JP2022188411A - 位相シフタ - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態について説明する。図1に示す本実施形態の位相シフタ1は、導波路にキャリアを蓄積することによって導波路の屈折率を変化させ、導波路を伝搬する光の位相を調整するものであって、LiDAR等のレーザ装置において射出光の向きを調整するために用いられる。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対しp電極19、p型コンタクト部20、n電極21、n型コンタクト部22の配置を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してp電極19、p型コンタクト部20、n電極21、n型コンタクト部22の配置を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
1b コンタクト領域
13 p型半導体層
16 n型半導体層
18a 第1導波路
18b 第2導波路
20a 第1p型コンタクト部
20b 第2p型コンタクト部
22a 第1n型コンタクト部
22b 第2n型コンタクト部
Claims (12)
- 基板(11)に形成された導波路(18)にキャリアを蓄積することにより、前記導波路を伝搬する光の位相を変調する位相シフタであって、
前記導波路を含む複数の光導波領域(1a)と、
キャリアを前記導波路に注入するための電極に前記導波路を接続するコンタクト部(20、22)を含む複数のコンタクト領域(1b)と、
前記導波路と前記コンタクト部とを電気的に接続する配線部(13、16)と、を備え、
前記光導波領域は、2つの前記導波路を含み、
前記導波路の長手方向をx方向とし、
前記x方向に垂直でかつ前記基板の表面に平行な方向をy方向として、
前記光導波領域と前記コンタクト領域とは、前記y方向において交互に並んでおり、
前記光導波領域に含まれる2つの前記導波路のうち、前記コンタクト領域に前記y方向の一方側から隣接する導波路を第1導波路(18a)とし、前記コンタクト領域に前記y方向の他方側から隣接する導波路を第2導波路(18b)として、
前記コンタクト領域は、
前記第1導波路にキャリアを注入するための電極に接続された、p型半導体で構成された第1p型コンタクト部(20a)、および、n型半導体で構成された第1n型コンタクト部(22a)と、
前記第2導波路にキャリアを注入するための電極に接続された、p型半導体で構成された第2p型コンタクト部(20b)、および、n型半導体で構成された第2n型コンタクト部(22b)と、を含む位相シフタ。 - 前記コンタクト領域は、前記第1p型コンタクト部、前記第1n型コンタクト部、前記第2p型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部をそれぞれ複数含み、
前記第1p型コンタクト部と前記第1n型コンタクト部とは、前記x方向において交互に一列に並んでおり、
前記第2p型コンタクト部と前記第2n型コンタクト部とは、前記x方向において交互に一列に並んでいる請求項1に記載の位相シフタ。 - 前記第1p型コンタクト部、前記第1n型コンタクト部、前記第2p型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部は、前記x方向において、前記第1p型コンタクト部、前記第2p型コンタクト部、前記第1n型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部の順に、一列に並んでいる請求項1に記載の位相シフタ。
- 前記第1p型コンタクト部と前記第2p型コンタクト部とは、前記x方向において交互に一列に並んでおり、
前記第1n型コンタクト部は、前記第1導波路と、前記第1p型コンタクト部および前記第2p型コンタクト部の列との間に配置されており、
前記第2n型コンタクト部は、前記第2導波路と、前記第1p型コンタクト部および前記第2p型コンタクト部の列との間に配置されており、
前記第1n型コンタクト部および前記第2n型コンタクト部は、前記第1導波路および前記第2導波路よりも前記基板から遠い位置に配置されている請求項1に記載の位相シフタ。 - 前記第1n型コンタクト部と前記第2n型コンタクト部とは、前記x方向において交互に一列に並んでおり、
前記第1p型コンタクト部は、前記第1導波路と、前記第1n型コンタクト部および前記第2n型コンタクト部の列との間に配置されており、
前記第2p型コンタクト部は、前記第2導波路と、前記第1n型コンタクト部および前記第2n型コンタクト部の列との間に配置されており、
前記第1p型コンタクト部および前記第2p型コンタクト部は、前記第1導波路および前記第2導波路よりも前記基板から遠い位置に配置されている請求項1に記載の位相シフタ。 - 前記配線部のうち、前記導波路と前記第1p型コンタクト部、前記第2p型コンタクト部とを接続する部分は、p型シリコンまたはp型SiGeで構成されている請求項1ないし5のいずれか1つに記載の位相シフタ。
- 前記配線部のうち、前記導波路と前記第1n型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部とを接続する部分は、n型のIII-V族半導体で構成されている請求項1ないし6のいずれか1つに記載の位相シフタ。
- 前記配線部のうち、前記導波路と前記第1n型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部とを接続する部分は、InPまたはInGaAsPで構成されている請求項7に記載の位相シフタ。
- 前記配線部のうち、前記導波路と前記第1n型コンタクト部、前記第2n型コンタクト部とを接続する部分は、n型シリコンで構成されている請求項1ないし6のいずれか1つに記載の位相シフタ。
- 前記導波路はリブ導波路とされている請求項1ないし9のいずれか1つに記載の位相シフタ。
- 前記導波路を分割するクラッド層(14)はエアクラッドとされている請求項10に記載の位相シフタ。
- 前記導波路は、p型半導体およびn型半導体と、該p型半導体およびn型半導体の間に配置された絶縁層(15)とで構成されている請求項1ないし11のいずれか1つに記載の位相シフタ。
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