JP2022172867A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の膜厚測定結果のばらつきを抑制する。【解決手段】膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理装置であって、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部による処理中又は処理された後の基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する流体供給部と、を有する。【選択図】図９

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
特許文献１には、基板の表面に形成された膜の膜厚を測定する膜厚測定部と、前記膜厚測定部の周辺の湿度を測定する湿度測定部と、湿度と膜厚の相関関係に関する情報を格納する格納部と、前記湿度測定部により測定された湿度と前記格納部に格納された情報とから膜厚の測定値を補正するための第１の補正量を算出し、算出された第１の補正量により前記膜厚測定部により測定された膜厚の測定値を補正する補正部と、前記膜厚測定部と前記湿度測定部と前記補正部を制御する制御部と、を有する膜厚測定装置が記載されている。
特開２０１９－６２００３号公報
本開示にかかる技術は、基板の膜厚測定結果のばらつきを抑制する。
本開示の一態様は、膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理装置であって、塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部による処理中又は処理された後の基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する流体供給部と、を有する。
本開示にかかる技術よれば、基板の膜厚測定結果のばらつきを抑制することができる。
実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 図１の実施の形態にかかる基板処理システムの正面側の構成の概略を模式的に示す説明図である。 図１の実施の形態にかかる基板処理システムの背面側の構成の概略を模式的に示す説明図である。 図１の基板処理システムに搭載されている流体供給装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。 実施の形態にかかる基板処理方法の処理工程を示すフローチャートである。 ＤＩＷを供給した場合とＤＩＷを供給しない場合における、膜厚測定までの時間の変化と膜厚の関係を示すグラフである。 シンナーを供給した場合とシンナーを供給しない場合における、膜厚測定までの時間の変化と膜厚の関係を示すグラフである。 他の実施の形態にかかる基板処理方法の処理工程を示すフローチャートである。 図８の基板処理方法を実施するための基板処理装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。 他の実施の形態にかかる基板処理方法の処理工程を示すフローチャートである。 図１０の基板処理方法を実施するための基板処理装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。
半導体デバイス等の製造プロセスにでは、基板である半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）上にレジスト液を供給し、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理等を含む一連のフォトリソ工程が行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。レジスト膜を形成する前には、一般的に反射防止膜が事前に形成される。
反射防止膜は、反射防止膜の材料となる塗布液を所謂スピンコーティング法によってウェハの全面に塗布して形成され、その後ベーク処理と呼ばれる加熱処理によって、反射防止膜中の溶剤を除去して、反射防止膜を硬化させる。次いでレジスト膜が反射防止膜の上に形成されるのであるが、レジスト膜の形成前には、反射防止膜の膜厚が測定される。
ところがベーク処理後であっても、膜厚測定までの時間や測定の間に、膜厚が経時変化することがある。その結果、測定結果にばらつきが生じ、その後の処理に勘案される膜厚の厚さに伴う補正や、依拠する膜厚を誤って定めてしまうことがある。
この点に関し特許文献１に開示された技術では、周辺の湿度に基づいて膜厚を補正するようにしているが、ベーク処理後からその後に膜厚が測定されるまでの膜厚の経時変化は考慮されていない。そのため、依然として測定値にばらつきが生ずるおそれがある。この傾向は、膜厚が薄いＳｉＡＲＣ膜（シリコン含有反射防止膜）において特に顕著である。そうすると、レジスト膜形成後の施されるエッチング処理の際に影響が大きい。
その結果、検査タイミングの違いによる日間差や、膜厚安定性の悪化が発生する。しかしながら、測定のタイミングや、次工程までの時間管理は複雑、困難であるため、経時変化による膜厚変動を抑える技術が望まれる。
そこで、本開示にかかる技術は、膜厚測定装置で測定されるべき基板について、ベーク処理後からその後に膜厚が測定されるまでの膜厚の経時変化を考慮して、基板の膜厚測定結果のばらつきを抑制する。
以下、本実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、本実施の形態にかかる基板処理装置としての基板処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を示す、正面図と背面図である。この基板処理システム１は、ウェハＷに対して下層膜、中間層膜の形成、レジスト膜の形成、及び露光処理後のレジスト膜の現像を行うシステムとして構成されている。
基板処理システム１は、図１に示すように、複数枚のウェハＷを収容したカセットが搬入出されるカセットステーション２と、塗布現像処理を構成する単位処理を行う各種処理装置を単位処理毎に複数備えた処理ステーション３と、を有する。そして、基板処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、基板処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば第１～第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
第１のブロックＧ１には、処理装置としての液処理装置が設けられており、例えば図２に示すように、現像処理装置３０、下層膜形成装置３１、中間層膜形成装置３２、レジスト膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。現像処理装置３０は、レジスト膜が形成されたウェハＷに露光後に現像液を供給して当該ウェハＷを現像する現像処理を行う。下層膜形成装置３１は、下層膜形成用の塗布液をウェハＷに供給して当該ウェハＷ上に下層膜を形成する下層膜形成処理を行う。下層膜は例えばＳｏＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）膜である。中間層膜形成装置３２は、中間層膜形成用の塗布液をウェハＷに供給して当該ウェハＷ上に下層膜を形成する中間層膜形成処理を行う。中間層膜は例えばシリコン含有反射防止膜（ＳｉＡＲＣ膜）である。レジスト膜形成装置３３は、レジスト液をウェハＷに供給して当該ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を行う。
例えば現像処理装置３０、下層膜形成装置３１、中間層膜形成装置３２及びレジスト膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下層膜形成装置３１、中間層膜形成装置３２及びレジスト膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
これら現像処理装置３０、下層膜形成装置３１、中間層膜形成装置３２及びレジスト膜形成装置３３では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。また中間層膜形成装置３２の近傍には、後述する流体供給部としての流体供給装置３４が設けられている。
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら各熱処理装置４０は、ウェハＷに対して所定の加熱処理を行った後、直ちに冷却処理を行う構成を有している。このような熱処理装置としては、例えば加熱処理を行う熱板をチャンバー内に有する加熱処理部と、熱板との間でウェハＷを授受する搬送部材を兼ねた冷却板とを有する冷却部とを並置した公知の熱処理装置が採用される。熱処理装置４０の数や配置についても、任意に選択できる。熱処理装置４０には、下層膜加熱用のもの、中間層膜加熱用のもの及びＰＡＢ処理用のものが含まれている。
下層膜加熱用の熱処理装置４０では、下層膜形成装置３１により下層膜が形成されたウェハＷを加熱し当該下層膜を硬化させる下層膜用熱処理が行われ、中間膜加熱用の熱処理装置４０では、中間層膜形成装置３２により下層膜が形成されたウェハＷを加熱し当該中間膜を硬化させる下層膜用熱処理が行われる。ＰＡＢ処理用の熱処理装置４０では、レジスト膜形成装置３３によりレジスト膜が形成されたウェハＷを露光前に加熱し当該レジスト膜を硬化させるＰＡＢ処理が行われる。
第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０が設けられ、その上に検査装置５１、５２が設けられている。
図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が配置されている。
ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置７１が設けられている。
シャトル搬送装置７１は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置７１は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、同程度の高さの第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０との間でウェハＷを搬送できる。
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置７２が設けられている。ウェハ搬送装置７２は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７２ａを有している。ウェハ搬送装置７２は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置５０にウェハＷを搬送できる。
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置７３と受け渡し装置７４が設けられている。ウェハ搬送装置７３は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７３ａを有している。ウェハ搬送装置７３は、例えば搬送アーム７３ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置６０、受け渡し装置７４及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。
流体供給装置３４は、図４に示した構成を有している。この流体供給装置３４は通常のスピンコーティングを行う装置としての一般的な構成を有している。すなわち、処理容器８０内の中央部には、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック８１が設けられている。スピンチャック８１は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック８１上に吸着保持できる。
スピンチャック８１の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部８２が設けられている。スピンチャック８１は、チャック駆動部８２により所定の速度に回転できる。チャック駆動部８２には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８１は昇降自在である。
スピンチャック８１の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８３が設けられている。カップ８３の下面には、回収した液体を排出する排出管８４と、カップ８３内の雰囲気を排気する排気管８５が接続されている。
スピンチャック８１上に保持されたウェハＷに対しては、流体供給ノズル８６から、膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体が供給される。本実施の形態としては、当該流体としてＤＩＷが供給される。ＤＩＷは流体供給源８７に貯留されており、流量調整装置８８を介して流体供給ノズル８６に供給される。流体供給ノズル８６は、図４中の往復矢印で示した方向に移動自在なアーム８９によって支持されており、待機部９０からカップ８３内への進入、退避、並びに上下動が可能である。これによって、スピンチャック８１上に保持されたウェハＷの所望の位置に、ＤＩＷを供給可能である。
さらに基板処理システム１には、膜厚測定装置Ｋが併設されている。この膜厚測定装置Ｋは、測定容器内でウェハＷの表面に対して、例えばレーザー光を照射して膜厚を測定する構成を有し、公知の測定装置を用いることができる。
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷについての各種処理、例えば本開示にかかる基板処理をはじめとする各種処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
実施の形態にかかる基板処理装置としての基板処理システム１は以上のように構成されており、次に基板処理システム１を用いた基板処理方法について、図５のフローチャートに基づいて説明する。まず、中間層膜形成装置３２によりウェハＷに対してＳｉＡＲＣ膜が塗布される（ステップＳ１）。次いでウェハは熱処理装置４０に搬送され、ベーク処理（加熱処理）されてＳｉＡＲＣ膜が硬化される（ステップＳ３）。その後所定温度、例えば２３℃にまで冷却された後、ウェハは流体供給装置３４に搬送される。
流体供給装置３４では、スピンチャック８１上に保持されたウェハＷを回転させながら、硬化したＳｉＡＲＣ膜の表面に水としてのＤＩＷが供給され、ウェハＷ全面に均一に供給される。これによって、ＳｉＡＲＣ膜に対して、経時変化による膜厚変動を抑える基板処理がなされる。
発明者らが調べたところ、ＳｉＡＲＣの特性として、シラノール脱水縮合反応によって膜が形成されるが、加熱処理を行っている際には、容器内での排気と相俟って、膜中の水分量が少ない膜が形成される。そうすると、時間の経過に伴って、空気中の水分を当該膜が吸収し、膨潤して膜厚が厚くなっていく。これにより光学特性も変化して、膜厚が変動する。そのため、ベーク後、膜厚測定までの時間の長短によって、測定される膜厚が変動する。図６の破線においてこのことを示した。すなわち、ベーク処理後２０分経過時と３０分経過時とでは、膜厚が異なっている。
これに対し、ＳｉＡＲＣ膜を塗布、ベーク後にＤＩＷを供給すると、図６の実線で示したように、供給後約１５分が経過した以降は、膜厚はほぼ一定となり、以後殆ど変化しない。したがって、膜厚測定までの時間が区々であっても、それに起因する膜厚の変動、ばらつきを抑えることが可能である。
なおそのようにしてステップＳ４の流体供給処理を行った後は、基板処理ステム１に併設されている膜厚測定装置ＫにウェハＷを搬送して膜厚の測定が行われることになる（ステップＳ５）。
図６に示した例においては、塗布膜はＳｉＡＲＣ膜であったが、ＫｒＦレジスト膜についても、ＳｉＡＲＣ膜と同様、加熱処理して硬化した後、膜厚測定までの時間の経過に伴って、図７の破線で示したように、膜厚が変動し、膜厚測定までの時間の経過に起因して膜厚にばらつきが発生することが確認できた。
これに対処するため、図４に示した流体供給装置３４と同様な装置を用い、ＤＩＷを供給したり、ＤＩＷに代えて、ベーク後のウェハＷに対して、シンナーを供給するようにしてもよい。流体としてシンナーを供給した場合の膜厚の経時変化は図７の実線で示した通りであり、供給したほぼ直後から膜厚は一定となり、以後殆ど変化しない。したがって、かかる場合も、膜厚測定までの時間が区々であっても、それに起因する膜厚の変動、ばらつきを抑えることが可能である。かかる場合の流体としてのシンナーは、例えば次処理工程であるレジスト膜の形成処理においてウェハＷに供給される流体である。例えばレジスト液塗布前のいわゆるプリウェット処理などにおいてウェハＷにシンナーが供給される。
前記した実施の形態では基板処理システム１全体を、本開示の基板処理装置として捉え、加熱処理部が熱処理装置４０、流体供給部が流体供給装置３４として具体化したものであったが、これに限らず、図８に示した基板処理方法を実施してもよい。この例では、塗布膜の塗布後（ステップＳ１１）、加熱処理と流体の供給処理とを並行して行うようにしている（ステップＳ１２）。
このように加熱処理と流体の供給処理とを並行して行う基板処理装置しては、例えば図９に示した基板処理装置１１０が例示できる。
この基板処理装置１１０は、密閉可能な処理容器１１１を有し、処理容器１１１には、基台１１２が設けられている。基台１１２の上面には載置台１１３が設けられている。載置台１１３内には加熱用のヒーター１１４が設けられており、載置台１１３は加熱処理部を構成している。載置台１１３へのウェハＷの授受は昇降ピン１１５を介して行われ、昇降ピン１１５は、駆動機構１１６によって上下動自在である。処理容器１１１における載置台１１３の周囲下方の底部には、排気管１１７が設けられており、排気管１１７は排気機構１１８に通じている。これによって処理容器１１１内の雰囲気は排気される。
処理容器１１１内の天井部には、気体供給部１２０が設けられている。この気体供給部１２０には、水、例えば純水が貯留されている流体供給源１２１からの純水の蒸気が供給路１２２、エアポンプ１２３を通じて、気体供給部１２０へと供給可能である。流体供給源１２１には、純水の蒸発を促進させるヒーターが設けられていてもよい。
供給路１２２にはバルブＶ１が設けられている。また供給路１２２には、気体供給源１２５からの清浄気体、例えば清浄空気、不活性ガスが供給路１２６を通じて供給可能である。供給路１２６には、バルブＶ２が設けられている。したがって、バルブＶ１、Ｖ２の開度調整により、気体供給部１２０に供給される気体中の湿度を適宜調整することが可能である。
かかる構成を有する気体供給部１２０は、本開示の流体供給部を構成している。また気体供給部１２０自体の構成は、載置台１１３上のウェハＷに対して均一に、所定の湿度を含んだ清浄気体を供給できるものであればよく、例えば多数の吐出口を有するバッフル板のような構造であってもよい。気体供給部１２０からは、例えば相対湿度が４０～８０％の高湿度の清浄空気が供給可能であり、例えば相対湿度が６０％の清浄空気が、載置台１１３上のウェハＷに供給される。
以上の構成にかかる基板処理装置１１０によれば、図８のステップＳ１２に示した加熱処理と流体の供給処理とを並行して行うことが可能である。そしてベーク後のウェハＷに対して相対湿度６０％の空気が供給されることで、ウェハＷ上のＳｉＡＲＣ膜やＫｒＦレジスト膜について、膜厚測定までの時間の長短にかかわらず、膜厚のばらつきを抑えることができる。
なおそのようなして図８のステップＳ１２に示したベークと流体供給処理を並行して行った後は、別の処理容器内に搬送して必要に応じて待機させ（ステップＳ１３）、その後冷却処理に付される（ステップＳ１４）。その後は、基板処理ステム１に併設されている膜厚測定装置ＫにウェハＷを搬送して膜厚の測定が行われ（ステップＳ１５）、測定後は次工程の処理、例えば塗布膜がＳｉＡＲＣ膜の場合には、レジスト膜の形成処理、塗布膜がＫｒＦレジスト膜の場合には、露光処理に付される（ステップＳ１６）。
図８に示した基板処理方法は、ベーク処理と流体供給処理とを並行して行うものであったが、図１０に示したように、塗布処理後（ステップＳ２１）に通常のようにベーク処理を行い（ステップＳ２２）、その後の冷却処理の際に流体供給処理を行うようにしてもよい（ステップＳ２３）。
このようにベーク処理後の冷却と流体の供給とを並行して行う装置としては、例えば図１１に示した冷却処理装置１３０が例示できる。この冷却処理装置１３０は、図９に示した基板処理装置１１０における載置台１１３内のヒーター１１４に代えて、冷却部材１１９を設けたものである。冷却部材１１９としては、例えば冷媒流路、ペルチェ素子など公知のものを採用することができる。
かかる構成を有する冷却処理装置１３０によれば、ベーク処理後のウェハＷを載置台１１３上で冷却しつつ、例えば相対湿度が４０～８０％の高湿度の清浄空気をウェハＷに供給することができる。したがって塗布膜として形成されたＳｉＡＲＣ膜やＫｒＦレジスト膜が、膜厚測定までに要する時間によって膜厚が変動したり、ばらつきが発生することを抑えることが可能である。
その後は、図１０に示したように、基板処理ステム１に併設されている膜厚測定装置ＫにウェハＷを搬送して膜厚の測定が行われ（ステップＳ２４）、測定後は次工程の処理、例えば塗布膜がＳｉＡＲＣ膜の場合には、レジスト膜の形成処理、塗布膜がＫｒＦレジスト膜の場合には、露光処理に付される（ステップＳ２５）。
なお冷却処理装置１３０自体にはウェハＷを加熱処理する機能はないため、ステップＳ２２におけるベーク処理は、他の加熱処理装置、例えば基板処理システム１における熱処理装置４０や、その他基板処理システム１に搭載される加熱処理装置にて行う必要がある。かかる場合、本開示の基板処理装置は、基板処理システム１として構成される。
前記した例では、ウェハＷの膜厚測定は、基板処理システム１に併設された膜厚測定装置Ｋで行うようにしていたが、ウェハＷの膜厚測定は基板処理システム１内で行ってもよく、かかる場合、膜厚測定装置は専用の装置として構成するか、あるいは適宜の処理装置の搬入出口の上方に膜厚測定機構を設置するようにしてもよい。
以上説明したように、本開示にかかる基板処理方法は、塗布膜形成後の基板に対して、ベーク処理後に硬化した塗布膜に対して、ベーク処理後に速やかに事前に膜厚を積極的に増大させる処理を行うことで、時間経過による膜厚の変動や、膜厚測定までの時間の長短に起因する膜厚のばらつきを抑える技術として捉えることができる。かかる場合、例えば膜厚測定される直前の膜厚にまで、本開示にかかる技術によって事前に膜厚を増大させるようにしてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理システム
３４ 流体供給装置
４０ 熱処理装置
１１０ 基板処理装置
１１３ 載置台
１１４ ヒーター
１２０ 気体供給部
１２１ 流体供給源
１２３ エアポンプ
１２５ 気体供給源
Ｋ 膜厚測定装置
Ｗ ウェハ

Claims (9)

  1. 膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理装置であって、
    塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱処理部と、
    前記加熱処理部による処理中又は処理された後の基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する流体供給部と、
    を有する、基板処理装置。
  2. 前記流体供給部は、前記加熱処理部での加熱処理後、前記加熱処理部とは別の処理容器内で前記基板に対して水を供給するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記流体供給部は、前記加熱処理部での加熱処理後、前記加熱処理部とは別の処理容器内で高湿度雰囲気を供給するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記流体供給部は、前記基板に対して、当該基板についての次処理工程で供給する液体を供給するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記流体供給部は、加熱処理部において高湿度雰囲気を供給するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記塗布膜は、ＳｉＡＲＣ膜である、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記塗布膜は、ＫｒＦレジスト膜である、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理方法であって、
    塗布膜が塗布された基板を加熱処理する工程と、
    前記加熱処理する工程における加熱処理中または加熱処理された後の前記基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する工程と、
    を含む、基板処理方法。
  9. 基板処理方法を基板処理装置で実行させるように制御部を制御するプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記基板処理方法は、膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理方法であって、
    塗布膜が塗布された基板を加熱処理する工程と、
    前記加熱処理する工程における加熱処理中または加熱処理された後の前記基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する工程と、を含み、
    前記基板処理装置は、膜厚測定装置で測定されるべき基板を処理する基板処理装置であって、
    塗布膜が塗布された基板を加熱処理する加熱処理部と、
    前記加熱処理部による処理中又は処理された後の基板に対して、前記膜厚測定装置で膜厚測定されるまでの測定時間の差異に起因する膜厚のばらつきを抑制する流体を供給する流体供給部と、を有する。
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