CN110416431A

CN110416431A - 一种显示面板及显示装置

Info

Publication number: CN110416431A
Application number: CN201910684806.XA
Authority: CN
Inventors: 卢方杰
Original assignee: Yungu Guan Technology Co Ltd
Current assignee: Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date: 2019-07-26
Filing date: 2019-07-26
Publication date: 2019-11-05

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括：设置于衬底基板上的像素限定层，像素限定层包括分隔体和多个用于容置子像素单元的开口区域；子像素单元包括阴极和辅助电极；其中，辅助电极包括第一辅助电极，第一辅助电极覆盖阴极对应开口区域的区域，第一辅助电极的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，金属辅助线用于改善金属纳米线的导电性。该显示面板能够降低阴极电阻，提升显示面板的亮度均一性，同时制作方法简单，便于实现。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术是一种极具发展前景的显示技术，利用该技术制作的有机发光显示面板具有自发光、超轻薄、宽视角、响应速度快、低功耗及可实现柔性显示等优点被广泛应用于显示领域。

目前，顶发光的OLED由于出光方向在阴极一侧，为了增大光的透过率，阴极通常使用透明金属，实现与屏幕边缘电路的连接。然而，保证光的透过率必然要求透明阴极的厚度较薄，导致阴极的导电能力差，电流流过阴极时会产生较大的IR Drop(压降)，因此，距离电源供给点越远的像素上获得的阴极电压越小，导致该像素的显示亮度相比于距离电源供给点较近的像素的显示亮度低，从而使得OLED显示装置的亮度均一性变差，影响显示效果。

发明内容

本发明提供一种显示面板及显示装置，能够降低阴极电阻，提升显示面板的亮度均一性，同时制作方法简单，便于实现。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

设置于衬底基板上的像素限定层，像素限定层包括分隔体和多个用于容置子像素单元的开口区域；子像素单元包括阴极和辅助电极；

其中，辅助电极包括第一辅助电极，第一辅助电极覆盖阴极对应开口区域的区域，第一辅助电极的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，金属辅助线用于改善金属纳米线的导电性。

可选的，辅助电极还包括第二辅助电极，第二辅助电极覆盖阴极对应分隔体的区域。

可选的，辅助电极的厚度为5-10nm。

可选的，第二辅助电极包括金属、氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种；或者，第二辅助电极与第一辅助电极的材质相同、且第二辅助电极和第一辅助电极由同一工艺制备。

可选的，金属纳米线的透光率大于或者等于90％；或者，金属纳米线和金属辅助线的组合透光率大于或者等于85％。

可选的，金属纳米线为银纳米线。

可选的，金属辅助线呈网格状、折线状、环状、不规则形状中的任意一种。

可选的，金属辅助线的材料为银、金、铜中的至少一种。

可选的，在远离衬底基板的方向上，子像素单元还包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括具有上述第一方面任一特征的显示面板。

本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，通过在阴极上方设置辅助电极，辅助电极包括第一辅助电极，第一辅助电极覆盖阴极对应开口区域的区域。由于第一辅助电极的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，金属辅助线用于改善金属纳米线的导电性，既可以保证其下方子像素单元发出的光的透过率，又能够有效降低阴极的电阻，从而提升了显示面板的亮度均一性，同时，由于辅助电极直接设置在阴极的上方，其制作方法简单，便于实现。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

同时，附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书的同样的附图标记表示同样的元件。另外，出于理解和易于描述，附图中可能夸大了一些层、膜、面板、区域等的厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其它元件上或者也可以存在中间元件。另外，“在……上”是指将元件定位在另一元件上或者在另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。为了便于理解，本发明附图中都是将元件画在另一元件的上侧。

另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变形将被理解为暗示包含该元件，但不排除任意其它元件。

还需要说明的是，本发明实施例中提到的“和/或”是指”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。本发明实施例中用“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。并且，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该()”也意图包括复数形式。

当可以不同地实施某个实施例时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上在同一时间执行或者按与所描述顺序相反的顺序来执行。

现有的顶发光的OLED由于出光方向在阴极一侧，为了增大光的透过率，阴极通常使用透明金属，并且要求透明阴极的厚度较薄，如此会导致阴极的导电能力差，电流流过阴极时会产生较大的IR Drop(压降)，因此，距离电源供给点越远的像素上获得的阴极电压越小，导致该像素的显示亮度相比于距离电源供给点较近的像素的显示亮度低，从而使得OLED显示装置的亮度均一性变差。为了解决上述问题，本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够降低阴极电阻，提升显示面板的亮度均一性，同时制作方法简单，便于实现。

下面，对显示面板、显示装置的结构及其技术效果进行详细描述。

其中，下述实施例中均是以显示面板为矩形进行附图绘制和举例说明的，在实际的应用中，显示面板还可以为圆形、多边形等规则或者不规则的形状，本发明对此不作具体限制。同时，为了更清晰地描述显示面板中的辅助电极的结构，本发明实施例下述附图中相应的调整了显示面板中各结构的大小。

图1示出了本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，该显示面板包括：衬底基板10；设置于衬底基板10上的像素限定层20，像素限定层20包括分隔体21和多个用于容置子像素单元30的开口区域22，相邻的开口区域22由分隔体21分隔开；子像素单元30在远离衬底基板10的方向上，依次包括阳极31、空穴注入层(图1中未画出)、空穴传输层(图1中未画出)、发光层32、电子传输层(图1中未画出)、电子注入层(图1中未画出)、阴极33和辅助电极34，各子像素单元的阴极33覆盖像素限定层20并连为一体。

辅助电极34包括第一辅助电极42，第一辅助电极42覆盖阴极33对应开口区域22的区域。第一辅助电极42的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，所述金属辅助线用于改善所述金属纳米线的导电性。需要说明的是，本发明实施例中提到的金属纳米线和金属辅助线是叠层设置的，即在远离衬底基板10的方向上，金属纳米线可以位于金属辅助线的上方，也可以位于金属辅助线的下方。

可选的，辅助电极34的厚度可以近似等于阴极33的厚度。示例性的，辅助电极34的厚度为5-10nm，如此，既可以保证降低阴极电阻，又不会增大显示面板的厚度。优选的，辅助电极34的厚度为10nm。

金属纳米线是一种由金属组成的纳米尺度的线，即一种具有在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。金属纳米线可以为镍(Ni)，铂(Pt)，金(Au)等任意的金属材质。金属纳米线除具有金属优良的导电性之外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此，第一辅助电极42虽覆盖阴极33对应开口区域22的区域，但是并不会对子像素单元30的出光产生影响。

可选的，金属纳米线的透光率大于或者等于90％，或者，金属纳米线和金属辅助线的组合透光率大于或者等于85％，以保证子像素单元30的出光。其中，金属纳米线和金属辅助线的组合透光率是指金属纳米线和金属辅助线叠层设置之后整体的透光率。优选的，金属纳米线为银纳米线，其中，银是电的良导体，其电阻率低，导电率高，保证了辅助电极34降低阴极电阻的效果。

金属辅助线位于金属纳米线的上方或者下方，用于搭接金属纳米线，改善金属纳米线之间的空隙导致的导电性差和金属纳米线松散的问题，提高辅助电极34的导电性。

可选的，金属辅助线的材料为银、金、铜中的至少一种。

可选的，金属纳米线可以通过蒸镀、磁控溅射、激光气相法和旋涂法中的任意一种方法制备得到；金属辅助线可以通过喷墨打印技术或者其他方法制备得到，本发明实施例在此不做具体限定。

图2示出了本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，该显示面板包括：衬底基板10；设置于衬底基板10上的像素限定层20，像素限定层20包括分隔体21和多个用于容置子像素单元30的开口区域22，相邻的开口区域22由分隔体21分隔开；子像素单元30在远离衬底基板10的方向上，依次包括阳极31、空穴注入层(图2中未画出)、空穴传输层(图2中未画出)、发光层32、电子传输层(图2中未画出)、电子注入层(图2中未画出)、阴极33和辅助电极34，各子像素单元的阴极33覆盖像素限定层20并连为一体。

辅助电极34包括第二辅助电极41和第一辅助电极42，第二辅助电极41覆盖阴极33对应分隔体21的区域，第一辅助电极42覆盖阴极33对应开口区域22的区域。

结合图2可以看出，第二辅助电极41和第一辅助电极42可以由同一工艺制备，第二辅助电极41的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，第一辅助电极42的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线(即第二辅助电极41与第一辅助电极42的材质相同)。由于第二辅助电极41和第一辅助电极42的膜层中均包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，第二辅助电极41和第一辅助电极42可以在同一道工序中形成，如此，既可以保证辅助电极34的整体厚度，防止辅助电极层出现高低不平的情况，又可以简化辅助电极34的制作工序。

需要说明的是，本发明实施例中提到的金属纳米线和金属辅助线是叠层设置的，即在远离衬底基板10的方向上，金属纳米线可以位于金属辅助线的上方，也可以位于金属辅助线的下方。

可选的，金属辅助线的材料为银、金、铜中的至少一种。

示例性的，以在远离衬底基板10的方向上，金属纳米线位于金属辅助线的下方为例，辅助阴极的制作方法可以包括以下两个步骤：

步骤1、在阴极32的上方通过蒸镀、磁控溅射、激光气相法和旋涂法中的任意一种方法形成金属纳米线层。

步骤2、在金属纳米线层上方通过喷墨打印技术或者其他方法(例如沉积)形成金属辅助线层。

其中，金属纳米线层和金属辅助线层均覆盖阴极32并连为一体。

本发明实施例采用叠层设置的金属纳米线和金属辅助线制备第二辅助电极41和第一辅助电极42，保证了子像素单元发出的光的透过率，同时，第二辅助电极41和第一辅助电极42能够有效降低阴极的电阻，从而提升了显示面板的亮度均一性，并且由于第二辅助电极41和第一辅助电极42直接设置在阴极33的上方，其制作方法简单，便于实现。

图3示出了本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图，该显示面板包括：衬底基板10；设置于衬底基板10上的像素限定层20，像素限定层20包括分隔体21和多个用于容置子像素单元30的开口区域22，相邻的开口区域22由分隔体21分隔开；子像素单元30在远离衬底基板10的方向上，依次包括阳极31、空穴注入层(图3中未画出)、空穴传输层(图3中未画出)、发光层32、电子传输层(图3中未画出)、电子注入层(图3中未画出)、阴极33和辅助电极34，各子像素单元的阴极33覆盖像素限定层20并连为一体。

结合图3可以看出，第二辅助电极41包括金属、氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种，第一辅助电极42的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线。如此，可以保证辅助电极34处于同一厚度，防止由于辅助电极层出现高低不平的情况。

由于第二辅助电极41仅覆盖阴极33对应分隔体21的区域，因此，第二辅助电极41不管由什么材料组成，都不会遮挡子像素单元30发出的光，因此，第二辅助电极41可以选用金属、氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种材料制备，或者，第二辅助电极41可以选用与阴极33相同的材料制备。第一辅助电极42覆盖阴极33对应开口区域22的区域，第一辅助电极42的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，能够保证像素单元30的出光。第二辅助电极41材料使用金属而不是金属纳米线能够降低辅助电极34的成本。

可选的，金属辅助线的材料为银、金、铜中的至少一种。

示例性的，以在远离衬底基板10的方向上，金属纳米线位于金属辅助线的下方为例，辅助阴极的制作方法可以包括以下三个步骤：

步骤1、在阴极32对应开口区域22的区域上方通过蒸镀、磁控溅射、激光气相法和旋涂法中的任意一种方法形成金属纳米线层。

步骤3、在阴极32对应分隔体21的区域上方通过喷墨打印技术或者其他方法(例如沉积)形成第二辅助电极41。

需要说明的是，步骤3可以在步骤2执行后执行，也可以在步骤1执行前执行，本发明实施例对此不作具体限制。

本发明实施例采用金属制备第二辅助电极41、采用叠层设置的金属纳米线和金属辅助线制备第一辅助电极42，保证了子像素单元发出的光的透过率，同时，第二辅助电极41和第一辅助电极42能够有效降低阴极的电阻，从而提升了显示面板的亮度均一性，并且由于第二辅助电极41和第一辅助电极42直接设置在阴极33的上方，第二辅助电极41的材质为金属，其制作方法简单，成本低廉，便于实现。

在上述技术方案的基础上，参考图2和图3，图4示出了本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，该显示面板包括：衬底基板10；设置于衬底基板10上的像素限定层，像素限定层包括分隔体21和多个用于容置子像素单元的开口区域22，相邻的开口区域22由分隔体21分隔开；子像素单元在远离衬底基板10的方向上，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和辅助电极34，各子像素单元的阴极覆盖像素限定层并连为一体。

辅助电极34包括第二辅助电极41和第一辅助电极42，第二辅助电极41覆盖阴极对应分隔体21的区域，第一辅助电极42覆盖阴极对应开口区域22的区域。

由于第一辅助电极42包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，金属辅助线可以如图4所示，呈网格状排列。

可以理解的是，除上述图4所示的金属辅助线呈网格状排列外，金属辅助线还可以呈折线状、环状、不规则形状等形状中的任意一种排列，本发明实施例对此不作具体限制。

本发明实施例还提供一种显示装置，图5示出了本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图5所示，该显示装置50包括本发明任意实施例提供的显示面板51。

其中，显示面板51可以为柔性有机发光显示面板或者非柔性有机发光显示面板。该有机发光显示面板的发光模式可以是顶发光、底发光或者双面发光。

本发明实施例提供的显示装置50，可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中，也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

设置于衬底基板上的像素限定层，所述像素限定层包括分隔体和多个用于容置子像素单元的开口区域；所述子像素单元包括阴极和辅助电极；

其中，所述辅助电极包括第一辅助电极，所述第一辅助电极覆盖所述阴极对应所述开口区域的区域，所述第一辅助电极的膜层中包括叠层设置的金属纳米线和金属辅助线，所述金属辅助线用于改善所述金属纳米线的导电性。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极覆盖所述阴极对应所述分隔体的区域。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的厚度为5-10nm。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二辅助电极包括金属、氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种；或者，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极的材质相同、且所述第二辅助电极和所述第一辅助电极由同一工艺制备。

5.根据权利要求1或4所述的显示面板，其特征在于，所述金属纳米线的透光率大于或者等于90％；或者，所述金属纳米线和所述金属辅助线的组合透光率大于或者等于85％。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述金属纳米线为银纳米线。

7.根据权利要求1或4所述的显示面板，其特征在于，所述金属辅助线呈网格状、折线状、环状、不规则形状中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述金属辅助线的材料为银、金、铜中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在远离所述衬底基板的方向上，所述子像素单元还包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的显示面板。