JP2022186465A - 探触子、および、それを用いた超音波診断装置 - Google Patents

探触子、および、それを用いた超音波診断装置 Download PDF

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Abstract

【課題】内部にTGC回路を備えた探触子を提供する。【解決手段】探触子は、複数の受信回路を有する。各々の受信回路は、振動子と、送受切替スイッチと、可変減衰器と、第1キャパシタと、増幅器とを有する。振動子は、受信信号をグランドレベルの電気信号へ変換し、第1出力信号として出力する。送受切替スイッチは、第1信号線に接続され、振動子から出力された第1出力信号を第1信号線に出力するか否かを切り替える。可変減衰器は、制御端子と2つの端子を備え、制御端子に入力される制御信号に基づいて、制御端子以外の2つの端子間の抵抗値を変化させる。増幅器は、第1キャパシタに入力端子が接続され、第1信号線の電気信号を増幅して第2信号線に出力する増幅回路を少なくとも含む。可変減衰器は、制御端子以外の2つの端子のうち、一方の端子が第1信号線に接続され、他方の端子は第1キャパシタと異なる第2キャパシタを介して、グランドに接続されている。【選択図】図2

Description

本発明は、超音波診断装置に適した探触子と、超音波診断装置に関するものである。
近年、超音波診断装置で3D(Dimensional)画像を得るために、振動子を2次元に配列した2Dアレイ探触子が開発されている。2Dアレイ探触子には、振動子が数千から1万素子搭載されるのに対し、探触子と超音波診断装置本体とを接続するケーブル内の信号線の数は約200本に制限される。そのため、従来、超音波診断装置の本体内で行っていた受信ビームフォーミングを2段階に分け、1段階目の受信ビームフォーミングを探触子内に配置した集積回路(IC:Integrated Circuit)によって行い、1段階目の受信ビームフォーミング後の信号を探触子から超音波診断装置に出力する構成が特許文献1および非特許文献1に開示されている。特許文献1および非特許文献1に開示されているICには、振動子と、振動子と同数の送受信回路が集積され、受信回路内には、送受切換えスイッチと、増幅器と、遅延回路が設けられ、増幅後の受信信号を遅延後、加算する。
一般に、超音波診断装置の探触子は、自ら超音波を送信し、その反射波を受信するというシステムであるため、体表に近い部位の画像取得時には、骨などからの反射による強音圧の超音波を受信し、体表から遠い(深い)部位の画像取得時には、体内を伝搬することにより減衰した低音圧の超音波を受信する。このため、2Dアレイ探触子ではない通常の超音波診断装置では、受信開始からの時刻経過に応じて、受信信号の増幅利得を上げていくタイムゲインコントロール(以下、「TGC」とも記載する)と呼ばれる回路を超音波診断装置本体内に備えている。
例えば特許文献2に開示されている超音波診断装置は、探触子から超音波を被検体内に送信し、被検体内で反射された超音波を探触子が受信し、得られた受信信号を超音波診断装置本体内の受信部が処理する。受信部は、送信信号の受信部への回り込みを送受切換えスイッチ部によって防止し、送受切換えスイッチ部を通して受け取った受信信号を増幅部によって増幅する構成である。また、送受切換えスイッチ部と、増幅部との間には、受信信号を減衰させる可変減衰部が配置されている。送受切換えスイッチ部は、ダイオードブリッジにより構成されている。可変減衰部は、抵抗と、ダイオードと、可変バイアス電圧源とを順に直列に接続した回路を2組並列に接続し、抵抗側の端部を受信信号が流れる信号線に接続し、可変バイアス電圧源側の端部をグランドに接続した構成である。体表近くで反射された信号振幅が大きい受信信号の場合は、ダイオードがオンになるように可変バイアス電圧源のバイアス電圧を設定し、抵抗分圧により受信信号を減衰させる。被検体の深い領域で反射された信号振幅の小さい受信信号の場合は、可変バイアス電圧源のバイアス電圧を調整し、ダイオードをオフにする。これにより、受信時間の経過と共に減衰度を大から小へ変化させる。
特許文献3には、超音波画像の受信回路において、トランスデューサ素子に接続したプリアンプのバイアス電流を変化させることにより、或いは、プリアンプの後段に設けた差動出力アンプの帰還量を調節することにより、アンプのゲインを可変にすることが、開示されている(特許文献3の図3、図4)。
特開2020-81451号公報 特開2013-188421号公報 米国特許第8226563号公報 Kajiyama、 S.; Igarashi、 Y.; Yazaki、 T.; Katsube、 Y.; Nishimoto、 T.; Nakagawa、 T.; Nakamura、 Y.; Hayashi、 Y.; Yamawaki、 T.、 "T/R-Switch Composed of 3 High-Voltage MOSFETs with 12.1 μW Consumption That Can Perform Per-Channel TX to RX Self-Loopback AC Tests for 3D Ultrasound Imaging with 3072-Channel Transceiver、" IEEE Asian Solid-State Circuits Conference Proceedings of Technical Papers、 pp.305-308、 Nov. 2019.
特許文献1および非特許文献1に記載の2Dアレイ探触子内に配置した受信回路は、タイムゲインコントールを行う回路を備えていない。
一方、特許文献2および特許文献3のタイムゲインコントロールを行う回路は、いずれも、超音波診断装置の本体内に配置される回路であるため、スペース、消費電力および回路構成のいずれの観点においても、2Dアレイ探触子内の微小な集積回路にそのまま搭載することはできない。
具体的には、特許文献2に開示されている超音波診断装置は、タイムゲインコントロールを実現する可変減衰部には、バイアス電圧源の電圧を制御する制御信号が必要であるが、制御信号の生成は外部回路で行う必要がある。仮に可変減衰部を探触子内のICに搭載できたとしても、制御信号を生成する外部回路は、超音波診断装置の本体内に配置されているため、生成した制御信号を探触子内に送る信号線が必要となる。しかしながら、探触子と超音波診断装置本体とを接続する信号線の数には制限がある。
また、特許文献2の可変減衰部は、ダイオードを用いるが、ダイオードは駆動電力が大きく、仮に可変減衰部を探触子内のICに搭載できたとしても、探触子内のICに大きな駆動電力を供給する必要が生じ、探触子の温度上昇を招く。また、ダイオードは、性能にばらつきが大きく、可変減衰器の減衰度のばらつきが大きくなるという課題もある。
さらに、特許文献2の受信回路は、送受切換えスイッチが、ダイオードブリッジにより構成されているが、ダイオードブリッジは、切り替え時に出力される受信信号にゆらぎを生じさせやすい。
一方、特許文献3の超音波装置では、プリアンプでTGCを行い、バイアス電流の可変や、MOSFETを抵抗に使用した電流帰還型とすることにより利得可変機能を実現している。しかし、バイアス電流の可変で生じさせることができる利得可変幅は小さい。また、電流値が小さいときに歪が大きくなる。また、MOSFETを抵抗に使用して電流帰還型とした場合、利得のプロセス依存性が大きくなる。
2Dアレイ探触子では、数千から1万素子の振動子アレイの一つ一つに対して、独立な利得可変機能を有する低雑音増幅回路(以下、LNA(Low Noise Amplifier))が必要である。特許文献2、特許文献3に記載の受信回路の回路構成では、数千から1万個のLNAに必要な利得可変機能(30dB以上)を持たせながら、各LNAの利得のばらつきを最小にすることは困難である。そのため、集積回路に搭載された多数のLNA群に利得制御信号を供給し、かつ、各LNAの面積を増加させることなくTGC制御するという構成を実現することはできない。
また、特許文献1および非特許文献1に開示されている探触子に搭載される受信回路の回路構成は、送受切替スイッチのオフ状態(送信時)とオン状態(受信時)とで、受信信号を増幅回路に送る信号線のバイアス電位が変動することに発明者らは気づいた。そのため、タイムゲインコントロールのための減衰回路を増幅回路の前段に配置した場合、受信信号がバイアス電位の変動により影響を受ける。
本発明の目的は、上述した課題を解決し、内部にTGC回路を備えた探触子を提供することにある。
上記課題を解決するための、本発明の探触子の一例は、超音波診断装置に接続され、診断部位に超音波を送信し反射波である受信信号を受信する探触子であって、複数の受信回路を備えている。
各々の受信回路は、振動子と、送受切替スイッチと、可変減衰器と、第1キャパシタと、増幅器とを含む。
振動子は、受信信号をグランドレベルの電気信号へ変換し、第1出力信号として出力する。
送受切替スイッチは、第1信号線に接続され、振動子から出力された第1出力信号を第1信号線に出力するか否かを切り替える。
可変減衰器は、制御端子と2つの端子を備え、制御端子に入力される制御信号に基づいて、制御端子以外の2つの端子間の抵抗値を変化させる。
第1キャパシタは、第1信号線に接続されている。
増幅器は、第1キャパシタに入力端子が接続され、第1信号線の電気信号を増幅して第2信号線に出力する増幅回路を少なくとも含む。
送受切替スイッチは、スイッチオフの時に第1信号線にバイアス電位を出力する。
可変減衰器は、制御端子以外の2つの端子のうち、一方の端子が第1信号線に接続され、他方の端子は前記第1キャパシタと異なる第2キャパシタを介して、グランドに接続されている。
本発明によれば、内部にTGC回路を備えた探触子を提供することができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
実施形態1の探触子おける、複数の送受信回路(送受信チャネルECh)が搭載された集積回路(2DアレイIC50)の概要を示すブロック図である。 実施形態1の探触子における一つの送受信回路(送受信チャネルECh)の構成を示すブロック図である。 実施形態1の探触子が超音波診断装置本体から受け取るTGC制御信号10の時間変化を示すグラフである。 実施形態1の探触子の可変減衰器300の周波数対減衰度特性を示すグラフである。 実施形態2の探触子おける、複数の送受信回路(送受信チャネルECh)が搭載された集積回路(2DアレイIC50)の概要を示すブロック図である。 実施形態3の探触子における一つの送受信回路(送受信チャネルECh)の構成を示すブロック図である。 実施形態3において、2.5MHzの正弦波信号を図6の可変減衰器300に入力したときの出力信号のスペクトラムである。 実施形態4における超音波診断装置の構成を示すブロック図である。
以下、本発明の実施形態につき、図面を用いて説明する。なお、実施形態を説明するための各図において、同一の構成要素には同一の名称、符号を付して、その繰り返しの説明を省略する。
本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数または順序を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。
<<<実施形態1>>>
実施形態1の超音波診断装置用の探触子について図面を用いて説明する。図1は、探触子内の複数の送受信回路(送受信チャネルECh)が搭載された集積回路(2DアレイIC50)の概要を示す図であり、図2は、一つの送受信回路(送受信チャネルECh)の構成を示す図である。
<探触子の概要>
実施形態1の超音波探触子は、超音波診断装置に接続され、被検体の対象部位に超音波を送信し、反射波である超音波信号を受信する。
探触子には、2次元(2D)に配列された振動子100が搭載されている。振動子の数は、例えば数千から1万素子である。
図1および図2に示すように、探触子内には、複数の振動子100と、振動子100へ送信信号をそれぞれ出力する複数の送信回路600と、振動子100の受信信号にそれぞれタイムゲインコントロール等の処理を行った後、遅延させる複数の受信回路700と、複数の受信回路700の出力を加算する加算回路900と、TGC制御信号生成器20とを含む。
上記振動子100、送信回路600、受信回路700および加算回路900は、2DアレイIC50上に集積されている。
上記2DアレイIC50の各回路によって、振動子100の出力する受信信号は、タイムゲインコントロール処理および増幅処理を施された後、1段階目の受信ビームフォーミング(ここでは遅延加算)を行われ、サブチャネル(以下、SCh(Sub Channel)とも記す)ごとに束ねられる。束ねられたサブチャネルの信号の数は、探触子と超音波診断装置本体とを接続するケーブル内の信号線の数(例えば約200本)以下であり、信号線によって伝送されることにより、超音波診断装置本体に入力される。
超音波診断装置本体は、内部の回路により、2段階目の受信ビームフォーミングを行って、被検体内に設定した受信走査線上の深度ごとの受信焦点に焦点を合わせ、整相加算後信号を生成する。
超音波診断装置本体は、整相加算後信号を用いて、被検体の断層像や3Dボリュームデータを生成する。
<探触子内の回路>
探触子内の回路について、図1および図2を用いて具体的に説明する。
上述のように探触子内には、複数の振動子100と、複数の送信回路600と、複数の受信回路700とが配置されている。
図2のように、一つの振動子100と、一つの送信回路600と、一つの受信回路700は、送受信チャネル(Element Channel)EChを構成している。複数(M×N個)の送受信チャネルECh11~EChMNは、2DアレイIC50上に、2次元マトリクス状に配列されて搭載されている。M×N個の送受信チャネルECh11~EChMNは、すべて同じ回路定数で設計された回路である。
受信回路700はそれぞれ、送受切替スイッチ200と、タイムゲインコントロールを行う可変減衰器300と、増幅器400と、遅延回路800を含む。送受切替スイッチ200と、増幅器400とは、第1信号線500によって接続されている。可変減衰器300は、第1信号線500の途中に接続されている。遅延回路800は、増幅器400の出力の第2信号線502に接続されている。なお、遅延回路800は、送信回路600にも接続されており、送信信号の遅延処理も行う。
*「振動子」*
振動子100は、送信時には、送信回路600から送信信号を受け取って、超音波信号に変換して被検体に送信する。受信時には、振動子100は、被検体からで反射された超音波信号をグランドレベルの電気信号へ変換し、第1出力信号として送受切替スイッチ200に出力する。
*「送受切替スイッチ200」*
送受切替スイッチ200は、振動子100からの第1出力信号を第1信号線500に出力するか否かを切り替えるスイッチである。送信時には、送受切替スイッチ200をオフに切り替えることにより、送信回路600から振動子100に出力される大振幅の送信信号から後段の受信回路700を保護する。
送受切替スイッチ200は、1以上の送受切替スイッチ用高耐圧MOSFET(Nチャネル型MOSFETのMN201、202)と、フローティング電圧生成部203と、スイッチ素子(SW)204と、抵抗R205と、バイパス信号線206とを備えている。
送受切替スイッチ用MOSFETのMN201、202のソース間、および、ゲート間は互いに接続されている。送受切替スイッチ200の一方のMOSFETであるMN201のドレインは、振動子100に接続され、他方のMOSFETであるMN202のドレインは、第1信号線500に接続されている。
フローティング電圧生成部203は,例えば,非特許文献1の図4に示されるような回路であり、MN201とMP202のゲートとソースとの間に印加する電圧を生成する。
スイッチ素子204は、電源VDD1に接続されたスイッチ端子204aと、オン端子204bと、オフ端子204cとを備えている。
オン端子204bは、フローティング電圧生成部203に接続されている。スイッチ端子204aをオン端子204b側に接続したオン時(超音波の受信時)には、スイッチ素子204は、バイアス電流Ibiasをフローティング電圧生成部に供給する。
一方、オフ端子204cは、バイパス信号線206によって第1信号線500に接続されている。スイッチ端子204aをオフ端子204cに接続したオフ時(超音波の送信時)には、バイアス電流Ibiasを第1信号線500に直接流入させる。
これにより、送受切替スイッチ200は振動子100からの第1出力信号を第1信号線500に出力するか否かを切り替えることができる。
しかも、スイッチ素子204のオン時には、バイアス電流Ibiasは、フローティング電圧生成部203と、MN202を介して、抵抗R205からグランドに流れる。一方、スイッチ素子204のオフ時には、バイアス電流Ibiasは、バイパス信号線206を介して、抵抗R205からグランドに流れる。よって、常に抵抗R205には、バイアス電流Ibiasが流れるため、第1信号線500の電位は、抵抗R205とバイアス電流Ibiasの積で決まる電位になる。言い換えると、送受切替スイッチ200は、スイッチオフの時に第1信号線500にバイアス電位を出力する。しかも、送受切替スイッチ200が、スイッチオフの時に第1信号線500に出力するバイアス電位は、送受切替スイッチ200がスイッチオンの時に第1信号線に出力するバイアス電位と、等しい。よって、送受切替スイッチ200のオンオフに係わらず、第1信号線500の電位を一定に保つことができるため、増幅器400内の第1キャパシタ401の容量を第1信号線500設計しておくことにより、増幅器400内のLNA402の動作を安定させることができる。増幅器400の第1キャパシタ401の容量については後で詳しく説明する。
*「可変減衰器」*
可変減衰器300は、送受切替スイッチ200を介して振動子100から第1信号線500に入力された受信信号を減衰させ、タイムゲインコントロールを実現する。具体的には、受信開始時に第1信号線500に入力される、被検体の体表近くで反射された超音波の受信信号は、大きく減衰させ、時間の経過とともに被検体の深い部分で反射された超音波の受信信号は、減衰させない処理を行う。
可変減衰器300は、制御端子と2つの端子を備えた素子を備えて構成される。本実施形態では素子として、Pチャネル型MOSFETのMP301aとNチャネル型MOSFETのMN301bを用い、これらを並列に接続することにより、可変減衰器300を構成している。
並列接続したMP301aとMN301bの一端は、第1信号線500に接続されている。また、並列接続したMP301aとMN301bの他端は、2DアレイIC50に設けられたパッド41に接続されている。パッド41には、第2キャパシタ40の一方の端子が接続され、第2キャパシタ40の他方の端子は接地されている。
これにより、TGC制御信号生成器20から制御端子(ゲート)に入力される減衰器制御信号30に応じて、制御端子以外の2つの端子(ソースとドレイン)間の抵抗値が変化する。具体的には、可変減衰器300は、自身の可変制御された抵抗値と、振動子100のインピーダンスと、送受切替スイッチ200のオン抵抗との組み合わせで第1信号線500の信号を減衰させることができる。
よって、可変減衰器300に入力する減衰器制御信号30を、送信(または受信開始)からの時間経過にしたがって変化させることにより、可変減衰器300の減衰率を変え、タイムゲインコントロールを実現することができる。
なお、図1に示したように、第2キャパシタ(共通コンデンサ)40は、すべての送受信チャネルECh11~EChMNの可変減衰器300に、共通に接続されている。
第2キャパシタ40は、容量が大きいほど、可変減衰器300が減衰させることのできる周波数帯域の最低周波数を低下させることができる。よって、所望の周波数帯域全体を、可変減衰器300で減衰させることができるように、第2キャパシタ40の静電容量の値を予め設計しておく。
第2キャパシタ40は、送受信チャネルECh11~EChMN内に配置される可変減衰器300自身の可変制御された抵抗値と,振動子100のインピーダンスと、送受切替スイッチ200のオン抵抗に対して,十分小さなインピーダンスとなる必要がある。一方,第1キャパシタ401は、LNA402の入力インピーダンスとの組み合わせで高域通過フィルタを形成し,その遮断周波数は、LNA402の大きな入力インピーダンスと第1キャパシタ401の容量との積で決まる。振動子100のインピーダンスは数キロオーム,送受切替スイッチ200のオン抵抗は数十~数百オームであるのに対し,LNA402の大きな入力インピーダンスは数百~数メガオームであり、桁の違う大きなインピーダンスと第1キャパシタ401の容量との組み合わせで受信帯域を決めているため,第2キャパシタ40は第1キャパシタ401の静電容量値より大きくなる。
なお、可変減衰器300により、タイムゲインコントロールが実現される原理と、第2キャパシタ40の静電容量C40の値の設計について、後で数式を用いて詳しく説明する。
また、第2キャパシタ40は、送受切替スイッチ200のバイアス電流Ibiasが、第1信号線500を介して可変減衰器300へ流れ込まないようにする作用もする。
*「TGC制御信号生成器20」*
TGC制御信号生成器20は、可変減衰器300の制御信号を生成する。TGC制御信号生成器20は、TGC制御信号10を入力し,可変減衰器300のMP301aとMN301bのゲートに入力する制御信号を生成する回路である。TGC制御信号10は,超音波診断装置から生成することも可能であるが,2DアレイIC50で生成することもできる。
TGC制御信号生成器20は、図1のように2DアレイIC50上の複数の受信回路が実装された領域より周辺の領域に実装されている。
このように本実施形態では、2DアレイIC50上でTGCを実現する可変減衰器300と、その制御信号を生成するTGC制御信号生成器20の双方を実現することができる。
TGC制御信号生成器20は、電圧電流変換器VIC21とカレントミラーCM21と、Nチャネル型MOSFETであるMN21bと、Pチャネル型MOSFETであるMP21aとを備えて構成される。回路構成の詳細については、後で説明する。
*「増幅器400」*
増幅器400は、低雑音増幅回路(以下、LNA(Low Noise Amplifier)402を含む。増幅器400は、可変減衰器300が減衰させた受信信号を増幅する。本実施形態では、可変減衰器300によって、被検体の体表近くで反射された振幅の大きな信号を減衰させることができるため、LNA402の利得を、被検体の深部で反射された振幅の小さな信号に合わせて、大きく設定することができる。よって、深部からの受信信号の振幅を大きく増幅することができ、画像の精度を向上させることができる。
LNA402と送受切替スイッチとの間の第1信号線500には、第1キャパシタ401が直列に挿入されている。すなわち、LNA402は、第1キャパシタ401を介して、第1信号線500の信号が入力され、これを増幅して第2信号線502に出力する。
第1キャパシタ401は、抵抗R205とバイアス電流Ibiasの積で決まる第1信号線500の電位を、LNA402の動作に適した電位との差異を直流電圧として保持する。よって、LNA402の動作に適した電位と、第1信号線500の電位との差に応じて、予め第1キャパシタ401の容量を設計する。
第1キャパシタ401は、可変減衰器300とLNA402との間の第1信号線500に挿入されていることが望ましいが、第1キャパシタ401とLNA402との間に可変減衰器300が挿入されていてもよい。
<送受信時の各部の動作>
探触子の2DアレイIC50上の回路の送受信時の動作について説明する。
送受信チャネルECh11~EChMNは、予め複数のサブチャネル(SCh)に分けられている。
*「 送信 」*
送信時は、超音波診断装置本体,または2DアレイICで生成した送信信号は、1つのサブチャネル内の全ての送受信チャネルEChに回路に分岐される。各送受信チャネルEChの遅延回路800は、送信信号に所定の遅延量を与える。送信回路600は、遅延後の送信信号を増幅等し、振動子100に出力する。
振動子100はそれぞれ、所定量ずつ遅延された送信信号を超音波に変換して、被検体に送信する。これにより、所定の送信焦点を有する超音波が送信される。
送信時には、受信回路700の送受切替スイッチ200は、制御信号VSWによりスイッチ素子(SW)204をスイッチ端子204aをオフ端子204c側に切り替えられる。
これにより、バイアス電流Ibiasは、バイパス信号線206を通って送受切替スイッチ200の第1信号線500側へ流れ、抵抗R205を経てグランドへ流れる。
したがって、フローティング電圧生成部203へバイアス電流Ibiasが流れないので、MN201、202のゲート-ソース間電圧は閾値より小さい電圧となり、送受切替スイッチ200はオフとなる。
よって、送受切替スイッチ200は、送信回路600から振動子100に出力される大振幅の送信信号から後段の受信回路700を保護することができる。
このとき、送受切替スイッチ200のバイアス電流Ibiasは、バイパス信号線206を通って第1信号線500に供給される。
よって、送信時の第1信号線500の電位は、バイアス電流Ibiasと抵抗R205の抵抗値の積で決まるVDCとなる。
*「 受信 」*
被検体に送信された超音波は、被検体内を伝搬しながら、被検体内の組織等によって反射され、再び振動子100に到達する。
振動子100は、超音波の反射波を受信して電気信号に変換し、受信信号を出力する。
送受切替スイッチ200は、制御信号VSWの指令によりSWを用いてバイアス電流Ibiasを切り替える。受信時はフローティング電圧生成部203へバイアス電流Ibiasを流して高耐圧Nch MOSFETであるMN201、202をオンとするゲート-ソース間電圧を生成する。これにより、送受切替スイッチ200は、オンとなる。
これにより、振動子100から出力される受信信号は、第1信号線500に印加され、第1信号線500の電位を中心に振動する。
フローティング電圧生成部203を経由したバイアス電流Ibiasは、MN202、抵抗R205を経てグランドへ流れる。
よって、受信時の第1信号線500の電位は、フローティング電圧生成部203を動作させるバイアス電流Ibiasと、抵抗R205の抵抗値との積で決まるVDCとなる。
振動子100から出力される受信信号は、第1信号線500において、第1信号線500の電位VDCを中心に振動する。
このように、本実施形態では、バイアス電流Ibiasは、送信時と受信時で送受切替スイッチ200がオフとオンに切り替えられた場合でも、いずれも抵抗R205を経由してグランドへ接続されるように構成されている。このようにすることで、第1信号線500の電位は送信と受信の切り替えで変動することはなく一定にすることができる。
第1信号線500の受信信号は、可変減衰器300に入力される。
可変減衰器300は、減衰器制御信号30のレベルに応じ、電気信号を減衰させる。
減衰器制御信号30は、TGC制御信号生成器20が、TGC制御信号10から生成した1ペアの信号であり、可変減衰器300の制御端子(ゲート)へ入力される。
TGC制御信号10は、例えば図3のように、タイムゲインコントロール(TGC)の開始時から徐々に上昇するランプアップ信号である。
TGC制御信号生成器20において、このTGC制御信号10を電圧電流変換器VIC21によって電流に変換される。具体的には、電圧電流変換器VIC21は、TGC開始時から徐々に下降する出力電流22、23へ変換される。
出力電流23は、Nチャネル型MOSFETであるMN21bへ流れ込む。出力電流22は、カレントミラーCM21で極性を変換した出力電流22’にし、Pチャネル型MOSFETであるMP21aへ流れ込む。MP21a、MN21bのゲート電位が、減衰器制御信号30となる。
生成された1ペアの減衰器制御信号30は、可変減衰器300のPチャネル型MOSFETであるMP301aとNチャネル型MOSFETであるMN301bの制御端子(ゲート)に入力される。
これにより、MN301bのゲート-ソース間電圧は、TGC開始時から徐々に下降するため、ドレイン-ソース間の抵抗RMNは、徐々に大きくなる。同様にMP301aのソース-ゲート間電圧はTGC開始時から徐々に下降するので、ドレイン-ソース間抵抗RMPも徐々に大きくなる。
第1信号線500の受信信号は、MP301aとMN301bの抵抗が小さいタイムゲインコントロール(TGC)の開始時(体表近傍からの受信信号の受信時)には、大きく減衰し、MP301aとMN301bの抵抗が徐々に大きくなるにつれ(深度が深くなるにつれ)、減衰率が低減する。
減衰された受信信号は、増幅器400へ入力される。
増幅器400のLNA402は、信号対雑音比の劣化の影響を最小限にして、受信した信号を増幅する。LNA402は、電源VDD2で動作する。回路構成にもよるが、LNA402は、電源VDD2の電圧とグランドレベルの間の予め定められたバイアス電圧VDCINを中心に振動する信号を増幅するように構成されている。
第1信号線500の電位(バイアス電圧)VDCは、上述したようにバイアス電流Ibiasと抵抗R205の抵抗値によって決まっており、LNA402のバイアス電圧VDCINとは異なる。そこで、LNA402の前段に第1キャパシタ401を配置し、第1キャパシタ401のLNA402側の端子501のバイアス電圧を、LNA402のバイアス電圧VDCINに一致させて、LNA402に接続する。
<可変減衰器300によるTGC実現の原理>
可変減衰器300によってタイムゲインコントロールが実現される原理を数式を用いてさらに詳しく説明する。
振動子100のインピーダンスをZTD、送受切替スイッチ200のオン抵抗をRTRSWON、可変減衰器300のMN301bとMP301aのドレイン-ソース間抵抗をそれぞれRDSN301b、RDSP301a、第2キャパシタ40の容量をC40、第2キャパシタ40のインピーダンスをZ40、可変減衰器300の抵抗をRATTとすると、可変減衰器300を流れる電流IATTは、式(1)~(2)を用いて式(3)のように求められる。

40=j/(2πfxC40) …(1)
ATT=RDSN301b×RDSPa301/(RDSN301b+RDSP301a) …(2)
ATT=|(RATT+Z40)/(ZTD+RTRSWON+RATT+Z40)| …(3)

式(1)において、fは周波数、jは虚数単位(即ち、√(-1))である。
特に、受信信号の所望帯域内で第2キャパシタ40のインピーダンスZ40の絶対値が、可変減衰器300の抵抗RATTよりも十分に小さい(|Z40|<<RATT)とき、可変減衰器300を流れる電流IATTは、式(4)で表される。

ATT≒|(RATT)/(ZTD+RTRSWON+RATT)| …(4)
振動子100により超音波から電気信号に変換された受信信号は、増幅器400の入力インピーダンスが十分大きいとすると、
|20×log(IATT)|[dB]
の減衰度で減衰し、増幅器400へ入力される。
ここで、可変減衰器300のMN301bとMP301aのドレイン-ソース間抵抗RDSN301bとRDSP301aは、減衰器制御信号30の関数である。減衰器制御信号30は、TGC制御信号10の関数であり、TGC制御信号10は、図3のように時刻と共に上昇する信号である。よって、増幅器400に入力される信号振幅の減衰度は、図4のように、時刻と共に低減する。これにより、タイムゲインコントロール開始時(体表近くからの受信信号)を最も大きく減衰させ、時刻の経過とともに減衰度合を低減しながら減衰させることができる。つまり受信回路の利得をタイムゲインコントロールできる。
<第2キャパシタ40の静電容量C40の値の設計>
第2キャパシタ40の静電容量C40の値の設計について、数式を用いて説明する。
減衰器制御信号30で設定できる可変減衰器300の抵抗RATTの最小値、最大値をそれぞれ、RATTmin、RATTmaxとし、可変減衰器300を流れる電流IATTの最小値(受信利得を最小とする値)、最大値(受信利得を最大とする値)をそれぞれ、IATTmax、IATTminとすると、IATTmax、IATTminは、式(5)、(6)で表される。

ATTmax=|(RATTmin+Z40)/(ZTD+RTRSWON+RATTmin+Z40)| …(5)
ATTmin=|(RATTmax+Z40)/(ZTD+RTRSWON+RATTmax+Z40)| …(6)
よって、可変減衰器300を流れる電流IATTの制御範囲は、式(7)の範囲である。

ATTmax≦IATT≦IATTmin ・・・(7)
図4に可変減衰器300の周波数対減衰度特性を示す。図4に示すように、TGC開始時においては、可変減衰器300は、周波数f1で減衰を開始し、周波数f2以上の帯域で減衰度が一定となる。周波数f1および周波数f2は、式(8)、(9)のように表される。

周波数f1=1/(2πC40)/(ZTD+RTRSWON+RATTmin) …(8)
周波数f2=1/(2πC40×RATTmin) …(9)
よって、少なくとも超音波画像の生成に用いる受信信号の周波数帯域が、減衰度一定となる周波数f2より高周波帯域に含まれるように、第2キャパシタ40の容量C40、RTRSWON、および、RATTminを設計する。例えば、第2キャパシタ40の容量C40を調整することにより、比較的容易に超音波画像の生成に用いる受信信号の周波数帯域が、周波数f2より大きくすることができる。
可変減衰器300の抵抗RATTが、第2キャパシタ40のインピーダンスZ40よりも十分小さくすることにより(RATT<<Z40)、電圧制御可変抵抗として用いているMN301とPN301のドレイン-ソース間の抵抗の可変範囲を、より効果的に活用できる。
なお、本実施形態では、第2キャパシタ40を2DアレイIC50とは別の素子とし、パッド41を介して両者を接続する構成にしたが、2DアレイIC50に実装してもよい。可変減衰器300を流れる電流IATTの制御範囲が、使用を満足できる範囲の第2キャパシタ40を形成できる面積が確保できる場合には、2DアレイIC50上に実装したM×N個の送受信回路及びその周辺のブロック回路と同一のダイエリアに実装してもよい。
上述してきたように、本実施形態1によれば、M×N個の送受信チャネルECh11~EChMNは、同一の2DアレイIC50上にマトリクス状に実装され、その周辺に1つのTGC制御信号生成器20を自由度高く配置すればよいため、2DアレイIC50に実装する回路サイズの増大を抑えることができる。
また、本実施形態によれば、数千から1万素子の振動子100の一つ一つに、それぞれ一つの独立したばらつきの小さい利得可変機能を有する受信回路700を接続することができる。
そして、それらを多数、2Dアレイ状に配置した上で、回路サイズと消費電力を抑えながらタイムゲインコントロールすることが可能となる。
よって、体表近傍および深部の両方において診断画像のSNRを向上した2Dアレイ探触子を備えた超音波診断装置を提供することができる。
また、探触子内に実装される2DアレイIC50において、自ら可変減衰器300の利得を制御する減衰器制御信号30を生成することができる。これにより多数の増幅器400を同時に利得制御可能になる。よって、多数の送受信チャネルEchの利得のばらつきを抑制でき、2DアレイIC50に適したTGC回路を構成できる。
さらに、送受切替スイッチ200がオフの時にもバイアス電流Ibiasが抵抗R205に流れるようにバイパス信号線206を配置したことにより、送受切替スイッチ200がオンの時もオフの時も第1信号線500の電位(バイアス電圧)VDCを一定にすることができる。これにより、増幅器400のLNA402に入力される受信信号のバイアス電位を一定にすることができ、LNA402の増幅処理を安定化させることができる。
<<<実施形態2>>>
実施形態2の超音波診断装置用の探触子について図5を用いて説明する。図5は、探触子内の複数の送受信回路が搭載された2DアレイIC50の回路の概要を示す図である。
実施形態2の2DアレイIC50は、実施形態1と同様に送受信チャネルECh11~EChMNが2次元に配列された構成であるが、共通コンデンサとして第2キャパシタ40に加えて、第3キャパシタ42がさらに追加されている。第2キャパシタ40およびパッド41から距離が遠い送受信チャネルEChは、第3キャパシタ42に接続されているパッド43に接続されている。すなわち、送受信チャネルECh11~EChMNは、第2または第3キャパシタ40、42と接続する配線の長さが所定値以下になるように、2以上のパッド41、43のうち位置的に近いパッドに接続されている。これにより、送受信チャネルEChと、第2キャパシタ40または第3キャパシタ42とを接続する配線503を短くし、配線抵抗が可変減衰器300の抵抗に加わり、減衰度が変化するのを抑制する。
これを数式を用いてさらに説明する。なお、図5において、図1~4と同じ構成要素には同じ符号を付与し、説明を略す。
図5において、第2キャパシタ40 に最も近い送受信チャネルECh_Nearestから第2キャパシタ40までの配線503の配線抵抗をRM_Nearest、第2キャパシタ40に最も近い送受信チャネルECh_Farestから第2キャパシタ40までの配線503の配線抵抗RM_Farestで表す。
2DアレイIC50には、M×N個という多数の送受信回路を実装するため、第2キャパシタ40に最も近い送受信チャネルECh_Nearestと、最も遠い送受信チャネルECh_Farestでは、配線抵抗をRM_Nearestと配線抵抗RM_Farestの際に起因して可変減衰器300を流れる電流IATTに差異が生ずる。このとき、送受信チャネルECh_Nearestと送受信チャネルECh_Farestの可変減衰器300を流れる電流IATTの最大値と最小値を、それぞれIATT_Nearest_max、IATT_Nearest_minATT_Farest_max、ATT_Farest_minとする。これらは、式(5)、(6)に配線抵抗RM_Nearest、RM_Farestを加味して、それぞれ式(10)~(13)で表される。
IATT_Nearest_max
=|(RATTmin+Z40+RM_Nearest)/(ZTD+RTRSWON+RATTmin+Z40+RM_Nearest)| …(10)

ATT_Nearest_min
=|(RATTmax+Z40+RM_Nearest)/(ZTD+RTRSWON+RATTmax+Z40+RM_Nearest)| …(11)

ATT_Farest_max
=|(RATTmin+Z40+RM_Farest)/(ZTD+RTRSWON+RATTmin+Z40+RM_Farest)| …(12)

ATT_Farest_min
=|(RATTmax+Z40+RM_Farest)/(ZTD+RTRSWON+RATTmax+Z40+RM_Farest)| …(13)

なお、式(10)~(13)において、RATTmin、RATTmaxは、それぞれ可変減衰器300の抵抗RATTの最小値、最大値、Z40は、第2キャパシタ40のインピーダンスZ40、ZTDは、振動子100のインピーダンス、RTRSWONは、送受切替スイッチ200のオン抵抗である。
よって、可変減衰器300を流れる電流IATT_Nearest、IATT_Farestの制御範囲は、式(14)、(15)の範囲である。

ATT_Nearest_max ≦IATT_Nearest ≦IATT_Nearest_min …(14)
ATT_Farest_max ≦IATT_Farest ≦IATT_Farest_min …(15)
可変減衰器300は、タイムゲインコントロールの終了時において、受信利得が大きいことが必要であるので、可変減衰器300の抵抗RATTmaxは、式(16)を満たす。

ATTmax>>ZTD+RTRSWON+Z40+配線抵抗 ・・・(16)
この場合、第2キャパシタ40に最も近い送受信チャネルECh_Nearestの可変減衰器300を流れる電流IATTの最小値電流IATT_Nearest_minと、第2キャパシタ40に最も遠い送受信チャネルECh_Farestの可変減衰器300を流れる電流IATTの最小値電流IATT_Farest_minは、式(17)のようにほぼ等しいと近似できる。
ATT_Nearest_min≒IATT_Farest_min・・・(17)
第2キャパシタ40に最も近い送受信チャネルECh_Nearestの可変減衰器300における減衰度と、第2キャパシタ40に最も遠い送受信チャネルECh_Farestの可変減衰器300における減衰度との差は、式(18)により表される。

|20log(IATT_Nearest_max/IATT_Farest_max)|[dB] ・・・(18)
よって、式(18)で表される減衰度の差が、例えば1dB以内というような仕様を設けた場合、第2キャパシタ40から遠くに位置する送受信チャネルEChには、上述の1dB以内というような仕様を満たさない、信号減衰度が小さいものが生じる。
本実施形態では、図5のように、第3キャパシタ42とパッド43を、第2キャパシタ40から最も遠い送受信チャネルECh_Farest近傍に追加しているため、可変減衰器300の信号減衰度の低下を抑制できる。
これにより、多数(M×N個)の送受信チャネルEChの、可変減衰器300は信号減衰度のばらつきを抑制し、均一なタイムゲインコントールを行うことができる。よって、近傍・深部両診断画像のSNRを向上させた2Dアレイ探触子を備えた超音波診断装置を提供することができる。
<<<実施形態3>>>
実施形態3の超音波診断装置用の探触子について図6を用いて説明する。図6は、実施形態3の送受信チャネルECh詳細図である。図6において、図2と同じ構成要素には図2と同じ符号を付与し、説明を省略する。
実施形態1で説明したように、振動子100により超音波から電気信号に変換された受信信号は、第1信号線500の電位(バイアス電圧)VDCを中心に振動する。電位VDCは、グランドに近い電位である。この電位を中心に大振幅で振動する信号により、nチャネル型MOSFETであるMN301bのドレイン電位は、ソース電位より下がることがある。この時、バックゲート302bがグランドに接続されているとバックゲート302bからドレインへ電流が流れ、結果的に、第1信号線500の信号が歪んでしまう。
そこで、実施形態3ではMN301bのバックゲート302bをグランドより低い電位の電源VSS2へ接続することにより、バックゲート302bからドレインへ電流が流れる現象を抑制する。これにより、第1信号線500の信号が歪む現象を防ぐことができる。
同様に、Pチャネル型MOSFETであるMP301aのバックゲート302aは、グランドよりも高い電位の電源VDD2へ接続する。
また、TGC制御信号生成器20のNチャネル型MOSFETであるMN21bのバックゲート24bは、電源VSS2へ接続される。また、Pチャネル型MOSFETであるMP21aのバックゲート24aは、電源VDD2へ接続される。
図7(a)、(b)は、2.5MHzの正弦波信号を図6の可変減衰器300に入力したときの出力信号のスペクトラムである。図7(a)は、図6のようにMN301bのバックゲート302bを電源VSS2へ接続し、MP301aのバックゲート302aを電源VDDSへ接続した可変減衰器300であり、図7(b)は、バックゲート302a、302bをグランドに接続した可変減衰器300である。
図7(a)、(b)のスペクトラムにおいて、一番左のピークは、基本波(ここでは、2.5Hzの正弦波信号)であり、真ん中は二次高調波のピークである。図7(a)の方が、図7(b)よりも二次高調波レベルが抑制されていることが確認できる。
上記以外の探触子の構成および作用・効果は、実施形態1と同様である。
<<<実施形態4>>>
図8は、実施形態4における超音波診断装置の構成図である。
超音波診断装置は、本体装置US90と、ディスプレイUS80と、操作パネルUS70とを備えている。
本体装置US90には、探触子を接続するコネクタボックスUS30、US31と、コネクタボックスUS31に接続されている探触子US21を選択するUS31を選択するプローブセレクタUS40が配置されている。
また、本体装置US90内には、送受切替スイッチUS320、増幅器US121、増幅器US120、アナログデジタル変換器US54、および、信号処理回路US60が配置されている。本体装置US90の底面には、キャスターUS1000、US1001が備えられており、超音波診断装置は、床面場を自在に移動可能である。
増幅器US121は、送信信号の増幅を行う。送受切替スイッチUS320は、送信信号の受信系への回り込みを防ぐ役割をする。増幅器US120は、探触子US10、US11から受け取ったサブチャネルの受信信号の増幅を行う。
信号処理回路US60は、論理回路であり、増幅器US120の出力信号をアナログデジタル変換器US54を介してデジタル信号として受け取り、信号処理を行って超音波画像を生成する。送信時には、信号処理回路US60は、信号処理を行った送信信号を、デジタルアナログ変換器US51を介して増幅器US121へ入力し、2Dアレイ探触子US10、US11へプローブセレクタUS40、コネクタボックスUS30、US31、ケーブルUS20、US21を経て送信する。
コネクタボックスUS30、US31には、探触子US10、US11が、ケーブルUS20、US21を介して接続されている。プローブセレクタUS40は、探触子US10、US11のいずれか一方を選択的に、送受切替スイッチUS320に接続する。
探触子US10、US11内には、それぞれ実施形態1~3のいずれかの2DアレイIC50が実装されている。また、探触子US10、US11内には、整合層US200、US201と、音響レンズUS210、US211も配置されている。整合層US200、US201は、2Dアレイの振動子100と生体の音響インピーダンスを整合する。音響レンズUS210は、超音波ビームを収束させる。
なお、図8の超音波診断装置の本体装置US90には2つのコネクタボックスUS30、US31があり、2つの2Dアレイ探触子US10、US11が接続されるが、接続される探触子は2本に限定されるものではない。また、コネクタボックスUS30、US31には従来の1Dアレイ探触子等も接続可能である。また、ドプラ専用などの特殊な探触子を接続するためのコネクタボックス接続端子を設けてもよい。
患者の体内のどの部位を見るかなど本体装置US90の様々な操作は、操作パネルUS70から行う。また、本体装置US90は様々な診断モードを備えており、診断モードの切替も操作パネルUS70から行う。診断モードにはB(Brightness)、PW(Pulsed Wave Doppler)、CFM(Color Flow Mapping)、STCW(Steerable CW Doppler)モードなどがある。
Bモードは組織から反射された超音波の受信振幅強度を明るさに対応付けて表示するモードである。
PWモードは、超音波をある深さに向けて繰り返し送信し、この部位から反射した信号の繰り返し送信毎の周波数偏移を測定することにより、血流速を求めるモードである。PWモードでは、特定の位置の血流速がわかり、Bモード画像に重ねて表示できる。
CFMは、カラードプラとも呼ばれ、超音波送信毎の受信信号の自己相関を求めることにより血流速を可視化するモードである。CFMモードでは超音波の受信ビーム上の多数のポイントにおける位置の平均速度がわかり、逆流などの発見に用いられる。
STCWモードも血流速を測定するモードであるが、これは速い血流速測定に適している。
信号処理回路US60は、アナログデジタル変換器US54からの信号を処理し、上記様々なモードの診断画像を生成する。この画像はディスプレイUS80に表示する。
本実施形態におけるTGC回路は2DアレイICに限らず、1Dなど通常の超音波探触子による超音波信号の受信に用いることが可能である。また、探触子ではなく装置側へ実装しても同等のTGC機能を実現できる。
以上実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
11~MN…送受信チャネルECh(送受信回路)
10…TGC制御信号
20…TGC制御信号生成器
22、22’、23…出力電流
24a…バックゲート
24b…バックゲート
30…減衰器制御信号
40…第2キャパシタ(共通コンデンサ)
41…パッド
42…第3キャパシタ
43…パッド
50…2DアレイIC
100…振動子
200…送受切替スイッチ
203…フローティング電圧生成部
204…スイッチ素子
204a…スイッチ端子
204b…オン端子
204c…オフ端子
206…バイパス信号線
300…可変減衰器
302a…バックゲート
302b…バックゲート
400…増幅器
401…第1キャパシタ
402…低雑音増幅回路(LNA)
500…第1信号線
501…端子
502…第2信号線
503…配線
600…送信回路
700…受信回路
800…遅延回路
900…加算回路
VIC21…電圧電流変換器
CM21…カレントミラー
MN201、MN202…高耐圧Nチャネル型MOSFET
MN21b、MN301b…Nチャネル型MOSFET
MP21a、MP301a…Pチャネル型MOSFET
R205…抵抗
VSW…制御信号
Ibias…バイアス電流
VDD1、VDD2、VDDS、VSS2…電源
M_Nearest…配線抵抗
M_Farest…配線抵抗
US10、US11…2Dアレイ探触子
US20、US21…ケーブル
US30、US31…コネクタボックス
US40…プローブセレクタ
US120、US121…増幅器
US51…デジタルアナログ変換器
US320…送受切替スイッチ
US54…アナログデジタル変換器
US60…信号処理回路
US70…操作パネル
US80…ディスプレイ
US90…本体装置
US200、US201…整合層
US210、US211…音響レンズ
US1000、US1001…キャスター

Claims (13)

  1. 超音波診断装置に接続され、診断部位に超音波を送信し反射波である受信信号を受信する探触子であって、
    複数の受信回路を有し、
    各々の前記受信回路は、
    前記受信信号をグランドレベルの電気信号へ変換し、第1出力信号として出力する振動子と、
    第1信号線に接続され、前記振動子から出力された前記第1出力信号を前記第1信号線に出力するか否かを切り替える送受切替スイッチと、
    制御端子と2つの端子を備え、前記制御端子に入力される制御信号に基づいて、前記制御端子以外の前記2つの端子間の抵抗値を変化させる可変減衰器と、
    前記第1信号線に接続された第1キャパシタと、
    前記第1キャパシタに入力端子が接続され、前記第1信号線の電気信号を増幅して第2信号線に出力する増幅回路を少なくとも含む増幅器と
    を含み、
    前記送受切替スイッチは、スイッチオフの時に前記第1信号線にバイアス電位を出力し、
    前記可変減衰器は、前記制御端子以外の前記2つの端子のうち、一方の端子が前記第1信号線に接続され、他方の端子は前記第1キャパシタと異なる第2キャパシタを介して、グランドに接続されていることを特徴とする探触子。
  2. 請求項1記載の探触子であって、集積回路と、前記集積回路の外側に配置された1以上の共通コンデンサとを有し、
    前記集積回路は、複数の前記受信回路を含み、
    前記共通コンデンサは、複数の前記受信回路と接続され、複数の前記受信回路の前記第2キャパシタとして動作し、
    前記共通コンデンサは、前記集積回路の外側に位置することを特徴とする探触子。
  3. 請求項2記載の探触子であって、
    前記共通コンデンサの静電容量は、前記第1キャパシタの静電容量よりも大きいことを特徴とする探触子。
  4. 請求項1記載の探触子であって、
    前記送受切替スイッチが、スイッチオフの時に第1信号線に出力するオフ時バイアス電位と、
    前記送受切替スイッチが、スイッチオンの時に第1信号線に出力するオン時バイアス電位とは同じであることを特徴とする探触子。
  5. 請求項1記載の探触子であって、
    前記送受切替スイッチは1以上のMOSFETから構成され、スイッチオフの時には、高耐圧MOSFETを通らずに前記第1キャパシタ側に第1信号線のバイアス電位を定めるための電流を流す機能を具備することを特徴とする探触子。
  6. 請求項2記載の探触子であって、
    前記制御信号を複数の前記受信回路の各々に出力する1以上の制御信号生成器を有し、
    前記制御信号生成器は、前記集積回路内において、前記複数の受信回路が実装された領域より周辺の領域に実装されていることを特徴とする探触子。
  7. 請求項2記載の探触子であって、前記共通コンデンサは、2以上あり、前記集積回路に設けられた2以上のパッドを介して、それぞれ複数の前記受信回路に接続され、
    前記受信回路は、前記共通コンデンサと接続する配線の長さが所定値以下になるように、2以上のパッドのうち位置的に近いパッドに接続されていることを特徴とする探触子。
  8. 請求項1記載の探触子であって、
    前記可変減衰器は、前記制御端子と前記2つの端子を備える1以上のMOSFETを含み、
    前記MOSFETのバックゲートは、グランド電位ではない電源に接続されていることを特徴とする探触子。
  9. 超音波診断装置に接続され、対象部位に超音波を送信し反射波である超音波信号を受信する探触子であって、
    配列された複数の振動子と、複数の前記振動子にそれぞれ送信信号を出力する送信回路と、複数の前記振動子にそれぞれ接続された複数の受信回路とを有し、
    複数の前記受信回路はそれぞれ、前記送受切替スイッチと、前記増幅回路と、前記送受切替スイッチを前記増幅回路とを接続する第1信号線と、前記第1信号線の途中に接続された可変減衰器とを含み、
    前記振動子は、前記超音波信号を電気信号へ変換し、第1出力信号として前記送受切替スイッチに出力し、
    前記送受切替スイッチは、前記振動子からの前記第1出力信号を前記第1信号線に出力するか否かを切り替え、
    前記可変減衰器は、1以上の素子を含み、前記素子は、制御端子と2つの端子を備え、前記制御端子に入力される制御信号に応じて、前記制御端子以外の前記2つの端子間の抵抗値が変化する素子であり、前記素子の前記2つの端子のうち一方が前記第1信号線に接続されていることを特徴とする探触子。
  10. 請求項9に記載の探触子であって、前記可変減衰器の1以上の前記素子として、Nチャネル型MOSFETとPチャネル型MOSFETとを含み、前記Nチャネル型MOSFETとPチャネル型MOSFETは並列接続され、並列接続の一方の端子側は、前記第1信号線に接続され、他方の端子側には、第2キャパシタを介してグランドに接続されていることを特徴とする探触子。
  11. 請求項9に記載の探触子であって、
    前記送受切替スイッチは、1以上の送受切替スイッチ用MOSFETと、フローティング電圧生成部と、スイッチ素子と、バイパス信号線と、前記第1信号線に一端が接続された抵抗とを含み、
    前記送受切替スイッチ用MOSFETのソースおよびドレイン端子の一方は、前記振動子に、他方は前記第1信号線に接続され、
    前記フローティング電圧生成部は、前記送受切替スイッチ用MOSFETのゲートとソースとの間に印加する電圧を生成し、
    前記抵抗は、一端が前記第1信号線に接続され、他端はグランドに接続され、
    前記スイッチ素子は、バイアス電流源に接続されたスイッチ端子と、オン端子と、オフ端子とを備え、前記オン端子は、前記フローティング電圧生成部に接続され、オン時にバイアス電流を前記フローティング電圧生成部に供給し、前記オフ端子は、前記バイパス信号線によって前記第1信号線に接続され、オフ時に前記バイアス電流を前記第1信号線を介して前記抵抗に流入させる
    ことを特徴とする探触子。
  12. 請求項9に記載の探触子であって、前記増幅回路と前記送受切替スイッチとの間の前記第1信号線には、第1キャパシタが直列に挿入されていることを特徴とする探触子。
  13. 請求項1乃至12の何れか1項に記載の探触子と、前記探触子から受け取った信号を処理する処理装置とを有することを特徴とする超音波診断装置。
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