WO2023002289A1

WO2023002289A1 - 発光装置

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Publication number: WO2023002289A1
Application number: PCT/IB2022/056311
Authority: WO
Inventors: 大澤信晴; 佐々木俊毅; 鈴木恒徳; 橋本直明
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-07-21
Filing date: 2022-07-08
Publication date: 2023-01-26
Also published as: KR20240037309A; US20240324307A1; JPWO2023002289A1

Abstract

高精細な発光装置において、ブルーインデックスの良好な青色発光を呈する発光装置を提供する。画素電極Ａと、前記画素電極Ａに隣接して配置された画素電極Ｂと、共通電極と、前記画素電極Ａおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ａと、前記画素電極Ｂおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ｂと、前記共通電極および前記ＥＬ層Ａ並びに前記ＥＬ層Ｂの間に位置する絶縁層とを有し、前記絶縁層は、前記画素電極Ａに重なって設けられた開口部Ａと、前記画素電極Ｂに重なって設けられた開口部Ｂと、を有し、前記ＥＬ層Ａは、発光層Ａを有し、前記発光層Ａは、発光物質Ａを有し、前記発光物質Ａは、青色発光を呈し、前記ＥＬ層Ａは、前記画素電極Ａに接しており、前記ＥＬ層Ｂは、前記画素電極Ｂに接しており、前記ＥＬ層Ａは、前記共通電極と前記開口部Ａを介して接しており、前記ＥＬ層Ｂは、前記共通電極と前記開口部Ｂを介して接している発光装置を提供する。

Description

発光装置

本発明の一態様は、有機化合物、発光デバイス、ディスプレイモジュール、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬデバイス）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。

このような発光デバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶に比べ、視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイには特に好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球またはＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

このように発光デバイスを用いた発光装置はさまざまな電子機器に好適であるが、より良好な特性を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。

有機ＥＬデバイスを用いたより高精細な発光装置を得るために、メタルマスクを用いた蒸着法に代わって、フォトレジストなどを用いたフォトリソグラフィ法による有機層のパターニングが研究されている。フォトリソグラフィ法を用いることによって、ＥＬ層の間隔が数μｍという高精細な発光装置を得ることができる（例えば特許文献１参照）。

特表２０１８−５２１４５９号公報

ＥＬ層の間隔が数μｍという高精細な発光装置では、画素面積が小さいことから、画素電極の周辺部の構造に起因する影響が大きくなる傾向にある。例えば、リーク電流により、意図せず異なる光路長のマイクロキャビティ構造を経て射出した発光が画素電極の周辺部で発生すると、発光スペクトルがブロードとなり、色純度が悪化してしまう。そしてそれは、もともとのマイクロキャビティ構造における光路長が短い青色発光デバイスにおいて顕著となり、ブルーインデックスが大きく低下してしまう。

そこで、本発明の一態様では、高精細な発光装置において、ブルーインデックスの良好な青色発光を呈する発光装置を提供することを目的とする。

そこで、本発明の一態様では、画素電極Ａと、前記画素電極Ａに隣接して配置された画素電極Ｂと、共通電極と、前記画素電極Ａおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ａと、前記画素電極Ｂおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ｂと、前記共通電極および前記ＥＬ層Ａ並びに前記ＥＬ層Ｂの間に位置する絶縁層とを有し、前記絶縁層は、前記画素電極Ａに重なって設けられた開口部Ａと、前記画素電極Ｂに重なって設けられた開口部Ｂと、を有し、前記ＥＬ層Ａは、発光層Ａを有し、前記発光層Ａは、発光物質Ａを有し、前記発光物質Ａは、青色発光を呈し、前記ＥＬ層Ａは、前記画素電極Ａに接しており、前記ＥＬ層Ｂは、前記画素電極Ｂに接しており、前記ＥＬ層Ａは、前記共通電極と前記開口部Ａを介して接しており、前記ＥＬ層Ｂは、前記共通電極と前記開口部Ｂを介して接している発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記画素電極Ａの端部は、前記ＥＬ層Ａによって覆われており、前記画素電極Ｂの端部は、前記ＥＬ層Ｂによって覆われている発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記ＥＬ層Ａの端部は、前記絶縁層によって覆われており、前記ＥＬ層Ｂの端部は、前記絶縁層によって覆われている発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、画素電極Ａと、前記画素電極Ａに隣接して配置された画素電極Ｂと、共通電極と、前記画素電極Ａおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ａと、前記画素電極Ｂおよび前記共通電極に挟まれたＥＬ層Ｂと、前記共通電極および前記ＥＬ層Ａ並びに前記ＥＬ層Ｂの間に位置する絶縁層とを有し、前記絶縁層は、前記画素電極Ａに重なって設けられた開口部Ａと、前記画素電極Ｂに重なって設けられた開口部Ｂと、を有し、前記ＥＬ層Ａは、発光層Ａを有する第１のＥＬ層Ａと、前記第１のＥＬ層Ａと前記共通電極との間に位置する第２のＥＬ層を有し、前記ＥＬ層Ｂは、発光層Ｂを有する第１のＥＬ層Ｂと、前記第１のＥＬ層Ｂと前記共通電極との間に位置する第２のＥＬ層を有し、前記発光層Ａは、発光物質Ａを有し、前記発光物質Ａは、青色発光を呈し、前記第１のＥＬ層Ａは、前記画素電極Ａに接しており、前記第１のＥＬ層Ｂは、前記画素電極Ｂに接しており、前記第２のＥＬ層Ａは、前記第１のＥＬ層Ａと前記開口部Ａを介して接しており、前記第２のＥＬ層Ｂは、前記第１のＥＬ層Ｂと前記開口部Ｂを介して接している発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記画素電極Ａおよび前記画素電極Ｂと重ならない領域において、前記第２のＥＬ層が、前記絶縁層と、前記共通電極とに接して挟まれている発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記画素電極Ａの端部は、前記第１のＥＬ層Ａによって覆われており、前記画素電極Ｂの端部は、前記第１のＥＬ層Ｂによって覆われている発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第１のＥＬ層Ａの端部は、前記絶縁層によって覆われており、前記第１のＥＬ層Ｂの端部は、前記絶縁層によって覆われている発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記絶縁層が有機化合物を含む発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記開口部Ａおよび前記開口部Ｂは側面にテーパ形状を有し、当該テーパ角は９０°未満である発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記画素電極Ａと前記画素電極Ｂの向かい合う端部の間隔は０．５μｍ以上５μｍ以下である発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記画素電極ＡとＥＬ層Ａと共通電極とが接して重なっている部分の面積が、５μｍ^２以上１５μｍ^２以下である発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記ＥＬ層Ａが、前記開口部Ａから呈する発光スペクトルの半値幅が２０ｎｍ以下である発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記発光物質Ａの発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下である発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光装置と、センサと、操作ボタンと、スピーカまたはマイクと、を有する電子機器である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光デバイスを用いた画像表示デバイスを含む。また、発光デバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも発光装置に含む場合がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。

本発明の一態様では、高精細な発光装置において、ブルーインデックスの良好な青色発光を呈する発光装置を提供することができる。

なお、この効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ、図１Ｂ、および図１Ｃは発光デバイスの概略図である。
図２Ａ、図２Ｂは発光デバイスの概略図である。
図３Ａおよび図３Ｂはアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。
図４Ａおよび図４Ｂはアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。
図５はアクティブマトリクス型発光装置を表す図である。
図６Ａおよび図６Ｂはパッシブマトリクス型発光装置を表す図である。
図７Ａ乃至図７Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図８Ａ乃至図８Ｆは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図９Ａ乃至図９Ｆは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１０Ａおよび図１０Ｂは照明装置を表す図である。
図１１Ａ、図１１Ｂ１、図１１Ｂ２および図１１Ｃは電子機器を表す図である。
図１２Ａ、図１２Ｂおよび図１２Ｃは電子機器を表す図である。
図１３は照明装置を表す図である。
図１４は照明装置を表す図である。
図１５は車載表示装置及び照明装置を表す図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは電子機器を表す図である。
図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１７Ｃは電子機器を表す図である。
図１８は、表示装置の構成例を示す図である。
図１９は、発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１の電流効率−輝度特性を表す図である。
図２０は、発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１のブルーインデックス−電流密度特性を表す図である。
図２１は、発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１の発光スペクトルを表す図である。
図２２は、実施例における、２Ｄ分光放射計測定結果である。
図２３は、実施例における、２Ｄ分光放射計測定結果である。
図２４Ａ、及び図２４Ｂは、２Ｄ分光放射計測定におけるＥＬ強度を測定した図である。
図２５Ａ、及び図２５Ｂは、２Ｄ分光放射計測定におけるＥＬ強度を測定した図である。
図２６Ａは、実施例における発光デバイスを説明する図であり、図２６Ｂは、実施例における、発光メカニズムを説明する断面ＳＴＥＭ像、及び２Ｄ分光放射計画像を説明する図である。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

（実施の形態１）
図１Ａに本発明の一態様の発光装置における発光デバイスの図を示す。当該発光デバイスは、一対の電極（画素電極（陽極）１０１および共通電極（陰極）１０２）の間にＥＬ層１０３を有している。ＥＬ層１０３は、画素電極１０１および共通電極１０２に接しており、画素電極１０１および共通電極１０２の間に電圧を印加し、電流が流れることで発光する。本発明の一態様の発光装置は、このような発光デバイスが複数設けられている。

なお、図１Ｂのように、ＥＬ層１０３は、発光層を含む第１のＥＬ層１０３（１）と、第１のＥＬ層１０３（１）および共通電極１０２との間に位置し、第１のＥＬ層１０３（１）および共通電極１０２に接する第２のＥＬ層１０３（２）とで構成されていてもよい。なお、第２のＥＬ層１０３（２）としては、発光層よりも陰極側の層（正孔ブロック層、電子輸送層および電子注入層）を適用することができるが、電子注入層であることが好ましい。

各発光デバイスにおけるＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（２）が設けられている場合はＥＬ層１０３（１））は、少なくとも一の方向において隣り合う発光デバイスと分離している。また、ＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））は、図１Ａ、図１Ｂのように画素電極１０１の少なくとも一対の辺を覆って設けられていてもよいし、図１Ｃのように、画素電極１０１の端部よりも内側にＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））の端部がくるように設けられていてもよい。

また、ＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（２）が設けられている場合はＥＬ層１０３（１））の少なくとも一対の向かい合う端部は有機化合物を含む絶縁層１２５に覆われている。絶縁層１２５には、画素電極１０１に重なる開口部１２８が形成されている。

共通電極１０２は、開口部１２８においてＥＬ層１０３と接している（ＥＬ層１０３（２）が設けられている場合はＥＬ層１０３（２）と接している）。

なお、ＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））と、絶縁層１２５との間に、絶縁層１２６が設けられていてもよい。絶縁層１２６は、無機化合物を含むことが好ましく、酸化アルミニウムがより好ましい。また、ＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））の上部では２層構造、側面では１層構造となり、上面が側面よりも厚い構造となっていることが好ましい。

ＥＬ層１０３は、図２Ｂのような積層構造を有することが好ましく、少なくとも発光層１１３を有する。その他、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５などを有していてもよい。また、この他、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層、中間層（電荷発生層）等を有していてもよい。なお、これらは例示であり、発光層１１３以外は、設けられていてもいなくても構わないし、複数の機能の代わりに複数の機能を兼ねる層を代わりに形成しても良い。

発光層１１３は、発光物質を有している。本実施の形態において、当該発光物質は青色発光（発光ピーク波長が４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下、好ましくは４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下）を呈する物質であることがより効果が顕著であるため好ましい。当該発光物質として、青色発光物質を用いる場合、その発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下のものを用いることが好ましい。

図２Ａに、図１とは異なる構成を有する発光デバイス構造を示した。図２Ａに示した発光デバイスは、図１で示した発光デバイスにおける絶縁層１２５が設けられておらず、画素電極１０１の端部を覆う絶縁層１２９が形成され、絶縁層１２９に設けられた開口部１２８を介してＥＬ層１０３と画素電極とが接している。また、ＥＬ層１０３が連続して設けられており、共通電極１０２がＥＬ層１０３の上面に画素電極よりも広い範囲において接している。

図２Ａに示したような構成を有する発光デバイスは、特に画素電極（陽極）１０１側に位置する正孔注入層の導電性が高い場合、絶縁膜の開口部と重なる位置にある共通電極との間に電流が流れるだけでなく、その周辺部に位置する共通電極との間にも意図せず電流が流れてしまうことがある。当該電流（リーク電流）により励起された光は、発光位置が想定された位置と異なることから、一部の光は発光デバイス内からデバイス外に射出するまでの光路長が想定の波長域からずれてしまう場合がある。

また、絶縁層１２９の凹凸に起因して共通電極の角度も位置により変化するため、このような光が発光デバイスの外部に射出しやすい構成ともなっている。

このような理由から、図２Ａに示したような構成を有する発光デバイスは、発光中に想定された波長の光より波長の長い光が混在することにより、発光スペクトルがブロードになり、また、発光ピークが長波長側にシフトしてしまう。結果として、色純度が低下し、特にブルーインデックスの低下が著しい。

ここで、ブルーインデックス（ＢＩ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）をさらにｙ色度で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、ｙ色度が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色純度の高い青色発光は、輝度成分が小さくても広い範囲の青色を表現することが可能であり、色純度の高い青色発光を用いることで、青色を表現するための必要輝度が低下することから消費電力の低減効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなるｙ色度を考慮したＢＩが青色発光の効率を表す手段として好適に用いられ、ＢＩが高い発光デバイスほどディスプレイに用いられる青色発光デバイスとしての効率が良好であるということができる。

一方、図１Ａ乃至図１Ｃに示したような、本発明の一態様の発光デバイスは、共通電極１０２が、絶縁層１２６の開口部１２８を介してＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））と重なっている。このため、共通電極１０２の周辺部にリーク電流が流れにくく、波長の異なる発光が混在しにくいことから、色純度の良好な発光を得ることができ、ブルーインデックスの良好な発光デバイスを得ることができる。このような青色発光デバイスにおいて、開口部１２８から得られる発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍ以下とすることができる。

また、この現象は、発光デバイスの周辺部（画素電極と、ＥＬ層と、共通電極が接して重なっている部分の周囲）で発生することから、高精細な発光装置ほど、顕著に表れる。そのため、本発明の一態様の構成は、特に高精細な発光装置において非常に好適であるということができる。高精細な発光装置とは、例えば、隣り合う画素電極同士の間隔が０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上１μｍ以下程度の非常に狭い間隔で並んでいる発光装置が該当する。または、一つの発光デバイスにおける発光面積（画素電極とＥＬ層、共通電極が接して重なっている（絶縁層を間に挟まずに重なっている）部分の面積）が５μｍ^２以上１５μｍ^２以下、好ましくは５μｍ^２以上１０μｍ^２以下である発光装置が該当する。

なお、本発明の一態様の発光デバイスは、隣接する発光デバイスの間に生じうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、またはラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を低減することも可能となる。例えば、隣接する副画素間で正孔注入層を共通して用いる場合、当該正孔注入層に起因して、横リーク電流が発生しうる。一方で本発明の一態様の発光デバイスにおいては、少なくとも一方の方向において隣り合う発光デバイスとＥＬ層１０３（ＥＬ層１０３（１））が分離していることから横リーク電流は、実質的に発生しない、または横リーク電流を極めて小さくすることが出来る。

また、本発明の一態様の発光デバイスは、図３に記載の発光デバイスと比較して、異なるパターニング間での合わせ精度に対してマージンが広く、バラツキが少ない表示装置を提供できる。

本実施の形態の構成は、他の構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
続いて、本発明の一態様の発光デバイスの他の構造および材料の例について説明する。本発明の一態様の発光デバイスは、上述のように画素電極（陽極）１０１と共通電極（陰極）１０２の一対の電極間に複数の層からなるＥＬ層１０３を有しており、当該ＥＬ層１０３は、発光材料と、第１の有機化合物（および第２の有機化合物）を少なくとも有する発光層１１３を有しており、第３の有機化合物を有する正孔ブロック層を有していることが好ましい。

陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５~５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１~１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、陽極に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。又は、陽極に用いられる材料として、グラフェンも用いることができる。なお、後述する複合材料をＥＬ層１０３における陽極と接する層に用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。

ＥＬ層１０３は積層構造を有していることが好ましいが、当該積層構造については特に限定はなく、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、励起子ブロック層、電荷発生層など、様々な層構造を適用することができる。なお、いずれかの層が設けられていなくてもよい。本実施の形態では、図２Ｂに示すように、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、正孔ブロック層、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５を有する構成について以下に具体的に示す。

正孔注入層１１１は、アクセプタ性を有する物質を含む層である。アクセプタ性を有する物質としては、有機化合物と無機化合物のいずれも用いることが可能である。

アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を用いることができ、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物またはバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）または銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。アクセプタ性を有する物質は、隣接する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から、電界の印加により電子を引き抜くことができる。

なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。

また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性を有する材料に上記アクセプタ性物質を含有させた複合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性を有する材料にアクセプタ性物質を含有させた複合材料を用いることにより、仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、陽極として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。

複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。以下では、複合材料における正孔輸送性を有する材料として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。カルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。また、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。なお、本発明の一態様の有機化合物も用いることができる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）またはポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。

複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら有機化合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。以上のような有機化合物としては、具体的には、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（ジベンゾフラン−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン等を挙げることができる。

なお、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料はそのＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることがさらに好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有することによって、正孔輸送層１１２への正孔の注入が容易となり、また、寿命の良好な発光デバイスを得ることが容易となる。また、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料が比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることによって、正孔の誘起が適度に抑制されさらに寿命の良好な発光デバイスとすることができる。

なお、上記複合材料にさらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を混合（好ましくは当該層中のフッ素原子の原子比率が２０％以上）することによって、当該層の屈折率を低下させることができる。これによっても、ＥＬ層１０３内部に屈折率の低い層を形成することができ、発光デバイスの外部量子効率を向上させることができる。

正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発光デバイスを得ることができる。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送性を有する材料を含んで形成される。正孔輸送性を有する材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。

上記正孔輸送性を有する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９−（３−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９−（４−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’−ジ−２−ナフチル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−５’−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−フェニル−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’−ビス（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（４−ビフェニル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（トリフェニレン−２−イル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。なお、正孔注入層１１１の複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料として挙げた物質も正孔輸送層１１２を構成する材料として好適に用いることができる。

発光層１１３は発光物質と第１の有機化合物を有していることが好ましい。また、さらに第２の有機化合物を含んでいてもよい。なお、発光層１１３は、その他の材料を同時に含んでいても構わない。また、組成の異なる２層の積層であってもよい。第１の有機化合物は電子輸送性を有する有機化合物であり、第２の有機化合物は正孔輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。

また、発光物質は、蛍光物質であってもりん光物質であっても熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を呈する物質であっても構わない。

発光層１１３において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。

５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（１，６−ピレン−ジイル）ビス［（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎまたは１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。

発光層１１３において、発光物質としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。

（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（３，７−ジエチル−４，６−ノナンジオナト−κＯ４，κＯ６）ビス［２，４−ジメチル−６−［７−（１−メチルエチル）−１−イソキノリニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）、（３，７−ジエチル−４，６−ノナンジオナト−κＯ４，κＯ６）ビス［２，４−ジメチル−６−［５−（１−メチルエチル）−２−キノリニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。なおその他公知の赤色りん光発光を呈する物質を用いることもできる。

トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）、トリス（２−［１−｛２，６−ビス（１−メチルエチル）フェニル｝−１Ｈ−イミダゾール−２−イル−κＮ３］−４−シアノフェニル−κＣ）（略称：ＣＮＩｍＩｒ）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−フェニル−２Ｈ−イミダゾ［４，５−ｂ］ピラジン−１−イル−κＣ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｃｂ）_３］）のようなベンズイミダゾリデン骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−ｄ３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））、［２−（メチル−ｄ３）−８−［４−（１−メチルエチル−１−ｄ）−２−ピリジニル−κＮ］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−７−イル−κＣ］ビス［５−（メチル−ｄ３）−２−［５−（メチル−ｄ３）−２−ピリジニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ−ｄ６）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｉＰｒ−ｄ４））、［２−ｄ３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））、［２−（４−ｄ３−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］ビス［２−（５−ｄ３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｄｐｐｙ−ｄ３）］）、［２−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ）］）、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランまたはボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環または複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

また、非常に高速且つ可逆的な項間交差が可能であり、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡モデルに従って発光するＴＡＤＦ材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は、ＴＡＤＦ材料として極めて短い発光寿命（励起寿命）を有し、発光素子における高輝度領域での効率低下を抑制することができる。具体的には、下記に示す分子構造のような材料が挙げられる。

なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。

なお本発明の一態様の発光デバイスでは、発光物質が青色発光を呈する物質である場合に顕著な効果が得られるため、本発明の一態様は青色発光を呈する発光物質を含む発光デバイスに適用することが好ましい。

ホスト材料に用いられる電子輸送材料としては、例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物を用いることができる。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）、１１−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）、１１−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン、１１−［（３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン、１２−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：１２ＰＣＣｚＰｎｆｐｒ）、９−［（３’−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＰＣＢＰＮｆｐｒ）、９−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、１０−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：１０ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、９−［３’−（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＢｎｆＢＰＮｆｐｒ）、９−｛３−［６−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）ジベンゾチオフェン−４−イル］フェニル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＦＤＢｔＰＮｆｐｒ）、９−［３’−（６−フェニルジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ−０２）、９−［３−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ）、９−｛３’−［２，８−ジフェニルジベンゾチオフェン−４−イル］ビフェニル−３−イル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン、１１−｛３’−［２，８−ジフェニルジベンゾチオフェン−４−イル］ビフェニル−３−イル｝フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジンなどのジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル’１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−タ−フェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

ホスト材料に用いられる正孔輸送材料としては、アミン骨格またはπ電子過剰型複素芳香環を有する有機化合物を用いることができる。当該アミン骨格またはπ電子過剰型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミン（略称：ＰＣＢＦＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−４−アミン、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１’：３’，１’’−ターフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−４−アミンなどのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層１１２における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物もホストの正孔輸送材料として用いることができる。

なお、電子輸送材料と、正孔輸送材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御を簡便に行うことができる。また、ＴＡＤＦ材料についても、電子輸送材料または正孔輸送材料として用いることができる。

ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先にＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光デバイスの発光効率を高めることもできる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。

これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

また、効率良く三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

蛍光発光物質を発光物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０−ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格またはジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ジベンゾフラン、２−（１０−フェニル−９−アントラセニル）−ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１−［４−（１０−［，１，１’−ビフェニル］−４−イル−９−アントラセニル）フェニル］−２−エチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、２，９−ジ（１−ナフチル）−１０−フェニルアントラセン（略称：２αＮ−αＮＰｈＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−αＮＰＡｎｔｈ）、９−（２−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、２−（１−ナフチル）−９−（２−ナフチル）−１０−フェニルアントラセン（略称：２αＮ−βＮＰｈ）等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。

なお、上記混合された材料の一部として、りん光発光物質を用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

また、上記混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。

なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、りん光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。

効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

正孔ブロック層を設ける場合、正孔ブロック層は、発光層１１３に接しており、電子輸送性を有し、且つ正孔をブロック可能な有機化合物を含んで形成される。正孔ブロック層を構成する有機化合物としては、電子輸送性に優れ、正孔輸送性が低く、かつＨＯＭＯ準位の深い材料を用いることが好適である。具体的には、発光層１１３に含まれる材料のＨＯＭＯ準位よりも０．５ｅＶ以上深いＨＯＭＯ準位を有し、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。

特に、２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）、２−｛３−［２−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ−０２）、２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ−０３）、２−｛３−［３−（Ｎ−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ（ＣｚＴ））、９−［３−（４，６−ジフェニル−ピリミジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰＰｍ）、９−（４，６−ジフェニル−ピリミジン−２−イル）−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：２ＰＣＣｚＰｍ）、４−［２−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ−０２）、４−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ベンゾ［ｈ］キナゾリン、９−［３−（２，６−ジフェニル−ピリジン−４−イル）フェニル］−９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾールが耐熱性が良好であり好ましい。

正孔ブロック層としてその他の材料を用いる場合は、後述する正孔輸送層に用いることが可能な材料の中から、発光層１１３に含まれる材料のＨＯＭＯ準位よりも深いＨＯＭＯ準位を有する有機化合物を用いれば位よい。

電子輸送層１１４は、電子輸送性を有する有機化合物であり、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。

上記電子輸送層に用いることが可能なπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、具体的には、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）、８−（１，１’：４’，１”−テルフェニル−３−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍｐＴＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、８−（１，１’：４’，１”−テルフェニル−３−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］−ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、４，８−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＣｚＰ２Ｂｆｐｍ）、８−（１，１’：４’，１”−テルフェニル−３−イル）−４−［３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−３−イル］−ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−｛３−［２−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、８−フェニル−４−｛３−［２−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−（３，５−ジ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル−フェニル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジンなどのジアジン骨格を有する有機化合物、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジル）−５−（９−フェナントリル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１−（４−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−タ−フェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

なお、本構成を有する電子輸送層１１４は、電子注入層１１５を兼ねることがある。

電子輸送層１１４と共通電極（陰極）１０２との間に、電子注入層１１５として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物もしくは錯体を含む層を設けることが好ましい。またイッテルビウム（Ｙｂ）とリチウムの共蒸着膜も好ましい。電子注入層１１５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

なお、電子注入層１１５として、電子輸送性を有する物質（好ましくはビピリジン骨格を有する有機化合物）に上記アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を微結晶状態となる濃度以上（５０ｗｔ％以上）含ませた層を用いることも可能である。当該層は、屈折率の低い層であることから、より外部量子効率の良好な発光デバイスを提供することが可能となる。

陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）またはセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。

これら導電性材料は、真空蒸着法またはスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。

また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

なお、陽極と陰極との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極またはキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、陽極および陰極から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。

また、発光層１１３に接する正孔輸送層または電子輸送層、特に発光層１１３における再結合領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好ましい。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置について図３Ａ、及び図３Ｂを用いて説明する。なお、図３Ａは、発光装置を示す上面図、図３Ｂは図３Ａに示す一点鎖線Ａ−Ｂおよび一点鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図３Ｂを用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いて作製すればよい。

画素または駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、上記画素または駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。

上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがより好ましい。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。

なお、ＦＥＴ６２３は駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものである。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。

なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。

また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ~３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここでは、第１の電極６１３は陽極として機能する。陽極に用いることが可能な材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、銀を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１および実施の形態２で説明したような構成を含んでいる。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金または化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過する場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属または合金の薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが好ましい。

なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、発光デバイスが形成されている。当該発光デバイスは実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスである。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を有する発光デバイスの両方が混在していても良い。この際、本発明の一態様の発光装置では、異なる波長の光を発する発光デバイス間で共通の正孔輸送層を用いることができることから、製造工程が簡便でコスト的に有利な発光装置とすることができる。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素またはアルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂またはガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分または酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板または石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。

図３Ａ及び図３Ｂには示されていないが、陰極上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜または無機絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層等の露出した側面を覆って設けることができる。

保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。

保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。

保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラックまたはピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。

例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面、タッチパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる。

以上のようにして、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置を得ることができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることが可能である。また、表示品質の良好な発光装置とすることができる。

図４Ａ、及び図４Ｂには着色層（カラーフィルタ）等を設けることによって色純度を向上させた発光装置の例を示す。図４Ａには基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光デバイスの陽極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの共通電極（陰極）１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている。

また、図４Ａでは着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１０３５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリクス１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。

図４Ｂでは着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。

また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の発光装置の断面図を図５に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。ＦＥＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成することができる。

発光デバイスの陽極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図５のようなトップエミッション型の発光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１においてＥＬ層１０３として説明したような構成とする。

図５のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）またはブラックマトリックスはオーバーコート層（図示せず）によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。

トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、一方の電極を反射電極を含む電極、他方の電極を半透過・半反射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくともＥＬ層が存在し、少なくとも発光領域となる発光層が存在している。

なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによって反射され、共振する。

当該発光デバイスは、透明導電膜または上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変えることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これにより、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができる。

なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と発光層の光学的距離を（２ｎ−１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅したい発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができる。

なお、上記構成においてＥＬ層は、複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。

マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素において各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装置とすることができる。

ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図６Ａ、及び図６Ｂには本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図６Ａは、発光装置を示す斜視図、図６Ｂは図６Ａを一点鎖線Ｘ−Ｙで切断した断面図である。図６において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いており、表示品質の良好な発光装置、又は消費電力の小さい発光装置とすることができる。

以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光デバイスをそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。

また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
［発光装置］
以下では、上記実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いた本発明の一態様の発光装置の他の一例および作製方法について説明する。

　図７Ａに、本発明の一態様の発光装置４５０の上面概略図を示す。発光装置４５０は、赤色を呈する発光デバイス１１０Ｒ、緑色を呈する発光デバイス１１０Ｇ、及び青色を呈する発光デバイス１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図７Ａでは、各発光デバイスの区別を簡単にするため、各発光デバイスの発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図７Ａは、一方向に同一の色の発光デバイスが配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光デバイスの配列方法はこれに限られず、デルタ配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは、Ｘ方向に配列している。また、Ｘ方向と交差するＹ方向には、同じ色の発光デバイスが配列している。

　発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂは上記構成を有する発光デバイスである。

　図７Ｂは、図７Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図７Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

　図７Ｂには、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂの断面を示している。発光デバイス１１０Ｒは、画素電極（陽極）１０１Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第２のＥＬ層１２１、及び共通電極１０２を有する。発光デバイス１１０Ｇは、画素電極（陽極）１０１Ｇ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、第２のＥＬ層（電子注入層）１２１、及び共通電極１０２を有する。発光デバイス１１０Ｂは、画素電極（陽極）１０１Ｂ、第１のＥＬ層１２０Ｂ、第２のＥＬ層１２１、及び共通電極１０２を有する。第２のＥＬ層１２１と共通電極１０２は、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂに共通に設けられる。第２のＥＬ層１２１は、共通層ともいうことができる。

　発光デバイス１１０Ｒが有する第１のＥＬ層１２０Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｇが有する第１のＥＬ層１２０Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｂが有する第１のＥＬ層１２０Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇおよび発光デバイス１１０Ｂは、少なくとも発光デバイス１１０Ｒが本発明の一態様の発光デバイスである。

　第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂは、それぞれ発光層を少なくとも有し、そのほかに、正孔ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層、励起子ブロック層などのうち、一以上を有していてもよい。第２のＥＬ層１２１は、発光層を有さない構成とする。第２のＥＬ層１２１は電子注入層であることが好ましい。なお、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂの第２の電極側の表面が電子注入層の役割も担う場合、第２のＥＬ層１２１は設けられていなくともよい。

　画素電極（陽極）１０１Ｒ、画素電極（陽極）１０１Ｇ、及び画素電極（陽極）１０１Ｂは、それぞれ発光デバイス毎に設けられている。また、共通電極１０２及び第２のＥＬ層１２１は、各発光デバイスに共通な一続きの層として設けられていることが好ましい。また、第１のＥＬ層１２０における正孔輸送層は、発光色の異なる発光デバイス間で途切れているが、同じ構成を有していることが好ましい。

画素電極１０１と共通電極１０２のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。画素電極１０１を透光性、共通電極１０２を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１０２を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１０２の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。本発明の一態様の発光デバイスは、トップエミッション型の発光デバイスに好適である。

　画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂの端部を覆って、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂがそれぞれ設けられている。また、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂの端部を覆って絶縁層１２５が設けられている。言い換えると、絶縁層１２５は、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂおよび第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂと重なる開口部を有している。絶縁層１２５の開口部における端部は、テーパ形状であることが好ましい。なお、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂの端部は、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂにそれぞれ覆われていなくてもよい。

　第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂは、それぞれ画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂの上面に接する領域を有する。また、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂの端部は、絶縁層１２５の下に位置する。第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂの上面は絶縁層１２５に接する領域と、第２のＥＬ層１２１（第２のＥＬ層を設けない構成の場合は共通電極１０２）に接する領域とを有する。

図１８は、図７Ｂの変形例である。図１８において、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂの端部は、基板側に向かって広くなるテーパー形状を有しており、上部に形成される膜の被覆性が向上している。また、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂの端部は、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂにそれぞれ覆われている。ＥＬ層を覆ってマスク層１０７が形成されている。これは、フォトリソグラフィ法によってエッチングをする際に、ＥＬ層がダメージを受けることを抑制する働きがある。発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂの間には絶縁層１０８が設けられている。絶縁層１０８の端部はなだらかなテーパー形状を有しており、その後に形成される第２のＥＬ層１２１および共通電極１０２の段切れを抑制することができる。

　図７Ｂ、図１８に示すように、異なる色の発光デバイス間において、２つのＥＬ層の間に隙間が設けられている。このように、第１のＥＬ層１２０Ｒ、第１のＥＬ層１２０Ｇ、及び第１のＥＬ層１２０Ｂが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを有効に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、隣り合う発光デバイス（例えば発光デバイス１１０Ｒと発光デバイス１１０Ｇ）における向かい合うＥＬ層の端部同士の間隔は、フォトリソグラフィ法を用いて作製することにより、２μｍ以上５μｍ以下とすることが可能である。なお、これは、ＥＬ層に含まれる発光層同士の間隔と言い換えることもできる。メタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難である。

このように、フォトリソグラフィ法を用いて発光装置を作製することにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を大きく拡大することができるようになる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。より具体的には、有機ＥＬデバイスを用い、開口率が１０％の表示装置の寿命を基準にした場合、開口率が２０％（すなわち、基準に対して開口率が２倍）の表示装置の寿命は約３．２５倍となり、開口率が４０％（すなわち、基準に対して開口率が４倍）の表示装置の寿命は約１０．６倍となる。このように、開口率の向上に伴い、有機ＥＬデバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることが可能となる。本発明の一態様の表示装置においては、開口率を向上させることが可能であるため表示装置の表示品位を向上させることが可能となる。さらに、表示装置の開口率の向上に伴い、表示装置の信頼性（特に寿命）を格段に向上させるといった、優れた効果を奏する。

　図７Ｃでは、Ｙ方向において、ＥＬ層１２０Ｒが発光デバイス毎に分離するように形成されている例を示した。なお、図７Ｃでは一例として発光デバイス１１０Ｒの断面を示しているが、発光デバイス１１０Ｇ及び発光デバイス１１０Ｂについても同様の形状とすることができる。なお、ＥＬ層はＹ方向において一続きであり、ＥＬ層１２０Ｒが帯状に形成されていてもよい。ＥＬ層１２０Ｒなどを帯状に形成することで、これらを分断するためのスペースが不要となり、発光デバイス間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。

　共通電極１０２上には、発光デバイス１１０Ｒ、発光デバイス１１０Ｇ、及び発光デバイス１１０Ｂを覆って、保護層１３１が設けられている。保護層１３１は、上方から各発光デバイスに水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１３１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１３１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。

　また、保護層１３１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１３１の上面が平坦となるため、保護層１３１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　また、図７Ａには、共通電極１０２と電気的に接続する接続電極１０１Ｃを示している。接続電極１０１Ｃは、共通電極１０２に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１０１Ｃは、発光デバイス１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。また図７Ａには、共通電極１０２を破線で示している。

　接続電極１０１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１０１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。

　図７Ｄは、図７Ａ中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図である。図７Ｄには、接続電極１０１Ｃと共通電極１０２とが電気的に接続する接続部１３０を示している。接続部１３０では、接続電極１０１Ｃ上に共通電極１０２が接して設けられ、共通電極１０２を覆って保護層１３１が設けられている。また、接続電極１０１Ｃの端部を覆って絶縁層１２４が設けられている。

［作製方法例１］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した発光装置４５０を例に挙げて説明する。図８Ａ乃至図９Ｆは、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。また図８Ａ等では、右側に接続部１３０及びその近傍における断面概略図を合わせて示している。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線などを用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

〔基板１００の準備〕
　基板１００としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１００として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコン、炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。

　特に、基板１００として、上記半導体基板または絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。

〔画素電極１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、接続電極１０１Ｃの形成〕
　続いて、基板１００上に画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、画素電極１０１Ｂ、及び接続電極１０１Ｃを形成する。まず画素電極（陽極）となる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、及び画素電極１０１Ｂを形成することができる。

　各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域でできるだけ反射率が高い材料（例えば銀またはアルミニウムなど）を適用することが好ましい。これにより、発光デバイスの光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。各画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いた場合、基板と反対方向に発光を取りだすいわゆるトップエミッションの発光装置とすることができる。各画素電極として透光性を有する導電膜を用いる場合、基板方向に発光を取り出すいわゆるボトムエミッションの発光装置とすることができる。

〔ＥＬ膜１２０Ｒｂの形成〕
　続いて、画素電極１０１Ｒ、画素電極１０１Ｇ、および画素電極１０１Ｂ上に、後にＥＬ層１２０ＲとなるＥＬ膜１２０Ｒｂを成膜する。

　ＥＬ膜１２０Ｒｂは、少なくとも発光材料を含む発光層と、正孔輸送層を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１２０Ｒｂは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　一例としては、ＥＬ膜１２０Ｒｂとして、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が、この順で積層された積層膜とすることが好ましい。このとき、後に形成するＥＬ層１２１としては、電子注入層を有する膜を用いることができる。

　ＥＬ膜１２０Ｒｂは、接続電極１０１Ｃ上に設けないように形成することが好ましい。例えば、ＥＬ膜１２０Ｒｂを蒸着法（またはスパッタリング法）により形成する場合、接続電極１０１ＣにＥＬ膜１２０Ｒｂが成膜されないように、遮蔽マスクを用いて形成する、または後のエッチング工程で除去することが好ましい。

〔マスク膜１４４ａの形成〕
　続いて、ＥＬ膜１２０Ｒｂを覆ってマスク膜１４４ａを形成する。また、マスク膜１４４ａは、接続電極１０１Ｃの上面に接して設けられる。

　マスク膜１４４ａは、ＥＬ膜１２０Ｒｂなどの各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、マスク膜１４４ａは、後述する保護膜１４６ａなどの保護膜とのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、マスク膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。

　マスク膜１４４ａとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。マスク膜１４４ａは、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。

　マスク膜１４４ａとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。

　また、マスク膜１４４ａとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

　また、マスク膜１４４ａとしては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。中でも特に酸化アルミニウムが好ましい。

　また、マスク膜１４４ａとして、少なくともＥＬ膜１２０Ｒｂの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、マスク膜１４４ａに好適に用いることができる。マスク膜１４４ａを成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１２０Ｒｂへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　マスク膜１４４ａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等がある。

　マスク膜１４４ａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることができる。

ここで、特にＡＬＤ法により作製された膜は、緻密でＥＬ層を保護する機能が高いためにマスク膜として好適に利用できる。特に酸化アルミニウム膜は好適である。

〔保護膜１４６ａの形成〕
　続いて、マスク膜１４４ａ上に、保護膜１４６ａを形成する（図８Ｂ）。

　保護膜１４６ａは、後にマスク膜１４４ａをエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後の保護膜１４６ａの加工時には、マスク膜１４４ａが露出する。したがって、マスク膜１４４ａと保護膜１４６ａとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、マスク膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、保護膜１４６ａに用いることのできる膜を選択することができる。

　例えば、保護膜１４６ａのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金などを、保護膜１４６ａに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物膜などがあり、これをマスク膜１４４ａに用いることができる。

　なお、これに限られず、保護膜１４６ａは、様々な材料の中から、マスク膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記マスク膜１４４ａに用いることのできる膜の中から選択することもできる。

　また、保護膜１４６ａとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。

　または、保護膜１４６ａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。

　また、保護膜１４６ａとして、ＥＬ膜１２０Ｒｂなどに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１２０Ｒｂ、ＥＬ膜１２０Ｇｂ、またはＥＬ膜１２０Ｂｂに用いる有機膜と同じ膜を、保護膜１４６ａに用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１２０Ｒｂなどと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
　続いて、保護膜１４６ａ上であって、画素電極１０１Ｒと重なる位置、及び接続電極１０１Ｃと重なる位置に、それぞれレジストマスク１４３ａを形成する（図８Ｃ）。

　レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　ここで、保護膜１４６ａを有さずに、マスク膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、マスク膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１２０Ｒｂが溶解してしまう恐れがある。保護膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

　なお、マスク膜１４４ａにピンホールなどの欠陥が生じにくい膜を用いる場合には、保護膜１４６ａを用いずに、マスク膜１４４ａ上に直接、レジストマスク１４３ａを形成してもよい。

〔保護膜１４６ａのエッチング〕
　続いて、保護膜１４６ａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状の保護層１４７ａを形成する。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にも保護層１４７ａが形成される。

　保護膜１４６ａのエッチングの際、マスク膜１４４ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。保護膜１４６ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、保護膜１４６ａのパターンが縮小することを抑制できる。

〔レジストマスク１４３ａの除去〕
　続いて、レジストマスク１４３ａを除去する（図８Ｄ）。

　レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。

　このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ膜１２０Ｒｂがマスク膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ膜１２０Ｒｂへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ膜１２０Ｒｂが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

〔マスク膜１４４ａのエッチング〕
　続いて、保護層１４７ａをマスクとして用いて、マスク膜１４４ａの保護層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、帯状のマスク層１４５ａを形成する（図８Ｅ）。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上にもマスク層１４５ａが形成される。

　マスク膜１４４ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。

〔ＥＬ膜１２０Ｒｂ、保護層１４７ａのエッチング〕
　続いて、保護層１４７ａをエッチングすると同時に、マスク層１４５ａに覆われないＥＬ膜１２０Ｒｂの一部をエッチングにより除去し、帯状のＥＬ層１２０Ｒを形成する（図８Ｆ）。このとき同時に、接続電極１０１Ｃ上の保護層１４７ａも除去される。

　ＥＬ膜１２０Ｒｂと、保護層１４７ａとを同一処理によりエッチングすることで、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを削減することができるため好ましい。

　特にＥＬ膜１２０Ｒｂのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ膜１２０Ｒｂの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、Ｈ_２またはＨｅなどの貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。

　なお、ＥＬ膜１２０Ｒｂのエッチングと、保護層１４７ａのエッチングを、別々に行ってもよい。このとき、ＥＬ膜１２０Ｒｂを先にエッチングしてもよいし、保護層１４７ａを先にエッチングしてもよい。

　この時点において、ＥＬ層１２０Ｒと、接続電極１０１Ｃが、マスク層１４５ａに覆われた状態となる。

〔ＥＬ層１２０Ｇ、ＥＬ層１２０Ｂの形成〕
　同様の工程を繰り返すことによって、島状のＥＬ層１２０Ｇ、ＥＬ層１２０Ｂと、島状のマスク層１４５ｂ、１４５ｃとを形成することができる（図９Ａ）。

〔マスク層の除去〕
　続いて、マスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃ上に、絶縁層１２６ｂを形成する。絶縁層１２６ｂはマスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃと同様に作製することができる。

〔絶縁層１２５ｂの形成〕
その後、絶縁層１２６ｂを覆って、絶縁層１２５ｂを形成する。絶縁層１２５ｂは感光性を有する有機樹脂を用いて形成すればよい。当該有機材料としては例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２５ｂとして、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を適用することができる場合がある。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いることができる場合がある。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる場合がある。

絶縁層１２５ｂは塗布後に加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下とすればよい。これにより、絶縁層１２５ｂ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　次に、図７Ｃに示すように、露光、現像を行って、絶縁層１２５ｂの画素電極および第１のＥＬ層と重なる領域に開口部１２８を形成し、絶縁層１２５を形成する。絶縁層１２５ｂに、ポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、絶縁層１２５ｂを除去する領域に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射すればよい。

　また、露光に可視光線を用いる場合、当該可視光線は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。さらに、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、またはｈ線（波長４０５ｎｍ）などを含む可視光線を用いてもよい。

現像は、絶縁層１２５ｂにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）を用いればよい。

なお、この後、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を絶縁層１２５に照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすればよく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２５の透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２５の端部をテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

　次に、加熱処理を行うことで、絶縁層１２５ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２５に変形させることができる。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下とすればよい。本工程の加熱処理は、絶縁層１２５の塗布後の加熱処理よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２５の耐食性も向上させることができる。

続いて、露出したマスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃを除去する。マスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。このとき、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。特に、ウェットエッチング法を用いることが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。

　または、マスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃを、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、マスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃを溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなど、様々なアルコールを用いることができる。

　マスク層１４５ａ、マスク層１４５ｂ、及びマスク層１４５ｃを除去した後に、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

　このようにして、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂを作り分けることができる。

〔ＥＬ層１２１の形成〕
　続いて、ＥＬ層１２０Ｒ、ＥＬ層１２０Ｇ、及びＥＬ層１２０Ｂ、絶縁層１２５を覆ってＥＬ層１２１を成膜する。

　ＥＬ層１２１は、ＥＬ膜１２０Ｒｂなどと同様の方法で成膜することができる。蒸着法によりＥＬ層１２１を成膜する場合には、ＥＬ層１２１が接続電極１０１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて成膜することが好ましい。

〔共通電極１０２の形成〕
　続いて、ＥＬ層１２１及び接続電極１０１Ｃを覆って共通電極１０２を形成する（図９Ｆ）。

　共通電極１０２は、蒸着法またはスパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。このとき、電子注入層１１５が成膜される領域を包含するように、共通電極１０２を形成することが好ましい。すなわち、電子注入層１１５の端部が、共通電極１０２と重畳する構成とすることができる。共通電極１０２は、遮蔽マスクを用いて形成することが好ましい。

　共通電極１０２は、表示領域外において、接続電極１０１Ｃと電気的に接続される。

〔保護層の形成〕
　続いて、共通電極１０２上に、保護層を形成する。保護層に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

　以上により、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

　なお、上記では、共通電極１０２と第２のＥＬ層１２１とを、異なる上面形状となるように形成した場合について示したが、これらを同じ領域に形成してもよい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを照明装置として用いる例を、図１０を参照しながら、説明する。図１０Ｂは照明装置の上面図、図１０Ａは図１０Ｂに示す線分ｅ−ｆにおける断面図である。

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、陽極４０１が形成されている。陽極４０１は実施の形態１における画素電極１０１に相当する。陽極４０１側から発光を取り出す場合、陽極４０１は透光性を有する材料により形成する。

陰極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

陽極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１および実施の形態２におけるＥＬ層１０３の構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。

ＥＬ層４０３を覆って陰極４０４を形成する。陰極４０４は実施の形態１における共通電極１０２に相当する。発光を陽極４０１側から取り出す場合、陰極４０４は反射率の高い材料によって形成される。陰極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。

以上、陽極４０１、ＥＬ層４０３、及び陰極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図１０Ｂでは図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と陽極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

以上、本実施の形態に記載の照明装置は、ＥＬ素子に実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いており、発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをその一部に含む電子機器の例について説明する。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは発光効率（特にＢＩ）の高い発光デバイスである。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、発光デバイスの発光効率が良好なため、消費電力の小さい電子機器とすることが可能である。

上記発光デバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。

図１１Ａは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、表示部７１０３は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して構成されている。

テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルまたは音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。なお、表示部７１０７にも、マトリクス状に配列した、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを適用することができる。

なお、テレビジョン装置は、受信機またはモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１１Ｂ１はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図１１Ｂ１のコンピュータは、図１１Ｂ２のような形態であってもよい。図１１Ｂ２のコンピュータは、キーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに表示部７２１０が設けられている。表示部７２１０はタッチパネル式となっており、表示部７２１０に表示された入力用の表示を指または専用のペンで操作することによって入力を行うことができる。また、表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納または運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。

図１１Ｃは、携帯端末の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。

図１１Ｃに示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯端末内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌または指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

以上の様に実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いることにより消費電力の小さい電子機器を得ることができる。

図１２Ａは、掃除ロボットの一例を示す模式図である。

掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されていないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５１００は、無線による通信手段を備えている。

掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口からゴミを吸引することができる。

また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることができる。

ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量、吸引したゴミの量などを表示することができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させてもよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプレイ５１０１に設けてもよい。

掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることができる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器で確認することもできる。

本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。

図１２Ｂに示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。

マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが可能である。

ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電およびデータの受け渡しを可能とする。

上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置はディスプレイ２１０５に用いることができる。

図１２Ｃはゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、第２の表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。

本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および第２の表示部５００２に用いることができる。

図１３は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図１３に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有している。

図１４は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、室内の照明装置３００１として用いた例である。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、消費電力の小さい照明装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。

実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、自動車のフロントガラスまたはダッシュボードにも搭載することができる。図１５に実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを自動車のフロントガラスまたはダッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて設けられた表示である。

表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、陽極と陰極の両方を、透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタ、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。

表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

表示領域５２０３はまたナビゲーション情報、速度または回転数、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目またはレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０２にも設けることができる。また、表示領域５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。

また、図１６Ａ、及び図１６Ｂに、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５３を有している。図１６Ａに展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１６Ｂに折りたたんだ状態の携帯情報端末を示す。携帯情報端末５１５０は、大きな表示領域５１５２を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。

表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能な部材が伸びる。屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の曲率半径を有して折りたたまれる。

なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることができる。

また、図１７Ａ乃至図１７Ｃに、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１７Ａに展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１７Ｂに展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１７Ｃに折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１について説明する。本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１の作製方法）
まず、シリコン基板上に、絶縁膜としてＣＶＤ法により酸化シリコンを４００ｎｍ成膜した後、窒素雰囲気下３５０℃で１時間加熱した。この後、スパッタリング法によりチタンを５０ｎｍ、アルミニウムを７０ｎｍ、チタンをスパッタリング法により６ｎｍ成膜し、３００℃で１時間加熱して反射電極を形成した。この後、透明電極として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１０ｎｍの膜厚で成膜した。続いて、フォトリソグラフィ法によりフォトマスクを作製した後、ウェットエッチングでＩＴＳＯを、ドライエッチングでチタン、アルミニウム、チタンの積層をパターニングして、幅３μｍの画素電極１０１を形成した。なお、透明電極は陽極として機能し、上記反射電極と合わせて画素電極（陽極）１０１とみなすことができる。

次に、Ｏ_２アッシング処理（基板温度４０℃、圧力０．６７Ｐａ、Ｏ_２流量２００ｓｃｃｍ、ＩＣＰ電力２０００Ｗ、基板バイアス５０Ｗ、３０秒）の後、フォトマスクを除去した。

その後、１×１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、画素電極１０１が形成された面が下方となるように、画素電極１０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、画素電極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ−００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚９６ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２を形成した。

続いて、上記構造式（ｉｉ）で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を膜厚１０ｎｍとなるように電子ブロック層を形成した。

その後、上記構造式（ｉｉｉ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｉｘ）で表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）と、を重量比で１：０．０１５（＝αＮ−βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着して正孔ブロック層を形成した後、上記構造式（ｖｉ）で表される２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着し電子輸送層１１４を形成した。

続いて、電子輸送層１１４まで形成した発光デバイス１に、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、トリメチルアルミニウム（略称：ＴＭＡ）をプリカーサーとし、水蒸気を酸化剤に用いて、８０℃にて酸化アルミニウム膜を３０ｎｍとなるように成膜した。次に、スパッタリング法を用いてアルゴン気流下、圧力２．１Ｐａ、基板温度５０℃においてタングステン（Ｗ）を５０ｎｍとなるように成膜した。

この後、ポジ型のフォトレジストを膜厚７００ｎｍとなるように塗布し、露光、現像を行い、画素電極１０１よりも一回り大きくフォトマスクを形成した。

続いて、形成したフォトマスクをマスクとし、エッチングガスとしてＳＦ_６を用いて、ドライエッチング法によりタングステン膜を除去した。続いてＯ_２アッシング（基板温度１０℃、圧力５．００Ｐａ、Ｏ_２流量８０ｓｃｃｍ、ＩＣＰ電力８００Ｗ、基板バイアス１０Ｗ、１５秒）を行うことでフォトマスクを除去した。その後、タングステン膜をマスクとして、酸化アルミニウム膜をドライエッチングにより除去し、タングステン膜および酸化アルミニウム膜をマスクとして、正孔注入層１１１から電子輸送層１１４（第１のＥＬ層）をドライエッチングによりパターニングした。

その後、タングステン膜をＳＦ_６を用いてドライエッチングにより除去し、露出した酸化アルミニウムの上面及び側面、第１のＥＬ層の側面を覆って、ＡＬＤ法によりトリメチルアルミニウム（略称：ＴＭＡ）をプリカーサーとし、水蒸気を酸化剤に用いて、８０℃にて酸化アルミニウム膜を１０ｎｍとなるように成膜した。

次に、感光性有機樹脂を膜厚４００ｎｍとなるように塗布し、露光、現像を行い、画素電極１０１と重なる開口部を有する絶縁層を開口面積が７．３２μｍ^２となるよう形成した。Ｏ_２アッシングの後、減圧下、１００℃で１時間の焼成の後、開口部から露出した酸化アルミニウム膜を現像液によるウェットエッチングで２５３秒処理し、除去した。

その後、１×１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、７０℃で９０分間の真空焼成を行った後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを体積比で１：１、膜厚２ｎｍとなるよう共蒸着して電子注入層１１５を形成し、最後に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚２５ｎｍとなるように共蒸着し、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）を７０ｎｍ成膜することで陰極（共通電極）１０２を形成して発光デバイス１を作製した。なお、共通電極１０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極であり、発光デバイス１は共通電極１０２から光を取り出すトップエミッション型の素子である。

（発光デバイス２の作製方法）
発光デバイス２は発光デバイス１とほぼ同じ工程、レイアウトで作製したが、異なる感光性有機樹脂を用い、塗布成膜した後９０℃で９０秒焼成し、露光、現像を行い画素電極１０１と重なる開口部を有する絶縁層を形成した。この後、超高圧水銀ランプにて８６秒光を照射し、１００℃で６００秒焼成を行ったことが発光デバイス１との違いである。これにより、絶縁層開口部の内側側面がテーパ形状となり、その後に形成する膜の被覆性が良好となる。

（比較発光デバイス１の作製方法）
比較発光デバイス１は、発光デバイス１と同様に画素電極１０１まで形成した後、１×１０^−４Ｐａ程度の減圧下、基板温度２５０℃で５分加熱し、スパッタリング法により酸化シリコンを１５０ｎｍ成膜し、無機絶縁層を形成した。

この後、フォトリソグラフィ法により当該無機絶縁層をドライエッチングし、画素電極と重なる開口部を開口面積が７．３２μｍ^２となるよう形成した。Ｏ_２アッシングの後、レジストを除去した。

続いて、正孔注入層１１１から電子輸送層１１４までは発光デバイス１と同様に形成し、電子輸送層を形成後、続けてフッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを体積比で１：１、膜厚２ｎｍとなるよう共蒸着し、電子注入層１１５を形成した。最後に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚２５ｎｍとなるように共蒸着し、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）を７０ｎｍ成膜することで陰極（共通電極）１０２を形成して比較発光デバイス１を作製した。なお、共通電極１０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極であり、比較発光デバイス１は共通電極１０２から光を取り出すトップエミッション型の素子である。

上記発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１の積層構造を以下の表にまとめる。

上記発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った。この後、発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１の初期特性について測定を行った。

発光デバイス１、発光デバイス２および比較発光デバイス１の電流効率−輝度特性を図１９に、ブルーインデックス−電流密度特性を図２０に、発光スペクトルを図２１に示す。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を下表に示した。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用いた。また、各発光デバイスの測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。

図１９より、発光デバイス１および発光デバイス２の電流効率は、比較発光デバイスよりも低い結果を示した。しかし、発光デバイス１および発光デバイス２は、比較発光デバイス１より色度ｙが小さく、深い青色発光を示している。そのため、図２０より、発光デバイス１および発光デバイス２は、比較発光デバイス１よりも良好なブルーインデックスを示している。

すなわち、発光デバイス１および発光デバイス２は、電流効率では比較発光デバイス１よりも低い特性を示すものの、深い青色発光を示すため、青色の発光デバイスとしては優れた特性を有する発光デバイスであることがわかる。

ここで、図２１の発光スペクトルを参照すると、比較発光デバイス１の発光スペクトルはピーク波長が長波長にシフトし、スペクトルにおけるピークの半値幅も大きくなっていることがわかる。また、表より色度ｙも発光デバイス１および発光デバイス２の倍または倍近い値となっていることがわかる。

結果として、発光デバイス１および発光デバイス２は、比較発光デバイス１よりも青色発光デバイスとして優れた特性を有する発光デバイスであることが分かった。

なお、この結果は、比較発光デバイス１のリーク電流による発光波長の変化が原因である。図２Ａに示したように、比較発光デバイス１では、共通電極（陰極）１０２が画素電極１０１よりも広い面積でＥＬ層と接している。そのため、無機絶縁膜の開口部と重なる位置にある共通電極との間に電流が流れるだけでなく、その周辺部に位置する共通電極との間にも電流が流れてしまう。このようなリーク電流により励起された光は、発光位置が想定された位置と異なることから、一部の光は発光デバイス内からデバイス外に射出するまでの光路長が想定の波長域からずれてしまう場合がある。また、画素電極１０１のない領域で発光した光は、画素電極１０１と共通電極（陰極）１０２との間で共振しないため、ブロードなスペクトル形状の光として外部へ射出される。また、無機絶縁膜の凹凸に起因して共通電極の角度も位置により変化するため、このような光が発光デバイスの外部に射出しやすい構成ともなっている。これらの理由から、想定された波長の光より波長の長い光およびスペクトルの半値幅が大きい（ブロードな）光が比較発光デバイス１からの光には混在し、発光スペクトルが変化してしまう。

一方で、発光デバイス１と発光デバイス２では、共通電極１０２は、絶縁層の開口部を介してＥＬ層と重なっている。これにより、共通電極１０２の周辺部にリーク電流は流れにくく、波長の異なる発光が混在しにくいことから、色純度の良好な発光を得ることができ、ブルーインデックスの良好な発光デバイスを得ることができる。また、さらに、発光デバイス１及び発光デバイス２のように、正孔注入層１１１から電子輸送層１１４がエッチングされ、ＥＬ層の上部、且つ共通電極（電子注入層）に覆われていない部分には、酸化アルミニウムが４０ｎｍ、側面には１０ｎｍ形成されている。これによってもＥＬ層を介したリーク電流が流れにくくなっている。また、光路長の異なる発光が外部に射出することを抑制することができることから、より良好な特性を有する発光デバイスとすることができる。

続いて、発光デバイス２および比較発光デバイス１の、測定位置と発光強度およびスペクトル形状の関係について２Ｄ分光放射計（トプコンテクノハウス社製　ＳＲ−５１００ＨＭ）を用いて調査を行った結果を示す。

なお、発光デバイス２の構造は、実施の形態１における図１Ａに示す構造に相当し、比較発光デバイス１の構造は、図２６Ａに示す構造に相当する。なお、図２６Ａに示す構造は、絶縁層１２７と、絶縁層１２７上の画素電極（陽極）１０１と、画素電極（陽極）１０１の側面及び上面の一部を覆う絶縁層１２５ｃと、画素電極（陽極）１０１、及び絶縁層１２５ｃを覆うように設けられるＥＬ層１０３と、ＥＬ層１０３上の電子注入層１０４と、電子注入層１０４上に設けられる共通電極（陰極）１０２と、を有する。

図１Ａに示す構造に相当する発光デバイス２は、画素電極（陽極）１０１の側面及び上面の一部を覆う絶縁層１２５ｃが設けられていない点、及びＥＬ層１０３が分断されている点が、図２６Ａに示す比較発光デバイス１と大きく異なる。

図２２および図２３は電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で発光させた発光デバイス２および比較発光デバイス１を２Ｄ分光放射計で測定した結果である。図２２および図２３の画像の色は発光強度に関連付けられている。

図２２（発光デバイス２）では、画像中央部に１．１μｍ幅の明るい領域と、その外側１．６μｍまでの幅の、少し輝度が低い領域とが見て取れ、その外側の領域はほぼ発光していないことがわかる。発光デバイス２の感光性有機樹脂に設けられた開口部の幅は１．１４μｍであることから、画像中央部の１．１μｍの幅の領域が画素電極とＥＬ層が接している領域であるとわかる。

一方、図２３（比較発光デバイス１）では、画像中央部に１．１μｍ幅の明るい領域と、その外側２．２μｍまでの幅の少し輝度が低い領域とが見て取れ、さらにその外側の領域にも発光が広がっていることがわかる。比較発光デバイス１の無機絶縁膜の開口部の幅は、設計値が１．１４μｍであることから、画像中央部の１．１μｍの幅の領域が画素電極とＥＬ層が接している領域であるとわかる。比較発光デバイス１では、発光デバイス２と比較して、広範囲に発光が広がっていることがわかる。

この発光の広がりが何に起因するものか調査をするために、比較発光デバイス１の構造を基に、正孔注入層におけるアクセプタ性物質の濃度が異なる発光デバイスをいくつか作製し、同様に測定を行ったところ、アクセプタ性物質の量が多く、正孔注入層の抵抗が小さい発光デバイス程、開口部の外側に広がる発光部の幅が広く、明るくなることが分かった。すなわち、比較発光デバイス１の開口部外側に発光が広がっているのは、正孔注入層を介したリーク電流による開口部周辺での発光であると示唆される。

次に、各発光デバイスにおいて、測定点毎の発光スペクトルを測定した結果について図２４Ａ、図２４Ｂおよび図２５Ａ、図２５Ｂに示した。図２４は発光デバイス２の、図２５は比較発光デバイス１の測定点毎の発光スペクトルである。各測定点は、図２２および図２３に、１から５として丸印を付けた位置に対応する。

図２４Ａ、図２５Ａ共に、開口部に対応した測定点３、４、５ではスペクトル強度およびスペクトル形状にあまり差が無く、測定点２、測定点１は、開口部から離れるごとに最大発光強度が低下していることがわかる。

図２４Ｂおよび図２５Ｂは、図２４Ａおよび図２５Ａのスペクトルを最大発光強度で規格化した図である。図２４Ｂより、発光デバイス２は、測定位置による発光スペクトルの変化がほとんどないことが分かった。一方、図２５Ｂより、比較発光デバイス１では、開口部に対応した測定点３、４、５における発光スペクトルの形状に大きな変化はないものの、開口部から外れた測定点２および測定点１では、５００ｎｍ付近にピークが現れており、スペクトル形状が顕著に変化してしまっていることがわかる。これは、正孔注入層を介したリーク電流によって想定された位置と異なる場所で発光が起きることにより、異なる光路長のキャビティを介して、または、キャビティを介さず発光が射出されたことが原因である。

このように、比較発光デバイス１では、開口部の周辺においてスペクトルの形状が異なる発光が混在することから、発光デバイス全体における発光スペクトルの形状が変化し、色度のずれが発生してしまうことがわかった。ディスプレイに用いられる青色発光デバイスの必要輝度は、色度に密接に関係する。以上の結果より、比較発光デバイス１では周辺領域の発光に長波長領域の発光が混在したことにより、色度ｙが大きくなり、ＢＩが大きく低下したことがわかった。

ここで、上述の比較発光デバイス１の色度が低下し、ＢＩが大きく低下したメカニズムを調査するために、比較発光デバイス１の断面ＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察を行った。比較発光デバイス１の断面ＳＴＥＭ像の結果、及び２Ｄ分光放射計測定画像の結果を図２６Ｂに示す。

図２６Ｂにおいて、領域１５０は、２Ｄ分光放射計測定画像の一部を示し、領域１５２は、断面ＳＴＥＭ像の結果を示す。すなわち、図２６Ｂは、２Ｄ分光放射測定画像の一部と、断面ＳＴＥＭ像と、を合成した図面である。なお、領域１５０は、図２３に示す２Ｄ分光放射測定画像の一部を抜き出して、断面ＳＴＥＭ像の対応と一致するように拡大した図である。また、領域１５０の上に位置する丸で囲まれた測定点２の領域は、図２３に示す測定点２と対応する。

図２６Ｂに示すように、比較発光デバイス１においては、開口部の周辺において、ＥＬ層１０３に流れる電流が破線の矢印に示すように絶縁層１２５ｃの上面まで影響を与えるために、ＥＬ層１０３、特にＥＬ層１０３の下層に形成される正孔注入層を介して横方向にリーク電流が発生しうる。その結果、絶縁層１２５ｃの上部においてもＥＬ層１０３からの発光が確認され、光路長が変化し、共振波長が変化する。そのため、絶縁層１２５ｃと重なる領域からのＥＬ層１０３の発光がブロードとなり、図２５Ａ、及び図２５Ｂに示すようなスペクトル形状が変化してしまったことが示唆される。

一方で、本発明の一態様の発光デバイスでは、そのようなスペクトルの変化は発生せず、ＢＩの良好な発光デバイスを提供できることがわかった。なお、本発明一態様の発光デバイスにおいては、図１Ａに示すように、画素電極（陽極）の側面及び上面の一部を覆う絶縁層（構造体、または土手ともいう）が設けられていない構造である。したがって、本発明の一態様の発光デバイスは、画素電極（陽極）の側面及び上面の一部を覆う絶縁層が設けられている構造と比較して、発光スペクトルがシャープとなり、且つＢＩの良好な発光デバイスを提供できることが確認できた。

なお、これらの現象は、発光デバイスの周辺部（画素電極と、ＥＬ層と、共通電極が重なっている部分の周囲）で発生することから、高精細な発光装置ほど、顕著に表れる。このことから、本発明の一態様の構成は、特に高精細な発光装置において非常に好適であるということができる。

１００：基板、１０１Ｂ：画素電極、１０１Ｃ：接続電極、１０１Ｇ：画素電極、１０１Ｒ：画素電極、１０１：画素電極、１０２：共通電極、１０３：ＥＬ層、１０３（１）：第１のＥＬ層、１０３（２）：第２のＥＬ層、１０４：電子注入層、１０７：マスク層、１０８：絶縁層、１１０Ｂ：発光デバイス、１１０Ｇ：発光デバイス、１１０Ｒ：発光デバイス、１１１：正孔注入層、１１２：正孔輸送層、１１３：発光層、１１４：電子輸送層、１１５：電子注入層、１２１：第２のＥＬ層、１２０Ｂ：ＥＬ層、１２０Ｂｂ：ＥＬ膜、１２０Ｇ：ＥＬ層、１２０Ｇｂ：ＥＬ膜、１２０Ｒ：ＥＬ層、１２０Ｒｂ：ＥＬ膜、１２０：　第１のＥＬ層、１２１：ＥＬ層、１２４：絶縁層、１２５：絶縁層、１２５ｂ：絶縁層、１２５ｃ：絶縁層、１２６：絶縁層、１２６ｂ：絶縁層、１２７：絶縁層、１２７ａ：絶縁層、１２８：開口部、１２９：絶縁層、１３０：接続部、１３１：保護層、１４３ａ：レジストマスク、１４４ａ：マスク膜、１４５ａ：マスク層、１４５ｂ：マスク層、１４５ｃ：マスク層、１４６ａ：保護膜、１４６ｂ：保護膜、１４６ｃ：保護膜、１４７ａ：保護層、１５０：領域、１５２：領域、４００：基板、４０１：陽極、４０３：ＥＬ層、４０４：陰極、４０５：シール材、４０６：シール材、４０７：封止基板、４１２：パッド、４２０：ＩＣチップ、４５０：発光装置、６０１：ソース線駆動回路、６０２：画素部、６０３：ゲート線駆動回路、６０４：封止基板、６０５：シール材、６０７：空間、６０８：引き回し配線、６１０：素子基板、６１１：スイッチング用ＦＥＴ、６１２：電流制御用ＦＥＴ、６１３：第１の電極、６１４：絶縁物、６１６：ＥＬ層、６１７：第２の電極、６１８：発光デバイス、６２３：ＦＥＴ、９５１：基板、９５２：電極、９５３：絶縁層、９５４：隔壁層、９５５：ＥＬ層、９５６：電極、１００１：基板、１００２：下地絶縁膜、１００３：ゲート絶縁膜、１００６：ゲート電極、１００７：ゲート電極、１００８：ゲート電極、１０２０：第１の層間絶縁膜、１０２１：第２の層間絶縁膜、１０２２：電極、１０２４Ｂ：陽極、１０２４Ｇ：陽極、１０２４Ｒ：陽極、１０２５：隔壁、１０２８：ＥＬ層、１０２９：陰極、１０３１：封止基板、１０３２：シール材、１０３３：基材、１０３４Ｂ：着色層、１０３４Ｇ：着色層、１０３４Ｒ：着色層、１０３５：ブラックマトリクス、１０３６：オーバーコート層、１０３７：第３の層間絶縁膜、１０４０：画素部、１０４１：駆動回路部、１０４２：周辺部、２００１：筐体、２００２：光源、２１００：ロボット、２１０１：照度センサ、２１０２：マイクロフォン、２１０３：上部カメラ、２１０４：スピーカ、２１０５：ディスプレイ、２１０６：下部カメラ、２１０７：障害物センサ、２１０８：移動機構、２１１０：演算装置、３００１：照明装置、５０００：筐体、５００１：表示部、５００２：第２の表示部、５００３：スピーカ、５００４：ＬＥＤランプ、５００６：接続端子、５００７：センサ、５００８：マイクロフォン、５０１２：支持部、５０１３：イヤホン、５１００：掃除ロボット、５１０１：ディスプレイ、５１０２：カメラ、５１０３：ブラシ、５１０４：操作ボタン、５１２０：ゴミ、５１４０：携帯電子機器、５１５０：携帯情報端末、５１５１：筐体、５１５２：表示領域、５１５３：屈曲部、５２００：表示領域、５２０１：表示領域、５２０２：表示領域、５２０３：表示領域、７１０１：筐体、７１０３：表示部、７１０５：スタンド、７１０７：表示部、７１０９：操作キー、７１１０：リモコン操作機、７２０１：本体、７２０２：筐体、７２０３：表示部、７２０４：キーボード、７２０５：外部接続ポート、７２０６：ポインティングデバイス、７２１０：表示部、７４０１：筐体、７４０２：表示部、７４０３：操作ボタン、７４０４：外部接続ポート、７４０５：スピーカ、７４０６：マイク、９３１０：携帯情報端末、９３１１：表示パネル、９３１３：ヒンジ、９３１５：筐体

Claims

第１の画素電極と、
前記第１の画素電極に隣接して配置された第２の画素電極と、
共通電極と、
前記第１の画素電極および前記共通電極に挟まれた第１のＥＬ層と、
前記第２の画素電極および前記共通電極に挟まれた第２のＥＬ層と、
前記共通電極および前記第１のＥＬ層並びに前記第２のＥＬ層との間に位置する絶縁層とを有し、
前記絶縁層は、前記第１の画素電極に重なって設けられた第１の開口部と、前記第２の画素電極に重なって設けられた第２の開口部と、を有し、
前記第１のＥＬ層は、第１の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光物質を有し、
前記第１の発光物質は、青色発光を呈し、
前記第１のＥＬ層は、前記第１の画素電極に接しており、
前記第２のＥＬ層は、前記第２の画素電極に接しており、
前記第１のＥＬ層は、前記共通電極と前記第１の開口部を介して接しており、
前記第２のＥＬ層は、前記共通電極と前記第２の開口部を介して接している発光装置。
請求項１において、
前記第１の画素電極の端部は、前記第１のＥＬ層によって覆われており、
前記第２の画素電極の端部は、前記第２のＥＬ層によって覆われている発光装置。
請求項１において、
前記第１のＥＬ層の端部は、前記絶縁層によって覆われており、
前記第２のＥＬ層の端部は、前記絶縁層によって覆われている発光装置。
第１の画素電極と、
前記第１の画素電極に隣接して配置された第２の画素電極と、
共通電極と、
前記第１の画素電極および前記共通電極に挟まれた第１のＥＬ層と、
前記第２の画素電極および前記共通電極に挟まれた第２のＥＬ層と、
前記共通電極および前記第１のＥＬ層並びに前記第２のＥＬ層との間に位置する絶縁層とを有し、
前記絶縁層は、前記第１の画素電極に重なって設けられた第１の開口部と、前記第２の画素電極に重なって設けられた第２の開口部と、を有し、
前記第１のＥＬ層は、第１の発光層を有する第３のＥＬ層と、前記第３のＥＬ層と前記共通電極との間に位置する第４のＥＬ層を有し、
前記第２のＥＬ層は、第２の発光層を有する第５のＥＬ層と、前記第５のＥＬ層と前記共通電極との間に位置する前記第４のＥＬ層を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光物質を有し、
前記第１の発光物質は、青色発光を呈し、
前記第３のＥＬ層は、前記第１の画素電極に接しており、
前記第５のＥＬ層は、前記第２の画素電極に接しており、
前記第４のＥＬ層は、前記第３のＥＬ層と前記第１の開口部を介して接しており、
前記第４のＥＬ層は、前記第５のＥＬ層と前記第２の開口部を介して接している発光装置。
請求項４において、
前記第１の画素電極および前記第２の画素電極と重ならない領域において、
前記第４のＥＬ層が、前記絶縁層と、前記共通電極とに接して挟まれている発光装置。
請求項４において、
前記第１の画素電極の端部は、前記第３のＥＬ層によって覆われており、
前記第２の画素電極の端部は、前記第５のＥＬ層によって覆われている発光装置。
請求項４において、
前記第３のＥＬ層の端部は、前記絶縁層によって覆われており、
前記第５のＥＬ層の端部は、前記絶縁層によって覆われている発光装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記絶縁層が有機化合物を含む発光装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の開口部および前記第２の開口部は側面にテーパ形状を有し、
当該テーパ角は９０°未満である発光装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極の向かい合う端部の間隔は０．５μｍ以上５μｍ以下である発光装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の画素電極と前記第１のＥＬ層と前記共通電極が接して重なっている部分の面積が、５μｍ^２以上１５μｍ^２以下である発光装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のＥＬ層が、前記第１の開口部から呈する発光スペクトルの半値幅が２０ｎｍ以下である発光装置。