JP2022151856A - 発光デバイス、表示装置、発光装置、電子機器および照明装置 - Google Patents

発光デバイス、表示装置、発光装置、電子機器および照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022151856A
JP2022151856A JP2022049841A JP2022049841A JP2022151856A JP 2022151856 A JP2022151856 A JP 2022151856A JP 2022049841 A JP2022049841 A JP 2022049841A JP 2022049841 A JP2022049841 A JP 2022049841A JP 2022151856 A JP2022151856 A JP 2022151856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
emitting device
refractive index
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022049841A
Other languages
English (en)
Inventor
剛吉 渡部
Gokichi Watabe
優太 河野
Yuta Kono
藍莉 植田
Airi Ueda
信晴 大澤
Nobuharu Osawa
哲史 瀬尾
Tetsushi Seo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2022151856A publication Critical patent/JP2022151856A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L11/00—Machines for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
    • A47L11/24—Floor-sweeping machines, motor-driven
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L11/00—Machines for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
    • A47L11/40—Parts or details of machines not provided for in groups A47L11/02 - A47L11/38, or not restricted to one of these groups, e.g. handles, arrangements of switches, skirts, buffers, levers
    • A47L11/4002—Installations of electric equipment
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L11/00—Machines for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
    • A47L11/40—Parts or details of machines not provided for in groups A47L11/02 - A47L11/38, or not restricted to one of these groups, e.g. handles, arrangements of switches, skirts, buffers, levers
    • A47L11/4002—Installations of electric equipment
    • A47L11/4005—Arrangements of batteries or cells; Electric power supply arrangements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L11/00—Machines for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
    • A47L11/40—Parts or details of machines not provided for in groups A47L11/02 - A47L11/38, or not restricted to one of these groups, e.g. handles, arrangements of switches, skirts, buffers, levers
    • A47L11/4002—Installations of electric equipment
    • A47L11/4008—Arrangements of switches, indicators or the like
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L11/00—Machines for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
    • A47L11/40—Parts or details of machines not provided for in groups A47L11/02 - A47L11/38, or not restricted to one of these groups, e.g. handles, arrangements of switches, skirts, buffers, levers
    • A47L11/4011—Regulation of the cleaning machine by electric means; Control systems and remote control systems therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】発光効率の高い発光デバイスを提供する。【解決手段】一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層が、常光屈折率１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層が、常光屈折率１．６０以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、有機化合物、発光素子、発光デバイス、ディスプレイモジュール、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬデバイス）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
このような発光デバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶に比べ、視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイには特に好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球またはＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
このように発光デバイスを用いたディスプレイおよび照明装置はさまざまな電子機器に好適であるが、より良好な特性を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。
有機ＥＬデバイスが語られる際にしばしば問題として挙げられるものの一つに、光取出し効率の低さがある。これを向上させるために、ＥＬ層内部に低屈折率材料からなる層を形成する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
米国特許出願公開第２０２０／０１７６６９２号明細書
本発明の一態様では、発光効率の高い発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、消費電力の小さい発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置、または電子デバイスのいずれかを提供することを目的とする。
本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。
本発明の一態様は、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、４環以上の縮合環骨格を含む発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、５環以上の縮合環骨格を含む発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、硫黄原子を含む発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、蒸着膜の異方性が大きい発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下の発光デバイスのキャップ層用材料である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲の波長全域において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、前記発光デバイスが発する光のピーク波長は４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であり、前記キャップ層の、前記ピーク波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光消衰係数が０．０５より大きい材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、前記キャップ層の、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、前記キャップ層の、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスのキャップ層であって、前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、前記発光デバイスが発する光のピーク波長は５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であり、前記キャップ層の、前記ピーク波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長において常光消衰係数が０．０５より大きい材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、４環以上の縮合環骨格を有する材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、５環以上の縮合環骨格を有する材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、硫黄原子を有する材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、蒸着膜の異方性が大きい材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下の材料を含むキャップ層である。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲の波長全域において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記発光デバイスが発する光のピーク波長は４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であり、前記キャップ層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記低屈折率層が、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置する発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の、波長３９０ｎｍ以下における常光消衰係数が０．０１より大きい発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の、前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、前記発光デバイスが発する光のピーク波長は５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であり、前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、前記キャップ層に、前記ピーク波長において、常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、前記低屈折率層に、前記ピーク波長にいて常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の、波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光消衰係数が０．０５より大きい発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の、前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記透光性を有する電極が陰極である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記低屈折率層が電子輸送領域に設けられている発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記低屈折率層が電子輸送層である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記低屈折率材料が電子輸送性を有する材料である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記低屈折率材料が電子輸送性を有する材料と金属錯体との混合材料である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記一対の電極の他方が反射電極であり、前記ＥＬ層は、前記発光層と前記反射電極との間に第２の低屈折率層を有し、前記第２の低屈折率層に、前記発光デバイスが発する光のピーク波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下の第２の低屈折率材料を含む発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の低屈折率層が正孔輸送領域に設けられている発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の低屈折率層が正孔輸送層である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の低屈折率材料が正孔輸送性を有する材料である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料が４環以上の縮合環骨格を有する発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料が５環以上の縮合環骨格を有する発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料が硫黄原子を有する発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の蒸着膜の異方性が大きい発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記高屈折率材料の蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下である発光デバイスである。
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスと、センサと、操作ボタンと、スピーカまたはマイクと、を有する電子機器である。
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置である。
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する表示装置である。
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置である。
なお、本明細書中における発光装置とは、発光デバイスを用いた画像表示デバイスを含む。また、発光デバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも発光装置に含む場合がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
本発明の一態様では、発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力の小さい発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置、または電子デバイスのいずれかを提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）は発光デバイスの概略図である。 図２（Ａ）および図２（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図３（Ａ）および図３（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図４はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。 図５（Ａ）および図５（Ｂ）はパッシブマトリクス型発光装置を表す図である。 図６（Ａ）および図６（Ｂ）は照明装置を表す図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ１）、図７（Ｂ２）および図７（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図９は照明装置を表す図である。 図１０は照明装置を表す図である。 図１１は車載表示装置及び照明装置を表す図である。 図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は電子機器を表す図である。 図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１４（Ａ）乃至図１４（Ｄ）は、表示装置の構成例を示す図である。 図１５（Ａ）乃至図１５（Ｆ）は、表示装置の作製方法例を示す図である。 図１６（Ａ）乃至図１６（Ｆ）は、表示装置の作製方法例を示す図である。 図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）は、キャップ層の常光屈折率を変化させた青色発光デバイスの、低屈折率層の有無によるブルーインデックス（ＢＩ）の変化を表す図。 図１８は、ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ、ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ、およびＬｉ－６ｍｑの常光及び異常光の屈折率を表す図である。 図１９は、ＢｉｓＢＴｃ並びにＤＢＴ３Ｐ－ＩＩの常光及び異常光の屈折率および消衰係数を表す図である。 図２０は発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度－電流密度特性を表す図である。 図２１は発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度－電圧特性を表す図である。 図２２は発光デバイス１および比較発光デバイス１の電流効率－輝度特性を表す図である。 図２３は発光デバイス１および比較発光デバイス１の電流密度－電圧特性を表す図である。 図２４は発光デバイス１および比較発光デバイス１のブルーインデックス－輝度特性を表す図である。 図２５は発光デバイス１および比較発光デバイス１の発光スペクトルを表す図である。 図２６は発光デバイス１および比較発光デバイス１の相対輝度－時間変化特性を表す図である。 図２７は発光デバイス１－１乃至発光デバイス１－４、比較発光デバイス１－１乃至比較発光デバイス１－４のキャップ層の膜厚とブルーインデックスの最大値との関係を表す図である。 図２８は、ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４およびＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３の常光及び異常光の屈折率を表す図である。 図２９は発光デバイス１０の輝度－電流密度特性を表す図である。 図３０は発光デバイス１０の輝度－電圧特性を表す図である。 図３１は発光デバイス１０の電流効率－輝度特性を表す図である。 図３２は発光デバイス１０の電流密度－電圧特性を表す図である。 図３３は発光デバイス１０のブルーインデックス－輝度特性を表す図である。 図３４は発光デバイス１０の発光スペクトルを表す図である。 図３５は発光デバイス１０の相対輝度－時間変化特性を表す図である。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、光学的異方性を有する材料に光を入射する場合、光軸に平行な振動面の光を異常光（線）、垂直な振動面の光を常光（線）と呼ぶが、当該材料の常光に対する屈折率と異常光に対する屈折率が異なることがある。このような場合、異方性解析を実施することで、常光屈折率と異常光屈折率を分離して各々の屈折率を算出することができる。なお、本明細書においては、測定した材料に常光屈折率と異常光屈折率の双方が存在した場合、常光屈折率を指標として用いるものとし、また、単に屈折率と述べた場合は、常光屈折率と異常光屈折率の平均の値を指しているものとする。
また、屈折率と同様に消衰係数においても、常光と異常光に対する値が異なる事があり、異方性解析を実施することで、常光消衰係数と異常光消衰係数を分離して各々の消衰係数を算出することができる。本明細書においては、測定した材料に常光消衰係数と異常光消衰係数の双方が存在した場合、常光消衰係数を指標として用いるものとし、また、単に消衰係数と述べた場合は、常光消衰係数と異常光消衰係数の平均の値を指しているものとする。
また、本明細書における蒸着膜は、基板が室温の状態で、蒸着法によって成膜される膜とする。
（実施の形態１）
図１（Ａ）に、本発明の一態様の発光デバイス６００を表す図を示す。図１に示す発光デバイスは、第１の電極１０１と、第２の電極１０２、ＥＬ層１０３、およびキャップ層１５５を有している。当該ＥＬ層１０３は、少なくとも発光層１１３を有しており、低屈折率層１５６を有していることが好ましい。
第２の電極１０２は透光性を有する電極であり、発光デバイス６００は、第２の電極１０２側より光を射出する構成である。
また、ＥＬ層１０３の発光層１１３と第１の電極１０１との間をキャリア輸送領域１５０、発光層１１３と第２の電極１０２との間をキャリア輸送領域１５１と称し、一方が正孔輸送領域、他方が電子輸送領域である。また、低屈折率層１５６はキャリア輸送領域１５１に設けられることが好ましい。
第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３およびキャップ層１５５と接して設けられており、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３とキャップ層１５５に挟まれている。
キャップ層１５５は、屈折率の高い層である。具体的には、キャップ層１５５は、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長、好ましくは波長範囲全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下であることが好ましく、１．９５以上２．４０以下であることがより好ましい。さらに、上記キャップ層は、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長、好ましくは波長範囲全域における常光消衰係数が０以上０．０１以下であることが好ましい。
または、キャップ層１５５は、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長、好ましくは波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下であることが好ましく、１．９０以上２．４０以下であることがより好ましい。さらに、上記キャップ層は、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長、好ましくは波長範囲全域における常光消衰係数が０以上０．０１以下であることが好ましい。
なお、発光デバイス６００がピーク波長λｎｍの光を発する場合、上記常光屈折率および常光消衰係数は、当該λｎｍの光に対して上記数値範囲であることが好ましい。また、上記キャップ層１５５は上記ピーク波長λｎｍよりも１００ｎｍ以上短波長の波長において、常光消衰係数が０．０１より大きいことが、光の吸収によるロスが少ない一方で、波長λｎｍにおける屈折率が高くなるため好ましい。また、波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長において常光消衰係数が０．０５より大きいことが可視光領域の屈折率が増加するため好ましい。
このようなキャップ層１５５は、上述のような特性を有する材料（本明細書では高屈折率材料と称する）を用いて形成することで得ることができる。すなわち、上述のような特性を有する材料（高屈折率材料ともいう）含む層としてキャップ層１５５を形成することで実現する。
当該高屈折率材料は、分子の分極が大きいほど屈折率が高くなるため４環以上、好ましくは５環以上の縮合環骨格を有することが好ましい。また、当該高屈折率材料は、原子屈折の大きな原子番号の大きい元素を採用する事で高い屈折率が実現する。特に、当該高屈折率材料は、硫黄原子を含むことが好ましい。
また、当該高屈折率材料は、複数のナフタレン骨格、ジベンゾキノキサリン骨格、ベンゾナフトフラン骨格およびベンゾフロピリミジン骨格のいずれかを含む有機化合物であることが好ましい。なお、これらはさらにカルバゾール骨格またはアリールアミン骨格を含むことが好ましい。
さらに、蒸着膜の異方性が大きいと膜密度が高まり、屈折率が増加するため好ましい。また、異方性が大きくなると、常光屈折率が高くなる傾向があり、常光屈折率はｓ偏光の光取り出し効率を改善することから、当該高屈折率材料は、その蒸着膜の異方性が大きいことが好ましい。具体的には、蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターＳが－０．１以下、好ましくは－０．１５以下、より好ましくは－０．２以下であることが好ましい。
なお、配向オーダーパラメーターＳは、Ｓ＝（ｋｅ－ｋｏ）／（ｋｅ＋２ｋｏ）（ただし、ｋｏは光軸に垂直な光に対する消衰係数を表し、ｋｅは光軸に平行な光に対する消衰係数を表す）で表され、ある材料の配向状態を表す指標として用いられる。配向オーダーパラメーターＳは、－０．５から＋１までの範囲の数値をとり、基板に対して完全水平配向の場合＝－０．５、基板に対して完全垂直配向の場合＝＋１、ランダム配向の場合＝０となる。
上述のような高屈折率材料としては、例えば以下のような有機化合物を用いることができる。
５，５’－ジフェニル－２，２’－ジ－５Ｈ－［１］ベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＴｃ）、３－｛４－（トリフェニレン－２－イル）フェニル｝－９－（トリフェニレン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＴｐＰＣｚＴｐ）、３，６－ビス［４－（２－ナフチル）フェニル］－９－（２－ナフチル）－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＰ２βＮＣ）、９－［４－（２，２’－ビナフタレン－６－イル）フェニル］－３－［４－（２－ナフチル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：（βＮ２）ＰＣＰβＮ）、２－｛４－［２－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＰＣＣｚＰＤＢｑ－０２）、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＢｎｆＢＢ１ＴＰ）、９－［４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＴｐＰ２Ｂｆｐｍ）。
上述のような特性を有する材料は、キャップ層１５５を構成する材料として非常に好適である。
低屈折率層１５６は、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長、好ましくは波長全域における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下、のキャリア輸送性を有する材料を用いて形成することができる。または、低屈折率層１５６は、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長、好ましくは波長全域における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下のキャリア輸送性を有する材料を用いて形成することができる。低屈折率層１５６は、低屈折率層１５６を電子輸送領域に形成する場合は、電子輸送性を有する材料、正孔輸送領域に形成する場合は正孔輸送性を有する材料を含む層として形成すればよい。
低屈折率層１５６を、発光層１１３と第２の電極１０２との間の領域であるキャリア輸送領域１５１に設けることで、発光層１１３と第１の電極１０１との間の領域であるキャリア輸送領域１５０に低屈折率層を設けるよりも発光効率の向上効果が大きいため好ましい。
なお、第１の電極１０１が陽極、第２の電極１０２が陰極である構成が、屈折率の高いキャップ層、屈折率の低い電子輸送層を採用した際の発光効率が高まるため好ましい。これは、第２の電極１０２に仕事関数が小さく、且つ、反射性を有するＡｇ等の電極で形成できるためである。この場合キャリア輸送領域１５０が正孔輸送領域、キャリア輸送領域１５１が電子輸送領域となり、低屈折率層１５６は、電子輸送領域に設けられる。
低屈折率層１５６が電子輸送領域に設けられる場合、低屈折率層１５６は、電子輸送性を有する低屈折率材料を含む層として形成する。電子輸送性を有し、且つ屈折率が上述の範囲にある低屈折率材料としては、例えば以下のような物質を挙げることができる。なお、これら以外の物質であっても、電子移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上且つ、屈折率が上述の範囲となる膜を形成することが可能な物質であれば同様に用いることができる。
電子輸送性を有する低屈折率材料としては、１個以上３個以下の窒素を含む６員環の複素芳香環を少なくとも１つ有し、環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素環を複数有し、複数の前記芳香族炭化水素環のうち少なくとも２つはベンゼン環であり、ｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭化水素基を複数有する有機化合物が挙げられる。
また、このような有機化合物は、当該有機化合物の分子内の総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している総炭素数の割合が、１０％以上６０％以下であることが好ましく、１０％以上５０％以下であるとより好ましい。または、このような有機化合物は、１Ｈ－ＮＭＲで当該有機化合物の測定を行った結果における４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値が、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値の１／２倍以上であることが好ましい。
なお、上記電子輸送性を有する有機化合物の分子量は、５００以上２０００以下であると好ましい。なお、当該有機化合物が有するすべてのｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭化水素基は、上記環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素環に結合していることが好ましい。
当該電子輸送性を有する有機化合物としては、下記一般式（Ｇｅ１１）または（Ｇｅ１１‐１）で表される有機化合物が好ましい。
Figure 2022151856000002
式中、Ａは１～３個の窒素を含む６員環の複素芳香環を表し、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環のいずれかが好ましい。
また、Ｒ２００は、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、または上記一般式（Ｇｅ１１－１）で表される置換基、のいずれかを表す。
Ｒ２０１乃至Ｒ２１５の少なくとも一は、置換基を有するフェニル基であり、他は各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、置換または無置換の環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素基、置換または無置換のピリジル基、のいずれかを表す。なお、Ｒ２０１、Ｒ２０３、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０８、Ｒ２１０、Ｒ２１１、Ｒ２１３およびＲ２１５は水素であることが好ましい。当該置換基を有するフェニル基は１つまたは２つの置換基を有し、当該置換基は各々独立に、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、置換または無置換の環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素基、のいずれかである。
なお、上記一般式（Ｇｅ１１）で表される有機化合物は、炭素数１乃至６のアルキル基および炭素数３乃至１０の脂環式基から選ばれる炭化水素基を複数有し、分子内の総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している総炭素数の割合は、１０％以上６０％以下である。
また、当該電子輸送性を有する有機化合物としては、下記一般式（Ｇｅ１２）で表される有機化合物が好ましい。
Figure 2022151856000003
式中、Ｑ１乃至Ｑ３のうち２または３はＮを表し、前記Ｑ１乃至Ｑ３のうちの２がＮである場合、残りの１はＣＨを表す。
またＲ２０１乃至Ｒ２１５の少なくともいずれか一は、置換基を有するフェニル基であり、他は各々独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、置換または無置換の環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素基、置換または無置換のピリジル基、のいずれかを表す。なお、Ｒ２０１、Ｒ２０３、Ｒ２０５、Ｒ２０６、Ｒ２０８、Ｒ２１０、Ｒ２１１、Ｒ２１３およびＲ２１５は水素であることが好ましい。前記置換基を有するフェニル基は１つまたは２つの置換基を有し、当該置換基は各々独立に、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、置換または無置換の環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素基、のいずれかである。
なお、上記一般式（Ｇｅ１２）で表される有機化合物は、炭素数１乃至６のアルキル基および炭素数３乃至１０の脂環式基から選ばれる炭化水素基を複数有し、分子内の総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している総炭素数の割合は、１０％以上６０％以下であることが好ましい。
また、上記一般式（Ｇｅ１１）または（Ｇｅ１２）で表される有機化合物において、置換基を有するフェニル基が下記式（Ｇｅ１１－２）で表される基であることが好ましい。
Figure 2022151856000004
式中、αは置換または無置換のフェニレン基を表し、メタ位置換のフェニレン基であることが好ましい。また、メタ位置換のフェニレン基が置換基を一つ有する場合、当該置換基もメタ位に置換していることが好ましい。なお、当該置換基としては炭素数１乃至６のアルキル基、または炭素数３乃至１０の脂環式基であることが好ましく、炭素数１乃至６のアルキル基であることがより好ましく、ｔ－ブチル基であることがさらに好ましい。
Ｒ２２０は、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至１０の脂環式基、または、置換もしくは無置換の環を形成する炭素数が６乃至１４の芳香族炭化水素基を表す。
また、ｊおよびｋは１または２を表す。なお、ｊが２の場合、複数のαは各々同じでも異なっていてもよい。また、ｋが２の場合、複数のＲ２２０は各々同じでも異なっていてもよい。なお、Ｒ２２０はフェニル基であることが好ましく、２か所のメタ位の一方または両方に炭素数１乃至６のアルキル基、または炭素数３乃至１０の脂環式基を有するフェニル基であることがより好ましい。なお、当該フェニル基が２か所のメタ位の一方または両方に有する置換基は炭素数１乃至６のアルキル基であることがより好ましく、ｔ－ブチル基であることがさらに好ましい。
なお、当該有機化合物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の金属錯体を混合した混合材料を、電子輸送性を有する低屈折率材料として低屈折率層１５６に用いることが好ましい。ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物は、アルカリ金属の有機金属錯体と励起錯体を形成した際のエネルギーが安定化しやすい（励起錯体の発光波長を長波長化しやすい）ため、駆動寿命の観点で好ましい。特にジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物は、ＬＵＭＯ準位が深いため、励起錯体のエネルギー安定化に好適である。
なお、上記アルカリ金属の有機金属錯体は、ナトリウムまたはリチウムの金属錯体であることが好ましい。または、上記アルカリ金属の有機金属錯体はキノリノール骨格を有する配位子を有することが好ましい。また、より好ましくは、上記アルカリ金属の有機金属錯体が、８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体またはその誘導体であることが好ましい。８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体の誘導体としては、アルキル基を有する８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体が好ましく、特にメチル基を有することが好ましい。
アルキル基を有する８－キノリノラトーリチウムは、屈折率の小さな金属錯体とすることが可能である。具体的には薄膜状態における４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲の波長の光に対する常光屈折率が１．４５以上１．７０以下、６３３ｎｍの波長の光に対する常光屈折率が１．４０以上１．６５以下とすることができる。
なお、上記金属錯体としては、具体的には、例えば８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８－ヒドロキシキノリナト－ナトリウム（略称：Ｎａｑ）などを挙げることができる。特に、一価の金属イオンの錯体、中でもリチウムの錯体が好ましく、Ｌｉｑがより好ましい。なお、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む場合、そのメチル置換体（例えば２－メチル置換体、５－メチル置換体または６－メチル置換体）などを用いることも好ましい。特に、６位にアルキル基を有する８－キノリノラト構造を有するアルカリ金属錯体を用いることで、発光デバイスの駆動電圧を低下させる効果がある。
また、第１の電極１０１が陰極、第２の電極１０２が陽極である構成であってもよい。この場合キャリア輸送領域１５０が電子輸送領域、キャリア輸送領域１５１が正孔輸送領域となり、低屈折率層１５６は、正孔輸送領域に設けられる。
低屈折率層１５６が正孔輸送領域に設けられる場合、低屈折率層１５６は、正孔輸送性を有する低屈折率材料を含む層として形成する。正孔輸送性を有し、且つ屈折率が上述の範囲にある低屈折率材料としては、例えば以下のような物質を挙げることができる。なお、これら以外の物質であっても、正孔移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上且つ、屈折率が上述の範囲となる膜を形成することが可能な物質であれば同様に用いることができる。
正孔輸送性を有する低屈折率材料の一つとしては、第１の芳香族基、第２の芳香族基および第３の芳香族基を有し、それら第１の芳香族基、第２の芳香族基および第３の芳香族基が同一の窒素原子に結合しているモノアミン化合物が挙げられる。
当該モノアミン化合物は、分子内の総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を作っている炭素の割合が２３％以上５５％以下であることが好ましく、また、１Ｈ－ＮＭＲで当該モノアミン化合物の測定を行った結果における、４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値が、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値を上回るような化合物であることが好ましい。
また、当該モノアミン化合物は、少なくとも一のフルオレン骨格を有し、前記第１の芳香族基、前記第２の芳香族基および前記第３の芳香族基のいずれか一または複数がフルオレン骨格であることが好ましい。なお、フルオレニルアミンはＨＯＭＯ準位を上昇させる効果があるため、当該モノアミン化合物の窒素に３つのフルオレンが結合すると、ＨＯＭＯ準位が大きく上昇する可能性がある。この場合、周辺材料のＨＯＭＯ準位との差が大きくなり、駆動電圧および信頼性等に影響を及ぼす可能性がある。したがって、当該第１の芳香族基、当該第２の芳香族基および当該第３の芳香族基のいずれか一または二がフルオレン骨格であることがさらに好ましい。
以上のような材料の例としては以下一般式（Ｇｈ１１）乃至（Ｇｈ１４）のような構造を有する有機化合物を挙げることができる。
Figure 2022151856000005
上記一般式（Ｇｈ１１）において、Ａｒ１、Ａｒ２はそれぞれ独立に、ベンゼン環または２個または３個のベンゼン環が互いに結合した置換基を表す。ただし、Ａｒ１、Ａｒ２の一方または両方は、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を作っている炭素数１乃至１２の炭化水素基を一つまたは複数有し、Ａｒ１およびＡｒ２に結合した全ての前記炭化水素基に含まれる炭素の合計が８以上であり、且つ、Ａｒ１およびＡｒ２のどちらか一方に結合した全ての前記炭化水素基に含まれる炭素の合計が６以上である。なお、Ａｒ１またはＡｒ２に前記炭化水素基として炭素数１又は２の直鎖アルキル基が複数結合している場合、当該直鎖アルキル基同士が結合して環を形成していても良い。
Figure 2022151856000006
上記一般式（Ｇｈ１２）において、ｍおよびｒは各々独立に１または２を表し、ｍ＋ｒは２または３である。また、ｔは０乃至４の整数を表し、０であることが好ましい。また、Ｒ５は水素または炭素数１乃至３の炭化水素基のいずれかを表す。なお、ｍが２である場合二つのフェニレン基の有する置換基の種類、置換基の数および結合手の位置は同じであっても異なっていてもよく、ｒが２である場合二つのフェニル基の有する置換基の種類、置換基の数および結合手の位置は同じであっても異なっていても良い。また、ｔが２乃至４の整数である場合、複数のＲ５は各々同じであっても異なっていても良く、Ｒ５は、隣り合う基が互いに結合して環を形成していても良い。
Figure 2022151856000007
上記一般式（Ｇｈ１２）および（Ｇｈ１３）において、ｎおよびｐは各々独立に１または２を表し、ｎ＋ｐは２または３である。ｓは０乃至４の整数を表し、０であることが好ましい。また、Ｒ４は水素または炭素数１乃至３の炭化水素基のいずれかを表し、なお、ｎが２である場合二つのフェニレン基の有する置換基の種類、置換基の数および結合手の位置は同じであっても異なっていても良く、ｐが２である場合二つのフェニル基の有する置換基の種類、置換基の数および結合手の位置は同じであっても異なっていても良い。また、ｓが２乃至４の整数である場合、複数のＲ４は各々同じであっても異なっていても良い。
Figure 2022151856000008
上記一般式（Ｇｈ１２）乃至（Ｇｈ１４）において、Ｒ１０乃至Ｒ１４およびＲ２０乃至Ｒ２４は各々独立に、水素、または炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を作っている炭素数１乃至１２の炭化水素基を表す。なお、Ｒ１０乃至Ｒ１４の少なくとも３、およびＲ２０乃至Ｒ２４の少なくとも３が水素であることが好ましい。炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を作っている炭素数１乃至１２の炭化水素基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基およびシクロヘキシル基が好ましい。ただし、Ｒ１０乃至Ｒ１４およびＲ２０乃至Ｒ２４に含まれる炭素の合計は８以上であり、且つ、Ｒ１０乃至Ｒ１４またはＲ２０乃至Ｒ２４のどちらか一方に含まれる炭素の合計が６以上であるものとする。Ｒ４、Ｒ１０乃至Ｒ１４およびＲ２０乃至Ｒ２４は、隣り合う基が互いに結合して環を形成していても良い。
また、上記一般式（Ｇｈ１１）乃至（Ｇｈ１４）において、ｕは各々独立に０乃至４の整数を表し、０であることが好ましい。ｕが２乃至４の整数である場合複数のＲ３は各々同じであっても異なっていても良い。また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立に炭素数１乃至４のアルキル基を表し、Ｒ１およびＲ２は互いに結合して環を形成していてもよい。
また、当該正孔輸送性を有する低屈折率材料しては、少なくとも１の芳香族基を有し、当該芳香族基は第１乃至第３のベンゼン環と、少なくとも３つのアルキル基とを有しているアリールアミン化合物を挙げることもできる。なお、第１乃至第３のベンゼン環はこの順に結合しており、第１のベンゼン環がアミンの窒素に直接結合しているものとする。
また、第１のベンゼン環はさらに置換または無置換のフェニル基を有していてもよく、無置換のフェニル基を有していることが好ましい。また、前記第２のベンゼン環または前記第３のベンゼン環が、アルキル基で置換されたフェニル基を有していてもよい。
なお、当該第１乃至前記第３のベンゼン環のうち、２以上のベンゼン環、好ましくはすべてのベンゼン環の１位および３位の炭素には直接水素は結合しておらず、上述の第１乃至第３のベンゼン環、上述のアルキル基で置換されたフェニル基、上述の少なくとも３つのアルキル基、および上述のアミンの窒素のいずれかと結合しているものとする。
また、上記アリールアミン化合物は、さらに第２の芳香族基を有することが好ましい。第２の芳香族基としては、無置換の単環、または置換もしくは無置換の３環以下の縮合環を有する基であることが好ましく、中でも置換もしくは無置換の３環以下の縮合環であり、前記縮合環が、環を形成する炭素の数が６乃至１３の縮合環を有する基であることがより好ましく、フルオレン環を有する基であることがさらに好ましい。なお、第２の芳香族基としてはジメチルフルオレニル基が好ましい。
また、上記アリールアミン化合物は、さらに第３の芳香族基を有することが好ましい。第３の芳香族基は、置換または無置換のベンゼン環を１乃至３有する基である。
上述の少なくとも３つのアルキル基、フェニル基に置換するアルキル基は、炭素数２乃至炭素数５の鎖式アルキル基であることが好ましい。特に当該アルキル基としては、炭素数３乃至炭素数５の分岐を有する鎖式アルキル基が好ましく、ｔ－ブチル基がさらに好ましい。
以上のような正孔輸送性を有する材料の例としては下記一般式（Ｇｈ２１）乃至（Ｇｈ２３）のような構造を有する有機化合物を挙げることができる。
Figure 2022151856000009
なお、上記一般式（Ｇｈ２１）において、Ａｒ１０１は置換または無置換のベンゼン環、または２個もしくは３個の置換または無置換のベンゼン環が互いに結合した置換基を表す。
Figure 2022151856000010
なお、上記一般式（Ｇｈ２２）において、ｘおよびｙは各々独立に１または２を表し、ｘ＋ｙは２または３である。また、Ｒ１０９は炭素数１乃至４のアルキル基を表し、ｗは０乃至４の整数を表す。また、Ｒ１４１乃至Ｒ１４５は各々独立に、水素、炭素数１乃至炭素数６のアルキル基、炭素数５乃至炭素数１２のシクロアルキル基のいずれか一を表す。ｗが２以上の整数である場合、複数のＲ１０９は各々同じであっても異なっていても良い。またｘが２である場合、二つのフェニレン基が有する置換基の種類、置換基の数および結合手の位置は同じであっても異なっていても良い。また、ｙが２である場合、二つのＲ１４１乃至Ｒ１４５を有するフェニル基が有する置換基の種類、および置換基の数は同じであっても異なっていてもよい。
Figure 2022151856000011
なお、上記一般式（Ｇｈ２３）において、Ｒ１０１乃至Ｒ１０５は各々独立に、水素、炭素数１乃至炭素数６のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のシクロアルキル基および置換または無置換のフェニル基のいずれか一を表す。
また、上記一般式（Ｇｈ２１）乃至（Ｇｈ２３）において、Ｒ１０６、Ｒ１０７およびＲ１０８は各々独立に炭素数１乃至４のアルキル基を表し、ｖは０乃至４の整数を表す。なお、ｖが２以上である場合、複数のＲ１０８は各々同じであっても異なっていても良い。また、Ｒ１１１乃至Ｒ１１５は一つが上記一般式（ｇ１）で表される置換基であり、残りが各々独立に、水素、炭素数１乃至炭素数６のアルキル基、および置換または無置換のフェニル基のいずれか一を表す。また、上記一般式（ｇ１）において、Ｒ１２１乃至Ｒ１２５は一つが上記一般式（ｇ２）で表される置換基であり、残りが各々独立に、水素、炭素数１乃至炭素数６のアルキル基、および炭素数１乃至炭素数６のアルキル基で置換されたフェニル基のいずれか一を表す。また、上記一般式（ｇ２）において、Ｒ１３１乃至Ｒ１３５は各々独立に、水素、炭素数１乃至炭素数６のアルキル基、および炭素数１乃至炭素数６のアルキル基で置換されたフェニル基のいずれか一を表す。なお、Ｒ１１１乃至Ｒ１１５、Ｒ１２１乃至Ｒ１２５およびＲ１３１乃至Ｒ１３５のうち、少なくとも３以上が炭素数１乃至炭素数６のアルキル基であり、Ｒ１１１乃至Ｒ１１５における置換または無置換のフェニル基は１以下であり、Ｒ１２１乃至Ｒ１２５およびＲ１３１乃至Ｒ１３５における炭素数１乃至炭素数６のアルキル基で置換されたフェニル基は１以下であるものとする。また、Ｒ１１２およびＲ１１４、Ｒ１２２およびＲ１２４、並びにＲ１３２およびＲ１３４の３つの組み合わせのうち少なくとも２つの組み合わせにおいて、少なくとも一方のＲが水素以外であるものとする。
なお、発光デバイス６００は、図１（Ｂ）のように、発光層１１３と第１の電極１０１との間の領域であるキャリア輸送領域１５０に第２の低屈折率層１５７を有していることが好ましい。第２の低屈折率層１５７があることによって、より発光効率の良好な発光デバイスを得ることができる。なお、キャリア輸送領域１５０が正孔輸送領域である場合には第２の低屈折率層１５７は正孔輸送性を有する低屈折率材料、キャリア輸送領域１５０が電子輸送領域である場合には第２の低屈折率層１５７は電子輸送性を有する低屈折率材料を用いて形成すればよい。
ここで、キャップ層１５５を用いた青色発光デバイスにおいて、キャップ層１５５の屈折率を変化させた場合の、低屈折率層１５６および第２の低屈折率層１５７の有無によるブルーインデックス（ＢＩ）の変化を計算した。
なお、ブルーインデックス（ＢＩ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）をさらにＣＩＥ１９３１表色系で算出したｙ色度で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、ｙ色度が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色純度の高い青色発光は、輝度成分が小さくても広い範囲の青色を表現することが可能であり、色純度の高い青色発光を用いることで、青色を表現するための必要輝度が低下することから消費電力の低減効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなるｙ色度を考慮したＢＩが青色発光の効率を表す手段として好適に用いられ、ＢＩが高い発光デバイスほどディスプレイに用いられる青色発光デバイスとしての効率が良好であるということができる。
計算は、有機デバイスシミュレーター（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｏｐｔｉｃｓ ｓｉｍｕｌａｔｏｒ：ｓｅｔｆｏｓ；サイバネットシステム株式会社）を使用して行った。発光領域は発光層の中央に固定し、発光材料は無配向、励起子生成効率、内部量子効率は１００％と仮定した。なお、パーセル効果によるクエンチを考慮して計算を行っている。計算に用いた発光デバイスの積層構造と、計算に用いた常光屈折率および膜厚の値を以下の表に示す。表中、発光デバイス０２および発光デバイス０４がキャリア輸送領域１５１に低屈折率層を有し、発光デバイス０３と発光デバイス０４がキャリア輸送領域１５０に第２の低屈折率層を有する素子構造となっている。
Figure 2022151856000012
なお、発光デバイスの発光スペクトルは、石英基板上に９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）と３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）とを重量比で１：０．０１５（＝αＮ－βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように５０ｎｍ共蒸着したサンプルが発するＰＬスペクトルを採用し、発光ピーク波長λは４５８ｎｍとした。
また、キャップ層、電子輸送層および正孔輸送層の膜厚は、各条件におけるＢＩが最大になる膜厚に最適化を行っている。なお、正孔輸送層の膜厚は、反射電極のＥＬ層側表面から３／４λ付近となるように最適化を行い、電子輸送層の膜厚は半透過・半反射電極のＥＬ層側表面から１／４λ付近となるように最適化を行った。
計算結果を図１７（Ａ）に示す。また、図１７（Ｂ）は、キャップ層の常光屈折率が１．７０である時のブルーインデックスを１とした場合のグラフである。
図１７（Ａ）（Ｂ）より、低屈折率層または第２の低屈折率層を有することによっていずれもブルーインデックスが向上していることがわかる。特に発光層１１３と第２の電極１０２の間の領域であるキャリア輸送領域１５１に低屈折率層を有する発光デバイス０２と発光デバイス０４の向上率が大きい。また、キャップ層の屈折率が高い領域における、ブルーインデックスの向上率は、キャリア輸送領域１５１に低屈折率層を有する発光デバイス０２と発光デバイス０４が、図１７（Ｂ）より明らかに大きいことがわかる。すなわち、キャリア輸送領域１５１に低屈折率層を設けた構成と高屈折率材料を有するキャップ層の組み合わせによってより顕著な効果を得ることができることがわかった。
なお、キャップ層に含まれる高屈折率材料、低屈折率層および第２の低屈折率層に含まれる低屈折率材料は各層において各々８０％以上含まれているものとする。層が複数の材料を用いた混合材料で構成される場合には、常光屈折率が所定の範囲にある材料の和が各層において８０％以上であるものとする。
また、所定の常光屈折率または常光消衰係数の材料を有する層は、所定の常光屈折率または常光消衰係数を有する層と読み替えることも可能である。
また、混合材料で構成される層の屈折率および消衰係数を求める場合、直接測定する他に、それぞれの材料のみで形成される膜の常光屈折率に組成の比率を掛け合わせ、これを足し合わせた値として求めることもできる。なお、正確な比率が求められない場合は、それぞれの常光屈折率に対し組成成分の数で除した値を、足し合わせた値を用いてもよい。
続いて、本発明の一態様の発光デバイス６００の他の構造および材料の例について説明する。本発明の一態様の発光デバイスは、上述のように第１の電極１０１と透光性を有する第２の電極１０２の一対の電極間に複数の層からなるＥＬ層１０３を有しており、当該ＥＬ層１０３は、少なくとも発光材料を有する発光層１１３と、低屈折率層とを有している。低屈折率層は、発光層１１３と第２の電極との間に位置することが好ましい。
第１の電極１０１と第２の電極１０２とは、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル－ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、第１の電極１０１に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。又は、陽極の材料として、グラフェンも用いることができる。なお、後述する複合材料をＥＬ層１０３における陽極と接する層（代表的には正孔注入層１１１）に用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。
陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。
本発明の一態様では、第２の電極１０２は透光性を有する電極であるため、第１の電極１０１には、発光デバイス６００の発する光に対して反射性を有する層が含まれていることが好ましい。当該反射性を有する層は、上述の陽極または陰極に用いることが好ましい材料として挙げた材料のうち、透光性を有する材料からなる層と積層して用いてもよい。
これら導電性材料は、真空蒸着法、スパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル－ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。
ＥＬ層１０３は積層構造を有していることが好ましい。当該積層構造については、上記発光層１１３、以外は特に限定はなく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、励起子ブロック層、中間層、電荷発生層など、様々な機能層を用いることができる。ただし、本発明の一態様ではそのうちいずれかの層、またはいずれかの層の一部を低屈折率層とする。また、複数の層が低屈折率層であってもよい。
本実施の形態では、図１（Ｃ）に示すように、陽極である第１の電極１０１側から、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が積層された構成について説明する。また、図１（Ｃ）は第２の電極１０２が陰極である場合を例に説明するが、第２の電極１０２は陽極であっても構わない。その場合、ＥＬ層１０３の積層順は図１（Ｃ）とは逆になり、第１の電極１０１側から電子注入層１１５、電子輸送層１１４、発光層１１３、正孔輸送層１１２、正孔注入層１１１となる。
なお、図１（Ｃ）ではキャリア輸送領域１５０は、正孔輸送領域となり、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２が含まれる。正孔輸送領域にはこのほかに電子ブロック層などが含まれていてもよい。また、図１（Ｃ）では、キャリア輸送領域１５１は電子輸送領域となり、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が含まれる。電子輸送領域にはこのほかに正孔ブロック層などが含まれていてもよい。
正孔注入層１１１は、陽極に接して設けられ、正孔をＥＬ層１０３に注入しやすくする機能を有する。正孔注入層は、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によって形成することができる。
また、正孔注入層はアクセプタ性を有する物質により形成しても良い。アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する有機化合物を用いることができ、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。アクセプタ性を有する物質は、隣接する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から、電極間に電圧を印加することにより電子を引き抜くことができる。
また、正孔注入層は、上記アクセプタ性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを含む複合材料により形成しても良い。複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料は、縮合芳香族炭化水素環、または、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、ナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。
このような正孔輸送性を有する材料としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する材料が、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。以上のような正孔輸送性を有する材料としては、具体的には、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ジベンゾフラン－４－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン等を挙げることができる。
また、正孔輸送性を有する材料としては、その他芳香族アミン化合物として、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を用いることもできる。
また、正孔輸送性を有する材料として、上述の正孔輸送性を有する低屈折率材料を用いることもできる。この場合、正孔注入層を低屈折率層とすることができる。
なお、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料はそのＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることがさらに好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有することによって、正孔輸送層１１２への正孔の注入が容易となり、また、寿命の良好な発光デバイスを得ることが容易となる。また、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることによって、正孔の誘起が適度に抑制されさらに寿命の良好な発光デバイスとすることができる。
なお、上記複合材料にさらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を混合（好ましくは当該層中のフッ素原子の原子比率が２０％以上）することによって、当該層の屈折率を低下させることができる。これによっても、正孔注入層を低屈折率層とすることができる。
正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発光デバイスを得ることができる。
なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性を有する材料を含んで形成される。正孔輸送性を有する材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。正孔輸送層１１２は単層または複数層で構成することができ、用いる正孔輸送性を有する材料は、上記正孔注入層の複合材料に用いることが可能な正孔輸送性を有する材料として挙げた材料を用いることができる。また、正孔輸送性を有する材料として、上述の正孔輸送性を有する低屈折率材料を用いることもできる。この場合、正孔輸送層を低屈折率層とすることができる。
正孔輸送層１１２と発光層１１３との間には、電子ブロック層が設けられていてもよい。電子ブロック層は、上述の正孔輸送層に含まれる正孔輸送性を有する材料として用いることができる材料のうち、ＬＵＭＯ準位が発光層１１３のホスト材料よりも０．２５ｅＶ以上高い物質を用いることが好ましい。
発光層１１３は発光物質とホスト材料を有していることが好ましい。なお、発光層１１３は、その他の材料を同時に含んでいても構わない。また、組成の異なる２層の積層であってもよい。
発光物質は蛍光発光物質であっても、りん光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質であっても、その他の発光物質であっても構わない。なお、本発明の一態様は、発光層１１３が蛍光発光を呈する層、特に、青色の蛍光発光を呈する層である場合により好適に適用することができる。
発光層１１３において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。
５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（１，６－ピレン－ジイル）ビス［（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率、信頼性に優れているため好ましい。
発光層１１３において、発光物質としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３］）のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［（１－２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。
また、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（メチル－ｄ３）－８－［４－（１－メチルエチルー１－ｄ）－２－ピリジニル－κＮ］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－７－イル－κＣ］ビス［５－（メチル－ｄ３）－２－［５－（メチル－ｄ３）－２－ピリジニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ－ｄ６）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｉＰｒ－ｄ４））、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性、発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
また、以上で述べたりん光性化合物の他、公知のりん光性化合物を選択し、用いてもよい。
ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等も挙げられる。
Figure 2022151856000013
また、以下の構造式に示される２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。
Figure 2022151856000014
また、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にあるＴＡＤＦ材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光素子における高輝度領域での効率低下を抑制することができる。具体的には、下記に示す分子構造のような材料が挙げられる。
Figure 2022151856000015
なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。
なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。
発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料、正孔輸送性を有する材料、上記ＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。
正孔輸送性を有する材料としては、アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環骨格などを有する有機化合物が好ましい。例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層１１２における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物も用いることができる。
電子輸送性を有する材料としては、例えば、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’－［ピリミジン－４，６－ジイルビス（ビフェニル－３，３’－ジイル）］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）（１，１’－ビフェニル－３－イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８－［（２，２’－ビナフタレン）－６－イル］－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス｛４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－６－フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ－ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６－（１，１’－ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６－ビス（４－ナフタレン－１－イルフェニル）－４－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（１，１’－ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２－［（１，１’－ビフェニル）－４－イル］－４－フェニル－６－［９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントレニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾチオフェニル］－２－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－［１，１’－ビフェニル］－３－イル－４－フェニル－６－（８－［１，１’：４’，１’’－タ－フェニル］－４－イル－１－ジベンゾフラニル）－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジン、ピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先にＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光デバイスの発光効率を高めることができる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。
これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。
また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような波長の発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。
また、三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが効率良く生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送、キャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
蛍光発光物質を発光物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格、ジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格、ジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン（略称：α、β－ＡＤＮ）、２－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ジベンゾフラン、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）－ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１－［４－（１０－［１，１‘－ビフェニル］－４－イル－９－アントラセニル）フェニル］－２－エチル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。
なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：１９～１９：１とすればよい。
なお、上記混合された材料の一部として、りん光発光物質を用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。
また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。
なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、りん光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。
効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。
なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。
電子輸送層１１４は、発光層１１３と陰極の間に設けられ、電子輸送性を有する材料を含む層である。電子輸送性を有する材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。
上記電子輸送層に用いることが可能な電子輸送性を有する材料としては、具体的には、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス〔３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル〕ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’－［ピリミジン－４，６－ジイルビス（ビフェニル－３，３’－ジイル）］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）（１，１’－ビフェニル－３－イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８－［（２，２’－ビナフタレン）－６－イル］－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス｛４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－６－フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ－ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６－（１，１’－ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６－ビス（４－ナフタレン－１－イルフェニル）－４－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（１，１’－ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２－［（１，１’－ビフェニル）－４－イル］－４－フェニル－６－［９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントレニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾチオフェニル］－２－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－［１，１’－ビフェニル］－３－イル－４－フェニル－６－（８－［１，１’：４’，１’’－タ－フェニル］－４－イル－１－ジベンゾフラニル）－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジン、ピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
なお、当該電子輸送性を有する材料と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の金属錯体を混合した混合材料を、電子輸送層に用いることが好ましい。ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物は、アルカリ金属の有機金属錯体と励起錯体を形成した際のエネルギーが安定化しやすい（励起錯体の発光波長を長波長化しやすい）ため、駆動寿命の観点で好ましい。特にジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物は、ＬＵＭＯ準位が深いため、励起錯体のエネルギー安定化に好適である。
なお、上記アルカリ金属の有機金属錯体は、ナトリウムまたはリチウムの金属錯体であることが好ましい。または、上記アルカリ金属の有機金属錯体はキノリノール骨格を有する配位子を有することが好ましい。また、より好ましくは、上記アルカリ金属の有機金属錯体が、８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体またはその誘導体であることが好ましい。８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体の誘導体としては、アルキル基を有する８－キノリノラト構造を含むリチウム錯体が好ましく、特にメチル基を有することが好ましい。
なお、上記金属錯体としては、具体的には、例えば８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８－ヒドロキシキノリナト－ナトリウム（略称：Ｎａｑ）などを挙げることができる。特に、一価の金属イオンの錯体、中でもリチウムの錯体が好ましく、Ｌｉｑがより好ましい。なお、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む場合、そのメチル置換体（例えば２－メチル置換体、５－メチル置換体または６－メチル置換体）などを用いることも好ましい。特に、６位にアルキル基を有する８－キノリノラト構造を有するアルカリ金属錯体を用いることで、発光デバイスの駆動電圧を低下させる効果がある。
また、電子輸送性を有する材料として、上述の電子輸送性を有する低屈折率材料を用いることもできる。この場合、電子輸送層１１４を低屈折率層とすることができる。
また、電子輸送層１１４は電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上５×１０－５ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましい。電子輸送層１１４における電子の輸送性を落とすことにより発光層への電子の注入量を制御することができ、発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。この構成は、特に正孔注入層を複合材料として形成し、当該複合材料における正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質である場合に、寿命が良好となるため特に好ましい。なお、この際、電子輸送性を有する材料は、そのＨＯＭＯ準位が－６．０ｅＶ以上であることが好ましい。
電子輸送層１１４と第２の電極１０２との間に、電子注入層１１５として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物もしくは錯体を含む層を設けても良い。電子注入層１１５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
なお、電子注入層１１５として、電子輸送性を有する物質（好ましくはビピリジン骨格を有する有機化合物）に上記アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を微結晶状態となる濃度以上（５０ｗｔ％以上）含ませた層を用いることも可能である。当該層は、屈折率の低い層であることから、電子注入層を低屈折率層とすることができ、より外部量子効率の良好な発光デバイスを提供することが可能となる。
また、図１（Ｃ）の電子注入層１１５の代わりに電荷発生層１１６を設けても良い（図１（Ｄ））。電荷発生層１１６は、電位をかけることによって当該層の陰極側に接する層に正孔を、陽極側に接する層に電子を注入することができる層のことである。電荷発生層１１６には、少なくともＰ型層１１７が含まれる。Ｐ型層１１７は、上述の正孔注入層１１１を構成することができる材料として挙げた複合材料を用いて形成することが好ましい。またＰ型層１１７は、複合材料を構成する材料として上述したアクセプタ材料を含む膜と正孔輸送材料を含む膜とを積層して構成しても良い。Ｐ型層１１７に電位をかけることによって、電子輸送層１１４に電子が、陰極である第２の電極１０２に正孔が注入され、発光デバイスが動作する。
なお、電荷発生層１１６はＰ型層１１７の他に電子リレー層１１８及び電子注入バッファ層１１９のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。
電子リレー層１１８は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層１１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７におけるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４における電荷発生層１１６に接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子注入バッファ層１１９には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウム、炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファ層１１９が、電子輸送性を有する物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、ドナー性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウム、炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。
なお、電子輸送性を有する物質としては、先に説明した電子輸送層１１４を構成する材料と同様の材料を用いて形成することができる。当該材料は屈折率が低い有機化合物であることから、電子注入バッファ層１１９に用いることによって、外部量子効率の良好な発光デバイスを得ることができる。
また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。
また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極、キャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第１の電極１０１および第２の電極１０２から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
また、発光層１１３に接する正孔輸送層、電子輸送層、特に発光層１１３における再結合領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好ましい。
続いて、複数の発光ユニットを積層した構成の発光デバイス（積層型素子、タンデム型素子ともいう）の態様について説明する。この発光デバイスは、陽極と陰極との間に、複数の発光ユニットを有する発光デバイスである。一つの発光ユニットは、図１（Ｃ）で示したＥＬ層１０３とほぼ同様な構成を有する。つまり、タンデム型素子は複数の発光ユニットを有する発光デバイスであり、図１（Ｃ）で示した発光デバイスは、１つの発光ユニットを有する発光デバイスであるということができる。
タンデム型素子において、陽極と陰極との間には、第１の発光ユニットと第２の発光ユニットが積層されており、第１の発光ユニットと第２の発光ユニットとの間には電荷発生層が設けられている。第１の発光ユニットと第２の発光ユニットは互いに同じ構成であっても異なる構成であってもよい。
タンデム型素子における電荷発生層は、陽極と陰極に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。すなわち、陽極の電位の方が陰極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層は、第１の発光ユニットに電子を注入し、第２の発光ユニットに正孔を注入するものであればよい。
電荷発生層は、図１（Ｄ）にて説明した電荷発生層１１６と同様の構成で形成することが好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層に接している場合は、電荷発生層が発光ユニットの正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔注入層を設けなくとも良い。
また、タンデム型素子の電荷発生層に電子注入バッファ層１１９を設ける場合、当該電子注入バッファ層１１９が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光ユニットには必ずしも電子注入層を形成する必要はない。
以上、２つの発光ユニットを有するタンデム型素子について説明したが、３つ以上の発光ユニットを積層したタンデム型素子についても、同様に適用することが可能である。一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光デバイス全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する発光デバイスにおいて、第１の発光ユニットで赤と緑の発光色、第２の発光ユニットで青の発光色を得ることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることも可能である。
また、上述のＥＬ層１０３、第１の発光ユニット、第２の発光ユニット及び電荷発生層などの各層、電極は、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（インクジェット法ともいう）、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することができる。また、それらは低分子材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子材料を含んでも良い。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いた発光装置について説明する。
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置について図２（Ａ）、及び図２（Ｂ）を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂおよび一点鎖線Ｃ－Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いて作製すればよい。
画素、駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
ここで、上記画素、駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。
上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがより好ましい。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
なお、ＦＥＴ６２３は駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものである。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。
なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。
また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ～３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここでは、第１の電極６１３は陽極として機能する。陽極に用いることが可能な材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、銀を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１で説明したような構成を含んでいる。
さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金、化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過する場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属または合金の薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが好ましい。
なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、発光デバイスが形成されている。当該発光デバイスは実施の形態１に記載の発光デバイスである。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態１に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を有する発光デバイスの両方が混在していても良い。この際、本発明の一態様の発光装置では、異なる波長の光を発する発光デバイス間で共通の正孔輸送層を用いることができることから、製造工程が簡便でコスト的に有利な発光装置とすることができる。
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素、アルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂、ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分、酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板、石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）には示されていないが、陰極上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜、無機絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層等の露出した側面を覆って設けることができる。
保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。
保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラック、ピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。
例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面、タッチパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる。
以上のようにして、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置を得ることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１に記載の発光デバイスは発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることが可能である。
図３（Ａ）、及び図３（Ｂ）には着色層（カラーフィルタ）等を設けることによって色純度を向上させた発光装置の例を示す。図３（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光デバイスの第１の電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの第２の電極１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている。
また、図３（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１０３５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリクス１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。
図３（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の発光装置の断面図を図４に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。ＦＥＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜１０２１と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成することができる。
発光デバイスの第１の電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図４のようなトップエミッション型の発光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１においてＥＬ層１０３として説明したような構成とする。
図４のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）、ブラックマトリックス１０３５はオーバーコート層１０３６によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。
トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、一方の電極を反射電極を含む電極、他方の電極を半透過・半反射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくともＥＬ層が存在し、少なくとも発光領域となる発光層が存在している。
なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによって反射され、共振する。
当該発光デバイスは、透明導電膜、上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変えることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これにより、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができる。
なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と発光層の光学的距離を（２ｎ－１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅したい発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができる。
なお、上記構成においてＥＬ層は、複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。
マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素において各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装置とすることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１に記載の発光デバイスは発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることが可能である。
ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図５（Ａ）、及び図５（Ｂ）には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）を一点鎖線Ｘ－Ｙで切断した断面図である。図５において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装置、又は消費電力の小さい発光装置とすることができる。
以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光デバイスをそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態３）
［発光装置］
以下では、上記発光デバイスを用いた本発明の一態様の発光装置の他の一例および作製方法について説明する。
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の発光装置とすることができる。
また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。
タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。
また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。
図１４（Ａ）に、本発明の一態様の発光装置５００の上面概略図を示す。発光装置５００は、赤色を呈する発光デバイス１１０Ｒ、緑色を呈する発光デバイス１１０Ｇ、及び青色を呈する発光デバイス１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１４（Ａ）では、各発光デバイスの区別を簡単にするため、各発光デバイスの発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１４（Ａ）は、一方向に同一の色の発光デバイスが配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光デバイスの配列方法はこれに限られず、デルタ配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。
発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、Ｘ方向に配列している。また、Ｘ方向と交差するＹ方向には、同じ色の発光デバイスが配列している。
発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは上記構成を有する発光デバイスである。
図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）中の一点鎖線Ａ１－Ａ２に対応する断面概略図であり、図１４（Ｃ）は、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２に対応する断面概略図である。
図１４（Ｂ）には、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂの断面を示している。発光デバイス１１０Ｒは、第１の電極１０１Ｒ、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２１、及び第２の電極１０２を有する。発光デバイス１１０Ｇは、第１の電極１０１Ｇ、ＥＬ層１２０Ｇ、ＥＬ層（電子注入層）１１５、及び第２の電極１０２を有する。発光デバイス１１０Ｂは、第１の電極１０１Ｂ、ＥＬ層１２０Ｂ、ＥＬ層１２１、及び第２の電極１０２を有する。ＥＬ層１２１と第２の電極１０２は、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂに共通に設けられる。ＥＬ層１２１は、共通層ともいうことができる。
発光デバイス１１０Ｒが有するＥＬ層１２０Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｇが有するＥＬ層１２０Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｂが有するＥＬ層１２０Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇおよび発光デバイス１１０Ｂはその少なくとも１が本発明の一態様の発光デバイスであり、当該発光デバイスは発光デバイス１１０Ｂであることが好ましい。
ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂは、それぞれ発光層、正孔輸送層を少なくとも有し、そのほかに、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層などのうち、一以上を有していてもよい。ＥＬ層１２１は、発光層を有さない構成とすることができる。ＥＬ層１２１は電子注入層であることが好ましい。なお、電子輸送層が電子注入層の役割も担う場合、ＥＬ層１２１は設けられていなくともよい。
第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｂは、それぞれ発光デバイス毎に設けられている。また、第２の電極１０２及びＥＬ層１２１は、各発光デバイスに共通な一続きの層として設けられている。また、ＥＬ層１２０における正孔輸送層は、発光色の異なる発光デバイス間で途切れているが、同じ構成を有していることが好ましい。
第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。第１の電極１０１を透光性、第２の電極１０２を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に第１の電極１０１を反射性、第２の電極１０２を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。本発明の一態様の発光デバイスは、トップエミッション型の発光デバイスに好適である。
第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｂの端部を覆って、絶縁層１２４が設けられている。絶縁層１２４の端部は、テーパー形状であることが好ましい。なお、絶縁層１２４は不要であれば設けなくてもよい。
ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂは、それぞれ画素電極の上面に接する領域と、絶縁層１２４の表面に接する領域と、を有する。また、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂの端部は、絶縁層１２４上に位置する。
図１４（Ｂ）に示すように、異なる色の発光デバイス間において、２つのＥＬ層の間に隙間が設けられている。このように、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを有効に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。
図１４（Ｃ）では、Ｙ方向において、ＥＬ層１２０Ｒが一続きとなるように、ＥＬ層１２０Ｒが帯状に形成されている例を示した。ＥＬ層１２０Ｒなどを帯状に形成することで、これらを分断するためのスペースが不要となり、発光デバイス間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。なお、図１４（Ｃ）では一例として発光デバイス１１０Ｒの断面を示しているが、発光デバイス１１０Ｇ及び発光デバイス１１０Ｂについても同様の形状とすることができる。なお、ＥＬ層はＹ方向において発光デバイス毎に分離していてもよい。
第２の電極１０２上には、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂを覆って、保護層１３１が設けられている。保護層１３１は、上方から各発光デバイスに水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。
保護層１３１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１３１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。
また、保護層１３１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１３１の上面が平坦となるため、保護層１３１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。
また、図１４（Ａ）には、第２の電極１０２と電気的に接続する接続電極１０１Ｃを示している。接続電極１０１Ｃは、第２の電極１０２に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１０１Ｃは、発光デバイス１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。また図１４（Ａ）には、第２の電極１０２を破線で示している。
接続電極１０１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１０１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。
図１４（Ｄ）は、図１４（Ａ）中の一点鎖線Ｃ１－Ｃ２に対応する断面概略図である。図１４（Ｄ）には、接続電極１０１Ｃと第２の電極１０２とが電気的に接続する接続部１３０を示している。接続部１３０では、接続電極１０１Ｃ上に第２の電極１０２が接して設けられ、第２の電極１０２を覆って保護層１３１が設けられている。また、接続電極１０１Ｃの端部を覆って絶縁層１２４が設けられている。
［作製方法例］
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した発光装置５００を例に挙げて説明する。図１５（Ａ）乃至図１５（Ｆ）は、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。また図１５（Ａ）等では、右側に接続部１３０及びその近傍における断面概略図を合わせて示している。
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線などを用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
〔基板１００の準備〕
基板１００としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１００として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコン、炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。
特に、基板１００として、上記半導体基板または絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。
〔第１の電極１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、接続電極１０１Ｃの形成〕
続いて、基板１００上に第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、第１の電極１０１Ｂ、及び接続電極１０１Ｃを形成する。まず陽極（画素電極）となる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｂを形成することができる。
各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域で反射率が高い材料（例えば銀またはアルミニウムなど）を適用することが好ましい。これにより、発光デバイスの光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いた場合、基板と反対方向に発光を取りだすいわゆるトップエミッションの発光装置とすることができる。各画素電極として透光性を有する導電膜を用いる場合、基板方向に発光を取り出すいわゆるボトムエミッションの発光装置とすることができる。
〔絶縁層１２４の形成〕
続いて、第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、及び第１の電極１０１Ｂの端部を覆って、絶縁層１２４を形成する（図１５（Ａ））。絶縁層１２４としては、有機絶縁膜または無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２４は、後のＥＬ膜の段差被覆性を向上させるために、端部をテーパー形状とすることが好ましい。特に、有機絶縁膜を用いる場合には、感光性の材料を用いると、露光及び現像の条件により端部の形状を制御しやすいため好ましい。なお、絶縁層１２４を設けない場合は、発光デバイス同士の距離をさらに近づけることが可能となり、より高精細な発光装置を得ることが可能となる。
〔ＥＬ層１２０Ｒｂの形成〕
続いて、第１の電極１０１Ｒ、第１の電極１０１Ｇ、第１の電極１０１Ｂ、及び絶縁層１２４上に、後にＥＬ層１２０ＲとなるＥＬ層１２０Ｒｂを成膜する。
ＥＬ層１２０Ｒｂは、少なくとも発光材料を含む発光層と、正孔輸送層を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ層１２０Ｒｂは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。
一例としては、ＥＬ層１２０Ｒｂとして、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が、この順で積層された積層膜とすることが好ましい。このとき、後に形成するＥＬ層としては、電子注入層１１５を有する膜を用いることができる。本発明の一態様の発光装置では、発光層を覆って電子輸送層を設けることで、後のフォトリソグラフィ工程などにより発光層がダメージを受けることを抑制することができ、信頼性の高い発光デバイスを作製することができる。
ＥＬ層１２０Ｒｂは、接続電極１０１Ｃ上に設けないように形成することが好ましい。例えば、ＥＬ層１２０Ｒｂを蒸着法（またはスパッタリング法）により形成する場合、接続電極１０１ＣにＥＬ層１２０Ｒｂが成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成する、または後のエッチング工程で除去することが好ましい。
〔犠牲膜１４４ａの形成〕
続いて、ＥＬ層１２０Ｒｂを覆って犠牲膜１４４ａを形成する。また、犠牲膜１４４ａは、接続電極１０１Ｃの上面に接して設けられる。
犠牲膜１４４ａは、ＥＬ層１２０Ｒｂなどの各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４ａは、後述する保護膜１４６ａなどの保護膜とのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、犠牲膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。
犠牲膜１４４ａとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。犠牲膜１４４ａは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。
犠牲膜１４４ａとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。
また、犠牲膜１４４ａとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。
また、犠牲膜１４４ａとしては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。
また、犠牲膜１４４ａとして、少なくともＥＬ層１２０Ｒｂの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４ａに好適に用いることができる。犠牲膜１４４ａを成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層１２０Ｒｂへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。
犠牲膜１４４ａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等がある。
犠牲膜１４４ａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることができる。
〔保護膜１４６ａの形成〕
続いて、犠牲膜１４４ａ上に、保護膜１４６ａを形成する（図１５（Ｂ））。
保護膜１４６ａは、後に犠牲膜１４４ａをエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後の保護膜１４６ａの加工時には、犠牲膜１４４ａが露出する。したがって、犠牲膜１４４ａと保護膜１４６ａとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、保護膜１４６ａに用いることのできる膜を選択することができる。
例えば、保護膜１４６ａのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金などを、保護膜１４６ａに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物膜などがあり、これを犠牲膜１４４ａに用いることができる。
なお、これに限られず、保護膜１４６ａは、様々な材料の中から、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記犠牲膜１４４ａに用いることのできる膜の中から選択することもできる。
また、保護膜１４６ａとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。
または、保護膜１４６ａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。
また、保護膜１４６ａとして、ＥＬ層１２０Ｒｂなどに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ層１２０ＲｂなどＥＬ層となる膜に用いる有機膜と同じ膜を、保護膜１４６ａに用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ層１２０Ｒｂなどと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。
〔レジストマスク１４３ａの形成〕
続いて、保護膜１４６ａ上であって、第１の電極１０１Ｒと重なる位置、及び接続電極１０１Ｃと重なる位置に、それぞれレジストマスク１４３ａを形成する（図１５（Ｃ））。
レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。
ここで、保護膜１４６ａを有さずに、犠牲膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、犠牲膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ層１２０Ｒｂが溶解してしまう恐れがある。保護膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。
なお、犠牲膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が生じにくい膜を用いる場合には、保護膜１４６ａを用いずに、犠牲膜１４４ａ上に直接、レジストマスク１４３ａを形成してもよい。
〔保護膜１４６ａのエッチング〕
続いて、保護膜１４６ａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の保護層１４７ａを形成する。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも保護層１４７ａが形成される。
保護膜１４６ａのエッチングの際、犠牲膜１４４ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。保護膜１４６ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、保護膜１４６ａのパターンが縮小することを抑制できる。
〔レジストマスク１４３ａの除去〕
続いて、レジストマスク１４３ａを除去する（図１５（Ｄ））。
レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。
このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ層１２０Ｒｂが犠牲膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ層１２０Ｒｂへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ層１２０Ｒｂが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。
〔犠牲膜１４４ａのエッチング〕
続いて、保護層１４７ａをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ａの保護層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の犠牲層１４５ａを形成する（図１５（Ｅ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも犠牲層１４５ａが形成される。
犠牲膜１４４ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。
〔ＥＬ層１２０Ｒｂ、保護層１４７ａのエッチング〕
続いて、保護層１４７ａをエッチングすると同時に、犠牲層１４５ａに覆われないＥＬ層１２０Ｒｂの一部をエッチングにより除去し、帯状のＥＬ層１２０Ｒを形成する（図１５（Ｆ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上の保護層１４７ａも除去される。
ＥＬ層１２０Ｒｂと、保護層１４７ａとを同一処理によりエッチングすることで、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを削減することができるため好ましい。
特にＥＬ層１２０Ｒｂのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ層１２０Ｒｂの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、Ｈ２またはＨｅなどの貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。
なお、ＥＬ層１２０Ｒｂのエッチングと、保護層１４７ａのエッチングを、別々に行ってもよい。このとき、ＥＬ層１２０Ｒｂを先にエッチングしてもよいし、保護層１４７ａを先にエッチングしてもよい。
この時点において、ＥＬ層１２０Ｒと、接続電極１０１Ｃが、犠牲層１４５ａに覆われた状態となる。
〔ＥＬ層１２０Ｇｂの形成〕
続いて、犠牲層１４５ａ、絶縁層１２４、第１の電極１０１Ｇ、第１の電極１０１Ｂ上に、後にＥＬ層１２０ＧとなるＥＬ層１２０Ｇｂを成膜する。このとき、上記ＥＬ層１２０Ｒｂと同様に、接続電極１０１Ｃ上にはＥＬ層１２０Ｇｂを設けないことが好ましい。
ＥＬ層１２０Ｇｂの形成方法については、上記ＥＬ層１２０Ｒｂの記載を援用できる。
〔犠牲膜１４４ｂの形成〕
続いて、ＥＬ層１２０Ｇｂ上に、犠牲膜１４４ｂを形成する。犠牲膜１４４ｂは、上記犠牲膜１４４ａと同様の方法で形成することができる。特に、犠牲膜１４４ｂは、犠牲膜１４４ａと同一材料を用いることが好ましい。
このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上において、犠牲層１４５ａを覆って犠牲膜１４４ａが形成される。
〔保護膜１４６ｂの形成〕
続いて、犠牲膜１４４ｂ上に、保護膜１４６ｂを形成する。保護膜１４６ｂは、上記保護膜１４６ａと同様の方法で形成することができる。特に、保護膜１４６ｂは、上記保護膜１４６ａと同一材料を用いることが好ましい。
〔レジストマスク１４３ｂの形成〕
続いて、保護膜１４６ｂ上であって、第１の電極１０１Ｇと重なる領域、及び接続電極１０１Ｃと重なる領域に、レジストマスク１４３ｂを形成する（図１６（Ａ））。
レジストマスク１４３ｂは、上記レジストマスク１４３ａと同様の方法で形成することができる。
〔保護膜１４６ｂのエッチング〕
続いて、保護膜１４６ｂの、レジストマスク１４３ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の保護層１４７ｂを形成する（図１６（Ｂ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも保護層１４７ｂが形成される。
保護膜１４６ｂのエッチングについては、上記保護膜１４６ａの記載を援用することができる。
〔レジストマスク１４３ｂの除去〕
続いて、レジストマスク１４３ｂを除去する。レジストマスク１４３ｂの除去は、上記レジストマスク１４３ａの記載を援用することができる。
〔犠牲膜１４４ｂのエッチング〕
続いて、保護層１４７ｂをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ｂの保護層１４７ｂに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の犠牲層１４５ｂを形成する。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも犠牲層１４５ｂが形成される。接続電極１０１Ｃ上には、犠牲層１４５ａと犠牲層１４５ｂとが積層される。
犠牲膜１４４ｂのエッチングは、上記犠牲膜１４４ａの記載を援用することができる。
〔ＥＬ層１２０Ｇｂ、保護層１４７ｂのエッチング〕
続いて、保護層１４７ｂをエッチングすると同時に、犠牲層１４５ｂに覆われないＥＬ層１２０Ｇｂの一部をエッチングにより除去し、帯状のＥＬ層１２０Ｇを形成する（図１６（Ｃ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上の保護層１４７ｂも除去される。
ＥＬ層１２０Ｇｂ及び保護層１４７ｂのエッチングは、上記ＥＬ層１２０Ｒｂ及び保護層１４７ａの記載を援用することができる。
このとき、ＥＬ層１２０Ｒは、犠牲層１４５ａに保護されているため、ＥＬ層１２０Ｇｂのエッチング工程にダメージを受けることを防ぐことができる。
このようにして、帯状のＥＬ層１２０Ｒと、帯状のＥＬ層１２０Ｇとを、高い位置精度で作り分けることができる。
〔ＥＬ層１２０Ｂの形成〕
以上の工程を、ＥＬ層１２０Ｂｂ（図示しない）に対して行うことで、島状のＥＬ層１２０Ｂと、島状の犠牲層１４５ｃとを形成することができる（図１６（Ｄ））。
すなわち、ＥＬ層１２０Ｇの形成後、ＥＬ層１２０Ｂｂ、犠牲膜１４４ｃ、保護膜１４６ｃ、及びレジストマスク１４３ｃ（いずれも図示しない）を順に形成する。続いて、保護膜１４６ｃをエッチングして保護層１４７ｃ（図示しない）を形成した後に、レジストマスク１４３ｃを除去する。続いて、犠牲膜１４４ｃをエッチングして犠牲層１４５ｃを形成する。その後、保護層１４７ｃと、ＥＬ層１２０Ｂｂをエッチングして、帯状のＥＬ層１２０Ｂを形成する。
また、ＥＬ層１２０Ｂの形成後、同時に接続電極１０１Ｃ上にも、犠牲層１４５ｃが形成される。接続電極１０１Ｃ上には、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃが積層される。
〔犠牲層の除去〕
続いて、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを除去し、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂの上面を露出させる（図１６（Ｅ））。このとき同時に、接続電極１０１Ｃの上面も露出される。
犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。このとき、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。特に、ウェットエッチング法を用いることが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。
または、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなど、様々なアルコールを用いることができる。
犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを除去した後に、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
このようにして、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂを作り分けることができる。
〔電子注入層１１５の形成〕
続いて、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂを覆って電子注入層１１５を成膜する。
電子注入層１１５は、ＥＬ層１２０Ｒｂなどと同様の方法で成膜することができる。蒸着法により電子注入層１１５を成膜する場合には、電子注入層１１５が接続電極１０１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて成膜することが好ましい。
〔第２の電極１０２の形成〕
続いて、電子注入層１１５及び接続電極１０１Ｃを覆って第２の電極１０２を形成する（図１６（Ｆ））。
第２の電極１０２は、蒸着法またはスパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。このとき、電子注入層１１５が成膜される領域を包含するように、第２の電極１０２を形成することが好ましい。すなわち、電子注入層１１５の端部が、第２の電極１０２と重畳する構成とすることができる。第２の電極１０２は、遮蔽マスクを用いて形成することが好ましい。
第２の電極１０２は、表示領域外において、接続電極１０１Ｃと電気的に接続される。
〔保護層の形成〕
続いて、第２の電極１０２上に、保護層を形成する。保護層に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。
以上により、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。
なお、上記では、第２の電極１０２と電子注入層１１５とを、異なる上面形状となるように形成した場合について示したが、これらを同じ領域に形成してもよい。
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスを照明装置として用いる例を、図６を参照しながら、説明する。図６（Ｂ）は照明装置の上面図、図６（Ａ）は図６（Ｂ）に示す線分ｅ－ｆにおける断面図である。
本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、陽極４０１が形成されている。陽極４０１は実施の形態１における第１の電極１０１に相当する。陽極４０１側から発光を取り出す場合、陽極４０１は透光性を有する材料により形成する。
陰極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。
陽極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１におけるＥＬ層１０３の構成、又は発光ユニット及び電荷発生層を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。
ＥＬ層４０３を覆って陰極４０４を形成する。陰極４０４は実施の形態１における第２の電極１０２に相当する。発光を陽極４０１側から取り出す場合、陰極４０４は反射率の高い材料によって形成される。陰極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。
以上、陽極４０１、ＥＬ層４０３、及び陰極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図６（Ｂ）では図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。
また、パッド４１２と陽極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。
以上、本実施の形態に記載の照明装置は、ＥＬ素子に実施の形態１に記載の発光デバイスを用いており、消費電力の小さい照明装置とすることができる。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスをその一部に含む電子機器の例について説明する。実施の形態１に記載の発光デバイスは発光効率が良好であり、消費電力の小さい発光デバイスである。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が小さい発光部を有する電子機器とすることが可能である。
上記発光デバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、表示部７１０３は、実施の形態１に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して構成されている。
テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチまたは、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルおよび音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。なお、表示部７１０７にも、マトリクス状に配列した、実施の形態１に記載の発光デバイスを適用することができる。
なお、テレビジョン装置は、受信機、モデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図７（Ｂ１）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態１に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図７（Ｂ１）のコンピュータは、図７（Ｂ２）のような形態であってもよい。図７（Ｂ２）のコンピュータは、キーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに表示部７２１０が設けられている。表示部７２１０はタッチパネル式となっており、表示部７２１０に表示された入力用の表示を指または専用のペンで操作することによって入力を行うことができる。また、表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納、運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。
図７（Ｃ）は、携帯端末の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態１に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。
図７（Ｃ）に示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯端末内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌または指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
以上の様に実施の形態１または実施の形態２に記載の発光デバイスを備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１または実施の形態２に記載の発光デバイスを用いることにより消費電力の小さい電子機器を得ることができる。
図８（Ａ）は、掃除ロボットの一例を示す模式図である。
掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されていないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５１００は、無線による通信手段を備えている。
掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口からゴミを吸引することができる。
また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることができる。
ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量、吸引したゴミの量などを表示することができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させてもよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプレイ５１０１に設けてもよい。
掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることができる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器５１４０で確認することもできる。
本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。
図８（Ｂ）に示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。
マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが可能である。
ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電およびデータの受け渡しを可能とする。
上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置はディスプレイ２１０５に用いることができる。
図８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。
本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および表示部５００２に用いることができる。
図９は、実施の形態１に記載の発光デバイスを、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図９に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２としては、実施の形態４に記載の照明装置を用いてもよい。
図１０は、実施の形態１に記載の発光デバイスを、室内の照明装置３００１として用いた例である。実施の形態１に記載の発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、消費電力の小さい照明装置とすることができる。また、実施の形態１に記載の発光デバイスは大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態１に記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。
実施の形態１に記載の発光デバイスは、自動車のフロントガラスまたはダッシュボードにも搭載することができる。図１１に実施の形態１に記載の発光デバイスを自動車のフロントガラスおよびダッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて設けられた表示領域である。
表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態１に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態１に記載の発光デバイスは、陽極と陰極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタ、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態１に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
表示領域５２０３はまたナビゲーション情報、速度、回転数、エアコンの設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目またはレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０２にも設けることができる。また、表示領域５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。
また、図１２（Ａ）、及び図１２（Ｂ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５３を有している。図１２（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１２（Ｂ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末を示す。携帯情報端末５１５０は、大きな表示領域５１５２を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。
表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能な部材が伸びる。屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の曲率半径を有して折りたたまれる。
なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることができる。
また、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１３（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１、比較の発光デバイスである比較発光デバイス１について説明する。本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
Figure 2022151856000016
（発光デバイス１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、反射電極として、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚で成膜した後、透明電極として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極１０１を形成した。なお、その電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。なお、第１の電極１０１は透明電極であり、上記反射電極と合わせて第１の電極１０１とみなすことができる。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ－３’，５’－ジターシャリーブチル－１，１’－ビフェニル－４－イル－Ｎ－１，１’－ビフェニル－２－イル－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）とを、重量比で１：０．１（＝ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ：ＯＣＨＤ－００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。
正孔注入層１１１上に、ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉを１３５ｎｍとなるように蒸着し、正孔輸送層１１２を形成した。
続いて、正孔輸送層１１２上に、上記構造式（ｉｉ）で表されるＮ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子ブロック層を形成した。
その後、上記構造式（ｉｉｉ）で表される９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｉｖ）で表される３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）とを、重量比で１：０．０１５（＝αＮ－βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２０ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。
こののち、上記構造式（ｖ）で表される６－（１，１’－ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔ブロック層を形成した後、上記構造式（ｖｉ）で表される２－｛（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル）－１，１’－ビフェニル－３－イル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ）と上記構造式（ｖｉｉ）で表される６－メチル－８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉ－６ｍｑ）とを、重量比で１：１（＝ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ：Ｌｉ－６ｍｑ）となるように２０ｎｍ共蒸着して電子輸送層１１４を形成した。
電子輸送層１１４の形成後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍとなるように成膜して電子注入層１１５を形成し、最後に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１０：１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着することで第２の電極１０２を形成して発光デバイス１を作製した。なお、第２の電極１０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極であり、本実施例の発光デバイスは第２の電極１０２から光を取り出すトップエミッション型の素子である。また、第２の電極１０２上には上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される５，５’－ジフェニル－２，２’－ジ－５Ｈ－［１］ベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＴｃ）を６０ｎｍ蒸着して、光取出し効率を向上させている。
（比較発光デバイス１の作製方法）
比較発光デバイス１は、発光デバイス１の正孔輸送層の膜厚を１３０ｎｍとし、キャップ層を、上記構造式（ｉｘ）で表される４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）に変えた以外は発光デバイス１と同様に作製した。
発光デバイス１および比較発光デバイス１の素子構造を以下の表にまとめた。
Figure 2022151856000017
ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ、ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ、Ｌｉ－６ｍｑ、ＢｉｓＢＴｃおよびＤＢＴ３Ｐ－ＩＩの常光屈折率およびＢｉｓＢＴｃおよびＤＢＴ３Ｐ－ＩＩの消衰係数を測定した結果を図１８および図１９に示す。測定は分光エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製Ｍ－２０００Ｕ）を用いて行った。測定用試料には、石英基板上に各層の材料を真空蒸着法により約５０ｎｍ成膜した膜を使用した。
図から、ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ、ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎおよびＬｉ－６ｍｑは４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下の低屈折率材料であり、ＢｉｓＢＴｃは４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料であることがわかる。また、最も長波長側に位置する常光消衰係数のピーク波長は３７０ｎｍであり、この波長における配向オーダーパラメーターは－０．２３を示しており、－０．１よりも小さい値を示していた。なお、発光デバイス１および比較発光デバイス１は青色発光を呈する発光デバイスである。
上記発光デバイスおよび比較発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（ＵＶ硬化性のシール材を素子の周囲への塗布、発光デバイスには照射しないようにシール材のみにＵＶを照射する処理、大気圧下で８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性について測定を行った。
発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度－電流密度特性を図２０に、輝度－電圧特性を図２１に、電流効率－輝度特性を図２２に、電流密度－電圧特性を図２３に、ブルーインデックス－輝度特性を図２４に、発光スペクトルを図２５に示す。また、発光デバイス１および比較発光デバイス１の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主な特性を表3に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。
Figure 2022151856000018
図２０乃至図２５及び表３より、本発明の一態様の発光デバイス１は、電流効率、ブルーインデックス（ＢＩ）の良好な発光デバイスであることがわかった。特にＢＩは１９０（ｃｄ／Ａ／ｙ）と非常に高く、発光デバイス１は特にＢＩの良好な発光デバイスということができる。そのため、本発明の一態様は、ディスプレイに用いる発光デバイスに特に好適である。
また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図２６に示す。本発明の一態様の発光デバイス１は、比較発光デバイス１と同様に信頼性の良好な発光デバイスであることがわかった。
続いて、キャップ層の膜厚が異なる複数の発光デバイス（発光デバイス１－１乃至発光デバイス１－４、比較発光デバイス１－１乃至比較発光デバイス１－４）を作製し、キャップ層の膜厚とブルーインデックスの最大値との関係を調査した。なお、正孔輸送層は、各キャップ層膜厚でＢＩが最大となるように膜厚を調整した。
＜発光デバイス１－１乃至発光デバイス１－４の作製方法＞
発光デバイス１－１は、発光デバイス１におけるキャップ層の膜厚を５０ｎｍとした他は、発光デバイス１と同様に作製した。発光デバイス１－２は、発光デバイス１と同様に作製した。発光デバイス１－３は、発光デバイス１における正孔輸送層を１３０ｎｍとし、キャップ層の膜厚を７０ｎｍとした他は、発光デバイス１と同様に作製した。発光デバイス１－４は、発光デバイス１－３におけるキャップ層の膜厚を８０ｎｍとした他は発光デバイス１－３と同様に作製した。
＜比較発光デバイス１－１乃至比較発光デバイス１－４の作製方法＞
比較発光デバイス１－１は、比較発光デバイス１における正孔輸送層の膜厚を１３５ｎｍとし、キャップ層の膜厚を５０ｎｍとした他は、比較発光デバイス１と同様に作製した。比較発光デバイス１－２は、比較発光デバイス１と同様に作製した。比較発光デバイス１－３は、比較発光デバイス１におけるキャップ層の膜厚を７０ｎｍとした他は、比較発光デバイス１と同様に作製した。比較発光デバイス１－４は、比較発光デバイス１におけるキャップ層の膜厚を８０ｎｍとした他は比較発光デバイス１と同様に作製した。
発光デバイス１－１乃至発光デバイス１－４および比較発光デバイス１－１乃至比較発光デバイス１－４の素子構造を下表にまとめた。
Figure 2022151856000019
Figure 2022151856000020
結果を図２７に示す。このように、発光デバイス内に常光屈折率の低い層を設け、且つ、常光屈折率が高く、常光消衰係数の小さい有機化合物でキャップ層を形成することで、非常に良好なブルーインデックスを示す発光デバイスを得ることができることがわかった。
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１０について説明する。本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
Figure 2022151856000021
（発光デバイス１０の作製方法）
まず、ガラス基板上に、反射電極として、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚で成膜した後、透明電極として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、５ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極１０１を形成した。なお、その電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。なお、第１の電極１０１は透明電極であり、上記反射電極と合わせて第１の電極１０１とみなすことができる。
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、蒸着法により上記構造式（ｘ）で表されるＮ－（３’’，５’，５’’－トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ－００３）とを、重量比で１：０．１（＝ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４：ＯＣＨＤ－００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。
正孔注入層１１１上に、第１の層としてｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４を５２．５ｎｍ、第２の層として上記構造式（ｘｉ）で表される４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）を５０ｎｍ、第３の層として上記構造式（ｉ）で表されるＮ－３’，５’－ジターシャリーブチル－１，１’－ビフェニル－４－イル－Ｎ－１，１’－ビフェニル－２－イル－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ）を４０ｎｍ蒸着し、正孔輸送層１１２を形成した。
続いて、正孔輸送層１１２上に、上記構造式（ｉｉ）で表されるＮ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子ブロック層を形成した。
その後、上記構造式（ｉｉｉ）で表される９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｘｉｉ）で表される２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－５，９－ジ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン－７－アミン（略称：ＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）とを、重量比で１：０．０１５（＝αＮ－βＮＰＡｎｔｈ：ＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）となるように２０ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。
こののち、上記構造式（ｖ）で表される６－（１，１’－ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔ブロック層を形成した後、上記構造式（ｖｉ）で表される２－｛（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル）－１，１’－ビフェニル－３－イル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ）と上記構造式（ｖｉｉ）で表される６－メチル－８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉ－６ｍｑ）とを、重量比で１：１（＝ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ：Ｌｉ－６ｍｑ）となるように２０ｎｍ共蒸着して電子輸送層１１４を形成した。
電子輸送層１１４の形成後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍとなるように蒸着して電子注入層１１５を形成し、最後に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着することで第２の電極１０２を形成して発光デバイス１０を作製した。なお、第２の電極１０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極であり、本実施例の発光デバイスは第２の電極１０２から光を取り出すトップエミッション型の素子である。また、第２の電極１０２上には上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される５，５’－ジフェニル－２，２’－ジ－５Ｈ－［１］ベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＴｃ）を６５ｎｍ蒸着して、光取出し効率を向上させている。
発光デバイス１０の素子構造を以下の表にまとめた。
Figure 2022151856000022
ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４、およびＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３の屈折率を測定した結果を図２８に示す。測定は分光エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製Ｍ－２０００Ｕ）を用いて行った。測定用試料には、石英基板上に各層の材料を真空蒸着法により約５０ｎｍ成膜した膜を使用した。なお、ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ、ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ、Ｌｉ－６ｍｑおよびＢｉｓＢＴｃの屈折率およびＢｉｓＢＴｃの消衰係数に関しては図１８および図１９に示した。
図１８、図１９および図２８から、ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４、ｍｍｔＢｕＢｉｏＦＢｉ、ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎおよびＬｉ－６ｍｑは４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下の低屈折率材料であり、ＢｉｓＢＴｃは４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料であることがわかる。また、最も長波長側に位置する常光消衰係数のピーク波長は３７０ｎｍであり、この波長における配向オーダーパラメーターは－０．２３を示しており、－０．１よりも小さい値を示していた。なお、発光デバイス１０は青色発光を呈する発光デバイスである。
上記発光デバイス１０を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（ＵＶ硬化性のシール材を素子の周囲への塗布、発光デバイスには照射しないようにシール材のみにＵＶを照射する処理、大気圧下で８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性について測定を行った。
発光デバイス１０の輝度－電流密度特性を図２９に、輝度－電圧特性を図３０に、電流効率－輝度特性を図３１に、電流密度－電圧特性を図３２に、ブルーインデックス－輝度特性を図３３に、発光スペクトルを図３４に示す。また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における主な特性を表７に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。
Figure 2022151856000023
図２９乃至図３４及び表７より、本発明の一態様の発光デバイス１０は、非常に良好な電流効率、ブルーインデックス（ＢＩ）を示す発光デバイスであることがわかった。特にＢＩは２５０（ｃｄ／Ａ／ｙ）以上、最大値で２６５（ｃｄ／Ａ／ｙ）と非常に高く、発光デバイス１０は特にＢＩの良好な発光デバイスということができる。そのため、本発明の一態様は、ディスプレイに用いる発光デバイスに特に好適である。
また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図３５に示す。本発明の一態様の発光デバイス１０は、信頼性の良好な発光デバイスであることがわかった。
≪参考合成例１≫
本合成例では、実施例１において用いた２－｛（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル）－１，１’－ビフェニル－３－イル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎ）の合成方法について説明する。ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎの構造を以下に示す。
Figure 2022151856000024
＜ステップ１：３－ブロモ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルビフェニルの合成＞
三口フラスコに３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニルボロン酸１．０ｇ（４．３ｍｍｏｌ）、１－ブロモ－３－ヨードベンゼン１．５ｇ（５．２ｍｍｏｌ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液４．５ｍＬ、トルエン２０ｍＬ、エタノール３ｍＬを加え、減圧下で撹拌することにより脱気した。さらにここへトリス（２－メチルフェニル）ホスフィン５２ｍｇ（略称：Ｐ（ｏ－ｔｏｌｙｌ）３）（０．１７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）１０ｍｇ（０．０４３ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃で１４時間反応させた。反応終了後、トルエンによる抽出を行い、得られた有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。この混合物を自然ろ過し、得られたろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより目的の白色固体１．０ｇを得た（収率：６８％）。ステップ１の合成スキームを以下に示す。
Figure 2022151856000025
＜ステップ２：２－（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルビフェニル－３－イル）－４，４，５，５、－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの合成＞
三口フラスコに３－ブロモ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルビフェニル１．０ｇ（２．９ ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレート）ジボロン０．９６ｇ（３．８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム０．９４ｇ（９．６ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン３０ｍＬを加え、減圧下で撹拌することにより脱気した。さらにここに２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル０．１２ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（略称：Ｐｄ（ｄｐｐｆ）２Ｃｌ２・ＣＨ２Ｃｌ２）０．１２ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、１１０℃で２４時間反応させた。反応終了後、トルエンによる抽出をおこない、得られた有機層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。この混合物を自然ろ過した。得られたろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）にて精製することにより、目的の黄色オイル０．８９ｇを得た（収率：７８％）。ステップ２の合成スキームを以下に示す。
Figure 2022151856000026
＜ステップ３：ｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎの合成＞
三口フラスコに４，６－ジフェニル－２－クロロ－１，３，５－トリアジン１．５ｇ（５．６ｍｍｏｌ）、２－（３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルビフェニル－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン２．４ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．４ｇ（１１ｍｍｏｌ）、水１０ｍＬ、トルエン２８ｍＬ、１，４－ジオキサン１０ｍＬを加え、減圧下で撹拌することにより脱気した。さらにここに酢酸パラジウム（ＩＩ）１３ｍｇ（０．０５６ｍｍｏｌ）、トリス（２－メチルフェニル）ホスフィン３４ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下１４時間加熱還流し、反応させた。反応終了後、酢酸エチルによる抽出を行い、得られた有機層の水を硫酸マグネシウムにて除去した。この混合物を自然ろ過して得られたろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム：ヘキサン＝１：５から１：３に変化させた）にて精製した後、ヘキサンにて再結晶することにより、目的の白色固体を２．０ｇ得た（収率：５１％）。ステップ３の合成スキームを下記式に示す。
Figure 2022151856000027
得られた白色固体２．０ｇをトレインサブリメーション法により、アルゴンガス気流下、圧力３．４Ｐａ、２２０℃の条件で昇華精製した。固体を加熱した。昇華精製後、目的物の白色固体を１．８ｇ、回収率８０％で得た。
なお、上記ステップ３で得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下に示す。この結果から、本合成例においてｍｍｔＢｕｍＢＰＴｚｎが得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝１．４４（ｓ，１８Ｈ），７．５１－７．６８（ｍ，１０Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），８．７３－８．８１（ｍ，５Ｈ），９．０１（ｓ，１Ｈ）。
≪参考合成例２≫
本実施例では、実施例１で用いた６－メチル－８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉ－６ｍｑ）の合成方法について説明する。Ｌｉ－６ｍｑの構造式を以下に示す。
Figure 2022151856000028
８－ヒドロキシ－６－メチルキノリン ２．０ ｇ（１２．６ ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）１３０ｍＬを三口フラスコに入れ撹拌した。この溶液に、リチウムｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ｔＢｕＯＬｉ） １Ｍ ＴＨＦ溶液 １０．１ｍＬ（１０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で４７時間撹拌した。反応溶液を濃縮し、黄色固体を得た。この固体にアセトニトリルを加え超音波照射し、ろ過することで、淡黄色固体を得た。この洗浄操作を２回行った。ろ物としてＬｉ－６ｍｑの淡黄色固体１．６ ｇ（収率９５％）を得た。本合成スキームを以下に示す。
Figure 2022151856000029
次に、Ｌｉ－６ｍｑの脱水アセトン溶液における吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルは、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いて測定し、脱水アセトンのみを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いて示した。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。
この結果、Ｌｉ－６ｍｑの脱水アセトン溶液は３９０ｎｍに吸収ピークが見られ、発光波長のピークは５４０ｎｍ（励起波長３８５ｎｍ）であった。
≪参考合成例３≫
本実施例では、Ｎ－（３’’，５’，５’’－トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４）の合成方法について説明する。なお、ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４の構造を以下に示す。
Figure 2022151856000030
＜ステップ１：４－ブロモ－３’’，５’，５’’－トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１’：３’，１’’－ターフェニルの合成＞
三口フラスコに２－（３’，５，５’－トリ－ｔｅｒｔ－ブチル［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン９．０ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）、１－ブロモ－４－ヨードベンゼン６．８ｇ（２４．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム８．３ｇ（６０．３ｍｍｏｌ）、トルエン１００ｍＬ、エタノール４０ｍＬ、水道水３０ｍＬを入れ、減圧下に脱気処理をした後、フラスコ内を窒素置換し、酢酸パラジウム９１ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン２１１ｍｇ（０．８０ｍｍｏｌ）を加え、この混合物を約４時間８０℃にて加熱した。その後、室温に戻し有機層と水層を分液した。この溶液に硫酸マグネシウムを加えて水分を乾燥させ濃縮した。得られた溶液のヘキサン溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物である白色固体を６．０ｇ、収率６２．５％で得た。ステップ１の合成スキームを下式に示す。
Figure 2022151856000031
＜ステップ２：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４の合成＞
三口フラスコに４－ブロモ－３’’，５’，５’’－トリ－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１’：３’，１’’－ターフェニル３．０ｇ（６．３ｍｍｏｌ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－フェニル－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン２．３ｇ（６．３ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド１．８ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、トルエン３２ｍＬを入れ、減圧下にて脱気処理をした後、フラスコ内を窒素置換し、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ｄｂａ）２）７２ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン７６ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を加え、この混合物を約８時間１２０℃にて加熱した。その後、当該混合物の温度を約６０℃まで下げ、水約１ｍＬを加え、析出した固体をろ別し、トルエンで洗浄した。ろ液を濃縮し、得られたトルエン溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得られた溶液を濃縮し、濃厚なトルエン溶液を得た。このトルエン溶液にエタノールを添加し、減圧濃縮しエタノール懸濁液を得た。約２０℃にて析出物をろ過し、得られた固体を約８０℃で減圧乾燥させ、目的物である白色固体を３．６ｇ、収率７５％で得た。また、ステップ２の合成スキームを下式に示す。
Figure 2022151856000032
なお、上記ステップ２で得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下に示す。これにより、本合成例において、ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ－０４が合成できたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．５４－７．５６（ｍ，１Ｈ），７．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．２７－７．４７（ｍ，１３Ｈ），７．２３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１．２Ｈｚ），７．１８－７．１９（ｍ，２Ｈ），７．０８－７．００（ｍ，５Ｈ），６．８８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），６．７７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２．３Ｈｚ），１．４２（ｓ，９Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ），（１．２９（ｓ，６Ｈ）．
１００ 基板
１０１ 第１の電極
１０１Ｒ 第１の電極
１０１Ｇ 第１の電極
１０１Ｂ 第１の電極
１０１Ｃ 接続電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１１０Ｒ 発光デバイス
１１０Ｇ 発光デバイス
１１０Ｂ 発光デバイス
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
１１７ Ｐ型層
１１８ 電子リレー層
１１９ 電子注入バッファ層
１２０ ＥＬ層
１２０Ｒ ＥＬ層
１２０Ｒｂ ＥＬ層
１２０Ｇ ＥＬ層
１２０Ｇｂ ＥＬ層
１２０Ｂ ＥＬ層
１２０Ｂｂ ＥＬ層
１２１ ＥＬ層
１２４ 絶縁層
１３０ 接続部
１３１ 保護層
１４３ａ レジストマスク
１４３ｂ レジストマスク
１４３ｃ レジストマスク
１４４ａ 犠牲膜
１４４ｂ 犠牲膜
１４４ｃ 犠牲膜
１４５ａ 犠牲層
１４５ｂ 犠牲層
１４５ｃ 犠牲層
１４６ａ 保護膜
１４６ｂ 保護膜
１４６ｃ 保護膜
１４７ａ 保護層
１４７ｂ 保護層
１４７ｃ 保護層
１５０ キャリア輸送領域
１５１ キャリア輸送領域
１５５ キャップ層
１５６ 低屈折率層
１５７ 第２の低屈折率層
４００ 基板
４０１ 陽極
４０３ ＥＬ層
４０４ 陰極
４０５ シール材
４０６ シール材
４０７ 封止基板
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５００ 発光装置
６００ 発光デバイス
６０１ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０２ 画素部
６０３ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ ＥＬ層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光デバイス
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ ＥＬ層
９５６ 電極
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 第１の層間絶縁膜
１０２１ 第２の層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｒ 第１の電極
１０２４Ｇ 第１の電極
１０２４Ｂ 第１の電極
１０２５ 隔壁
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 第２の電極
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 透明な基材
１０３４Ｒ 赤色の着色層
１０３４Ｇ 緑色の着色層
１０３４Ｂ 青色の着色層
１０３５ ブラックマトリクス
１０３６ オーバーコート層
１０３７ 第３の層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２００１ 筐体
２００２ 光源
２１００ ロボット
２１１０ 演算装置
２１０１ 照度センサ
２１０２ マイクロフォン
２１０３ 上部カメラ
２１０４ スピーカ
２１０５ ディスプレイ
２１０６ 下部カメラ
２１０７ 障害物センサ
２１０８ 移動機構
３００１ 照明装置
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５１００ 掃除ロボット
５１０１ ディスプレイ
５１０２ カメラ
５１０３ ブラシ
５１０４ 操作ボタン
５１５０ 携帯情報端末
５１５１ 筐体
５１５２ 表示領域
５１５３ 屈曲部
５１２０ ゴミ
５２００ 表示領域
５２０１ 表示領域
５２０２ 表示領域
５２０３ 表示領域
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７２１０ 表示部
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (55)

  1. ４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  2. ４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  4. ５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  5. ５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  6. 請求項４または請求項５において、
    前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である発光デバイスのキャップ層用材料。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
    ４環以上の縮合環骨格を含む発光デバイスのキャップ層用材料。
  8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
    ５環以上の縮合環骨格を含む発光デバイスのキャップ層用材料。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
    硫黄原子を含む発光デバイスのキャップ層用材料。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    蒸着膜の異方性が大きい発光デバイスのキャップ層用材料。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下の発光デバイスのキャップ層用材料。
  12. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    ４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  13. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    ４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲の波長全域において、常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  14. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    前記発光デバイスが発する光のピーク波長は４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であり、
    前記キャップ層の、前記ピーク波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  15. 請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
    波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光消衰係数が０．０５より大きい材料を含むキャップ層。
  16. 請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
    前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である材料を含むキャップ層。
  17. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    前記キャップ層の、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  18. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    前記キャップ層の、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  19. 発光デバイスのキャップ層であって、
    前記発光デバイスは、透光性を有する電極を含む一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記キャップ層は前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接して設けられており、
    前記発光デバイスが発する光のピーク波長は５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であり、
    前記キャップ層の、前記ピーク波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数が０以上０．０１以下である材料を含むキャップ層。
  20. 請求項１７乃至請求項１９のいずれか一項において、
    波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光消衰係数が０．０５より大きい材料を含むキャップ層。
  21. 請求項１７乃至請求項２０のいずれか一項において、
    前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である材料を含むキャップ層。
  22. 請求項１７乃至請求項２１のいずれか一項において、
    ４環以上の縮合環骨格を有する材料を含むキャップ層。
  23. 請求項１７乃至請求項２１のいずれか一項において、
    ５環以上の縮合環骨格を有する材料を含むキャップ層。
  24. 請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、
    硫黄原子を有する材料を含むキャップ層。
  25. 請求項１７乃至請求項２４のいずれか一項において、
    蒸着膜の異方性が大きい材料を含むキャップ層。
  26. 請求項１７乃至請求項２５のいずれか一項において、
    蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下の材料を含むキャップ層。
  27. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記キャップ層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  28. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記キャップ層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲の波長全域における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  29. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記低屈折率層は、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置し、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記発光デバイスが発する光のピーク波長は４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であり、
    前記キャップ層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．９０以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  30. 請求項２７乃至請求項２９のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の、波長３９０ｎｍ以下における常光消衰係数が０．０１より大きい発光デバイス。
  31. 請求項２７乃至請求項２９のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の、前記常光屈折率が１．９５以上２．４０以下である発光デバイス。
  32. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記キャップ層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のいずれかの波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  33. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記キャップ層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲全域における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  34. 一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスであって、
    前記一対の電極の一方は透光性を有する電極であり、
    前記ＥＬ層は、少なくとも発光層と低屈折率層とを有し、
    前記発光デバイスが発する光のピーク波長は５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であり、
    前記透光性を有する電極の前記ＥＬ層に対して反対側の面に接してキャップ層が設けられており、
    前記キャップ層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．８５以上２．４０以下、且つ常光消衰係数０以上０．０１以下である高屈折率材料を含み、
    前記低屈折率層に、前記ピーク波長における常光屈折率が１．４５以上１．７０以下である低屈折率材料を含む発光デバイス。
  35. 請求項３２乃至請求項３４のいずれか一項において、
    前記低屈折率層が、前記発光層と前記透光性を有する電極との間に位置している発光デバイス。
  36. 請求項３２乃至請求項３５のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の、波長３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長における常光消衰係数が０．０５より大きい発光デバイス。
  37. 請求項３２乃至請求項３６のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の、前記常光屈折率が１．９０以上２．４０以下である発光デバイス。
  38. 請求項２７乃至請求項３７のいずれか一項において、
    前記透光性を有する電極が陰極である発光デバイス。
  39. 請求項２７乃至請求項３８のいずれか一項において、
    前記低屈折率層が電子輸送領域に設けられている発光デバイス。
  40. 請求項２７乃至請求項３９のいずれか一項において、
    前記低屈折率層が電子輸送層である発光デバイス。
  41. 請求項２７乃至請求項４０のいずれか一項において、
    前記低屈折率材料が電子輸送性を有する材料である発光デバイス。
  42. 請求項２７乃至請求項４１のいずれか一項において、
    前記低屈折率材料が電子輸送性を有する材料と金属錯体との混合材料である発光デバイス。
  43. 請求項２７乃至請求項４２のいずれか一項において、
    前記一対の電極の他方が反射電極であり、
    前記ＥＬ層は、前記発光層と前記反射電極との間に第２の低屈折率層を有し、
    前記第２の低屈折率層に、前記発光デバイスが発する光のピーク波長における常光屈折率が１．６０以上１．７０以下の第２の低屈折率材料を含む発光デバイス。
  44. 請求項４３において、
    前記第２の低屈折率層が正孔輸送領域に設けられている発光デバイス。
  45. 請求項４３または請求項４４において、
    前記第２の低屈折率層が正孔輸送層である発光デバイス。
  46. 請求項４３乃至請求項４５のいずれか一項において、
    前記第２の低屈折率材料が正孔輸送性を有する材料である発光デバイス。
  47. 請求項２７乃至請求項４６のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料が４環以上の縮合環骨格を有する発光デバイス。
  48. 請求項２７乃至請求項４６のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料が５環以上の縮合環骨格を有する発光デバイス。
  49. 請求項２７乃至請求項４８のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料が硫黄原子を有する発光デバイス。
  50. 請求項２７乃至請求項４９のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の蒸着膜の異方性が大きい発光デバイス。
  51. 請求項２７乃至請求項５０のいずれか一項において、
    前記高屈折率材料の蒸着膜の最も長波長側に位置する常光消衰係数のピークから算出した配向オーダーパラメーターが－０．１以下である発光デバイス。
  52. 請求項２７乃至請求項５１のいずれか一項に記載の発光デバイスと、センサと、操作ボタンと、スピーカまたはマイクと、を有する電子機器。
  53. 請求項２７乃至請求項５１のいずれか一項に記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
  54. 請求項２７乃至請求項５１のいずれか一項に記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する表示装置。
  55. 請求項２７乃至請求項５１のいずれか一項に記載の発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置。
JP2022049841A 2021-03-25 2022-03-25 発光デバイス、表示装置、発光装置、電子機器および照明装置 Pending JP2022151856A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021052207 2021-03-25
JP2021052207 2021-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022151856A true JP2022151856A (ja) 2022-10-07

Family

ID=83376432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022049841A Pending JP2022151856A (ja) 2021-03-25 2022-03-25 発光デバイス、表示装置、発光装置、電子機器および照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220320470A1 (ja)
JP (1) JP2022151856A (ja)
KR (1) KR20220133786A (ja)
CN (1) CN115132935A (ja)
TW (1) TW202245249A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220003140A (ko) 2017-05-19 2022-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN115132935A (zh) 2022-09-30
US20220320470A1 (en) 2022-10-06
KR20220133786A (ko) 2022-10-05
TW202245249A (zh) 2022-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102499281B1 (ko) 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP7345456B2 (ja) 電子デバイス及び有機化合物
JP2024061839A (ja) 発光デバイス、発光装置、電子機器及び照明装置
WO2023052899A1 (ja) 発光装置、表示装置および電子機器
US20230026341A1 (en) Light-emitting device, display apparatus, light-emitting apparatus, electronic appliance, and lighting apparatus
US20220278292A1 (en) Light-emitting device, display device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device
KR20210060369A (ko) 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2023091772A (ja) 有機半導体デバイス、有機ｅｌデバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
KR20220031517A (ko) 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN112310294A (zh) 发光器件、发光装置、电子设备、照明装置及化合物
US20220320470A1 (en) Light-emitting device, display device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device
WO2023285911A1 (ja) 発光装置、表示装置、電子機器および照明装置
WO2023079407A1 (ja) 発光装置、表示装置および電子機器
WO2023094935A1 (ja) 発光装置、表示装置および電子機器
WO2023062471A1 (ja) 発光装置
WO2022238804A1 (ja) 発光デバイス、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置
WO2023047238A1 (ja) 発光装置
WO2023002289A1 (ja) 発光装置
WO2023062474A1 (ja) 発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置
US20240008301A1 (en) Light-Emitting Device
WO2021186306A1 (ja) 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置
JP2023014037A (ja) 発光デバイスおよび発光装置
KR20240087815A (ko) 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기
JP2023103975A (ja) 発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置
JP2023117393A (ja) 有機化合物、発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置