JP2022151127A - ステージの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理チャンバを大気開放することなく、ステージに形成された凸部の状態を検査する。【解決手段】ステージの検査方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ａ）では、プラズマが生成される処理チャンバ内に設けられたステージであって、予め定められた形状の複数の凸部の上面に基板が載せられるステージにおいて、複数の凸部の上面に検査用の膜を付着させる。工程ｂ）では、複数の凸部の上面に、検査用の第１の基板を吸着させることにより、複数の凸部の上面に付着した検査用の膜の粒子を第１の基板に付着させる。工程ｃ）では、第１の基板とステージとの吸着が解除され、第１の基板が処理チャンバ内から搬出される。工程ｄ）では、搬出された第１の基板に付着している検査用の膜の粒子の分布に基づいて、ステージに形成されている複数の凸部の状態が評価される。【選択図】図５

Description

本開示の種々の側面および実施形態は、ステージの検査方法に関する。

基板に半導体装置を形成する場合、ステージ上に載せられた基板に対してエッチングや成膜等の処理が施される。処理時の基板の温度は、プラズマ等の熱源との間の熱交換と、ステージとの間の熱交換とのバランスで決定される。ステージには、加熱機構と冷却機構とが設けられている、また、ステージの表面には、複数の凸部が形成されており、複数の凸部により、ステージ上に基板が載せられた場合に、基板とステージとの間に隙間が形成される。この隙間に供給される伝熱ガスの圧力を制御することにより、基板とステージとの間の熱の伝達率を調整することができ、基板の温度を所望の温度に調整することができる。下記の特許文献１には、このような複数の凸部が形成された静電チャックが開示されている。

特開２０２０－１０７８８１号公報

本開示は、処理チャンバを大気開放することなく、ステージに形成された凸部の状態を検査することができるステージの検査方法を提供する。

本開示の一側面は、ステージの検査方法であって、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ａ）では、プラズマが生成される処理チャンバ内に設けられたステージであって、予め定められた形状の複数の凸部の上面に基板が載せられるステージにおいて、複数の凸部の上面に検査用の膜を付着させる。工程ｂ）では、複数の凸部の上面に、検査用の第１の基板を吸着させることにより、複数の凸部の上面に付着した検査用の膜の粒子を第１の基板に付着させる。工程ｃ）では、第１の基板とステージとの吸着が解除され、第１の基板が処理チャンバ内から搬出される。工程ｄ）では、搬出された第１の基板に付着している検査用の膜の粒子の分布に基づいて、ステージに形成されている複数の凸部の状態が評価される。

本開示の種々の側面および実施形態によれば、処理チャンバを大気開放することなく、ステージに形成された凸部の状態を検査することができる。

図１は、本開示の一実施形態における基板処理システムの一例を示すシステム構成図である。 図２は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構造の一例を示す概略断面図である。 図３は、静電チャックの詳細な構造の一例を示す拡大断面図である。 図４は、基板処理の一例を示すフローチャートである。 図５は、検査処理の一例を示すフローチャートである。 図６は、検査用基板の一例を示す断面図である。 図７は、検査用基板の一例を示す平面図である。 図８は、検査用基板を吸着した静電チャックの一例を示す拡大断面図である。 図９は、検査用基板が搬出された後の静電チャックの一例を示す拡大断面図である。 図１０は、モニタ用基板を吸着した静電チャックの一例を示す拡大断面図である。 図１１は、検査用の膜の粒子が付着したモニタ用基板の一例を示す断面図である。 図１２Ａは、凸部と検査用基板との接触状態の一例を示す模式図である。 図１２Ｂは、モニタ用基板に付着した検査用の膜の粒子の分布の一例を示す図である。 図１３Ａは、凸部と検査用基板との接触状態の一例を示す模式図である。 図１３Ｂは、モニタ用基板に付着した検査用の膜の粒子の分布の一例を示す図である。 図１４Ａは、凸部と検査用基板との接触状態の一例を示す模式図である。 図１４Ｂは、モニタ用基板に付着した検査用の膜の粒子の分布の一例を示す図である。 図１５は、初期状態における凸部の外形を示す円とモニタ用基板に付着した検査用の膜の粒子との位置関係の一例を示す図である。 図１６は、エンドエフェクタの一例を示す平面図である。 図１７は、エンドエフェクタの一例を示す側面図である。 図１８は、検査用基板を把持しているエンドエフェクタの一例を示す断面図である。 図１９は、検査用基板を把持しているエンドエフェクタの一例を示す平面図である。 図２０は、検査用基板を把持しているエンドエフェクタの一例を示す平面図である。

以下に、ステージの検査方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示されるステージの検査方法が限定されるものではない。

ところで、静電チャックと静電チャックの上に載せられた基板との間の熱交換は、静電チャックと基板との間に供給された伝熱ガスを介してだけでなく、基板と接触する静電チャックの凸部を介しても行われる。しかし、基板に対してプラズマを用いた処理が行われると、プラズマに含まれる活性種が静電チャックと基板との間に侵入し、活性種により静電チャックの凸部が消耗する場合がある。また、プラズマを用いて処理チャンバ内がクリーニングされる場合に、プラズマに含まれる活性種によって静電チャックの凸部が消耗する。

静電チャックの凸部が消耗すると、基板と静電チャックの凸部の上面との接触状態が変化する。基板と静電チャックの凸部の上面の接触状態が変化すると、静電チャックと基板の間で伝達される熱量が、設計時の熱量からずれ、基板の温度を精度よく制御することが難しくなる。また、静電チャックには複数の凸部が形成されており、凸部の消耗量は、複数の凸部において異なることが多い。複数の凸部の消耗量が一様でない場合、静電チャックと複数の凸部の上面との接触状態に偏りが発生する場合がある。これにより、基板の温度分布に偏りが発し、基板の温度の均一性を高めることが困難となる。

そのため、定期的に処理チャンバを大気開放し、処理チャンバ内の静電チャックの状態が検査される。静電チャックの状態の検査では、処理チャンバが大気開放され、静電チャックの状態が検査され、その後、処理チャンバ内が真空引きされる。しかし、再び基板の処理が可能となるコンディションにするためには、真空引きやコンディションのチェック等、多くの時間がかかり、基板処理のスループットの向上が難しい。また、処理チャンバ内の静電チャックを検査するまでは、静電チャックがどのような状態かわからない。そのため、検査の結果、静電チャックの状態が、基板の処理を続けることが可能な状態であった場合、基板の処理を無駄に停止させたことになる。

そこで、本開示は、処理チャンバを大気開放することなく、ステージに形成された凸部の状態を検査することができる技術を提供する。

［基板処理システム１の構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理システム１の一例を示すシステム構成図である。一実施形態において、基板処理システム１は、真空搬送室１１と、複数のプラズマ処理装置２０と、複数のロードロック室１２と、大気搬送室１３と、搬送ロボット３０と、評価装置４０とを備える。真空搬送室１１には、複数のプラズマ処理装置２０および複数の大気搬送室１３が接続されている。本実施形態において、真空搬送室１１には６台のプラズマ処理装置２０が接続されているが、真空搬送室１１には５台以下のプラズマ処理装置２０が接続されていてもよく、７台以上のプラズマ処理装置２０が接続されていてもよい。また、本実施形態において、真空搬送室１１には２台のロードロック室１２が接続されているが、真空搬送室１１には１台のロードロック室１２が接続されていてもよく、３台以上のロードロック室１２が接続されていてもよい。

それぞれのプラズマ処理装置２０は、基板に対して、例えば低圧環境下でエッチングや成膜等の処理を施す。それぞれのプラズマ処理装置２０と真空搬送室１１とはゲートバルブＧ１によって仕切られている。それぞれのプラズマ処理装置２０内には、基板を吸着保持する静電チャックが設けられている。それぞれのプラズマ処理装置２０は、製造工程の中で同一の工程を実行する装置であってもよく、異なる工程を実行する装置であってもよい。

それぞれのロードロック室１２は、ゲートバルブＧ２およびゲートバルブＧ３を有し、内部の圧力を、予め定められた真空度の圧力から大気圧に、または、大気圧から予め定められた真空度の圧力に切り替える。ロードロック室１２と真空搬送室１１とはゲートバルブＧ２によって仕切られている。また、ロードロック室１２と大気搬送室１３とはゲートバルブＧ３によって仕切られている。

真空搬送室１１内には、ロボットアーム１１０が配置されている。ロボットアーム１１０は、真空搬送室１１内に設けられたガイドレール１１１に沿って真空搬送室１１内を移動する。真空搬送室１１内は、予め定められた真空度に保たれている。本実施形態において、ロボットアーム１１０は、予め定められた真空度に減圧されたロードロック室１２内から処理前の基板を取り出して、いずれかのプラズマ処理装置２０内に搬送する。また、ロボットアーム１１０は、処理後の基板をプラズマ処理装置２０から取り出して、他のプラズマ処理装置２０またはロードロック室１２内に搬送する。

また、本実施形態において、ロボットアーム１１０は、予め定められた真空度に減圧されたロードロック室１２内から後述する検査用基板を取り出して、いずれかのプラズマ処理装置２０内に搬送する。また、ロボットアーム１１０は、検査用基板をプラズマ処理装置２０から取り出して、ロードロック室１２内に搬送する。また、ロボットアーム１１０は、予め定められた真空度に減圧されたロードロック室１２内から後述するモニタ用基板を取り出して、検査用基板が取り出されたプラズマ処理装置２０内に搬送する。また、ロボットアーム１１０は、モニタ用基板をプラズマ処理装置２０から取り出して、ロードロック室１２内に搬送する。

ロードロック室１２には、ゲートバルブＧ３を介して大気搬送室１３が接続されている。大気搬送室１３内には、ロボットアーム１３０が設けられている。また、大気搬送室１３には、処理前または処理後の基板を複数収容可能な容器（例えば、ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）が接続される複数のロードポート１４が設けられている。ロボットアーム１３０は、大気搬送室１３内に設けられたガイドレール１３１に沿って大気搬送室１３内を移動し、ロードポート１４に接続された容器から処理前の基板を取り出してロードロック室１２内に搬送する。また、ロボットアーム１３０は、ロードロック室１２から処理後の基板を取り出してロードポート１４に接続された容器内に搬送する。

また、本実施形態において、ロボットアーム１３０は、ロードポート１４に接続された容器から検査用基板を取り出して、いずれかのロードロック室１２内に搬送する。また、ロボットアーム１３０は、検査用基板をロードロック室１２から取り出して、ロードポート１４に接続された容器内に搬送する。検査用基板が収容される容器は、第２の容器の一例である。また、ロボットアーム１３０は、ロードポート１４に接続された容器からモニタ用基板を取り出して、いずれかのロードロック室１２内に搬送する。また、ロボットアーム１３０は、モニタ用基板をロードロック室１２から取り出して、ロードポート１４に接続された容器内に搬送する。モニタ用基板が収容される容器は、第１の容器の一例である。

なお、大気搬送室１３には、ロードポート１４に接続された容器から取り出された処理前の基板、検査用基板、およびモニタ用基板の向きを調整するアライメントユニットが設けられていてもよい。

搬送ロボット３０は、モニタ用基板が収容された容器をロードポート１４から取り外し、取り外された容器を評価装置４０へ搬送する。搬送ロボット３０は、例えばＡＧＶ（Automated Guided Vehicle）である。

評価装置４０は、搬送ロボット３０によって搬送された容器からモニタ用基板を取り出し、取り出されたモニタ用基板に付着しているパーティクルの分布を測定する。そして、評価装置４０は、測定されたパーティクルの分布に基づいて、当該分布が測定されたモニタ用基板が搬入されたプラズマ処理装置２０内の静電チャックの状態を評価する。なお、評価装置４０は、大気搬送室１３に隣接した位置に配置されていてもよい。この場合には、大気搬送室１３内に設けられたロボットアーム１３０により、モニタ用基板Ｗ２が評価装置４０に搬入出される。

基板処理システム１は、制御部１０によって制御される。制御部１０は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件を含むレシピ等が格納されている。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピ等に基づいて、入出力インターフェイスを介して、基板処理システム１の各部を制御する。

［プラズマ処理装置２０の構成］
以下に、プラズマ処理装置２０の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成について説明する。図２は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置２０の構造の一例を示す概略断面図である。容量結合型のプラズマ処理装置２０は、プラズマ処理チャンバ２１０、ガス供給部２２０、電源２３０及び排気システム２４０を含む。また、プラズマ処理装置２０は、基板支持部２１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ２１０内に導入するように構成されている。ガス導入部は、シャワーヘッド２１３を含む。基板支持部２１１は、プラズマ処理チャンバ２１０内に配置されている。シャワーヘッド２１３は、基板支持部２１１の上方に配置されている。一実施形態において、シャワーヘッド２１３は、プラズマ処理チャンバ２１０の天部（Ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ２１０は、シャワーヘッド２１３、プラズマ処理チャンバ２１０の側壁２１０ａ及び基板支持部２１１により規定されたプラズマ処理空間２１０ｓを有する。側壁２１０ａは接地されている。シャワーヘッド２１３及び基板支持部２１１は、プラズマ処理チャンバ２１０の筐体とは電気的に絶縁されている。プラズマ処理チャンバ２１０は、処理チャンバの一例である。

基板支持部２１１は、本体部２１１１及びリングアセンブリ２１１２を含む。本体部２１１１は、基板支持部２１１の中央領域であり基板Ｗを支持するための基板支持面２１１１ａと、本体部２１１１の環状領域でありリングアセンブリ２１１２を支持するためのリング支持面２１１１ｂとを有する。基板Ｗは、ウェハと呼ばれることもある。本体部２１１１のリング支持面２１１１ｂは、平面視で基板支持部２１１の基板支持面２１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部２１１１の基板支持面２１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ２１１２は、基板支持部２１１の基板支持面２１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部２１１１のリング支持面２１１１ｂ上に配置されている。一実施形態において、本体部２１１１は、静電チャック２１１３及び基台２１１４を含む。基台２１１４は、導電性部材を含む。基台２１１４の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャック２１１３は、基台２１１４の上に配置されている。静電チャック２１１３の上面は、基板支持面２１１１ａである。静電チャック２１１３は、ステージの一例である。リングアセンブリ２１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部２１１は、静電チャック２１１３、リングアセンブリ２１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部２１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面２１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。また、基板支持部２１１には、図示しないリフトピンが、基板支持面２１１１ａから没突可能に設けられている。

シャワーヘッド２１３は、ガス供給部２２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間２１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド２１３は、少なくとも１つのガス供給口２１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室２１３ｂ、及び複数のガス導入口２１３ｃを有する。ガス供給口２１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室２１３ｂを通過して複数のガス導入口２１３ｃからプラズマ処理空間２１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド２１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド２１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド２１３に加えて、側壁２１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side Gas Injector）を含んでもよい。

ガス供給部２２０は、少なくとも１つのガスソース２２１及び少なくとも１つの流量制御器２２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２２１からそれぞれに対応の流量制御器２２２を介してシャワーヘッド２１３に供給するように構成されている。各流量制御器２２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

電源２３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ２１０に結合されるＲＦ電源２３１を含む。ＲＦ電源２３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基台２１１４の導電性部材、シャワーヘッド２１３の導電性部材、またはその両方に供給するように構成されている。これにより、プラズマ処理空間２１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源２３１は、プラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基台２１１４の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源２３１は、第１のＲＦ生成部２３１ａ及び第２のＲＦ生成部２３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部２３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基台２１１４の導電性部材、シャワーヘッド２１３の導電性部材、またはその両方に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成されている。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部２３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基台２１１４の導電性部材、シャワーヘッド２１３の導電性部材、またはその両方に供給される。第２のＲＦ生成部２３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基台２１１４の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部２３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基台２１１４の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源２３０は、プラズマ処理チャンバ２１０に結合されるＤＣ電源２３２を含んでもよい。ＤＣ電源２３２は、第１のＤＣ生成部２３２ａ及び第２のＤＣ生成部２３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部２３２ａは、基台２１１４の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、基台２１１４の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック２１１３内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部２３２ｂは、シャワーヘッド２１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド２１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１のＤＣ信号及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。なお、第１のＤＣ生成部２３２ａ及び第２のＤＣ生成部２３２ｂは、ＲＦ電源２３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部２３２ａが第２のＲＦ生成部２３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム２４０は、例えばプラズマ処理チャンバ２１０の底部に設けられたガス排出口２１０ｅに接続され得る。排気システム２４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間２１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

［静電チャック２１１３の構造］
図３は、静電チャック２１１３の詳細な構造の一例を示す拡大断面図である。基板Ｗが載せられる静電チャック２１１３の上面（基板支持面２１１１ａ）には、例えば図３に示されるように、複数の凸部２１１３ａが形成されている。本実施形態において、それぞれの凸部２１１３ａは、例えば円柱状に形成されている。なお、静電チャック２１１３の上面の最外周部分には、複数の凸部２１１３ａを囲むように環状のリッジ部２１１３ｅが形成されている。基板Ｗは、複数の凸部２１１３ａとリッジ部２１１３ｅによって支持される。

静電チャック２１１３の内部には、図示しない電源から供給された電力によって静電気力を発生させる電極２１１３ｃが設けられている。電極２１１３ｃが発生させた静電気力によって、基板Ｗが複数の静電チャック２１１３およびリッジ部２１１３ｅの上面に吸着保持される。また、静電チャック２１１３の内部には、図示しない電源から供給された電力によって発熱するヒータ２１１３ｄが設けられている。基板Ｗの温度は、基板支持部２１１に設けられたヒータ２１１３ｄを含む温調モジュールによって、ターゲット温度に調節される。

静電チャック２１１３および基台２１１４には、伝熱ガスが流通する流路２１１４ａが設けられている。図示しないガス供給源から供給された伝熱ガスは、流路２１１４ａを通過して、基板Ｗと複数の凸部２１１３ａとリッジ部２１１３ｅとによって囲まれた凹部２１１３ｂ内に供給される。凹部２１１３ｂ内に供給される伝熱ガスの圧力を調節することにより、基板Ｗと静電チャック２１１３との間の熱の伝達率を調整することができ、基板Ｗの温度をきめ細かく調節することができる。

ここで、プラズマを用いた基板Ｗの処理や、プラズマを用いたプラズマ処理チャンバ２１０内のクリーニング等によって、複数の凸部２１１３ａは、徐々に消耗する。凸部２１１３ａが消耗すると、基板Ｗと凸部２１１３ａの上面との接触状態が変化する。これにより、静電チャック２１１３と基板Ｗの間で伝達される熱量が、設計時の熱量からずれ、基板Ｗの温度を精度よく制御することが難しくなる。そのため、本実施形態では、プラズマ処理チャンバ２１０を大気開放することなく凸部２１１３ａの状態を監視し、静電チャック２１１３の交換が必要になった場合に、基板処理システム１のユーザに静電チャック２１１３の交換を指示する。

［基板処理］
図４は、基板処理の一例を示すフローチャートである。図４に例示された各ステップは、制御部２が基板処理システム１の各部を制御することにより実現される。

まず、それぞれのプラズマ処理装置２０において、基板Ｗに対するプラズマ処理が実行される（Ｓ１０）。なお、ステップＳ１０では、予め定められた数の基板Ｗに対してプラズマ処理が実行されたプラズマ処理装置２０に対しては、プラズマ処理チャンバ２１０内のクリーニングがプラズマを用いて行われる。

次に、それぞれのプラズマ処理装置２０について、ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたか否かが判定される（Ｓ１１）。ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたプラズマ処理装置２０が存在しない場合（Ｓ１１：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。

一方、ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたプラズマ処理装置２０が存在する場合（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、制御部１０は、ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたプラズマ処理装置２０について、検査処理を実行する（Ｓ２０）。なお、ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたプラズマ処理装置２０については、ステップＳ２０の検査処理が実行される前に、プラズマ処理チャンバ２１０内のクリーニングが実行されることが好ましい。このようなクリーニングは、プラズマを用いて行われることが好ましい。これにより、ステップＳ１０の処理によってプラズマ処理チャンバ２１０内に付着した反応副生成物（いわゆるデポ）を除去した状態で、検査処理を実行することができ、検査処理による検査の精度を向上させることができる。検査処理が実行される前に実行されるクリーニングは、工程ｇ）の一例である。以下では、ステップＳ１０の処理が予め定められた回数実行されたプラズマ処理装置２０を、検査対象のプラズマ処理装置２０と記載する。

［検査処理］
図５は、検査処理の一例を示すフローチャートである。図５に例示された検査処理は、ステージの検査方法の一例である。

検査処理では、まず、例えば図６および図７に示されるように、一方の面に検査用の膜Ｆが形成された検査用基板Ｗ１が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内に搬入され、静電チャック２１１３の上に載せられる（Ｓ２１）。ステップＳ２１は、工程ａ）および工程ａ－１）の一例である。ステップＳ２１では、ロードポート１４に接続された検査用基板Ｗ１を収容する容器内から検査用基板Ｗ１が取り出され、取り出された検査用基板Ｗ１が大気搬送室１３およびロードロック室１２を介して真空搬送室１１内に搬送される。そして、検査用の膜Ｆが形成された一方の面が複数の凸部２１１３ａの上面に対向する向きとなるように、検査用基板Ｗ１が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内に搬入される。そして、検査用基板Ｗ１は、ロボットアーム１１０によって、静電チャック２１１３の基板支持面２１１１ａから突出している図示しないリフトピンに渡される。そして、リフトピンが下降することにより、検査用基板Ｗ１が複数の凸部２１１３ａの上面に載せられる。

図６は、検査用基板Ｗ１の一例を示す断面図であり、図７は、検査用基板Ｗ１の一例を示す平面図である。検査用基板Ｗ１は、シリコン等で形成された基板の一方の面に、検査用の膜Ｆが形成されている。検査用の膜Ｆは、樹脂や有機膜等の柔らかく、細かい粒子となって剥がれやすい膜である。検査用基板Ｗ１は、第２の基板の一例である。

本実施形態において、検査用の膜Ｆは、例えば図７に示されるように、エッジ付近の領域６０と、リフトピンが接触する領域６１とを除いた検査用基板Ｗ１の領域に形成されていてもよい。これにより、検査用基板Ｗ１を搬送する際に、ロボットアームやリフトピンに検査用の膜Ｆの粒子が付着することを回避することができる。

また、本実施形態において、検査用の膜Ｆは、例えば、シリコン系ポリマー、ポリイミド系ポリマー等である。シリコン系ポリマーの具体例としては、例えばポリジメチルシロキサンが挙げられる。検査用の膜Ｆの膜厚は、静電チャック２１１３の凸部２１１３ａの高さよりも薄く、例えば１５μｍ以下である。また、検査用の膜Ｆの粘度は、１０００００ｃＰ以下であることが好ましい。

次に、静電チャック２１１３内の電極２１１３ｃに電力が供給され、電極２１１３ｃが発生させた静電気力により、検査用基板Ｗ１が静電チャック２１１３に吸着保持される（Ｓ２２）。これにより、例えば図８に示されるように、検査用基板Ｗ１の検査用の膜Ｆが、静電チャック２１１３のそれぞれの凸部２１１３ａに接触し、検査用の膜Ｆがそれぞれ凸部２１１３ａに付着する。ステップＳ２２は、工程ａ）および工程ａ－２）の一例である。

次に、検査用基板Ｗ１が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内から搬出される（Ｓ２３）。ステップＳ２３は、工程ａ）および工程ａ－３）の一例である。ステップＳ２３では、静電チャック２１１３内の電極２１１３ｃへの電力供給が停止され、図示しないリフトピンにより検査用基板Ｗ１が持ち上げられる。静電チャック２１１３の凸部２１１３ａには、例えば図９に示されるように、検査用基板Ｗ１の膜Ｆから剥がれた膜Ｆが付着している。そして、ロボットアーム１１０によって検査用基板Ｗ１がリフトピンから取り出され、ロードロック室１２内に搬送される。そして、検査用基板Ｗ１は、大気搬送室１３を介して、ロードポート１４に接続された検査用基板Ｗ１を収容する容器内に収容される。

次に、モニタ用基板Ｗ２が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内に搬入され、静電チャック２１１３上に載せられる（Ｓ２４）。ステップＳ２４では、ロードポート１４に接続されたモニタ用基板Ｗ２を収容する容器内からモニタ用基板Ｗ２が取り出され、取り出されたモニタ用基板Ｗ２が大気搬送室１３およびロードロック室１２を介して真空搬送室１１内に搬送される。そして、ロボットアーム１１０によって、モニタ用基板Ｗ２が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内に搬入され、静電チャック２１１３の基板支持面２１１１ａから突出している図示しないリフトピンに渡される。そして、リフトピンが下降することにより、モニタ用基板Ｗ２が複数の凸部２１１３ａの上面に載せられる。モニタ用基板Ｗ２は、例えばシリコン等により形成される。

次に、静電チャック２１１３内の電極２１１３ｃに電力が供給され、電極２１１３ｃが発生させた静電気力により、モニタ用基板Ｗ２が静電チャック２１１３に吸着保持される（Ｓ２５）。これにより、例えば図１０に示されるように、膜Ｆが付着した凸部２１１３ａにモニタ用基板Ｗ２が接触し、モニタ用基板Ｗ２に膜Ｆの粒子が付着する。ステップＳ２５は、工程ｂ）の一例である。なお、ステップＳ２４およびＳ２５では、少なくともモニタ用基板Ｗ２の温度が、基板Ｗに対してプラズマ処理を行う際の温度に制御されることが好ましい。これにより、実際のプラズマ処理における基板Ｗと複数の凸部２１１３ａとの接触状態を再現することができる。

次に、モニタ用基板Ｗ２が検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内から搬出される（Ｓ２６）。ステップＳ２６は、工程ｃ）の一例である。ステップＳ２６では、静電チャック２１１３内の電極２１１３ｃへの電力供給が停止され、図示しないリフトピンによりモニタ用基板Ｗ２が持ち上げられる。モニタ用基板Ｗ２には、例えば図１１に示されるように、凸部２１１３ａに付着していた膜Ｆから剥がれた膜Ｆの粒子Ｐが付着している。そして、ロボットアーム１１０によってモニタ用基板Ｗ２がリフトピンから取り出され、ロードロック室１２内に搬送される。そして、モニタ用基板Ｗ２は、大気搬送室１３を介して、ロードポート１４に接続されたモニタ用基板Ｗ２を収容する容器内に収容される。

なお、ステップＳ２６が実行された後、モニタ用基板Ｗ２が搬出された検査対象のプラズマ処理装置２０に対しては、プラズマ処理チャンバ２１０内のクリーニングが実行されることが好ましい。このようなクリーニングは、例えば、プラズマを用いたウエハレスドライクリーニングである。これにより、凸部２１１３ａに検査用の膜Ｆが残ったまま、ステップＳ１０において次の基板Ｗに対するプラズマ処理が実行されることを回避することができる。モニタ用基板Ｗ２が搬出された検査対象のプラズマ処理装置２０に対して実行されるクリーニングは、工程ｇ）の一例である。

次に、搬送ロボット３０によってモニタ用基板Ｗ２が評価装置４０へ搬送される（Ｓ２７）。ステップＳ２７では、搬送ロボット３０によって、モニタ用基板Ｗ２が収容された容器がロードポート１４から取り外される。モニタ用基板Ｗ２が収容された容器は、搬送ロボット３０によって評価装置４０へ運ばれ、評価装置４０に取り付けられる。

次に、評価装置４０は、モニタ用基板Ｗ２に付着している粒子Ｐの分布に基づいて、検査対象のプラズマ処理装置２０の静電チャック２１１３の状態を評価するための評価値Ｅを算出する（Ｓ２８）。ステップＳ２８では、例えば図１１に示されるように、パーティクルセンサ等の測定器４１を用いて、モニタ用基板Ｗ２に付着している粒子Ｐ毎にその位置が測定される。そして、評価装置４０は、検査対象のプラズマ処理装置２０の静電チャック２１１３の凸部２１１３ａ毎に、初期状態の凸部２１１３ａの形状に対する凸部２１１３ａの形状の変化量を評価値Ｅ_kとして算出する。評価値Ｅ_kは、ｋ番目の凸部２１１３ａの評価値を示す。

ここで、初期状態の凸部２１１３ａでは、例えば図１２Ａに示されるように、凸部２１１３ａに検査用基板Ｗ１の膜Ｆが接触すると、膜Ｆから剥がれた膜Ｆが凸部２１１３ａの上面のエッジに沿って凸部２１１３ａに付着する。そして、凸部２１１３ａにモニタ用基板Ｗ２が接触すると、凸部２１１３ａに付着していた膜Ｆから剥がれた膜Ｆの粒子Ｐが、例えば図１２Ｂに示されるように、凸部２１１３ａの上面のエッジに沿った分布でモニタ用基板Ｗ２に付着する。

一方、プラズマ等により凸部２１１３ａの上面が粗れた状態で、例えば図１３Ａに示されるように凸部２１１３ａに検査用基板Ｗ１の膜Ｆが接触すると、膜Ｆから剥がれた膜Ｆが凸部２１１３ａの上面全体に付着する。そして、凸部２１１３ａにモニタ用基板Ｗ２が接触すると、凸部２１１３ａに付着していた膜Ｆから剥がれた膜Ｆの粒子Ｐが、例えば図１３Ｂに示されるように、凸部２１１３ａの上面の領域全体に分布するようにモニタ用基板Ｗ２に付着する。

また、プラズマ等により凸部２１１３ａの上面の一部が削れた状態で、例えば図１４Ａに示されるように凸部２１１３ａに検査用基板Ｗ１の膜Ｆが接触すると、膜Ｆから剥がれた膜Ｆが削れた凸部２１１３ａの上面のエッジに沿って凸部２１１３ａに付着する。そして、凸部２１１３ａにモニタ用基板Ｗ２が接触すると、凸部２１１３ａに付着していた膜Ｆから剥がれた膜Ｆの粒子Ｐが、例えば図１４Ｂに示されるように、削れた凸部２１１３ａの上面のエッジに沿った分布でモニタ用基板Ｗ２に付着する。

本実施形態では、初期状態の凸部２１１３ａの形状に対する凸部２１１３ａの形状の変化量を評価値として算出することができれば、評価値の算出方法については限定されない。評価値の算出方法の一例を挙げるとすれば、ｋ番目の凸部２１１３ａについて、例えば下記の式（１）に基づいて評価値Ｅ_kを算出することが考えられる。

上記の式（１）において、（ｘ₀，ｙ₀）は、例えば図１５に示されるように、凸部２１１３ａの外形Ｃの中心Ｏの座標を表し、ｒ_Cは凸部２１１３ａの外形Ｃの半径を表し、（ｘ₀，ｙ₀）は、粒子Ｐの座標を表し、ｍは粒子Ｐの数を表す。上記の式（１）では、ｍ個の粒子Ｐについて、凸部２１１３ａの外形Ｃの半径ｒ_Cと中心Ｏから粒子Ｐまでの距離ｒとの差分の総和が評価値Ｅ_kとして算出されている。

そして、例えば下記の式（２）に基づいて、ｎ個の凸部２１１３ａの評価値Ｅ_kの平均値が静電チャック２１１３の評価値Ｅとして算出される。

例えば図１２Ｂに示されるように、粒子Ｐが凸部２１１３ａの上面のエッジに沿って分布している場合、上記の式（２）で表される評価値Ｅは小さい値となる。即ち、凸部２１１３ａの形状が初期状態の形状に近い程、上記の式（２）で表される評価値Ｅは小さい値となる。一方、例えば図１３Ｂに示されるように、粒子Ｐが凸部２１１３ａの上面の領域全体に分布する場合、上記の式（２）で表される評価値Ｅは大きな値となる。即ち、凸部２１１３ａの上面の状態が粗れる程、上記の式（２）で表される評価値Ｅは大きな値となる。

また、評価値の算出方法の他の例を挙げるとすれば、ｋ番目の凸部２１１３ａについて、例えば下記の式（３）に基づいて評価値Ｅ_kを算出することが考えられる。

上記の式（３）では、凸部２１１３ａの外形Ｃの中心Ｏと、ｍ個の粒子Ｐの重心とのずれの大きさが評価値Ｅ_kとして算出されている。そして、例えば前述の式（２）に基づいて、ｎ個の凸部２１１３ａの評価値Ｅ_kの平均値が静電チャック２１１３の評価値Ｅとして算出される。

例えば図１２Ｂに示されるように、粒子Ｐが凸部２１１３ａの上面のエッジに沿って分布している場合、上記の式（３）で表される評価値Ｅは小さい値となる。即ち、凸部２１１３ａの形状が初期状態の形状に近い程、上記の式（３）で表される評価値Ｅは小さい値となる。一方、例えば図１４Ｂに示されるように、削れた凸部２１１３ａの上面のエッジに沿って粒子Ｐが分布する場合、上記の式（３）で表される評価値Ｅは大きな値となる。即ち、凸部２１１３ａの上面において削れる範囲が大きい程、上記の式（３）で表される評価値Ｅは大きな値となる。

このように、ステップＳ２８では、複数の凸部２１１３ａについて、初期状態からの形状の変化量の大きさを評価する評価値Ｅが算出される。そして、図５に例示された検査処理が終了する。

図４に戻って説明を続ける。次に、評価値Ｅが予め定められた基準値Ｅ１以上であるか否かが判定される（Ｓ１２）。ステップＳ１２は、工程ｄ）および工程ｅ）の一例である。また、基準値Ｅ１は、第１の値の一例である。評価値Ｅが基準値Ｅ１未満である場合（Ｓ１２：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。

一方、評価値Ｅが基準値Ｅ１以上である場合（Ｓ１２：Ｙｅｓ）、評価値Ｅが基準値Ｅ１よりも大きい基準値Ｅ２以上であるか否かかが判定される（Ｓ１３）。ステップＳ１３は、工程ｄ）および工程ｆ）の一例である。また、基準値Ｅ２は、第２の値の一例である。評価値Ｅが基準値Ｅ２未満である場合（Ｓ１３：Ｎｏ）、静電チャック２１１３の交換が必要になることを通知する警告が出力される（Ｓ１５）。警告は、第１の通知の一例である。警告は、制御部１０によって、制御部１０に設けられたディプレイやスピーカ等の出力装置をから出力される。これにより、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗により基板Ｗの温度制御の精度が低くなる前に、静電チャック２１１３の交換を行うことができる。また、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗量がそれほど多くない状態で、プラズマ処理チャンバ２１０を無駄に大気開放することを回避することができる。

一方、評価値Ｅが基準値Ｅ２以上である場合（Ｓ１２：Ｙｅｓ）、静電チャック２１１３の交換が必要であることを通知するエラーが出力される（Ｓ１４）。これにより、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗により基板Ｗの温度制御の精度が低いまま基板Ｗの処理が継続されることを回避することができる。そして、本フローチャートに示された基板処理が終了する。

［実施形態の効果］
以上、一実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における静電チャック２１１３の検査方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ａ）では、プラズマが生成されるプラズマ処理チャンバ２１０内に設けられた静電チャック２１１３であって、予め定められた形状の複数の凸部２１１３ａの上面に基板Ｗが載せられる静電チャック２１１３において、複数の凸部２１１３ａの上面に検査用の膜Ｆを付着させる。工程ｂ）では、複数の凸部２１１３ａの上面に、モニタ用基板Ｗ２を吸着させることにより、複数の凸部２１１３ａの上面に付着した検査用の膜Ｆの粒子Ｐをモニタ用基板Ｗ２に付着させる。工程ｃ）では、モニタ用基板Ｗ２と静電チャック２１１３との吸着が解除され、モニタ用基板Ｗ２がプラズマ処理チャンバ２１０内から搬出される。工程ｄ）では、搬出されたモニタ用基板Ｗ２に付着している検査用の膜Ｆの粒子Ｐの分布に基づいて、静電チャック２１１３に形成されている複数の凸部２１１３ａの状態が評価される。これにより、プラズマ処理チャンバ２１０を大気開放することなく、静電チャック２１１３に形成された凸部２１１３ａの状態を検査することができる。

また、上記した実施形態において、工程ａ）は、工程ａ－１）、工程ａ－２）、および工程ａ－３）を含む。工程ａ－１）では、一方の面に検査用の膜Ｆが形成された検査用基板Ｗ１を、当該一方の面が複数の凸部２１１３ａの上面に対向するように複数の凸部２１１３ａの上面に載せる。工程ａ－２）では、検査用基板Ｗ１を静電チャック２１１３に吸着させることにより、一方の面に形成された検査用の膜Ｆを、複数の凸部２１１３ａの上面に付着させる。工程ａ－３）では、検査用基板Ｗ１と静電チャック２１１３との吸着を解除し、検査用基板Ｗ１を静電チャック２１１３から搬出する。これにより、複数の凸部２１１３ａに検査用の膜Ｆを容易に付着させることができる。

また、上記した実施形態において、工程ｄ）では、それぞれの凸部２１１３ａの位置および形状と、モニタ用基板Ｗ２に付着している検査用の膜Ｆの粒子Ｐの分布とに基づいて、それぞれの凸部２１１３ａの初期形状からの変化量を、静電チャック２１１３に形成されている複数の静電チャック２１１３の状態を評価するための評価値Ｅとして算出される。これにより、複数の凸部２１１３ａの状態を精度よく評価することができる。

また、上記した実施形態における静電チャック２１１３の検査方法は、工程ｅ）を含む。工程ｅ）では、評価値Ｅが予め定められた基準値Ｅ１以上である場合に、静電チャック２１１３の交換が必要になることを通知する警告を出力する。これにより、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗により基板Ｗの温度制御の精度が低くなる前に、静電チャック２１１３の交換を行うことができる。また、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗量がそれほど多くない状態で、プラズマ処理チャンバ２１０を無駄に大気開放することを回避することができる。

また、上記した実施形態における静電チャック２１１３の検査方法は、工程ｆ）を含む。工程ｆ）では、評価値Ｅが基準値Ｅ１よりも大きい基準値Ｅ２以上である場合に、静電チャック２１１３の交換を指示するエラーを出力する。これにより、基板処理システム１のユーザは、静電チャック２１１３の消耗により基板Ｗの温度制御の精度が低いまま基板Ｗの処理が継続されることを回避することができる。

また、上記した実施形態における静電チャック２１１３の検査方法は、プラズマ処理チャンバ２１０内をクリーニングする工程ｇ）を含む。これにより、静電チャック２１１３の状態の評価において、基板Ｗに対するプラズマ処理によってプラズマ処理チャンバ２１０内に付着した反応副生成物（いわゆるデポ）の影響を排除することができる。これにより、静電チャック２１１３の状態を精度よく評価することができる。

また、上記した実施形態において、工程ｃ）が実行された後に、工程ｇ）がさらに実行される。これにより、凸部２１１３ａの上面に検査用の膜Ｆが残ったまま、次の基板Ｗに対するプラズマ処理が実行されることを回避することができる。

また、上記した実施形態において、工程ｇ）は、プラズマ処理チャンバ２１０内に生成されたプラズマを用いて行われる。これにより、プラズマ処理チャンバ２１０内に付着しているデポ、および、凸部２１１３ａの上面に残っている検査用の膜Ｆを効率よく除去することができる。

［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。

例えば、上記した実施形態では、ロードポート１４に接続された容器内に、検査用の膜Ｆが形成された面を下にした状態で検査用基板Ｗ１が収容されており、検査用基板Ｗ１は、膜Ｆが形成された面を下にしたまま検査対象のプラズマ処理装置２０へ搬送される。検査用の膜Ｆは、柔らかく剥がれやすい膜であるため、検査用基板Ｗ１が搬送される過程で、膜Ｆの一部が検査用基板Ｗ１から剥がれてロードロック室１２や大気搬送室１３内を汚染する場合がある。

そこで、ロードポート１４に接続された容器内には、検査用の膜Ｆが形成された面を上にした状態で検査用基板Ｗ１を収容されてもよい。この場合、検査用基板Ｗ１は、容器から取り出された後に、例えば真空搬送室１１内において、膜Ｆが形成された面が凸部２１１３ａの上面と対向するように回転させられる。例えば、検査用基板Ｗ１は、真空搬送室１１内において、膜Ｆが形成された面が下を向くように回転させられる。これにより、膜Ｆの一部が検査用基板Ｗ１から剥がれてロードロック室１２や大気搬送室１３内に落下することを抑制することができる。

このような動作は、例えば図１６および図１７に示されるように、ロボットアーム１１０の先端に設けられたエンドエフェクタ５０によって実現される。図１６は、エンドエフェクタ５０の一例を示す平面図であり、図１７は、エンドエフェクタ５０の一例を示す側面図である。フォーク５１は、支持部５３に接続されている。フォーク５２には、アクチュエータ５４が設けられている。アクチュエータ５４は、支持部５３を移動させることにより、フォーク５２に対してフォーク５１の位置を変更する。

ロードポート１４に接続された容器内に、検査用の膜Ｆが形成された面を上にした状態で収容されている検査用基板Ｗ１は、検査用の膜Ｆが形成された面を上にした状態のまま大気搬送室１３を介してロードロック室１２内に搬送される。そして、ロボットアーム１１０によってロードロック室１２から搬出された検査用基板Ｗ１は、例えば図１８および図１９に示されるようにエンドエフェクタ５０によって把持される。図１８は、検査用基板Ｗ１を把持しているエンドエフェクタ５０の一例を示す断面図である。図１９は、検査用基板Ｗ１を把持しているエンドエフェクタ５０の一例を示す平面図である。図１９では、上から見た状態の基板Ｗおよびエンドエフェクタ５０が例示されている。

そして、例えば図２０に示されるように、膜Ｆが形成された面が下を向くように回転させられる。図２０は、検査用基板Ｗ１を把持しているエンドエフェクタ５０の一例を示す平面図である。図２０では、上から見た状態の基板Ｗおよびエンドエフェクタ５０が例示されている。そして、検査用基板Ｗ１は、図２０の状態で、検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内へ搬入される。

また、検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内から検査用基板Ｗ１が搬出される場合は、真空搬送室１１内でエンドエフェクタ５０によって膜Ｆが形成された面が上を向くように回転させられた後に、ロードロック室１２内に搬入される。そして、検査用基板Ｗ１は、検査用の膜Ｆが形成された面を上にした状態で、大気搬送室１３を介してロードポート１４に接続された容器内に収容される。

また、検査対象のプラズマ処理装置２０のプラズマ処理チャンバ２１０内からモニタ用基板Ｗ２が搬出される場合は、真空搬送室１１内でエンドエフェクタ５０によって粒子Ｐが付着した面が上を向くように回転させられた後に、ロードロック室１２内に搬入される。そして、モニタ用基板Ｗ２は、粒子Ｐが付着した面を上にした状態で、大気搬送室１３を介してロードポート１４に接続された容器内に収容される。これにより、一部の粒子Ｐがモニタ用基板Ｗ２から剥がれることを抑制することができ、静電チャック２１１３の状態を精度よく評価することができる。また、一部の粒子Ｐがモニタ用基板Ｗ２から剥がれてロードロック室１２や大気搬送室１３内に落下してロードロック室１２や大気搬送室１３内を汚染することを抑制することができる。

また、上記した実施形態では、静電チャック２１１３の凸部２１１３ａに検査用の膜Ｆを有する検査用基板Ｗ１を吸着させることにより、凸部２１１３ａに検査用の膜Ｆを付着させるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、検査用の膜Ｆは、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、または塗布等によって凸部２１１３ａに付着させてもよい。

また、上記した実施形態において、静電チャック２１１３に形成された凸部２１１３ａの形状は、断面が円状の柱であるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態において、静電チャック２１１３に形成された凸部２１１３ａの形状は、断面が多角形状や楕円形状の柱であってもよい。

また、上記した実施形態では、プラズマ処理装置２０に用いられるプラズマ源の一例として、容量結合型プラズマを説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）に用いられるマイクロ波は、電磁波の一例である。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｅ 評価値
Ｅ１ 基準値
Ｅ２ 基準値
Ｆ 膜
Ｐ 粒子
Ｗ 基板
Ｗ１ 検査用基板
Ｗ２ モニタ用基板
１ 基板処理システム
１０ 制御部
１１ 真空搬送室
１２ ロードロック室
１３ 大気搬送室
１４ ロードポート
２０ プラズマ処理装置
２１０ プラズマ処理チャンバ
２１０ｓ プラズマ処理空間
２１１ 基板支持部
２１１１ 本体部
２１１２ リングアセンブリ
２１１３ 静電チャック
２１１３ａ 凸部
２１１３ｂ 凹部
２１１３ｃ 電極
２１１３ｄ ヒータ
２１１３ｅ リッジ部
２１１４ 基台
２１３ シャワーヘッド
２２０ ガス供給部
２３０ 電源
２３１ ＲＦ電源
２３２ ＤＣ電源
２４０ 排気システム
３０ 搬送ロボット
４０ 評価装置
４１ 測定器
５０ エンドエフェクタ
５１ フォーク
５２ フォーク
５３ 支持部
５４ アクチュエータ

Claims (10)

1. ａ）プラズマが生成される処理チャンバ内に設けられたステージであって、予め定められた形状の複数の凸部の上面に基板が載せられるステージにおいて、複数の前記凸部の上面に検査用の膜を付着させる工程と、
   ｂ）複数の前記凸部の上面に、検査用の第１の基板を吸着させることにより、複数の前記凸部の上面に付着した前記検査用の膜の粒子を前記第１の基板に付着させる工程と、
   ｃ）前記第１の基板と前記ステージとの吸着を解除し、前記第１の基板を前記処理チャンバ内から搬出する工程と、
   ｄ）搬出された前記第１の基板に付着している前記検査用の膜の粒子の分布に基づいて、前記ステージに形成されている複数の前記凸部の状態を評価する工程と
   を含むステージの検査方法。
2. 前記工程ａ）は、
   ａ－１）一方の面に前記検査用の膜が形成された第２の基板を、前記一方の面が複数の前記凸部の上面に対向するように、複数の前記凸部の上面に載せる工程と、
   ａ－２）前記第２の基板を前記ステージに吸着させることにより、前記一方の面に形成された前記検査用の膜を、複数の前記凸部の上面に付着させる工程と、
   ａ－３）前記第２の基板と前記ステージとの吸着を解除し、前記第２の基板を前記ステージ上から搬出する工程と
   を含む請求項１に記載のステージの検査方法。
3. 前記工程ｄ）では、
   それぞれの前記凸部の位置および形状と、前記第１の基板に付着している前記検査用の膜の粒子の分布とに基づいて、それぞれの前記凸部の初期形状からの変化量を、前記ステージに形成されている複数の前記凸部の状態を評価するための評価値として算出される請求項１または２に記載のステージの検査方法。
4. ｅ）前記評価値が予め定められた第１の値以上である場合に、前記ステージの交換が必要になることを通知する第１の通知を出力する工程を含む請求項３に記載のステージの検査方法。
5. ｆ）前記評価値が前記第１の値よりも大きい第２の値以上である場合に、前記ステージの交換を指示する第２の通知を出力する工程を含む請求項４に記載のステージの検査方法。
6. ｇ）前記処理チャンバ内をクリーニングする工程を含み、
   前記工程ａ）は、前記工程ｇ）が実行された後に実行される請求項１から５のいずれか一項に記載のステージの検査方法。
7. 前記工程ｃ）が実行された後に、前記工程ｇ）がさらに実行される請求項６に記載のステージの検査方法。
8. 前記工程ｇ）は、前記処理チャンバ内に生成されたプラズマを用いて行われる請求項６または７に記載のステージの検査方法。
9. 前記工程ｃ）により前記処理チャンバ内から搬出された前記第１の基板は、搬送装置により、前記検査用の膜の粒子が付着した面が上を向くように回転させられた後に、前記第１の基板を収容する第１の容器内に搬入され、
   前記工程ｄ）では、前記第１の容器から搬出された前記第１の基板を用いて、前記ステージに形成されている複数の前記凸部の状態が評価される請求項１に記載のステージの検査方法。
10. 前記第２の基板は、前記第２の基板を収容する第２の容器内に、前記一方の面を上にした状態で収容されており、
    前記第２の容器から搬出された前記第２の基板は、前記一方の面が複数の前記凸部の上面と対向するように回転させられた後に、前記処理チャンバ内に搬入される請求項２に記載のステージの検査方法。

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