JP2022544584A - 酸化ベリリウムペデスタル - Google Patents
酸化ベリリウムペデスタル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022544584A JP2022544584A JP2022509585A JP2022509585A JP2022544584A JP 2022544584 A JP2022544584 A JP 2022544584A JP 2022509585 A JP2022509585 A JP 2022509585A JP 2022509585 A JP2022509585 A JP 2022509585A JP 2022544584 A JP2022544584 A JP 2022544584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- ppm
- baseplate
- beo
- beryllium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 308
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 303
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 241
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 48
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 35
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 32
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- GXGAKHNRMVGRPK-UHFFFAOYSA-N dimagnesium;dioxido-bis[[oxido(oxo)silyl]oxy]silane Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])=O GXGAKHNRMVGRPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 claims description 24
- 229910000386 magnesium trisilicate Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 235000019793 magnesium trisilicate Nutrition 0.000 claims description 24
- 229940099273 magnesium trisilicate Drugs 0.000 claims description 24
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 12
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 208000013201 Stress fracture Diseases 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 101100352919 Caenorhabditis elegans ppm-2 gene Proteins 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010053481 Antifreeze Proteins Proteins 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100020663 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ppm-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241001596784 Pegasus Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001633 beryllium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/08—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on beryllium oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
- C04B37/006—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
- B32B2311/24—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
- C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
- C04B2235/3445—Magnesium silicates, e.g. forsterite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/421—Boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
- C04B2235/445—Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/448—Sulphates or sulphites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/724—Halogenide content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/725—Metal content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/726—Sulfur content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
- C04B2235/775—Products showing a density-gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/785—Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
上部および下部を備え、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含む、ベースプレート。ベースプレートは、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する。
Description
関連出願の相互参照
[0001]本出願は、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる、２０１９年８月１５日に出願された米国仮特許出願第６２／８８７，２８２号の優先権を主張するものである。
[0001]本出願は、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる、２０１９年８月１５日に出願された米国仮特許出願第６２／８８７，２８２号の優先権を主張するものである。
[0002]本開示は、高温用途のためのセラミックペデスタル（pedestal）に関する。具体的には、本開示は、半導体製造法において使用するための酸化ベリリウムを含むペデスタルに関する。
[0003]多くの高温下の基板加工の用途において、基板は、高温加工室内で、処理、例えば、エッチング、コーティング、洗浄が施され、かつ／またはその表面エネルギーが活性化される。処理を実行するために、プロセスガスを加工室内に導入し、次いで通電してプラズマ状態を実現する。通電は、電極、例えば陰極にＲＦ電圧を印加し、陽極を電気的に接地して、加工室内に容量性領域を形成することによって行うことができる。次いで、加工室内で発生したプラズマによって基板を処理し、その上にエッチングするか、または物質を蒸着させる。
[0004]この処理の間、基板は支持されて（また、所定の位置に保持されて）いなければならない。多くの場合、この目標を達成するために、セラミックペデスタルが用いられる。いくつかの例では、（ペデスタルの一部として）静電チャックアセンブリを用いて、基板を所定の位置に保持する。その他の支持機構、例えば、機械式および真空式も公知である。静電チャックは、多くの場合、誘電体に覆われた電極を備える。電極が帯電されると、基板中の反対の静電荷および結果として生じる静電力が、基板を静電チャックに把持させる。基板がチャックにしっかりと把持されると、プラズマ処理が進行する。
[0005]一部の公知のプラズマ処理は、ある程度の高温下、高浸食性ガス中で実施されることが多い。例えば、アルミニウムのエッチングが１００℃～２００℃の温度で行われるのに対し、銅または白金をエッチングする処理は、２５０℃～６００℃の温度で実施される。これらの温度および浸食性ガスは、チャックの製造に使用される材料を熱的に劣化させる。従来のセラミックペデスタルは、主要成分として、様々な酸化物、窒化物、および合金、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ジルコニア、もしくは黒鉛、または陽極酸化金属を用いてきた。いくつかの場合では、これらの要件は、従来のセラミック材料、例えば、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムによって満たすことができる。
[0006]しかしながら、技術が進歩するに従い、より高い基板処理操作条件（温度）、例えば、６５０℃超、７５０℃超、または８００℃超が所望される。残念ながら、従来のセラミックペデスタル材料は、こうした高温下で、構造的問題、例えば、分解、熱的および／または機械的劣化、粉砕、ならびに層間剥離に悩まされることが発見された。
[0007]加えて、従来のセラミックペデスタルは、恐らく窒化アルミニウム、二酸化ケイ素、または黒鉛の固有の性質に起因して、操作中、ペデスタルプレート表面全体にわたって一貫しない温度均一性を実証することが発見された。これは、ひいては、半導体ウエハーに施される処理において問題となる非整合性につながる。従来のペデスタルプレートにおいて、温度均一性の改善が試みられてきた。しかし、これらの試みには、より複雑な加熱設定および制御機構、例えば、加熱帯および熱電対の数の増加が含まれ、費用および形成過程の不確実性が膨らむ。
[0008]また、従来の非ベリリウムペデスタルは、特に高温下で、ウエハーを所定の位置に保持するために必要とする十分なチャッキング力（締め付け圧）を加える点で苦労する。従来のペデスタルはまた、昇温下での、微小破壊、表面粉砕、（熱）分解、および低浸透率に関連する問題にも悩まされる。中程度の温度でも、従来のペデスタルは、恐らく大容量の故に、非チャッキング時間の問題を有する。
[0009]さらに、従来のペデスタルの多くは、例えば、ろう付け用材料を使用する接着型結合に依存する層状構造、または拡散接合を介した積層構造を用いて、複数の（セラミック）層中の金属導体を固定する。しかしながら、そのような積層構造は、多くの場合に高温下の操作のストレスから生じる構造上の問題および層間剥離に繰り返し悩まされる。
[0010]また、狭い温度範囲内で基板を維持するために、またはペデスタル、基板、もしくは室を洗浄するために、基板を迅速に冷却することが望ましいこともある。しかしながら、ＲＦエネルギーの共役および基板全体にわたるプラズマイオン密度のばらつきにより、強力なプラズマ中で温度変動が起こる。これらの温度変動は、基板の温度の急激な増加または減少を引き起こす可能性があり、安定化を要する。そのため、洗浄中に若干の冷却で済む、または冷却を要しないペデスタルを有することが望ましく、例えば、作動温度で洗浄でき、かつ／または若干の洗浄サイクルタイムで、もしくは洗浄サイクルタイムを有さずに洗浄でき、（ダウンタイムを減らす／無くすことによって）処理効率を有利に改善する。
[0011]従来のペデスタル技術を考慮しても、特に高温下、例えば６５０℃超で、例えば、分解が低減され、熱が低減され、微小破壊が減少され、かつ／または機械的劣化が低減され、温度均一性が改善され、かつ／または締め付け圧が優れ、一方で層間剥離がないことを実証する、改善された性能を有する、改善されたペデスタルアセンブリの必要性が存在する。
[0018]いくつかの実施形態において、本開示は、シャフトおよびベースプレートを備えるペデスタルアセンブリであって、シャフトが、酸化ベリリウムおよび（１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍまたは１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍ）フッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有し、ベースプレートが、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有する、ペデスタルアセンブリに関する。ベースプレートは、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および／または８００℃で１×１０５オームｍ（ohm-m）超のバルク抵抗率を実証する。第１の酸化ベリリウム組成物は、第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含んでもよく、フッ素／フッ化物イオン濃度を達成するために処理してもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウムならびに５０ｗｔ％ｐｐｍ未満の二酸化ケイ素および／または１～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ；１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩；ならびに／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）をさらに含んでもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、０．１ミクロン超の平均粒界（grain boundaries）および／または１００ミクロン未満の平均粒径を有してもよい。第２の酸化ベリリウム組成物は、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウムおよび１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの二酸化ケイ素および／または１ｐｐｂ～１０ｗｔ％の三ケイ酸マグネシウムおよび／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％の酸化リチウムをさらに含んでもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、第２の酸化ベリリウム組成物より多くの酸化マグネシウムおよび／または三ケイ酸マグネシウムを含んでもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含んでもよく、かつ／または第２の酸化ベリリウム組成物は、５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含んでもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、室温で３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の伝導率および／または９０％～１００％の範囲の理論密度を有してもよく、かつ／または第２の酸化ベリリウム組成物は、室温で４００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の伝導率を有してもよい。ベースプレートは、７００℃超の温度に加熱したときの±３％未満の温度変動、および／もしくは８００℃で１×１０４オームｍ超のバルク抵抗率、および／もしくは０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証することができ、かつ／または２０未満の誘電率、および／もしくは４５Ｎスケールで少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／もしくはベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数、および／もしくは、ベースプレートの最小横寸法は、少なくとも１００ｍｍ、および／もしくは３００ｍｍの距離にまたがって５０ミクロン未満のキャンバーを有する平坦度を有しうる。ベースプレートは、ベースプレート中に密閉された発熱体および／または任意選択により１ミクロン未満の高さを有するメサをさらに含んでもよい。ベースプレートは、２層未満のラミネートを含む、および／または個別の層を含まなくてもよい。シャフトは、同様の熱膨張係数を有するスタブ部を備えてもよい。
[0019]本開示はまた、上部および下部を有し、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含む、ベースプレートにも関する。ベースプレートは、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および／または１６００℃超の温度で１ｗｔ％未満の分解変化（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｃｈａｎｇｅ）、および／または７００℃超の温度に加熱したときの±３％未満の温度変動、および／または１×１０８超のバルク抵抗率、および／または０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失、および／または２０未満の誘電率、および／または４５Ｎスケールで少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／または８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率、および／またはベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数（熱膨張係数は、上部から下部へ２５％未満変動しうる）、および／または２時間未満の洗浄サイクルタイム、および／または±３％未満の温度変動を実証しうる。ベースプレートは、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍ、例えば、１ｐｐｍ～５ｗｔ％の酸化マグネシウムおよび１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍ、例えば、１ｐｐｍ～５ｗｔ％の二酸化ケイ素、および／または１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍ、例えば、１ｐｐｍ～５ｗｔ％の三ケイ酸マグネシウムを含む酸化ベリリウム組成物を含んでもよい。ベースプレートは、個別の層を含まなくてもよく、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、および／または上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および／または上部から下部へ減少する純度勾配、および／または上部から下部へ減少する理論密度勾配および／または上部から下部へ増加する誘電率勾配を有しうる。ベースプレートは、任意選択のニオブおよび／もしくは白金を含む発熱体、任意選択のコイル状および／もしくはクリンプ状発熱体、ならびに／またはアンテナをさらに含んでもよい。上部の純度は、下部の純度より少なくとも０．４％高くてよい。
[0020]本開示はまた、上部および下部を有し、酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートにも関し、ここで、ベースプレートは、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、および／または上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および／または上部から下部へ減少する純度勾配、および／または上部から下部へ減少する理論密度勾配および／または上部から下部へ増加する誘電率勾配を有する。ベースプレートは、室温で測定した場合、上部の熱伝導率が１２５～４００Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部の熱伝導率が１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫの範囲であり、かつ／または８００℃で測定した場合、上部の熱伝導率が２５Ｗ／ｍＫ～１０５Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲であり、任意選択により、室温で測定した場合、上部の熱伝導率は、下部の熱伝導率より少なくとも６％高く、かつ／または任意選択により、８００℃で測定した場合、上部の熱伝導率は、下部の熱伝導率より少なくとも６％高いものであってもよい。上部の純度は９９．０～９９．９の範囲であってもよく、下部の純度は９５．０～９９．５の範囲であってもよい。上部の純度は、下部の純度より少なくとも０．４％高くてもよい。上部の理論密度は９３％～１００％の範囲であってもよく、下部の理論密度は９３％～１００％の範囲であってもよい。上部の理論密度は、下部の理論密度より少なくとも０．５％高くてもよい。上部の誘電率は１～２０の範囲であってもよく、下部の誘電率は１～２０の範囲であってもよい。ベースプレートは、個別の層を含まなくてもよい。ベースプレートは、上述の締め付け圧、温度変動、および腐食損失を実証しうる。
[0021]本開示はまた、酸化ベリリウムおよび（１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍ）フッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むペデスタルアセンブリ用のシャフトにも関する。酸化ベリリウム組成物は、０．１ミクロン超の平均粒界、および／もしくは非晶質粒状構造、および／もしくは１００ミクロン未満の平均粒径を有し、かつ／または室温で３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率、および／もしくは９０～１００の範囲の理論密度を実証することができる。シャフトは、室温で測定した場合、１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫの範囲の上部の熱伝導率および１Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫの範囲の下部の熱伝導率、ならびに／または８００℃で測定した場合、１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲の上部の熱伝導率および１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲の下部の熱伝導率を実証することができ、上部の理論密度は、下部の理論密度より少なくとも０．５％高くてもよい。酸化ベリリウム組成物は、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含んでもよい。第１の酸化ベリリウム組成物は、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオン、および／または５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウム、および／または５０ｗｔ％ｐｐｍ未満の二酸化ケイ素、および／または１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、および／または１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、および／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）を含んでもよい。
[0022]本開示はまた、上述の実施形態のいずれかのシャフトと、互いに接合された多層（任意選択によりろう付け用材料を有する）および任意選択のプリント発熱体を含有するベースプレートと、を含むペデスタルアセンブリにも関する。
[0023]本開示はまた、上部および下部を有し、セラミック組成物を含むベースプレートにも関し、ここで、ベースプレートは、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧、７００℃超の温度に加熱した場合に±３℃未満の温度変動、および／または８００℃で１×１０８超のバルク抵抗率、および／または０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失、および／または２０未満の誘電率、および／または４５Ｎスケールで少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／またはベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数を実証する。
[0024]本開示はまた、ベースプレートを製造する方法であって、第１のＢｅＯ粉末および第３のＢｅＯ粉末を供給するステップと、第１および第３の粉末から第２の粉末を形成するステップと、第１の粉末から第１（下部）の領域を形成するステップと、第２の粉末から第２（中間）の領域を形成するステップと、第３の粉末から第３（上部）の領域を形成してベースプレート前駆体を形成するステップであって、第２の領域が、第１および第３の領域の間に配置される、ステップと、任意選択によりベースプレート前駆体を混合して粉末を接合させるステップと、任意選択により発熱体を一領域内に置き、かつ／または端部を圧着するステップと、ベースプレート前駆体を冷間成形するステップと、ベースプレート前駆体を焼成してベースプレートを成形するステップと、を含む、方法にも関する。第１および第３（および第２）の粉末は、異なるグレード原料ＢｅＯを含んでもよい。
[0025]本開示はまた、ペデスタルシャフトを製造する方法であって、酸化ベリリウム組成物を処理して、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍフッ素／フッ化物イオンの範囲のフッ素／フッ化物イオン濃度を実現するステップを含む、方法にも関する。
[0026]本開示はまた、汚染されたペデスタルアセンブリを洗浄する方法であって、ウエハーをペデスタルアセンブリの頂部に配置したペデスタルアセンブリおよびウエハーを供給するステップ、ウエハーを６００℃超の温度に加熱するステップ、ウエハーを、１００℃未満の幅で冷却温度まで冷却する（または全く冷却しない）ステップ、冷却温度でプレートを洗浄するステップ、任意選択によりウエハーを６００℃まで再加熱するステップを含み、冷却ステップから再加熱ステップまでの洗浄サイクルタイムが２時間未満である、方法にも関する。洗浄サイクルタイムは、０～１０分の範囲であってもよい。
[0027]上で述べたように、従来のペデスタルアセンブリは、処理、例えば、化学蒸着、エッチングなどの間に半導体基板を支持し、所定の位置に保持するために使用されることが多い。典型的なセラミックペデスタルは、主要成分として、様々な酸化物、窒化物、および合金、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、または黒鉛を用いてきた。そして、これらのセラミック材料は、中温から高温、例えば、６５０℃未満または６００℃未満の温度における処理法の必要条件を満たすことができる。しかしながら、技術が進歩するに従い、より高い基板処理操作温度、例えば、６５０℃超またはさらに８００℃超の温度が所望される。残念ながら、従来のセラミックペデスタル材料は、こうした高温下で、構造上の問題、例えば、分解、熱および／または機械的劣化、ならびに層間剥離に悩まされることが発見された。加えて、従来のペデスタル材料は、不十分なバルク抵抗率を有することが知られる。いくつかの場合では、不満足な抵抗率は、特に高温下で、不十分なウエハーを所定の位置に保持するために必要とするチャッキング／クランプ力につながる。
[0028]さらに、従来のセラミックペデスタルは、ペデスタルプレート表面全体にわたって一貫性のない温度均一性を実証することが発見され、これは、半導体ウエハーに施す処理において問題となる不整合性につながる。加えて、従来の層状ペデスタル構造の多くは、高温操作のストレスから生じることが多い構造上の問題および層間剥離に悩まされることが発見された。
[0029]本発明者らは、現在、本開示の酸化ベリリウム（ＢｅＯ）組成物（高純度レベルおよび相成分含量を有する）の使用が、抵抗率に関連しうる、高温性能と高チャッキング力（「締め付け圧」）との相助関係的な組合せを実証するペデスタルアセンブリ（またはペデスタルベースプレートおよびシャフト部品）をもたらすことを発見した。理論に束縛されるものではないが、ＢｅＯ組成物のいくつかの特定成分の組合せ（場合によっては、本開示の成分濃度の）が、任意選択により特定の処理パラメータと組み合わせて、ＢｅＯにおける有利な微細構造、例えば、粒界および粒径をもたらし、ひいては、高温性能と高締め付け圧との組合せをもたらすことが想定される。また、理論に束縛されるものではないが、本開示のＢｅＯ組成物は、最適な（より少ない）量の酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、および／または三ケイ酸マグネシウムを有するペデスタルベースプレートをもたらし、これは高いバルク抵抗率に寄与する。
[0030]また、本発明者らは、本開示の酸化ベリリウム（ＢｅＯ）組成物のいくつか（場合によっては、本開示の成分濃度の）は、特定の処理パラメータと組み合わせて、意外なことに、有利な微細構造（本明細書中でより詳細に考察される）をもたらすことを発見した。
[0031]さらに、ＢｅＯ組成物の成分は、低い誘電率をもたらし、これが低い静電容量につながり、ひいては非チャッキング時間の遅延を改善することが発見された。本開示のＢｅＯ組成物はまた、改善された耐食性、改善された熱浸透率、改善された熱拡散率、改善された熱伝導率、改善された比熱、およびより低い熱的ヒステリシスを実証し、これらは全て、本明細書中で開示する性能の相乗効果に寄与することも発見された。
[0032]従来のセラミックペデスタル、例えば、主要成分として窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ジルコニア、陽極酸化金属、または黒鉛を用いて形成されたものは、高温性能を実現することはできなかった。こうした温度で許容される締め付け圧を実現することもできず、すなわち、締め付け圧は、特に高温下で、欠乏／低下されることが発見された。
ペデスタルアセンブリ（Pedestal Assembly）
[0033]本明細書において、ペデスタルアセンブリを開示する。ペデスタルアセンブリは、シャフト上またはその頂部に配置されるベースプレートを備える。シャフトは、ＢｅＯならびにフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含有する第１のＢｅＯ組成物を含有する（また、該第１のＢｅＯ組成物から形成される）。ベースプレートは、ＢｅＯ（少なくとも９５．０ｗｔ％などの高純度レベルで）ならびに任意選択のフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含有する第２のＢｅＯ組成物を含有する（また、該第２のＢｅＯ組成物から形成される）。本開示の組成物中のＢｅＯは、いくつかの実施形態において、合成ＢｅＯ、例えば、原料（粉末）から製造されたＢｅＯであり、これは自然界に存在する固形の天然ＢｅＯとは対照的である。本発明者らは、組成物中の酸化ベリリウム（および任意選択の本明細書に記載の他成分）を主要成分として使用することは、本明細書に記載の性能特性、例えば、高温性能および／または優れた締め付け圧をもたらすか、またはそれに寄与することを明らかにした。
[0033]本明細書において、ペデスタルアセンブリを開示する。ペデスタルアセンブリは、シャフト上またはその頂部に配置されるベースプレートを備える。シャフトは、ＢｅＯならびにフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含有する第１のＢｅＯ組成物を含有する（また、該第１のＢｅＯ組成物から形成される）。ベースプレートは、ＢｅＯ（少なくとも９５．０ｗｔ％などの高純度レベルで）ならびに任意選択のフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含有する第２のＢｅＯ組成物を含有する（また、該第２のＢｅＯ組成物から形成される）。本開示の組成物中のＢｅＯは、いくつかの実施形態において、合成ＢｅＯ、例えば、原料（粉末）から製造されたＢｅＯであり、これは自然界に存在する固形の天然ＢｅＯとは対照的である。本発明者らは、組成物中の酸化ベリリウム（および任意選択の本明細書に記載の他成分）を主要成分として使用することは、本明細書に記載の性能特性、例えば、高温性能および／または優れた締め付け圧をもたらすか、またはそれに寄与することを明らかにした。
[0034]いくつかの実施形態において、本開示のペデスタルアセンブリ（またはそのベースプレート）は、広範な締め付け圧性能を実証する。いくつかの場合では、本開示のペデスタルアセンブリは、Ｊｏｈｎｓｅｎ－Ｒａｈｂｅｋペデスタルである。例えば、本開示のペデスタルアセンブリは、１３３ｋＰａ超、例えば、１３５ｋＰａ超、１４０ｋＰａ超、１４５ｋＰａ超、または１５０ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、１６０ｋＰａ未満、例えば、１５５ｋＰａ未満、１５０ｋＰａ未満、１４５ｋＰａ未満、１４０ｋＰａ未満、または１３５ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、１３３ｋＰａ～１６０ｋＰａ、例えば、１３３ｋＰａ～１５５ｋＰａ、１３３ｋＰａ～１５０ｋＰａ、１３５ｋＰａ～１５０ｋＰａ、１３５ｋＰａ～１４５ｋＰａ、または１３８ｋＰａ～１４３ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0035]本明細書で用いる場合、用語「～超」、「～未満」などは、実数限界を含むと考えられ、例えば、「～以上」と解釈される。範囲は、終点の値を含むと考えられる。
[0036]他の場合では、本開示のペデスタルアセンブリは、クーロンペデスタル（ｃｏｕｌｏｍｂｉｃ ｐｅｄｅｓｔａｌ）である。例えば、本開示のペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ超、例えば、０．５ｋＰａ超、１ｋＰａ超、１．３ｋＰａ超、２ｋＰａ超、または４ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、１５ｋＰａ未満、例えば、１４ｋＰａ未満、１３ｋＰａ未満、１２ｋＰａ未満、または１０ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ～１５ｋＰａ、例えば、０．５ｋＰａ～１４ｋＰａ、１ｋＰａ～１４ｋＰａ、１．３ｋＰａ～１３ｋＰａ、２ｋＰａ～１２ｋＰａ、または４ｋＰａ～１０ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0036]他の場合では、本開示のペデスタルアセンブリは、クーロンペデスタル（ｃｏｕｌｏｍｂｉｃ ｐｅｄｅｓｔａｌ）である。例えば、本開示のペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ超、例えば、０．５ｋＰａ超、１ｋＰａ超、１．３ｋＰａ超、２ｋＰａ超、または４ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、１５ｋＰａ未満、例えば、１４ｋＰａ未満、１３ｋＰａ未満、１２ｋＰａ未満、または１０ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ～１５ｋＰａ、例えば、０．５ｋＰａ～１４ｋＰａ、１ｋＰａ～１４ｋＰａ、１．３ｋＰａ～１３ｋＰａ、２ｋＰａ～１２ｋＰａ、または４ｋＰａ～１０ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0037]他の場合では、本開示のペデスタルアセンブリは、部分的Ｊｏｈｎｓｅｎ－Ｒａｈｂｅｋ／部分的クーロンペデスタルである。例えば、本開示のペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ超、例えば、１ｋＰａ超、１０ｋＰａ超、１３ｋＰａ超、２０ｋＰａ超、４０ｋＰａ超、または６０ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、１６０ｋＰａ未満、例えば、１５５ｋＰａ未満、１３５ｋＰａ未満、１３３ｋＰａ未満、１３０ｋＰａ未満、１２０ｋＰａ未満、１００ｋＰａ未満、または８０ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ～１６０ｋＰａ、例えば、１ｋＰａ～１５５ｋＰａ、１ｋＰａ～１３５ｋＰａ、１ｋＰａ～１３３ｋＰａ、１０ｋＰａ～１３０ｋＰａ、１３ｋＰａ～１３３ｋＰａ、２０ｋＰａ～１２０ｋＰａ、４０ｋＰａ～１００ｋＰａ、または６０ｋＰａ～８０ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0038]いくつかの実施形態において、本開示のペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ超、例えば、１ｋＰａ超、１．３ｋＰａ超、３ｋＰａ超、５ｋＰａ超、１０ｋＰａ超、または２０ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、７０ｋＰａ未満、例えば、６０ｋＰａ未満、５５ｋＰａ未満、５０ｋＰａ未満、または４５ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、０．１ｋＰａ～７０ｋＰａ、例えば、１ｋＰａ～６０ｋＰａ、１．３ｋＰａ～５５ｋＰａ、５ｋＰａ～５０ｋＰａ、または１０ｋＰａ～４５ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0039]いくつかの実施形態において、本開示のペデスタルアセンブリは、７０ｋＰａ超、例えば、１００ｋＰａ超、１３５ｋＰａ超、１５０ｋＰａ超、２００ｋＰａ超、または２５０ｋＰａ超の締め付け圧を実証することができる。上限に関しては、ペデスタルアセンブリは、５５０ｋＰａ未満、例えば、５００ｋＰａ未満、４５０ｋＰａ未満、４００ｋＰａ未満、または３５０ｋＰａ未満の締め付け圧を実証することができる。範囲に関しては、ペデスタルアセンブリは、７０ｋＰａ～５５０ｋＰａ、例えば、１００ｋＰａ～５００ｋＰａ、１３５ｋＰａ～４５０ｋＰａ、１５０ｋＰａ～４００ｋＰａ、２００ｋＰａ～４００ｋＰａ、または２５０ｋＰａ～３５０ｋＰａの範囲の締め付け圧を実証することができる。
[0040]加えて、特定の組成物および処理パラメータが、ペデスタルのベースプレートの厚さおよび／またはペデスタルのシャフトの長さ全体にわたって特性勾配をもたらすことが発見された。有益には、これらの勾配は、高温蒸着操作において存在する熱的および機械的応力をより良好に分配する（これは、応力集中部を無くすことができる）ことが発見された。重要なことには、これらの勾配は、個別の層を要することなく実現される。
[0041]本開示のペデスタルアセンブリは、意外なことに、（従来のペデスタルアセンブリと比較して）より過酷な操作条件、例えば、温度、圧力、および／または電圧の下で、前述の締め付け圧を実現することができる。いくつかの実施形態において、ペデスタルは、４００℃超、例えば、５００℃超、６００℃超、７００℃超、もしくは８００℃超の温度および／または３００Ｖ超、例えば、４００Ｖ超、４５０Ｖ超、５００Ｖ超、５５０Ｖ超、６００Ｖ超、もしくは６５０Ｖ超の電圧で、前述の締め付け圧を実現することができる。対照的に、従来の窒化アルミニウムペデスタルは、過酷な操作条件下、高度に無効な締め付けとなることが発見され、ほとんどの場合、従来の窒化アルミニウムは、これらの条件下で分解し、限定された（存在する場合）締め付け能力をもたらすことができない。
シャフト
[0042]本開示はまた、シャフトにも関する。シャフトは、ＢｅＯ組成物、例えば、前述の第１のＢｅＯ組成物を含む。組成物および任意選択のその処理により、シャフトは、優れた性能特性および本明細書に開示する微細構造を実証する。特に、シャフトは、本明細書中に記載されるように、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造を有する。いくつかの場合において、シャフトは、シャフトの長さにわたって有利な特性勾配を有する（下記参照）。
[0042]本開示はまた、シャフトにも関する。シャフトは、ＢｅＯ組成物、例えば、前述の第１のＢｅＯ組成物を含む。組成物および任意選択のその処理により、シャフトは、優れた性能特性および本明細書に開示する微細構造を実証する。特に、シャフトは、本明細書中に記載されるように、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造を有する。いくつかの場合において、シャフトは、シャフトの長さにわたって有利な特性勾配を有する（下記参照）。
[0043]第１のＢｅＯ組成物は、主要成分としてＢｅＯを含む。ＢｅＯは、５０ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、例えば、７５ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、８５ｗｔ％～９９．７ｗｔ％、９０ｗｔ％～９９．７ｗｔ％、または９２ｗｔ％～９９．５ｗｔ％の範囲の量で存在してよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０ｗｔ％超のＢｅＯ、例えば、７５ｗｔ％超、８５ｗｔ％超、９０ｗｔ％超、９２ｗｔ％超、９５ｗｔ％超、９８ｗｔ％超、または９９ｗｔ％超のＢｅＯを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、９９．９ｗｔ％未満のＢｅＯ、例えば、９９．８ｗｔ％未満、９９．７ｗｔ％未満、９９．６ｗｔ％未満、９９．５ｗｔ％未満、または９９．０ｗｔ％未満のＢｅＯを含んでよい。
[0044]いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物、例えば、シャフトのＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ化物イオンおよび／またはフッ素、例えば、１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍ、１００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、５００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～３００ｐｐｍ、２５ｐｐｍ～２５０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍのフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含む。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超のフッ化物イオンおよび／またはフッ素、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、２ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超または７５ｐｐｍ超のフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１０００ｐｐｍ未満のフッ化物イオンおよび／またはフッ素、例えば、８００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、または１２５ｐｐｍ未満のフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含んでよい。いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物を処理して、例えば、所望のフッ素／フッ化物イオン濃度に到達するように分離操作を実施することによって、フッ素／フッ化物イオン濃度を実現する。いくつかの場合では、所望のフッ素／フッ化物イオン濃度は、自然には起こらず、そのような分離操作を要する。さらに、本開示の量の、ＢｅＯ組成物中のフッ素／フッ化物イオンは、驚くべきことに、意外な利益をもたらすことが発見された。フッ素／フッ化物イオン（任意選択により本開示の量の）は、驚くべきことに、フォノン波動関数、フォノン輸送、および／または透過（散乱を介して）の妨害において有効である微細構造に寄与する／につながると考えられる。
[0045]いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、第２のＢｅＯ組成物より多くのフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含む。本発明者らは、驚くべきことに、ベースプレートからシャフトまでのフッ化物イオンおよび／またはフッ素含量の差異が、少なくとも前述のフォノン妨害特性のために重要であることを発見した。いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、第２のＢｅＯ組成物より少なくとも１０％、例えば、少なくとも２０％、少なくとも３０％、少なくとも５０％、少なくとも７５％、または少なくとも１００％、多くのフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含む。
[0046]いくつかの場合では、第１のＢｅＯ組成物は、酸化マグネシウムをさらに含む。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウム、例えば、１００ｐｐｍ～２５ｗｔ％、５００ｐｐｍ～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．５ｗｔ％～８ｗｔ％、０．５ｗｔ％～５ｗｔ％、０．７ｗｔ％～４ｗｔ％、または０．５ｗｔ％～３．５ｗｔ％の酸化マグネシウムを含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超の酸化マグネシウム、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｍ超、５００ｐｐｍ超、０．１ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、または１ｗｔ％超の酸化マグネシウムを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウム、例えば、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、８ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、４ｗｔ％未満、または３．５ｗｔ％未満の酸化マグネシウムを含んでよい。
[0047]いくつかの特定の実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、二酸化ケイ素を含む。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍの二酸化ケイ素、例えば、１００ｐｐｍ～２５ｗｔ％、５００ｐｐｍ～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．５ｗｔ％～８ｗｔ％、０．５ｗｔ％～５ｗｔ％、０．７ｗｔ％～４ｗｔ％、または０．５ｗｔ％～３．５ｗｔ％の二酸化ケイ素を含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超の二酸化ケイ素、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｍ超、５００ｐｐｍ超、０．１ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、または１ｗｔ％超の二酸化ケイ素を含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０ｗｔ％未満の二酸化ケイ素、例えば、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、８ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、４ｗｔ％未満、または３．５ｗｔ％未満の二酸化ケイ素を含んでよい。
[0048]第１のＢｅＯ組成物は、三ケイ酸マグネシウムを含んでよい。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５ｗｔ％の三ケイ酸マグネシウム、例えば、１ｐｐｍ～２ｗｔ％、１００ｐｐｍ～２ｗｔ％、５００ｐｐｍ～１．５ｗｔ％、１０００ｐｐｍ～１ｗｔ％、２０００ｐｐｍ～８０００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍ～７０００ｐｐｍ、または４０００ｐｐｍ～６０００ｐｐｍの三ケイ酸マグネシウムを含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超の三ケイ酸マグネシウム、例えば、１ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、５００ｐｐｍ超、１０００ｐｐｍ超、２０００ｐｐｍ超、３０００ｐｐｍ超、または４０００ｐｐｍ超の三ケイ酸マグネシウムを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５ｗｔ％未満の三ケイ酸マグネシウム、例えば、２ｗｔ％未満、１．５ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満、８０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、または６０００ｐｐｍ未満の三ケイ酸マグネシウムを含んでよい。
[0049]いくつかの場合では、第１のＢｅＯ組成物は、アルミナをさらに含む。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、例えば、１００ｐｐｍ～２５ｗｔ％、５００ｐｐｍ～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．５ｗｔ％～８ｗｔ％、０．５ｗｔ％～５ｗｔ％、０．７ｗｔ％～４ｗｔ％、または０．５ｗｔ％～３．５ｗｔ％のアルミナを含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超のアルミナ、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｍ超、５００ｐｐｍ超、０．１ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、または１ｗｔ％超のアルミナを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０ｗｔ％未満のアルミナ、例えば、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、８ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、４ｗｔ％未満、または３．５ｗｔ％未満のアルミナを含んでよい。
[0050]いくつかの場合では、第１のＢｅＯ組成物は、亜硫酸塩をさらに含む。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、例えば、１ｐｐｍ～５０００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２０００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～１５００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～１０００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、２５ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍの亜硫酸塩を含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超の亜硫酸塩、例えば、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、２５ｐｐｍ超、または５０ｐｐｍ超の亜硫酸塩を含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１００００ｐｐｍ未満の亜硫酸塩、例えば、５０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、１５００ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、または１５０ｐｐｍ未満の亜硫酸塩を含んでよい。
[0051]いくつかの場合では、第１のＢｅＯ組成物は、少量の非ＢｅＯセラミックス、例えば、酸化物セラミックスを含む。例えば、第１の酸化ベリリウム組成物は、７５ｗｔ％未満の非ＢｅＯセラミックス、例えば、５０ｗｔ％未満、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、または１ｗｔ％未満の非ＢｅＯセラミックスを含んでよい。範囲に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｗｔ％～７５ｗｔ％、例えば、５ｗｔ％～５０ｗｔ％、５ｗｔ％～２５ｗｔ％、または１～１０ｗｔ％の非ＢｅＯセラミックスを含んでよい。
[0052]第１のＢｅＯ組成物は、ホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）などの他成分をさらに含んでもよい。第１のＢｅＯ組成物は、これらの成分を、１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｂ～０．５ｗｔ％、１０ｐｐｂ～１０００ｐｐｍ、１０ｐｐｂ～９００ｐｐｍ、５０ｐｐｂ～８００ｐｐｍ、５００ｐｐｂ～１０００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～６００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～２５０ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍの範囲の量で含んでよい。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｍ超、５０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、または２００ｐｐｍ超の、これらの成分を含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｗｔ％未満、例えば、０．５ｗｔ％未満、１０００ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、または１５０ｐｐｍ未満の、これらの成分を含んでよい。
[0053]いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、７５ｗｔ％未満、例えば、５０ｗｔ％未満、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、３ｗｔ％未満、または１ｗｔ％未満の非ＢｅＯセラミックス、例えば、窒化アルミニウムを含む。範囲に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、０．０１ｗｔ％～７５ｗｔ％、例えば、０．０５ｗｔ％～５０ｗｔ％、０．０５ｗｔ％～２５ｗｔ％、または０．１～１０ｗｔ％の非ＢｅＯセラミックスを含んでよい。
[0054]他成分、例えば、アルミニウム（前述のアルミナとは異なるもの）、ランタン、マグネシウム（前述の酸化マグネシウムまたは三ケイ酸マグネシウムとは別のもの）、ケイ素（前述の二酸化ケイ素および三ケイ酸マグネシウムとは別のもの）、もしくはイットリアまたはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）も存在してよい。これらの上記の範囲および限界値は、これらの追加成分に適用可能である。
第２の相
[0055]いくつかの場合において、シャフトおよび／またはベースプレートは、一次相（第１の相）および二次相（第２の相）を含む。一次相は材料粒子を含み、二次相は、粒界を形成する材料、例えば、粒子間の材料を含む。一次相および二次相の組成物は、互いに異なっていてよい。シャフトおよびベースプレート中の二次相の各組成物は、それらの性能特性、例えば、熱伝導率、（理論）密度、特にフォノンを散乱する能力に影響しうる。一般に、二次相は、シャフトおよび／またはベースプレートの全体組成の比較的小さな部分である。いくつかの場合において、シャフトは、ベースプレートより、例えば、少なくとも５％、少なくとも１０％、少なくとも２５％、または少なくとも５０％多い二次相を含有し、アセンブリの改善された性能に寄与する。
[0055]いくつかの場合において、シャフトおよび／またはベースプレートは、一次相（第１の相）および二次相（第２の相）を含む。一次相は材料粒子を含み、二次相は、粒界を形成する材料、例えば、粒子間の材料を含む。一次相および二次相の組成物は、互いに異なっていてよい。シャフトおよびベースプレート中の二次相の各組成物は、それらの性能特性、例えば、熱伝導率、（理論）密度、特にフォノンを散乱する能力に影響しうる。一般に、二次相は、シャフトおよび／またはベースプレートの全体組成の比較的小さな部分である。いくつかの場合において、シャフトは、ベースプレートより、例えば、少なくとも５％、少なくとも１０％、少なくとも２５％、または少なくとも５０％多い二次相を含有し、アセンブリの改善された性能に寄与する。
[0056]いくつかの実施形態において、シャフトは、０．００１ｗｔ％～５０ｗｔ％の第２の相、例えば、０．０１ｗｔ％～２５ｗｔ％、０．０１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．０５ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％～５ｗｔ％、０．５ｗｔ％～５ｗｔ％、または０．５ｗｔ％～３ｗｔ％の第２の相を含む。上限に関しては、シャフトは、５０ｗｔ％未満の第２の相、例えば、２５ｗｔ％未満、１０ｗｔ％未満、５ｗｔ％未満、３ｗｔ％未満または２ｗｔ％未満の第２の相を含んでよい。下限に関しては、シャフトは、０．００１ｗｔ％超の第２の相、例えば、０．０１ｗｔ％超、０．０５ｗｔ％超、０．１ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、または１ｗｔ％超の第２の相を含んでよい。重量パーセンテージは、シャフトの全重量に基づく。
[0057]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、０．０５ｗｔ％～１０ｗｔ％の第２の相、例えば、０．０５ｗｔ％～５ｗｔ％、０．１ｗｔ％～５ｗｔ％、０．１ｗｔ％～３ｗｔ％、または０．１ｗｔ％～１ｗｔ％の第２の相を含む。上限に関しては、ベースプレートは、１０ｗｔ％未満の第２の相、例えば、５ｗｔ％未満、３ｗｔ％未満、２ｗｔ％未満、または１ｗｔ％未満の第２の相を含んでよい。下限に関しては、ベースプレートは、０．０５ｗｔ％超の第２の相、例えば、０．１ｗｔ％超、０．２ｗｔ％超、０．５ｗｔ％超、０．７ｗｔ％超、または１ｗｔ％超の第２の相を含んでよい。重量パーセンテージは、ベースプレートの全重量に基づく。
[0058]いくつかの場合において、第２の相は、非ＢｅＯ成分を含んでよい。例えば、シャフトを構成する第１のＢｅＯ組成物の第２の相は、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ、イットリア、チタニア、リチア、ランタナ、もしくは三ケイ酸マグネシウム、またはこれらの混合物を含んでもよい。第１のＢｅＯ組成物（およびそれから作製されるシャフト）は、非ＢｅＯ成分を含み、該非ＢｅＯ成分はそれぞれ、１ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、例えば、５００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～３００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍの範囲の量で存在してよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、５００ｐｐｍ未満、例えば、３００ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、または１２５ｐｐｍ未満の量で存在する。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、１ｐｐｂ超、例えば、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、２５ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超、７５ｐｐｍ超、または１００ｐｐｍ超の量で存在する。これらの重量パーセンテージは、第１のＢｅＯ組成物の全重量、例えば、シャフトの全重量に基づく。
[0059]いくつかの特定の実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍ、例えば、１００ｐｐｍ～９０００ｐｐｍ、２０００ｐｐｍ～１００００ｐｐｍ、５０００ｐｐｍ～１００００ｐｐｍ、５０００ｐｐｍ～９０００ｐｐｍ、６０００ｐｐｍ～９０００ｐｐｍ、または７０００ｐｐｍ～８０００ｐｐｍの第２の相の酸化マグネシウムを含む。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、２００ｐｐｍ超、１０００ｐｐｍ超、２０００ｐｐｍ超、３０００ｐｐｍ超、４０００ｐｐｍ超、５０００ｐｐｍ超、６０００ｐｐｍ超、または７０００ｐｐｍ超の第２の相の酸化マグネシウムを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１００００ｐｐｍ未満、例えば、９０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、または４０００ｐｐｍ未満の第２の相の酸化マグネシウムを含んでよい。
[0060]いくつかの特定の実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５０００ｐｐｍ、例えば、１００ｐｐｂ～１０００ｐｐｍ、１００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、５ｐｐｍ～５０ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２０ｐｐｍ、または２ｐｐｍ～１０ｐｐｍの第２の相の二酸化ケイ素を含む。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、２００ｐｐｂ超、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、２ｐｐｍ超、５ｐｐｍ超、または７ｐｐｍ超の第２の相の二酸化ケイ素を含む。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０００ｐｐｍ未満、例えば、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、または１０ｐｐｍ未満の第２の相の二酸化ケイ素を含む。
[0061]いくつかの特定の実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～５０００ｐｐｍ、例えば、１００ｐｐｂ～１０００ｐｐｍ、１００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ、５ｐｐｍ～５０ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２０ｐｐｍ、または２ｐｐｍ～１０ｐｐｍの第２の相のアルミナを含む。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、２００ｐｐｂ超、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、２ｐｐｍ超、５ｐｐｍ超、または７ｐｐｍ超の第２の相のアルミナを含む。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０００ｐｐｍ未満、例えば、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、または１０ｐｐｍ未満の第２の相のアルミナを含む。
[0062]第１のＢｅＯ組成物の第２の相は、炭素、カルシウム、セリウム、鉄、ハフニウム、モリブデン、セレン、チタン、イットリウム、もしくはジルコニウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）などの他成分をさらに含んでもよい。これらの成分は、第１のＢｅＯ組成物の第１の相の中（およびシャフト中）にも存在しうる。例えば、第１のＢｅＯ組成物は、これらの成分を、１ｐｐｂ～５ｗｔ％、例えば、１０ｐｐｂ～３ｗｔ％、１００ｐｐｂ～１ｗｔ％、１ｐｐｍ～１ｗｔ％、１ｐｐｍ～５０００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～１０００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～３００ｐｐｍの範囲の量で含んでよい。上限に関しては、これらの成分は、５ｗｔ％未満、例えば、３ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満、５０００ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、または３００ｐｐｍ未満の量で存在しうる。下限に関しては、これらの成分は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、または５０ｐｐｍ超の量で存在しうる。
[0063]第１のＢｅＯ組成物の特定の組成が、任意選択によりその処理と併せて、高温性能に特に有益な特異的微細構造をもたらすことが発見された。理論に束縛されるものではないが、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、および／または三ケイ酸マグネシウムが、意外にも粒界を増加させ、かつ／または粒径を縮小し、粒子間により熱的に制限するバリアを作り、例えば、粒子間にバリアチョークを設けることが想定される。この改善された微細構造は、改善された高温性能に寄与すると考えられる。いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物は、０．０５ミクロン超、例えば、０．０７ミクロン超、０．０９ミクロン超、０．１ミクロン超、０．３ミクロン超、０．５ミクロン超、０．７ミクロン超、１．０ミクロン超、２ミクロン超、４ミクロン超、５ミクロン超、７ミクロン超、または１０ミクロン超の平均粒界を有する。範囲に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、０．０５ミクロン～２５ミクロン、例えば、０．０５ミクロン～１５ミクロン、０．０７ミクロン～１２ミクロン、０．１ミクロン～１０ミクロン、０．５ミクロン～１０ミクロン、または１ミクロン～７ミクロンの範囲の平均粒界を有する。酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、および／または三ケイ酸マグネシウムに加えて、本明細書に開示する他の微量成分が、同程度でないだろうが、改善にさらに有益に寄与しうることが想定される。
[0064]いくつかの実施形態において、ＢｅＯ組成物は、１００ミクロン未満、例えば、９０ミクロン未満、７５ミクロン未満、６０ミクロン未満、５０ミクロン未満、４０ミクロン未満、３５ミクロン未満、２５ミクロン未満、１５ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満の平均粒径を有する。範囲に関しては、ＢｅＯ組成物は、０．１ミクロン～１００ミクロン、例えば、１ミクロン～７５ミクロン、１ミクロン～３５ミクロン、３ミクロン～２５ミクロン、または５ミクロン～１５ミクロンの範囲の平均粒径を有しうる。このより小さな粒径は、熱伝達を有益に防止し、したがって高温性能に寄与し、または高温性能を強化し、プレートからシャフトの反対端への熱の伝達が制限され、ベースプレートおよびシャフトの隣接端は高温のままで、一方、シャフトの反対端（ベースプレートから離れている側）を低温のままにさせることが発見された。特定の粒径は、フォノン散乱にも有利な効果を有することが想定される。
[0065]いくつかの場合において、シャフトは、「スタブ」部（熱チョーク部）を含む。スタブ部は、いくつかの場合において、リングまたはワッシャーであってもよい。スタブ部は、シャフト温度を緩和させるために用いてもよい。熱膨張係数は、シャフトの残部と同様に、例えば、２５％以内、２０％以内、１５％以内、１０％以内、５％以内、３％以内または１％以内である。
ベースプレート
[0066]本開示はまた、ベースプレートにも関する。ベースプレートは、上部および下部を有し、ＢｅＯ組成物、例えば、前述の第２のＢｅＯ組成物を含む。組成および任意選択によるその処理により、ベースプレートは、本明細書に開示する優れた性能特性を実証する。具体的には、ベースプレートは、本明細書に記載の締め付け圧を実証する。
[0066]本開示はまた、ベースプレートにも関する。ベースプレートは、上部および下部を有し、ＢｅＯ組成物、例えば、前述の第２のＢｅＯ組成物を含む。組成および任意選択によるその処理により、ベースプレートは、本明細書に開示する優れた性能特性を実証する。具体的には、ベースプレートは、本明細書に記載の締め付け圧を実証する。
[0067]いくつかの実施形態において、第２のＢｅＯ組成物、例えば、ベースプレートのＢｅＯ組成物は、高純度レベルのＢｅＯを含む。ベースプレートのための酸化ベリリウム組成物の純度レベル（任意選択によりベースプレートを形成するためのその処理と共に）は、高温性能に有利に寄与することが発見された。また、第２のＢｅＯ組成物（またはさらに詳しく言うならば第１のＢｅＯ組成物）に利用されるＢｅＯを処理して、特定の純度レベルを実現してもよい。さらに、ベースプレートは、個別の（ラミネートされた）層を例えば、３未満、２未満とほとんど含まない。いくつかの場合、ベースプレートは個別の層を有さず、これにより層間剥離および劣化の従来の問題を有益に解消する。
[0068]ＢｅＯは、５０ｗｔ％～９９．９９ｗｔ％、例えば、７５ｗｔ％～９９．９５ｗｔ％、７５ｗｔ％～９９．９ｗｔ％、８５ｗｔ％～９９．７ｗｔ％、９０ｗｔ％～９９．７ｗｔ％、または９２ｗｔ％～９９．５ｗｔ％の範囲の量で存在しうる。下限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、５０ｗｔ％超、例えば、７５ｗｔ％超、８５ｗｔ％超、９０ｗｔ％超、９２ｗｔ％超、９５ｗｔ％超、９８ｗｔ％超、または９９ｗｔ％超のＢｅＯを含んでよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、９９．９９ｗｔ％未満、例えば、９９．９５ｗｔ％未満、９９．９０ｗｔ％未満、９９．７０ｗｔ％未満、９９．５０ｗｔ％未満、または９９．０ｗｔ％未満のＢｅＯを含んでよい。いくつかの実施形態において、第２のＢｅＯ組成物のＢｅＯ濃度は、第１のＢｅＯ組成物のＢｅＯ濃度より高く、例えば、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも３％、少なくとも５％、少なくとも７％、または少なくとも１０％高い。別の言い方をすれば、ベースプレートＢｅＯ組成物は、シャフトＢｅＯ組成物より高い純度を有していてよく、固有特性、誘電特性、および熱特性は、シャフトよりプレート上部にとって、より重要であると発見されたため有利である。
[0069]理論に束縛されるものではないが、ベースプレート（またはシャフト）の相乗効果的な性能特性、例えば、改善された高温性能、優れた締め付け圧などは、少なくとも部分的にＢｅＯ濃度の関数である。従来のベースプレート（またはシャフト）、例えば、非ＢｅＯセラミックス、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、または黒鉛を主要成分として含むものは、そのような性能を実現できないことが発見された。いくつかの実施形態において、第２のＢｅＯ組成物は、５ｗｔ％未満、例えば、３ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満、０．５ｗｔ％未満、または０．１ｗｔ％未満の、これらの非ＢｅＯセラミックスを含む。範囲に関しては、第２のＢｅＯ組成物は、０．０１ｗｔ％～５ｗｔ％、例えば、０．０５ｗｔ％～３ｗｔ％、０．０５ｗｔ％～１ｗｔ％、または０．１～１ｗｔ％の非ＢｅＯセラミックスを含んでもよい。
[0070]第２のＢｅＯ組成物は、フッ素／フッ化物イオンをさらに含んでもよい。また、フッ素／フッ化物イオンは、第１のＢｅＯ組成物に対して上記の量で存在しうる。しかしながら、上述するように、いくつかの場合では、第１のＢｅＯ組成物は、第２のＢｅＯ組成物より多くのフッ化物イオンおよび／またはフッ素を含む。
[0071]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物は、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、および／または三ケイ酸マグネシウムをさらに含んでもよい。これらの成分の濃度、および微細構造へのそれらの効果（上記参照）は、意外にも、低い腐食損失および高いバルク抵抗率を実証するペデスタルベースプレートをもたらすことが発見された。また、低い抵抗率（任意選択により他の特性と合わせて）は、改善された締め付け力（改善された高温性能と合わせて）をもたらす。
[0072]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物は、酸化マグネシウムをさらに含む。例えば、第２のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウム、例えば、１ｐｐｍ～５ｗｔ％、１０ｐｐｍ～１ｗｔ％、１００ｐｐｍ～１ｗｔ％、５００ｐｐｍ～８０００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ～８０００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍ～７０００ｐｐｍ、または４０００ｐｐｍ～６０００ｐｐｍの酸化マグネシウムを含んでもよい。下限に関しては、第２のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、５００ｐｐｍ超、１０００ｐｐｍ超、２０００ｐｐｍ超、３０００ｐｐｍ超、または４０００ｐｐｍ超の酸化マグネシウムを含んでもよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１０ｗｔ％未満、例えば、５ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満、８０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、または６０００ｐｐｍ未満の酸化マグネシウムを含んでもよい。
[0073]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物は、シリカ、アルミナ、イットリア、チタニア、リチア、ランタン、もしくは三ケイ酸マグネシウム、またはこれらの混合物をさらに含む。これらの成分は、第２のＢｅＯ組成物中の酸化マグネシウムについて記載した量で存在しうる。
[0074]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物は、より低濃度、例えば、１ｐｐｂ～１ｗｔ％、例えば、１００ｐｐｂ～０．５ｗｔ％、１ｐｐｍ～０．１ｗｔ％、１００ｐｐｍ～９００ｐｐｍ、２００ｐｐｍ～８００ｐｐｍ、３００ｐｐｍ～７００ｐｐｍ、または４００ｐｐｍ～６００ｐｐｍのリチアをさらに含む。下限に関しては、第２のＢｅＯ組成物は、１ｐｐｂ超、例えば、１００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、２００ｐｐｍ超、３００ｐｐｍ超、または４００ｐｐｍ超のリチアを含んでもよい。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、１０ｗｔ％未満、例えば、１ｗｔ％未満、０．５ｗｔ％未満、０．１ｗｔ％ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、または６００ｐｐｍ未満のリチアを含んでもよい。
[0075]第２のＢｅＯ組成物は、炭素、カルシウム、セリウム、鉄、ハフニウム、モリブデン、セレン、チタン、イットリウム、もしくはジルコニウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）などの他成分をさらに含んでもよい。これらの成分は、第２のＢｅＯ組成物の第２の相の中（およびベースプレート中）にも存在しうる。例えば、第２のＢｅＯ組成物は、これらの成分を、１ｐｐｂ～５ｗｔ％、例えば、１０ｐｐｂ～３ｗｔ％、１００ｐｐｂ～１ｗｔ％、１ｐｐｍ～１ｗｔ％、１ｐｐｍ～５０００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～１０００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～５００ｐｐｍ、または５０ｐｐｍ～３００ｐｐｍの範囲の量で含んでよい。上限に関しては、これらの成分は、５ｗｔ％未満、例えば、３ｗｔ％未満、１ｗｔ％未満、５０００ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、または３００ｐｐｍ未満の量で存在しうる。下限に関しては、これらの成分は、１ｐｐｂ超、例えば、１０ｐｐｂ超、１００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、または５０ｐｐｍ超の量で存在しうる。
[0076]いくつかの実施形態において、第２のＢｅＯ組成物は、第１のＢｅＯ組成物に対して上述の他成分をさらに含んでもよい。組成の範囲および限界は、第２のＢｅＯ組成物にも適用可能である。
[0077]いくつかの実施形態において、第１の酸化ベリリウム組成物は、第２の酸化ベリリウム組成物より多くの酸化マグネシウムおよび／または三ケイ酸マグネシウムおよび／または他成分を含む。これらの成分の微細構造についての利益を上述する。
第２の相
[0078]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物の第２の相は、非ＢｅＯ成分を含んでもよい。例えば、ベースプレートを構成する第２のＢｅＯ組成物の第２の相は、マグネシア、シリカ、アルミナ、イットリア、チタニア、リチア、ランタナ、もしくは三ケイ酸マグネシウム、またはこれらの混合物を含んでもよい。第２のＢｅＯ組成物（およびそれから作製されるベースプレート）は、第２の相の非ＢｅＯ成分を含み、それぞれ、１ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、例えば、５００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～３００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍの範囲の量で存在しうる。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、第２の相の非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、５００ｐｐｍ未満、例えば、３００ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、または１２５ｐｐｍ未満の量で存在する。下限に関しては、第２のＢｅＯ組成物は、非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、１ｐｐｂ超、例えば、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、２５ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超、７５ｐｐｍ超、または１００ｐｐｍ超の量で存在する。これらの重量パーセンテージは、第１のＢｅＯ組成物の全重量、例えば、シャフトの全重量に基づく。
[0078]いくつかの場合において、第２のＢｅＯ組成物の第２の相は、非ＢｅＯ成分を含んでもよい。例えば、ベースプレートを構成する第２のＢｅＯ組成物の第２の相は、マグネシア、シリカ、アルミナ、イットリア、チタニア、リチア、ランタナ、もしくは三ケイ酸マグネシウム、またはこれらの混合物を含んでもよい。第２のＢｅＯ組成物（およびそれから作製されるベースプレート）は、第２の相の非ＢｅＯ成分を含み、それぞれ、１ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、例えば、５００ｐｐｂ～５００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～３００ｐｐｍ、１ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、１０ｐｐｍ～２００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ～１５０ｐｐｍ、または７５ｐｐｍ～１２５ｐｐｍの範囲の量で存在しうる。上限に関しては、第１のＢｅＯ組成物は、第２の相の非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、５００ｐｐｍ未満、例えば、３００ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、または１２５ｐｐｍ未満の量で存在する。下限に関しては、第２のＢｅＯ組成物は、非ＢｅＯ成分を含んでもよく、それぞれ、１ｐｐｂ超、例えば、５００ｐｐｂ超、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、２５ｐｐｍ超、５０ｐｐｍ超、７５ｐｐｍ超、または１００ｐｐｍ超の量で存在する。これらの重量パーセンテージは、第１のＢｅＯ組成物の全重量、例えば、シャフトの全重量に基づく。
性能
[0079]締め付け圧に加えて、ベースプレートは、性能特性の相乗効果的な組合せを実証することが発見された。例えば、ベースプレートは、以下のうちの１つ以上の点で優れた性能を実証することができる：
・ 温度均一性
・ バルク抵抗率
・ 腐食損失
・ 誘電率
[0080]これらの性能特性の数値および限定値は、以下で詳細に記載する。
[0079]締め付け圧に加えて、ベースプレートは、性能特性の相乗効果的な組合せを実証することが発見された。例えば、ベースプレートは、以下のうちの１つ以上の点で優れた性能を実証することができる：
・ 温度均一性
・ バルク抵抗率
・ 腐食損失
・ 誘電率
[0080]これらの性能特性の数値および限定値は、以下で詳細に記載する。
[0081]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、上部から下部へ一貫した熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、例えば、ＣＴＥは上部から下部へ変動しない。例えば、熱膨張係数は、上部から下部へ、２５％未満、例えば、２０％未満、１５％未満、１０％未満、７％未満、５％未満、３％未満、または１％未満変動しうる。
[0082]一実施形態において、ペデスタル、例えば、ベースプレートは、短い（ある場合）洗浄サイクルタイムを実証する。操作中、ペデスタル、ウエハー基板、および／または室の洗浄、組立オーバースプレーの洗浄／除去が必要とされる場合がある。従来、ペデスタルアセンブリは、洗浄に好適な温度にするための冷却ステップ、例えば、３００℃にするための少なくとも１時間のステップ。および後続する追加の加熱ステップ、例えば、少なくともさらに１時間かけて元の温度に戻すステップ、を要する。また、ウエハーは、これらの温度変化を安定でなければならない。本開示のペデスタル／ベースプレートの組成のため、冷却（または後続する再加熱）は必要でなく、洗浄は作動温度で行うことができ、洗浄サイクルタイムは最小限に抑えられ（なくならない場合）、ウエハーは（それほど）安定でなくてもよい。いくつかの実施形態において、ペデスタル／ベースプレートの洗浄サイクルタイムは、２時間未満、例えば、１．５時間未満、１時間未満、４５分未満、３０分未満、２０分未満、１０分未満、または５分未満である。
[0083]いくつかの場合では、本開示は、汚染されたペデスタルアセンブリ／ウエハー／室を洗浄する方法にさらに関する。方法は、室にペデスタルアセンブリおよびウエハーを設ける（ウエハーをペデスタルアセンブリの頂部に配置する）ステップと、ウエハーを、少なくとも４００℃、少なくとも４５０℃、少なくとも５００℃、少なくとも５５０℃、少なくとも６００℃、少なくとも６５０℃、または少なくとも７００℃の作動温度に加熱するステップとを含む。製造温度（汚染されていた場合）に達したら、方法は、ウエハーを、１５０℃未満、例えば、１００℃未満、５０℃未満、２５℃未満、または１０℃未満の幅で（またはＢｅＯに対して全く冷却しない）冷却温度まで冷却するステップと、冷却温度でプレートを洗浄するステップとを含む。いくつかの実施形態では、方法は、ウエハーを、少なくとも４００℃、少なくとも４５０℃、少なくとも５００℃、少なくとも５５０℃、少なくとも６００℃、少なくとも６５０℃、または少なくとも７００℃の作動温度に再加熱するステップをさらに含む。重要なことには、冷却ステップから再加熱ステップまでの洗浄サイクルタイムは、従来の方法より、例えば、２時間未満、例えば、１．５時間未満、１時間未満、４５分未満、３０分未満、２０分未満、１０分未満、または５分未満短い。有益には、本開示のペデスタル／ベースプレートの組成のため、冷却（または後続する再加熱）は必要ない、または最小限に短縮され、洗浄は、作動温度（または若干だけそれ未満の温度）で行うことができ、洗浄サイクルタイムは最小限に短縮され（なくならない場合）、ウエハーは（それほど）安定でなくてもよい。
[0084]本開示のベースプレートは、いくつかの従来のベースプレートよりサイズが大きい場合があるが、本明細書に記載の優れた性能特性をさらに実証する。従来、製造業者は、好適な特性を実証する大型のベースプレートの製造に苦労してきた。当該技術分野において公知であるように、ベースプレートのサイズが大きくなるに従い、性能を維持してベースプレートを製造することが困難になる。いくつかの理由として、亀裂の問題に有害的につながる従来のペデスタル材料の高いＣＴＥ、および従来の市販機器のサイズ制限が挙げられる。いくつかの実施形態では、ベースプレートの最小横寸法は、少なくとも１００ｍｍ、例えば、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２２５ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、少なくとも３００ｍｍ、少なくとも４００ｍｍ、少なくとも５００ｍｍ、少なくとも７５０ｍｍ、または少なくとも１０００ｍｍである。
[0085]ベースプレートは、いくつかの実施形態では、３００ｍｍの距離にわたって５０ミクロン未満、例えば、４０ミクロン未満、３０ミクロン未満、２５ミクロン未満、１５ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満のキャンバーを有する平坦度を有する。
[0086]いくつかの場合では、ベースプレートは、メサ（スタンドオフ）をさらに含む。メサは、ウエハーを持ち上げるために使用される。いくつかの実施形態では、メサは、ベースプレートの上面から上方向に突出する。メサは、１ミクロン～５０ミクロン、例えば、１．５ミクロン～４０ミクロン、２ミクロン～３０ミクロン、２ミクロン～２０ミクロン、２．５ミクロン～１８ミクロン、または５ミクロン～１５ミクロンの範囲の平均高さを有しうる。下限に関しては、メサは、１ミクロン超、例えば、１．５ミクロン超、２ミクロン超、２．５ミクロン超、３ミクロン超、または５ミクロン超の平均高さを有しうる。上限に関しては、メサは、５０ミクロン未満、例えば、４０ミクロン未満、３０ミクロン未満、２０ミクロン未満、１８ミクロン未満、または１５ミクロン未満の平均高さを有しうる。
[0087]いくつかの場合では、ベースプレートは、ベースプレート中に密閉された発熱体をさらに含む。いくつかの例では、発熱体は、コイル状またはクリンプ状発熱体である。ＢｅＯ組成物および／またはクリンプ状もしくはコイル状発熱体の組合せは、意外にも、非ＢｅＯセラミックスおよび／または他のタイプの発熱体を用いる従来のベースプレートと比較して、改善された温度均一性（下記参照）をもたらす。
[0088]ベースプレートは、他のハードウェア、例えば、アンテナをさらに含んでもよい。これらの特徴は、以下でより詳細に記載する。いくつかの場合において、アンテナおよび／または発熱体は、ニオブおよび／または白金および／またはチタンを含む。本発明者らは、ニオブおよび／または白金および／またはチタンは、ＢｅＯ組成物と用いたとき、熱膨張係数における相乗効果、ならびに耐腐食性および電気抵抗の面で意外な性能をもたらすことを発見した。いくつかの場合において、これらの金属は、ハードウェアとして用いたとき、熱適合性因子（ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）を有し、これはＢｅＯ材料とよく相乗効果的に作用する。熱適合性因子は、例えば、温度サイクルに起因する応力誘起障害を防止することが発見された。
ベースプレート勾配の概念／性能
[0089]本開示はまた、上部から下部へ様々な特性勾配を有するように設計されたベースプレートにも関する。これらのベースプレートは、それぞれが異なる性質を有する複数種の粉末を利用して前駆体を形成し、次いで前駆体を加熱して特性勾配を有するベースプレートを形成することによって製造することができる。重要なことには、結果としてられるベースプレートは、個別の層を含まず、層状ベースプレートアセンブリ全体に利益をもたらす。
[0089]本開示はまた、上部から下部へ様々な特性勾配を有するように設計されたベースプレートにも関する。これらのベースプレートは、それぞれが異なる性質を有する複数種の粉末を利用して前駆体を形成し、次いで前駆体を加熱して特性勾配を有するベースプレートを形成することによって製造することができる。重要なことには、結果としてられるベースプレートは、個別の層を含まず、層状ベースプレートアセンブリ全体に利益をもたらす。
[0090]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、２つ以上のグレードの原料ＢｅＯ粉末から製造される。一実施形態において、上面は第１のグレードを含み、下面は第２のグレードを含み、中間領域は第１および第２のグレードの混合物を含む。例えば、第１のグレードは、より高い純度／より高い熱伝導率／より高い（理論）密度の材料／より低い多孔性の材料であってもよく、第２のグレードは、より低い純度／より低い熱伝導率／より低い（理論）密度／より高い多孔性の材料であってもよい。当然ながら、様々な他の数および組合せの原料ＢｅＯ粉末が考えられる。
[0091]ベースプレートは、以下の望ましい性能勾配の１つ以上を実証することができる。
・ 上部から下部へ減少する熱伝導率勾配
・ 上部から下部へ減少する抵抗率勾配
・ 上部から下部へ減少する純度勾配
・ 上部から下部へ減少する理論密度勾配
・ 上部から下部へ増加する誘電率勾配
[0092]これらの性能勾配はそれぞれ、プレートの上部で測定した場合、「上値」を有し、プレートの下部で測定した場合、「下値」を有する。本明細書中の範囲の終点は、上限および下限として利用してよい。例えば、上限３５０Ｗ／ｍＫ未満および下限２３１Ｗ／ｍＫの２３１～３５０Ｗ／ｍＫの範囲が発生しうる。
・ 上部から下部へ減少する熱伝導率勾配
・ 上部から下部へ減少する抵抗率勾配
・ 上部から下部へ減少する純度勾配
・ 上部から下部へ減少する理論密度勾配
・ 上部から下部へ増加する誘電率勾配
[0092]これらの性能勾配はそれぞれ、プレートの上部で測定した場合、「上値」を有し、プレートの下部で測定した場合、「下値」を有する。本明細書中の範囲の終点は、上限および下限として利用してよい。例えば、上限３５０Ｗ／ｍＫ未満および下限２３１Ｗ／ｍＫの２３１～３５０Ｗ／ｍＫの範囲が発生しうる。
[0093]熱伝導率：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、１２５～４００Ｗ／ｍＫ、例えば、２３１～３５０Ｗ／ｍＫ、２５０～３５０Ｗ／ｍＫ、２６５～３３５Ｗ／ｍＫ、または２７５～３２５Ｗ／ｍＫの範囲の上部熱伝導率を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、１４６～２１８Ｗ／ｍＫ、例えば、１５０～２１５Ｗ／ｍＫ、１６０～２０５Ｗ／ｍＫ、１６５～２００Ｗ／ｍＫ、または１７０～１９０Ｗ／ｍ－Ｋの範囲の下部熱伝導率を有しうる。上限に関しては、ベースプレートは、室温で４００Ｗ／ｍ－Ｋ未満、例えば、３７５Ｗ／ｍＫ未満、３５０Ｗ／ｍＫ未満、３００Ｗ／ｍＫ未満、２７５Ｗ／ｍＫ未満、２５５Ｗ／ｍＫ未満、または２５０Ｗ／ｍＫ未満の熱伝導率を有しうる。
[0094]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、２５～１０５Ｗ／ｍＫ、例えば、３５～９５Ｗ／ｍＫ、４５～８５Ｗ／ｍＫ、または５５～７５Ｗ／ｍＫの範囲の上部熱伝導率を有しうる。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１～２１Ｗ／ｍＫ、例えば、３～２０Ｗ／ｍＫ、５～１５Ｗ／ｍＫ、７～１３Ｗ／ｍＫ、または９～１１Ｗ／ｍＫの範囲の下部熱伝導率を有しうる。
[0095]一般に、下部熱伝導率は、上部熱伝導率より低くなる。上部熱伝導率は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、下部熱伝導率より少なくとも６％、例えば、少なくとも１０％、少なくとも２０％、少なくとも３５％、少なくとも５０％、少なくとも１００％、または少なくとも２００％高くてもよい。
[0096]抵抗率：いくつかの場合において、上部抵抗率は、室温で、１×１０５～１×１０１６オームｍ、例えば、１×１０６～１×１０１６、１×１０７～５×１０１５、１×１０８～１×１０１５、または１×１０９～１×１０１５オームｍの範囲である。下部抵抗率は、上部抵抗率より低いことがある。下部抵抗率は、１×１０５～１×１０１６オームｍ、例えば、１×１０５～１×１０１５、１×１０５～５×１０１４、１×１０６～１×１０１３、または１×１０７～５×１０１２オームｍの範囲であってもよい。
[0097]これらの場合において、上部抵抗率は、下部抵抗率より高い。一般に、下部抵抗率は、上部抵抗率より少なくとも１５０％、少なくとも２００％、少なくとも２５０％、少なくとも３００％、少なくとも５００％、または少なくとも１０００％低くなる。
[0098]純度：上部純度は、いくつかの実施形態において、９９．０％～９９．９％、例えば、９９．１％～９９．９％、９９．４％～９９．８％の範囲である。下部純度は、９５．０％～９９．５％、例えば、９５．５％～９９．５％、９６％～９９％、または９６．５％～９８．５％の範囲であってもよい。一般に、下部純度は、上部純度より少なくとも０．２％、少なくとも０．４％、少なくとも０．５％、または少なくとも１．０％低くなる。
[0099]理論密度：いくつかの場合において、上部理論密度は、９３～２００、例えば、９４～１００、９５～１００、９６～９９．５、または９７～９９の範囲であってもよい。下部理論密度は、９３～１００、例えば、９４～９９．５、９５～９９、または９６～９８の範囲であってもよい。一般に、下部理論密度は、上部理論密度より低くなる。上部理論密度は、下部理論密度より少なくとも０．１％、例えば、少なくとも０．２％、少なくとも０．４％、少なくとも０．５％または少なくとも１．０％高くなってもよい。
[0100]ベースプレートの理論密度は、シャフトの理論密度と同等であってもよい。いくつかの場合において、シャフトの理論密度は、ベースプレートの理論密度より低く、かつ／またはシャフトの多孔率は、ベースプレートの多孔率より高い。
[0101]粒径：いくつかの場合において、上部（最大）粒径は、５～６０ミクロン、例えば、１０～５０ミクロン、１５～４５ミクロン、または２０～４０ミクロンの範囲であってもよい。下部（最大）粒径は、１０～１００ミクロン、例えば、２０～９０ミクロン、２５～８５ミクロン、または３０～８０ミクロンの範囲であってもよい。一般に、下部（最大）粒径は、上部粒径より大きくなる。上部粒径は、下部粒径より少なくとも０．１％、例えば、少なくとも０．２％、少なくとも０．４％、少なくとも０．５％、または少なくとも１．０％小さくてもよい。
[0102]粒界：いくつかの場合において、全体の粒界は、非晶質から１０ミクロン、例えば１～９ミクロン、２～８ミクロン、または３～７ミクロンの範囲であってもよい。いくつかの場合において、下部粒界は、上部粒界より小さくなる。他の実施形態では、上部粒界は、下部粒界より小さくなる。
[0103]比熱：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、０．９～１．１９Ｊ／ｇＫ、例えば、０．９５～１．１５Ｊ／ｇＫ、または１．０～１．１Ｊ／ｇＫの範囲の上部比熱を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、０．９～１．１９Ｊ／ｇＫ、例えば、０．９５～１．１５Ｊ／ｇＫ、または１．０～１．１Ｊ／ｇＫの範囲の下部比熱を有してもよい。
[0104]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１．８～２．０６Ｊ／ｇＫ、例えば、１．８５～２．０３Ｊ／ｇＫ、または１．８７～１．９７Ｊ／ｇＫの範囲の上部比熱を有してもよい。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１．８～２．０３Ｊ／ｇＫ、例えば、１．８５～２．０３Ｊ／ｇＫ、または１．８７～１．９７Ｊ／ｇＫの範囲の下部比熱を有してもよい。
[0105]一般に、下部比熱は、上部比熱より低くなる。上部比熱は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、下部比熱より少なくとも０．５％、例えば、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％または少なくとも２０％高くてもよい。
[0106]熱拡散率：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、９０～１１５ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、９５～１１０ｍｍ２／ｓｅｃ、または９７～１０８ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の上部熱拡散率を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、５８～１１５ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、６５～１０５ｍｍ２／ｓｅｃ、または７５～９５ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の下部熱拡散率を有してもよい。
[0107]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、５～２１ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、７～１９ｍｍ２／ｓｅｃ、９～１７ｍｍ２／ｓｅｃ、または１０～１５ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の上部熱拡散率を有してもよい。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、３～７．７ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、３．５～７ｍｍ２／ｓｅｃ、または４～６ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の下部熱拡散率を有してもよい。
[0108]一般に、下部熱拡散率は、上部熱拡散率より低くなる。上部熱拡散率は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、下部熱拡散率より少なくとも０．５％、例えば、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％、または少なくとも２０％高くてもよい。
[0109]浸透率：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、２２．０～３０．０２Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、例えば、２４．０～３０．０２Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、２５．０～２９．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、または２６，０～２８．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２の範囲の上部浸透率を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、１．０～２５．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、例えば、３．０～２４．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、または５．０～２３．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２の範囲の下部熱浸透率を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、２２．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、例えば、２３．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、２４．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、２５．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、２７．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、２８．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、または３０．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超の（上部）浸透率を有する。
[0110]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１１．０～１６．４Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、例えば、１２．０～１５．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、１２．５～１４．５Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、または１３．０～１４．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２の範囲の上部浸透率を有してもよい。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、０．１～１２．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、例えば、０．５～１１．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２、または１．０～１０．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２の範囲の下部熱浸透率を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、１４．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、例えば、１５．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、１６．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、１７．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、１８．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、１９．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超、または２０．０Ｓ０．５Ｗ／Ｋ／ｋｍ２超の（上部）浸透率を有する。浸透率の改善は、例えば、実施例中に示す他の温度でも示されうる。
[0111]一般に、下部浸透率は、上部浸透率より低くなる。上部浸透率は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、下部浸透率より少なくとも０．５％、例えば、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％、または少なくとも２０％高くてもよい。
[0112]平均ＣＴＥ：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、７．０～９．５、例えば、７．２～９．３、７．５～９．０、または７．７～８．８の範囲の上部平均ＣＴＥを有する。ベースプレートは、７．０～９．５、例えば、７．２～９．３、７．５～９．０、または７．７～８．８の範囲の下部平均ＣＴＥを有してもよい。いくつかの場合において、下部平均ＣＴＥは、上部平均ＣＴＥより低くなる。他の場合では、下部平均ＣＴＥは、上部平均ＣＴＥより高くなる。差分は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、少なくとも０．５％、例えば、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％、または少なくとも２０％であってもよい。
[0113]いくつかの実施形態において、上部誘電率は、１～２０、例えば、～１５、３～１２、または５～９の範囲である。下部誘電率は、上部誘電率と同様であってよい。いくつかの場合において、下部誘電率は、上部誘電率より高いことがある。他の場合には、上部誘電率は、下部誘電率より高いことがある。
[0114]所望の性能勾配を有するベースプレートは、本明細書に記載のＢｅＯ組成物のために形成されたものでよく、いくつかの場合において、勾配を実現するために組成パラメータ中で修飾される。また、ベースプレートは、他の性能特性、例えば、本明細書中で開示される締め付け圧、腐食損失、温度均一性なども実証することができる。
シャフト勾配の概念／性能
[0115]いくつかの実施形態において、シャフトは、室温で測定したとき、１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、例えば、１５０Ｗ／ｍＫ～２１５Ｗ／ｍＫ、１６０Ｗ／ｍＫ～２０５Ｗ／ｍＫ、１６５Ｗ／ｍＫ～２００Ｗ／ｍＫ、または１７０Ｗ／ｍＫ～１９０Ｗ／ｍＫの範囲の上部熱伝導率を有する。シャフトは、室温で測定したとき、１Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、例えば、５０Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１００Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１５０Ｗ／ｍＫ～２１５Ｗ／ｍＫ、１６０Ｗ／ｍＫ～２０５Ｗ／ｍＫ、１６５Ｗ／ｍＫ～２００Ｗ／ｍＫ、または１７０Ｗ／ｍＫ～１９０Ｗ／ｍＫの範囲の下部熱伝導率を有してもよい。
[0115]いくつかの実施形態において、シャフトは、室温で測定したとき、１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、例えば、１５０Ｗ／ｍＫ～２１５Ｗ／ｍＫ、１６０Ｗ／ｍＫ～２０５Ｗ／ｍＫ、１６５Ｗ／ｍＫ～２００Ｗ／ｍＫ、または１７０Ｗ／ｍＫ～１９０Ｗ／ｍＫの範囲の上部熱伝導率を有する。シャフトは、室温で測定したとき、１Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、例えば、５０Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１００Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫ、１５０Ｗ／ｍＫ～２１５Ｗ／ｍＫ、１６０Ｗ／ｍＫ～２０５Ｗ／ｍＫ、１６５Ｗ／ｍＫ～２００Ｗ／ｍＫ、または１７０Ｗ／ｍＫ～１９０Ｗ／ｍＫの範囲の下部熱伝導率を有してもよい。
[0116]シャフトは、８００℃で測定したとき、１～２１、例えば、３～２０、５～１５、７～１３、または９～１１の範囲の上部熱伝導率を有してもよい。シャフトは、８００℃で測定したとき、１～２１、例えば、３～２０、５～１５、７～１３、または９～１１の範囲の下部熱伝導率を有してもよい。
[0117]一般に、下部熱伝導率は、上部熱伝導率より低くなる。上部熱伝導率は、室温もしくは８００℃で測定したとき、または測定温度に関係なく、下部熱伝導率より少なくとも６％、例えば、少なくとも１０％、少なくとも２０％、少なくとも３５％、少なくとも５０％、少なくとも１００％、または少なくとも２００％高くてもよい。いくつかの場合において、勾配は、非線形、例えば、ステップワイズ関数または最大整数関数であってもよい。他の場合には、勾配は線形であってよい。
一般的性能
[0118]ベースプレートおよびシャフトは、概して勾配が考慮されなくても、優れた性能の数値も実証する。いくつかの場合において、ベースプレートの性能領域および限定値は、全体的にまたは全体として、上記の「上値」および／または「下値」と同様であってもよい。これらは、簡易のために繰り返さない。追加の性能領域および限界値も提供する。
[0118]ベースプレートおよびシャフトは、概して勾配が考慮されなくても、優れた性能の数値も実証する。いくつかの場合において、ベースプレートの性能領域および限定値は、全体的にまたは全体として、上記の「上値」および／または「下値」と同様であってもよい。これらは、簡易のために繰り返さない。追加の性能領域および限界値も提供する。
[0119]熱拡散率：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、７５～１１５ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、９０～１１５ｍｍ２／ｓｅｃ、９５～１１０ｍｍ２／ｓｅｃ、または９７～１０８ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の（上部）熱拡散率を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、５８～１１５ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、６５～１０５ｍｍ２／ｓｅｃ、または７５～９５ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の下部熱拡散率を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、７５ｍｍ２／ｓｅｃ超、例えば、８０ｍｍ２／ｓｅｃ超、８５ｍｍ２／ｓｅｃ超、９０ｍｍ２／ｓｅｃ超、９５ｍｍ２／ｓｅｃ超、１００ｍｍ２／ｓｅｃ超、または１１０ｍｍ２／ｓｅｃ超の（上部）熱拡散率を有する。
[0120]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、５～２１ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、７～１９ｍｍ２／ｓｅｃ、９～１７ｍｍ２／ｓｅｃ、または１０～１５ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の上部熱拡散率を有してもよい。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、３～７．７ｍｍ２／ｓｅｃ、例えば、３．５～７ｍｍ２／ｓｅｃ、または４～６ｍｍ２／ｓｅｃの範囲の下部熱拡散率を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、５ｍｍ２／ｓｅｃ超、例えば、１０ｍｍ２／ｓｅｃ超、１２ｍｍ２／ｓｅｃ超、１４ｍｍ２／ｓｅｃ超、１５ｍｍ２／ｓｅｃ超、または２０ｍｍ２／ｓｅｃ超の（上部）熱拡散率を有する。熱拡散率の改善は、例えば、実施例に示すような、他の温度でも示すことができる。
[0121]比熱：いくつかの実施形態において、ベースプレートは、室温で測定したとき、０．７～１．１９Ｊ／ｇＫ、例えば、０．９～１．１９Ｊ／ｇＫ、０．９５～１．１５Ｊ／ｇＫ、または１．０～１．１Ｊ／ｇＫの範囲の上部比熱を有する。ベースプレートは、室温で測定したとき、０．９～１．１９Ｊ／ｇＫ、例えば、０．９５～１．１５Ｊ／ｇＫ、または１．０～１．１Ｊ／ｇＫの範囲の下部比熱を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、０．７Ｊ／ｇＫ超、例えば、０．８Ｊ／ｇＫ超、０．９Ｊ／ｇＫ超、０．９５Ｊ／ｇＫ超、または１．０Ｊ／ｇＫ超の（上部）比熱を有する。
[0122]ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１．０～２．０６Ｊ／ｇＫ、例えば、１．８～２．０６Ｊ／ｇＫ、１．８５～２．０３Ｊ／ｇＫ、または１．８７～１．９７Ｊ／ｇＫの範囲の上部比熱を有してもよい。ベースプレートは、８００℃で測定したとき、１．８～２．０３Ｊ／ｇＫ、例えば、１．８５～２．０３Ｊ／ｇＫ、または１．８７～１．９７Ｊ／ｇＫの範囲の下部比熱を有してもよい。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、１．０Ｊ／ｇＫ超、例えば、１．５Ｊ／ｇＫ超、１．７Ｊ／ｇＫ超、１．８Ｊ／ｇＫ超、または１．８５Ｊ／ｇＫ超の（上部）比熱を有する。比熱の改善は、例えば、実施例に示すような、他の温度で示すこともできる。
[0123]熱伝導率：一実施形態において、第２の酸化ベリリウム組成物（およびベースプレート）は、一般に、室温で４００Ｗ／ｍ－Ｋ未満、例えば、３７５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、３５０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２７５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２５５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、または２５０Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率を有する。範囲に関しては、第２の酸化ベリリウム組成物は、１２５Ｗ／ｍ－Ｋ～４００Ｗ／ｍ－Ｋ、例えば、１４５Ｗ／ｍ－Ｋ～３５０Ｗ／ｍ－Ｋ、１７５Ｗ／ｍ－Ｋ～３２５Ｗ／ｍ－Ｋ、または２００Ｗ／ｍ－Ｋ～３００Ｗ／ｍ－Ｋの範囲の熱伝導率を有する。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、１２５Ｗ／ｍ－Ｋ超、例えば、１５０Ｗ／ｍ－Ｋ超、１７５Ｗ／ｍ－Ｋ超、２００Ｗ／ｍ－Ｋ超、２５０Ｗ／ｍ－Ｋ超、または２５５Ｗ／ｍ－Ｋ超の（上部）熱伝導率を有する。熱伝導率は、ベースプレートの上部で測定することができる。
[0124]一実施形態において、第２の酸化ベリリウム組成物（およびベースプレート）は、一般に、８００℃で１５０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、例えば、１０５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、９５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、８５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、または７５Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率を有する。範囲に関しては、第２の酸化ベリリウム組成物は、８００℃で測定したとき、２５～１０５Ｗ／ｍＫ、例えば、３５～９５Ｗ／ｍＫ、４５～８５Ｗ／ｍＫ、または５５～７５Ｗ／ｍＫの範囲の熱伝導率を有する。熱伝導率は、ベースプレートの上部で測定することができる。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、２５Ｗ／ｍ－Ｋ超、例えば、３０Ｗ／ｍ－Ｋ超、３５Ｗ／ｍ－Ｋ超、４０Ｗ／ｍ－Ｋ超、４２Ｗ／ｍ－Ｋ超、または４５Ｗ／ｍ－Ｋ超の（上部）熱伝導率を有する。熱伝導率の改善は、例えば、実施例に示すような、他の温度で示すこともできる。熱伝導率は、ベースプレートの上部で測定することができる。
[0125]シャフトの熱伝導率：いくつかの実施形態において、第１の酸化ベリリウム組成物（およびシャフト）は、一般に、室温で３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満、例えば、２７５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２５０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２２５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２２０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２１８Ｗ／ｍ－Ｋ未満、または２１０Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率を有する。範囲に関しては、第１の酸化ベリリウム組成物は、１００Ｗ／ｍ－Ｋ～３００Ｗ／ｍ－Ｋ、例えば、１２５Ｗ／ｍ－Ｋ～２７５Ｗ／ｍ－Ｋ、１２５Ｗ／ｍ－Ｋ～２５０Ｗ／ｍ－Ｋ、または１４０Ｗ／ｍ－Ｋ～２２０Ｗ／ｍ－Ｋの範囲の熱伝導率を有する。いくつかの実施形態において、シャフトは、１２５Ｗ／ｍ－Ｋ超、例えば、１５０Ｗ／ｍ－Ｋ超、１７５Ｗ／ｍ－Ｋ超、２００Ｗ／ｍ－Ｋ超、２５０Ｗ／ｍ－Ｋ超、または２５５Ｗ／ｍ－Ｋ超の（上部）熱伝導率を有する。熱伝導率は、ベースプレートの上部で測定することができる。熱伝導率は、シャフトの上部で測定することができる。
[0126]いくつかの場合において、第１の酸化ベリリウム組成物（およびベースプレート）は、一般に、８００℃で２５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、例えば、２３Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２１Ｗ／ｍ－Ｋ未満、２０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、１５Ｗ／ｍ－Ｋ未満、１０Ｗ／ｍ－Ｋ未満、または５Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率を有する。範囲に関しては、第２の酸化ベリリウム組成物は、８００℃で測定したとき、１～５Ｗ／ｍＫ、例えば、２～２３Ｗ／ｍＫ、４～２１Ｗ／ｍＫ、または５～２０Ｗ／ｍＫの範囲の熱伝導率を有する。いくつかの実施形態において、シャフトは、２５Ｗ／ｍ－Ｋ超、例えば、３０Ｗ／ｍ－Ｋ超、３５Ｗ／ｍ－Ｋ超、４０Ｗ／ｍ－Ｋ超、４２Ｗ／ｍ－Ｋ超、または４５Ｗ／ｍ－Ｋ超の（上部）熱伝導率を有する。熱伝導率の改善は、例えば、実施例に示すような、他の温度でも示すことができる。熱伝導率は、ベースプレートの上部で測定することができる。
[0127]シャフトの理論密度：いくつかの実施形態において、第１のＢｅＯ組成物（およびシャフト）は、一般に、９０～１００、例えば、９２～１００、９３～９９、９５～９９、または９７～９９の範囲の理論密度を有する。下限に関しては、シャフトは、９０超、例えば、９２超、９３超、９５超、または９７超の理論密度を有する。上限に関しては、シャフトは、１００未満、例えば、９９．５未満、９９未満、９８．７未満、または９８未満の理論密度を有する。所望の理論密度および多孔度は、第１のＢｅＯ組成物によって得られる微細構造特徴、例えば、粒界および粒径に由来しうると想定される。
[0128]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、８００℃で１×１０４オームｍ超、例えば、５×１０４超、１×１０５超、５×１０５超、１×１０６超、５×１０６超、１×１０７超、５×１０７超、１×１０８超、５×１０８超、１×１０９超、または１×１０１０超のバルク抵抗率を実証する。この抵抗率は、有利には、少なくとも部分的に、改善されたクランピング性能をもたらす。
[0129]本発明者らは、シャフトが、ベースプレートより低い密度／高い多孔度であることが有益でありうることを発見した。また、各ＢｅＯ組成物の微細構造は、本明細書に開示するように、これに応じて調整される。そのような構成は、驚くべきことに、ヒートシンク効果（冷点の作製）を回避し、かつ／または元のプレート／シャフトシールの変形（融解）を回避すると考えられる。
[0130]ペデスタル構成要素の理論密度は、重要な特徴である。いくつかの場合では、理論密度（および／または多孔度）は、熱伝導率に影響する、または熱伝導率に貢献する。
[0131]多孔度は、有益には、微小破壊の拡散を抑制することが発見された。いくつかの実施形態において、ベースプレートおよび／またはシャフトは、０．１％～１０％、例えば、０．５％～８％、１％～７％、１％～５％、または２％～４％の範囲の多孔度を有する。上限に関しては、ベースプレートおよび／またはシャフトは、１０％未満、例えば、９％未満、８％未満、７％未満、６％未満、５％未満、４％未満、３％未満、２％未満、または１％未満の多孔度を有してもよい。下限に関しては、ベースプレートおよび／またはシャフトは、１％超、例えば、２％超、３％超、４％超、５％超、６％超、７％超、８％超、または９％超の多孔度を有してもよい。
[0131]多孔度は、有益には、微小破壊の拡散を抑制することが発見された。いくつかの実施形態において、ベースプレートおよび／またはシャフトは、０．１％～１０％、例えば、０．５％～８％、１％～７％、１％～５％、または２％～４％の範囲の多孔度を有する。上限に関しては、ベースプレートおよび／またはシャフトは、１０％未満、例えば、９％未満、８％未満、７％未満、６％未満、５％未満、４％未満、３％未満、２％未満、または１％未満の多孔度を有してもよい。下限に関しては、ベースプレートおよび／またはシャフトは、１％超、例えば、２％超、３％超、４％超、５％超、６％超、７％超、８％超、または９％超の多孔度を有してもよい。
[0132]第２のＢｅＯ組成物は、有利には、特に高温で、ベースプレート全体にわたる均一な温度性能に寄与する。そのような温度均一性は、従来の非ＢｅＯセラミックスを使用して実現されなかった。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、７００℃超、例えば、７５０℃超、８００℃超、または８５０℃の温度に加熱したとき、±３％未満、例えば、±２．５％未満、±２％未満、±１％未満、または±０．５％未満の温度変動を実証する。温度は、当該技術分野において公知であるように、例えば、プレートの上面の熱電対、ＩＲ、またはＴＣＲ装置を介して測定することができる。
[0133]ベースプレートは、いくつかの場合において、０．０１６ｗｔ％未満、例えば、２００サイクル後、０．０１５ｗｔ％未満、０．０１３ｗｔ％未満、０．０１２ｗｔ％未満、０．０１０ｗｔ％未満、０．００８ｗｔ％未満、または０．００５ｗｔ％未満の腐食損失を実証することができる。腐食損失は、試験プロトコルに従って試料を循環させる前および循環させた後（例えば、４００℃のＮＦ３中で２００サイクル（５．５時間）および３００℃のＣｌＦ中で４サイクル（１２時間））の試料の重量を測定することによって検査することができる。
[0134]ベースプレートは、いくつかの場合において、１６００℃超の温度で１ｗｔ％未満、例えば、０．１ｗｔ％未満、または０．００５ｗｔ％未満の分解の変化を実証しうる。分解は、その前駆体成分への分解（場合によっては、解離）、例えば化学的変化と定義されうる。本開示のベースプレートは、有利には、改善された軟化点および分解点を有することが発見された。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、１６００℃超、例えば、１７００℃超、１７５０℃超、１８００℃超、１８５０℃超、１９００℃超、または２０００℃超の軟化点を有する。いくつかの実施形態において、ベースプレートは、２２００℃超、例えば、２３２５℃超、２３５０℃超、２４００℃超、２４５０℃超の融点（窒素ガス中）を有する。従来のベースプレートとは異なり、本開示のベースプレートは、これらの温度で前述の締め付け圧を印加することができる。従来のベースプレート、例えば、窒化アルミニウムベースプレートは、１６００℃未満の温度で分解し、２２００℃未満の温度で融解する。
[0135]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、２０未満、例えば、１７未満、１５未満、１２未満、１０未満、８未満、または７未満の誘電率を有する。
[0136]いくつかの例では、ベースプレートは、４５Ｎスケール上で測定した場合、少なくとも５０ロックウェル、例えば、少なくとも５０ロックウェル、少なくとも５２ロックウェル、少なくとも５５ロックウェル、少なくとも５７ロックウェル、少なくとも６０ロックウェル、少なくとも６５ロックウェル、または少なくとも７０ロックウェルの表面硬さを有する。
[0136]いくつかの例では、ベースプレートは、４５Ｎスケール上で測定した場合、少なくとも５０ロックウェル、例えば、少なくとも５０ロックウェル、少なくとも５２ロックウェル、少なくとも５５ロックウェル、少なくとも５７ロックウェル、少なくとも６０ロックウェル、少なくとも６５ロックウェル、または少なくとも７０ロックウェルの表面硬さを有する。
[0137]いくつかの実施形態において、ベースプレートは、ベースプレート全体にわたって５～１５、例えば、６～１３、６．５～１２、７～９．５、７．５～９、または７～９の範囲の熱膨張係数を有する。下限に関しては、ベースプレートは、５超、例えば、６超、６．５超、７超、または７．５超の熱膨張係数を有してもよい。上限に関しては、ベースプレートは、１５未満、例えば、１３未満、１２未満、９．５未満、または９未満の熱膨張係数を有してもよい。熱膨張係数は、上部から下部へ２５％未満、例えば、１０％未満、５％未満、３％未満、または１％未満変動する。
ペデスタルアセンブリの組合せ
[0138]本開示のベースプレートおよびシャフトは、互いに連動して使用してもよい。別法では、これらの構成要素を、当該技術分野において公知の他の構成要素と組み合わせて使用してもよい。例えば、本開示のベースプレートを従来のシャフトを共に使用してもよく、または本開示のシャフトを従来のベースプレートと共に用いてもよい。
[0138]本開示のベースプレートおよびシャフトは、互いに連動して使用してもよい。別法では、これらの構成要素を、当該技術分野において公知の他の構成要素と組み合わせて使用してもよい。例えば、本開示のベースプレートを従来のシャフトを共に使用してもよく、または本開示のシャフトを従来のベースプレートと共に用いてもよい。
[0139]いくつかの実施形態において、ペデスタルアセンブリは、２つ以上の（ラミネートされた）層および／または共焼成セラミック材料を含む本開示のシャフトおよびベースプレートを含む。層は、ろう付け用材料で互いに接着されてよい。そのようなベースプレートの例として、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７，６６７，９４４号および同第５，７３７，１７８号に開示されるものがある。シャフトおよびベースプレートに加えて、これらのアセンブリは、追加のハードウェア、例えば、発熱体、アンテナなどをさらに含みうる。
[0140]本開示はまた、ベースプレートを製造する方法にも関する。ベースプレートは、２つ以上のグレードの原料ＢｅＯ粉末から製造できる。前駆体プレートを形成するのに、ＢｅＯ粉末を使用することができ、次いでそれを焼成してベースプレートが得られる。一実施形態において、上面は第１のグレードを含み、下部は第２のグレードを含み、中間領域は、第１および第２のグレードの混合物を含む。当然ながら、原料ＢｅＯ粉末の他の様々な数および組合せが考慮される。
[0141]一実施形態において、方法は、第１のＢｅＯ粉末および第３のＢｅＯ粉末を供給するステップと、第２の粉末を第１および第３の粉末から形成するステップと、を含む。第１および第２の粉末は、異なるグレードの原料ＢｅＯを含んでもよい。方法は、第１の粉末から第１の（下部）領域を形成するステップと、第２の粉末から第２の（中間）領域を形成するステップと、第３の粉末から第３の（上部）領域を形成して、ベースプレート前駆体を形成するステップと、をさらに含んでもよい。形成するステップは、各粉末を所定の順序で型に分配することによって達成することができる。第２の領域は、第１および第３領域間に配置されうる。追加の粉末から形成される追加の領域も、様々な構成で形成されうる。方法は、ベースプレート前駆体を焼成してベースプレートを形成するステップをさらに含んでもよい。
[0142]重要なことには、いくつかの場合において、前駆体が形成されたら、混合、例えば、振動して（任意選択により制御された条件下で）、粉末を部分的に混合または結合させてもよく、これにより、焼成後に組成勾配をもたらすことができる。部分的な混合は、組成勾配を維持するために重要である。いくつかの場合において、不十分な混合または完全な非混合は、完全に層状のベースプレートをもたらし、これは本明細書に記載の全ての利益を達成することはできない。過剰の混合は、所望の組成勾配を一切持たないＢｅＯ粉末の均一な混合物をもたらしうる。
[0143]方法は、発熱体を少なくとも１つの領域内に置くステップおよび／または端部を圧着するステップをさらに含んでもよい。方法は、冷間成形のステップと、次いでベースプレート前駆体を焼成（焼結）してベースプレートを形成するステップをさらに含む。
[0144]シャフトは、同様の方法を用いて作製することができる。
[0145]いくつかの実施形態は、ペデスタルアセンブリを製造する方法に関する。方法は、本開示のベースプレートおよび本開示のシャフトを供給するステップと、シャフトとベースプレートとを接続するステップと、を含む。
[0145]いくつかの実施形態は、ペデスタルアセンブリを製造する方法に関する。方法は、本開示のベースプレートおよび本開示のシャフトを供給するステップと、シャフトとベースプレートとを接続するステップと、を含む。
実施例１～４および比較例Ａ～Ｃ
[0146]実施例１～４は、表１に示すように、様々なＢｅＯグレードから調製されるクーポンを利用し、比較例Ａ～Ｃは、様々なＡｌＮグレードから調製されるクーポンを利用した。クーポンは、標準研磨ダイヤモンドによる研削および洗浄作業を用いて、大型セラミックブロック片から機械切削した。
[0146]実施例１～４は、表１に示すように、様々なＢｅＯグレードから調製されるクーポンを利用し、比較例Ａ～Ｃは、様々なＡｌＮグレードから調製されるクーポンを利用した。クーポンは、標準研磨ダイヤモンドによる研削および洗浄作業を用いて、大型セラミックブロック片から機械切削した。
[0147]表２に示すように、クーポンの寸法は、様々なＡＳＴＭ規格と一致した。
[0148]実施例１～４および比較例Ａ～Ｃを、熱拡散率について試験した。熱拡散率は、ＮＥＴＺＳＣＨ ＬＦＡ４６７ＨＴ Ｈｙｐｅｒｆｌａｓｈを用いて、ＡＳＴＭ Ｅ１４６１－１３（２０１３）に従って測定した。半分の立ち上がり時間は１０ｍｓ超であった。供試体を０．２μｍの金でスパッタコーティングし、５μｍの黒鉛でスプレーコーティングした。比熱を、Ｎｅｔｚｓｃｈ ＤＳＣ ４０４ Ｆ１ Ｐｅｇａｓｕｓ示差走査熱量計を使用して、ＡＳＴＭ Ｅ１２６９（２０１３）に従って測定した。２５℃での値を外挿推定する。
[0149]熱拡散率の結果を図１に示す。図１に示すように、実施例１～４のＢｅＯは、有益には、最大５００℃までの温度で、ＡｌＮの比較例Ａ～Ｃより有意に高い熱拡散率を実証した。５００℃超の温度で、実施例１～４はまた、より高い熱拡散率を示した。その差は大きくはなかったが、依然として有意であり、若干の差でも顕著な性能の改善に貢献する。
[0150]実施例１～４および比較例Ａ～Ｃを、比熱について試験した。比熱は、本体の温度を変化させるために要するエネルギー量である。比熱の結果を図２に示す。図２に示すように、実施例１～４のＢｅＯは、有益には、ＡｌＮの比較例Ａ～Ｃより高い比熱の値を示した。実際、全実施例１～４が、温度領域全体にわたって全比較例Ａ～Ｃより高い結果を示す。有利には、実施例１～４は、特に作動温度に達したら、よりゆっくり反応して出力変動（より低いヒステリシス）した。
[0151]実施例１～４および比較例Ａ～Ｃを熱伝導率について試験し、結果を図３に示す。フーリエの熱方程式を適用して、比熱および熱拡散率および密度から熱伝導率を算出した。熱伝導率は、本体の定常状態熱変動を決定する。示されるように、実施例１～４のＢｅＯは、有利には、最大５００℃までの温度で、ＡｌＮの比較例Ａ～Ｃより速く定常状態温度に達する。５００℃超の温度で、実施例１～４はまた、より高い熱伝導率を示した。その差は大きくはなかったが、依然として有意だった。また、熱拡散率の場合と同様、若干の差でも顕著な性能の改善に貢献する。
[0152]実施例１～４および比較例Ａ～Ｃを、浸透率について測定し、結果を図４に示す。浸透率は、他の熱価から算出した。浸透率は、例えば、発熱体とＢｅＯとの間、およびＢｅＯと背面ＨｅガスおよびＳｉウエハーとの間の、２つの筐体の接点および接触の瞬間における温度を制御する。示されるように、実施例１～４のＢｅＯは、有益には、温度領域全体にわたってＡｌＮの比較例Ａ～Ｃより高い浸透率の値を示す。全実施例１～４は、温度領域全体にわたって全比較例Ａ～Ｃより高い浸透率の値を示す。実施例１～４は、背面ガスおよびウエハーとの接触時に、比較例Ａ～Ｃと比較して、より少ない温度低下で、より安定した温度にとどまり、より低い熱応力履歴だった。
[0153]実施例１～４および比較例Ａ～Ｃを、バルク抵抗率について測定し、結果を図５に示す。バルク抵抗率は、ＡＳＴＭ Ｄ２５７／ＡＳＴＭ Ｄ１８２９の手順Ａに従い、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２３７ＨＶ源を使用して測定した。バルク抵抗率は、（高温下で）クランピングに関連する。昇温状態で、より高いバルク抵抗率が有益である。Ｊ－Ｒクランピングは、一般に、１×１０７～１×１０９Ω－ｍ（４００Ｖ～６００Ｖで）の範囲で静電的に活性である。図５は、実施例１～４の最大値および比較例Ａ～Ｃの最大値の抵抗率勾配を示す。曲線の勾配は、１×１０７～１×１０９Ω－ｍの「チャッキング／クランピングゾーン」中の時間に関連する。図５に示すように、実施例１～４は、驚くべきことに、かなり平らな曲線であり、チャッキング／クランピングゾーン中でより多くの時間を費やす。これは、改善されたクランピング性能を実証し、本明細書に開示する優れた締め付け圧性能、例えば、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧をもたらす。
実施例５および６
ＢｅＯ材料の追加の試料を、同様なやり方で、バルク抵抗率について試験した。ＢｅＯ材料の組成を表３に示す。実施例５および６を、実質的に類似のセラミック粉末の混合物から調製する。実施例５および６を、異なる施設にて、異なる時間で測定した。図６に示すように、実施例１、５および６の曲線は非常に類似しており、特にチャッキング／クランピング領域内で、予測される典型的なバッチ間変動内にある。
ＢｅＯ材料の追加の試料を、同様なやり方で、バルク抵抗率について試験した。ＢｅＯ材料の組成を表３に示す。実施例５および６を、実質的に類似のセラミック粉末の混合物から調製する。実施例５および６を、異なる施設にて、異なる時間で測定した。図６に示すように、実施例１、５および６の曲線は非常に類似しており、特にチャッキング／クランピング領域内で、予測される典型的なバッチ間変動内にある。
[0154]結果を図６に示す。示されるように、実施例１、５および６は、特に高温下で、特によく作用する。
実施例７および比較例Ｄ
[0155]実施例７は、ＢｅＯ（純度９９．５％超）を含むＢｅＯ組成物を含むクーポンを利用した。比較例Ｄは、ＡｌＮ組成物を含むクーポンを利用した。実施例７および比較例Ｄを、初期重量を測定し、処理し、次いで最終重量を測定することによって、耐食性について試験した。処理は、４００℃のＮＦ３中で２００サイクル（５．５時間）および３００℃のＣｌＦ中で４サイクル（１２時間）だった。実施例７は、驚くべきことに、０．００７ｗｔ％のみの平均損失率を実証したのに対し、比較例Ｄは、０．０１６の平均損失率を実証し、実施例７の２倍を超えた（実施例７の重量損失は、比較例Ｄの重量損失より５６％少なかった）。
[0155]実施例７は、ＢｅＯ（純度９９．５％超）を含むＢｅＯ組成物を含むクーポンを利用した。比較例Ｄは、ＡｌＮ組成物を含むクーポンを利用した。実施例７および比較例Ｄを、初期重量を測定し、処理し、次いで最終重量を測定することによって、耐食性について試験した。処理は、４００℃のＮＦ３中で２００サイクル（５．５時間）および３００℃のＣｌＦ中で４サイクル（１２時間）だった。実施例７は、驚くべきことに、０．００７ｗｔ％のみの平均損失率を実証したのに対し、比較例Ｄは、０．０１６の平均損失率を実証し、実施例７の２倍を超えた（実施例７の重量損失は、比較例Ｄの重量損失より５６％少なかった）。
実施例８
[0156]実施例８のベースプレートを以下のとおりに調製した。高熱伝導率のグレードのＢｅＯおよび任意選択のバインダー、滑剤、焼結助剤を含有する即席（ＲＴＰ：Ｒｅａｄｙ ｔｏ ｐｒｅｓｓ）粉末（高ＴＣ粉末）を調製した。低熱伝導率のグレードのＢｅＯ（低ＴＣ粉末）を使用して同様の粉末を調製した。所定量の高ＴＣ粉末および低ＴＣ粉末をブレンドして中間ＴＣ粉末を製造した。
[0156]実施例８のベースプレートを以下のとおりに調製した。高熱伝導率のグレードのＢｅＯおよび任意選択のバインダー、滑剤、焼結助剤を含有する即席（ＲＴＰ：Ｒｅａｄｙ ｔｏ ｐｒｅｓｓ）粉末（高ＴＣ粉末）を調製した。低熱伝導率のグレードのＢｅＯ（低ＴＣ粉末）を使用して同様の粉末を調製した。所定量の高ＴＣ粉末および低ＴＣ粉末をブレンドして中間ＴＣ粉末を製造した。
[0157]プラテン形状のエラストマー／黒鉛取り金型を下の３分の１の容量の高ＴＣ粉末で充填した。ホイルまたは被覆物またはフィルムまたはワイヤの形態のニオブの金属発熱体を粉末床内に置いた。次いで、中間ＴＣ粉末を中間の ３分の１の容量に加えた。金属グランドプレーンもしくは無線周波アンテナまたはニオブの電極を粉末床内に置いた。次いで、上の３分の１の容量を低ＴＣ粉末で充填した。
[0158]電気的接続ポストおよび端子を全粉体層に通して挿入し、その中に埋め込まれた金属素子に接続した。金型を密封し、室温で加圧して粉末を圧縮／緻密にした。圧縮された粉末の形状を有機または無機仮バインダーによって結合し、ニアネットシェイプ物体に成形体加工した。次いで物体を炉内で焼結して緻密化を誘発した。物体を仕上げ寸法要件に機械加工し、こうして本明細書に開示される様々な特性勾配を有する最終ベースプレートを得た。力および／または他の接続を電気的接続ポストに加えて、加熱および静電チャッキングのためにデバイスを動作させた。
[0159]ベースプレート上に設置されたシリコンウエハーの表面が８００℃の温度（半導体製造室が好ましく操作される温度）に達するようにベースプレートを試験室内で加熱した。驚くべきことに、ベースプレートは、高温で非常によく動作した。例えば、ベースプレートは、亀裂せず、上記の値（図５）と同様のバルク抵抗率性能、例えば、抵抗率を実証した。これらの予測しなかった抵抗率の値は、高温で優れたクランピング性能（例えば、静電チャッキング／クランピングが（高温で）維持される）と相関する。そのような性能は、従来のベースプレート材料、例えばＡｌＮでは達成されなかった。
実施形態
[0160]とりわけ、以下の実施形態を開示する。
[0161]実施形態１：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有するシャフトと、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有するベースプレートと、を含むペデスタルアセンブリであって、ベースプレートが、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧を実証する、ペデスタルアセンブリ。
[0160]とりわけ、以下の実施形態を開示する。
[0161]実施形態１：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有するシャフトと、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有するベースプレートと、を含むペデスタルアセンブリであって、ベースプレートが、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧を実証する、ペデスタルアセンブリ。
[0162]実施形態２：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態１の実施形態。
[0163]実施形態３：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態１または２の実施形態。
[0163]実施形態３：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態１または２の実施形態。
[0164]実施形態４：第１の酸化ベリリウム組成物を処理して、フッ素／フッ化物イオン濃度を達成する、実施形態１～３のいずれかの実施形態。
[0165]実施形態５：第１の酸化ベリリウム組成物が、５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウムおよび５０ｗｔ％ｐｐｍ未満の二酸化ケイ素をさらに含む、実施形態１～４のいずれかの実施形態。
[0165]実施形態５：第１の酸化ベリリウム組成物が、５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウムおよび５０ｗｔ％ｐｐｍ未満の二酸化ケイ素をさらに含む、実施形態１～４のいずれかの実施形態。
[0166]実施形態６：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、および／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）をさらに含む、実施形態１～５のいずれかの実施形態。
[0167]実施形態７：第１の酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界を有する、実施形態１～６のいずれかの実施形態。
[0168]実施形態８：第１の酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、実施形態１～７のいずれかの実施形態。
[0168]実施形態８：第１の酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、実施形態１～７のいずれかの実施形態。
[0169]実施形態９：第２の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウムおよび１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの二酸化ケイ素を含む、実施形態１～８のいずれかの実施形態。
[0170]実施形態１０：第２の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの三ケイ酸マグネシウムを含む、実施形態１～９のいずれかの実施形態。
[0171]実施形態１１：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くの酸化マグネシウムおよび／または三ケイ酸マグネシウムを含む、実施形態１～１０のいずれかの実施形態。
[0171]実施形態１１：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くの酸化マグネシウムおよび／または三ケイ酸マグネシウムを含む、実施形態１～１０のいずれかの実施形態。
[0172]実施形態１２：第２の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１ｗｔ％のリチアを含む、実施形態１～１１のいずれかの実施形態。
[0173]実施形態１３：第１の酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含み、かつ／または第２の酸化ベリリウム組成物が、５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、実施形態１～１２のいずれかの実施形態。
[0173]実施形態１３：第１の酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含み、かつ／または第２の酸化ベリリウム組成物が、５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、実施形態１～１２のいずれかの実施形態。
[0174]実施形態１４：第１の酸化ベリリウム組成物が、室温で３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の伝導率を有する、実施形態１～１３のいずれかの実施形態。
[0175]実施形態１５：第２の酸化ベリリウム組成物が、室温で４００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の伝導率を有する、実施形態１～１４のいずれかの実施形態。
[0175]実施形態１５：第２の酸化ベリリウム組成物が、室温で４００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の伝導率を有する、実施形態１～１４のいずれかの実施形態。
[0176]実施形態１６：第１の酸化ベリリウム組成物が、９０％～１００％の範囲の理論密度を有する、実施形態１～１５のいずれかの実施形態。
[0177]実施形態１７：ベースプレートが、７００℃超の温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、実施形態１～１６のいずれかの実施形態。
[0177]実施形態１７：ベースプレートが、７００℃超の温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、実施形態１～１６のいずれかの実施形態。
[0178]実施形態１８：ベースプレートが、８００℃で１×１０４オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、実施形態１～１７のいずれかの実施形態。
[0179]実施形態１９：ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、実施形態１～１８のいずれかの実施形態。
[0179]実施形態１９：ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、実施形態１～１８のいずれかの実施形態。
[0180]実施形態２０：ベースプレートが、２０未満の誘電率を有する、実施形態１～１９のいずれかの実施形態。
[0181]実施形態２１：ベースプレートが、４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さを有する、実施形態１～２０のいずれかの実施形態。
[0181]実施形態２１：ベースプレートが、４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さを有する、実施形態１～２０のいずれかの実施形態。
[0182]実施形態２２：ベースプレートが、ベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数を有する、実施形態１～２１のいずれかの実施形態。
[0183]実施形態２３：ベースプレート中に密閉された発熱体をさらに含む、実施形態１～２２のいずれかの実施形態。
[0183]実施形態２３：ベースプレート中に密閉された発熱体をさらに含む、実施形態１～２２のいずれかの実施形態。
[0184]実施形態２４：ベースプレート全体にわたる最小横寸法が少なくとも１００ｍｍである、実施形態１～２３のいずれかの実施形態。
[0185]実施形態２５：ベースプレートが、３００ｍｍの距離にわたって５０ミクロン未満のキャンバーの平坦度を有する、実施形態１～２４のいずれかの実施形態。
[0185]実施形態２５：ベースプレートが、３００ｍｍの距離にわたって５０ミクロン未満のキャンバーの平坦度を有する、実施形態１～２４のいずれかの実施形態。
[0186]実施形態２６：ベースプレートが、任意選択により１ミクロン超の高さを有するメサをさらに含む、実施形態１～２５のいずれかの実施形態。
[0187]実施形態２７：シャフトが、同様の熱膨張係数を有するスタブ部を含む、実施形態１～２６のいずれかの実施形態。
[0187]実施形態２７：シャフトが、同様の熱膨張係数を有するスタブ部を含む、実施形態１～２６のいずれかの実施形態。
[0188]実施形態２８：ベースプレートが、２層未満の積層を含有する、実施形態１～２７のいずれかの実施形態。
[0189]実施形態２９：ベースプレートが、個別の層を含有しない、実施形態１～２８のいずれかの実施形態。
[0189]実施形態２９：ベースプレートが、個別の層を含有しない、実施形態１～２８のいずれかの実施形態。
[0190]実施形態３０：上部および下部を有し、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧を実証し、１６００℃超の温度で１ｗｔ％未満の分解変化を実証する、ベースプレート。
[0191]実施形態３１：ベースプレートが、７００℃を超える温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証し、かつ／または１×１０８超のバルク抵抗率、および／もしくは０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失、および／もしくは２０未満の誘電率、および／もしくは４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／もしくはベースプレート全体にわたる５～１５の範囲の熱膨張係数を実証する、実施形態３０の実施形態。
[0192]実施形態３２：熱膨張係数が、上部から下部へ２５％未満変動する、実施形態３０または３１の実施形態。
[0193]実施形態３３：ベースプレートが、２時間未満の洗浄サイクルタイムおよび±３％未満の温度変動を実証する、実施形態３０～３２のいずれかの実施形態。
[0193]実施形態３３：ベースプレートが、２時間未満の洗浄サイクルタイムおよび±３％未満の温度変動を実証する、実施形態３０～３２のいずれかの実施形態。
[0194]実施形態３４：酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウムおよび１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの二酸化ケイ素を含む、実施形態３０～３３のいずれかの実施形態。
[0195]実施形態３５：酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０ｗｔ％ｐｐｍの三ケイ酸マグネシウムを含む、実施形態３０～３４のいずれかの実施形態。
[0196]実施形態３６：ベースプレートが、個別の層を含まない、実施形態３０～３５のいずれかの実施形態。
[0196]実施形態３６：ベースプレートが、個別の層を含まない、実施形態３０～３５のいずれかの実施形態。
[0197]実施形態３７：ベースプレートが、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、および／または上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および／または上部から下部へ減少する純度勾配、および／または上部から下部へ減少する理論密度勾配、および／または上部から下部へ増加する誘電率勾配を有する、実施形態３０～３６のいずれかの実施形態。
[0198]実施形態３８：発熱体、任意選択のコイル状および／またはクリンプ状発熱体をさらに含む、実施形態３０～３７のいずれかの実施形態。
[0199]実施形態３９：アンテナをさらに含む、実施形態３０～３８のいずれかの実施形態。
[0199]実施形態３９：アンテナをさらに含む、実施形態３０～３８のいずれかの実施形態。
[0200]実施形態４０：発熱体および／またはアンテナが、ニオブおよび／または白金を含む、実施形態３０～３９のいずれかの実施形態。
[0201]実施形態４１：上部および下部を有し、酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、および／または上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および／または上部から下部へ減少する純度勾配、および／または上部から下部へ減少する理論密度、および／または上部から下部へ増加する誘電率勾配を有する、ベースプレート。
[0201]実施形態４１：上部および下部を有し、酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、および／または上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および／または上部から下部へ減少する純度勾配、および／または上部から下部へ減少する理論密度、および／または上部から下部へ増加する誘電率勾配を有する、ベースプレート。
[0202]実施形態４２：室温で測定したとき、上部熱伝導率が１２５～４００Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部熱伝導率が１４６～２１８Ｗ／ｍＫの範囲であり、かつ／または８００℃で測定したとき、上部熱伝導率が２５Ｗ／ｍＫ～１０５Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲である、実施形態４１の実施形態。
[0203]実施形態４３：室温で測定したとき、上部熱伝導率が、下部熱伝導率より少なくとも６％高く、かつ／または８００℃で測定したとき、上部熱伝導率が、下部熱伝導率より少なくとも６％高い、実施形態４１または４２の実施形態。
[0204]実施形態４４：上部純度が９９．０～９９．９の範囲であり、下部純度が９５．０～９９．５の範囲である、実施形態４１～４３のいずれかの実施形態。
[0205]実施形態４５：上部純度が、下部純度より少なくとも０．４％高い、実施形態４１～４４のいずれかの実施形態。
[0205]実施形態４５：上部純度が、下部純度より少なくとも０．４％高い、実施形態４１～４４のいずれかの実施形態。
[0206]実施形態４６：上部理論密度が９３％～１００％の範囲であり、下部理論密度が９３％～１００％の範囲である、実施形態４１～４５のいずれかの実施形態。
[0207]実施形態４７：上部理論密度が、下部理論密度より少なくとも０．５％高い、実施形態４１～４６のいずれかの実施形態。
[0207]実施形態４７：上部理論密度が、下部理論密度より少なくとも０．５％高い、実施形態４１～４６のいずれかの実施形態。
[0208]実施形態４８：上部誘電率が１～２０の範囲であり、下部誘電率が１～２０の範囲である、実施形態４１～４７のいずれかの実施形態。
[0209]実施形態４９：ベースプレートが個別の層を含まない、実施形態４１～４８のいずれかの実施形態。
[0209]実施形態４９：ベースプレートが個別の層を含まない、実施形態４１～４８のいずれかの実施形態。
[0210]実施形態５０：ベースプレートが、少なくとも１３３ＫＰａの締め付け圧を実証する、実施形態４１～４９のいずれかの実施形態。
[0211]実施形態５１：ベースプレートが、７００℃を超える温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、実施形態４１～５０のいずれかの実施形態。
[0211]実施形態５１：ベースプレートが、７００℃を超える温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、実施形態４１～５０のいずれかの実施形態。
[0212]実施形態５２：ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、実施形態４１～５１のいずれかの実施形態。
[0213]実施形態５３：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むペデスタルアセンブリ用のシャフトであって、酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造を有する、シャフト。
[0213]実施形態５３：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むペデスタルアセンブリ用のシャフトであって、酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造を有する、シャフト。
[0214]実施形態５４：酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、実施形態５３の実施形態。
[0215]実施形態５５：酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、実施形態５３または５４の実施形態。
[0215]実施形態５５：酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、実施形態５３または５４の実施形態。
[0216]実施形態５６：第１の酸化ベリリウム組成物が、室温で３００Ｗ／ｍ－Ｋ未満の熱伝導率を有する、実施形態５３～５５のいずれかの実施形態。
[0217]実施形態５７：酸化ベリリウム組成物が、９０～１００の範囲の理論密度を有する、実施形態５３～５６のいずれかの実施形態。
[0217]実施形態５７：酸化ベリリウム組成物が、９０～１００の範囲の理論密度を有する、実施形態５３～５６のいずれかの実施形態。
[0218]実施形態５８：室温で測定したとき、上部熱伝導率が１４６Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ～２１８Ｗ／ｍＫの範囲であり、かつ／または８００℃で測定したとき、上部熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲であり、下部熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ～２１Ｗ／ｍＫの範囲である、実施形態５３～５７のいずれかの実施形態。
[0219]実施形態５９：上部理論密度が、下部理論密度より少なくとも０．５％高い、実施形態５３～５８のいずれかの実施形態。
[0220]実施形態６０：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態５３～５９のいずれかの実施形態。
[0220]実施形態６０：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態５３～５９のいずれかの実施形態。
[0221]実施形態６１：第１の酸化ベリリウム組成物が、５０ｗｔ％未満の酸化マグネシウムおよび５０ｗｔ％ｐｐｍ未満の二酸化ケイ素をさらに含む、実施形態５３～６０のいずれかの実施形態。
[0222]実施形態６２：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、および／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）をさらに含む、実施形態５３～６１のいずれかの実施形態。
[0223]実施形態６３：実施形態５３～６２のいずれかのシャフトと、任意選択によりろう付け用材料で互いに接合された複数の層を含有するベースプレートと、任意選択のプリント発熱体を含むペデスタルアセンブリ。
[0224]実施形態６４：上部および下部を有し、セラミック組成物を含むベースプレートであって、少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧、７００℃超の温度まで加熱したときの±３％未満の温度変動、および／または８００℃で１×１０８超のバルク抵抗率、および／または０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失、および／または２０未満の誘電率、および／または４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／またはベースプレート全体にわたる５～１５の範囲の熱膨張係数を実証する、ベースプレート。
[0225]実施形態６５：ベースプレートを製造する方法であって、第１のＢｅＯ粉末および第３のＢｅＯ粉末を供給するステップと、第１および第３の粉末から第２の粉末を形成するステップと、第１の粉末から第１（下部）の領域を形成するステップと、第２の粉末から第２（中間）の領域を形成するステップと、第３の粉末から第３（上部）の領域を形成してベースプレート前駆体を形成するステップであって、第２の領域が、第１および第３の領域間に配置される、ステップと、ベースプレート前駆体を焼成してベースプレートを形成するステップと、を含む、方法。
[0226]実施形態６６：第１および第３（および第２）の粉末が、異なるグレードの原料ＢｅＯを含む、実施形態６５の実施形態。
[0227]実施形態６７：発熱体を一領域内に置くステップ、および／または端部を圧着するステップをさらに含む、実施形態６５または６６の実施形態。
[0227]実施形態６７：発熱体を一領域内に置くステップ、および／または端部を圧着するステップをさらに含む、実施形態６５または６６の実施形態。
[0228]実施形態６８：ベースプレート前駆体を混合して粉末を結合させるステップをさらに含む、実施形態６５～６７のいずれかの実施形態。
[0229]実施形態６９：ベースプレート前駆体を冷間成形するステップをさらに含む、実施形態６５～６８のいずれかの実施形態。
[0229]実施形態６９：ベースプレート前駆体を冷間成形するステップをさらに含む、実施形態６５～６８のいずれかの実施形態。
[0230]実施形態７０：ペデスタルシャフトを製造する方法であって、酸化ベリリウム組成物を処理して、１ｐｐｂ～１０００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンの範囲のフッ素／フッ化物イオン濃度を達成するステップを含む、方法。
[0231]実施形態７１：汚染されたペデスタルアセンブリを洗浄する方法であって、ウエハーをペデスタルアセンブリの頂部に配置したペデスタルアセンブリおよびウエハーを設けるステップ、ウエハーを６００℃超の温度まで加熱するステップ、ウエハーを１００℃未満までの幅で冷却温度に冷却する（または全く冷却しない）ステップ、冷却温度でプレートを洗浄するステップ、任意選択によりウエハーを６００℃まで再加熱するステップ、を含み、冷却ステップから再加熱ステップまでの洗浄サイクルタイムが２時間未満である、方法。
[0232]実施形態７２：洗浄サイクルタイムが、０～１０分の範囲である、実施形態７１の実施形態。
[0233]実施形態７３：上部および下部を有し、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ベースプレート。
[0233]実施形態７３：上部および下部を有し、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ベースプレート。
[0234]実施形態７４：ベースプレートが、７００℃超の温度まで加熱したときの±３％未満の温度変動、および／または１６００℃超の温度で１ｗｔ％未満の分解変化、および／または２０未満の誘電率、および／または４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／またはベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数を実証する、実施形態７３の実施形態。
[0235]実施形態７５：ベースプレートが、１ｐｐｍ～５ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウムおよび１ｐｐｍ～５ｗｔ％の二酸化ケイ素および１ｐｐｂ～５ｗｔ％ｐｐｍ未満の三ケイ酸マグネシウムを含む酸化ベリリウム組成物を含む、実施形態７３または７４の実施形態。
[0236]実施形態７６：熱膨張係数が、上部から下部へ２５％未満変動する、実施形態７３～７５のいずれかの実施形態。
[0237]実施形態７７：ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、実施形態７３～７６のいずれかの実施形態。
[0237]実施形態７７：ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、実施形態７３～７６のいずれかの実施形態。
[0238]実施形態７８：ベースプレートが、２時間未満の洗浄サイクルタイムおよび±３％未満の温度変動を実証する、実施形態７３～７７のいずれかの実施形態。
[0239]実施形態７９：ベースプレートが、個別の層を含まない、実施形態７３～７８のいずれかの実施形態。
[0239]実施形態７９：ベースプレートが、個別の層を含まない、実施形態７３～７８のいずれかの実施形態。
[0240]実施形態８０：ベースプレートが、７００℃超の温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、実施形態７３～７９のいずれかの実施形態。
[0241]実施形態８１：ベースプレートが、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および上部から下部へ減少する純度勾配を有する、実施形態７３～８０のいずれかの実施形態。
[0241]実施形態８１：ベースプレートが、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および上部から下部へ減少する純度勾配を有する、実施形態７３～８０のいずれかの実施形態。
[0242]実施形態８２：上部純度が、下部純度より少なくとも０．４％高い、実施形態７３～８１のいずれかの実施形態。
[0243]実施形態８３：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有するシャフトと、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有するベースプレートと、を含むペデスタルアセンブリであって、ベースプレートが、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ペデスタルアセンブリ。
[0243]実施形態８３：酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有するシャフトと、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有するベースプレートと、を含むペデスタルアセンブリであって、ベースプレートが、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ペデスタルアセンブリ。
[0244]実施形態８４：第１の酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界を有する、実施形態８３の実施形態。
[0245]実施形態８５：第１の酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、実施形態８３または８４の実施形態。
[0245]実施形態８５：第１の酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、実施形態８３または８４の実施形態。
[0246]実施形態８６：第１の酸化ベリリウム組成物が、１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態８３～８５のいずれかの実施形態。
[0247]実施形態８７：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態８３～８６のいずれかの実施形態。
[0247]実施形態８７：第１の酸化ベリリウム組成物が、第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含む、実施形態８３～８６のいずれかの実施形態。
[0248]実施形態８８：第１の酸化ベリリウム組成物が、１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、および／または１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）をさらに含む、実施形態８３～８７のいずれかの実施形態。
[0249]実施形態８９：第１の酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含み、第２の酸化ベリリウム組成物が、５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、実施形態８３～８８のいずれかの実施形態。
[0250]実施形態９０：酸化ベリリウムおよび１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むペデスタルアセンブリ用のシャフトであって、酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造および１００ミクロン未満の平均粒径を有する、シャフト。
[0251]実施形態９１：ベースプレートを製造する方法であって、第１のＢｅＯ粉末および第３のＢｅＯ粉末を供給するステップと、第１および第３の粉末から第２の粉末を形成するステップと、第１の粉末から第１（下部）の領域を形成するステップと、第２の粉末から第２（中間）の領域を形成するステップと、第３の粉末から第３（上部）の領域を形成してベースプレート前駆体を形成するステップであって、第２の領域は、第１および第３の領域間に配置される、ステップと、ベースプレート前駆体を焼成してベースプレートを形成するステップと、を含む、方法。
[0252]実施形態９２：第１および第３、ならびに任意選択の第２の粉末が、異なるグレードの原料ＢｅＯを含む、実施形態９１の実施形態。
[0253]本発明を詳細に記述してきたが、本発明の趣旨および範囲内の修正は、当業者には容易に理解されるものである。前述の説明を考慮して、当該技術分野における関連の知識および上記の参考文献は、「背景技術」および「発明を実施するための形態」の開示内容に関連して、全てが参照により本明細書に組み込まれる。加えて、本発明の態様ならびに様々な実施形態の一部ならびに下記のおよび／または添付の特許請求の範囲内の様々な特徴は、全体または一部を組み合わせても、または交換してもよい。様々な実施形態の前述の説明の中で、別の実施形態を参照する実施形態は、適宜、他の実施形態と合わせてもよく、これは当業者に理解される。さらに、当業者は、前述の説明が例示のみのものであり、限定を意図するものではないことを理解するであろう。
[0253]本発明を詳細に記述してきたが、本発明の趣旨および範囲内の修正は、当業者には容易に理解されるものである。前述の説明を考慮して、当該技術分野における関連の知識および上記の参考文献は、「背景技術」および「発明を実施するための形態」の開示内容に関連して、全てが参照により本明細書に組み込まれる。加えて、本発明の態様ならびに様々な実施形態の一部ならびに下記のおよび／または添付の特許請求の範囲内の様々な特徴は、全体または一部を組み合わせても、または交換してもよい。様々な実施形態の前述の説明の中で、別の実施形態を参照する実施形態は、適宜、他の実施形態と合わせてもよく、これは当業者に理解される。さらに、当業者は、前述の説明が例示のみのものであり、限定を意図するものではないことを理解するであろう。
Claims (20)
- 上部および下部を有し、少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムおよび任意選択のフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むベースプレートであって、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ベースプレート。
- 前記ベースプレートが、１ｐｐｍ～５ｗｔ％ｐｐｍの酸化マグネシウムおよび１ｐｐｍ～５ｗｔ％の二酸化ケイ素および１ｐｐｍ以上５ｗｔ％ｐｐｍ未満の三ケイ酸マグネシウムを含む酸化ベリリウム組成物を含む、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、
７００℃超の温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動、および／または
１６００℃超の温度で１ｗｔ％未満の分解変化、および／または
２０未満の誘電率、および／または
４５Ｎスケール上で少なくとも５０ロックウェルの表面硬さ、および／または
前記ベースプレート全体にわたって５～１５の範囲の熱膨張係数
を実証する、請求項１に記載のベースプレート。 - 熱膨張係数が、上部から下部へ２５％未満変動する、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、０．０１６ｗｔ％未満の腐食損失を実証する、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、２時間未満の洗浄サイクルタイムおよび±３％未満の温度変動を実証する、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、個別の層を含まない、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、７００℃超の温度まで加熱したとき、±３％未満の温度変動を実証する、請求項１に記載のベースプレート。
- 前記ベースプレートが、上部から下部へ減少する熱伝導率勾配、上部から下部へ減少する抵抗率勾配、および上部から下部へ減少する純度勾配を有する、請求項１に記載のベースプレート。
- 上部純度が、下部純度より少なくとも０．４％高い、請求項１に記載のベースプレート。
- ペデスタルアセンブリであって、
酸化ベリリウムおよびフッ素／フッ化物イオンを含有する第１の酸化ベリリウム組成物を含有するシャフトと、
少なくとも９５ｗｔ％の酸化ベリリウムを含有する第２の酸化ベリリウム組成物を含有するベースプレートと、
を含み
前記ベースプレートが、少なくとも６００℃の温度で少なくとも１３３ｋＰａの締め付け圧および８００℃で１×１０５オームｍ超のバルク抵抗率を実証する、ペデスタルアセンブリ。 - 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界を有する、請求項１１に記載のアセンブリ。
- 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、１００ミクロン未満の平均粒径を有する、請求項１１に記載のアセンブリ。
- 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含む、請求項１１に記載のアセンブリ。
- 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、前記第２の酸化ベリリウム組成物より多くのフッ素／フッ化物イオンを含む、請求項１１から１４のいずれか一項に記載のアセンブリ。
- 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、
１ｐｐｂ～５０ｗｔ％ｐｐｍのアルミナ、
１ｐｐｂ～１００００ｐｐｍの亜硫酸塩、および／または
１ｐｐｂ～１ｗｔ％ｐｐｍのホウ素、バリウム、硫黄、もしくはリチウム、またはこれらの組合せ（酸化物、合金、複合体、もしくは同素体、またはこれらの組合せを含む）
をさらに含む、請求項１１に記載のアセンブリ。 - 前記第１の酸化ベリリウム組成物が、７５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含み、前記第２の酸化ベリリウム組成物が、５ｗｔ％未満の窒化アルミニウムを含む、請求項１１に記載のアセンブリ。
- 酸化ベリリウムおよび１０ｐｐｂ～８００ｐｐｍのフッ素／フッ化物イオンを含有する酸化ベリリウム組成物を含むペデスタルアセンブリ用のシャフトであって、
前記酸化ベリリウム組成物が、０．１ミクロン超の平均粒界または非晶質粒状構造および１００ミクロン未満の平均粒径を有する、シャフト。 - ベースプレートを製造する方法であって、
第１のＢｅＯ粉末および第３のＢｅＯ粉末を供給するステップと、
前記第１および第３の粉末から第２の粉末を形成するステップと、
前記第１の粉末から第１（下部）の領域を形成するステップと、
前記第２の粉末から第２（中間）の領域を形成するステップと、
前記第３の粉末から第３（上部）の領域を形成してベースプレート前駆体を形成するステップであって、前記第２の領域が、前記第１および第３の領域間に配置される、ステップと、
前記ベースプレート前駆体を焼成して前記ベースプレートを形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記第１および第３ならびに任意選択の第２の粉末が、異なるグレードの原料ＢｅＯを含む、請求項１９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962887282P | 2019-08-15 | 2019-08-15 | |
| US62/887,282 | 2019-08-15 | ||
| PCT/US2020/046045 WO2021030516A1 (en) | 2019-08-15 | 2020-08-13 | Beryllium oxide pedestals |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022544584A true JP2022544584A (ja) | 2022-10-19 |
Family
ID=72243217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022509585A Pending JP2022544584A (ja) | 2019-08-15 | 2020-08-13 | 酸化ベリリウムペデスタル |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220289631A1 (ja) |
| EP (1) | EP4013611A1 (ja) |
| JP (1) | JP2022544584A (ja) |
| KR (1) | KR20220047618A (ja) |
| CN (2) | CN114401933B (ja) |
| IL (1) | IL290184A (ja) |
| TW (2) | TWI812009B (ja) |
| WO (1) | WO2021030516A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024197211A1 (en) | 2023-03-22 | 2024-09-26 | Materion Corporation | Integral resistance heaters including niobium and processes for making same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4428986A (en) * | 1982-11-18 | 1984-01-31 | Eaton Corporation | Method of preparing a beryllia substrate for subsequent autocatalytic deposition of a metallized film directly thereon |
| JPS6070734A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0521763A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体基板及び半導体装置とその製造方法 |
| US5268334A (en) * | 1991-11-25 | 1993-12-07 | Brush Wellman, Inc. | Production of beryllium oxide powders with controlled morphology and quality |
| US5737178A (en) | 1997-03-06 | 1998-04-07 | Applied Materials, Inc. | Monocrystalline ceramic coating having integral bonding interconnects for electrostatic chucks |
| US20060269698A1 (en) * | 2003-09-22 | 2006-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for optical semiconductor |
| CN100465130C (zh) * | 2006-08-22 | 2009-03-04 | 于深 | 半导体照明散热衬底基板材料 |
| CN101161605A (zh) * | 2006-10-09 | 2008-04-16 | 九豪精密陶瓷股份有限公司 | 低温共烧陶瓷材料 |
| JP5078687B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-11-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
| US7667944B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-02-23 | Praxair Technology, Inc. | Polyceramic e-chuck |
| JP5683063B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2015-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムのセラミックカバーウェハ |
| CN104100933B (zh) * | 2013-04-04 | 2016-08-10 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置 |
| US10471531B2 (en) * | 2014-12-31 | 2019-11-12 | Component Re-Engineering Company, Inc. | High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics |
| US20170295612A1 (en) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | Materion Corporation | Beryllium oxide integral resistance heaters |
| CN107311666A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-11-03 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 低温共烧陶瓷基板的成型与烧结方法 |
-
2020
- 2020-08-13 US US17/634,160 patent/US20220289631A1/en active Pending
- 2020-08-13 EP EP20761957.8A patent/EP4013611A1/en active Pending
- 2020-08-13 CN CN202080056353.7A patent/CN114401933B/zh active Active
- 2020-08-13 JP JP2022509585A patent/JP2022544584A/ja active Pending
- 2020-08-13 KR KR1020227008629A patent/KR20220047618A/ko unknown
- 2020-08-13 CN CN202311446878.3A patent/CN117486586A/zh active Pending
- 2020-08-13 WO PCT/US2020/046045 patent/WO2021030516A1/en active Application Filing
- 2020-08-14 TW TW111105419A patent/TWI812009B/zh active
- 2020-08-14 TW TW109127789A patent/TWI758823B/zh active
-
2022
- 2022-01-27 IL IL290184A patent/IL290184A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI812009B (zh) | 2023-08-11 |
| US20220289631A1 (en) | 2022-09-15 |
| CN117486586A (zh) | 2024-02-02 |
| CN114401933A (zh) | 2022-04-26 |
| WO2021030516A1 (en) | 2021-02-18 |
| TWI758823B (zh) | 2022-03-21 |
| EP4013611A1 (en) | 2022-06-22 |
| TW202235399A (zh) | 2022-09-16 |
| TW202114961A (zh) | 2021-04-16 |
| KR20220047618A (ko) | 2022-04-18 |
| IL290184A (en) | 2022-03-01 |
| CN114401933B (zh) | 2023-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI599553B (zh) | Cooling plate, method of manufacturing the same, and device for semiconductor manufacturing apparatus | |
| US9944561B2 (en) | Dielectric material and electrostatic chucking device | |
| JP5604888B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
| WO2014156543A1 (ja) | 冷却板、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
| JP6394396B2 (ja) | 耐食性部材、静電チャック装置 | |
| KR102497967B1 (ko) | 복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
| JP2020521706A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびこれを含む半導体製造装置用部材 | |
| WO2018221504A1 (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体、および半導体保持装置 | |
| JP2022544584A (ja) | 酸化ベリリウムペデスタル | |
| JP2016124734A (ja) | 耐食性部材、静電チャック装置および耐食性部材の製造方法 | |
| KR20230042679A (ko) | 복합 소결체 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
| JP2003152062A (ja) | 静電チャック | |
| TWI837343B (zh) | 用於靜電吸盤之高密度耐腐蝕層佈置 | |
| US20150070815A1 (en) | Electrostatic chuck member | |
| JP2002184851A (ja) | 静電チャックステージ及びその製造方法 | |
| JP4789416B2 (ja) | セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック | |
| JP2004111289A (ja) | セラミックスヒータ及びその製造方法 | |
| JP2023150882A (ja) | 静電チャック誘電体層およびそれを有する静電チャック | |
| JP2003012376A (ja) | 抵抗体及びその製造方法並びに保持装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240815 |