JP2022511157A - 表示基板、表示装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

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Abstract

本願は、複数の行及び複数の列に配列された複数のサブ画素ユニットを備える表示基板であって、前記サブ画素ユニットの前記複数の列は、交互に配列された、純色サブ画素ユニット列と、混色サブ画素ユニット列とを含み、前記純色サブ画素ユニット列は、同一色に対応する複数のサブ画素ユニットを含み、混色サブ画素ユニット列内において、隣接する2つのサブ画素ユニットは異なる色に対応する表示基板を提供する。サブ画素ユニットの同一行において、純色サブ画素ユニット列内のサブ画素ユニットの両側でサブ画素ユニットの色は異なる。本願は、表示装置も提供する。前記表示装置は画像を表示するときに、ギザギザ感がなく、ぼやけることもない。

Description

本願は、複数のサブ画素ユニットを備える表示装置及び表示基板の分野に関する。
(関連出願の相互参照)
本願は、2018年11月5日に出願された中国特許出願第201821813897.X号の優先権を主張し、そのすべての内容を参照によりここに援用する。
現在の電子装置の大部分には有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイが取り付けられている。OLEDは、薄く、視野角が広く、応答速度が速く、発光効率高いといった有利な特性から人気がある。OLED表示装置などの表示装置は、アレイ状に配列された複数のサブ画素ユニットを備え、各サブ画素ユニットの発光を制御することで異なる画像を表示する。サブ画素は、ディスプレイ内の画素を構成する基本サブシステム(ビルディングブロックなど)である。各サブ画素は、青色、赤色、又は緑色などの単一の色に対応してよい。複数のサブ画素ユニットは、画素を形成してよい。例えば、赤色サブ画素と、青色サブ画素と、緑色サブ画素とでともに1つの画素(RBG)を形成してよい。代替システムでは、他の色の組み合わせも可能である。
しかしながら、表示装置で画像のエッジを表示するときに、複数のサブ画素ユニットを同時に発光させると、画像エッジの外の画素ユニットが発光したり、エッジ内の画素ユニットが発光しなくなったりして、望ましくない画像境界モジュールを設けざるを得ない。一実施例において、表示基板の画素密度(PPI)(1インチ当たりのサブ画素ユニットの数)を上げることを提案してもよい。しかし、PPIの増加には限界がある。また、表示装置のPPIはプロセス条件によりしばしば制限され、プロセス条件を変更するとコストが増大する場合がある。
そのため、既存のプロセス条件下で所望の表示効果を有する表示装置を製造することは、本分野において解決が待たれる技術的課題である。
本願の目的は、表示基板と、表示基板を備える表示装置とを提供することにある。表示基板を備える表示装置の実施形態は、望ましい表示効果を実現するとともに、製造コストを低減することができる。表示基板は、画像が表示される表示装置内の層であってよい。サブ画素からなる複数の画素は基板上に配列される。装置の電子部品は基板に結合される。一実施例において、柔軟性基板は高分子材料からなってよい。表示基板はガラス基板であってもよい。
上記目的を実現するため、本願の一態様として、複数の行及び複数の列に配列された複数のサブ画素ユニットを備える表示基板を提供する。サブ画素ユニットの配列は、交互に配列された、純色サブ画素ユニット列と、混色サブ画素ユニット列とを含み、前記純色サブ画素ユニット列は、混色サブ画素ユニット列に隣接して、同一色に対応する複数のサブ画素ユニットを含む。任意の2つの隣接するサブ画素ユニットに対応する色は異なり、サブ画素の同一行において、純色サブ画素ユニットの両側で混色サブ画素ユニットの色は異なってよい。
例示的なシステムとして、前記純色サブ画素ユニット列は、緑色に対応する緑色サブ画素ユニットを含み、前記混色サブ画素ユニット列は、交互に配列された、赤色に対応する赤色サブ画素ユニットと、青色に対応する青色サブ画素ユニットとを含む。前述した任意の例において、追加的に又は任意で、前記緑色サブ画素ユニットの面積は前記赤色サブ画素ユニットの面積より小さく、前記緑色サブ画素ユニットの面積は前記青色サブ画素ユニットの面積より小さい。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記緑色サブ画素ユニットの開口の形状は矩形又は楕円形であり、前記楕円形の長軸と列方向との間には角度があり、前記緑色サブ画素ユニットのうちの任意の1つの長軸の方向は、隣接する緑色サブ画素ユニットの長軸と逆方向である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記赤色サブ画素ユニットの面積は前記青色サブ画素ユニットの面積より小さく、前記赤色サブ画素ユニットの開口及び前記青色サブ画素ユニットの開口の形状がそれぞれ矩形である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記表示基板は、複数のサブ画素開口を有する画素定義層を備え、前記複数のサブ画素開口は前記複数のサブ画素ユニットと一対一で対応し、前記サブ画素ユニットはそれぞれ有機発光ダイオードを備え、前記有機発光ダイオードの少なくとも一部が対応するサブ画素開口内に位置する。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記有機発光ダイオードは、前記サブ画素開口の底壁及び側壁のそれぞれに積層された1つ以上の機能層を備える。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記サブ画素開口下部の開口面積は、前記サブ画素開口上部の開口面積を超えない。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記サブ画素開口の側壁と前記サブ画素開口の底壁の傾斜角度は20°から40°の間である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記サブ画素開口の側壁と前記サブ画素開口の底壁の傾斜角度は26°から27°の間である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記サブ画素開口下部の開口面積に対する前記サブ画素開口上部の開口面積の比率は1から1.6の間である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記有機発光ダイオードは、赤色有機発光ダイオードと、緑色有機発光ダイオードと、青色有機発光ダイオードとを含み、前記赤色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記赤色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間であり、前記青色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記青色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間であり、前記緑色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記緑色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.2から1.3の間である。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、1つの画素ユニットにおいて、少なくとも1つのサブ画素ユニットは、隣接する行の異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットとの間で、行方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチが列方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチより小さい関係にあり、前記少なくとも1つのサブ画素ユニットが緑色サブ画素ユニットであり、前記異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットが青色サブ画素ユニット又は赤色サブ画素ユニットである。前述した任意又はすべての例において、追加的に又は任意で、前記画素ユニットは、前記緑色サブ画素ユニットと、前記赤色サブ画素ユニットと、前記青色サブ画素ユニットとを含み、前記緑色サブ画素ユニットは、前記赤色サブ画素ユニット及び青色サブ画素ユニットのそれぞれに関係する。
もう1つの例示である表示装置用表示基板の製造方法は、有機発光ダイオード(OLED)の正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードとをそれぞれ、基板の画素定義層上のサブ画素開口内に配置することと、前記OLEDのアノードを前記画素定義層の下方に配置し、前記画素定義層において前記カソードを前記アノードに電気的に接続することと、を含み、前記サブ画素開口内での積層は、前記サブ画素開口の底壁及び前記サブ画素開口の側壁に積層することを含み、前記側壁は前記底壁に対して角度がある。
上記の概要は、詳細な説明においてさらに述べる概念を選択して簡潔に紹介するために提供するものであることを理解されたい。請求する主題の主要な又は本質的な特徴を特定することは意図しておらず、その範囲は、詳細な説明の後に付す特許請求の範囲によって一意に定義する。さらに、請求する主題は、前述した又は本開示のいかなる部分で述べるいかなる欠点を解決する実施形態にも限定されない。加えて、上記の概要は、検討する技術的問題及び課題が発明者以外の者に知られていることを認めるものではない。
図面は、本願についてさらなる理解を提供し、本願の説明の一部であることが意図される。
本願が提供する表示基板におけるサブ画素ユニットの第1の配列を示す模式図である。 本願が提供する表示基板におけるサブ画素ユニットの第2の配列を示す模式図である。 サブ画素ユニットの第2の配列の行及び列のピッチを示す模式図である。 画素ユニットを形成するサブ画素ユニットの第2の配列を示す模式図である。 本願が提供する表示基板の断面図である。 本願が提供する表示基板の一部の断面図であり、画素の所定層と有機発光ダイオードのアノードとの間の位置関係が示されている。 本開示の一実施形態における有機発光ダイオード表示装置の模式図である。 本願が提供する表示基板におけるサブ画素ユニットの製造方法を示すフロー図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本願の具体的な実施形態について詳細に説明する。本明細書に記載される具体的な実施形態は本願の例にすぎず、本願を限定することを意図するものではないことが理解される。
従来の表示基板では、表示基板が複数の画素ユニットを備え、各画素ユニットが複数のサブ画素ユニットを有し、複数のサブ画素ユニットが行方向に順に配列され、同一列内の画素ユニットの色が同じであるため、表示する際、エッジぼけや鋸歯形状が生じることがある。ディスプレイ上に画像を表示する際、複数の画素ユニットが同時に発光する。各画素ユニットは、複数のサブ画素ユニットを備える。画像を表示するとき、駆動画素ユニット内の各サブ画素ユニットが発光する。発光モードは固定されているため、エッジが表示されるとき、複数のサブ画素ユニットが同時に発光して画像エッジの外のサブ画素ユニット(ひいては1つ以上の画素ユニット)を発光させる。同様に、エッジに位置する又はエッジ内のサブ画素ユニット(ひいては1つ以上の画素ユニット)は発光しない場合がある。画像エッジにおけるサブ画素ユニットの発光が過大又は過小であるため、画像エッジに鋸歯形状などの望ましくない歪みが形成されることがある。
そこで、本願の一態様として、表示基板を提供する。図1における表示基板110、図2Aにおける表示基板220、図2Bにおける表示基板270、及び図2Cにおける表示基板290に示すように、表示基板はそれぞれ、複数の行及び列に配列された複数のサブ画素ユニットを備える。サブ画素ユニットの複数の列は、交互に配置された純色サブ画素ユニット列210と、混色サブ画素ユニット列212、214とを含み、純色サブ画素ユニット列210は、同一色に対応する複数のサブ画素ユニットを含み、混色サブ画素ユニット列212、214は、色が交互に配列された複数のサブ画素ユニットを含む。
図2Aから図2Cに示す例において、純色サブ画素ユニット列210は緑色サブ画素ユニットのみを含んでよい。純色サブ画素ユニット列210の左側に位置する混色サブ画素ユニット列212は、交互に配列された赤色サブ画素ユニットの行と、青色サブ画素ユニットの行とを含んでよい。純色サブ画素ユニット列210の右側に位置する混色サブ画素ユニット列214は、交互に配列された青色サブ画素ユニットの行と、赤色サブ画素ユニットの行とを含んでよい。混色サブ画素ユニット列(例えば、列212、214)において、隣接する2つのサブ画素ユニットの色は異なり、サブ画素ユニットの同一行(例えば、行216)において、純色サブ画素ユニット列内のサブ画素ユニットの両側でサブ画素ユニットの色は異なる。例えば、(純色サブ画素ユニット列210の一部である)緑色サブ画素ユニットは、一方の側に赤色画素ユニットを、他方の側に青色サブ画素ユニットを有してよい。
例えば、本願が提供する表示基板において、純色画素ユニット列内のサブ画素ユニットは、同一行内の隣接するサブ画素ユニットと組み合わせるか又はその他の方法で1つの画素ユニットを形成することにより発光してよい。表示基板を備える表示パネルで表示するとき、画像のエッジが通過するサブ画素ユニットに応じて、どのサブ画素ユニットが1つの画素ユニットを構成するかを決定してよい。
本願において、表示基板におけるサブ画素ユニットの色の種類は限定されない。例えば、表示基板は、赤色サブ画素ユニットと、緑色サブ画素ユニットと、青色サブ画素ユニットとの3色のサブ画素ユニットを備えてよい。あるいは、表示基板は、赤色サブ画素ユニットと、緑色サブ画素ユニットと、青色サブ画素ユニットと、白色サブ画素ユニット(又は黄色サブ画素ユニット、シアンサブ画素ユニット、マゼンタサブ画素ユニットなど)との4色のサブ画素ユニットをさらに備えてもよい。
図1及び図2Aから図2Cに示す実施形態において、表示基板は、赤色に対応する赤色サブ画素ユニットRと、緑色に対応する緑色サブ画素ユニットGと、青色Bに対応する青色サブ画素ユニットとを備える。いくつかの実施例において、純色サブ画素ユニット列は、緑色に対応する緑色サブ画素ユニットを含み、混色サブ画素ユニット列は、赤色に対応する赤色サブ画素ユニットと、青色に対応する青色サブ画素ユニットとを含む。
図1の表示基板110において、緑色サブ画素ユニット、赤色サブ画素ユニット、及び青色サブ画素ユニットはそれぞれ矩形である。緑色サブ画素の面積は、青色サブ画素ユニット及び赤色サブ画素ユニットそれぞれの面積より小さくてよく、赤色サブ画素ユニットの面積は緑色サブ画素ユニットの面積より大きく、青色サブ画素ユニットの面積より小さい。
図2B、図2Cの表示基板270及び290において、緑色サブ画素ユニットの開口の形状は楕円形である。楕円形の長軸256と列方向254との間には角度がある。一実施例において、楕円形の長軸と縦列方向との間の角度は10°から45°の間である。
緑色サブ画素ユニットのうちの任意の1つの長軸256の方向は、隣接する緑色サブ画素ユニットの長軸258と逆方向である。言い換えれば、第1の緑色サブ画素の第1の長軸256が第1の方向を示すならば、第1の緑色サブ画素を囲む緑色サブ画素それぞれの(長軸258などの)長軸は、第1の方向と逆の第2の方向を示す。行r2、列c3の緑色サブ画素ユニット(第1の緑色サブ画素とする)を例に挙げれば、当該緑色サブ画素ユニットを囲む緑色サブ画素ユニットは、行r1×列c3の緑色サブ画素ユニット、行r2×列c1の緑色サブ画素ユニット、行r2×列c5列の緑色サブ画素ユニット、及び行r3×列c3の緑色サブ画素ユニットである。図面から見て取れるように、行r3×列c3の緑色サブ画素ユニットの長軸、行r2×列c1の緑色サブ画素ユニットの長軸、行r2×列c5の緑色サブ画素ユニットの長軸、及び行r3×列c3の緑色サブ画素ユニットの長軸は、傾斜方向が同一である(左上から右下の方向へ沿って伸びている)。これに対し、行r2×列c3の第1の緑色サブ画素ユニットの長軸方向は、右上から左下へ向かって伸びている。
前述のように、サブ画素ユニットは、画素回路と、OLEDとを備える。斜め方向に隣接する、又は横方向に隣接する異なる行のサブ画素ユニットは1つの画素ユニットに統合してよい。OLEDの行ピッチ及び列ピッチは、サブ画素回路の行ピッチ及び列ピッチにより決定される。行方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチは、隣接する行の2つのサブ画素の隣接するエッジ同士の距離であり、列方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチは、隣接する行の2つのサブ画素の隣接するエッジ同士の距離である。
例示としての第1の実施形態では、図2Aに示すように、表示基板を備える表示パネル上で表示を行うとき、同一行のサブ画素ユニットが1つの画素ユニットを構成してよい。例えば、行r1×列c2の赤色サブ画素ユニット、行r1×列c3の緑色サブ画素ユニット、及び行r1×列c4の青色サブ画素ユニットは、点線232で示す第1の画素ユニット(RGB)を形成する。さらに例えば、行r1×列c2の赤色サブ画素ユニット、行r2×列c2の青色サブ画素ユニット、及び行r1×列c3の緑色サブ画素ユニットは、点線234で示す第2の画素ユニットを構成してよい。表示パネルを駆動して表示するとき、画像の具体的な形状に応じて、画素ユニットを構成するサブ画素ユニットの位置を決定することができる。第1の実施形態において、隣接するRBGサブ画素ユニットは画素を形成するのに(サブ画素のマトリックス内の近接するネイバーであることを除き)何らの関係も満たす必要がない。
例示としての第2の実施形態では、図2B、図2Cに示すように、1組のサブ画素が画素を形成するためには、少なくとも1つのサブ画素は、隣接する行の異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットとある関係を満たす必要がある。当該関係には、(矢印252で示す)行方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチが、(矢印254で示す)列方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチより小さいことが含まれてよい。
例えば、少なくとも1つのサブ画素ユニットは緑色サブ画素ユニットであり、異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットは青色サブ画素ユニット又は赤色サブ画素ユニットである。図2Bに示すように、行r1×列c3の緑色サブ画素ユニットGと、行r2×列c2の青色サブ画素ユニットBとの間の行方向252におけるピッチはD1である。Gと、行r2×列c2の青色サブ画素ユニットB(の両者のエッジ)との間の列方向254における距離はD2であり、D2>D1である。同様に、行r1×列c3の緑色サブ画素ユニットGと、行r2×列c4の赤色サブ画素ユニットRとの間の行方向におけるピッチはD3である。Gと、行r2×列c4の赤色サブ画素ユニットRとの間の列方向における距離はD4であり、D4>D3である。したがって、図2Cの点線262で示すように、行方向におけるサブ画素ユニット同士の距離が列方向におけるサブ画素ユニット同士の距離より小さいため、行r1×列c3、行r2×列c2及び行r2×列c4のRBGサブ画素ユニットは1つの画素を形成してよい。行r3×列c2、行r4×列c4及び行r3×列c4のRBGサブ画素から構成される別の画素を図2Cで点線264により示す。このように、1つの画素の一部である2つのサブ画素同士の距離を調整することによって、FMMプロセスを用いてサブ画素ユニット同士が近すぎない表示基板を製造することが可能であり、それによって望ましくない色の混合に起因するエッジのエイリアシングが低減される。
人の目は緑色に一層敏感であるため、緑色サブ画素ユニットGの面積は赤色サブ画素ユニットRの面積より小さくてよく、緑色サブ画素ユニットGの面積は青色サブ画素ユニットBの面積より小さくてよい。こうすれば、表示パネルの色は均一となり、(緑色に偏るなど)歪むことがない。
表示基板が有機発光ダイオード(OLED)表示基板である場合、OLEDの各層の材料を蒸着処理により作製することができる。緑色サブ画素ユニットの面積は他の色のサブ画素ユニットの面積より小さく、緑色サブ画素ユニットの発光層の材料が他の色のサブ画素ユニットの発光層の材料と混ざらないため、ファインメタルマスク(FMM)法で用いるマスクの製造に有利である。FMMは、画素密度の高いOLEDを製造するとき、(そのサブ画素の色がそれぞれ異なる)画素内の(赤色、緑色及び青色の3つの主要色の)有機発光体の気相成長処理においてマスクとして通常用いられる。一般に、FMMは薄く、熱膨張係数が低い。
本願において、表示基板は、液晶ディスプレイ(LCD)パネル用の表示基板であってもよいし、又は有機発光ダイオード(OLED)表示パネル用の表示基板であってもよい。
一実施形態において、表示基板は有機発光ダイオード表示パネル用の表示基板である。したがって、図3及び図4に示すように、表示基板300及び400はそれぞれ、アノードとカソードの間に位置する有機層と電気的に接続可能な画素定義層200を備えてよい。
画素定義層は、複数のサブ画素開口250を備えてよい。サブ画素ユニットはOLEDを備え、複数のサブ画素開口250は複数のサブ画素ユニットと一対一で対応し、OLEDの少なくとも一部が対応するサブ画素開口250内に位置する。
これに対応して、表示基板300、400は、OLEDを駆動して発光させる画素回路360をさらに備え、OLEDはそれぞれ対応する画素回路360を有する。図3に示す実施形態において、OLEDの正孔輸送層310、発光層320、電子輸送層330及びカソード340は、サブ画素開口250内に位置する。OLEDのアノード100は、画素定義層200の下方に位置し、その一部がサブ画素開口から露出してOLEDの機能層にフィット合致する。なお、OLEDは、電子注入層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの他の有機機能層をさらに備えてよいが、この実施形態は例示にすぎず、有機であることに限らない。
具体的には、画素定義層200は、画素回路360が位置する層の上方に位置し、OLEDのアノード100は、画素定義層200と画素回路360が位置する層との間に位置する。
図6は、表示基板におけるサブ画素ユニットの製造方法を示す例示的なフロー図600である。602において、有機発光ダイオード(OLED)のアノード(例えば、図3のアノード100)は基板(例えば、図3の基板300)の画素定義層(例えば、図3の画素定義層200)の下方に配置されてよい。アノードは、画素定義層と、画素回路(例えば、図3の画素回路360)が位置する層との間に位置してよい。画素回路はOLEDに電力を供給して発光させる。604では、画素定義層において、正孔輸送層(例えば、図3の正孔輸送層310)がサブ画素開口(例えば、図3のサブ画素開口250)内に配置されてよい。606では、発光層(例えば、図3の発光層320)がサブ画素開口内の正孔輸送層上に配置されてよい。608では、電子輸送層(例えば、図3の電子輸送層330)がサブ画素開口内の発光層上に配置されてよい。610では、OLEDのカソード(例えば、図3のカソード340)がサブ画素開口内の電子輸送層上に配置されてよい。このように、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードをサブ画素開口に積層してよい。612では、画素定義層においてアノードをカソードと電気的に結合してよい。さらに、アノード及び/又はカソードは、アノードの下方に位置する画素回路と電気的に結合されてよい。
このようにして、有機発光ダイオード(OLED)の正孔輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードのそれぞれを基板の画素定義層上のサブ画素開口内に配置し、OLEDのアノードを画素定義層の下方に配置し、画素定義層においてカソードをアノードに電気的に接続することにより表示装置用のディスプレイが起動される。ここで、サブ画素開口内での積層は、サブ画素開口の底壁及びサブ画素開口の側壁に積層することを含み、側壁は底壁に対して角度がある。
画素定義層200はアノード100の端部を覆ってよく、アノード100の端部は駆動トランジスタ回路(図示せず)に電気的に接続された接続端子を画素定義層200の下方に有する。さらに、接続端子は、ホールを介して駆動トランジスタ回路のドレインに電気的に接続されている。表示基板の上方に位置する駆動トランジスタ回路の各層は、トップゲート構造の薄膜トランジスタ(TFT)を備え、駆動トランジスタ回路の最下層は、絶縁層と、ソース/ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、平坦層とを順に備える半導体層である。
本願において、画素定義層の材料は特に限定されない。例えば、ポリイミド材料を用いて画素定義層を作製することができる。一実施形態において、サブ画素開口250下部の開口面積は、サブ画素開口250上部の開口面積を超えない。なお、ここでいう「上」及び「下」とは、図3及び図4における上方向及び下方向をいう。図4において、サブ画素開口250底部のサイズd1は、サブ画素開口250頂部のサイズd2より小さい。
サブ画素開口150は、下部の表面積がサブ画素開口250の上部の表面積より小さく、サブ画素開口250の側壁がスロープとなる(サブ画素開口250の側壁とサブ画素開口250の底壁の間に角度αがある)ように配置される。表示基板を製造するとき、FMMマスクを用いて蒸着処理によりOLEDの機能層を形成することができる。OLEDの各機能層は、サブ画素開口250の上方に位置してよい。サブ画素開口150の底部のサイズd1が比較的小さいため、サブ画素開口150の底部同士の間隔は比較的大きく、製造しやすい。蒸着処理において、材料が蒸発し、OLEDの各層がサブ画素開口250の底壁及びサブ画素開口250の側壁に形成される。したがって、サブ画素ユニットの各発光素子の表面積がサブ画素開口250底部の表面積より大きくなるため、処理及び製造においても、表示基板の開口率を高くし、表示効果を改善することができる。このように、サブ画素開口250の両側にあるスロープも発光することから、実際の発光面積はサブ画素開口250底部の表面積より大きくなる。さらに、サブ画素開口250同士の距離が大きいため、異なるサブ画素ユニットの発光層も離れており、混色が生じない。
図1、図2A、図2Bを参照すると、各サブ画素において、点線内の面積は底面積に対応し、外側実線の内側の面積は底面と傾斜した側壁とを合わせた総面積(発光面積である)にあたる。点線内の面積と実線内の面積の比率は約1から1.6の間であってよく、具体的な比率は印加される電流及び画素定義層200の傾斜角度によって決定される。
製造の便宜上、サブ画素開口の側壁とサブ画素開口の底壁の傾斜角度αは20°から40°の間であり、これにより表示基板の高い開口率及び側壁上の機能層の連続性が確保される。傾斜角度αは、サブ画素開口の底壁に垂直な線とサブ画素開口の側壁との間で測定してもよい。
例えば、サブ画素開口の側壁とサブ画素開口の底壁との間の傾斜角度は26°から27°の間である。例えば、サブ画素開口下部の開口面積に対するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1から1.6の間である。
赤色サブ画素ユニットと、緑色サブ画素ユニットと、青色サブ画素ユニットとを備えるアレイ基板の具体的な実施形態において、OLEDは、赤色OLEDと、緑色OLEDと、青色OLEDとを含む。
色の異なる発光ダイオードでは、発光層の材料が互いに異なる。異なる材料に対応させるため、赤色OLEDに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する赤色OLEDに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間であることが好ましい。
これに対応して、青色OLEDに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する青色OLEDに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間となる。
これに対応して、緑色OLEDに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する緑色OLEDに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.2から1.3の間となる。このようにして、緑色OLEDに対応するサブ画素開口は、青色又は緑色OLEDに対応するサブ画素開口より全体的に小さい。図1及び図2に示す実施形態において、赤色サブ画素ユニットRの面積は青色サブ画素ユニットBの面積より小さい。図1に示すように、本願の一実施形態として、サブ画素開口の開口又は断面形状は矩形である。
本願では、色の異なるサブ画素ユニットの配列について特に限定しない。
図5は、前述した基板(例えば、図3の基板300)を備えるディスプレイ504を有する表示装置502の模式図500である。ディスプレイ504は、図1から図4を参照して説明した構成要素(例えば、対応するサブ画素開口に収容されたサブ画素ユニットの配列、画素を形成する複数のサブ画素ユニットなど)を備える。各サブ画素ユニットの発光を制御することによりディスプレイ504に異なる画像を表示してよい。前述のように、2つの隣接するサブ画素ユニット同士の距離を大きくし、純色の列及び混色の列にサブ画素ユニット列を配列することにより、表示装置で表示するときに、シャープで明瞭なエッジが実現され、エッジにギザギザ感は見られない。さらに、表示装置の製造技術がインクジェット印刷などの印刷技術である場合も本願で説明した技術案を適用することができる。
なお、本開示において、「接続する」及び「接続」とは、電気的な接続を意味する。「同じ層の層に配置される/位置する」とは、2つの構造が製造時に同期処理によって作製されることを意味するが、アレイ基板との距離が同一であることを必ずしも意味しない。また、信号線の「延長方向」とは信号線の全経路を意味する。
以下の特許請求の範囲は、新規性があり自明でないと考えられる特定の組合せ及びサブコンビネーションを具体的に示したものである。「1つの」要素又は「第1の」要素又はその等価物を表す場合がある。かかる特許請求の範囲は、そのような要素を1つ以上組み込んだものと理解されるべきであって、そのような要素を2つ以上必要とせず、2つ以上ある場合を排除しない。開示された特徴、機能、要素、及び/又は特性の他の組合せ並びにサブコンビネーションは、現在の特許請求の範囲を補正し、又は本願若しくは関連出願にて新しい特許請求の範囲を提示することで請求する場合がある。初期の特許請求の範囲と比べて請求範囲が広い、狭い、同等又は異なるかを問わず、かかる特許請求の範囲も本開示の主題に含まれるものと見なされる。
上記の実施形態は発明の構想の原理を説明するために用いた例示的な実施形態にすぎず、発明の構想はこれらに限定されないことを理解されたい。当業者は、本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく様々な修正及び改善をなすことができ、かかる修正及び改善も本開示の範囲内にあると見なされる。
100 アノード
110 表示基板
150 サブ画素開口
200 画素定義層
210 純色サブ画素ユニット列
212 混色サブ画素ユニット列
214 混色サブ画素ユニット列
220 表示基板
250 サブ画素開口
256 長軸
258 長軸
262 点線
264 点線
270 表示基板
290 表示基板
300 表示基板
310 正孔輸送層
320 発光層
330 電子輸送層
340 カソード
360 画素回路
400 表示基板
500 模式図
502 表示装置
504 ディスプレイ

Claims (15)

  1. 複数の行及び複数の列に配列された複数のサブ画素ユニットを備える表示基板であって、
    前記サブ画素ユニットの前記複数の列は、交互に配列された、純色サブ画素ユニット列と、混色サブ画素ユニット列とを含み、前記純色サブ画素ユニット列は、同一色に対応する複数のサブ画素ユニットを含み、
    隣接する2つのサブ画素ユニットは異なる色に対応し、純色サブ画素ユニット列内のサブ画素ユニットの両側でサブ画素ユニットの色は異なる、表示基板。
  2. 前記純色サブ画素ユニット列は、緑色に対応する緑色サブ画素ユニットを含み、
    前記混色サブ画素ユニット列は、交互に配列された、赤色に対応する赤色サブ画素ユニットと、青色に対応する青色サブ画素ユニットとを含む、請求項1に記載の表示基板。
  3. 前記緑色サブ画素ユニットの面積は前記赤色サブ画素ユニットの面積より小さく、前記緑色サブ画素ユニットの面積は前記青色サブ画素ユニットの面積より小さい、請求項2に記載の表示基板。
  4. 前記緑色サブ画素ユニットの開口の形状は矩形又は楕円形であり、
    前記楕円形の長軸と列方向との間には角度があり、
    前記緑色サブ画素ユニットのうちの任意の1つの長軸の方向は、隣接する緑色サブ画素ユニットの長軸と逆方向である、請求項3に記載の表示基板。
  5. 前記赤色サブ画素ユニットの面積は前記青色サブ画素ユニットの面積より小さく、前記赤色サブ画素ユニットの開口及び前記青色サブ画素ユニットの開口の形状がそれぞれ矩形である、請求項3に記載の表示基板。
  6. 複数のサブ画素開口を有する画素定義層を備え、
    前記複数のサブ画素開口は前記複数のサブ画素ユニットと一対一で対応し、
    前記サブ画素ユニットはそれぞれ有機発光ダイオードを備え、前記有機発光ダイオードの少なくとも一部が対応するサブ画素開口内に位置する、請求項1から4のいずれか一項に記載の表示基板。
  7. 前記有機発光ダイオードは、前記サブ画素開口の底壁及び側壁のそれぞれに積層された1つ以上の機能層を備える、請求項6に記載の表示基板。
  8. 前記サブ画素開口下部の開口面積は、前記サブ画素開口上部の開口面積を超えない、請求項7に記載の表示基板。
  9. 前記サブ画素開口の側壁と前記サブ画素開口の底壁の傾斜角度は20°から40°の間である、請求項8に記載の表示基板。
  10. 前記サブ画素開口の側壁と前記サブ画素開口の底壁との間の傾斜角度は26°から27°の間である、請求項9に記載の表示基板。
  11. 前記サブ画素開口下部の開口面積に対する前記サブ画素開口上部の開口面積の比率は1から1.6の間である、請求項10に記載の表示基板。
  12. 前記有機発光ダイオードは、赤色有機発光ダイオードと、緑色有機発光ダイオードと、青色有機発光ダイオードとを含み、
    前記赤色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記赤色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間であり、
    前記青色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記青色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.45から1.55の間であり、
    前記緑色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口下部の開口面積に対する前記緑色有機発光ダイオードに対応するサブ画素開口上部の開口面積の比率は1.2から1.3の間である、請求項11に記載の表示基板。
  13. 1つの画素ユニットにおいて、少なくとも1つのサブ画素ユニットは、隣接する行の異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットとの間で、行方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチが列方向における2つのサブ画素ユニット同士のピッチより小さい関係にあり、
    前記画素ユニットにおいて、前記少なくとも1つのサブ画素ユニットが緑色サブ画素ユニットであり、前記異なる色の少なくとも1つのサブ画素ユニットが青色サブ画素ユニット又は赤色サブ画素ユニットである、請求項12に記載の表示基板。
  14. 前記画素ユニットは、前記緑色サブ画素ユニットと、前記赤色サブ画素ユニットと、前記青色サブ画素ユニットとを含み、前記緑色サブ画素ユニットは、前記赤色サブ画素ユニット及び前記青色サブ画素ユニットのそれぞれに関係する、請求項13に記載の表示基板。
  15. 有機発光ダイオード(OLED)の正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードとをそれぞれ、表示基板の画素定義層上のサブ画素開口内に配置することと、
    前記OLEDのアノードを前記画素定義層の下方に配置し、前記画素定義層において前記カソードを前記アノードに電気的に接続することと、を含み、
    前記サブ画素開口内での積層は、前記サブ画素開口の底壁及び前記サブ画素開口の側壁に積層することを含み、前記側壁は前記底壁に対して角度がある、表示装置用表示基板の製造方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6566289B2 (ja) * 2014-11-26 2019-08-28 Tianma Japan株式会社 表示デバイス及び電気光学装置並びに電気機器並びにメタルマスク並びに画素アレイ
CN208753326U (zh) * 2018-11-05 2019-04-16 北京京东方技术开发有限公司 显示基板和显示装置
CN112018147B (zh) * 2019-05-13 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置和掩模板
CN110323259B (zh) 2019-06-28 2022-04-15 云谷(固安)科技有限公司 像素结构、掩膜板及显示面板
EP4109566A4 (en) * 2020-03-31 2023-08-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation INDICATOR
CN114141803B (zh) * 2021-11-17 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素阵列和显示装置
CN115113428B (zh) * 2022-06-28 2024-01-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端
CN117460335A (zh) * 2022-08-15 2024-01-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120313844A1 (en) * 2011-06-13 2012-12-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20170309688A1 (en) * 2016-04-20 2017-10-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685804B1 (ko) * 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US20060170712A1 (en) 2005-02-01 2006-08-03 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
JP5574114B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
KR101084193B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101958434B1 (ko) * 2011-09-05 2019-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10832616B2 (en) 2012-03-06 2020-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
KR101615332B1 (ko) 2012-03-06 2016-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조
TW201338620A (zh) * 2012-03-08 2013-09-16 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示裝置及製造其之方法
KR101381353B1 (ko) * 2012-07-06 2014-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101941661B1 (ko) * 2012-09-04 2019-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20140107036A (ko) * 2013-02-27 2014-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판
KR102072077B1 (ko) * 2013-04-15 2020-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102124043B1 (ko) * 2013-07-25 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 배열 구조 및 이를 채용하는 표시 장치
JP6151136B2 (ja) 2013-09-05 2017-06-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
CN104885141B (zh) * 2013-11-04 2018-03-16 深圳云英谷科技有限公司 显示器子像素排布及其渲染方法
CN104269411B (zh) * 2014-09-11 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、有机发光二极管显示器和显示装置
JP2016071334A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104465706A (zh) 2014-12-17 2015-03-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示装置及其制作方法
CN104617131B (zh) * 2015-02-15 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排列结构及显示装置
US9780150B2 (en) * 2015-02-16 2017-10-03 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
KR102294834B1 (ko) * 2015-03-02 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106486513B (zh) * 2015-08-31 2023-09-29 昆山国显光电有限公司 像素结构以及oled显示面板
KR102616580B1 (ko) * 2015-11-23 2023-12-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102414593B1 (ko) * 2015-12-30 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI585968B (zh) * 2016-03-22 2017-06-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN107275360B (zh) * 2016-04-01 2020-10-16 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
KR101919554B1 (ko) * 2016-04-28 2018-11-19 삼성디스플레이 주식회사 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10707285B2 (en) * 2016-09-13 2020-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20180038112A (ko) * 2016-10-05 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 헤드 마운티드 디스플레이 장치
CN108091667B (zh) * 2016-11-21 2024-06-14 昆山国显光电有限公司 像素结构及包含所述像素结构的oled显示面板
KR20180072303A (ko) * 2016-12-21 2018-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102519065B1 (ko) * 2017-03-02 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108511480A (zh) 2017-08-31 2018-09-07 昆山国显光电有限公司 像素结构以及oled显示装置
KR102520710B1 (ko) * 2017-09-05 2023-04-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107611164B (zh) * 2017-09-25 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种oled面板及其制备方法
KR102510569B1 (ko) * 2017-10-27 2023-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102433274B1 (ko) * 2017-11-28 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109994507B (zh) * 2018-01-02 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构及相关装置
CN109994509A (zh) * 2018-01-02 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构及相关装置
KR102582631B1 (ko) * 2018-01-11 2023-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 구동 방법 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
CN108400146B (zh) * 2018-01-31 2020-08-04 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN109637388B (zh) * 2019-01-31 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN110137206A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构及相关装置
KR102492199B1 (ko) * 2018-03-09 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN208157411U (zh) * 2018-03-27 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示装置
KR102502183B1 (ko) * 2018-04-10 2023-02-22 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR102547854B1 (ko) * 2018-05-04 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법
KR20200027600A (ko) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
CN208753326U (zh) 2018-11-05 2019-04-16 北京京东方技术开发有限公司 显示基板和显示装置
KR20200082971A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
KR20200133095A (ko) * 2019-05-16 2020-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120313844A1 (en) * 2011-06-13 2012-12-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20170309688A1 (en) * 2016-04-20 2017-10-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

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