JP2022178485A

JP2022178485A - Electronic component

Info

Publication number: JP2022178485A
Application number: JP2021085327A
Authority: JP
Inventors: 優樹丸屋; Yuki Maruya; 徹西舘; Toru Nishidate; 基山内; Motoi Yamauchi; 亮太岩渕; Ryota Iwabuchi
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2021-05-20
Filing date: 2021-05-20
Publication date: 2022-12-02

Abstract

To reduce the warpage of a lid.SOLUTION: An acoustic wave device 100 comprises: a support substrate 10; an acoustic wave element 50 provided above the support substrate 10; a frame body 18 which is provided on the support substrate 10 in a manner surrounding the acoustic wave element 50 in plan view; a lid 30 which is provided on the frame body 18 in a manner sandwiching a gap 22 together with the support substrate 10 so as to seal the acoustic wave element 50 inside the gap 22; a columnar body 26 which is provided between the support substrate 10 and the lid 30 inside the gap 22; and a slender reinforcement part 32 which is provided on a surface on the gap 22 side of the lid 30, and which has a length longer than the width of the columnar body 26.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子部品に関する。 The present invention relates to electronic components.

機能素子を空隙内に封止することが知られている（例えば特許文献１から特許文献３）。機能素子を囲む枠体上にリッドを設け、リッドと基板との間の空隙内に機能素子を封止する電子部品が知られている（例えば特許文献４）。リッドに圧力が加わった場合でも、リッドが撓むことを抑制するために、空隙内で基板とリッドとの間に柱状体を設けることが知られている（例えば特許文献５）。 It is known to seal functional elements in air gaps (eg US Pat. An electronic component is known in which a lid is provided on a frame surrounding a functional element and the functional element is sealed in a gap between the lid and the substrate (for example, Patent Document 4). In order to prevent the lid from bending even when pressure is applied to the lid, it is known to provide a columnar body between the substrate and the lid within the gap (for example, Patent Document 5).

特開２００１－１０２８９４号公報JP 2001-102894 A 特開２００６－１９６７９９号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-196799 特開２０１８－１６０８２９号公報JP 2018-160829 A 特開２０１６－１５２６１２号公報JP 2016-152612 A 特開２０２１－５２３５９号公報JP 2021-52359 A

しかしながら、特許文献５に記載のように基板とリッドとの間に柱状体を設けた場合でも、リッドの撓みを低減する点において改善の余地が残されている。 However, even when a columnar body is provided between the substrate and the lid as described in Patent Document 5, there is still room for improvement in terms of reducing the bending of the lid.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、リッドの撓みを低減することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to reduce the bending of the lid.

本発明は、基板と、前記基板上に設けられる機能素子と、平面視して前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられる枠体と、前記基板とで空隙を挟んで前記枠体上に設けられ、前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、前記空隙内において前記基板と前記リッドとの間に設けられ、前記基板に対して前記リッドを支持する柱状体と、前記リッドの前記空隙側の面に設けられ、平面視して細長形状をしていて、長さが前記柱状体の長さよりも長い補強部と、を備える電子部品である。 The present invention comprises a substrate, a functional element provided on the substrate, a frame provided on the substrate surrounding the functional element in a plan view, and a space between the substrate and the frame on the frame. a lid provided in the gap to seal the functional element; a columnar body provided in the gap between the substrate and the lid to support the lid with respect to the substrate; and a reinforcing portion provided on the surface on the side of the void, having an elongated shape in plan view, and having a length longer than the length of the columnar body.

上記構成において、前記補強部は、平面視して前記柱状体と重なって設けられ、前記柱状体は、前記補強部を介して前記リッドを支持する構成とすることができる。 In the above configuration, the reinforcing portion may be provided so as to overlap with the columnar body in plan view, and the columnar body may support the lid via the reinforcing portion.

上記構成において、前記リッドは、平面視して略矩形状であり、前記補強部は細長形状であり、前記補強部の長手方向の長さは前記長手方向と同じ方向における前記リッドの長さに対して１／２以上である構成とすることができる。 In the above configuration, the lid has a substantially rectangular shape in plan view, the reinforcing portion has an elongated shape, and the length of the reinforcing portion in the longitudinal direction is equal to the length of the lid in the same direction as the longitudinal direction. It can be configured to be 1/2 or more.

上記構成において、前記枠体は、四辺を有する略矩形の環状であり、前記補強部は、前記枠体の対向する辺の両方に接している構成とすることができる。 In the above configuration, the frame may have a substantially rectangular ring shape having four sides, and the reinforcing portion may be in contact with both opposing sides of the frame.

上記構成において、前記補強部は、平面視における前記リッドの中心を通って設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the reinforcing portion may be provided through the center of the lid in plan view.

上記構成において、前記補強部の幅は、前記柱状体の長さの０．５倍以上３倍以下である構成とすることができる。 In the above configuration, the width of the reinforcing portion may be 0.5 to 3 times the length of the columnar body.

上記構成において、前記リッド、前記柱状体、および前記補強部は、金属またはシリコンを主成分とする構成とすることができる。 In the above configuration, the lid, the columnar body, and the reinforcing portion may be composed mainly of metal or silicon.

上記構成において、前記機能素子は弾性波素子である構成とすることができる。 In the above configuration, the functional element may be an elastic wave element.

上記構成において、前記弾性波素子によりフィルタが形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, a filter may be formed by the acoustic wave element.

上記構成において、前記フィルタによりマルチプレクサが形成されている構成とすることができる。 In the above configuration, the filters may form a multiplexer.

本発明によれば、リッドの撓みを低減することができる。 According to the present invention, bending of the lid can be reduced.

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、実施例１におけるリッドの平面図である。1A is a plan view of an acoustic wave device according to Example 1, and FIG. 1B is a plan view of a lid in Example 1. FIG. 図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。2(a) is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1(a), and FIG. 2(b) is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1(a). 図３は、実施例１における弾性波素子の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the acoustic wave device in Example 1. FIG. 図４（ａ）はフィルタの回路図、図４（ｂ）はディプレクサのブロック図である。FIG. 4(a) is a circuit diagram of the filter, and FIG. 4(b) is a block diagram of the diplexer. 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。5A to 5C are cross-sectional views (part 1) showing the method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。6A and 6B are cross-sectional views (Part 2) showing the method of manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. 図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例１から変形例３に係る弾性波デバイスの断面図である。FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views of acoustic wave devices according to modified examples 1 to 3 of the first embodiment. 図８（ａ）から図８（ｃ）は、比較例１から比較例３に係る弾性波デバイスの断面図である。8A to 8C are cross-sectional views of acoustic wave devices according to Comparative Examples 1 to 3. FIG. 図９は、シミュレーションに用いたモデルの平面図である。FIG. 9 is a plan view of the model used for the simulation. 図１０（ａ）から図１０（ｇ）は、モデルＡからモデルＧにおける図９のＡ－Ａ断面図である。10(a) to 10(g) are sectional views of models A to G taken along the line AA in FIG. 図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、シミュレーションしたリッドのモデルＨ、Ｉ、Ｊの平面図である。11(a) to 11(c) are plan views of simulated lid models H, I, and J. FIG. 図１２（ａ）から図１２（ｈ）は、柱状体および補強部の他の例を示す平面図である。FIGS. 12(a) to 12(h) are plan views showing other examples of columnar bodies and reinforcing portions. 図１３（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１３（ｂ）は、実施例２における弾性波素子の断面図である。13A is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Example 2, and FIG. 13B is a cross-sectional view of an acoustic wave element according to Example 2. FIG.

以下、図面を参照し、本発明の実施例について、電子部品として弾性波デバイスの場合を例に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, taking an acoustic wave device as an example of an electronic component.

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の平面図、図１（ｂ）は、実施例１におけるリッド３０の平面図である。図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。図１（ａ）は、リッド３０を透視して、支持基板１０、圧電層１２、ビア配線１６、枠体１８、配線２０、柱状体２６、補強部３２、および弾性波素子５０を主に示している。図１（ｂ）は、リッド３０を透視して補強部３２を図示している。図１（ａ）では、図の明瞭化のために、枠体１８、配線２０、補強部３２、および弾性波素子５０にハッチングを付している。図１（ａ）、図１（ｂ）、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示すように、実施例１の弾性波デバイス１００は、支持基板１０の上面に圧電層１２が接合されている。 1A is a plan view of an acoustic wave device 100 according to Example 1, and FIG. 1B is a plan view of a lid 30 in Example 1. FIG. 2(a) is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1(a), and FIG. 2(b) is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1(a). FIG. 1A mainly shows the support substrate 10, the piezoelectric layer 12, the via wiring 16, the frame 18, the wiring 20, the columnar body 26, the reinforcing section 32, and the acoustic wave element 50, as seen through the lid 30. FIG. ing. FIG. 1(b) illustrates the reinforcing portion 32 as seen through the lid 30. FIG. In FIG. 1A, the frame 18, the wiring 20, the reinforcing portion 32, and the elastic wave element 50 are hatched for clarity of illustration. As shown in FIGS. 1(a), 1(b), 2(a), and 2(b), in the acoustic wave device 100 of Example 1, the piezoelectric layer 12 is bonded to the upper surface of the support substrate 10. It is

支持基板１０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、炭化シリコン基板、またはシリコン基板であり、その厚さは５０μｍ～３００μｍである。サファイア基板は単結晶のＡｌ_２Ｏ_３基板であり、アルミナ基板は多結晶のＡｌ_２Ｏ_３基板であり、スピネル基板は単結晶または多結晶のＭｇＡｌ_２Ｏ_４基板である。石英基板はアモルファスＳｉＯ_２基板であり、水晶基板は単結晶ＳｉＯ_２基板である。炭化シリコン基板は多結晶または単結晶のＳｉＣ基板であり、シリコン基板は単結晶または多結晶のＳｉ基板である。支持基板１０の線膨張係数は圧電層１２の線膨張係数より小さい。これにより、弾性波素子５０の周波数温度依存性を小さくできる。 The support substrate 10 is, for example, a sapphire substrate, an alumina substrate, a spinel substrate, a quartz substrate, a crystal substrate, a silicon carbide substrate, or a silicon substrate, and has a thickness of 50 μm to 300 μm. The sapphire substrate is a single-crystal Al ₂ O ₃ substrate, the alumina substrate is a poly-crystal Al ₂ O ₃ substrate, and the spinel substrate is a single-crystal or poly-crystal MgAl ₂ O ₄ substrate. The quartz substrate is an amorphous _SiO2 substrate, and the quartz substrate is a single crystal _SiO2 substrate. The silicon carbide substrate is a polycrystalline or monocrystalline SiC substrate, and the silicon substrate is a monocrystalline or polycrystalline Si substrate. The coefficient of linear expansion of the support substrate 10 is smaller than the coefficient of linear expansion of the piezoelectric layer 12 . Thereby, the frequency temperature dependence of the acoustic wave element 50 can be reduced.

圧電層１２は、例えば単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層であり、その厚さは０．５μｍ～３０μｍである。圧電層１２の厚さは、例えば弾性波素子５０が励振する主モードの弾性波（例えば弾性表面波）の波長より小さい。支持基板１０と圧電層１２との間に酸化シリコン、酸化アルミニウム、および／または窒化アルミニウム等の絶縁層を設けてもよい。このように、圧電層１２は支持基板１０に直接または間接的に接合されている。 The piezoelectric layer 12 is, for example, a single crystal lithium tantalate layer or a single crystal lithium niobate layer, and has a thickness of 0.5 μm to 30 μm. The thickness of the piezoelectric layer 12 is, for example, smaller than the wavelength of the main mode acoustic wave (eg, surface acoustic wave) excited by the acoustic wave element 50 . An insulating layer such as silicon oxide, aluminum oxide and/or aluminum nitride may be provided between the support substrate 10 and the piezoelectric layer 12 . Thus, the piezoelectric layer 12 is directly or indirectly bonded to the support substrate 10 .

圧電層１２の上面に、１または複数の弾性波素子５０が設けられている。支持基板１０の下面に端子１４が設けられている。端子１４は、弾性波素子５０を外部と電気的に接続するためのフットパッドである。支持基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６の一端は端子１４に接続されている。ビア配線１６の他端は圧電層１２の上面から支持基板１０の上面に延在する配線２０に接続されている。これにより、弾性波素子５０は配線２０およびビア配線１６を介して端子１４に電気的に接続される。端子１４、ビア配線１６、および配線２０は、例えばチタン、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、および／または金等を含む金属層である。端子１４、ビア配線１６、および配線２０は、単層の金属層の場合でもよいし、複数層が積層された積層金属層の場合でもよい。 One or more acoustic wave elements 50 are provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12 . A terminal 14 is provided on the lower surface of the support substrate 10 . The terminal 14 is a foot pad for electrically connecting the elastic wave element 50 to the outside. A via wiring 16 that penetrates the support substrate 10 is provided. One end of the via wiring 16 is connected to the terminal 14 . The other end of the via wiring 16 is connected to a wiring 20 extending from the top surface of the piezoelectric layer 12 to the top surface of the support substrate 10 . Thereby, the acoustic wave element 50 is electrically connected to the terminal 14 through the wiring 20 and via wiring 16 . Terminals 14, via lines 16, and lines 20 are metal layers including, for example, titanium, copper, aluminum, platinum, nickel, and/or gold. The terminal 14, the via wiring 16, and the wiring 20 may be a single metal layer, or may be a laminated metal layer in which multiple layers are laminated.

支持基板１０の周縁領域には圧電層１２は設けられていない。平面視において、圧電層１２および弾性波素子５０を囲むように支持基板１０上に枠体１８が設けられている。枠体１８は圧電層１２から離れて支持基板１０上に設けられている。枠体１８は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および／またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。コバールは、鉄にニッケルとコバルトを配合した合金である。枠体１８は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。枠体１８の高さは例えば１５μｍ～３０μｍ程度であり、幅は例えば１０μｍ～４０μｍ程度である。 The peripheral region of the support substrate 10 is not provided with the piezoelectric layer 12 . A frame 18 is provided on the support substrate 10 so as to surround the piezoelectric layer 12 and the acoustic wave element 50 in plan view. The frame 18 is provided on the support substrate 10 apart from the piezoelectric layer 12 . The frame 18 is, for example, a metal layer containing copper, kovar, gold, aluminum and/or tungsten, a silicon layer, or a resin layer. Kovar is an alloy of iron, nickel and cobalt. The frame 18 may be a single layer, or may be a laminate of multiple layers. The height of the frame 18 is, for example, about 15 μm to 30 μm, and the width is, for example, about 10 μm to 40 μm.

枠体１８上に、支持基板１０との間に空隙２２が形成されるようにリッド３０が設けられている。枠体１８とリッド３０は、はんだ等の接合層により接合されている。弾性波素子５０は、枠体１８とリッド３０により空隙２２内に封止されている。リッド３０は、例えばコバール、銅、金、アルミニウム、および／またはタングステン等の金属、若しくはシリコンにより形成されている。コバールは、上述したように、鉄にニッケルとコバルトを配合した合金である。リッド３０は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。リッド３０の厚さは例えば２０μｍ～５０μｍ程度である。 A lid 30 is provided on the frame 18 so as to form a gap 22 with the support substrate 10 . The frame 18 and the lid 30 are joined by a joining layer such as solder. The acoustic wave element 50 is sealed within the space 22 by the frame 18 and the lid 30 . The lid 30 is made of metal, such as Kovar, copper, gold, aluminum, and/or tungsten, or silicon. Kovar is an alloy of iron, nickel and cobalt, as described above. The lid 30 may be a single layer, or may be a laminate of multiple layers. The thickness of the lid 30 is, for example, about 20 μm to 50 μm.

枠体１８およびリッド３０が金属で形成されている場合、枠体１８は、支持基板１０の下面に設けられたグランド端子に支持基板１０を貫通するビア配線を介して電気的に接続されていてもよい。これにより、枠体１８にグランド電位を供給することで、枠体１８およびリッド３０にシールド効果を付与することができる。また、枠体１８およびリッド３０が金属で形成されている場合、弾性波素子５０を空隙２２内に気密性良く封止することができる。なお、枠体１８およびリッド３０は支持基板１０上では弾性波素子５０に電気的に接続されていない。 When the frame 18 and the lid 30 are made of metal, the frame 18 is electrically connected to ground terminals provided on the lower surface of the support substrate 10 via via wiring that penetrates the support substrate 10 . good too. Thus, by supplying the frame 18 with the ground potential, the frame 18 and the lid 30 can be given a shielding effect. Further, when the frame 18 and the lid 30 are made of metal, the elastic wave element 50 can be hermetically sealed in the space 22 . Note that the frame 18 and lid 30 are not electrically connected to the acoustic wave element 50 on the support substrate 10 .

圧電層１２は、リッド３０の中央付近に位置し、上面から下面にかけて貫通する開口２４を有する。開口２４では例えば支持基板１０の上面が露出している。開口２４において、支持基板１０とリッド３０との間でリッド３０の中央付近に位置し、支持基板１０に対してリッド３０を支持する柱状体２６が設けられている。柱状体２６は、空隙２２内に位置し、圧電層１２から離れて設けられ、例えば支持基板１０の上面に接している。柱状体２６は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および／またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。柱状体２６は、単層の場合でもよいし、複数層が積層されている場合でもよい。実施例１においては、柱状体２６の高さは枠体１８の高さより低く、例えば１０μｍ～２５μｍ程度であり、柱状体２６の幅は枠体１８の幅より大きく、例えば３０μｍ～６０μｍ程度である。なお、柱状体２６は、支持基板１０とリッド３０との間に１つ設けられる場合に限られず、２つ以上設けられていてもよい。 The piezoelectric layer 12 is located near the center of the lid 30 and has an opening 24 penetrating from the upper surface to the lower surface. For example, the upper surface of the support substrate 10 is exposed through the opening 24 . In the opening 24 , a columnar body 26 is provided between the support substrate 10 and the lid 30 and positioned near the center of the lid 30 to support the lid 30 with respect to the support substrate 10 . The columnar bodies 26 are located within the gaps 22 , are provided apart from the piezoelectric layer 12 , and are in contact with the upper surface of the support substrate 10 , for example. The pillars 26 are, for example, metal layers containing copper, kovar, gold, aluminum, and/or tungsten, silicon layers, or resin layers. The columnar body 26 may be a single layer, or may be a laminate of multiple layers. In Example 1, the height of the pillars 26 is lower than the height of the frame 18, for example, about 10 μm to 25 μm, and the width of the pillars 26 is greater than the width of the frame 18, for example, about 30 μm to 60 μm. . Note that the number of columnar bodies 26 is not limited to the case where one is provided between the support substrate 10 and the lid 30, and two or more may be provided.

リッド３０の下面に、細長形状をした補強部３２が設けられている。補強部３２は、例えばリッド３０の下面に接合されている、或いは、リッド３０と一体成型により形成されている。実施例１においては、補強部３２は、平面視して略矩形状をしたリッド３０の長手方向および短手方向に直線状に延び、リッド３０の対向する辺それぞれの中央を結ぶ直線上に位置して設けられ、四辺を有する略矩形の環状をした枠体１８の対向する辺の両方の側面に接している。したがって、２つの補強部３２は、平面視におけるリッド３０の中心３４を通り、中心３４において交差している。２つの補強部３２が交差した箇所に柱状体２６が配置されている。よって、補強部３２は平面視にて柱状体２６と重なっていて、柱状体２６は補強部３２を介してリッド３０を支持している。補強部３２と柱状体２６は、はんだ等の接合層により接合されていてもよいし、接合されずに接触していてもよい。補強部３２は、細長形状における長手方向を長さとし、短手方向を幅とする。 A reinforcing portion 32 having an elongated shape is provided on the lower surface of the lid 30 . The reinforcing portion 32 is, for example, joined to the lower surface of the lid 30 or formed integrally with the lid 30 . In Example 1, the reinforcing portion 32 extends linearly in the longitudinal direction and the lateral direction of the lid 30, which has a substantially rectangular shape in plan view, and is positioned on a straight line connecting the centers of the opposite sides of the lid 30. , and is in contact with both sides of the opposite sides of a substantially rectangular annular frame 18 having four sides. Therefore, the two reinforcing portions 32 pass through the center 34 of the lid 30 in plan view and intersect at the center 34 . A columnar body 26 is arranged at the place where the two reinforcing parts 32 intersect. Therefore, the reinforcing portion 32 overlaps the columnar body 26 in plan view, and the columnar body 26 supports the lid 30 via the reinforcing portion 32 . The reinforcing part 32 and the columnar body 26 may be joined by a joining layer such as solder, or may be in contact without being joined. The reinforcing portion 32 has a length in the longitudinal direction and a width in the lateral direction.

補強部３２は、例えば銅、コバール、金、アルミニウム、および／またはタングステンを含む金属層、若しくはシリコン層、或いは樹脂層である。補強部３２は、リッド３０と同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。リッド３０と補強部３２が同じ材料で形成される場合、一体成型による製造が可能となる。リッド３０と補強部３２が異なる材料で形成される場合、使用状況および／または使用用途等に応じた適切な材料をそれぞれ選択することができる。補強部３２の高さは、柱状体２６の高さより低く、例えば２μｍ～５μｍ程度である。補強部３２の幅は、例えば柱状体２６の幅と略同じであり、例えば３０μｍ～６０μｍである。ここで言う略同じとは、製造誤差程度の違いを許容するものである。 The reinforcing portion 32 is, for example, a metal layer containing copper, kovar, gold, aluminum, and/or tungsten, a silicon layer, or a resin layer. The reinforcing portion 32 may be made of the same material as the lid 30, or may be made of a different material. If the lid 30 and the reinforcing portion 32 are made of the same material, they can be manufactured by integral molding. If the lid 30 and the reinforcing portion 32 are made of different materials, appropriate materials can be selected according to the usage conditions and/or the intended use. The height of the reinforcing portion 32 is lower than the height of the columnar body 26, and is about 2 μm to 5 μm, for example. The width of the reinforcing portion 32 is, for example, substantially the same as the width of the columnar body 26, and is, for example, 30 μm to 60 μm. The term “substantially the same” as used here means that differences in the degree of manufacturing error are allowed.

図３は、実施例１における弾性波素子５０の平面図である。図３に示すように、弾性波素子５０は弾性表面波共振子である。圧電層１２の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）５１と反射器５２が設けられている。ＩＤＴ５１は、対向する一対の櫛型電極５３を有する。櫛型電極５３は、複数の電極指５４と、複数の電極指５４が接続するバスバー５５と、を有する。反射器５２は、ＩＤＴ５１の両側に設けられている。ＩＤＴ５１が圧電層１２に弾性表面波を励振する。一対の櫛型電極５３のうち一方の櫛型電極５３の電極指５４のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。複数の電極指５４のピッチＤの２倍が、一方の櫛型電極５３のピッチとなる。ＩＤＴ５１および反射器５２は、例えばアルミニウム、銅、またはモリブデン等の金属膜により形成される。圧電層１２の上面にＩＤＴ５１および反射器５２を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。櫛型電極５３はダミー電極指を有していてもよい。 FIG. 3 is a plan view of the acoustic wave device 50 in Example 1. FIG. As shown in FIG. 3, the acoustic wave device 50 is a surface acoustic wave resonator. An IDT (Interdigital Transducer) 51 and a reflector 52 are provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12 . The IDT 51 has a pair of comb electrodes 53 facing each other. The comb-shaped electrode 53 has a plurality of electrode fingers 54 and a bus bar 55 to which the plurality of electrode fingers 54 are connected. The reflectors 52 are provided on both sides of the IDT 51 . The IDT 51 excites surface acoustic waves in the piezoelectric layer 12 . The pitch of the electrode fingers 54 of one comb-shaped electrode 53 of the pair of comb-shaped electrodes 53 is approximately the wavelength λ of the elastic wave. The pitch of one comb-shaped electrode 53 is twice the pitch D of the plurality of electrode fingers 54 . The IDT 51 and the reflector 52 are made of metal films such as aluminum, copper, or molybdenum. A protective film or a temperature compensation film may be provided on the upper surface of the piezoelectric layer 12 to cover the IDT 51 and the reflector 52 . The comb-shaped electrode 53 may have dummy electrode fingers.

圧電層１２の上面に形成された複数の弾性波素子５０によってフィルタが形成されてもよいし、デュプレクサが形成されてもよい。図４（ａ）はフィルタの回路図、図４（ｂ）はディプレクサのブロック図である。 A plurality of acoustic wave elements 50 formed on the upper surface of the piezoelectric layer 12 may form a filter, or may form a duplexer. FIG. 4(a) is a circuit diagram of the filter, and FIG. 4(b) is a block diagram of the diplexer.

図４（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１、Ｐ２が弾性波素子５０である。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタであってもよい。 As shown in FIG. 4A, one or more series resonators S1 to S4 are connected in series between an input terminal Tin and an output terminal Tout. One or more parallel resonators P1 and P2 are connected in parallel between the input terminal Tin and the output terminal Tout. The series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 and P2 are the acoustic wave device 50 . The number of series resonators and parallel resonators can be set appropriately. Although the ladder-type filter has been described as an example of the filter, the filter may be a multi-mode filter.

図４（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ６０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ６２が接続されている。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。なお、マルチプレクサとしてデュプレクサを例に示したがトリプレクサまたはクワッドプレクサであってもよい。 As shown in FIG. 4B, a transmission filter 60 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 62 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 60 passes the signal in the transmission band among the high-frequency signals input from the transmission terminal Tx to the common terminal Ant as the transmission signal, and suppresses the signals of other frequencies. The reception filter 62 passes the signal in the reception band among the high-frequency signals input from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as the reception signal, and suppresses the signals of other frequencies. Although a duplexer is shown as an example of a multiplexer, a triplexer or a quadplexer may be used.

図１においては、複数の弾性波素子５０により２つのラダー型フィルタ６４が形成されている場合を示している。２つのラダー型フィルタ６４の一方は送信フィルタ６０であり、他方は受信フィルタ６２である場合を示している。 FIG. 1 shows a case where two ladder-type filters 64 are formed by a plurality of acoustic wave elements 50 . One of the two ladder-type filters 64 is the transmission filter 60 and the other is the reception filter 62 .

［製造方法］
図５（ａ）から図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、支持基板１０の上面に例えばレーザ光を照射してビアホールを形成し、ビアホール内に銅等の金属層を例えば電解めっき法を用い形成する。その後、支持基板１０の上面が露出するように金属層の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い平坦化する。これにより、支持基板１０にビア配線１６が形成される。次いで、支持基板１０の上面に圧電基板を例えば表面活性化法を用い常温接合する。支持基板１０と圧電基板とは数ｎｍのアモルファス層を介し直接接合されてもよいし、絶縁層を介し間接的に接合されてもよい。その後、圧電基板の上面を例えばＣＭＰ法を用い研磨する。これにより、支持基板１０の上面に直接または間接的に接合された圧電層１２が形成される。 [Production method]
5A to 6B are cross-sectional views showing the method of manufacturing the acoustic wave device 100 according to the first embodiment. As shown in FIG. 5A, the upper surface of the support substrate 10 is irradiated with, for example, a laser beam to form via holes, and a metal layer such as copper is formed in the via holes using, for example, electrolytic plating. After that, the upper surface of the metal layer is planarized using, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing) so that the upper surface of the support substrate 10 is exposed. Thereby, the via wiring 16 is formed in the support substrate 10 . Next, the piezoelectric substrate is bonded to the upper surface of the support substrate 10 at room temperature using, for example, a surface activation method. The support substrate 10 and the piezoelectric substrate may be directly bonded via an amorphous layer of several nanometers, or may be indirectly bonded via an insulating layer. After that, the upper surface of the piezoelectric substrate is polished using, for example, the CMP method. Thereby, the piezoelectric layer 12 directly or indirectly bonded to the upper surface of the support substrate 10 is formed.

図５（ｂ）に示すように、圧電層１２の一部を例えばエッチング法を用いて除去する。これにより、支持基板１０の周縁領域の圧電層１２が除去され、ビア配線１６が露出する。また、圧電層１２に開口２４が形成される。開口２４では例えば支持基板１０の上面が露出している。次いで、圧電層１２の上面に弾性波素子５０を形成する。圧電層１２の上面からビア配線１６まで延在し、弾性波素子５０とビア配線１６とを電気的に接続する配線２０を形成する。 As shown in FIG. 5B, a portion of the piezoelectric layer 12 is removed using, for example, an etching method. As a result, the piezoelectric layer 12 in the peripheral region of the support substrate 10 is removed, and the via wiring 16 is exposed. An opening 24 is also formed in the piezoelectric layer 12 . For example, the upper surface of the support substrate 10 is exposed through the opening 24 . Next, an acoustic wave element 50 is formed on the upper surface of the piezoelectric layer 12 . A wiring 20 extending from the upper surface of the piezoelectric layer 12 to the via wiring 16 and electrically connecting the acoustic wave element 50 and the via wiring 16 is formed.

図５（ｃ）に示すように、弾性波素子５０および圧電層１２を囲む枠体１８と、圧電層１２に形成した開口２４内の柱状体２６と、を支持基板１０上に形成する。枠体１８と柱状体２６は、例えば電解めっき法により形成する。 As shown in FIG. 5C, the frame 18 surrounding the acoustic wave element 50 and the piezoelectric layer 12, and the columnar bodies 26 in the openings 24 formed in the piezoelectric layer 12 are formed on the support substrate 10. As shown in FIG. The frame 18 and the columnar bodies 26 are formed, for example, by electroplating.

図６（ａ）に示すように、補強部３２が設けられたリッド３０を準備し、補強部３２が柱状体２６と重なるように位置合わせをして、リッド３０をはんだ等の接合層により枠体１８に接合する。補強部３２と柱状体２６ははんだ等の接合層で接合してもよいし、接合せずに接触した状態にしてもよい。 As shown in FIG. 6(a), the lid 30 provided with the reinforcing portion 32 is prepared, aligned so that the reinforcing portion 32 overlaps with the columnar body 26, and the lid 30 is framed by a joining layer such as solder. Join body 18 . The reinforcing portion 32 and the columnar body 26 may be joined with a joining layer such as solder, or may be left in contact without being joined.

図６（ｂ）に示すように、支持基板１０の下面を例えばＣＭＰ法を用い研磨する。これにより、ビア配線１６が支持基板１０の下面から露出する。次いで、支持基板１０の下面にビア配線１６に接続する端子１４を形成する。以上により、実施例１に係る弾性波デバイス１００が製造される。 As shown in FIG. 6B, the lower surface of the support substrate 10 is polished using, for example, the CMP method. As a result, the via wiring 16 is exposed from the bottom surface of the support substrate 10 . Next, terminals 14 to be connected to via wirings 16 are formed on the lower surface of the support substrate 10 . As described above, the acoustic wave device 100 according to the first embodiment is manufactured.

［変形例］
図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例１から変形例３に係る弾性波デバイス１１０から１３０の断面図である。図７（ａ）から図７（ｃ）は、図１（ａ）のＢ－Ｂ間に相当する箇所の断面図である。図７（ａ）に示すように、変形例１の弾性波デバイス１１０では、補強部３２がリッド３０と枠体１８の間に挿入されていて、補強部３２の延伸方向に垂直な補強部３２の側面がリッド３０の側面および枠体１８の外側面と同一面となっている。なお、補強部３２の側面は、枠体１８の内側面と外側面の間に位置していてもよいし、枠体１８の外側面よりも外側に位置していてもよい。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。 [Modification]
7A to 7C are cross-sectional views of acoustic wave devices 110 to 130 according to modified examples 1 to 3 of the first embodiment. 7(a) to 7(c) are cross-sectional views of a portion corresponding to the line BB in FIG. 1(a). As shown in FIG. 7A, in the acoustic wave device 110 of Modification 1, the reinforcing portion 32 is inserted between the lid 30 and the frame 18, and the reinforcing portion 32 extends perpendicularly to the extending direction of the reinforcing portion 32. is flush with the side surface of the lid 30 and the outer surface of the frame 18 . The side surface of the reinforcing portion 32 may be positioned between the inner side surface and the outer side surface of the frame 18 or may be positioned outside the outer side surface of the frame 18 . Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, description thereof is omitted.

図７（ｂ）に示すように、変形例２の弾性波デバイス１２０では、補強部３２は枠体１８に接してなく、補強部３２の延伸方向に垂直な補強部３２の側面は、柱状体２６と枠体１８との間隔の半分よりも枠体１８側に位置している。したがって、補強部３２は、リッド３０の対向する辺の間の長さが当該対向する辺の間隔の１／２以上の長さとなっている。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 7B, in the acoustic wave device 120 of Modification 2, the reinforcing portion 32 is not in contact with the frame 18, and the side surface of the reinforcing portion 32 perpendicular to the extending direction of the reinforcing portion 32 is a columnar body. It is located closer to the frame 18 than half the distance between 26 and the frame 18.例文帳に追加Therefore, in the reinforcing portion 32, the length between the opposing sides of the lid 30 is 1/2 or more of the interval between the opposing sides. Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, description thereof is omitted.

図７（ｃ）に示すように、変形例３の弾性波デバイス１３０では、補強部３２の延伸方向に垂直な補強部３２の側面は、柱状体２６と枠体１８との間隔の半分よりも柱状体２６側に位置している。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 7C, in the acoustic wave device 130 of Modification 3, the side surface of the reinforcing portion 32 perpendicular to the extending direction of the reinforcing portion 32 is more than half the distance between the columnar body 26 and the frame 18. It is positioned on the columnar body 26 side. Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, description thereof is omitted.

［比較例］
図８（ａ）から図８（ｃ）は、比較例１から比較例３に係る弾性波デバイス５００から５２０の断面図である。図８（ａ）から図８（ｃ）は、図１（ａ）のＢ－Ｂ間に相当する箇所の断面図である。図８（ａ）に示すように、比較例１の弾性波デバイス５００では、リッド３０に補強部３２が設けられてなく、かつ、空隙２２内で支持基板１０とリッド３０との間に柱状体２６が設けられていない。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。 [Comparative example]
8A to 8C are cross-sectional views of acoustic wave devices 500 to 520 according to Comparative Examples 1 to 3, respectively. 8(a) to 8(c) are cross-sectional views of a portion corresponding to the line BB in FIG. 1(a). As shown in FIG. 8A , in the acoustic wave device 500 of Comparative Example 1, the lid 30 is not provided with the reinforcing portion 32 , and the columnar body is formed between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22 . 26 is not provided. Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, description thereof is omitted.

図８（ｂ）に示すように、比較例２の弾性波デバイス５１０では、空隙２２内で支持基板１０とリッド３０との間に柱状体２６が設けられていない。リッド３０に設けられた補強部３２は、変形例１の弾性波デバイス１１０と同じく、リッド３０と枠体１８との間に挿入されている。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 8B, in the acoustic wave device 510 of Comparative Example 2, the columnar body 26 is not provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22 . The reinforcing portion 32 provided on the lid 30 is inserted between the lid 30 and the frame 18, as in the acoustic wave device 110 of the first modification. Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device 100 of the first embodiment, description thereof is omitted.

図８（ｃ）に示すように、比較例３の弾性波デバイス５２０では、リッド３０に補強部３２が設けられていない。柱状体２６は、枠体１８と略同じ高さとなって、空隙２２内で支持基板１０とリッド３０との間に設けられている。その他の構成は実施例１の弾性波デバイスと同じであるため説明を省略する。 As shown in FIG. 8C, in the acoustic wave device 520 of Comparative Example 3, the lid 30 is not provided with the reinforcing portion 32 . The columnar body 26 has substantially the same height as the frame body 18 and is provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22 . Since other configurations are the same as those of the acoustic wave device of the first embodiment, description thereof is omitted.

［シミュレーション１］
リッド３０の上面に一様に外部から力が加わったときのリッド３０の変形量をシミュレーションした。図９は、シミュレーションに用いたモデルの平面図である。図１０（ａ）から図１０（ｇ）は、モデルＡからモデルＧにおける図９のＡ－Ａ断面図である。なお、図９では図１０（ａ）のモデルＡを例に図示しているが、図１０（ｂ）から図１０（ｇ）のモデルＢからモデルＧでは補強部３２の有無や形状が異なる点および柱状体２６の有無の点以外は同じである。リッド３０の法線方向をＺ方向、リッド３０の辺方向をＸ方向及びＹ方向とする。 [Simulation 1]
The amount of deformation of the lid 30 when a uniform external force is applied to the upper surface of the lid 30 was simulated. FIG. 9 is a plan view of the model used for the simulation. 10(a) to 10(g) are sectional views of models A to G taken along the line AA in FIG. 9 shows the model A of FIG. 10(a) as an example, the presence or absence of the reinforcing part 32 and the shape of the model B to the model G of FIGS. 10(b) to 10(g) are different. and the presence or absence of the columnar body 26 are the same. Let the normal direction of the lid 30 be the Z direction, and the side directions of the lid 30 be the X direction and the Y direction.

図９に示すように、シミュレーションはリッド３０の１／４対称モデルを用いて行った。すなわち、リッド３０の＋Ｘ側の面および－Ｙ側の面に枠体１８が設けられてなく、これらの面の境界条件を鏡面条件とした。リッド３０のＸ方向およびＹ方向の長さをＤ１およびＤ２とする。枠体１８の幅をＤ３とする。柱状体２６の長さおよび補強部３２の幅をＤ４とする。図１０（ａ）から図１０（ｇ）に示すように、リッド３０の厚さをＴ１とし、補強部３２の厚さをＴ２とする。図１０（ａ）、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）、図１０（ｅ）、および図１０（ｇ）のモデルＡ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇにおいて、枠体１８の厚さをＴ３とする。図１０（ｂ）および図１０（ｆ）のモデルＢ、Ｆにおいて、枠体１８の厚さをＴ３´とする。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）のモデルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、柱状体２６の厚さをＴ４とする。図１０（ｇ）のモデルＧにおいて、柱状体２６の厚さをＴ４´とする。図１０（ｃ）のモデルＣにおいて、補強部３２と枠体１８との間隔をＷ１とする。図１０（ｄ）のモデルＤにおいて、補強部３２と枠体１８との間隔をＷ２とする。 The simulation was performed using a 1/4 symmetrical model of the lid 30, as shown in FIG. In other words, the frame 18 is not provided on the +X side surface and the -Y side surface of the lid 30, and the boundary condition of these surfaces is the mirror surface condition. Let D1 and D2 be the lengths of the lid 30 in the X and Y directions. The width of the frame 18 is assumed to be D3. Let D4 be the length of the columnar body 26 and the width of the reinforcing portion 32 . As shown in FIGS. 10A to 10G, the thickness of the lid 30 is T1, and the thickness of the reinforcing portion 32 is T2. In models A, C, D, E, and G of FIGS. 10(a), 10(c), 10(d), 10(e), and 10(g), the thickness of the frame 18 is Let it be T3. In models B and F of FIGS. 10(b) and 10(f), the thickness of the frame 18 is T3'. In models A, B, C, and D of FIGS. 10(a), 10(b), 10(c), and 10(d), the thickness of the columnar body 26 is assumed to be T4. In the model G of FIG. 10(g), the thickness of the columnar body 26 is assumed to be T4'. In the model C of FIG. 10(c), the distance between the reinforcing portion 32 and the frame 18 is W1. In the model D of FIG. 10(d), the distance between the reinforcing portion 32 and the frame 18 is W2.

図１０（ａ）のモデルＡは実施例１に相当し、図１０（ｂ）のモデルＢは実施例１の変形例１に相当し、図１０（ｃ）のモデルＣは実施例１の変形例２に相当し、図１０（ｄ）のモデルＤは実施例１の変形例３に相当する。図１０（ｅ）のモデルＥは比較例１に相当し、図１０（ｆ）のモデルＦは比較例２に相当し、図１０（ｇ）のモデルＧは比較例３に相当する。 Model A in FIG. 10A corresponds to Example 1, Model B in FIG. 10B corresponds to Modification 1 of Example 1, and Model C in FIG. This corresponds to Example 2, and model D in FIG. 10D corresponds to Modification 3 of Example 1. Model E in FIG. 10(e) corresponds to Comparative Example 1, Model F in FIG. 10(f) corresponds to Comparative Example 2, and Model G in FIG. 10(g) corresponds to Comparative Example 3.

シミュレーション条件は以下である。
リッド３０：コバール
枠体１８：銅（Ｃｕ）
柱状体２６：銅（Ｃｕ）
補強部３２：コバール
Ｄ１：４４２μｍ
Ｄ２：５４２μｍ
Ｄ３：２３μｍ
Ｄ４：２３μｍ
Ｔ１：３０μｍ
Ｔ２：４μｍ
Ｔ３：２０．５μｍ
Ｔ３´：１６．５μｍ
Ｔ４：１６．５μｍ
Ｔ４´：２０．５μｍ
Ｗ１：５μｍ
Ｗ２：３９０μｍ The simulation conditions are as follows.
Lid 30: Kovar Frame 18: Copper (Cu)
Columnar body 26: copper (Cu)
Reinforcement part 32: Kovar D1: 442 μm
D2: 542 μm
D3: 23 µm
D4: 23 µm
T1: 30 µm
T2: 4 µm
T3: 20.5 µm
T3': 16.5 µm
T4: 16.5 µm
T4': 20.5 µm
W1: 5 µm
W2: 390 μm

表１は、シミュレーションに用いた材料のヤング率、ポアソン比、体積弾性率、およびせん断弾性係数を示す表である。

Table 1 shows the Young's modulus, Poisson's ratio, bulk modulus, and shear modulus of the materials used in the simulation.

リッド３０の変形量として、枠体１８および柱状体２６の下面が不動の固定物に固定されているとし、この状態でリッド３０の上面全体に一様に６ＭＰａの力が加わったときのリッド３０の下面の最大変位量をシミュレーションした。 Assuming that the lower surfaces of the frame 18 and the columnar bodies 26 are fixed to an immovable fixed object, the amount of deformation of the lid 30 is as follows. simulated the maximum displacement of the lower surface of

表２にシミュレーション結果を示す。表２に示すように、比較例３に相当するモデルＧは、柱状体２６を設けたことにより、比較例１に相当するモデルＥに比べて、リッド３０の最大変位量が大きく低減された。しかしながら、柱状体２６に加えて補強部３２を設けた実施例１から実施例１の変形例３に相当するモデルＡ～Ｄは、リッド３０の最大変位量がモデルＧよりも更に低減された結果となった。なお、柱状体２６を設けずに、補強部３２だけを設けた比較例２に相当するモデルＦでは、リッド３０の最大変位量がほとんど低減されなかった。このことから、柱状体２６と補強部３２の両方を設けることでリッド３０の最大変位量を低減できることが分かる。

Table 2 shows the simulation results. As shown in Table 2, in model G corresponding to comparative example 3, the maximum amount of displacement of lid 30 was greatly reduced compared to model E corresponding to comparative example 1 due to the provision of columnar bodies 26 . However, in Models A to D corresponding to Embodiment 1 to Modification 3 of Embodiment 1, in which the reinforcing portion 32 is provided in addition to the columnar body 26, the maximum displacement amount of the lid 30 is further reduced as compared to the Model G. became. In Model F, which corresponds to Comparative Example 2 in which only the reinforcing portion 32 is provided without providing the columnar body 26, the maximum displacement amount of the lid 30 is hardly reduced. From this, it can be seen that the maximum amount of displacement of the lid 30 can be reduced by providing both the columnar body 26 and the reinforcing portion 32 .

［シミュレーション２］
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、シミュレーションしたリッド３０のモデルＨ、Ｉ、Ｊの平面図である。図１１（ａ）から図１１（ｃ）では、リッド３０の全体の平面図を図示しているが、シミュレーションは、図９のシミュレーション１と同じく、リッド３０の１／４対称モデルを用いて行った。 [Simulation 2]
11(a) to 11(c) are plan views of simulated models H, I, and J of the lid 30. FIG. 11(a) to 11(c) show plan views of the entire lid 30, the simulation was performed using a 1/4 symmetrical model of the lid 30, as in Simulation 1 of FIG. rice field.

図１１（ａ）に示すように、モデルＨは、補強部３２が３本設けられた、実施例１の変形例に相当するモデルである。３本の補強部３２のうちの１本は、リッド３０の長手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の２等分点を結んだ線上に位置して延在し、柱状体２６と重なって設けられている。３本の補強部３２のうちの残りの２本は、リッド３０の短手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の３等分点を結んだ線上に位置して延在している。 As shown in FIG. 11(a), the model H is a model corresponding to a modification of the first embodiment, in which three reinforcing portions 32 are provided. One of the three reinforcing portions 32 extends along a line connecting the bisectors of the sides facing each other in the longitudinal direction of the lid 30 and overlaps the columnar body 26 . are provided. The remaining two of the three reinforcing portions 32 extend along the line connecting the trisecting points of the sides of the lid 30 facing each other in the transverse direction.

図１１（ｂ）に示すように、モデルＩは、補強部３２が４本設けられた、実施例１の変形例に相当するモデルである。４本の補強部３２のうちの２本は、リッド３０の長手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の３等分点を結んだ線上に位置して延在している。４本の補強部３２のうちの残りの２本は、リッド３０の短手方向で対向する辺の間をそれぞれの辺の３等分点を結んだ線上に位置して延在している。４本の補強部３２は全て柱状体２６と重ならずに設けられている。 As shown in FIG. 11B, model I is a model corresponding to a modification of the first embodiment, in which four reinforcing portions 32 are provided. Two of the four reinforcing portions 32 extend along the lines connecting the trisecting points of the sides facing each other in the longitudinal direction of the lid 30 . The remaining two of the four reinforcing portions 32 extend along a line connecting the trisecting points of the sides of the lid 30 facing each other in the transverse direction. All four reinforcing parts 32 are provided without overlapping the columnar body 26 .

図１１（ｃ）に示すように、モデルＪは、補強部３２が設けられていない、比較例３に相当するモデルである。 As shown in FIG. 11(c), model J is a model corresponding to comparative example 3 in which the reinforcing portion 32 is not provided.

シミュレーション条件は、柱状体２６の長さおよび補強部３２の幅Ｄ４が１２．５μｍの点以外は、上記シミュレーション１と同じである。また、シミュレーションに用いた材料のヤング率、ポアソン比、体積弾性率、およびせん断弾性係数は表１の値を用いた。リッド３０の変形量として、上記シミュレーション１と同じく、枠体１８および柱状体２６の下面が不動の固定物に固定されているとし、この状態でリッド３０の上面全体に一様に６ＭＰａの力が加わったときのリッド３０の下面の最大変位量をシミュレーションした。 The simulation conditions are the same as those in Simulation 1 above, except that the length of the columnar body 26 and the width D4 of the reinforcing portion 32 are 12.5 μm. The values in Table 1 were used for the Young's modulus, Poisson's ratio, bulk modulus, and shear modulus of the materials used in the simulation. As for the amount of deformation of the lid 30, as in Simulation 1, the lower surfaces of the frame 18 and the columnar bodies 26 are fixed to immovable fixed objects, and in this state, a force of 6 MPa is uniformly applied to the entire upper surface of the lid 30. The maximum amount of displacement of the lower surface of the lid 30 when applied was simulated.

表３にシミュレーション結果を示す。表３に示すように、補強部３２と柱状体２６を設けたモデルＨおよびモデルＩは、柱状体２６が補強部３２を介してリッド３０を支持している場合（モデルＨ）でも、補強部３２を介さずにリッド３０を支持している場合（モデルＩ）でも、柱状体２６のみが設けられているモデルＪに比べて、リッド３０の最大変位量が低減された。リッド３０の最大変位量を低減する点からは、補強部３２が柱状体２６と重なって設けられ、柱状体２６は補強部３２を介してリッド３０を支持する場合が好ましい結果となった。

Table 3 shows the simulation results. As shown in Table 3, the model H and the model I provided with the reinforcing part 32 and the columnar body 26 have the reinforcing part Even when the lid 30 was supported without the support 32 (model I), the maximum displacement of the lid 30 was reduced compared to the model J in which only the columnar body 26 was provided. From the viewpoint of reducing the maximum amount of displacement of the lid 30, the case where the reinforcing portion 32 overlaps with the columnar body 26 and the columnar body 26 supports the lid 30 via the reinforcing portion 32 is preferable.

実施例１およびその変形例によれば、空隙２２内において支持基板１０とリッド３０との間に、支持基板１０に対してリッド３０を支持する柱状体２６が設けられている。リッド３０の空隙２２側の面に、平面視して細長形状をしていて、長さが柱状体２６の長さよりも長い補強部３２が設けられている。これにより、上記のシミュレーション１、２の結果のように、リッド３０に外部から力が加わった場合でも、リッド３０の撓みを低減することができる。 According to the first embodiment and its modification, the columnar body 26 that supports the lid 30 with respect to the support substrate 10 is provided between the support substrate 10 and the lid 30 within the gap 22 . A reinforcing portion 32 having an elongated shape in plan view and having a length longer than the length of the columnar body 26 is provided on the surface of the lid 30 on the air gap 22 side. This makes it possible to reduce the deflection of the lid 30 even when force is applied to the lid 30 from the outside, as in the results of simulations 1 and 2 above.

リッド３０の撓みを低減しようとしてリッド３０全体の厚みを厚くする場合では、リッド３０と弾性波素子５０との間の距離が近づくため、電気的な結合が生じて特性が劣化してしまうことがある。しかしながら、実施例１およびその変形例では、リッド３０に細長形状の補強部３２を設けているだけであるため、リッド３０および補強部３２と弾性波素子５０との間の距離が近づくことが抑制され、特性の劣化を抑制することができる。 When the thickness of the lid 30 as a whole is increased in an attempt to reduce the deflection of the lid 30, the distance between the lid 30 and the acoustic wave element 50 is reduced, so electrical coupling may occur and the characteristics may deteriorate. be. However, in the first embodiment and its modification, the lid 30 is provided with only the elongated reinforcing portion 32, so that the distance between the lid 30 and the reinforcing portion 32 and the elastic wave element 50 is suppressed. and can suppress deterioration of characteristics.

補強部３２は平面視にて柱状体２６と重なり、柱状体２６は補強部３２を介してリッド３０を支持する場合が好ましい。これにより、上記のシミュレーション２の結果のように、リッド３０の撓みを効果的に低減することができる。 Preferably, the reinforcing portion 32 overlaps the columnar body 26 in plan view, and the columnar body 26 supports the lid 30 via the reinforcing portion 32 . As a result of the simulation 2 above, this effectively reduces the deflection of the lid 30 .

補強部３２は、平面視して略矩形状をしたリッド３０の対向する辺の間の長さが、当該対向する辺の間隔の１／２以上となる細長形状である場合が好ましい。言い換えると、補強部３２の長手方向の長さは、当該長手方向と同じ方向におけるリッド３０の長さに対して１／２以上である場合が好ましい。これにより、上記のシミュレーション１の結果のように、リッド３０の撓みを効果的に低減できる。リッド３０の撓みを低減する点から、補強部３２の長手方向の長さは、当該長手方向と同じ方向におけるリッド３０の長さに対して２／３以上である場合が好ましく、３／４以上である場合がより好ましい。 The reinforcing portion 32 preferably has an elongated shape in which the length between the opposing sides of the substantially rectangular lid 30 in plan view is 1/2 or more of the interval between the opposing sides. In other words, the longitudinal length of the reinforcing portion 32 is preferably 1/2 or more of the length of the lid 30 in the same direction as the longitudinal direction. As a result, the bending of the lid 30 can be effectively reduced as in the result of the simulation 1 above. From the viewpoint of reducing the bending of the lid 30, the longitudinal length of the reinforcing portion 32 is preferably 2/3 or more of the length of the lid 30 in the same direction as the longitudinal direction, and 3/4 or more. is more preferable.

また、リッド３０の撓みを低減する点から、補強部３２は、略矩形の環状である枠体１８の対向する辺の両方に接している場合が好ましく、枠体１８とリッド３０との間に挿入されていてもよい。 In order to reduce the bending of the lid 30 , the reinforcing portion 32 is preferably in contact with both opposing sides of the substantially rectangular annular frame 18 , and between the frame 18 and the lid 30 may be inserted.

補強部３２は、平面視におけるリッド３０の中心を通って設けられている場合が好ましい。これにより、リッド３０の撓みを効果的に低減することができる。ここで、リッド３０の中心は、リッド３０を平面で観察したときにおける重心に対応する。 The reinforcing portion 32 is preferably provided through the center of the lid 30 in plan view. Thereby, bending of the lid 30 can be effectively reduced. Here, the center of the lid 30 corresponds to the center of gravity when the lid 30 is observed on a plane.

補強部３２の幅は、リッド３０の撓みを低減する点から、柱状体２６の長さの０．５倍以上が好ましく、１倍以上がより好ましく、１．５倍以上が更に好ましい。補強部３２の幅は、リッド３０の２組の対向する辺のうち狭い方の間隔の１／３０以上が好ましく、１／２０以上がより好ましく、１／１５以上が更に好ましい。一方、補強部３２の幅が大きくなると、補強部３２と弾性波素子５０との間の距離が近づきやすくなるため、補強部３２の幅は、柱状体２６の長さの３倍以下が好ましく、２．５倍以下がより好ましく、２倍以下が更に好ましい。補強部３２の幅は、リッド３０の２組の対向する辺のうち狭い方の間隔の１／６以下が好ましく、１／８以下がより好ましく、１／１０以下が更に好ましい。補強部３２の幅は柱状体２６の長さと略同じである場合が好ましい。略同じとは、製造誤差程度の差を許容するものである。柱状体２６の長さとは、柱状体２６が平面視にて短手方向と長手方向を有する場合は長手方向の長さである。 The width of the reinforcing portion 32 is preferably 0.5 times or more, more preferably 1 time or more, and still more preferably 1.5 times or more the length of the columnar body 26 in order to reduce the bending of the lid 30 . The width of the reinforcing portion 32 is preferably 1/30 or more, more preferably 1/20 or more, and even more preferably 1/15 or more of the narrower interval between the two pairs of opposing sides of the lid 30 . On the other hand, when the width of the reinforcing portion 32 increases, the distance between the reinforcing portion 32 and the acoustic wave element 50 tends to be reduced. 2.5 times or less is more preferable, and 2 times or less is even more preferable. The width of the reinforcing portion 32 is preferably ⅙ or less, more preferably ⅛ or less, and even more preferably 1/10 or less of the narrower interval between the two pairs of opposing sides of the lid 30 . It is preferable that the width of the reinforcing portion 32 is approximately the same as the length of the columnar body 26 . “Substantially the same” means that a difference on the order of a manufacturing error is allowed. The length of the columnar body 26 is the length in the longitudinal direction when the columnar body 26 has a lateral direction and a longitudinal direction in plan view.

補強部３２と弾性波素子５０との間の距離が近づくことを抑制するために、補強部３２の高さは、リッド３０と圧電層１２との間の距離の１／２以下が好ましく、１／３以下がより好ましく、１／４以下が更に好ましい。リッド３０の撓みを低減する点から、補強部３２の高さは、リッド３０と圧電層１２との間の距離の１／１０以上が好ましく、１／８以上がより好ましく、１／５以上が更に好ましい。 In order to prevent the distance between the reinforcing portion 32 and the acoustic wave element 50 from becoming closer, the height of the reinforcing portion 32 is preferably 1/2 or less of the distance between the lid 30 and the piezoelectric layer 12. /3 or less is more preferable, and 1/4 or less is even more preferable. From the viewpoint of reducing the bending of the lid 30, the height of the reinforcing portion 32 is preferably 1/10 or more, more preferably 1/8 or more, and 1/5 or more of the distance between the lid 30 and the piezoelectric layer 12. More preferred.

リッド３０、柱状体２６、および補強部３２は、金属またはシリコンを主成分として形成されている場合が好ましい。これにより、リッド３０が撓むことを抑制できる。主成分とするとは、リッド３０、柱状体２６、および補強部３２に含まれる元素の合計に対する金属またはシリコンの割合が５０ａｔ％（原子％）以上のことであり、８０ａｔ％以上でもよい。 The lid 30, the columnar body 26, and the reinforcing portion 32 are preferably made mainly of metal or silicon. This can suppress the lid 30 from bending. Being the main component means that the ratio of metal or silicon to the total of elements contained in the lid 30, the columnar body 26, and the reinforcing portion 32 is 50 at % (atomic %) or more, and may be 80 at % or more.

実施例１では、柱状体２６はリッド３０の中心３４に設けられ、補強部３２はリッド３０の対向する辺の中央部間を、リッド３０の長手方向および短手方向に直線状に延びて設けられている場合を例に示したが、この場合に限られない。図１２（ａ）から図１２（ｈ）は、柱状体２６および補強部３２の他の例を示す平面図である。図１２（ａ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の長手方向にのみ延びて設けられていてもよい。図１２（ｂ）に示すように、補強部３２は、上記シミュレーション２のモデルＨのように、リッド３０の長手方向に１本延びて設けられ、短手方向に２本延びて設けられていてもよい。図１２（ｃ）に示すように、補強部３２は、上記シミュレーション２のモデルＩのように、リッド３０の長手方向および短手方向にそれぞれ２本ずつ延びて設けられていてもよい。 In Example 1, the columnar body 26 is provided at the center 34 of the lid 30, and the reinforcing portion 32 is provided to extend linearly in the longitudinal direction and the lateral direction of the lid 30 between the central portions of the opposite sides of the lid 30. Although the case where it is set is shown as an example, it is not limited to this case. FIGS. 12(a) to 12(h) are plan views showing other examples of the columnar body 26 and the reinforcing portion 32. FIG. As shown in FIG. 12( a ), the reinforcing portion 32 may be provided so as to extend only in the longitudinal direction of the lid 30 . As shown in FIG. 12(b), one reinforcing portion 32 is provided extending in the longitudinal direction of the lid 30, and two reinforcing portions 32 are provided extending in the lateral direction, as in Model H of Simulation 2 above. good too. As shown in FIG. 12(c), the reinforcing portions 32 may be provided so as to extend two each in the longitudinal direction and the lateral direction of the lid 30, as in Model I of Simulation 2 above.

図１２（ｄ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の長手方向にのみ延びて設けられ、柱状体２６は、リッド３０の長手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上にリッド３０の中心３４に対して点対称に２つ設けられていてもよい。柱状体２６がリッド３０の中心３４に対して点対称に２つ設けられている場合でも、図１２（ｅ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の長手方向および短手方向にそれぞれ１本ずつ延びて設けられていてもよい。図１２（ｆ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の長手方向に１本延びて設けられ、短手方向に２本延びて設けられていてもよい。図１２（ｇ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の長手方向および短手方向にそれぞれ２本ずつ延びて設けられていてもよい。また、図１２（ｈ）に示すように、補強部３２は、リッド３０の対角線上に延びて設けられていてもよい。なお、補強部３２は、延在方向の途中で途切れている場合でもよい。 As shown in FIG. 12(d), the reinforcing portion 32 extends only in the longitudinal direction of the lid 30, and the columnar body 26 extends along the lid 30 on a line connecting the centers of the sides facing each other in the longitudinal direction of the lid 30. As shown in FIG. may be provided two points symmetrically with respect to the center 34 of the . Even when two columnar bodies 26 are provided point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30, the reinforcing portions 32 are arranged in the longitudinal direction and the lateral direction of the lid 30, respectively, as shown in FIG. 12(e). They may be provided extending one by one. As shown in FIG. 12(f), one reinforcing portion 32 may be provided extending in the longitudinal direction of the lid 30, and two reinforcing portions 32 may be provided extending in the lateral direction. As shown in FIG. 12G, the reinforcing portions 32 may be provided so as to extend two each in the longitudinal direction and the lateral direction of the lid 30 . Moreover, as shown in FIG. 12( h ), the reinforcing portion 32 may be provided so as to extend on the diagonal line of the lid 30 . In addition, the reinforcement part 32 may be interrupted in the middle of the extending direction.

柱状体２６は、リッド３０の長手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上、短手方向で対向する辺それぞれの中央を結ぶ線上、または対角線上に位置することが好ましい。柱状体２６が１つだけ設けられる場合は、リッド３０の中心３４に設けられる場合が好ましく、柱状体２６が複数設けられる場合は、リッド３０の中心３４に対して略点対称に設けられる場合が好ましい。補強部３２は、平面視におけるリッド３０の中心３４を通って線状に設けられる場合、および／または、リッド３０の中心３４に対して略点対称に設けられる場合が好ましい。補強部３２は直線状に設けられる場合に限られず、曲線状に設けられていてもよい。略点対称とは、完全な点対称の位置に限られず、リッド３０の撓みを効果的に低減できる程度に点対称の位置からずれている場合を許容するものである。 The columnar bodies 26 are preferably positioned on a line connecting the centers of the sides of the lid 30 facing each other in the longitudinal direction, on a line connecting the centers of the sides of the lid 30 facing each other in the width direction, or on a diagonal line. If only one columnar body 26 is provided, it is preferably provided at the center 34 of the lid 30 . preferable. Preferably, the reinforcing portion 32 is provided linearly through the center 34 of the lid 30 in plan view and/or is provided substantially point-symmetrically with respect to the center 34 of the lid 30 . The reinforcing portion 32 is not limited to being provided in a straight line, and may be provided in a curved line. The substantially point-symmetrical position is not limited to a completely point-symmetrical position, and allows a case where the lid 30 is deviated from the point-symmetrical position to the extent that the bending of the lid 30 can be effectively reduced.

実施例１では、支持基板１０上に圧電層１２が設けられている場合を例に示したが、支持基板１０が設けられずに、圧電層１２が厚い圧電基板となっている場合でもよい。 In the first embodiment, the case where the piezoelectric layer 12 is provided on the supporting substrate 10 is shown as an example, but the supporting substrate 10 may not be provided and the piezoelectric layer 12 may be a thick piezoelectric substrate.

図１３（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の断面図、図１３（ｂ）は、実施例２における弾性波素子５０ａの断面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、実施例２の弾性波デバイス２００では、支持基板１０上に弾性波素子５０の代わりに弾性波素子５０ａが設けられている。弾性波素子５０ａは圧電薄膜共振子である。弾性波素子５０ａは、支持基板１０上に設けられた圧電層７２と、圧電層７２を挟む下部電極７０および上部電極７４と、を備える。下部電極７０と支持基板１０との間に空隙７６が形成されている。圧電層７２の少なくとも一部を挟み下部電極７０と上部電極７４とが対向する領域が共振領域７８である。共振領域７８において、下部電極７０および上部電極７４は圧電層７２内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。なお、圧電層７２の共振領域７８の外周領域にＱ値を高めるため、または、温度補償のための挿入膜が挿入されていてもよい。 13A is a cross-sectional view of an acoustic wave device 200 according to Example 2, and FIG. 13B is a cross-sectional view of an acoustic wave element 50a according to Example 2. FIG. As shown in FIGS. 13A and 13B, in the acoustic wave device 200 of Example 2, an acoustic wave element 50a is provided on the supporting substrate 10 instead of the acoustic wave element 50. FIG. The acoustic wave element 50a is a piezoelectric thin film resonator. The acoustic wave element 50a includes a piezoelectric layer 72 provided on the support substrate 10, and a lower electrode 70 and an upper electrode 74 that sandwich the piezoelectric layer 72. As shown in FIG. A gap 76 is formed between the lower electrode 70 and the support substrate 10 . A resonance region 78 is a region where the lower electrode 70 and the upper electrode 74 face each other with at least a portion of the piezoelectric layer 72 interposed therebetween. In the resonance region 78 , the lower electrode 70 and the upper electrode 74 excite elastic waves in the thickness longitudinal vibration mode in the piezoelectric layer 72 . An insertion film may be inserted in the outer peripheral region of the resonance region 78 of the piezoelectric layer 72 in order to increase the Q value or for temperature compensation.

下部電極７０および上部電極７４は例えばルテニウム膜等を含む金属膜である。圧電層７２は例えば窒化アルミニウム層または酸化亜鉛層である。空隙７６の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられてもよい。弾性波素子５０ａは一般的に知られた方法により製造される。 The lower electrode 70 and the upper electrode 74 are metal films including, for example, a ruthenium film. The piezoelectric layer 72 is, for example, an aluminum nitride layer or a zinc oxide layer. An acoustic reflection film that reflects elastic waves may be provided instead of the air gap 76 . The acoustic wave device 50a is manufactured by a generally known method.

実施例１のように、支持基板１０上に設けられた機能素子は、単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層である圧電層１２上に設けられた櫛型電極５３を含む弾性波素子５０の場合でもよい。実施例２のように、機能素子は、圧電層７２を挟んで下部電極７０と上部電極７４が設けられた圧電薄膜共振子である弾性波素子５０ａの場合でもよい。また、機能素子は、弾性波素子以外の場合でもよく、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）素子等の圧電素子の場合や、その他の場合でもよい。 As in Example 1, the functional element provided on the support substrate 10 includes the comb-shaped electrodes 53 provided on the piezoelectric layer 12, which is a single-crystal lithium tantalate layer or a single-crystal lithium niobate layer. It may be the case of the element 50 . As in the second embodiment, the functional element may be an acoustic wave element 50a which is a piezoelectric thin film resonator having a lower electrode 70 and an upper electrode 74 with a piezoelectric layer 72 interposed therebetween. Also, the functional element may be a device other than an acoustic wave device, a piezoelectric device such as a MEMS (Micro Electro Mechanical System) device, or other devices.

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and variations can be made within the scope of the gist of the present invention described in the scope of claims. Change is possible.

１０支持基板
１２圧電層
１４端子
１６ビア配線
１８枠体
２０配線
２２空隙
２４開口
２６柱状体
３０リッド
３２補強部
３４中心
５０、５０ａ弾性波共振子
５１ＩＤＴ
５２反射器
５３櫛型電極
５４電極指
５５バスバー
６０送信フィルタ
６２受信フィルタ
６４ラダー型フィルタ
７０下部電極
７２圧電層
７４上部電極
７６空隙
７８共振領域
１００、１１０、１２０、１３０、２００、５００、５１０、５２０弾性波デバイス
REFERENCE SIGNS LIST 10 supporting substrate 12 piezoelectric layer 14 terminal 16 via wiring 18 frame 20 wiring 22 gap 24 opening 26 columnar body 30 lid 32 reinforcing portion 34 center 50, 50a elastic wave resonator 51 IDT
52 reflector 53 comb electrode 54 electrode finger 55 bus bar 60 transmission filter 62 reception filter 64 ladder filter 70 lower electrode 72 piezoelectric layer 74 upper electrode 76 air gap 78 resonance region 100, 110, 120, 130, 200, 500, 510, 520 acoustic wave device

Claims

a substrate;
a functional element provided on the substrate;
a frame provided on the substrate surrounding the functional element in plan view;
a lid provided on the frame with a gap between it and the substrate and sealing the functional element in the gap;
a columnar body provided between the substrate and the lid in the gap and supporting the lid with respect to the substrate;
and a reinforcing portion provided on the surface of the lid on the side of the void, having an elongated shape in plan view, and having a length longer than the length of the columnar body.

The reinforcing portion is provided so as to overlap with the columnar body in plan view,
2. The electronic component according to claim 1, wherein said columnar body supports said lid via said reinforcing portion.

The lid has a substantially rectangular shape in plan view,
3. The electronic device according to claim 1, wherein said reinforcing part has an elongated shape, and the longitudinal length of said reinforcing part is 1/2 or more of the length of said lid in the same direction as said longitudinal direction. parts.

The frame has a substantially rectangular ring shape having four sides,
The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the reinforcing portion is in contact with both opposing sides of the frame.

The electronic component according to any one of claims 1 to 4, wherein the reinforcing portion is provided through the center of the lid in plan view.

The electronic component according to any one of claims 1 to 5, wherein the width of the reinforcing portion is 0.5 times or more and 3 times or less the length of the columnar body.

The electronic component according to any one of claims 1 to 6, wherein said lid, said columnar body, and said reinforcing portion are mainly composed of metal or silicon.

The electronic component according to any one of claims 1 to 7, wherein said functional device is an acoustic wave device.

9. The electronic component according to claim 8, wherein said acoustic wave element forms a filter.

10. The electronic component of claim 9, wherein said filters form a multiplexer.