JP2022184615A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a technology capable of facilitating maintaining the concentration of an evaporation component contained in process liquid.SOLUTION: A substrate processing method according to the present disclosure is a substrate processing method for processing a substrate by immersing the substrate in process liquid containing an evaporation component and includes a periodic supplement step, a measurement step, and a feedback supplement step. In the periodic supplement step, the evaporation component is supplemented in a first supplement amount and at a first time interval so that the concentration of the evaporation component in the process liquid falls within an allowable range. In the measurement step, the concentration is measured. In the feedback supplement step, a determination whether or not the concentration measured in the measurement step falls below a threshold is executed at a second time interval and the evaporation component is supplemented in a second supplement amount when it is determined that the concentration falls below the threshold. In the substrate processing method according to the present disclosure, the periodic supplement step and the feedback supplement step are performed in parallel.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

従来、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることにより、基板を処理する技術が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a technique of processing a substrate by immersing the substrate in a processing liquid stored in a processing tank is known.

特開２０１２－７４５５２号公報JP 2012-74552 A

本開示は、処理液に含まれる蒸発成分の濃度維持を容易化することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of facilitating maintenance of the concentration of evaporated components contained in the treatment liquid.

本開示の一態様による基板処理方法は、蒸発成分を含有する処理液に基板を浸漬させることによって前記基板を処理する基板処理方法であって、定期補充工程と、測定工程と、フィードバック補充工程とを含む。定期補充工程は、処理液における蒸発成分の濃度が許容範囲に収まるように、第１補充量かつ第１時間間隔で蒸発成分を補充する。測定工程は、濃度を測定する。フィードバック補充工程は、測定工程によって測定された濃度が閾値を下回ったか否かの判定を第２時間間隔で実行し、濃度が閾値を下回ったと判定した場合に、蒸発成分を第２補充量で補充する。また、本開示の一態様による基板処理方法は、定期補充工程とフィードバック補充工程とを並行して行う。 A substrate processing method according to an aspect of the present disclosure is a substrate processing method for processing a substrate by immersing the substrate in a processing liquid containing an evaporated component, the substrate processing method comprising a regular replenishment step, a measurement step, and a feedback replenishment step. including. In the periodical replenishing step, the evaporative component is replenished with a first replenishment amount at a first time interval so that the concentration of the evaporative component in the processing liquid falls within an allowable range. The measuring step measures the concentration. In the feedback replenishing step, it is determined at a second time interval whether the concentration measured by the measuring step is below the threshold value, and if it is determined that the concentration is below the threshold value, the evaporated component is replenished with a second replenishment amount. do. Further, the substrate processing method according to one aspect of the present disclosure performs the periodic replenishment process and the feedback replenishment process in parallel.

本開示によれば、処理液に含まれる蒸発成分の濃度維持を容易化することができる。 According to the present disclosure, it is possible to facilitate maintenance of the concentration of evaporated components contained in the treatment liquid.

図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 図２は、実施形態に係る液処理ユニットの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the liquid processing unit according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the processing liquid supply system according to the embodiment. 図４は、実施形態に係る記憶部に記憶される濃度管理情報の一例を示す図である。4 is a diagram illustrating an example of density management information stored in a storage unit according to the embodiment; FIG. 図５は、実施形態に係る記憶部に記憶される補充モード情報の一例を示す図である。5 is a diagram illustrating an example of replenishment mode information stored in a storage unit according to the embodiment; FIG. 図６は、実施形態に係る第１補充モード、第２補充モードおよび第３補充モード間における補充間隔、判定間隔および補充量の大小関係をまとめた図である。FIG. 6 is a diagram summarizing the magnitude relationship between the replenishment interval, the determination interval, and the replenishment amount among the first replenishment mode, the second replenishment mode, and the third replenishment mode according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る定期補充処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of regular replenishment processing according to the embodiment. 図８は、実施形態に係るフィードバック補充処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating the procedure of feedback supplement processing according to the embodiment. 図９は、実施形態に係るモード変更処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating the procedure of mode change processing according to the embodiment. 図１０は、変形例に係る処理液供給システムの構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to a modification.

以下に、本開示による基板処理方法および基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。 Embodiments for implementing the substrate processing method and substrate processing apparatus according to the present disclosure (hereinafter referred to as "embodiments") will be described in detail below with reference to the drawings. Note that the present disclosure is not limited by this embodiment. Further, each embodiment can be appropriately combined within a range that does not contradict the processing contents. Also, in each of the following embodiments, the same parts are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。 Further, in the embodiments described below, expressions such as "constant", "perpendicular", "perpendicular" or "parallel" may be used, but these expressions are strictly "constant", "perpendicular", " It does not have to be "perpendicular" or "parallel". That is, each of the expressions described above allows deviations in, for example, manufacturing accuracy and installation accuracy.

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。 In addition, in each drawing referred to below, in order to make the explanation easier to understand, an orthogonal coordinate system is shown in which the X-axis direction, the Y-axis direction and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction. Sometimes. Also, the direction of rotation about the vertical axis is sometimes called the θ direction.

従来、処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させることにより、複数の基板を一括して処理する技術が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a technique of collectively processing a plurality of substrates by immersing the plurality of substrates in a processing liquid stored in a processing tank.

近年、たとえばスループットの向上等を目的として、より多くの基板を一括して処理することができるように、処理槽は大型化の傾向にある。 2. Description of the Related Art In recent years, for the purpose of improving throughput, for example, there is a tendency to increase the size of processing tanks so that more substrates can be processed at once.

処理槽が大型化すると、処理槽の開口部が大きくなり、これに伴い、蒸発面積が大きくなることから、処理液に含まれる蒸発成分の蒸発速度は速くなる。すなわち、処理槽が大型化すると、処理液における蒸発成分の濃度低下が速くなる。 When the size of the processing tank is increased, the opening of the processing tank is increased, and the evaporation area is increased accordingly, so that the evaporation rate of the evaporative components contained in the processing liquid is increased. In other words, when the size of the processing bath is increased, the concentration of the vaporized components in the processing liquid decreases quickly.

また、処理液が大型化すると、処理槽に貯留される処理液の量が多くなる。このため、蒸発成分を補充してから処理液における蒸発成分の濃度が安定化するまでに長時間を要するようになる。すなわち、蒸発成分の濃度応答性が低下する。 Further, when the size of the processing liquid increases, the amount of the processing liquid stored in the processing tank increases. Therefore, it takes a long time to stabilize the concentration of the evaporated component in the processing liquid after the replenishment of the evaporated component. That is, the concentration responsiveness of the evaporated component is lowered.

このような状況においては、蒸発成分の濃度のハンチングが大きくなる（振れ幅が大きくなる）ため、蒸発成分の濃度維持が困難化するおそれがある。 In such a situation, the hunting of the concentration of the evaporated component increases (the amplitude of fluctuation increases), which may make it difficult to maintain the concentration of the evaporated component.

なお、蒸発成分の濃度維持を困難化させる要因は、上述した処理槽の大型化に限定されない。たとえば、処理液をサンプリングして濃度モニタまで送液しているまでの間に処理槽内の蒸発成分が蒸発していくことで、濃度モニタによって測定された濃度と処理槽内の濃度とにずれが生じる。さらに、高温の処理液をサンプリングする場合には、濃度モニタで濃度を測定する前に、サンプリングした処理液を一旦冷却する必要がある。この場合、濃度モニタによって測定された濃度と処理槽内の濃度とのずれが大きくなる。これらの点も、蒸発成分の濃度維持を困難化させる要因となり得る。 The factor that makes it difficult to maintain the concentration of evaporated components is not limited to the above-described increase in the size of the processing tank. For example, the concentration measured by the concentration monitor may deviate from the concentration in the processing tank due to the vaporization of the evaporating components in the processing tank between the time the processing liquid is sampled and sent to the concentration monitor. occurs. Furthermore, when sampling a high-temperature processing liquid, it is necessary to temporarily cool the sampled processing liquid before measuring the concentration with the concentration monitor. In this case, the difference between the concentration measured by the concentration monitor and the concentration in the treatment tank increases. These points can also be factors that make it difficult to maintain the concentration of the vaporized component.

そこで、処理液に含まれる蒸発成分の濃度維持を容易化することができる技術が期待されている。 Therefore, there is a demand for a technique capable of facilitating maintenance of the concentration of evaporated components contained in the treatment liquid.

＜基板処理装置の構成＞
まず、実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。 <Configuration of substrate processing apparatus>
First, the configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment.

図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１は、液処理ユニット２と、処理液供給システム３と、制御装置４とを備える。 As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment includes a liquid processing unit 2 , a processing liquid supply system 3 and a control device 4 .

液処理ユニット２は、半導体ウエハ等の基板（以下、「ウエハ」と記載する）を処理液を用いて処理する。 The liquid processing unit 2 processes a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") with a processing liquid.

処理液は、蒸発成分を含む。一例として、実施形態に係る処理液は、ＳＣ１（アンモニア／過酸化水素水溶液）である。ＳＣ１は、蒸発成分としてアンモニアを含む。一例として、液処理ユニット２は、ウエハに対してＳＣ１を供給することにより、ウエハに形成されたシリコン系膜（たとえば、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびＳｉＮ膜等）をエッチング除去する。液処理ユニット２の構成例については後述する。 The treatment liquid contains evaporative components. As an example, the treatment liquid according to the embodiment is SC1 (ammonia/hydrogen peroxide aqueous solution). SC1 contains ammonia as a vaporizable component. As an example, the liquid processing unit 2 supplies SC1 to the wafer to etch away a silicon-based film (for example, polysilicon film, silicon oxide film, SiN film, etc.) formed on the wafer. A configuration example of the liquid processing unit 2 will be described later.

なお、本実施形態では、処理液がＳＣ１である場合を例に挙げて説明するが、処理液は、少なくとも蒸発成分を含むものであればよく、ＳＣ１に限定されない。たとえば、処理液は、所定の濃度に希釈された水酸化アンモニウム（希アンモニア水）、ＢＨＦ（バッファードフッ酸：フッ酸とフッ化アンモニウム溶液との混合液）等であってもよい。これらも蒸発成分としてアンモニアを含んでいる。 In this embodiment, the case where the treatment liquid is SC1 will be described as an example, but the treatment liquid is not limited to SC1 as long as it contains at least an evaporation component. For example, the treatment liquid may be ammonium hydroxide (dilute ammonia water) diluted to a predetermined concentration, BHF (buffered hydrofluoric acid: mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution), or the like. These also contain ammonia as a vaporized component.

また、処理液は、アンモニア以外の蒸発成分を含有するものであってもよい。たとえば、処理液は、蒸発成分として過酸化水素を含むＳＣ１、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素と水との混合液）およびＳＰＭ（硫酸と過酸化水素と水との混合液）等であってもよい。また、処理液は、蒸発成分として硝酸を含むフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）、ＰＡＮ（リン酸と酢酸と硝酸との混合計）等であってもよい。また、処理液は、蒸発成分として水を含むリン酸水溶液等であってもよい。リン酸水溶液は、たとえば、１００度以上の温度で使用される場合がある。このような場合には、リン酸水溶液に含まれる水は、蒸発成分となる。 Also, the treatment liquid may contain an evaporation component other than ammonia. For example, the treatment liquid may be SC1, SC2 (a mixture of hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and water), SPM (a mixture of sulfuric acid, hydrogen peroxide, and water), etc., which contain hydrogen peroxide as an evaporation component. good. Alternatively, the processing liquid may be hydrofluoric/nitric acid (mixture of hydrofluoric acid and nitric acid) containing nitric acid as an evaporation component, PAN (mixture of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid), or the like. Alternatively, the treatment liquid may be an aqueous solution of phosphoric acid containing water as an evaporation component, or the like. Phosphoric acid aqueous solutions may be used at temperatures of 100 degrees or higher, for example. In such a case, the water contained in the phosphoric acid aqueous solution becomes an evaporating component.

処理液供給システム３は、液処理ユニット２に対して上記処理液を供給または補充する。処理液供給システム３の構成例については後述する。 The processing liquid supply system 3 supplies or replenishes the processing liquid to the liquid processing unit 2 . A configuration example of the treatment liquid supply system 3 will be described later.

制御装置４は、液処理ユニット２および処理液供給システム３を制御する。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部４１と記憶部４２とを備える。記憶部４２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部４１は、記憶部４２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理ユニット２および処理液供給システム３の動作を制御する。 A control device 4 controls the liquid processing unit 2 and the processing liquid supply system 3 . The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control section 41 and a storage section 42 . The storage unit 42 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing apparatus 1 . The control unit 41 controls operations of the liquid processing unit 2 and the processing liquid supply system 3 by reading and executing programs stored in the storage unit 42 .

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部４２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 42 of the control device 4 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

基板処理装置１が備える液処理ユニット２の数は、１つに限定されない。すなわち、基板処理装置１は、複数の液処理ユニット２を備えていてもよい。この場合、基板処理装置１は、複数の液処理ユニット２に対応する複数の処理液供給システム３を備えていてもよいし、複数の液処理ユニット２に対応する１つの処理液供給システム３を備えていてもよい。 The number of liquid processing units 2 provided in the substrate processing apparatus 1 is not limited to one. That is, the substrate processing apparatus 1 may have a plurality of liquid processing units 2 . In this case, the substrate processing apparatus 1 may include a plurality of processing liquid supply systems 3 corresponding to a plurality of liquid processing units 2, or may include one processing liquid supply system 3 corresponding to a plurality of liquid processing units 2. may be provided.

＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット２の構成例について図２を参照して説明する。図２は、実施形態に係る液処理ユニット２の構成を示す図である。 <Structure of liquid processing unit>
Next, a configuration example of the liquid processing unit 2 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the liquid processing unit 2 according to the embodiment.

図２に示す液処理ユニット２は、複数のウエハＷ（図２では１枚のみ図示）を一括して処理するバッチ式の処理ユニットである。図２に示すように、液処理ユニット２は、処理槽２１と、保持部２２と、複数の吐出部２３とを備える。なお、液処理ユニット２が備える吐出部２３の個数は３つに限定されない。 The liquid processing unit 2 shown in FIG. 2 is a batch type processing unit that collectively processes a plurality of wafers W (only one wafer W is shown in FIG. 2). As shown in FIG. 2 , the liquid processing unit 2 includes a processing tank 21 , a holding section 22 and a plurality of ejection sections 23 . Note that the number of ejection sections 23 included in the liquid processing unit 2 is not limited to three.

処理槽２１は、内槽２１１と、外槽２１２とを備える。内槽２１１は、上部に開口部を有する箱形の槽であり、内部に処理液を貯留する。内槽２１１は、内部に複数のウエハＷを収容可能である。複数のウエハＷにより形成されるロットは、かかる内槽２１１に浸漬される。外槽２１２は、内槽２１１の外側において内槽２１１を囲むように配置される。外槽２１２は、上部に開口部を有している。そして、外槽２１２には、内槽２１１からオーバーフローした処理液が流入する。 The processing bath 21 includes an inner bath 211 and an outer bath 212 . The inner tank 211 is a box-shaped tank having an opening at the top, and stores the processing liquid inside. The inner tank 211 can accommodate a plurality of wafers W therein. A lot formed by a plurality of wafers W is immersed in such an inner bath 211 . The outer tub 212 is arranged outside the inner tub 211 so as to surround the inner tub 211 . The outer tub 212 has an opening at the top. Then, the processing liquid overflowing from the inner tank 211 flows into the outer tank 212 .

保持部２２は、ロットを形成する複数のウエハＷを垂直姿勢で保持する。保持部２２は、保持したロットを昇降させる昇降機構（図示せず）を有しており、処理槽２１における内槽２１１の上方からロットを下降させて内槽２１１に浸漬させたり、内槽２１１に浸漬させたロットを上昇させて処理槽２１から取り出したりする。 The holding part 22 holds a plurality of wafers W forming a lot in a vertical posture. The holding unit 22 has an elevating mechanism (not shown) for elevating the held lot. The lot immersed in the water is lifted up and removed from the treatment bath 21 .

複数の吐出部２３は、内槽２１１の内部、具体的には、内槽２１１の底部近傍に配置される。複数の吐出部２３は、処理液供給システム３に接続されており、処理液供給システム３から供給される処理液を内槽２１１の内部に吐出する。 The plurality of discharge parts 23 are arranged inside the inner tank 211 , specifically near the bottom of the inner tank 211 . The plurality of ejection units 23 are connected to the processing liquid supply system 3 and eject the processing liquid supplied from the processing liquid supply system 3 into the inner bath 211 .

液処理ユニット２は、保持部２２を用いてロットを保持し、保持したロットを内槽２１１に貯留された処理液に浸漬させる。これにより、複数のウエハＷは、処理液によって処理される。たとえば、実施形態において、複数のウエハＷは、処理液であるＳＣ１によってシリコン系膜がエッチング除去される。 The liquid processing unit 2 holds the lot using the holding unit 22 and immerses the held lot in the processing liquid stored in the inner tank 211 . Thereby, the plurality of wafers W are processed with the processing liquid. For example, in the embodiment, the plurality of wafers W have their silicon-based films removed by etching with SC1, which is the processing liquid.

＜処理液供給システムの構成＞
次に、処理液供給システム３の構成例について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る処理液供給システム３の構成を示す図である。 <Configuration of processing liquid supply system>
Next, a configuration example of the processing liquid supply system 3 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the processing liquid supply system 3 according to the embodiment.

図３に示すように、処理液供給システム３は、循環部３０と、定期補充部３１と、フィードバック補充部３２とを備える。 As shown in FIG. 3 , the processing liquid supply system 3 includes a circulation section 30 , a periodic replenishment section 31 and a feedback replenishment section 32 .

循環部３０は、循環ライン３０１と、ポンプ３０２と、ヒータ３０３と、フィルタ３０４と、アンモニア濃度計３０６と、過酸化水素濃度計３０８とを備える。 The circulation unit 30 includes a circulation line 301 , a pump 302 , a heater 303 , a filter 304 , an ammonia concentration meter 306 and a hydrogen peroxide concentration meter 308 .

循環ライン３０１は、処理槽２１から処理液を流出させて処理槽２１に戻す流路である。たとえば、循環ライン３０１の一端は、処理槽２１における外槽２１２の底部に接続され、他端は、内槽２１１の内部に配置された複数の吐出部２３に接続される。このように、循環ライン３０１は、内槽２１１と外槽２１２との間で処理液を循環させる。 The circulation line 301 is a channel for flowing out the processing liquid from the processing bath 21 and returning it to the processing bath 21 . For example, one end of the circulation line 301 is connected to the bottom of the outer tank 212 in the processing tank 21 , and the other end is connected to a plurality of discharge parts 23 arranged inside the inner tank 211 . Thus, the circulation line 301 circulates the processing liquid between the inner bath 211 and the outer bath 212 .

ポンプ３０２、ヒータ３０３、フィルタ３０４、アンモニア濃度計３０６および過酸化水素濃度計３０８は、循環ライン３０１の中途部に設けられる。 Pump 302 , heater 303 , filter 304 , ammonia concentration meter 306 and hydrogen peroxide concentration meter 308 are provided in the middle of circulation line 301 .

ポンプ３０２は、外槽２１２内の処理液を循環ライン３０１に送り出す。ヒータ３０３は、循環ライン３０１を流れる処理液を加熱する。なお、処理槽２１には処理槽２１内の処理液の温度を測定する温度測定部が設けられていてもよい。この場合、制御部４１（図１参照）は、処理槽２１内の処理液の温度を所望の温度に保つように、温度測定部による測定結果に基づき、ヒータ３０３を制御して循環ライン３０１を流れる処理液を加熱する。これにより、処理液供給システム３は、処理液の温度を規定値に維持することができる。フィルタ３０４は、循環ライン３０１を流れる処理液から不純物を除去する。 The pump 302 sends out the processing liquid in the outer bath 212 to the circulation line 301 . The heater 303 heats the processing liquid flowing through the circulation line 301 . Note that the processing bath 21 may be provided with a temperature measuring unit for measuring the temperature of the processing liquid in the processing bath 21 . In this case, the control unit 41 (see FIG. 1) controls the heater 303 and the circulation line 301 based on the result of measurement by the temperature measurement unit so as to maintain the temperature of the processing liquid in the processing bath 21 at a desired temperature. Heat the flowing processing liquid. Thereby, the processing liquid supply system 3 can maintain the temperature of the processing liquid at the specified value. Filter 304 removes impurities from the processing liquid flowing through circulation line 301 .

アンモニア濃度計３０６は、処理液中のアンモニア濃度を測定する。アンモニア濃度計３０６は、サンプリングライン３０６ａに設けられる。サンプリングライン３０６ａは、循環ライン３０１から分岐して循環ライン３０１に戻るラインである。アンモニア濃度計３０６による測定結果は、制御部４１に入力される。 An ammonia concentration meter 306 measures the concentration of ammonia in the treatment liquid. Ammonia concentration meter 306 is provided in sampling line 306a. The sampling line 306 a is a line that branches off from the circulation line 301 and returns to the circulation line 301 . A measurement result obtained by the ammonia concentration meter 306 is input to the control unit 41 .

過酸化水素濃度計３０８は、処理液中の過酸化水素濃度を測定する。過酸化水素濃度計３０８は、サンプリングライン３０８ａに設けられる。サンプリングライン３０８ａは、循環ライン３０１から分岐して循環ライン３０１に戻るラインである。過酸化水素濃度計３０８による測定結果は、制御部４１に入力される。 A hydrogen peroxide concentration meter 308 measures the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid. A hydrogen peroxide concentration meter 308 is provided in the sampling line 308a. The sampling line 308a is a line that branches from the circulation line 301 and returns to the circulation line 301 . A measurement result obtained by the hydrogen peroxide concentration meter 308 is input to the control unit 41 .

循環部３０は、ポンプ３０２を用いて外槽２１２から循環ライン３０１に処理液を送り出す。循環ライン３０１に送り出された処理液は、循環ライン３０１を通って吐出部２３から内槽２１１内に供給される。内槽２１１に供給された処理液は、内槽２１１からオーバーフローして外槽２１２へ流出する。このようにして、処理液は、内槽２１１と外槽２１２との間を循環する。 The circulation unit 30 uses the pump 302 to send the treatment liquid from the outer tank 212 to the circulation line 301 . The processing liquid sent to the circulation line 301 passes through the circulation line 301 and is supplied from the discharge section 23 into the inner bath 211 . The processing liquid supplied to the inner bath 211 overflows the inner bath 211 and flows out to the outer bath 212 . Thus, the processing liquid circulates between the inner bath 211 and the outer bath 212 .

外槽２１２を最上流、内槽２１１を最下流と規定した場合、ポンプ３０２、ヒータ３０３、フィルタ３０４、アンモニア濃度計３０６および過酸化水素濃度計３０８は、上流側からこの順番で設けられる。 Assuming that the outer tank 212 is the most upstream and the inner tank 211 is the most downstream, the pump 302, heater 303, filter 304, ammonia concentration meter 306 and hydrogen peroxide concentration meter 308 are provided in this order from the upstream side.

定期補充部３１は、処理槽２１に対してアンモニア水を補充する。具体的には、定期補充部３１は、アンモニア水供給源３１１と、補充ライン３１２と、流量調整器３１３とを備える。アンモニア水供給源３１１は、蒸発成分であるアンモニアを含む溶液（ここでは、アンモニア水）を供給する。補充ライン３１２は、アンモニア水供給源３１１と外槽２１２とを接続し、アンモニア水供給源３１１から外槽２１２にアンモニア水を供給する。流量調整器３１３は、補充ライン３１２に設けられ、外槽２１２へ供給されるアンモニア水の供給量を調整する。流量調整器３１３は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。 The periodical replenishing unit 31 replenishes the processing tank 21 with aqueous ammonia. Specifically, the periodic replenishment unit 31 includes an ammonia water supply source 311 , a replenishment line 312 and a flow rate regulator 313 . The ammonia water supply source 311 supplies a solution containing ammonia, which is an evaporation component (here, ammonia water). The replenishment line 312 connects the ammonia water supply source 311 and the outer tank 212 and supplies the ammonia water from the ammonia water supply source 311 to the outer tank 212 . A flow rate adjuster 313 is provided in the replenishment line 312 and adjusts the amount of ammonia water supplied to the outer tank 212 . The flow rate regulator 313 is composed of, for example, an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, and the like.

また、定期補充部３１は、処理槽２１に対して過酸化水素水を補充する。具体的には、定期補充部３１は、過酸化水素水供給源３５１と、補充ライン３５２と、流量調整器３５３とを備える。過酸化水素水供給源３５１は、分解成分であるＯ２を含む溶液（ここでは、過酸化水素水）を供給する。補充ライン３５２は、過酸化水素水供給源３５１と外槽２１２とを接続し、過酸化水素水供給源３５１から外槽２１２に過酸化水素水を供給する。流量調整器３５３は、補充ライン３５２に設けられ、外槽２１２へ供給される過酸化水素水の供給量を調整する。流量調整器３５３は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。 Further, the periodic replenishing unit 31 replenishes the processing tank 21 with hydrogen peroxide solution. Specifically, the periodic replenishment unit 31 includes a hydrogen peroxide solution supply source 351 , a replenishment line 352 and a flow rate regulator 353 . A hydrogen peroxide water supply source 351 supplies a solution containing O 2 as a decomposing component (here, hydrogen peroxide water). The replenishment line 352 connects the hydrogen peroxide water supply source 351 and the outer tank 212 to supply the hydrogen peroxide water from the hydrogen peroxide water supply source 351 to the outer tank 212 . A flow regulator 353 is provided in the replenishment line 352 and regulates the amount of hydrogen peroxide solution supplied to the outer tank 212 . The flow regulator 353 is composed of, for example, an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, and the like.

フィードバック補充部３２は、処理槽２１に対してアンモニア水を補充する。具体的には、フィードバック補充部３２は、アンモニア水供給源３２１と、補充ライン３２２と、流量調整器３２３とを備える。アンモニア水供給源３２１は、蒸発成分であるアンモニアを含む溶液（ここでは、アンモニア水）を供給する。補充ライン３２２は、アンモニア水供給源３２１と外槽２１２とを接続し、アンモニア水供給源３２１から外槽２１２にアンモニア水を供給する。流量調整器３２３は、補充ライン３２２に設けられ、外槽２１２へ供給されるアンモニア水の供給量を調整する。流量調整器３２３は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。 The feedback replenishment unit 32 replenishes the processing tank 21 with aqueous ammonia. Specifically, the feedback replenishment unit 32 includes an ammonia water supply source 321 , a replenishment line 322 and a flow regulator 323 . Ammonia water supply source 321 supplies a solution (here, ammonia water) containing ammonia, which is an evaporation component. The replenishment line 322 connects the ammonia water supply source 321 and the outer tank 212 and supplies the ammonia water from the ammonia water supply source 321 to the outer tank 212 . A flow rate regulator 323 is provided in the replenishment line 322 and regulates the amount of ammonia water supplied to the outer tank 212 . The flow rate regulator 323 is composed of, for example, an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, and the like.

また、フィードバック補充部３２は、処理槽２１に対して過酸化水素水を補充する。具体的には、フィードバック補充部３２は、過酸化水素水供給源３４１と、補充ライン３４２と、流量調整器３４３とを備える。過酸化水素水供給源３４１は、分解成分であるＯ２を含む溶液（ここでは、過酸化水素水）を供給する。補充ライン３４２は、過酸化水素水供給源３４１と外槽２１２とを接続し、過酸化水素水供給源３４１から外槽２１２に過酸化水素水を供給する。流量調整器３４３は、補充ライン３４２に設けられ、外槽２１２へ供給される過酸化水素水の供給量を調整する。流量調整器３４３は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。 Further, the feedback replenishment unit 32 replenishes the processing bath 21 with hydrogen peroxide solution. Specifically, the feedback replenishment unit 32 includes a hydrogen peroxide water supply source 341 , a replenishment line 342 and a flow rate regulator 343 . The hydrogen peroxide water supply source 341 supplies a solution (here, hydrogen peroxide water) containing O 2 as a decomposition component. The replenishment line 342 connects the hydrogen peroxide solution supply source 341 and the outer tank 212 to supply the hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution supply source 341 to the outer tank 212 . A flow regulator 343 is provided in the replenishment line 342 and regulates the amount of hydrogen peroxide solution supplied to the outer tank 212 . The flow rate regulator 343 is composed of, for example, an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like.

定期補充部３１およびフィードバック補充部３２は、処理槽２１のうち外槽２１２に対して補充液（アンモニア水または過酸化水素水）を供給する。かかる構成とすることにより、循環部３０による処理液の流動を利用して補充液を処理液と効率よく混合することができることから、処理液中のアンモニア濃度（または過酸化水素濃度）を早期に安定化させることができる。なお、これに限らず、定期補充部３１およびフィードバック補充部３２は、たとえば、循環ライン３０１に対して補充液を供給してもよいし、内槽２１１に対して補充液を供給してもよい。 The regular replenishment unit 31 and the feedback replenishment unit 32 supply a replenisher (aqueous ammonia or aqueous hydrogen peroxide) to the outer tank 212 of the processing tank 21 . With such a configuration, the replenisher can be efficiently mixed with the processing liquid by utilizing the flow of the processing liquid by the circulation unit 30, so that the concentration of ammonia (or the concentration of hydrogen peroxide) in the processing liquid can be quickly reduced. can be stabilized. Note that the periodic replenishment unit 31 and the feedback replenishment unit 32 may supply the replenisher to the circulation line 301 or the inner tank 211, for example. .

制御部４１（図１参照）は、定期補充部３１およびフィードバック補充部３２を制御して、アンモニア水または過酸化水素水の補充を行う。 The control unit 41 (see FIG. 1) controls the periodic replenishment unit 31 and the feedback replenishment unit 32 to replenish the ammonia water or the hydrogen peroxide solution.

具体的には、制御部４１は、定期補充部３１を制御して定期補充処理を行う。定期補充処理は、処理液中の成分濃度（ここでは、アンモニア濃度）が許容範囲に収まるように、予め指定された補充量の補充液を予め指定された補充間隔で補充する処理である。 Specifically, the control unit 41 controls the regular replenishment unit 31 to perform regular replenishment processing. The periodical replenishment process is a process of replenishing a pre-specified amount of replenishment solution at pre-specified replenishment intervals so that the component concentration (here, ammonia concentration) in the processing solution falls within the allowable range.

また、制御部４１は、フィードバック補充部３２を制御してフィードバック補充処理を行う。フィードバック補充処理は、アンモニア濃度計３０６または過酸化水素濃度計３０８によって測定された濃度が閾値（ＦＢ閾値）を下回ったか否かの判定を予め指定された判定間隔で行う。そして、測定した濃度がＦＢ閾値を下回ったと判定した場合に、予め指定された補充量の補充液を補充する。 Further, the control unit 41 controls the feedback supplementation unit 32 to perform feedback supplementation processing. In the feedback replenishment process, it is determined whether or not the concentration measured by the ammonia concentration meter 306 or the hydrogen peroxide concentration meter 308 is below a threshold (FB threshold) at predetermined judgment intervals. Then, when it is determined that the measured concentration is lower than the FB threshold value, a pre-specified replenishment amount of the replenisher is replenished.

実施形態に係る基板処理装置１において、制御部４１は、蒸発成分であるアンモニアの補充処理として、定期補充処理とフィードバック補充処理とを並行して行う。以下、この点について具体的に説明する。 In the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, the control unit 41 concurrently performs regular replenishment processing and feedback replenishment processing as replenishment processing for ammonia, which is a vaporized component. This point will be specifically described below.

図４は、実施形態に係る記憶部４２に記憶される濃度管理情報の一例を示す図である。図４に示すように、濃度管理情報は、処理液中の対象成分（ここでは、アンモニアおよび過酸化水素）ごとに、「目標濃度」、「許容濃度範囲」および「ＦＢ閾値」を対応付けた情報である。 FIG. 4 is a diagram showing an example of density management information stored in the storage unit 42 according to the embodiment. As shown in FIG. 4, the concentration management information associates "target concentration", "permissible concentration range" and "FB threshold" with each target component (here, ammonia and hydrogen peroxide) in the treatment liquid. Information.

「目標濃度」項目には、濃度の目標値を示す情報が格納される。たとえば、図４に示す例において、アンモニアの目標濃度は「１ｗｔ％」であり、過酸化水素の目標濃度は「５ｗｔ％」である。 Information indicating the target value of the density is stored in the "target density" item. For example, in the example shown in FIG. 4, the target concentration of ammonia is "1 wt %" and the target concentration of hydrogen peroxide is "5 wt %".

「許容範囲」項目には、濃度の許容範囲を示す情報が格納される。「許容範囲」項目は、「上限濃度」項目および「下限濃度」項目を含んでいる。「上限濃度」項目には、濃度の許容範囲の上限値を示す情報が格納され、「下限濃度」項目には、濃度の許容範囲の下限値を示す情報が格納される。なお、「上限濃度」項目に格納される濃度値は、「目標濃度」項目に格納される濃度値よりも高く、「下限濃度」項目に格納される濃度値は、「目標濃度」項目に格納される濃度値よりも低い。たとえば、図４に示す例において、アンモニア濃度の許容範囲は「０．９ｗｔ％以上１．１ｗｔ％以下」であり、過酸化水素濃度の許容範囲は「４．５ｗｔ％以上５．５ｗｔ％以下」である。 The "permissible range" item stores information indicating the permissible range of density. The "permissible range" item includes an "upper limit concentration" item and a "lower limit concentration" item. The "upper limit density" item stores information indicating the upper limit value of the allowable range of density, and the "lower limit density" item stores information indicating the lower limit value of the allowable density range. The density value stored in the "maximum density" item is higher than the density value stored in the "target density" item, and the density value stored in the "lower limit density" item is stored in the "target density" item. lower than the density value given. For example, in the example shown in FIG. 4, the allowable range of ammonia concentration is "0.9 wt% or more and 1.1 wt% or less", and the allowable range of hydrogen peroxide concentration is "4.5 wt% or more and 5.5 wt% or less". is.

「ＦＢ閾値」項目には、フィードバック補充処理に用いられる閾値が格納される。「ＦＢ閾値」項目に格納される濃度値は、「目標濃度」項目に格納される濃度値よりも低く、「下限濃度」項目に格納される濃度値よりも高い。たとえば、図４に示す例において、アンモニアに対するフィードバック補充処理のＦＢ閾値は「０．９５ｗｔ％」であり、過酸化水素に対するフィードバック補充処理のＦＢ閾値は「４．９５ｗｔ％」である。 The "FB threshold" item stores a threshold used for feedback supplement processing. The density value stored in the "FB threshold" item is lower than the density value stored in the "target density" item and higher than the density value stored in the "lower limit density" item. For example, in the example shown in FIG. 4, the FB threshold for the feedback replenishment process for ammonia is "0.95 wt %" and the FB threshold for the feedback replenishment process for hydrogen peroxide is "4.95 wt %".

図５は、実施形態に係る記憶部４２に記憶される補充モード情報の一例を示す図である。図５に示すように、補充モード情報は、処理液中の対象成分（ここでは、アンモニアおよび過酸化水素）ごとに、「第１補充モード」、「第２補充モード」および「第３補充モード」を対応付けた情報である。 FIG. 5 is a diagram showing an example of replenishment mode information stored in the storage unit 42 according to the embodiment. As shown in FIG. 5, the replenishment mode information includes "first replenishment mode", "second replenishment mode" and "third replenishment mode" for each target component in the processing solution (ammonia and hydrogen peroxide in this case). ” is associated information.

「第１補充モード」項目、「第２補充モード」項目および「第３補充モード」項目には、それぞれ「定期補充処理」項目および「フォードバック補充処理」項目が含まれている。また、各「定期補充処理」項目には、「補充間隔」項目および「補充量」項目が含まれており、各「フィードバック補充処理」項目には、「判定間隔」項目および「補充量」項目が含まれている。 The "first replenishment mode" item, the "second replenishment mode" item, and the "third replenishment mode" item include the "regular replenishment process" item and the "feedback replenishment process" item, respectively. Each "regular replenishment process" item includes a "replenishment interval" item and a "replenishment amount" item, and each "feedback replenishment process" item includes a "judgment interval" item and a "replenishment amount" item. It is included.

「定期補充処理」項目の「補充間隔」項目には、補充液（ここでは、アンモニア水）の補充を行う時間間隔を示す情報が格納される。また、「定期補充処理」項目の「補充量」項目には、補充液の補充量を示す情報が格納される。 The "replenishment interval" item of the "regular replenishment process" item stores information indicating the time interval for replenishing the replenisher (here, aqueous ammonia). Information indicating the replenishment amount of the replenisher is stored in the "replenishment amount" item of the "regular replenishment process" item.

たとえば、第１補充モードにおいて、アンモニアに対する定期補充処理は、１００ｓｅｃの補充間隔（第１時間間隔）かつ５０ｍｌの補充量（第１補充量）で実行される。また、第２補充モードにおいて、アンモニアに対する定期補充処理は、５０ｓｅｃの補充間隔（第３時間間隔）かつ１００ｍｌの補充量（第３補充量）で実行される。また、第３補充モードにおいて、アンモニアに対する定期補充処理は、１５０ｓｅｃの補充間隔（第５時間間隔）かつ２０ｍｌの補充量（第５補充量）で実行される。 For example, in the first replenishment mode, regular replenishment processing for ammonia is performed at a replenishment interval of 100 sec (first time interval) and a replenishment amount of 50 ml (first replenishment amount). In the second replenishment mode, the periodical replenishment process for ammonia is performed at a replenishment interval of 50 sec (third time interval) and a replenishment amount of 100 ml (third replenishment amount). Further, in the third replenishment mode, the periodical replenishment process for ammonia is performed at a replenishment interval of 150 sec (fifth time interval) and a replenishment amount of 20 ml (fifth replenishment amount).

なお、実施形態に係る基板処理装置１では、過酸化水素に対する定期補充処理は行われない。このため、過酸化水素に対応する「定期補充処理」項目には、情報が格納されていない（もしくは、「null」が格納されてもよい）。なお、基板処理装置１は、過酸化水素に対する定期補充処理を行ってもよい。この場合、過酸化水素に対応する「定期補充処理」項目には、数値が格納されることとなる。過酸化水素に対応する定期補充処理は、過酸化水素水供給源３５１、補充ライン３５２および流量調整器３５３を用いて行われる。 Incidentally, in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, periodic replenishment processing for hydrogen peroxide is not performed. Therefore, no information is stored in the "regular replenishment process" item corresponding to hydrogen peroxide (or "null" may be stored). The substrate processing apparatus 1 may perform periodic replenishment processing for hydrogen peroxide. In this case, a numerical value is stored in the "regular replenishment process" item corresponding to hydrogen peroxide. A periodic replenishment process for hydrogen peroxide is performed using a hydrogen peroxide solution supply source 351 , a replenishment line 352 and a flow regulator 353 .

「フィードバック補充処理」項目の「判定間隔」項目には、アンモニア濃度計３０６または過酸化水素濃度計３０８によって測定された濃度がＦＢ閾値を下回ったか否かを判定する判定処理の実行間隔を示す情報が格納される。また、「フィードバック補充処理」項目の「補充量」項目には、補充液の補充量を示す情報が格納される。なお、「フィードバック補充処理」項目の「補充量」項目に格納される補充量は、「定期補充処理」項目の「補充量」項目に格納される補充量よりも少ない。 In the "determination interval" item of the "feedback replenishment process" item, information indicating the execution interval of the determination process for determining whether the concentration measured by the ammonia concentration meter 306 or the hydrogen peroxide concentration meter 308 is below the FB threshold. is stored. Further, information indicating the replenishment amount of the replenisher is stored in the "replenishment amount" item of the "feedback replenishment process" item. The replenishment amount stored in the "replenishment amount" item of the "feedback replenishment process" item is smaller than the replenishment amount stored in the "replenishment amount" item of the "regular replenishment process" item.

たとえば、第１補充モードにおいて、アンモニアに対するフィードバック補充処理は、３０ｓｅｃの判定間隔（第２時間間隔）かつ３０ｍｌの補充量（第２補充量）で実行される。また、第２補充モードにおいて、アンモニアに対するフィードバック補充処理は、１５ｓｅｃの判定間隔（第４時間間隔）かつ６０ｍｌの補充量（第４補充量）で実行される。また、第３補充モードにおいて、アンモニアに対するフィードバック補充処理は、１２０ｓｅｃの補充間隔（第６時間間隔）かつ５ｍｌの補充量（第６補充量）で実行される。 For example, in the first replenishment mode, the feedback replenishment process for ammonia is performed at a determination interval of 30 sec (second time interval) and a replenishment amount of 30 ml (second replenishment amount). Further, in the second replenishment mode, the feedback replenishment process for ammonia is performed at a determination interval of 15 sec (fourth time interval) and a replenishment amount of 60 ml (fourth replenishment amount). Further, in the third replenishment mode, the feedback replenishment process for ammonia is performed at a replenishment interval of 120 sec (sixth time interval) and a replenishment amount of 5 ml (sixth replenishment amount).

また、図５に示す例において、過酸化水素に対するフィードバック補充処理の各数値は、アンモニアに対するフィードバック補充処理の各数値と同様である。なお、これに限らず、過酸化水素に対するフィードバック補充処理の各数値は、アンモニアに対するフィードバック補充処理の各数値と異なっていてもよい。 Also, in the example shown in FIG. 5, the numerical values for the feedback replenishment process for hydrogen peroxide are the same as the numerical values for the feedback replenishment process for ammonia. Note that the numerical values for the feedback replenishment process for hydrogen peroxide are not limited to this, and the numerical values for the feedback replenishment process for ammonia may be different.

図６は、実施形態に係る第１補充モード、第２補充モードおよび第３補充モード間における補充間隔、判定間隔および補充量の大小関係をまとめた図である。図６に示すように、第２補充モードにおける補充間隔（第３時間間隔）および判定間隔（第４時間間隔）は、第１補充モードにおける補充間隔（第１時間間隔）および判定間隔（第２時間間隔）よりも短く設定される。また、第２補充モードにおける補充量（第３補充量および第４補充量）は、第１補充モードにおける補充量（第１補充量および第２補充量）よりも多く設定される。 FIG. 6 is a diagram summarizing the magnitude relationship between the replenishment interval, the determination interval, and the replenishment amount among the first replenishment mode, the second replenishment mode, and the third replenishment mode according to the embodiment. As shown in FIG. 6, the replenishment interval (third time interval) and determination interval (fourth time interval) in the second replenishment mode are the same as the replenishment interval (first time interval) and determination interval (second time interval) in the first replenishment mode. time interval). Further, the replenishment amount (third replenishment amount and fourth replenishment amount) in the second replenishment mode is set larger than the replenishment amount (first replenishment amount and second replenishment amount) in the first replenishment mode.

また、第３補充モードにおける補充間隔（第５時間間隔）および判定間隔（第６時間間隔）は、第１補充モードにおける補充間隔（第１時間間隔）および判定間隔（第２時間間隔）よりも長く設定される。また、第３補充モードにおける補充量（第５補充量および第６補充量）は、第１補充モードにおける補充量（第１補充量および第２補充量）よりも少なく設定される。 Further, the replenishment interval (fifth time interval) and determination interval (sixth time interval) in the third replenishment mode are longer than the replenishment interval (first time interval) and determination interval (second time interval) in the first replenishment mode. set to long. Further, the replenishment amount in the third replenishment mode (fifth replenishment amount and sixth replenishment amount) is set smaller than the replenishment amount in the first replenishment mode (first replenishment amount and second replenishment amount).

＜補充処理の手順＞
次に、補充処理の手順について説明する。まず、定期補充処理およびフィードバック補充処理の手順について図７および図８を参照して説明する。図７は、実施形態に係る定期補充処理の手順を示すフローチャートである。また、図８は、実施形態に係るフィードバック補充処理の手順を示すフローチャートである。図７および図８に示す各フローチャートは、制御部４１による制御に従って実行される。 <Procedure for replenishment processing>
Next, the procedure of replenishment processing will be described. First, procedures of regular replenishment processing and feedback replenishment processing will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG. FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of regular replenishment processing according to the embodiment. Also, FIG. 8 is a flow chart showing the procedure of the feedback supplement processing according to the embodiment. Each flowchart shown in FIGS. 7 and 8 is executed under the control of the control unit 41 .

まず、定期補充処理の手順について説明する。図７に示すように、制御部４１は、定期補充部３１を制御して、指定量のアンモニア水を処理槽２１の外槽２１２に補充する（ステップＳ１０１）。具体的には、制御部４１は、現在の補充モードに応じた補充量で補充液（ここでは、アンモニア水）の補充を行う。たとえば、現在の補充モードが第１補充モードである場合、制御部４１は、定期補充部３１を制御して、指定量として５０ｍｌのアンモニア水を外槽２１２に補充する（図５参照）。また、現在の補充モードが第２補充モードである場合、制御部４１は、定期補充部３１を制御して、指定量として１００ｍｌのアンモニア水を外槽２１２に補充する。 First, the procedure of regular replenishment processing will be described. As shown in FIG. 7, the control unit 41 controls the periodic replenishment unit 31 to replenish the outer tank 212 of the processing tank 21 with a designated amount of aqueous ammonia (step S101). Specifically, the control unit 41 replenishes the replenisher (here, ammonia water) in a replenishment amount according to the current replenishment mode. For example, when the current replenishment mode is the first replenishment mode, the control unit 41 controls the regular replenishment unit 31 to replenish the outer tank 212 with a specified amount of 50 ml of aqueous ammonia (see FIG. 5). Further, when the current replenishment mode is the second replenishment mode, the control unit 41 controls the regular replenishment unit 31 to replenish the outer tank 212 with 100 ml of ammonia water as a specified amount.

つづいて、制御部４１は、ステップＳ１０１においてアンモニア水の補充を行ってから指定時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ１０２）。具体的には、制御部４１は、現在の補充モードに応じた補充間隔が経過したか否かを判定する。たとえば、現在の補充モードが第１補充モードである場合、制御部４１は、ステップＳ１０１の補充を行ってから１００ｓｅｃが経過したか否かを判定する。 Subsequently, the control unit 41 determines whether or not a specified time has passed since the ammonia water was replenished in step S101 (step S102). Specifically, the control unit 41 determines whether or not the replenishment interval corresponding to the current replenishment mode has elapsed. For example, if the current replenishment mode is the first replenishment mode, the control unit 41 determines whether or not 100 seconds have passed since the replenishment in step S101 was performed.

ステップＳ１０２において、指定時間が経過していない場合（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、制御部４１は、指定時間が経過するまでステップＳ１０２の判定処理を繰り返す。一方、ステップＳ１０２において、指定時間が経過したと判定した場合（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、制御部４１は、処理をステップＳ１０１に戻し、指定量のアンモニア水を再度補充する。 In step S102, if the specified time has not elapsed (step S102, No), the control unit 41 repeats the determination process of step S102 until the specified time has elapsed. On the other hand, if it is determined in step S102 that the specified time has elapsed (step S102, Yes), the control unit 41 returns the process to step S101 and replenishes the specified amount of ammonia water.

次に、フィードバック補充処理の手順について説明する。ここでは、アンモニア水についてのフィードバック補充処理を例に挙げて説明し、過酸化水素水についてのフィードバック補充処理については説明を省略する。なお、過酸化水素水についてのフィードバック補充処理も図８に示すフローチャートと同様の手順で行われる。 Next, the procedure of feedback supplement processing will be described. Here, the feedback replenishment process for ammonia water will be described as an example, and the description of the feedback replenishment process for hydrogen peroxide water will be omitted. The feedback replenishment process for the hydrogen peroxide solution is also performed in the same procedure as the flow chart shown in FIG.

図８に示すように、制御部４１は、まず、濃度値を取得する（ステップＳ２０１）。具体的には、制御部４１は、アンモニア濃度計３０６によって測定されたアンモニア濃度の値を取得する。 As shown in FIG. 8, the controller 41 first acquires a density value (step S201). Specifically, the control unit 41 acquires the ammonia concentration value measured by the ammonia concentration meter 306 .

つづいて、制御部４１は、取得した濃度値がＦＢ閾値を下回ったか否かを判定する（ステップＳ２０２）。たとえば、アンモニアに対応するＦＢ閾値が「０．９５ｗｔ％」である場合（図４参照）、制御部４１は、ステップＳ２０１において取得した濃度値が０．９５ｗｔ％を下回ったか否かを判定する。 Subsequently, the control unit 41 determines whether or not the acquired density value is below the FB threshold (step S202). For example, when the FB threshold value corresponding to ammonia is "0.95 wt%" (see Fig. 4), the control unit 41 determines whether or not the concentration value obtained in step S201 is below 0.95 wt%.

ステップＳ２０２において、濃度値がＦＢ閾値を下回ったと判定した場合（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、制御部４１は、フィードバック補充部３２を制御して、指定量のアンモニア水を補充する（ステップＳ２０３）。具体的には、制御部４１は、現在の補充モードに応じた補充量でアンモニア水の補充を行う。たとえば、現在の補充モードが第１補充モードである場合、制御部４１は、フィードバック補充部３２を制御して、指定量として３０ｍｌのアンモニア水を外槽２１２に補充する（図５参照）。また、現在の補充モードが第２補充モードである場合、制御部４１は、フィードバック補充部３２を制御して、指定量として６０ｍｌのアンモニア水を外槽２１２に補充する。 When it is determined in step S202 that the concentration value is below the FB threshold (step S202, Yes), the control unit 41 controls the feedback replenishment unit 32 to replenish the specified amount of aqueous ammonia (step S203). Specifically, the control unit 41 replenishes the ammonia water with a replenishment amount according to the current replenishment mode. For example, when the current replenishment mode is the first replenishment mode, the control unit 41 controls the feedback replenishment unit 32 to replenish the outer tank 212 with a designated amount of 30 ml of aqueous ammonia (see FIG. 5). Further, when the current replenishment mode is the second replenishment mode, the control unit 41 controls the feedback replenishment unit 32 to replenish the outer tank 212 with 60 ml of ammonia water as a specified amount.

ステップＳ２０３の処理を終えた場合またはステップＳ２０２において濃度値がＦＢ閾値を下回っていない場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、制御部４１は、ステップＳ２０２の判定処理を行ってから指定時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ２０４）。具体的には、制御部４１は、現在の補充モードに応じた判定間隔が経過したか否かを判定する。たとえば、現在の補充モードが第１補充モードである場合、制御部４１は、ステップＳ２０２の判定処理を行ってから３０ｓｅｃが経過したか否かを判定する。 When the process of step S203 is finished or when the density value is not less than the FB threshold value in step S202 (step S202, No), the control unit 41 determines whether the designated time has passed since the determination process of step S202. (step S204). Specifically, the control unit 41 determines whether or not the determination interval corresponding to the current replenishment mode has elapsed. For example, when the current replenishment mode is the first replenishment mode, the control unit 41 determines whether or not 30 seconds have passed since the determination process of step S202 was performed.

ステップＳ２０４において、指定時間が経過していない場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、制御部４１は、指定時間が経過するまでステップＳ２０４の判定処理を繰り返す。一方、ステップＳ２０４において、指定時間が経過したと判定した場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、制御部４１は、処理をステップＳ２０１に戻し、アンモニア濃度計３０６によって測定されたアンモニア濃度の値を再度取得する。 In step S204, if the specified time has not elapsed (step S204, No), the control unit 41 repeats the determination process of step S204 until the specified time has elapsed. On the other hand, if it is determined in step S204 that the specified time has passed (step S204, Yes), the control unit 41 returns the process to step S201 and acquires the ammonia concentration value measured by the ammonia concentration meter 306 again. .

なお、ここでは、ステップＳ２０４において判定される指定時間が、ステップＳ２０２の判定処理を行ってからの経過時間であることとしたが、これは、ステップＳ２０１において濃度値を取得してからの経過時間と同義である。すなわち、制御部４１は、ステップＳ２０４において、ステップＳ２０１で濃度値を取得してから指定時間が経過したか否かを判定してもよい。 Here, the specified time determined in step S204 is the elapsed time after the determination process in step S202 is performed. is synonymous with That is, in step S204, the control unit 41 may determine whether or not a specified time has elapsed since the density value was obtained in step S201.

次に、モード変更処理の手順について図９を参照して説明する。図９は、実施形態に係るモード変更処理の手順を示すフローチャートである。図９に示す各フローチャートは、制御部４１による制御に従って実行される。ここでは、アンモニア水についてのモード変更処理を例に挙げて説明し、過酸化水素水についてのモード変更処理については説明を省略する。なお、過酸化水素水についてのモード変更処理は、図９に示すフローチャートと同様の手順で、アンモニア水についてのモード変更処理と独立して行われる。すなわち、たとえば、補充モードは、アンモニア水および過酸化水素水の各々について独立して設定される。 Next, the procedure of mode change processing will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a flowchart illustrating the procedure of mode change processing according to the embodiment. Each flowchart shown in FIG. 9 is executed under the control of the control unit 41 . Here, the mode changing process for ammonia water will be described as an example, and the mode changing process for hydrogen peroxide water will be omitted. Note that the mode change processing for hydrogen peroxide water is performed independently of the mode change processing for ammonia water in the same procedure as in the flowchart shown in FIG. That is, for example, the replenishment mode is set independently for each of ammonia water and hydrogen peroxide water.

図９に示すように、制御部４１は、濃度値を取得する（ステップＳ３０１）。具体的には、制御部４１は、アンモニア濃度計３０６によって測定されたアンモニア濃度の値を取得する。つづいて、制御部４１は、取得した濃度値が許容範囲であるか否かを判定する（ステップＳ３０２）。たとえば、アンモニアに対応する許容範囲が、０．９ｗｔ％以上１．１ｗｔ％以下である場合（図４参照）、制御部４１は、ステップＳ３０１において取得した濃度値が０．９ｗｔ％以上１．１ｗｔ％以下であるか否かを判定する。 As shown in FIG. 9, the controller 41 acquires density values (step S301). Specifically, the control unit 41 acquires the ammonia concentration value measured by the ammonia concentration meter 306 . Subsequently, the control unit 41 determines whether the obtained density value is within the allowable range (step S302). For example, if the allowable range for ammonia is 0.9 wt% or more and 1.1 wt% or less (see FIG. 4), the control unit 41 determines that the concentration value obtained in step S301 is 0.9 wt% or more and 1.1 wt% or less. % or less.

ステップＳ３０２において、濃度値が許容範囲であると判定した場合（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、制御部４１は、現在の補充モードを第１補充モードに設定する（ステップＳ３０３）。 When it is determined in step S302 that the density value is within the allowable range (step S302, Yes), the control section 41 sets the current replenishment mode to the first replenishment mode (step S303).

一方、ステップＳ３０２において、濃度値が許容範囲でない場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、制御部４１は、濃度値が許容範囲の下限を下回ったか否かを判定する（ステップＳ３０４）。たとえば、許容範囲の下限が０．９ｗｔ％である場合（図４参照）、制御部４１は、濃度値が０．９ｗｔ％を下回ったか否かを判定する。 On the other hand, in step S302, if the density value is outside the allowable range (step S302, No), the control unit 41 determines whether the density value is below the lower limit of the allowable range (step S304). For example, when the lower limit of the allowable range is 0.9 wt% (see FIG. 4), the control unit 41 determines whether or not the concentration value is below 0.9 wt%.

ステップＳ３０４において、濃度値が許容範囲の下限を下回ったと判定した場合（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、制御部４１は、現在の補充モードを第２補充モードに設定する（ステップＳ３０５）。 When it is determined in step S304 that the density value is below the lower limit of the allowable range (step S304, Yes), the control section 41 sets the current replenishment mode to the second replenishment mode (step S305).

一方、ステップＳ３０４において、濃度値が許容範囲の下限を下回っていない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、すなわち、濃度値が許容範囲の上限を上回っている場合、制御部４１は、現在の補充モードを第３補充モードに設定する（ステップＳ３０６）。 On the other hand, in step S304, if the concentration value is not below the lower limit of the allowable range (step S304, No), that is, if the concentration value is above the upper limit of the allowable range, the controller 41 selects the current replenishment mode. The third replenishment mode is set (step S306).

ステップＳ３０３，Ｓ３０５，Ｓ３０６の処理を終えると、制御部４１は、処理をステップＳ３０１に戻して、ステップＳ３０１以降の処理を繰り返す。 After completing the processing of steps S303, S305, and S306, the control unit 41 returns the processing to step S301 and repeats the processing from step S301.

このように、制御部４１は、アンモニア濃度が許容範囲から低濃度側に外れている場合に、補充モードを第１補充モードから第３補充モードに変更する。これにより、定期補充処理におけるアンモニア水の補充量が第１補充量（たとえば、５０ｍｌ）から第１補充量よりも多い第３補充量（たとえば、１００ｍｌ）に変更される。また、定期補充処理におけるアンモニア水の補充間隔が、第１時間間隔（たとえば、１００ｓｅｃ）から第１時間間隔よりも短い第３時間間隔（たとえば、５０ｓｅｃ）に変更される。 In this manner, the control unit 41 changes the replenishment mode from the first replenishment mode to the third replenishment mode when the ammonia concentration is out of the allowable range to the low concentration side. As a result, the replenishment amount of ammonia water in the periodic replenishment process is changed from the first replenishment amount (eg, 50 ml) to the third replenishment amount (eg, 100 ml), which is larger than the first replenishment amount. Also, the replenishment interval of ammonia water in the periodic replenishment process is changed from the first time interval (eg, 100 sec) to the third time interval (eg, 50 sec) shorter than the first time interval.

また、アンモニア濃度が許容範囲から低濃度側に外れている場合、フィードバック処理における判定間隔が、第２時間間隔（たとえば、３０ｓｅｃ）から第２時間間隔よりも短い第４時間間隔（たとえば、１５ｓｅｃ）に変更される。また、フィードバック処理におけるアンモニア水の補充量が、第２補充量（たとえば、３０ｍｌ）から第２補充量よりも多い第４補充量（たとえば、６０ｍｌ）に変更される。 Further, when the ammonia concentration is out of the allowable range to the low concentration side, the determination interval in the feedback process is changed from the second time interval (for example, 30 sec) to a fourth time interval (for example, 15 sec) shorter than the second time interval. is changed to Also, the replenishment amount of ammonia water in the feedback process is changed from the second replenishment amount (eg, 30 ml) to a fourth replenishment amount (eg, 60 ml) larger than the second replenishment amount.

したがって、実施形態に係る基板処理装置１によれば、蒸発成分の濃度が許容範囲から低濃度側に外れた場合に、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 Therefore, according to the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, when the concentration of the evaporated component deviates from the allowable range to the low concentration side, the concentration of the evaporated component can quickly return to the allowable range.

また、制御部４１は、アンモニア濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合に、補充モードを第１補充モードから第３補充モードに変更する。これにより、定期補充処理におけるアンモニア水の補充量が、第１補充量から第１補充量よりも少ない第５補充量（たとえば、２０ｍｌ）に変更される。また、定期補充処理におけるアンモニア水の補充間隔が、第１時間間隔から第１時間間隔よりも長い第５時間間隔（たとえば、１５０ｓｅｃ）に変更される。 Further, the control unit 41 changes the replenishment mode from the first replenishment mode to the third replenishment mode when the ammonia concentration is out of the allowable range to the high concentration side. As a result, the replenishment amount of aqueous ammonia in the periodic replenishment process is changed from the first replenishment amount to a fifth replenishment amount (for example, 20 ml) smaller than the first replenishment amount. Also, the replenishment interval of ammonia water in the regular replenishment process is changed from the first time interval to a fifth time interval (for example, 150 sec) longer than the first time interval.

また、アンモニア濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合、フィードバック処理における判定間隔が、第２時間間隔から第２時間間隔よりも長い第６時間間隔（たとえば、１２０ｓｅｃ）に変更される。また、フィードバック処理におけるアンモニア水の補充量が、第２補充量から第２補充量よりも少ない第６補充量（たとえば、５ｍｌ）に変更される。 Further, when the ammonia concentration is outside the allowable range to the high concentration side, the determination interval in the feedback process is changed from the second time interval to a sixth time interval (for example, 120 sec) longer than the second time interval. Also, the replenishment amount of ammonia water in the feedback process is changed from the second replenishment amount to a sixth replenishment amount (for example, 5 ml) smaller than the second replenishment amount.

したがって、実施形態に係る基板処理装置１によれば、蒸発成分の濃度が許容範囲から高濃度側に外れた場合に、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 Therefore, according to the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, when the concentration of the evaporated component deviates from the allowable range to the high concentration side, the concentration of the evaporated component can quickly return to the allowable range.

なお、ここでは、補充モードが変更された場合に、補充量および時間間隔の両方を変更する場合の例について説明したが、制御部４１は、補充量および時間間隔のうち少なくとも一方を変更すればよい。 Here, an example in which both the replenishment amount and the time interval are changed when the replenishment mode is changed has been described. good.

また、定期補充処理およびフィードバック補充処理において、制御部４１は、アンモニア濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合に、アンモニア水の補充を停止してもよい。これにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にさらに早く戻すことができる。 Further, in the periodical replenishment process and the feedback replenishment process, the control unit 41 may stop replenishment of ammonia water when the ammonia concentration deviates from the allowable range to the high concentration side. Thereby, the concentration of the evaporated component can be returned to the allowable range more quickly.

＜循環ラインにおける濃度計の位置について＞
ところで、フィルタ３０４（図３参照）は、循環ライン３０１における圧損部の一つに相当する。すなわち、処理液は、フィルタ３０４を通過する際に、濾過膜との摩擦によって圧力損失を受ける。これにより、フィルタ３０４の二次側における圧力は、フィルタ３０４の一次側における圧力よりも低くなる。処理液中の蒸発成分は、圧力が低くなるほど揮発しやすくなる。したがって、処理液がフィルタ３０４を通過することで、処理液中の蒸発成分濃度が低下するおそれがある。 <Regarding the position of the densitometer in the circulation line>
By the way, the filter 304 (see FIG. 3) corresponds to one pressure loss part in the circulation line 301 . That is, the treatment liquid undergoes pressure loss due to friction with the filtration membrane when passing through the filter 304 . This causes the pressure on the secondary side of filter 304 to be lower than the pressure on the primary side of filter 304 . Evaporation components in the treatment liquid are more likely to volatilize as the pressure is lowered. Therefore, when the processing liquid passes through the filter 304, the concentration of evaporated components in the processing liquid may decrease.

この点について、従来の処理液供給システムと比較して説明する。たとえば、従来の処理液供給システムでは、ポンプ、ヒータ、濃度計およびフィルタが、上流側からこの順番で循環ラインに設けられていた。すなわち、従来の処理液供給システムでは、フィルタよりも上流に濃度計が設けられていた。この場合、処理液は、濃度計を通過した後にフィルタを通過することとなる。 This point will be described in comparison with a conventional processing liquid supply system. For example, in a conventional processing liquid supply system, a pump, a heater, a densitometer, and a filter are provided in the circulation line in this order from the upstream side. That is, in the conventional processing liquid supply system, the concentration meter was provided upstream of the filter. In this case, the processing liquid passes through the filter after passing through the densitometer.

上述したように、処理液中における蒸発成分の濃度は、フィルタの二次側において低下するおそれがある。たとえば、内槽に複数のウエハが浸漬されてから内槽内の処理液がポンプ、ヒータおよび濃度計を通過するまで、処理液中における蒸発成分の濃度が規定値に維持されると仮定する。この仮定において、処理液がフィルタを通過すると、処理液中の蒸発成分が蒸発することで、処理液中における蒸発成分の濃度は、規定値よりも低くなり、その後、蒸発成分の濃度が低くなった処理液が内槽に供給される。 As mentioned above, the concentration of evaporative components in the processing liquid can be reduced on the secondary side of the filter. For example, it is assumed that the concentration of evaporated components in the processing liquid is maintained at a specified value from when a plurality of wafers are immersed in the inner bath until the processing liquid in the inner bath passes through the pump, heater and densitometer. In this assumption, when the processing liquid passes through the filter, the evaporated components in the processing liquid evaporate, so that the concentration of the evaporated components in the processing liquid becomes lower than the specified value, and then the concentration of the evaporated components becomes lower. The treated liquid is supplied to the inner bath.

このように、従来の処理液供給システムでは、濃度計によって測定される蒸発成分濃度（規定値）と、内槽に供給される処理液の蒸発成分濃度（低い）とにずれが生じるおそれがある。 In this way, in the conventional processing liquid supply system, there is a risk of a discrepancy between the concentration of evaporated components (predetermined value) measured by the densitometer and the concentration of evaporated components (low) in the processing solution supplied to the inner tank. .

これに対し、実施形態に係る基板処理装置１では、アンモニア濃度計３０６がフィルタ３０４よりも下流に設けられている。この場合、フィルタ３０４の二次側で処理液の蒸発成分濃度が低下したとしても、蒸発成分濃度が低下した後の処理液の蒸発成分濃度をアンモニア濃度計３０６において測定することになる。このため、アンモニア濃度計３０６で測定された蒸発成分濃度と、内槽２１１に供給される処理液の蒸発成分濃度とにずれが生じにくい。したがって、実施形態に係る基板処理装置１によれば、処理液中の蒸発成分の濃度維持をより容易化することができる。 In contrast, in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, the ammonia concentration meter 306 is provided downstream of the filter 304 . In this case, even if the concentration of evaporated components in the treatment liquid decreases on the secondary side of the filter 304, the ammonia concentration meter 306 measures the concentration of evaporated components in the treated liquid after the concentration of evaporated components has decreased. Therefore, deviation between the concentration of evaporated components measured by the ammonia concentration meter 306 and the concentration of evaporated components of the treatment liquid supplied to the inner tank 211 is unlikely to occur. Therefore, according to the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, it is possible to more easily maintain the concentration of the evaporated component in the processing liquid.

＜変形例＞
図１０は、変形例に係る処理液供給システム３の構成を示す図である。図１０に示すように、処理液供給システム３は、希釈部３３を備えていてもよい。 <Modification>
FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system 3 according to a modification. As shown in FIG. 10 , the processing liquid supply system 3 may include a diluting section 33 .

希釈部３３は、希釈液供給源３３１と、希釈ライン３３２と、流量調整器３３３とを備える。希釈液供給源３３１は、希釈液を供給する。希釈液としては、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）が用いられる。希釈ライン３３２は、希釈液供給源３３１と外槽２１２とを接続し、希釈液供給源３３１から外槽２１２に希釈液を供給する。流量調整器３３３は希釈ライン３３２に設けられ、外槽２１２へ供給される希釈液の供給量を調整する。流量調整器３３３は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。 The dilution section 33 includes a diluent supply source 331 , a dilution line 332 and a flow regulator 333 . Diluent supply source 331 supplies diluent. For example, DIW (deionized water) is used as the diluent. The dilution line 332 connects the diluent supply source 331 and the outer tank 212 and supplies the diluent from the diluent supply source 331 to the outer tank 212 . A flow rate adjuster 333 is provided in the dilution line 332 and adjusts the amount of diluent supplied to the outer tank 212 . The flow regulator 333 is composed of, for example, an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, and the like.

変形例に係る基板処理装置１において、制御部４１は、アンモニア濃度値が許容範囲の上限を上回った場合に、補充処理（第３補充モード）に代えて、または、補充処理とともに、希釈処理を行ってもよい。具体的には、制御部４１は、希釈部３３を制御して、希釈液供給源３３１から液処理ユニット２の外槽２１２に希釈液（ここでは、ＤＩＷ）を供給する。これにより、アンモニア濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 In the substrate processing apparatus 1 according to the modification, when the ammonia concentration value exceeds the upper limit of the allowable range, the control unit 41 performs the dilution process instead of the replenishment process (third replenishment mode) or together with the replenishment process. you can go Specifically, the control section 41 controls the dilution section 33 to supply the diluent (in this case, DIW) from the diluent supply source 331 to the outer tank 212 of the liquid processing unit 2 . Thereby, the ammonia concentration can be quickly returned to the allowable range.

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、蒸発成分（一例として、アンモニア）を含有する処理液（一例として、ＳＣ１）に基板（一例として、ウエハＷ）を浸漬させることによって基板を処理する基板処理装置であって、処理槽（一例として、処理槽２１）と、定期補充部（一例として、定期補充部３１）およびフィードバック補充部（一例として、フィードバック補充部３２）と、測定部（一例として、アンモニア濃度計３０６）と、制御部（一例として、制御部４１）とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。定期補充部およびフィードバック補充部は、蒸発成分を補充する。測定部は、濃度を測定する。制御部は、定期補充部およびフィードバック補充部を制御する。また、制御部は、定期補充処理と、フィードバック補充処理とを行う。定期補充処理は、定期補充部を制御して、処理液に含まれる蒸発成分の濃度が許容範囲に収まるように、第１補充量かつ第１時間間隔で蒸発成分を補充する処理である。フィードバック補充処理は、フィードバック補充部を制御して、測定部によって測定された濃度が閾値を下回ったか否かの判定を第２時間間隔で実行し、濃度が前記閾値を下回ったと判定した場合に、蒸発成分を第２補充量で補充する処理である。そして、制御部は、定期補充処理とフィードバック補充処理とを並行して行う。 As described above, the substrate processing apparatus (substrate processing apparatus 1 as an example) according to the embodiment applies a processing liquid (SC1 as an example) containing an evaporation component (ammonia as an example) to a substrate (a wafer as an example). A substrate processing apparatus for processing substrates by immersing W) in a processing tank (processing tank 21 as an example), a periodic replenishment section (periodic replenishment section 31 as an example) and a feedback replenishment section (as an example a regular replenishment section 31). It includes a feedback replenishment unit 32), a measurement unit (eg, ammonia concentration meter 306), and a control unit (eg, control unit 41). The processing tank stores the processing liquid. A periodic replenishment section and a feedback replenishment section replenish the vaporized component. The measurement unit measures the concentration. A control unit controls the periodic replenishment unit and the feedback replenishment unit. Further, the control unit performs regular replenishment processing and feedback replenishment processing. The periodical replenishment process is a process of controlling the periodical replenishment unit to replenish the evaporated component in the first replenishment amount at the first time interval so that the concentration of the evaporated component contained in the processing liquid falls within the allowable range. The feedback replenishment process controls the feedback replenishment unit to determine whether or not the concentration measured by the measurement unit is below the threshold at second time intervals, and when it is determined that the concentration is below the threshold, This is a process of replenishing the evaporated component with the second replenishment amount. Then, the control unit performs the periodic replenishment process and the feedback replenishment process in parallel.

定期補充処理を行うことで、定期補充処理を行わない場合と比較して蒸発成分の減少速度が抑えられるため、フィードバック補充処理における第２補充量を少なくすることができる。これにより、蒸発成分の濃度のハンチングを抑えることができるため、処理液に含まれる蒸発成分の濃度維持を容易化することができる。 By performing the periodic replenishment process, the rate of decrease in the evaporated components is suppressed compared to when the periodic replenishment process is not performed, so the second replenishment amount in the feedback replenishment process can be reduced. As a result, hunting of the concentration of the evaporated component can be suppressed, so that it is possible to easily maintain the concentration of the evaporated component contained in the treatment liquid.

定期補充処理は、測定処理によって測定された濃度が許容範囲から低濃度側に外れている場合に、蒸発成分の補充量を第１補充量よりも多い第３補充量に変更し、または、蒸発成分の補充間隔を第１時間間隔よりも短い第３時間間隔に変更して、蒸発成分の補充を行う。これにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 The periodical replenishment process changes the replenishment amount of the evaporated component to a third replenishment amount larger than the first replenishment amount or The component replenishment interval is changed to a third time interval shorter than the first time interval to replenish the evaporated component. As a result, the concentration of the vaporized component can quickly return to the permissible range.

フィードバック補充処理は、測定処理によって測定された濃度が許容範囲から低濃度側に外れている場合に、判定の実行間隔を第２時間間隔よりも短い第４時間間隔に変更し、または、蒸発成分の補充量を第２補充量よりも多い第４補充量に変更して、蒸発成分の補充を行う。これにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 The feedback replenishment process changes the judgment execution interval to a fourth time interval shorter than the second time interval when the concentration measured by the measurement process deviates from the allowable range to the low concentration side, or is changed to a fourth replenishment amount larger than the second replenishment amount to replenish the evaporated component. As a result, the concentration of the vaporized component can quickly return to the permissible range.

定期補充処理は、測定処理によって測定された濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合に、蒸発成分の補充量を第１補充量よりも少ない第５補充量に変更し、もしくは、蒸発成分の補充間隔を第１時間間隔よりも長い第５時間間隔に変更して蒸発成分の補充を行う、または、蒸発成分の補充を停止する。これにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 In the regular replenishment process, when the concentration measured by the measurement process is outside the allowable range and on the high concentration side, the replenishment amount of the evaporated component is changed to a fifth replenishment amount smaller than the first replenishment amount, or The component replenishment interval is changed to a fifth time interval longer than the first time interval to replenish the evaporated component, or the replenishment of the evaporated component is stopped. As a result, the concentration of the vaporized component can quickly return to the permissible range.

フィードバック補充処理は、測定処理によって測定された濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合に、判定の実行間隔を第２時間間隔よりも長い第６時間間隔に変更し、もしくは、蒸発成分の補充量を第２補充量よりも少ない第６補充量に変更して蒸発成分の補充を行う、または、蒸発成分の補充を停止する。これにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 The feedback replenishment process changes the determination execution interval to a sixth time interval longer than the second time interval when the concentration measured by the measurement process deviates from the allowable range to the high concentration side, or is changed to a sixth replenishment amount smaller than the second replenishment amount to replenish the evaporated component, or replenishment of the evaporated component is stopped. As a result, the concentration of the vaporized component can quickly return to the permissible range.

実施形態に係る基板処理装置１は、希釈部３３を備えていてもよい。この場合、制御部４１は、希釈処理を行ってもよい。希釈処理は、測定処理によって測定された濃度が許容範囲から高濃度側に外れている場合に、蒸発成分を含まない液体を補充するこれにより、蒸発成分の濃度を許容範囲にいち早く戻すことができる。 The substrate processing apparatus 1 according to the embodiment may include a dilution section 33 . In this case, the control unit 41 may perform dilution processing. In the dilution process, when the concentration measured by the measurement process deviates from the permissible range to the high concentration side, the concentration of the vaporized component can be quickly returned to the permissible range by replenishing with a liquid that does not contain the evaporated component. .

希釈処理は、蒸発成分を含まない液体として水を補充してもよい。これにより、比較的低コストで希釈処理を実現することができる。 The dilution process may be replenished with water as a liquid that does not contain vaporized components. As a result, the dilution process can be realized at relatively low cost.

処理槽は、上部に開口部を有し、基板を収容可能な内槽（一例として、内槽２１１）と、内槽の外側に配置され、開口部から流出する処理液を受ける外槽（一例として、外槽２１２）とを備えていてもよい。この場合、外槽に貯留された処理液は、外槽と内槽とを接続する循環ライン（一例として、循環ライン３０１）によって内槽に戻されてもよい。また、定期補充処理およびフィードバック補充処理は、外槽または循環ラインに対して蒸発成分を補充してもよい。 The processing baths include an inner bath (for example, an inner bath 211) that has an opening at the top and can accommodate substrates, and an outer bath (for example, a Alternatively, an outer tank 212) may be provided. In this case, the processing liquid stored in the outer tank may be returned to the inner tank by a circulation line (for example, a circulation line 301) connecting the outer tank and the inner tank. In addition, the regular replenishment process and the feedback replenishment process may replenish the vaporized components to the outer tank or the circulation line.

外槽または循環ラインに対して蒸発成分を補充することにより、循環ラインによる処理液の流動を利用して蒸発成分を効率よく処理液に混合することができることから、蒸発成分の濃度を早期に安定化させることができる。 By replenishing the evaporating components to the outer tank or the circulation line, the evaporating components can be efficiently mixed with the processing liquid using the flow of the processing liquid through the circulation line, so the concentration of the evaporating components can be quickly stabilized. can be made

処理液は、蒸発成分としてアンモニアを含むＳＣ１、希アンモニア水ならびにＢＨＦ、蒸発成分として過酸化水素を含むＳＣ２ならびにＳＰＭ、蒸発成分として硝酸を含むフッ硝酸ならびにＰＡＮおよびリン酸水溶液のうちのいずれかであってもよい。実施形態に係る基板処理方法は、これらの理液に含まれる蒸発成分の濃度維持を容易化することが可能である。 The treatment liquid is any one of SC1 containing ammonia as evaporating components, dilute aqueous ammonia and BHF, SC2 and SPM containing hydrogen peroxide as evaporating components, fluoronitric acid containing nitric acid as evaporating components, PAN and phosphoric acid aqueous solution. There may be. The substrate processing method according to the embodiment can facilitate maintenance of the concentration of the evaporated components contained in these physical fluids.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

１；基板処理装置
２；液処理ユニット
３；処理液供給システム
４；制御装置
２１；処理槽
２２；保持部
２３；吐出部
３０；循環部
３１；定期補充部
３２；フィードバック補充部
３３；希釈部
４１；制御部
４２；記憶部
２１１；内槽
２１２；外槽
３０１；循環ライン
３０２；ポンプ
３０３；ヒータ
３０４；フィルタ
３０６；アンモニア濃度計
３０８；過酸化水素濃度計 1; substrate processing apparatus 2; liquid processing unit 3; processing liquid supply system 4; control device 21; 41; control unit 42; storage unit 211; inner tank 212; outer tank 301; circulation line 302; pump 303;

Claims (11)

蒸発成分を含有する処理液に基板を浸漬させることによって前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理液における前記蒸発成分の濃度が許容範囲に収まるように、第１補充量かつ第１時間間隔で前記蒸発成分を補充する定期補充工程と、
前記濃度を測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定された前記濃度が閾値を下回ったか否かの判定を第２時間間隔で実行し、前記濃度が前記閾値を下回ったと判定した場合に、前記蒸発成分を第２補充量で補充するフィードバック補充工程と
を含み、
前記定期補充工程と前記フィードバック補充工程とを並行して行う、基板処理方法。 A substrate processing method for processing the substrate by immersing the substrate in a processing liquid containing an evaporated component,
a periodical replenishing step of replenishing the evaporated component at a first replenishment amount and at a first time interval such that the concentration of the evaporated component in the processing liquid falls within an allowable range;
a measuring step of measuring the concentration;
Determining whether the concentration measured by the measuring step is below a threshold is performed at a second time interval, and when it is determined that the concentration is below the threshold, the evaporated component is replenished with a second replenishment amount. and a feedback replenishment step to
A substrate processing method, wherein the periodic replenishment step and the feedback replenishment step are performed in parallel. 前記定期補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲から低濃度側に外れている場合に、前記蒸発成分の補充量を前記第１補充量よりも多い第３補充量に変更し、または、前記蒸発成分の補充間隔を前記第１時間間隔よりも短い第３時間間隔に変更して、前記蒸発成分の補充を行う、請求項１に記載の基板処理方法。 The periodic replenishment step includes:
changing the replenishment amount of the evaporated component to a third replenishment amount larger than the first replenishment amount when the concentration measured in the measuring step is outside the allowable range toward the low concentration side, or 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the replenishment interval of the evaporated component is changed to a third time interval shorter than the first time interval to replenish the evaporated component. 前記フィードバック補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲から低濃度側に外れている場合に、前記判定の実行間隔を前記第２時間間隔よりも短い第４時間間隔に変更し、または、前記蒸発成分の補充量を前記第２補充量よりも多い第４補充量に変更して、前記蒸発成分の補充を行う、請求項１または２に記載の基板処理方法。 The feedback replenishment step includes:
changing the execution interval of the determination to a fourth time interval shorter than the second time interval when the concentration measured by the measuring step deviates from the allowable range toward the low concentration side; or 3. The substrate processing method according to claim 1, wherein the vaporized component is replenished by changing the component replenishment amount to a fourth replenishment amount larger than the second replenishment amount. 前記定期補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲から高濃度側に外れている場合に、前記蒸発成分の補充量を前記第１補充量よりも少ない第５補充量に変更し、もしくは、前記蒸発成分の補充間隔を前記第１時間間隔よりも長い第５時間間隔に変更して前記蒸発成分の補充を行う、または、前記蒸発成分の補充を停止する、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The periodic replenishment step includes:
changing the replenishment amount of the evaporated component to a fifth replenishment amount smaller than the first replenishment amount when the concentration measured in the measuring step deviates from the allowable range toward the high concentration side, or The replenishment interval of the evaporated component is changed to a fifth time interval longer than the first time interval to replenish the evaporated component, or the replenishment of the evaporated component is stopped. The substrate processing method according to 1. 前記フィードバック補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲から高濃度側に外れている場合に、前記判定の実行間隔を前記第２時間間隔よりも長い第６時間間隔に変更し、もしくは、前記蒸発成分の補充量を前記第２補充量よりも少ない第６補充量に変更して前記蒸発成分の補充を行う、または、前記蒸発成分の補充を停止する、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The feedback replenishment step includes:
changing the execution interval of the determination to a sixth time interval longer than the second time interval when the concentration measured by the measuring step is outside the allowable range toward the high concentration side, or The replenishment amount of the component is changed to a sixth replenishment amount smaller than the second replenishment amount to replenish the vaporized component, or the replenishment of the vaporized component is stopped. The substrate processing method described in . 前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲から高濃度側に外れている場合に、前記蒸発成分を含まない液体を補充する希釈工程
を含む、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The method according to any one of claims 1 to 5, comprising a dilution step of replenishing the liquid that does not contain the vaporized component when the concentration measured by the measuring step is outside the allowable range to the high concentration side. The substrate processing method described. 前記希釈工程は、
前記蒸発成分を含まない液体として水を補充する、請求項６に記載の基板処理方法。 The dilution step includes
7. The substrate processing method according to claim 6, wherein water is replenished as the liquid not containing the evaporated component. 前記定期補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲にある場合、前記第１補充量かつ前記第１時間間隔で前記蒸発成分を補充し、
前記フィードバック補充工程は、
前記測定工程によって測定された前記濃度が前記許容範囲にある場合、前記判定を前記第２時間間隔で実行し、前記蒸発成分の補充を前記第２補充量で行う、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The periodic replenishment step includes:
replenishing the evaporated component at the first replenishment amount and at the first time interval when the concentration measured by the measuring step is within the allowable range;
The feedback replenishment step includes:
8. The method according to any one of claims 1 to 7, wherein when the concentration measured by the measuring step is within the allowable range, the determination is performed at the second time interval, and the replenishment of the evaporated component is performed at the second replenishment amount. 1. The substrate processing method according to claim 1. 前記基板は、処理槽に貯留された前記処理液に浸漬され、
前記処理槽は、
上部に開口部を有し、前記基板を収容可能な内槽と、
前記内槽の外側に配置され、前記開口部から流出する前記処理液を受ける外槽と
を備え、
前記外槽に貯留された前記処理液は、前記外槽と前記内槽とを接続する循環ラインによって前記内槽に戻され、
前記定期補充工程および前記フィードバック補充工程は、
前記外槽または前記循環ラインに対して前記蒸発成分を補充する、請求項１～８のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The substrate is immersed in the processing liquid stored in the processing tank,
The treatment tank is
an inner tank having an opening at the top and capable of accommodating the substrate;
an outer tank arranged outside the inner tank and receiving the processing liquid flowing out from the opening,
The processing liquid stored in the outer tank is returned to the inner tank by a circulation line connecting the outer tank and the inner tank,
The periodic replenishment step and the feedback replenishment step include:
9. The substrate processing method according to claim 1, wherein said outer tank or said circulation line is replenished with said evaporated component. 前記処理液は、前記蒸発成分としてアンモニアを含むＳＣ１、希アンモニア水ならびにＢＨＦ、前記蒸発成分として過酸化水素を含むＳＣ２ならびにＳＰＭ、前記蒸発成分として硝酸を含むフッ硝酸ならびにＰＡＮおよびリン酸水溶液のうちのいずれかである、請求項１～９のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The treatment liquid includes SC1 containing ammonia as the evaporation component, dilute aqueous ammonia and BHF, SC2 and SPM containing hydrogen peroxide as the evaporation component, fluoronitric acid and PAN containing nitric acid as the evaporation component, and an aqueous solution of phosphoric acid. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 9, wherein 蒸発成分を含有する処理液に基板を浸漬させることによって前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理液を貯留する処理槽と、
前記蒸発成分を補充する定期補充部およびフィードバック補充部と、
前記蒸発成分の濃度を測定する測定部と、
前記定期補充部および前記フィードバック補充部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記定期補充部を制御して、前記処理液に含まれる蒸発成分の濃度が許容範囲に収まるように、第１補充量かつ第１時間間隔で前記蒸発成分を補充する定期補充処理と、
前記フィードバック補充部を制御して、前記測定部によって測定された前記濃度が閾値を下回ったか否かの判定を第２時間間隔で実行し、前記濃度が前記閾値を下回ったと判定した場合に、前記蒸発成分を第２補充量で補充するフィードバック補充処理と
を並行して行う、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate by immersing the substrate in a processing liquid containing an evaporated component,
a processing tank for storing the processing liquid;
a periodic replenishment section and a feedback replenishment section for replenishing the evaporated component;
a measurement unit that measures the concentration of the evaporated component;
a control unit that controls the regular replenishment unit and the feedback replenishment unit,
The control unit
a periodic replenishment process of controlling the periodic replenishment unit to replenish the evaporated component with a first replenishment amount and at a first time interval such that the concentration of the evaporated component contained in the processing liquid falls within an allowable range;
controlling the feedback replenishment unit to determine whether the concentration measured by the measurement unit is below a threshold at second time intervals; and if it is determined that the concentration is below the threshold, A substrate processing apparatus that concurrently performs a feedback replenishment process of replenishing the evaporated component with a second replenishment amount.
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