CN107611164B - 一种oled面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED面板及其制备方法。该面板包括设置在基底上的多个OLED器件，还包括辅助阴极。辅助阴极设置在OLED器件的阴极上，且辅助阴极位于发光区域，辅助阴极的材质为透明氧化物。该方法包括在基底形成多个OLED器件；在OLED器件的阴极上形成辅助阴极，辅助阴极位于发光区域，辅助阴极的材质为透明氧化物。通过将辅助阴极设置在发光区域，发光区域的面积较大，从而扩大了辅助阴极的面积，大大降低了阴极的电阻，使得阴极的导电性能可以完全满足需求，提升了面板的亮度均一性。

Description

一种OLED面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。相比于LCD(LiquidCrystal Display)显示器件，OLED具有更低的能耗、更快的响应速度，广视角以及高对比度等优点。尤其在柔性显示领域，OLED显示面板在一定弯曲半径的情况下仍然具备很好的显示效果，因此在穿戴产品领域有着极为宽广的前景。
目前，OLED显示面板分为顶发射和底发射两种结构。顶发射结构中，
OLED显示面板发出的光从阴极方向透射出，所以顶发射OLED面板的阴极需要使用透明导电材料，例如薄镁银(Mg&Ag)合金、铟锌氧化物(IZO)等。制作透明导电阴极可以采用真空蒸发、磁控溅射、化学气相沉积等方法。
OLED阴极材料本身具有一定的电阻值，当OLED面板的尺寸达到10英寸以上时，OLED阴极材料本身的电阻会造成电压下降，导致面板显示亮度下降。为解决此问题，需要降低阴极材料的电阻值。现有技术中，采用辅助阴极来降低阴极的电阻值。制作辅助阴极的方法主要有两种方法：蒸镀法和成盒法。但无论是采用蒸镀法还是成盒法，制作出的辅助阴极都位于像素界定层上。由于像素界定层所在的区域限制，大大限制了辅助阴极的面积，从而使得阴极的导电性能无法完全满足需求。采用蒸镀法制作辅助阴极时，需要采用高精度蒸镀掩膜版。而当将金属材料蒸镀到掩膜版上后无法通过清洗工艺去除，所以该掩膜版在使用几次后就要报废，导致生产成本较高。采用成盒法制作辅助阴极时，则无法兼容薄膜封装(Thin Film Enclosure，TFE)，只能靠边缘的封装胶实现阻水氧性能，使得面板的阻水氧性能大大降低。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种OLED面板及其制备方法，以解决现有OLED面板中阴极的导电性能无法满足需求的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种OLED面板，包括设置在基底上的多个OLED器件，其特征在于，还包括辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述OLED器件的阴极上，且所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物。
可选地，所述辅助阴极的出光面朝向出光方向凸出。
可选地，所述辅助阴极的材质为铟锌氧化物、铟锡氧化物、锌氧化物、铟氧化物中的一种或多种。
可选地，相邻的两个辅助阴极相互连接。
可选地，所述面板还包括设置在基底上的多个薄膜晶体管和覆盖多个薄膜晶体管的绝缘层，所述多个OLED器件设置在所述绝缘层上，
所述面板还包括第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述辅助阴极上并覆盖到所述绝缘层上，或者，
所述面板还包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述辅助阴极上并覆盖到所述绝缘层上，所述有机封装层设置在所述第一无机封装层上，所述有机封装层在所述基底上的投影包含所述OLED器件的阴极在所述基底上的投影，所述有机封装层在所述基底上的投影位于所述第一无机封装层在所述基底上的投影的内部，所述第二无机封装层设置在所述有机封装层上，所述第二无机封装层在所述基底上的投影包含所述有机封装层在所述基底上的投影。
可选地，所述面板还包括封装基底和封框胶，所述封装基底设置在所述OLED面板的背离所述基底的一侧，所述封框胶设置在所述绝缘层的外围，所述基底和所述封装基底通过所述封框胶连接。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种OLED面板的制备方法，包括：
在基底形成多个OLED器件；
在所述OLED器件的阴极上形成辅助阴极，所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物。
可选地，所述辅助阴极的出光面朝向出光方向凸出。
可选地，所述在所述OLED器件的阴极上形成辅助阴极，包括：
采用溶液法工艺制程，制备包含有所述透明氧化物的溶液；
采用喷墨打印法在位于发光区域的阴极上打印出所述溶液；
固化打印出的溶液，形成辅助阴极，所述辅助阴极位于发光区域。
可选地，所述溶液的含水氧量为0.8ppm～1.2ppm。
本发明实施例提供了一种OLED面板及其制备方法，通过将辅助阴极设置在发光区域，发光区域的面积较大，从而扩大了辅助阴极的面积，大大降低了阴极的电阻，使得阴极的导电性能可以完全满足需求，提升了面板的亮度均一性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1a为现有技术中一种顶发射OLED面板的结构示意图；
图1b为如图1a所示的OLED面板的俯视结构示意图；
图2为现有技术中另一种顶发射OLED面板的结构示意图；
图3为本发明第一实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图；
图4为本发明第一实施例顶发射OLED面板的俯视结构示意图；
图5为本发明第二实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图；
图6为本发明第三实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图；
图7为本发明第四实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图；
图8为本发明第五实施例OLED面板制备方法的流程示意图；
图9为本发明第五实施例中形成绝缘层后的结构示意图；
图10为本发明第五实施例中形成OLED器件后的结构示意图；
图11为本发明第五实施例中形成辅助阴极后的结构示意图；
图12为本发明第五实施例中形成薄膜封装结构后的结构示意图。
附图标记说明：
10-基底； 11-薄膜晶体管； 12-绝缘层；
13-阳极； 14-像素界定层； 15-有机发光层；
16-阴极； 17-辅助阴极； 18-封装基底；
19-透明电极； 20-封框胶； 31-第一无机封装层；
32-有机封装层； 33-第二无机封装层； 40-OLED器件。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1a为现有技术中一种顶发射OLED面板的结构示意图。在基底10上依次设置有薄膜晶体管11、绝缘层12和OLED器件。OLED器件包括通过像素界定层14限定的有机发光层15、阳极13和阴极16。阳极13位于有机发光层15与绝缘层12之间并与对应的薄膜晶体管11连接，阴极16覆盖像素界定层14并与有机发光层15的顶侧相接。薄膜晶体管11与阳极13连接，以控制阳极13的电压。有机发光层15在阳极13和阴极16的电场驱动下，发出光线。为了提高有机发光层15的发光亮度，需要降低阴极16的电阻，以增加阴极16的导电性能。在图1a中，采用蒸镀法在阴极16上制作了辅助阴极17，辅助阴极17与阴极16相连接。辅助阴极17的材料可以使用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、金(Au)等金属。由于金属材料的透光性差，因此，通常将辅助阴极17制作在像素界定层14的上方，以避免辅助阴极17影响有机发光层15的出光，如图1a所示。由于像素界定层14所在区域的限制，大大限制了辅助阴极17的面积，如图1b所示，图1b为如图1a所示的OLED面板的俯视结构示意图。从图1b中可以看出，由于像素界定层14的面积较小，从而限制了辅助阴极17的面积，在图1b中，辅助阴极17为窄条状，这样的辅助阴极17虽然一定程度上提高了阴极16的导电性能，但不能使得阴极的导电性能无法完全满足需求。另外，采用蒸镀法制作辅助阴极17时，需要使用高精度蒸镀掩膜版。而金属材料蒸镀到掩膜版上后，无法通过清洗工艺去除，所以该掩膜版在使用几次后就要报废，导致OLED面板的生产成本较高。
图2为现有技术中另一种顶发射OLED面板的结构示意图。与图1不同的是，在图2中，辅助阴极17设置在封装基底18上，并且在辅助阴极17上沉积有一层透明电极19。透明电极19可以使用ITO、IZO等透明导电材料。在封装制程中，通过对盒工艺使封装基底18上的透明电极19和阴极16贴合在一起，使得辅助阴极17与阴极16连接，以降低阴极16的电阻。从图2中可以看出，在基底10和封装基底18通过封装胶20连接。封装胶20将薄膜晶体管11、OLED器件、辅助阴极17和透明电极19等包围其中，实现OLED面板的阻水氧性能。但图2的OLED面板无法使用薄膜封装，使得OLED面板的阻水氧性能大大降低。
为了解决现有技术中OLED显示面板阴极的导电性能无法完全满足需求的技术问题，本发明实施例提供了一种OLED面板及其制备方法。图3为本发明提出的OLED面板的结构示意图。该OLED面板包括设置在基底上的多个OLED器件40，还包括辅助阴极17。辅助阴极17设置在OLED器件的阴极16上，并位于发光区域。辅助阴极17的材质为透明氧化物。该OLED面板的制备方法包括在基底形成多个OLED器件；在OLED器件的阴极上形成辅助阴极，所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物。
本发明实施例的方法通过将辅助阴极设置在发光区域，发光区域的面积较大，从而扩大了辅助阴极的面积，大大降低了阴极的电阻，使得阴极的导电性能可以完全满足需求，提升了面板的亮度均一性。
下面将通过具体的实施例详细说明本发明实施例的技术方案。
第一实施例：
图3为本发明第一实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图。从图3中可以看出，该OLED面板包括设置在基底10上的多个OLED器件40，还包括辅助阴极17。辅助阴极17设置在OLED器件的阴极16上，并位于发光区域。辅助阴极17的材质为透明氧化物。
如图3所示，该OLED面板还包括依次设置在基底10上的多个薄膜晶体管11、覆盖薄膜晶体管11的绝缘层12，OLED器件40设置在绝缘层12上。OLED器件40与薄膜晶体管11对应。OLED器件40包括通过像素界定层14限定的有机发光层15、位于有机发光层15底侧的阳极13和位于有机发光层15顶侧的阴极。阳极13位于有机发光层15与绝缘层12之间，并与对应的薄膜晶体管11连接。阴极16覆盖像素界定层14并与有机发光层15的顶侧相接。有机发光层15在阳极13和阴极16的电场驱动下发光，有机发光层15所在的区域即为发光区域。为了有利于有机发光层的出光，阴极16的材料可以为透明氧化物，如IZO、ITO等。由于透明氧化物本身具有一定的阻水性能，所以当用透明氧化物制作阴极16时，更有利于采用喷墨打印法制备辅助阴极17。
辅助阴极17设置在阴极16上并位于发光区域。也就是说，辅助阴极17在基底10上的正投影可以完全位于发光区域内，也可以部分位于发光区域内。由于发光区域面积较大，因此，当在阴极16上形成辅助阴极17时，辅助阴极17的面积就大大增大，使得阴极16的导电性能大大提高，可以完全满足需求，同时提高了面板的亮度均一性。从图3中可以看出，辅助阴极17设置在阴极16上并横跨有机发光层15所在区域即发光区域。为了更好地降低阴极的电阻，提高阴极的导电性能，优选地，相邻的两个辅助阴极17相互连接。从而使得辅助阴极17的面积更大，进一步提高了阴极16的导电性能。在图3中可以看出，相邻的两个辅助阴极17在之间的像素界定层14上连接为一体。图4为本发明第一实施例顶发射OLED面板的俯视结构示意图。在图4中，该OLED面板的有机发光层呈“品”字形排列，每列中相邻的两个有机发光层对应的辅助阴极相互连接，即辅助阴极呈纵向连接。本领域技术人员容易理解的是，当有机发光层呈矩阵式排列或其他排列方式时，可以根据需要使辅助阴极呈纵向连接或横向连接。当然，也可以使辅助阴极同时纵向连接和横向连接。相互连接的辅助阴极，可以从整体上增加阴极的厚度和面积，降低阴极的电阻，提高阴极的导电性能。
为了避免辅助阴极17影响有机发光层15的出光效率，优选地，辅助阴极17的材料为透明氧化物，如铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)中的一种或多种。由透明氧化物制作的辅助阴极17不仅可以降低阴极16的电阻，增加阴极16的导电性能，而且具有较好的光透过性。在本实施例中，辅助阴极17的出光面朝向出光方向凸出，优选地，辅助阴极17的出光面呈朝向出光方向凸出的球面。辅助阴极17的出光面朝向出光方向凸出时，使得辅助阴极17具有了凸透镜的功能，从而可以将有机发光层15发出的光线汇集，提高OLED发光层的出光效率，提升面板的亮度。再者，为了降低面板的成本，可以通过溶液法工艺制程将用于制作辅助阴极的材料制成溶液，并通过喷墨打印法制备出辅助阴极17。通过喷墨打印法制备辅助阴极17，而不再使用蒸镀法制备辅助阴极17，就不再需要使用蒸镀掩膜版，降低了面板的成本。
在本实施例中，如图3所示，该OLED面板还包括薄膜封装结构。薄膜封装结构设置在辅助阴极17上并覆盖到绝缘层12上。本实施例中的薄膜封装结构包括第一无机封装层31。第一无机封装层31设置在辅助阴极17上并覆盖到绝缘层12上。从而，在第一无机封装层31和绝缘层12之间形成封闭的密闭空间。阳极13、有机发光层15、阴极16、辅助阴极17和像素界定层14均位于该封闭的密闭空间内，从而提高了OLED面板的阻水氧性能。
第二实施例：
图5为本发明第二实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图。与第一实施例不同的是，在本实施例中，如图5所示，薄膜封装结构还包括依次设置在第一无机封装层31上的有机封装层32和第二无机封装层33。有机封装层32在基底10上的投影包含阴极16在基底上10的投影，有机封装层32在基底10上的投影位于第一无机封装层31在基底10上的投影内部。第二无机封装层33在基底10上的投影包含有机封装层32在基底10上的投影。
在这里，有机封装层32可以向面板提供平坦的表面，从而可以在有机封装层32的上表面上制作出平坦的第二无机封装层33。为了防止有机封装层32被水氧，因此要使得有机封装层32在基底10上的投影位于第一无机封装层31在基底10上的投影内部，并且有机封装层32在基底10上的投影同样位于第二无机封装层33在基底10上的投影内部。这样的结构，第一无机封装层31和第二无机封装层33就可以将有机封装层32包覆其中，避免有机封装层32的水氧。
这样的薄膜封装结构，进一步提高了薄膜封装结构与绝缘层12之间的封闭空间的密闭性，进一步提高了OLED面板的阻水氧性能，提高了OLED面板的寿命。
第三实施例：
图6为本发明第三实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图。与第一实施例不同的是，在本实施例中，如图6所示，OLED面板还包括封装基底18和封框胶20。封装基底18设置在OLED面板的背离基底10的一侧，在图6中，基底10位于面板底侧，封装基底18位于面板顶侧。封框胶20设置在绝缘层12的外围。基底10和封装基底18通过封框胶20连接。这样，基底10、封装基底18和封框胶20之间形成封闭的密闭空间，将OLED器件等包围其中，进一步提高了OLED面板的阻水氧性能。
第四实施例：
图7为本发明第四实施例顶发射OLED面板的截面结构示意图。与第二实施例不同的是，在本实施例中，如图7所示，OLED面板还包括封装基底18和封框胶20。封装基底18设置在薄膜封装结构的背离基底10的一侧。封框胶20设置在绝缘层12的外围。基底10和封装基底18通过封框胶20连接。这样，基底10、封装基底18和封框胶20之间形成封闭的密闭空间，将OLED器件等包围其中，进一步提高了OLED面板的阻水氧性能。
需要说明的是，以上实施例中的基底和封装基底可以采用玻璃等刚性基材，也可以采用聚酰亚胺(PI)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等柔性基材，以应用于柔性面板。
第五实施例：
基于上述实施例的发明构思，本发明第五实施例提出了一种OLED面板的制备方法。图8为本发明第五实施例OLED面板制备方法的流程示意图，包括：
S1：在基底上形成多个OLED器件；
S2：在OLED器件的阴极上形成辅助阴极，辅助阴极位于发光区域，辅助阴极的材质为透明氧化物。
其中，辅助阴极的出光面朝向出光方向凸出。
在一个实施例中，S2可以包括：
采用溶液法工艺制程，制备包含有透明氧化物的溶液；
采用喷墨打印法在位于发光区域的阴极上打印出所述溶液；
固化打印出的溶液，形成辅助阴极，辅助阴极位于发光区域。
由于有机发光层不能承受高温，优选地，对打印在OLED器件的阴极上的溶液进行固化时，固化温度为70℃～90℃，优选为70℃～80℃，以避免对有机发光层造成损害。
为了防止面板上其他材质被水氧，优选地，制备出的包含有透明导电材料的溶液的含水氧量为0.8ppm～1.2ppm，优选地为为0.8ppm～1ppm。
下面通过该OLED面板的制备过程详细介绍本发明的技术方案。
首先，在基底上形成多个薄膜晶体管11，并形成覆盖所述多个薄膜晶体管的绝缘层12。这一过程可以采用现有已知技术，在此不再赘述。需要说明的是，形成的绝缘层12上设置有用于暴露薄膜晶体管11的漏电极的过孔，如图9所示。
然后，在绝缘层上形成与薄膜晶体管相对应的OLED器件。具体包括：在绝缘层12上形成OLED器件的阳极13，阳极13通过绝缘层12上的过孔与对应的薄膜晶体管11的漏电极连接；在形成阳极13的绝缘层12上形成用于限定有机发光层所在区域的像素界定层14；在像素界定层14限定的区域内形成有机发光层15；形成OLED器件的阴极16，阴极16覆盖像素界定层14并与有机发光层15的顶侧相接，如图10所示。其中，阴极16的材料可以为透明氧化物，如IZO、ITO等。阴极16的厚度为500埃～1500埃。
再然后，在OLED器件的阴极上采用喷墨打印法形成辅助阴极，辅助阴极位于有机发光层所在的区域即发光区域，辅助阴极的出光面朝向出光方向凸出，辅助阴极的材质为透明氧化物。具体包括：采用溶液法工艺制程，制备包含有透明氧化物的溶液，该溶液的含水氧量为0.8ppm～1.2ppm，从而可以避免其他膜层被溶液水氧；采用喷墨打印法在位于发光区域的阴极16上打印出溶液；对打印在OLED器件的阴极16上的溶液进行固化，固化温度优选为70℃～80℃，形成辅助阴极17，辅助阴极17位于发光区域，辅助阴极17的出光面朝向出光方向凸出，如图11所示。其中，辅助阴极17的材料为透明氧化物，如IZO、ITO、ZnO、In2O3中的一种或多种。由于溶液的表面张力作用，形成的辅助阴极17的出光面朝向出光方向凸出，这样的辅助阴极17可以提高有机发光层15的出光效率，从而提升面板的显示亮度。而且形成的位于相邻两个发光区域的辅助阴极17相互连接，有利于降低阴极的电阻，提高阴极的导电性能。在形成辅助阴极时，可以通过控制溶液滴数控制辅助阴极的厚度，优选地，辅助阴极17的中心厚度为1000埃～2000埃。
其次，形成薄膜封装结构。具体包括：在辅助阴极17上形成覆盖到绝缘层12上的第一无机封装层31；在第一无机封装层31上形成有机封装层32，有机封装层32在基底10上的投影包含阴极16在基底上10的投影，有机封装层32在基底10上的投影位于第一无机封装层31在基底10上的投影内部；在有机封装层32上形成第二无机封装层33，第二无机封装层33在基底10上的投影包含有机封装层32在基底10上的投影，如图12所示。
最后，在基底10上，绝缘层12的外围涂覆封框胶20；在封框胶20的顶部设置封装基底18，并对封框胶20进行固化。基底10和封装基底18通过封框胶20连接。在基底10、封装基底18和封框胶20之间形成封闭的密闭空间，将OLED器件等包围其中，如图7所示。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种OLED面板，包括设置在基底上的多个OLED器件，其特征在于，还包括辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述OLED器件的阴极上，且所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物；
所述辅助阴极的出光面呈朝向出光方向凸出的球面，使所述辅助阴极具有凸透镜功能，所述辅助阴极采用喷墨打印法形成。
2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述辅助阴极的材质为铟锌氧化物或铟锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，相邻的两个辅助阴极相互连接。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的OLED面板，其特征在于，所述面板还包括设置在基底上的多个薄膜晶体管和覆盖多个薄膜晶体管的绝缘层，所述多个OLED器件设置在所述绝缘层上，
所述面板还包括第一无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述辅助阴极上并覆盖到所述绝缘层上，或者，
所述面板还包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述辅助阴极上并覆盖到所述绝缘层上，所述有机封装层设置在所述第一无机封装层上，所述有机封装层在所述基底上的投影包含所述OLED器件的阴极在所述基底上的投影，所述有机封装层在所述基底上的投影位于所述第一无机封装层在所述基底上的投影的内部，所述第二无机封装层设置在所述有机封装层上，所述第二无机封装层在所述基底上的投影包含所述有机封装层在所述基底上的投影。
5.根据权利要求4所述的OLED面板，其特征在于，所述面板还包括封装基底和封框胶，所述封装基底设置在所述OLED面板的背离所述基底的一侧，所述封框胶设置在所述绝缘层的外围，所述基底和所述封装基底通过所述封框胶连接。
6.一种OLED面板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底形成多个OLED器件；
在所述OLED器件的阴极上形成辅助阴极，所述辅助阴极位于发光区域，所述辅助阴极的材质为透明氧化物，所述辅助阴极的出光面呈朝向出光方向凸出的球面，使所述辅助阴极具有凸透镜功能；所述在所述OLED器件的阴极上形成辅助阴极，包括：
采用溶液法工艺制程，制备包含有所述透明氧化物的溶液；
采用喷墨打印法在位于发光区域的阴极上打印出所述溶液；
固化打印出的溶液，形成所述辅助阴极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述溶液的含水氧量为0.8ppm～1.2ppm。
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