JP2022510343A - 放射線センサーおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

放射線センサーは、基板と、その上の放射線感受性チップと、チップ側部表面に接合され、チップを取り囲む放射線不透過性フレームと、チップの上方の放射線透過性層とを有している。フレームは、その内周部の実質的な部分に沿って、チップの上側縁部の上方に突出していないかまたは実質的に突出していない。放射線透過性層の値は、チップの上方に横方向に突出しており、フレームの上にあるか、または、フレームの上方にある。

Description

本発明は、放射線センサーに関し、また、放射線センサーの製造方法に関する。

現代の放射線センサーは、異なる境界条件（ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）を満たさなければならない。一方では、それらは、それらが機器および構造体（そして、それらも小さい）の中へ一体化され得るように、十分に小さくなければならない。そのうえ、それらは、放射線に対するそれらの応答挙動において容易に選択可能なスペクトル特性を有するべきであり、たとえば、それらが、入射放射線に従った電気信号の発生のために、スペクトルの可視光範囲（４００ｎｍから８００ｎｍ）、赤外線範囲（波長＞８００ｎｍ）、または紫外線範囲（波長＜４００ｎｍ）の中の特定の波長範囲を、具体的に選択するかまたは直接的に除外するかのいずれかを行うようになっている。そのうえ、顕著な振動および衝撃を伴う機械的に要求の高い環境において、または、多数のおよび／または大きい温度サイクルを伴う熱的に要求の高い環境において、放射線センサーが使用されることとなるときに、センサーの配線も恒久的に耐久性があるということに注意が払われなければならない。ここで考慮中の種類の放射線センサーは、たとえば、可視スペクトル範囲においておよび／または赤外線において感受性の高いフォトダイオードまたはフォトトランジスターであることが可能である。

放射線センサーは、原則として、入射放射線に従って電気信号を発生させる放射線感受性チップを有している。波長範囲の透過または遮断において所望の放射線選択性を有するフィルター層が、チップ上側表面に適用されるという点において、波長選択性が確立され得る。そのようなフィルター層は、典型的に、チップと比較して相対的に薄い。そのようなフィルターは、原則として、フィルター層の適用の後に分離される大面積チップ構造体の上の大きい面積にわたって適用される。このように、フィルター層は、上側表面をカバーするが、チップの側部表面をカバーせず、側部表面は、それ自体、放射線に対して感受性が高く、任意の種類の放射線がチップの側部表面に入射する場合には、側部表面がチップ上側表面の放射線選択性を損なう可能性があるようになっている。

そのうえ、チップ上側表面がますます小さくなるにつれて、それに比例して、入射変換可能放射線パワー（ｉｎｃｉｄｅｎｔ ｃｏｎｖｅｒｔｉｂｌｅ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ）がますます小さくなる。したがって、設計に起因する放射線収集および放射線変換に対する制限が、回避されなければならない。

公知の放射線センサーの構成が、図８ａから図８ｃに示されている。

図８ａは、金属モールドを使用した構成を示している。それは、チップの側壁部が露出されるため、チップの上側表面に適用されているカラーフィルターがバイパスされるという不利益を有している。

図８ｂは、独国特許出願公開第１０２０１５１１６２６３号明細書から同様の様式で知られているような、事前に形状決めされた導体構造体およびフレーム構造体を有するセンサーチップを示している。フレームは、所定の距離においてセンサーチップを取り囲んでおり、透明な鋳造コンパウンドのその後の充填のために、センサーチップの上方に突出している。また、この構成は、側壁部を十分にカバーしていない。チップ上側表面の上方に突出しているフレームは、斜めの入射のときに入射放射線の遮蔽を結果として生じさせ、したがって、感度低減を結果として生じさせる。

図８ｃは、ＦＡＭ（フィルム支援成形：ｆｉｌｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｍｏｌｄｉｎｇ）技法を使用して、フレームがセンサーチップに横方向に成形される構成を示している。フレームは、さらなる透明な層の材料のその後の充填のために、チップの上側表面の上方に突出している。また、チップ表面のマージン領域（ｍａｒｇｉｎａｌ ｒｅｇｉｏｎ）も、フレーム材料によって局所的にカバーされ得る。被覆体は、放射角度から独立して、センサー感度を低減させる。高いマージンは、図８ｂに示されている実施形態においてすでに示されているように、少なくとも放射線の斜めの入射のときに、遮蔽の結果を有する。したがって、この実施形態においても、感度が制限される。

独国特許出願公開第１０２０１４１００７４３号明細書は、コンポーネント製造におけるフィルム支援成形プロセスを説明している。

本発明の目的は、容易に設定可能な波長選択性を有すると同時に、小さい構成によって良好な感度を有する放射線センサーを提供することである。また、そのようなセンサーの製造方法が提供されるべきである。

上記の目的は、独立請求項の特徴によって満たされる。

放射線センサーは、請求項１の特徴を有している。放射線センサーは、基板と、（直接的にまたは間接的に）その上の放射線感受性チップと、チップ側部表面に接合され、チップを取り囲む放射線不透過性フレームとを含む。放射線透過性層は、チップの上方に適用されているか、または、（存在する場合に）チップの上側表面の上に位置付けされているフィルター層の上方に適用されている。フレームは、チップの上側縁部において、チップの内周部の実質的な部分の上方に突出していないか、または、無視できる程度にだけ突出している。放射線透過性層は、チップを越えて、ひいては、フレームの上方に、横方向に延在しており、フレームの上または上方に横たわっていることが可能である。

「横方向」という用語は、基板表面と平行の範囲を意味している。「垂直方向」は、それとは対照的に、基板表面に対して垂直の方向を意味している。

放射線不透過性フレームは、チップを横方向に取り囲むことが可能であり、とりわけ、チップの合計高さにわたって、チップの側部表面に接触することが可能である。放射線不透過性フレームは、とりわけ、垂直方向において、フレームの内周部の実質的な部分に沿って、チップの上側縁部の上方に、または、チップの上側表面の平面の上方に、突出していないか、または、実質的に突出しておらず、また、フレームは、フレームの内周部のこの部分に沿って、横方向にチップの上側表面をカバーしていない。しかし、これは、以下に説明されることとなるように、とりわけ、フレームの中への１つまたは複数のボンドワイヤーの埋め込みの可能性に関して、フレームの全内周部に適用する必要はない。また、放射線不透過性フレームは、とりわけ、それがチップの上側縁部よりも低くならないようにまたは実質的に低くならないように位置決めされるように構成され得る。

フレームの「内周部」は、とりわけ、チップの側部表面に沿ったフレームの周辺部として理解され得る。フレームの内周部の前記「実質的な部分」は、フレームの全内周部における経路セクションとして定義され得、この周辺部の少なくとも３０％、少なくとも５０％、少なくとも７０％、または少なくとも８０％になっていることが可能である。技術的な生産の理由のために、意図的なおよび／または非意図的な結果は、周辺部の上方から見て連続していない複数のポイントにおいて、フレームがフレーム縁部の上方にわずかな程度を超えて突出するということである可能性がある。また、上方に実質的に突出されていないフレーム縁部の領域は、次いで、周辺部にわたって見て連続していない。上記の寸法は、次いで、個々の領域の長さの総和に関係している。

フレームがセンサーチップの横方向の表面に接触するように、放射線不透過性フレームをセンサーチップに取り付けることは、横方向の表面がカバーされており、したがって、放射線変換として作用しないという効果を有する。したがって、センサー上側表面の上に提供されるフィルター層は、放射線によってバイパスされることができない。フレームは、チップ上側表面の上方に実質的に突出していないので、遮蔽構造体またはセンサーチップ上側表面を直接的にカバーする構造体は、そのうえ、それによって提供されないか、または、わずかの程度にだけ提供され、感度障害もこの程度に低減されるようになっている。

そのうえ、チップの上方に横方向に突出している放射線透過性層は、とりわけ、散乱、多重散乱、反射、および多重反射によって、より多くの放射線が、チップ上側表面の外側からチップ上側表面に向けてそれを通して伝導され得るという結果を有しており、感度の向上が、この効果によって存在するようになっている。

したがって、説明されている構成は、一方では、感度を低減させる構造体を回避または低減させ、他方では、感度を向上させる構造体を採用する構造的な特徴を組み合わせる。このように、良好な波長選択性とともに良好な感度も有する放射線センサーが、全体的に提供される。

放射線感受性チップは、典型的に、他の電気的なまたは電子的な構造体に接続されており、原則として、１つまたは複数のボンド接続部によって、キャリア、基板、ボード、導体フレーム、またはリードフレームの上の導体トラックに接続されている。また、本発明の１つの焦点は、これらのボンド接続部の保護にある。一般に、これに関して、２つの可能性が考えられ、それは、一方では、フレームの材料の中へのボンド接続部の鋳造であり、または、放射線透過性層の材料の中へのボンド接続部の鋳造である。

チップに接触するボンドワイヤーは、典型的に、放射線感受性チップの上側表面において係合しており、次いで、少なくとも横方向に引き出され、原則として、次いで、また、ボード、基板、またはリードフレームの上の金属ターゲット表面の上に、下向きに導かれる。そして、それは、基板の他方の側部の上の自由にアクセス可能な接点表面にさらに接続され得（たとえば、それを通して接続されている）、ＳＭＤ（表面実装デバイス）コンポーネントが作り出されるようになっている。

ボンドワイヤーを保護する可能性は、フレームの生産の前にそれらを取り付け、次いで、フレームの生産のときにフレーム材料の中へボンドワイヤーを鋳造することであり、チップの隣に横方向に配設され、キャリア／基板まで下向きに延びるボンド経路が、最初に説明されたフレームのいずれにしても存在する材料の中へ鋳造されるようになっており、また、ボンドワイヤーを保護する可能性は、チップの上方に配設されている１つまたは複数のボンドワイヤーの領域が、チップの上方に部分的に突出しているフレーム材料の部分の中へ鋳造されるように、形状決めを実施するということである。次いで、フレーム材料（それは、それ自体は透明でない）が、チップの上側表面の特定の領域をカバーすることとなる。そのような実施形態において、フレーム材料の１つまたは複数の連続したそのようなパーツが提供され得、それは、垂直方向にチップの上側表面の上方に突出しており、横方向にそれをカバーしている。

フレーム材料は、その熱膨張係数において、ボンド材料または他のコンポーネント（とりわけ、基板）の熱膨張係数に容易に適合され得、たとえば、高い温度差が高速で経験される可能性があり、また、恐らく高速で経験される場合において、放射線センサーが、温度が重要な用途に使用され得るときに、この構成が、とりわけ提供されることとなるようになっている。これは、自動車製造において当てはまる可能性がある。

ボンドワイヤーを保護する別の可能性は、放射線透過性層の材料の中にそれらを埋め込むことである。この構成において、フレームは、ボンド接続部を確立する前に、チップの周りに作り出され、実際に、それがチップの横方向に隣に凹部を有するようになっており、凹部は、ボンド接続部のターゲット表面まで下に延在している。このように設計されているフレームの生産の後に、ボンド接続部は、次いで、チップ上側表面から凹部を通して基板表面の上に導かれ得る。次いで、すでに述べられた放射線透過性層が、チップ上側表面に、および、チップ上側表面の隣のフレームに適用される。また、それは、そのように行う際に、ボンド接続部をカバーする。また、それは、フレームの中の開口部の中へ延びることが可能であり、次いで、開口部の中にボンドワイヤーを鋳造し、それらを保護することも可能である。

ボンドワイヤーおよび放射線透過性層の設計は、この実施形態では、放射線透過性層が、チップ上側表面の上のボンドワイヤーを完全に包むようになっている。この構成では、被覆材料がチップ上側表面の上に全く存在しておらず、良好な感度が結果として生じるようになっている。熱膨張係数に対する関係は、温度がそれほど重要でない用途に関して、それらが完全に十分であるようになっている。

説明されている実施形態において、センサーチップは、最終的に、１つの、２つの、またはそれ以上の放射線透過性層を有することが可能であり、とりわけ、可能な場合に、チップ生産においてその上側表面の上に直接的に適用されたフィルター層を有することが可能であり、加えて、センサー生産のときに適用される上述の放射線透過性層、および、可能な場合に、１つまたは複数のさらなる層を有することが可能である。放射線透過性層は、保護機能を有しており、また、チップ上側表面の外側の領域からの説明されている放射線収集機能を有している。そして、それは、また、フィルタリングまたは波長選択的なものとして設計され得、次いで、チップの直接的に上のフィルター層に加えて、フィルタリング効果を有することが可能である。

フィルター層および／または放射線透過性層の波長選択性は、スペクトルのＩＲ範囲、可視光範囲、および／またはＵＶ範囲の中の波長または波長範囲を、それらが遮断または透過するように設計され得る。

フレームの材料は、熱可塑性のまたは熱硬化性のプラスチックであるかまたはそれを含むことが可能であり、材料混合物であることが可能である。それは、好ましくは、最初に流動可能なまたは鋳造可能なプラスチックであり、それは、次いで、硬化可能であるか、または、人工樹脂を含む。材料混合物は、粒子状のまたは粉末状の充填剤（ｆｉｌｌｅｒ）を有することが可能であり、充填剤は、とりわけ、全体としてフレーム材料混合物が適合された膨張係数を有するように、熱膨張係数を有している。その膨張係数αは、ボンドワイヤーまたは放射線センサーの基板の材料の膨張係数の３０％から２００％の間の範囲にあることが可能である。充填剤材料は、ガラス粒子もしくはガラスダスト、シリカ、もしくはセラミック、またはそれに類するものを含むことが可能である。

放射線不透過性フレームは、上記に述べられているように、チップの上側縁部の上方に突出しているべきではなく、または、「実質的に」突出しているべきではない。後者は、とりわけ、フレームが実際のチップの側部表面に接合されているだけでなく、チップの上側表面に適用されたフィルター層の側部表面にも適用されており、したがって、垂直方向に実際のチップの上側表面の上方にすでに突出しているときに、存在することが可能である。上述のフレームの「実質的でない」突出は、とりわけ、さらに一般的に表現されると、チップ上側表面の上方の、チップマージンにおけるまたはチップの周辺上側縁部におけるフレームの高さを指定しており、それは、基板と平行の方向にチップの最大範囲の最大でも１０％、最大でも５％、最大でも３％、最大でも２％、または最大でも１％になっていることが可能である。最大範囲は、長方形チップ外形を有する外形の対角線であることが可能である。それは、丸い外形を有する直径であることも可能である。説明されているようにチップの上方のフレーム材料の突出の寸法に関して、寸法は、チップの上側表面を直接的に指すことが可能であり、または、その上方のフィルター層の上側表面を指すことが可能である。説明されているようにチップの上側縁部に対する下側位置に関して、同じ考慮事項が適用される。そのようなプラスまたはマイナスの偏差は、製造に起因して生じる可能性があるが、それは意図されておらず、少なくともチップの周辺上側縁部において直接的には生じない。

しかし、フレームまたはフレームの領域は、チップの上側縁部の外側に横方向に、および、とりわけ、チップから横方向に間隔を離して、チップ上側表面を越えて垂直方向に突出していることが可能である。そのような突出している領域は、環状の壁部の様式でチップを取り囲むことが可能であり、たらい若しくは盆（ｂａｓｉｎ、以下、たらい形状ともいう）または桶若しくは槽（ｔｕｂ、以下、桶形状ともいう）が提供されるようになっており、放射線透過性層の材料が、生産時に、その後に、次いで依然として液体の形態でその中へ注ぎ込まれ得、それは、その中で硬化することが可能である。チップ上側表面の上方の壁部の高さは、その最大範囲と比較して小さくなっていることが可能である。それは、最大範囲の３％超または５％超になっていることが可能であり、最大範囲の２０％未満、１５％未満、または１０％未満になっていることが可能である。その設計は、突出している領域の最も高いポイントが、最大範囲の少なくとも１０％または少なくとも２０％だけ、チップ縁部から間隔を離して配置されるか、または、センサーエレメントのマージンにあるようになっていることが可能である。また、フレームの垂直方向の突出は、フレーム全周辺部に沿って、または、フレームの周辺部の一部のみに沿って提供され得、フレームの上側縁部からすでに開始することが可能である。ここで、フレームは、浅いファンネル角度を形成することが可能であり、浅いファンネル角度は、ここでは、たとえば、３０°未満、２０°未満、１５°未満、または１０°未満になっていることが可能である。また、突出は、チップの上側縁部から横方向にのみ間隔を離して形成され得、とりわけ、チップからの特定の横方向の間隔とともに開始して連続的に上昇することが可能である。それにもかかわらず、そのような実施形態によって、斜めの入射のときの入射放射線の遮蔽、および、それに関連付けられる感度低減が、少なくとも大部分は回避されるということが保証される。

基板と平行の方向へのチップの最大範囲は、６ｍｍよりも小さいか、４ｍｍよりも小さいか、または２ｍｍよりも小さくなっていることが可能である。

上記に説明されているようなすべてのその構造的な特徴を備えたフレームが、ＦＡＭ（フィルム支援成形）プロセスによって製造され得る。次いで、フレームの鋳造のための成形が、本質的に、リジッドのいくらか金属製のネガティブモールドによって行われる。そのうえ、モールドの表面に追従するフィルムが提供される。また、フィルムは、真空通路を通してモールドの凹形キャビティーの中へ吸い込まれる。フィルムは、一方では、たとえば、シーリングリングと同様の特定の降伏を備えて、それがセンサーチップの上に横たわることが可能であるという点において、シーリング効果を有しており、したがって、フレーム材料が鋳造の間にセンサー上側表面の上に延びることを防止する。これは、実用的には、リジッドの形状によって行われることができない。その理由は、チップ材料自体が脆く、原則として、シーリングに必要とされることとなるように、それがモールドとの強力な接触のときに裂けることとなるからである。そのうえ、フィルムは、鋳造の後にモールドからの完成した製品の解放を促進させる。

基板またはキャリアは、事前製作された電気絶縁性のキャリア、フレーム、またはリードフレームであることが可能であり、それは、適切な導体構造体をすでに提供され得る。導体構造体は、両方の主要表面の上に提供され得、または、その中に埋め込まれ得る。それらは、キャリア材料を通して接続され得る。一方の側部（センサーの将来の外側側部）において、作り出されることとなるコンポーネントの外部電気接点が配設され得る。他方の側部（将来の内側側部）において、内部配線、たとえば、チップに向けてのボンド接続部のためのボンドパットとしてのボンドターゲット、ビアに向けてのライン、および、随意的に、さらなるラインが配設され得る。

センサーエレメントは、放射線感受性チップに加えて、さらなる接続エレメントを有することが可能であり、放射線感受性チップは、また、基板またはリードフレームの上に配置されている。それらは、集積回路として設計され得る。それらは、放射線感受性チップに接続され得、たとえば、チップからの信号の処理、増幅、および／または変換（たとえば、アナログからデジタルへ）のための役割を果たすことが可能である。さらなる回路エレメントが、すでに配線され得、したがって、事前製作された基板の一部であることが可能であり、次いで、また、フレーム材料の中へ鋳造され得る。必要とされる場合に、センサーエレメントは、次いで、たとえば、下側基板側部の上に、２つの、３つの、４つの、またはそれ以上の外部コネクターを有し、ＳＭＤコンポーネント（たとえば、アナログとしてまたはデジタル的に直列に出力され得る信号に関して、少なくとも２つ）、随意的に、電源のための１つまたは２つのさらなるコンポーネント、および、随意的に、制御信号入力および出力のためのさらなるコンポーネントを提供することが可能である。

とりわけ上記に説明されているタイプの放射線センサーを製造する方法は、放射線感受性チップを適切に事前製作された基板に取り付けるステップと、ＦＡＭ（フィルム支援成形）プロセスを使用してフレームをチップの上に鋳造するステップであって、フレームが、チップの外周部に接触しており、フレームの内周部の実質的な部分に沿って、チップの輪郭の周辺上側縁部の上方に突出していないかもしくは実質的に突出していないようになっており、または、周辺上側縁部の下方に落ち込むようになっている、ステップと、チップの上方の、および、少なくともフレームの領域の上方の放射線透過性層を、チップの側部に取り付けるステップとを含む。

実際のセンサーチップの領域において、および、ボンドワイヤーもしくはそれらのための被覆構造体の領域において、または、随意的に、ボンドワイヤーのための通路の領域において、フレームのフィリグリー成形は、前記フレームの生産においてＦＡＭプロセスを使用して可能になる。

ボンドワイヤーの所望のカバーの種類に応じて、他の構造体へのチップのボンド接続は、さらに上記に説明されているように、フレーム生産の前に、または、フレーム生産の後に行われ得る。

製造の様式は、複数のチップが、原則として、パターン化された形態で、大きくて適切に準備された基板またはキャリアに取り付けられ、次いで、たとえば、１０＊２０の最初は連続しているセンサーエレメントのフィールドとして、連続している基板の上で一緒にさらに処理される（フレーム生産、ボンディング、放射線透過性層の適用、．．．）ようになっていることが可能である。共通に作り出された構造体を分割することによる個々のセンサーの分離が、最後にのみ行われる。

第１の１つの共通の基板の上での複数のまたは多数の放射線センサーの共通の生産のときに、すべての放射線センサーのフレームが、共通の鋳造構造体として作り出され得、液体フレーム材料が、最初は液体の鋳造コンパウンドの中に「孤立した様式で」配設されているチップの周りに鋳造され、および、可能な場合に、すでに結合されたチップの中に鋳造され、可能な場合に、フィルム支援形状がそれを可能にするという条件で、鋳造がさらなる回路エレメントの上方で行われるようになっている。次いで、センサーの分離（分割）が、硬化されたフレーム材料の領域において行われる。

多数の放射線センサーの共通の生産においてフレーム材料の鋳造の後に、比較的に滑らかな表面が存在している場合には、放射線透過性層の材料が、その上に鋳造され得、それが、作り出されることとなるセンサーエレメントの全体にわたって均一に延在するかまたは広げられるようになっており、また、チップを均一にカバーするようになっている。次いで、それが硬化され、次いで、分離のときに分割され得る。

それとは対照的に、個々のセンサーチップの間に配設されており、それらを完全に取り囲むグリッド形状で、隆起した部分が、チップ表面の側部に対してフレームに提供される場合には、結果として生じるたらい形状は、個々のセンサーチップの上方で個別に充填され得る。次いで、材料は、それぞれのケースにおいて、それぞれのたらい形状の中を延び、そのように硬化する。分離は、これらの隆起した部分に沿って切断することによって行われ得る。

しかし、放射線透過性層は、半完成した放射線センサー（とりわけ、フレームをすでに提供されている）、または、未だ分離されていない連続している多数の半完成した放射線センサーが、放射線透過性層の成形に役立つフレームの成形の後に（それが依然として液体であり、液体材料がその中で硬化することができる限りにおいて）、さらなるモールドに追加されるように製造されることも可能である。

本発明の実施形態は、図面を参照して以下に説明される。

放射線センサーを通る断面を示す図である。 放射線センサーの平面図である。 図３ａは、放射線センサーの結合領域を通る断面を示す図である。図３ｂは、放射線センサーの結合領域の平面図である。 図４ａは、放射線センサーの結合領域を通るさらなる断面を示す図である。図４ｂは、放射線センサーの結合領域の平面図である。 寸法決めのための概略図である。 ＦＡＭプロセスの説明のための概略図である。 マージン設計の特徴を示す図である。 先行技術を示す図である。

図１は、場合によっては存在するボンド接続部の側部を越えて放射線センサー１０を通る断面を示している。断面は、図２に示されているように配設されている。

参照数字１４は、基板を指定している。それは、プリント回路基板もしくはセラミック基板、導体フレーム、たとえば、リードフレーム、または同様のものであることが可能である。放射線感受性のセンサーチップ１１は、たとえば、それが接着剤層１３を介して基板１４に接着剤で結合されているという点において、基板１１に取り付けられている。また、基板１４との電気的接触が、ここで提供され得る。そのうえ、チップ１１は、とりわけ、１つまたは複数の中間エレメントまたは中間層を介して、基板１１に間接的にのみ取り付けられ得る。センサーチップは、２つの主要表面１１ｕおよび１１ｏを有することが可能である。下側主要表面１１ｕは、基板１４に面している。接着剤結合部１３が、それにおいて係合することが可能である。上側主要表面１１ｏ（チップ上側表面）は、実際の放射線収集表面であり、放射線の入射に露出されている。しかし、所望の波選択性を実現するフィルター層１２が、チップ１１の製造において、すでにそれに適用され得る。

参照数字１５は、金属接点表面を指定しており、金属接点表面は、外部からアクセス可能になっており、外部からその上にはんだ付けされ得る。セクションの平面を越えて、それらは、基板１４の上側表面の上の電気的なエレメントにそれを通って接続され得る。センサーエレメントは、さらに上記に述べられているように、回路エレメント（図示せず）を有しており、回路エレメントは、基板１４の上もしくは中のラインに接続され得、または、それを通してチップ１１および／もしくは接点１５に接続され得る。

参照数字１６は、チップ１１を取り囲む放射線不透過性フレームを指定している。それは、それがチップ１１の側部表面１１ｓに直接的に接触するように設計または生産されており、とりわけ、フレーム１６がチップ１１の側部表面１１ｓの上に成形されているようになっている。少なくともチップ１１の上側周辺マージン１１ａ（上側縁部）の幅の広い領域において、このマージン１１ａに直接的に接触しているフレーム１６が、前記マージン１１ａの上方に突出していないかまたは実質的に突出しておらず、より低くなっていないかまたは実質的により低くなっておらず、また、チップ上側表面１１ｏをカバーしないように製造が行われ、さらに上記に説明されている効果を取得する。

構成の種類に応じて、上側周辺マージン１１ａのこの領域は、上側表面１１ｏの周辺部の長さの、または、チップ１１の上側周辺マージン１１ａの長さの、少なくとも３０％、少なくとも５０％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、または少なくとも８０％であることが可能である。また、それは、その長さの１００％であることも可能であり、それは、さらに下記に説明されることとなる。

放射線透過性層１７は、フレーム１６の生産の後に適用される。それは、チップ１１の上側表面１１ｏの横方向に傍らに領域１７ｓを有している。それは、ここではフレーム１６の上に直接的に横たわっていることが可能であり、または、少なくともその上方に横たわっていることが可能である。これらの領域１７ｓは、チップ１１の上側表面１１ｏに向けて放射線を中へ散乱させる機能を有している。放射線透過性層１７の横方向の領域１７ｓの放射線を中へ散乱させる効果は、チップ１１の上側表面１１ｏの真上の層１７の領域の放射線を外へ散乱させる効果よりも強力である。それによって、強度のゲイン、ひいては、センサーの感度のゲインが、全体的に結果として生じる。

基板１４、フレーム１６、および放射線透過性層１７の外向きに配設されている側壁部は、比較的に急勾配になっていることが可能であり、互いに整合され得る。それらは、個々のセンサーチップ１１の間での分割によって、一緒に作り出された構造体の分離のときに、一緒に作り出された複数のセンサー構造体の分割によって生成され得る。

図２は、個々の放射線センサーの平面図を示しており、場合によっては存在するボンド接続部の周りの領域が省略された状態になっている。それは、図３および図４によって補充されている。チップ１１の外側輪郭１１ａは、長方形または正方形になっていることが可能である。しかし、他の幾何学形状も考えられる。

フレーム１６は、半径方向に見て、センサーチップ１１に外向きに接触している。それによって、それは、所望の被覆を実現し、場合によってはセンサーチップ１１の上に提供されるフィルター層１２が、横方向に入射する放射線によってバイパスされないようになっている。放射線透過性層１７は、センサーチップ１１の上におよびフレーム１６の上に上向きに横たわっている。すでに述べられたように、フレーム１６、基板１４、および放射線透過性層１７は、共通の外側輪郭を有することが可能であり、共通の外側輪郭は、一緒に作り出された構造体の分離のときの分割によって作り出される。しかし、放射線センサーの個々の生産も考えられる。次いで、個々のエレメントの外側輪郭は、異なっていることが可能であり、図１に示されているよりも急勾配でないことも可能である。

図３ａは、ボンド領域の構成の実施形態を通る断面を概略的に示している。図３ｂは、この領域の平面図を概略的に示している。この実施形態では、少なくとも１つのボンドワイヤー３１が、一般的に提供される。示されている例では、ボンドワイヤー３１は、チップ１１の上側表面１１ｏにおいて少なくとも１つのさらなるボンドワイヤーとおおよそ平行の様式で係合しており、次いで、最初に横方向に引き出され、次いで、たとえば、導電性トラックまたはそれに類するものにおけるボンドパット３２まで、下向きに延びることが可能である。ボンドワイヤー３１は、フレーム１６の材料の中に完全に埋め込まれている。ボンドワイヤー３１は、フレーム１６の製造の前に作り出される。チップ１１の上方のボンドワイヤー３１の領域において、フレーム１６は、カバー１６ａを有しており、カバー１６ａは、それと同時に作り出され、カバー１６ａは、ボンドワイヤー３１のカバーに対応するチップ１１の上側表面１１ｏの一部領域もカバーする。したがって、この実施形態では、フレームが、チップ上側表面１１ｏの上方に著しく突出しておらず、また、チップ上側表面１１ｏの上方で、ボンドワイヤー３１を埋め込むことができるようにそれをカバーする領域が存在している。

図３ｂは、不透明なフレーム材料の中に埋め込まれているボンド接続部を破線によって示している。１６ｃは、チップ上側表面１１ｏの上方に配設されているカバー１６ａの縁部である。突出は、たとえば示されているように、チップ１１の輪郭の切り取られた角部として設計され得る。しかし、それは、フィンガーの様式で、チップ上側表面１１ｏの縁部または角部から、チップ上側表面１１ｏの中へ突出することも可能である。

カバー１６ａを越えて、その他必要に応じて、チップ縁部１１ａにおけるフレーム材料は、したがって、実質的にチップ１１の上側表面１１ｏのレベルに残っている。経路部分は、その上方に突出されていないまたは実質的にその上方に突出されていないチップ縁部の領域であることが可能であり、それは、すべての側部にわたる合計のチップ縁部長さの少なくとも３０％、少なくとも５０％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、または少なくとも８０％になっている。

カバー１６ａは、好ましくは、チップ１１の上側表面１１ｏの最大でも４０％、最大でも３０％、最大でも２０％、最大でも１５％、または最大でも１０％を占めており、フレーム材料によるチップ１１の感受性表面１１ｏのカバーが小さくなるようになっている。

また、図３ａは、放射線透過性層１７が、また、カバー１６ａの領域の中のフレームのこの領域をカバーし、その上に横たわっているということを示している。しかし、カバー１６ａは、放射線透過性層１７から上向きに突出していることも可能である。

カバー１６ａの生産は、フレーム１６の生産とともに均一な成形プロセスを行うことによって行われ得、ネガティブモールドが、適切な（随意的に、フィルム支援の）形状を有するようになっている。カバー１６ａの領域において、ネガティブモールドは、凹形構造体を有しており、凹形構造体は、ボンドワイヤーの上方でアーチ状になっており、次いで、凹形構造体は、フレーム材料の充填のときに、フレーム材料によって充填される。成形プロセスのフィルム支援のときに、フィルムは、真空形成によって凹形の凹部の中へ吸い込まれ、自由スペースが作り出されるようになっており、実際の成形の前に、ボンドワイヤー３１が、自由スペースの中に静止し、次いで、カバー１６ａのフレーム材料によって最終的に取り囲まれる。

図４ａは、原則として少なくとも１つのさらなるボンドワイヤーとともに、ボンドワイヤー３１が放射線透過性層１７の材料の中へ成形されている実施形態を示している。この目的のために、フレーム１６は、ボンド接続部３１のターゲット表面３２まで延在する凹部１６ｂを備えて作り出された。凹部１６ｂの生産を含むフレーム生産は、ボンド接続部３１の製造の前に行われる。図４ａおよび図４ｂの実施形態において、チップマージンは、周辺部の１００％にわたって、フレーム１６によって上方に突出されておらず、または、実質的に上方に突出されていない。

凹部１６ｂの生産は、フレーム１６の生産とともに均一な成形プロセスを行うことによって行われ得、ネガティブモールドが、適切な（随意的に、フィルム支援の）形状を有するようになっている。凹部１６ｂの領域において、ネガティブモールドは、したがって、凸形の、円錐形状の、または円筒形状の構造体を有しており、それは、次いで、フレーム材料の充填のときに、フレーム材料によって取り囲まれる。次いで、開口部１６ｂは、フレームの中に残っており、ボンドワイヤー３１は、それを通してボンドパット３２に導かれる。その後の層１７の生産のときに、その材料は、また、開口部１６ｂの中へ流入し、図４ｂに示されているように、この層パーツ１７ａによってボンドワイヤー３１を包む。

チップ１１は、必ずしもボンド接続部を有さなければならないとは限らないということが指摘されなければならない。それは、その下側側部において、適切に直接的にリンクおよび接続され得、次いで、図３ａ、図３ｂ、図４ａ、図４ｂの実施形態が、必要でないこととなり、図２に示されていない角部領域が、示されている角部領域のように見えることとなるようになっている。次いで、チップ１１の電気的な接続が、その下側側部１１ｕから行われ得る。

図３ｂおよび図４ｂは、例として、ビア３３を示しており、たとえば、ボンドパット３２は、ビア３３によって、接点１５に接続され得る。しかし、異なる実施形態では、基板表面の上の接点表面によって外側から放射線センサーに接触することを実施することも可能である。対応するエリア（次いで、導体トラック３２が、また、そのエリアにはんだ付けされ得る）は、次いで、フレームの成形の間に、基板の上で自由に維持され得る。

図５は、寸法を概略的に示している。寸法ｅｍは、センサーチップ１１の最大範囲と呼ばれる。この対角線は、図２の右下から左上へ向いていることが可能である。それは、６ｍｍ未満、４ｍｍ未満、または２ｍｍ未満になっていることが可能である。実質的でない突出は、高さｈによってマークされている。それは、基板と平行の方向へのチップ１１の最大範囲ｅｍの最大でも１０％、最大でも３％、最大でも２％、または最大でも１％になっていることが可能である。値ｄｃは、チップ厚さである。それは、１ｍｍ未満、５００μｍ未満、または３００μｍ未満になっていることが可能である。値ｄｆは、フィルター層１２の厚さである。それは、５０μｍ未満、３０μｍ未満、または２０μｍ未満になっていることが可能である。値ｄｓは、放射線透過性層１７の厚さである。それは、１ｍｍ未満または５００μｍ未満になっていることが可能であり、５０μｍ超または１００μｍ超になっていることが可能である。チップの上側表面１１ｏを越える放射線透過性層１７の横方向のオーバーハング１７ｓの寸法ｌｕ（図７を参照）は、フレーム１６の表面によって境界を定められ得る。しかし、それは、その他の方法で境界を定められることも可能である。それは、たとえば、放射線透過性層の層厚さｄｓの少なくとも１倍、２倍、もしくは３倍になっているか、または、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも１ｍｍになっていることが可能である。チップ縁部１１ａとフレーム１６ｚの外側輪郭との間の横方向へのフレームの最小幅ｂｒ（図７を参照）は、全放射線センサーの外側側部であり得る平面図（たとえば、図２）において、５０μｍ超、１００μｍ超、２００μｍ超、５００μｍ超、１ｍｍ超、または２ｍｍ超になっていることが可能であり、および／または、５ｍｍ未満、２ｍｍ未満、または１ｍｍ未満になっていることが可能である。フレームの幅は、チップ１１の周辺部にわたって見て均一になっている必要はない。それは、不規則であることも可能である。

フレーム１６の材料は、最初は成形可能なまたは流動可能な、次いで硬化するプラスチック、たとえば、熱硬化性のプラスチック材料または樹脂を含むことが可能である。その膨張係数αは、ボンドワイヤーのまたは放射線センサーの基板の材料の膨張係数の３０％から２００％の間の範囲にあることが可能である。センサーチップ１１は、たとえば、異なるドーピング量、ドーピングプロファイル、および／または異なるｐｎ遷移を有する、適切な処理された半導体材料（たとえば、シリコンまたはそれに類するもの）を含むことが可能である。フィルター層１２は、１つまたは複数の干渉フィルター、カラーフィルター、またはそれに類するものであるか、または、それを含むことが可能である。放射線透過性層１７は、大部分は透明な層であることが可能であり、または、適切に選択された波長選択性を有することが可能である。それは、硬化プラスチックもしくはエポキシ材料であるかまたはそれを含むことが可能である。また、それは、シリコーンであるかまたはそれを含むことが可能である。

一般的に、センサーチップ１１の上側表面１１ｏは、完全にまたは局所的に放射線感受性になっていることが可能である（すなわち、放射線を電気信号に変換するか、または、より下側に配設されている層の中での放射線の変換に寄与する）。また、上側表面１１ｏのマージン領域（それは、センサーチップ１１の上側周辺マージン１１ａ（上側縁部）に沿って延在する上側表面１１ｏの一部である）は、とりわけ、完全に周辺的にまたは局所的に放射線感受性であることが可能である。センサーチップ１１は、側部表面１１ｓを有しており、側部表面１１ｓは、周辺部にわたって見て、局所的にまたは完全に周辺的に放射線感受性であることが可能である。したがって、センサーチップ１１の放射線感受性の領域は、センサーチップ１１の上側表面１１ｏから、上側表面１１ｏのマージン領域を越えて、センサーチップ１１の側部表面１１ｓまで延在することが可能である。放射線感受性の表面が本開示において言及されている場合、それらは、言及されている表面の下に配設されている材料体積として理解され得る。

センサーチップ１１の接触は、一般的に、チップの単一の表面（たとえば、上側表面１１ｏ）からの接続（たとえば、ボンド接続）によって行われ得る。次いで、その他の表面へのビアが、チップの上に提供され得る。しかし、センサーチップ１１の接触は、また、相互に反対側に配設されている２つの主要表面１１ｏおよび１１ｕの接続部（そのうちの一方は、ボンド接続部であることが可能である）によって行われ得る。また、異なる接触パターンも可能である。チップの変換特性は、ドーピングパラメーターによって、随意的には、層厚さによって、場合によっては、ドーピングプロファイルによって、材料選択によって、および／または、他のパラメーターによって設定され得る。

図６は、非常に概略的な様式で、フィルム支援成形（ＦＡＭ）の特徴を示している。フレームの成形の前にモールドが設置された状態が示されている。部分的に完成したセンサーエレメント１１から１７（フレーム１６を伴わない）の上に設置されているリジッドのモールドが、６１によって示されている。密着してモールド６１の下側表面６１ａに追従するフィルム６４が、放射線センサーに面するその下側側部に提供される。たとえば、所定の距離においてボンドワイヤー３１を取り囲むために、凹形領域が存在する場合、フィルム６５は、表面６１ａに向けて吸引され、その体積は、通路６２を介して真空供給源６３に接続されるようになっている。空気／ガスは、フィルム６４とモールド６１の下側側部６１ａとの間からこのように吸い出され、真空が作り出されるようになっている。反対側に配設されている側部（図６の下側側部）にかかる比較的に過剰な圧力は、次いで、十分に形状が変わりやすいフィルム６４を凸形領域の中へ押し込む。チップ１１の領域の中の形状が変わりやすいフィルム６４ａは、チップ１１における応力ピークの回避のための役割を果たし、それが破砕しないようになっている。縁部６４ｂにおいて、モールドまたはフィルムの下側側部６１ａがチップ１１の上側表面１１ｏから離れる場合、フィルム６４は、シールとしての役割を果たし、その後の成形のときに、フレーム材料がキャビティー６６から外へ流れ出て、チップ上側表面１１ｏのさらに上方に（６４ｂから左側へ）充填されないようになっている。

フレーム材料の流れ込みおよびその硬化の後に、モールド６１は、また、フィルム６４に起因して上向きにわずかに上昇させられ得る。フィルムは、モールド６１または作り出されたセンサー構造体のいずれにも付着せず、そして、容易に除去され得る。破線６７は、隣接するセンサーエレメントに向かう理想的な（現実には存在しない）境界を示しており、次いで、また、分離のときに、切断がそれに沿って行われ得る。

カバー１６ａを越えるチップのマージン領域において、モールド６１、また、次いで、フィルム６４は、チップ１１の上方に横方向に突出することが可能であり、フレーム１６を成形するための形状が、このように作り出されるようになっており、それは、示されているように、フレーム表面をチップ１１の上側表面１１ｏに実質的に設定する。チップ１１の縁部領域１１ａにおいて、フィルム６４は、次いで、シールを表し、シールは、フレーム材料が感受性のチップ上側表面１１ｏの上に延びることを防止する。

放射線透過性層１７は、フレーム１６の成形の後に形成される。これは、多数のセンサーエレメントの共通の表面（それらの分離の前に一緒に作り出される）の上に液体材料を注ぐこと、その均一な分配、および、次いで硬化することによって行われ得、または、説明されているように個々のセンサーチップの周りに事前に作り出された桶形状の中へ液体材料を注ぐことによって、または、さらに適切に設計されたモールドによって行われ得る。

すでに述べられたように、放射線センサーは、（随意的に、集積回路として）さらなる電子コンポーネントを有することが可能であり、それらは、全体構造の中に一体化され、また、とりわけ、フレーム材料の中へ流し込まれる。

図７は、いくつかの実施形態において、フレームの１つまたは複数の垂直方向の断面平面の中に存在し得るようなフレーム設計の特徴を示している。定性的におよび定量的に同等の条件が、チップまたはフレームの全体周辺部にわたって存在している可能性がある。

寸法ｂｒは、上述の最小フレーム幅である。図は、チップ１１またはフィルター層１２の上側表面の平面（そのレベルは、破線１６ｎによって示されている）を越えて垂直方向に上向きに、フレーム１６の突出１６ｕを示している。水平な直線１６ｎと、チップ縁部１１ａと上側外側フレーム縁部１６ｋ（それは、放射線センサー１０の上側外側縁部であることも可能である）との間の直線１６ｔとの間のファンネル角度τは、垂直方向の断面平面において、３０°未満、２０°未満、１５°未満、１０°未満であることが可能であり、および／または、０°超、５°超、または１０°超であることが可能である。上述のファンネル角度τは、いくつかの実施形態において、とりわけ、フレーム１６の突出１６ｕと放射線透過性層１７との間の角度に対応することが可能である。図１の実施形態におけるファンネル角度τは、それとは対照的に、おおよそ０°になっており、それは、たとえば、±３°または±１°の間の範囲にある。図１および図７に示されているようなものとは異なり、それは、マイナスの値になることも可能であり（たとえば、最大で－１０°）、フレーム表面が外側に向けて降下するようになっている。

示されている実施形態において、フレーム断面の最も高いポイント１６ｈは、フレーム縁部１６ｋである。ここでの切断は、分離の間にライン６７（図６）に沿って行われ得る。しかし、垂直方向におけるフレームの最も高いポイント１６ｈは、また、さらに内向きに配設され得、それは、図７のフレーム縁部１６ｋに対して右側に変位させられる。また、直線１６ｔは、チップ縁部１１ａと場合によっては内向きに変位させられたフレーム１６の最も高いポイント１６ｂとの間に延在することも可能である。次いで、ファンネル角度は、また、説明されているように寸法決めされ得る。

示されている実施形態において、フレーム１６の最も高いポイント１６ｈは、放射線透過性層１７から外へ突出しており、もはや放射線透過性層１７によってカバーされていない。しかし、示されているものとは対照的に、それは、放射線透過性層によってカバーされることも可能である。１６ｚは、フレーム１６の側部表面または外側側部である。それは、放射線センサー１０の分離の間に切断することによって生成され得る。チップ上側表面（線１６ｎ）の上方の最も高いポイント１６ｈの高さは、チップの最大範囲と比較して低くなっていることが可能である。それは、最大範囲の３％超または５％超になっていることが可能であり、２０％未満、１５％未満、または１０％未満になっていることが可能である。

完成したセンサーエレメント１０は、全体的に平行六面体構造を有することが可能であり、ＳＭＤコンポーネントであることが可能である。側部表面は、外部からアクセス可能な接点表面１５（下側側部に埋め込まれているかまたは取り付けられている）を有する基板／リードフレーム１４の下側側部によって、その反対側に上向きに配設されている放射線透過性層１７によって、および、場合によっては、それらを越えて突出しているフレーム領域１６ｕ、１６ｈによって、ならびに、一緒に作り出されたセンサーエレメント１０の分離のときの４つの断面表面１６ｚによって形成され得る。したがって、放射線感受性の側部は、放射線透過性層１７によって全体的にまたは大部分はカバーされ得る。

この説明および特許請求の範囲に説明されている特徴は、それらの組み合わせが明示的に説明されていないときに、その組み合わせが技術的に可能である限り、互いに組み合わせ可能なものとして理解されるべきである。また、特定の文脈、実施形態、図、または請求項に説明されている特徴は、この請求項、この図、この実施形態、またはこの文脈から分離されて理解されるべきであり、その組み合わせが技術的に可能である限り、他の図、請求項、文脈、または実施形態と組み合わせ可能なものとして理解されるべきである。また、方法および方法ステップの説明は、これらの方法または方法ステップを実装するデバイスの説明として理解されるべきであり、その逆もまた同様である。

１０ 放射線センサー
１１ チップ
１１ａ 上側縁部、上側周辺マージン
１１ｏ チップ上側表面
１１ｕ チップ下側表面
１１ｓ チップ側部表面
１２ フィルター層
１３ 接着剤層
１４ 基板
１５ 接点
１６ フレーム
１６ａ カバー
１６ｂ 凹部
１６ｈ 最も高いポイント
１６ｋ 上側外側縁部
１６ｎ 水平な直線
１６ｔ 直線
１６ｕ 突出
１６ｚ 外側側部
１７ 放射線透過性層
１７ａ 充填体
１７ｓ 横方向のオーバーハング
３１ ボンドワイヤー
３２ ボンドパット
３３ ビア
６１ モールド
６１ａ 下側モールド表面
６２ 吸引通路
６３ 真空供給源
６４ フィルム
６４ａ フィルム領域
６４ｂ フィルム領域
６６ 体積
６７ 境界

Claims (16)

1. 放射線センサーであって、前記放射線センサーは、
   基板（１４）と、
   複数の側部表面および上側表面（１１ｏ）を有しており、上側側部において周辺上側縁部（１１ａ）を有している、前記基板の上の放射線感受性チップ（１１）と、
   前記チップ（１１）の前記側部表面に接合され、前記チップ（１１）を取り囲む放射線不透過性フレーム（１６）と、
   前記チップ（１１）の上方の放射線透過性層（１７）と
   を含む、放射線センサーにおいて、
   前記フレーム（１６）は、前記フレーム（１６）の内周部の実質的な部分に沿って、前記チップ（１１）の前記上側縁部（１１ａ）の上方に突出していないかまたは実質的に突出しておらず、
   前記放射線透過性層（１７）は、前記チップ（１１）の上方に横方向に突出しており、前記フレーム（１６）の上に横たわっているか、または、前記フレーム（１６）の上方に横たわっていることを特徴とする、放射線センサー。
2. 前記放射線センサーは、少なくとも１つのボンドワイヤー（３１）を有しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）から横方向に突出しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、前記チップ（１１）の隣において、および、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）の上方において、前記フレーム（１６）の中へ埋め込まれている、請求項１に記載の放射線センサー。
3. 前記放射線センサーは、少なくとも１つのボンドワイヤー（３１）を有しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）から横方向に突出しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）の上方において、および、前記チップ（１１）の隣において、前記放射線透過性層（１７）の材料の中へ埋め込まれている、請求項１に記載の放射線センサー。
4. 前記フレーム（１６）は、垂直方向に延在する凹部（１６ｂ）を有しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、前記凹部（１６ｂ）を通って前記基板（１４）に向けて延在しており、前記ボンドワイヤー（３１）は、また、前記フレーム（１６）の前記凹部（１６ｂ）の中の前記放射線透過性層（１７）の材料（１７ａ）の中へ埋め込まれている、請求項３に記載の放射線センサー。
5. 前記放射線センサーは、フィルター層（１２）を有しており、前記フィルター層（１２）は、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）と前記放射線透過性層（１７）との間において、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）に適用されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の放射線センサー。
6. 前記フレーム（１６）の材料は、充填剤を含む硬化プラスチックであり、前記フレームの材料混合物は、ボンドワイヤー（３１）のまたは前記放射線センサーの前記基板（１４）の材料の膨張係数の０．３倍から２倍の間の範囲にある膨張係数を有している、請求項１から５のいずれか一項に記載の放射線センサー。
7. 前記フレーム（１６）の前記内周部の前記実質的な部分は、前記フレーム（１６）の前記内周部の長さの少なくとも３０％、少なくとも５０％、または少なくとも７０％になっており、および／または、
   実質的でない突出は、前記基板と平行の方向への前記チップ（１１）の最大範囲（ｅｍ）の最大でも１０％、最大でも３％、最大でも２％、または最大でも１％になっている突出（ｈ）である、請求項１から６のいずれか一項に記載の放射線センサー。
8. 前記フレーム（１６）は、前記チップ（１１）の前記上側縁部（１１ａ）よりも実質的に低くないように位置決めされており、実質的に低くない位置は、前記チップ（１１）の厚さ（ｄｃ）の最大でも１０％、最大でも５％、または最大でも２％になっている、より低い位置である、請求項１から７のいずれか一項に記載の放射線センサー。
9. 前記フレーム（１６）は前記上側縁部（１１ａ）の横方向に外側に前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）を越えて突出している突出（１６ｕ）を有している、請求項１から８のいずれか一項に記載の放射線センサー。
10. 前記基板（１４）と平行の方向への前記チップ（１１）の最大範囲（ｅｍ）は、６ｍｍよりも小さいか、４ｍｍよりも小さいか、または２ｍｍよりも小さい、請求項１から９のいずれか一項に記載の放射線センサー。
11. 前記放射線センサーのフレーム（１６）は、ＦＡＭプロセスを使用して製造されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の放射線センサー。
12. とりわけ請求項１から１１のいずれか一項に記載の放射線センサーを製造する方法であって、前記方法は、
    ａ） 放射線感受性チップ（１１）を基板（１４）に取り付けるステップと、
    ｂ） ＦＡＭ（フィルム支援成形）プロセスを使用してフレーム（１６）を前記チップ（１１）に成形するステップであって、前記フレーム（１６）が、前記チップ（１１）の外周部に接触しており、前記フレーム（１６）の前記内周部の実質的な部分に沿って、前記チップ（１１）の前記上側縁部（１１ａ）の上方に突出していないかまたは実質的に突出していないようになっている、ステップと、
    ｃ） 前記チップ（１１）の上方に、および、少なくとも前記フレーム（１６）の領域の上方に、放射線透過性層（１７）を適用するステップと
    を含む、方法。
13. 前記チップ（１１）のボンド接続部（３１）は、ステップａ）とステップｂ）との間に確立され、前記ボンド接続部（３１）は、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）から離れるように横方向につながっており、前記ＦＡＭプロセスを使用して成形する前記ステップは、ステップｂ）の中で行われ、前記ボンド接続部（３１）が前記フレーム（１６）の中へ埋め込まれるようになっている、請求項１２に記載の方法。
14. 前記基板まで下に到達する凹部が、前記ＦＡＭプロセスを使用するステップｂ）において、前記フレームの中に作り出され、ボンド接続部（３１）は、ステップｂ）とステップｃ）との間に、前記チップ（１１）の前記上側表面（１１ｏ）から離れるように横方向に前記凹部の中へ作り出され、前記凹部は、ステップｃ）において、前記放射線透過性層（１７）の材料によって成形される、請求項１２に記載の方法。
15. ステップａ）からｃ）は、複数の放射線センサーのための共通の基板の上で同時に実施され、個々のセンサー領域の分離およびさらなる処理が、ステップｃ）の後に行われる、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記放射線透過性層（１７）の適用は、
    ・ 多数のセンサーエレメントの分離の前に一緒に作り出される、多数のセンサーエレメントの共通の上側表面の上に液体材料を成形すること、その均一な分配、および、次いで硬化することによって行われるか、または、
    ・ 前記個々のセンサーチップの周りの以前に作り出された桶形状の中へ液体材料を成形することによって行われるか、または、
    ・ さらに適切に設計されたモールドによって行われる、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
    

Images