JP2022108088A - Processing liquid supply system and substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、処理液供給システムおよび基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a processing liquid supply system and a substrate processing apparatus.
従来、半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ等の基板に対して処理液を供給することによって基板を処理する液処理が行われる。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device, liquid processing is performed in which a substrate such as a semiconductor wafer is processed by supplying a processing liquid to the substrate.
特許文献1には、貯留部内に残存する処理液から揮発したアンモニア成分の揮発量を、処理液の貯留部への未回収分のうち推定される逸失分に基づいて算出し、算出した揮発量分のアンモニアを貯留部内に補充する技術が開示されている。この技術によれば、処理液の濃度を所望の濃度に維持することができる。
In
本開示は、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of facilitating maintenance of the concentration of volatile components contained in the treatment liquid.
本開示の一態様による処理液供給システムは、供給ラインと、複数の圧損部と、濃度計とを含む。供給ラインは、揮発成分を含む処理液を用いて基板を処理する液処理ユニットに接続され、液処理ユニットに対して処理液を供給する。複数の圧損部は、供給ラインに配置されたフィルタおよびヒータを含む。濃度計は、供給ラインに配置され、供給ラインを流れる処理液の濃度を計測する。また、濃度計は、複数の圧損部よりも下流に配置される。 A processing liquid supply system according to one aspect of the present disclosure includes a supply line, a plurality of pressure loss sections, and a concentration meter. The supply line is connected to a liquid processing unit that processes a substrate using a processing liquid containing a volatile component, and supplies the processing liquid to the liquid processing unit. The plurality of pressure drop sections includes filters and heaters arranged in the supply line. The densitometer is arranged in the supply line and measures the concentration of the processing liquid flowing through the supply line. Also, the densitometer is arranged downstream of the plurality of pressure drop sections.
本開示によれば、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる。 According to the present disclosure, it is possible to facilitate maintenance of the concentration of volatile components contained in the treatment liquid.
以下に、本開示による処理液供給システムおよび基板処理装置を実施するための形態(以下、「実施形態」と記載する)について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。 Embodiments (hereinafter referred to as "embodiments") for implementing a processing liquid supply system and a substrate processing apparatus according to the present disclosure will be described in detail below with reference to the drawings. Note that the present disclosure is not limited by this embodiment. Further, each embodiment can be appropriately combined within a range that does not contradict the processing contents. Also, in each of the following embodiments, the same parts are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。 Further, in the embodiments described below, expressions such as "constant", "perpendicular", "perpendicular" or "parallel" may be used, but these expressions are strictly "constant", "perpendicular", " It does not have to be "perpendicular" or "parallel". That is, each of the expressions described above allows deviations in, for example, manufacturing accuracy and installation accuracy.
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。 In addition, in each drawing referred to below, in order to make the explanation easier to understand, an orthogonal coordinate system is shown in which the X-axis direction, the Y-axis direction and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction. Sometimes. Also, the direction of rotation about the vertical axis is sometimes called the θ direction.
(第1実施形態)
<基板処理装置>
まず、本開示による処理液供給システムを含む基板処理装置の構成について図1を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。
(First embodiment)
<Substrate processing equipment>
First, the configuration of a substrate processing apparatus including a processing liquid supply system according to the present disclosure will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
図1に示すように、第1実施形態に係る基板処理装置1は、液処理ユニット2と、処理液供給システム3と、制御装置4とを備える。
As shown in FIG. 1, the
液処理ユニット2は、半導体ウエハ等の基板(以下、「ウエハ」と記載する)を処理液を用いて処理する。
The
処理液は、揮発成分を含む。一例として、第1実施形態に係る処理液は、SC1(アンモニア/過酸化水素水溶液)である。SC1は、揮発成分としてアンモニアを含む。液処理ユニット2は、ウエハに対してSC1を供給することにより、ウエハに形成されたシリコン系膜(たとえば、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜およびSiN膜等)をエッチング除去する。液処理ユニット2の構成例については後述する。
The treatment liquid contains volatile components. As an example, the treatment liquid according to the first embodiment is SC1 (ammonia/hydrogen peroxide aqueous solution). SC1 contains ammonia as a volatile component. The
なお、処理液は、少なくとも揮発成分を含むものであればよく、SC1に限定されない。たとえば、処理液は、所定の濃度に希釈された水酸化アンモニウム(希アンモニア水)、BHF(バッファードフッ酸:フッ酸とフッ化アンモニウム溶液との混合液)等であってもよい。これらも揮発成分としてアンモニアを含んでいる。また、処理液は、アンモニア以外の揮発成分を含有するものであってもよい。 Note that the treatment liquid is not limited to SC1 as long as it contains at least a volatile component. For example, the treatment liquid may be ammonium hydroxide (dilute ammonia water) diluted to a predetermined concentration, BHF (buffered hydrofluoric acid: mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution), or the like. These also contain ammonia as a volatile component. Also, the treatment liquid may contain a volatile component other than ammonia.
処理液供給システム3は、液処理ユニット2に対して上記処理液を供給する。処理液供給システム3の構成例については後述する。
The processing
制御装置4は、液処理ユニット2および処理液供給システム3を制御する。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部41と記憶部42とを備える。記憶部42には、基板処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部41は、記憶部42に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理ユニット2および処理液供給システム3の動作を制御する。
A
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部42にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the
基板処理装置1は、複数の液処理ユニット2を備えていてもよい。この場合、基板処理装置1は、複数の液処理ユニット2に対応する複数の処理液供給システム3を備えていてもよいし、複数の液処理ユニット2に対応する1つの処理液供給システム3を備えていてもよい。
The
<液処理ユニットの構成>
次に、液処理ユニット2の構成例について図2を参照して説明する。図2は、第1実施形態に係る液処理ユニット2の構成を示す図である。
<Structure of liquid processing unit>
Next, a configuration example of the
図2に示す液処理ユニット2は、複数のウエハW(図2では1枚のみ図示)を一括して処理するバッチ式の処理ユニットである。図2に示すように、液処理ユニット2は、処理槽21と、保持部22と、複数(ここでは3つ)の吐出部23とを備える。なお、液処理ユニット2が備える吐出部23の個数は3つに限定されない。
The
処理槽21は、内槽211と、外槽212とを備える。内槽211は、上方が開放された箱形の槽であり、内部に処理液を貯留する。複数のウエハWにより形成されるロットは、内槽211に浸漬される。外槽212は、内槽211の周囲に配置される。また、外槽212は、上方が開放されている。外槽212には、内槽211からオーバーフローした処理液が流入する。
The
保持部22は、ロットを形成する複数のウエハWを垂直姿勢で保持する。保持部22は、保持したロットを昇降させる昇降機構を有しており、処理槽21における内槽211の上方からロットを下降させて内槽211に浸漬させたり、内槽211に浸漬させたロットを上昇させて処理槽21から取り出したりする。
The holding
複数の吐出部23は、内槽211の内部、具体的には、内槽211の底部近傍に配置される。複数の吐出部23は、処理液供給システム3に接続されており、処理液供給システム3から供給される処理液を内槽211の内部に吐出する。
The plurality of
液処理ユニット2は、保持部22を用いてロットを保持し、保持したロットを内槽211に貯留された処理液に浸漬させる。これにより、複数のウエハWは、処理液によって処理される。具体的には、第1実施形態において、複数のウエハWは、処理液であるSC1によってシリコン系膜がエッチング除去される。
The
<処理液供給システムの構成>
次に、処理液供給システム3の構成例について図3を参照して説明する。図3は、第1実施形態に係る処理液供給システム3の構成を示す図である。
<Configuration of processing liquid supply system>
Next, a configuration example of the processing
図3に示すように、処理液供給システム3は、供給ライン30と、ポンプ31と、ヒータ32と、脱泡器33a,33bと、フィルタ34と、濃度計35と、流量計36とを備える。また、処理液供給システム3は、補充部37を備える。
As shown in FIG. 3, the treatment
供給ライン30は、液処理ユニット2に接続され、液処理ユニット2に対して処理液を供給する。供給ライン30は、処理槽21から処理液を流出させて処理槽21に戻す循環ラインである。具体的には、供給ライン30の一端は、処理槽21における外槽212の底部に接続され、他端は、内槽211の内部に配置された複数の吐出部23に接続される。このように、循環ラインとしての供給ライン30は、内槽211と外槽212との間で処理液を循環させる。
The
ポンプ31、ヒータ32、脱泡器33a,33b、フィルタ34、濃度計35および流量計36は、供給ライン30に設けられる。ポンプ31は、外槽212内の処理液を供給ライン30に送り出す。ヒータ32は、供給ライン30を流れる処理液を加熱する。
処理槽21には処理槽21内の処理液の温度を計測する温度計測部が設けられていてもよい。この場合、制御部41(図1参照)は、処理槽21内の処理液の温度を所望の温度に保つように、温度計測部による計測結果に基づき、ヒータ32を制御して供給ライン30を流れる処理液を加熱する。これにより、処理液供給システム3は、処理液の温度を規定値に維持することができる。
The
なお、ヒータ32は、たとえば蛇行する流路およびこの流路を加熱する抵抗体等を備えている。かかるヒータ32は、抵抗体で発生したジュール熱を用いて流路を加熱することにより、流路を流れる処理液を加熱する。処理液は、ヒータ32を通過する際に、ヒータ32の蛇行した流路との摩擦によって圧力損失が生じる。このように、ヒータ32は、供給ライン30における圧損部の一つに相当する。圧損部とは、供給ライン30を流れる処理液に圧力損失を生じさせる機器のことである。
The
脱泡器33a,33bは、供給ライン30を流れる処理液から気泡を除去する。フィルタ34は、供給ライン30を流れる処理液から不純物を除去する。
Debubblers 33 a and 33 b remove bubbles from the processing liquid flowing through the
濃度計35は、供給ライン30を流れる処理液の濃度を計測する。具体的には、濃度計35は、処理液中のアンモニア濃度を計測する。濃度計35は、サンプリングライン301に設けられる。サンプリングライン301は、供給ライン30から分岐して供給ライン30に戻るラインである。濃度計35による計測結果は、制御部41に入力される。
A
流量計36は、供給ライン30を流れる処理液の流量を計測する。流量計36による計測結果は、制御部41に入力される。
A
補充部37は、補充液供給源371と、補充ライン372と、流量調整器373とを備える。補充液供給源371は、補充液として、揮発成分を含む溶液を供給する。たとえば、補充液供給源371は、処理液の新液を供給してもよい。また、補充液供給源371は、揮発成分の水溶液(たとえば、揮発成分がアンモニアである場合、アンモニア水)を供給してもよい。補充ライン372は、補充液供給源371と外槽212とを接続し、補充液供給源371から外槽212に補充液を供給する。なお、補充ライン372は、内槽211に接続されてもよい。流量調整器373は、補充ライン372に設けられ、外槽212へ供給される揮発成分の供給量を調整する。流量調整器373は、たとえば開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
The
制御部41(図1参照)は、たとえば、濃度計35によって計測される揮発成分の濃度に基づき、補充部37を制御して、処理槽21への補充液の供給を行う。これにより、処理液供給システム3は、処理液中における揮発成分の濃度を規定値に維持することができる。
The controller 41 (see FIG. 1) controls the
処理液供給システム3は、ポンプ31を用いて外槽212から供給ライン30に処理液を送り出す。供給ライン30に送り出された処理液は、供給ライン30を通って吐出部23から内槽211内に供給される。内槽211に供給された処理液は、内槽211からオーバーフローして外槽212へ流出する。このようにして、処理液は、内槽211と外槽212との間を循環する。
The processing
外槽212を最上流、内槽211を最下流と規定した場合、ポンプ31、ヒータ32、脱泡器33a、フィルタ34、脱泡器33b、濃度計35および流量計36は、上流側からこの順番で設けられる。
Assuming that the
ここで、フィルタ34は、供給ライン30における圧損部の一つに相当する。すなわち、処理液は、フィルタ34を通過する際に、濾過膜との摩擦によって圧力損失を受ける。これにより、フィルタ34の二次側における圧力は、フィルタ34の一次側における圧力よりも低くなる。処理液中の揮発成分は、圧力が低くなるほど揮発しやすくなる。したがって、処理液がフィルタ34を通過することで、処理液中の揮発成分濃度が低下するおそれがある。
Here, the
この点について、比較例と比較しつつ説明する。図4は、比較例における処理液の流れを説明するための図である。また、図5は、第1実施形態に係る供給ライン30における処理液の流れを説明するための図である。
This point will be described in comparison with a comparative example. FIG. 4 is a diagram for explaining the flow of the treatment liquid in the comparative example. Also, FIG. 5 is a diagram for explaining the flow of the processing liquid in the
図4に示すように、比較例に係る処理液供給システムでは、ポンプ、ヒータ、脱泡器、濃度計、フィルタおよび流量計が、上流側からこの順番で供給ラインに設けられている。すなわち、比較例に係る処理液供給システムでは、供給ラインにおけるフィルタよりも上流に濃度計が設けられている。この場合、処理液は、濃度計を通過した後にフィルタを通過することとなる。 As shown in FIG. 4, in the processing liquid supply system according to the comparative example, a pump, a heater, a deaerator, a densitometer, a filter, and a flow meter are provided in the supply line in this order from the upstream side. That is, in the processing liquid supply system according to the comparative example, the concentration meter is provided upstream of the filter in the supply line. In this case, the processing liquid passes through the filter after passing through the densitometer.
上述したように、処理液中における揮発成分の濃度は、フィルタの二次側において低下するおそれがある。たとえば、内槽に複数のウエハが浸漬されてから内槽内の処理液がポンプ、ヒータ、脱泡器および濃度計を通過するまで、処理液中における揮発成分の濃度が規定値に維持されると仮定する。この仮定において、処理液がフィルタを通過すると、処理液中の揮発成分が揮発することで、処理液中における揮発成分の濃度は、規定値よりも低くなり、その後、揮発成分の濃度が低くなった処理液が内槽に供給される。 As mentioned above, the concentration of volatiles in the processing liquid can be reduced on the secondary side of the filter. For example, after a plurality of wafers are immersed in the inner bath, the concentration of volatile components in the processing liquid is maintained at a specified value until the processing liquid in the inner bath passes through the pump, heater, deaerator and densitometer. Assume that In this assumption, when the processing liquid passes through the filter, the volatile components in the processing liquid volatilize, and the concentration of the volatile components in the processing liquid becomes lower than the specified value. The treated liquid is supplied to the inner tank.
このように、比較例に係る処理液供給システムでは、濃度計によって計測される揮発成分濃度(規定値)と、内槽に供給される処理液の揮発成分濃度(低い)とにずれが生じるおそれがある。したがって、濃度計の計測結果に基づいて補充部から貯留槽に揮発成分を補充したとしても、処理液中の揮発成分濃度を規定値に調整することがむずかしい。すなわち、比較例に係る処理液供給システムでは、処理液中の揮発成分濃度を正確にコントロールすることが困難である。 As described above, in the processing liquid supply system according to the comparative example, there is a possibility that the volatile component concentration (specified value) measured by the densitometer and the volatile component concentration (low) of the processing solution supplied to the inner tank may be different. There is Therefore, even if the volatile components are replenished from the replenishing unit to the storage tank based on the measurement result of the concentration meter, it is difficult to adjust the concentration of the volatile components in the processing liquid to the specified value. That is, in the processing liquid supply system according to the comparative example, it is difficult to accurately control the concentration of volatile components in the processing liquid.
これに対し、第1実施形態に係る処理液供給システム3では、濃度計35がフィルタ34よりも下流に設けられている。この場合、フィルタ34の二次側で処理液の揮発成分濃度が低下したとしても、揮発成分濃度が低下した後の処理液の揮発成分濃度を濃度計35において計測することになる。このため、図5に示すように、濃度計35で計測された揮発成分濃度(低い)と、内槽に供給される処理液の揮発成分濃度(低い)とにずれが生じにくい。したがって、第1実施形態に係る処理液供給システム3によれば、処理液中の揮発成分濃度を正確にコントロールすることが容易である。
In contrast, in the processing
このように、第1実施形態に係る処理液供給システム3によれば、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる。
As described above, according to the processing
また、比較例に係る処理液供給システムでは、フィルタの二次側において発生した多量の気泡が流量計を通過することで、流量計による計測結果と実際の流量とにずれが生じるおそれがあった。これに対し、第1実施形態に係る処理液供給システム3では、供給ライン30におけるフィルタ34と流量計36との間に脱泡器33bが設けられており、フィルタ34の二次側で発生した気泡は、流量計36を通過する前に脱泡器33bによって除去される。このため、流量計の計測結果に気泡による誤差が生じることを抑制することができる。
In addition, in the treatment liquid supply system according to the comparative example, a large amount of air bubbles generated on the secondary side of the filter pass through the flowmeter, which may cause a discrepancy between the measurement result of the flowmeter and the actual flow rate. . On the other hand, in the processing
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る処理液供給システムの構成について図6を参照して説明する。図6は、第2実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。また、図7は、第2実施形態に係る供給ライン30における処理液の流れを説明するための図である。
(Second embodiment)
Next, the configuration of the processing liquid supply system according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the second embodiment. Also, FIG. 7 is a diagram for explaining the flow of the treatment liquid in the
図6に示すように、第2実施形態に係る基板処理装置1Aは、処理液供給システム3Aを備える。第2実施形態に係る処理液供給システム3Aにおいて、ヒータ32は、フィルタ34よりも下流に配置される。具体的には、外槽212を最上流とした場合、ポンプ31、脱泡器33a、フィルタ34、ヒータ32、脱泡器33b、濃度計35および流量計36は、上流側からこの順番で供給ライン30に設けられる。
As shown in FIG. 6, a
図4に示す比較例に係る処理液供給システムでは、フィルタの上流側にヒータが配置されている。内槽に浸漬される前のウエハの温度は、内槽に貯留されている処理液の温度よりも低い。このため、内槽に複数のウエハが浸漬されると、内槽に貯留されている処理液の温度が低下し、この温度低下を補うために、制御部は、ヒータを制御して供給ラインを流れる処理液を加熱する。この結果、ヒータによって加熱された高温の処理液がフィルタを通過することとなる。処理液中の揮発成分は、処理液の温度が高くなるほど揮発しやすくなる。このため、処理液の温度が高くなるほど、気泡が発生しやすくなる。すなわち、処理液がフィルタを通過した際に、フィルタの二次側において多量の気泡が発生するおそれがある。 In the processing liquid supply system according to the comparative example shown in FIG. 4, the heater is arranged on the upstream side of the filter. The temperature of the wafer before being immersed in the inner bath is lower than the temperature of the processing liquid stored in the inner bath. Therefore, when a plurality of wafers are immersed in the inner bath, the temperature of the processing liquid stored in the inner bath drops. Heat the flowing processing liquid. As a result, the high-temperature processing liquid heated by the heater passes through the filter. Volatile components in the treatment liquid are more likely to volatilize as the temperature of the treatment liquid increases. Therefore, the higher the temperature of the treatment liquid, the more easily bubbles are generated. That is, when the processing liquid passes through the filter, a large amount of air bubbles may be generated on the secondary side of the filter.
これに対し、第2実施形態に係る処理液供給システム3Aでは、図7に示すように、フィルタ34の下流にヒータ32が設けられているため、フィルタ34を通過する際の処理液の温度は低いままである。このため、第2実施形態に係る処理液供給システム3Aにおいて、フィルタの二次側において発生する気泡の量は、比較例に係る処理液供給システムと比べて少ない。言い換えれば、第2実施形態に係る処理液供給システム3Aでは、フィルタ34を通過することによって生じる揮発成分の濃度低下が、比較例に係る処理液供給システムより抑えられる。たとえば、比較例に係る処理液供給システムでは、内槽に供給される際の処理液の揮発成分濃度が「低い」であるのに対し(図4参照)、第2実施形態に係る処理液供給システム3Aでは、「若干低い」に抑えることができる。
On the other hand, in the processing
このように、第2実施形態に係る処理液供給システム3Aによれば、フィルタ34を通過することによって生じる処理液の揮発成分濃度の低下を抑制することができる。
As described above, according to the processing
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る処理液供給システムの構成について図8を参照して説明する。図8は、第3実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。図8に示すように、第3実施形態に係る基板処理装置1Bは、処理液供給システム3Bを備える。
(Third embodiment)
Next, the configuration of the processing liquid supply system according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the third embodiment. As shown in FIG. 8, a
第3実施形態に係る処理液供給システム3Bにおいて、供給ライン30Bは、サンプリングライン302を備える。サンプリングライン302は、供給ライン30Bにおける複数の圧損部(ここでは、ヒータ32およびフィルタ34)よりも下流かつ処理槽21(内槽211)よりも上流から分岐して処理槽21(外槽212)に接続される。具体的には、サンプリングライン302は、脱泡器33bと後述する背圧弁38との間から分岐して、外槽212に接続される。濃度計35は、かかるサンプリングライン302に接続される。
In the processing
また、供給ライン30Bには、供給ライン30Bにおけるサンプリングライン302の分岐位置よりも下流かつ処理槽21(内槽211)よりも上流に背圧弁38が設けられる。具体的には、背圧弁38は、供給ライン30におけるサンプリングライン302の分岐位置と流量計36との間に設けられる。背圧弁38は、弁開度を調整することにより、背圧弁38よりも上流側における処理液の圧力を所定の圧力に保つ。所定の圧力は、予め設定された圧力であり、背圧弁38の弁開度は制御部41により制御される。
Further, the
このように、供給ライン30Bに背圧弁38を設けることで、サンプリングライン302における処理液の流速を高めることができる。これにより、濃度計35の応答性が高まるため、処理液中における揮発成分の濃度変化を迅速に検知することができる。また、フィルタ34よりも下流に背圧弁38を設けることで、フィルタ34の二次側における圧力が高まるため、フィルタ34の二次側における気泡の発生を抑制することができる。すなわち、フィルタ34を通過することによる揮発成分の濃度低下を抑制することができる。
By thus providing the
(第4実施形態)
次に、第4実施形態に係る処理液供給システムの構成について図9を参照して説明する。図9は、第4実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。図9に示すように、第4実施形態に係る基板処理装置1Cは、処理液供給システム3Cを備える。
(Fourth embodiment)
Next, the configuration of the processing liquid supply system according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 9, a
第4実施形態に係る処理液供給システム3Cは、複数のフィルタ34を備える。複数のフィルタ34は、たとえば脱泡器33aとヒータ32との間において供給ライン30Cに対して並列に設けられる。
A processing
このように、供給ライン30Cに対して複数のフィルタ34を並列に設けることで、各フィルタ34の二次側における圧力低下を抑制することができる。これにより、フィルタ34の二次側における気泡の発生が抑制されるため、フィルタ34の二次側における処理中の揮発成分濃度の低下を抑制することができる。
By arranging a plurality of
なお、第1実施形態に係る処理液供給システム3と同様、ヒータ32は、ポンプ31と脱泡器33aとの間に設けられてもよい。この場合、複数のフィルタ34は、脱泡器33aと脱泡器33bとの間に設けられてもよい。また、ここでは、処理液供給システム3Cが2つのフィルタ34を備える場合の例を示しているが、処理液供給システム3Cは、3つ以上のフィルタ34を備えていてもよい。
Note that the
(第5実施形態)
次に、第5実施形態に係る処理液供給システムの構成について図10を参照して説明する。図10は、第5実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。図10に示すように、第5実施形態に係る基板処理装置1Dは、処理液供給システム3Dを備える。
(Fifth embodiment)
Next, the configuration of the processing liquid supply system according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 10, a
第5実施形態に係る処理液供給システム3Dは、たとえば第2実施形態に係る処理液供給システム3Aと同様の配管構成を有する。すなわち、ポンプ31、脱泡器33a、フィルタ34、ヒータ32、脱泡器33b、濃度計35および流量計36が、供給ライン30の上流側からこの順番で設けられている。なお、処理液供給システム3Dは、第1実施形態に係る処理液供給システム3、第3実施形態に係る処理液供給システム3Bおよび第4実施形態に係る処理液供給システム3Cと同様の配管構成を有していてもよい。
A processing
第5実施形態に係る処理液供給システム3Dは、大気圧計39を備える。大気圧計39は、たとえば基板処理装置1Dが設置される工場内に設けられる。大気圧計39は、大気圧の計測結果を制御部41に出力する。
A processing
図11は、第5実施形態に係る制御部41が実行する処理の一例を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing an example of processing executed by the
図11に示すように、制御部41は、大気圧計の計測結果に基づき、供給ライン30における気泡の発生を推定してもよい。たとえば標高が高い場所における大気圧は、標高が低い場所における大気圧と比べて低くなる。大気圧が低いほど、処理液中の揮発成分が揮発しやすくなる。すなわち、供給ライン30に揮発成分の気泡が発生しやすくなる。
As shown in FIG. 11, the
制御部41は、大気圧計39によって計測された大気圧値を取得し(ステップS101)、取得した大気圧値が予め設定された閾値よりも低いか否かを判定する(ステップS102)。そして、大気圧値が閾値よりも低い場合(ステップS102,Yes)、制御部41は、供給ライン30における気泡の発生を推定する(ステップS103)。そして、制御部41は、気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する(ステップS104)。たとえば、制御部41は、気泡の発生が推定される間、補充部37を制御して処理槽21に補充液を供給し続けてもよい。ステップS104の処理を終えた場合、または、ステップS102において大気圧値が予め設定された閾値よりも低くない場合(ステップS102,No)、制御部41は、処理をステップS101に戻し、ステップS101からの処理を繰り返す。
The
このように、処理液供給システム3Dは、大気圧計39の計測結果に基づき、供給ライン30における気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行してもよい。これにより、たとえば大気圧の低い場所に基板処理装置1Dが設置された場合であっても、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる。
In this manner, the processing
(第6実施形態)
次に、第6実施形態に係る処理液供給システムの構成について図12を参照して説明する。図12は、第6実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。図12に示すように、第6実施形態に係る基板処理装置1Eは、処理液供給システム3Eを備える。
(Sixth embodiment)
Next, the configuration of the processing liquid supply system according to the sixth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 12, a
第6実施形態に係る処理液供給システム3Eは、供給ライン30Eに第1流量計36aと第2流量計36bとを備える。第1流量計36aは、濃度計35よりも下流に設けられる。また、第2流量計36bは、ヒータ32よりも下流かつ濃度計35よりも上流に設けられる。第1流量計36aおよび第2流量計36bは。流量の計測結果を制御部41に出力する。
A processing
また、処理液供給システム3Eが備える供給ライン30Eは、迂回ライン303と、切替部304とを備える。迂回ライン303は、脱泡器33bを迂回するラインである。具体的には、迂回ライン303は、第2流量計36bよりも下流かつ脱泡器33bよりも上流において供給ライン30Eから分岐し、脱泡器33bよりも下流かつ濃度計35よりも上流において供給ライン30Eに接続される。切替部304は、迂回ライン303の供給ライン30Eからの分岐位置に設けられ、供給ライン30Eと迂回ライン303との間で処理液の流出先を切り替える。切替部304は、制御部41によって制御される。
A
図13は、第6実施形態に係る制御部41が実行する処理の一例を示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart showing an example of processing executed by the
図13に示すように、制御部41は、第2流量計36bから処理液の流量を取得し(ステップS201)、取得した流量が予め設定された閾値範囲を超えているか否かを判定する(ステップS202)。そして、流量が閾値範囲を超えていると判定した場合(ステップS202,Yes)、制御部41は、供給ライン30における気泡の発生を推定する(ステップS203)。そして、制御部41は、気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する(ステップS204)。たとえば、制御部41は、切替部304を制御して処理液の流出先を迂回ライン303から供給ライン30Eに切り替える。ステップS204の処理を終えた場合、または、ステップS202において流量が閾値範囲を超えていない場合(ステップS202,No)、制御部41は、処理をステップS201に戻し、ステップS201からの処理を繰り返す。
As shown in FIG. 13, the
このように、処理液供給システム3Eは、第2流量計36bによる流量の計測結果に基づき、供給ライン30Eにおける気泡の発生を推定した場合に、切替部304を制御して処理液の流出先を迂回ライン303から供給ライン30Eに切り替えてもよい。これにより、たとえば、気泡が発生していない場合に処理液が脱泡器33bを通過することがなくなるため、脱泡器33bの長寿命化を図ることができる。
In this way, the processing
(第7実施形態)
次に、第7実施形態に係る基板処理装置の構成について図14および図15を参照して説明する。図14は、第7実施形態に係る液処理ユニットの構成を示す図である。また、図15は、第7実施形態に係る処理液供給システムの構成を示す図である。
(Seventh embodiment)
Next, the configuration of the substrate processing apparatus according to the seventh embodiment will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. FIG. 14 is a diagram showing the configuration of a liquid processing unit according to the seventh embodiment. FIG. 15 is a diagram showing the configuration of a processing liquid supply system according to the seventh embodiment.
図14に示すように、第7実施形態に係る基板処理装置1Fは、ウエハWを一枚ずつ液処理する枚葉型の液処理ユニット2Fを備える。液処理ユニット2Fは、たとえば、チャンバ24と、基板保持機構25と、ノズル26と、回収カップ27とを備える。
As shown in FIG. 14, the
チャンバ24は、基板保持機構25とノズル26と回収カップ27とを収容する。チャンバ24の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)241が設けられる。FFU241は、チャンバ24内にダウンフローを形成する。
基板保持機構25は、保持部251と、支柱部252と、駆動部253とを備える。保持部251は、ウエハWを水平に保持する。支柱部252は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部253によって回転可能に支持され、先端部において保持部251を水平に支持する。駆動部253は、支柱部252を鉛直軸まわりに回転させる。
The
基板保持機構25は、駆動部253を用いて支柱部252を回転させることによって支柱部252に支持された保持部251を回転させる。これにより、保持部251に保持されたウエハWが回転する。
The
ノズル26は、処理液供給システム3Fに接続され、処理液供給システム3Fから供給される処理液をウエハWに吐出する。
The
回収カップ27は、保持部251を取り囲むように配置され、保持部251の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ27の底部には、排液口271が形成されており、回収カップ27によって捕集された処理液は、かかる排液口271から液処理ユニット2Fの外部へ排出される。また、回収カップ27の底部には、FFU241から供給される気体を液処理ユニット2Fの外部へ排出する排気口272が形成される。
The
図15に示すように、第7実施形態に係る処理液供給システム3Fは、貯留槽50を備える。貯留槽50は、処理液を貯留する。貯留槽50の底部には、廃液ライン51が設けられている。廃液ライン51は、たとえば貯留槽50内の処理液を入れ替える場合に、貯留槽50から処理液を排出させる。
As shown in FIG. 15, the processing
処理液供給システム3Fが備える供給ライン30Fは、循環ライン315と、複数の分岐ライン316と、戻りライン317とを備える。
A
循環ライン315は、貯留槽50から送られる処理液を貯留槽50に戻す。循環ライン315は、処理液が貯留槽50の外部を流れ、再び貯留槽50に戻るように設けられる。複数の分岐ライン316は、循環ライン315の中途部に設けられる。複数の分岐ライン316は、循環ライン315から分岐して対応する2Fのノズル26に接続される。分岐ライン316は、循環ライン315を流れる処理液をノズル26に供給する。戻りライン317は、複数の液処理ユニット2Fと貯留槽50とを接続し、液処理ユニット2Fから排出された処理液を貯留槽50に戻す。
The
循環ライン315には、ポンプ31、脱泡器33a、フィルタ34、ヒータ32、脱泡器33b、濃度計35および流量計36が設けられている。具体的には、ポンプ31、脱泡器33a、フィルタ34、ヒータ32、脱泡器33b、濃度計35および流量計36は、貯留槽50を基準とした処理液の流れ方向において、上流側からこの順番で設けられる。なお、複数の分岐ライン316は、流量計36よりも下流に設けられる。なお、ポンプ31、脱泡器33a、フィルタ34、ヒータ32、脱泡器33b、濃度計35および流量計36の並び順は、上記の順番に限定されない。たとえば、第1実施形態に係る処理液供給システム3と同様、ポンプ31、ヒータ32、脱泡器33a、フィルタ34、脱泡器33b、濃度計35および流量計36は、上流側からこの順番で設けられてもよい。
The
このように、処理液供給システム3Fは、バッチ式の液処理ユニット2に限らず、枚様式の液処理ユニット2Fに対して処理液を供給するものであってもよい。
In this way, the processing
上述してきたように、実施形態に係る処理液供給システム(一例として、基板処理装置1,1A~1F)は、供給ライン(一例として、供給ライン30,30C,30E,30F)と、複数の圧損部(一例として、ヒータ32およびフィルタ34)と、濃度計(一例として、濃度計35)とを含む。供給ラインは、揮発成分(一例として、アンモニア)を含む処理液(一例として、SC1)を用いて基板(一例として、ウエハW)を処理する液処理ユニット(一例として、液処理ユニット2,2F)に接続され、液処理ユニットに対して処理液を供給する。複数の圧損部は、供給ラインに配置されたフィルタ(一例として、フィルタ34)およびヒータ(一例として、ヒータ32)を含む。濃度計は、供給ラインに配置され、供給ラインを流れる処理液の濃度を計測する。また、濃度計は、複数の圧損部よりも下流に配置される。
As described above, the processing liquid supply system according to the embodiment (
かかる構成によれば、フィルタの二次側で処理液の揮発成分濃度が低下したとしても、揮発成分濃度が低下した後の処理液の揮発成分濃度を濃度計において計測することになる。このため、濃度計で計測された揮発成分濃度と貯留槽に供給される処理液の揮発成分濃度とにずれが生じにくい。したがって、実施形態に係る処理液供給システムによれば、処理液中の揮発成分濃度を正確にコントロールすることが容易である。すなわち、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる。 According to such a configuration, even if the concentration of volatile components in the processing liquid decreases on the secondary side of the filter, the densitometer measures the concentration of volatile components in the processing liquid after the concentration of volatile components has decreased. Therefore, deviation between the volatile component concentration measured by the densitometer and the volatile component concentration of the processing liquid supplied to the storage tank is unlikely to occur. Therefore, according to the processing liquid supply system according to the embodiment, it is easy to accurately control the volatile component concentration in the processing liquid. That is, it is possible to easily maintain the concentration of the volatile components contained in the treatment liquid.
実施形態に係る処理液供給システムは、供給ラインにおける複数の圧損部と濃度計との間に配置された脱泡器(一例として、脱泡器33b)を備えていてもよい。これにより、フィルタの二次側で発生した気泡が貯留槽に流入することを抑制することができる。また、たとえばフィルタよりも下流に流量計が設けられている場合には、フィルタの二次側で発生した気泡が流量計を通過する前に脱泡器によって気泡を除去することができる。これにより、流量計の計測結果に気泡による誤差が生じることを抑制することができる。 The processing liquid supply system according to the embodiment may include a deaerator (for example, a deaerator 33b) arranged between a plurality of pressure loss portions in the supply line and the concentration meter. This can prevent air bubbles generated on the secondary side of the filter from flowing into the storage tank. Further, for example, when a flow meter is provided downstream of the filter, bubbles generated on the secondary side of the filter can be removed by a deaerator before passing through the flow meter. As a result, it is possible to suppress errors due to air bubbles in the measurement results of the flow meter.
ヒータは、フィルタよりも下流に配置されてもよい。これにより、たとえば、フィルタよりも上流にヒータが配置される場合と比べて、フィルタの二次側において発生する気泡の量を少なくすることができる。したがって、フィルタを通過することによって生じる処理液の揮発成分濃度の低下を抑制することができる。 The heater may be arranged downstream of the filter. This can reduce the amount of air bubbles generated on the secondary side of the filter compared to, for example, the case where the heater is arranged upstream of the filter. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the volatile component concentration of the treatment liquid caused by passing through the filter.
液処理ユニットは、複数の基板を収容可能な処理槽(一例として、処理槽21)を備えていてもよい。この場合、供給ラインは、処理槽から処理液を流出させて処理槽に戻す循環ライン(一例として、供給ライン30,30C,30E)を含んでいてもよい。
The liquid processing unit may include a processing bath (eg, processing bath 21) capable of accommodating a plurality of substrates. In this case, the supply lines may include circulation lines (for example,
実施形態に係る処理液供給システムは、処理液を貯留する貯留槽(一例として、貯留槽50)を備えていてもよい。この場合、供給ライン(一例として、供給ライン30F)は、貯留槽から処理液を流出させて貯留槽に戻す循環ライン(一例として、循環ライン315)を含んでいてもよい。
The processing liquid supply system according to the embodiment may include a storage tank (eg, a storage tank 50) that stores the processing liquid. In this case, the supply line (
供給ライン(一例として、供給ライン30B)は、循環ラインにおける複数の圧損部よりも下流かつ貯留槽よりも上流から分岐して貯留槽に接続されるサンプリングライン(一例として、サンプリングライン302)を備えていてもよい。この場合、濃度計は、サンプリングラインに設けられてもよい。
The supply line (
実施形態に係る処理液供給システム(一例として、処理液供給システム3B)は、循環ラインにおけるサンプリングラインの分岐位置よりも下流かつ貯留槽よりも上部に設けられた背圧弁(一例として、背圧弁38)を備えていてもよい。
The processing liquid supply system according to the embodiment (for example, the processing
供給ラインに背圧弁を設けることで、サンプリングラインにおける処理液の流速が高まることから、濃度計の応答性を高めることができる。したがって、処理液中における揮発成分の濃度変化を迅速に検知することができる。また、フィルタよりも下流に背圧弁を設けることで、フィルタの二次側における圧力が高まるため、フィルタの二次側における気泡の発生を抑制することができる。すなわち、フィルタを通過することによる揮発成分の濃度低下を抑制することができる。 By providing the back pressure valve in the supply line, the flow velocity of the processing liquid in the sampling line increases, so that the responsiveness of the concentration meter can be improved. Therefore, it is possible to quickly detect changes in the concentration of volatile components in the treatment liquid. In addition, by providing a back pressure valve downstream of the filter, the pressure on the secondary side of the filter increases, so it is possible to suppress the generation of air bubbles on the secondary side of the filter. That is, it is possible to suppress the decrease in the concentration of volatile components due to passage through the filter.
実施形態に係る処理液供給システム(一例として、処理液供給システム3E)は、流量計(一例として、第2流量計36b)と制御部(一例として、制御部41)とを備えていてもよい。流量計は、供給ラインにおける複数の圧損部と脱泡器との間に設けられ、供給ラインを流れる処理液の流量を計測する。制御部は、流量計の計測結果に基づき、供給ラインにおける気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する。
The processing liquid supply system according to the embodiment (processing
供給ライン(一例として、処理液供給システム3E)は、脱泡器(一例として、脱泡器33b)を迂回する迂回ライン(一例として、迂回ライン303)と、供給ラインと迂回ラインとの間で処理液の流出先を切り替える切替部(一例として、切替部304)とを備えていてもよい。この場合、制御部は、気泡の発生を推定した場合に、切替部を制御して処理液の流出先を迂回ラインから供給ラインに切り替えてもよい。これにより、たとえば、気泡が発生していない場合に処理液が脱泡器を通過することがなくなるため、脱泡器の長寿命化を図ることができる。
The supply line (processing
実施形態に係る処理液供給システム(一例として、処理液供給システム3D)は、大気圧計(一例として、大気圧計39)と制御部(一例として、制御部41)とを備えていてもよい。大気圧計は、大気圧を計測する。制御部は、大気圧計の計測結果に基づき、供給ラインにおける気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する。これにより、たとえば大気圧の低い場所に処理液供給システムが設置された場合であっても、処理液に含有される揮発成分の濃度維持を容易化することができる。
The processing liquid supply system according to the embodiment (processing
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.
1 :基板処理装置
2 :液処理ユニット
3 :処理液供給システム
4 :制御装置
21 :貯留槽
22 :保持部
23 :吐出部
30 :供給ライン
31 :ポンプ
32 :ヒータ
33a,33b :脱泡器
34 :フィルタ
35 :濃度計
36 :流量計
37 :補充部
38 :背圧弁
39 :大気圧計
41 :制御部
42 :記憶部
W :ウエハ
Reference Signs List 1: Substrate processing apparatus 2: Liquid processing unit 3: Processing liquid supply system 4: Control device 21: Storage tank 22: Holding unit 23: Discharge unit 30: Supply line 31: Pump 32:
Claims (11)
前記供給ラインに配置されたフィルタおよびヒータを含む複数の圧損部と、
前記供給ラインに配置され、前記供給ラインを流れる前記処理液の濃度を計測する濃度計と
を含み、
前記濃度計は、前記複数の圧損部よりも下流に配置される、処理液供給システム。 a supply line connected to a liquid processing unit that processes a substrate using a processing liquid containing a volatile component, the supply line supplying the processing liquid to the liquid processing unit;
a plurality of pressure loss units including filters and heaters arranged in the supply line;
a densitometer arranged in the supply line for measuring the concentration of the treatment liquid flowing through the supply line;
The processing liquid supply system, wherein the concentration meter is arranged downstream of the plurality of pressure loss sections.
複数の前記基板を収容可能な処理槽を備え、
前記供給ラインは、前記処理槽から前記処理液を流出させて前記処理槽に戻す循環ラインを含む、請求項1~3のいずれか一つに記載の処理液供給システム。 The liquid processing unit is
A processing tank capable of accommodating a plurality of substrates,
4. The processing liquid supply system according to claim 1, wherein said supply line includes a circulation line for flowing out said processing liquid from said processing bath and returning it to said processing bath.
前記供給ラインは、前記貯留槽から前記処理液を流出させて前記貯留槽に戻す循環ラインを含む、請求項1~3のいずれか一つに記載の処理液供給システム。 A storage tank for storing the treatment liquid,
4. The processing liquid supply system according to claim 1, wherein said supply line includes a circulation line for flowing out said processing liquid from said storage tank and returning it to said storage tank.
前記循環ラインにおける前記複数の圧損部よりも下流かつ前記貯留槽よりも上流から分岐して前記貯留槽に接続されるサンプリングラインを備え、
前記濃度計は、前記サンプリングラインに設けられる、請求項5に記載の処理液供給システム。 The supply line is
A sampling line branched from downstream of the plurality of pressure loss portions in the circulation line and upstream of the storage tank and connected to the storage tank,
6. The processing liquid supply system according to claim 5, wherein said concentration meter is provided in said sampling line.
前記流量計の計測結果に基づき、前記供給ラインにおける気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する制御部を備える、請求項2に記載の処理液供給システム。 a flow meter provided between the plurality of pressure loss portions and the deaerator in the supply line for measuring the flow rate of the treatment liquid flowing through the supply line;
3. The processing liquid supply system according to claim 2, further comprising a control unit that executes a predetermined abnormality handling process when it is estimated that bubbles have been generated in the supply line based on the measurement result of the flow meter.
前記脱泡器を迂回する迂回ラインと、
前記供給ラインと前記迂回ラインとの間で前記処理液の流出先を切り替える切替部と
を備え、
前記制御部は、前記気泡の発生を推定した場合に、前記切替部を制御して前記処理液の流出先を前記迂回ラインから前記供給ラインに切り替える、請求項8に記載の処理液供給システム。 The supply line is
a bypass line that bypasses the deaerator;
a switching unit that switches an outflow destination of the treatment liquid between the supply line and the detour line,
9. The processing liquid supply system according to claim 8, wherein said control section controls said switching section to switch the outflow destination of said processing liquid from said detour line to said supply line when said bubble generation is estimated.
前記大気圧計の計測結果に基づき、前記供給ラインにおける気泡の発生を推定した場合に、所定の異常対応処理を実行する制御部と
を備える、請求項1~7のいずれか一つに記載の処理液供給システム。 an atmospheric pressure gauge for measuring atmospheric pressure;
The process according to any one of claims 1 to 7, comprising: a control unit that executes a predetermined abnormality handling process when it is estimated that bubbles are generated in the supply line based on the measurement result of the barometer. Liquid supply system.
前記液処理ユニットに接続され、前記液処理ユニットに対して前記処理液を供給する供給ラインと、
前記供給ラインに配置されたフィルタおよびヒータを含む複数の圧損部と、
前記供給ラインに配置され、前記供給ラインを流れる前記処理液の濃度を計測する濃度計と
を含み、
前記液処理ユニットは、
複数の前記基板を収容可能な処理槽を備え、
前記供給ラインは、前記処理槽から前記処理液を流出させて前記処理槽に戻す循環ラインを含み、
前記濃度計は、前記複数の圧損部よりも下流に配置される、基板処理装置。 a liquid processing unit that processes a substrate using a processing liquid containing a volatile component;
a supply line connected to the liquid processing unit and supplying the processing liquid to the liquid processing unit;
a plurality of pressure loss units including filters and heaters arranged in the supply line;
a densitometer arranged in the supply line for measuring the concentration of the treatment liquid flowing through the supply line;
The liquid processing unit is
A processing tank capable of accommodating a plurality of substrates,
the supply line includes a circulation line for flowing out the processing liquid from the processing bath and returning it to the processing bath;
The substrate processing apparatus, wherein the densitometer is arranged downstream of the plurality of pressure loss sections.
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