JP2022181774A - 反射型エンコーダスケール及びエンコーダスケールユニット - Google Patents

Abstract

【課題】製造が容易で且つ高精度なパターン幅精度を示す反射型エンコーダスケールを得ること。
【解決手段】反射型エンコーダスケールは、平行又は同心円状に配列された複数の線状部７１を含むレジストパターン部７２、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の一方の端部７３に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い又はレジストパターン部７２より面積が大きい第１アンカーパターン部７４、及びレジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の他方の端部７５に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い又はレジストパターン部７２より面積が大きい第２アンカーパターン部７６を有するマスク７０を用いてめっき処理で形成された低反射部を有する。
【選択図】図９

Description

本開示は、例えば高精度に位置情報を検出するために用いられるリニアエンコーダ又はロータリーエンコーダに使用される反射型エンコーダスケール及びエンコーダスケールユニットに関する。

位置、角度及び速度を精密且つ正確に計測するための各種センサ、及び高精度な制御機器の駆動のための検出器として、反射型エンコーダが広く用いられる。反射型エンコーダは、光源、スケール及び受光部から主に構成され、スケールの表面で反射された光源からの入射光を受光部で検出し、得られた反射強度から機械的変位量の情報を取得する。

スケールの表面は規則的なパターンを有しており、一般的に、スケールは、低反射層の上にストライプパターンを有する高反射部を形成することによって、又は高反射層の上にストライプパターンを有する低反射部を形成することによって形成される。ストライプパターンとは、細線パターンが幅方向に平行又は同心円状に複数配列されて構成される縞模様のことをいう。測定精度の観点から、スケールの高反射部又は低反射部に対する反射率のコントラスト、及びＳＮ（signal-to-noise）比が高いことが望ましく、ＳＮ比の値は例えばストライプパターンの寸法の精度、材質及び形状に大きく依存する。

従来の反射型エンコーダスケールの製造方法では、製造工程の短縮及び容易化のために、スケール基材の表面自体をそのまま高反射部として利用し、スケール基材の上にストライプパターンを有する低反射部を形成することで、高反射部を形成するプロセスを省くことができる。特許文献１は、スケール基材として鏡面加工を施した金属板を使用し、フォトリソグラフィプロセスにより、後工程で加工を施さない領域を保護するために、レジストパターンを形成する技術を開示している。加えて、特許文献１は、レジストパターンを保護マスクとしてエッチング処理又はサンドブラスト処理を施すことにより、スケール基材の表面を粗化することで低反射部を形成する技術を開示している。

特許文献２は、特許文献１と同様に、ステンレス鋼の上にフォトリソグラフィプロセスでレジストマスクを形成し、その後、低反射材質のめっき膜をマスク開口部にのみ形成することで、所望のストライプパターンを有する低反射部を形成する技術を開示している。

特許文献３は、スケール基材とレジストとの密着性を向上させるため、レジストパターニングの後に紫外線照射又はプラズマ照射の工程を追加する技術を開示している。

例えば、エンコーダユニットでは、反射型エンコーダスケールの寸法精度の不良又はパターン配置の乱れに起因する散乱光が、反射率のコントラスト及びＳＮ比の低下に影響し、エンコーダユニットの検出精度を悪くする。

特開２０１３－１１７５１２号公報 特開２０１６－２１２０２７号公報 特開平１１－３０５０１６号公報

特許文献１の反射型エンコーダスケールでは、鏡面加工を施した金属板の表面を高反射部として利用し、当該高反射部の反射率より低い反射率を示すストライプパターンを有する低反射部が当該金属板の表面に形成される。低反射部は、フォトリソグラフィプロセスによるレジストパターニングの後に、溶液によるエッチング処理又はサンドブラスト処理を施すことで形成され、それにより、特許文献１の反射型エンコーダスケールは反射率が高いコントラスト及び高いＳＮ比を得る。しかしながら、特許文献１が開示している技術には、エッチング処理中又はサンドブラスト処理中に高反射部を保護するためのレジストマスクの浮き又は剥がれが生じた場合、最終的に形成されるストライプパターンの寸法精度が悪くなるという課題がある。

特許文献２の反射型エンコーダスケールでは、レジストパターニングの後にめっき処理により黒色膜を形成することにより低反射部が形成される。レジストパターンをマスクとして使用するめっき処理においては、レジストマスクの浮き若しくは剥がれ、又はめっきもぐりを抑制するために、使用されるめっき液に対する耐薬品性はもとより、スケール基材とレジストパターン部との密着性の確保が重要となる。

特許文献３が開示している技術では、スケール基材とレジストとの密着性を向上させるため、レジストパターニングの後に紫外線照射又はプラズマ照射の工程が追加されており、製造工程の数が増加する。

本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、製造が容易で且つ高精度なパターン幅精度を示す反射型エンコーダスケールを得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る反射型エンコーダスケールは、平行又は同心円状に配列された複数の線状部を含むレジストパターン部、レジストパターン部に含まれている複数の線状部の各々の一方の端部に接続されていてレジストパターン部の幅より広い又はレジストパターン部より面積が大きい第１アンカーパターン部、及びレジストパターン部に含まれている複数の線状部の各々の他方の端部に接続されていてレジストパターン部の幅より広い又はレジストパターン部より面積が大きい第２アンカーパターン部を有するマスクを用いてめっき処理で形成された低反射部を有する。

本開示に係る反射型エンコーダスケールは、製造が容易で且つ高精度なパターン幅精度を示すことができるという効果を奏する。

実施の形態１に係るエンコーダスケールユニットの断面を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの断面を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態１で使用されるマスクの例を示す図 レジストパターン部を有するが第１アンカーパターン部及び第２アンカーパターン部を有しないマスクを示す図 レジストパターン部及び第２アンカーパターン部を有するが第１アンカーパターン部を有しないマスクを示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの断面を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図 実施の形態２に係る反射型エンコーダスケールの製造工程を示す図

以下に、実施の形態に係る反射型エンコーダスケール及びエンコーダスケールユニットを図面に基づいて詳細に説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係るエンコーダスケールユニット１００の断面を示す図である。図１では、エンコーダスケールユニット１００の一部の構成要素には、ハッチングは付与されていない。エンコーダスケールユニット１００は、反射型エンコーダスケール１と、反射型エンコーダスケール１に対して光１０１を入射するための光源２と、反射型エンコーダスケール１で反射された光１０２を検出するための受光部３とを有する。反射型エンコーダスケール１は、スケール基材１０と、スケール基材１０の表面の側に位置している低反射部２０とを有する。

図２は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の断面を示す図である。図２では、スケール基材１０には、ハッチングは付与されていない。低反射部２０は、あらかじめ決められたピッチで配列された複数の線状反射部２１を有する黒色めっき膜のパターン部を有する。低反射部２０の最表面は、低反射面２２と呼称される。低反射部２０のパターンの開口部に露出したスケール基材１０の表面は、高反射面１１と呼称される。高反射面１１は、光の反射率が低反射部２０より高い高反射部である。

光源２から反射型エンコーダスケール１に到来する光１０１は、低反射面２２及び高反射面１１で反射されて反射光となり、最終的に受光部３で検出される。光１０１は入射光１０１と記載される場合があり、低反射面２２及び高反射面１１で反射された光は反射光１０２と記載される場合がある。低反射面２２からの反射光１０２の反射率が高反射面１１からの反射光１０２の反射率と異なることから、エンコーダスケールユニット１００は反射強度の明暗を示す明暗パターン情報を取得することができる。

スケール基材１０は、入射光１０１に対して、低反射部２０より高い反射率を示すステンレス鋼で形成されている。低反射部２０は、黒色めっき膜で形成されている。低反射部２０は、使用される光１０１の波長においてスケール基材１０からの反射光１０２が受光部３に到達しないように光１０１の吸収率が高く、高反射面１１より反射率が低い材料で形成されている。望ましくは、低反射部２０の反射率は、使用される光１０１について１０％以下である。

黒色めっき膜は、例えば、黒クロム又は黒ニッケルで形成されている。低反射部２０は、一般的なフォトリソグラフィプロセスでレジストパターン部を形成した後、黒色めっき処理及びレジスト除去を実施することで形成される。

図３から図８の各々は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造工程を示す図である。図３は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１が有するスケール基材１０を示している。上述の通り、スケール基材１０はステンレス鋼で形成されている。例えば、スケール基材１０を形成しているステンレス鋼は、ＳＵＳ（Stainless Used Steel）３０３又はＳＵＳ３０４である。

図４は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法において、スケール基材１０の上にドライフィルムレジスト５０を貼付する工程を示している。図４に示されるように、スケール基材１０の上にドライフィルムレジスト５０を貼付する。例えば、真空ラミネータ装置を用いたラミネータ法でスケール基材１０の上にドライフィルムレジスト５０を貼付する。ドライフィルムレジスト５０は、例えば、旭化成社製のＡＱ－１５５８又は三菱製紙社製のＭＳ９０２５の製品の膜である。以下の工程においてドライフィルムレジスト５０に対してフォトリソグラフィプロセスを実施し、ドライフィルムレジスト５０に微細パターンを形成する。

ドライフィルムレジスト５０の代わりにドライフィルムレジスト５０より薄膜化が可能な液状レジストが使用されてもよいが、後工程で低反射部２０を形成する際にドライフィルムレジスト５０から形成されるレジストパターン部をマスクとして使用する観点から、液状レジストではなくドライフィルムレジスト５０が用いられる方がめっき耐性及びエッチング耐性の面で有利である。

なお、スケール基材１０の上にドライフィルムレジスト５０を貼付する前に、スケール基材１０とドライフィルムレジスト５０との密着性を向上させるために、スケール基材１０の表面に対して表面処理を施してもよい。例えば、表面処理は、プラズマ処理、又は密着層の追加である。例えば、密着層はヘキサメチルジシラザンで形成される層である。

次に、図５に示されるように、スケール基材１０の表面に貼付されたドライフィルムレジスト５０に対して、フォトマスク６０を介した露光を実施する。図５は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法において、ドライフィルムレジスト５０を露光する工程を示している。フォトマスク６０の一方の面には、紫外光６３を通さない遮光部６１と、紫外光６３を通す透過部６２とが形成されている。つまり、フォトマスク６０はパターンを有する。例えば、遮光部６１はクロム膜で形成される。フォトマスク６０を介した露光を実施することで、ドライフィルムレジスト５０に対して、遮光部６１と透過部６２とによって構成されるパターンに対応して選択的に紫外光６３をドライフィルムレジスト５０に照射することが可能となる。

ドライフィルムレジスト５０は一般的にネガ型の感光特性を示すことから、ドライフィルムレジスト５０のうちの紫外光６３に一定量曝された部分は架橋反応を起こす。そのため、後の現像工程でドライフィルムレジスト５０が現像液で処理される際、ドライフィルムレジスト５０の未感光部のみが溶解し、ドライフィルムレジスト５０の感光部のみがスケール基材１０の表面に残ることになる。

次に、図６に示されるように、ドライフィルムレジスト５０のうちの露光処理時に光が照射されていない部分だけを除去する。図６は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法において、ドライフィルムレジスト５０のうちの露光処理時に光が照射されていない部分だけを除去する現像工程を示している。例えば、現像処理は、スケール基材１０に貼付されたドライフィルムレジスト５０を現像液に浸漬するディップ処理、又は現像液をドライフィルムレジスト５０に噴霧するスプレー処理である。現像工程により、低反射部２０を形成するためのマスクが形成される。

次に、図７に示されるように、ドライフィルムレジスト５０から形成されたレジストパターン部を有するマスクが表面に形成されたスケール基材１０に対して、めっき処理により黒色膜を形成することにより、低反射部２０を形成する。図７は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法において、ドライフィルムレジスト５０から形成されたマスクを用いてめっき処理で低反射部２０を形成する工程を示している。

レジストパターン部を有するマスクは、スケール基材１０に貼付されていることから、マスクが貼付されたスケール基材１０がめっき浴に浸漬された場合、マスクが位置する部位のスケール基材１０の表面にめっき液が到達することを阻害する。レジストパターン部は、めっき処理中にマスクとしての役割を果たすことから、マスキングパターン部とも呼称される。黒色膜は、例えば電気めっき又は無電解めっきによって形成される。

最後に、マスクを除去するレジスト除去工程を行って、図８に示されるように、スケール基材１０の上に、複数の線状反射部２１で構成されるストライプパターン部を有する低反射部２０を形成する。図８は、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法において、スケール基材１０の上に低反射部２０を形成する工程を示している。

図９は、実施の形態１で使用されるマスク７０の例を示す図である。マスク７０は、スケール基材１０の表面に貼付されたドライフィルムレジスト５０から形成され、平行に配列された複数の線状部７１を含むレジストパターン部７２を有する。例えば、複数の線状部７１の各々の幅は、数十ｕｍである。マスク７０は、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の一方の端部７３に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第１アンカーパターン部７４と、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の他方の端部７５に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第２アンカーパターン部７６とを更に有する。マスク７０は、図４から図６を用いて説明した方法によって形成される。

図１０は、レジストパターン部７２を有するが第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を有しないマスク７７を示す図である。図１０には、スケール基材１０も示されている。図９に示されるマスク７０は、第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を有するので、図１０に示される第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を有しないマスク７７に比べてスケール基材１０の表面との接触面積が大きい。そのため、図９に示されるマスク７０のスケール基材１０との密着性は、図１０に示されるマスク７７のスケール基材１０との密着性よりよい。

図１１は、レジストパターン部７２及び第２アンカーパターン部７６を有するが第１アンカーパターン部７４を有しないマスク７８を示す図である。図１１には、スケール基材１０も示されている。図９に示されるマスク７０は、第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を有するので、図１１に示される第１アンカーパターン部７４を有しないマスク７８に比べてスケール基材１０の表面との接触面積が大きい。そのため、図９に示されるマスク７０のスケール基材１０との密着性は、図１１に示されるマスク７８のスケール基材１０との密着性よりよい。

マスク７８には、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の一方の端部７３がめっき処理時のレジストパターン部７２の浮き及び剥がれの起点となり得るという短所がある。図９に示されるマスク７０は、第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を有するので、めっき処理時のレジストパターン部７２の浮き及び剥がれを抑制することができる。

第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６は、最終製品に支障が出ないサイズ、且つ支障が出ない領域に形成される必要がある。レジストパターン部７２の近傍に既存パターン部が存在している場合、既存パターン部が第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６の一方又は双方に活用されることが望ましい。

上述の通り、反射型エンコーダスケール１は、スケール基材１０と、マスク７０を用いてめっき処理で形成された低反射部２０とを有する。マスク７０は、平行に配列された複数の線状部７１を含むレジストパターン部７２と、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の一方の端部７３に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第１アンカーパターン部７４と、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の他方の端部７５に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第２アンカーパターン部７６とを有する。

低反射部２０は、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１によって特定されるピッチで配列された複数の線状反射部２１を有するめっき膜のパターン部を有する。更に言うと、低反射部２０は、スケール基材１０の表面の側に位置していて、複数の線状部７１によって特定されるピッチで平行に配列された複数の線状反射部２１を有するめっき膜のストライプパターン部を有している。低反射部２０は、黒色めっきによって形成されている。

異なるパターンを有する二つのフォトマスクを用いて複数回の露光を行って反射型エンコーダスケール１を製造することもできる。その場合、複数回の露光で位置ずれが生じないように高精度なアライメントが必要になる。そのため、レジストパターン部７２、第１アンカーパターン７４部及び第２アンカーパターン部７６を同一のドライフィルムレジスト５０に設計し、１度の露光でレジストパターン部７２、第１アンカーパターン部７４及び第２アンカーパターン部７６を形成することが望ましい。

実施の形態１によれば、反射率の比較的高いコントラスト及び比較的高いＳＮ比を確保することができ、且つパターン幅精度を向上させることができる。すなわち、実施の形態１によれば、スケール基材１０と低反射部２０との密着性を確保することができ、それによって、高精度なパターン幅精度を有する高信頼性の反射型エンコーダスケール１を比較的容易に製造することができるという効果が得られる。更に言うと、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１は、製造が容易で且つ高精度なパターン幅精度を示すことができる。

実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１は、図９に示される平行に配列された複数の線状部７１を含むレジストパターン部７２と、レジストパターン部７２の一方の端部７３に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第１アンカーパターン部７４と、レジストパターン部７２の他方の端部７５に接続されていてレジストパターン部７２の幅より広い第２アンカーパターン部７６とを有するマスク７０を用いてめっき処理で形成された低反射部２０を有する。マスク７０が第１アンカーパターン部７４と第２アンカーパターン部７６とを有するので、反射型エンコーダスケール１が有するスケール基材１０と低反射部２０との密着性は従来のスケール基材と低反射部との密着性よりよい。更に言うと、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法は、メッキ処理時のマスク７０の浮き若しくは剥がれ又はめっきもぐりを抑制することができる。

実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法では、高反射面１１を有するスケール基材１０の表面に黒色めっき膜の低反射部２０を形成する。高反射部を別途追加で付与する必要がないため、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１の製造方法は、製造工程を増やすことなく、反射型エンコーダスケール１を比較的容易に製造させることができ、ひいては製造コストを抑制することができる。

なお、マスク７０が有する第１アンカーパターン部７４は、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の一方の端部７３に接続されていてレジストパターン部７２より面積が大きい構成要素であってもよい。マスク７０が有する第２アンカーパターン部７６は、レジストパターン部７２に含まれている複数の線状部７１の各々の他方の端部７５に接続されていてレジストパターン部７２より面積が大きい構成要素であってもよい。

実施の形態２．
図１２は、実施の形態２に係る反射型エンコーダスケール１Ａの断面を示す図である。図１２では、スケール基材１０には、ハッチングは付与されていない。反射型エンコーダスケール１Ａは、スケール基材１０と、低反射部２０と、スケール基材１０と低反射部２０との間に位置する金属膜３０とを有する。反射型エンコーダスケール１Ａは、金属膜３０を有する点で、実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１と異なる。実施の形態２では、実施の形態１との相違点を主に説明する。金属膜３０は、具体的には、スケール基材１０の表面に形成されている。実施の形態２では、金属膜３０の表面にフォトリソグラフィプロセスとめっき処理とを行うことによって、低反射部２０を形成する。

実施の形態２では、スケール基材１０は、ガラス、プラスチック又は金属で形成されている。スケール基材１０の表面に金属膜３０が形成されるため、スケール基材１０の材料の選定において光学特性の制限はない。そのため、反射型エンコーダスケール１Ａが使用される環境に適したスケール基材１０を選定することができ、スケール基材１０の材料の選定についての自由度は実施の形態２の方が実施の形態１より高い。

金属膜３０は、入射光に対して、低反射部２０より高い反射率を示す金属で形成されている。例えば、金属膜３０を形成する金属は、アルミ、クロム、ニッケル又はモリブデンである。例えば、金属膜３０は、真空蒸着法又はスパッタリング法で形成される。

図１３から図１９の各々は、実施の形態２に係る反射型エンコーダスケール１Ａの製造工程を示す図である。図１３及び図１５から図１９が示す製造工程は、実施の形態１の図３から図８が示す製造工程と同様の製造工程である。実施の形態２では、図１４に示されるように、スケール基材１０の表面に、高反射部として利用するための金属膜３０を形成する。

図１５は、実施の形態２に係る反射型エンコーダスケール１Ａの製造方法において、スケール基材１０の表面に形成された金属膜３０の上にドライフィルムレジスト５０を貼付する工程を示している。実施の形態１と同様に、ドライフィルムレジスト５０を金属膜３０に貼付する前に、金属膜３０とドライフィルムレジスト５０との密着性を向上させるために、金属膜３０の表面に対して表面処理を施してもよい。例えば、表面処理は、プラズマ処理、又は密着層の追加である。例えば、密着層はヘキサメチルジシラザンで形成される層である。

反射型エンコーダスケール１Ａの製造方法を説明する。図１４に示されるように、スケール基材１０の表面に金属膜３０を形成する。次に、図１５に示されるように、金属膜３０の表面に、例えば真空ラミネータ装置を使用してドライフィルムレジスト５０を貼付する。次に、図１６に示されるように、ドライフィルムレジスト５０に対して、あらかじめ決められたパターンを有するフォトマスク６０を介した露光を施す。例えば、数十ｕｍ幅の複数の線状部で構成されるレジストパターン部の両端が当該レジストパターン部の幅より広いアンカーパターン部に接続されたマスクを現像後に形成することができるように設計されたフォトマスク６０を使用する。

次に、図１７に示されるように、現像工程によって、ドライフィルムレジスト５０のなかの露光処理時に光が照射されなかった部分だけを除去する。前述までのフォトリソグラフィプロセスによりレジストパターン部を有するマスクをドライフィルムレジスト５０から形成し、図１８に示されるように、レジストパターン部を有するマスクを用いて黒色めっき膜を成膜する。例えば、黒色めっき膜は、電気めっき又は無電解めっきによって形成される。最後に、レジスト除去工程を行って、図１９に示されるように、スケール基材１０の上に、反射率が比較的高い金属膜３０を介して、ストライプパターン部を有する低反射部２０を形成する。

実施の形態２によれば、スケール基材１０を構成する材料において光学特性上の制限がなく、反射型エンコーダスケール１Ａの使用環境に合わせて耐性の比較的高いスケール基材１０を選択することができ、例えば酸化、湿気及び熱によるスケール基材１０の経年劣化を抑えることができる。

実施の形態１及び２において、ストライプパターン部を有する低反射部２０を形成した後、低反射部２０及び高反射面１１を保護するため、入射光１０１に対して透明な保護層を積層してもよい。それによって、エンコーダスケールユニット１００の耐環境性を高くすることができ、例えば湿気又は物理的接触といった外的要因によるパターン精度の低下を抑制及び防止することができる。

実施の形態１に係る反射型エンコーダスケール１及び実施の形態２に係る反射型エンコーダスケール１Ａは、リニアエンコーダへ適用することも、ロータリーエンコーダに適用することもできる。

以上の実施の形態に示した構成は、一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、実施の形態同士を組み合わせることも可能であるし、要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略又は変更することも可能である。

１，１Ａ 反射型エンコーダスケール、２ 光源、３ 受光部、１０ スケール基材、１１ 高反射面、２０ 低反射部、２１ 線状反射部、２２ 低反射面、３０ 金属膜、５０ ドライフィルムレジスト、６０ フォトマスク、６１ 遮光部、６２ 透過部、６３ 紫外光、７０，７７，７８ マスク、７１ 線状部、７２ レジストパターン部、７３，７５ 端部、７４ 第１アンカーパターン部、７６ 第２アンカーパターン部、１００ エンコーダスケールユニット、１０１ 入射光、１０２ 反射光。

Claims (7)

1. 平行又は同心円状に配列された複数の線状部を含むレジストパターン部、前記レジストパターン部に含まれている前記複数の線状部の各々の一方の端部に接続されていて前記レジストパターン部の幅より広い又は前記レジストパターン部より面積が大きい第１アンカーパターン部、及び前記レジストパターン部に含まれている前記複数の線状部の各々の他方の端部に接続されていて前記レジストパターン部の幅より広い又は前記レジストパターン部より面積が大きい第２アンカーパターン部を有するマスクを用いてめっき処理で形成された低反射部
   を備えることを特徴とする反射型エンコーダスケール。
2. スケール基材を更に備え、
   前記低反射部は、前記スケール基材の表面の側に位置していて、前記複数の線状部によって特定されるピッチで平行又は同心円状に配列された複数の線状反射部を有するめっき膜のストライプパターン部を有しており、
   前記スケール基材の表面は、光の反射率が前記低反射部より高い高反射部である
   ことを特徴とする請求項１に記載の反射型エンコーダスケール。
3. 前記マスクは、ドライフィルムレジストから形成されており、
   前記低反射部は、黒色めっきによって形成されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型エンコーダスケール。
4. 前記スケール基材は、ステンレス鋼で形成されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の反射型エンコーダスケール。
5. 前記スケール基材と前記低反射部との間に位置する金属膜
   を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の反射型エンコーダスケール。
6. 前記スケール基材は、ガラス、プラスチック又は金属で形成されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の反射型エンコーダスケール。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の反射型エンコーダスケールと、
   前記反射型エンコーダスケールに対して光を入射するための光源と、
   前記反射型エンコーダスケールで反射された光を検出するための受光部と
   を備えることを特徴とするエンコーダスケールユニット。

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