JP2022518037A - 物理的気相堆積ターゲットアセンブリ - Google Patents
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Abstract
物理的気相堆積ターゲットアセンブリ、ターゲットアセンブリを含むＰＶＤチャンバ、及びかかるターゲットアセンブリを使用してＥＵＶマスクブランクを製造する方法が、開示されている。ターゲットアセンブリは、ターゲットと隣り合ってターゲットの周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料を含むターゲットシールドと、ターゲットシールドをアセンブリに固定するための非絶縁の外周縁固定具とを、含む。【選択図】図１
Description
［０００１］本開示の実施形態は概して、物理的気相堆積の分野に関する。より具体的には、本開示の実施形態は、物理的気相堆積ターゲットアセンブリ、物理的気相堆積ターゲットアセンブリを含むチャンバ、及び物理的気相堆積ターゲットアセンブリを使用してマスクブランクを製造する方法に関する。
［０００２］スパッタリングは、高エネルギーイオンが固体ターゲットに衝突し、侵食して、基板（半導体基板や超低膨張ガラス基板など）の表面にターゲット材料を堆積させる、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスである。半導体製造において、スパッタリングプロセスは通常、半導体プロセスチャンバ（ＰＶＤプロセスチャンバ又はスパッタリングチャンバとしても既知である）の中で実現される。
［０００３］物理的気相堆積チャンバは、基板上に材料をスパッタ堆積させて、集積回路チップ、ディスプレイ、又は極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造するために使用される。ＥＵＶマスクブランクは多層積層体を含み、この多層積層体は、極紫外光に対して反射性の構造物である。典型的には、物理的気相堆積チャンバは、プロセスガスが導入されるプロセスゾーンを封入する封入壁と、プロセスガスを活性化する（ｅｎｅｒｇｉｚｅ）ためのガスエナジャイザと、チャンバ内のプロセスガスを排気し、その圧力を制御するための排気ポートとを備える。このチャンバは、物理的気相堆積ターゲットからの材料（例えば、アルミニウム、銅、タングステン、若しくはタンタルといった金属、又は、窒化タンタル、窒化タングステン、若しくは窒化チタンといった金属化合物）を、基板上にスパッタ堆積させるために使用される。物理的気相堆積プロセスでは、物理的気相堆積ターゲットが活性イオン（プラズマなど）によってボンバードされることで、ターゲットから材料が放出され、基板上に膜として堆積される。
［０００４］典型的な物理的気相堆積チャンバはターゲットアセンブリを有し、このターゲットアセンブリは、ターゲットを保持するバッキング板によって支持された、固体金属又はその他の材料のディスク形状のターゲットを含む。ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される物理的気相堆積チャンバでは、多層堆積中に生じる不具合の全てが、製品の歩留りに影響を与える。詳細には、小粒子が、ＥＵＶマスクブランクの製造中のサブミクロン～数ミクロン単位の「キラー（ｋｉｌｌｅｒ）」不具合の原因となる。マスクブランク上に生じる単一の「キラー」不具合のせいで、マスクブランクは役に立たないものになる。したがって、微粒子の発生を低減するターゲットアセンブリを提供することが必要とされている。
［０００５］したがって、本開示の一又は複数の実施形態は、物理的気相堆積チャンバで使用されるターゲットアセンブリを対象としており、このターゲットアセンブリは、ターゲットバッキング板とターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、ターゲットと隣り合ってターゲットの周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁と、ターゲットの周縁エッジと隣り合う内周面とを含む、ターゲットシールドと、
内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、外周縁固定具の内径が、ターゲットシールドの内周面がターゲットの周縁エッジから離間してターゲットシールドの内周面とターゲットの周縁エッジとの間に間隙を提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える。
内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、外周縁固定具の内径が、ターゲットシールドの内周面がターゲットの周縁エッジから離間してターゲットシールドの内周面とターゲットの周縁エッジとの間に間隙を提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える。
［０００６］本開示の別の態様は物理的気相堆積装置に関し、この物理的気相堆積装置は、基板支持体を含むプロセスエリアを画定する壁を有するチャンバと、ターゲットバッキング板と、ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、ターゲットから材料をスパッタリングするためにターゲットに連結された電源と、ターゲットと隣り合ってターゲットの周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、ターゲットの周縁エッジと隣り合う内周面と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁とを含む、ターゲットシールドと、内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、外周縁固定具の内径が、ターゲットシールドの内周面がターゲットの周縁エッジから離間してターゲットシールドの内周面とターゲットの周縁エッジとの間に間隙を提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える。
を備える。
［０００７］本開示の別の態様は極紫外線マスクブランクを製造する方法に関し、この方法は、第１ターゲットと第２ターゲットから、極紫外光を反射する第１材料と第２材料とが交互になった層を堆積させることを含み、第１ターゲットと第２ターゲットの各々は、ターゲットバッキング板と、ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、ターゲットと隣り合ってターゲットの周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁とを含む、ターゲットシールドと、内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、外周縁固定具の内径が、ターゲットシールドの外周縁がターゲットの周縁エッジから離間してターゲットシールドの外周縁とターゲットの周縁エッジとの間に間隙を提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える。
を備える。
［０００８］本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
［００１２］ 本開示のいくつかの例示的な実施形態について説明する前に、本開示は以下の説明で明示される構造又はプロセスステップの詳細事項に限定されるわけではないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態も実現可能であり、様々なやり方で実践又は実行されることが可能である。
［００１３］ 「水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」という語は、本書で使用される場合、その配向とは無関係に、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面と定義される。「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」という語は、上記で定義した水平に対して垂直な方向を指し示すものである。「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「側部（ｓｉｄｅ）」（「側壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ）」におけるものなど）、「高位（ｈｉｇｈｅｒ）」、「低位（ｌｏｗｅｒ）」、「上側（ｕｐｐｅｒ）」、「上方（ｏｖｅｒ）」、及び「下方（ｕｎｄｅｒ）」のような語は、図に示しているように、前記の水平面に対して定義される。
［００１４］ 「上（ｏｎ）」という語は、要素間に直接接触があることを示す。「直上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」という語は、介在要素を有さない、要素間の直接接触があることを示す。
［００１５］ 当業者には、プロセス領域について説明するための「第１（ｆｉｒｓｔ）」及び「第２（ｓｅｃｏｎｄ）」といった序数の使用が、処理チャンバにおける具体的な場所も、処理チャンバ内での曝露の順序も、示唆するものではないことが理解されよう。
［００１６］本開示の一実施形態によると、ターゲットバッキング板のシールド効果を向上させ、ＥＵＶマスクブランク製造の「キラー」不具合を低減しうる、ターゲットアセンブリが提供される。
［００１７］ここで図１から図３を参照するに、本開示は図１及び図２に示しているターゲットアセンブリ１１１に関し、ターゲットアセンブリ１１１は、物理的気相堆積装置１００（図３に示しているＰＶＤチャンバなど）で使用される。一実施形態では、ターゲットアセンブリ１１１は、ターゲットバッキング板１１４と、周縁エッジ１１３及び周縁エッジ１１３の内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面１２０を備えるターゲット１１２とを備え、ターゲットはターゲットバッキング板１１４に固定される。ターゲットアセンブリ１１１は、ターゲット１１２と隣り合ってターゲット１１２の周縁エッジ１１３を取り囲むターゲットシールド１１８を更に備え、ターゲットシールド１１８は、絶縁材料と、ターゲットシールドの外径ＳＯＤを画定する外周縁１１９とを備える。ターゲットシールドは、ターゲット１１２の周縁エッジ１１３と隣り合う内周面１２１を更に備える。ターゲットアセンブリ１０１は、内径を有する非絶縁の外周縁固定具１１０であって、外周縁固定具の内径ＦＩＤが、ターゲットシールド１１８の内周面１２１がターゲットの周縁エッジ１１３から離間してターゲットシールド１１８の内周面１２１とターゲット１１２の周縁エッジ１１３との間に小間隙Ｇを提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径ＳＯＤよりも小さい、外周縁固定具１１０を、更に備える。間隙Ｇが小さいことで、バッキング板上の粒子がチャンバ内に舞い落ちる（ｆｌａｋｅ）機会が減少する。間隙が小さいために、スパッタリング材料がターゲットのバッキング板上に再堆積されることはない。一又は複数の実施形態では、間隙Ｇは、０．０１～０．０４インチ（０．０２５４～０．１０１６ｃｍ）の範囲内である。
［００１８］図３は物理的気相堆積装置１００の概略断面図であり、この形態では、物理的気相堆積チャンバは、チャンバ本体１０２と、チャンバ本体１０２内の基板支持体１０６によって支持された基板１０４とを備える。ターゲットアセンブリ１１１は、バッキング板１１４によって支持されたターゲット１１２を含む。ターゲットは、基板支持体１０６に対して離間関係に配置された、表側面１２０又はスパッタリング可能エリアを含む。例示を容易にするために、ターゲットの周囲に円周方向に延在する、概して環形状の金属リングを含むシールドは図示していない。一部の実施形態のシールドは、シールド支持体によってチャンバ内の定位置に保持される。ターゲット１１２の表側面１２０は実質的に平坦である。
［００１９］基板支持体１０６は、電気的にフローティング状態であっても、ペデスタル電源（図示せず）によってバイアスされていてもよい。一部の実施形態では、プロセスガスは、ガス供給システムを介して物理的気相堆積装置１００に導入される。このガス供給システムは、典型的には、プロセスガス供給源（図示せず）を含み、このプロセスガス供給源は、典型的にはチャンバ壁のうちの１つにおける開口であるガス入口を介してガスがチャンバに流入することを可能にする一又は複数のガス導管に供給を行う、一又は複数のガス源を含む。プロセスガスは、ターゲット１１２に活性衝突し（ｅｎｅｒｇｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｍｐｉｎｇｅｓ）、ターゲット１１２から材料をスパッタリングする、非反応性ガス（例えばアルゴンやキセノン）を含みうる。プロセスガスは、スパッタリングされた材料と反応して基板１０４上に層を形成することが可能な反応性ガス（例えば、酸素含有ガス及び窒素含有ガスのうちの一又は複数）も含みうる。ターゲット１１２は、物理的気相堆積装置１００から電気的に絶縁されており、ターゲット電源（図示せず）（例えば、ＲＦ電力及び／又はＤＣ電力若しくはパルスＤＣ電力を使用する、ＲＦ電源、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、又は複合電源）に接続されている。一実施形態では、ターゲット電源は、ターゲット１１２からの材料を基板１０４上にスパッタリングするために、ターゲット１１２に負電圧を印加してプロセスガスを活性化させる。
［００２０］ターゲットからスパッタリングされた材料は、基板１０４上の、非絶縁体であり（一部の実施形態では、モリブデンなどの金属であるか、又はシリコンなどの半導体であり）、材料の固体層を形成する。ターゲットアセンブリ１１１は、ターゲット１１２に接合されているバッキング板１１４を含む。ターゲットの表側面１２０の反対側の背面が、バッキング板に接合される。ターゲット１１２は通常、溶接、ろう付け、機械的ファスナ、又は他の好適な接合技法によってバッキング板に接合されることが、認識されよう。一部の実施形態のバッキング板は、高強度の導電性金属から製造され、ターゲットと電気的に接触している。ターゲットのバッキング板１１４とターゲット１１２とは、一体の又は一体化された構造物としてひとまとめに形成されることもあるが、典型的には、ひとつに接合された別個の構成要素である。
［００２１］一又は複数の実施形態では、ターゲットシールド１１８は、セラミック材料を含む絶縁材料を含む。一部の実施形態では、このセラミック材料は、１０１４オーム－ｃｍ以上の体積抵抗を示す。体積抵抗は、材料の電気抵抗を計算するために利用されうる材料特性である。抵抗率が高い材料では、体積抵抗を測定するためにＩＰＣ－ＴＭ－６５０による２線式抵抗試験が使用されうる。一又は複数の実施形態では、ターゲットシールドは、孔も開口も含まない、材料の連続的一体片であり、ターゲットシールド１１８がねじやボルトでバッキング板１１４に締結されるわけではない。
［００２２］一部の実施形態では、ターゲットシールド１１８のセラミック材料は、酸化アルミニウムを含み、１０１４オーム－ｃｍ以上の体積抵抗を示す。一部の実施形態では、ターゲットアセンブリ１１１は、外周縁固定具１１０とターゲットシールド１１８との間に配置されるＯリング１２３を更に備える。一部の実施形態では、Ｏリング１２３は、エラストマ材料（Ｖｉｔｏｎ（登録商標）など）を含む。Ｏリングは、外周縁固定具１１０とターゲットシールド１１８との間にクッションを提供する。一部の実施形態では、外周縁固定具１１０は、周縁固定具１１０をバッキング板１１４に固定するためのファスナ（ボルトやねじなど）を受容するようサイズ決定された、複数の開口１１７を備える。
［００２３］一又は複数の実施形態では、ターゲットシールド１１８の材料は、ターゲットとターゲットアセンブリ内のその他の接地部品との間の電気的接触を防止するのに十分なほど高い電気抵抗を有する。一部の実施形態では、バッキング板１１４は、洗浄され、テクスチャ加工される。
［００２４］一又は複数の実施形態では、ターゲット１１２は非絶縁材料を含む。一部の実施形態では、ターゲットアセンブリは、金属又は半金属（ｍｅｔａｌｌｏｉｄ）を含む。金属は、一部の実施形態では、モリブデン又はタンタルを含む。一部の実施形態では、半金属はシリコンを含む。一部の実施形態では、ターゲットはシリコン又はモリブデンを含む。
［００２５］一部の実施形態によれば、外周縁固定具の内径ＦＩＤは、外周縁固定具１１０とターゲット周縁エッジ１１３との間のアーク放電を防止するために、ターゲット周縁エッジ１１３と外周縁固定具１１０の内周エッジ１１５との間に距離Ｄを提供するよう、寸法決定される。一部の実施形態では、この距離Ｄは、１インチ（２．５４ｃｍ）を上回る。一部の実施形態では、物理的気相堆積装置は、複数のターゲットアセンブリを備える。
［００２６］本開示の別の態様は、極紫外線マスクブランクを製造する方法に関する。この方法は、第１ターゲットアセンブリと第２ターゲットアセンブリから、極紫外光を反射する第１材料と第２材料とが交互になった層を堆積させることを含み、第１ターゲットアセンブリと第２ターゲットアセンブリの各々は、ターゲットバッキング板と、ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備える、ターゲットとを備える。第１ターゲットアセンブリと第２ターゲットアセンブリの各々は更に、ターゲットと隣り合ってターゲットの周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、内周面と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁とを含む、ターゲットシールドと、内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、外周縁固定具の内径が、ターゲットシールドの内周面がターゲットの周縁エッジから離間してターゲットシールドの内周面とターゲットの周縁エッジとの間に間隙を提供するようにターゲットシールドを固定するために、ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、を備える。
［００２７］一又は複数の実施形態による、本書に記載のターゲットアセンブリ及び物理的気相堆積装置は、基板上に形成されるＥＵＶマスクブランクの製造に利用される。基板は、極紫外線反射素子に対する構造的な支持を提供するための要素である。一又は複数の実施形態では、基板は、温度変化中にも安定性を提供するために、熱膨張率（ＣＴＥ）が低い材料から作製される。一又は複数の実施形態では、基板は特性（例えば、機械的サイクリング、熱サイクリング、結晶形成、又はこれらの組合せに抗する安定性）を有する。一又は複数の実施形態による基板は、材料（例えばシリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はこれらの組合せ）から形成される。
［００２８］多層積層体は、極紫外光を反射させる構造物である。多層積層体は、第１反射層と第２反射層とが交互になった反射層を含む。
［００２９］第１反射層及び第２反射層は、反射性の対を形成する。非限定的な実施形態では、多層積層体は、最大で合計１２０の反射層の、２０～６０という範囲の数の反射性の対を含む。
［００３０］第１反射層及び第２反射層は、多種多様な材料から形成される。一実施形態では、第１反射層と第２反射層はそれぞれ、シリコンとモリブデンから形成される。第１反射層及び第２反射層は、多種多様な構造を有する。
［００３１］大部分の材料は極紫外波長の光を吸収するので、使用される光学素子は、その他のリソグラフィシステムで使用されるような透過性ではなく、反射性である。多層積層体は、種々の光学特性を有する材料の交互になった薄層を有することにより反射構造物を形成し、ブラッグ反射器又はミラーを作り出す。
［００３２］例示的な一実施形態では、多層積層体は、物理的気相堆積技法（マグネトロンスパッタリングなど）を使用して形成される。一実施形態では、多層積層体の第１反射層及び第２反射層は、マグネトロンスパッタリング技法によって形成され、正確な厚さ、低程度の粗さ、及び清浄な層間界面を含むという、特徴を有する。一実施形態では、多層積層体の第１反射層及び第２反射層は、物理的気相堆積によって形成され、正確な厚さ、低程度の粗さ、及び清浄な層間界面を含むという、特徴を有する。
［００３３］物理的気相堆積技法を使用して形成された多層積層体の層の物理的寸法は、反射率を増大させるために、精密に制御される。一実施形態では、第１反射層（シリコンの層など）は４．１ｎｍの厚さを有する。第２反射層（モリブデンの層など）は２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さにより、極紫外線反射素子のピーク反射波長が決まる。層の厚さが不正確な場合、望ましい波長１３．５ｎｍにおける反射率が低下する。
［００３４］この明細書全体を通じて、「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ／ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「ある種の実施形態（ｃｅｒｔａｉｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、又は「一又は複数の実施形態（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」に対する言及は、これらの実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味している。ゆえに、この明細書全体の様々な箇所に出現する「一又は複数の実施形態で」、「ある種の実施形態で」、又は「一実施形態で」といった表現は、必ずしも、本開示の同一の実施形態に言及するものではない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、一又は複数の実施形態において、任意の好適な手法で組み合わされうる。
［００３５］ 本書の開示は特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は、本開示の原理及び応用の例示にすぎないことを理解されたい。本開示の本質及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な改変及び変形を行いうることが、当業者には自明となろう。ゆえに、本開示は、付随する特許請求の範囲及びその均等物の範囲に含まれる改変及び変形を含むことが意図されている。
Claims (15)
- 物理的気相堆積チャンバ内で使用されるターゲットアセンブリであって、
ターゲットバッキング板と、
前記ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、前記周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、
前記ターゲットと隣り合って前記ターゲットの前記周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁と、前記ターゲットの前記周縁エッジと隣り合う内周面とを含む、ターゲットシールドと、
内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、前記ターゲットシールドの前記内周面が前記ターゲットの前記周縁エッジから離間して前記ターゲットシールドの前記内周面と前記ターゲットの前記周縁エッジとの間に間隙を提供するように前記ターゲットシールドを固定するために、前記外周縁固定具の内径が前記ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える、ターゲットアセンブリ。 - 前記絶縁材料がセラミック材料を含む、請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記セラミック材料が、１０１４オーム－ｃｍ以上の体積抵抗を示す、請求項２に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記セラミック材料が酸化アルミニウムを含む、請求項３に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記外周縁固定具と前記ターゲットシールドとの間に配置されるＯリングを更に備える、請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記ターゲットが非絶縁材料、金属、又は半金属を含む、請求項５に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記ターゲットがシリコン又はモリブデンを含む、請求項５に記載のターゲットアセンブリ。
- 前記外周縁固定具の内径が、前記外周縁固定具と前記ターゲットの周縁エッジとの間のアーク放電を防止するために、前記ターゲットの周縁エッジと前記外周縁固定具との間に距離を提供するよう寸法決定される、請求項６に記載のターゲットアセンブリ。
- 物理的気相堆積装置であって、
基板支持体を含むプロセスエリアを画定する壁を有するチャンバと、
ターゲットバッキング板と、
前記ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、前記周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、
前記ターゲットから材料をスパッタリングするために前記ターゲットに連結された電源と、
前記ターゲットと隣り合って前記ターゲットの前記周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、前記ターゲットの前記周縁エッジと隣り合う内周面と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁とを含む、ターゲットシールドと、
内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、前記ターゲットシールドの前記内周面が前記ターゲットの前記周縁エッジから離間して前記ターゲットシールドの前記内周面と前記ターゲットの前記周縁エッジとの間に間隙を提供するように前記ターゲットシールドを固定するために、前記外周縁固定具の内径が前記ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える、物理的気相堆積装置。 - 前記絶縁材料がセラミック材料を含む、請求項９に記載の物理的気相堆積装置。
- 前記セラミック材料が、１０１４オーム－ｃｍ以上の体積抵抗を示す、請求項１０に記載の物理的気相堆積装置。
- 前記外周縁固定具と前記ターゲットシールドとの間に配置されるＯリングを更に備える、請求項９に記載の物理的気相堆積装置。
- 前記ターゲットが非絶縁材料、金属、又は半金属を含む、請求項１０に記載の物理的気相堆積装置。
- 前記外周縁固定具の内径が、前記外周縁固定具と前記ターゲットの周縁エッジとの間のアーク放電を防止するために、前記ターゲットの周縁エッジと前記外周縁固定具との間に距離を提供するよう寸法決定される、請求項１２に記載の物理的気相堆積装置。
- 極紫外線マスクブランクを製造する方法であって、
第１ターゲットと第２ターゲットから、極紫外光を反射する第１材料と第２材料とが交互になった層を堆積させることを含み、前記第１ターゲットと前記第２ターゲットの各々が、
ターゲットバッキング板と、
前記ターゲットバッキング板に固定されたターゲットであって、周縁エッジと、前記周縁エッジの内側に延在しているターゲット表面を画定する表側面とを備えるターゲットと、
前記ターゲットと隣り合って前記ターゲットの前記周縁エッジを取り囲むターゲットシールドであって、絶縁材料と、ターゲットシールドの外径を画定する外周縁とを含む、ターゲットシールドと、
内径を有する非絶縁の外周縁固定具であって、前記ターゲットシールドの前記外周縁が前記ターゲットの前記周縁エッジから離間して前記ターゲットシールドの前記外周縁と前記ターゲットの前記周縁エッジとの間に間隙を提供するように前記ターゲットシールドを固定するために、前記外周縁固定具の内径が前記ターゲットシールドの外径よりも小さい、外周縁固定具と、
を備える、方法。
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