JP2022531873A - パターン化された導電性物品 - Google Patents

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Abstract

パターン化された導電性物品２００が、単一層２１０－１を含む基材２１０を含み、かつ単一層に少なくとも部分的に埋め込まれた導電トレース２２０の微細パターンを含む。各導電トレースは、導電トレースの長手方向（ｙ方向）に沿って延び、上部主表面２３２と、単一層と直接接触している反対側の底部主表面２３４とを有する導電性シード層２３０と、導電性シード層の上部主表面上に配置された単一導電体２４０と、を含む。単一導電体と導電性シード層とは組成又は結晶形態のうちの少なくとも１つにおいて異なる。単一導電体は横方向側壁２４２，２４４を有し、横方向側壁の総面積の少なくとも過半が単一層と直接接触している。

Description

アンテナ、ＥＭＩシールド、又はタッチセンサとして役立つ物品は、フォトリソグラフィによって基材上に形成された導電トレースの微細パターンを含むことがある。
本明細書のいくつかの態様では、単一層（unitary layer）を含む基材を含み、単一層に少なくとも部分的に埋め込まれた導電トレースの微細パターンを含む、パターン化された導電性物品が提供される。各導電トレースは、導電トレースの長手方向に沿って延び、上部主表面と、単一層と直接接触している反対側の底部主表面とを有する導電性シード層と、導電性シード層の上部主表面上に配置された単一導電体と、を含む。単一導電体と導電性シード層とは組成又は結晶形態のうちの少なくとも１つにおいて異なる。単一導電体は、横方向側壁を有し、横方向側壁の総面積の少なくとも過半が単一層と直接接触している。
本明細書のいくつかの態様では、パターン化された導電性物品が提供される。パターン化された導電性物品は、第１の溝をその中に有する基材と、第１の溝内に配置された導電性シード層と、第１の溝内に少なくとも部分的に配置された単一導電体と、を含む。第１の溝は、長手方向に沿って延び、底面と側面とを有する。第１の溝の長手方向に垂直な少なくとも１つの断面において、導電性シード層は、第１の溝の底面の少なくとも過半を覆っており、単一導電体は、導電性シード層と第１の溝の側面の少なくとも過半とを覆っている。側面のそれぞれと単一導電体とは、側面のそれぞれと単一導電体との間に導体－絶縁体境界面を画定する。単一導電体と導電性シード層とは、単一導電体と導電性シード層との間に導体－導体境界面を画定する。
本明細書のいくつかの態様では、第１の溝をその中に有する基材と、第１の溝内に配置された導電性シード層と、第１の溝内に少なくとも部分的に配置された単一導電体と、を含む、パターン化された導電性物品。第１の溝は、底面と側面とを有する。導電性シード層は、第１の溝の底面の少なくとも過半を覆っており、単一導電体は、導電性シード層と第１の溝の側面の少なくとも過半とを覆っている。シード層に平行であり、シード層から間隔があいている、単一導電体を通る平面では、単一導電体は、側面との第１の境界面において、より小さい第１のラインエッジラフネスを有し、導電性シード層は、導電性シード層の縁部において、より大きい第２のラインエッジラフネスを有する。
本明細書のいくつかの態様では、パターン化された導電性物品の製造方法が提供される。本製造方法は、少なくとも１つの嶺を有するツールを準備することと、少なくとも１つの嶺の第１の部分の側面の総面積の少なくとも過半が導電層を含まないように、少なくとも１つの嶺の第１の部分の上面上に導電層を配置することと、導電層を配置する工程の後に、ツール上に樹脂を配置することと、樹脂を固化させて、少なくとも１つの嶺に対応する少なくとも１つの溝を含むポリマー層を形成することと、導電層が少なくとも１つの溝の底面に配置されるように、ツールからポリマー層及び導電層を取り外すことと、を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、導電材料が導電層を覆うように、導電材料を少なくとも１つの溝内に（例えば、電気めっきを介して）堆積させることを更に含む。堆積された導電材料は、単一導電体を形成することができる。
パターン化された導電性物品の概略平面図である。 パターン化された導電性物品の部分の概略断面図である。 パターン化された導電性物品の部分の概略断面図である。 トレースの概略断面図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 パターン化された導電性物品の製造方法における工程の概略図である。 導電性シード層が溝の底面上に配置された状態における、溝を含む基材の概略断面図である。 導電性シード層が溝の底面上に配置された状態における、溝を含む基材の概略断面図である。 導電性シード層の概略上面図である。 導電性シード層の概略断面図である。 導電性シード層の概略断面図である。 直交する断面における単一導電体の概略断面図である。 直交する断面における単一導電体の概略断面図である。 アンテナであり得るパターン化された導電性物品の概略平面図である。 アンテナであり得るパターン化された導電性物品の概略平面図である。 パターン化された導電性物品の概略断面図である。 パターン化された導電性物品の概略断面図である。
以下の説明では、本明細書の一部を形成し様々な実施形態が実例として示されている添付図面が参照される。図面は、必ずしも縮尺通りではない。本明細書の範囲又は趣旨から逸脱することなく、他の実施形態が想到され実施可能である点を理解されたい。それゆえ、以下の発明を実施するための形態は、限定的な意味では解釈されない。
導電トレースの微細パターンは、フォトリソグラフィプロセスを用いて基材上に形成され得る。本明細書のいくつかの態様によれば、フォトリソグラフィを利用することなく、基材内に導電トレースを少なくとも部分的に形成することを可能にするプロセスが開発された。いくつかの実施形態では、本明細書に記載のプロセスは、従来のフォトリソグラフィプロセスよりも安価かつ／又は容易に実施される。いくつかの実施形態では、本プロセスによって、高い（例えば、少なくとも０．８の）アスペクト比（厚さを幅で割ったもの）を有するトレースを形成することができる。高いアスペクト比は、高い透明性及び高い電気コンダクタンスが望まれる用途において望ましい場合がある。例えば、開放面積率を上げることにより透明性を高めることができるが、トレース厚さが固定されている場合には電気コンダクタンスを低下させる。そこで、電気コンダクタンスを上げるためにトレースをより厚くすることができ、これによりアスペクト比が高くなり得る。いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品は、比較的高い動作周波数で使用されることがあり（例えば、パターン化された導電性物品は、マイクロ波周波数で動作するように設計されたアンテナであり得る）、この場合、例えば、トレースの材料の表皮深さはトレースの幅よりも小さい。高アスペクト比を用いることにより、所与のトレース幅においてトレースの表面積が増加し、この結果、同じトレース幅のより低いアスペクト比のトレース（例えば、リソグラフィ又は印刷によって従来形成されているもの）と比較して、導体の使用量が増加する（したがって、動作周波数での電気コンダクタンスが増加する）。いくつかの実施形態では、トレースは、基材の中の溝の底部上に配置された導電層上へのめっき（例えば、導電性シード層上への電気めっき）によって形成される。溝の側壁は、導電性シード層を含まない、又は実質的に含まないものであり得る。溝の側壁上には配置されておらず、溝の底部上に配置された導電性シード層上へのめっきは、シード層が側壁上にもある溝内へのめっきと比較して、トレースプロファイルの制御を改善することが判明している。例えば、シード層が側壁上にある場合、めっきによって、金属が側壁上のシード層の上部に形成されることになり、その結果、溝の縁部を越えて基材の上面上に金属があふれることになり得る。このようなあふれは、パターン化された物品を通る光透過率を低下させ得るため、従来のプロセスによって作製されたパターン化された物品にとって、高アスペクト比が望まれる場合には特に、問題となり得る。
加えて、導電層を溝の底部に配置することにより、導電層の保護（例えば、耐久性の向上）がもたらされる。いくつかの用途では高コンダクタンスが必要とされない場合があり、そのため、いくつかの実施形態では導電層上に導電体は、めっきされない。いくつかのこのような実施形態では、非金属材料が導電層上の溝内に配置され得る。例えば、接着剤、ポリマー、又は誘電材料（例えば、光学的に透明なポリマー接着剤）のうちの１つ以上によって導電層の上の溝が埋め戻され得る。
導電性部材（例えば、導電体、導電層、導電トレース、又は導電材料）は、別段の指示のない限り、電気導電性部材を意味する。導電性部材は、例えば、１Ω・ｍ未満、又は０．０１Ω・ｍ未満、又は１０－４Ω・ｍ未満、又は１０－６Ω・ｍ未満の電気抵抗率を有し得る。非導電材料は、別段の指示のない限り、電気的非伝導材料を指す。非導電材料は、例えば、１００Ω・ｍ超、又は１０４Ω・ｍ超、又は１０６Ω・ｍ超、又は１０８Ω・ｍ超の電気抵抗率を有し得る。電気抵抗率は、別段の指示のない限り、直流（ＤＣ）抵抗率を指す。
図１は、パターン化された導電性物品１００又は物品１００の一部分の概略平面図である。物品１００は、基材１１０と、基材１１０に少なくとも部分的に埋め込まれた導電トレース１２０の微細パターンと、を含む。各導電トレース１２０は、導電トレース１２０の長手方向１２２に沿って延びる。各導電トレース１２０は、長手方向１２２に沿った長さ、及び直交する方向に沿った幅を有することができ、幅は長さよりも実質的に短い。いくつかの実施形態では、基材１１０は単一基材である、又は単一層を含む。例えば、基材１１０は、モノリシックポリマーの基材であってもよく、基材の第２の層上に配置されたモノリシックポリマーの第１の層を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、基材１１０は実質的に透明である。いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品１００は、実質的に透明である。例えば、物品１００が十分に高い開放面積率（物品１００の平面図においてトレースによって覆われていない面積の割合又は百分率）を有するとき、物品１００は実質的に透明であり得る。いくつかの実施形態では、物品１００は、８０％～９９．９５％、又は８０％～９９．９％、又は８５％～９９．９％、又は９０％～９９．９％、又は９５％～９９．９％の範囲にある開放面積率を有する。いくつかの実施形態では、平面図において、導電トレース１２０のパターンの総面積は、パターン化された導電性物品１００の総表面積の５０％未満、又は２０％未満、又は１０％未満、又は５％未満、又は３％未満、又は２％未満、又は１％未満である。いくつかの実施形態では、物品１００は、垂直入射可視光（４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲の波長）に対して少なくとも５０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％の平均光透過率を有する。いくつかの実施形態では、平均光透過率は、７０％未満又は５０％未満であり得る。例えば、物品１００は、平均光透過率を低減する装飾フィルム（例えば、３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手可能なファサラウィンドウフィルム）などの追加の層（複数可）を含んでもよい。光透過率は、物品１００の上部主表面又は底部主表面から測定され得る。いくつかの実施形態では、導電トレースを有する基材の平均光透過率は、導電トレースを持たない基材の平均光透過率と、５％以下、又は２％以下、又は１％以下だけ異なる。
いくつかの実施形態では、物品１００は、可撓性フィルム（例えば、１０ｃｍの直径を有する円筒の周りで割れることなく１８０度屈曲可能な可撓性フィルム）である。可撓性フィルムは、他の箇所に記載されるように、実質的に透明であり得る。
いくつかの実施形態では、物品１００は、アンテナ、ヒータ、電磁干渉（ＥＭＩ）シールド、静電気消散構成要素、又は電極のうちの少なくとも１つである。いくつかの実施形態では、物品１００は、本明細書の他の箇所で更に説明されるようなアンテナである。いくつかの実施形態では、物品１００は、タッチセンサなどのセンサである。いくつかの実施形態では、アンテナ、ヒータ、電磁干渉シールド、静電消散構成要素、センサ、又は電極は、実質的に透明である、及び／又は可撓性フィルムである。
導電トレース１２０の微細パターンは、トレースの二次元規則配列（例えば、矩形、正方形、三角形、又は六角形配列）若しくは二次元不規則配列であり得るメッシュパターンであり得る、又はメッシュパターンを含み得る。物品１００に好適な微細パターン形状としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／００９５９８８号（Ｆｒｅｙら）、同第２００９／０２１９２５７号（Ｆｒｅｙら）、同第２０１５／０１３８１５１号（Ｍｏｒａｎら）、同第２０１３／０２６４３９０号（Ｆｒｅｙら）、及び同第２０１５／００８５４６０号（Ｆｒｅｙ）に記載されているものが挙げられる。
いくつかの実施形態では、各トレース１２０は、基材１１０にある溝内に少なくとも部分的に配置される。基材に少なくとも部分的に配置されたトレースを図２に概略的に示す。
図２は、基材２１０と、基材２１０に少なくとも部分的に埋め込まれたトレース２２０とを含む、パターン化された導電性物品２００の一部分の概略断面図である。図示の実施形態では、基材２１０は、層２１０－２上に配置された層２１０－１を含む。いくつかの実施形態では、層２１０－１は単一層である。このような実施形態では、層２１０－１は、第２の基材（層２１０－２）上に配置された第１の単一基材とみなすことができる。いくつかの実施形態では、層２１０－２は単一層である。いくつかの実施形態では、層２１０－１は、層２１０－２上に樹脂をキャスティングして硬化させることによって形成され得る。いくつかの実施形態では、基材２１０は、実質的に透明であり、かつ／又はポリマーである。トレース２２０は、導電トレースの微細パターンにおけるトレースであり得る。トレース２２０は、上部主表面２３２と、基材２１０と直接接触している（例えば、基材２１０の単一層２１０－１と直接接触している）反対側の底部主表面２３４とを有する導電性シード層２３０を含む。トレース２２０は、導電性シード層２３０の上部主表面２３２上に配置された単一導電体２４０を更に含む。導電性シード層２３０は、例えば、硬化導電性インク若しくは硬化導電性コーティングであり得る、又は硬化された導電性インク若しくは硬化された導電性コーティングを含み得る、又は、例えば、転写層（例えば、転写金属層）であり得る、又は転写層（例えば、転写金属層）を含み得る。単一導電体２４０は、例えばめっきによって形成された金属体であり得る。いくつかの実施形態では、単一導電体２４０と導電性シード層２３０とは、組成又は結晶形態のうちの少なくとも１つにおいて異なる。単一導電体２４０は、横方向側壁２４２及び２４４を有する。いくつかの実施形態では、横方向側壁２４２及び２４２の総面積の少なくとも過半（又は少なくとも６０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％）は、層２１０－１と直接接触している。
パターン化された導電性物品２００は、代替的に又は追加的に、以下のように説明され得る。パターン化された導電性物品２００は、第１の溝２１２をその中に含む基材２１０を含む。例えば、基材２１０は、溝の微細パターンをその中に含んでもよく（例えば、図１を参照）、溝の微細パターンは第１の溝２１２を含む。いくつかの実施形態では、第１の溝２１２は、第１の溝２１２の長手方向（図示のｘ－ｙ－ｚ座標系のｙ方向）に沿って延び、底面２１８と側面２１４及び２１６とを有する。導電性シード層２３０は第１の溝２１２内に配置され、単一導電体２４０は第１の溝２１２内に少なくとも部分的に配置される。いくつかの実施形態では、第１の溝２１２の長手方向に垂直な少なくとも１つの断面（例えば、ｘ－ｚ平面における図示の断面）において、導電性シード層２３０は第１の溝２１２の底面２１８の少なくとも過半（面積の５０％超）を覆い、単一導電体２４０は導電性シード層２３０と第１の溝２１２の側面２１４及び２１６の少なくとも過半（面積の５０％超）とを覆う。いくつかの実施形態では、側面２１４及び２１６のそれぞれと単一導電体２４０とは、側面２１４及び２１６のそれぞれと単一導電体２４０との間に導体－絶縁体境界面（それぞれ、２４５及び２４７）を画定し、単一導電体２４０と導電性シード層２３０とは、単一導電体２４０と導電性シード層２３０との間に導体－導体境界面２３５を画定する。いくつかの実施形態では、単一導電体２４０は単一金属体である。
本明細書の他の箇所で更に説明されるように、いくつかの実施形態では、単一導電体２４０は、側面（２１４及び２１６）との第１の境界面（２４５及び／又は２４７）において、より小さい第１の表面粗さを有し、導電性シード層２３０との第２の境界面（２３５）において、より大きい第２の表面粗さを有する。
本明細書の他の箇所で更に説明されるように、いくつかの実施形態では、導電性シード層２３０に平行であり、導電性シード層２３０から離れている、単一導電体２４０を通る平面では、単一導電体は、側面２１４、２１６との第１の境界面において、より小さい第１のラインエッジラフネスを有し、導電性シード層２３０は、導電性シード層２３０の縁部において、より大きい第２のラインエッジラフネスを有する。
いくつかの実施形態では、単一導電体２４０は、溝２１２を充填又は過充填し得る。単一導電体の上面が基材の上面の上方に延びる実施形態を図３に概略的に示す。
図３は、基材３１０の中に第１の溝３１２を含み、かつ基材３１０に接合された任意の光学フィルム３８０を更に含む基材３１０を含むパターン化された導電性物品３００の一部分の概略断面図である。導電性シード層３３０が第１の溝３１２内に配置され、単一導電体３４０が第１の溝３１２内に少なくとも部分的に配置される。基材３１０は、例えば、２つ以上の層（例えば、基材２１０に対応する層）を含んでもよく、単一上層を含んでもよい。パターン化された導電性物品３００は、単一導電体３４０が単一導電体３４０の（図示の断面における）中心部分において基材３１０の上面３１１を越えて延び、物品３００が任意の光学フィルム３８０を含むことを除いて、パターン化された導電性物品２００に対応し得る。単一導電体３４０の上面３４１、又は本明細書に記載される他の単一導電体の上面３４１は、例えば、図示のように凸状の半球状（下に凹）であってもよいし、上に凹であってもよいし、又は実質的に平面であってもよいし、又は不規則な形状を有してもよい。
光学フィルム３８０が、光学的に透明な接着剤（図示せず）を使用して基材３１０にラミネートされて（laminated）もよいし、基材３１０が光学フィルム３８０上に直接形成されてもよい。光学フィルム３８０は、図示のように基材３１０の底面３１３上に配置されてもよいし、基材３１０の上面３１１上に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、光学フィルム３８０は、ウィンドウフィルム、テクスチャフィルム、パターン化されたフィルム、若しくは赤外線反射フィルムのうちの１つ以上である、又はウィンドウフィルム、テクスチャフィルム、パターン化されたフィルム、若しくは赤外線反射フィルムのうちの１つ以上を含む。有用な光学フィルムとしては、例えば、米国特許出願公開第２０１７／０２４８７４１号（Ｈａｏら）、同第２０１５／０２８５９５６号（Ｓｃｈｍｉｄｔら）、同第２０１０／０３１６８５２号（Ｃｏｎｄｏら）、同第２０１６／０１７０１０１号（Ｋｉｖｅｌら）、同第２０１４／０２０４２９４号（Ｌｖ）、同第２０１４／０３０８４７７号（Ｄｅｒｋｓら）、同第２０１４／００５７０５８号（Ｙａｐｅｌら）、同第２００５／００７９３３３号（Ｗｈｅａｔｌｅｙら）、及び同第２００２／００１２２４８号（Ｃａｍｐｂｅｌｌら）に記載されているものが挙げられる。
いくつかの実施形態では、第１の溝３１２の少なくとも１つの断面において、単一導電体３４０は、第１の溝３１２の断面積の半分超を充填し、第１の溝２１２の少なくとも１つの断面において、単一導電体２４０は、第１の溝３１２の断面積の半分超を充填する。いくつかの実施形態では、単一導電体３４０は、第１の溝３１２の断面積の少なくとも６０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％を充填し、単一導電体２４０は、第１の溝２１２の断面積の少なくとも６０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％を充填する。いくつかの実施形態では、単一導電体３４０及び導電性シード層３３０は、第１の溝３１２の断面積を共に充填し、単一導電体２４０及び導電性シード層２３０は、第１の溝２１２の断面積を共に充填する。
図４は、導電性シード層４３０上に配置された単一導電体４４０を含むトレース４２０の概略断面図である。トレース４２０は、図４に概略的に示されるように実質的に垂直な側壁を有してもよいし、側壁が、本明細書の他の箇所に示されるように傾斜していてもよい。いくつかの実施形態では、単一導電体４４０と導電性シード層４３０とは、組成又は結晶形態のうちの少なくとも１つにおいて異なる。組成が異なり得るのは、例えば、導電性シード層４３０と単一導電体４４０とが異なる金属を含む場合、又は導電性シード層４３０が硬化された導電性インク又は硬化された導電性コーティングであり、単一導電体４４０が固体金属である場合である。図４の異なるクロスハッチングは、例えば、異なる組成を概略的に表し得る。代替的又は追加的に、図４の異なるクロスハッチングは、例えば、異なる結晶形態を概略的に表し得る。結晶形態は、例えば、導電性シード層４３０及び単一導電体４４０が同じ金属から形成されるが、材料を形成する際のプロセス条件が異なるために金属が異なる粒径分布を有する場合に異なり得る。別の例として、組成及び結晶形態は、導電性シード層４３０が、第１の結晶構造（例えば、面心立方（ｆｃｃ）、体心立方（ｂｃｃ）、又は六方最密充填（ｈｃｐ）のうちの１つ）を有する第１の金属から形成され、単一導電体４４０が、異なる第２の結晶構造（例えば、ｆｃｃ、ｂｃｃ、又はｈｃｐのうちの異なる１つ）を有する異なる第２の金属から形成される場合に異なり得る。更に別の例として、単一導電体４４０及び導電性シード層４３０のうちの１つが非晶質又は実質的に非晶質であり、単一導電体４４０及び導電性シード層４３０のうちの他方が実質的に結晶性を有する場合に、結晶形態は異なり得る。いくつかの実施形態では、単一導電体４４０及び導電性シード層４３０は、異なる平均粒径に関して特徴付けられ得る異なる結晶形態を有する。平均粒径は、例えば、ＡＳＴＭ規格Ｅ１１２－１３「平均粒径を決定するための標準試験方法」に記載されているように決定され得る。
単一導電体４４０と導電性シード層４３０とは、単一導電体４４０と導電性シード層４３０との間に境界面部４３５を画定する。境界面部４３５は、シャープである場合（例えば、単一導電体４４０と導電性シード層４３０とが異なる組成を有し、２つの層の間に拡散がほとんどない場合）もあれば、広がっている場合（例えば、単一導電体４４０と導電性シード層４３０とが同じ組成を有するが異なる結晶形態を有し、異なる結晶形態間に遷移領域が存在する場合、又は２つの層の間に境界面部４３５を広げるかなりの拡散が存在する場合）もある。境界面部４３５は、概ね、単一導電体４４０の厚さよりも実質的に薄い厚さを有する。いくつかの実施形態では、境界面部４３５は、単一導電体４４０の厚さの５パーセント未満、又は２パーセント未満、又は１パーセント未満、又は０．５パーセント未満の厚さを有する。いくつかの実施形態では、境界面部４３５は、１マイクロメートル未満、又は５００ｎｍ未満、又は３００ｎｍ未満、又は１００ｎｍ未満、又は５０ｎｍ未満の厚さを有する導体－導体境界面部である。
いくつかの実施形態では、微細パターンにおける導電トレースの少なくとも過半の各導電トレースは、長手方向（ｙ方向）及び基材の厚さ方向（ｚ方向）に直交する幅方向（ｘ方向）に沿った幅Ｗを有し、厚さ方向に沿った厚さＴを有する。トレースがテーパ状になる場合、幅Ｗは、トレースが最も幅広である（例えば、トレースの上部に近接する）垂直位置におけるトレースの幅であると理解することができる。いくつかの実施形態では、Ｔ／Ｗは、少なくとも０．８、１、１．２、１．５、２、５、又は７である。いくつかのそのような実施形態では、パターン化された導電性物品は、本明細書の他の箇所に記載される範囲のいずれかにおける光透過率及び／又は開放面積率を有する。
図５Ａ～図５Ｈは、パターン化された導電性物品の製造方法における様々な工程を概略的に示している。いくつかの実施形態では、本製造方法は、ツール５５０の概略断面図である図５Ａに概略的に例示されるように、少なくとも１つの嶺５５５を有するツール５５０を準備することを含む。ツール５５０は、図示の実施形態において、実質的に平面の底面を有するものとして概略的に示されている。他の実施形態では、ツール５５０は、例えば、概ね円筒形の形状を有する。ツールは、例えば、金属ツール（例えば、当該技術分野において既知のダイヤモンド旋削によって作製されるもの）であってもよいし、金属ツールから形成されたポリマーツールであってもよい（例えば、金属ツールに対してポリマーを圧縮成形することによる）。本製造方法は、図５Ｂに概略的に示すように、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７の側面５６０の総面積の少なくとも過半が導電層５３０を含まないように、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７の上面５５６上に導電層５３０を配置することを含む。導電層５３０は、ツール５５０と接触している主表面５３４と、反対側の主表面５３２とを有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の側面の総面積の少なくとも過半が導電層５３０を含まない。導電層５３０が上面５５６上に配置された後、導電層５３０の導電材料が、側面５６０の総面積の半分未満、好ましくは２５％未満、又は１０％未満を覆う。いくつかの実施形態では、第１の部分５５７は、少なくとも１つの嶺５５５のすべてを含んでもよく、上面５５６は、少なくとも１つの嶺５５５のうちの嶺（複数可）のすべての上面（複数可）であってもよい。他の実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の導電層を受ける部分（例えば、図５Ｃに示す第１の部分５５７ｂ）が含み得るのは、少なくとも１つの嶺５５５のすべてよりも小さい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７ｂ（図５Ｃを参照）の上面５５６ｂ上に導電層５３０を配置した後、少なくとも１つの嶺５５５の第２の部分５５９の上面５５８は導電層５３０を含まない。このことが図５Ｃに概略的に示されており、図５Ｃは、図示の４つの嶺のうちの２つの嶺のみの上面上に配置された導電層５３０ｂを概略的に示している。嶺の上面の一部分のみの上に導電層を設けることにより、均一なパターン（例えば、均一な六角形パターン）を有するツールは、非均一なパターンを有する導体の微細パターンを生成することができる（例えば、導体は、一部の領域では六角形パターンであってよく、かつ他の領域には存在しなくてもよい）。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７ｂは、複数の第１の嶺を含み、少なくとも１つの嶺５５５の第２の部分５５９は、複数の第２の嶺を含む。
いくつかの実施形態では、導電層５３０又は５３０ｂは転写層として設けられる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７（又は５５７ｂ）の上面５５６（又は５５６ｂ）上に導電層５３０（又は５３０ｂ）を配置することは、導電層を転写フィルムから上面に転写することを含む。このことが図５Ｄ～図５Ｅに概略的に示されており、図５Ｄ～図５Ｅは、導電層５３０が上面５５６に転写される前及び転写された後の概略断面図である。転写フィルム５９０は、基材５９４上に配置された転写層５９２を含む。転写フィルム５９０がツール５５０と接触すると、転写層５９２の部分が基材５９４から上面５５６に転写されて導電層５３０を形成する。転写層５９２は、副層を含み得る。例えば、転写層５９２は、金属層（又は他の導電層）と、金属層を上面５５６に剥離可能に取り付けるための接着剤層とを含み得る。金属層（又は他の導電層）は、単一導電層であり得る。転写層５９２は、架橋ポリマー層（例えば、アクリル）を更に含んでもよく、この場合、金属層又は他の導電層は、架橋ポリマー層のいずれかの側に配置される。転写層５９２は、金属層又は他の導電層と架橋ポリマー層との間に配置され得る誘電体層を更に含んでもよい。いくつかの実施形態では、転写層５９２は、ツール５５０に転写された後に、転写された導電層と上面５５６との間にある誘電体層を含む。このような実施形態では、転写された導電層を有するツールを使用して形成されたポリマー層５１０（図５Ｇを参照）は、ポリマー層５１０の溝５１２の底部に誘電体層を含むことができ、本製造方法は、この誘電体層を（例えば、反応性イオンエッチングを介して）除去することを含み得る。転写層は、例えば、米国特許第８，６５８，２４８号（Ａｎｄｅｒｓｏｎら）又は同第７，０１８，７１３号（Ｐａｄｉｙａｔｈら）に記載されているように調製することができる。基材５９４は、ポリマー基材層上に配置された剥離層を含んでもよい。転写フィルムは、例えば、国際公開第２０１８／１７８８０２号（Ｇｏｔｒｉｋら）又は同第２０１８／１７８８０３号（Ｇｏｔｒｉｋら）に記載されているとおりであってもよい。
いくつかの実施形態では、導電層５３０又は５３０ｂは、導電性インクとして、又は導電性コーティングとして適用される。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの嶺５５５の第１の部分５５７ｂ（又は５５７）の上面５５６ｂ（又は５５６）上に導電層５３０ｂ（又は５３０）を配置することは、導電性インク若しくはコーティングが上面上に配置されるように、ツール５５０に導電性インクを付けること、又は導電性コーティングでツールをコーティングすることを含む。いくつかのこのような実施形態では、導電性インク又はコーティングは、（例えば、乾燥及び焼結によって、又は本明細書の他の箇所に記載される樹脂層を硬化させるためのものなどの他の硬化手段によって）硬化され、硬化された導電性インク又はコーティングが導電層５３０ｂ（又は５３０）である。導電性インク又はコーティングを硬化させる工程は、樹脂を固化する工程の前、樹脂を固化する工程の後、又は樹脂を固化する工程と同時に実行され得る。導電層を導電性インク又はコーティングとして適用することにより、図５Ｃに概略的に示すように、側面５６０のいくらかのぬれをもたらし得る。
本製造方法は、導電層を配置する工程の後に、ツール５５０上に樹脂５６２を配置する（例えば、キャスティングする）ことと、樹脂を固化させて、少なくとも１つの嶺５５５に対応する少なくとも１つの溝５１２を含むポリマー層５１０を形成することと、導電層５３０が少なくとも１つの溝５１２の底面５１８に配置されるように、ツール５５０からポリマー層５１０及び導電層５３０を取り外すことと、を含む。図５Ｆは、ツール５５０上に配置された樹脂５６２を含むツール５５０の概略断面図である。図５Ｇは、導電層５３０が少なくとも１つの溝５１２の底面５１８に配置されている状態における、ポリマー層５１０の概略断面図である。導電層５３０の主表面５３２は、少なくとも１つの溝５１８の底面５１８に接触する。導電層５３０は、少なくとも１つの溝５１２の底面５１８の総面積のすべて若しくは実質的にすべてを覆ってもよいし、底面５１８の第１の部分５１９（例えば、第１の部分５５７ｂに対応する）を覆い、底面５１８の第２の部分５１５が図５Ｈに概略的に示すように導電層５３０を含まなくてもよい。
「底部」、「下部」、「上部」、「下方」、「下」、「上方」、「上」、及び「頂部上」を含むがこれらに限定されない、空間に関する用語は、本明細書で使用される場合、空間的な関係を説明するための説明をしやすくするために利用される。そのような空間に関する用語は、図に描かれ、本明細書に記述された特定の向きに加えて、使用中又は動作中の物品の異なる向きを包含する。例えば、溝の底面は、溝を含む基材が裏返されたりひっくり返されたりしているか否かにかかわらず、開いた溝の頂部とは反対側にある。
少なくとも１つの溝５１２は、少なくとも１つの溝のうちの各溝が少なくとも１つの嶺５５５のうちのある嶺から形成されるとき、少なくとも１つの嶺５５５に対応するものとして説明され得る。この対応関係は、１対１であっても、そうでなくてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、ツールは、概ね円筒形であり、連続的なロールツーロールプロセスにおいて使用され、同じ嶺が、少なくとも１つの溝５１２のうちの複数の溝を形成するのであってもよい（例えば、ツールが２０ｃｍの円周を有する場合、ツールにおける同じ嶺を使用して、ポリマー層において互いに２０ｃｍ間隔があいている複数の溝を形成することができる）。いくつかの場合では、ツールは、樹脂でコーティングされていない追加の嶺を含むことができ、かつコーティングされていない嶺に対応する溝が存在しない場合がある（例えば、樹脂がツールの端部にキャスティングされていない場合、端部に存在し得るいかなる嶺も、結果として得られるポリマー層に溝を生成しない）。
いくつかの実施形態では、樹脂を固化することは、樹脂を硬化させることを含む。例えば、樹脂は、放射線（例えば、紫外線（ＵＶ）、若しくは電子ビーム線、若しくは他の化学線）を適用することによって、又は熱を加えることによって、又は当該技術分野において既知の他の架橋メカニズムを用いることによって硬化され得る。樹脂は、例えば、アクリレート若しくはエポキシであってもよく、又は他の樹脂化学物質が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、樹脂を固化することは、樹脂を冷却することを含む。例えば、樹脂は、冷却されて熱可塑性ポリマー層を形成する溶融物として適用される熱可塑性樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリカーボネート、又は当該技術分野において既知の他の熱可塑性樹脂）であってもよい。
いくつかの実施形態では、本製造方法は、導電材料が導電層５３０を覆うように、導電材料を少なくとも１つの溝５１２内に（例えば、電気めっきを介して）堆積させることを更に含む。このことは、図５Ｇ～図５Ｈに示すように、ツール５５０からポリマー層５１０及び導電層５３０を取り外すことの後に行われ得る。導電材料は、本明細書の他の箇所に記載されるように、単一導電体を形成することができる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの溝５１２内に導電材料を堆積させることは、少なくとも１つの嶺の第１の部分に対応する少なくとも１つの溝の第１の部分５１２ａ（例えば、少なくとも１つの溝５１２の導電層５３０を含む部分）内に導電材料を堆積させ、少なくとも１つの嶺の第２の部分に対応する少なくとも１つの溝の第２の部分５１２ｂ（例えば、少なくとも１つの溝５１２の導電層５３０を含まない部分）内には堆積させないことを含む。
いくつかの実施形態では、図５Ｇ～図５Ｈに概略的に示されている物品は、第１の溝（例えば、図５Ｇに示す溝５１２のいずれか、又は図５Ｈに示す第１の部分５１２ａにおける溝のいずれか）をその中に含む基材（例えば、ポリマー層５１０、又はポリマー層５１０にポリマー層５１０が形成され得る基材層を加えたもの）であって、第１の溝が、長手方向（ｙ方向）に沿って延び、底面５１８と側面５１４及び５１６とを有する、基材と、第１の溝内に配置された単一導電層（例えば、導電層５３０又は導電層５３０の単一副層（例えば、転写された金属層））と、を含むものとして説明することができる。第１の溝の長手方向に垂直な少なくとも１つの断面において、導電層は第１の溝の底面の少なくとも過半を覆い、第１の溝の側面の少なくとも過半は、単一導電層の組成と同じ組成を有する材料に接触しない。例えば、いくつかの実施形態では、側面５１４及び５１６は空気に接触してもよい。いくつかの実施形態では、誘電材料、又は単一導電層の組成とは異なる組成を有する導電材料、又は非金属材料が、第１の溝に少なくとも部分的に配置され、第１の溝の少なくとも１つの断面において、この材料が第１の溝の側面の少なくとも過半を覆う（例えば、図１４を参照）。
図６は、導電性シード層６３０が溝６１２の底面上に配置されている状態における、溝６１２を含む層６１０（例えば、多層基材の単一層であり得る、及び／又はポリマー層であり得る）の概略断面図である。導電性シード層６３０の底部主表面は、層６１０と直接接触し得る。導電性シード層６３０上に（例えば、めっきによって）単一導電体が形成されて、トレースの長さ（ｙ方向）に沿って延びるトレースを形成することができる。いくつかの実施形態では、導電性シード層６３０は中央領域６３８を有し、中央領域６３８は、導電トレースの長さに沿って延び、かつ中央領域６３８の長さに沿って延びる第１の縁部領域６３７と第２の縁部領域６３９との間に配置される。いくつかの実施形態では、中央領域６３８は、第１の縁部領域６３７及び第２の縁部領域６３９のそれぞれの平均厚さ（厚さの非加重平均）よりも大きい平均厚さを有する。
図７は、導電性シード層７３０が溝７１２の底面上に配置されている状態における、溝７１２を含む層７１０（例えば、基材の単一層）の概略断面図である。層７１０は層６１０に対応し得、導電性シード層７３０は、中央領域７３８並びに縁部領域７３７及び７３９の厚さを除いて、導電シード層６３０に対応し得る。導電性シード層７３０上に（例えば、めっきによって）単一導電体が形成されて、トレースの長さ（ｙ方向）に沿って延びるトレースを形成することができる。いくつかの実施形態では、導電性シード層７３０は中央領域７３８を有し、中央領域７３８は、導電トレースの長さに沿って延び、かつ中央領域６３８の長さに沿って延びる第１の縁部領域７３７と第２の縁部領域７３９との間に配置される。いくつかの実施形態では、中央領域７３８は、第１の縁部領域７３７及び第２の縁部領域７３９のそれぞれの平均厚さよりも小さい平均厚さを有する。
いくつかの実施形態では、導電性シード層を形成する際に使用されるツールの嶺の上面は実質的に平坦であり、中央領域及び縁部領域の相対的な厚さは、導電性シード層を形成するように堆積された材料の表面エネルギー、ツールの材料の表面エネルギー、及び基材の材料の表面エネルギーのうちの１つ以上に依存する。他の実施形態では、嶺の上面は、中央領域及び縁部領域の相対的厚さを決定するような形状されてもよい。いくつかの実施形態では、中央領域及び縁部領域の厚さは、ほぼ同じである（例えば、１０％未満又は５％未満だけ異なる）。
いくつかの実施形態では、導電性シード層は、不規則な縁部又は破壊された縁部を含む。いくつかの実施形態では、導電性シード層は複数の破壊部分を含む。例えば、いくつかの実施形態では、導電性シード層は転写された層であり、転写プロセスにより破壊部分が生じる。破壊部分は、例えば、導電性シード層の縁部から内部領域まで延び得る。図８は、側縁部８４３及び８４６を含む導電性シード層８３０の概略上面図である。いくつかの実施形態では、縁部８４３及び８４６の粗さは、ラインエッジラフネスに関して特徴付けられ得る。粗さパラメータＲａは、ラインエッジラフネスに使用され得る。例えば、縁部８４６は、縁部の平均位置８４９からの縁部８４６の変位の絶対値の平均として説明され得るラインエッジラフネスＲａを有する。ラインエッジラフネスＲａは、本明細書の他の箇所に記載される範囲のいずれかであってもよい。図示の実施形態では、導電性シード層８３０は複数の破壊部分８４８を含み、縁部８４３及び８４６は破壊された縁部である。
導電性シード層は、単一の単一層であってもよいし、複数の副層を含んでもよい。例えば、導電性シード層は、タイ層又は架橋ポリマー層のうちの少なくとも１つであり得る非導電性副層上に配置された導電性副層を含み得る。図９は、架橋ポリマー層９５３上に配置された導電層９５１を含む導電性シード層９３０の概略断面図である。導電層９５１は、例えば、スパッタリング又は蒸着された金属層であってもよい。架橋ポリマー層９５３は、例えば、架橋アクリル層であってもよい。いくつかの実施形態では、導電性シード層９３０は、導電層９５１と架橋ポリマー層９５３との間に配置された誘電体層（例えば、酸化物層）を更に含む。図１０は、誘電体層１０５２が導電層１０５１と架橋ポリマー層１０５３との間に配置されている状態で架橋ポリマー層１０５３上に（間接的に）配置された導電層１０５１を含む導電性シード層１０３０の概略断面図である。いくつかの実施形態では、誘電体層１０５２は、酸化物層（例えば、酸化ケイ素アルミニウム層）である、又は酸化物層（例えば、酸化ケイ素アルミニウム層）を含む。いくつかの実施形態では、架橋ポリマー層９５３又は１０５３の厚さは、５００ｎｍ未満、又は３００ｎｍ未満、又は１００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、導電性シード層９５１又は１０５１は、５００ｎｍ未満、又は３００ｎｍ未満、又は１００ｎｍ未満の厚さを有する金属層である、又は金属層を含む。導電層９５１及び／又は導電層１０５１は、単一導電層であり得る。
図１１Ａは、単一導電体１１４０の概略断面図である。単一導電体１１４０は、基材（図１１Ａには示さず）にある溝内に少なくとも部分的に配置されてもよく、溝は底面と側面とを有する。単一導電体１１４０は、側面との境界面１１４５と、側面との境界面１１４７と、溝の底面上に配置された導電性シード層との境界面１１３５とを有する。いくつかの実施形態では、単一導電体１１４０は、側面との第１の境界面（１１４５及び／又は１１４７）において、より小さい第１の表面粗さを有することができ、導電性シード層との第２の境界面（１１３５）において、より大きい第２の表面粗さを有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、基材は単一ポリマー層を含み、単一導電体１１４０は単一ポリマー層と比較的滑らかな境界面を形成し、一方、シード層は、単一導電体１１４０との比較的粗い境界面をもたらす破壊された層を含み得る。第１の表面粗さ及び第２の表面粗さは、対応する第１の境界面及び第２の境界面の算術平均粗さＲａ（平均表面高さからの表面の変位の絶対値の平均）であってもよい。いくつかの実施形態では、第１の表面粗さは、１マイクロメートル未満、又は５００ｎｍ未満、又は２００ｎｍ未満、又は１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、又は３０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、第２の表面粗さは、０．４マイクロメートル超、又は５００ｎｍ超、又は１マイクロメートル超、又は２マイクロメートル超、又は５マイクロメートル超である。いくつかの実施形態では、第２の表面粗さは、第１の表面粗さよりも少なくとも０．５マイクロメートル、又は少なくとも１マイクロメートル、又は少なくとも２マイクロメートル大きい。
図１１Ｂは、単一導電体１１４０の平面Ｐ１の断面における概略図である。いくつかの実施形態では、（境界面１１３５に配置された）シード層（図１１Ａ～図１１Ｂに示さず）に平行であり、シード層から間隔があいている、単一導電体１１４０を通る平面Ｐ１において、単一導電体１１４０は、側面との第１の境界面１１４５又は１１４７において、より小さい第１のラインエッジラフネスを有することができ、シード層は、導電性シード層の縁部（例えば、図８に示す縁部８４６）において、より大きい第２のラインエッジラフネスを有することができる。平面Ｐ１は、例えば、導電体１１４０の頂部と底部との間のほぼ中間になるように取られてもよい。第１のラインエッジラフネス及び第２のラインエッジラフネスはそれぞれ、Ｒａ粗さ（縁部の平均線からの縁部の変位の絶対値の平均）であってもよい。いくつかの実施形態では、第１のラインエッジラフネスは、１マイクロメートル未満、又は５００ｎｍ未満、又は２００ｎｍ未満、又は１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、又は３０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、第２のラインエッジラフネスは、０．４マイクロメートル超、又は５００ｎｍ超、又は１マイクロメートル超、又は２マイクロメートル超、又は５マイクロメートル超である。いくつかの実施形態では、第２のラインエッジラフネスは、第１のラインエッジラフネスよりも少なくとも０．５マイクロメートル、又は少なくとも１マイクロメートル、又は少なくとも２マイクロメートル大きい。
いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品は、溝の微細パターン内に少なくとも部分的に配置された導電トレースの微細パターンを含み、溝の微細パターンは、非導電材料で充填された又は実質的に充填された（例えば、少なくとも６０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％充填された、又は１００％充填された、又は過充填された）少なくとも１つの溝を含む。例えば、非導電材料は、空気又は誘電材料であってもよく、誘電材料は、空気の誘電率よりも大きい誘電率を有する非導電材料であることが理解され得る。図１２Ａは、溝の微細パターン内に少なくとも部分的に配置された導電トレース１２２０ａの微細パターンを含むパターン化された導電性物品１２００ａの概略平面図であり、溝の微細パターンは、非導電材料で充填された又は実質的に充填された少なくとも１つの溝１２７５ａ（図示の実施形態における複数の溝）を含む。同様に、図１２Ｂは、溝の微細パターン内に少なくとも部分的に配置された導電トレース１２２０ｂの微細パターンを含むパターン化された導電性物品１２００ｂの概略平面図であり、溝の微細パターンは、非導電材料で充填された又は実質的に充填された少なくとも１つの溝１２７５ｂ（図示の実施形態における複数の溝）を含む。
いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品１２００ａ又は１２００ｂはアンテナである。いくつかの実施形態では、導電トレース１２２０ａ又は１２２０ｂの微細パターンは、所定のスペクトル応答をもたらすように構成される。例えば、微細パターンは、所定の波長又は周波数範囲で効率的に送信及び受信することができるように、全体的なサイズ及び形状を有し得る。いくつかのこのような実施形態では、導電トレース１２２０ａ又は１２２０ｂの微細パターンは、所定の指向性をもたらすように構成される。例えば、微細パターンは、所定の指向性（例えば、別の方向よりも指定された方向に沿ってより強く送信する）と共に所定の波長範囲で効率的に送信及び受信することができるように、全体的なサイズ及び形状（例えば、図１２Ａに概略的に示すようなボウタイアンテナ、又は図１２Ｂに概略的に示すようなボウタイスロットアンテナ）を有し得る。パターン化された導電性物品１２００ａ又は１２００ｂは、例えば５Ｇのアンテナであってもよい、及び／又は例えば３０～３００ＧＨｚの周波数帯域で送信及び受信するように構成されてもよい。有用なアンテナ形状は、例えば、米国特許出願公開第２００９／００５１６２０号（Ｉｓｈｉｂａｓｈｉら）、同第２００９／０３０３１２５号（Ｃａｉｌｌｅら）、及び同第２０１３／０２６４３９０号（Ｆｒｅｙら）に記載されている。いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品１２００ａ又は１２００ｂは、実質的に透明なアンテナである。例えば、いくつかの実施形態では、パターン化された導電性物品１２００ａ又は１２００ｂは、窓上に配置されるように適合され、窓上においてアンテナとして物品を使用し、かつアンテナを透かして見通すことができることが望まれる。
図１３は、例えば、パターン化された導電性物品１２００ａ若しくは１２００ｂに対応し得るパターン化された導電性物品１３００又は物品１３００の一部の概略断面図である。パターン化された導電性物品１３００は、第１の溝１３１２と第２の溝１３７２とを含む溝の微細パターンを含む層１３１０（例えば、基材の単一最上層）を含む。第１の溝１３１２は、導電性シード層１３３０上に配置された単一導電体１３４０を含むトレース１３２０を含む。第２の溝１３７２は、実質的に透明及び／又は非導電性であり得る材料１３７５で実質的に充填され得る。例えば、溝の微細パターンは、本明細書の他の箇所で更に説明されるように、溝のいくつかに導電性トレースを設けることができ、ついで、コーティング１３７０の材料１３７５がトレースを含まない溝を充填又は実質的に充填するように、コーティング１３７０を溝の上に適用することができる。いくつかの実施形態では、第２の溝１３７２の長さに直交する少なくとも１つの断面において、第２の溝１３７２は実質的に透明な材料で実質的に充填される。
材料１３７５は、非導電材料及び／又は実質的に透明な材料であってもよく、接着剤、ポリマー、又は誘電材料（例えば、光学的に透明なポリマー接着剤）のうちの１つ以上であってもよい。いくつかの実施形態では、材料１３７５は、層１３１０の屈折率から０．０２以内の屈折率を有する。屈折率は、異なる指定のない限り、波長５３２ｎｍで決定される。
図１４は、パターン化された導電性物品１４００又は物品１４００の一部の概略断面図である。パターン化された導電性物品１４００は、長手方向（ｙ方向）に沿って延び、底面と側面とを有する第１の溝１４１２（例えば、溝の微細パターンにおける溝）を含む層１４１０（例えば、基材の単一層）を含む。第１の溝１４１２は、第１の溝内に配置された単一導電層１４３０を含む。第１の溝の長手方向に垂直な少なくとも１つの断面において、導電層は、第１の溝の底面の少なくとも過半を覆っており、第１の溝の側面の少なくとも過半は、導電層の組成と同じ組成を有する材料と接触していない。いくつかの実施形態では、単一導電層１４３０は、（例えば、導電層１４３０上に単一導電体をめっきすることなく）トレースとして使用され得る。このことは、導電層１４３０が十分な導電性をもたらし、かつ導電層１４３０の耐久性が、溝の底面に層を配置することによって向上する用途において望ましい場合がある。
いくつかの実施形態では、非金属材料１４７０が第１の溝１４１２に少なくとも部分的に配置される。いくつかの実施形態では、第１の溝の少なくとも１つの断面において、非金属材料１４７０は、第１の溝１４１２の側面の少なくとも過半を覆う。図示の実施形態では、非金属材料１４７０は、第１の溝１４１２を充填する（かつ他の溝を充填する）連続層を形成する。例えば、非金属材料１４７０は、各溝を充填する連続層を形成する接着剤、ポリマー、又は誘電材料（例えば、光学的に透明なポリマー接着剤）のうちの１つ以上であってもよい。いくつかの実施形態では、材料１４７０は、層１４１０の屈折率から０．０２以内の屈折率を有する。いくつかの実施形態では、材料１４７０は実質的に透明である。いくつかの実施形態では、材料１４７０は、層１４１０における溝にのみ実質的に配置される（例えば、溝の上方にあるコーティングされた材料の一部分は、拭き取られ得る）。いくつかの実施形態では、材料１４７０は導電性材料（例えば、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ＰＥＤＯＴポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、又はポリ（４，４－ジオクチルシクロペンタジチオフェン）などの透明導電性ポリマー）である。
ＵＶ硬化性樹脂の調製
７５部のＰＨＯＴＯＭＥＲ６２１０（Ｃｏｇｎｉｓ（Ｍｏｎｈｅｉｍ ａｍ Ｒｈｅｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能）、２５部のヘキサンジオールジアクリレートであるＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ２３８（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）から入手可能）、及び０．５％のＬＵＣＩＲＩＮ ＴＰＯ（ＢＡＳＦ（Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能）を高速ミキサでブレンドし、ついで１６０°Ｆ（７１℃）のオーブン内で２４時間加熱した。その後、配合した樹脂を室温まで冷却した。
実施例１
線状チャネル配列を含むＶＩＳＴＡＭＡＸＸツールの成形
０．４７ｍｍ厚のシートである、１層のＶＩＳＴＡＭＡＸＸ３５８８（ＥｘｘｏｎＭｏｂｉｌｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ（Ｈｏｕｓｔｏｎ ＴＸ）から入手可能）を、１２５μｍピッチで、幅４０μｍでありかつ高さ８１μｍである線状リブを備える金属ツール上に配置した。フィルムのサイズは、２５０ｍｍ×２８０ｍｍであった。試料を圧縮成形機Ｒｕｃｋｅｒ ＰＨＩ ４００トン（Ｃｉｔｙ ｏｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ，ＣＡ）でプレスして成形ツールを形成した。使用した成形条件は以下のとおりであった。
温度：２２５°Ｆ
低圧：６，０００ｌｂｓ、時間：１分
上昇低圧：８０，０００ｌｂｓ、時間：２０分
名目上１００°Ｆまで冷却
銀転写層の調製
転写可能なシード層薄膜を、米国特許第８，６５８，２４８号（Ａｎｄｅｒｓｏｎら）及び同第７，０１８，７１３号（Ｐａｄｉｙａｔｈら）に記載されているコータと同様の真空コータ上で作製した。このコータに通した基材の形態は、Ｔｏｒａｙ Ｐｌａｓｔｉｃｓ（Ａｍｅｒｉｃａ），Ｉｎｃ．（Ｎｏｒｔｈ Ｋｉｎｇｓｔｏｗｎ，ＲＩ）から商品名ＴｏｒａｙＦＡＮ ＰＭＸ２として市販されている、９８０マイクロインチ（０．０２５０ｍｍ）厚、１４インチ（３５．６ｃｍ）幅のアルミニウム蒸着２軸配向ポリプロピレンフィルムの不定長ロールの形態であった。ついで、この基材を、３２ｆｐｍ（９．８ｍ／分）の一定のライン速度で前進させた。
Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）からＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓという商品名のトリシクロデカンジメタノールジアクリレートベースのアクリレート液を、超音波噴霧及びフラッシュ蒸着により適用して、幅１２．５インチ（３１．８ｃｍ）のコーティングを製造することによって、基材上に第１の有機層を形成した。その後、このモノマーコーティングを、７．０ｋＶ及び１０．０ｍＡで作動する電子ビーム硬化銃により直下流で硬化させた。蒸発器への液体モノマーの流れを０．６７ｍＬ／分とし、窒素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、蒸発器の温度を５００°Ｆ（２６０℃）と設定した。処理用ドラムの温度は、１４°Ｆ（－１０℃）であった。
この第１の有機層の上に、銀反射体層を、銀９９％超のカソードターゲットのＤＣスパッタリングによって堆積させた。システムは、３０ｆｐｍ（毎分９．１メートル）のライン速度で３ｋＷで動作させた。同じ電力及びライン速度で２回の後続の堆積を行い、９０ｎｍの銀層を作製した。
この銀層の上に、酸化ケイ素アルミニウムの酸化物層をＡＣ反応性スパッタリングによって堆積させた。カソードは、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳ（Ｂｉｄｄｅｆｏｒｄ，（ＭＥ））から得られるＳｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）のターゲットを有した。スパッタリング中のカソードに対する電圧を、フィードバック制御ループにより制御し、制御ループは、電圧が高く維持され、ターゲットの電圧をクラッシュさせないように、電圧をモニターし、酸素流量を制御した。出力１６ｋＷでシステムを動作させて、銀反射体上に１２ｎｍ厚の酸化ケイ素アルミニウムの層を堆積させた。
国際公開第２０１８／１７８８０２号（Ｇｏｔｒｉｋら）又は同第２０１８／１７８８０３号（Ｇｏｔｒｉｋら）に記載されているものと同様に、ＴｏｒａｙＦＡＮ ＰＭＸ２フィルムのアルミニウム表面と第１の有機層とは、約７．２ｇ／インチ（０．２８ｇ／ｍｍ）の１８０剥離力で分離することが期待されている。
二重層転写の手順
このプロセスで使用した器具及び材料は、圧縮成形されたＶＩＳＴＡＭＡＸＸツール試料、上記の銀転写フィルムのロール、片面が下塗りされている２ｍｉｌのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの１つのロール、ＵＶ硬化性樹脂、０．６インチ（１．５２ｃｍ）の直径及び９インチ（２２．９ｃｍ）の長さを有する１つのゴムハンドローラ、ＭＡＳＴＥＲ ＨＥＡＴ ＧＵＮ ｍｏｄｅｌ ＨＧ－５０１Ａ、ＯＭＥＧＡ社製Ｔｙｐｅ Ｊ熱電対、ＲＰＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｈａｍｐｔｏｎ，ＶＡ）ＵＶ処理装置（Ｍｏｄｅｌ ＱＣ１２０２３３ＡＮ）、プラスチック製トランスファーピペット、及び１１インチ×１５インチ（２７．９ｃｍ×３８．１ｃｍ）の金属プレートを含んでいた。
ＶＩＳＴＡＭＡＸＸツールを８．５インチ×９．５インチ（２１．５ｃｍ×２４．１ｃｍ）のシートで供給し、微細構造を上向きにして平らな表面上に置いた。銀転写層フィルムを、１０インチ×１１インチ（２５．４ｃｍ×２７．９ｃｍ）片に切断した。ヒートガンからの熱風を試料の表面に均一に行き渡らせて、１５０℃まで加熱した。試料は高温下で変形するため、熱電対を使用して表面温度を監視した。所望の温度に達したとき、熱風を断ち、銀転写層フィルムを下向きにして加熱したＶＩＳＴＡＭＡＸＸフィルム上に置いた。ゴムハンドローラを使用して穏やかな力を加えることによって、試料を１回手でラミネートした。銀転写層を直ちにＶＩＳＴＡＭＡＸＸ試料から引き離した。すると、銀転写層は、リブの頂部に軽く付着しているが、リブ間の開いているチャネルが位置決めされたところには付着していないことが分かった。銀転写層の転写の品質を光学顕微鏡下で評価し、電気的に導通していることが分かった。
銀転写層は、ＶＩＳＴＡＭＡＸＸツールに転写させた後、以下のように樹脂層に転写させた。ランプを通常の設定とし、コンベアベルト速度を５０ＲＰＭとして、取扱説明書に従ってＵＶ処理装置をオンにした。銀転写層を有するＶＩＳＴＡＭＡＸＸ試料を、金属プレート上にテープで貼り付けた。転写ピペットで、ＵＶ硬化性樹脂のラインを試料の片側に分注した。下塗りされた２ｍｉｌのＰＥＴフィルムを１０インチ×１１インチ（２５．４ｃｍ×２７．９ｃｍ）片に切断し、下塗りされた側を下向きにしてＶＩＳＴＡＭＡＸＸ試料の上に積み重ねた。試料をゴムハンドローラでゆっくりとラミネートして、ＶＩＳＴＡＭＡＸＸフィルムとＰＥＴフィルムとの間の閉じ込められた気泡を除去した。その後、試料を不活性ガス下で２回ＵＶ処理装置に通して、硬化プロセスを完了させた。ＰＥＴフィルムをＶＩＳＴＡＭＡＸＸツールからゆっくりと取り外した。ポリマーフィルムへの銀転写層の転写の品質を光学顕微鏡下で評価した。銀転写層は、ＵＶ硬化されたフィルムの底部に完全に転写していた。更なる分析の前に、試料を周囲条件で２４時間超保存した。
転写された層から誘電体層をＲＩＥ除去する手順
２６インチの低出力電極及び中央ガス排気を有する市販のバッチ式プラズマシステム（Ｐｌａｓｍａ－Ｔｈｅｒｍ（Ｐｅｔｅｒｓｂｕｒｇ，ＦＬ）Ｍｏｄｅｌ ３０３２）を用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により誘電体層（酸化ケイ素アルミニウム層）を除去した。チャンバを、ドライメカニカルポンプ（Ｅｄｗａｒｄｓ Ｍｏｄｅｌ ｉＱＤＰ８０）によってバッキングされたルーツブロア（Ｅｄｗａｒｄｓ（Ｂｕｒｇｅｓｓ Ｈｉｌｌ，ＵＫ）Ｍｏｄｅｌ ＥＨ１２００）によって排気した。ＲＦ電力は、５ｋＷの１３．５６ＭＨｚソリッドステート発電器（ＲＦ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｍｏｄｅｌ ＲＦ５０Ｓ０）によって、インピーダンス整合回路を介して送達した。このシステムは、５ｍＴｏｒｒの公称ベース圧力を有していた。ガスの流量は、ＭＫＳフローコントローラ（ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ（Ａｎｄｏｖｅｒ，ＭＡ）から入手可能）によって制御した。
基材の試料を、バッチプラズマ装置の給電された電極上に固定した。チャンバを＜１０ｍＴｏｒｒに排気した後、５００ＳＣＣＭの酸素をチャンバ内に供給することによって、プラズマエッチングを完了した。一旦流量が安定化したら、ｒｆ電力を電極に対して印加して、１０００Ｗでプラズマを発生させた。プラズマを１５秒間オンのままにした。
プラズマ処理が完了した後、チャンバを大気に通気し、基材をチャンバから取り出した。
溝内の銅めっき
ＲＩＥエッチングされた膜をＤＩ水ですすぎ、硫酸銅（２９オンス／ガロン）及び硫酸（８オンス／ガロン）で作った溶液に入れた。溶液流量は、１１ガロン／分であった。めっきは、ＤＹＮＡＴＲＯＮＩＸ（Ａｍｅｒｙ ＷＩ）、Ｍｏｄｅｌ ＤＰＲ２０－２５０－５００による電源を用いて、定電位モードで実施した。溶液温度は２１℃であった。めっきを１．６Ｖで２５分間制御した。めっき後、部品をすすぎ、乾燥させ、顕微鏡下で検査した。ＲＩＥエッチングによって誘電体層が除去された銀転写層上に銅がめっきされたことを確認した。
実施例２～３
ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ導電性インクを用いてツールにシーディングするための手順
導電性銀インクを、構造化ニッケルツール上のリブの上部に手で印刷することによって適用した。ニッケルツールは、六角形部分及び三角形部分（例えば、バスバー部分に対応）を有していた。六角形部分は、１ｍｍの対辺間の幅、２５マイクロメートルのリブ幅、及び２５マイクロメートルのリブ高さを有する六角形を含んでいた。三角形部分は、六角形部分と同じ形状を有する六角形を含み、かつこの六角形の各頂点から六角形の中心まで延びる追加のリブを含んでいた。導電性銀インクを以下のように適用した。
（１） ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ（Ｒｏｕｎｄ Ｒｏｃｋ，ＴＸ）ＤＳＰＩ－４２０ Ｓｉｌｖｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｎｇ Ｉｎｋの連続層を、番線５のバーコータ（Ｍａｙｅｒ Ｒｏｄ）でＰＥＴフィルム上にコーティングすることによってインク源として調製し、約１０μｍの湿潤フィルム厚さを得た。
（２） 平坦なフォトポリマーフレキソ印刷プレートを、３Ｍ Ｅ１１２０ ＣＵＳＨＩＯＮ－ＭＯＵＮＴテープ（３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手可能）で直径約４インチのマンドレルに取り付け、（１）のコーティングの上に直ちに手で転がし、乾燥前に銀インクの一部分をフレキソ印刷プレートの表面に転写した。
（３） 次に、（２）のフレキソ印刷プレートをニッケルツールの表面上に直ちに手で転がし、銀インクが印刷プレート表面上で乾燥する前に、構造化ニッケルツールの上部レリーフ表面にのみ銀インクを転写させた。
ついで、Ｄｅｓｐａｔｃｈ（Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮ）溶媒対応（solvent-rated）オーブン（Ｍｏｄｅｌ ＬＦＣ１－３８－１）を使用して、銀インクを２４０°Ｆで少なくとも２分間乾燥及び焼結させた。
フィルム形成の手順
本プロセスで使用した器具及び材料は、約１０フィート／分で稼働し、ハロゲン球で硬化させるＦｕｓｉｏｎ ＵＶ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ、ＣｈｅｍＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ（Ｃｈｅｓｔｅｒ Ｔｏｗｎｓｈｉｐ，ＯＨ）ラミネータ（Ｍｏｄｅｌ：Ｈｏｔ Ｒｏｌｌ Ｌａｍｉｎａｔｏｒ）、及び両面が下塗りされた５ｍｉｌのＰＥＴフィルムを含んでいた。
プロセスを開始するために、ＰＥＴフィルムを約６．５インチ×７．５インチ（１６．５ｃｍ×１９．１ｃｍ）片に切断してツールの表面全体を覆った。ランプを通常の設定とし、コンベアベルト速度を５０ＲＰＭとして、取扱説明書に従ってＵＶ処理装置をオンにした。また、窒素ガスも、硬化プロセスを支援するためにＵＶ処理装置に供給した。
プラスチック製トランスファーピペットを使用して、ＵＶ硬化性樹脂をツールの縁部に分注した。ＰＥＴフィルムをツールの上部の上に置き、片端をツールにテープで貼り付けることによって所定の位置に保持した。樹脂をツール全体に均一に広げるラミネータを通して試料を処理した。
ついで、樹脂の硬化を確実に完了させるために、ＵＶ処理装置に試料を２回通した。試料を９０°の角度でそっと引っ張ることによって、試料をツールから取り外した。結果として得られたフィルムは、焼結された銀シード層が溝の底部にある、ツールからの反転像微細構造であった。
銅めっきの手順
上述の複製されたフィルムを、硫酸銅及び硫酸で作った酸性銅めっき溶液に入れた。溶液流量は８０リットル／分であった。めっきは、ＤＹＮＡＴＲＯＮＩＸ（Ａｍｅｒｙ ＷＩ）、Ｍｏｄｅｌ ＣＲＳ１２－２００による電源を用いて、定電位モードで実施した。溶液温度は２１℃であった。実施例２及び３に対して、それぞれ１．４Ｖで１２．５分間及び１０分間めっきを制御した。めっき後、部品をすすぎ、乾燥させ、顕微鏡下で検査した。銅が溝内のシード層上にめっきされて、導電トレースの微細パターンを形成したことが確認された。
実施例２では、六角形部分において、トレースは、ＵＶ硬化層の上面の上方に約１５～２２マイクロメートル延びていた。三角形部分では、トレースの頂部は、ＵＶ硬化層の上面とほぼ同じレベルであった。
実施例３では、六角形部分において、トレースの頂部は、約２０マイクロメートルだけＵＶ硬化層の上面とほぼ同じレベルであった。三角形部分では、トレースの頂部は、ＵＶ硬化層の上面から約１５～２１マイクロメートル凹んでいた。
上記において参照された参照文献、特許、又は特許出願のすべては、それらの全体が参照により本明細書に一貫して組み込まれている。組み込まれた参照文献の一部と本出願との間に不一致又は矛盾がある場合、前述の記載における情報が優先するものとする。
図中の要素の説明は、別段の指示がない限り、他の図中の対応する要素に等しく適用されるものと理解されたい。本明細書において特定の実施形態が例示され説明されているが、本開示の範囲を逸脱することなく、図示され説明されている特定の実施形態を様々な代替的実施態様及び／又は等価の実施態様によって置き換えることができる点が、当業者には理解されよう。本出願は、本明細書で論じられた特定の実施形態のあらゆる適応例又はバリエーションを包含することが意図されている。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ限定されるものとする。

Claims (15)

  1. 単一層を備える基材と、
    前記単一層に少なくとも部分的に埋め込まれた導電トレースの微細パターンであって、各導電トレースは、前記導電トレースの長手方向に沿って延び、
    上部主表面と、前記単一層と直接接触している反対側の底部主表面とを有する導電性シード層と、
    前記導電性シード層の前記上部主表面上に配置された単一導電体であって、前記単一導電体と前記導電性シード層とが組成又は結晶形態のうちの少なくとも１つにおいて異なっており、前記単一導電体は、横方向側壁を有し、前記横方向側壁の総面積の少なくとも過半が前記単一層と直接接触している、単一導電体と、
    を備える、導電トレースの微細パターンと、
    を備える、パターン化された導電性物品。
  2. 前記導電トレースの微細パターンが、８０％～９９．９５％の範囲の開放面積率を有する、請求項１に記載のパターン化された導電性物品。
  3. 前記微細パターンにおける前記導電トレースの少なくとも過半の各導電トレースが、前記長手方向及び前記単一層の厚さ方向に直交する幅方向に沿った幅Ｗを有し、前記厚さ方向に沿った厚さＴを有し、Ｔ／Ｗが少なくとも０．８である、請求項１又は２に記載のパターン化された導電性物品。
  4. 前記導電トレースの微細パターンが、溝の微細パターン内に少なくとも部分的に配置され、前記溝の微細パターンが、非導電材料で実質的に充填された少なくとも１つの溝を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載のパターン化された導電性物品。
  5. 前記導電性シード層が、硬化された導電性インク又は硬化された導電性コーティングを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載のパターン化された導電性物品。
  6. 前記導電性シード層が、架橋ポリマー層上に配置された導電層を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載のパターン化された導電性物品。
  7. パターン化された導電性物品であって、第１の溝をその中に備える基材であって、前記第１の溝は、長手方向に沿って延び、底面と側面とを有する、基材と、
    前記第１の溝内に配置された導電性シード層と、
    前記第１の溝内に少なくとも部分的に配置された単一導電体と、
    を備える、パターン化された導電性物品であって、
    前記第１の溝の前記長手方向に垂直な少なくとも１つの断面において、前記導電性シード層は、前記第１の溝の前記底面の少なくとも過半を覆っており、前記単一導電体が前記導電性シード層と前記第１の溝の前記側面の少なくとも過半とを覆っており、前記側面のそれぞれと前記単一導電体とが前記側面のそれぞれと前記単一導電体との間に導体－絶縁体境界面を画定し、前記単一導電体と前記導電性シード層とが前記単一導電体と前記導電性シード層との間に導体－導体境界面を画定する、パターン化された導電性物品。
  8. 前記基材が溝の微細パターンをその中に備え、前記溝の微細パターンが前記第１の溝を備える、請求項７に記載のパターン化された導電性物品。
  9. 前記溝の微細パターンが第２の溝を備え、前記第２の溝の長さに直交する少なくとも１つの断面において、前記第２の溝が実質的に透明な材料で実質的に充填されている、請求項８に記載のパターン化された導電性物品。
  10. 第１の溝をその中に備える基材であって、前記第１の溝は底面と側面とを有する、基材と、
    前記第１の溝内に配置された導電性シード層と、
    前記第１の溝内に少なくとも部分的に配置された単一導電体と、
    を備え、
    前記導電性シード層は、前記第１の溝の前記底面の少なくとも過半を覆っており、前記単一導電体は、前記導電性シード層と前記第１の溝の前記側面の少なくとも過半とを覆っており、前記導電性シード層に平行であり、前記導電性シード層から離れている、前記単一導電体を通る平面では、前記単一導電体は、前記側面との第１の境界面において、より小さい第１のラインエッジラフネスを有し、前記導電性シード層が、前記導電性シード層の縁部において、より大きい第２のラインエッジラフネスを有する、パターン化された導電性物品。
  11. 第１の溝をその中に備える基材であって、前記第１の溝は、長手方向に沿って延び、底面と側面とを有する、基材と、
    前記第１の溝内に配置された単一導電層と、
    を備え、
    前記第１の溝の前記長手方向に垂直な少なくとも１つの断面において、前記導電層は、前記第１の溝の前記底面の少なくとも過半を覆っており、前記第１の溝の前記側面の少なくとも過半が、前記単一導電層の組成と同じ組成を有する材料と接触していない、パターン化された導電性物品。
  12. 非金属材料が前記第１の溝内に少なくとも部分的に配置され、前記第１の溝の前記少なくとも１つの断面において、前記非金属材料が前記第１の溝の前記側面の少なくとも過半を覆っている、請求項１１に記載のパターン化された導電性物品。
  13. アンテナ、ヒータ、電磁干渉シールド、静電気消散構成要素、センサ、又は電極のうちの少なくとも１つである、請求項１から１２のいずれか一項に記載のパターン化された導電性物品。
  14. 少なくとも１つの嶺を有するツールを準備することと、
    前記少なくとも１つの嶺の第１の部分の側面の総面積の少なくとも過半が導電層を含まないように、前記少なくとも１つの嶺の前記第１の部分の上面上に前記導電層を配置することと、
    前記導電層を前記配置する工程の後に、前記ツール上に樹脂を配置することと、
    前記樹脂を固化させて、前記少なくとも１つの嶺に対応する少なくとも１つの溝を備えるポリマー層を形成することと、
    前記導電層が前記少なくとも１つの溝の底面に配置されるように、前記ツールから前記ポリマー層及び前記導電層を取り外すことと、
    を含む、パターン化された導電性物品の製造方法。
  15. 導電材料が前記導電層を覆うように、前記導電材料を前記少なくとも１つの溝内に堆積させることを更に含む、請求項１４に記載の製造方法。
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