|
JP5138163B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-02-06 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
EP2453481B1
(en)
|
2004-11-10 |
2017-01-11 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor with amorphous oxide
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
JP2010153802A
(ja)
|
2008-11-20 |
2010-07-08 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5606680B2
(ja)
|
2009-01-19 |
2014-10-15 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法
|
|
US8278657B2
(en)
|
2009-02-13 |
2012-10-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
|
|
KR101396102B1
(ko)
|
2009-12-04 |
2014-05-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011102203A1
(en)
|
2010-02-19 |
2011-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device using the same
|
|
KR102420689B1
(ko)
|
2010-02-26 |
2022-07-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011132529A1
(en)
|
2010-04-23 |
2011-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
WO2011145484A1
(en)
|
2010-05-21 |
2011-11-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
WO2011145467A1
(en)
|
2010-05-21 |
2011-11-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
TWI541782B
(zh)
|
2010-07-02 |
2016-07-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
液晶顯示裝置
|
|
KR20120020073A
(ko)
|
2010-08-27 |
2012-03-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 설계 방법
|
|
JP5723262B2
(ja)
|
2010-12-02 |
2015-05-27 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
|
|
KR20200052993A
(ko)
*
|
2010-12-03 |
2020-05-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
산화물 반도체막 및 반도체 장치
|
|
JP2013153118A
(ja)
|
2011-03-09 |
2013-08-08 |
Kobe Steel Ltd |
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、上記酸化物を備えた薄膜トランジスタの半導体層および薄膜トランジスタ
|
|
JP5947099B2
(ja)
|
2011-05-20 |
2016-07-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP6005401B2
(ja)
|
2011-06-10 |
2016-10-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
WO2013042562A1
(en)
|
2011-09-22 |
2013-03-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8716708B2
(en)
|
2011-09-29 |
2014-05-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
US20130137232A1
(en)
|
2011-11-30 |
2013-05-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
|
|
JP6204036B2
(ja)
|
2012-03-16 |
2017-09-27 |
株式会社神戸製鋼所 |
酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
|
|
JP5901420B2
(ja)
|
2012-05-14 |
2016-04-13 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法
|
|
JP2014082388A
(ja)
|
2012-10-17 |
2014-05-08 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
JP5722293B2
(ja)
|
2012-10-19 |
2015-05-20 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタ
|
|
TWI624936B
(zh)
|
2013-06-05 |
2018-05-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置
|
|
JP2015195327A
(ja)
|
2013-06-05 |
2015-11-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US20150008428A1
(en)
|
2013-07-08 |
2015-01-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
|
|
WO2015128774A1
(en)
|
2014-02-28 |
2015-09-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device including the semiconductor device
|
|
US9564535B2
(en)
|
2014-02-28 |
2017-02-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
|
|
US9887291B2
(en)
|
2014-03-19 |
2018-02-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
|
|
US9768315B2
(en)
|
2014-04-18 |
2017-09-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and display device having the same
|
|
TWI669761B
(zh)
|
2014-05-30 |
2019-08-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置
|
|
KR102359180B1
(ko)
*
|
2014-06-09 |
2022-02-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치
|
|
JP2016095381A
(ja)
*
|
2014-11-13 |
2016-05-26 |
株式会社Joled |
表示装置およびその駆動方法
|
|
US9666655B2
(en)
*
|
2015-05-05 |
2017-05-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
|
US10418385B2
(en)
*
|
2016-11-18 |
2019-09-17 |
Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. |
Array substrate and fabrication method thereof, display panel
|
|
CN111279408B
(zh)
*
|
2017-11-09 |
2022-10-28 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备
|
|
KR20250038812A
(ko)
*
|
2018-05-11 |
2025-03-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
|
|
US12218246B2
(en)
*
|
2018-12-28 |
2025-02-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
|
|
US12464777B2
(en)
*
|
2019-07-26 |
2025-11-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including metal oxide
|
|
WO2021090104A1
(ja)
|
2019-11-08 |
2021-05-14 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置およびその作製方法
|