JP2022500847A - 高性能集積回路その他のデバイスの熱的及び構造的管理のための一体化熱スプレッダ及びヒートシンクを備えたモジュールベース - Google Patents
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Abstract
Description
[0001]
図1は、本開示に従ったモジュールベースのための一体型熱スプレッダを備えた第1例のカバー100を示す。図1に示すように、カバー100は、頂部封止層(top encapsulation layer)102及び底部封止層(bottom encapsulation
layer)104を含む。頂部封止層102は、一般に、冷却すべき1つ以上の集積回路デバイスその他のデバイスから熱エネルギを受け取るように動作する。底部封止層104は、一般に、除去のために、コールドプレート又は他のヒートシンクなどの下部構造へと熱エネルギを供給するように動作する。頂部封止層102も底部封止層もまた、一体化された熱スプレッダ106を収容するか、或いは実質的に又は完全に包囲する。
以下の組み合わせのいずれをも含むことができる。A、B、C、A及びB、A及びC、B及びC、並びにA及び B及びC。
Claims (30)
- 冷却すべき1つ以上のデバイスを載置するように構成され、カバーと前記カバーに接続されたヒートシンクとを含むモジュールベース;
を含む装置であって:
前記カバーが、第1封止層及び第2封止層、及び前記第1封止層と第2封止層との間の熱スプレッダを含み、前記第1封止層が、冷却すべき前記1つ以上のデバイスから熱エネルギを受けるように構成され、前記熱スプレッダが、前記第1封止層を通して受けた前記熱エネルギの少なくとも一部を拡散し、拡散した熱エネルギを前記第2封止層へと提供するように構成されており;
前記ヒートシンクが、前記第2封止層を通して熱エネルギを受け、前記熱エネルギを前記モジュールベースの外へ移送するように構成されており;かつ
前記第1封止層が、複数の開口部を含み、前記モジュールベースが、前記開口部を通して挿入された複数のタブをさらに含み、各タブは、冷却すべき1つ以上のデバイスのうちの少なくとも1つと前記熱スプレッダとの間に、前記第1封止層を通した熱的インターフェースを提供するように構成されている;
装置。 - 前記第1封止層及び前記第2封止層のうちの少なくとも1つが、凹部を含み;
前記熱スプレッダは、前記凹部内に嵌合するように構成されている;
請求項1に記載の装置。 - 前記熱スプレッダは複数の開口部を含み、前記熱スプレッダの開口部は、前記第1封止層の開口部に整合整列しており;
前記第2封止層は、複数の隆起したペデスタルを含み;かつ
前記タブは、前記熱スプレッダの前記開口部内に位置づけられ、前記の隆起したペデスタルに接触する;
請求項2に記載の装置。 - 前記の隆起したペデスタルが、前記タブの1つ以上の材料によって生じるガルバニック腐食を防止するためにメッキされている、請求項3に記載の装置。
- 前記モジュールベースは複数のクラッドをさらに含み、各クラッドは、前記タブのうちの1つの上に位置づけられ、前記第1封止層の前記開口部のうちの1つの内部に位置づけられる、請求項1に記載の装置。
- 前記クラッドが、前記第1封止層の1つ以上の材料によって引き起こされるガルバニック腐食を防止するためにメッキされている、請求項5に記載の装置。
- 前記タブ及び前記熱スプレッダは、共通の第1方向及び第2方向において熱伝導率が高く、共通の第3方向において熱伝導率が低い、請求項1に記載の装置。
- 前記タブは、第1方向及び第2方向において熱伝導率が高く、第3方向において熱伝導率が低く;かつ
前記熱スプレッダは、前記第1方向及び前記第3方向において熱伝導率が高く、前記第2方向において熱伝導率が低い;
請求項1記載の装置。 - 前記ヒートシンクは:
前記ヒートシンク内に流体を受け入れるように構成された少なくとも1つの入口;
前記流体が前記熱エネルギを吸収する間、前記流体を移送するように構成された1つ以上の通路;及び
前記ヒートシンクの外へ前記流体を供給するように構成された少なくとも1つの出口;を含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記ヒートシンクは前記1つ以上の通路内にフィン付き構造をさらに備える、請求項9に記載の装置。
- 前記第1封止層及び前記第2封止層は金属を含み;
前記熱スプレッダはグラファイトを含み;かつ
前記タブは、グラファイト及び金属のうちの少なくとも1つを含む;
請求項1に記載の装置。 - 前記熱スプレッダは、前記モジュールベースの熱的及び構造的性能を調整するために、1つ以上の金属で被覆されている、請求項1に記載の装置。
- 前記タブは、前記第1封止層の熱膨張係数に実質的にマッチするように、前記タブの熱膨張係数を調整するために金属で被覆されている、請求項1に記載の装置。
- 前記タブは、前記第1封止層の熱膨張係数と比較して熱膨張係数を低減するために金属で被覆されている、請求項1に記載の装置。
- 前記熱スプレッダは、前記第1封止層及び前記第2封止層の1つ以上の材料によって引き起こされるガルバニック腐食を防止するためにメッキされている、請求項1に記載の装置。
- 前記タブ及び前記熱スプレッダは、互いに起因するガルバニック腐食を防止するためにメッキされている、請求項1に記載の装置。
- 冷却すべき1つ以上のデバイス;及び
前記1つ以上のデバイスを担持するモジュールベースであり、カバーと前記カバーに接続されたヒートシンクとを含むモジュールベース;
を含むシステムであって:
前記カバーが、第1封止層及び第2封止層、及び前記第1封止層と第2封止層との間の熱スプレッダを含み、前記第1封止層が、前記1つ以上のデバイスから熱エネルギを受けるように構成され、前記熱スプレッダが、前記第1封止層を通して受けた前記熱エネルギの少なくとも一部を拡散し、拡散した熱エネルギを前記第2封止層へと提供するように構成されており;
前記ヒートシンクが、前記第2封止層を通して熱エネルギを受け、前記熱エネルギを前記モジュールベースの外へ移送するように構成されており;かつ
前記第1封止層が、複数の開口部を含み、前記モジュールベースが、前記開口部を通して挿入された複数のタブをさらに含み、各タブは、冷却すべき1つ以上のデバイスのうちの少なくとも1つと前記熱スプレッダとの間に、前記第1封止層を通した熱的インターフェースを提供するように構成されている;
システム。 - 前記第1封止層及び前記第2封止層のうちの少なくとも1つが、凹部を含み;かつ
前記熱スプレッダは、前記凹部内に嵌合するように構成されている;
請求項17に記載のシステム。 - 前記熱スプレッダは複数の開口部を含み、前記熱スプレッダの開口部は、前記第1封止層の開口部に整合整列しており;
前記第2封止層は、複数の隆起したペデスタルを含み;かつ
前記タブは、前記熱スプレッダの前記開口部内に位置づけられ、前記の隆起したペデスタルに接触する;
請求項17に記載のシステム。 - 前記モジュールベースは複数のクラッドをさらに含み、各クラッドは、前記タブのうちの1つの上に位置づけられ、前記第1封止層の前記開口部のうちの1つの内部に位置づけられる、請求項17に記載のシステム。
- 前記ヒートシンクは:
前記ヒートシンク内に流体を受け入れるように構成された少なくとも1つの入口;
前記流体が前記熱エネルギを吸収する間、前記流体を移送するように構成された1つ以上の通路;及び
前記ヒートシンクの外へ前記流体を供給するように構成された少なくとも1つの出口;を含む、
請求項17に記載のシステム。 - 前記ヒートシンクは前記1つ以上の通路内にフィン付き構造をさらに備える、請求項21に記載のシステム。
- 前記1つ以上のデバイスが、基板の上に取り付けられた1つ以上の集積回路デバイスを備え;かつ
前記基板は前記モジュールベースの前記カバー上に取り付けられている;
請求項17記載のシステム。 - 前記1つ以上の集積回路デバイスが、1つ以上の窒化ガリウム(GaN)集積回路デバイスを含み;かつ
前記基板は、炭化ケイ素(SiC)基板を含む;
請求項23記載のシステム。 - 前記1つ以上の集積回路デバイスは1つ以上のモノリシックマイクロ波集積回路を含む、請求項23に記載のシステム。
- 前記基板と前記モジュールベースの前記カバーとの間の熱的インターフェース材料の層をさらに含む請求項23記載のシステム。
- 前記基板と前記タブとの間の熱インターフェース材料の層をさらに含む、請求項23記載のシステム。
- 前記タブは、冷却すべき1つ以上のデバイスの少なくとも1つの基盤の熱膨張係数に実質的にマッチするように、前記タブの熱膨張係数を調整するために金属で被覆されている、請求項17に記載のシステム。
- 前記タブは、冷却すべき前記1つ以上のデバイスの少なくとも1つの基板と前記タブとの間の熱インターフェース材料の層内の構造的応力を最小にするよう、金属で被覆される、請求項28に記載のシステム。
- 第1封止層と第2封止層との間に熱スプレッダを位置づけるステップであり、前記第1封止層は、冷却すべき1つ以上のデバイスから熱エネルギを受け取るように構成され、前記熱スプレッダは、前記第1封止層を通して受け取った熱エネルギの少なくとも一部を拡散し、拡散した熱エネルギを前記第2封止層へと提供するように構成される、ステップ;
前記第1封止層及び前記第2封止層を互いに接続して、前記第1封止層と前記第2封止層との間に熱スプレッダを固定するステップ;
前記第1封止層内の開口部を通して複数のタブを挿入するステップであり、各タブは、前記第1封止層を通して、冷却すべき前記1つ以上のデバイスのうちの少なくとも1つと前記熱スプレッダとの間に熱的インターフェースを提供するように構成される、ステップ;及び
ヒートシンクを前記第2封止層に接続するステップであり、前記ヒートシンクは、前記第2封止層を通して熱エネルギを受け取り、前記熱エネルギを伝達するように構成される、ステップ;
を含む方法。
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