JP2022159065A - 環状アジン化合物、有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料、及び有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】電流効率に優れる有機電界発光素子の作製に資する環状アジン化合物、ならびに、該環状アジン化合物を含有する有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料および有機電界発光素子を提供すること。【解決手段】式（１）で表される特定の構造を有する環状アジン化合物。JPEG2022159065000025.jpg7086【選択図】なし
Description
本発明は、環状アジン化合物、有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料、及び有機電界発光素子に関する。
有機電界発光素子は、小型のディスプレイだけでなく大型テレビや照明等の用途へ用いられており、その開発が精力的に行われている。
ところが、近年の有機電界発光素子に対する市場からの要求は益々高くなり、電流効率特性、駆動電圧特性、長寿命特性のいずれにおいても優れた材料が求められている。
ここで、特許文献１は、ナフチレンを介し、その先に種々の置換基を有する環状アジン化合物を開示している。また、特許文献２は、ナフチレンを介し、その先にシアノ基あるいは窒素原子を含むヘテロアリール基を有する、環状アジン化合物を開示している。
しかしながら、特許文献１および２で開示された化合物を電子輸送層に用いた有機電界発光素子は、電流効率が十分でなく、さらなる改善が求められている。
本発明の一態様は、電流効率に優れた有機電界発光素子の作製に資する環状アジン化合物、有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子用電子輸送材料を提供することに向けられている。
また、本発明の他の態様は、電流効率に優れた有機電界発光素子を提供することに向けられている。
本発明の一態様によれば、式（１）で示される環状アジン化合物が提供される：
式（１）中、
Ａｒ１は、
水素原子、または、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい、炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ホスフィンオキサイド基を表し、
ｎは、０～２の整数を表し、
ｎが２の場合、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、
Ｎｐは、式（２－１）、（２－２）、および（２－３）から選択されるいずれか１つの基を表す。
Ａｒ１は、
水素原子、または、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい、炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ホスフィンオキサイド基を表し、
ｎは、０～２の整数を表し、
ｎが２の場合、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、
Ｎｐは、式（２－１）、（２－２）、および（２－３）から選択されるいずれか１つの基を表す。
本発明の他の態様によれば、上記環状アジン化合物を含む有機電界発光素子用材料が提供される。
本発明の他の態様によれば、上記環状アジン化合物を含む有機電界発光素子用電子輸送材料が提供される。
本発明の他の態様によれば、上記環状アジン化合物を含む有機電界発光素子が提供される。
本発明の一態様によれば、電流効率に優れた有機電界発光素子の作製に資する環状アジン化合物、有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子用電子輸送材料を提供することができる。
本発明の他の態様によれば、電流効率に優れた有機電界発光素子を提供することができる。
以下、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物について詳細に説明する。
＜環状アジン化合物＞
本発明の一態様にかかる環状アジン化合物は、式（１）で示される：
＜環状アジン化合物＞
本発明の一態様にかかる環状アジン化合物は、式（１）で示される：
式（１）中、
Ａｒ１は、
水素原子、または、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい、炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ホスフィンオキサイド基を表し、
ｎは、０～２の整数を表し、
ｎが２の場合、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、
Ｎｐは、式（２－１）、（２－２）、および（２－３）から選択されるいずれか１つの基を表す。
Ａｒ１は、
水素原子、または、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい、炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ホスフィンオキサイド基を表し、
ｎは、０～２の整数を表し、
ｎが２の場合、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、
Ｎｐは、式（２－１）、（２－２）、および（２－３）から選択されるいずれか１つの基を表す。
［Ａｒ１～Ａｒ３、Ｒの好ましい組み合わせについて］
式（１）で示される環状アジン化合物において、好ましいＡｒ１～Ａｒ３、Ｒの組み合わせである第２～第７の態様は以下のとおりである。
・第２の態様
Ａｒ１は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは数４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、または、
シアノ基を表し、
ｎは０～２の整数で表される。
・第３の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、またはシアノ基を表し、
ｎは、０～１の整数である。
・第４の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、およびシアノ基を表し、
ｎが０である。
・第５の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、２－シアノフェニル基、３－シアノフェニル基、４－シアノフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ３は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、２－トリフェニレニル基が１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、または４－ジベンゾチエニル基である。
・第６の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である。
・第７の態様
Ａｒ１は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ２は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の環状アジン化合物。
式（１）で示される環状アジン化合物において、好ましいＡｒ１～Ａｒ３、Ｒの組み合わせである第２～第７の態様は以下のとおりである。
・第２の態様
Ａｒ１は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは数４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、または、
シアノ基を表し、
ｎは０～２の整数で表される。
・第３の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、またはシアノ基を表し、
ｎは、０～１の整数である。
・第４の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、およびシアノ基を表し、
ｎが０である。
・第５の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、２－シアノフェニル基、３－シアノフェニル基、４－シアノフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ３は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、２－トリフェニレニル基が１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、または４－ジベンゾチエニル基である。
・第６の態様
Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である。
・第７の態様
Ａｒ１は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ２は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の環状アジン化合物。
以下、式（１）で示される環状アジン化合物を、環状アジン化合物（１）と称することもある。環状アジン化合物（１）における置換基の好ましい具体例は、それぞれ以下のとおりである。
Ａｒ１は、
水素原子、または、
無置換の炭素数６～１８のアリール基、シアノ基で置換されている炭素数６～１８のアリール基、あるいは無置換の炭素数４～２５のヘテロアリールであることが好ましい。
水素原子、または、
無置換の炭素数６～１８のアリール基、シアノ基で置換されている炭素数６～１８のアリール基、あるいは無置換の炭素数４～２５のヘテロアリールであることが好ましい。
Ａｒ２は、無置換の炭素数６～１８のアリール基、シアノ基で置換されている炭素数６～１８のアリール基、または無置換の炭素数４～２５のヘテロアリールであることが好ましい。
Ａｒ１、およびＡｒ２における、炭素数６～１８のアリール基は、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、または２－トリフェニレニル基であることが好ましい。これらの基はシアノ基で置換されていてもよく、無置換、あるいはシアノ基で置換されたフェニル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基であることが特に好ましい。
Ａｒ１、およびＡｒ２における、炭素数４～２５のヘテロアリール基は、１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、またはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であることが好ましい。
Ａｒ３は、無置換の炭素数６～１８のアリール基、または無置換の炭素数４～１２のヘテロアリールであることが好ましい。
Ａｒ３における、炭素数６～１８のアリール基は、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、または２－トリフェニレニル基であることが好ましい。フェニル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基であることが特に好ましい。
Ａｒ３における、炭素数４～１２のヘテロアリール基は、１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、または４－ジベンゾチエニル基であることが好ましい。
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ジアリールホスフィンオキサイド基を表す。
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ジアリールホスフィンオキサイド基を表す。
Ｒは、炭素数６～１２のアリール基またはシアノ基であることが好ましいが、電子輸送性材料特性に優れる点で、炭素数１～１２のアリール基であることが特に好ましい。
ｎは０～２の整数を表すが、ｎは０または１であることが好ましい。
［環状アジン化合物（１）の具体例］
式（１）で示される本発明の一態様にかかる環状アジン化合物のうち、特に好ましい化合物の具体例としては、次の（１－１）から（１－１３８）が挙げられるが、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物はこれらに限定されるものではない。
［環状アジン化合物（１）の具体例］
式（１）で示される本発明の一態様にかかる環状アジン化合物のうち、特に好ましい化合物の具体例としては、次の（１－１）から（１－１３８）が挙げられるが、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物はこれらに限定されるものではない。
以下、環状アジン化合物（１）の用途について説明する。
＜有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料＞
環状アジン化合物（１）は、特に限定されるものではないが、例えば、有機電界発光素子用材料として用いることができる。また、環状アジン化合物（１）は、例えば、有機電界発光素子用電子輸送材料として用いることができる。
＜有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料＞
環状アジン化合物（１）は、特に限定されるものではないが、例えば、有機電界発光素子用材料として用いることができる。また、環状アジン化合物（１）は、例えば、有機電界発光素子用電子輸送材料として用いることができる。
すなわち、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子用材料は、環状アジン化合物（１）を含む。また、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子用電子輸送材料は、環状アジン化合物（１）を含む。環状アジン化合物（１）を含む有機電界発光素子用材料および有機電界発光素子用電子輸送材料は、駆動電圧特性および電流効率に優れた有機電界発光素子の作製に資するものである。
＜有機電界発光素子＞
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子は、環状アジン化合物（１）を含む。
＜有機電界発光素子＞
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子は、環状アジン化合物（１）を含む。
有機電界発光素子の構成については特に限定されるものではないが、例えば、以下に示す（ｉ）～（vi）の構成が挙げられる。
（ｉ）：陽極／発光層／陰極
（ii）：陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（iii）：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（iv）：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（vi）：陽極／正孔注入層／電荷発生層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
以下、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子を、上記（vi）の構成を例に挙げて、図１を参照しながらより詳細に説明する。図１は、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物を含む有機電界発光素子の積層構成の一例を示す概略断面図である。
（ｉ）：陽極／発光層／陰極
（ii）：陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（iii）：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（iv）：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）：陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（vi）：陽極／正孔注入層／電荷発生層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
以下、本発明の一態様にかかる有機電界発光素子を、上記（vi）の構成を例に挙げて、図１を参照しながらより詳細に説明する。図１は、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物を含む有機電界発光素子の積層構成の一例を示す概略断面図である。
なお、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、いわゆるボトムエミッション型の素子構成を有したものであるが、本発明の一態様にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子はボトムエミッション型の素子構成に限定されるものではない。すなわち、本発明の一態様にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子は、トップエミッション型の素子構成であってもよく、その他の公知の素子構成であってもよい。
有機電界発光素子１００は、基板１、陽極２、正孔注入層３、電荷発生層４、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、および陰極８をこの順で備える。ただし、これらの層のうちの一部の層が省略されていてもよく、また逆に他の層が追加されていてもよい。例えば、電子輸送層７と陰極８との間に電子注入層が設けられていてもよく、電荷発生層４が省略され、正孔注入層３上に正孔輸送層５が直接設けられていてもよい。また、例えば電子注入層の機能と電子輸送層の機能とを単一の層で併せ持つ電子注入・輸送層のような、複数の層が有する機能を併せ持った単一の層を、当該複数の層の代わりに備えた構成であってもよい。さらに、例えば単層の正孔輸送層５、単層の電子輸送層７が、それぞれ複数層からなっていてもよい。
［式（１）で表される環状アジン化合物を含む層］
有機電界発光素子は、発光層、および、該発光層と陰極との間の層からなる群より選ばれる１層以上に上記式（１）で示される環状アジン化合物を含む。したがって、図１に示される構成例において有機電界発光素子１００は、発光層６および電子輸送層７からなる群より選ばれる少なくとも１層に環状アジン化合物（１）を含む。特に、電子輸送層７が環状アジン化合物（１）を含むことが好ましい。なお、環状アジン化合物（１）は、有機電界発光素子が備える複数の層に含まれていてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層が設けられている場合、電子注入層が環状アジン化合物（１）を含んでいてもよい。
［式（１）で表される環状アジン化合物を含む層］
有機電界発光素子は、発光層、および、該発光層と陰極との間の層からなる群より選ばれる１層以上に上記式（１）で示される環状アジン化合物を含む。したがって、図１に示される構成例において有機電界発光素子１００は、発光層６および電子輸送層７からなる群より選ばれる少なくとも１層に環状アジン化合物（１）を含む。特に、電子輸送層７が環状アジン化合物（１）を含むことが好ましい。なお、環状アジン化合物（１）は、有機電界発光素子が備える複数の層に含まれていてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層が設けられている場合、電子注入層が環状アジン化合物（１）を含んでいてもよい。
なお、以下においては、電子輸送層７が環状アジン化合物（１）を含む有機電界発光素子１００について説明する。
［基板１］
基板としては特に限定はなく、例えばガラス板、石英板、プラスチック板などが挙げられる。また、基板１側から発光が取り出される構成の場合、基板１は光の波長に対して透明である。
［基板１］
基板としては特に限定はなく、例えばガラス板、石英板、プラスチック板などが挙げられる。また、基板１側から発光が取り出される構成の場合、基板１は光の波長に対して透明である。
光透過性を有するプラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
［陽極２］
基板１上（正孔注入層３側）には陽極２が設けられている。
［陽極２］
基板１上（正孔注入層３側）には陽極２が設けられている。
発光が陽極を通過して取り出される構成の有機電界発光素子の場合、陽極は当該発光を通すかまたは実質的に通す材料で形成される。
陽極に用いられる透明材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide）、酸化錫、アルミニウム・ドープ型酸化錫、マグネシウム－インジウム酸化物、ニッケル－タングステン酸化物、その他の金属酸化物、窒化ガリウム等の金属窒化物、セレン化亜鉛等の金属セレン化物、および硫化亜鉛等の金属硫化物などが挙げられる。
なお、陰極側のみから光を取り出す構成の有機電界発光素子の場合、陽極の透過特性は重要ではない。したがって、この場合の陽極に用いられる材料の一例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、白金等が挙げられる。
陽極上には、バッファー層（電極界面層）を設けてもよい。
［正孔注入層３、正孔輸送層５］
陽極２と後述する発光層６との間には、陽極２側から、正孔注入層３、後述する電荷発生層４、正孔輸送層５がこの順で設けられている。
［正孔注入層３、正孔輸送層５］
陽極２と後述する発光層６との間には、陽極２側から、正孔注入層３、後述する電荷発生層４、正孔輸送層５がこの順で設けられている。
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層との間に介在させることによって、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。
また、正孔注入層、正孔輸送層は、電子障壁性の層としても機能する。すなわち、陰極から注入され、電子注入層および／または電子輸送層から発光層に輸送された電子は、発光層と正孔注入層および／または正孔輸送層との界面に存在する電子の障壁により、正孔注入層および／または正孔輸送層に漏れることが抑制される。その結果、該電子が発光層内の界面に累積され、電流効率が向上する等の効果をもたらし、発光性能の優れた有機電界発光素子が得られる。
正孔注入層、正孔輸送層の材料としては、正孔注入性、正孔輸送性、電子障壁性の少なくともいずれかを有するものである。正孔注入層、正孔輸送層の材料は、有機物、無機物のいずれであってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の材料の具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物などが挙げられる。これらの中でも、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物が好ましく、特に芳香族第三級アミン化合物が好ましい。
芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニル－４，４’－ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１’－ビフェニル〕－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）、２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラ－ｐ－トリル－４，４’－ジアミノビフェニル、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン、ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニル－４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４’－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン、３－メトキシ－４’－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ－フェニルカルバゾール、４，４’－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’，４’’－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。
また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入層の材料、正孔輸送層の材料の一例として挙げることができる。
正孔注入層、正孔輸送層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
［電荷発生層４］
正孔注入層３と正孔輸送層５との間には、電荷発生層４が設けられていてもよい。
［電荷発生層４］
正孔注入層３と正孔輸送層５との間には、電荷発生層４が設けられていてもよい。
電荷発生層の材料としては特に制限はないが、例えば、ジピラジノ[２，３－ｆ：２’，３’－ｈ]キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）が挙げられる。
電荷発生層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
［発光層６］
正孔輸送層５と後述する電子輸送層７との間には、発光層６が設けられている。
［発光層６］
正孔輸送層５と後述する電子輸送層７との間には、発光層６が設けられている。
発光層の材料としては、燐光発光材料、蛍光発光材料、熱活性化遅延蛍光発光材料が挙げられる。発光層では電子・正孔対が再結合し、その結果として発光が生じる。
発光層は、単一の低分子材料または単一のポリマー材料からなっていてもよいが、より一般的には、ゲスト化合物でドーピングされたホスト材料からなっている。発光は主としてドーパントから生じ、任意の色を有することができる。ドーパントには、蛍光ドーパントと燐光ドーパントの２種類がある。
ホスト材料としては、例えば、ビフェニル基、フルオレニル基、トリフェニルシリル基、カルバゾール基、ピレニル基、アントリル基を有する化合物が挙げられる。より具体的には、ＤＰＶＢｉ（４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）－１，１’－ビフェニル）、ＢＣｚＶＢｉ（４，４’－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）１，１’－ビフェニル）、ＴＢＡＤＮ（２－ターシャルブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン）、ＡＤＮ（９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル）、ＣＤＢＰ（４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－２，２’－ジメチルビフェニル）、２－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－９－［４－（４－フェニルフェニルキナゾリン－２－イル）カルバゾール、９，１０－ビス（ビフェニル）アントラセン等が挙げられる。
蛍光ドーパントとしては、例えば、アントラセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム、チアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メタン化合物、カルボスチリル化合物、等が挙げられる。蛍光ドーパントはこれらから選ばれる２種以上を組み合わせたものであってもよい。
燐光ドーパントとしては、例えば、イリジウム、白金、パラジウム、オスミウム等の遷移金属の有機金属錯体が挙げられる。
蛍光ドーパント、燐光ドーパントの具体例としては、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＤＰＡＶＢｉ（４，４’－ビス［４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］ビフェニル）、ペリレン、ビス［２－（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キノリン］（アセチルアセトナート）イリジウム（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＰＰｙ）３（トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ））、及びＦＩｒＰｉｃ（ビス（３，５－ジフルオロ－２－（２－ピリジル）フェニル－（２－カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）））等が挙げられる。
また、発光材料は発光層のみに含有されることに限定されるものではない。例えば、発光材料は、発光層に隣接した層（正孔輸送層５、または電子輸送層７）が含有していてもよい。これによってさらに有機電界発光素子の電流効率を高めることができる。
発光層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
［電子輸送層７］
発光層６と後述する陰極８との間には、電子輸送層７が設けられている。
［電子輸送層７］
発光層６と後述する陰極８との間には、電子輸送層７が設けられている。
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有する。電子輸送層を陰極と発光層との間に介在させることによって、電子がより低い電界で発光層に注入される。
電子輸送層は、前述したとおり、上記式（１）で表される環状アジン化合物を含むことが好ましい。
また、電子輸送層は、環状アジン化合物（１）に加えてさらに従来公知の電子輸送材料を含んでいてもよい。従来公知の電子輸送材料としては、例えば、８－ヒドロキシキノリナートリチウム（Ｌｉｑ）、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２－メチル－８－キノリナート）クロロガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）（ｏ－クレゾラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）－１－ナフトラートアルミニウム、またはビス（２－メチル－８－キノリナート）－２－ナフトラートガリウム、２－［３－（９－フェナントレニル）－５－（３－ピリジニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン、および２－（４，’’－ジ－２－ピリジニル［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－５－イル）－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、ＢＡｌｑ（ビス（２－メチル－８－キノリノラート）－４－（フェニルフェノラート）アルミニウム）、およびビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム）等が挙げられる。
電子輸送層は、一種または二種以上の材料からなる単層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
電子輸送層が、発光層側を第一電子輸送層、陰極側を第二電子輸送層とする二層構造である場合、第二電子輸送層が環状アジン化合物（１）を含むことが好ましい。
［陰極８］
電子輸送層７上には陰極８が設けられている。
［陰極８］
電子輸送層７上には陰極８が設けられている。
陽極を通過した発光のみが取り出される構成の有機エレクトロルミネッセンス素子の場合、陰極は任意の導電性材料から形成することができる。
陰極の材料としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
陰極上（電子輸送層側）には、バッファー層（電極界面層）を設けてもよい。
［各層の形成方法］
以上説明した電極（陽極、陰極）を除く各層は、それぞれの層の材料（必要に応じて結着樹脂などの材料、溶剤と共に）を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett method）法などの公知の方法によって薄膜化することにより、形成することができる。
［各層の形成方法］
以上説明した電極（陽極、陰極）を除く各層は、それぞれの層の材料（必要に応じて結着樹脂などの材料、溶剤と共に）を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett method）法などの公知の方法によって薄膜化することにより、形成することができる。
このようにして形成された各層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲である。
陽極および陰極は、電極材料を蒸着やスパッタリングなどの方法によって薄膜化することにより、形成することができる。蒸着やスパッタリングの際に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよく、蒸着やスパッタリングなどによって薄膜を形成した後、フォトリソグラフィーで所望の形状のパターンを形成してもよい。
陽極および陰極の膜厚は、１μｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
本発明の一態様にかかる有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本態様の有機電界発光素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
なお、本発明の一態様にかかる環状アジン化合物（１）は、既知の反応（例えば、鈴木－宮浦クロスカップリング反応など）を適切に組み合わせることにより合成可能である。
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定して解釈されるものではない。
１Ｈ－ＮＭＲ測定は、Ｇｅｍｉｎｉ２００（バリアン社製）を用いて行った。
ガラス転移温度測定は、ＤＳＣ７０２０（日立ハイテクサイエンス社製）を用いて行った。
有機電界発光素子の発光特性は、室温下、作製した素子に直流電流を印加し、輝度計（製品名：ＢＭ－９、トプコンテクノハウス社製）を用いて評価した。
合成実施例－１ 化合物（１－６）の合成
窒素気流下、２，４－ビス（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－６－（４－クロロ－１－ナフタレニル）－１，３，５－トリアジン（３．４６ｇ，６．３３ｍｍｏｌ）、２－［１，１’－ビフェニル］－２－イル－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（２．１３ｇ，７．６０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２８ｍｇ，０．１３ｍｍｏｌ）、及び２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（Ｘ‐Ｐｈｏｓ）（１２１ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）の入ったフラスコに、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）を加えた。更に、２Ｍの炭酸カリウム水溶液（９．５ｍＬ，１９．０ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１７時間撹拌した。室温まで放冷し、反応液に水及びトルエンを加えて分液した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水した後、シリカゲルショートパスカラム（ヘキサン／トルエン＝３／１）を通した。溶媒を減圧留去した後、へプタンを加えて加熱撹拌することで、析出した沈殿を吸引濾過にて採取した。得られた固体を還流温度の酢酸エチルで洗浄した後、トルエン溶液から再結晶させることで、化合物（１－６）の白色固体（収量２．９ｇ，収率６９％）を得た。
化合物（１－６）のガラス転移温度は、１２３℃であった。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：９．２４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．８６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），８．４６（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．７３－７．７１（ｍ，４Ｈ），７．６４－７．３８（ｍ，１３Ｈ），７．１８－７．１５（ｍ，２Ｈ），７．０９－７．１１（ｍ，３Ｈ）．
合成実施例－２ 化合物（１－６７）の合成
合成実施例－２ 化合物（１－６７）の合成
アルゴン気流下、２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－クロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０６ｇ，３．０９ｍｍｏｌ）、２－［６－［１－（２－ナフタレニル）フェニル］］－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（１．５５ｇ，３．４０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７１．４ｍｇ，０．０６１８ｍｍｏｌ）の入ったフラスコに、テトラヒドロフラン（３１ｍＬ）を加えた。更に、２Ｍのリン酸カリウム水溶液（４．６ｍＬ，９．２６ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で２１時間撹拌した。室温まで放冷し、反応液に水及びトルエンを加えて分液した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエン（９０ｍｌ）に溶解させ、活性炭（０．３ｇ）を加えて１００℃で１時間加熱撹拌した。セライトを敷いた桐山ロートで吸引濾過することで活性炭を濾別し、溶媒を減圧留去した。トルエンおよびヘプタンで再結晶することで、化合物（１－６７）の白色固体（収量１．７ｇ，収率８６％）を得た。
化合物（１－６７）のガラス転移温度は、１２３℃であった。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：９．１２（ｓ，１Ｈ），８．７７－８．８５（ｍ，５Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），７．７８（ｄｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７６－７．８４（ｍ，７Ｈ），７．６６－７．７２（ｍ，３Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ，３Ｈ），７．４０－７．５４（ｍ，６Ｈ），７．２５－７．３０（ｍ，３Ｈ），７．１１（ｄｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，８．６Ｈｚ，１Ｈ）．
合成実施例－３ 化合物（１－７３）の合成
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：９．１２（ｓ，１Ｈ），８．７７－８．８５（ｍ，５Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），７．７８（ｄｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７６－７．８４（ｍ，７Ｈ），７．６６－７．７２（ｍ，３Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ，３Ｈ），７．４０－７．５４（ｍ，６Ｈ），７．２５－７．３０（ｍ，３Ｈ），７．１１（ｄｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，８．６Ｈｚ，１Ｈ）．
合成実施例－３ 化合物（１－７３）の合成
アルゴン気流下、２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－クロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（２．５０ｇ，７．２７ｍｍｏｌ）、２－［６－［２－（２－ナフタレニル）フェニル］］－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（３．４８ｇ，７．６４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２５２ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）の入ったフラスコに、テトラヒドロフラン（３１ｍＬ）を加えた。更に、２Ｍのリン酸カリウム水溶液（１０．９ｍＬ，２１．８ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１８時間撹拌した。室温まで放冷し、反応液に水及びトルエンを加えて分液した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエン（１２０ｍｌ）に溶解させ、活性炭（１．３ｇ）を加えて１００℃で１時間加熱撹拌した。セライトを敷いた桐山ロートで吸引濾過することで活性炭を濾別し、溶媒を減圧留去した。トルエンおよびヘプタンで再結晶することで、化合物（１－７３）の白色固体（収量１．３ｇ，収率２８％）を得た。
化合物（１－７３）のガラス転移温度は、１１４℃であった。
化合物（１－７３）のガラス転移温度は、１１４℃であった。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：９．２３（ｓ，１Ｈ），８．８７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７７－８．８４（ｍ，３Ｈ），７．９２－７．９４（ｍ，２Ｈ），７．７１－７．８４（ｍ，７Ｈ），７．９２－７．９４（ｍ，２Ｈ），７．４９－７．６６（ｍ，９Ｈ），７．４２－７．４５（ｍ，３Ｈ），７．２４（ｄｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，９．２Ｈｚ，１Ｈ），７．１８（ｄｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，８．０Ｈｚ，１Ｈ）．
ついで、得られた化合物を用いて素子評価を実施した。
素子実施例－１（図２参照）
（基板１０１、陽極１０２の用意）
陽極をその表面に備えた基板として、２ｍｍ幅の酸化インジウム－スズ（ＩＴＯ）膜（膜厚１１０ｎｍ）がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用意した。ついで、この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。
（真空蒸着の準備）
洗浄後の表面処理が施された基板上に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、各層を積層形成した。
ついで、得られた化合物を用いて素子評価を実施した。
素子実施例－１（図２参照）
（基板１０１、陽極１０２の用意）
陽極をその表面に備えた基板として、２ｍｍ幅の酸化インジウム－スズ（ＩＴＯ）膜（膜厚１１０ｎｍ）がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用意した。ついで、この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。
（真空蒸着の準備）
洗浄後の表面処理が施された基板上に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、各層を積層形成した。
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０－４Ｐａまで減圧した。そして、以下の順で、各層の成膜条件に従ってそれぞれ作製した。
（正孔注入層１０３の作製）
昇華精製したＮ－［１，１’－ビフェニル］－４－イル－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミンと１，２，３－トリス［（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチレン］シクロプロパンを０．１５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ成膜し、正孔注入層１０３を作製した。
（第一正孔輸送層１０５１の作製）
昇華精製したＮ－［１，１’－ビフェニル］－４－イル－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミンを０．１５ｎｍ／秒の速度で８５ｎｍ成膜し、第一正孔輸送層１０５１を作製した。
（第二正孔輸送層１０５２の作製）
昇華精製したＮ－フェニル－Ｎ－（９，９－ジフェニルフルオレン－２－イル）－Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミンを０．１５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜し、第二正孔輸送層１０５２を作製しした。
（発光層１０６の作製）
昇華精製した３－（１０－フェニル－９－アントリル）－ジベンゾフランと２，７－ビス［Ｎ，Ｎ－ジ－（４－ｔｅｒｔブチルフェニル）］アミノ－ビスベンゾフラノ－９，９’－スピロフルオレンを９５：５（質量比）の割合で２０ｎｍ成膜し、発光層１０６を作製した。成膜速度は０．１８ｎｍ／秒であった。
（第一電子輸送層１０７１の作製）
昇華精製した２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）［１，１’－ビフェニル］－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジンを０．０５ｎｍ／秒の速度で６ｎｍ成膜し、第一電子輸送層１０７１を作製した。
（第二電子輸送層１０７２の作製）
合成実施例－１で合成した化合物（１－６）およびＬｉｑを５０：５０（質量比）の割合で２５ｎｍ成膜し、第二電子輸送層１０７２を作製した。成膜速度は０．１５ｎｍ／秒であった。
（陰極１０８の作製）
最後に、基板上のＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極１０８を成膜した。陰極は、銀／マグネシウム（質量比１／１０）と銀とを、この順番で、それぞれ８０ｎｍと２０ｎｍとで成膜し、２層構造とした。銀／マグネシウムの成膜速度は０．５ｎｍ／秒、銀の成膜速度は成膜速度０．２ｎｍ／秒であった。
（正孔注入層１０３の作製）
昇華精製したＮ－［１，１’－ビフェニル］－４－イル－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミンと１，２，３－トリス［（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチレン］シクロプロパンを０．１５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ成膜し、正孔注入層１０３を作製した。
（第一正孔輸送層１０５１の作製）
昇華精製したＮ－［１，１’－ビフェニル］－４－イル－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミンを０．１５ｎｍ／秒の速度で８５ｎｍ成膜し、第一正孔輸送層１０５１を作製した。
（第二正孔輸送層１０５２の作製）
昇華精製したＮ－フェニル－Ｎ－（９，９－ジフェニルフルオレン－２－イル）－Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミンを０．１５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜し、第二正孔輸送層１０５２を作製しした。
（発光層１０６の作製）
昇華精製した３－（１０－フェニル－９－アントリル）－ジベンゾフランと２，７－ビス［Ｎ，Ｎ－ジ－（４－ｔｅｒｔブチルフェニル）］アミノ－ビスベンゾフラノ－９，９’－スピロフルオレンを９５：５（質量比）の割合で２０ｎｍ成膜し、発光層１０６を作製した。成膜速度は０．１８ｎｍ／秒であった。
（第一電子輸送層１０７１の作製）
昇華精製した２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）［１，１’－ビフェニル］－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジンを０．０５ｎｍ／秒の速度で６ｎｍ成膜し、第一電子輸送層１０７１を作製した。
（第二電子輸送層１０７２の作製）
合成実施例－１で合成した化合物（１－６）およびＬｉｑを５０：５０（質量比）の割合で２５ｎｍ成膜し、第二電子輸送層１０７２を作製した。成膜速度は０．１５ｎｍ／秒であった。
（陰極１０８の作製）
最後に、基板上のＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極１０８を成膜した。陰極は、銀／マグネシウム（質量比１／１０）と銀とを、この順番で、それぞれ８０ｎｍと２０ｎｍとで成膜し、２層構造とした。銀／マグネシウムの成膜速度は０．５ｎｍ／秒、銀の成膜速度は成膜速度０．２ｎｍ／秒であった。
以上により、図２に示すような発光面積４ｍｍ２有機電界発光素子１００を作製した。なお、それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ、Ｂｒｕｋｅｒ社製）で測定した。
さらに、この素子を酸素および水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと成膜基板（素子）とを、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いて行った。
上記のようにして作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、輝度計（製品名：ＢＭ－９、トプコンテクノハウス社製）を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電流効率（ｃｄ／Ａ）および駆動電圧（Ｖ）を測定した。なお、電流効率、および駆動電圧は、後述の素子参考例１における結果を基準値（１００）とした相対値である。得られた測定結果を表１に示す。
素子実施例－２
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに化合物（１－６７）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
素子実施例－３
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに化合物（１－７３）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
素子参考例－１
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに特許文献２に記載されている化合物（ＥＴＬ－１）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
素子実施例－２
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに化合物（１－６７）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
素子実施例－３
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに化合物（１－７３）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
素子参考例－１
素子実施例－１において、化合物（１－６）の代わりに特許文献２に記載されている化合物（ＥＴＬ－１）を用いた以外は、素子実施例－１と同じ方法で有機電界発光素子を作製し、評価した。得られた測定結果を表１に示す。
本発明の一態様にかかる環状アジン化合物（１）はワイドバンドギャップであり、かつ高い三重項励起準位を有するため、従来の蛍光素子用途のみならず、燐光素子や熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を利用した有機電界発光素子へ好適に用いることができる。
１，１０１ 基板
２，１０２ 陽極
３，１０３ 正孔注入層
４ 電荷発生層
５，１０５ 正孔輸送層
６，１０６ 発光層
７，１０７ 電子輸送層
８，１０８ 陰極
５１，１０５１ 第一正孔輸送層
５２，１０５２ 第二正孔輸送層
７１，１０７１ 第一電子輸送層
７２，１０７２ 第二電子輸送層
１００ 有機電界発光素子
２，１０２ 陽極
３，１０３ 正孔注入層
４ 電荷発生層
５，１０５ 正孔輸送層
６，１０６ 発光層
７，１０７ 電子輸送層
８，１０８ 陰極
５１，１０５１ 第一正孔輸送層
５２，１０５２ 第二正孔輸送層
７１，１０７１ 第一電子輸送層
７２，１０７２ 第二電子輸送層
１００ 有機電界発光素子
Claims (10)
- 式（１）で示される環状アジン化合物：
Ａｒ１は、
水素原子、または、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい、炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、ジアリールボリル基、および、ホスフィンオキサイド基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～３０のアリール基、あるいは炭素数４～３０のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、
炭素数１～１２のアルキル基、
炭素数３～２０のシクロアルキル基、
シアノ基、
ジアリールボリル基、または、
ホスフィンオキサイド基を表し、
ｎは、０～２の整数を表し、
ｎが２の場合、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、
Ｎｐは、式（２－１）、（２－２）、および（２－３）から選択されるいずれか１つの基を表す。
- Ａｒ１は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、シアノ基、からなる群より選ばれる１つ以上で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、あるいは数４～２５のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または、
炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、または、
シアノ基を表し、
ｎは０～２の整数で表される、請求項１に記載の環状アジン化合物。 - Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、またはシアノ基を表し、
ｎは、０～１の整数である、請求項１に記載の環状アジン化合物。 - Ａｒ１は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されてもよい炭素数６～１８のアリール基、または無置換の４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ａｒ３は、
炭素数６～１８のアリール基、または炭素数４～１８のヘテロアリール基を表し、
Ｒは、
炭素数６～１２のアリール基、およびシアノ基を表し、
ｎが０である、請求項１に記載の環状アジン化合物。 - Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、２－シアノフェニル基、３－シアノフェニル基、４－シアノフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、もしくは２－トリフェニレニル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－１’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２’－イル基、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－３’－イル基、もしくはスピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４’－イル基であり、
Ａｒ３は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、４－ビフェニリル基、２－フェナントレニル基、３－フェナントレニル基、９－フェナントレニル基、９－アントラセニル基、ｐ－タ―フェニル基、２－トリフェニレニル基が１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、または４－ジベンゾチエニル基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の環状アジン化合物。 - Ａｒ１は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ２は、
シアノ基で置換されていてもよい、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基、または、
無置換の、
１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、もしくは４－ジベンゾチエニル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の環状アジン化合物。 - Ａｒ１は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ２は、
無置換の、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、もしくは４－ビフェニリル基であり、
Ａｒ３は、
フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－ビフェニリル基、３－ビフェニリル基、または４－ビフェニリル基である、請求項１～４のいずれか１項に記載の環状アジン化合物。 - 請求項１～７のいずれか１項に記載の環状アジン化合物を含む有機電界発光素子用材料。
- 請求項１～７のいずれか１項に記載の環状アジン化合物を含む有機電界発光素子用電子輸送材料。
- 請求項１～７のいずれか１項に記載の環状アジン化合物を含む有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021062201 | 2021-03-31 | ||
| JP2021062201 | 2021-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022159065A true JP2022159065A (ja) | 2022-10-17 |
Family
ID=83638599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022049223A Pending JP2022159065A (ja) | 2021-03-31 | 2022-03-25 | 環状アジン化合物、有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用電子輸送材料、及び有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022159065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023243925A1 (ko) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
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2022
- 2022-03-25 JP JP2022049223A patent/JP2022159065A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023243925A1 (ko) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
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