CN117678323A - 发光装置 - Google Patents

Abstract

提供一种呈现蓝色指标良好的蓝色发光的高清晰发光装置。提供一种发光装置，包括：像素电极A；与所述像素电极A相邻的像素电极B；公共电极；夹在所述像素电极A与所述公共电极之间的EL层A；夹在所述像素电极B与所述公共电极之间的EL层B；以及位于所述公共电极与所述EL层A及所述EL层B之间的绝缘层，其中，所述绝缘层包括与所述像素电极A重叠的开口部A及与所述像素电极B重叠的开口部B，所述EL层A包括发光层A，所述发光层A包含发光物质A，所述发光物质A呈现蓝色发光，所述EL层A与所述像素电极A接触，所述EL层B与所述像素电极B接触，所述EL层A与所述公共电极在所述开口部A中接触，并且，所述EL层B与所述公共电极在所述开口部B中接触。

Description

发光装置

技术领域

本发明的一个方式涉及一种有机化合物、发光器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置以及这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

背景技术

使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(有机EL器件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的再结合能量，可以获得来自发光材料的发光。

因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优点，特别适合用于平板显示器。此外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄而轻，这也是极大的优点。再者，非常快的响应速度也是该发光器件的特征之一。

此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可应用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。

如上所述，使用发光器件的发光装置适合用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的发光器件的研究开发也日益活跃。

为了得到使用有机EL器件的更高清晰发光装置，使用利用光致抗蚀剂等的光刻法代替利用金属掩模的蒸镀法以使有机层图案化的技术已在被研究。通过使用光刻法，可以得到EL层的间隔为几μm的高清晰发光装置(例如参照专利文献1)。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本PCT国际申请翻译第2018-521459号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在EL层的间隔为几μm的高清晰发光装置中，由于像素面积小，所以有起因于像素电极的周边部的结构的影响变大的倾向。例如，当因泄漏电流在像素电极的周边部产生非意图性地经过不同光程长的微腔结构射出的发光时，发射光谱变宽，色纯度降低。并且，在原来的微腔结构中的光程长短的蓝色发光器件中，这变得明显，而导致蓝色指标的大幅下降。

于是，本发明的一个方式的目的是提供一种呈现蓝色指标良好的蓝色发光的高清晰发光装置。

解决技术问题的手段

于是，本发明的一个方式是一种发光装置，包括：像素电极A；与所述像素电极A相邻的像素电极B；公共电极；夹在所述像素电极A与所述公共电极之间的EL层A；夹在所述像素电极B与所述公共电极之间的EL层B；以及位于所述公共电极与所述EL层A及所述EL层B之间的绝缘层，其中，所述绝缘层包括与所述像素电极A重叠的开口部A及与所述像素电极B重叠的开口部B，所述EL层A包括发光层A，所述发光层A包含发光物质A，所述发光物质A呈现蓝色发光，所述EL层A与所述像素电极A接触，所述EL层B与所述像素电极B接触，所述EL层A与所述公共电极在所述开口部A中接触，并且，所述EL层B与所述公共电极在所述开口部B中接触。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述像素电极A的端部被所述EL层A覆盖，并且所述像素电极B的端部被所述EL层B覆盖。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述EL层A的端部被所述绝缘层覆盖，并且所述EL层B的端部被所述绝缘层覆盖。

本发明的另一个方式是一种发光装置，包括：像素电极A；与所述像素电极A相邻的像素电极B；公共电极；夹在所述像素电极A与所述公共电极之间的EL层A；夹在所述像素电极B与所述公共电极之间的EL层B；以及位于所述公共电极与所述EL层A及所述EL层B之间的绝缘层，其中，所述绝缘层包括与所述像素电极A重叠的开口部A及与所述像素电极B重叠的开口部B，所述EL层A包括具有发光层A的第一EL层A及位于所述第一EL层A与所述公共电极之间的第二EL层，所述EL层B包括具有发光层B的第一EL层B及位于所述第一EL层B与所述公共电极之间的第二EL层，所述发光层A包含发光物质A，所述发光物质A呈现蓝色发光，所述第一EL层A与所述像素电极A接触，所述第一EL层B与所述像素电极B接触，所述第二EL层A与所述第一EL层A在所述开口部A中接触，并且，所述第二EL层B与所述第一EL层B在所述开口部B中接触。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中在不与所述像素电极A及所述像素电极B重叠的区域中，所述第二EL层以彼此接触的方式夹在所述绝缘层与所述公共电极之间。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述像素电极A的端部被所述第一EL层A覆盖，并且所述像素电极B的端部被所述第一EL层B覆盖。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述第一EL层A的端部被所述绝缘层覆盖，并且所述第一EL层B的端部被所述绝缘层覆盖。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述绝缘层包含有机化合物。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述开口部A及所述开口部B的侧面具有锥形形状，并且该锥角小于90°。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述像素电极A与所述像素电极B的相对的端部的间隔为0.5μm以上且5μm以下。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述像素电极A、EL层A与公共电极以彼此接触的方式重叠的部分的面积为5μm²以上且15μm²以下。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中在所述开口部A中所述EL层A所呈现的发射光谱的半宽为20nm以下。

本发明的另一个方式是一种具有上述结构的发光装置，其中所述发光物质A的发射光谱的半宽为30nm以下。

本发明的另一个方式是一种包括上述任意发光装置以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风的电子设备。

在本说明书中，发光装置包括使用发光器件的图像显示器件。此外，发光装置有时还包括如下模块：发光器件上安装有连接器诸如各向异性导电膜或TCP(Tape CarrierPackage：带载封装)的模块；TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(Chip OnGlass：玻璃覆晶封装)方式在发光器件上直接安装IC(集成电路)的模块。此外，照明装置等有时包括发光装置。

发明效果

根据本发明的一个方式，可以提供一种呈现蓝色指标良好的蓝色发光的高清晰发光装置。

注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。

附图说明

图1A、图1B及图1C是发光器件的示意图。

图2A及图2B是发光器件的示意图。

图3A及图3B是示出有源矩阵型发光装置的图。

图4A及图4B是示出有源矩阵型发光装置的图。

图5是示出有源矩阵型发光装置的图。

图6A及图6B是示出无源矩阵型发光装置的图。

图7A至图7D是示出显示装置的结构例子的图。

图8A至图8F是示出显示装置的制造方法例子的图。

图9A至图9F是示出显示装置的制造方法例子的图。

图10A及图10B是示出照明装置的图。

图11A、图11B1、图11B2及图11C是示出电子设备的图。

图12A、图12B及图12C是示出电子设备的图。

图13是示出照明装置的图。

图14是示出照明装置的图。

图15是示出车载显示装置及照明装置的图。

图16A及图16B是示出电子设备的图。

图17A、图17B及图17C是示出电子设备的图。

图18是示出显示装置的结构例子的图。

图19是示出发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的电流效率-亮度特性的图。

图20是示出发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的蓝色指标-电流密度特性的图。

图21是示出发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的发射光谱的图。

图22示出实施例中的2D分光辐射计测量结果。

图23示出实施例中的2D分光辐射计测量结果。

图24A及图24B是测量2D分光辐射计测量时的EL强度的图。

图25A及图25B是测量2D分光辐射计测量时的EL强度的图。

图26A是说明实施例中的发光器件的图，图26B是说明实施例中的发光机理的截面STEM图像及2D分光辐射计图像的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。

在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。

(实施方式1)

图1A示出本发明的一个方式的发光装置中的发光器件的图。该发光器件在一对电极(像素电极(阳极)101与公共电极(阴极)102)之间包括EL层103。EL层103与像素电极101及公共电极102接触，通过在像素电极101与公共电极102之间施加电压并使电流流过来发光。本发明的一个方式的发光装置中设置有多个这种发光器件。

另外，如图1B所示，EL层103也可以由包括发光层的第一EL层103(1)以及位于第一EL层103(1)与公共电极102之间且接触于第一EL层103(1)及公共电极102的第二EL层103(2)构成。注意，作为第二EL层103(2)可以使用比发光层更靠近阴极一侧的层(空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层)，优选使用电子注入层。

各发光器件中的EL层103(在设置有EL层103(2)时为EL层103(1))在至少一个方向上与相邻的发光器件分离。另外，EL层103(EL层103(1))既可以如图1A、图1B那样以覆盖像素电极101的至少一对边的方式设置，又可以如图1C那样以EL层103(EL层103(1))的端部位于像素电极101的端部的内侧的方式设置。

另外，EL层103(在设置有EL层103(2)时为EL层103(1))的至少一对相对的端部被包含有机化合物的绝缘层125覆盖。绝缘层125中形成有与像素电极101重叠的开口部128。

公共电极102在开口部128中与EL层103接触(在设置有EL层103(2)时与EL层103(2)接触)。

另外，EL层103(EL层103(1))与绝缘层125之间也可以设置有绝缘层126。绝缘层126优选包含无机化合物，更优选包含氧化铝。另外，优选的是，EL层103(EL层103(1))的上部具有两层结构，侧面具有一层结构，顶面比侧面厚。

EL层103优选具有如图2B所示的叠层结构，至少包括发光层113。除此之外，还可以包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115等。另外，除此之外还可以包括空穴阻挡层、电子阻挡层、激子阻挡层、中间层(电荷产生层)等。注意，它们只是一个例子，发光层113以外的层既可设置又可不设置，也可以形成兼具多个功能的层代替多个功能。

发光层113包含发光物质。在本实施方式中，该发光物质优选为呈现蓝色发光(发光峰波长为440nm以上且480nm以下，优选为455nm以上且465nm以下)的物质，由此更显著地发挥效果。当作为该发光物质使用蓝色发光物质时，优选使用其发射光谱的半宽为30nm以下的物质。

图2A示出具有与图1不同的结构的发光器件结构。在图2A所示的发光器件中，不设置图1所示的发光器件中的绝缘层125，形成有覆盖像素电极101的端部的绝缘层129，EL层103与像素电极在设置于绝缘层129中的开口部128中接触。另外，连续地设置有EL层103，公共电极102在比像素电极大的范围与EL层103的顶面接触。

在具有图2A所示的结构的发光器件中，尤其在位于像素电极(阳极)101一侧的空穴注入层的导电性高时，有时电流不仅流过与绝缘膜的开口部重叠的位置的公共电极之间，而且非意图性地流过位于其周边部的公共电极之间。由于该电流(泄漏电流)所激发的光的发光位置与设想的位置不同，所以有时一部分光从发光器件内发射到器件外的光程长偏离设想的波长区域。

此外，起因于绝缘层129的凹凸而公共电极的角度也根据位置变化，所以这种光容易发射到发光器件的外部。

由于上述理由，在具有图2A所示的结构的发光器件中，由于在发光时混有其波长比设想的波长的光长的光，所以发射光谱变宽，并且发光峰漂移到长波长一侧。其结果是，色纯度降低，尤其是蓝色指标显著降低。

在此，蓝色指标(BI)是指电流效率(cd/A)还除以y色度的值，其是表示蓝色发光的发光特性的指标之一。蓝色发光有y色度越小色纯度越高的发光的倾向。色纯度高的蓝色发光即使亮度成分小也可以呈现较宽的范围的蓝色，当使用色纯度高的蓝色发光时，呈现蓝色时所需要的亮度得到降低，因此可以取得降低功耗的效果。因此，作为蓝色发光的效率的表现形式，适当地使用考虑到作为蓝色纯度的指标之一的y色度的BI，可以说发光器件的BI越高，作为用于显示器的蓝色发光器件的效率越良好。

另一方面，在图1A至图1C所示的本发明的一个方式的发光器件中，公共电极102在绝缘层126的开口部128中与EL层103(EL层103(1))重叠。因此，泄漏电流不容易流过公共电极102的周边部，波长不同的发光不容易混合存在，从而可以得到色纯度高的发光，由此可以得到蓝色指标良好的发光器件。在这种蓝色发光器件中，可以将从开口部128得到的发射光谱的半宽设定为20nm以下。

另外，由于该现象发生在发光器件的周边部(像素电极、EL层与公共电极以彼此接触的方式重叠的部分的周围)，因此在高清晰发光装置中该现象很明显。因此，可以说本发明的一个方式的结构尤其适用于高清晰发光装置。高清晰发光装置例如相当于以相邻的像素电极之间的间隔为0.5μm以上且5μm以下，优选为0.5μm以上且1μm以下左右的非常窄的间隔排列的发光装置。或者，相当于一个发光器件的发光面积(像素电极、EL层与公共电极以彼此接触的方式重叠(以不夹着绝缘层的方式重叠)的部分的面积)为5μm²以上且15μm²以下，优选为5μm²以上且10μm²以下的发光装置。

本发明的一个方式的发光器件可以减少有可能产生在相邻的发光器件间的泄漏电流(有时被称为横方向泄漏电流、横泄漏电流或横向泄漏电流)。例如，在相邻的子像素间共用空穴注入层时，有可能因该空穴注入层而产生横泄漏电流。另一方面，在本发明的一个方式的发光器件中，在至少一个方向上相邻的发光器件与EL层103(EL层103(1))分离，由此实际上不产生横泄漏电流或者可以使横泄漏电流极小。

另外，与图3所示的发光器件相比，本发明的一个方式的发光器件可以提供相对于不同图案间的对准精度的余地宽且不均匀少的显示装置。

本实施方式的结构可以与其他结构适当地组合而使用。

(实施方式2)

接着，说明本发明的一个方式的发光器件的其他结构及材料的例子。如上所述，本发明的一个方式的发光器件在像素电极(阳极)101与公共电极(阴极)102的一对电极间包括由多个层构成的EL层103，该EL层103包括至少包含发光材料和第一有机化合物(及第二有机化合物)的发光层113，优选包括包含第三有机化合物的空穴阻挡层。

阳极优选使用功函数大(具体为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等形成。具体地，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO：Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)等。虽然通常通过溅射法沉积这些导电金属氧化物膜，但是也可以应用溶胶-凝胶法等来形成。作为形成方法的例子，可以举出使用对氧化铟添加有1wt％至20wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌的方法等。此外，可以使用对氧化铟添加有0.5wt％至5wt％的氧化钨和0.1wt％至1wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)。此外，作为用于阳极的材料例如可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，作为用于阳极的材料也可以使用石墨烯。此外，通过将后面说明的复合材料用于EL层103中的接触于阳极的层，可以在选择电极材料时无需顾及功函数。

EL层103优选具有叠层结构，对该叠层结构没有特别的限制，可以采用空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、载流子阻挡层(空穴阻挡层及电子阻挡层)、激子阻挡层、电荷产生层等各种层结构。此外，也可以不设置任意层。在本实施方式中，说明如下结构：如图2B所示，EL层103包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、空穴阻挡层、电子传输层114以及电子注入层115。

空穴注入层111是含有具有受主性的物质的层。作为具有受主性的物质，既可使用有机化合物又可使用无机化合物。

作为具有受主性的物质可以使用具有吸电子基团(卤基或氰基)的化合物，可以举出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称：F₄-TCNQ)、氯醌、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)、1,3,4,5,7,8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：F6-TCNNQ)、2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7H-芘-2-亚基)丙二腈等。尤其是，吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如HAT-CN等热稳定，所以是优选的。此外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基、氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高所以特别优选的，具体而言，可以举出：α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。作为具有受主性的物质，除了上述有机化合物以外可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物或锰氧化物等。此外，也可以使用酞菁类络合物如酞菁(简称：H₂Pc)、铜酞菁(CuPc)等；芳香胺化合物如4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)等；或者高分子如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等来形成空穴注入层111。具有受主性的物质借助于施加电场而能够从邻接的空穴传输层(或空穴传输材料)抽出电子。

此外，在具有受主性的物质中具有受主性的有机化合物可以利用蒸镀容易地沉积，所以是易于使用的材料。

此外，作为空穴注入层111，可以使用在具有空穴传输性的材料中含有上述受主性物质的复合材料。注意，通过使用在具有空穴传输性的材料中含有受主性物质的复合材料，在选择形成电极的材料时可以无需顾及电极的功函数。换言之，作为阳极，不仅可以使用功函数高的材料，还可以使用功函数低的材料。

作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，优选使用空穴迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。以下，具体地列举可以用作复合材料中的具有空穴传输性的材料的有机化合物。

作为可以用于复合材料的芳香胺化合物，可以举出N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。作为咔唑衍生物，可以具体地举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、4,4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。作为芳香烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝等。除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。此外，也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳香烃，例如可以举出4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。此外，也可以使用本发明的一个方式的有机化合物。

此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)或聚[N，N'-双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。

作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，更优选具有咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及蒽骨架中的任意骨架。尤其是，可以为具有包括二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的取代基的芳香胺、包括萘环的芳香单胺、或者9-芴基通过亚芳基键合于胺的氮的芳香单胺。注意，当这些有机化合物是包括N，N-双(4-联苯)氨基的物质时，可以制造使用寿命长的发光器件，所以是优选的。作为上述有机化合物，具体而言，可以举出N-(4-联苯)-6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BnfABP)、N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)、4，4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯基胺(简称：BnfBB1BP)、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：BBABnf(6))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf(8))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：BBABnf(II)(4))、N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称：ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNBi)、4，4’-二苯基-4”-(6；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB)、4，4’-二苯基-4”-(7；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：BBAPβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(6；2’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBA(βN2)B)、4，4’-二苯基-4”-(7；2’-联萘基-2-基)-三苯基胺(简称：BBA(βN2)B-03)、4，4’-二苯基-4”-(4；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB)、4，4’-二苯基-4”-(5；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBA1BP)、4，4’-双(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBB1BP)、4，4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1，1’-联苯-4-基)胺(简称：YGTBi1BP-02)、4-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：YGTBiβNB)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9,9'-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：PCBNBSF)、N,N-双(4-联苯基)-9,9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：BBASF)、N，N-双(1，1’-联苯-4-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称：BBASF(4))、N-(1，1’-联苯-2-基)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双[9H-芴]-4-胺(简称：oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(二苯并呋喃-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：BPAFLBi)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBNBB)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-二芴-2-胺(简称：PCBASF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-4-胺、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-3-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-2-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-1-胺等。

注意，用于复合材料的具有空穴传输性的材料更优选为具有-5.7eV以上且-5.4eV以下的较深的HOMO能级的物质。当用于复合材料的具有空穴传输性的材料具有较深的HOMO能级时，空穴容易注入到空穴传输层112，且可以容易得到使用寿命长的发光器件。此外，在用于复合材料的具有空穴传输性的材料为具有较深的HOMO能级的物质时，空穴的感应适当地得到抑制，因此可以实现使用寿命更长的发光器件。

注意，通过还对上述复合材料混合碱金属或碱土金属的氟化物(优选的是该层中的氟原子的原子比率为20％以上)，可以降低该层的折射率。由此，也可以在EL层103内部形成折射率低的层，且可以提高发光器件的外部量子效率。

通过形成空穴注入层111，可以提高空穴注入性，从而可以得到驱动电压低的发光器件。

空穴传输层112以包含具有空穴传输性的材料的方式形成。具有空穴传输性的材料优选具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率。

作为上述具有空穴传输性的材料，可以举出：4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4,4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4,4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-二芴-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3,3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、9，9’-双(联苯基-4-基)-3，3’-联-9H-咔唑(简称：BisBPCz)、9，9’-双(1，1’-联苯基-3-基)-3，3’-联-9H-咔唑(简称：BismBPCz)、9-(1，1’-联苯基-3-基)-9’-(1，1’-联苯基-4-基)-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：mBPCCBP)、9-(2-萘基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：βNCCP)、9-(3-联苯)-9’-(2-萘基)-3，3’-联-9H-咔唑(简称：βNCCmBP)、9-(4-联苯)-9’-(2-萘基)-3，3’-联-9H-咔唑(简称：βNCCBP)、9，9’-二-2-萘基-3，3’-9H，9’H-联咔唑(简称：BisβNCz)、9-(2-萘基)-9’-[1，1’：4’，1”-三联苯]-3-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(2-萘基)-9’-[1，1’：3’，1”-三联苯]-3-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(2-萘基)-9’-[1，1’：3’，1”-三联苯]-5’-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(2-萘基)-9’-[1，1’：4’，1”-三联苯]-4-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(2-萘基)-9’-[1，1’：3’，1”-三联苯]-4-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(2-萘基)-9’-(三亚苯-2-基)-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-苯基-9’-(三亚苯-2-基)-3，3’-9H，9’H-联咔唑(简称：PCCzTp)、9，9’-双(三亚苯-2-基)-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(4-联苯)-9’-(三亚苯-2-基)-3，3’-9H，9’H-联咔唑、9-(三亚苯-2-基)-9’-[1，1’：3’，1”-三联苯]-4-基-3，3’-9H，9’H-联咔唑等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。注意，作为构成空穴传输层112的材料也可以适当地使用作为用于空穴注入层111的复合材料的具有空穴传输性的材料举出的物质。

发光层113优选包含发光物质及第一有机化合物。此外，还可以包含第二有机化合物。同时，发光层113也可以包含其他材料。此外，也可以为组成不同的两层叠层。优选的是，第一有机化合物为具有电子传输性的有机化合物，第二有机化合物为具有空穴传输性的有机化合物。

发光物质可以是荧光物质、磷光物质、呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质。

在发光层113中，作为可以用作荧光发光物质的材料，例如可以举出如下物质。注意，也可以使用除此以外的荧光发光物质。

可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯基-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N,N’-二苯基-N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p]-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯基-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖酮(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)、N,N’-二苯基-N,N’-(1,6-芘-二基)双[(6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)、3,10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2,3-b；6,7-b’]双苯并呋喃(简称：3,10PCA2Nbf(IV)-02)、3，10-双[N-(二苯并呋喃-3-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10FrA2Nbf(IV)-02)等。尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn或1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性且高发光效率或高可靠性，所以是优选的。

当在发光层113中作为发光物质使用磷光发光物质时，作为可使用的材料，例如可以举出如下材料。

此外，可以举出：(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶基]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dibm)])、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dpm)])、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)₂(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2，3，5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(acac)])、双(2，3，5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉合]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)₃])、双(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)₂(acac)])、(3，7-二乙基-4，6-壬烷二酮根-κO4，κO6)双[2，4-二甲基-6-[7-(1-甲基乙基)-1-异喹啉基-κN]苯基-κC]铱(III)、(3，7-二乙基-4，6-壬烷二酮根-κO4，κO6)双[2，4-二甲基-6-[5-(1-甲基乙基)-2-喹啉基-κN]苯基-κC]铱(III)等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)₃(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)₃(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质在600nm至700nm的波长区域中具有发光峰。此外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。此外，也可以使用其他已知的呈现红磷光发光的物质。

例如可以使用如下材料，三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(mpptz-dmp)₃])、三(5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Mptz)₃])等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(Mptz1-mp)₃])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Prptz1-Me)₃])等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrpmi)₃])、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：[Ir(dmpimpt-Me)₃])、三(2-[1-{2，6-双(1-甲基乙基)苯基}-1H-咪唑-2-基-κN3]-4-氰基苯基-κC)(简称：CNImIr)等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；三[(6-叔丁基-3-苯基-2H-咪唑并[4，5-b]吡嗪-1-基-κC2)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(cb)₃])等具有亚苯并咪唑基骨架的有机金属配合物；以及双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C²']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C²']铱(III)吡啶甲酸酯(简称：FIrpic)、双{2-[3',5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N,C²'}铱(III)吡啶甲酸酯(简称：[Ir(CF₃ppy)₂(pic)])、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C²']铱(III)乙酰丙酮(简称：FIracac)等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。上述物质是呈现蓝磷光发光的化合物，并且是在440nm至520nm的波长区域中具有发光峰的化合物。

此外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₃])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₃])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：Ir(mpmppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(dppm)₂(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N,C²')铱(III)(简称：[Ir(ppy)₃])、双(2-苯基吡啶根-N,C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)₂(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)₂(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)₃])、三(2-苯基喹啉-N,C²']铱(III)(简称：[Ir(pq)₃])、双(2-苯基喹啉-N,C²')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)₂(acac)])、[2-d3-甲基-8-(2-吡啶基-κN)苯并呋喃并[2，3-b]吡啶-κC]双[2-(5-d3-甲基-2-吡啶基-κN²)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(5mppy-d3)₂(mbfpypy-d3)])、[2-(甲基-d3)-8-[4-(1-甲基乙基-1-d)-2-吡啶基-κN]苯并呋喃并[2,3-b]吡啶-7-基-κC]双[5-(甲基-d3)-2-[5-(甲基-d3)-2-吡啶基-κN]苯基-κC]铱(III)(简称：Ir(5mtpy-d6)2(mbfpypy-iPr-d4))、[2-d3-甲基-(2-吡啶基-κN)苯并呋喃并[2,3-b]吡啶-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(ppy)₂(mbfpypy-d3)])、[2-(4-d3-甲基-5-苯基-2-吡啶基-κN2)苯基-κC]双[2-(5-d3-甲基-2-吡啶基-κN2)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(5mppy-d3)₂(mdppy-d3)])、[2-甲基-(2-吡啶基-κN)苯并呋喃并[2，3-b]吡啶-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(ppy)₂(mbfpypy)])、[2-(4-甲基-5-苯基-2-吡啶基-κN)苯基-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称：Ir(ppy)₂(mdppy))等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)₃(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质主要是呈现绿磷光发光的化合物，并且在500nm至600nm的波长区域中具有发光峰。此外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性或发光效率，所以是特别优选的。

作为TADF材料可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。此外，还可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(SnF₂(Copro III-4Me)、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl₂OEP)等。

[化学式1]

此外，还可以使用由下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzTzn)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环的一方或双方的杂环化合物。该杂环化合物具有富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。其中，在具有缺π电子芳杂环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受主性高且可靠性良好，所以是优选的。此外，在具有富π电子芳杂环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。此外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。在富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环直接键合的物质中，富π电子芳杂环的电子供给性和缺π电子型芳杂环的电子接受性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小,可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。注意，也可以使用键合有氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型芳杂环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或芳杂环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子芳杂环以及富π电子芳杂环中的至少一个。

[化学式2]

此外，也可以使用能够进行非常高速的可逆性系间窜越且在单重激发态与三重激发态间按热平衡模型发光的TADF材料。这种TADF材料由于作为TADF材料的发光寿命(激发寿命)极短，所以可以抑制发光元件的高亮度区域中的效率降低。具体而言，可以举出具有下述分子结构的材料。

[化学式3]

TADF材料是指S1能级和T1能级之差较小且具有通过反系间窜越将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发能上转换(up-convert)为单重激发能(反系间窜越)并能够高效地产生单重激发态。此外，可以将三重激发能转换为发光。

以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有可以将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。

注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处划切线得到的外推线的波长能量为S1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处划切线得到的外推线的波长能量为T1能级时，S1与T1之差为0.3eV以下，更优选为0.2eV以下。

此外，当使用TADF材料作为发光物质时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。

注意，在本发明的一个方式的发光器件中，当发光物质为呈现蓝色发光的物质时可以得到显著的效果，因此优选将本发明的一个方式应用于包含呈现蓝色发光的发光物质的发光器件。

作为用于主体材料的电子传输材料，例如可以使用双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物、具有缺π电子芳杂环的有机化合物。作为具有缺π电子型芳杂环的有机化合物，例如可以举出：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、1,3-双[5-(p-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)等包含具有多唑骨架的芳杂环的有机化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称:2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mDBTP2Pm-II)、2，6-双(4-萘-1-基苯基)-4-[4-(3-吡啶基)苯基]嘧啶(简称：2,4NP-6PyPPm)、6-(1,1’-联苯基-3-基)-4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基嘧啶(简称：6mBP-4Cz2PPm)、4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基-6-(1,1’-联苯基-4-基)嘧啶(简称：6BP-4Cz2PPm)、7-[4-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)喹唑啉-2-基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称：PC-cgDBCzQz)、11-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]菲并[9’，10’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：11mDBtBPPnfpr)、11-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-4-基]菲并[9’，10’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪、11-[(3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]菲并[9’，10’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪、12-(9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑-9-基)菲并[9’，10’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：12PCCzPnfpr)、9-[(3’-9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9pmPCBPNfpr)、9-(9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑-9-基)萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9PCCzNfpr)、10-(9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑-9-基)萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：10PCCzNfpr)、9-[3’-(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mBnfBPNfpr)、9-{3-[6-(9，9-二甲基芴-2-基)二苯并噻吩-4-基]苯基}萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mFDBtPNfpr)、9-[3’-(6-苯基二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mDBtBPNfpr-02)、9-[3-(9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑-9-基)苯基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mPCCzPNfpr)、9-{3’-[2，8-二苯基二苯并噻吩-4-基]联苯-3-基}萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪、11-{3’-[2，8-二苯基二苯并噻吩-4-基]联苯-3-基}菲并[9’，10’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪等包含具有二嗪骨架的芳杂环的有机化合物；3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：TmPyPB)等包含具有吡啶骨架的芳杂环的有机化合物；2-[3’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-1，1’-联苯-3-基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mFBPTzn)、2-[(1,1’-联苯基)-4-基]-4-苯基-6-[9,9’-螺二(9H-芴)-2-基]-1,3,5-三嗪(简称：BP-SFTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mBnfBPTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-6-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mBnfBPTzn-02)、5-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-7,7-二甲基-5H,7H-茚并[2,1-b]咔唑(简称：mINc(II)PTzn)、2-[3’-(三亚苯-2-基)-1,1’-联苯基-3-基]-4,6-二苯基’1,3,5-三嗪(简称：mTpBPTzn)、9-[4-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-2-二苯并噻吩基]-2-苯基-9H-咔唑(简称：PCDBfTzn)、2-[1，1’-联苯]-3-基-4-苯基-6-(8-[1，1’：4’，1”-三联苯]-4-基-1-二苯并呋喃基)-1，3，5-三嗪(简称：mBP-TPDBfTzn)等包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物。其中，包含具有二嗪骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有吡啶骨架的芳杂环的有机化合物或包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。尤其是，包含具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物具有高电子传输性，有助于降低驱动电压。

作为用于主体材料的空穴传输材料，例如可以使用具有胺骨架或富π电子型芳杂环的有机化合物。作为该具有胺骨架或富π电子型芳杂环的有机化合物，例如可以举出：4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4,4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4,4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9'-二芴-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3,3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(简称：PCBFF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-4-胺、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9-二甲基-9H-芴-4-胺、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二苯基-9H-芴-2-胺、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二苯基-9H-芴-4-胺、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9’-螺二(9H-芴)-2-胺(简称：PCBBiSF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9’-螺二(9H-芴)-4-胺、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-(1，1’：3’，1”-三联苯-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-(1，1’：4’，1”-三联苯-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-(1，1’：3’，1”-三联苯-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-4-胺、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-(1，1’：4’，1”-三联苯-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-4-胺等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。此外，也可以使用作为空穴传输层112的具有空穴传输性的材料的例子举出的有机化合物作为主体材料的空穴传输材料。

通过混合电子传输材料和空穴传输材料，可以使发光层113的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行再结合区域的控制。此外，也可以将TADF材料用作电子传输材料或空穴传输材料。

作为能够用作主体材料的TADF材料，可以使用与上面作为TADF材料举出的材料同样的材料。当使用TADF材料作为主体材料时，由TADF材料生成的三重激发能经反系间窜越转换为单重激发能并进一步能量转移到发光物质，由此可以提高发光器件的发光效率。此时，TADF材料被用作能量施主，发光物质被用作能量受主。

当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，TADF材料的S1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。此外，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。因此，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的T1能级高。

此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的TADF材料。由此，激发能顺利地从TADF材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。

为了高效地从三重激发能通过反系间窜越生成单重激发能，优选在TADF材料中产生载流子再结合。此外，优选的是在TADF材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子再结合几乎没有影响，可以使TADF材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合芳杂环。作为稠合芳香环或稠合芳杂环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。

在将荧光发光物质用作发光物质的情况下，作为主体材料，优选使用具有蒽骨架的材料。通过将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料，可以实现发光效率及耐久性都高的发光层。在用作主体材料的具有蒽骨架的物质中，具有二苯基蒽骨架(尤其是9，10-二苯基蒽骨架)的物质在化学上稳定，所以是优选的。此外，在主体材料具有咔唑骨架的情况下，空穴的注入/传输性得到提高，所以是优选的，在包含苯环稠合到咔唑的苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，空穴容易注入，所以是更优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。因此，进一步优选用作主体材料的物质是具有9，10-二苯基蒽骨架及咔唑骨架(或者苯并咔唑骨架或二苯并咔唑骨架)的物质。注意，从上述空穴注入/传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。作为这种物质的例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)联苯-4’-基}蒽(简称：FLPPA)、9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αN-βNPAnth)、9-(1-萘基)-10-(2-萘基)蒽(简称：α，βADN)、2-(10-苯基蒽-9-基)二苯并呋喃、2-(10-苯基-9-蒽基)-苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃(简称：Bnf(II)PhA)、9-(2-萘基)-10-[3-(2-萘基)苯基]蒽(简称：βN-mβNPAnth)、1-[4-(10-[,1,1’-联苯]-4-基-9-蒽基)苯基]-2-乙基-1H-苯并咪唑(简称：EtBImPBPhA)、2，9-二(1-萘基)-10-苯基蒽(简称：2αN-αNPhA)、9-(1-萘基)-10-[3-(1-萘基)苯基]蒽(简称：αN-mαNPAnth)、9-(2-萘基)-10-[3-(1-萘基)苯基]蒽(简称：βN-mαNPAnth)、9-(1-萘基)-10-[4-(1-萘基)苯基]蒽(简称：αN-αNPAnth)、9-(2-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：βN-βNPAnth)、2-(1-萘基)-9-(2-萘基)-10-苯基蒽(简称：2αN-βNPh)等。尤其是，CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPA呈现非常良好的特性，所以是优选的。

注意，作为上述混合的材料的一部分，可以使用磷光发光物质。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量施主。

此外，也可以使用上述混合的材料形成激基复合物。通过以形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择混合材料，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光，所以是优选的。此外，通过采用该结构可以降低驱动电压，因此是优选的。

注意，形成激基复合物的材料的至少一个可以为磷光发光物质。由此，可以高效地将三重激发能经反系间窜越转换为单重激发能。

关于高效地形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的HOMO能级优选为具有电子传输性的材料的HOMO能级以上。此外，具有空穴传输性的材料的LUMO能级优选为具有电子传输性的材料的LUMO能级以上。注意，材料的LUMO能级及HOMO能级可以从通过循环伏安(CV)测定测得的材料的电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。

注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(PL)、具有电子传输性的材料的瞬态PL及混合这些材料而成的混合膜的瞬态PL进行比较，当观察到混合膜的瞬态PL寿命与各材料的瞬态PL寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态PL称为瞬态电致发光(EL)。换言之，对具有空穴传输性的材料的瞬态EL、具有电子传输性的材料的瞬态EL及这些材料的混合膜的瞬态EL进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。

在设置空穴阻挡层时，空穴阻挡层与发光层113接触，并以包含具有电子传输性且能够阻挡空穴的有机化合物的方式形成。作为构成空穴阻挡层的有机化合物，优选使用电子传输性优良、空穴传输性低且HOMO能级深的材料。具体而言，优选使用其HOMO能级比包含在发光层113中的材料的HOMO能级深0.5eV以上且电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。

尤其是，优选使用如下具有高耐热性的化合物：2-{3-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mPCCzPDBq)、2-{3-[2-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mPCCzPDBq-02)、2-{3-[3-(N-苯基-9H-咔唑-2-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mPCCzPDBq-03)、2-{3-[3-(N-(3，5-二-叔丁基苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹喔啉、9-[3-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑(简称：mPCCzPTzn)、9-[3-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2，3’-联-9H-咔唑(简称：mPCCzPTzn-02)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑(简称：PCCzTzn(CzT))、9-[3-(4，6-二苯基-嘧啶-2-基)苯基]-9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑(简称：2PCCzPPm)、9-(4，6-二苯基-嘧啶-2-基)-9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑(简称：2PCCzPm)、4-[2-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：4PCCzBfpm-02)、4-{3-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}苯并[h]喹唑啉、9-[3-(2，6-二苯基-吡啶-4-基)苯基]-9’-苯基-3，3’-联-9H-咔唑。

在作为空穴阻挡层使用其他材料的情况下，可以使用在后述可用于空穴传输层的材料中其HOMO能级比包含在发光层113中的材料的HOMO能级深的有机化合物。

电子传输层114是包含具有电子传输性的物质的层。作为具有电子传输性的材料，优选使用电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。此外，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，就可以使用上述以外的物质。作为上述有机化合物，优选使用包含缺π电子型芳杂环的有机化合物。作为包含缺π电子型芳杂环的有机化合物，例如优选使用包含具有多唑骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有吡啶骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有二嗪骨架的芳杂环的有机化合物以及包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物中的任何一个或多个。

作为可以用于电子传输层的包含缺π电子型芳杂环的有机化合物，具体而言，可以举出：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)、4，4’-双(5-甲基苯噁唑-2-基)二苯乙烯(简称：BzOs)等具有唑骨架的有机化合物；3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：TmPyPB)、3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、红菲咯啉(简称：Bphen)、浴铜灵(简称：BCP)、2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBphen)等包含具有吡啶骨架的芳杂环的有机化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、2-[4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-3，1’-联苯基-1-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mpPCBPDBq)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2CzPDBq-Ⅲ)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：7mDBTPDBq-II)、6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：6mDBTPDBq-Ⅱ)、9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mDBtBPNfpr)、9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-4-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9pmDBtBPNfpr)、4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简称:4,6mCzP2Pm)、9，9’-[嘧啶-4，6-二基双(联苯基-3，3’-二基)]双(9H-咔唑)(简称：4，6mCzBP2Pm)、8-(1,1’-联苯基-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称：8BP-4mDBtPBfpm)、3,8-双3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(简称：3,8mDBtP2Bfpr)、4，8-双[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：4，8mDBtP2Bfpm)、8-[3’-(二苯并噻吩-4-基)(1,1’-联苯基-3-基)]萘并[1’,2’:4,5]呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称：8mDBtBPNfpm)、8-[(2,2’-联萘)-6-基]-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3,2-d]嘧啶(简称：8(βN2)-4mDBtPBfpm)、2,2’-(吡啶-2,6-二基)双(4-苯基苯并[h]喹唑啉)(简称：2,6(P-Bqn)2Py)、2,2’-(吡啶-2,6-二基)双{4-[4-(2-萘基)苯基]-6-苯基嘧啶}(简称：2,6(NP-PPm)2Py)、6-(1，1’-联苯-3-基)-4-[3，5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基嘧啶(简称：6mBP-4Cz2PPm)、2，6-双(4-萘-1-基苯基)-4-[4-(3-吡啶基)苯基]嘧啶(简称：2，4NP-6PyPPm)、4-[3,5-双(9H-咔唑-9-基)苯基]-2-苯基-6-(1,1’-联苯基-4-基)嘧啶(简称：6BP-4Cz2PPm)、7-[4-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)喹唑啉-2-基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称：PC-cgDBCzQz)、8-(1，1’：4’，1”-三联苯-3-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8mpTP-4mDBtPBfpm)、4，8-双[3-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、8-(1，1’：4’，1”-三联苯-3-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)联苯-4-基]-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、4，8-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：4，8mCzP2Bfpm)、8-(1，1’：4’，1”-三联苯-3-基)-4-[3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、8-(1，1’-联苯-4-基)-4-[3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-3-基]-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、8-(1，1’-联苯-4-基)-4-{3-[2-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、8-苯基-4-{3-[2-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶、8-(1，1’-联苯-4-基)-4-(3，5-二-9H-咔唑-9-基-苯基)-苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶等具有二嗪骨架的有机化合物；2-[3’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-1，1’-联苯-3-基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mFBPTzn)、2-[(1,1’-联苯基)-4-基]-4-苯基-6-[9,9’-螺二(9H-芴)-2-基]-1,3,5-三嗪(简称：BP-SFTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-8-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mBnfBPTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃-6-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mBnfBPTzn-02)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-联-9H-咔唑(简称：mPCCzPTzn-02)、2-[3’-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-1,1’-联苯-3-基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mFBPTzn)、5-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-7,7-二甲基-5H,7H-茚并[2,1-b]咔唑(简称：mINc(II)PTzn)、2-{3-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mDBtBPTzn)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪(简称：TmPPPyTz)、2-[3-(2,6-二甲基-3-吡啶基)-5-(9-菲基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：mPn-mDMePyPTzn)、11-(4-[1，1’-联苯]-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-11,12-二氢-12-苯基-吲哚[2,3-a]咔唑(简称：BP-Icz(II)Tzn)、2-[3’-(三亚苯-2-基)-1，1’-联苯-3-基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mTpBPTzn)、9-[4-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-2-二苯并噻吩基]-2-苯基-9H-咔唑(简称：PCDBfTzn)、2-[1,1’-联苯基]-3-基-4-苯基-6-(8-[1,1’:4’,1”-三联苯基]-4-基-1-二苯并呋喃基)-1,3,5-三嗪(简称：mBP-TPDBfTzn)等具有三嗪骨架的有机化合物。其中，包含具有二嗪骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有吡啶骨架的芳杂环的有机化合物或包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。尤其是，包含具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的芳杂环的有机化合物、包含具有三嗪骨架的芳杂环的有机化合物具有高电子传输性，有助于降低驱动电压。

注意，具有本结构的电子传输层114有时兼作电子注入层115。

优选在电子传输层114和公共电极(阴极)102之间设置由氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF₂)、8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物或配合物的层作为电子注入层115。此外，共蒸镀镱(Yb)和锂而成的膜也是优选的。电子注入层115可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层、电子化合物(electride)。作为电子化合物，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。

注意，作为电子注入层115，也可以使用对具有电子传输性的物质(优选为具有联吡啶骨架的有机化合物)包含上述碱金属或碱土金属的氟化物为微晶状态的浓度以上(50wt％以上)的层。由于该层为折射率低的层，所以可以提供外部量子效率更良好的发光器件。

作为形成阴极的物质，可以使用功函数小(具体为3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出锂(Li)或铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在阴极和电子传输层之间设置电子注入层，可以不顾及功函数的大小而将各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作阴极。

这些导电材料可以通过真空蒸镀法或溅射法等干式法、喷墨法、旋涂法等沉积。此外，也可以通过利用溶胶-凝胶法等湿式法或利用金属材料的膏剂的湿式法形成。

此外，作为EL层103的形成方法，不论干式法或湿式法，都可以使用各种方法。例如，也可以使用真空蒸镀法、凹版印刷法、胶版印刷法、丝网印刷法、喷墨法或旋涂法等。

此外，也可以通过使用不同沉积方法形成上面所述的各电极或各层。

注意，设置在阳极与阴极之间的层的结构不局限于上述结构。但是，优选采用在离阳极及阴极远的部分设置空穴与电子复合的发光区域的结构，以便抑制由于发光区域与用于电极或载流子注入层的金属接近而发生的猝灭。

此外，为了抑制从在发光层中产生的激子的能量转移，接触于发光层113的如空穴传输层或电子传输层，尤其是靠近发光层113中的复合区域的载流子传输层优选使用如下物质构成，即具有比构成发光层的发光材料或者包含在发光层中的发光材料所具有的带隙大的带隙的物质。

注意，本实施方式的结构可以与其他实施方式的结构适当地组合而使用。

(实施方式3)

在本实施方式中，参照图3A及图3B对使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件而制造的发光装置进行说明。注意，图3A是示出发光装置的俯视图，并且图3B是沿图3A中的点划线A-B及点划线C-D切断的截面图。该发光装置作为用来控制发光器件的发光的单元包括由虚线表示的驱动电路部(源极线驱动电路)601、像素部602、驱动电路部(栅极线驱动电路)603。此外，附图标记604是密封衬底，附图标记605是密封材料，由密封材料605围绕的内侧是空间607。

注意，引导布线608是用来传送输入到源极线驱动电路601及栅极线驱动电路603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC(柔性印刷电路)609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC，但是该FPC还可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。

下面，参照图3B说明截面结构。虽然在元件衬底610上形成有驱动电路部及像素部，但是在此示出作为驱动电路部的源极线驱动电路601和像素部602中的一个像素。

元件衬底610除了可以使用由玻璃、石英、有机树脂、金属、合金、半导体等构成的衬底以外还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。

对用于像素或驱动电路的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用反交错型晶体管或交错型晶体管。此外，顶栅型晶体管或底栅型晶体管都可以被使用。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制，例如可以使用硅、锗、碳化硅、氮化镓等。或者可以使用In-Ga-Zn类金属氧化物等的包含铟、镓、锌中的至少一个的氧化物半导体。

对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。

在此，氧化物半导体优选用于设置在上述像素或驱动电路中的晶体管和用于在后面说明的触摸传感器等的晶体管等半导体装置。尤其优选使用其带隙比硅宽的氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽的氧化物半导体，可以降低晶体管的关态电流(off-statecurrent)。

上述氧化物半导体优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。此外，上述氧化物半导体更优选为包含以In-M-Zn类氧化物(M为Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属)表示的氧化物的氧化物半导体。

尤其是，作为半导体层，优选使用如下氧化物半导体膜：具有多个结晶部，该多个结晶部的c轴都朝向垂直于半导体层的被形成面或半导体层的顶面的方向，并且在相邻的结晶部间不具有晶界。

通过作为半导体层使用上述材料，可以实现电特性的变动被抑制的可靠性高的晶体管。

此外，由于具有上述半导体层的晶体管的关态电流较低，因此能够长期间保持经过晶体管而储存于电容器中的电荷。通过将这种晶体管用于像素，能够在保持各显示区域所显示的图像的灰度的状态下，停止驱动电路。其结果是，可以实现功耗极低的电子设备。

为了实现晶体管的特性稳定化等，优选设置基底膜。作为基底膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜并以单层或叠层制造。基底膜可以通过溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法(等离子体CVD法、热CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD：有机金属化学气相沉积)法等)或ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法、涂敷法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要则也可以不设置。

注意，FET623示出形成在驱动电路部601中的晶体管的一个。此外，驱动电路也可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。此外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路的驱动器一体型，但是不一定必须采用该结构，驱动电路也可以形成在外部，而不形成在衬底上。

此外，像素部602由多个像素形成，该多个像素各自包括开关FET 611、电流控制FET 612以及与该电流控制FET 612的漏极电连接的第一电极613，但是并不局限于此，也可以采用组合三个以上的FET和电容器的像素部。

注意，形成绝缘物614来覆盖第一电极613的端部。在此，可以使用正型感光丙烯酸树脂膜形成绝缘物614。

此外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得后面形成的EL层等的良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。

在第一电极613上形成有EL层616及第二电极617。在此，第一电极613被用作阳极。作为可以用于阳极的材料，优选使用具有大功函数的材料。例如，除了可以使用诸如ITO膜、包含硅的铟锡氧化物膜、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层膜以外，还可以使用由氮化钛膜和以铝为主要成分的膜构成的叠层膜以及由氮化钛膜、以铝为主要成分的膜和氮化钛膜构成的三层结构等。注意，通过采用叠层结构，布线的电阻值可以较低，可以得到好的欧姆接触，并且，可以将其用作阳极。

此外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法、喷墨法、旋涂法等各种方法形成。EL层616包括实施方式1及实施方式2所示的结构。

此外，作为形成于EL层616上的用于第二电极617的材料，优选使用具有小功函数的材料(Al、Mg、Li、Ca或它们的合金或化合物(MgAg、MgIn、AlLi等)等)。注意，当使产生在EL层616中的光透过第二电极617时，优选使用由厚度减薄了的金属薄膜和透明导电膜(ITO、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟、包含硅的铟锡氧化物、氧化锌(ZnO)等)构成的叠层作为第二电极617。

此外，发光器件由第一电极613、EL层616、第二电极617形成。该发光器件是实施方式1及实施方式2所示的发光器件。此外，像素部包括多个发光器件，本实施方式的发光装置也可以包括实施方式1及实施方式2所示的发光器件和具有其他结构的发光器件的双方。此时，在本发明的一个方式的发光装置中，可以在发射不同波长的光的发光器件之间共享空穴传输层，由此可以得到制造工序简单且在成本方面占优势的发光装置。

此外，通过使用密封材料605将密封衬底604贴合到元件衬底610，将发光器件618设置在由元件衬底610、密封衬底604以及密封材料605围绕的空间607中。注意，空间607中填充有填料，作为该填料，可以使用惰性气体(氮或氩等)，还可以使用密封材料。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。

此外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封材料605。此外，这些材料优选为尽可能地不使水分或氧透过的材料。此外，作为用于密封衬底604的材料，除了玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics；玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。

虽然在图3A及图3B中没有示出，但是也可以在阴极上设置保护膜。保护膜可以由有机树脂膜或无机绝缘膜形成。此外，也可以以覆盖密封材料605的露出部分的方式形成保护膜。此外，保护膜可以覆盖一对衬底的表面及侧面、密封层、绝缘层等的露出侧面而设置。

作为保护膜可以使用不容易透过水等杂质的材料。因此，可以能够高效地抑制水等杂质从外部扩散到内部。

作为构成保护膜的材料，可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金属或聚合物等。例如，可以使用含有氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化硅、钛酸锶、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化锆、氧化锡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化铒、氧化钒、氧化铟等的材料、含有氮化铝、氮化铪、氮化硅、氮化钽、氮化钛、氮化铌、氮化钼、氮化锆、氮化镓的材料、包含含有钛及铝的氮化物、含有钛及铝的氧化物、含有铝及锌的氧化物、含有锰及锌的硫化物、含有铈及锶的硫化物、含有铒及铝的氧化物、含有钇及锆的氧化物等的材料。

保护膜优选通过台阶覆盖性(step coverage)良好的沉积方法来形成。这种方法中之一个是原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法。优选将可以通过ALD法形成的材料用于保护膜。通过ALD法可以形成致密且裂缝或针孔等缺陷被减少或具有均匀的厚度的保护膜。此外，可以减少在形成保护膜时加工构件受到的损伤。

例如，通过ALD法可以将均匀且缺陷少的保护膜形成在具有复杂的凹凸形状的表面及触摸面板的顶面、侧面以及背面上。

如上所述，可以得到使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件制造的发光装置。

因为本实施方式中的发光装置使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，实施方式1及实施方式2所示的发光器件的发光效率优良，由此可以实现低功耗的发光装置。此外，可以实现显示品质优良的发光装置。

图4A及图4B示出通过形成呈现白色发光的发光器件且设置着色层(滤色片)等来实现全彩色化的发光装置的例子。图4A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、发光器件的阳极1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、发光器件的公共电极(阴极)1029、密封衬底1031、密封材料1032等。

此外，在图4A中，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)设置在透明基材1033上。此外，还可以设置黑矩阵1035。对设置有着色层及黑矩阵的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001上。此外，着色层及黑矩阵1035被保护层1036覆盖。

图4B示出将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。

此外，虽然以上说明了具有从形成有FET的衬底1001一侧提取光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有从密封衬底1031一侧取出发光的结构(顶部发射型)的发光装置。图5示出顶部发射型发光装置的截面图。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造用来使FET与发光器件的阳极连接的连接电极为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他公知材料形成。

在此，发光器件的阳极1024R、1024G、1024B是阳极，但是也可以是阴极。此外，在采用如图5所示那样的顶部发射型发光装置的情况下，阳极优选为反射电极。EL层1028的结构采用实施方式1所示的EL层103的结构，并且采用能够获得白色发光的元件结构。

在采用图5所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的黑矩阵1035。着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)或黑矩阵也可以被保护层(未图示)覆盖。此外，作为密封衬底1031，使用具有透光性的衬底。

在顶部发射型发光装置中，可以优选地适用微腔结构。将包括反射电极的电极用作一个电极且将透反射电极用作另一个电极，由此可以得到具有微腔结构的发光器件。在反射电极与透反射电极之间至少含有EL层，并且至少含有成为发光区域的发光层。

注意，反射电极的可见光反射率为40％至100％，优选为70％至100％，并且其电阻率为1×10^-2Ωcm以下。此外，透反射电极的可见光反射率为20％至80％，优选为40％至70％，并且其电阻率为1×10^-2Ωcm以下。

从EL层所包含的发光层射出的光被反射电极和透反射电极反射，并且谐振。

在该发光器件中，通过改变透明导电膜、上述复合材料或载流子传输材料等的厚度而可以改变反射电极与透反射电极之间的光程。由此，可以在反射电极与透反射电极之间加强谐振的波长的光且使不谐振的波长的光衰减。

被反射电极反射回来的光(第一反射光)会给从发光层直接入射到透反射电极的光(第一入射光)带来很大的干涉，因此优选将反射电极与发光层的光程调节为(2n-1)λ/4(注意，n为1以上的自然数，λ为要增强的光的波长)。通过调节该光程，可以使第一反射光与第一入射光的相位一致，由此可以进一步增强从发光层发射的光。

此外，在上述结构中，EL层可以含有多个发光层，也可以只含有一个发光层。例如，可以组合上述结构与上述串联型发光器件的结构，其中在一个发光器件中以其间夹着电荷产生层的方式设置多个EL层，并且，在每个EL层中形成一个或多个发光层。

通过采用微腔结构，可以加强指定波长的正面方向上的发光强度，由此可以实现低功耗化。注意，在为使用红色、黄色、绿色以及蓝色的四个颜色的子像素显示图像的发光装置的情况下，因为可以获得由于黄色发光的亮度提高效果，而且可以在所有的子像素中采用适合各颜色的波长的微腔结构，所以能够实现具有良好的特性的发光装置。

因为本实施方式中的发光装置使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，实施方式1及实施方式2所示的发光器件的发光效率优良，由此可以实现低功耗的发光装置。此外，可以实现显示品质优良的发光装置。

虽然到这里说明了有源矩阵型发光装置，但是下面说明无源矩阵型发光装置。图6A及图6B示出通过使用本发明制造的无源矩阵型发光装置。注意，图6A是示出发光装置的立体图，并且图6B是沿图6A的点划线X-Y切断而获得的截面图。在图6中，在衬底951上的电极952与电极956之间设置有EL层955。电极952的端部被绝缘层953覆盖。在绝缘层953上设置有隔离层954。隔离层954的侧壁具有如下倾斜，即越接近衬底表面，两个侧壁之间的间隔越窄。换句话说，隔离层954的短边方向的截面是梯形，底边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953接触的边)比上边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953不接触的边)短。如此，通过设置隔离层954，可以防止起因于静电等的发光器件的不良。此外，在无源矩阵型发光装置中，通过使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件，也可以得到显示品质良好的发光装置或者低功耗的发光装置。

以上说明的发光装置能够控制配置为矩阵状的微小的多个发光器件中的每一个，所以作为进行图像的显示的显示装置可以适当地利用。

此外，本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。

(实施方式4)

[发光装置]

以下说明使用上述实施方式1及实施方式2所示的发光器件的本发明的一个方式的发光装置的另一个例子及制造方法。

图7A示出本发明的一个方式的发光装置450的俯视示意图。发光装置450包括多个发射红色的发光器件110R、多个发射绿色的发光器件110G及多个发射蓝色的发光器件110B。在图7A中，为了简单地区别各发光器件而对各发光器件的发光区域内附上R、G、B的符号。

发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B都以矩阵状排列。图7A示出同一颜色的发光器件在一个方向上排列的所谓条纹排列。注意，发光器件的排列方法不局限于此，既可以采用三角状排列、之字形状等的排列方法，又可以采用Pentile排列。

发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B在X方向上排列。此外，在与X方向交叉的Y方向上，同一颜色的发光器件排列。

发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B是具有上述结构的发光器件。

图7B是对应于图7A中的点划线A1-A2的截面示意图，图7C是对应于点划线B1-B2的截面示意图。

图7B示出发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B的截面。发光器件110R包括像素电极(阳极)101R、第一EL层120R、第二EL层121及公共电极102。发光器件110G包括像素电极(阳极)101G、第一EL层120G、第二EL层(电子注入层)121及公共电极102。发光器件110B包括像素电极(阳极)101B、第一EL层120B、第二EL层121及公共电极102。发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B共享第二EL层121及公共电极102。第二EL层121也可以被称为公共层。

发光器件110R所包括的第一EL层120R至少包含发射在红色的波长区域具有强度的光的发光性的有机化合物。发光器件110G所包括的第一EL层120G至少包含发射在绿色的波长区域具有强度的光的发光性的有机化合物。发光器件110B所包括的第一EL层120B至少包含发射在蓝色的波长区域具有强度的光的发光性的有机化合物。在发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B中，至少有发光器件110R相当于本发明的一个方式的发光器件。

第一EL层120R、第一EL层120G以及第一EL层120B各自至少包括发光层，除此以外，还可以包括空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、激子阻挡层等中的一个以上。第二EL层121不包括发光层。第二EL层121优选为电子注入层。此外，在第一EL层120R、第一EL层120G以及第一EL层120B的第二电极一侧的表面具有电子注入层的功能的情况下，也可以不设置第二EL层121。

像素电极(阳极)101R、像素电极(阳极)101G以及像素电极(阳极)101B都设置在每个发光器件中。此外，公共电极102及第二EL层121优选作为各发光器件共通使用的连续的层设置。此外，第一EL层120中的空穴传输层在发光颜色不同的发光器件之间分开，但是优选具有相同结构。

作为像素电极101和公共电极102中的任一方使用对可见光具有透光性的导电膜且另一方使用具有反射性的导电膜。通过使像素电极101具有透光性且使公共电极102具有反射性可以实现底面发射型(底部发射型)的显示装置，与此相反，通过使各像素电极具有反射性且使公共电极102具有透光性可以实现顶面发射型(顶部发射结构)的显示装置。此外，通过使各像素电极和公共电极102的双方具有透光性，也可以实现双面发射型(双面发射结构)的显示装置。本发明的一个方式的发光器件适用于顶部发射型发光器件。

以覆盖像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B的端部的方式设置第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B。另外，以覆盖第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B的端部的方式设置绝缘层125。换言之，绝缘层125包括与像素电极101R、像素电极101G、像素电极101B、第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B重叠的开口部。绝缘层125的开口部中的端部优选为锥形形状。像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B的端部也可以不被第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B覆盖。

第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B各自包括与像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B的顶面接触的区域。此外，第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B的端部位于绝缘层125下。第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B的顶面包括与绝缘层125接触的区域及与第二EL层121(在不设置第二EL层时，公共电极102)接触的区域。

图18是图7B的变形例子。在图18中，像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B的端部具有越近于衬底侧越宽的锥形形状，而形成在顶部的膜的覆盖性得到提高。此外，像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B的端部分别被第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B覆盖。覆盖EL层形成有掩模层107。这发挥抑制在利用光刻法进行蚀刻时EL层受损伤的作用。发光器件110R、发光器件110G与发光器件110B之间设置有绝缘层108。绝缘层108的端部具有平缓的锥形形状，而可以抑制以后形成的第二EL层121及公共电极102断开。

如图7B及图18所示，在颜色不同的发光器件之间，在两个EL层之间设置间隙。如此，优选以互不接触的方式设置第一EL层120R、第一EL层120G及第一EL层120B。由此，可以有效地防止电流流过相邻的两个EL层而产生非意图性发光。因此，可以提高对比度并实现显示品质高的显示装置。此外，通过使用光刻法制造发光装置，可以将相邻的发光器件(例如，发光器件110R与发光器件110G)中的相对的EL层端部的间隔设定为2μm以上且5μm以下。此外，也可以将该间隔换称为包含在EL层中的发光层之间的间隔。利用金属掩模的形成方法难以实现小于10μm的间隔。

如此，通过使用光刻法制造发光装置，可以大幅度减少可存在于两个发光器件之间的非发光区域的面积，由此可以大幅度提高开口率。例如，在本发明的一个方式的显示装置中，可以实现40％以上，50％以上，60％以上，70％以上，80％以上，甚至为90％以上且低于100％的开口率。

此外，通过提高显示装置的开口率，可以提高显示装置的可靠性。更具体而言，在以使用有机EL器件且开口率为10％的显示装置的使用寿命为基准的情况下，开口率为20％(即，相对于基准为2倍的开口率)的显示装置的使用寿命大约为3.25倍，而开口率为40％(即，相对于基准为4倍的开口率)的显示装置的使用寿命大约为10.6倍。如此，随着开口率的提高，可以降低流过有机EL器件的电流密度，由此可以改善显示装置的使用寿命。在本发明的一个方式的显示装置中，可以提高开口率，由此可以提高显示装置的显示品质。再者，随着显示装置的开口率提高，起到显著改善显示装置的可靠性(尤其是使用寿命)的良好作用。

如图7C所示，以在Y方向上分开的方式形成每个发光器件的EL层120R。此外，作为一个例子图7C示出发光器件110R的截面，但是发光器件110G及发光器件110B也具有同样的形状。此外，EL层在Y方向上连续，EL层120R也可以形成为带状。通过将EL层120R等形成为带状，不需要用来分离它们的空间而可以减小发光器件间的非发光区域的面积，所以可以提高开口率。

公共电极102上以覆盖发光器件110R、发光器件110G以及发光器件110B的方式设置有保护层131。保护层131具有防止水等的杂质从上方扩散到各发光器件的功能。

保护层131例如可以具有至少包括无机绝缘膜的单层结构或叠层结构。作为无机绝缘膜，例如可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜等的氧氧化物膜或氮化物膜。或者，作为保护层131也可以使用铟镓氧化物、铟镓锌氧化物等的半导体材料。

此外，作为保护层131也可以使用无机绝缘膜与有机绝缘膜的叠层膜。例如，优选在一对无机绝缘膜之间夹持有机绝缘膜。并且，有机绝缘膜优选被用作平坦化膜。由此，可以使有机绝缘膜的顶面平坦，所以有机绝缘膜上的无机绝缘膜的覆盖性得到提高，由此可以提高阻挡性。此外，保护层131的顶面变平坦，所以当在保护层131的上方设置结构物(例如，滤色片、触摸传感器的电极或透镜阵列等)时可以减少起因于下方的结构的凹凸形状的影响，所以是优选的。

此外，图7A示出与公共电极102电连接的连接电极101C。连接电极101C被供应用来对公共电极102供应的电位(例如，阳极电位或阴极电位)。连接电极101C设置在发光器件110R等排列的显示区域的外侧。此外，在图7A中，以虚线表示公共电极102。

连接电极101C可以沿着显示区域的外周设置。例如，既可以沿着显示区域的外周的一个边设置，又可以横跨显示区域的外周的两个以上的边设置。就是说，在显示区域的顶面给形状为方形的情况下，连接电极101C的顶面形状可以为带状、L字状、“冂”字状(方括号状)或四角形等。

图7D是对应于图7A中的点划线C1-C2的截面示意图。图7D示出连接电极101C与公共电极102电连接的连接部130。在连接部130中，在连接电极101C上以与连接电极101C接触的方式设置公共电极102，并且以覆盖公共电极102的方式设置保护层131。此外，以覆盖连接电极101C的端部的方式设置绝缘层124。

[制造方法例子1]

以下，参照附图说明本发明的一个方式的显示装置的制造方法的一个例子。在此，以上述结构例子中所示的发光装置450为例进行说明。图8A至图9F是以下例示出的显示装置的制造方法的各工序中的截面示意图。此外，在图8A等中的右侧还示出连接部130及其附近的截面示意图。

构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed LaserDeposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法或热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。

此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等方法形成。

此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，可以利用光刻法等进行加工。除了上述方法以外，还可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以通过利用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状的薄膜。

光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。

在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或将这些光混合了的光。此外，还可以使用紫外光、KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。此外，作为用于曝光的光，也可以使用极紫外(EUV：Extreme Ultra-violet)光或X射线等。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其微细的加工，所以是优选的。注意，在通过利用电子束等光束进行扫描而进行曝光时，不需要光掩模。

作为薄膜的蚀刻方法，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法及喷砂法等。

在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。

[衬底100的准备]

作为衬底100，可以使用至少具有能够承受后面的加热处理程度的耐热性的衬底。在使用绝缘衬底作为衬底100的情况下，可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底、有机树脂衬底等。此外，还可以使用以硅或碳化硅等为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI衬底等半导体衬底。

尤其是，衬底100优选使用在上述半导体衬底或绝缘衬底上形成有包括晶体管等半导体元件的半导体电路的衬底。该半导体电路优选例如构成像素电路、栅极线驱动电路(栅极驱动器)、源极线驱动电路(栅极驱动器)等。除此以外，还可以构成运算电路、存储电路等。

[像素电极101R、101G、101B、连接电极101C的形成]

接着，在衬底100上形成像素电极101R、像素电极101G、像素电极101B(未图示)及连接电极101C。首先，沉积成为像素电极(阳极)的导电膜，通过光刻法形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻去除导电膜的不要部分。然后，去除抗蚀剂掩模，由此可以形成像素电极101R、像素电极101G、像素电极101B。

在作为各像素电极使用对可见光具有反射性的导电膜时，优选使用可见光的波长域整体的反射率尽量高的材料(例如，银或铝等)。由此，不仅可以提高发光器件的光提取效率，而且可以提高颜色再现性。在将对可见光具有反射性的导电膜用作各像素电极的情况下，可以得到在与衬底相反的方向上提取光的所谓的顶部发射型发光装置。在将具有透光性的导电膜用作各像素电极的情况下，可以得到在衬底方向上提取光的所谓的底部发射型发光装置。

[EL膜120Rb的形成]

接着，在像素电极101R、像素电极101G及像素电极101B上沉积后面成为EL层120R的EL膜120Rb。

EL膜120Rb至少包括包含发光材料的发光层及空穴传输层。除此之外，也可以层叠有被用作电子注入层、电子传输层、电荷产生层或空穴注入层的膜中的一个以上。EL膜120Rb例如可以通过蒸镀法、溅射法或喷墨法等形成。此外，不局限于此，可以适当地使用上述沉积方法。

例如，作为EL膜120Rb优选使用依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层的叠层膜。此时，作为后面形成的EL层121可以使用包括电子注入层的膜。

EL膜120Rb优选不设置在连接电极101C上。例如，在通过蒸镀法(或溅射法)形成EL膜120Rb时，为了避免在连接电极101C上沉积EL膜120Rb，优选使用遮蔽掩模形成该EL膜或者在后面的蚀刻工序中去除该EL膜。

[掩模膜144a的形成]

接着，以覆盖EL膜120Rb的方式形成掩模膜144a。此外，掩模膜144a接触于连接电极101C的顶面。

掩模膜144a可以使用对于EL膜120Rb等的各EL膜的蚀刻处理的耐性较高的膜，即蚀刻选择比较大的膜。此外，掩模膜144a可以使用与后述的保护膜146a等保护膜的蚀刻选择比较大的膜。并且，掩模膜144a可以使用可以通过对各EL膜带来的损伤较少的湿蚀刻法被去除的膜。

作为掩模膜144a，例如可以使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、无机绝缘膜等的无机膜。掩模膜144a可以通过溅射法、蒸镀法、CVD法、ALD法等的各种沉积方法形成。

作为掩模膜144a，例如可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等的金属材料或者包含该金属材料的合金材料。尤其是，优选使用铝或银等低熔点材料。

此外，作为掩模膜144a可以使用铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物，也记为IGZO)等金属氧化物。此外，作为掩模膜144a，可以使用氧化铟、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、铟锡氧化物(In-Sn氧化物)、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)等。或者，也可以使用包含硅的铟锡氧化物等。

注意，也可以应用于使用元素M(M为铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓的情况。尤其是，M优选为镓、铝和钇中的一种或多种。

此外，作为掩模膜144a可以使用氧化铝、氧化铪、氧化硅等无机绝缘材料。尤其是，优选使用氧化铝。

此外，作为掩模膜144a，优选使用可溶解于至少对位于EL膜120Rb的最上部的膜具有化学稳定性的溶剂的材料。尤其是，可以将溶解于水或醇的材料适合用于掩模膜144a。在沉积掩模膜144a时，优选在溶解于水或醇等溶剂的状态下通过湿式的沉积方法涂敷，然后进行加热处理以便使溶剂蒸发。此时，通过在减压气氛下进行加热处理，可以以低温且短时间去除溶剂，所以可以减少对EL膜120Rb带来的热损伤，所以是优选的。

作为可用于掩模膜144a的湿式的沉积方法，可以举出旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等。

作为掩模膜144a，可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰多糖、水溶性纤维素或可溶解于醇的聚酰胺树脂等的有机材料。

在此，尤其是通过ALD法制造的膜致密且保护EL层的作用较大，由此可以适合被用作掩模膜。尤其是，优选使用氧化铝膜。

[保护膜146a的形成]

接着，在掩模膜144a上形成保护膜146a(图8B)。

保护膜146a是在后面蚀刻掩模膜144a时用作硬掩模的膜。此外，在后面的保护膜146a的加工时掩模膜144a被露出。因此，作为掩模膜144a及保护膜146a的组合选择彼此的蚀刻选择比较大的膜。因此，可以根据掩模膜144a的蚀刻条件及保护膜146a的蚀刻条件选择可用于保护膜146a的膜。

例如，当在保护膜146a的蚀刻中使用利用包含氟的气体(氟类气体)的干蚀刻时，可以将硅、氮化硅、氧化硅、钨、钛、钼、钽、氮化钽、包含钼及铌的合金或包含钼及钨的合金等用于保护膜146a。在此，作为相对于上述氟类气体的干蚀刻的蚀刻选择比大(即，蚀刻速度较慢)的膜，可以举出IGZO、ITO等的金属氧化物膜等，可以将该金属氧化物膜用于掩模膜144a。

此外，不局限于此，保护膜146a可以根据掩模膜144a的蚀刻条件及保护膜146a的蚀刻条件从各种材料选择。例如，也可以从可用于上述掩模膜144a的膜选择。

此外，作为保护膜146a例如可以使用氮化物膜。具体而言，可以使用氮化硅、氮化铝、氮化铪、氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化镓、氮化锗等氮化物。

此外，作为保护膜146a可以使用氧化物膜。典型的是，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、氧氮化铪等氧化物膜或者氧氮化物膜。

此外，作为保护膜146a可以使用可用于EL膜120Rb等的有机膜。例如，可以将与用于EL膜120Rb、EL膜120Gb、EL膜120Bb的有机膜相同的膜用于保护膜146a。通过使用这些有机膜，可以与EL膜120Rb等共通使用相同沉积装置，所以是优选的。

[抗蚀剂掩模143a的形成]

接着，在保护膜146a上的与像素电极101R重叠的位置及与连接电极101C重叠的位置上分别形成抗蚀剂掩模143a(图8C)。

抗蚀剂掩模143a可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等包括感光树脂的抗蚀剂材料。

在此，在不包括保护膜146a而在掩模膜144a上形成抗蚀剂掩模143a的情况下，在掩模膜144a中存在有针孔等的缺陷时有时因抗蚀剂材料的溶剂而EL膜120Rb被溶解。通过使用保护膜146a，可以防止这样不良的发生。

此外，在作为掩模膜144a使用不容易发生针孔等缺陷的膜时，也可以不使用保护膜146a而在掩模膜144a上直接形成抗蚀剂掩模143a。

[保护膜146a的蚀刻]

接着，通过蚀刻去除保护膜146a的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分来形成带状的保护层147a。同时，也在连接电极101C上形成保护层147a。

在蚀刻保护膜146a时，优选采用选择比高的蚀刻条件以便防止掩模膜144a通过该蚀刻被去除。保护膜146a的蚀刻可以通过湿蚀刻或干蚀刻进行，通过使用干蚀刻可以抑制保护膜146a的图案缩小。

[抗蚀剂掩模143a的去除]

接着，去除抗蚀剂掩模143a(图8D)。

在去除抗蚀剂掩模143a时可以利用湿蚀刻或干蚀刻。尤其是，优选通过使用氧气体作为蚀刻气体的干蚀刻(也被称为等离子体灰化)去除抗蚀剂掩模143a。

此时，以EL膜120Rb被掩模膜144a覆盖的状态去除抗蚀剂掩模143a，所以EL膜120Rb受到的影响得到抑制。尤其是，在EL膜120Rb暴露于氧时有时对电特性带来不好影响，所以在进行等离子体灰化等的利用氧气体的蚀刻时优选的。

[掩模膜144a的蚀刻]

接着，使用保护层147a作为掩模通过蚀刻去除掩模膜144a的不被保护层147a覆盖的一部分来形成带状的掩模层145a(图8E)。同时，也在连接电极101C上形成掩模层145a。

掩模膜144a的蚀刻可以通过湿蚀刻或干蚀刻进行，通过使用干蚀刻法可以抑制图案缩小，所以是优选的。

[EL膜120Rb、保护层147a的蚀刻]

接着，在蚀刻保护层147a的同时通过蚀刻去除不被掩模层145a覆盖的EL膜120Rb的一部分来形成带状的EL层120R(图8F)。同时，连接电极101C上的保护层147a也被去除。

通过进行相同处理蚀刻EL膜120Rb及保护层147a，可以简化工序，所以可以降低显示装置的制造成本，所以是优选的。

尤其是，在蚀刻EL膜120Rb时优选利用使用不包含氧作为主要成分的蚀刻气体的干蚀刻法。由此，可以抑制EL膜120Rb的变质而可以实现可靠性高的显示装置。作为不包含氧作为主要成分的蚀刻气体，例如可以举出CF₄、C₄F₈、SF₆、CHF₃、Cl₂、H₂O、BCl₃、H₂或He等稀有气体。此外，可以将上述气体及不包含氧的稀释气体的混合气体用于蚀刻气体。

此外，也可以分别进行EL膜120Rb的蚀刻及保护层147a的蚀刻。此时，既可以先蚀刻EL膜120Rb，又可以先蚀刻保护层147a。

在此，EL层120R及连接电极101C被掩模层145a覆盖。

[EL层120G、EL层120B的形成]

通过反复进行同样的工序，可以形成岛状的EL层120G、EL层120B及岛状的掩模层145b、145c(图9A)。

[掩模层的去除]

接着，在掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c上形成绝缘层126b。绝缘层126b可以与掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c同样地制造。

[绝缘层125b的形成]

然后，以覆盖绝缘层126b的方式形成绝缘层125b。绝缘层125b使用具有感光性的有机树脂形成即可。作为该有机材料例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅酮树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。作为绝缘层125b，有时可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。此外，有时作为感光树脂可以使用光致抗蚀剂。有时作为感光树脂可以使用正型材料或负型材料。

绝缘层125b优选在涂敷后进行加热处理。该加热处理以低于EL层的耐热温度的温度进行。加热处理时的衬底温度可以为50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且120℃以下。由此，可以去除包含在绝缘层125b中的溶剂。

接着，如图7C所示，进行曝光及显影，在绝缘层125b的与像素电极及第一EL层重叠的区域中形成开口部128，由此形成绝缘层125。在绝缘层125b使用正型丙烯酸树脂时，对去除绝缘层125b的区域用掩模照射可见光线或紫外线即可。

当在曝光中使用可见光线时，该可见光线优选包含i线(波长365nm)。再者，也可以使用包含g线(波长436nm)或h线(波长405nm)等的可见光线。

在显影中，在作为绝缘层125b使用丙烯酸树脂时作为显影液优选使用碱性溶液，例如可以使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)。

注意，之后优选对整个衬底进行曝光对绝缘层125照射可见光线或紫外光线。该曝光的能量密度可以大于0mJ/cm²且为800mJ/cm²以下，优选大于0mJ/cm²且为500mJ/cm²以下。通过在显影后进行上述曝光，有时可以提高绝缘层125的透明度。另外，有时可以降低在后面工序中使绝缘层125的端部变为锥形形状的加热处理所需的衬底温度。

接着，通过进行加热处理，可以将绝缘层125b变形为其侧面具有锥形形状的绝缘层125。该加热处理以低于EL层的耐热温度的温度进行。加热处理时的衬底温度可以为50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且130℃以下。在本工序的加热处理中，优选与涂敷绝缘层125后的加热处理相比使衬底温度更高。由此，也可以提高绝缘层125的耐腐蚀性。

接着，去除露出的掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c。掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c可以通过湿蚀刻或干蚀刻去除。此时，优选采用尽量不对EL层120R、EL层120G及EL层120B带来损伤的方法。尤其是，优选使用湿蚀刻法。例如，优选利用使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)、稀氢氟酸、草酸、磷酸、乙酸、硝酸或它们的混合液体的湿蚀刻。

或者，优选将掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c溶解于水或醇等的溶剂而去除。在此，作为可以溶解掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c的醇，可以使用乙基醇、甲基醇、异丙基醇(IPA)或甘油等各种醇。

优选在去除掩模层145a、掩模层145b及掩模层145c之后进行干燥处理，以便去除包含在EL层120R、EL层120G及EL层120B内部的水及吸附于它们表面的水。例如，优选在非活性气体气氛或减压气氛下进行加热处理。在加热处理中，作为衬底温度可以在50℃以上且200℃以下，优选在60℃以上且150℃以下，更优选在70℃以上且120℃以下的温度下进行。通过采用减压气氛，可以以更低温进行干燥，所以是优选的。

如此，可以分别制造EL层120R、EL层120G及EL层120B。

[EL层121的形成]

接着，以覆盖EL层120R、EL层120G、EL层120B及绝缘层125的方式沉积EL层121。

EL层121可以通过与EL膜120Rb等同样的方法沉积。在通过蒸镀法沉积EL层121时，优选使用遮蔽掩模进行沉积免得EL层121沉积在连接电极101C上。

[公共电极102的形成]

接着，以覆盖EL层121及连接电极101C的方式形成公共电极102(图9F)。

公共电极102可以通过蒸镀法或溅射法等的沉积方法形成。或者，也可以层叠通过蒸镀法形成的膜与通过溅射法形成的膜。此时，优选以包围沉积电子注入层115的区域的方式形成公共电极102。就是说，电子注入层115的端部可以与公共电极102重叠。公共电极102优选使用遮蔽掩模形成。

公共电极102在显示区域的外侧与连接电极101C电连接。

[保护层的形成]

接着，在公共电极102上形成保护层。在沉积用于保护层的无机机绝缘膜时优选使用溅射法、PECVD法或ALD法。尤其是，ALD法是台阶覆盖性良好且不容易产生针孔等缺陷的方法，所以是优选的。此外，在沉积有机绝缘膜时，由于可以在所希望的区域均匀地形成膜，所以优选使用喷墨法。

通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。

注意，上面说明形成顶面形状互不相同的公共电极102及第二EL层121的情况，但是也可以将公共电极102及第二EL层121形成在相同区域中。

(实施方式5)

在本实施方式中，参照图10对将实施方式1及实施方式2所示的发光器件用于照明装置的例子进行说明。图10B是照明装置的俯视图，图10A是沿着图10B所示的线e-f的截面图。

在本实施方式的照明装置中，在用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有阳极401。阳极401相当于实施方式1中的像素电极101。当从阳极401一侧提取光时，阳极401使用具有透光性的材料形成。

此外，在衬底400上形成用来对阴极404供应电压的焊盘412。

在阳极401上形成有EL层403。EL层403相当于实施方式1及实施方式2中的EL层103的结构等。注意，作为它们的结构，参照各记载。

以覆盖EL层403的方式形成阴极404。阴极404相当于实施方式1中的公共电极102。当从阳极401一侧提取光时，阴极404使用反射率高的材料形成。通过使阴极404与焊盘412连接，将电压供应到阴极404。

如上所述，本实施方式所示的照明装置具备包括阳极401、EL层403以及阴极404的发光器件。由于该发光器件是发光效率高的发光器件，所以本实施方式的照明装置可以是低功耗的照明装置。

使用密封材料405、406将形成有具有上述结构的发光器件的衬底400和密封衬底407固定来进行密封，由此制造照明装置。此外，也可以仅使用密封材料405和406中的一个。此外，也可以使内侧的密封材料406(在图10B中未图示)与干燥剂混合，由此可以吸收水分而提高可靠性。

此外，通过以延伸到密封材料405、406的外部的方式设置焊盘412和阳极401的一部分，可以将其用作外部输入端子。此外，也可以在外部输入端子上设置安装有转换器等的IC芯片420等。

以上，本实施方式所记载的照明装置在EL元件中使用实施方式1及实施方式2所示的发光效率优良的发光器件，由此可以实现低功耗的照明装置。

此外，本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。

(实施方式6)

在本实施方式中，对在其一部分包括实施方式1及实施方式2所示的发光器件的电子设备的例子进行说明。实施方式1及实施方式2所示的发光器件是发光效率(尤其是BI)高的发光器件。其结果是，本实施方式所记载的电子设备中的发光器件的发光效率优良，由此可以实现低功耗的电子设备。

作为采用上述发光器件的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。以下，示出这些电子设备的具体例子。

图11A示出电视装置的一个例子。在电视装置中，外壳7101中组装有显示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撑外壳7101的结构。可以利用显示部7103显示图像，并且将实施方式1及实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状而构成显示部7103。

可以通过利用外壳7101所具备的操作开关或另行提供的遥控操作机7110进行电视装置的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以控制频道或音量，由此可以控制显示在显示部7103上的图像。此外，也可以在遥控操作机7110中设置用来显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107。此外，还可以将实施方式1及实施方式2中记载的发光器件排列为矩阵状并用于显示部7107。

此外，电视装置采用具备接收机或调制解调器等的结构。可以通过接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，能够进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。

图11B1示出计算机，该计算机包括主体7201、外壳7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。此外，该计算机通过将实施方式1及实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状并用于显示部7203而制造。图11B1中的计算机也可以为如图11B2所示的方式。图11B2所示的计算机设置有显示部7210代替键盘7204及指向装置7206。显示部7210是触摸面板，通过利用指头或专用笔操作显示在显示部7210上的输入用显示，能够进行输入。此外，显示部7210不仅能够显示输入用显示，而且可以显示其他图像。此外，显示部7203也可以是触摸面板。因为两个屏面通过铰链连接，所以可以防止在收纳或搬运时发生问题如屏面受伤、破坏等。

图11C示出便携式终端的一个例子。移动电话机具备组装在外壳7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。此外，移动电话机包括将实施方式1及实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状而制造的显示部7402。

图11C所示的便携式终端也可以具有用指头等触摸显示部7402来输入信息的结构。在此情况下，能够用指头等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。

显示部7402主要有三种屏面模式。第一是以图像的显示为主的显示模式，第二是以文字等的信息的输入为主的输入模式，第三是混合显示模式和输入模式的两个模式的显示输入模式。

例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，可以采用将显示部7402主要用于输入文字的文字输入模式而输入在屏面上显示的文字。在此情况下，优选在显示部7402的屏面的大多部分中显示键盘或号码按钮。

此外，通过在便携式终端内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，可以判断便携式终端的方向(纵或横)而自动进行显示部7402的屏面显示的切换。

此外，通过触摸显示部7402或对外壳7401的操作按钮7403进行操作，来进行屏面模式的切换。或者，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当该图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。

此外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将屏面模式从输入模式切换成显示模式。

也可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或指头触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，能够进行个人识别。此外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光源或发射近红外光的感测用光源，也能够拍摄指静脉、手掌静脉等。

如上所述，具备实施方式1及实施方式2所示的发光器件的发光装置的应用范围极为广泛，而能够将该发光装置用于各种领域的电子设备。通过使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件，可以得到功耗低的电子设备。

图12A是示出扫地机器人的一个例子的示意图。

扫地机器人5100包括顶面上的显示器5101及侧面上的多个照相机5102、刷子5103及操作按钮5104。虽然未图示，但是扫地机器人5100的底面设置有轮胎和吸入口等。此外，扫地机器人5100还包括红外线传感器、超音波传感器、加速度传感器、压电传感器、光传感器、陀螺仪传感器等各种传感器。此外，扫地机器人5100包括无线通信单元。

扫地机器人5100可以自动行走，检测垃圾5120，可以从底面的吸入口吸引垃圾。

此外，扫地机器人5100对照相机5102所拍摄的图像进行分析，可以判断墙壁、家具或台阶等障碍物的有无。此外，在通过图像分析检测布线等可能会绕在刷子5103上的物体的情况下，可以停止刷子5103的旋转。

可以在显示器5101上显示电池的剩余电量或所吸引的垃圾的量等。可以在显示器5101上显示扫地机器人5100的行走路径。此外，显示器5101可以是触摸面板，可以将操作按钮5104显示在显示器5101上。

扫地机器人5100可以与智能手机等便携式电子设备5140互相通信。照相机5102所拍摄的图像可以显示在便携式电子设备5140上。因此，扫地机器人5100的拥有者在出门时也可以知道房间的情况。此外，可以使用智能手机等便携式电子设备确认显示器5101的显示内容。

可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器5101。

图12B所示的机器人2100包括运算装置2110、照度传感器2101、麦克风2102、上部照相机2103、扬声器2104、显示器2105、下部照相机2106、障碍物传感器2107及移动机构2108。

麦克风2102具有检测使用者的声音及周围的声音等的功能。此外，扬声器2104具有发出声音的功能。机器人2100可以使用麦克风2102及扬声器2104与使用者交流。

显示器2105具有显示各种信息的功能。机器人2100可以将使用者所希望的信息显示在显示器2105上。显示器2105可以安装有触摸面板。显示器2105可以是可拆卸的信息终端，通过将该信息终端设置在机器人2100的所定位置，可以进行充电及数据的收发。

上部照相机2103及下部照相机2106具有对机器人2100的周围环境进行摄像的功能。此外，障碍物传感器2107可以检测机器人2100使用移动机构2108移动时的前方的障碍物的有无。机器人2100可以使用上部照相机2103、下部照相机2106及障碍物传感器2107认知周围环境而安全地移动。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器2105。

图12C是示出护目镜型显示器的一个例子的图。护目镜型显示器例如包括外壳5000、显示部5001、扬声器5003、LED灯5004(包括电源开关或操作开关)、连接端子5006、传感器5007(它具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风5008、第二显示部5002、支撑部5012、耳机5013等。

可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部5001及第二显示部5002。

图13示出将实施方式1及实施方式2所示的发光器件用于作为照明装置的台灯的例子。图13所示的台灯包括外壳2001和光源2002。

图14示出将实施方式1及实施方式2所示的发光器件用于室内的照明装置3001的例子。由于实施方式1及实施方式2所示的发光器件是发光效率高的发光器件，所以可以提供低功耗的照明装置。此外，因为实施方式1及实施方式2所示的发光器件的厚度薄，所以能够制造实现薄型化的照明装置。

还可以将实施方式1及实施方式2所示的发光器件安装在汽车的挡风玻璃或仪表盘上。图15示出将实施方式1及实施方式2所示的发光器件用于汽车的挡风玻璃或仪表盘的一个方式。显示区域5200至显示区域5203是使用实施方式1及实施方式2所示的发光器件设置的显示区域。

显示区域5200和显示区域5201是设置在汽车的挡风玻璃上的安装有实施方式1及实施方式2所示的发光器件的显示装置。通过使用具有透光性的电极制造实施方式1及实施方式2所示的发光器件的阳极和阴极，可以得到能看到对面的景色的所谓的透视式显示装置。若采用透视式显示，即使设置在汽车的挡风玻璃上，也不妨碍视界。此外，在设置用来驱动的晶体管等的情况下，优选使用具有透光性的晶体管，诸如使用有机半导体材料的有机晶体管或使用氧化物半导体的晶体管等。

显示区域5202是设置在立柱部分的安装有实施方式1及实施方式2所示的发光器件的显示装置。通过在显示区域5202上显示来自设置在车厢上的成像单元的图像，可以弥补被立柱遮挡的视界。此外，同样地，设置在仪表盘部分上的显示区域5203通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的图像，能够弥补被车厢遮挡的视界的死角，而提高安全性。通过显示图像以弥补不看到的部分，更自然且简单地确认安全。

显示区域5203还可以提供导航信息、速度表、转速表或空调的设定等各种信息。使用者可以适当地改变显示内容及布置。此外，这些信息也可以显示在显示区域5200至显示区域5202上。此外，也可以将显示区域5200至显示区域5203用作照明装置。

图16A和图16B示出可折叠的便携式信息终端5150。可折叠的便携式信息终端5150包括外壳5151、显示区域5152及弯曲部5153。图16A示出展开状态的便携式信息终端5150。图16B示出折叠状态的便携式信息终端5150。虽然便携式信息终端5150具有较大的显示区域5152，但是通过将便携式信息终端5150折叠，便携式信息终端5150变小而可便携性好。

可以由弯曲部5153将显示区域5152折叠成一半。弯曲部5153由可伸缩的构件和多个支撑构件构成，在折叠时，可伸缩的构件被拉伸，以弯曲部5153具有2mm以上，优选为3mm以上的曲率半径的方式进行折叠。

此外，显示区域5152也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示区域5152。

此外，图17A至图17C示出能够折叠的便携式信息终端9310。图17A示出展开状态的便携式信息终端9310。图17B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9310。图17C示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。

显示面板9311由铰链9313所连接的三个外壳9315支撑。注意，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。此外，通过在两个外壳9315之间的铰链9313处弯折显示面板9311，可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示面板9311。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。

[实施例1]

在本实施例中，说明本发明的一个方式的发光器件1、发光器件2及比较发光器件1。下面示出在本实施例中使用的有机化合物的结构式。

[化学式4]

(发光器件1的制造方法)

首先，在硅衬底上作为绝缘膜通过CVD法沉积400nm厚的氧化硅，然后在氮气氛下以350℃加热1小时。然后，通过溅射法沉积50nm厚的钛、70nm厚的铝、6nm厚的钛，以300℃加热1小时来形成反射电极。然后，作为透明电极，通过溅射法沉积厚度为10nm的包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)。接着，在通过光刻法制造光掩模之后，通过湿蚀刻对ITSO进行图案化，并通过干蚀刻对钛、铝、钛的叠层进行图案化，由此形成宽度为3μm的像素电极101。注意，透明电极被用作阳极，可以与上述反射电极组合而被看作像素电极(阳极)101。

接着，在O₂灰化处理(衬底温度为40℃，压力为0.67Pa，O₂流量为200sccm，ICP功率为2000W，衬底偏压为50W，30秒钟)之后，去除光掩模。

然后，将衬底放入其内部被减压到1×10^-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃的温度下进行真空焙烧60分钟，然后对衬底进行冷却30分钟左右。

接着，以使形成有像素电极101的面位于下方的方式将形成有像素电极101的衬底固定在设置于真空蒸镀装置内的衬底支架上，并且在像素电极101上通过利用电阻加热的蒸镀法以上述结构式(i)所表示的N-(1，1'-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)与分子量为672且包含氟的电子受体材料(OCHD-003)的重量比为1：0.03(＝PCBBiF：OCHD-003)且厚度为10nm的方式进行共蒸镀，由此形成空穴注入层111。

接着，在空穴注入层111上以厚度为96nm的方式蒸镀PCBBiF，由此形成空穴传输层112。

接着，以厚度为10nm的方式形成由上述结构式(ii)表示的N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)的电子阻挡层。

然后，以由上述结构式(iii)表示的9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αN-βNPAnth)、由上述结构式(ix)表示的3，10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10PCA2Nbf(IV)-02)的重量比为1：0.015(＝αN-βNPAnth：3，10PCA2Nbf(IV)-02)且厚度为25nm的方式进行共蒸镀，由此形成发光层113。

然后，在发光层113上以厚度为20nm的方式蒸镀由上述结构式(v)表示的2-{3-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mPCCzPDBq)来形成空穴阻挡层之后，以厚度为15nm的方式蒸镀由上述结构式(vi)表示的2，9-二(2-萘基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)，由此形成电子传输层114。

接着，在形成到电子传输层114的发光器件1中，通过ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法以三甲基铝(简称：TMA)为前驱物且以水蒸气为氧化剂在80℃下沉积厚度为30nm的氧化铝膜。接着，在氩气流下、压力为2.1Pa、衬底温度为50℃的条件下，利用溅射法沉积厚度为50nm的钨(W)。

然后，以厚度为700nm的方式涂敷正型光致抗蚀剂，进行曝光及显影，以形成比像素电极101大一圈的光掩模。

接着，以所形成的光掩模为掩模，作为蚀刻气体使用SF₆，通过干蚀刻法去除钨膜。接着，通过进行O₂灰化(衬底温度为10℃，压力为5.00Pa，O₂流量为80sccm，ICP功率为800W，衬底偏压为10W，15秒钟)，去除光掩模。然后，以钨膜为掩模通过干蚀刻去除氧化铝膜，以钨膜及氧化铝膜为掩模通过干蚀刻对空穴注入层111至电子传输层114(第一EL层)进行图案化。

然后，使用SF₆通过干蚀刻去除钨膜，以覆盖露出的氧化铝的顶面及侧面、第一EL层的侧面的方式通过ALD法以三甲基铝(简称：TMA)为前驱物且以水蒸气为氧化剂在80℃下沉积厚度为10nm的氧化铝膜。

接着，涂敷400nm厚的感光有机树脂，进行曝光及显影，以开口面积为7.32μm²的方式形成具有与像素电极101重叠的开口部的绝缘层。在O₂灰化之后，在减压下以100℃焙烧1小时，然后通过利用显影液的湿蚀刻对从开口部露出的氧化铝膜进行处理253秒钟来去除该氧化铝膜。

然后，将衬底放入其内部被减压到1×10^-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，在70℃的温度下进行真空焙烧90分钟。然后，以厚度为2nm的方式以1：1的体积比共蒸镀氟化锂(LiF)和镱(Yb)来形成电子注入层115，最后以厚度为25nm的方式以1：0.1的体积比共蒸镀银(Ag)和镁(Mg)，以厚度为70nm的方式沉积氧化铟-氧化锡(ITO)来形成阴极(公共电极)102，由此制造发光器件1。注意，公共电极102是具有反射光的功能及使光透过的功能的透反射电极，发光器件1是从公共电极102取出光的顶部发射型元件。

(发光器件2的制造方法)

发光器件2通过与发光器件1大致相同的工序及布局制造，但是使用不同的感光有机树脂，在涂敷沉积之后以90℃进行焙烧90秒钟，进行曝光及显影来形成具有与像素电极101重叠的开口部的绝缘层。然后，使用超高压汞灯照射光86秒钟，以100℃进行焙烧600秒钟，这是与发光器件1不同之处。由此，绝缘层开口部的内侧侧面成为锥形形状，之后形成的膜的覆盖性得到提高。

(比较发光器件1的制造方法)

在比较发光器件1中，与发光器件1同样地形成到像素电极101，然后在1×10^-4Pa左右的减压下以250℃的衬底温度加热5分钟，通过溅射法沉积厚度为150nm的氧化硅，由此形成无机绝缘层。

然后，利用光刻法对该无机绝缘层进行干蚀刻，以开口面积为7.32μm²的方式形成与像素电极重叠的开口部。在O₂灰化之后去除抗蚀剂。

然后，将衬底放入其内部被减压到1×10^-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃的温度下进行真空焙烧60分钟，然后对衬底进行冷却30分钟左右。

接着，与发光器件1同样地形成空穴注入层111至电子传输层114，在形成电子传输层之后，以体积比为1：1且厚度为2nm的方式共蒸镀氟化锂(LiF)和镱(Yb)，由此形成电子注入层115。最后，以银(Ag)与镁(Mg)的体积比为1：0.1且厚度为25nm的方式进行共蒸镀，沉积厚度为70nm的氧化铟-氧化锡(ITO)来形成阴极(公共电极)102，由此制造比较发光器件1。注意，公共电极102是具有反射光的功能及使光透过的功能的透反射电极，比较发光器件1是从公共电极102取出光的顶部发射型元件。

以下表示出上述发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的叠层结构。

[表1]

在氮气氛的手套箱中，以不使上述发光器件1、发光器件2及比较发光器件1暴露于大气的方式使用玻璃衬底进行密封处理(将密封材料涂敷在元件的周围，在密封时进行UV处理并在80℃的温度下进行1小时的加热处理)。然后，对发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的初始特性进行测量。

图19示出发光器件1、发光器件2及比较发光器件1的电流效率-亮度特性，图20示出蓝色指标-电流密度特性，图21示出发射光谱。

此外，下表示出1000cd/m²附近的主要特性。注意，使用分光辐射计(拓普康公司制造，SR-UL1R)测量亮度、CIE色度及发射光谱。另外，各发光器件的测量在室温(保持为23℃的气氛)下进行。

[表2]

从图19可知，发光器件1及发光器件2的电流效率低于比较发光器件。但是，发光器件1及发光器件2的色度y比比较发光器件1小，呈现深蓝色发光。因此，从图20可知，发光器件1及发光器件2呈现比比较发光器件1良好的蓝色指标。

在此，蓝色指标(BI)是指电流效率(cd/A)还除以y色度的值，其是表示蓝色发光的发光特性的指标之一。蓝色发光有y色度越小色纯度越高的发光的倾向。色纯度高的蓝色发光即使亮度成分小也可以呈现较宽的范围的蓝色，当使用色纯度高的蓝色发光时，呈现蓝色时所需要的亮度得到降低，因此可以取得降低功耗的效果。因此，作为蓝色发光的效率的表现形式，适当地使用考虑到作为蓝色纯度的指标之一的y色度的BI，可以说发光器件的BI越高，作为用于显示器的蓝色发光器件的效率越良好。

也就是说，发光器件1及发光器件2虽然在电流效率方面呈现比比较发光器件1低的特性但是呈现深蓝色发光，由此可知作为蓝色发光器件具有优良特性。

在此，根据图21的发射光谱可知，比较发光器件1的发射光谱的峰波长向长波长漂移，光谱的峰的半宽也变大。另外，从表可知色度y也是发光器件1及发光器件2的倍数或近倍的值。

其结果是，可知发光器件1及发光器件2是具有比比较发光器件1优越的蓝色发光器件的特性的发光器件。

注意，该结果是由于比较发光器件1的泄漏电流导致的发光波长的变化的缘故。如图2A所示，在比较发光器件1中，公共电极(阴极)102在比像素电极101大的面积与EL层接触。因此，电流不仅流过与无机绝缘膜的开口部重叠的位置上的公共电极之间，而且流过位于其周边部的公共电极之间。由于上述泄漏电流所激发的光的发光位置与设想的位置不同，所以有时一部分光从发光器件内发射到器件外的光程长偏离设想的波长区域。另外，因为在没有像素电极101的区域中发射的光不在像素电极101与公共电极(阴极)102之间发生谐振，所以作为宽光谱形状的光发射到外部。此外，起因于无机绝缘膜的凹凸而公共电极的角度也根据位置变化，所以这种光容易发射到发光器件的外部。由于这些原因，与设想的波长的光相比长波长的光及光谱的半宽大(宽)的光混在来自比较发光器件1的光中，导致发射光谱的变化。

另一方面，在发光器件1及发光器件2中，公共电极102在绝缘层的开口部中与EL层重叠。由此，泄漏电流不容易流过公共电极102的周边部，波长不同的发光不容易混在一起，因此可以得到色纯度高的发光，从而可以得到蓝色指标良好的发光器件。并且，如发光器件1及发光器件2那样，电子传输层114从空穴注入层111被蚀刻，不被公共电极(电子注入层)覆盖的EL层的上部形成有40nm的氧化铝，该EL层的侧面形成有10nm的氧化铝。由此，泄漏电流不容易通过EL层流过。此外，由于可以抑制光程长不同的发光射出到外部，所以可以实现具有更良好的特性的发光器件。

接着，示出使用2D分光辐射计(拓普康技术公司制造的SR-5100HM)调查发光器件2及比较发光器件1的测量位置、发光强度及光谱形状的关系的结果。

注意，发光器件2的结构相当于实施方式1中的图1A所示的结构，比较发光器件1的结构相当于图26A所示的结构。图26A所示的结构包括：绝缘层127；绝缘层127上的像素电极(阳极)101；覆盖像素电极(阳极)101的侧面及顶面的一部分的绝缘层125c；以覆盖像素电极(阳极)101及绝缘层125c的方式设置的EL层103；EL层103上的电子注入层104；以及设置在电子注入层104上的公共电极(阴极)102。

相当于图1A所示的结构的发光器件2与图26A所示的比较发光器件1的较大不同之处在于：没有设置覆盖像素电极(阳极)101的侧面及顶面的一部分的绝缘层125c；以及EL层103被分断。

图22及图23示出使用2D分光辐射计测量以10mA/cm²的电流密度发光的发光器件2及比较发光器件1的结果。图22及图23的图像的颜色与发光强度相关联。

在图22的发光器件2中，在图像中央部可以看到宽度为1.1μm的明亮的区域以及其外侧至1.6μm的宽度的亮度稍微低的区域，可知该外侧的区域几乎不发光。由于设置在发光器件2的感光有机树脂中的开口部的宽度为1.14μm，所以可知图像中央部的宽度为1.1μm的区域是像素电极与EL层接触的区域。

另一方面，在图23的比较发光器件1中，在图像中央部可以看到宽度为1.1μm的明亮的区域以及其外侧至2.2μm的宽度的亮度稍微低的区域，并且可知发光还延伸到该外侧的区域。比较发光器件1的无机绝缘膜的开口部的宽度的设计值为1.14μm，由此可知图像中央部的宽度为1.1μm的区域是像素电极与EL层接触的区域。可知比较发光器件1的发光范围比发光器件2大。

为了调查该发光的扩展起因于什么，根据比较发光器件1的结构制造空穴注入层中的受主物质的浓度不同的几个发光器件，同样地进行测量，由此可知发光器件中的受主物质的量越多且空穴注入层的电阻越小，向开口部外侧扩展的发光部的宽度越大且越亮。也就是说，可认为：在比较发光器件1的开口部外侧扩展的发光是通过空穴注入层的泄漏电流所引起的开口部周边的发光。

接着，图24A、图24B、图25A及图25B示出各发光器件的每个测量点的发射光谱的测量结果。图24是发光器件2的每个测量点的发射光谱，图25是比较发光器件1的每个测量点的发射光谱。各测量点对应于图22及图23中的附上1至5的圆圈的位置。

由图24A及图25A可知，对应于开口部的测量点3、4、5的光谱强度及光谱形状没有太大的差异，测量点2、测量点1的最大发光强度越远离开口部越降低。

图24B及图25B是以最大发光强度使图24A及图25A的光谱归一化的图。由图24B可知，发光器件2的发射光谱几乎没有根据测量位置变化。另一方面，从图25B可知，在比较发光器件1中，对应于开口部的测量点3、4、5的发射光谱的形状没有很大的变化，但是在偏离开口部的测量点2及测量点1中在500nm附近出现峰，光谱形状明显地变化。这是因为如下缘故：在与通过空穴注入层的泄漏电流所设想的位置不同的位置发光，由此通过不同光程长的腔室或不通过腔室发射光。

如此，可知：在比较发光器件1中，由于开口部的周边混合有光谱形状不同的发光，所以发光器件整体的发射光谱的形状变化，而发生色度的偏离。用于显示器的蓝色发光器件所需要的亮度与色度密接相关。由上述结果可知，在比较发光器件1中，由于周边区域的发光与长波长区域的发光混在一起，色度y变大，BI大幅度地下降。

在此，为了调查上述比较发光器件1的色度下降且BI大幅度地下降的机理，对比较发光器件1进行截面STEM(Scanning Transmission Electron Microscope：扫描透射电子显微镜)观察。图26B示出比较发光器件1的截面STEM图像的结果及2D分光辐射计测量图像的结果。

在图26B中，区域150示出2D分光辐射计测量图像的一部分，区域152示出截面STEM图像的结果。就是说，图26B是合成2D分光辐射测量图像的一部分和截面STEM图像的图。区域150是取出图23所示的2D分光辐射测量图像的一部分并以与截面STEM图像一致的方式放大的图。另外，位于区域150上的由圆圈围绕的测量点2的区域对应于图23所示的测量点2。

如图26B所示，在比较发光器件1中，在开口部的周边，流过EL层103的电流如虚线的箭头所示那样影响到绝缘层125c的顶面，因此通过EL层103，尤其是形成在EL层103的下层的空穴注入层在横方向上有可能产生泄漏电流。其结果，在绝缘层125c的上部也确认到来自EL层103的发光，光程长变化，共振波长变化。由此可知，来自与绝缘层125c重叠的区域的EL层103的发光变宽，图25A及图25B所示的光谱形状发生变化。

另一方面，可知在本发明的一个方式的发光器件中不发生上述光谱的变化，可以提供BI良好的发光器件。注意，在本发明的一个方式的发光器件中，如图1A所示，没有设置覆盖像素电极(阳极)的侧面及顶面的一部分的绝缘层(也称为结构体或堤坝)。由此可确认到：与设置有覆盖像素电极(阳极)的侧面及顶面的一部分的绝缘层的结构相比，本发明的一个方式的发光器件的发射光谱尖锐，且可以提供BI良好的发光器件。

注意，这些现象发生在发光器件的周边部(像素电极、EL层和公共电极重叠的部分的周围)，因此在高清晰发光装置中这些现象很明显。由此，可以说本发明的一个方式的结构尤其适用于高清晰发光装置。

[符号说明]

100：衬底、101B：像素电极、101C：连接电极、101G：像素电极、101R：像素电极、101：像素电极、102：公共电极、103：EL层、103(1)：第一EL层、103(2)：第二EL层、104：电子注入层、107：掩模层、108：绝缘层、110B：发光器件、110G：发光器件、110R：发光器件、111：空穴注入层、112：空穴传输层、113：发光层、114：电子传输层、115：电子注入层、121：第二EL层、120B：EL层、120Bb：EL膜、120G：EL层、120Gb：EL膜、120R：EL层、120Rb：EL膜、120：第一EL层、121：EL层、124：绝缘层、125：绝缘层、125b：绝缘层、125c：绝缘层、126：绝缘层、126b：绝缘层、127：绝缘层、127a：绝缘层、128：开口部、129：绝缘层、130：连接部、131：保护层、143a：抗蚀剂掩模、144a：掩模膜、145a：掩模层、145b：掩模层、145c：掩模层、146a：保护膜、146b：保护膜、146c：保护膜、147a：保护层、150：区域、152：区域、400：衬底、401：阳极、403：EL层、404：阴极、405：密封材料、406：密封材料、407：密封衬底、412：焊盘、420：IC芯片、450：发光装置、601：源极线驱动电路、602：像素部、603：栅极线驱动电路、604：密封衬底、605：密封材料、607：空间、608：引导布线、610：元件衬底、611：开关FET、612：电流控制FET、613：第一电极、614：绝缘物、616：EL层、617：第二电极、618：发光器件、623：FET、951：衬底、952：电极、953：绝缘层、954：隔离层、955：EL层、956：电极、1001：衬底、1002：基底绝缘膜、1003：栅极绝缘膜、1006：栅电极、1007：栅电极、1008：栅电极、1020：第一层间绝缘膜、1021：第二层间绝缘膜、1022：电极、1024B：阳极、1024G：阳极、1024R：阳极、1025：分隔壁、1028：EL层、1029：阴极、1031：密封衬底、1032：密封材料、1033：基材、1034B：着色层、1034G：着色层、1034R：着色层、1035：黑矩阵、1036：保护层、1037：第三层间绝缘膜、1040：像素部、1041：驱动电路部、1042：周边部、2001：外壳、2002：光源、2100：机器人、2101：照度传感器、2102：麦克风、2103：上部照相机、2104：扬声器、2105：显示器、2106：下部照相机、2107：障碍物传感器、2108：移动机构、2110：运算装置、3001：照明装置、5000：外壳、5001：显示部、5002：第二显示部、5003：扬声器、5004：LED灯、5006：连接端子、5007：传感器、5008：麦克风、5012：支撑部、5013：耳机、5100：扫地机器人、5101：显示器、5102：照相机、5103：刷子、5104：操作按钮、5120：垃圾、5140：便携式电子设备、5150：便携式信息终端、5151：外壳、5152：显示区域、5153：弯曲部、5200：显示区域、5201：显示区域、5202：显示区域、5203：显示区域、7101：外壳、7103：显示部、7105：支架、7107：显示部、7109：操作键、7110：遥控操作机、7201：主体、7202：外壳、7203：显示部、7204：键盘、7205：外部连接端口、7206：指向装置、7210：显示部、7401：外壳、7402：显示部、7403：操作按钮、7404：外部连接端口、7405：扬声器、7406：麦克风、9310：便携式信息终端、9311：显示面板、9313：铰链、9315：外壳。

Claims (12)

1.一种发光装置，包括：

第一像素电极；

与所述第一像素电极相邻的第二像素电极；

公共电极；

夹在所述第一像素电极与所述公共电极之间的第一EL层；

夹在所述第二像素电极与所述公共电极之间的第二EL层；以及

位于所述公共电极与所述第一EL层及所述第二EL层之间的绝缘层，

其中，所述绝缘层包括与所述第一像素电极重叠的第一开口部及与所述第二像素电极重叠的第二开口部，

所述第一EL层包括第一发光层，

所述第一发光层包含第一发光物质，

所述第一发光物质呈现蓝色发光，

所述第一EL层与所述第一像素电极接触，

所述第二EL层与所述第二像素电极接触，

所述第一EL层与所述公共电极在所述第一开口部中接触，

并且，所述第二EL层与所述公共电极在所述第二开口部中接触。

2.根据权利要求1所述的发光装置，

其中所述第一像素电极的端部被所述第一EL层覆盖，

并且所述第二像素电极的端部被所述第二EL层覆盖。

3.根据权利要求1所述的发光装置，

其中所述第一EL层的端部被所述绝缘层覆盖，

并且所述第二EL层的端部被所述绝缘层覆盖。

4.一种发光装置，包括：

第一像素电极；

与所述第一像素电极相邻的第二像素电极；

公共电极；

夹在所述第一像素电极与所述公共电极之间的第一EL层；

夹在所述第二像素电极与所述公共电极之间的第二EL层；以及

位于所述公共电极与所述第一EL层及所述第二EL层之间的绝缘层，

其中，所述绝缘层包括与所述第一像素电极重叠的第一开口部及与所述第二像素电极重叠的第二开口部，

所述第一EL层包括具有第一发光层的第三EL层及位于所述第三EL层与所述公共电极之间的第四EL层，

所述第二EL层包括具有第二发光层的第五EL层及位于所述第五EL层与所述公共电极之间的所述第四EL层，

所述第一发光层包含第一发光物质，

所述第一发光物质呈现蓝色发光，

所述第三EL层与所述第一像素电极接触，

所述第五EL层与所述第二像素电极接触，

所述第四EL层与所述第三EL层在所述第一开口部中接触，

并且，所述第四EL层与所述第五EL层在所述第二开口部中接触。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中在不与所述第一像素电极及所述第二像素电极重叠的区域中，所述第四EL层以彼此接触的方式夹在所述绝缘层与所述公共电极之间。

6.根据权利要求4所述的发光装置，

其中所述第一像素电极的端部被所述第三EL层覆盖，

并且所述第二像素电极的端部被所述第五EL层覆盖。

7.根据权利要求4所述的发光装置，

其中所述第三EL层的端部被所述绝缘层覆盖，

并且所述第五EL层的端部被所述绝缘层覆盖。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中所述绝缘层包含有机化合物。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，

其中所述第一开口部及所述第二开口部的侧面具有锥形形状，

并且该锥角小于90°。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中所述第一像素电极与所述第二像素电极的相对的端部的间隔为0.5μm以上且5μm以下。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中所述第一像素电极、所述第一EL层与所述公共电极以彼此接触的方式重叠的部分的面积为5μm²以上且15μm²以下。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其中在所述第一开口部中所述第一EL层所呈现的发射光谱的半宽为20nm以下。