JP2015167161A - Liquid treatment device, liquid treatment method and storage medium - Google Patents

Liquid treatment device, liquid treatment method and storage medium Download PDF

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倉 康 司 小
Koji Ogura
倉 康 司 小
宮 洋 司 小
Yoji Komiya
宮 洋 司 小
中 幸 二 田
Koji Tanaka
中 幸 二 田
祐 助 ▲高▼松
祐 助 ▲高▼松
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide liquid treatment device and method that are adaptable to different temperature requirements when diluted chemical liquid is prepared and supplied to plural treatment targets at the same time in response to a treatment liquid supply requirement.SOLUTION: A liquid treatment device has a first diluted liquid line (604) in which diluted liquid of first temperature flows, a second diluted liquid line (504) in which diluted liquid of second temperature higher than the first temperature flows, and a chemical liquid line (404, etc.). One of plural first diluted liquid branch lines (612) having a first diluted liquid flow amount adjusting unit (616) which is branched from the first diluted liquid line, one of plural second diluted liquid branch lines (512) having a second diluted liquid flow amount adjusting unit (516), and being branched from the second diluted liquid line, and one of plural chemical branch lines (412) having a chemical liquid flow amount adjusting unit (416), and being branched from the chemical liquid line are connected to a diluted chemical liquid supply line (820, etc.) for supplying the diluted chemical liquid to each liquid treatment unit.

Description

本発明は、薬液を希釈液で希釈してなる希釈薬液を用いて被処理体に所定の液処理を施す際の希釈薬液の温度制御技術に関する。   The present invention relates to a temperature control technique for a diluted chemical solution when a predetermined liquid treatment is performed on an object to be processed using a diluted chemical solution obtained by diluting the chemical solution with a diluent.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理液を供給して、洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理を行う工程が含まれる。このような液処理を行う液処理装置に設けられる処理液供給機構の一例が特許文献1に記載されている。特許文献1に記載の処理液供給機構では、一つの純水供給ラインに、それぞれが異なる種類の薬液を供給する複数の薬液供給ラインが並列に接続されている。選択された1つまたは複数の薬液供給ラインからそれぞれ制御された流量で純水供給ラインに薬液を供給することにより、1種類または複数種類の薬液が純水供給ラインを流れる純水に混合され、希釈薬液が調合される。この生成された希釈薬液が処理液として被処理体に供給される。   The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of supplying a predetermined processing liquid to an object to be processed such as a semiconductor wafer and performing liquid processing such as cleaning or wet etching. An example of a processing liquid supply mechanism provided in a liquid processing apparatus that performs such liquid processing is described in Patent Document 1. In the treatment liquid supply mechanism described in Patent Document 1, a plurality of chemical liquid supply lines that supply different types of chemical liquids are connected in parallel to one pure water supply line. By supplying a chemical solution to the pure water supply line at a controlled flow rate from the selected one or a plurality of chemical solution supply lines, one or more types of chemical solutions are mixed with pure water flowing through the pure water supply line, Diluted drug solution is prepared. The generated diluted chemical liquid is supplied to the object to be processed as a processing liquid.

液処理装置では、同一組成の希釈薬液からなる処理液を異なる温度で複数の被処理体に対して同時に供給することが求められる場合がある。しかし、特許文献1記載の処理液供給機構では、このような要求に対応することができない。   In a liquid processing apparatus, it may be required to simultaneously supply a processing liquid composed of a diluted chemical liquid having the same composition to a plurality of objects to be processed at different temperatures. However, the processing liquid supply mechanism described in Patent Document 1 cannot meet such a requirement.

特開2007−266554号公報JP 2007-266554 A

本発明は、処理液供給の要求があったときに希釈薬液からなる処理液を調合して複数の被処理体に対して同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる技術を提供するものである。   The present invention provides a technique capable of responding to different temperature requirements when preparing a processing liquid composed of a diluted chemical solution and supplying it to a plurality of objects to be processed at the same time when the processing liquid supply is required. Is.

本発明は、希釈薬液を被処理体に供給することにより被処理体に液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、前記希釈薬液供給機構は、第1温度の希釈液が流れる第1希釈液ラインと、第1温度より高温である第2温度の希釈液が流れる第2希釈液ラインと、薬液が流れる薬液ラインと、前記第1希釈液ラインより分岐した複数の第1希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第1希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第1希釈液流量調整部が設けられている、複数の第1希釈液分岐ラインと、前記第2希釈液ラインより分岐した複数の第2希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第2希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第2希釈液流量調整部が設けられている、複数の第2希釈液分岐ラインと、前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第1希釈液分岐ライン、前記第2希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、を有している液処理装置を提供する。   The present invention includes a plurality of liquid processing units that perform liquid processing on a target object by supplying a diluted chemical liquid to the target object, and a diluted chemical liquid supply mechanism that supplies the diluted chemical liquid to the liquid processing unit, The diluent supply mechanism includes a first diluent line through which a first temperature diluent flows, a second diluent line through which a second temperature diluent higher than the first temperature flows, and a chemical line through which a solution flows. And a plurality of first diluent branch lines branched from the first diluent line, wherein the first diluent flow rate adjustment adjusts the flow rate of the diluent flowing from the first diluent line on each path. A plurality of first diluent branch lines and a plurality of second diluent branch lines branched from the second diluent line, wherein the second diluent line is on each path. The flow rate of the diluent flowing in from A plurality of second dilution liquid branch lines provided with a second diluent flow rate adjustment unit and a plurality of chemical liquid branch lines branched from the chemical liquid line, which flow into the respective paths from the chemical liquid line. A plurality of chemical solution branch lines provided with a chemical solution flow rate adjusting unit for adjusting the flow rate of the diluted solution, and a plurality of diluted chemical solution supply lines for supplying the diluted chemical solution to the plurality of liquid processing units, respectively, A liquid processing apparatus having a plurality of dilution chemical supply lines to which one of the first dilution liquid branch line, the second dilution liquid branch line, and the chemical liquid branch line is connected.

また、本発明は、複数の被処理体の各々に対して対応する希釈液供給ラインから希釈薬液を供給して各被処理体に同時に液処理を施す液処理方法において、各希釈薬液供給ラインに対して、第1希釈液ラインから第1温度の希釈液を流入させ、第2希釈液ラインから第1温度より高温である第2温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも1つの薬液ラインから薬液を流入させることと、前記各希釈薬液供給ライン内で前記第1温度の希釈液、前記第2温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第1希釈液ラインからの第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液ラインからの第2温度の希釈液の流量との比を変化させることと、を備えた液処理方法を提供する。   In addition, the present invention provides a liquid processing method in which a diluted chemical solution is supplied from a corresponding diluent supply line to each of a plurality of objects to be processed, and liquid processing is simultaneously performed on each object to be processed. On the other hand, a first temperature diluent is introduced from the first diluent line, a second temperature diluent higher than the first temperature is introduced from the second diluent line, and from at least one chemical solution line. Injecting the chemical solution and diluting the chemical solution so as to have a preset composition by mixing the diluted solution of the first temperature, the diluted solution of the second temperature, and the chemical solution in each of the diluted chemical solution supply lines And supplying the generated diluted chemical solution to the object to be processed, and the first from the first diluted solution line flowing into the respective diluted chemical solution supply lines according to a preset temperature of the diluted chemical solution Temperature diluent flow If, to provide a liquid processing method and a changing the ratio between the flow rate of the diluent in the second temperature from the second diluent line.

さらに、本発明は、液処理装置において上記液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体を提供する。   Furthermore, the present invention provides a storage medium storing a program for causing the liquid processing apparatus to execute the liquid processing method.

本発明によれば、各希釈薬液供給ラインに流入する温度の異なる希釈液の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、複数の被処理体に対して希釈薬液を同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる。   According to the present invention, since the temperature of the diluted chemical solution can be changed by changing the mixing ratio of the diluted solutions having different temperatures flowing into the respective diluted chemical solution supply lines, the diluted chemical solution is simultaneously supplied to a plurality of objects to be processed. In response, different temperature requirements can be met.

本発明による液処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの全体構成を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an overall configuration of a substrate processing system according to an embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention. 基板処理システムの処理液供給機構の一部の流体回路図である。It is a fluid circuit diagram of a part of the processing liquid supply mechanism of the substrate processing system. 基板処理システムの処理液供給機構の他の一部の流体回路図である。It is a fluid circuit diagram of another part of the processing liquid supply mechanism of the substrate processing system. 処理液供給機構における流量制御について説明する図である。It is a figure explaining the flow control in a processing liquid supply mechanism. 処理液供給機構における流量制御について説明する図である。It is a figure explaining the flow control in a processing liquid supply mechanism. 使用済み処理液を回収して再利用するための構成について説明する流体回路図である。It is a fluid circuit diagram explaining the structure for collect | recovering and reusing a used process liquid.

図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3. The carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚のウエハWを水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。   The carry-in / out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of carriers C that accommodate a plurality of wafers W in a horizontal state are placed on the carrier placement unit 11.

搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。   The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a substrate holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the substrate holding mechanism. Do.

処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。   The processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。   The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a substrate holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using the substrate holding mechanism. I do.

処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。   The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。   Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。   In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。   The wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier platform 11 by the substrate transfer device 13.

次に、各処理ユニット(液処理ユニット)16に処理液を供給する処理液供給機構について図2A及び図2Bを参照して説明する。処理液供給機構は、図面のサイズの制約により、図2Aと図2Bとに分割して表示されている。図2Aに示す第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820(詳細後述)と、図2Bに示す第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820が、点820a,820bでそれぞれ接続される。図2Bには、図1に示した複数の処理ユニット16のうちの一つが示されており、図2Aには、図2Bに示す処理ユニット16への処理液の供給に関与する処理液供給機構のみが詳細に示されている。なお、図2Aの右端部には、他の処理ユニット16への処理液の供給に関与する処理液供給機構が簡略化されて(ラインのみ示す)示されている。   Next, a processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to each processing unit (liquid processing unit) 16 will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. The processing liquid supply mechanism is divided and displayed in FIG. 2A and FIG. 2B due to the size restriction of the drawing. A first processing liquid supply line 810 and a second processing liquid line 820 (details will be described later) shown in FIG. 2A, and a first processing liquid supply line 810 and a second processing liquid line 820 shown in FIG. 2B are respectively at points 820a and 820b. Connected. 2B shows one of the plurality of processing units 16 shown in FIG. 1, and FIG. 2A shows a processing liquid supply mechanism that is involved in supplying the processing liquid to the processing unit 16 shown in FIG. 2B. Only the details are shown. Note that a processing liquid supply mechanism involved in supplying the processing liquid to the other processing units 16 is simplified (only a line is shown) at the right end of FIG. 2A.

処理液供給機構は、SC−1洗浄、SC−2洗浄、純水リンスなどの各種処理のための処理液の供給を行うことができるように構成されており、
− 過酸化水素水(H)供給機構
− 塩酸(HCl)供給機構
− アンモニア水(NHOH)供給機構
− 加熱純水(HDIW)供給機構
− 常温純水(DIW)供給機構
を備えている。
The processing liquid supply mechanism is configured to be able to supply processing liquids for various processing such as SC-1 cleaning, SC-2 cleaning, pure water rinse,
-Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) supply mechanism-Hydrochloric acid (HCl) supply mechanism-Ammonia water (NH 4 OH) supply mechanism-Heated pure water (HDIW) supply mechanism-Room temperature pure water (DIW) supply mechanism ing.

過酸化水素水(H)供給機構は、過酸化水素水供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構に過酸化水素水を供給する主供給ライン204を有している。 The hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) supply mechanism has a main supply line 204 that is connected to a hydrogen peroxide solution supply source and supplies hydrogen peroxide solution to the treatment liquid supply mechanism of each processing unit 16. .

塩酸(HCl)供給機構は、塩酸供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構に塩酸を供給する主供給ライン304を有している。   The hydrochloric acid (HCl) supply mechanism has a main supply line 304 that is connected to a hydrochloric acid supply source and supplies hydrochloric acid to the processing liquid supply mechanism of each processing unit 16.

アンモニア水(NHOH)供給機構は、アンモニア水供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構にアンモニア水を供給する主供給ライン404を有している。 The ammonia water (NH 4 OH) supply mechanism has a main supply line 404 that is connected to an ammonia water supply source and supplies ammonia water to the processing liquid supply mechanism of each processing unit 16.

加熱純水(HDIW)供給機構は、加熱純水供給源から各処理ユニット16の処理液供給機構に加熱された純水(加熱純水)を供給する主供給ライン504を有している。   The heated pure water (HDIW) supply mechanism has a main supply line 504 that supplies heated pure water (heated pure water) from the heated pure water supply source to the treatment liquid supply mechanism of each processing unit 16.

常温純水(DIW)供給機構は、常温純水供給源から各処理ユニット16の処理液供給機構に常温純水(例えばクリーンルーム温度に等しい温度を有する)を供給する主供給ライン604を有している。   The room temperature pure water (DIW) supply mechanism has a main supply line 604 for supplying room temperature pure water (for example, having a temperature equal to the clean room temperature) from the room temperature pure water supply source to the processing liquid supply mechanism of each processing unit 16. Yes.

加熱純水供給源及び常温純水供給源は、通常は、基板処理システム1が設置されている半導体装置製造工場に用意されている。加熱純水供給源から供給される加熱純水の温度は、半導体装置製造工場により異なるが、例えば70℃〜80℃程度である。   The heating pure water supply source and the room temperature pure water supply source are usually prepared in a semiconductor device manufacturing factory in which the substrate processing system 1 is installed. The temperature of the heated pure water supplied from the heated pure water supply source varies depending on the semiconductor device manufacturing factory, but is, for example, about 70 ° C. to 80 ° C.

各液用の主ライン204,304,404,504,604は複数の処理ユニット16で共用されている。   The main lines 204, 304, 404, 504, 604 for each liquid are shared by a plurality of processing units 16.

基板処理システム1は、1つの処理ユニット16毎に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820を有している。第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820は、処理ユニット16に設けられた第1処理液ノズル21及び第2処理液ノズル22に処理液としての希釈薬液を供給することができる。この点については後に詳述する。   The substrate processing system 1 includes a first processing liquid supply line 810 and a second processing liquid line 820 for each processing unit 16. The first treatment liquid supply line 810 and the second treatment liquid line 820 can supply a diluted chemical solution as a treatment liquid to the first treatment liquid nozzle 21 and the second treatment liquid nozzle 22 provided in the treatment unit 16. This point will be described in detail later.

以下において、まずは、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に純水類(加熱純水、常温純水)を供給するための構成について説明する。   In the following, first, a configuration for supplying pure water (heated pure water, room temperature pure water) to the first processing liquid supply line 810 and the second processing liquid line 820 will be described.

加熱純水供給用の主供給ライン504上の分岐点511において、加熱純水ライン512が分岐している。加熱純水ライン512は、接続点522において第1処理液供給ライン810に合流している。加熱純水ライン512には、上流側から順に、流量計514、定圧弁516及び開閉弁520が介設されている。加熱純水ライン512上の分岐点524において、加熱純水ライン(「分岐加熱純水ライン」とも呼ぶ)526が分岐している。加熱純水ライン526は、接続点532において第2処理液供給ライン820に合流している。加熱純水ライン526には、開閉弁530が介設されている。   A heated pure water line 512 branches at a branch point 511 on the main supply line 504 for supplying heated pure water. The heated pure water line 512 joins the first processing liquid supply line 810 at the connection point 522. In the heating pure water line 512, a flow meter 514, a constant pressure valve 516, and an on-off valve 520 are provided in this order from the upstream side. At a branch point 524 on the heated pure water line 512, a heated pure water line (also referred to as a “branched heated pure water line”) 526 is branched. The heated pure water line 526 joins the second processing liquid supply line 820 at the connection point 532. An opening / closing valve 530 is interposed in the heated pure water line 526.

常温純水供給用の主供給ライン604上の分岐点611において、常温純水ライン612が分岐している。常温純水ライン612は、接続点622において第1処理液供給ライン810に合流している。常温純水ライン612には、上流側から順に、流量計614、定圧弁616及び開閉弁620が介設されている。常温純水ライン612上の分岐点624において、常温純水ライン(「分岐常温純水ライン」とも呼ぶ)626が分岐している。常温純水ライン626は、接続点632において第2処理液供給ライン820に合流している。常温純水ライン626には、開閉弁630が介設されている。   The room temperature pure water line 612 branches at a branch point 611 on the main supply line 604 for supplying room temperature pure water. The room temperature pure water line 612 joins the first processing liquid supply line 810 at the connection point 622. A flow meter 614, a constant pressure valve 616, and an on-off valve 620 are provided in the room temperature pure water line 612 in order from the upstream side. At a branch point 624 on the room temperature pure water line 612, a room temperature pure water line (also referred to as a “branched room temperature pure water line”) 626 is branched. The room temperature pure water line 626 joins the second processing liquid supply line 820 at the connection point 632. An open / close valve 630 is interposed in the room temperature pure water line 626.

ここで、図2及び図3を参照して、第1処理液供給ライン810に対して、加熱純水ライン512及び常温純水ライン612の少なくとも1つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン512を例にとって説明する。   Here, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the operation when the liquid is caused to flow from at least one of the heating pure water line 512 and the room temperature pure water line 612 to the first processing liquid supply line 810 will be described. The pure water line 512 will be described as an example.

加熱純水ライン512の開閉弁520を開状態とし、加熱純水ライン526の開閉弁530を閉状態とする。この状態で、定圧弁516の制御を行うことにより、加熱純水ライン512から第1処理液供給ライン810に流入する加熱純水の流量制御を行う。   The on-off valve 520 of the heated pure water line 512 is opened, and the on-off valve 530 of the heated pure water line 526 is closed. In this state, by controlling the constant pressure valve 516, the flow rate of the heated pure water flowing from the heated pure water line 512 to the first processing liquid supply line 810 is controlled.

定圧弁516は、一次側圧力の変動に関わらず、二次側圧力を指定された一定圧力に維持するよう減圧制御を行う機能を有している。主供給ライン504から供給される加熱純水の圧力は、各処理ユニット16の稼働状況等に応じて変動するため、精確な流量制御を行うために定圧弁の使用が好ましい。本実施形態で使用している定圧弁516は、パイロットポートに導入される加圧空気の圧力(パイロット圧)を変化させることにより、二次側圧力の設定値を変化させることができる形式のものである。パイロット圧の調節は、電空レギュレータ(EPR)515b(図3にのみ示す)により行われる。   The constant pressure valve 516 has a function of performing pressure reduction control so as to maintain the secondary side pressure at a specified constant pressure regardless of the fluctuation of the primary side pressure. Since the pressure of the heated pure water supplied from the main supply line 504 varies depending on the operating status of each processing unit 16 and the like, it is preferable to use a constant pressure valve for accurate flow control. The constant pressure valve 516 used in the present embodiment is of a type that can change the set value of the secondary pressure by changing the pressure of the pressurized air (pilot pressure) introduced into the pilot port. It is. The pilot pressure is adjusted by an electropneumatic regulator (EPR) 515b (shown only in FIG. 3).

定圧弁516の二次側圧力を変化させることにより、加熱純水ライン512を流れる加熱純水の流量を調節することができる。運転に際して、加熱純水の目標流量が、制御装置4(図1参照)から、その下位コントローラである流量コントローラ(CNTL)515a(図3にのみ示す)に与えられる。流量コントローラ515aは、流量計514の検出値に基づいて、電空レギュレータ515bから定圧弁516に与えられるパイロット圧を調節し、定圧弁516の二次側圧力を調節することにより、加熱純水ライン512を流れる加熱純水の流量を目標値となるように制御する。   By changing the secondary pressure of the constant pressure valve 516, the flow rate of the heated pure water flowing through the heated pure water line 512 can be adjusted. During operation, the target flow rate of heated pure water is given from the control device 4 (see FIG. 1) to a flow rate controller (CNTL) 515a (shown only in FIG. 3), which is a lower controller. The flow controller 515a adjusts the pilot pressure applied from the electropneumatic regulator 515b to the constant pressure valve 516 based on the detection value of the flow meter 514, and adjusts the secondary pressure of the constant pressure valve 516, thereby heating the pure water line. The flow rate of the heated pure water flowing through 512 is controlled to be a target value.

なお、上述した流量コントローラ515a及び電空レギュレータ515と同じデバイスが定圧弁616,216,316,416に付設されており、これらの定圧弁も上記と同様に制御される。   The same devices as the flow controller 515a and electropneumatic regulator 515 described above are attached to the constant pressure valves 616, 216, 316, and 416, and these constant pressure valves are also controlled in the same manner as described above.

第2処理液供給ライン820に対して、加熱純水ライン526及び常温純水ライン626の少なくとも一つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン526を例にとって説明する。このときには、加熱純水ライン512の開閉弁520を閉状態とし、加熱純水ライン526の開閉弁530を開状態とする。この状態で、上記と同様にして定圧弁516の制御を行うことにより、加熱純水ライン526から第2処理液供給ライン820に流入する加熱純水の流量制御を行うことができる。   The operation when the liquid is supplied from at least one of the heated pure water line 526 and the room temperature pure water line 626 to the second processing liquid supply line 820 will be described by taking the heated pure water line 526 as an example. At this time, the open / close valve 520 of the heated pure water line 512 is closed, and the open / close valve 530 of the heated pure water line 526 is opened. In this state, by controlling the constant pressure valve 516 in the same manner as described above, it is possible to control the flow rate of the heated pure water flowing from the heated pure water line 526 to the second processing liquid supply line 820.

第1処理液供給ライン810に対して常温純水ライン612から液を流入させる際にも、加熱純水ライン512から第1処理液供給ライン810に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。また、第2処理液供給ライン820に対して常温純水ライン626から液を流入させる際にも、加熱純水ライン526から第2処理液供給ライン820に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。   Even when the liquid is allowed to flow into the first processing liquid supply line 810 from the room temperature pure water line 612, the same flow control is performed as when the liquid is allowed to flow from the heated pure water line 512 into the first processing liquid supply line 810. be able to. Further, when the liquid is allowed to flow into the second processing liquid supply line 820 from the room temperature pure water line 626, the same flow rate control as that when the liquid is allowed to flow into the second processing liquid supply line 820 from the heated pure water line 526 is performed. It can be performed.

次に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に薬液類(過酸化水素水、塩酸、アンモニア水)を供給するための構成について説明する。   Next, a configuration for supplying chemicals (hydrogen peroxide water, hydrochloric acid, ammonia water) to the first processing liquid supply line 810 and the second processing liquid line 820 will be described.

過酸化水素水供給用の主供給ライン204上の分岐点211aにおいて、大流量用の過酸化水素水ライン212aが分岐している。主供給ライン204上の分岐点211bにおいて、小流量用の過酸化水素水ライン212bが分岐している。過酸化水素水ライン212aには、上流側から順に、開閉弁213a及び流量計214aが介設されている。過酸化水素水ライン212bにも、上流側から順に、開閉弁213b及び流量計214bが介設されている。過酸化水素水ライン212a及び過酸化水素水ライン212bは合流点215で合流して1つの過酸化水素水ライン212となる。過酸化水素水ライン212は分岐点217で再び大流量用の過酸化水素水ライン212aa及び小流量用の過酸化水素水ライン212bbに分岐する。過酸化水素水ライン212aaには、開閉弁220aが介設されている。過酸化水素水ライン212bbには、開閉弁220bが介設されている。過酸化水素水ライン212aa及び過酸化水素水ライン212bbは、それぞれ接続点222a及び222bにおいて、第1処理液ライン810に接続されている。   At a branching point 211a on the main supply line 204 for supplying hydrogen peroxide solution, a large flow rate hydrogen peroxide solution line 212a is branched. At a branch point 211b on the main supply line 204, a hydrogen peroxide solution line 212b for small flow rate is branched. The hydrogen peroxide solution line 212a is provided with an on-off valve 213a and a flow meter 214a in order from the upstream side. The hydrogen peroxide solution line 212b is also provided with an on-off valve 213b and a flow meter 214b in order from the upstream side. The hydrogen peroxide solution line 212a and the hydrogen peroxide solution line 212b merge at a junction 215 to form one hydrogen peroxide solution line 212. The hydrogen peroxide solution line 212 branches again at a branching point 217 to a high flow rate hydrogen peroxide solution line 212aa and a small flow rate hydrogen peroxide solution line 212bb. An open / close valve 220a is interposed in the hydrogen peroxide water line 212aa. An open / close valve 220b is interposed in the hydrogen peroxide water line 212bb. The hydrogen peroxide solution line 212aa and the hydrogen peroxide solution line 212bb are connected to the first treatment liquid line 810 at connection points 222a and 222b, respectively.

分岐点224において、過酸化水素水ライン212から過酸化水素水ライン226(「分岐過酸化水素水ライン」とも呼ぶ)が分岐している。過酸化水素水ライン226は、分岐点227において、大流量用の過酸化水素水ライン226aと小流量用の過酸化水素水ライン226bに分岐している。過酸化水素水ライン226aには、開閉弁230aが介設されている。過酸化水素水ライン226bには、開閉弁230bが介設されている。過酸化水素水ライン226a及び過酸化水素水ライン226bは、それぞれ接続点232a及び232bにおいて、第2処理液ライン820に接続されている。   At the branch point 224, a hydrogen peroxide solution line 226 (also referred to as a “branched hydrogen peroxide solution line”) branches off from the hydrogen peroxide solution line 212. The hydrogen peroxide solution line 226 branches at a branch point 227 into a high flow rate hydrogen peroxide solution line 226a and a small flow rate hydrogen peroxide solution line 226b. An open / close valve 230a is interposed in the hydrogen peroxide solution line 226a. An open / close valve 230b is interposed in the hydrogen peroxide water line 226b. The hydrogen peroxide solution line 226a and the hydrogen peroxide solution line 226b are connected to the second treatment liquid line 820 at connection points 232a and 232b, respectively.

塩酸供給用の主供給ライン304上の分岐点311において、塩酸ライン312が分岐している。塩酸ライン312には、上流側から順に、流量計314、定圧弁316及び開閉弁320が介設されている。塩酸ライン312は、接続点322において、第1処理液ライン810に接続されている。   The hydrochloric acid line 312 is branched at a branch point 311 on the main supply line 304 for supplying hydrochloric acid. In the hydrochloric acid line 312, a flow meter 314, a constant pressure valve 316, and an on-off valve 320 are provided in order from the upstream side. The hydrochloric acid line 312 is connected to the first treatment liquid line 810 at the connection point 322.

アンモニア水供給用の主供給ライン404上の分岐点411において、アンモニア水ライン412が分岐している。アンモニア水ライン412には、上流側から順に、流量計414、定圧弁416及び開閉弁420が介設されている。アンモニア水ライン412は、接続点422において、第2処理液ライン820に接続されている。   An ammonia water line 412 branches at a branch point 411 on the main supply line 404 for supplying ammonia water. In the ammonia water line 412, a flow meter 414, a constant pressure valve 416, and an on-off valve 420 are interposed in order from the upstream side. The ammonia water line 412 is connected to the second treatment liquid line 820 at the connection point 422.

なお、塩酸ライン312及びアンモニア水ライン412についても、過酸化水素水ライン212と同様に大流量用のライン及び小流量用の2つのラインを設けてもよい。   The hydrochloric acid line 312 and the ammonia water line 412 may also be provided with two lines for a large flow rate and two for a small flow rate, like the hydrogen peroxide solution line 212.

次に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に薬液類(過酸化水素水、塩酸、アンモニア水)を供給する際の作用について、第1処理液供給ライン810に過酸化水素水を供給する場合を例にとって説明する。   Next, regarding the action of supplying chemicals (hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, ammonia water) to the first treatment liquid supply line 810 and the second treatment liquid line 820, hydrogen peroxide is supplied to the first treatment liquid supply line 810. A case where water is supplied will be described as an example.

過酸化水素水を大流量で第1処理液供給ライン810に供給するときには、開閉弁213a及び220aを開状態とし、開閉弁213b及び220bを閉状態とする。なお、このとき、開閉弁230a及び230bを閉状態として、過酸化水素水226を通って第2処理液供給ライン820に過酸化水素水が流れないようにする。この状態で、先に定圧弁516に関連して説明した手順と同様の手順で定圧弁216を制御することにより、制御された所定の大流量で過酸化水素水を第1処理液供給ライン810に供給することができる。   When supplying hydrogen peroxide water at a large flow rate to the first treatment liquid supply line 810, the on-off valves 213a and 220a are opened, and the on-off valves 213b and 220b are closed. At this time, the on-off valves 230a and 230b are closed so that the hydrogen peroxide solution does not flow through the hydrogen peroxide solution 226 to the second treatment liquid supply line 820. In this state, the constant pressure valve 216 is controlled by a procedure similar to the procedure described above with reference to the constant pressure valve 516, whereby the hydrogen peroxide solution is supplied to the first treatment liquid supply line 810 at a predetermined large flow rate. Can be supplied to.

一方、過酸化水素水を小流量で第1処理液供給ライン810に供給するときには、開閉弁213b及び220bを開状態とし、開閉弁213a及び220aを閉状態とする。この状態で、定圧弁216を同様に制御することにより、制御された所定の小流量で過酸化水素水第1処理液供給ライン810に供給することができる。   On the other hand, when supplying the hydrogen peroxide solution to the first treatment liquid supply line 810 at a small flow rate, the on-off valves 213b and 220b are opened, and the on-off valves 213a and 220a are closed. In this state, the constant pressure valve 216 is similarly controlled, so that the hydrogen peroxide solution first treatment liquid supply line 810 can be supplied at a controlled small flow rate.

大流量用の過酸化水素水ライン212aに設けられた流量計214aは大流量を精度良く測定できるものであり、小流量用の過酸化水素水ライン212aに設けられた流量計214aは小流量を精度良く測定できるものである。想定される流量のレンジが比較的狭い場合には、流量計は1つでもよく、この場合、小流量用の過酸化水素ラインと大流量用の過酸化水素ラインは1つに統合することができる。一方、想定される流量のレンジが比較的広い場合には、流量計の数、並びに過酸化水素ラインを3つ以上設けることもできる。この点については他の薬液(塩酸、過酸化水素水)の供給用のラインについても同じである。   The flow meter 214a provided in the hydrogen peroxide solution line 212a for large flow rate can measure a large flow rate with high accuracy, and the flow meter 214a provided in the hydrogen peroxide solution line 212a for small flow rate has a small flow rate. It can be measured with high accuracy. If the assumed flow rate range is relatively narrow, only one flow meter may be used. In this case, the hydrogen peroxide line for small flow rate and the hydrogen peroxide line for large flow rate may be integrated into one. it can. On the other hand, when the assumed flow rate range is relatively wide, the number of flow meters and three or more hydrogen peroxide lines can be provided. This also applies to other chemical liquid supply lines (hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution).

過酸化水素水を第2処理液供給ライン820に供給するときには、開閉弁220a及び220bを閉状態とする。そして、上記と同様に、要求流量に応じた過酸化水素水ライン212a,212aaの組(大流量時)、または212b,212bbの組(小流量時)を択一的に用いて、流量制御を行えばよい。   When supplying the hydrogen peroxide solution to the second processing liquid supply line 820, the on-off valves 220a and 220b are closed. Similarly to the above, the flow rate control is performed by alternatively using a set of hydrogen peroxide water lines 212a and 212aa (at a high flow rate) or a set of 212b and 212bb (at a low flow rate) according to the required flow rate. Just do it.

上記制御を行うにあたって、図4に示すように、1つの定圧弁216が大流量時の流量制御及び小流量時の流量制御の両方で共用される。また、定圧弁216に付設される流量コントローラ(CNTL)及び電空レギュレータ(EPR)も大流量制御及び小流量制御の両方で共用される。さらに、過酸化水素水の供給においては、過酸化水素水を第1処理液供給ライン810に供給するとき及び第2処理液供給ライン820に供給するときの両方で1つの定圧弁216が共用される。   In performing the above control, as shown in FIG. 4, one constant pressure valve 216 is shared by both the flow control at a large flow rate and the flow control at a small flow rate. Further, a flow controller (CNTL) and an electropneumatic regulator (EPR) attached to the constant pressure valve 216 are shared by both the large flow control and the small flow control. Furthermore, in supplying hydrogen peroxide solution, one constant pressure valve 216 is shared both when supplying hydrogen peroxide solution to the first treatment liquid supply line 810 and when supplying hydrogen peroxide solution to the second treatment liquid supply line 820. The

塩酸を第1処理液供給ライン810に供給するとき、アンモニア水を第2処理液供給ライン820に供給するときも上記と同様に定圧弁316、416(及びこれに付設された図示しない流量コントローラ及び電空レギュレータ)による流量制御を行えばよい。なお、塩酸は第1処理液供給ライン810にしか供給されないし、また、アンモニア水は第2処理液供給ライン820に供給されないので、液供給対象となる処理液ラインの切り換えのための開閉弁切り換えが不要である点において上記の過酸化水素水の供給制御より操作は単純である。   When supplying hydrochloric acid to the first processing liquid supply line 810 and ammonia water to the second processing liquid supply line 820, the constant pressure valves 316, 416 (and a flow controller (not shown) attached thereto) The flow rate may be controlled by an electropneumatic regulator. Since hydrochloric acid is supplied only to the first processing liquid supply line 810 and ammonia water is not supplied to the second processing liquid supply line 820, switching of the on-off valve for switching the processing liquid line to be supplied with liquid is performed. The operation is simpler than the above-described supply control of the hydrogen peroxide solution in that it is unnecessary.

先に簡単に説明したように、第1処理液供給ライン810には処理ユニット16に設けられた第1処理液ノズル21が接続されている。また、第2処理液供給ライン820には処理ユニット16に設けられた第2処理液ノズル22が接続されている(図2Bを参照)。   As briefly described above, the first processing liquid nozzle 21 provided in the processing unit 16 is connected to the first processing liquid supply line 810. The second processing liquid supply line 820 is connected to the second processing liquid nozzle 22 provided in the processing unit 16 (see FIG. 2B).

第1処理液供給ライン810には、開閉弁811が介設されている。開閉弁811を開けることにより、第1処理液供給ライン810を流れてきた処理液を第1処理液ノズル21から吐出させることができる。   An opening / closing valve 811 is interposed in the first processing liquid supply line 810. By opening the on-off valve 811, the processing liquid flowing through the first processing liquid supply line 810 can be discharged from the first processing liquid nozzle 21.

第2処理液供給ライン820には、開閉弁821が介設されている。開閉弁821を開けることにより、第2処理液供給ライン820を流れてきた処理液を第2処理液ノズル22から吐出させることができる。   An opening / closing valve 821 is interposed in the second processing liquid supply line 820. By opening the on-off valve 821, the processing liquid flowing through the second processing liquid supply line 820 can be discharged from the second processing liquid nozzle 22.

第1処理液供給ライン810上の分岐点816から、第1処理液分岐供給ライン817が分岐している。第1処理液分岐供給ライン817には、開閉弁818が介設されている。第2処理液供給ライン820上の分岐点826から、第1処理液分岐供給ライン827が分岐している。第2処理液分岐供給ライン827には、開閉弁828が介設されている。   A first processing liquid branch supply line 817 branches from a branch point 816 on the first processing liquid supply line 810. The first treatment liquid branch supply line 817 is provided with an on-off valve 818. A first treatment liquid branch supply line 827 branches from a branch point 826 on the second treatment liquid supply line 820. An opening / closing valve 828 is interposed in the second processing liquid branch supply line 827.

第1処理液分岐供給ライン817及び第2処理液分岐供給ライン827は、接続点819及び829において、裏面処理液供給ライン830に接続されている。裏面処理液供給ライン830は、ウエハWの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル23に接続されている。裏面処理液供給ライン830には、開閉弁831が介設されている。   The first processing liquid branch supply line 817 and the second processing liquid branch supply line 827 are connected to the back surface processing liquid supply line 830 at connection points 819 and 829. The back surface processing liquid supply line 830 is connected to the back surface nozzle 23 for supplying the processing liquid to the back surface of the wafer W. An open / close valve 831 is interposed in the back surface treatment liquid supply line 830.

裏面ノズル23からウエハWの裏面(下面)に処理液を供給する場合には、開閉弁831を開くとともに開閉弁818または828の一方を開き他方を閉じればよい。そうすれば、第1処理液供給ライン810または第2処理液供給ライン820を流れている処理液が、第1処理液分岐供給ライン817または第2処理液分岐供給ライン827を介して裏面処理液供給ライン830に流入し、裏面ノズル23から吐出される。   When supplying the processing liquid from the back surface nozzle 23 to the back surface (lower surface) of the wafer W, the on-off valve 831 may be opened and one of the on-off valves 818 or 828 may be opened and the other closed. Then, the processing liquid flowing in the first processing liquid supply line 810 or the second processing liquid supply line 820 is transferred to the back surface processing liquid via the first processing liquid branch supply line 817 or the second processing liquid branch supply line 827. It flows into the supply line 830 and is discharged from the back nozzle 23.

図2に概略的に示されるように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、回収カップ40とを備える。チャンバ20内には、前述した第1及び第2処理液ノズル21,22及びこれらのノズルを移動させるアーム21A,22A、基板保持機構30、回収カップ40などが収容されている。チャンバ20の天井部には、図示しないファンフィルタユニット(FFU)が設けられて、チャンバ20内にダウンフローを形成する。   As schematically shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, and a recovery cup 40. The chamber 20 accommodates the first and second processing liquid nozzles 21 and 22 described above and the arms 21A and 22A for moving these nozzles, the substrate holding mechanism 30, the recovery cup 40, and the like. A fan filter unit (FFU) (not shown) is provided on the ceiling of the chamber 20 to form a downflow in the chamber 20.

基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウエハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウエハWを回転させる。なお、支柱部32の内部に形成された空洞(図示せず)の内部には、裏面処理液供給ライン830をなす配管が、支柱部32と一緒に回転しないように設けられている。   The substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31, a support unit 32, and a driving unit 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The support | pillar part 32 is a member extended in a perpendicular direction, a base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding | maintenance part 31 horizontally in a front-end | tip part. The drive unit 33 rotates the column unit 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the support unit 32 by rotating the support unit 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the support unit 31. . Note that a pipe forming the back surface treatment liquid supply line 830 is provided in a cavity (not shown) formed inside the support column 32 so as not to rotate together with the support column 32.

回収カップ40は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ40の底部には、排液口41が形成されており、回収カップ40によって捕集された処理液は、かかる排液口41から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ40の底部には、図示しないFFUから供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口42が形成される。   The collection cup 40 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31. A drain port 41 is formed at the bottom of the recovery cup 40, and the processing liquid collected by the recovery cup 40 is discharged from the drain port 41 to the outside of the processing unit 16. Further, an exhaust port 42 for discharging a gas supplied from an FFU (not shown) to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 40.

チャンバ20内には、第1及び第2処理液ノズル21,22によりダミーディスペンスが行われた場合に、ノズルから吐出された液を受け止める液受け44が設けられている。液受け44にはドレンライン45が接続されている。アーム21A,22Aはそれぞれ、第1及び第2処理液ノズル21,22を液受け44の上方に位置させることができる。液受け44は、第1及び第2処理液ノズル21,22のホームポジション(ウエハW上から退避した待機位置)にそれぞれ1つずつ設けてもよい。   A liquid receiver 44 is provided in the chamber 20 for receiving the liquid discharged from the nozzles when dummy dispensing is performed by the first and second processing liquid nozzles 21 and 22. A drain line 45 is connected to the liquid receiver 44. The arms 21A and 22A can position the first and second processing liquid nozzles 21 and 22 above the liquid receiver 44, respectively. One liquid receiver 44 may be provided at each of the home positions (standby positions retracted from the wafer W) of the first and second processing liquid nozzles 21 and 22.

なお、「ダミーディスペンス」とは、ウエハWの無い位置にノズルから液を供給することを意味し、例えば、ノズルに繋がる配管を温める(冷やす)こと、温度または組成が安定していない処理液を安定するまでの間廃棄することなどを目的として行われる。   The “dummy dispense” means that the liquid is supplied from the nozzle to a position where the wafer W is not present. For example, the pipe connected to the nozzle is heated (cooled), and the processing liquid whose temperature or composition is not stable is used. It is performed for the purpose of discarding until it stabilizes.

次に、基板処理システム1の処理ユニット16を用いてウエハWを処理する手順について説明する。   Next, a procedure for processing the wafer W using the processing unit 16 of the substrate processing system 1 will be described.

ウエハWをチャンバ20内に搬入して、基板保持機構30によりウエハWを水平に保持して、ウエハWを鉛直方向の回転軸線周りに回転させる。そして、所定の処理液を第1処理液ノズル21、第2処理液ノズル22及び裏面ノズル23のうちの任意の1つまたは複数から、処理液をウエハWの表面/裏面の中央部に供給する。供給された処理液は遠心力によりウエハWの周縁に向けて広がり、ウエハの表面/裏面が処理液の液膜により覆われた状態になる。この状態で、ウエハWの表面/裏面が処理液により処理される。遠心力によりウエハWの外方に飛散した処理液は、回収カップ40により回収され排液口41から排出される。このとき行われる液処理としては、SC−1洗浄(アンモニア水及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄)、SC−2洗浄(塩酸及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄)、純水リンス等が挙げられる。   The wafer W is carried into the chamber 20, the wafer W is held horizontally by the substrate holding mechanism 30, and the wafer W is rotated around the vertical rotation axis. Then, a predetermined processing liquid is supplied from any one or more of the first processing liquid nozzle 21, the second processing liquid nozzle 22, and the back surface nozzle 23 to the center of the front surface / back surface of the wafer W. . The supplied processing liquid spreads toward the periphery of the wafer W by centrifugal force, and the front / back surface of the wafer is covered with a liquid film of the processing liquid. In this state, the front / back surface of the wafer W is processed with the processing liquid. The processing liquid scattered outside the wafer W by the centrifugal force is recovered by the recovery cup 40 and discharged from the liquid discharge port 41. As the liquid treatment performed at this time, SC-1 cleaning (cleaning with a diluted chemical obtained by diluting ammonia water and hydrogen peroxide water with pure water) and SC-2 cleaning (diluting hydrochloric acid and hydrogen peroxide water with pure water). Cleaning with a diluted chemical solution), pure water rinse, and the like.

一例としてSC−1洗浄を行う場合について説明する。この場合、第2処理液ライン820に所定の組成(アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比)及び所定の温度を有するSC−1液を流す必要がある。アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比としては、例えば、1:1:5、1:1:100、1:4:20、1:2:50等処理に応じて様々に変更される可能性があり、温度も例えば35℃、60℃等処理に応じて様々に変更される可能性がある。どのような組成、温度とするかは、プロセスレシピにより予め定義されている。   As an example, a case where SC-1 cleaning is performed will be described. In this case, the SC-1 solution having a predetermined composition (a mixture ratio of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and pure water) and a predetermined temperature needs to flow through the second processing liquid line 820. The mixing ratio of ammonia water, hydrogen peroxide water, and pure water is variously changed depending on the processing, for example, 1: 1: 5, 1: 1: 100, 1: 4: 20, 1: 2: 50, and the like. The temperature may also be changed variously depending on the processing such as 35 ° C. and 60 ° C., for example. The composition and temperature are defined in advance by the process recipe.

アンモニア水を、ライン412を用い、先に説明した手順に従い、第2処理液ライン820に送り込む。また、過酸化水素水を、要求流量に応じて、大流量用のライン(212a,226a)または小流量用のライン(212b,226b)のいずれかを用い、先に説明した手順に従い、第2処理液ライン820に送り込む。アンモニア水及び過酸化水素水の流量は、制御装置4から定圧弁416,216にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図4を参照)送られた流量指令に基づいて制御される。なおこのとき、制御装置4は、要求流量に基づいて大流量用のライン及び小流量用のラインのいずれを用いるかを選択し、その選択結果に基づいて関連する開閉弁の開閉制御も行う。   Ammonia water is fed into the second treatment liquid line 820 using the line 412 according to the procedure described above. Further, according to the required flow rate, the hydrogen peroxide solution is used in accordance with the procedure described above by using either the high flow rate line (212a, 226a) or the low flow rate line (212b, 226b). Feed into treatment liquid line 820. The flow rates of ammonia water and hydrogen peroxide water are controlled based on flow rate commands sent from the control device 4 to flow rate controllers (CNTL) (see FIG. 4) attached to the constant pressure valves 416 and 216, respectively. At this time, the control device 4 selects either the large flow rate line or the small flow rate line based on the required flow rate, and also performs open / close control of the associated on / off valve based on the selection result.

また、ライン512、516を用い、先に説明した手順に従い、加熱純水及び常温純水を第2処理液ライン820に送り込む。このとき、制御装置4は、上記の混合比が達成されるような加熱純水及び常温純水の合計流量を決定するとともに、混合の結果得られるSC−1液の温度がプロセスレシピにより定義された温度となるように、第2処理液ライン820に送り込む加熱純水の流量及び常温純水の流量(両者の流量比)を決定する。SC−1液の温度を高くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を増大させて常温純水の流量を減少させる(流量比の変更)。SC−1液の温度を低くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を減少させて常温純水の流量を増大させる。   Further, the heated pure water and the room temperature pure water are fed into the second treatment liquid line 820 using the lines 512 and 516 in accordance with the procedure described above. At this time, the control device 4 determines the total flow rate of heated pure water and room temperature pure water so that the above mixing ratio is achieved, and the temperature of the SC-1 solution obtained as a result of mixing is defined by the process recipe. The flow rate of heated pure water sent to the second treatment liquid line 820 and the flow rate of room-temperature pure water (the flow rate ratio between them) are determined so that the temperature becomes the same. When increasing the temperature of the SC-1 solution, while maintaining the sum of the flow rate of heated pure water and the flow rate of room temperature pure water, the flow rate of heated pure water is increased to decrease the flow rate of room temperature pure water. (Change the flow ratio). When the temperature of the SC-1 solution is lowered, the flow rate of the heated pure water is decreased to increase the flow rate of the room temperature pure water while keeping the sum of the flow rate of the heated pure water and the flow rate of the room temperature pure water constant. Let

制御装置4は、決定した加熱純水の流量と常温純水の流量に基づいて、制御装置4から定圧弁516,616にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図4を参照)流量指令を送り、この流量指令に基づいて、第2処理液ライン820に送り込まれる加熱純水の流量と常温純水の流量の制御がなされる。   Based on the determined heating pure water flow rate and room temperature pure water flow rate, the control device 4 sends a flow rate command (CNTL) (see FIG. 4) flow rate command attached to each of the constant pressure valves 516 and 616 from the control device 4. Based on the flow rate command, the flow rate of the heated pure water and the flow rate of the room temperature pure water fed into the second processing liquid line 820 are controlled.

この場合、勿論のこと、関係ない液(この場合、塩酸)が第2処理液ライン820に流入しないように、また、第1処理液ライン810を液が流れないように、必要な開閉弁の開閉制御がなされる。   In this case, as a matter of course, a necessary opening / closing valve of the irrelevant valve (in this case, hydrochloric acid) does not flow into the second processing liquid line 820 and does not flow through the first processing liquid line 810. Open / close control is performed.

上記の加熱純水と常温純水の流量比を変更することによる処理液の温度調整は、薬液を純水で希釈してなる希釈薬液を処理液として用いる任意の場合に用いることができる。例えば、SC−2洗浄を行う際に、第1処理液ライン810に所定の組成(塩酸、過酸化水素水、純水の混合比)及び所定の温度を有するSC−2液を流す場合にも用いることができる。   The temperature adjustment of the treatment liquid by changing the flow ratio of the heated pure water and the room temperature pure water can be used in any case where a diluted chemical liquid obtained by diluting the chemical liquid with pure water is used as the treatment liquid. For example, when performing SC-2 cleaning, an SC-2 solution having a predetermined composition (mixing ratio of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and pure water) and a predetermined temperature is allowed to flow through the first processing liquid line 810. Can be used.

制御装置4は、処理液の種類(組成)が同じであってかつ当該処理液の指定温度も同じであるならば、当該処理液を調合する際の加熱純水の流量及び常温純水の流量を常時同じ値に制御してもよい。このようにすれば、制御が簡単になるため、処理液の温度精度要求レベルが比較的低い場合には有効である。   If the type (composition) of the treatment liquid is the same and the designated temperature of the treatment liquid is the same, the control device 4 is configured to flow the heated pure water and the normal temperature pure water at the time of preparing the treatment liquid. May always be controlled to the same value. In this way, the control becomes simple, which is effective when the required temperature accuracy level of the processing liquid is relatively low.

しかし、半導体装置製造工場に備えられている加熱純水供給源及び常温純水供給源により供給される純水、特に常温純水の温度は、季節により若干変動することがあり、処理液の温度精度要求レベルが比較的高い場合には、上記の手法では対応しきれないこともある。この場合は、例えば次に例示した方法により加熱純水の流量及び常温純水の流量を補正することができる。   However, the temperature of the pure water supplied from the heating pure water supply source and the room temperature pure water supply source provided in the semiconductor device manufacturing factory, particularly the room temperature pure water, may vary slightly depending on the season. If the required accuracy level is relatively high, the above method may not be able to cope with it. In this case, for example, the flow rate of heated pure water and the flow rate of normal temperature pure water can be corrected by the method exemplified below.

第1処理液ライン810の第1処理液ノズル21になるべく近い位置に温度計810tを設け、第2処理液ライン820の第2処理液ノズル22になるべく近い位置に温度計820tを設ける。例えば、第1処理液ノズル21から処理液のダミーディスペンスを所定時間行い、そのときの温度計810tの検出値と、第1処理液ノズル21からウエハWに供給すべき第1処理液の目標温度との差に基づき、制御装置4が、定圧弁516,616にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図3を参照)に与える流量指令値を変更する。具体的には、温度計810tの検出値が目標温度より低(高)ければ加熱純水の流量を増大(減少)させて常温純水の流量を減少(増大)させて、加熱純水と常温純水の流量比を補正する。第2処理液ライン820を流れる希釈薬液についても上記と同様の補正を行うことができる。   A thermometer 810t is provided as close as possible to the first treatment liquid nozzle 21 in the first treatment liquid line 810, and a thermometer 820t is provided as close as possible to the second treatment liquid nozzle 22 in the second treatment liquid line 820. For example, a dummy dispense of the treatment liquid is performed from the first treatment liquid nozzle 21 for a predetermined time, the detected value of the thermometer 810t at that time, and the target temperature of the first treatment liquid to be supplied from the first treatment liquid nozzle 21 to the wafer W The control device 4 changes the flow rate command value given to the flow rate controller (CNTL) (see FIG. 3) attached to the constant pressure valves 516 and 616, respectively. Specifically, if the detected value of the thermometer 810t is lower (higher) than the target temperature, the flow rate of heated pure water is increased (decreased) and the flow rate of room temperature pure water is decreased (increased). Correct the flow rate ratio of room temperature pure water. The same correction as described above can be performed for the diluted chemical flowing through the second processing liquid line 820.

このような補正は、ダミーディスペンス時以外にも行うことができる。例えば、第1処理液ライン810及び第2処理液ライン820を流れる希釈薬液の温度を常時監視して、常時(リアルタイム)温度補正が行われるようにしてもよい。なお、上記の補正をあまり高頻度で行うと、流量調節機器の寿命低下あるいは流量調節機器からのパーティクルの発生等の原因となり得るので、時間間隔を空けて定期的に行う方が好ましい。また、目標温度に対してある程度の幅の許容範囲を設けて、実際温度がこの許容範囲を外れたときだけ補正を行うようにすることも好ましい。   Such correction can be performed at times other than during dummy dispensing. For example, the temperature of the diluted chemical solution flowing through the first processing liquid line 810 and the second processing liquid line 820 may be constantly monitored so that the temperature correction is always performed (real time). Note that if the above correction is performed too frequently, it may cause a decrease in the life of the flow control device or generation of particles from the flow control device. Therefore, it is preferable to perform the correction periodically with a time interval. It is also preferable to provide an allowable range with a certain width with respect to the target temperature, and to perform correction only when the actual temperature is outside this allowable range.

上記に代えて、加熱純水用の主ライン504及び常温純水用の主ライン604にそれぞれ温度計505、605(図2を参照)を設け、これらの温度計505、605の測定結果に基づいて加熱純水と常温純水の流量比を補正することも可能である。   Instead of the above, thermometers 505 and 605 (see FIG. 2) are provided in the main line 504 for heated pure water and the main line 604 for room temperature pure water, respectively, and based on the measurement results of these thermometers 505 and 605 It is also possible to correct the flow ratio of heated pure water and room temperature pure water.

なお、希釈薬液の温度は以下の式により計算することができので、これに基づいて加熱純水と常温純水との混合比を決定または変更することができる。
希釈薬液の温度=[加熱純水の温度×加熱純水の流量+常温純水の温度×常温純水の流量+(各薬液についての薬液の温度×薬液の流量の和)]÷(加熱純水の流量+常温純水の流量+薬液の流量の総和)+(混合反応による発熱または吸熱寄与分)−(混合後の配管等を介した放熱寄与分)
In addition, since the temperature of a dilution chemical | medical solution can be calculated with the following formula | equation, the mixing ratio of heating pure water and normal temperature pure water can be determined or changed based on this.
Dilution chemical temperature = [heating pure water temperature x heating pure water flow rate + room temperature pure water temperature x room temperature pure water flow rate + (temperature of chemical liquid for each chemical solution x sum of chemical flow rates)] / (heating pure Water flow + normal temperature pure water flow + chemical flow total) + (heat generation or endothermic contribution due to mixing reaction)-(heat dissipation contribution through piping after mixing)

混合反応による発熱または吸熱寄与分は希釈薬液の組成が同じなら定数と見なして良く、また混合後の放熱寄与分についても希釈薬液の目標温度が同じなら定数と見なして良いので、加熱純水及び常温純水の総流量を一定に維持しつつ加熱純水と常温純水との混合比を変更する際の計算では無視して良い。なお、上記2つの定数は、実験により予め把握しておくことが可能であり、最初に加熱純水と常温純水との混合比を決定するときに用いることができる。   The exothermic or endothermic contribution due to the mixing reaction may be regarded as a constant if the composition of the diluted chemical solution is the same, and the exothermic contribution after mixing may be regarded as a constant if the target temperature of the diluted chemical solution is the same. It may be ignored in the calculation when changing the mixing ratio of heated pure water and normal temperature pure water while keeping the total flow rate of normal temperature pure water constant. The above two constants can be grasped in advance by experiments, and can be used when the mixing ratio of heated pure water and normal temperature pure water is first determined.

ところで、希釈薬液は再利用できるものも多く、希釈薬液を一度の使用で廃棄してしまうのは、省資源の観点から好ましくない。以下に、図5を参照して、希釈薬液の再利用を可能とする構成について説明する。   By the way, many of the diluting chemical solutions can be reused, and it is not preferable from the viewpoint of resource saving to discard the diluting chemical solution once. Below, with reference to FIG. 5, the structure which enables reuse of a dilution chemical | medical solution is demonstrated.

液受けカップ40の排液口41には、排液ライン900が接続されている。排液ライン900は分岐点900において、回収ライン902と、廃液ライン904とに分岐する。回収ライン902及び廃液ライン904にはそれぞれ開閉弁903,905が設けられている。回収ライン902は回収タンク906に接続されている。   A drain line 900 is connected to the drain port 41 of the liquid receiving cup 40. The drainage line 900 branches at a branch point 900 into a recovery line 902 and a waste liquid line 904. On-off valves 903 and 905 are provided in the recovery line 902 and the waste liquid line 904, respectively. The collection line 902 is connected to the collection tank 906.

回収タンク906には、回収タンク906から出て回収タンク906に戻ってくる循環ライン907が接続されている。循環ライン907には、上流側から順に、ポンプ908、ヒータ909及びフィルタ910が介設されている。   Connected to the recovery tank 906 is a circulation line 907 that leaves the recovery tank 906 and returns to the recovery tank 906. In the circulation line 907, a pump 908, a heater 909, and a filter 910 are provided in order from the upstream side.

分岐点911において、循環ライン907から回収液再供給ライン912が分岐している。回収液再供給ライン912には、上流側から順に、開閉弁913と、定圧弁914及びオリフィス915等を含む流量調整機器とが設けられている。回収液再供給ライン912の末端には、回収液再供給ノズル22’が接続されている。   At the branch point 911, the recovery liquid resupply line 912 branches from the circulation line 907. The recovered liquid resupply line 912 is provided with an on-off valve 913 and a flow rate adjusting device including a constant pressure valve 914 and an orifice 915 in order from the upstream side. A recovery liquid resupply nozzle 22 ′ is connected to the end of the recovery liquid resupply line 912.

一枚のウエハWに希釈薬液、例えばSC−1液を供給するとき、SC−1供給期間の前半においては、第1処理液ノズル22からの新しいSC−1液の供給は行わず、回収液再供給ノズル22’から使用済みのSC−1液をウエハWに供給する。すなわち開閉弁913が開かれ、循環ライン907を循環する使用済みのSC−1液がウエハWに供給される。このとき、開閉弁903が閉状態とされ、開閉弁905が開状態とされる。すなわち、ウエハWの処理に二回使用されたSC−1液は再度回収されることなく廃棄される。   When a diluted chemical solution, for example, SC-1 solution is supplied to one wafer W, in the first half of the SC-1 supply period, no new SC-1 solution is supplied from the first processing solution nozzle 22, and the recovered solution is supplied. The used SC-1 solution is supplied to the wafer W from the resupply nozzle 22 ′. That is, the on-off valve 913 is opened, and the used SC-1 liquid circulating through the circulation line 907 is supplied to the wafer W. At this time, the on-off valve 903 is closed and the on-off valve 905 is opened. That is, the SC-1 solution used twice for processing the wafer W is discarded without being collected again.

一方、SC−1供給期間の後半においては、回収液再供給ノズル22’から使用済みのSC−1液の供給は行わず、清浄な新しいSC−1液を第1処理液ノズル22から供給する。この新しいSC−1液は、図2に示した処理液供給機構により供給されたものである。このとき、開閉弁903が開状態とされ、開閉弁905が閉状態とされる。すなわち、ウエハWの処理に供された後液受けカップ40の排液口41から排出されたSC−1液を回収タンク906に回収する。回収タンク906に回収されたSC−1液は、ポンプ908により循環ライン907を循環する。この循環中において、SC−1液はヒータ909により、ウエハWの処理に適した温度に維持される。   On the other hand, in the latter half of the SC-1 supply period, the used SC-1 solution is not supplied from the recovered solution resupply nozzle 22 ′, and a clean new SC-1 solution is supplied from the first processing solution nozzle 22. . This new SC-1 solution is supplied by the processing solution supply mechanism shown in FIG. At this time, the on-off valve 903 is opened, and the on-off valve 905 is closed. That is, the SC-1 solution discharged from the drain port 41 of the post-liquid receiving cup 40 subjected to the processing of the wafer W is recovered in the recovery tank 906. The SC-1 solution collected in the collection tank 906 is circulated through the circulation line 907 by the pump 908. During this circulation, the SC-1 solution is maintained at a temperature suitable for processing the wafer W by the heater 909.

図5では、図面の簡略化のため、SC−1液の回収及び再利用に関する部分についてのみ示したが、他の薬液例えばSC−2液の回収及び再利用を可能とする構成を、同様に設けてもよい。   In FIG. 5, for simplification of the drawing, only the part related to the recovery and reuse of the SC-1 solution is shown. However, the configuration enabling the recovery and reuse of other chemical solutions such as the SC-2 solution is similarly applied. It may be provided.

上記実施形態によれば、温度だけが異なる同じ希釈液(ここでは純水)の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、同じ組成(希釈液及び薬液の混合比)の異なる温度の希釈薬液を容易に供給することができる。勿論、異なる組成の異なる温度の多様な希釈薬液を容易に供給することもできる。また、季節の変化等により希釈液の温度が変化した場合でも、混合比を変更することにより、希釈液の実際温度を容易に目標温度に調節することができる。   According to the above embodiment, the temperature of the diluted chemical solution can be changed by changing the mixing ratio of the same dilution liquid (pure water here) that differs only in temperature, so the same composition (mixing ratio of the dilution liquid and the chemical liquid) is different. A dilute chemical solution at a temperature can be easily supplied. Of course, various diluting chemical solutions having different compositions and different temperatures can be easily supplied. Further, even when the temperature of the diluent changes due to seasonal changes or the like, the actual temperature of the diluent can be easily adjusted to the target temperature by changing the mixing ratio.

上記実施形態では、被処理体を処理する液処理装置が半導体ウエハ(シリコン基板)を処理する基板処理システム1であったが、これに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の他の基板を被処理体とするものであててもよい。   In the above embodiment, the liquid processing apparatus for processing the object to be processed is the substrate processing system 1 for processing a semiconductor wafer (silicon substrate). However, the present invention is not limited to this, and other materials such as a glass substrate and a ceramic substrate are used. The substrate may be used as an object to be processed.

4 制御部
16 液処理ユニット
604 第1希釈液ライン(主ライン)
612 第1希釈液分岐ライン
504 第2希釈液ライン(主ライン)
512 第2希釈液分岐ライン
204,304,404 薬液ライン(主ライン)
212,312,412 薬液分岐ライン
810、820 希釈薬液ライン(処理液ライン)
614,616など 第1希釈液流量調整部
514,516など 第2希釈液流量調整部
214a,214b、216など 薬液流量調整部
810t、820t 温度計
4 Control Unit 16 Liquid Processing Unit 604 First Diluent Line (Main Line)
612 First diluent branch line 504 Second diluent line (main line)
512 Second dilution liquid branch line 204, 304, 404 Chemical liquid line (main line)
212, 312, 412 Chemical liquid branch line 810, 820 Diluted chemical liquid line (treatment liquid line)
614, 616, etc. First diluent flow rate adjuster 514, 516, etc. Second diluent flow rate adjuster 214a, 214b, 216, etc. Chemical solution flow rate adjuster 810t, 820t Thermometer

Claims (8)

希釈薬液を被処理体に供給することにより被処理体に液処理を施す複数の液処理ユニットと、
前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、
前記希釈薬液供給機構は、
第1温度の希釈液が流れる第1希釈液ラインと、
第1温度より高温である第2温度の希釈液が流れる第2希釈液ラインと、
薬液が流れる薬液ラインと、
前記第1希釈液ラインより分岐した複数の第1希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第1希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第1希釈液流量調整部が設けられている、複数の第1希釈液分岐ラインと、
前記第2希釈液ラインより分岐した複数の第2希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第2希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第2希釈液流量調整部が設けられている、複数の第2希釈液分岐ラインと、
前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、
前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第1希釈液分岐ライン、前記第2希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、
を有している液処理装置。
A plurality of liquid processing units that perform liquid processing on the target object by supplying a diluted chemical to the target object;
A diluted chemical supply mechanism for supplying the diluted chemical to the liquid processing unit,
The dilution chemical supply mechanism is
A first diluent line through which a diluent at a first temperature flows;
A second diluent line through which a second temperature diluent that is higher than the first temperature flows;
A chemical line through which the chemical flows,
A plurality of first diluent branch lines branched from the first diluent line, and a first diluent flow rate adjusting unit that adjusts the flow rate of the diluent flowing from the first diluent line on each path A plurality of first diluent branch lines,
A plurality of second diluent branch lines branched from the second diluent line, and a second diluent flow rate adjusting unit that adjusts the flow rate of the diluent flowing from the second diluent line on each path A plurality of second diluent branch lines,
A plurality of chemical solution branch lines branched from the chemical solution line, each having a plurality of chemical solution branch lines provided with a chemical solution flow rate adjusting unit for adjusting the flow rate of the diluent flowing from the chemical solution line on each path; ,
A plurality of diluted chemical supply lines for supplying the diluted chemical liquid to the plurality of liquid processing units, respectively, each of the first diluted liquid branch line, the second diluted liquid branch line, and the chemical liquid branch line; A plurality of diluent supply lines connected to one another;
A liquid processing apparatus.
前記各第1希釈液流量調整部、前記各第2希釈液流量調整部及び前記各薬液ラインの薬液流量調整部を個別に制御する制御部と、
をさらに有しており、
前記制御部は、
予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の組成に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第1温度の希釈液と第2温度の希釈液の合計流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す薬液の流量と、を決定し、
さらに、予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の温度と、前記合計流量に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第1温度の希釈液の流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す第2温度の希釈液の流量と、を決定し、
決定した前記各流量を元に前記第1希釈液流量調整部、前記第2希釈液流量調整部及び前記薬液ラインの薬液流量調整部を制御することを特徴とする液処理装置。
A control unit for individually controlling the first diluent flow rate adjusting unit, the second diluent flow rate adjusting unit, and the chemical solution flow rate adjusting unit of each of the chemical solution lines;
In addition,
The controller is
Based on the preset composition of the diluted chemical solution supplied to the liquid processing unit, the total flow rate of the first temperature diluent and the second temperature diluted solution flowing through the diluted solution supply line, and the diluted solution supply line Determine the flow rate of the chemical solution to be flown,
Further, based on the preset temperature of the diluted chemical solution supplied to the liquid processing unit and the total flow rate, the flow rate of the first temperature diluted solution to be supplied to the diluted chemical solution supply line and the flow rate to the diluted chemical solution supply line Determine the flow rate of the second temperature diluent,
A liquid processing apparatus that controls the first diluent flow rate adjustment unit, the second diluent flow rate adjustment unit, and the chemical solution flow rate adjustment unit of the chemical solution line based on the determined flow rates.
前記制御部は、希釈薬液の温度を調節する際に、前記第1希釈液分岐ラインから前記処理液供給ラインに流入する第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液分岐ラインから前記処理液供給ラインに流入する第2温度の希釈液の流量との和を一定に維持しつつ、第1温度の希釈液の流量と第2温度の希釈液の流量との比を変更するように前記第1希釈液流量調整部及び前記第2希釈液流量調整部を制御する、請求項2記載の液処理装置。   The control unit adjusts the temperature of the diluent liquid from the first diluent branch line to the treatment liquid supply line and the first temperature diluent flow from the second diluent branch line to the treatment liquid supply line. The ratio of the flow rate of the first temperature diluent and the flow rate of the second temperature diluent is changed while keeping the sum of the flow rate of the second temperature diluent flowing into the processing liquid supply line constant. The liquid processing apparatus of Claim 2 which controls the said 1st dilution liquid flow volume adjustment part and the said 2nd dilution liquid flow volume adjustment part. 前記希釈薬液供給機構は、混合後の希釈薬液の温度を測定する前記処理液供給ラインに設けられた温度計をさらに有しており、前記制御部は、前記温度計により測定された希釈薬液の実際温度が、希釈薬液の目標温度に一致するように第1温度の希釈液の流量と第2温度の希釈液の流量との比を補正する、請求項3記載の液処理装置。   The dilution chemical supply mechanism further includes a thermometer provided in the processing liquid supply line for measuring the temperature of the diluted chemical after mixing, and the controller is configured to control the dilution chemical liquid measured by the thermometer. The liquid processing apparatus according to claim 3, wherein the ratio of the flow rate of the diluent at the first temperature and the flow rate of the diluent at the second temperature is corrected so that the actual temperature matches the target temperature of the diluted chemical solution. 複数の被処理体の各々に対して対応する希釈液供給ラインから希釈薬液を供給して各被処理体に同時に液処理を施す液処理方法において、
各希釈薬液供給ラインに対して、第1希釈液ラインから第1温度の希釈液を流入させ、第2希釈液ラインから第1温度より高温である第2温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも1つの薬液ラインから薬液を流入させることと、
前記各希釈薬液供給ライン内で前記第1温度の希釈液、前記第2温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、
予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第1希釈液ラインからの第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液ラインからの第2温度の希釈液の流量との比を変化させることと、
を備えた液処理方法。
In a liquid processing method of supplying a diluted chemical solution from a corresponding diluent supply line to each of a plurality of objects to be processed and simultaneously performing liquid processing on each object to be processed,
A dilution liquid having a first temperature is caused to flow from the first dilution liquid line, a dilution liquid having a second temperature higher than the first temperature is caused to flow from the second dilution liquid line to each dilution chemical liquid supply line, and Flowing a chemical from at least one chemical line;
In each of the dilution chemical supply lines, the dilution liquid of the first temperature, the dilution liquid of the second temperature, and the chemical liquid are mixed with each other to generate a diluted chemical liquid so as to have a preset composition. Supplying a diluted chemical to the object to be treated;
The flow rate of the diluent at the first temperature from the first diluent liquid flowing into the diluent liquid supply line and the second temperature from the second diluent liquid line in accordance with the preset temperature of the diluent liquid. Changing the ratio with the flow rate of the dilution liquid,
A liquid processing method comprising:
前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第1希釈液ラインからの第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液ラインからの第2温度の希釈液の流量との比を変化させるときに、前記第1温度の希釈液の流量と前記第2温度の希釈液の流量との和を変化させない、請求項5記載の基板処理方法。   When changing the ratio of the flow rate of the first temperature diluent from the first diluent line flowing into each diluent liquid supply line and the flow rate of the second temperature diluent from the second diluent line 6. The substrate processing method according to claim 5, wherein the sum of the flow rate of the diluent at the first temperature and the flow rate of the diluent at the second temperature is not changed. 前記各希釈薬液供給ラインを流れる希釈薬液の実際温度を測定することと、
測定された希釈薬液の実際温度が目標温度となるように、対応する希釈液供給ラインに流入する前記第1温度の希釈液の流量と前記第2温度の希釈液の流量との比を補正することと、
をさらに備えた請求項6記載の基板液処理方法。
Measuring the actual temperature of the diluent liquid flowing through each of the diluent liquid supply lines;
The ratio between the flow rate of the diluent at the first temperature and the flow rate of the diluent at the second temperature that flows into the corresponding diluent supply line is corrected so that the actual temperature of the measured diluted drug solution becomes the target temperature. And
The substrate liquid processing method according to claim 6, further comprising:
液処理装置の動作を制御する制御装置としてのコンピュータにより実行されることにより、前記コンピュータが前記液処理装置を制御して請求項5から7のうちのいずれか一項に記載された位置ずれ補正方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体。   The misregistration correction according to any one of claims 5 to 7, wherein the computer controls the liquid processing apparatus by being executed by a computer as a control apparatus that controls the operation of the liquid processing apparatus. A storage medium storing a program for executing the method.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188540A (en) * 2016-04-04 2017-10-12 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing device, control method of liquid processing device, and storage medium
JP2017204069A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing device, control method of the same, and recording medium
WO2019087702A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-09 株式会社Screenホールディングス Substrate treatment device and substrate treatment method
CN110648941A (en) * 2018-06-26 2020-01-03 株式会社斯库林集团 Processing liquid temperature adjusting device, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method
CN112563161A (en) * 2019-09-26 2021-03-26 细美事有限公司 Apparatus for treating substrate and method for dispensing treatment liquid onto substrate
WO2021124900A1 (en) * 2019-12-16 2021-06-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722369A (en) * 1993-06-30 1995-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Chemical mixing device for substrate treating apparatus
US20020144713A1 (en) * 2001-04-06 2002-10-10 Chang Kuo Method and system for chemical injection in silicon wafer processing
JP2004078348A (en) * 2002-08-12 2004-03-11 Advance Denki Kogyo Kk Method for controlling temperature by mixing of fluid
JP2012074642A (en) * 2010-09-30 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Processing liquid supplying apparatus and substrate processing apparatus including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722369A (en) * 1993-06-30 1995-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Chemical mixing device for substrate treating apparatus
US20020144713A1 (en) * 2001-04-06 2002-10-10 Chang Kuo Method and system for chemical injection in silicon wafer processing
JP2004078348A (en) * 2002-08-12 2004-03-11 Advance Denki Kogyo Kk Method for controlling temperature by mixing of fluid
JP2012074642A (en) * 2010-09-30 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Processing liquid supplying apparatus and substrate processing apparatus including the same

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188540A (en) * 2016-04-04 2017-10-12 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing device, control method of liquid processing device, and storage medium
JP2017204069A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing device, control method of the same, and recording medium
KR20200067198A (en) * 2017-10-31 2020-06-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2019087702A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-09 株式会社Screenホールディングス Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2019083267A (en) * 2017-10-31 2019-05-30 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102376797B1 (en) 2017-10-31 2022-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110648941A (en) * 2018-06-26 2020-01-03 株式会社斯库林集团 Processing liquid temperature adjusting device, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method
JP7001553B2 (en) 2018-06-26 2022-01-19 株式会社Screenホールディングス Processing liquid temperature control device, substrate processing device, and processing liquid supply method
JP2020004803A (en) * 2018-06-26 2020-01-09 株式会社Screenホールディングス Process liquid temperature adjustment device, substrate processing apparatus, and process liquid supply method
CN110648941B (en) * 2018-06-26 2023-07-14 株式会社斯库林集团 Treatment liquid temperature adjusting device, substrate treatment device and treatment liquid supply method
CN112563161A (en) * 2019-09-26 2021-03-26 细美事有限公司 Apparatus for treating substrate and method for dispensing treatment liquid onto substrate
JP2021057590A (en) * 2019-09-26 2021-04-08 セメス カンパニー,リミテッド Substrate treating apparatus and treatment liquid dispensing method
JP7264858B2 (en) 2019-09-26 2023-04-25 セメス カンパニー,リミテッド SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING LIQUID SUPPLY METHOD
US11772115B2 (en) 2019-09-26 2023-10-03 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and treatment liquid dispensing method for controlling a temperature of treatment liquid
WO2021124900A1 (en) * 2019-12-16 2021-06-24 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method
JPWO2021124900A1 (en) * 2019-12-16 2021-06-24
JP7357693B2 (en) 2019-12-16 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method

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