てることから成る、実施形態３６記載の方法。

実施形態３８：前記レーザービームは複数のレーザービームから成り、前記目標位置に当てる間、前記各レーザービームは前記複数の目標位置のうち対応する目標位置に当たる、実施形態３７記載の方法。

実施形態３９：前記溝を形成するステップは、前記ドロー方向を横切る方向に前記レーザービームを走査することを含む、実施形態３６～３８のいずれかに記載の方法。

実施形態４０：前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に、前記目標位置はセ氏５００度（℃）以上の温度である、実施形態３６～３９のいずれかに記載の方法。

実施形態４１：前記レーザービームは約１マイクロメートル（μｍ）から約２０マイクロメートルの範囲内の波長を有する、実施形態３６～４０のいずれかに記載の方法。

実施形態４２：前記レーザーは二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザー又は一酸化炭素（ＣＯ）レーザーから成る、実施形態３６～４１のいずれかに記載の方法。

実施形態４３：前記リボンに引っ張りローラを接触させ前記リボンを引っ張るステップを更に含み、前記目標位置に当てる間、前記目標位置は前記形成デバイスと前記引っ張りローラの間に位置する、実施形態３６～４２のいずれかに記載の方法。

実施形態４４：前記リボンの前記目標位置は、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に、約１０^３パスカル秒から約１０^６．６パスカル秒の範囲の粘度を有する、実施形態３６～４３のいずれかに記載の方法。

実施形態４５：前記目標位置に前記レーザービームを当てることは、前記目標位置の粘度を減少させることで前記目標位置において前記リボンの厚みを減少させる、実施形態３６～４３のいずれかに記載の方法。

実施形態４６：前記リボンの前記目標位置は、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に、約１０^１１パスカル秒から約１０^１４パスカル秒の範囲の粘度を有する、実施形態３６～４０のいずれかに記載の方法。

実施形態４７：前記リボンに引っ張りローラを接触させ前記リボンを引っ張るステップを更に含み、前記引っ張りローラは前記目標位置と前記形成デバイスの間に位置する、実施形態３６～４０及び４６のいずれかに記載の方法。

実施形態４８：前記目標位置に前記レーザービームを当てることは、前記目標位置において前記リボンを除去して前記溝を形成する、実施形態３６～４０、４６、及び４７のいずれかに記載の方法。

実施形態４９：光学的に透明な接着剤の第１接触表面を前記第１主要表面に接触させるステップを更に含む実施形態３６～４８のいずれかに記載の方法。

実施形態５０：前記光学的に透明な接着剤は前記溝を満たす、実施形態４９記載の方法。

実施形態５１：表示器を前記光学的に透明な接着剤の第２接触表面に接着させるステップを更に含む実施形態４９及び５０のいずれかに記載の方法。

実施形態５２：剥離ライナーを前記光学的に透明な接着剤の第２接触表面に接着するステップを更に含む実施形態４９及び５０のいずれかに記載の方法。

実施形態５３：前記折り曲げ可能な基板を化学的に強化するステップを更に含む実施形態３６～５２のいずれかに記載の方法。

実施形態５４：前記折り曲げ可能な基板はセラミックベース基板から成る、実施形態３６～５３のいずれかに記載の方法。

実施形態５５：前記折り曲げ可能な基板はガラスベース基板から成る、実施形態３６～５３のいずれかに記載の方法。

実施形態５６：折り曲げ可能な装置を作製する方法は、リボンをセ氏５００度（℃）以上の加熱温度に加熱するステップを含む。この方法はレーザーからレーザービームを放出し、前記リボンの目標位置に前記レーザービームを当て前記リボンに溝を形成するステップを更に含む。前記リボンは折り曲げ可能な基板を形成し、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に前記折り曲げ可能な基板の前記目標位置は前記加熱温度である。前記折り曲げ可能な基板の厚みは前記折り曲げ可能な基板の第１主要表面と、前記第１主要表面と反対側の第２主要表面の間に画定される。前記折り曲げ可能な基板の前記溝は前記厚みの方向の溝深さを有し、前記溝深さは約１０マイクロメートルから前記折り曲げ可能な基板の前記厚みの約９５％までの範囲内である。

実施形態５７：前記溝を形成するステップは複数の溝を形成することから成り、前記目標位置に当てることは、前記リボンの複数の目標位置に前記レーザービームを当てることから成る、実施形態５６記載の方法。

実施形態５８：前記レーザービームは複数のレーザービームから成り、前記目標位置に当てる間、前記各レーザービームは前記複数の目標位置のうち対応する目標位置に当たる、実施形態５７記載の方法。

実施形態５９：前記リボンの前記目標位置は、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に、約１０^１１パスカル秒から約１０^１４パスカル秒の範囲の粘度を有する、実施形態５６～５８のいずれかに記載の方法。

実施形態６０：前記目標位置に前記レーザービームを当てることは、前記目標位置において前記リボンを除去して前記溝を形成する、実施形態５６～５９のいずれかに記載の方法。

実施形態６１：光学的に透明な接着剤の第１接触表面を前記第１主要表面に接触させるステップを更に含む実施形態５６～６０のいずれかに記載の方法。

実施形態６２：前記光学的に透明な接着剤は前記溝を満たす、実施形態６１記載の方法。

実施形態６３：表示器を前記光学的に透明な接着剤の第２接触表面に接着させるステップを更に含む実施形態６１及び６２のいずれかに記載の方法。

実施形態６４：剥離ライナーを前記光学的に透明な接着剤の第２接触表面に接着するステップを更に含む実施形態６１及び６２のいずれかに記載の方法。

実施形態６５：前記折り曲げ可能な基板を化学的に強化するステップを更に含む実施形態５６～６４のいずれかに記載の方法。

実施形態６６：前記折り曲げ可能な基板はセラミックベース基板から成る、実施形態５６～６５のいずれかに記載の方法。

実施形態６７：前記折り曲げ可能な基板はガラスベース基板から成る、実施形態５６～６５のいずれかに記載の方法。

本開示の実施形態の上記及び他の特徴及び利点は、添付の図面を参照して下記の詳細な説明が読まれる時、より良く理解される。
本開示の幾つかの実施形態に係る折り曲げ可能な装置を作製するための装置を概略的に示す。 図１の線２‐２に沿った装置の断面図を示す。 図２の３の拡大図である。 本開示の幾つかの他の実施形態に係る折り曲げ可能な装置を作製するための他の装置である。 本開示の幾つかの実施形態に係る図２～４の線５‐５に沿った装置の実施形態の断面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態に係る図２～４の線５‐５に沿った装置の他の実施形態の断面図を示す。 本開示の幾つかの実施形態に係る図２～４の線５‐５に沿った装置の更に他の実施形態の断面図を示す。 本開示の方法で作られた折り曲げ可能な基板の実施形態の上面図である。 図８の線９‐９に沿った折り曲げ可能な基板の端面図である。 本開示の方法で作られた折り曲げ可能な装置の実施形態の断面図である。 本開示の方法で作られた折り曲げ可能な装置の他の実施形態の断面図である。 結合溝容積と中央容積の比の関数としての応力比を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が０．１３の場合の溝深さ及び溝幅の関数として応力変化を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が０．３３の場合の溝深さ及び溝幅の関数として応力変化を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が０．６７の場合の溝深さ及び溝幅の関数として応力変化を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が１．００の場合の溝深さ及び溝幅の関数として応力変化を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が１．３３の場合の溝深さ及び溝幅の関数として応力変化を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が０．１３３の場合の溝幅と厚みの比の関数としての応力比を例示するグラフである。 溝間隔・厚み比が１．３３の場合の溝幅と厚みの比の関数としての応力比を例示するグラフである。 本開示の実施形態に係る溝を有するガラスベースリボンを形成する方法を例示するフローチャートである。 本開示の方法で作られた折り曲げ可能な基板の他の実施形態の上面図である。 図２１の線２２‐２２に沿った折り曲げ可能な基板の端面図である。 故障モード試験のための衝撃装置である。 本開示の方法で作られた折り曲げ可能な装置の実施形態の断面図である。 幾つかの実施形態に係る消費家電装置例の概略平面図である。 図２５の消費家電装置例の概略斜視図である。

本開示を通して、図面はある態様を強調するために使用される。即ち、特に明記されない限り、図面に示された別々の領域、部分、及び基板の相対的サイズは実際の相対的サイズに比例していると考えるべきでない。

代表的な実施形態が示された添付の図面を参照しながら、実施形態をより完全に下記に記述する。可能ならいつでも、同じ又は類似の部品を指すために同じ符号を全図面に亘って使用する。しかし、請求項は様々な実施形態の多くの異なる態様を含みうり本明細書に明記された実施形態に限定されると解釈されるべきではない。

図８～１１は本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な装置８０１、１００１、及び１１０１の図を示し、図２１～２４は本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な装置２１０１、２３０２、及び２４０１の図を示す。そうでないと明示されない限り折り曲げ可能な装置の実施形態の特徴の説明は、本開示のどんな実施形態の対応する特徴にも等しく当てはまりうる。例えば、本開示を通して同一の符号は、幾つかの実施形態では、特定された特徴は互いに同じであり１つの実施形態の特定された特徴の説明は、本開示の他の実施形態のいずれの特定された特徴にも等しく当てはまりうる。

幾つかの実施形態では、図８～１１に示すように、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、及び１１０１は折り曲げ可能な基板８０３を備えうる。幾つかの実施形態では、図２１～２４に示すように、折り曲げ可能な装置２１０１は折り曲げ可能な基板２１０３を備えうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３及び／又は２１０３は、８Ｈ以上、例えば９Ｈ以上の鉛筆硬度を有するガラスベース基板及び／又はセラミックベース基板であってよい。

本開示を通して、「ガラスベース」材料は冷えてガラス又はガラスセラミックに成りうる又は既に冷えてガラス又はガラスセラミックに成った材料、及び／又は更なる処理後にガラスセラミックに成る材料と考えられる。ガラスセラミックは１つ以上の結晶相、及び非晶質残留ガラス相を有する。ガラスベース材料は非晶質材料（例えば、ガラス）及び任意選択で１つ以上の結晶質材料（例えば、セラミック）を含んでもよい。酸化リチウムを含まない又は含む複数の代表的なガラスベース材料は、ソーダ石灰ガラス、アルカリ・アルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸塩ガラス、アルカリ含有アルミノホウケイ酸塩ガラス、アルカリ含有リンケイ酸塩ガラス、及びアルカリ含有アルミノリンケイ酸塩ガラスから成る。１つ以上の実施形態では、ガラスベース材料はモルパーセント（モル％）で約４０モル％から約８０モル％の範囲内のＳｉＯ_２、約１０モル％から約３０モル％の範囲内のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％から約１０モル％の範囲内のＢ_２Ｏ_３、０モル％から約５モル％の範囲内のＺｒＯ_２、０モル％から約１５モル％の範囲内のＰ_２Ｏ_３、０モル％から約２モル％の範囲内のＴｉＯ_２、０モル％から約２０モル％の範囲内のＲ_２Ｏ、及び０モル％から約１５モル％の範囲内のＲＯを含んでよい。本書で使用するように、Ｒ_２Ｏはアルカリ金属酸化物、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、及びＣｓ_２Ｏを指しうる。本書で使用するように、ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯを指しうる。幾つかの実施形態では、ガラスベース基板は任意選択でＮａ_２ＳＯ_４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ_２ＳＯ_４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＭｎＯ_２、ＭｎＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｍｎ_２Ｏ_７のそれぞれを０モル％から約２モル％の範囲内で更に含んでもよい。「ガラスセラミック」は制御されたガラス結晶化により作られた材料を含む。幾つかの実施形態では、ガラスセラミックは約１％～約９９％結晶化度を有する。適切なガラスセラミックの例は、Ｌｉ_２Ｏ‐Ａｌ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２システム（即ち、ＬＡＳシステム）ガラスセラミック、ＭｇＯ‐Ａｌ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２システム（即ち、ＭＡＳシステム）ガラスセラミック、ＺｎＯ×Ａｌ_２Ｏ_３×ｎＳｉＯ_２（即ち、ＺＡＳシステム）、及び／又はβ‐石英固溶体、β‐リシア輝石、菫青石、葉長石、及び／又はリチウム二ケイ酸塩を含む主要結晶相を含むガラスセラミックを含んでよい。ガラスセラミック基板は化学強化処理を使って強化されてもよい。１つ以上の実施形態では、ＭＡＳシステムガラスセラミック基板はＬｉ_２ＳＯ_４溶融塩内で強化されてもよく、２Ｌｉ^＋のＭｇ^２＋との交換が起こりうる。

本開示を通して、「セラミックベース」材料はセラミック及びガラスセラミック両方を含み、ガラスセラミックは１つ以上の結晶相、及び非晶質残留ガラス相を有する。幾つかの実施形態では、セラミックベース材料はガラスベース材料を加熱してセラミック（例えば、結晶質）部分を形成することで形成される。他の実施形態では、セラミックベース材料は結晶相の形成を容易にしうる１つ以上の核形成剤を含んでもよい。幾つかの実施形態では、セラミックベース材料は１つ以上の酸化物、窒化物、オキシ窒化物、炭化物、ホウ化物、及び／又はケイ化物を含みうる。セラミック酸化物の実施形態は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、ジルコン酸化ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ_４）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ））、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ））、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ハフニウム（Ｈｆ_２Ｏ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、酸化鉄、酸化ベリリウム、酸化バナジウム（ＶＯ_２）、溶融石英、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の化合物を含む鉱物）、及びスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）を含む。セラミック窒化物の実施形態は、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ_３Ｎ_２）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化バナジウム、アルカリ土類金属窒化物（例えば、窒化マグネシウム（Ｍｇ_３Ｎ_２））、窒化ニッケル、及び窒化タンタルを含む。オキシ窒化物セラミックの実施形態は、オキシ窒化ケイ素、オキシ窒化アルミニウム、及びＳｉＡｌＯＮ（酸化アルミニウムと窒化ケイ素の化合物でＳｉ_{１２－ｍ－ｎ}Ａｌ_ｍ＋ｎＯ_ｎＮ_{１６－ｎ、}Ｓｉ_６－ｎＡｌ_ｎＯ_ｎＮ_８－ｎ、又はＳｉ_２－ｎＡｌ_ｎＯ_１＋ｎＮ_２－ｎなどの化学式を有しうり、ｍ、ｎ、及び下付き文字式は全て非負整数である）を含む。炭化物及び炭素含有セラミックの実施形態は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化鉄、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、アルカリ金属炭化物（例えば、炭化リチウム（Ｌｉ_４Ｃ_３））、アルカリ土類金属炭化物（例えば、炭化マグネシウム（Ｍｇ_２Ｃ_３））、及び黒鉛を含む。ホウ化物の実施形態は、ホウ化クロム（ＣｒＢ_２）、ホウ化モリブデン（Ｍｏ_２Ｂ_５）、ホウ化タングステン（Ｗ_２Ｂ_５）、ホウ化鉄、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ_２）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ_２）、ホウ化バナジウム（ＶＢ_２）、ホウ化ニオブ（ＮｂＢ_２）、及びホウ化ランタン（ＬａＢ_６）を含む。ケイ化物の実施形態は、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ_２）、二ケイ化タングステン（ＷＳｉ_２）、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ_２）、ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ）、アルカリ土類ケイ化物（例えば、ケイ化ナトリウム（ＮａＳｉ））、アルカリ金属ケイ化物（例えば、ケイ化マグネシウム（Ｍｇ_２Ｓｉ））、二ケイ化ハフニウム（ＨｆＳｉ_２）、及びケイ化白金（ＰｔＳｉ）を含む。

本開示を通して、「リボン」は冷えてガラス又はガラスセラミックリボンに成ったリボン、又は室温に冷却されるとガラス又はガラスセラミックリボンの形態であるリボンを含む。また、本開示を通して、「折り曲げ可能な基板」は、１つ以上の溝（例えば、１つの溝又は複数の溝）を持つガラスベースリボン及び／又はセラミックベースリボンであって、溝によって室温での折り曲げ性を与えられたガラスベースリボン及び／又はセラミックベースリボンであると見なされる。折り曲げ可能な基板は折り曲げ可能なガラスベース基板（例えば、折り曲げ可能なガラス基板、折り曲げ可能なガラスセラミック基板）及び／又は折り曲げ可能なセラミックベース基板（例えば、折り曲げ可能なセラミック基板、折り曲げ可能なガラスセラミック基板）を含みうる。本開示を通して、「ガラスベースリボン」、「折り曲げ可能なガラスベースリボン」、「セラミックベースリボン」、及び／又は「折り曲げ可能なセラミックベースリボン」はまた、そのリボンが折り曲げ性を与える１つ以上の溝（例えば、１つの溝又は複数の溝）を備える場合、「折り曲げ可能な基板」を指すことがある。

幾つかの実施形態では、図９～１１に示すように、折り曲げ可能な基板８０３は第１主要表面９０３及び第１主要表面９０３と反対側の第２主要表面９０５を有しうる。図示のように、どんな溝も除くと第１主要表面９０３は第１平面９０７に沿って延在する平面状表面から成りうる。第２主要表面９０５は第２平面９０９に沿って延在する平面状表面から成りうる。幾つかの実施形態では、図示のように、第２平面９０９は第１平面９０７に概ね平行でありうる。幾つかの実施形態では図示のように、基板厚９０１（Ｔ）は第１主要表面９０３と第２主要表面９０５の間に画定されうる。他の実施形態では、図示のように、基板厚９０１は第１平面９０７と第２平面９０９の間で測られうる。幾つかの実施形態では、基板厚９０１は折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５及び／又は幅８０７に亘って概ね均一でありうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３及び／又は折り曲げ可能な装置８０１、１００１、及び１１０１は、折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７の方向（８０９）に延びる折り曲げ軸８１１の周りに折り曲げ可能でありうる。図８に示すように、折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７は、折り曲げ可能な基板８０３の折り曲げ軸８１１の方向（８０９）に延在し、折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５は、折り曲げ軸８１１の方向８０９に垂直な方向（８１３）に延在しうる。本開示を通して、折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７は、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、及び１１０１の折り曲げ軸８１１の方向（８０９）の折り曲げ可能な基板８０３の両縁間の寸法と見なされる。また、本開示を通して、折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５は、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、及び１１０１の折り曲げ軸８１１の方向８０９に垂直な方向（８１３）の折り曲げ可能な基板８０３の両縁間の寸法と見なされる。

図２１、２２に示すように、折り曲げ可能な基板２１０３は、折り曲げ可能な基板２１０３の第１主要表面２２０３と第１主要表面２２０３と反対側の第２主要表面２２０５の間に画定された基板厚２２０１を有しうる。図２２に示すように、幾つかの実施形態では、第１主要表面２２０３は第１平面２２０７に沿って延在する平面状表面から成りうる。幾つかの実施形態では、第２主要表面２２０５は第１平面２２０７に平行でありうる第２平面２２０９に沿って延在する平面状表面から成りうる。図２２に示すように、第１主要表面２２０３は第２主要表面２２０５に概ね平行であり、基板厚２２０１は折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５及び幅２１０７に亘って均一でありうる。図２１に示すように、折り曲げ可能な基板２１０３の幅２１０７は、折り曲げ可能な基板２１０３の折り曲げ軸２１１１の方向（２１０９）に延在し、折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５は折り曲げ軸２１１１の方向２１０９に垂直な方向（２１１３）に延在する。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の基板厚９０１又は２２０１は耐穿孔性を与えるのに十分に大きくてよい。例えば、基板厚９０１又は２２０１は約８０マイクロメートル（μｍ）以上、約１００μｍ以上、約１２５μｍ以上、約２００μｍ以上、約５００μｍ以上、約３ミリメートル（ｍｍ）以下、約２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約５００μｍ以下、又は約３００μｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、基板厚９０１又は２２０１は約８０μｍから約３ｍｍの範囲、約８０μｍから約２ｍｍの範囲、約８０μｍから約１ｍｍの範囲、約８０μｍから約５００μｍの範囲、約１００μｍから約５００μｍの範囲、約１２５μｍから約５００μｍの範囲、約２００μｍから約５００μｍの範囲、約２００μｍから約３００μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。本開示を通して、折り曲げ可能な基板の厚みは、第１主要表面上の位置における折り曲げ可能な基板の第１主要表面（例えば、第１平面）と第２主要表面（例えば、第２平面）の最短距離と見なされる。例えば、図９に示すように、各主要表面９０３、９０５が平面状主要表面から成り第１主要表面９０３が第２主要表面９０５に平行である実施形態では、基板厚９０１は、折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５及び幅８０７に沿った第１主要表面９０３上の各位置において第１主要表面９０３に垂直な厚み方向（９０２）に延在する。同様に、図２２に示すように、各主要表面２２０３、２２０５が平面状主要表面から成り第１主要表面２２０３が第２主要表面２２０５に平行である実施形態では、基板厚２２０１は、折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５及び幅２１０７に沿った第１主要表面２２０３上の各位置において第１主要表面２２０３に垂直な厚み方向（２２０２）に延在する。

幾つかの実施形態では、図８～１１に示すように、複数の溝８１５（例えば、２つ以上の溝）が折り曲げ可能な基板８０３の第１主要表面９０３に延在しうる。幾つかの実施形態では、図８～１１に示すように、複数の溝８１５（例えば、２つ以上の溝）が折り曲げ軸８１１の方向（８０９）に形成されてよい。幾つかの実施形態では、図示のように、複数の溝８１５の第１溝は概ね真っ直ぐでありうる。他の実施形態では、図示のように、複数の溝８１５の第２溝は、複数の溝８１５の第１溝に概ね平行でありうる。更に他の実施形態では、複数の溝８１５の全ての溝は互いに概ね平行でありうる。

本書で使用されるように、折り曲げ可能な基板８０３の中央部分８２０は、図８に示すように、折り曲げ可能な基板８０３の複数の溝８１５の両端の溝の外縁間の領域と定義される。従って、複数の溝８１５は折り曲げ可能な基板８０３の中央部分８２０に位置しうる。本書で使用されるように、中央部分８２０の中央幅８１９は、折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５の方向（８１３）に互いに最も遠く離れた両端の溝の外縁間の最大距離と定義される。幾つかの実施形態では、中央幅８１９は約０．５ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約５０ｍｍ以下、約３０ｍｍ以下、約２０ｍｍ以下、又は約１０ｍｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、中央幅８１９は約０．５ｍｍから約５０ｍｍの範囲、約２ｍｍから約５０ｍｍの範囲、約１０ｍｍから約３０ｍｍの範囲、約１０ｍｍから約２０ｍｍの範囲、約０．５ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約２ｍｍから約１０ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

幾つかの実施形態では、図８、９に示すように、複数の溝８１５のうち一対の隣接する溝は溝間隔８１７（Ｇｓ）だけ互いに離れていてよい。本書で使用されるように、溝間隔は一対の隣接する溝間の平均距離と定義され、溝の長さに沿った所定の位置における距離は、その位置における対応する隣接する溝表面間の最小距離として測られる。他の実施形態では、溝間隔８１７（Ｇｓ）と基板厚９０１（Ｔ）の比（Ｇｓ／Ｔ）は約１．５以下であり、図１８、１９に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。他の実施形態では、溝間隔８１７と基板厚９０１の比（Ｇｓ／Ｔ）は約０．１以上、約０．３以上、約０．５以上、約１．７以下、約１．５以下、約１．２以下、又は約１以下でありうる。他の実施形態では、溝間隔８１７と基板厚９０１の比（Ｇｓ／Ｔ）は約０．１から１．７の範囲、約０．３から約１．７の範囲、約０．３から約１．５の範囲、約０．５から約１．５の範囲、約０．５から約１．２の範囲、約０．５から約１の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、溝間隔８１７は約１ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約２ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約２ｍｍから約８ｍｍの範囲、約２ｍｍから約５ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝のうち各一対の隣接する溝間の溝間隔８１７は概ね同じでありうる。幾つかの実施形態では、各一対の隣接する溝８１５間の溝間隔８１７は同一でありうるが、他の実施形態では、複数の溝８１５のうち１つ以上の対の隣接する溝間に異なる間隔が設けられてもよい。図８に示すように、中央部分８２０の中央幅８１９は折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５の方向（８１３）に延在し、約０．５ｍｍから約５ｍｍでありうる。複数の溝８１５が両端の溝間に設けられ、溝間隔８１７（Ｇｓ）だけ互いに離れた隣接する溝から成ってよい。

図９に示すように、複数の溝８１５の１つは溝表面９１３を有する。本書で使用されるように、複数の溝８１５の１つの溝深さ９１１（Ｇｄ）は、基板厚９０１の厚み方向（９０２）に測った折り曲げ可能な基板８０３の第１平面９０７と溝の溝表面９１３の最大距離と定義される。幾つかの実施形態では、溝深さ９１１は基板厚９０１より小さく、１つ以上の溝８１５（例えば、複数の溝８１５の全て）の溝深さ９１１は約３μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約９０μｍ以上、約１．５ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、又は約０．５ｍｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、溝深さ９１１は基板厚９０１より小さく、１つ以上の溝８１５（例えば、複数の溝８１５の全て）の溝深さ９１１は約３μｍから約１．５ｍｍの範囲、約１０μｍから約１．５ｍｍの範囲、約３０μｍから約１．５ｍｍの範囲、約３０μｍから約１ｍｍの範囲、約９０μｍから約１ｍｍの範囲、約９０μｍから約０．５ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝８１５のその長さに沿った溝深さ９１１は、約１０μｍから折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の約９５％までの範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、溝深さ９１１（Ｇｄ）と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１（Ｔ）の比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．３以上（例えば、約０．３から約０．９５）であり、図１８、１９に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。幾つかの実施形態では、溝深さ９１１と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．１以上、約０．２５以上、約０．３以上、約０．４以上、約０．６以上、約０．９８以下、約０．９５以下、約０．９以下、又は約０．８５以下でありうる。幾つかの実施形態では、溝深さ９１１と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．１から約０．９８の範囲、約０．１から約０．９５の範囲、約０．２５から約０．９５の範囲、約０．２５から約０．９の範囲、約０．３から約０．９の範囲、約０．３から約０．８５の範囲、約０．４から約０．８５の範囲、約０．６から約０．８５の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、図９～１１に示すように、各溝８１５は概ね同じ溝深さ９１１を有しうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５のうち１つ以上の溝（例えば、全ての溝）は、上記比の１つ以上内の比（Ｇｄ／Ｔ）を有してよい。

幾つかの実施形態では、各溝８１５において残留厚み９１５は、基板厚９０１の厚み方向（９０２）に測った折り曲げ可能な基板８０３の第２主要表面９０５（例えば、第２平面９０９）とその溝８１５の溝表面９１３の最小距離と定義されうる。他の実施形態では、残留厚み９１５は折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の約３０％以上（例えば、約３０％から約９５％）であり、図１８、１９に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。他の実施形態では、１つ以上の溝８１５（例えば、各溝８１５）における残留厚み９１５は約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、約４０μｍ以上、約６０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約８０μｍ以下、又は約６０μｍ以下でありうる。他の実施形態では、１つ以上の溝８１５（例えば、各溝８１５）における残留厚み９１５は約１０μｍから約２００μｍの範囲、約２０μｍから約２００μｍの範囲、約２０μｍから約１００μｍの範囲、約４０μｍから約１００μｍの範囲、約４０μｍから約８０μｍの範囲、約６０μｍから約８０μｍの範囲、約１０μｍから約６０μｍの範囲、約２０μｍから約６０μｍの範囲、約４０μｍから約６０μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

幾つかの実施形態では、図９に示すように、複数の溝８１５の各溝は、折り曲げ可能な基板８０３の長さ８０５の方向（８１３）に測った溝幅８２１（Ｇｗ）を有しうる。幾つかの実施形態では、溝幅８２１は折り曲げ可能な基板８０３の折り曲げ軸８１１の方向８０９に垂直な方向（８１３）に延在してよい。幾つかの実施形態では、１つ以上の溝８１５（例えば、各溝８１５）の溝幅８２１は、約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、約４０μｍ以上、約６０μｍ以上、約６００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、又は約８０μｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、１つ以上の溝８１５（例えば、各溝８１５）の溝幅８２１は、約１０μｍから約６００μｍの範囲、約２０μｍから約６００μｍの範囲、約２０μｍから約２００μｍの範囲、約４０μｍから約２００μｍの範囲、約４０μｍから約１００μｍの範囲、約６０μｍから約１００μｍの範囲、約６０μｍから約８０μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の各溝の溝幅８２１は同一であるが、他の実施形態では、個々の溝は異なる溝幅８２１（例えば、２０μｍから約２００μｍの範囲内）を有してもよい。図示のように、幾つかの実施形態では、溝８１５の長さは、溝幅８２１に垂直な折り曲げ軸８１１の方向（８０９）に一本の溝として延在しうる。図示のように、溝８１５はまた、折り曲げ可能な基板８０３の全幅８０７に亘って延在しうる。図示されないが、他の実施形態では、溝８１５は断続的に延在しうり、及び／又は折り曲げ可能な基板の全幅未満に亘って延在しうる。

幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝幅８２１（Ｇｗ）と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１（Ｔ）の比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．１以上であり、図１８、１９に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝幅８２１と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．０５以上、約０．１以上、約０．２以上、約０．４以上、約０．６以上、約５以下、約２以下、又は約１以下でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝幅８２１と折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１の比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．０５から約５の範囲、約０．１から約５の範囲、約０．１から約２の範囲、約０．２から約２の範囲、約０．２から約１の範囲、約０．４から約１の範囲、約０．６から約１の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つは、その長さに沿って概ね同じ溝幅８２１を有しうる。幾つかの実施形態では、各溝８１５は概ね同じ溝幅８２１を有しうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５のうち１つ以上の溝（例えば、全ての溝）は、上記比の１つ以上内の比（Ｇｗ／Ｔ）を有してよい。

幾つかの実施形態では、図８に示すように、複数の溝８１５の１つは、折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７の方向（８０９）に測った溝長さ８２３を有しうる。幾つかの実施形態では、図示のように、溝長さ８２３は折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７に概ね等しくてよい。幾つかの実施形態では、溝長さ８２３と折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７の比は約０．０５以上、約０．１以上、約０．２５以上、１以下、約０．９以下、又は約０．７５以下でありうる。幾つかの実施形態では、溝長さ８２３と折り曲げ可能な基板８０３の幅８０７の比は約０．０５から１の範囲、約０．１から１の範囲、約０．１から約０．９の範囲、約０．２５から約０．９の範囲、約０．２５から約０．７５の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の各溝は、概ね同じ溝長さ８２３を有してよい。

幾つかの実施形態では、図９に示すように、複数の溝８１５の１つの溝の断面輪郭は曲面から成りうる。他の実施形態では、図示のように、溝表面９１３は曲面から成ってよい。他の実施形態では、曲面は楕円曲面でありうる。他の実施形態では、曲面は円曲面でありうる。他の実施形態では、図９に点線９１７で示すように、曲面は複数の曲線線分から成りうる。更に他の実施形態では、曲面は滑らかな面から成りうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝の断面輪郭は滑らかな面から成りうる。幾つかの実施形態では、溝表面９１３は滑らかな面から成りうる。本書で使用されるように、滑らかな面は、連続一次導関数を持つ連続曲線によって近似されうる断面輪郭を有する表面を意味する。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝の断面輪郭は、全溝長さに沿って等間隔の１０個の位置において概ね同一でありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝の断面輪郭は、全溝長さに沿って等間隔の２０個の位置において概ね同一でありうる。更に他の実施形態では、複数の溝８１５の１つの溝の断面輪郭は、溝長さ上の全ての位置において概ね同一でありうる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね同じ断面輪郭を有しうる。

幾つかの実施形態では、図８～１１に示すように、複数の溝８１５の各溝は概ね同一でありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５は概ね同一の溝でありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね同じ溝長さ８２３を有しうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね真っ直ぐでありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は互いに概ね平行でありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は折り曲げ軸８１１に概ね平行でありうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね同じ溝幅８２１を有しうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね同じ溝深さ９１１を有しうる。他の実施形態では、複数の溝８１５の各溝は概ね同じ断面輪郭を有しうる。

図示のように、断面開口セグメントは第１主要表面９０３の対向する遷移点におけるセグメントと、溝８１５の溝幅８２１を画定する溝表面９１３の断面輪郭とを含む。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝８１５の溝深さ９１１は同じ深さでありうるが、他の実施形態では、個々の溝は異なる深さを有してもよい。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝８１５の溝深さ９１１は溝８１５の長さに亘って均一でありうるが、他の実施形態では、不均一な深さを有してもよい。図示のように、溝表面９１３は折り曲げ軸８１１の方向８０９に垂直な断面の円弧形状の輪郭を有しうるが、他の実施形態では、他の形状であってもよい。また、幾つかの実施形態では、点線９１７で示されるように、溝表面９１３は第１主要表面９０３への曲線的遷移を有してもよい。溝の長さに沿って均一な溝深さとすることは、厚みが増加する及び／又は厚みが減少する局所点における応力集中を低減する（例えば、最小にする、防ぐ）ことで向上した折り曲げ性能を提供しうる。

本開示を通して、結合溝容積（Ｖｇ）は複数の溝８１５の各溝の第１平面９０７で区切られ中央部分８２０の外縁によって外接された容積の和を意味する。本書で使用されるように、溝の容積は中央部分８２０の外縁によって外接された溝表面９１３と第１平面９０７の間の容積と定義される。本開示を通して、中央容積（Ｖｃ）は中央部分８２０の外縁によって外接され第１平面９０７と第２平面９０９の間に画定された容積を意味する。 幾つかの実施形態では、結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３以上でありうり、図１２に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。幾つかの実施形態では、結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．２５以上、約０．３以上、約０．４以上、約０．５以上、約０．７５以下、約０．６以下、又は約０．５以下でありうる。幾つかの実施形態では、結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．２５から約０．７５の範囲、約０．３から約０．７５の範囲、約０．３から約０．６の範囲、約０．４から約０．６の範囲、約０．５から約０．６の範囲、約０．２５から約０．５の範囲、約０．３から約０．５の範囲、約０．４から約０．５の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

幾つかの実施形態では、複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３は次の関係を満たしうる。７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０、ここでＧｗは溝幅８２１、Ｇｄは溝深さ９１１、Ｇｓは溝間隔８１７、Ｔは折り曲げ可能な基板８０３の基板厚９０１である。上記関係を満たす折り曲げ可能な基板８０３を提供することは、図１３～１７に関して下記で説明するように溝のない折り曲げ可能な基板に比べて本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３における低減された曲げ誘発応力を可能にしうる。

他の実施形態では、図２１～２４に示すように、単一の溝２１１５がガラスベースリボンに中央部分２１２０の幅２１１９に沿って形成され折り曲げ可能な基板２１０３を形成してもよいが、別の実施形態では、複数の溝が設けられてもよい。図２１に示すように、溝２１１５は中央部分２１２０内に折り曲げ軸２１１１の方向（２１０９）に形成されてもよい。図２１、２２に示すように、中央部分２１２０の幅２１１９は折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５の方向（２１１３）に延在し、約４ｍｍから約４５ｍｍ、約４ｍｍから約４０ｍｍ、約４ｍｍから約３０ｍｍ、約４ｍｍから約２０ｍｍ、約４ｍｍから約１０ｍｍ、約１０ｍｍから約４５ｍｍ、約１０ｍｍから約４０ｍｍ、約１０ｍｍから約３０ｍｍ、約１０ｍｍから約２０ｍｍ、約２０ｍｍから約４５ｍｍ、約２０ｍｍから約４０ｍｍ、約２０ｍｍから約３０ｍｍ、約３０ｍｍから約４５ｍｍ、約３０ｍｍから約４０ｍｍ、約４０ｍｍから約４５ｍｍ、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

図２１、２２に示すように、幾つかの実施形態では、中央部分２１２０は、折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５の方向（２１１３）に中央領域２２１６と第１部分２２１５の間の距離２２１３を延在する第１遷移部分２２１１を任意選択で含みうる。幾つかの実施形態では、中央部分２１２０は、折り曲げ可能な基板２１０３の長さ２１０５の方向（２１１３）に中央領域２２１６と第２部分２２２１の間の距離２２１９を延在する第２遷移部分２２１７を任意選択で含みうる。幾つかの実施形態では、第１遷移部分２２１１の距離２２１３及び／又は第２遷移部分２２１７の距離２２１９は約１ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、又は約３ｍｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、第１遷移部分２２１１の距離２２１３及び／又は第２遷移部分２２１７の距離２２１９は約１ｍｍから約５ｍｍの範囲、約１ｍｍから約４ｍｍの範囲、約２ｍｍから約４ｍｍの範囲、約２ｍｍから約３ｍｍの範囲、約３ｍｍから約４ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

図２２に示すように、溝２１１５の溝深さ２２２２は、基板厚２２０１の厚み方向（２２０２）（折り曲げ軸２１１１の方向２１０９に垂直な）に測った第１平面２２０７（例えば、断面開口２１２５内）と溝２１１５の溝表面２２２３の間の最大距離と定義される。図示のように、断面開口２１２５は第１部分２２１５及び第２部分２２２１内の第１主要表面２２０３間の第１平面２２０７の部分を含む。幾つかの実施形態では、断面開口２１２５は、幅２１１９と、第１主要表面２２０３と溝表面２２２３の断面輪郭の間の両側の遷移（例えば、もしあれば遷移部分２２１１、２２１７の溝表面２２２３）の距離２２１３、２２１９との結合距離を延在する。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝２１１５の溝深さ２２２２は同じ深さであってよいが、他の実施形態では、個々の溝は異なる深さを有してもよい。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝２１１５の溝深さ２２２２は溝２１１５の長さに亘って均一でありうるが、他の実施形態では、深さは不均一であってもよい。各溝２１１５の溝深さ２２２２は基板厚２２０１未満でありうる。幾つかの実施形態では、図示のように、各溝２１１５の溝の長さに沿った溝深さ２２２２は、約１０μｍから折り曲げ可能な基板２１０３の基板厚２２０１の約９５％の範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、各溝２１１５の溝深さ２２２２は、約７０μｍから１．８ｍｍの範囲、約７０μｍから約９００μｍの範囲、約７０μｍから約４００μｍの範囲、約７０μｍから約２００μｍの範囲、約１９０μｍから約１．８ｍｍの範囲、約１９０μｍから約９００μｍの範囲、約１９０μｍから約４００μｍの範囲、約４００μｍから約１．８ｍｍの範囲、約４００μｍから約９００μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、溝２１１５の中央領域２２１６における溝深さ２２２２は、中央領域２２１６の幅２１１９及び長さ（折り曲げ軸２１１１の方向（２１０９）に延在する）に沿って概ね均一でありうるが、他の実施形態では、溝深さ２２２２は不均一であってもよい。溝深さ２２２２を均一とすることは、中央部分２１２０のより大きな領域に亘って有利な厚みが使用されるのを許しうり、それにより良好な耐穿孔性と良好な有効最小曲げ半径が得られことがある。溝の長さに亘って溝深さを均一にすることは、厚みが増加する及び／又は厚みが減少する局所点における応力集中を低減する（例えば、最小にする、防ぐ）ことで向上した折り曲げ性能を提供しうる。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３及び／又は２１０３は、上述したようにガラスベースリボン及び／又はセラミックベースリボンから成りうる。他の実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３は圧縮応力領域を含みうる。更に他の実施形態では、圧縮応力領域は化学強化によって生成されることがある。化学強化は、表面層内のイオンが同じ原子価又は酸化状態のより大きなイオンにより置換又は交換されるイオン交換処理を含んでもよい。化学強化の方法は後で説明する。理論によって束縛されるのを望まないが、化学強化による圧縮応力は基板の最外表面（例えば、第１主要表面９０３、第２主要表面９０５）で曲げ誘発引張り応力を打ち消しうるので、折り曲げ可能な基板８０３を化学強化することは小さい（例えば、より小さい、約１０ｍｍ以下）曲げ半径を可能にしうる。圧縮応力領域は基板の一部内に圧縮深さと呼ばれる深さまで延在することがある。

本書で使用されるように、圧縮深さは、本書に記載した化学強化された基板内の応力が圧縮応力から引張り応力に変化する深さを意味する。圧縮深さは、イオン交換処理及び測定されている物品の厚みに依って表面応力計又は散乱光偏光器（ＳＣＡＬＰ）によって測定されてもよい（本書で報告される値はエストニアのＧｌａｓｓｔｒｅｓｓ社製のＳＣＡＬＰ‐５を使用して測定された）。カリウムイオンを基板内に入れイオン交換させることで基板内に応力が生成される場合、表面応力計、例えばＦＳＭ‐６０００（日本の（有）折原製作所）が圧縮深さを測定するために使用される。そうでないと明記されない限り、圧縮応力（表面圧縮応力を含む）は表面応力計（ＦＳＭ）によって商業上入手可能な測定器、例えば折原製作所製のＦＳＭ‐６０００を使って測定される。表面応力測定はガラスの複屈折に関係する応力光学係数（ＳＯＣ）の正確な測定に依存する。そうでないと明記されない限り、ＳＯＣは、「ガラス応力光学係数の測定のための標準試験方法」と題するＡＳＴＭ標準Ｃ７７０‐１６に記載された手順Ｃ（ガラス円板方法）に従って測定される。その内容全体を本明細書に引用する。ナトリウムイオンを基板内に入れイオン交換させることで基板内に応力が生成され、測定されている物品が約７５μｍより厚い場合、ＳＣＡＬＰが圧縮深さ及び中央張力（ＣＴ）を測定するために使用される。カリウムイオンとナトリウムイオン両方を基板内に入れイオン交換させることで基板内に応力が生成され、測定されている物品が約７５μｍより厚い場合、圧縮深さ及びＣＴはＳＣＡＬＰによって測定される。理論によって束縛されるのを望まないが、ナトリウムの交換深さは圧縮深さを示すことがあり、カリウムイオンの交換深さは圧縮応力の大きさの変化（圧縮から引張りへの応力の変化ではなく）を示すことがある。屈折近視野（ＲＮＦ；ＲＮＦ法は米国特許第８８５４６２３号、名称「ガラス試料のプロファイル特性を測定するためのシステム及び方法」に記載されている。それ全体を本明細書に引用する）法も応力プロファイルのグラフ表示を得るのに使用されてよい。ＲＮＦ法が応力プロファイルのグラフ表示を得るのに使用される時、ＳＣＡＬＰが提供する最大中央張力値がＲＮＦ法において利用される。ＲＮＦによる応力プロファイルのグラフ表示は、力平衡されＳＣＡＬＰ測定が提供する最大中央張力値に合わせて較正される。本書で使用するように、「層の深さ」（ＤＯＬ）はイオン（例えば、ナトリウム、カリウム）が基板内に入りイオン交換する深さを意味する。本開示を通して、中央張力をＳＣＡＬＰで直接測定できない場合（測定されている物品が約７５μｍより薄い場合など）、最大中央張力は、最大圧縮応力と圧縮深さの積を基板厚と圧縮深さの２倍との差で割ったもので近似されうる。ここで、圧縮応力及び圧縮深さはＦＳＭで測定される。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３は化学強化され１つ以上の圧縮応力領域を生成することがある。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３は第１主要表面９０３から第１圧縮深さまで延在する第１圧縮応力領域を有することがある。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３は第２主要表面９０５から第２圧縮深さまで延在する第２圧縮応力領域を有することがある。更に他の実施形態では、基板厚９０１のパーセンテージとしての第１圧縮深さ及び／又は第２圧縮深さは約１０％以上、約１５％以上、約２０％以上、約３０％以下、約２５％以下、又は約２０％以下でありうる。更に他の実施形態では、基板厚９０１のパーセンテージとしての第１圧縮深さ及び／又は第２圧縮深さは約１０％から約３０％の範囲、約１０％から約２５％の範囲、約１５％から約２５％の範囲、約１５％から約２０％の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。更に他の実施形態では、第１主要表面９０３からの第１圧縮深さは第２主要表面９０５からの第２圧縮深さに概ね等しいことがある。

幾つかの実施形態では、第１圧縮応力領域は第１最大圧縮応力を有しうる。幾つかの実施形態では、第２圧縮応力領域は第２最大圧縮応力を有しうる。他の実施形態では、第１最大圧縮応力及び／又は第２最大圧縮応力は約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約２００ＭＰａ以上、約３００ＭＰａ以上、約４００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１５００ＭＰａ以下、約１２００ＭＰａ以下、約１０００ＭＰａ以下、約６００ＭＰａ以下、又は約４００ＭＰａ以下でありうる。他の実施形態では、第１最大圧縮応力及び／又は第２最大圧縮応力は約１００ＭＰａから約１５００ＭＰａの範囲、約２００ＭＰａから約１５００ＭＰａの範囲、約２００ＭＰａから約１２００ＭＰａの範囲、約３００ＭＰａから約１２００ＭＰａの範囲、約３００ＭＰａから約１０００ＭＰａの範囲、約３００ＭＰａから約６００ＭＰａの範囲、約３００ＭＰａから約４００ＭＰａの範囲、７００ＭＰａから約１５００ＭＰａの範囲、約７００ＭＰａから約１２００ＭＰａの範囲、約７００ＭＰａから約１０００ＭＰａの範囲、約７００ＭＰａから約９００ＭＰａの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。約１００ＭＰａから約１５００ＭＰａの範囲内の第１最大圧縮応力及び／又は第２最大圧縮応力を提供することは、良好な耐衝撃及び／又は穿孔性を可能にしうる。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３の第２主要表面９０５は任意選択の被膜を有しうる。幾つかの実施形態では、被膜はもしあれば、洗浄し易い被膜、低摩擦被膜、油をはじく被膜、ダイヤモンド状被膜、傷防止被膜、又は耐摩耗被膜のうち１つ以上から成ってもよい。傷防止被膜は約５００μｍ以上の厚みのオキシ窒化物、例えば酸窒化アルミニウム又は酸窒化ケイ素から成ってもよい。そのような実施形態では、耐摩耗層は傷防止層と同じ材料から成ってもよい。幾つかの実施形態では、低摩擦被膜は高フッ素化シランカップリング剤、例えばケイ素原子に結合したオキシメチル基を持つアルキルフルオロシランから成ってもよい。そのような実施形態では、洗浄し易い被膜は低摩擦被膜と同じ材料から成ってもよい。他の実施形態では、洗浄し易い被膜は、プロトン化されうる基、例えばアミン、例えばケイ素原子に結合したオキシメチル基を持つアルキルアミノシランから成ってもよい。そのような実施形態では、油をはじく被膜は洗浄し易い被膜と同じ材料から成ってもよい。幾つかの実施形態では、ダイヤモンド状被膜は炭素から成り、炭化水素プラズマの存在下で高電圧を印加することで作製されてもよい。

幾つかの実施形態では、光学的に透明な重合体ハードコート層が折り曲げ可能な基板８０３の第２主要表面９０５上に配置又は結合されうる。光学的に透明な重合体ハードコート層に適した材料は、これらに限定されないが硬化アクリル樹脂材料、無機有機混成重合体材料、脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタン、シロキサンベース混成材料、及びナノ複合材料、例えばナノ珪酸塩を含むエポキシ及びウレタン材料を含む。幾つかの実施形態では、光学的に透明な重合体ハードコート層は、これらの材料の１つ以上から基本的に成ってもよい。幾つかの実施形態では、光学的に透明な重合体ハードコート層は、これらの材料の１つ以上から成ってもよい。本書で使用されるように、「無機有機混成重合体材料」は無機及び有機成分を含む単量体から成る重合体材料を意味する。無機有機混成重合体は無機基及び有機基を有する単量体間の重合反応によって得られる。無機有機混成重合体は別々の無機及び有機成分又は相を有するナノ複合材料、例えば有機基質内に分散された無機微粒子ではない。より具体的には、光学的に透明な重合体（ＯＴＰ）ハードコート層に適した材料は、これらに限定されないがポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、有機重合体材料、無機有機混成重合体材料、及び脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタンを含む。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、有機重合体材料、無機有機混成重合体材料、又は脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタンから基本的に成ってもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、ポリイミド、有機重合体材料、無機有機混成重合体材料、又は脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタンから成ってもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、ナノ複合材料を含んでもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、エポキシ及びウレタン材料の少なくとも１つに含まれたナノ珪酸塩を含んでもよい。このようなＯＴＰハードコート層の適切な組成は米国特許出願公開第２０１５／０１１０９９０号に記載されている。それ全体を本明細書に引用する。本書で使用されるように、「有機重合体材料」は有機成分だけを含む単量体から成る重合体材料を意味する。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層はグンゼ株式会社によって製造され９Ｈの硬さを有する有機重合体材料、例えばグンゼ「高耐久性透明膜」から成ってもよい。本書で使用されるように、「無機有機混成重合体材料」は無機及び有機成分を含む単量体から成る重合体材料を意味する。無機有機混成重合体は無機基及び有機基を有する単量体間の重合反応によって得られる。無機有機混成重合体は別々の無機及び有機成分又は相を有するナノ複合材料、例えば有機基質内に分散された無機微粒子ではない。幾つかの実施形態では、無機有機混成重合体材料は無機ケイ素ベース基、例えばシルセスキオキサン重合体を含む重合された単量体を含んでもよい。シルセスキオキサン重合体は、例えばアルキシルセスキオキサン、アリールシルセスキオキサン、又はアリールアルキルシルセスキオキサンであってもよく、これらは次の化学構造（ＲＳｉＯ_１．５）ｎを有する。ここでＲは、有機基、例えばこれらに限定されないがメチル基又はフェニル基である。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、有機基質、例えば日鉄ケミカル株式会社によって製造されるＳＩＬＰＬＵＳ（登録商標）と結合されたシルセスキオキサン重合体から成ってもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は、９０重量％から９５重量％の芳香族６官能アクリル酸ウレタン（例えば、Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社によって製造されるＰＵ６６２ＮＴ（芳香族６官能アクリル酸ウレタン））及び１０重量％から５重量％の光開始剤（例えば、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社によって製造されるＤａｒｏｃｕｒ１１７３）から成り８Ｈ以上の硬さを有してもよい。幾つかの実施形態では、脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタンから成るＯＴＰハードコート層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上にその層をスピンコートし、アクリル酸ウレタンを硬化させ、アクリル酸ウレタン層をＰＥＴ基板から除去することで、単独層として形成されてもよい。ＯＴＰハードコート層は、１μｍから１５０μｍの範囲、例えば１０μｍから１４０μｍ、２０μｍから１３０μｍ、３０μｍから１２０μｍ、４０μｍから１１０μｍ、５０μｍから１００μｍ、６０μｍから９０μｍ、７０μｍから８０μｍ、２μｍから１４０μｍ、４μｍから１３０μｍ、６μｍから１２０μｍ、８μｍから１１０μｍ、１０μｍから１００μｍ、１０μｍから９０μｍ、１０μｍから８０μｍ、１０μｍから７０μｍ、１０μｍから６０μｍ、１０μｍから５０μｍ、又はこれらの値の任意の２つを端点とする範囲内の厚みを有してもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は単一モノシリック層であってもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は８０μｍから１２０μｍの範囲（部分範囲を含む）の厚みを有する無機有機混成重合体材料層又は有機重合体材料層であってもよい。例えば、無機有機混成重合体材料又は有機重合体材料から成るＯＴＰハードコート層は、８０μｍから１１０μｍ、９０μｍから１００μｍ、又はこれらの値の任意の２つを端点とする範囲内の厚みを有してもよい。幾つかの実施形態では、ＯＴＰハードコート層は１０μｍから６０μｍの範囲（部分範囲を含む）の厚みを有する脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタン材料層であってもよい。例えば、脂肪族又は芳香族６官能アクリル酸ウレタン材料から成るＯＴＰハードコート層は、１０μｍから５５μｍ、１０μｍから５０μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから４５μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから３５μｍ、１０μｍから３０μｍ、１０μｍから２５μｍ、１０μｍから２０μｍ、又はこれらの値の任意の２つを端点とする範囲内の厚みを有してもよい。

折り曲げ可能な装置は低エネルギー故障又は高エネルギー故障と記述されうる故障モードを有してもよい。折り曲げ可能な装置の故障モードは図２３に示す衝撃装置２３０１を使って測定されうる。衝撃装置２３０１は図１１の平行板装置に類似する（下記に説明する）。しかし、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３は、接着剤（例えば、光学的に透明な接着剤１００５）、剥離ライナー１００９、及び／又は表示器１１０３が折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を覆って配置されることなく、衝撃装置２３０１においてテストされる。図２３では、折り曲げ可能な基板２１０３を備える折り曲げ可能な装置２３０２が、接着剤、剥離ライナー、及び／又は表示器が折り曲げ可能な基板２１０３を覆って配置されることなくテストされる。図２３に示すように、折り曲げ可能な基板２１０３の第１主要表面２２０３は平行板２３０３、２３０５に取り付けられる。平行板２３０３、２３０５は一緒に５ｍｍ／秒の速度で目標平行板距離２３０７に達するまで移動させられる。目標平行板距離２３０７は４ｍｍ又は折り曲げ可能な基板２１０３の有効最小曲げ半径の２倍のうちより大きい方である。次に、炭化タングステン尖鋭接触プローブが、折り曲げ可能な基板２１０３の中央部分２１２０の溝表面２２２３の最外縁から所定の距離２３０９にある衝撃位置２３１１において折り曲げ可能な基板２１０３に当たる。所定の距離２３０９は３０ｍｍである。本書で使用されるように、破損の間に折り曲げ可能な基板から放出される粒子の平均速度が１メートル／秒（ｍ／ｓ）以上であり破損により亀裂分枝が２つを超えるならば、破損は高エネルギーである。本書で使用されるように、破損により亀裂分枝が２つ以下で及び／又は破損の間に折り曲げ可能な基板から放出される粒子の平均速度が１ｍ／ｓ以上でないならば、破損は低エネルギーである。放出された粒子の平均速度は、尖鋭接触プローブが衝撃位置２３１１に接触する時から５０００マイクロ秒後まで折り曲げ可能な基板２１０３の高速度映像を撮ることで測定されてもよい。

折り曲げ可能な基板に低エネルギー故障（例えば、低破損エネルギー、低エネルギー破損）を与えることは、故障時１ｍ／ｓを超える平均速度の粒子を防ぐことができる。幾つかの実施形態では、低エネルギー破損は中央部分の低減された厚みの結果であることがある。中央部分は特定の最大引張り応力についてより厚い部分（ガラスベース部分）より少ないエネルギーを溜める。幾つかの実施形態では、第１部分及び／又は第２部分は中央部分より低い最大引張り応力を有し、低エネルギー破損は曲げを経験している中央部分から離れた第１部分及び／又は第２部分内の破損の結果であることがある。

図１０、１１、及び２４に示すように、折り曲げ可能な装置１００１、１１０１、及び２４０１は光学的に透明な接着剤１００５を有しうる。光学的に透明な接着剤１００５は第１接触表面１００３を有しうる。幾つかの実施形態では、図示のように、光学的に透明な接着剤１００５は折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の第１主要表面９０３又は１３０３の上に配置されうる。他の実施形態では、図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第１接触表面１００３は折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の第１主要表面９０３又は１３０３に接触し、光学的に透明な接着剤１００５は第１主要表面９０３又は１３０３に接着されうる。幾つかの実施形態では、図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第１接触表面１００３は折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の第１主要表面９０３又は１３０３の中央部分８２０又は２１２０上に配置されうる。他の実施形態では、図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第１接触表面１００３は折り曲げ可能な基板８０３の中央部分８２０又は２１２０に接触し、光学的に透明な接着剤１００５は中央部分８２０又は２１２０に接着されうる。図１０、１１に示すように、光学的に透明な接着剤１００５は第１平面９０７と複数の溝８１５の１つの溝表面９１３の間の窪みを埋めうる。図２４に示すように、光学的に透明な接着剤１００５は第１平面２２０７と溝２１１５の溝表面２２２３の間の窪みを埋めうる。幾つかの実施形態では、図示しないが、窪みは完全には埋められず、例えば電子素子及び／又は機械素子のための空間を残すことがある。

本書で使用されるように、第１層及び／又は部品が第２層及び／又は部品上に配置されると記述される場合、他の層は第１層及び／又は部品と第２層及び／又は部品の間に存在する場合としない場合がある。本書で使用されるように、第２層及び／又は部品に結合されたと記述された第１層及び／又は部品は、層及び／又は部品が、それら２つの層及び／又は部品間の直接接触及び／又は結合によるか或いは接着剤層を介して互いに結合されることを意味する。

光学的に透明な接着剤１００５は第１接触表面１００３と反対側で第１接触表面１００３から離れた第２接触表面１００７を有しうる。幾つかの実施形態では、図１０、１１に示すように、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７は平面状表面から成りうる。他の実施形態では、図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７の平面状表面は第１平面９０７に平行でありうる。

本書で使用されるように、「光学的に透明な」は１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において７０％以上の平均透過率を意味する。幾つかの実施形態では、光学的に透明な材料は、１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において７５％以上、８０％以上、８５％以上、９０％以上、９２％以上、９４％以上、又は９６％以上の平均透過率を有してもよい。４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲における平均透過率は、約４００ｎｍから約７００ｎｍまでの整数波長の透過率を測定し測定値を平均することで計算される。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３は光学的に透明でありうる。

光学的に透明な接着剤１００５は第１屈折率を有しうる。第１屈折率は光学的に透明な接着剤１００５を通過する光の波長の関数であってよい。第１波長の光の場合、材料の屈折率は真空中の光の速度とその材料中の光の速度の比と定義される。理論によって束縛されるのを望まないが、光学的に透明な接着剤１００５の屈折率は第１角の正弦と第２角の正弦の比を使って決定されうる。ここで第１波長の光が空気から光学的に透明な接着剤１００５の表面に第１角で入射し光学的に透明な接着剤１００５のその表面で屈折して第２角で光学的に透明な接着剤１００５内を伝搬する。第１角と第２角は両方光学的に透明な接着剤１００５の表面の法線に対して測られる。本書で使用されるように、屈折率はＡＳＴＭ Ｅ１９６７‐１９に従って測定され、第１波長は５８９ｎｍである。幾つかの実施形態では、光学的に透明な接着剤１００５の第１屈折率は約１以上、約１．３以上、約１．４以上、約１．４５以上、約３以下、約２以下、約１．７以下、約１．６以下、又は約１．５５以下であってもよい。幾つかの実施形態では、光学的に透明な接着剤１００５の第１屈折率は約１から約３の範囲、約１から約２の範囲、約１．３から約２の範囲、約１．３から約１．７の範囲、約１．４から約１．７の範囲、約１．４から約１．６の範囲、約１．４５から約１．６の範囲、約１．４５から約１．５５の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

折り曲げ可能な基板８０３は光学的に透明で第２屈折率を有しうる。第２屈折率は上記第１屈折率の範囲のいずれか内でありうる。折り曲げ可能な基板８０３の第２屈折率と光学的に透明な接着剤１００５の第１屈折率の差の絶対値に等しい差は約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以下、約０．０１以上、又は約０．０２以上でありうる。幾つかの実施形態では、その差は約０．００１から約０．１の範囲、約０．００１から約０．０７の範囲、約０．０１から約０．０７の範囲、約０．０１から約０．０５の範囲、約０．０２から約０．０５の範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内である。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３の第２屈折率は光学的に透明な接着剤１００５の第１屈折率より大きくてもよい。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３の第２屈折率は光学的に透明な接着剤１００５の第１屈折率より小さくてもよい。

適切な光学的に透明な接着剤１００５は、これらに限定されないがアクリル接着剤、例えば３Ｍ８２１２接着剤、又は光学的に透明な液体接着剤、例えばＬＯＣＴＩＴＥ光学的に透明な液体接着剤から成りうる。光学的に透明な接着剤１００５の代表的な実施形態は透明なアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、及びポリウレタン樹脂を含む。光学的に透明な接着剤１００５の第１接触表面１００３から第２接触表面１００７まで測った光学的に透明な接着剤１００５の厚みは約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下、又は約３０μｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、光学的に透明な接着剤１００５の厚みは約１μｍから約１００μｍの範囲、約５μｍから約１００μｍの範囲、約５μｍから約５０μｍの範囲、約１０μｍから約５０μｍの範囲、約１０μｍから約３０μｍの範囲、約２０μｍから約３０μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内でありうる。

幾つかの実施形態では、図１０に示すように、折り曲げ可能な装置１００１は剥離ライナー１００９を有しうる。他の実施形態では、図示のように、剥離ライナー１００９は光学的に透明な接着剤１００５の上に配置されうる。更に他の実施形態では、図示のように、剥離ライナー１００９は光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に直接接触し（例えば、結合され）うる。剥離ライナー１００９は第１主要表面１０１３及び第１主要表面１０１３と反対側の第２主要表面１０１１を有しうる。図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７を剥離ライナー１００９の第２主要表面１０１１に取り付けることで、剥離ライナー１００９は光学的に透明な接着剤１００５上に配置されうる。幾つかの実施形態では、図示のように、剥離ライナー１００９の第１主要表面１０１３は平面状表面から成りうる。幾つかの実施形態では、図示のように、剥離ライナー１００９の第２主要表面１０１１は平面状表面から成りうる。剥離ライナー１００９は紙及び／又は重合体から成りうる。紙の代表的な実施形態はクラフト紙、マシン仕上げ紙、ポリエチレン塗布紙（例えば、高分子被覆グラシン紙、シリコン紙）、又は粘土被覆紙を含む。重合体の代表的な実施形態はポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ））及びポリオレフィン（例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ））を含む。

幾つかの実施形態では、図１１及び２４に示すように、折り曲げ可能な装置１１０１又は２４０１は表示器１１０３を備えうる。他の実施形態では、図示のように、表示器１１０３が光学的に透明な接着剤１００５上に配置されうる。他の実施形態では、図示のように、表示器１１０３が光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に直接接触し（例えば、結合され）うる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置１１０１又は２４０１の作製は、図１０の折り曲げ可能な装置１００１の剥離ライナー１００９を取り除き表示器１１０３を光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に取り付けることで達成される。或いは、例えば剥離ライナー１００９が光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に取り付けられていない場合、折り曲げ可能な装置１１０１又は２４０１は、表示器１１０３を光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に取り付ける前に剥離ライナー１００９を取り除く余分なステップなしに作製されてもよい。表示器１１０３は第１主要表面１１０７及び第１主要表面１１０７と反対側の第２主要表面１１０５を有しうる。図示のように、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７を表示器１１０３の第２主要表面１１０５に取り付けることで、表示器１１０３は光学的に透明な接着剤１００５上に配置されうる。幾つかの実施形態では、図示のように、表示器１１０３の第１主要表面１１０７は平面状表面から成りうる。幾つかの実施形態では、図示のように、表示器１１０３の第２主要表面１１０５は平面状表面から成りうる。表示器１１０３は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、又はプラズマ表示パネル（ＰＤＰ）から成りうる。幾つかの実施形態では、表示器１１０３は携帯電子装置、例えば消費家電製品、スマートフォン、タブレット、装着型装置、又はラップトップの一部でありうる。

本開示の実施形態は消費家電製品でありうる。消費家電製品は前面、裏面、及び側面を有しうる。消費家電製品は少なくとも部分的にハウジング内に複数の電気部品を更に備えうる。複数の電気部品はコントローラ、メモリ、及びディスプレイを含みうる。ディスプレイはハウジングの前面に又は前面の近くにありうる。消費家電製品はディスプレイ上に配置されたカバー基板を備えうる。幾つかの実施形態では、ハウジングの一部又はカバー基板の少なくとも１つは、本開示で説明される方法で作製された折り曲げ可能な装置を備える。

本書に開示された折り曲げ可能な装置は別の物品、例えばディスプレイ付き物品（又はディスプレイ物品）（例えば、携帯電話、タブレット、コンピュータ、ナビゲーションシステム、装着型装置（例えば、腕時計）などを含む消費家電）、建築物品、輸送物品（例えば、自動車、列車、航空機、船舶など）、電化製品、又はある程度の透明性、耐引っ掻き性、耐摩耗性、又はそれらの組み合わせから恩恵を受ける任意の物品に取り込まれてもよい。本書に開示された折り曲げ可能な装置のいずれかを備える代表的な物品が図２５、２６に示されている。具体的には、図２５、２６は、前面２５０４、裏面２５０６、及び側面２５０８を有するハウジング２５０２と、ハウジング内に少なくとも部分的に又は完全に収容された電気部品（不図示）であって、少なくともコントローラ、メモリ、及びハウジングの前面に又は前面の近くにあるディスプレイ２５１０を含む電気部品と、ディスプレイを覆うようにハウジングの前面にあるか又は前面を覆うカバー基板２５１２とを備える消費家電装置２５００を示す。幾つかの実施形態では、カバー基板２５１２又はハウジング２５０２の一部の少なくとも一方は、本書に開示された折り曲げ可能な装置のいずれか、例えば折り曲げ可能な基板を備えてもよい。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置は折り曲げ軸８１１の周りに折り曲げられ折り曲げた構成を形成しうる（例えば、図１０、１１参照）。図示のように、折り曲げ可能な装置はたった１つの折り曲げ軸を有してもよく、折り曲げ可能な装置が２つ折りされるのを許し、例えば折り曲げ可能な装置は半分に折り曲げられてよい。他の実施形態では、折り曲げ可能な装置は２つ以上の折り曲げ軸を有し、各折り曲げ軸は上記中央部分８２０に類似又は同一の対応する中央部分を有してもよい。例えば、２つの折り曲げ軸を設けることは、折り曲げ可能な装置が３つ折りされるのを許しうる。

図１０、１１に示すように、折り曲げ可能な装置は、表示器１１０３が折り曲げられた折り曲げ可能な装置１１０１の外側となり、折り曲げ可能な基板８０３の第２主要表面９０５が折り曲げられた折り曲げ可能な装置の内側となるように折り曲げられる。構成されているように、ユーザが表示器を基板を通して見ることになり、ユーザは第２主要表面９０５の側に位置するだろう。図示しないが、他の実施形態では、折り曲げ可能な装置は、第２主要表面９０５が外側となり、表示器１１０３が折り曲げられた折り曲げ可能な装置の内側となるように逆に折り曲げられてもよい。他の実施形態では、図示しないが、折り曲げ可能な装置は、表示器１１０３が折り曲げ可能な基板８０３の第２主要表面９０５上に配置されユーザが表示器１１０３を折り曲げ可能な基板８０３の第１主要表面９０３から見るであろうように組み立てられてもよい。表示器１１０が第２主要表面９０５上に配置される場合、折り曲げ可能な装置は、第２主要表面９０５が自身と対面するような方向に又は第１主要表面９０３が自身と対面するような方向に折り曲げられてもよい。

本書で使用されるように、「折り曲げ可能な」は完全に折り曲げる、部分的に折り曲げる、湾曲させる、曲げる、又は複合能力を含む。本書で使用されるように、用語「故障する」、「故障」などは破損、破壊、層間剥離、又は亀裂伝播を指す。折り曲げ可能な基板及び／又は折り曲げ可能な装置が約８５℃及び約８５％相対湿度において半径「Ｘ」に２４時間保持された時に故障しない場合、折り曲げ可能な基板及び／又は折り曲げ可能な装置は、有効曲げ半径「Ｘ」を達成するか又は有するか又は備える。

本書で使用されるように、折り曲げ可能な基板（例えば、折り曲げ可能な基板８０３、２１０３）の「有効最小曲げ半径」は次の試験構成及びプロセスで平行板装置１１１１（図１１参照）を使って測定される。平行板装置１１１１は第１剛性ステンレス鋼板１１１３及び第２剛性ステンレス鋼板１１１５から成る一対の平行剛性ステンレス鋼板１１１３、１１１５から成る。「有効最小曲げ半径」を測定する時、光学的に透明な接着剤１００５は光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７と折り曲げ可能な基板８０３又は２２０３の第１主要表面９０３の間に５０μｍの厚みを有する。「有効最小曲げ半径」を測定する時、試験は図１１に示す表示器１１０３の代わりにポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚シートを使って行う。従って、「有効最小曲げ半径」を測定する試験中に表示器１１０３は使用されない。表示器１１０３の代わりに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚シートが、図１０に示すように剥離ライナー１００９又は表示器１１０３が第２接触表面１００７に取り付けられるのと同じやり方で光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に取り付けられる。図１０に示す折り曲げ可能な装置１００１の場合、剥離ライナー１００９は、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面１００７に取り付けられたＰＥＴの１００μｍ厚シートで置き換えられる。図２４に示す折り曲げ可能な装置２４０１の場合、表示器１１０３は、光学的に透明な接着剤１００５の第２接触表面に取り付けられたＰＥＴの１００μｍ厚シートで置き換えられる。図８、９に示す折り曲げ可能な装置８０１の場合、５０μｍ厚の光学的に透明な接着剤１００５が折り曲げ可能な基板８０３の第１主要表面９０３に取り付けられ、ＰＥＴの１００μｍ厚シートが５０μｍ厚の光学的に透明な接着剤１００５に取り付けられる。図２３に示す折り曲げ可能な装置２３０２の場合、５０μｍ厚の光学的に透明な接着剤１００５が折り曲げ可能な基板８０３の第１主要表面２２０３に取り付けられ、ＰＥＴの１００μｍ厚シートが５０μｍ厚の光学的に透明な接着剤１００５に取り付けられる。組み立てられた折り曲げ可能な基板８０３、５０μｍ厚の光学的に透明な接着剤１００５、及びＰＥＴの１００μｍ厚シートは、図１１に示す構成と同様、折り曲げ可能な基板８０３は曲げの内側となるように一対の平行剛性ステンレス鋼板１１１３、１１１５間に配置される。平行板距離１１１７が試験対象である「有効最小曲げ半径」の２倍に等しくなるまで平行板間の距離を５０μｍ／秒の速度で減少させる。次に、平行板は試験対象である有効最小曲げ半径の２倍に約８５℃及び約８５％相対湿度において２４時間保持される。本書で使用されるように、「有効最小曲げ半径」は、上記条件及び構成下で折り曲げ可能な基板８０３が故障なく耐えうる最小の有効曲げ半径である。

幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、又は１１０１の折り曲げ可能な基板８０３は有効曲げ半径２０ｍｍ、１０ｍｍ、又は７ｍｍ、又は５ｍｍ、又は１ｍｍを達成しうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、又は１１０１の折り曲げ可能な基板８０３は約２０ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、約７ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約１ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、又は約５ｍｍ以上の有効最小曲げ半径を有しうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、又は１１０１の折り曲げ可能な基板８０３は約１ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約１ｍｍから約７ｍｍの範囲、約２ｍｍから約７ｍｍの範囲、約２ｍｍから約５ｍｍの範囲、約５ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約５ｍｍから約７ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲もしくは部分範囲内の有効最小曲げ半径を有しうる。

幾つかの実施形態では、中央幅８１９は有効最小曲げ半径の約３倍以上でありうる。理論によって束縛されるのを望まないが、平行板間の円形構成の曲げられた部分の長さは、平行板距離１１１７の約１．６倍（例えば、有効最小曲げ半径の約３倍、有効最小曲げ半径の約３．２倍）でありうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３の中央部分８２０の中央幅８１９は、有効最小曲げ半径の約４．４倍以上でありうる。理論によって束縛されるのを望まないが、平行板間の楕円形構成の曲げられた部分の長さは、平行板距離１１１７の約２．２倍（例えば、有効最小曲げ半径の約４．４倍）でありうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３の中央部分８２０の中央幅８１９は、折り曲げ可能な基板の有効最小曲げ半径時の曲げ長さに概ね等しいか又はより大きくてもよい。

本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法の実施形態が、図２０のフローチャート及び図１～７に示した例としての方法ステップを参照して説明される。

図２０に示すように、この方法は２００１においてガラスベースリボンを準備するステップ２００３から始まりうる。図１、２に示すように、ガラスベースリボンはある量の溶融材料１２１から引っ張られガラス製造装置１００のガラス形成装置１０１の形成デバイス１４０を離れドロー方向（１５４）に進むガラスベースリボン１０３として準備されうる。ガラスベースリボンを準備するステップ２００３が、ある量の溶融材料１２１からガラスベースリボン１０３を引っ張ることでガラスベースリボンを形成することから成るなら、様々なガラス製造装置が使用されてもよい。様々な代わりの形成デバイス１４０がガラスベースリボン１０３を作製するのに使用されてもよい。例えば、図１に示すように、形成デバイス１４０は下方ドローデバイス（例えば、融合下方ドローデバイス）から成る。図示しないが、形成デバイスは代わりにスロットドローデバイス、フロート槽デバイス、上方ドローデバイス、圧搾ロールデバイス、又はある量の溶融材料からガラスベースリボンを形成するのに使用されうる他の形成デバイスから成ってもよい。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボンは、上述した装置又は他の用途のうち１つ以上に、例えばカバーを提供しうる折り曲げ可能な基板に加工されうる。

ガラスベースリボンを引っ張る方法例が、図１、２に示したガラス製造装置１００を用いて説明されるが、他の実施形態では、他のガラス製造装置を用いてもよいことは理解されるであろう。図１に概略的に示すように、幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００は、ある量の溶融材料１２１から引っ張られた溶融材料のガラスベースリボン１０３を作製するよう設計された形成デバイス１４０を備えるガラス形成装置１０１を備えうる。幾つかの実施形態では、引っ張られたガラスベースリボン１０３は、第１外縁１５３と第２外縁１５５の間に位置する中央部１５２を含みうる。また、幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０４は、引っ張られたガラスベースリボン１０３から分離線１５１に沿ってガラス分離器１４９（例えば、スクライブ、切り込み輪、レーザー）によって分離されうる。幾つかの実施形態では、矢印１０６で示されるように、個別ガラスベースリボン１０４に分離される代わりに、より長い長さのガラスベースリボン１０３が、ガラスベースリボン１０３の巻かれたスプール１０８として格納ロールに巻き付けられうる。巻かれたスプール１０８は、個別ガラスベースリボン１０４にする後の処理のために大量のガラスベースリボン１０３を格納するのを助けうる。例えば、図１に概略的に示すように、ガラスベースリボン１０３が形成デバイス１４０から引っ張られながらガラスベースリボン１０４に分離する代わりに、巻かれたスプール１０８のガラスベースリボン１０３は、矢印１１０で示されるように巻かれたスプール１０８から解かれうる。解かれたガラスベースリボンは次に分離線１５１に沿ってガラス分離器１４９（例えば、別の位置にある）によって分離されうる。ガラス分離器は図１に示したガラス製造装置１００の他の部品を含まないことがある。

幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００は貯蔵容器１０９からバッチ材料１０７を受け取るのに適合した溶融容器１０５を備えうる。バッチ材料１０７はモーター１１３により動力が供給されるバッチ送出装置１１１によって導入されうる。幾つかの実施形態では、制御器１１５は任意選択でモーター１１３を作動させてある量のバッチ材料１０７を溶融容器１０５内に導入する（矢印１１７で示す）ように動作させられうる。溶融容器１０５はバッチ材料１０７を加熱して溶融した材料１２１を供給できる。幾つかの実施形態では、ガラス溶融探針１１９が立て管１２３内の溶融した材料１２１のレベルを測定し測定した情報を制御器１１５に通信線１２５を介して通信するのに使用されうる。

また、幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００は溶融容器１０５の下流に位置し第１接続管１２９を介して溶融容器１０５に結合された清澄槽１２７を含む第１調整ステーションを含みうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は溶融容器１０５から清澄槽１２７へ第１接続管１２９を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第１接続管１２９の内部通路を通って溶融容器１０５から清澄槽１２７へ溶融した材料１２１を移動させうる。また、幾つかの実施形態では、泡が清澄槽１２７内の溶融した材料１２１から様々な手法で除去されうる。

幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００は清澄槽１２７の下流に位置しうる混合槽１３１を含む第２調整ステーションを更に含みうる。混合槽１３１は溶融した材料１２１の均質組成物を供給するのに使用され、清澄槽１２７を出る溶融した材料１２１にさもなければ存在しうる不均質さを低減又は無くしうる。図示のように、清澄槽１２７は混合槽１３１に第２接続管１３５を介して結合されうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は清澄槽１２７から混合槽１３１へ第２接続管１３５を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第２接続管１３５の内部通路を通って清澄槽１２７から混合槽１３１へ溶融した材料１２１を移動させうる。

また、幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００は混合槽１３１の下流に位置しうる送出容器１３３を含む第３調整ステーションを含みうる。幾つかの実施形態では、送出容器１３３は溶融した材料１２１を入口管１４１に供給されるように調整しうる。例えば、送出容器１３３は溶融した材料１２１の安定した流れを調整し入口管１４１に供給する蓄積器及び／又は流れ制御器として機能しうる。図示のように、混合槽１３１は送出容器１３３に第３接続管１３７を介して結合されうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は混合槽１３１から送出容器１３３へ第３接続管１３７を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第３接続管１３７の内部通路を通って混合槽１３１から送出容器１３３へ溶融した材料１２１を移動させうる。更に図示のように、幾つかの実施形態では、送出管１３９が送出容器１３３から形成デバイス１４０の入口管１４１へ溶融した材料１２１を送出するように配置されうる。

形成デバイスの様々な実施形態が本開示の特徴に応じて提供されうる。それらの特徴は溶融した材料のリボンを融合ドローするためのウェッジを有する形成デバイス、溶融した材料のリボンをスロットドローするスロットを有する形成デバイス、又は形成デバイスからの溶融した材料のリボンを圧搾ロールするために圧搾ロールを備える形成デバイスを含む。例示として、下記に示され開示された形成デバイス１４０は、溶融した材料１２１を成形ウェッジ２０９の底縁（例えば、根元１４５）から離し融合ドローしてガラスベースリボン１０３を作製するために設けられうる。例えば、幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は入口管１４１から形成デバイス１４０へ送出されうる。溶融した材料１２１は次に形成デバイス１４０の構造に少なくとも部分的に基づいてガラスベースリボン１０３に形成されうる。例えば、図示のように、溶融した材料１２１は形成デバイス１４０の根元１４５から離されガラス製造装置１００のドロー方向（１５４）に延在するドロー路に沿って引っ張られうる。幾つかの実施形態では、エッジ誘導部材１６３、１６４は溶融した材料１２１を形成デバイス１４０から離れるよう誘導しガラスベースリボン１０３の幅Ｗを少なくとも部分的に画定する。幾つかの実施形態では、溶融した材料のガラスベースリボン１０３の幅Ｗはガラスリボン１０３の第１外縁１５３と第２外縁１５５の間に延在しうる。幾つかの実施形態では、形成デバイス１４０はセラミック耐熱性材料、例えばジルコン、ジルコニア、ムライト、アルミナ、又はそれらの組み合わせから成りうる。幾つかの実施形態では、形成デバイス１４０は金属、例えば白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの組み合わせから成りうる。他の実施形態では、形成デバイス１４０の１つ以上の表面は金属から成り、溶融した材料１２１に接触しうる反応しない表面を提供しうる。

幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３の幅Ｗは約２０ｍｍ以上、約５０ｍｍ以上、約１００ｍｍ以上、約５００ｍｍ以上、約１０００ｍｍ以上、約２０００ｍｍ以上、約３０００ｍｍ以上、約４０００ｍｍ以上でありえるが、他の実施形態では、他の幅が提供されうる。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３の幅Ｗは約２０ｍｍから約４０００ｍｍの範囲、約５０ｍｍから約４０００ｍｍの範囲、約１００ｍｍから約４０００ｍｍの範囲、約１００ｍｍから約３０００ｍｍの範囲、約５００ｍｍから約３０００ｍｍの範囲、約１０００ｍｍから約３０００ｍｍの範囲、約２０００ｍｍから約３０００ｍｍの範囲、約２０００ｍｍから約２５００ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。

図２は本開示の様々な実施形態に係るガラス製造装置１００の図１の線２‐２に沿った断面透視図を示す。幾つかの実施形態では、形成デバイス１４０は溶融した材料１２１を入口管１４１から受け取るのに適合した管２０１を備えうる。形成デバイス１４０は、成形ウェッジ２０９の両端１６５、１６６（図１参照）間に延在する一対の下方傾斜集束面部分２０７ａ、２０７ｂを有する成形ウェッジ２０９を更に備えうる。成形ウェッジ２０９の一対の下方傾斜集束面部分２０７ａ、２０７ｂは、ドロー方向１５４に沿って集束し成形ウェッジ２０９の底縁に沿って交差して形成デバイス１４０の根元１４５を画定しうる。ガラス製造装置１００のドロー平面２１３は根元１４５を通ってドロー方向１５４に沿って延在しうる。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３はドロー方向１５４にドロー平面２１３に沿って引っ張られうる。図示のように、ドロー平面２１３は成形ウェッジ２０９を根元１４５を通って２等分しうるが、幾つかの実施形態では、ドロー平面２１３は根元１４５に対して他の向きに延在しうる。

また、幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は形成デバイス１４０の槽２０１内に流れ込み、次に同時に堰２０３ａ、２０３ｂを超え堰２０３ａ、２０３ｂの外面２０５ａ、２０５ｂを下方へ流れることで槽２０１から溢れ出す。溶融した材料１２１の流れ２１１、２１２は成形ウェッジ２０９の対応する下方傾斜集束面部分２０７ａ、２０７ｂに沿って流れ、引っ張られ形成デバイス１４０の根元１４５から離れる。ここで溶融した材料１２１の流れ２１１、２１２は集束しガラスベースリボン１０３に融合する。ガラスベースリボン１０３は次にドロー平面２１３内でドロー方向１５４に沿って引っ張られ根元１４５から離れうる。

幾つかの実施形態では、図示しないが、形成デバイス１４０は溶融した材料１２１を入口管１４１から受け取るのに適合した管を備えうる。幾つかの実施形態では、その管は、溶融した材料１２１がそこを通って流れうるスロットを備えうる。例えば、スロットは、その管の上部において管の軸に沿って延在する細長いスロットでありうる。幾つかの実施形態では、第１壁が第１周縁位置でその管に取り付けられ、第２壁が第２周縁位置でその管に取り付けられうる。第１壁及び第２壁は一対の下方傾斜集束面部分から成りうる。第１壁及び第２壁はまた、形成デバイス内に中空領域を少なくとも部分的に画定しうる。幾つかの実施形態では、管を成す管壁、第１壁、及び／又は第２壁は約０．５ｍｍから約１０ｍｍの範囲、約０．５ｍｍから約７ｍｍの範囲、約１ｍｍから約７ｍｍの範囲、約３ｍｍから約７ｍｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内の厚みを有しうる。上記範囲内の厚みは、より厚い壁を備える実施形態に比べて全体材料コストを低減しうる。

幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３は冷えてガラスベース溶融リボン（根元１４５において）から弾性相のガラスベースリボン１０３に成る。上述のように、幾つかの実施形態では、ガラス分離器１４９（図１参照）はガラスベースリボン１０４をガラスベースリボン１０３から分離線１５１に沿って分離できる。図示のように、幾つかの実施形態では、分離線１５１はガラスベースリボン１０３の幅Ｗに沿って第１外縁１５３と第２外縁１５５の間に延在しうる。また、幾つかの実施形態では、分離線１５１はガラスベースリボン１０３のドロー方向１５４に垂直に延在しうる。また、幾つかの実施形態では、ドロー方向１５４はガラスベースリボン１０３が形成デバイス１４０から融合ドローされうる方向を表しうる。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３はドロー方向１５４に進行する時、約１ミリメートル／秒（ｍｍ／ｓ）以上、約１０ｍｍ／ｓ以上、約５０ｍｍ／ｓ以上、約１００ｍｍ／ｓ以上、又は約５００ｍｍ／ｓ以上の速度を持ちうる。速度は、例えば約１ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓの範囲、約１０ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓの範囲、約５０ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓの範囲、約１００ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内である。

図２に示すように、幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３は根元１４５から引っ張られうり、ガラスベースリボン１０３の第１主要表面２１３ａと第２主要表面２１３ｂが互いに反対方向に面しガラスベースリボン１０３の平均厚み２１５を画定する。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３の中央部分１５２の平均厚み２１５は約３ｍｍ以下、約２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、又は約１００μｍ以下でありうるが、他の実施形態では、他の厚みであってもよい。例えば、幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３の平均厚み２１５は約２５μｍから約７５０μｍの範囲、約１００μｍから約７００μｍの範囲、約２００μｍから約６００μｍの範囲、約３００μｍから約５００μｍの範囲、約２５μｍから約５００μｍの範囲、約２５μｍから約７００μｍの範囲、約２５μｍから約６００μｍの範囲、約２５μｍから約５００μｍの範囲、約２５μｍから約４００μｍの範囲、約２５μｍから約３００μｍの範囲、約２５μｍから約２００μｍの範囲、約２５μｍから約１００μｍの範囲、約５０μｍから約７５０μｍの範囲、約５０μｍから約５００μｍの範囲、約５０μｍから約７００μｍの範囲、約５０μｍから約６００μｍの範囲、約５０μｍから約５００μｍの範囲、約５０μｍから約４００μｍの範囲、約５０μｍから約３００μｍの範囲、約５０μｍから約２００μｍの範囲、約５０μｍから約１００μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３の平均厚み２１５は、基板厚９０１、２２０１に関して上述の範囲の１つ内でありうる。

また図１に示すように、ガラス製造装置１００は二対の引っ張りローラ（例えば、第１外縁１５３を含む第１縁部分に接触する第１対の引っ張りローラ１７３ａと第２外縁１５５を含む第２縁部分に接触する第２対の引っ張りローラ１７３ｂ）を備えてもよい。本書で使用されるように、「上流」及び「下流」はドロー方向１５４に基づいて関係を表すのに使用される用語である。例えば、幾つかの実施形態では、二対の引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂは図１に示すように形成デバイス１４０の下流に位置してよい。幾つかの実施形態では、二対の引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂはドロー方向１５４の引っ張る力を働かせてガラスベースリボン１０３の所定の厚み（例えば、平均厚み２１５）を得ることができる。所定の厚みは上述した厚み範囲内でありうる。

酸化リチウムを含んでも含まなくてもよい溶融した材料１２１の実施形態は、ソーダ石灰溶融材料、アルミノケイ酸塩溶融材料、アルカリ・アルミノケイ酸塩溶融材料、ホウケイ酸塩溶融材料、アルカリ・ホウケイ酸塩溶融材料、アルカリ・アルミノリンケイ酸塩溶融材料、又はアルカリ・アルミノホウケイ酸塩ガラス溶融材料を含みうる。１つ以上の実施形態では、溶融した材料１２１はモルパーセント（モル％）で約４０モル％から約８０％の範囲内のＳｉＯ_２、約１０モル％から約３０モル％の範囲内のＡｌ_２Ｏ_３、約０モル％から約１０モル％の範囲内のＢ_２Ｏ_３、約０モル％から約５モル％の範囲内のＺｒＯ_２、約０モル％から約１５モル％の範囲内のＰ_２Ｏ_５、約０モル％から約２モル％の範囲内のＴｉＯ_２、約０モル％から約２０モル％の範囲内のＲ_２Ｏ、及び約０モル％から約１５モル％の範囲内のＲＯを含んでもよい。本書で使用されるように、Ｒ_２Ｏはアルカリ金属酸化物、例えばＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、及びＣｓ_２Ｏを指しうる。本書で使用されるように、ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、及びＺｎＯを指しうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は約０モル％から約２モル％の範囲内でＮａ_２ＳＯ_４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ_２ＳＯ_４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＭｎＯ_２、ＭｎＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｍｎ_２Ｏ_７のうち１つ以上を任意選択で更に含んでもよい。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３は透明の場合があり、溶融した材料１２１から引き出されたガラスベースリボン１０３は４００ナノメートル（ｎｍ）～７００ｎｍの光学波長に亘る約８５％以上、約８６％以上、約８７％以上、約８８％以上、約８９％以上、約９０％以上、約９１％以上、又は約９２％以上の平均光透過率を有しうることを意味する。

図２０を再び参照すると、折り曲げ可能な装置を作る方法は２００１においてガラスベースリボンを準備するステップ２００３から始まりうる。上述のように、図１、２を参照すると、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３は、ガラスベースリボン１０３をある量の溶融材料１２１から引っ張られ形成デバイス１４０を離れドロー方向（１５４）に進むガラスベースリボン１０３として提供しうる。他の実施形態では、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３は、ガラスベースリボンを引き出されたガラスベースリボン１０３から分離された個別のガラスベースリボン１０４として提供しうる。或いは、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３は、ガラスベースリボン１０３を巻かれたスプール１０８から解かれたガラスベースリボン１０３として提供しうる。或いは、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３は、ガラスベースリボンを巻かれたスプール１０８から解かれたガラスベースリボンから分離された個別のガラスベースリボン１０４として提供しうる。幾つかの実施形態では、図４に示すように、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３は個別のガラスベースリボン１０４を提供すること、又は在庫から得た及び／又は別の場所から得た（例えば、第三者から購入した）ガラスベースリボン４０１を提供することから成りうる。準備するステップはガラスベースリボンを製造すること、又は、他の方法、例えば購入によりガラスベースリボンを得ることから成ってもよい。

図２０に示すように、幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置８０１、１００１、１１０１、２１０１、２３０２、及び／又は２４０１を作る方法は、ガラスベースリボンを準備するステップ２００３からガラスベースリボンに溝を形成して図８～１１又は２１～２４に示す折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を形成するステップ２００５に進みうる。

ガラスベースリボンに溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成して折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を形成するステップ２００５は、広範囲の手法を使ってレーザー（例えば、１つ以上のレーザー）を用いて実行されうる。様々な手法はレーザーからレーザービームを放出しガラスベースリボンの目標位置にレーザービームを当てガラスベースリボンに複数の溝を形成するステップを含む。

幾つかの実施形態では、図１に示すように、形成デバイス１４０から進行する引き出されたガラスベースリボン１０３からガラスベースリボンを分離する前に、溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）が形成デバイス１４０から引っ張られているガラスベースリボン１０３に形成されてよい。幾つかの実施形態では、この方法はドロー方向（１５４）に進むガラスベースリボン１０３の目標位置にレーザービームを当て引き出されたガラスベースリボン１０３に複数の溝８１５を形成しうる。

幾つかの実施形態では、図１、２の第１ゾーン１７５内に概略的に示すように、ガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ａ（図２参照）は約１０^３パスカル秒（Ｐａ・ｓ）から約１０^６．６Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有しうる。その目標位置にレーザー２１９ａから放出されたレーザービーム２１７ａが向けられ、ガラスベースリボン１０３がドロー方向（１５４）に進みながら、ガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ａに最初当たり始めてよい。幾つかの実施形態では、図２に示すように、レーザー２１９ａから放出されたレーザービーム２１７ａは進行するガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ａに当たり溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を作りうる。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３は軟化点粘度未満及び／又は作業点粘度を超える粘度を有してよい。幾つかの実施形態では、本方法はガラスベースリボン１０３に引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂを接触させることを含みうり、引っ張りローラは引っ張る力をドロー方向（１５４）に働かせてガラスベースリボン１０３の所定の厚み（例えば、平均厚み２１５）を得る。目標位置２２１ａは（１）形成デバイス１４０と引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂの間の高さで（２）形成デバイス１４０の下流で引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂの上流に位置する。目標位置２２１ａが約１０^３Ｐａ・ｓから約１０^６．６Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有し及び／又は形成デバイス１４０と引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂの間の位置にあることは、レーザービーム２１７ａが目標位置２２１ａを加熱しガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ａの粘度を低減することで、目標位置２２１ａにおけるガラスベースリボン１０３の厚みを減らすのを助けうる。厚みの減少はガラスベースリボン１０３に複数の溝８１５を作りうる。

幾つかの実施形態では、第２ゾーン１７７によって概略的に示されるように、ガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ｂは約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有しうる。その目標位置にレーザー２１９ｂから放出されたレーザービーム２１７ｂが向けられ、ドロー方向（１５４）に進んでいるガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ｂに最初当たり始めてよい。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３は歪み点粘度未満及び／又はアニール点粘度を超える粘度を有してよい。幾つかの実施形態では、図２に示すように、レーザー２１９ｂから放出されたレーザービーム２１７ｂは進行するガラスベースリボン１０３の目標位置２２１ｂに当たり溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を作りうる。幾つかの実施形態では、本方法はガラスベースリボン１０３に引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂを接触させることを含みうり、引っ張りローラはドロー方向１５４の引っ張る力を働かせてガラスベースリボン１０３の所定の厚み（例えば、平均厚み２１５）を得る。引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂは目標位置２２１ｂと形成デバイス１４０の間に位置し、引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂは形成デバイス１４０の下流に位置し、目標位置２２１ｂは引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂの下流に位置する。目標位置２２１ｂが約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有し及び／又は目標位置２２１ｂと形成デバイス１４０の間に引っ張りローラ１７３ａ、１７３ｂを配置することは、レーザービーム２１７ｂがガラスベースリボン１０３を目標位置２２１ｂにおいて除去し複数の溝８１５を形成するのを助けうる。

幾つかの実施形態では、レーザーから放出されたレーザービームがドロー方向（１５４）に進行するガラスベースリボン１０３の目標位置に最初当たり始め、レーザービームがガラスベースリボン１０３を目標位置において除去し溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成するのを助ける時、ガラスベースリボン１０３の目標位置はガラス弾性相、例えばセ氏２０度（℃）の温度において存在するガラス相でありうる。

幾つかの実施形態では、加熱装置及び／又は冷却装置が、ガラスベースリボン１０３の粘度を所定の粘度範囲内に制御するのを助け、第１ゾーン１７５内でガラスベースリボン１０３を薄くするのを許し溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を設けるために、又は第２ゾーン１７７内でガラスベースリボン１０３の一部の除去を許し溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を設けるために、備えられてもよい。加えて又は或いは、他の実施形態では、加熱装置はガラスベースリボンの温度を制御してもよい。例えば、図４に示すように、ガラスベースリボン４０１、例えば上記引き出されたガラスベースリボン１０３から分離されたガラスベースリボン１０４は、加熱器４０３（例えば、抵抗加熱器）を用いて加熱されガラスベースリボンの目標位置２２１ｂをセ氏約５００度（℃）以上の加熱温度に、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度にすることができる。従って、図２０にステップ２００７によって示されるように、本方法は、レーザービームを目標位置に最初当て始める時にガラスベースリボンを加熱しガラスベースリボンの目標位置を約５００℃以上の温度に、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度にすることを含んでもよい。或いは、第２ゾーン１７７では、目標位置２２１ｂの温度は既に約５００℃以上の温度で、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度でありうる。幾つかの実施形態では、第２ゾーン１７７におけるように、目標位置２２１ｂの温度は既に約５００℃以上の温度で、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度でありうり、リボンは形成デバイス１４０から引き出された後、５００℃未満に冷える前に形成デバイス１４０から離され引っ張られることで冷える。或いは、引っ張られたガラスベースリボンが５００℃未満に冷え、及び幾つかの実施形態では、引っ張られたガラスベースリボンの粘度が約１０^１４Ｐａ・ｓを超えるか又はガラス弾性状態に完全に冷えている（例えば、室温まで冷える）場合、引っ張られたガラスベースリボンから分離される前に、ガラスベースリボン１０３は加熱器を用いて約５００℃以上の温度に再加熱され、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの粘度に再加熱されてもよい。更にまた、図４に示すように、引っ張られたガラスベースリボン１０３から分離され完全に冷却されたガラスベースリボン１０４は加熱器を用いて約５００℃以上の温度に、及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度に再加熱されてもよい。

従って、幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置を作る方法は、約５００℃以上の加熱温度のガラスベースリボン１０３、１０４、４０１を準備し、レーザー２１９ｂからレーザービーム２１７ｂを放出することを含みうる。本方法はガラスベースリボン１０３、１０４、４０１の目標位置２２１ｂにレーザービーム２１７ｂを当てガラスベースリボン１０３、１０４、４０１に溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を（例えば、除去により）形成することを含みうり、ガラスベースリボン１０３、１０４、４０１は折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３（例えば、折り曲げ可能なガラスベース基板、折り曲げ可能なセラミックベース基板）を形成し、レーザービーム２１７ｂを目標位置２２１ｂに最初当て始める時に、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の目標位置２２１ｂは加熱温度にある。幾つかの実施形態では、形成された溝は、上述した溝深さ９１１、溝幅８２１、溝長さ８２３、及び／又は溝間隔８１７を有する複数の溝８１５から成りうる。幾つかの実施形態では、形成された溝は、折り曲げ可能な基板にただ１つの溝２１１５でありうり、ただ１つの溝２１１５は上述した溝深さ２２２２、溝幅、及び／又は溝長さを有しうるが、複数の折り曲げ可能な基板がリボンから作られうる。また、幾つかの実施形態では、レーザービーム２１７ｂを目標位置２２１ｂに最初当て始める時、ガラスベースリボン１０３、１０４、４０１の目標位置２２１ｂは約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有しうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３は折り曲げ可能なガラスベース基板から成りうる。他の実施形態では、折り曲げ可能なガラスベース基板を上述したように折り曲げ可能なセラミックベース基板に変質させてもよい。

レーザービームを目標位置に最初当て始める時、約５００℃以上の温度であり及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有するガラスベースリボンの目標位置を準備することは、ガラスベースリボンに複数の溝を（例えば、除去により）形成する時に有利でありうる。例えば、溝表面における又は近くの表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥は、５００℃未満の温度で及び幾つかの実施形態では、約１０^１４Ｐａ・ｓ超の粘度を有するか又はガラス弾性状態に部分的にもしくは完全に冷えた（例えば、室温まで冷える）時に生成されることがある。しかし、そのような表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥は、約５００℃以上の温度で及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度の目標位置にレーザービームが最初当て始める時（例えば、複数の溝を除去により形成する時）に防がれ及び／又は修復されうる。例えば、加熱されたガラスベースリボンの性質は、レーザービームよる溝形成工程中に応力集中を低減して表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥（目標位置が５００℃未満の温度で及び／又は約１０^１４Ｐａ・ｓ超の粘度を有するか又はガラス弾性状態に完全に冷えた時に目標位置にレーザービームを最初当て始めることで生じるだろう）の形成を防ぐことがある。また、加熱されたガラスベースリボンの性質は、複数の溝を形成する工程の間に生成される表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥の自己修復を起こさせることがある。目標位置が５００℃未満の温度で及び／又は約１０^１４Ｐａ・ｓ超の粘度を有するか又はガラス弾性状態に完全に冷えた時に目標位置にレーザービームを最初当て始める場合、自己修復しないことがある。従って、例えば、レーザービームがガラスベースリボンの一部を除去することで複数の溝を形成する実施形態では、レーザービームを目標位置に最初当て始める時、約５００℃以上の温度であり及び幾つかの実施形態では、約１０^１１Ｐａ・ｓから約１０^１４Ｐａ・ｓの範囲の粘度を有するガラスベースリボンの目標位置を準備することは、表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥の形成を防ぎ及び／又は形成された表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥を自己修復するのに有利でありうる。表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥の形成を低減し及び／又は形成された表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥を自己修復することは、中央部分において故障起動点を低減し、従って故障確率を低減し、及び／又は表面亀裂（例えば、微小亀裂）又は他の表面欠陥の存在する場合に達成されうるより小さい有効最小曲げ半径を提供しうる。

本開示の実施形態によれば、様々な種類のレーザーが本開示を通して使用されてよく、ガラスリボンを除去又は薄くするのに使用されてもよい。例えば、幾つかの実施形態では、レーザー２１９ａ、２１９ｂは、約１μｍから約２０μｍの範囲、約４μｍから約２０μｍの範囲、約４μｍから約１６μｍの範囲、約４μｍから約１２μｍの範囲、約８μｍから約１２μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内の波長を持つレーザービームを放出するように構成されてよい。幾つかの実施形態では、レーザー２１９ａ、２１９ｂは二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザー又は一酸化炭素（ＣＯ）レーザーから成ってもよい。幾つかの実施形態では、レーザー２１９ｂはガラスベースリボンに溝を除去により形成するのに使用されうる超高速レーザーから成ってもよい。他の実施形態では、超高速レーザーは約１０^－１２から約１０^－１５秒のパルス幅と１０^１３ワット／センチメートル^２を超えるピーク強度を有してもよい。

幾つかの実施形態では、レーザー２１９ａ、２１９ｂはガスレーザー、エキシマーレーザー、色素レーザー、又は固体レーザーから成りうる。ガスレーザーの実施形態は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）、キセノン・ネオン（ＸｅＮｅ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、銅（Ｃｕ）蒸気、金（Ａｕ）蒸気、カドミウム（Ｃｄ）蒸気、アンモニア、フッ化水素（ＨＦ）、及びフッ化重水素（ＤＦ）を含む。エキシマーレーザーの実施形態は、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、又はそれらの組み合わせから成る不活性環境内の塩素、フッ素、ヨウ素、又は酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む。色素レーザーの実施形態は、液体溶剤に溶解されたローダミン、フルオレセイン、クマリン、スチルベン、ウンベリフェロン、テトラセン、又はマラカイトグリ－ンなどの有機色素を使用するレーザーを含む。固体レーザーの実施形態は、結晶レーザー、ファイバーレーザー、及びレーザーダイオードを含む。結晶系レーザーはランタニド又は遷移金属が添加された母体結晶を備える。母体結晶の実施形態はイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、イットリウム・リチウム・フッ化物（ＹＬＦ）、イットリウム・オーソアルミ酸塩（ＹＡＬ）、イットリウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット（ＹＳＳＧ）、リチウム・アルミニウム・六フッ化物（ＬｉＳＡＦ）、リチウム・カルシウム・アルミニウム・六フッ化物（ＬｉＣＡＦ）、亜鉛セレン（ＺｎＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳｅ）、ルビー、苦土カンラン石、及びサファイアを含む。ドープ剤の実施形態はネオジウム（Ｎｄ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、エルビウム（Ｅｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、セリウム（Ｃｅ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、及びテルビウム（Ｔｂ）を含む。固体結晶の実施形態はルビー、アレキサンドライト、フッ化クロム、苦土カンラン石、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、及び塩化ルビジウム（ＲｂＣｌ）を含む。レーザーダイオードはヘテロ接合ダイオード又はｐ型、真性、及びｎ型半導体層として３つ以上の物質を有するＰＩＮダイオードから成りうる。レーザーダイオードの実施形態はＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＩｎＧａＡｓＮＳｂ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＡｓＳｂ、及び鉛（Ｐｂ）塩を含む。幾つかのレーザーダイオードはそれらのサイズ、調節可能な出力パワー、及び室温（即ち、約２０℃～約２５℃）で動作する能力の故に代表的な実施形態でありうる。下記に説明するように、ファイバーレーザーは結晶レーザー又はレーザーダイオードについて上に列挙した材料のいずれかによる被覆を更に有する光ファイバーを備える。

幾つかの実施形態では、レーザー２１９ａ、２１９ｂは約１μｍから約２０μｍの範囲内の波長のレーザービームを放出するように構成されてよい。他の実施形態では、波長は約１μｍ以上、約４μｍ以上、約６μｍ以上、約８μｍ以上、約２０μｍ以下、約１６μｍ以下、又は約１２μｍ以下でありうる。他の実施形態では、波長は約１μｍから約２０μｍの範囲、約４μｍから約２０μｍの範囲、約４μｍから約１６μｍの範囲、約６μｍから約１６μｍの範囲、約８μｍから約１６μｍの範囲、約８μｍから約１２μｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。約１μｍから約２０μｍの範囲内の波長のレーザービームを放出するように構成されたレーザーの代表的な実施形態は、二酸化炭素レーザーである。約１μｍから約２０μｍ（例えば、約４μｍから約２０μｍ）の範囲内の波長のレーザービームを放出するように構成されたレーザーを設けることは、ガラスベースリボンの厚みを減らすことで溝が形成される場合、目標位置の材料の粘度を増加させることではっきりした特徴を作製できる。これは、理論によって束縛されるのを望まないが、ガラスベース材料はこの範囲の波長を強く吸収することがあるからであり、ガラスベースリボンの表面近くの領域にもたらされるガラスベースリボンの深さを制限しうる。

幾つかの実施形態では、レーザー２１９ａ、２１９ｂは約３５０ナノメートル（ｎｍ）から約１７００ｎｍの範囲内の波長のレーザービームを放出するように構成されてよい。幾つかの実施形態では、波長は約３５０ｎｍ以上、約５００ｎｍ以上、約７６０ｎｍ以上、約９８０ｎｍ以上、約１７００ｎｍ以下、約１５７０ｎｍ以下、約１１００ｎｍ以下、又は約９８０ｎｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、波長は約３５０ｎｍから約１７００ｎｍの範囲、約５００ｎｍから約１７００ｎｍの範囲、約５００ｎｍから約１５７０ｎｍの範囲、約７６０ｎｍから約１５７０ｎｍの範囲、約９８０ｎｍから約１５７０ｎｍの範囲、約３５０ｎｍから約１１００ｎｍの範囲、約５００ｎｍから約１１００ｎｍの範囲、約７６０ｎｍから約１１００ｎｍの範囲、約９８０ｎｍから約１１００ｎｍの範囲、約３５０ｎｍから約９８０ｎｍの範囲、約５００ｎｍから約９８０ｎｍの範囲、約７６０ｎｍから約９８０ｎｍの範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザーダイオードの代表的な実施形態は、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＮレーザーダイオードを含む。上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザー（ダイオードレーザー以外）の代表的な実施形態は、Ｈｅ‐Ｎｅガスレーザー、Ａｒガスレーザー、ヨウ素エキシマーレーザー、Ｎｄ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｎｄ添加ＹＬＦ固体レーザー、Ｎｄ添加ＹＡＰ固体レーザー、Ｔｉ添加サファイア固体レーザー、Ｃｒ添加ＬｉＳＡＦ固体レーザー、フッ化クロム固体レーザー、苦土カンラン石固体レーザー、ＬｉＦ固体レーザー、及びＮａＣｌ固体レーザーを含む。周波数２倍時に上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザーの代表的な実施形態は、ＸｅＮｅガスレーザー、ＨＦガスレーザー、Ｈｏ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｅｒ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｔｍ添加ＹＡＧ固体レーザー、ＫＣｌ固体レーザー、ＲｂＣｌ固体レーザー、及びＡｌＧａＩｎレーザーダイオードを含む。周波数３倍時に上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザーの代表的な実施形態は、ＨｅＮｅガスレーザー、ＤＦガスレーザー、及びＰｂ塩レーザーダイオードを含む。約３５０ｎｍから約１７００ｎｍの範囲内の波長のレーザービームを放出するように構成されたレーザーを設けることは、除去により溝が形成される場合、はっきりした特徴を生成できる。これは、理論によって束縛されるのを望まないが、ガラスベース材料はこの範囲の波長を弱く吸収することがあるからであり、除去に伴う非線形吸収により溝形成を改善でき、ガラスベースリボンへの副作用は最小である。

幾つかの実施形態では、溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成することは、レーザービーム２１７ａ、２１７ｂを走査することで実行されうる。例えば、図１、２を参照すると、１つ以上のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂがドロー方向１５４を横切る（例えば、垂直な）方向（１５７）に走査されてよい。幾つかの実施形態では、例えば１つ以上のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂのパルス持続時間が溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）の所定のデザインを生成するように調整される場合、１つ以上のレーザーは一度だけ走査され溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成してよい。他の実施形態では、目標位置２２１ａ、２２１ｂに当てることは、レーザービーム２１７ａ、２１７ｂをガラスベースリボン１０３の複数の目標位置に当てることから成りうる。幾つかの実施形態では、図５、６、及び７を参照して下記で説明するように、１つ以上のレーザーが、溝長さ８２３がドロー方向（１５４）に延在するように１つ以上の溝を形成するのに使用されうるが、他の実施形態では、溝長さ８２３がドロー方向を横切って延在するように１つ以上のレーザーを動作させうる。

図５は各レーザービーム２１７ａ、２１７ｂが、対応するレーザー２１９ａ、２１９ｂによってそれぞれ生成される複数のレーザービームから成る幾つかの実施形態を示す。図５に更に示すように、目標位置に当てるステップの間、複数のレーザービームの各レーザービーム２１７ａ、２１７ｂは、複数の目標位置のうち対応する目標位置２２１ａ、２２１ｂに当たりうる。図６は各レーザービーム２１７ａ、２１７ｂが、レーザー２１９ａ、２１９ｂによって生成されビームスプリッター６０１によって分けられた複数のレーザービームから成る幾つかの実施形態を示す。図６はまた、各レーザービーム２１７ａ、２１７ｂが、レーザー２１９ａ、２１９ｂから放出されたレーザービームが魚眼レンズ６０３を通過しフィルターされ（例えば、平行光線にされ）分けられた複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂから成る他の実施形態を示す。例えば、複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂは、溝長さ８２３がドロー方向（１５４）に延在し図８～１０に示す折り曲げ可能な基板８０３を形成するようにドロー方向（１５４）に延在する複数の平行な溝を同時に形成しうる。例えば、複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂが互いに十分近い場合、図２１～２４に示す折り曲げ可能な基板２１０３はドロー方向（１５４）に又はドロー方向１５４を横切って形成されうる。

図５、６に示すように、複数の溝８１５が、ガラスベースリボン１０３の幅Ｗに沿って間隔を空けた複数の目標位置２２１ａ、２２１ｂに同時に当たる複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂによって同時に形成されてもよい。この時、複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂとガラスベースリボン１０３の間の相対的移動は、複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂに対してガラスベースリボン１０３がドロー方向（１５４）に引っ張られることにより生じうる。他の実施形態では、複数の目標位置２２１ａ、２２１ｂは、複数の溝８１５の個別の溝が形成されるようにドロー方向１５４を横切る方向（１５７）に間隔を空けられてよい。幾つかの実施形態では、ガラスベースリボン１０３が形成デバイス１４０からドロー方向（１５４）に進みながら、複数のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂはドロー方向（１５４）に延びる複数の平行な溝を同時に形成しうる。レーザー２１９ａ、２１９ｂは周期的にオン及び／又はオフされ（例えば、レーザーから放出されるレーザービームのパルス幅を制御して）複数の溝のそれぞれ又は一組の複数の溝を作製しうる。ガラスベースリボンを分離する前に複数の溝を同時に形成すること及び／又はガラスベースリボン１０３が形成デバイス１４０から引っ張られている時に複数の溝を形成することは、溝の形成に関連する処理時間及び費用を低減するのに貢献しうる。

図７は１つ以上のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂが、首振り鏡７０１及び／又は回転多角形鏡７０３によりガラスベースリボン１０３の幅Ｗを横切って走査されてよい幾つかの実施形態を示す。また、音響光学偏向器がガラスベースリボン１０３の幅Ｗを横切ってレーザービームを走査するのに使用されうる。幾つかの実施形態では、レーザービームは、例えば引っ張られるリボンと同じ速度で進行路を移動しながら幅Ｗを横切って走査して複数の溝８１５を作製してもよい。他の実施形態では、レーザービーム２１７ａ、２１７ｂのパルス幅を制御して複数の溝の所定のデザインを作製できる。幾つかの実施形態では、複数の溝８１５は複数の走査レーザービームによって同時に形成されてもよい。他の実施形態では、鏡の角速度及び／又はレーザーの出力は変調され選択的に所定の位置（例えば、目標位置）を加熱し複数の溝８１５を作製しうる。他の実施形態では、レーザーの出力は多角形鏡７０３の回転に同期して変調され複数の溝８１５を作製しうる。

例えば、１つ以上のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂを放出するレーザーがガラスベースリボン１０３と同じ速度でドロー方向（１５４）に進行する時、図７の装置を使って、ドロー方向（１５４）に延在する溝長さ８２３を持つ複数の溝８１５が形成されうる。折り曲げ可能な基板８０３を方向（８１３）に横切る跡が、ドロー方向（１５４）を横切ってレーザービームを走査し選択的にレーザーを動作させ溝が配置されるべき各位置でパルスを放出することで生成されうる。次に、１つ以上のレーザービームは折り曲げ可能な基板８０３を方向（８１３）に横切る次の跡と位置合わせされうる。その跡は直ぐ前の跡からドロー方向に関しておよそレーザービームの直径以上上流にありうる。この工程は所定の溝長さが得られるまで繰り返されうる。

例えば、１つ以上のレーザービーム２１７ａ、２１７ｂを放出するレーザーがガラスベースリボン１０３と同じ速度でドロー方向（１５４）に進行する時、図７の装置を使って、ドロー方向１５４を横切って延在する溝長さ８２３を持つ複数の溝が形成されうる。折り曲げ可能な基板８０３を方向（８０９）に横切る跡が、レーザービームをドロー方向を横切って溝長さ８２３に対して走査しながらレーザーを動作（例えば、連続的に動作）させることで作られうる。レーザーは溝に対応しない方向（８０９）の跡のために動作する必要はない。次に、レーザー及び／又は１つ以上のレーザービームは溝を含む方向（８０９）の次の跡と位置合わせされうる。

例えば、図７の装置を使って、中央部分２２１６の幅２１１９がドロー方向（１５４）に又はドロー方向（１５４）を横切って延在するように溝２１１５が作製されうる。幅２１１９がドロー方向に延在する場合、レーザー及び１つ以上のレーザービームが複製する跡は方向（２１１３）に延びる。幅２１１９がドロー方向（１５４）を横切って延在する場合、レーザー及び１つ以上のレーザービームが複製する跡は方向（２１０９）に延びる。上述のように、ドロー方向１５４を横切る方向に生成される跡に１つ以上のレーザービームが対応するように動作するレーザーでドロー方向を横切って走査しながら、レーザーをドロー方向（１５４）にガラスベースリボン１０３と同じ速度で平行移動させうる。

図２０に戻ると、本方法は溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成するステップ２００５の後ある時、２００６で終了してもよい。幾つかの実施形態では、ステップ２００７及び図１の矢印１０６で示されるように、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３は任意選択で格納ロールに巻き付けられ、溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を含む中央部分８２０を含むガラスベースリボンの巻かれたスプール１０８とされてもよい。中央部分を持つガラスベースリボンを巻き付け巻かれたスプール１０８とすることは、送達及び／又後の処理のためのガラスベースリボンの格納を容易にしうる。図２０にステップ２００９で示すように、本方法はガラスベースリボン１０３の分離に進み折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を提供する。例えば、図１の矢印１１０で示されるように、ガラスベースリボン１０３は巻かれたスプール１０８から解かれ、次に、例えばガラス分離器１４９で分離されてもよい。或いは、図２０の矢印２０１１で示されるように、ガラスベースリボンが形成デバイス１４０から引っ張られている時に、形成デバイス１４０の下流に位置するガラス分離器１４９によって折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３はガラスベースリボンから分離されてもよい。

溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成するステップ２００５の後のいつでも、本方法は所望の特性を折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３に与えるために１つ以上の後処理ステップを含みうる。例えば、折り曲げ可能な基板はエッチング液槽に入れられ折り曲げ可能な基板の厚みを減らしてもよい。他の実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３は折り曲げ可能なガラスベース基板は及び／又は折り曲げ可能なセラミックベース基板から成り、後処理ステップ２０１３は折り曲げ可能な基板を化学的に強化することを含みうる。化学的に強化することは、表面層内のイオンが同じ原子価又は酸化状態のより大きなイオンにより置換又は交換されるイオン交換処理を含んでもよい。圧縮応力領域は基板の一部内に圧縮深さと呼ばれる深さまで延在することがある。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板のある位置における圧縮深さは、上述のようにその位置における折り曲げ可能な基板の厚みの約１０％から約３０％の範囲内でありうる。

イオン交換によって折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を化学的に強化することは、折り曲げ可能な基板の表面深さ内の第１陽イオンが第１陽イオンより大きな半径を有する塩溶液内の第２陽イオンと交換される時に起こりうる。例えば、折り曲げ可能な基板の表面深さ内のリチウム陽イオンは塩溶液内のナトリウム陽イオン又はカリウム陽イオンと交換されうる。従って、リチウム陽イオンは塩溶液内の交換されるナトリウム陽イオン又はカリウム陽イオンの半径より小さい半径を持つので、折り曲げ可能な基板の表面は圧縮状態になりイオン交換処理によって化学的に強化される。折り曲げ可能な基板を化学的に強化することは、リチウム陽イオン及び／又はナトリウム陽イオンを含む折り曲げ可能な基板の少なくとも一部を硝酸カリウム、リン酸カリウム、塩化カリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、及び／又は硝酸ナトリウムを含む塩溶液を含む塩浴に接触させることから成りうる。これにより、リチウム陽イオンは及び／又はナトリウム陽イオンは折り曲げ可能な基板から塩浴内の塩溶液へ拡散する。幾つかの実施形態では、塩溶液の温度は約３００℃以上、約３６０℃以上、約４００℃以上、約５００℃以下、約４６０℃以下、又は約４００℃以下でありうる。幾つかの実施形態では、塩溶液の温度は約３００℃から約５００℃の範囲、約３６０℃から約５００℃の範囲、約３６０℃から約４６０℃の範囲、約４００℃から約４６０℃の範囲、約３００℃から約４００℃の範囲、約３６０℃から約４００℃の範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。幾つかの実施形態では、基板は約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、又は約８時間以下の間、塩溶液と接触してよい。幾つかの実施形態では、基板は約１５分から約４８時間の範囲、約１時間から約４８時間の範囲、約３時間から約４８時間の範囲、約１５分から約２４時間の範囲、約１時間から約２４時間の範囲、約３時間から約４８時間の範囲、約３時間から約２４時間の範囲、約３時間から約８時間の範囲、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内の時間の間、塩溶液と接触してよい。イオン交換処理は溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）が折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３に形成された後に実行されてもよい。

図２０に示すように、分離後（矢印２０１５参照）又は後処理後（矢印２０１７参照）に、本方法は折り曲げ可能な装置の任意選択の追加部品を追加するステップ２０１９を更に含みうる。例えば、図１０に示すように、幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置１００１を作る方法は、光学的に透明な接着剤１００５の第１接触表面１００３を折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３の第１主要表面９０３又は２２０３と接触させることを含んでもよい。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な装置を作る方法は、光学的に透明な接着剤１００５で溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を満たすことを含みうる。

幾つかの実施形態では、本開示の実施形態の折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３及び／又は折り曲げ可能な装置８０１、１００１、１１０１、２１０１、２３０２、又は２４０１を作る方法は、ガラスベース基板にレーザーを当て複数の溝８１５を（例えば、除去により）形成する前の加熱ステップ（例えば、ステップ２００７）を省略してもよい。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を作る方法は、ガラスベース基板の第１主要表面上にマスクを蒸着（例えば、印刷）すること、ガラスベース基板の第１主要表面を鉱酸溶液に曝すことでガラスベース基板をエッチングし溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を形成すること、及びマスクを除去することを含んでもよい。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３を作る方法は、溝（例えば、複数の溝８１５、溝２１１５）を機械的に形成することを含みうる。幾つかの実施形態では、折り曲げ可能な基板８０３又は２１０３は折り曲げ可能なガラスベース基板から成りうる。他の実施形態では、上述のように、折り曲げ可能なガラスベース基板を折り曲げ可能なセラミックベース基板に変質させてもよい。

実施例
様々な実施形態が次のモデル例によって更に明らかにされる。実施例はダッソー・システムズのＡｂａｑｕｓ有限要素解析ソフトウェアを使ってモデリングされた。モデル例は、本開示の実施形態の複数の溝のデザインが本開示の実施形態に係る複数の溝８１５を備える折り曲げ可能な基板８０３内の曲げ誘発応力を溝のない同じ基板と比べて低減することを示す。応力比が１未満の場合、曲げ誘発応力は複数の溝のデザインによって低減される。また、実施例は、本開示の実施形態のデザインに関連する曲げ誘発応力の低減は、溝のない同じ基板と比べて曲げ誘発応力を低減しない多数の溝用デザインを考えると予想外であることを示す。

図１２～１９の全ての実施例はガラスベース基板から成る基板及び／又は折り曲げ可能な基板をモデリングした。提示された各点について、複数の溝を備えるガラスベース基板から成る折り曲げ可能な基板と対応する溝のないガラスベース基板は、同じ寸法（例えば、長さ、幅、厚み）と同じ材料組成を有する。複数の溝を備える各デザインでは、そのデザインの各溝は同一であった（例えば、同じ溝深さ、溝幅、溝長さ）。

図１２及び１８、１９において、縦軸（例えば、ｙ軸）は複数の溝用の所定のデザインを備えるガラスベース基板と溝のない対応するガラスベース基板の応力比である。複数の溝を備えるガラスベース基板と対応するガラスベース基板両方は同じ寸法（例えば、長さ、幅、厚み）及び材料組成を有する。複数の溝を備える各デザインでは、デザイン内の各溝は同一であった（例えば、同じ溝深さ、溝幅、溝長さ）。複数の溝用のデザインは、縦軸（応力比）が１未満の場合、曲げ誘発応力を低減する。図１２及び１８、１９に提示された全てのガラスベース基板の曲げ誘発応力は平行板距離１０ｍｍで測定された。

図１２は応力比を結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）の関数として提示する。横軸１２０１（例えば、ｘ軸）は結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）である。図１２の場合、１００μｍと１５０μｍの基板厚み９０１が複数の溝用の幾つかの異なるデザイン（例えば、溝幅、溝深さ、溝間隔）と共に使用された。図１２に示すように、約０．２未満の比（Ｖｇ／Ｖｃ）を持つ試験された全てのデザインは、それらの（Ｖｇ／Ｖｃ）比の場合、応力比は１を超えるので曲げ誘発応力を増加させる。実際、０．１未満の比（Ｖｇ／Ｖｃ）を持つ試験されたデザインは曲げ誘発応力を少なくとも２倍に増加させた。一方、約０．４超の比（Ｖｇ／Ｖｃ）を持つ試験された全てのデザインは、それらの（Ｖｇ／Ｖｃ）比の場合、応力比は１未満なので曲げ誘発応力を減少させる。０．３を超える比（Ｖｇ／Ｖｃ）を持つデザインの場合、１つのデザインは曲げ誘発応力を減少させない。ガラスベース基板に約０．３以上（例えば、約０．４以上）の比（Ｖｇ／Ｖｃ）を持つ複数の溝を設けることは、曲げ誘発応力を低減できる。

図１８、１９は応力比を溝幅８２１と基板厚９０１の比（Ｇｗ／Ｔ）の関数として提示する。図１８に提示された全てのデザインは、０．１３３の溝間隔８１７と基板厚の比（Ｇｓ／Ｔ）を有していた。図１９に提示された全てのデザインは、１．３３の溝間隔８１７と基板厚の比（Ｇｓ／Ｔ）を有していた。曲線１８０１、１８０５、１８０９、及び１８１３は１５０μｍの厚みを有するガラスベース基板に対応し、曲線１８０３、１８０７、１８１１、及び１８１５は１００μｍの厚みを有するガラスベース基板に対応する。曲線１８０１及び１８０３は、０．３３の溝深さ９１１と基板厚の比（Ｇｄ／Ｔ）を有するデザインに対応する。曲線１８０５及び１８０７は、０．５３の溝深さ９１１と基板厚の比（Ｇｄ／Ｔ）を有するデザインに対応する。曲線１８０９及び１８１１は、０．６７の溝深さ９１１と基板厚の比（Ｇｄ／Ｔ）を有するデザインに対応する。曲線１８１３及び１８１５は、０．８の溝深さ９１１と基板厚の比（Ｇｄ／Ｔ）を有するデザインに対応する。

図１８では、全ての曲線は、応力比が１未満である少なくとも１つの点を含む。曲線１８０１及び１８０３の場合、１．３３の比（Ｇｗ／Ｔ）に対する点は１未満の応力比を有する。曲線１８０５及び１８０７の場合、比（Ｇｗ／Ｔ）が０．６７以上ならば応力比は１未満である。曲線１８０９及び１８１１の場合、約０．４以上の比（Ｇｗ／Ｔ）に対して応力比は１未満である。曲線１８１３及び１８１５の場合、示された全ての値に対して応力比は１未満である。即ち、応力低減は約０．３以上の比（Ｇｄ／Ｔ）に対して得られうる。同様に、応力低減は０．１以上の比（Ｇｗ／Ｔ）に対して得られうる。また、（Ｇｄ／Ｔ）が増加すると、また（Ｇｗ／Ｔ）が増加すると応力低減は増加する。

図１９では、曲線１８１３は、応力比が１未満である点、即ち、１．３３の比（Ｇｗ／Ｔ）に対する点を含む。これは、全ての曲線が応力比が１未満である少なくとも１つの点を含む図１８と顕著な対比である。０．１３３(図１８)から１．３３(図１９)の比（Ｇｓ／Ｔ）の中間値を持つ曲線は、Ｇｓ／Ｔが減少すると減少する応力比の滑らかな傾向を示す（より詳細には図１３～１６参照）。しかし、１．３３の比（Ｇｓ／Ｔ）に対応する図１９は、応力比が１未満である点を持つ曲線１８１３を有し、上記減少傾向はこの挙動を外挿するのに使用されうるので、１未満の応力比はなお約１．５の比（Ｇｓ／Ｔ）（Ｇｄ／Ｔの少なくとも幾つかの値に対して）から得られうると思われる。

図１３～１７は試験された様々なデザインを応力比が１を超える場合は丸で、応力比が１未満である場合は星印で示す。１未満の応力比の点は、特定のデザインの複数の溝を備えることで応力が低減されることを意味する。図１３～１７は比（Ｇｄ／Ｔ）と（Ｇｗ／Ｔ）の関数としての点を示す。図１３では、比（Ｇｓ／Ｔ）は０．１３である。図１４では、比（Ｇｓ／Ｔ）は０．３３である。図１５では、比（Ｇｓ／Ｔ）は０．６７である。図１６では、比（Ｇｓ／Ｔ）は１．００である。図１７では、比（Ｇｓ／Ｔ）は１．３３である。

曲線１３０１は、式７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＝０に対応し、１超の応力比の領域を１未満の応力比の領域から分けるのに適合していた。図１３～１７では、各グラフは応力比が１を超える点（丸）（曲線１３０１の下方で曲線１３０１の近く）を含み、曲線１３０１が１未満の応力比から１超の応力比への切り替りが起こる好適な境界であることを示す。図１３～１７で測定され曲線１３０１の左側及び／又は下方の点のうち７％未満（５／７２）は応力増加を示す。実際、これらの測定点の更に左側及び／又は下方の点を含める、又は点がＧｗ／Ｔ＝０．５において測定されると、応力増加を示す点の割合はより少なくなる。即ち、式７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす概ね全てのデザインは応力低減を提供しうり、これは曲線１３０１の左側及び／又は下方の領域に対応する。複数の溝を備えることで応力を低減できるデザイン関係は予想外の結果であり技術的恩恵である。

本開示の実施形態は消費家電製品を含みうる。消費家電製品は前面、裏面、及び側面を有しうる。消費家電製品は少なくとも部分的にハウジング内の電気部品を更に備えうる。電気部品はコントローラ、メモリ、及びディスプレイを含みうる。ディスプレイはハウジングの前面に又は前面の近くにありうる。消費家電製品は、ディスプレイを覆って配置されたカバー基板を備えうる。幾つかの実施形態では、ハウジングの一部又はカバー基板の少なくとも一方は、本開示を通して説明された折り曲げ可能な装置を備える。

本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な装置は幾つかの技術的利点を提供しうる。本開示の実施形態に係る折り曲げ可能な基板に複数の溝を備える折り曲げ可能な装置は、溝のない対応する折り曲げ可能な基板に比べて折り曲げ可能な基板の曲げ誘発応力を低減できる。低減された曲げ誘発応力は、向上した折り曲げ性能、例えばより小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル以下）の技術的利点を提供しうる。低減された曲げ誘発応力は、所定の有効曲げ半径のより厚い折り曲げ可能な基板の使用を可能にしうる。より厚い折り曲げ可能な基板は良好な耐衝撃及び／又は穿孔性を可能にしうる。約１．５以下の比（Ｇｓ／Ｔ）、約０．３から約０．９５の範囲の比（Ｇｄ／Ｔ）、約０．３以上の比（Ｇｗ／Ｔ）、又はこれらの組み合わせを有する複数の溝を設けることは、低減された曲げ誘発応力を提供できる。式７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす複数の溝を折り曲げ可能な基板に設けることは、曲げ誘発応力低減を提供できる。約０．３以上の結合溝容積と中央容積の比（Ｖｇ／Ｖｃ）となるように複数の溝を設けることは、曲げ誘発応力低減を提供できる。また、折り曲げ可能な基板（例えば、基板の中央部分）を化学的に強化することは、向上した有効最小曲げ半径及び／又は折り曲げ可能な装置の低減された損傷（例えば、破損及び／又は亀裂）の技術的利点を提供しうる。これは化学的強化による圧縮応力は引張り曲げ誘発力を打ち消しうるからである。また、中央部分を第２厚み及び有効最小曲げ半径（例えば、曲げ長さ）の約３倍以上（例えば、４．４倍）の幅とすることは、折り曲げ可能な装置の応力集中と損傷を低減しうる。光学的に透明な接着剤の屈折率を折り曲げ可能な基板の屈折率に合わせる（例えば、約０．１以内）ことは、折り曲げ可能な装置の光学的歪みを最小にできる。

また、折り曲げ可能な装置を作る方法は基板（例えば、ガラスベース基板及び／又はセラミックベース基板）の表面損傷（従来技術ではできる場合がある）を低減又は無くしうる。幾つかの実施形態では、溝を形成するためのガラスベース基板の除去は、基板の目標位置にレーザービームを当てることで実行されうり、レーザービームを目標位置に最初当て始める時にガラスベース基板の目標位置は５００℃以上の加熱温度である。基板の加熱温度はレーザー除去処置で生じた表面損傷を部分的に又は完全に修復するのを助けうる。レーザー除去時の目標位置の加熱温度は、基板の一部が流れ表面損傷又はレーザー除去処理で生じた他の残留欠陥を部分的に又は完全に消去及び／又は修復及び／又は低減するのを許しうる。また、溝はリボンを形成する方法に続いて形成され、溝を形成するステップを減らしうる。また、溝はリボン形成プロセスに続いて形成されるので、幾つかの実施形態では、溝形成後に個々の折り曲げ可能な基板をリボンから分離する代わりに、溝が既に形成された単一のリボンを格納ロールに巻き付けてもよい。後で、リボンは格納ロールから解かれ個々の折り曲げ可能な基板に分離されてもよい。従って、単一の格納ロールは容易に保管され、次に望む時に、個々の折り曲げ可能な基板を格納ロールから解かれたリボンから分離してもよい。また、格納ロールからリボンを解く時、中央部分の数は各個々の折り曲げ可能な基板に対して選択されてもよい。即ち、２つ折りの折り曲げ可能な基板、３つ折りの折り曲げ可能な基板、又は他の折り曲げ可能な基板構成を格納ロールからリボンを解く時に選択してもよい。

本書で使用される方向の用語、例えば上方、下方、右、左、前、後、上面、底面は描かれた図を参照してのみ使用され、絶対的な方向を示唆するように意図されていない。

様々な開示された実施形態はそれら実施形態と関連して記述された特徴、要素、又はステップを含んでもよいことは理解されるであろう。また、１つの実施形態に関して記述されているが特徴、要素、又はステップは、様々な非例示の結合又は並べ替えによって他の実施形態と置き換え又は組み合わされてもよいことは理解されるであろう。

また、本明細書で使用されるように、そうでないと明らかに指示されない限り、英語の用語「the」、「a」、又は「an」は「少なくとも１つ」を意味し「１つだけ」に限定されるべきでないと理解されるべきである。例えば、１つの部品への言及は、文脈からそうでないと明らかに示されない限り、２つ以上のそのような部品を有する実施形態を含む。同様に、「複数の」は「２つ以上の」を表すように意図されている。

本明細書で使用されるように、用語「約」は、量、サイズ、配合、パラメータ、並びに他の数量及び特性は正確でなくまた正確である必要がなく、要望通り、許容誤差、換算率、丸め、測定誤差など、及び当業者に既知の他の因子を反映して、おおよそ及び／又はより大きいか小さい場合があることを意味する。範囲は本明細書で「約」特定の値から及び／又は「約」別の特定の値までとして表されうる。そのような範囲を表す時、実施形態はその特定の値から及び／又はその別の特定の値までを含む。同様に、先行する「約」の使用により値が近似値として表される時、その特定の値は別の実施形態を形成することは理解されるであろう。本明細書において範囲の数値又は端点に「約」が付いていてもいなくても、範囲の数値又は端点は、「約」で修飾された実施形態と「約」で修飾されていない実施形態の両方を含むように意図されている。各範囲の端点は他の端点と関連してまた他の端点と独立して意味があることも理解されるであろう。

本明細書で使用される用語「実質的な」、「概ね」及びそれらのバリエーションは記述された特徴が、ある値又は記述に等しい又はほぼ等しいことを表すよう意図されている。例えば、「概ね平面の」表面は、平面又はほぼ平面である表面を示すよう意図されている。また、上記のように、「概ね等しい」は２つの値が等しい又はほぼ等しいことを示すよう意図されている。幾つかの実施形態では、「概ね等しい」は互いから約１０％以内の値、例えば互いから約５％以内、又は互いから約２％以内の値を示す場合がある。

そうでないと明確に記述されていない限り、本書で明らかにされるどんな方法も、特定の順序でそのステップが実行されることを要求していると解釈されることを決して意図していない。従って、方法請求項がそのステップが従う順序を実際に明記しない場合、又は請求項又は説明でステップが特定の順序に限定されるべきであると明記されていない場合、どんな特定の順序も推測されることは決して意図されていない。

特定の実施形態の様々な特徴、要素、又はステップが移行句「comprising」を使用して開示されることがあるが、移行句「consisting」又は「consisting essentially of」を使用して記載される可能性がある特徴、要素、又はステップを含む別の実施形態が示唆されることは理解されるべきである。従って、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含む（comprises）装置の示唆される他の実施形態は、装置がＡ＋Ｂ＋Ｃから成る（consists of）実施形態、及び装置はＡ＋Ｂ＋Ｃから基本的に成る（consists essentially of）実施形態を含む。本書で使用されるように、用語「comprising」及び「including」、及びそれらのバリエーションは、そうでないと示されない限り、同義でオープンエンドであると解釈されるべきである。

上記実施形態及びそれら実施形態の特徴は代表的であり、単独で又は記載した他の実施形態の１つ以上のどんな特徴とも任意の組み合わせで本開示の範囲から逸脱することなく提供されうる。

本開示の要旨及び範囲から逸脱することなく、様々な部分変更及び変形が本開示にされうることは当業者には明らかであろう。従って、実施形態の部分変更及び変形が添付の請求項及びそれらの等価物の範囲内に入る場合、本開示はそれらの部分変更及び変形を包含するように意図されている。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
折り曲げ可能な基板の幅の方向に延在する軸の周りに折り曲げ可能な前記基板を備える折り曲げ可能な装置であって、前記折り曲げ可能な基板は
第１主要表面、第２主要表面、及び前記第１主要表面と前記第２主要表面の間に画定された厚み（Ｔ）と、
前記第１主要表面に沿って延在する複数の溝を備える中央部分と、
前記複数の溝のうち一対の溝間に画定された溝間隔（Ｇｓ）と、
前記厚み（Ｔ）の方向の溝深さ（Ｇｄ）、前記折り曲げ可能な基板の幅の方向の溝長さ、及び前記折り曲げ可能な基板の前記幅に垂直な長さの方向の溝幅（Ｇｗ）を有する前記複数の溝の第１の溝と
を更に有し、
７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす、折り曲げ可能な装置。

実施形態２
前記比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．１以上である、実施形態１記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態３
前記比（Ｇｓ／Ｔ）は約１．５以下である、実施形態１及び２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態４
前記比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．３から約０．９５の範囲内である、実施形態１～３のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態５
前記第１主要表面は第１平面に沿って延在し、前記第２主要表面は前記第１平面に平行な第２平面に沿って延在し、該折り曲げ可能な装置は
前記複数の溝の各溝の前記第１平面で区切られ前記中央部分の外縁によって外接された容積の和から成る結合溝容積（Ｖｇ）と、
前記第１平面と前記第２平面の間に画定され前記中央部分の外縁によって外接された中央容積（Ｖｃ）と
を更に有し、
前記結合溝容積（Ｖｇ）と前記中央容積（Ｖｃ）の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３以上である、実施形態１～４のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態６
前記第１の溝は前記溝長さに垂直な断面輪郭であって、全溝長さに沿って等距離隔てた１０個の位置で概ね同一の断面輪郭を有する、実施形態１～５のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態７
前記第１の溝は前記複数の溝の第２の溝と概ね平行である、実施形態１～６のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態８
前記厚み（Ｔ）は約１００マイクロメートルから約３ミリメートルの範囲内である、実施形態１～７のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態９
前記第１の溝は溝表面によって画定され、前記溝表面と前記第２主要表面の間の最小距離は約２０マイクロメートルから約１００マイクロメートルの範囲内である、実施形態１～８のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１０
前記溝幅（Ｇｗ）は約２０マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲内である、実施形態１～９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１１
前記溝長さは前記折り曲げ可能な基板の幅に等しい、実施形態１～１０のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１２
前記折り曲げ可能な基板はガラスベース基板から成る、実施形態１～１１のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１３
前記折り曲げ可能な基板は約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の有効最小曲げ半径を有する、実施形態１～１２のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１４
前記折り曲げ可能な基板の長さ方向の前記中央部分の中央幅は約０．５ミリメートルから約５０ミリメートルの範囲内である、実施形態１～１３のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１５
前記第１主要表面に接触する第１接触表面を有する光学的に透明な接着剤を更に備え、前記光学的に透明な接着剤は前記第１の溝を満たす、実施形態１～１４のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。

実施形態１６
折り曲げ可能な装置を作製する方法であって、
リボンを５００℃以上の加熱温度に加熱するステップと、
レーザーからレーザービームを放出するステップと、
前記リボンの目標位置に前記レーザービームを当て前記リボンに溝を形成するステップであって、前記リボンは折り曲げ可能な基板を形成し、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に前記折り曲げ可能な基板の前記目標位置は前記加熱温度である、ステップと
を含み、
前記折り曲げ可能な基板の厚みは前記折り曲げ可能な基板の第１主要表面と、前記第１主要表面と反対側の第２主要表面の間に画定され、前記折り曲げ可能な基板の前記溝は前記厚みの方向の溝深さを有し、前記溝深さは約１０マイクロメートルから前記折り曲げ可能な基板の前記厚みの約９５％までの範囲内である、作製方法。

実施形態１７
前記溝を形成するステップは、複数の溝を形成することから成り、前記目標位置に当てることは、前記リボンの複数の目標位置に前記レーザービームを当てることから成る、実施形態１６記載の方法。

実施形態１８
前記リボンの前記目標位置は、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時、約１０^１１パスカル秒から約１０^１４パスカル秒の範囲内の粘度を有する、実施形態１６及び１７のいずれかに記載の方法。

実施形態１９
前記目標位置に前記レーザービームを当てることは、前記リボンを前記目標位置において除去して前記溝を形成する、実施形態１６～１８のいずれかに記載の方法。

実施形態２０
光学的に透明な接着剤の第１接触表面を前記第１主要表面に接触させるステップを更に含み、前記光学的に透明な接着剤は前記溝を満たす、実施形態１６～１９のいずれかに記載の方法。

１００ ガラス製造装置
１０１ ガラス形成装置
１０３ ガラスベースリボン
１０４ 個別ガラスベースリボン
１０５ 溶融容器
１０７ バッチ材料
１０９ 貯蔵容器
１１１ バッチ送出装置
１１３ モーター
１１５ 制御器
１２１ 溶融した材料
１２７ 清澄槽
１２９ 第１接続管
１３１ 混合槽
１３３ 送出容器
１３５ 第２接続管
１３７ 第３接続管
１４０ 形成デバイス
１４１ 入口管
１４５ 根元
１４９ ガラス分離器
１５１ 分離線
１５２ 中央部
１５３ 第１外縁
１５４ ドロー方向
１５５ 第２外縁
１７３ａ、１７３ｂ 引っ張りローラ
２０１ 槽
２０３ａ、２０３ｂ 堰
２０７ａ、２０７ｂ 下方傾斜集束面部分
２０９ 成形ウェッジ
２１３ ドロー平面
２１７ａ、２１７ｂ レーザービーム
２１９ａ、２１９ｂ レーザー
２２１ａ、２２１ｂ 目標位置
８０１、１００１ 折り曲げ可能な装置
８０３、２１０３ 折り曲げ可能な基板
８０５ 折り曲げ可能な基板の長さ
８０７ 折り曲げ可能な基板の幅
８１１ 折り曲げ軸
８１５、２１１５ 溝
８１７ 溝間隔
８１９ 中央幅
８２０ 中央部分
８２１ 溝幅
８２３ 溝長さ
９０１ 基板厚
９０３ 第１主要表面
９０５ 第２主要表面
９１１ 溝深さ
９１３ 溝表面
９１５ 残留厚み
１００５ 光学的に透明な接着剤
１００９ 剥離ライナー
１１０３ 表示器
１１１１ 平行板装置
１１１３、１１１５ 剛性ステンレス鋼板

Claims (15)

1. 折り曲げ可能な基板の幅の方向に延在する軸の周りに折り曲げ可能な前記基板を備える折り曲げ可能な装置であって、前記折り曲げ可能な基板は
   第１主要表面、第２主要表面、及び前記第１主要表面と前記第２主要表面の間に画定された厚み（Ｔ）と、
   前記第１主要表面に沿って延在する複数の溝を備える中央部分と、
   前記複数の溝のうち一対の溝間に画定された溝間隔（Ｇｓ）と、
   前記厚み（Ｔ）の方向の溝深さ（Ｇｄ）、前記折り曲げ可能な基板の幅の方向の溝長さ、及び前記折り曲げ可能な基板の前記幅に垂直な長さの方向の溝幅（Ｇｗ）を有する前記複数の溝の第１の溝と
   を更に有し、
   ７．９３－６．１９×（Ｇｗ／Ｔ）－９．５２×（Ｇｄ／Ｔ）＋６．０５×（Ｇｓ／Ｔ）＜０を満たす、折り曲げ可能な装置。
2. 前記比（Ｇｗ／Ｔ）は約０．１以上であること、
   前記比（Ｇｓ／Ｔ）は約１．５以下であること、又は
   前記比（Ｇｄ／Ｔ）は約０．３から約０．９５の範囲内であることのうち少なくとも１つが成立する請求項１記載の折り曲げ可能な装置。
3. 前記第１主要表面は第１平面に沿って延在し、前記第２主要表面は前記第１平面に平行な第２平面に沿って延在し、該折り曲げ可能な装置は
   前記複数の溝の各溝の前記第１平面で区切られ前記中央部分の外縁によって外接された容積の和から成る結合溝容積（Ｖｇ）と、
   前記第１平面と前記第２平面の間に画定され前記中央部分の外縁によって外接された中央容積（Ｖｃ）と
   を更に有し、
   前記結合溝容積（Ｖｇ）と前記中央容積（Ｖｃ）の比（Ｖｇ／Ｖｃ）は約０．３以上である、請求項１又は２記載の折り曲げ可能な装置。
4. 前記第１の溝は前記溝長さに垂直な断面輪郭であって、全溝長さに沿って等距離隔てた１０個の位置で概ね同一の断面輪郭を有する、請求項１～３のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
5. 前記第１の溝は前記複数の溝の第２の溝と概ね平行である、請求項１～４のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
6. 前記厚み（Ｔ）は約１００マイクロメートルから約３ミリメートルの範囲内である、請求項１～５のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
7. 前記第１の溝は溝表面によって画定され、前記溝表面と前記第２主要表面の間の最小距離は約２０マイクロメートルから約１００マイクロメートルの範囲内である、請求項１～６のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
8. 前記溝幅（Ｇｗ）は約２０マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲内である、請求項１～７のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
9. 前記折り曲げ可能な基板はガラスベース基板から成る、請求項１～８のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
10. 前記折り曲げ可能な基板は約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の有効最小曲げ半径を有する、請求項１～９のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
11. 前記折り曲げ可能な基板の長さ方向の前記中央部分の中央幅は約０．５ミリメートルから約５０ミリメートルの範囲内である、請求項１～１０のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
12. 前記第１主要表面に接触する第１接触表面を有する光学的に透明な接着剤を更に備え、前記光学的に透明な接着剤は前記第１の溝を満たす、請求項１～１１のいずれかに記載の折り曲げ可能な装置。
13. 折り曲げ可能な装置を作製する方法であって、
    リボンを５００℃以上の加熱温度に加熱するステップと、
    レーザーからレーザービームを放出するステップと、
    前記リボンの目標位置に前記レーザービームを当て前記リボンに溝を形成するステップであって、前記リボンは折り曲げ可能な基板を形成し、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時に前記折り曲げ可能な基板の前記目標位置は前記加熱温度である、ステップと
    を含み、
    前記折り曲げ可能な基板の厚みは前記折り曲げ可能な基板の第１主要表面と、前記第１主要表面と反対側の第２主要表面の間に画定され、前記折り曲げ可能な基板の前記溝は前記厚みの方向の溝深さを有し、前記溝深さは約１０マイクロメートルから前記折り曲げ可能な基板の前記厚みの約９５％までの範囲内である、作製方法。
14. 前記リボンの前記目標位置は、前記目標位置に前記レーザービームを最初当て始める時、約１０^１１パスカル秒から約１０^１４パスカル秒の範囲内の粘度を有する、請求項１３記載の方法。
15. 光学的に透明な接着剤の第１接触表面を前記第１主要表面に接触させるステップを更に含み、前記光学的に透明な接着剤は前記溝を満たす、請求項１３又は１４記載の方法。

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