JP2022518161A - 2色共焦点共局在化顕微鏡法 - Google Patents
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Abstract
本明細書で開示されるのは、サンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法および装置である。サンプルは共焦点画像マーカーおよび誘導放出抑制(STED)画像マーカーによりラベル付けされる。方法は、第1波長λ1を有する第1共焦点励起パルスおよび第1波長とは異なる第2波長λ2を有する第2共焦点励起パルスを生成することと、第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルスを共焦点へ集光することと、第1波長を有するSTED励起パルスおよび第2波長を有するSTED抑制パルスを生成することと、STED励起パルスおよびSTED抑制パルスをSTED焦点へ集光することと、サンプルから放射されるSTED画像マーカーの発光波長λbの光、および、共焦点画像マーカーの発光波長λaの光を検出することと、を含む。第1波長での(n≧1である)n光子励起はSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴し、第2波長はSTED画像マーカーの抑制遷移と共鳴し、第1波長を有する光子および第2波長を有する光子を伴う2光子励起は、共焦点画像マーカーの励起遷移と共鳴する。
Description
本発明は物理学および生物学の分野に属する。特に、本発明はサンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法および装置に関する。
光学顕微鏡法は、顕微鏡スケールでサンプルの空間的構造を判定するための、特に細胞のような生体サンプル用の多目的なツールである。サンプルの特定の構成要素、例えば特定タンパク質または他の生体分子を蛍光性分子のような画像マーカー(imaging marker)でラベル付けすることで、サンプルの機能に関する知見をさらに提供しうる。サンプルの異なる構成要素を個別に撮像することができるように異なる波長の光を吸収する、および/または放射する2種類の画像マーカーを使うことで、異なる構成要素を区別することができる。異なる構成要素の相対的位置は共局在化顕微鏡法により判定することができて、2つの波長で別々の画像が撮影されて、後で重ね合わせられる。
正確に重ね合わせるのは、例えば色収差のために困難であることがある。これは特に共焦点画像化法に当てはまり、共焦点画像化法では集光された光線のサンプル全体への走査を頼りにしており、異なる焦点での複数の測定値から画像を正しく再構成可能とするためには光線を正確に調整することが必要となる。調整を容易にするため、両方の波長で撮像可能な参照マーカーが例えば調整目標に対して使用される、またはサンプルへ参照マーカーが差し込まれて使用されることがある。あるいは、2光子プロセスが画像マーカーを励起するのに使用されることがあり、同じ波長の光が両方の種類の画像マーカーを励起するのに関与する(”P.Mahou et al., Nature Methods 9,815(2012)”を参照)。
従来の共焦点顕微鏡の空間分解能は光線の焦点サイズにより決定され、したがって回折限界により制限されることがある。回折限界を下回る分解能は、誘導放出抑制(STED)顕微鏡法のような超解像技術を用いて実現しうる(例えば、”S.W.Hell, Science 316,1153(2007)”を参照)。STEDは、誘導放出を用いて励起状態を急速に減少させることで画像マーカーの自発的な蛍光を局所的に抑制することを頼りにしている。このため、励起レーザー光に抑制光(depletion beam)が重ね合わせられ、この抑制光によって画像マーカーを誘導放出で励起状態から基底状態へ移動させることができる。抑制光の強度分布は、小さな撮像領域の外にある画像マーカーを抑制光により効果的に消すことができるように変更される。STED顕微鏡はパルスレーザーを用いて実現することができて(例えば、”T.A.Klar et al., Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.97,8206(2000)”を参照)、2光子励起方式と併用することができる(”G.Moneron and S.W.Hell, Optics Express 17,14567 (2009)”および”P.Bianchini et al., Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.109,6390(2012)”を参照)。
これにより、例えば、第1種類の画像マーカーのSTED画像化と第2種類の画像マーカーの従来の共焦点画像化を併用することで、共局在化顕微鏡法の分解能を改善することができる。しかし、STEDの利用は、追加で必要となる抑制光のために、画像を重ね合わせることをさらに困難にすることがある。 国際公開第2008/040590A1号明細書は2色STED顕微鏡法の方法を開示しており、サンプルは類似の吸収スペクトルと類似の放出スペクトルのいずれかを有する2つの画像マーカーを用いてラベル付けされる。米国特許出願公開第2017/0082546A1号明細書は超解像顕微鏡法の方法を開示しており、励起光の強度は音響光学変調器を使って時間的に周期的に変調され、励起光は一定の強度の抑制光と空間的に重ね合わせられる。
したがって、本発明の目的は、サンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法で調整および画像再構成を簡略化する方法および装置を提供して、撮像の分解能を改善することである。
この目的は、請求項1に係る方法および請求項13に係る装置により達成される。本発明の実施形態は、従属請求項で詳述される。
サンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法のための本発明の方法は、(1)第1波長を有する第1共焦点励起パルスおよび第1波長λ1とは異なる第2波長λ2を有する第2共焦点励起パルスを生成するステップと、(2)第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルスを共焦点へ集光するステップと、(3)第1波長を有する誘導放出抑制(STED)励起パルスおよび第2波長を有するSTED抑制パルスを生成するステップと、(4)STED励起パルスおよびSTED抑制パルスをSTED焦点へ集光するステップと、を含む。第1波長での(n≧1である)n光子励起はSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴し、第2波長はSTED画像マーカーの抑制遷移と共鳴する。さらに、第1波長を有する光子および第2波長を有する光子を伴う2光子励起は、共焦点画像マーカーの励起遷移と共鳴する。上記のステップの番号付けは明確化のために過ぎず、特定の実行順序を示すものではない。技術的に可能である限り、ステップの順番を変えることができて、方法およびその任意の実施形態は任意の順序でこれらのステップを行うことができる。特に、複数のステップを少なくとも部分的に同時に行ってもよい。
パルスは1つまたは複数の光源、好ましくはレーザーのようなコヒーレントな光源から生成することができる。一例では、第1共焦点励起パルスおよびSTED励起パルスを第1光源から生成することができて、第2共焦点励起パルスおよびSTED抑制パルスを第2光源から生成することができる。各パルスは、例えばピコ秒やフェムト秒のレーザー光源であるパルスレーザー光源から生成することができる、または、例えば連続波レーザー光源の出力を音響光学変調器、電気光学変調器、機械式シャッター、またはこれらの組み合わせを用いて変調することで連続波レーザー光源から生成することができる。各パルスは例えば10fs~10nsの範囲のパルス幅を持つことができて、パルス幅は各パルスで異なることがある。パルスのパルス幅は、パルスの空間平均強度、すなわち、パルスの伝搬方向と垂直な平面上で平均化した強度がパルスの空間平均強度の最大値の1/e2以上である時間と定義される。パルス幅は、例えばサンプルをラベル付けするのに使用される、例えば吸収断面積、励起状態の存続期間、および/または振動緩和の時間尺度に適合された画像マーカーの特性に基づいて選択することができる。第1共焦点励起パルスおよびSTED励起パルスは、第1波長λ1に対応する中心波長を有する。第2共焦点励起パルスおよびSTED抑制パルスは、第1波長とは異なる第2波長λ2に対応する中心波長を有する。第1波長および第2波長は、例えば400nm~2200nmとすることができる。パルスのスペクトル幅は、それぞれのパルス幅によってフーリエ限界状態になりうる、またはフーリエ限界より大きいことがある。
第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルスは、例えばパルスが通過する対物レンズにより、共焦点とも表される共通の焦点へ集光される。同様に、STED励起パルスおよびSTED抑制パルスは、STED焦点とも表される共通の焦点へ集光される。パルスの焦点は、伝搬方向と垂直な平面内のパルスの強度分布の広がりが極小となる点と定義され、広がりは、例えば各平面内の強度分布の二次モーメントにより数値化されうる。共焦点およびSTED焦点の位置は同一でありうる、または異なることがある。好ましくは、各焦点における対応する強度分布のウエストがそれぞれ波長λ1、λ2より小さくなるようにパルスは強く集光される。強度分布のウエストは、強度が強度分布の最大値の1/e2となる、方位角方向に平均化された最大半径方向距離と定義され、半径方向は各パルスの伝搬方向と垂直である。
サンプルは、2種類の画像マーカー、すなわち共焦点画像マーカーとSTED画像マーカーを含みうる。画像マーカーは、例えば蛍光タンパク質や窒素-空孔中心のようなフルオロフォア(蛍光色素分子)とすることができて、複数の内部状態、例えば電子基底状態マニホールドや電子励起状態マニホールドを持つことがある。共焦点画像マーカーとSTED画像マーカーは異なるエネルギースペクトルを持ち、それに応じて異なる光学特性を示す。
第1波長は、第1波長での(n≧1である)n光子励起がSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴するように選択される。STED画像マーカーの励起遷移は、STED画像マーカーの2つの内部状態の間の光学的励起遷移、例えば電子基底状態マニホールド内の状態とSTED画像マーカーの電子励起状態マニホールド内の状態の間の遷移である。それに応じて、STED励起パルスは、n光子を同時に吸収することでサンプル内のSTED画像マーカーを励起しうる。好ましくは、励起遷移は電子基底状態マニホールドの振動基底状態と電子励起状態マニホールドの振動励起状態を結合する。
第2波長は、STED画像マーカーの抑制遷移と共鳴するように選択される。STED画像マーカーの抑制遷移は、STED画像マーカーの2つの内部状態の間の光学的励起遷移、例えばSTED画像マーカーの電子励起状態マニホールド内の状態と電子基底状態マニホールド内の状態の間の遷移である。それに応じて、STED抑制パルスは、誘導放出によりサンプル内の励起されたSTED画像マーカーを脱励起しうる。こうしてSTED顕微鏡法を行うことができて、STED焦点の付近にあるSTED画像マーカーがSTED励起パルスを用いて励起され、その後に小さな撮像領域の外にある励起されたSTED画像マーカーがSTED抑制パルスにより基底状態へ移動される。それゆえ、励起されたSTED画像マーカーの自然放出による蛍光信号は、主に撮像領域から生じうる。好ましくは、抑制遷移は電子励起状態マニホールドの振動基底状態を電子基底状態マニホールドの振動励起状態へ結合する。
共焦点画像マーカー、STED画像マーカー、第1波長、および/または第2波長は、第1波長を有する光子および第2波長を有する光子を伴う2光子励起が共焦点画像マーカーの励起遷移と共鳴するように選択される。共焦点画像マーカーの励起遷移は、共焦点画像マーカーの2つの内部状態の間の光学的励起遷移、例えば共焦点画像マーカーの電子基底状態マニホールド内の状態と電子励起状態マニホールド内の状態の間の遷移である。それに応じて、サンプル内の共焦点画像マーカーは、第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルスからの光子が同時に吸収されることで励起されうる。好ましくは、励起遷移は電子基底状態マニホールドの振動基底状態と電子励起状態マニホールドの振動励起状態を結合する。
この波長の組み合わせを用いて、この方法を、例えばSTED画像マーカーのSTED画像化および共焦点画像マーカーの従来の共焦点画像化により、各波長の光がSTED画像マーカーと共焦点画像マーカーの両方の画像化に関与するようにサンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法を実行するのに用いることができる。これにより、色収差および異なる波長のパルス用の光路の不適切な調整の影響を弱めることで、画像の重ね合わせを改善することができる。異なる種類の画像マーカーを撮像するために異なる波長を使って共焦点共局在化顕微鏡法を実行する場合、各焦点の位置は、例えば色収差や不適切な調整のために異なっていることがあり、それに応じて、正確にはわからないことがある。このため、STED画像化および共焦点画像化により得られる画像の再構成および画像の重ね合わせが困難になりうる。前述した方法を用いて、同じ光源および同じ波長を共焦点画像マーカーおよびSTED画像マーカーの撮像に使用することができる。これにより、各焦点の正確な位置決めが可能となり、したがって対応する画像の再構成および重ね合わせを簡略化することができる。さらに、顕微鏡の設定および顕微鏡の調整は、撮像に関与する3つの遷移に対処するのに2つの波長のみが使用されるため、簡略化することができる。
第1共焦点励起パルスおよびSTED励起パルスは、例えば同じ光源から両方のパルスを生成することで、または異なる光源からパルスを生成した後にパルスを空間的に重ね合わせることで、第1光路に沿って伝搬しうる。それに応じて、第2共焦点励起パルスおよびSTED抑制パルスは第2光路に沿って伝搬しうる。第1光路および第2光路は、両方の光路に沿って伝搬するコリメート光が同じ焦点へ集光されるように、光学素子により空間的に重ね合わせることができる。これは、例えば第1光路と第2光路を、ダイクロイックミラーやビームスプリッタなどを使って主光路とも呼ばれる同じ光路に重ね合わせることで実現することができる。他の例では、第1光路および第2光路は焦点においてのみ空間的に重ね合わせることができる、つまり、第1光路および第2光路は焦点においてある角度で交わることがある。この場合、調整可能に取り付けられたミラーのような調整可能な光学素子を、2つの光路を重ね合わせるのに使用することができる。
好ましい実施形態では、方法は、位相パターンおよび/または強度パターンをSTED抑制パルスへ刷り込む(imprinting)ことをさらに含む。位相パターンおよび/または強度パターンは、STED抑制パルスの伝搬方向と垂直な、STED焦点を含む平面であるSTED焦点面内のSTED抑制パルスの強度分布がSTED焦点で極小値を示すように選択することができる。位相パターンを刷り込むことはSTED抑制パルスの電界の位相を位相シフトφ(x,y)により局所的に変更することを指し、STED抑制パルスの伝搬方向と垂直な、所与の位置(x,y)における位相シフトφは位相パターンにより決定される。それに対応して、強度パターンを刷り込むことはSTED抑制パルスの強度を倍率α(x,y)により局所的に変更することを指し、STED抑制パルスの伝搬方向と垂直な、所与の位置(x,y)における倍率αは強度パターンにより決定される。一例では、STED抑制パルスは当初は一様な位相分布を示すことがあり、ガウス分布またはフラットトップの(均一な)強度プロファイルおよび渦状位相パターンがSTED抑制パルスへ刷り込まれることがある。渦状位相パターンは、方位角方向に0~2πで線形に増える位相を有する位相パターンである。別の例では、中心で極小となる強度分布をSTED抑制パルスへ刷り込み、STED焦点上で撮像することができる。位相パターンは、例えば空間的に変動する厚さ、および/または、空間的に変動する屈折率を有する平板のような静的位相マスクや光路長の空間分布を調整することで位相パターンを調整するよう構成されている液晶空間光変調器のような適応式位相マスクなどの、空間的に変動する光路長を有する反射型位相マスクまたは透過型位相マスクを用いて、STED抑制パルスに刷り込むことができる。強度パターンは、例えばデジタルマイクロミラーデバイスのような強度変調器、空間的に変動する反射率または透過率を有する反射型位相マスクもしくは透過型位相マスク、または、空間的に変動する電界を用いる電気光学変調器、および/もしくは、空間的に変動する電気光学特性を有する電気光学変調器を用いて、STED抑制パルスに刷り込むことができる。
方法は、位相パターンを刷り込む前に位相パターンをSTED抑制パルスの位相分布、特にSTED抑制パルスの初期位相分布に適合させること、および/または、強度パターンを刷り込む前に強度パターンをSTED抑制パルスの強度分布、特にSTED抑制パルスの初期強度分布に適合させること、をさらに含みうる。これは、例えば、STED抑制パルスの波面収差または強度の変動を補正することを可能としうる。位相パターンおよび/または強度パターンは、特にSTED焦点におけるSTED抑制パルスの強度が弱められる、および/または、STED焦点における最小の強度の幅が縮小されるように、調整することができる。液晶空間変調器のような適応式位相マスク、またはデジタルマイクロミラーデバイスのような調整可能な強度変調器を使用する場合、この方法は、例えば前述の基準を使って各変調器の個々の要素、例えば画素を最適化することを含みうる。
好ましい実施形態では、STED焦点におけるSTED抑制パルスの強度は、STED焦点面内のSTED抑制パルスの強度分布の最大値の1%未満であり、好ましくは0.1%未満である。これにより、STED焦点における抑制確率を減少させながらSTED焦点の周囲の中心領域の外にある励起されたSTED画像マーカーを効果的に抑制して、例えば中心領域からの信号を増大させることができる。STED抑制パルスの強度はSTED焦点から離れる場合は大きく増えてもよく、例えばあらゆる半径方向において50倍より大きく、好ましくは500倍より大きく、増えてもよい。強度がSTED抑制パルスの強度分布の最大値の1%未満である、STED焦点の周りの領域の大きさは、少なくとも一方向で、好ましくはあらゆる半径方向において、第2波長の20%未満とすることができる。
共焦点面、すなわち共焦点を含む第2共焦点励起パルスの伝搬方向と垂直な平面内の第2共焦点励起パルスの強度分布は、共焦点において極大値、好ましくは最大値を示しうる。これは、共焦点の付近にある共焦点画像マーカーの励起確率を増大させるのに有利となりうる。共焦点面内の第2共焦点励起パルスの強度分布は、例えばガウス分布形状、またはエアリーパターンを有してよい。これは、例えば第2共焦点励起パルスに適切な位相パターンおよび/または強度パターンを刷り込むことで実現することができる。一例では、刷り込まれる位相パターンは、第2共焦点励起パルスが集光される前に空間的に一様な位相分布を示すように選択することができる。別の例では、刷り込まれる強度パターンは、第2共焦点励起パルスが集光される前にガウス分布またはフラットトップの空間強度プロファイルを示すように選択することができる。
STED抑制パルスのパルス幅tSTEDは、第2共焦点励起パルスのパルス幅tconfより大きくてもよい。一例では、tconfは1ps~100ps、tSTEDは100ps~10nsとすることができる。さらに、STED抑制パルスのパルスエネルギーは、第2共焦点励起パルスのパルスエネルギーより大きくもよい。STED抑制パルスの空間平均強度は、第2共焦点励起パルスの空間平均強度と等しくてもよい。他の例では、STED抑制パルスの空間平均強度は、第2共焦点励起パルスの空間平均強度より小さくすることができる。
共焦点における第1共焦点励起パルスと第2共焦点励起パルスの間の遅延時間Δtconfは、第1共焦点励起パルスおよび/または第2共焦点励起パルスのパルス幅の25%未満とすることができて、好ましくは10%未満とすることができる。2つのパルスの間の遅延時間は、2つのパルスの対応する点、例えばパルスの空間平均強度が最大である時点、またはパルスの空間平均強度が最大空間平均強度の特定の割合である最初または最後の時点、の間の到達時間の差分と定義される。一例では、遅延時間Δtconfは100fs未満とすることができて、第1共焦点励起パルスのパルス幅は100fs~10psとすることができて、tconfは1ps~100psとすることができる。
STED焦点におけるSTED励起パルスとSTED抑制パルスの間の遅延時間ΔtSTEDは、例えばSTED励起パルスがSTED焦点を通過する際、または通過した後にSTED抑制パルスがSTED焦点に到達するように、STED励起パルスのパルス幅以上であってもよい。好ましくは、遅延時間ΔtSTEDはSTED励起パルスのパルス幅の2倍より小さい。一例では、STED励起パルスのパルス幅は100fs~10psであり、ΔtSTEDはSTED励起パルスのパルス幅の100%~150%である。
方法は、サンプルの第1構成要素を共焦点画像マーカーでラベル付けすることと、サンプルの第2構成要素をSTED画像マーカーでラベル付けすることとをさらに含みうる。一例では、サンプルは生体細胞を含む生体サンプルとすることができて、第1構成要素は第1種類のタンパク質、例えば細胞の膜内に配置される特定のタンパク質とすることができて、第2構成要素は第2種類のタンパク質、例えば特定の抗体とすることができる。別の例では、第1構成要素は細胞の特定の部分、例えば核とすることができて、第2構成要素は細胞の異なる部分、例えば細胞膜とすることができる。ラベル付けは、例えば核酸マーカーや抗体マーカーなどの各構成要素に特異的に結合するように構成されている画像マーカーを使うことで、または蛍光タンパク質の発現により、行うことができる。
一実施形態では、第1波長は、第1波長での2光子励起(つまりn=2)がSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴するように選択することができる。2光子励起を利用することは、励起確率のSTED励起パルスの強度への非線形な依存のためにSTED画像マーカーがSTED励起パルスにより励起される範囲を減少させるのに有利となりうる。
好ましい実施形態では、方法は、サンプルから放射されるSTED画像マーカーの発光波長λbの光、および/または、共焦点画像マーカーの発光波長λaの光を検出することをさらに含む。これには、サンプルから放射される各発光波長の光の強度を、例えばフォトダイオードで測定することを特に含みうる。画像マーカーの発光波長は、画像マーカーが自然放出により緩和遷移を受ける際に放出される光子の波長であり、画像マーカーの緩和遷移は画像マーカーの2つの内部状態の間の光学的励起遷移、例えば画像マーカーの電子励起状態マニホールド内の状態と電子基底状態マニホールド内の状態との間の遷移である。画像マーカーが、例えば電子励起状態マニホールドの状態と電子基底状態マニホールドの状態の間で、複数の緩和遷移を受けられる場合、発光波長は各放出スペクトルのピークに対応する波長であり、検出は発光波長の周囲の波長範囲に対して行われうる。一例では、STED画像マーカーの発光波長および/または共焦点画像マーカーの発光波長の周囲の5nm~50nmの範囲内の光を検出することができる。好ましくは、サンプルから放射される光は、例えば第1波長および/または第2波長の光を除去するために、検出の前にスペクトル的にフィルターされる。検出は、例えば各パルスを生成後の所定の時間間隔にわたって、特に第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルス、ならびに/または、STED励起パルスおよびSTED抑制パルスに対して行われうる。一例では、サンプルにより放射される光の積分強度は、各パルスを生成後の1ns~100μsの期間にわたって判定することができる。
方法は、サンプル全体にわたって共焦点を走査して共焦点画像マーカーの空間分布を特徴付ける共焦点画像を取得することと、サンプル全体にわたってSTED焦点を走査してSTED画像マーカーの空間分布を特徴付けるSTED画像を取得することと、をさらに含みうる。走査は、例えば共焦点の位置および/またはSTED焦点の位置を変えることで行うことができる。さらに、またはあるいは、サンプルの位置は共焦点および/またはSTED焦点に対して変更しうる。共焦点および/またはSTED焦点は、例えばサンプル上の着目する所定の1次元または2次元領域全体にわたって、矩形格子などの格子上で走査されうる。好ましくは、共焦点励起パルスのペアおよび/またはSTEDパルスのペアが生成され、格子の各点へと集光される。サンプルから放射される強度をパルスの各ペアに対して測定することができて、強度は、それぞれ焦点の付近にある共焦点画像マーカーおよびSTED画像マーカーの密度に依存しうる。測定された強度をサンプル上の焦点の位置に関連付けて、例えば焦点の位置の関数として測定された強度を含むように共焦点画像およびSTED画像を形成することができる。
好ましい実施形態では、方法は、共焦点画像とSTED画像を結合して共局在画像を形成することを含み、共局在画像は共焦点画像マーカーの空間分布およびSTED画像マーカーの空間分布の情報を含む。一例では、共焦点およびSTED焦点は同じ格子の全体にわたって走査することができて、共局在画像は、サンプル上の焦点の各位置での共焦点パルスに対して測定された強度、およびSTEDパルスに対して測定された強度を含みうる。他の例では、異なる格子および/または着目する領域を共焦点パルスおよびSTEDパルスに対して使用することができて、例えば、STEDパルスに対してより小さな着目する領域およびより微細な間隔の格子、共焦点パルスに対してより大きな着目する領域およびより粗い間隔の格子を使用することができる。
本発明はサンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法のための装置も提供する。この装置は、第1共焦点励起パルスおよび第1波長λ1を有する誘導放出抑制(STED)励起パルスを生成するように構成されている第1光源を含む。この装置は、第2共焦点励起パルスおよび第1波長とは異なる第2波長λ2を有するSTED抑制パルスを生成するように構成されている第2光源をさらに含む。好ましくは、いずれの光源もレーザーのようなコヒーレント光源である。光源のそれぞれは、例えばピコ秒レーザー光源やフェムト秒レーザー光源などのパルスレーザー光源とすることができる。光源は、例えばモード同期レーザー光源、Q-スイッチレーザー光源、または利得スイッチ駆動レーザー光源とすることができる。あるいは、光源のそれぞれは、連続波レーザー光源と、連続波レーザー光源により放射されるレーザー光を変調して各パルスを生成するように構成されているパルス整形部とを含みうる。パルス整形部は、例えば機械式シャッター、音響光学変調器、電気光学変調器、またはこれらの組み合わせを含みうる。光源のそれぞれは、各パルスのパルス幅、パルスエネルギー、および/または放射時間を調整するように構成されうる。光源のそれぞれはさらに、トリガー信号、例えば電気トリガー信号を受信してトリガー信号に対してパルスを生成するように構成されうる。
また、装置は、第2共焦点励起パルスへ共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンを選択的に刷り込み、STED抑制パルスへSTED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンを選択的に刷り込むように構成されているビームシェイパーも含む。ビームシェイパーは特に、第2共焦点励起パルスが焦点へ集光される場合に第2共焦点励起パルスの強度分布が焦点において極大値を示し、STED抑制パルスが焦点へ集光される場合にSTED抑制パルスの強度分布が焦点において極小値を示すように、各パターンを刷り込むよう構成される。一例では、ビームシェイパーは、トリガー信号を受信すると共焦点用構成とSTED用構成の間で切り替えを行うよう構成することができる。好ましくは、ビームシェイパーは、共焦点位相パターン、共焦点強度パターン、STED位相パターン、および/またはSTED強度パターンを調整するように構成されている適応式ビームシェイパーである。
ビームシェイパーは、位相パターンを刷り込むよう構成されている空間的に変動する光路長を持つ反射型または透過型の位相マスク、例えば空間的に変動する厚さ、および/または、空間的に変動する屈折率を持つ平板のような静的位相マスクを含みうる。ビームシェイパーは、位相マスクを第2共焦点励起パルスおよびSTED抑制パルスの光路の中に入れたり外へ出したりするように構成されて、例えばSTED位相パターンを光路内の位相マスクに刷り込み、共焦点位相パターンを光路から除去された位相マスクに刷り込むことができる。好ましくは、ビームシェイパーは適応式位相マスク、例えば光路長の空間分布を調整することで位相パターンを調整するように構成されている反射型または透過型の液晶空間光変調器を含む。適応式位相マスクは、第2共焦点励起パルスおよびSTED抑制パルスの光路内に置くことができる。ビームシェイパーは、例えば刷り込まれる位相パターンを受信した場合、または2つ以上の所定の位相パターンの間で切り替えを行うためのトリガー信号を受信すると、適応式位相マスクを動的に調整するように構成されうる。
あるいは、またはさらに、ビームシェイパーは、強度パターンを刷り込むように構成されている強度変調器、例えば刷り込まれる強度パターンを調整するように構成されているデジタルマイクロミラーデバイスのような調整可能な強度変調器を含みうる。別の例では、強度変調器は、偏光子と、空間的に変動する電界を用いる電気光学変調器、および/もしくは、空間的に変動する電気光学特性を有する電気光学変調器、または、空間的に変動する透過率もしくは反射率を有する減衰マスクを含みうる。
好ましい実施形態では、焦点におけるSTED抑制パルスの強度は焦点面内のSTED抑制パルスの強度分布の最大値の1%未満であり、好ましくは0.1%未満である。STED抑制パルスの強度はSTED焦点から離れる場合は大きく増えることがあり、例えばあらゆる半径方向において50倍より大きく、好ましくは500倍より大きく、増えることがある。強度がSTED抑制パルスの強度分布の最大値の1%未満である、STED焦点の周りの領域の大きさは、少なくとも一方向で、好ましくはあらゆる半径方向において、第2波長の20%未満とすることができる。
第1光源および/または第2光源は、それぞれ第1波長、第2波長を調整するように構成されうる。一例では、第1光源は第1波長を100nm~400nmだけ調整して、例えば700nm~900nmの間となるように構成されうるチタンサファイアレーザーである。第2光源は第1波長および第2波長を10nm~100nmだけ調整して、例えば660nm~680nmの間となるように構成されうる波長可変ダイオードレーザーとすることができる。
好ましい実施形態では、第2光源は第2共焦点励起パルスのパルス幅tconf、および/または、STED抑制パルスのパルス幅tSTEDを調整するよう構成されうる。第2光源は、例えばレーザーダイオードへの注入電流を調整して複数のパルスを生成するように構成されている利得スイッチ駆動ダイオードレーザーとすることができる。あるいは、第2光源は、例えば調整可能な減衰器を用いた可変Q値の共振器を有するQ-スイッチレーザーとすることができる。一例では、第2光源は、10ps~1nsのパルス幅、tconfおよびtSTEDを調整するように構成することができる。
装置は、第1共焦点励起パルスと第2共焦点励起パルスの間の遅延時間Δtconf、および/または、STED励起パルスとSTED抑制パルスの間の遅延時間ΔtSTEDを調整するように構成されている時間遅延部を含みうる。時間遅延部は、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを使って実現することができる。一例では、時間遅延部は、可変遅延時間だけ離れた2つの電気トリガー信号を生成して、これらのトリガー信号をそれぞれ第1光源、第2光源へ送信するように構成されている電子回路とすることができる。あるいは、時間遅延部は、第1トリガー信号を例えば第1光源から受信して、例えば第2光源へ送信するために、第1トリガー信号を可変遅延時間だけ遅延させることで遅延されたトリガー信号を生成するように構成されうる。時間遅延部は、アナログ信号もしくはデジタル信号、またはソフトウェアによるユーザ入力を受信して、遅延時間Δtconfおよび/または遅延時間ΔtSTEDを設定するように構成されうる。
また、装置は、第1光源および/または第2光源により放射されたレーザーパルスを集光するための対物レンズも含みうる。好ましくは、対物レンズは、0.5より大きい開口数を有する高NA対物レンズ、特に液浸対物レンズである。対物レンズの光軸は、例えば主光路と一直線にすることができる。一部の例では、装置は、例えば検出のためにサンプルにより放射された光を集めるための、第2対物レンズを含みうる。
好ましい実施形態では、装置は、例えばサンプル全体にわたって共焦点および/またはSTED焦点を走査するために、第1光源および/または第2光源により放射されたパルスの伝搬方向を調整するように構成されているビーム走査装置を含む。ビーム走査装置は、例えば対物レンズの光軸に対する主光路の角度および/または主光路の横方向変位を調整するように構成されうる。好ましくは、ビーム走査装置は、2つの軸に沿って焦点を移動させるよう構成される。ビーム走査装置は、例えばガルバノスキャナ、圧電駆動の架台、またはデジタルマイクロミラーデバイスに取り付けられるミラーなどの可動式ミラーを含みうる。他の例では、ビーム走査装置は音響光学偏向器および/または電気光学変調器を含みうる。あるいは、またはさらに、装置はサンプルの位置を調整するように構成されているサンプル走査装置、例えば1軸、2軸、または3軸の移動ステージを含みうる。
装置は、サンプルから放射される発光波長の光を検出するためにさらに光検出器、例えばフォトダイオードや、CCDカメラまたはCMOSカメラのような拡張検出器などの点状検出器を含みうる。光検出器は、特に入射された光の強度を測定して、測定された強度を特徴付ける画像信号、例えば電圧や電流のようなデジタル信号またはアナログ信号を生成するよう構成されうる。また、装置は、光検出器に到達する光をスペクトル的にフィルターするように構成されているフィルター要素も含みうる。フィルター要素は、例えば、第1波長および/または第2波長の光を反射、または吸収するよう構成されうる。
好ましい実施形態では、装置は光検出器から画像信号を取得するように構成されている画像分析部を含む。画像分析部は、特に共焦点に関連付けられる共焦点画像信号とSTED焦点に関連付けられるSTED画像信号を取得するよう構成されうる。共焦点画像信号は、例えば共焦点パルスに対して、例えば共焦点パルスを生成してから1ns~100μsの時間間隔以内に、光検出器により測定された強度でありうる。それに応じて、STED画像信号は、例えばSTEDパルスに対して、例えばSTEDパルスを生成してから1ns~100μsの時間間隔以内に、光検出器により測定された強度でありうる。画像分析部は、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを使って実現することができる。
画像分析部は、例えばビーム走査装置および/またはサンプル走査装置から共焦点および/またはSTED焦点の位置を取得し、この位置を各画像信号と関連付けて、例えばそれらの焦点を走査する際の複数の測定値からそれぞれ共焦点画像とSTED画像を生成するよう構成されうる。画像分析はさらに、共焦点画像信号とSTED画像信号を結合して、共焦点画像信号、共焦点、STED画像信号、およびSTED焦点についての情報を含む共局在画像を形成するよう構成されうる。共局在画像は、例えば特に複数の測定値に対して、サンプル上の共焦点の位置を伴う共焦点画像信号と、サンプル上のSTED焦点の位置を伴うSTED画像信号とを含みうる。
また、装置は、遅延時間Δtconf、遅延時間ΔtSTED、パルス幅tconf、パルス幅tSTED、共焦点位相パターン、共焦点強度パターン、STED位相パターン、および/または、STED強度パターンを設定するように構成されている制御装置も含みうる。一例では、制御装置は時間遅延部に接続することができて、時間遅延部のパラメータを調整して遅延時間Δtconfおよび/または遅延時間ΔtSTEDを設定するよう構成することができる。別の例では、制御装置は第2光源に接続することができて、第2光源のパラメータを調整して第2共焦点励起パルスおよび/またはSTED抑制パルスのパルス幅tconf、パルス幅tSTED、および/または、パルスエネルギーを設定するよう構成することができる。さらに別の例では、制御装置はビームシェイパーに接続することができて、強度パターンおよび/または位相パターンをビームシェイパーへ送信するよう構成することができる。制御装置はさらに、例えば第1光源が第1共焦点励起パルスおよび/またはSTED励起パルスを生成するために、あるいは、時間遅延部またはビームシェイパーが2つの強度パターンおよび/または位相パターンの間で切り替えを行うために、トリガー信号を生成するよう構成されうる。また、制御装置は、例えばサンプル上の共焦点および/またはSTED焦点の位置を設定するために、ビーム走査装置および/またはサンプル走査装置を制御するようにも構成されうる。制御装置は、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを使って実現することができる。一部の例では、制御装置および画像分析部は、両方の機能性を提供する単一のユニットとすることができる。
以下では、本発明およびその例示の実施形態の詳細な説明が図を参照して与えられる。図は以下の図式を示す。
本発明の例示の一実施形態に係る2色共焦点共局在化顕微鏡法のための装置である。
本発明の一実施形態に係る、第1共焦点励起パルスおよび第2共焦点励起パルスを含むパルス列である。
本発明の一実施形態に係る、誘導放出抑制(STED)励起パルスおよびSTED抑制パルスを含むパルス列である。
本発明の例示の一実施形態に係る、第2共焦点励起パルスの強度分布および共焦点位相パターンである。
本発明の例示の一実施形態に係る、STED抑制パルスの強度分布およびSTED位相パターンである。
本発明の一実施形態に係る、2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法である。
本発明の例示の一実施形態に係る、共焦点画像マーカーのエネルギースペクトルである。
本発明の例示の一実施形態に係る、STED画像マーカーのエネルギースペクトルである。
図1は、本発明の例示の一実施形態に係る、サンプル102の2色共焦点共局在化顕微鏡法のための装置100を示す。サンプル102は生体サンプル、例えばタンパク質やDNAのような生体細胞および/または生体分子を含むサンプルであってもよく、顕微鏡スライドやラボオンチップ(lab-on-a-chip)システムのようなサンプルホルダー上に載せることができる。
装置100は、第1共焦点励起パルス106aおよび誘導放出抑制(STED)励起パルス108aを生成するように構成されている第1光源104を含む。第1光源104は、例えばピコ秒レーザー光源やフェムト秒レーザー光源などのパルスレーザー光源とすることができる。他の例では、第1光源104は、連続波レーザー光源と、連続波レーザー光源により放射されるレーザー光を変調して第1共焦点励起パルス106aおよびSTED励起パルス108aを生成するように構成されているパルス整形部とを含みうる。パルス整形部は、例えば機械式シャッター、音響光学変調器、電気光学変調器、またはこれらの組み合わせを含みうる。第1光源104は、特に複数のレーザーパルス、例えば第1共焦点励起パルスおよび/またはSTED励起パルスの列を生成するよう構成されうる。パルス106a、108aは、第1波長とも呼ばれる中心波長λ1を有する。第1波長は、例えば400nm~2200nmとすることができる。一部の例では、第1光源104の波長は、例えば第1波長を画像マーカーの励起スペクトルへ適合させるために、調節可能とすることができる。第1光源104は、例えばチタンサファイアレーザー、ダイオードレーザー、またはダイオード励起固体レーザーとすることができる。第1光源104により放射されるパルス、すなわち第1共焦点励起パルス106aおよびSTED励起パルス108aは、図1で点線で示される第1光路110に沿って伝搬する。第1光源104により放射されたパルスは、例えば第1光路110と垂直な平面内でガウス分布またはフラットトップの空間強度分布を持ちうる。
装置100は、第2共焦点励起パルス106bおよびSTED抑制パルス108bを生成するように構成されている第2光源112をさらに含む。第2光源112は、例えばピコ秒レーザー光源やフェムト秒レーザー光源などのパルスレーザー光源とすることができる。他の例では、第2光源112は、連続波レーザー光源と、連続波レーザー光源により放射されるレーザー光を変調して第2共焦点励起パルス106bおよびSTED抑制パルス108bを生成するように構成されているパルス整形部とを含みうる。パルス整形部は、例えば機械式シャッター、音響光学変調器、電気光学変調器、またはこれらの組み合わせを含みうる。第2光源112は、特に複数のレーザーパルス、例えば第2共焦点励起パルスおよび/またはSTED抑制パルスの列を生成するように構成されうる。パルス106b、108bは、第2波長とも呼ばれる中心波長λ2を有する。第2波長は第1波長とは異なり、例えばやはり400nm~2200nmとすることができる。一部の例では、第2光源112の波長は、例えば第2波長を画像マーカーの励起スペクトルおよび/または放出スペクトルへ適合させるために、調節可能とすることができる。第2光源112は、例えばチタンサファイアレーザー、ダイオードレーザー、またはダイオード励起固体レーザーとすることができる。第2光源112により放射されるパルス、すなわち第2共焦点励起パルス106bおよびSTED抑制パルス108bは、図1で破線で示される第2光路114に沿って伝搬する。
第2光源112は、第2共焦点励起パルス106bおよび/またはSTED抑制パルス108bのパルス幅、パルスエネルギー、および/または、放射時間を調整するよう構成されうる。第2光源112は、トリガー信号、例えば電気トリガー信号を受信すると、例えば第2共焦点励起パルス106bおよび/またはSTED抑制パルス108bを照射するよう構成されうる。第2光源112は、例えばレーザーダイオードへの注入電流を調整して複数のパルスを生成するように構成されている利得スイッチ駆動ダイオードレーザーとすることができる。あるいは、第2光源112は、例えば調整可能な減衰器を用いた可変Q値の共振器を有するQ-スイッチレーザーとすることができる。
装置100は、図1で二点鎖線で示される主光路118上で第1光路110と第2光路114を空間的に重ね合わせる、重ね合わせ要素116をさらに含む。重ね合わせ要素116は、例えば第1波長の光を透過して第2波長の光を反射するように構成されているダイクロイックミラーなどのダイクロイックミラーとすることができる。あるいは、重ね合わせ要素116はビームスプリッタ、特に偏光ビームスプリッタとすることができる。パルス106aおよびパルス108aはパルス106bおよびパルス108bの極性とは異なる偏光を持つことがあり、例えば直交する直線偏光や反対方向の円偏光を持つことがある。好ましくは、重ね合わせ要素116の空間的方向は、例えば第1光路110と第2光路114を互いに対して調整するために、調整可能である。重ね合わせ要素116は、例えば手動または自動で調整可能な架台に取り付けることができる。
また、装置100は、主光路118に沿って伝搬する入射光、特にパルス106a、106b、108a、108bを焦点122へ集光するように構成されている対物レンズ120も含む。対物レンズ120は、高NAの対物レンズ、例えば0.5より大きい開口数を有する対物レンズとすることができる。一部の例では、対物レンズ120は液浸対物レンズ、例えば1.0を超える開口数を有する油浸対物レンズとすることができる。対物レンズは、例えば焦点122の位置を調整するために移動可能に取り付けることができる。
焦点122の位置はさらに、入射光の伝搬方向および発散に依存することがあり、パルス106a、106b、108a、108bのそれぞれに対して異なることがある。光路110および光路114を、例えば重ね合わせ要素116を用いて主光路118に対して適切に調整することで、光路110および光路114に沿って伝搬するパルスを同じ焦点122へ集光することができる。焦点122の位置を調整するために、装置100は主光路118に沿って伝搬する光の伝搬方向を調整するように構成されているビーム走査装置124を含む。これに応じて、焦点122の位置は、共焦点励起パルス106aおよび106bに対して、STEDパルス108aおよび108bに対してとは異なるように調整されることがある。ビーム走査装置124は、例えば対物レンズ120の光軸に対する主光路118の角度および/または主光路118の横方向変位を調整するように構成されうる。好ましくは、ビーム走査装置124は、例えばサンプル102上の着目する2次元領域全体にわたって焦点122を走査するために、焦点122を2つの軸に沿って移動させるよう構成される。ビーム走査装置124は、例えばガルバノスキャナ、圧電駆動の架台、またはデジタルマイクロミラーデバイスに取り付けられるミラーなどの可動式ミラーを含みうる。他の例では、ビーム走査装置124は音響光学偏向器および/または電気光学変調器を含みうる。あるいは、またはさらに、装置100は、サンプル102の位置を調整するように構成されているサンプル走査装置、例えば移動ステージを含みうる。一例では、サンプル走査装置は、例えばサンプル102内の焦点122の位置の深さを変化させるために、光軸118に沿ったサンプル102の位置を調整するよう構成することができる。別の例では、サンプル走査装置は2軸または3軸に沿ってサンプル102の位置を調整するよう構成することができる。サンプル走査装置は、例えば圧電アクチュエータ、ステッピングモータ、サーボモータ、またはこれらの組み合わせを含みうる。
サンプル102により放射、散乱、および/または、透過された光を検出するため、装置100は、例えばフォトダイオード、光電子増倍管、CCDカメラまたはCMOSカメラのような拡張検出器などの点状検出器である、光検出器126を含む。光検出器126は、特に光検出器126に入射した光の強度を測定するよう構成されうる。図1に示される例では、サンプル102の少なくとも一部は対物レンズ120を介して光検出器126上で撮像される。他の例では、例えば対物レンズ120に垂直または対向して置かれる第2対物レンズを含む追加の撮像系を、光検出器126上で撮像される光を集めるのに使用することができる。また、装置100は、光検出器126に到達する光をスペクトル的にフィルターするフィルター要素128をさらに含む。フィルター要素128は、例えば1つまたは複数の種類の画像マーカーの発光波長の光を透過しながら第1波長および/または第2波長の光を反射または遮断する、ダイクロイックミラーまたは光学フィルターとすることができる。一部の例では、装置100は異なるフィルター要素を有する2つの光検出器、例えば第1種類の画像マーカーの発光波長の光を透過するフィルター要素を有する一つの検出器および第2種類の画像マーカーの発光波長の光を透過するフィルター要素を有する別の検出器を含みうる。
装置100は、位相パターンおよび/または強度パターンを第2光路114に沿って伝搬する光に刷り込むように構成されているビームシェイパー130を含む。特に、ビームシェイパー130は、第2共焦点励起パルス106bへ共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンを刷り込み、STED抑制パルス108bへSTED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンを刷り込むよう構成される。共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンは、第2共焦点励起パルス106bの強度分布が焦点122において極大値を示すように選択される。STED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンは、STED抑制パルス108bの強度分布が焦点122において極小値を示すように選択される。これは、図3Aおよび図3Bを参照して以下でより詳細に説明される。
ビームシェイパー130は、例えば第2光路114に沿って伝搬する光に位相パターンを刷り込むために空間的に変動する光路長を有する位相マスク、例えば反射型位相マスクまたは透過型位相マスクを含みうる。光路長は第2波長での光路長であり、位相マスクを透過する場合または位相マスクで反射される場合に、第2波長の光が得る位相シフトを決定する。好ましくは、位相マスクは、光路長の空間分布を調整することで位相パターンを調整するように構成されている適応式位相マスクであり、例えば反射型または透過型の液晶空間光変調器である。液晶空間光変調器は、例えば各画素の液晶を制御するための電極格子を含むシリコン基板上に配置されうる、例えば強誘電性液晶またはネマチック液晶の2次元画素格子を含みうる。別の例では、ビームシェイパー130は例えば空間的に変動する厚さおよび/または屈折率を有するガラス板である静的位相マスクを含むことがあり、この位相マスクは第2光路114の中に入れたり外へ出したりすることができる。ビームシェイパーは、例えば静的位相マスクが第2光路114から除去された場合は共焦点位相パターンを刷り込むことができて、静的位相マスクが光路114に置かれた場合はSTED位相パターンを刷り込むことができる。
さらに、またはあるいは、ビームシェイパー130は、光の強度を空間的に変調することで第2光路114に沿って伝搬する光に強度パターンを刷り込むための強度変調器を含みうる。好ましくは、強度変調器は刷り込まれる強度パターンを調整するように構成されている調整可能な強度変調器である。強度変調器は、例えばデジタルマイクロミラーデバイスとすることができる。別の例では、強度変調器は、偏光子と、空間的に変動する電界を用いる電気光学変調器、および/または、空間的に変動する電気光学特性を有する電気光学変調器を含みうる。強度変調器は、強度変調器により刷り込まれる強度パターンが対物レンズ120によりサンプル102で上で撮像されるように置くことができる。
装置100は、第1光源104により放射されたパルスと第2光源112により放射されたパルスの間の遅延時間Δtを調整するように構成されている時間遅延部132をさらに含む。図1に示される例では、第1光源104は、パルスを放射する際に、例えば第1光源104の内部モニタ用フォトダイオード上での強度を特徴付ける電気トリガー信号または第1光源104からパルスを放射させるのに使用される電気制御信号であるトリガー信号を生成するよう構成される。時間遅延部132は、第1光源104からのトリガー信号を受信して、トリガー信号に対して調整可能な遅延時間の分だけずらされた遅延されたトリガー信号を生成するよう構成される。第2光源112は時間遅延部132からの遅延されたトリガー信号を受信し、遅延されたトリガー信号を受信したらパルスを生成するよう構成される。他の例では、時間遅延部132は、調整可能な遅延時間の分だけずらされた2つのトリガー信号を生成するよう構成することができて、それぞれのパルスを生成するために一つの信号が第1光源104へ送信されて、別の信号が第2光源112へ送信される。
また、装置100は、ビームシェイパー130と結合される制御装置134と、第2光源112と、時間遅延部132も含む。制御装置134は、ビームシェイパー130により例えば共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンとSTED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンとの間で切り替えを引き起こすよう構成されうる。制御装置134はさらに、共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターン、ならびに、STED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンを設定するよう構成されうる。また、制御装置134は、時間遅延部132に対して第1光源104により放射されたパルスと第2光源112により放射されたパルスの間の遅延時間Δtを設定するようにも構成されうる。さらに、またはあるいは、制御装置134は、第2光源112により放射されたパルスの波長、放射時間、パルス幅、および/または、パルスエネルギーを設定するよう構成されうる。また、一部の例では、制御装置134は、第1光源104により放射されたパルスの波長、放射時間、パルス幅、および/または、パルスエネルギーを設定するために、第1光源104と結合することができる。さらに、制御装置134は、例えばサンプル102上の焦点122の位置を制御するため、また光検出器126から信号を読み出すために、それぞれビーム走査装置124、サンプル走査装置および/または光検出器126と結合されうる。
装置100は、例えば制御装置134の一部として、または独立したユニットとして、画像分析部(図1には示されていない)をさらに含みうる。画像分析部は、例えば光検出器126により測定された強度を特徴付けることができる、例えばフォトダイオードの電流や電圧である画像信号を、光検出器126から取得するよう構成されうる。画像信号はアナログ信号またはデジタル信号とすることができる。画像分析部はさらに、例えばビーム走査装置124および/またはサンプル走査装置から、焦点122の情報を取得するよう構成されうる。この情報は、例えば光検出器126により強度が測定された際のサンプル102上での焦点122の位置を含みうる。画像分析部は特に、複数の画像信号と、各画像信号に関連付けられる焦点122の情報とを結合して画像、例えばサンプル102上の焦点122の位置の関数として画像信号を特徴付ける画像を形成しうる。
また、画像分析部は第1光源104および/または第2光源112により放射されたパルスについての情報、例えばパルスの放射時間および種類、つまりパルスが共焦点パルスであるか、またはSTEDパルスであるか、を取得するようにも構成されうる。例えば、画像分析部は、画像信号が共焦点励起パルス106aおよび106b、またはSTEDパルス108aおよび108bに対して測定された強度を特徴付けるかどうか、つまり、画像信号が共焦点画像信号であるか、またはSTED画像信号であるか、を決定するよう構成されうる。これに応じて、画像分析部は、複数の共焦点画像信号から共焦点画像を決定し、複数のSTED画像信号からSTED画像を決定するよう構成されうる。さらに、画像分析部は、共焦点画像とSTED画像を結合して共局在画像、例えばサンプル102上の焦点122の位置の関数として共焦点画像信号およびSTED画像信号を特徴付ける画像を形成するよう構成されうる。
図2Aは、焦点122を含み、焦点122において主光路118と垂直である焦点面内での第1共焦点励起パルス106aおよび第2共焦点励起パルス106bの空間平均強度Iを時間tの関数として模式的に示す。パルス106a、106bの焦点122への到達時間は遅延時間Δtconfだけ離れており、この遅延時間は時間遅延部132を用いて調整されうる。第2共焦点励起パルス106bはパルス幅tconfを有し、このパルス幅は制御装置134により設定されうる。パルス幅tconfは例えば10fs~10nsとすることができて、一例では1ps~100psとすることができる。また、第1共焦点励起パルス106aのパルス幅は例えば10fs~10nsとすることができて、一例では100fs~10psとすることができる。一部の例では、第1共焦点励起パルス106aのパルス幅はtconfと等しくすることができる。
図2Bは、焦点面内でのSTED励起パルス108aおよびSTED抑制パルス108bの空間平均強度Iを時間tの関数として模式的に示す。パルス108a、108bの焦点122への到達時間は遅延時間ΔtSTEDだけ離れており、この遅延時間は時間遅延部132を用いて調整されうる。STED抑制パルス108bはパルス幅tSTEDを有し、このパルス幅は制御装置134により設定されうる。パルス幅tSTEDは例えば10fs~10nsとすることができて、一例では100ps~1nsとすることができる。STED励起パルス108aのパルス幅は第1共焦点励起パルス106aのパルス幅と等しくてもよく、例えば10fs~10nsとすることができて、一例では100fs~10psとすることができる。
図3A、3Bは焦点面内での第2共焦点励起パルス106bの空間強度分布300およびSTED抑制パルス108bの空間強度分布304の例を表し、xおよびyは焦点122において主光路118と垂直な2つの軸を表す。中央の図の縞模様の領域は、強度が特定の閾値強度より大きい、例えば各強度分布の最大強度の1/e2より大きい範囲を示す。右側の図はそれぞれ、y軸に沿って焦点122を通る強度分布300、304を切断したもの300yおよび304yを示す。
第2共焦点励起パルス106bの強度分布300は、焦点122において最大値を示す。強度分布300は、第2共焦点励起パルス106bの伝搬方向に対して回転対称でありうる。図3Aに示される例では、強度分布300yは、y軸に沿ってガウス分布形状を有する。他の例では、強度分布300は、例えばエアリーパターンでありうる。強度分布300のウエスト、つまり強度が焦点122におけるピーク強度の1/e2へと低下する焦点122からの平均半径方向距離は、例えば第2波長よりも小さいことがある。強度分布300は、例えば、ビームシェイパー130を用いて空間的に一様な位相シフトφ=constの共焦点位相パターン302を第2共焦点励起パルス106bへ刷り込むことで得ることができる。第1共焦点励起パルス106aおよびSTED励起パルス108aは、焦点122の付近で強度分布300に類似した強度分布を有することがあり、つまり、やはり焦点122において最大値を示す。
STED抑制パルス108bの強度分布304は、焦点122において極小値を示す。強度分布304は、STED抑制パルス108bの伝搬方向に対して回転対称でありうる。図3Bに示される例では、強度分布304は、STED抑制パルス108bの伝搬方向と垂直な各方向で高い強度の領域に囲まれ、中心で最小値となるドーナツ状の形状を有する。これに応じて、強度分布304は、y軸に沿って焦点122で二重ピーク構造を有する。強度分布304は、例えばビームシェイパー130を用いて渦状STED位相パターン306をSTED抑制パルスに刷り込むことで得ることができて、位相シフトφは中心に対して方位角方向で線形に0~2πまで増加し、半径方向では一定である。あるいは、π-ステップ位相パターンを、位相シフトがφ=0である環状領域により囲まれる位相シフトがφ=πである中心の円形領域を有するSTED位相パターン306として使用することができる。
他の例では、強度分布304はビームシェイパー130、例えばデジタルマイクロミラーデバイスを用いて、対応する強度分布をSTED抑制パルス108bに刷り込み、この強度分布を焦点面上で撮像することで作ることができる。それに応じて、強度分布300を作り出すために、入射する第2共焦点励起パルス106bの強度分布が変更されないように、あるいは、ガウス分布またはフラットトップの強度分布が入射する第2共焦点励起パルス106bに刷り込まれるように、ビームシェイパー130を調整することができる。
好ましくは、ビームシェイパー130は、例えば各パルスの空間強度の変動および/または波面の歪みを補正して強度分布300、304を最適化するために、刷り込まれる位相パターンおよび/または強度パターンを調整するよう構成される。焦点122におけるSTED抑制パルス108bの強度、および/または、焦点122における最小強度の幅は、例えば位相シフトを渦状位相パターンまたはπ-ステップ位相パターンから始めて局所的に変更してSTED位相パターン306を調整することで、最小化することができる。同様に、第2共焦点励起パルス106bの強度分布300のウエストは、例えば共焦点位相パターン302を調整することで最小化することができる。好ましくは、焦点122におけるSTED抑制パルス108bの強度は強度分布304の最大値の1%未満であり、一例では0.1%未満である。STED抑制パルス108bの強度は焦点122から離れる場合は大きく増えることがあり、例えばあらゆる半径方向において50倍より大きく、好ましくは500倍より大きく、増えることがある。強度が強度分布304の最大値の1%未満である、焦点122の周りの領域の大きさは、少なくとも一方向で、好ましくはあらゆる半径方向において、第2波長の20%未満とすることができる。一例では、制御装置134はビームシェイパー130を用いて、例えば光検出器126で強度分布304を測定することで、焦点122におけるSTED抑制パルス108bの強度を自動的に最小化するよう構成することができる。
図4は、本発明の一実施形態に係る、サンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法400のフローチャートを示す。方法400は、例えば装置100を用いて実行することができて、図1を参照して以下で説明される。しかし、これはいかなる形でも制限することを目的とはしておらず、方法400は、2色共焦点共局在化顕微鏡法のための任意の適切な装置を用いて実行されうる。
共局在化顕微鏡法を実行するため、サンプル102は、2種類の画像マーカー、すなわち共焦点画像マーカーとSTED画像マーカーによりラベル付けされる。サンプル102をラベル付けすることは方法400の一部でありうる、または、サンプル102は前もってすでにラベル付けされていることがある。2種類の画像マーカーは、特にサンプル102の異なる構成要素または異なる部分をラベル付けするのに使用することができて、つまり第1構成要素は共焦点画像マーカーを付着させることでラベル付けすることができて、第2構成要素はSTED画像マーカーを付着させることでラベル付けすることができる。画像マーカーは、例えば蛍光タンパク質や窒素-空孔中心のような蛍光色素分子とすることができる。
共焦点画像マーカーとSTED画像マーカーは異なるエネルギースペクトルを持ち、それに応じて異なる光学特性を示すことで、異なる構成要素を区別するのを可能にしうる。共焦点画像マーカーのエネルギー準位図またはエネルギースペクトル500、およびSTED画像マーカーのエネルギー準位図またはエネルギースペクトル506の例が、それぞれ図5A、5Bに示される。各エネルギースペクトルは、それぞれ電子基底状態マニホールド502、508と電子励起状態マニホールド504、510とを含む。各マニホールドは複数のサブ振動状態を含みうる。電子基底状態マニホールド502、508は、例えば、それぞれ振動基底状態502a、508aと複数の振動励起状態502b、508bを含むことができる。同様に、電子励起状態マニホールド504、510は、それぞれ振動基底状態504a、510aと複数の振動励起状態504b、510bを含むことができる。
ステップ402では、第1波長λ1を有する第1共焦点励起パルス106aが第1光源104から生成され、第2波長λ2を有する第2共焦点励起パルス106bが第2光源112から生成される。その後、パルス106a、106bは各光路110、114に沿って伝搬し、重ね合わせ要素116により主光路118上で空間的に重ね合わせられる。最終的に、パルス106a、106bは対物レンズ120により焦点122へ集光される。また、共焦点パルス106a、106bが収束される点は共焦点と呼ばれることもある。ビームシェイパー130を使って、例えば図3Aを参照して前述したように、第2共焦点励起パルス106bの強度分布300が共焦点において極大値を示すように共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンを第2共焦点励起パルス106bに刷り込むことができる。
ステップ402は、制御装置134を用いて第1共焦点励起パルス106aのパルス幅および/もしくはパルスエネルギーを設定すること、ならびに/または、トリガー信号を制御装置134から第1光源104へ送信して第1共焦点励起レーザーパルス106aの生成を引き起こすこと、を含みうる。ステップ402は、制御装置134を用いて、第2共焦点励起パルス106bのパルス幅および/もしくはパルスエネルギー、ならびに/または、パルス106aとパルス106bの間の遅延時間Δtconfを設定すること、をさらに含みうる。前述したように、第1光源104は第1共焦点励起パルス106aを放射する際にトリガー信号を時間遅延部132へ送信することができて、時間遅延部132はこのトリガー信号から、第2共焦点励起パルス106bが第1共焦点励起パルス106aに対して遅延時間Δtconfで焦点122に到達するように、第2光源112が第2共焦点励起パルス106bを照射するために遅延されたトリガー信号を生成することができる。
好ましくは、パルス106aのパルス幅とパルス106bのパルス幅は類似しており、パルス106aとパルス106bの時間的重なりを最大化するように、遅延時間Δtconfは両方のパルス幅と比べて小さい。これは、焦点122の付近にある共焦点画像マーカーの励起確率を増大させるのに有利となりうる。一例では、パルス106aのパルス幅とパルス106bのパルス幅は等しくすることができる、または2倍未満の差とすることができる。別の例では、遅延時間Δtconfは2つのパルス幅の短い方の25%未満であり、好ましくは10%未満である。遅延時間Δtconfは、例えば100fs未満とすることができて、パルス106aのパルス幅は1psで、tconf=10psとすることができる。
第1波長を有する光子と第2波長を有する光子を伴う2光子励起が共焦点画像マーカーの励起遷移と共鳴する、つまり、それぞれ第1波長および第2波長に対応する光周波数ν1と光周波数ν2の合計が、電子基底状態マニホールド502内の状態と電子励起状態マニホールド504内の状態の間のエネルギー差分に対応する周波数に等しいように、第1波長および第2波長が選択される。この場合、電子基底状態マニホールド502と電子励起状態マニホールド504の間の2光子遷移は、第1共焦点励起パルス106aからの光子と第2共焦点励起パルス106bからの光子を同時に吸収することで励起されうる。ν1とν2の合計は、例えば状態502aと振動励起状態504bのうちの一つの間の遷移と共鳴しうる。振動励起状態の共焦点画像マーカーは、例えば図5Aのくねくねした矢印により示される、サンプル102内の環境との相互作用を通して各電子マニホールドの基底状態へ緩和することがある。振動基底状態504aの共焦点画像マーカーは、光周波数νaに対応する共焦点マーカーの発光波長λaで蛍光光子を放出する自然放出により、基底状態マニホールド502へ緩和することがある。
ステップ404では、パルス106a、106bに対してサンプル102により放射された蛍光発光が光検出器126を使って検出され、サンプル102を発生源とする光が対物レンズ120を通って光検出器126上で撮像される。これには、フィルター要素128を用いてサンプル102を発生源とする光をスペクトル的にフィルターすることを含みうる。光検出器126は、例えばフォトダイオード上の光の強度に比例する電圧または電流を生成するフォトダイオードとすることができて、この電圧または電流は、制御装置134または画像分析部により、例えばデジタル画像信号またはアナログ画像信号として読み出すことができる。好ましくは、例えばバックグラウンド信号を弱めるために、検出はパルス106a、106bの放射と同期される。このため、光検出器126は、例えば制御装置134からトリガー信号を受信して測定を始めることがあり、測定は所定の時間、例えば1ns~100μsの間、または第2トリガー信号が受信されるまで行われうる。ステップ404は、例えばビーム走査装置124および/またはサンプル走査装置からサンプル102上の共焦点の位置、すなわちステップ402でパルス106a、106bが集光する焦点122の位置、を決定すること、およびこの情報を画像信号と関連付けることをさらに含みうる。
方法400は、ステップ406でビーム走査装置124および/またはサンプル走査装置を使って焦点122をサンプル102上の新しい位置に合わせた後にステップ402および404を新しい焦点で繰り返すことをさらに含みうる。一例では、初期位置から始めて、共焦点はサンプル102上の着目する領域全体に対して、例えば1次元または2次元の矩形格子を使って、連続的に走査することができる。画像信号および画像信号に関連する共焦点の位置からサンプル102上の共焦点の位置の関数として画像信号を特徴付ける共焦点画像を取得し、例えばサンプル102全体での蛍光信号の強度の空間分布を決定することができる。この画像から、サンプル102内の共焦点画像マーカーの空間分布についての情報を抽出することができる。
ステップ408では、ビームシェイパー130により刷り込まれた位相パターンおよび/または強度パターンは調整されて、共焦点位相パターンおよび/または共焦点強度パターンからSTED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンへと切り替えられる。切り替えは、例えば制御装置134からのトリガー信号により引き起こされうる。ステップ408は、図3Bを参照して前述したように、STED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンを最適化することを含みうる。ステップ408は、STED抑制パルス108bのパルス幅tSTEDおよび/もしくはパルスエネルギー、ならびに/または、STED励起パルス108aとSTED抑制パルス108bの間の遅延時間ΔtSTEDを、制御装置134を用いて、例えば第2光源112および/または時間遅延部132の各パラメータを調整することで設定することをさらに含みうる。一部の例では、ステップ408は、STED励起パルス108aのパルス幅および/またはパルスエネルギーを制御装置134を用いて設定することも含みうる。ステップ408は、焦点122を例えば初期位置に合わせることをさらに含みうる。他の例では、サンプル102上の焦点122の位置は、STEDパルス108aおよび108bに対して、共焦点励起パルス106aおよび106bに対してとは異なることがある。
ステップ410では、第1波長λ1を有するSTED励起パルス108aが第1光源104から生成され、第2波長λ2を有するSTED抑制パルス108bが第2光源112から生成される。その後、パルス108a、108bは各光路110、114に沿って伝搬し、重ね合わせ要素116により主光路118上で空間的に重ね合わせられる。最終的に、パルス108a、108bは対物レンズ120により焦点122へ集光される。また、STEDパルス108a、108bが収束される点はSTED焦点と呼ばれることもある。ビームシェイパー130を使って、例えば図3Bを参照して前述したように、STED抑制パルス108bの強度分布304が焦点122において極小値を示すようにSTED位相パターンおよび/またはSTED強度パターンをSTED抑制パルス108bに刷り込むことができる。ステップ410は、制御装置134からトリガー信号を第1光源104へ送信してSTED励起パルス108aの生成を引き起こすことを含みうる。前述したように、第1光源104はSTED励起パルス108aを放射する際にトリガー信号を時間遅延部132へ送信することができて、時間遅延部132はこのトリガー信号から第2光源112がSTED抑制パルス108bを照射するように遅延されたトリガー信号を生成することができて、STED抑制パルス108bはSTED励起パルス108aに対して遅延時間ΔtSTEDで焦点122に到達する。
第1波長での(n≧1である)n光子励起がSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴する、つまり、第1波長に対応する光周波数ν1のn倍が、基底状態マニホールド508内の状態と電子励起状態マニホールド510内の状態の間のエネルギー差分に対応する周波数に等しいように、第1波長が選択される。この場合、電子基底状態マニホールド508と電子励起状態マニホールド510の間の遷移は、STED励起パルス108aからのn光子を同時に吸収することで励起されうる。図5Bに表される例では、第1波長での2光子励起はSTED画像マーカーの励起遷移と共鳴し、つまりn=2である。n光子励起は、例えば状態508aと振動励起状態510bのうちの一つの間の遷移と共鳴しうる。振動励起状態のSTED画像マーカーは、例えば図5Bのくねくねした矢印により示される、サンプル102内の環境との相互作用を通して各電子マニホールドの基底状態へ緩和することがある。
光周波数ν2に対応する第2波長が選択されて、電子励起状態マニホールド510と電子基底状態マニホールド508の間のSTED画像マーカーの抑制遷移と、好ましくは電子励起状態マニホールド510の振動基底状態510aと電子基底状態マニホールド508の振動励起状態508bの間の遷移と共鳴する。このようにして、前述したように状態510aへ迅速に緩和することが可能な、励起されたSTED画像マーカーは、STED抑制パルス108bにより誘導される誘導放出により基底状態マニホールド508へ移動させることができる。この後の基底状態508aへの緩和によって、STED抑制パルス108bによる再励起を防ぐことができる。STED抑制パルス108bの通過後も振動基底状態510aに留まる、例えば焦点122における最小強度の近辺のSTED画像マーカーは、自然放出により光周波数νbに対応するSTEDマーカーの発光波長λbで蛍光光子を放出することで基底状態マニホールド508へ緩和することができる。
好ましくは、STED抑制パルス108bのパルス幅tSTEDおよび/またはパルスエネルギーは、例えばSTED画像マーカーの退色を防ぎながら励起されたSTED画像マーカーを確実に効果的に移動させるために、それぞれ、第2共焦点励起パルス106bのパルス幅tconfとパルスエネルギーよりも大きい。一例では、tconfは1ps~100ps、tSTEDは100ps~1nsとすることができる。STED抑制パルス108bの空間平均強度は、第2共焦点励起パルス106bの空間平均強度と等しくてもよい。他の例では、STED抑制パルス108bの空間平均強度は、第2共焦点励起パルス106bの空間平均強度より小さくすることができる。
好ましくは、遅延時間ΔtSTEDは、STED励起パルス108aが焦点122を通過する際、または通過した後にSTED抑制パルス108bが焦点122に到達するように、STED励起パルス108aのパルス幅以上である。これは、パルス108a、108bによる共焦点画像マーカーの2光子励起を防ぐのに有利となりうる。好ましくは、遅延時間ΔtSTEDは、例えば励起されたSTED画像マーカーによる自然放出を抑制するために、STED励起パルス108aのパルス幅の2倍より小さい。一例では、STED励起パルスのパルス幅は100fs~10psであり、遅延時間ΔtSTEDはSTED励起パルス108aのパルス幅の100%~150%である。
ステップ412では、パルス108a、108bに対してサンプル102により放射される蛍光発光は光検出器126を使って検出され、対応する画像信号を制御装置134または画像分析部により、例えばステップ404に対して前述したように読み出すことができる。蛍光光子はSTED抑制パルス108bによって脱励起されていない、励起されたSTED画像マーカーにより放出される、つまり、主に焦点122におけるSTED抑制パルス108bの最小強度の近辺のSTED画像マーカーにより放出されることがある。好ましくは、例えばバックグラウンド信号を弱めるために、検出はSTED抑制パルス108bの放射と同期される。このため、光検出器126は、例えば制御装置134からトリガー信号を受信して測定を始めることがあり、測定は所定の時間、例えば1ns~100μsの間、または第2トリガー信号が受信されるまで行われうる。ステップ412は、例えばビーム走査装置124および/またはサンプル走査装置からサンプル102上のSTED焦点の位置、すなわちステップ410でパルス108a、108bが集光する焦点122の位置、を決定すること、およびこの情報を画像信号と関連付けることをさらに含みうる。
方法400は、ステップ414でビーム走査装置124および/またはサンプル走査装置を使って焦点122をサンプル102上の新しい位置に合わせた後に、例えばステップ406に対して前述したようにステップ410および412を新しい焦点で繰り返すことをさらに含みうる。したがって、サンプル102上のSTED焦点の位置の関数として画像信号を特徴付けるSTED画像を取得し、例えばサンプル102内の蛍光信号の強度の空間分布を決定することができる。この画像から、サンプル102内のSTED画像マーカーの空間分布についての情報を抽出することができる。
また、方法400はサンプル102上の焦点122の位置の関数として共焦点画像信号およびSTED画像信号についての情報を含む共局在画像を形成するために、サンプル102上の共焦点の位置の関数として共焦点画像信号を特徴付ける共焦点画像と、サンプル102上のSTED焦点の位置の関数としてSTED画像信号を特徴付けるSTED画像とを結合することも含みうる。それに応じて、サンプル102内の共焦点画像マーカーとSTED画像マーカーの両方の空間分布についての情報を共局在画像から抽出することができる。
図4に示されるフローチャートは、サンプルの2色共焦点共局在化顕微鏡法の一例を構成するに過ぎず、方法400は様々な形で変更することができる。特に、図4に示されるフローチャートのステップの順序は例示に過ぎず、方法400は特定の実行順序に限定されない。技術的に可能である限り、ステップの順番を変えることができて、方法400は任意の順序でこれらのステップを行うことができる。特に、ステップは少なくとも部分的に、例えばステップ402とステップ404、または、ステップ410とステップ412を同時に行うことができる。一例では、ステップ402、404、408、410、412は、焦点122に対して同じ位置を使って実行することができて、サンプル102上の焦点122の位置は、例えばその後にステップ402、404、408、410、412を新しい焦点で繰り返すために、後で調整されればよい。別の例では、ステップ402とステップ404、および/または、ステップ410とステップ412は、例えば信号対雑音比を向上させるために、サンプル102上の焦点122の位置を調整することなく繰り返すことができる。また、方法400は追加のステップ、例えばサンプル102をラベル付けすること、または、例えば光路110、114に沿って伝搬するパルスが同じ焦点122へ確実に集光されるように光路110および光路114を主光路118に重ね合わせることも含みうる。
一部の例では、ビームシェイパー130は、第2光路114に置かれる第1位相マスク、例えば第2光路114に恒久的に配置される位相マスク、および第2光路114の中に入れたり外へ出したりするように構成されている第2位相マスク、例えば摺動可能および/または回転可能な腕部に取り付けられる位相マスクを含みうる。したがって、ステップ408で位相パターンを調整することは、第2位相マスクを第2光路114の中に入れたり外へ出したりすることを含みうる。第1位相マスクおよび第2位相マスクのそれぞれは、例えば静的位相マスクとすることができる。好ましくは、第1位相マスクおよび第2位相マスクは、両方の位相マスクを通って伝搬する光に空間的に一様な位相パターンが刷り込まれるように、相補的な位相マスクである。つまり、第1位相マスクが位相φを刷り込む場合に、第2位相マスクは位相φ0-φを刷り込むことができる(φ0は一定であり、φは空間的に変動しうる)。
一例では、第1位相マスクは例えば図3Bを参照して前述したようにSTED位相パターンを刷り込むことができて、第2位相マスクは相補的なSTED位相パターンを刷り込むことができる。それに応じて、ビームシェイパーは、第2位相マスクが第2光路114から除去された場合はSTED位相パターンを刷り込むことができて、第2位相マスクが第2光路114に置かれた場合は共焦点位相パターンを刷り込むことができる。これにより、STED抑制パルス108bの強度分布304の質を向上させるのと同時に、静的位相マスクを用いて両方の位相パターンを刷り込むことが可能となる。静的位相マスクは、適応式位相マスクよりもかなり安価となりうる。STED抑制パルス108bは、光学素子の調整に対して典型的には第2共焦点励起パルス106bよりも敏感である。したがって、STED抑制パルス108bに対して、第2光路114に沿った調整可能な光学素子、および/または、可動式の光学素子の個数を削減するのに有利となりうる。
本明細書で開示される本発明の実施形態は、例証を目的とした具体的な例を構成するに過ぎない。本発明は、様々な形で、根本的な基本特性を変更することなく、多くの変更とともに実施することができる。それゆえ、本発明は以下で述べる請求項によってのみ規定される。
100 2色共焦点共局在化顕微鏡法のための装置
102 サンプル
104 第1光源
106a 第1共焦点励起パルス
106b 第2共焦点励起パルス
108a 誘導放出抑制(STED)励起パルス
108b STED抑制パルス
110 第1光路
112 第2光源
114 第2光路
116 重ね合わせ要素
118 主光路
120 対物レンズ
122 焦点
124 ビーム走査装置
126 光検出器
128 フィルター要素
130 ビームシェイパー
132 時間遅延部
134 制御装置
tconf 第2共焦点励起パルスのパルス幅
Δtconf 第1共焦点励起パルスと第2共焦点励起パルスの間の遅延時間
tSTED STED抑制パルスのパルス幅
ΔtSTED STED励起パルスとSTED抑制パルスの間の遅延時間
300 焦点面内の第2共焦点励起パルスの強度分布
300y y軸沿いに切断された強度分布300
302 共焦点位相パターン
304 焦点面内のSTEDパルスの強度分布
304y y軸沿いに切断された強度分布304
306 STED位相パターン
φ パルスに刷り込まれた位相シフト
400 2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法
402 共焦点パルスを生成、集光するステップ
404 共焦点パルスにより誘導される蛍光発光を検出するステップ
406 共焦点を調整するステップ
408 位相パターンを調整するステップ
410 STEDパルスを生成、集光するステップ
412 STEDパルスにより誘導される蛍光発光を検出するステップ
414 STED焦点を調整するステップ
500 共焦点画像マーカーのエネルギースペクトル
502 共焦点画像マーカーの電子基底状態マニホールド
502a 電子基底状態マニホールド502の振動基底状態
502b 電子基底状態マニホールド502の振動励起状態
504 共焦点画像マーカーの電子励起状態マニホールド
504a 電子励起状態マニホールド504の振動基底状態
504b 電子励起状態マニホールド504の振動励起状態
506 STED画像マーカーのエネルギースペクトル
508 STED画像マーカーの電子基底状態マニホールド
508a 電子基底状態マニホールド508の振動基底状態
508b 電子基底状態マニホールド508の振動励起状態
510 STED画像マーカーの電子励起状態マニホールド
510a 電子励起状態マニホールド510の振動基底状態
510b 電子励起状態マニホールド510の振動励起状態
ν1 第1波長に対応する第1光周波数
ν2 第2波長に対応する第2光周波数
νa 共焦点マーカーの発光周波数
νb STEDマーカーの発光周波数
102 サンプル
104 第1光源
106a 第1共焦点励起パルス
106b 第2共焦点励起パルス
108a 誘導放出抑制(STED)励起パルス
108b STED抑制パルス
110 第1光路
112 第2光源
114 第2光路
116 重ね合わせ要素
118 主光路
120 対物レンズ
122 焦点
124 ビーム走査装置
126 光検出器
128 フィルター要素
130 ビームシェイパー
132 時間遅延部
134 制御装置
tconf 第2共焦点励起パルスのパルス幅
Δtconf 第1共焦点励起パルスと第2共焦点励起パルスの間の遅延時間
tSTED STED抑制パルスのパルス幅
ΔtSTED STED励起パルスとSTED抑制パルスの間の遅延時間
300 焦点面内の第2共焦点励起パルスの強度分布
300y y軸沿いに切断された強度分布300
302 共焦点位相パターン
304 焦点面内のSTEDパルスの強度分布
304y y軸沿いに切断された強度分布304
306 STED位相パターン
φ パルスに刷り込まれた位相シフト
400 2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法
402 共焦点パルスを生成、集光するステップ
404 共焦点パルスにより誘導される蛍光発光を検出するステップ
406 共焦点を調整するステップ
408 位相パターンを調整するステップ
410 STEDパルスを生成、集光するステップ
412 STEDパルスにより誘導される蛍光発光を検出するステップ
414 STED焦点を調整するステップ
500 共焦点画像マーカーのエネルギースペクトル
502 共焦点画像マーカーの電子基底状態マニホールド
502a 電子基底状態マニホールド502の振動基底状態
502b 電子基底状態マニホールド502の振動励起状態
504 共焦点画像マーカーの電子励起状態マニホールド
504a 電子励起状態マニホールド504の振動基底状態
504b 電子励起状態マニホールド504の振動励起状態
506 STED画像マーカーのエネルギースペクトル
508 STED画像マーカーの電子基底状態マニホールド
508a 電子基底状態マニホールド508の振動基底状態
508b 電子基底状態マニホールド508の振動励起状態
510 STED画像マーカーの電子励起状態マニホールド
510a 電子励起状態マニホールド510の振動基底状態
510b 電子励起状態マニホールド510の振動励起状態
ν1 第1波長に対応する第1光周波数
ν2 第2波長に対応する第2光周波数
νa 共焦点マーカーの発光周波数
νb STEDマーカーの発光周波数
Claims (23)
- サンプル(102)の2色共焦点共局在化顕微鏡法のための方法であって、前記サンプル(102)は共焦点画像マーカーおよび誘導放出抑制(STED)画像マーカーによりラベル付けされ、前記方法は、
第1波長λ1を有する第1共焦点励起パルス(106a)および前記第1波長とは異なる第2波長λ2を有する第2共焦点励起パルス(106b)を生成することと、
前記第1共焦点励起パルス(106a)および前記第2共焦点励起パルス(106b)を共焦点へ集光することと、
前記第1波長を有するSTED励起パルス(108a)および前記第2波長を有するSTED抑制パルス(108b)を生成することと、
前記STED励起パルス(108a)および前記STED抑制パルス(108b)をSTED焦点へ集光することと、
前記サンプル(102)から放射される前記STED画像マーカーの発光波長λbの光、および、前記共焦点画像マーカーの発光波長λaの光を検出することと、
を含み、
前記第1波長での(n≧1である)n光子励起は前記STED画像マーカーの励起遷移と共鳴し、
前記第2波長は、前記STED画像マーカーの抑制遷移と共鳴し、
前記第1波長を有する光子および前記第2波長を有する光子を伴う2光子励起は、前記共焦点画像マーカーの励起遷移と共鳴する、
方法。 - 前記第1共焦点励起パルス(106a)および前記STED励起パルス(108a)は第1光路(110)に沿って伝搬し、
前記第2共焦点励起パルス(106b)および前記STED抑制パルス(108b)は第2光路(114)に沿って伝搬し、
前記第1光路(110)および前記第2光路(114)は光学素子(116)により空間的に重ね合わせられる、
請求項1に記載の方法。 - 位相パターン(306)および/または強度パターンを前記STED抑制パルス(108b)へ刷り込むことをさらに含み、前記位相パターン(306)および/または前記強度パターンは、STED焦点面内の前記STED抑制パルス(108b)の強度分布(304)が前記STED焦点で極小値を示すように選択される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記位相パターン(306)を前記STED抑制パルス(108b)の位相分布へ適合させること、および/または、前記強度パターンを前記STED抑制パルス(108b)の強度分布へ適合させること、をさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記STED焦点における前記STED抑制パルス(108b)の強度は前記STED焦点面内の前記STED抑制パルス(108b)の前記強度分布(304)の最大値の1%未満であり、好ましくは0.1%未満である、請求項3または4に記載の方法。
- 共焦点面内の前記第2共焦点励起パルス(106b)の強度分布(300)は前記共焦点において極大値を示す、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記STED抑制パルス(108b)のパルス幅tSTEDは前記第2共焦点励起パルス(106b)のパルス幅tconfより大きい、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記共焦点における前記第1共焦点励起パルス(106a)と前記第2共焦点励起パルス(106b)の間の遅延時間Δtconfは前記第1共焦点励起パルス(106a)および/または前記第2共焦点励起パルス(106b)の前記パルス幅の25%未満であり、好ましくは10%未満である、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記STED焦点における前記STED励起パルス(108a)と前記STED抑制パルス(108b)の間の遅延時間ΔtSTEDは前記STED励起パルス(108a)のパルス幅以上である、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記サンプル(102)の第1構成要素を共焦点画像マーカーでラベル付けすることと、
前記サンプル(102)の第2構成要素をSTED画像マーカーでラベル付けすることと、
をさらに含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1波長での2光子励起は前記STED画像マーカーの励起遷移と共鳴する、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記サンプル全体にわたって前記共焦点を走査して共焦点画像マーカーの空間分布を特徴付ける共焦点画像を取得することと、
前記サンプル全体にわたって前記STED焦点を走査してSTED画像マーカーの空間分布を特徴付けるSTED画像を取得することと、
前記共焦点画像と前記STED画像を結合して共局在画像を形成することと、をさらに含み、
前記共局在画像は前記共焦点画像マーカーの前記空間分布と前記STED画像マーカーの前記空間分布の情報を含む、
請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。 - サンプル(102)の2色共焦点共局在化顕微鏡法のための装置(100)であって、
第1共焦点励起パルス(106a)および第1波長λ1を有する誘導放出抑制(STED)励起パルス(108a)を生成するよう構成されている第1光源(104)と、
第2共焦点励起パルス(106b)および前記第1波長とは異なる第2波長λ2を有するSTED抑制パルス(108b)を生成するよう構成されている第2光源(112)と、
前記第2共焦点励起パルス(106b)が焦点(122)へ集光される場合に前記第2共焦点励起パルス(106b)の強度分布(300)が前記焦点(122)において極大値を示し、前記STED抑制パルス(108b)が前記焦点(122)へ集光される場合に前記STED抑制パルス(108b)の強度分布(304)が前記焦点(122)において極小値を示すように、前記第2共焦点励起パルス(106b)へ共焦点位相パターン(302)および/または共焦点強度パターンを選択的に刷り込み、前記STED抑制パルス(108b)へSTED位相パターン(306)および/またはSTED強度パターンを選択的に刷り込むように構成されているビームシェイパー(130)と、
を含む、装置(100)。 - 前記ビームシェイパー(130)は、前記共焦点位相パターン(302)、前記共焦点強度パターン、前記STED位相パターン(306)、および/または前記STED強度パターンを調整するよう構成されている適応式ビームシェイパーである、請求項13に記載の装置(100)。
- 前記焦点(122)における前記STED抑制パルス(108b)の強度は前記焦点面内の前記STED抑制パルス(108b)の前記強度分布(304)の最大値の1%未満であり、好ましくは0.1%未満である、請求項13または14に記載の装置(100)。
- 前記第1光源(104)および/または前記第2光源(112)はそれぞれ、前記第1波長および前記第2波長を調整するよう構成される、請求項13~15のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 前記第2光源(112)は前記第2共焦点励起パルス(106b)のパルス幅tconfおよび/または前記STED抑制パルス(108b)のパルス幅tSTEDを調整するよう構成される、請求項13~16のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 前記第1共焦点励起パルス(106a)と前記第2共焦点励起パルス(106b)の間の遅延時間Δtconfおよび/または前記STED励起パルス(108a)と前記STED抑制パルス(108b)の間の遅延時間ΔtSTEDを調整するように構成されている時間遅延部(132)をさらに含む、請求項13~17のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 前記第1光源(104)および/または前記第2光源(112)により放射されたパルスを集光するための対物レンズ(120)をさらに含む、請求項13~18のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 前記第1光源(104)および/または前記第2光源(112)により放射されたパルスの伝搬方向を調整するように構成されているビーム走査装置(124)をさらに含む、請求項13~19のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 前記サンプル(102)から放射される発光波長の光を検出するための光検出器(126)をさらに含む、請求項13~20のいずれか一項に記載の装置(100)。
- 画像分析部をさらに含み、前記画像分析部は、
共焦点に関連付けられる共焦点画像信号を前記光検出器(126)から取得し、
STED焦点に関連付けられるSTED画像信号を前記光検出器(126)から取得し、
前記共焦点画像信号と前記STED画像信号を結合して、前記共焦点画像信号、前記共焦点、前記STED画像信号、および前記STED焦点についての情報を含む共局在画像を形成する、
よう構成される、請求項21に記載の装置(100)。 - 前記遅延時間Δtconf、前記遅延時間ΔtSTED、前記パルス幅tconf、前記パルス幅tSTED、前記共焦点位相パターン(302)、前記共焦点強度パターン、前記STED位相パターン(304)、および/または前記STED強度パターンを設定するように構成されている制御装置(134)をさらに含む、請求項13~22のいずれか一項に記載の装置(100)。
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