JP2015167161A - Liquid treatment device, liquid treatment method and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薬液を希釈液で希釈してなる希釈薬液を用いて被処理体に所定の液処理を施す際の希釈薬液の温度制御技術に関する。 The present invention relates to a temperature control technique for a diluted chemical solution when a predetermined liquid treatment is performed on an object to be processed using a diluted chemical solution obtained by diluting the chemical solution with a diluent.
半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理液を供給して、洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理を行う工程が含まれる。このような液処理を行う液処理装置に設けられる処理液供給機構の一例が特許文献1に記載されている。特許文献1に記載の処理液供給機構では、一つの純水供給ラインに、それぞれが異なる種類の薬液を供給する複数の薬液供給ラインが並列に接続されている。選択された1つまたは複数の薬液供給ラインからそれぞれ制御された流量で純水供給ラインに薬液を供給することにより、1種類または複数種類の薬液が純水供給ラインを流れる純水に混合され、希釈薬液が調合される。この生成された希釈薬液が処理液として被処理体に供給される。
The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of supplying a predetermined processing liquid to an object to be processed such as a semiconductor wafer and performing liquid processing such as cleaning or wet etching. An example of a processing liquid supply mechanism provided in a liquid processing apparatus that performs such liquid processing is described in
液処理装置では、同一組成の希釈薬液からなる処理液を異なる温度で複数の被処理体に対して同時に供給することが求められる場合がある。しかし、特許文献1記載の処理液供給機構では、このような要求に対応することができない。
In a liquid processing apparatus, it may be required to simultaneously supply a processing liquid composed of a diluted chemical liquid having the same composition to a plurality of objects to be processed at different temperatures. However, the processing liquid supply mechanism described in
本発明は、処理液供給の要求があったときに希釈薬液からなる処理液を調合して複数の被処理体に対して同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる技術を提供するものである。 The present invention provides a technique capable of responding to different temperature requirements when preparing a processing liquid composed of a diluted chemical solution and supplying it to a plurality of objects to be processed at the same time when the processing liquid supply is required. Is.
本発明は、希釈薬液を被処理体に供給することにより被処理体に液処理を施す複数の液処理ユニットと、前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、前記希釈薬液供給機構は、第1温度の希釈液が流れる第1希釈液ラインと、第1温度より高温である第2温度の希釈液が流れる第2希釈液ラインと、薬液が流れる薬液ラインと、前記第1希釈液ラインより分岐した複数の第1希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第1希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第1希釈液流量調整部が設けられている、複数の第1希釈液分岐ラインと、前記第2希釈液ラインより分岐した複数の第2希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第2希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第2希釈液流量調整部が設けられている、複数の第2希釈液分岐ラインと、前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第1希釈液分岐ライン、前記第2希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、を有している液処理装置を提供する。 The present invention includes a plurality of liquid processing units that perform liquid processing on a target object by supplying a diluted chemical liquid to the target object, and a diluted chemical liquid supply mechanism that supplies the diluted chemical liquid to the liquid processing unit, The diluent supply mechanism includes a first diluent line through which a first temperature diluent flows, a second diluent line through which a second temperature diluent higher than the first temperature flows, and a chemical line through which a solution flows. And a plurality of first diluent branch lines branched from the first diluent line, wherein the first diluent flow rate adjustment adjusts the flow rate of the diluent flowing from the first diluent line on each path. A plurality of first diluent branch lines and a plurality of second diluent branch lines branched from the second diluent line, wherein the second diluent line is on each path. The flow rate of the diluent flowing in from A plurality of second dilution liquid branch lines provided with a second diluent flow rate adjustment unit and a plurality of chemical liquid branch lines branched from the chemical liquid line, which flow into the respective paths from the chemical liquid line. A plurality of chemical solution branch lines provided with a chemical solution flow rate adjusting unit for adjusting the flow rate of the diluted solution, and a plurality of diluted chemical solution supply lines for supplying the diluted chemical solution to the plurality of liquid processing units, respectively, A liquid processing apparatus having a plurality of dilution chemical supply lines to which one of the first dilution liquid branch line, the second dilution liquid branch line, and the chemical liquid branch line is connected.
また、本発明は、複数の被処理体の各々に対して対応する希釈液供給ラインから希釈薬液を供給して各被処理体に同時に液処理を施す液処理方法において、各希釈薬液供給ラインに対して、第1希釈液ラインから第1温度の希釈液を流入させ、第2希釈液ラインから第1温度より高温である第2温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも1つの薬液ラインから薬液を流入させることと、前記各希釈薬液供給ライン内で前記第1温度の希釈液、前記第2温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第1希釈液ラインからの第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液ラインからの第2温度の希釈液の流量との比を変化させることと、を備えた液処理方法を提供する。 In addition, the present invention provides a liquid processing method in which a diluted chemical solution is supplied from a corresponding diluent supply line to each of a plurality of objects to be processed, and liquid processing is simultaneously performed on each object to be processed. On the other hand, a first temperature diluent is introduced from the first diluent line, a second temperature diluent higher than the first temperature is introduced from the second diluent line, and from at least one chemical solution line. Injecting the chemical solution and diluting the chemical solution so as to have a preset composition by mixing the diluted solution of the first temperature, the diluted solution of the second temperature, and the chemical solution in each of the diluted chemical solution supply lines And supplying the generated diluted chemical solution to the object to be processed, and the first from the first diluted solution line flowing into the respective diluted chemical solution supply lines according to a preset temperature of the diluted chemical solution Temperature diluent flow If, to provide a liquid processing method and a changing the ratio between the flow rate of the diluent in the second temperature from the second diluent line.
さらに、本発明は、液処理装置において上記液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体を提供する。 Furthermore, the present invention provides a storage medium storing a program for causing the liquid processing apparatus to execute the liquid processing method.
本発明によれば、各希釈薬液供給ラインに流入する温度の異なる希釈液の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、複数の被処理体に対して希釈薬液を同時に供給するにあたって、異なる温度要求に対応することができる。 According to the present invention, since the temperature of the diluted chemical solution can be changed by changing the mixing ratio of the diluted solutions having different temperatures flowing into the respective diluted chemical solution supply lines, the diluted chemical solution is simultaneously supplied to a plurality of objects to be processed. In response, different temperature requirements can be met.
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
As shown in FIG. 1, the
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚のウエハWを水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
The carry-in /
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。
The
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
The
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。
The
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
Further, the
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
In the
処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
The wafer W loaded into the
次に、各処理ユニット(液処理ユニット)16に処理液を供給する処理液供給機構について図2A及び図2Bを参照して説明する。処理液供給機構は、図面のサイズの制約により、図2Aと図2Bとに分割して表示されている。図2Aに示す第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820(詳細後述)と、図2Bに示す第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820が、点820a,820bでそれぞれ接続される。図2Bには、図1に示した複数の処理ユニット16のうちの一つが示されており、図2Aには、図2Bに示す処理ユニット16への処理液の供給に関与する処理液供給機構のみが詳細に示されている。なお、図2Aの右端部には、他の処理ユニット16への処理液の供給に関与する処理液供給機構が簡略化されて(ラインのみ示す)示されている。
Next, a processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to each processing unit (liquid processing unit) 16 will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. The processing liquid supply mechanism is divided and displayed in FIG. 2A and FIG. 2B due to the size restriction of the drawing. A first processing
処理液供給機構は、SC−1洗浄、SC−2洗浄、純水リンスなどの各種処理のための処理液の供給を行うことができるように構成されており、
− 過酸化水素水(H2O2)供給機構
− 塩酸(HCl)供給機構
− アンモニア水(NH4OH)供給機構
− 加熱純水(HDIW)供給機構
− 常温純水(DIW)供給機構
を備えている。
The processing liquid supply mechanism is configured to be able to supply processing liquids for various processing such as SC-1 cleaning, SC-2 cleaning, pure water rinse,
-Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) supply mechanism-Hydrochloric acid (HCl) supply mechanism-Ammonia water (NH 4 OH) supply mechanism-Heated pure water (HDIW) supply mechanism-Room temperature pure water (DIW) supply mechanism ing.
過酸化水素水(H2O2)供給機構は、過酸化水素水供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構に過酸化水素水を供給する主供給ライン204を有している。
The hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) supply mechanism has a
塩酸(HCl)供給機構は、塩酸供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構に塩酸を供給する主供給ライン304を有している。
The hydrochloric acid (HCl) supply mechanism has a
アンモニア水(NH4OH)供給機構は、アンモニア水供給源に接続され、各処理ユニット16の処理液供給機構にアンモニア水を供給する主供給ライン404を有している。
The ammonia water (NH 4 OH) supply mechanism has a
加熱純水(HDIW)供給機構は、加熱純水供給源から各処理ユニット16の処理液供給機構に加熱された純水(加熱純水)を供給する主供給ライン504を有している。
The heated pure water (HDIW) supply mechanism has a
常温純水(DIW)供給機構は、常温純水供給源から各処理ユニット16の処理液供給機構に常温純水(例えばクリーンルーム温度に等しい温度を有する)を供給する主供給ライン604を有している。
The room temperature pure water (DIW) supply mechanism has a
加熱純水供給源及び常温純水供給源は、通常は、基板処理システム1が設置されている半導体装置製造工場に用意されている。加熱純水供給源から供給される加熱純水の温度は、半導体装置製造工場により異なるが、例えば70℃〜80℃程度である。
The heating pure water supply source and the room temperature pure water supply source are usually prepared in a semiconductor device manufacturing factory in which the
各液用の主ライン204,304,404,504,604は複数の処理ユニット16で共用されている。
The
基板処理システム1は、1つの処理ユニット16毎に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820を有している。第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820は、処理ユニット16に設けられた第1処理液ノズル21及び第2処理液ノズル22に処理液としての希釈薬液を供給することができる。この点については後に詳述する。
The
以下において、まずは、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に純水類(加熱純水、常温純水)を供給するための構成について説明する。
In the following, first, a configuration for supplying pure water (heated pure water, room temperature pure water) to the first processing
加熱純水供給用の主供給ライン504上の分岐点511において、加熱純水ライン512が分岐している。加熱純水ライン512は、接続点522において第1処理液供給ライン810に合流している。加熱純水ライン512には、上流側から順に、流量計514、定圧弁516及び開閉弁520が介設されている。加熱純水ライン512上の分岐点524において、加熱純水ライン(「分岐加熱純水ライン」とも呼ぶ)526が分岐している。加熱純水ライン526は、接続点532において第2処理液供給ライン820に合流している。加熱純水ライン526には、開閉弁530が介設されている。
A heated
常温純水供給用の主供給ライン604上の分岐点611において、常温純水ライン612が分岐している。常温純水ライン612は、接続点622において第1処理液供給ライン810に合流している。常温純水ライン612には、上流側から順に、流量計614、定圧弁616及び開閉弁620が介設されている。常温純水ライン612上の分岐点624において、常温純水ライン(「分岐常温純水ライン」とも呼ぶ)626が分岐している。常温純水ライン626は、接続点632において第2処理液供給ライン820に合流している。常温純水ライン626には、開閉弁630が介設されている。
The room temperature
ここで、図2及び図3を参照して、第1処理液供給ライン810に対して、加熱純水ライン512及び常温純水ライン612の少なくとも1つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン512を例にとって説明する。
Here, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the operation when the liquid is caused to flow from at least one of the heating
加熱純水ライン512の開閉弁520を開状態とし、加熱純水ライン526の開閉弁530を閉状態とする。この状態で、定圧弁516の制御を行うことにより、加熱純水ライン512から第1処理液供給ライン810に流入する加熱純水の流量制御を行う。
The on-off
定圧弁516は、一次側圧力の変動に関わらず、二次側圧力を指定された一定圧力に維持するよう減圧制御を行う機能を有している。主供給ライン504から供給される加熱純水の圧力は、各処理ユニット16の稼働状況等に応じて変動するため、精確な流量制御を行うために定圧弁の使用が好ましい。本実施形態で使用している定圧弁516は、パイロットポートに導入される加圧空気の圧力(パイロット圧)を変化させることにより、二次側圧力の設定値を変化させることができる形式のものである。パイロット圧の調節は、電空レギュレータ(EPR)515b(図3にのみ示す)により行われる。
The
定圧弁516の二次側圧力を変化させることにより、加熱純水ライン512を流れる加熱純水の流量を調節することができる。運転に際して、加熱純水の目標流量が、制御装置4(図1参照)から、その下位コントローラである流量コントローラ(CNTL)515a(図3にのみ示す)に与えられる。流量コントローラ515aは、流量計514の検出値に基づいて、電空レギュレータ515bから定圧弁516に与えられるパイロット圧を調節し、定圧弁516の二次側圧力を調節することにより、加熱純水ライン512を流れる加熱純水の流量を目標値となるように制御する。
By changing the secondary pressure of the
なお、上述した流量コントローラ515a及び電空レギュレータ515と同じデバイスが定圧弁616,216,316,416に付設されており、これらの定圧弁も上記と同様に制御される。
The same devices as the
第2処理液供給ライン820に対して、加熱純水ライン526及び常温純水ライン626の少なくとも一つから液を流入させる際の作用について、加熱純水ライン526を例にとって説明する。このときには、加熱純水ライン512の開閉弁520を閉状態とし、加熱純水ライン526の開閉弁530を開状態とする。この状態で、上記と同様にして定圧弁516の制御を行うことにより、加熱純水ライン526から第2処理液供給ライン820に流入する加熱純水の流量制御を行うことができる。
The operation when the liquid is supplied from at least one of the heated
第1処理液供給ライン810に対して常温純水ライン612から液を流入させる際にも、加熱純水ライン512から第1処理液供給ライン810に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。また、第2処理液供給ライン820に対して常温純水ライン626から液を流入させる際にも、加熱純水ライン526から第2処理液供給ライン820に液を流入させる際と同様の流量制御を行うことができる。
Even when the liquid is allowed to flow into the first processing
次に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に薬液類(過酸化水素水、塩酸、アンモニア水)を供給するための構成について説明する。
Next, a configuration for supplying chemicals (hydrogen peroxide water, hydrochloric acid, ammonia water) to the first processing
過酸化水素水供給用の主供給ライン204上の分岐点211aにおいて、大流量用の過酸化水素水ライン212aが分岐している。主供給ライン204上の分岐点211bにおいて、小流量用の過酸化水素水ライン212bが分岐している。過酸化水素水ライン212aには、上流側から順に、開閉弁213a及び流量計214aが介設されている。過酸化水素水ライン212bにも、上流側から順に、開閉弁213b及び流量計214bが介設されている。過酸化水素水ライン212a及び過酸化水素水ライン212bは合流点215で合流して1つの過酸化水素水ライン212となる。過酸化水素水ライン212は分岐点217で再び大流量用の過酸化水素水ライン212aa及び小流量用の過酸化水素水ライン212bbに分岐する。過酸化水素水ライン212aaには、開閉弁220aが介設されている。過酸化水素水ライン212bbには、開閉弁220bが介設されている。過酸化水素水ライン212aa及び過酸化水素水ライン212bbは、それぞれ接続点222a及び222bにおいて、第1処理液ライン810に接続されている。
At a branching
分岐点224において、過酸化水素水ライン212から過酸化水素水ライン226(「分岐過酸化水素水ライン」とも呼ぶ)が分岐している。過酸化水素水ライン226は、分岐点227において、大流量用の過酸化水素水ライン226aと小流量用の過酸化水素水ライン226bに分岐している。過酸化水素水ライン226aには、開閉弁230aが介設されている。過酸化水素水ライン226bには、開閉弁230bが介設されている。過酸化水素水ライン226a及び過酸化水素水ライン226bは、それぞれ接続点232a及び232bにおいて、第2処理液ライン820に接続されている。
At the
塩酸供給用の主供給ライン304上の分岐点311において、塩酸ライン312が分岐している。塩酸ライン312には、上流側から順に、流量計314、定圧弁316及び開閉弁320が介設されている。塩酸ライン312は、接続点322において、第1処理液ライン810に接続されている。
The
アンモニア水供給用の主供給ライン404上の分岐点411において、アンモニア水ライン412が分岐している。アンモニア水ライン412には、上流側から順に、流量計414、定圧弁416及び開閉弁420が介設されている。アンモニア水ライン412は、接続点422において、第2処理液ライン820に接続されている。
An
なお、塩酸ライン312及びアンモニア水ライン412についても、過酸化水素水ライン212と同様に大流量用のライン及び小流量用の2つのラインを設けてもよい。
The
次に、第1処理液供給ライン810及び第2処理液ライン820に薬液類(過酸化水素水、塩酸、アンモニア水)を供給する際の作用について、第1処理液供給ライン810に過酸化水素水を供給する場合を例にとって説明する。
Next, regarding the action of supplying chemicals (hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, ammonia water) to the first treatment
過酸化水素水を大流量で第1処理液供給ライン810に供給するときには、開閉弁213a及び220aを開状態とし、開閉弁213b及び220bを閉状態とする。なお、このとき、開閉弁230a及び230bを閉状態として、過酸化水素水226を通って第2処理液供給ライン820に過酸化水素水が流れないようにする。この状態で、先に定圧弁516に関連して説明した手順と同様の手順で定圧弁216を制御することにより、制御された所定の大流量で過酸化水素水を第1処理液供給ライン810に供給することができる。
When supplying hydrogen peroxide water at a large flow rate to the first treatment
一方、過酸化水素水を小流量で第1処理液供給ライン810に供給するときには、開閉弁213b及び220bを開状態とし、開閉弁213a及び220aを閉状態とする。この状態で、定圧弁216を同様に制御することにより、制御された所定の小流量で過酸化水素水第1処理液供給ライン810に供給することができる。
On the other hand, when supplying the hydrogen peroxide solution to the first treatment
大流量用の過酸化水素水ライン212aに設けられた流量計214aは大流量を精度良く測定できるものであり、小流量用の過酸化水素水ライン212aに設けられた流量計214aは小流量を精度良く測定できるものである。想定される流量のレンジが比較的狭い場合には、流量計は1つでもよく、この場合、小流量用の過酸化水素ラインと大流量用の過酸化水素ラインは1つに統合することができる。一方、想定される流量のレンジが比較的広い場合には、流量計の数、並びに過酸化水素ラインを3つ以上設けることもできる。この点については他の薬液(塩酸、過酸化水素水)の供給用のラインについても同じである。
The
過酸化水素水を第2処理液供給ライン820に供給するときには、開閉弁220a及び220bを閉状態とする。そして、上記と同様に、要求流量に応じた過酸化水素水ライン212a,212aaの組(大流量時)、または212b,212bbの組(小流量時)を択一的に用いて、流量制御を行えばよい。
When supplying the hydrogen peroxide solution to the second processing
上記制御を行うにあたって、図4に示すように、1つの定圧弁216が大流量時の流量制御及び小流量時の流量制御の両方で共用される。また、定圧弁216に付設される流量コントローラ(CNTL)及び電空レギュレータ(EPR)も大流量制御及び小流量制御の両方で共用される。さらに、過酸化水素水の供給においては、過酸化水素水を第1処理液供給ライン810に供給するとき及び第2処理液供給ライン820に供給するときの両方で1つの定圧弁216が共用される。
In performing the above control, as shown in FIG. 4, one
塩酸を第1処理液供給ライン810に供給するとき、アンモニア水を第2処理液供給ライン820に供給するときも上記と同様に定圧弁316、416(及びこれに付設された図示しない流量コントローラ及び電空レギュレータ)による流量制御を行えばよい。なお、塩酸は第1処理液供給ライン810にしか供給されないし、また、アンモニア水は第2処理液供給ライン820に供給されないので、液供給対象となる処理液ラインの切り換えのための開閉弁切り換えが不要である点において上記の過酸化水素水の供給制御より操作は単純である。
When supplying hydrochloric acid to the first processing
先に簡単に説明したように、第1処理液供給ライン810には処理ユニット16に設けられた第1処理液ノズル21が接続されている。また、第2処理液供給ライン820には処理ユニット16に設けられた第2処理液ノズル22が接続されている(図2Bを参照)。
As briefly described above, the first
第1処理液供給ライン810には、開閉弁811が介設されている。開閉弁811を開けることにより、第1処理液供給ライン810を流れてきた処理液を第1処理液ノズル21から吐出させることができる。
An opening /
第2処理液供給ライン820には、開閉弁821が介設されている。開閉弁821を開けることにより、第2処理液供給ライン820を流れてきた処理液を第2処理液ノズル22から吐出させることができる。
An opening /
第1処理液供給ライン810上の分岐点816から、第1処理液分岐供給ライン817が分岐している。第1処理液分岐供給ライン817には、開閉弁818が介設されている。第2処理液供給ライン820上の分岐点826から、第1処理液分岐供給ライン827が分岐している。第2処理液分岐供給ライン827には、開閉弁828が介設されている。
A first processing liquid
第1処理液分岐供給ライン817及び第2処理液分岐供給ライン827は、接続点819及び829において、裏面処理液供給ライン830に接続されている。裏面処理液供給ライン830は、ウエハWの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル23に接続されている。裏面処理液供給ライン830には、開閉弁831が介設されている。
The first processing liquid
裏面ノズル23からウエハWの裏面(下面)に処理液を供給する場合には、開閉弁831を開くとともに開閉弁818または828の一方を開き他方を閉じればよい。そうすれば、第1処理液供給ライン810または第2処理液供給ライン820を流れている処理液が、第1処理液分岐供給ライン817または第2処理液分岐供給ライン827を介して裏面処理液供給ライン830に流入し、裏面ノズル23から吐出される。
When supplying the processing liquid from the back surface nozzle 23 to the back surface (lower surface) of the wafer W, the on-off
図2に概略的に示されるように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、回収カップ40とを備える。チャンバ20内には、前述した第1及び第2処理液ノズル21,22及びこれらのノズルを移動させるアーム21A,22A、基板保持機構30、回収カップ40などが収容されている。チャンバ20の天井部には、図示しないファンフィルタユニット(FFU)が設けられて、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
As schematically shown in FIG. 2, the
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウエハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウエハWを回転させる。なお、支柱部32の内部に形成された空洞(図示せず)の内部には、裏面処理液供給ライン830をなす配管が、支柱部32と一緒に回転しないように設けられている。
The
回収カップ40は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ40の底部には、排液口41が形成されており、回収カップ40によって捕集された処理液は、かかる排液口41から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ40の底部には、図示しないFFUから供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口42が形成される。
The
チャンバ20内には、第1及び第2処理液ノズル21,22によりダミーディスペンスが行われた場合に、ノズルから吐出された液を受け止める液受け44が設けられている。液受け44にはドレンライン45が接続されている。アーム21A,22Aはそれぞれ、第1及び第2処理液ノズル21,22を液受け44の上方に位置させることができる。液受け44は、第1及び第2処理液ノズル21,22のホームポジション(ウエハW上から退避した待機位置)にそれぞれ1つずつ設けてもよい。
A
なお、「ダミーディスペンス」とは、ウエハWの無い位置にノズルから液を供給することを意味し、例えば、ノズルに繋がる配管を温める(冷やす)こと、温度または組成が安定していない処理液を安定するまでの間廃棄することなどを目的として行われる。 The “dummy dispense” means that the liquid is supplied from the nozzle to a position where the wafer W is not present. For example, the pipe connected to the nozzle is heated (cooled), and the processing liquid whose temperature or composition is not stable is used. It is performed for the purpose of discarding until it stabilizes.
次に、基板処理システム1の処理ユニット16を用いてウエハWを処理する手順について説明する。
Next, a procedure for processing the wafer W using the
ウエハWをチャンバ20内に搬入して、基板保持機構30によりウエハWを水平に保持して、ウエハWを鉛直方向の回転軸線周りに回転させる。そして、所定の処理液を第1処理液ノズル21、第2処理液ノズル22及び裏面ノズル23のうちの任意の1つまたは複数から、処理液をウエハWの表面/裏面の中央部に供給する。供給された処理液は遠心力によりウエハWの周縁に向けて広がり、ウエハの表面/裏面が処理液の液膜により覆われた状態になる。この状態で、ウエハWの表面/裏面が処理液により処理される。遠心力によりウエハWの外方に飛散した処理液は、回収カップ40により回収され排液口41から排出される。このとき行われる液処理としては、SC−1洗浄(アンモニア水及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄)、SC−2洗浄(塩酸及び過酸化水素水を純水で希釈した希釈薬液による洗浄)、純水リンス等が挙げられる。
The wafer W is carried into the
一例としてSC−1洗浄を行う場合について説明する。この場合、第2処理液ライン820に所定の組成(アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比)及び所定の温度を有するSC−1液を流す必要がある。アンモニア水、過酸化水素水、純水の混合比としては、例えば、1:1:5、1:1:100、1:4:20、1:2:50等処理に応じて様々に変更される可能性があり、温度も例えば35℃、60℃等処理に応じて様々に変更される可能性がある。どのような組成、温度とするかは、プロセスレシピにより予め定義されている。
As an example, a case where SC-1 cleaning is performed will be described. In this case, the SC-1 solution having a predetermined composition (a mixture ratio of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and pure water) and a predetermined temperature needs to flow through the second
アンモニア水を、ライン412を用い、先に説明した手順に従い、第2処理液ライン820に送り込む。また、過酸化水素水を、要求流量に応じて、大流量用のライン(212a,226a)または小流量用のライン(212b,226b)のいずれかを用い、先に説明した手順に従い、第2処理液ライン820に送り込む。アンモニア水及び過酸化水素水の流量は、制御装置4から定圧弁416,216にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図4を参照)送られた流量指令に基づいて制御される。なおこのとき、制御装置4は、要求流量に基づいて大流量用のライン及び小流量用のラインのいずれを用いるかを選択し、その選択結果に基づいて関連する開閉弁の開閉制御も行う。
Ammonia water is fed into the second
また、ライン512、516を用い、先に説明した手順に従い、加熱純水及び常温純水を第2処理液ライン820に送り込む。このとき、制御装置4は、上記の混合比が達成されるような加熱純水及び常温純水の合計流量を決定するとともに、混合の結果得られるSC−1液の温度がプロセスレシピにより定義された温度となるように、第2処理液ライン820に送り込む加熱純水の流量及び常温純水の流量(両者の流量比)を決定する。SC−1液の温度を高くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を増大させて常温純水の流量を減少させる(流量比の変更)。SC−1液の温度を低くする場合には、加熱純水の流量と常温純水の流量との和を一定に維持しつつ、加熱純水の流量を減少させて常温純水の流量を増大させる。
Further, the heated pure water and the room temperature pure water are fed into the second
制御装置4は、決定した加熱純水の流量と常温純水の流量に基づいて、制御装置4から定圧弁516,616にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図4を参照)流量指令を送り、この流量指令に基づいて、第2処理液ライン820に送り込まれる加熱純水の流量と常温純水の流量の制御がなされる。
Based on the determined heating pure water flow rate and room temperature pure water flow rate, the
この場合、勿論のこと、関係ない液(この場合、塩酸)が第2処理液ライン820に流入しないように、また、第1処理液ライン810を液が流れないように、必要な開閉弁の開閉制御がなされる。
In this case, as a matter of course, a necessary opening / closing valve of the irrelevant valve (in this case, hydrochloric acid) does not flow into the second
上記の加熱純水と常温純水の流量比を変更することによる処理液の温度調整は、薬液を純水で希釈してなる希釈薬液を処理液として用いる任意の場合に用いることができる。例えば、SC−2洗浄を行う際に、第1処理液ライン810に所定の組成(塩酸、過酸化水素水、純水の混合比)及び所定の温度を有するSC−2液を流す場合にも用いることができる。
The temperature adjustment of the treatment liquid by changing the flow ratio of the heated pure water and the room temperature pure water can be used in any case where a diluted chemical liquid obtained by diluting the chemical liquid with pure water is used as the treatment liquid. For example, when performing SC-2 cleaning, an SC-2 solution having a predetermined composition (mixing ratio of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and pure water) and a predetermined temperature is allowed to flow through the first
制御装置4は、処理液の種類(組成)が同じであってかつ当該処理液の指定温度も同じであるならば、当該処理液を調合する際の加熱純水の流量及び常温純水の流量を常時同じ値に制御してもよい。このようにすれば、制御が簡単になるため、処理液の温度精度要求レベルが比較的低い場合には有効である。
If the type (composition) of the treatment liquid is the same and the designated temperature of the treatment liquid is the same, the
しかし、半導体装置製造工場に備えられている加熱純水供給源及び常温純水供給源により供給される純水、特に常温純水の温度は、季節により若干変動することがあり、処理液の温度精度要求レベルが比較的高い場合には、上記の手法では対応しきれないこともある。この場合は、例えば次に例示した方法により加熱純水の流量及び常温純水の流量を補正することができる。 However, the temperature of the pure water supplied from the heating pure water supply source and the room temperature pure water supply source provided in the semiconductor device manufacturing factory, particularly the room temperature pure water, may vary slightly depending on the season. If the required accuracy level is relatively high, the above method may not be able to cope with it. In this case, for example, the flow rate of heated pure water and the flow rate of normal temperature pure water can be corrected by the method exemplified below.
第1処理液ライン810の第1処理液ノズル21になるべく近い位置に温度計810tを設け、第2処理液ライン820の第2処理液ノズル22になるべく近い位置に温度計820tを設ける。例えば、第1処理液ノズル21から処理液のダミーディスペンスを所定時間行い、そのときの温度計810tの検出値と、第1処理液ノズル21からウエハWに供給すべき第1処理液の目標温度との差に基づき、制御装置4が、定圧弁516,616にそれぞれ付設された流量コントローラ(CNTL)(図3を参照)に与える流量指令値を変更する。具体的には、温度計810tの検出値が目標温度より低(高)ければ加熱純水の流量を増大(減少)させて常温純水の流量を減少(増大)させて、加熱純水と常温純水の流量比を補正する。第2処理液ライン820を流れる希釈薬液についても上記と同様の補正を行うことができる。
A
このような補正は、ダミーディスペンス時以外にも行うことができる。例えば、第1処理液ライン810及び第2処理液ライン820を流れる希釈薬液の温度を常時監視して、常時(リアルタイム)温度補正が行われるようにしてもよい。なお、上記の補正をあまり高頻度で行うと、流量調節機器の寿命低下あるいは流量調節機器からのパーティクルの発生等の原因となり得るので、時間間隔を空けて定期的に行う方が好ましい。また、目標温度に対してある程度の幅の許容範囲を設けて、実際温度がこの許容範囲を外れたときだけ補正を行うようにすることも好ましい。
Such correction can be performed at times other than during dummy dispensing. For example, the temperature of the diluted chemical solution flowing through the first
上記に代えて、加熱純水用の主ライン504及び常温純水用の主ライン604にそれぞれ温度計505、605(図2を参照)を設け、これらの温度計505、605の測定結果に基づいて加熱純水と常温純水の流量比を補正することも可能である。
Instead of the above,
なお、希釈薬液の温度は以下の式により計算することができので、これに基づいて加熱純水と常温純水との混合比を決定または変更することができる。
希釈薬液の温度=[加熱純水の温度×加熱純水の流量+常温純水の温度×常温純水の流量+(各薬液についての薬液の温度×薬液の流量の和)]÷(加熱純水の流量+常温純水の流量+薬液の流量の総和)+(混合反応による発熱または吸熱寄与分)−(混合後の配管等を介した放熱寄与分)
In addition, since the temperature of a dilution chemical | medical solution can be calculated with the following formula | equation, the mixing ratio of heating pure water and normal temperature pure water can be determined or changed based on this.
Dilution chemical temperature = [heating pure water temperature x heating pure water flow rate + room temperature pure water temperature x room temperature pure water flow rate + (temperature of chemical liquid for each chemical solution x sum of chemical flow rates)] / (heating pure Water flow + normal temperature pure water flow + chemical flow total) + (heat generation or endothermic contribution due to mixing reaction)-(heat dissipation contribution through piping after mixing)
混合反応による発熱または吸熱寄与分は希釈薬液の組成が同じなら定数と見なして良く、また混合後の放熱寄与分についても希釈薬液の目標温度が同じなら定数と見なして良いので、加熱純水及び常温純水の総流量を一定に維持しつつ加熱純水と常温純水との混合比を変更する際の計算では無視して良い。なお、上記2つの定数は、実験により予め把握しておくことが可能であり、最初に加熱純水と常温純水との混合比を決定するときに用いることができる。 The exothermic or endothermic contribution due to the mixing reaction may be regarded as a constant if the composition of the diluted chemical solution is the same, and the exothermic contribution after mixing may be regarded as a constant if the target temperature of the diluted chemical solution is the same. It may be ignored in the calculation when changing the mixing ratio of heated pure water and normal temperature pure water while keeping the total flow rate of normal temperature pure water constant. The above two constants can be grasped in advance by experiments, and can be used when the mixing ratio of heated pure water and normal temperature pure water is first determined.
ところで、希釈薬液は再利用できるものも多く、希釈薬液を一度の使用で廃棄してしまうのは、省資源の観点から好ましくない。以下に、図5を参照して、希釈薬液の再利用を可能とする構成について説明する。 By the way, many of the diluting chemical solutions can be reused, and it is not preferable from the viewpoint of resource saving to discard the diluting chemical solution once. Below, with reference to FIG. 5, the structure which enables reuse of a dilution chemical | medical solution is demonstrated.
液受けカップ40の排液口41には、排液ライン900が接続されている。排液ライン900は分岐点900において、回収ライン902と、廃液ライン904とに分岐する。回収ライン902及び廃液ライン904にはそれぞれ開閉弁903,905が設けられている。回収ライン902は回収タンク906に接続されている。
A
回収タンク906には、回収タンク906から出て回収タンク906に戻ってくる循環ライン907が接続されている。循環ライン907には、上流側から順に、ポンプ908、ヒータ909及びフィルタ910が介設されている。
Connected to the
分岐点911において、循環ライン907から回収液再供給ライン912が分岐している。回収液再供給ライン912には、上流側から順に、開閉弁913と、定圧弁914及びオリフィス915等を含む流量調整機器とが設けられている。回収液再供給ライン912の末端には、回収液再供給ノズル22’が接続されている。
At the
一枚のウエハWに希釈薬液、例えばSC−1液を供給するとき、SC−1供給期間の前半においては、第1処理液ノズル22からの新しいSC−1液の供給は行わず、回収液再供給ノズル22’から使用済みのSC−1液をウエハWに供給する。すなわち開閉弁913が開かれ、循環ライン907を循環する使用済みのSC−1液がウエハWに供給される。このとき、開閉弁903が閉状態とされ、開閉弁905が開状態とされる。すなわち、ウエハWの処理に二回使用されたSC−1液は再度回収されることなく廃棄される。
When a diluted chemical solution, for example, SC-1 solution is supplied to one wafer W, in the first half of the SC-1 supply period, no new SC-1 solution is supplied from the first
一方、SC−1供給期間の後半においては、回収液再供給ノズル22’から使用済みのSC−1液の供給は行わず、清浄な新しいSC−1液を第1処理液ノズル22から供給する。この新しいSC−1液は、図2に示した処理液供給機構により供給されたものである。このとき、開閉弁903が開状態とされ、開閉弁905が閉状態とされる。すなわち、ウエハWの処理に供された後液受けカップ40の排液口41から排出されたSC−1液を回収タンク906に回収する。回収タンク906に回収されたSC−1液は、ポンプ908により循環ライン907を循環する。この循環中において、SC−1液はヒータ909により、ウエハWの処理に適した温度に維持される。
On the other hand, in the latter half of the SC-1 supply period, the used SC-1 solution is not supplied from the recovered
図5では、図面の簡略化のため、SC−1液の回収及び再利用に関する部分についてのみ示したが、他の薬液例えばSC−2液の回収及び再利用を可能とする構成を、同様に設けてもよい。 In FIG. 5, for simplification of the drawing, only the part related to the recovery and reuse of the SC-1 solution is shown. However, the configuration enabling the recovery and reuse of other chemical solutions such as the SC-2 solution is similarly applied. It may be provided.
上記実施形態によれば、温度だけが異なる同じ希釈液(ここでは純水)の混合比を変更することにより希釈薬液の温度を変更できるので、同じ組成(希釈液及び薬液の混合比)の異なる温度の希釈薬液を容易に供給することができる。勿論、異なる組成の異なる温度の多様な希釈薬液を容易に供給することもできる。また、季節の変化等により希釈液の温度が変化した場合でも、混合比を変更することにより、希釈液の実際温度を容易に目標温度に調節することができる。 According to the above embodiment, the temperature of the diluted chemical solution can be changed by changing the mixing ratio of the same dilution liquid (pure water here) that differs only in temperature, so the same composition (mixing ratio of the dilution liquid and the chemical liquid) is different. A dilute chemical solution at a temperature can be easily supplied. Of course, various diluting chemical solutions having different compositions and different temperatures can be easily supplied. Further, even when the temperature of the diluent changes due to seasonal changes or the like, the actual temperature of the diluent can be easily adjusted to the target temperature by changing the mixing ratio.
上記実施形態では、被処理体を処理する液処理装置が半導体ウエハ(シリコン基板)を処理する基板処理システム1であったが、これに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の他の基板を被処理体とするものであててもよい。
In the above embodiment, the liquid processing apparatus for processing the object to be processed is the
4 制御部
16 液処理ユニット
604 第1希釈液ライン(主ライン)
612 第1希釈液分岐ライン
504 第2希釈液ライン(主ライン)
512 第2希釈液分岐ライン
204,304,404 薬液ライン(主ライン)
212,312,412 薬液分岐ライン
810、820 希釈薬液ライン(処理液ライン)
614,616など 第1希釈液流量調整部
514,516など 第2希釈液流量調整部
214a,214b、216など 薬液流量調整部
810t、820t 温度計
4
612 First
512 Second dilution
212, 312, 412 Chemical
614, 616, etc. First diluent
Claims (8)
前記液処理ユニットに前記希釈薬液を供給する希釈薬液供給機構と、を備え、
前記希釈薬液供給機構は、
第1温度の希釈液が流れる第1希釈液ラインと、
第1温度より高温である第2温度の希釈液が流れる第2希釈液ラインと、
薬液が流れる薬液ラインと、
前記第1希釈液ラインより分岐した複数の第1希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第1希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第1希釈液流量調整部が設けられている、複数の第1希釈液分岐ラインと、
前記第2希釈液ラインより分岐した複数の第2希釈液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記第2希釈液ラインから流入する希釈液の流量を調整する第2希釈液流量調整部が設けられている、複数の第2希釈液分岐ラインと、
前記薬液ラインより分岐した複数の薬液分岐ラインであって、各々の経路上に、前記薬液ラインから流入する希釈液の流量を調整する薬液流量調整部が設けられている、複数の薬液分岐ラインと、
前記複数の液処理ユニットにそれぞれ前記希釈薬液を供給する複数の希釈薬液供給ラインであって、各々に、前記第1希釈液分岐ライン、前記第2希釈液分岐ライン及び前記薬液分岐ラインの各一つが接続されている、複数の希釈薬液供給ラインと、
を有している液処理装置。 A plurality of liquid processing units that perform liquid processing on the target object by supplying a diluted chemical to the target object;
A diluted chemical supply mechanism for supplying the diluted chemical to the liquid processing unit,
The dilution chemical supply mechanism is
A first diluent line through which a diluent at a first temperature flows;
A second diluent line through which a second temperature diluent that is higher than the first temperature flows;
A chemical line through which the chemical flows,
A plurality of first diluent branch lines branched from the first diluent line, and a first diluent flow rate adjusting unit that adjusts the flow rate of the diluent flowing from the first diluent line on each path A plurality of first diluent branch lines,
A plurality of second diluent branch lines branched from the second diluent line, and a second diluent flow rate adjusting unit that adjusts the flow rate of the diluent flowing from the second diluent line on each path A plurality of second diluent branch lines,
A plurality of chemical solution branch lines branched from the chemical solution line, each having a plurality of chemical solution branch lines provided with a chemical solution flow rate adjusting unit for adjusting the flow rate of the diluent flowing from the chemical solution line on each path; ,
A plurality of diluted chemical supply lines for supplying the diluted chemical liquid to the plurality of liquid processing units, respectively, each of the first diluted liquid branch line, the second diluted liquid branch line, and the chemical liquid branch line; A plurality of diluent supply lines connected to one another;
A liquid processing apparatus.
をさらに有しており、
前記制御部は、
予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の組成に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第1温度の希釈液と第2温度の希釈液の合計流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す薬液の流量と、を決定し、
さらに、予め設定された前記液処理ユニットに供給する希釈薬液の温度と、前記合計流量に基づいて、前記希釈薬液供給ラインに流す第1温度の希釈液の流量と、前記希釈薬液供給ラインに流す第2温度の希釈液の流量と、を決定し、
決定した前記各流量を元に前記第1希釈液流量調整部、前記第2希釈液流量調整部及び前記薬液ラインの薬液流量調整部を制御することを特徴とする液処理装置。 A control unit for individually controlling the first diluent flow rate adjusting unit, the second diluent flow rate adjusting unit, and the chemical solution flow rate adjusting unit of each of the chemical solution lines;
In addition,
The controller is
Based on the preset composition of the diluted chemical solution supplied to the liquid processing unit, the total flow rate of the first temperature diluent and the second temperature diluted solution flowing through the diluted solution supply line, and the diluted solution supply line Determine the flow rate of the chemical solution to be flown,
Further, based on the preset temperature of the diluted chemical solution supplied to the liquid processing unit and the total flow rate, the flow rate of the first temperature diluted solution to be supplied to the diluted chemical solution supply line and the flow rate to the diluted chemical solution supply line Determine the flow rate of the second temperature diluent,
A liquid processing apparatus that controls the first diluent flow rate adjustment unit, the second diluent flow rate adjustment unit, and the chemical solution flow rate adjustment unit of the chemical solution line based on the determined flow rates.
各希釈薬液供給ラインに対して、第1希釈液ラインから第1温度の希釈液を流入させ、第2希釈液ラインから第1温度より高温である第2温度の希釈液を流入させ、かつ、少なくとも1つの薬液ラインから薬液を流入させることと、
前記各希釈薬液供給ライン内で前記第1温度の希釈液、前記第2温度の希釈液及び前記薬液を相互に混合して予め設定された組成になるように希釈薬液を生成するとともに、生成した希釈薬液を被処理体に供給することと、
予め設定された希釈薬液の温度に応じて、前記各希釈薬液供給ラインに流入する前記第1希釈液ラインからの第1温度の希釈液の流量と、前記第2希釈液ラインからの第2温度の希釈液の流量との比を変化させることと、
を備えた液処理方法。 In a liquid processing method of supplying a diluted chemical solution from a corresponding diluent supply line to each of a plurality of objects to be processed and simultaneously performing liquid processing on each object to be processed,
A dilution liquid having a first temperature is caused to flow from the first dilution liquid line, a dilution liquid having a second temperature higher than the first temperature is caused to flow from the second dilution liquid line to each dilution chemical liquid supply line, and Flowing a chemical from at least one chemical line;
In each of the dilution chemical supply lines, the dilution liquid of the first temperature, the dilution liquid of the second temperature, and the chemical liquid are mixed with each other to generate a diluted chemical liquid so as to have a preset composition. Supplying a diluted chemical to the object to be treated;
The flow rate of the diluent at the first temperature from the first diluent liquid flowing into the diluent liquid supply line and the second temperature from the second diluent liquid line in accordance with the preset temperature of the diluent liquid. Changing the ratio with the flow rate of the dilution liquid,
A liquid processing method comprising:
測定された希釈薬液の実際温度が目標温度となるように、対応する希釈液供給ラインに流入する前記第1温度の希釈液の流量と前記第2温度の希釈液の流量との比を補正することと、
をさらに備えた請求項6記載の基板液処理方法。 Measuring the actual temperature of the diluent liquid flowing through each of the diluent liquid supply lines;
The ratio between the flow rate of the diluent at the first temperature and the flow rate of the diluent at the second temperature that flows into the corresponding diluent supply line is corrected so that the actual temperature of the measured diluted drug solution becomes the target temperature. And
The substrate liquid processing method according to claim 6, further comprising:
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