JP2022132361A - Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2017年5月12日に出願された米国出願第15/593,732号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
[00043] Yerr=Σ(Ti,protected)/Σ(Ti,all)
[00044] ここで、Σ(Ti,protected)はコレクタの直上のエリアにおける温度読み取り値の和であり、Σ(Ti,all)は壁周囲の全ての読み取り値の和である。
[00046] Ytilt CO2=Ytilt EUV+Ytilt Debris
[00056] Yerr=Σ(Ti,all)
EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザ放射を発生するように適合されたレーザと、
レーザ放射を受容するように配置され、レーザ放射を容器内の照射領域に誘導するように適合されたレーザステアリングシステムと、
レーザによって照射される照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、レーザによるターゲット材料の照射がEUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
照射領域内のターゲット材料の位置を調整するための、ターゲット材料デリバリシステムに結合されたターゲット材料ステアリングシステムと、
EUV放射の少なくとも1つの動作パラメータを測定するように、かつ、動作パラメータの値を示す第1の信号を発生するように適合されたEUV放射メトロロジシステムと、
容器内の位置に配置され、位置における容器内の温度を測定するように、かつ、測定した温度の値を示す温度信号を発生するように適合された温度センサと、
第1の信号及び温度信号を受信し、少なくとも部分的に測定した温度に基づいて制御信号を発生し、更に、制御信号をレーザステアリングシステム及びターゲット材料ステアリングシステムのうち少なくとも1つに提供して照射領域におけるレーザ放射とターゲット材料との相互作用を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。
容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、温度センサが配置されている位置はEUV光学要素の重力的に上方である、条項1に記載の装置。
EUV光学要素はコレクタミラーを含む、条項2に記載の装置。
温度センサが配置されている位置は容器の内壁上である、条項1に記載の装置。
温度センサは熱電対を含む、条項1に記載の装置。
容器内の第2の位置に配置され、第2の位置における容器内の第2の温度を測定するように、かつ、第2の測定した温度の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサを更に備え、コントローラは、第2の温度信号を受信するように、かつ、少なくとも部分的に第2の測定した温度に基づいて制御信号を発生するように適合されている、条項1に記載の装置。
EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザ放射を発生するように適合されたレーザと、
レーザ放射を受容するように配置され、レーザ放射を容器内の照射領域に誘導するように適合されたレーザステアリングシステムと、
レーザによって照射される照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、レーザによるターゲット材料の照射がEUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
照射領域内のターゲット材料の位置を調整するための、ターゲット材料デリバリシステムに結合されたターゲット材料ステアリングシステムと、
容器内に位置付けられたEUV光学要素と、
EUV光学要素の重力的に上方の容器内の第1の位置に配置され、第1の位置における容器内の第1の測定温度を測定するように、かつ、第1の測定温度の値を示す第1の温度信号を発生するように適合された第1の温度センサと、
容器内の第2の位置に配置され、第2の位置における容器内のガスの第2の温度を測定するように、かつ、第2の測定温度の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサと、
第1の信号及び温度信号を受信するように、かつ、少なくとも部分的に第1の測定温度及び第2の測定温度に基づいて制御信号を発生して、制御信号をレーザステアリングシステムに提供して、レーザ放射が照射領域においてターゲット材料に当たる角度を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。
EUV光学要素はコレクタミラーを含む、条項7に記載の装置。
第1の温度センサは容器の内壁上に配置され、第2の温度センサは容器の内壁上に配置されている、条項7に記載の装置。
第1の温度センサは第1の熱電対を含み、第2の温度センサは第2の熱電対を含む、条項7に記載の装置。
EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザビームを発生するように適合されたレーザと、
レーザビームを受容するように配置され、レーザビームを容器内の照射領域に誘導すると共に照射領域におけるレーザビームの傾斜を調整するように適合されたレーザステアリングシステムと、
レーザビームによって照射される照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、レーザビームによるターゲット材料の照射がEUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
容器内の位置に配置され、位置における容器内の温度を測定するように、かつ、測定した温度の値を示す温度信号を発生するように適合された温度センサと、
温度信号を受信し、少なくとも部分的に温度信号の値に基づいて制御信号を発生し、更に、制御信号をレーザステアリングシステムに提供してレーザビームの傾斜を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。
傾斜は温度を所定の最大値未満に維持するように調整される、条項11に記載の装置。
容器内の第2の位置に配置され、第2の位置における容器内の第2の温度を測定するように、かつ、測定した温度の第2の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサを更に備え、コントローラは更に、第2の温度信号を受信し、少なくとも部分的に第2の温度信号の第2の値に基づいて制御信号を発生し、制御信号をレーザステアリングシステムに提供してレーザビームの傾斜を調整するように適合されている、条項11に記載の装置。
容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、温度センサが配置されている位置はEUV光学要素の重力的に上方である、条項13に記載の装置。
EUV光学要素はコレクタミラーを含む、条項14に記載の装置。
温度センサが配置されている位置は容器の内壁上である、条項14に記載の装置。
温度センサは熱電対を含み、第2の温度センサは熱電対を含む、条項13に記載の装置。
EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザビームを発生するように適合されたレーザと、
レーザビームを受容するように配置され、レーザビームを容器内の照射領域に誘導すると共に照射領域におけるレーザビームの傾斜を調整するように適合されたレーザステアリングシステムと、
レーザビームによって照射される照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、レーザビームによるターゲット材料の照射がEUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
容器内の各位置に配置され、各位置における容器内の温度を測定するように、かつ、測定した温度の値を示す複数の温度信号を発生するように適合された複数の温度センサと、
複数の温度信号を受信し、少なくとも部分的に温度信号の値に基づいて制御信号を発生し、更に、制御信号をレーザステアリングシステムに提供してレーザビームの傾斜を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。
容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、複数の温度センサのうち少なくとも1つが配置されている位置はEUV光学要素の重力的に上方である、条項18に記載の装置。
複数の温度センサの各々は熱電対を含む、条項18に記載の装置。
Claims (20)
- EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザ放射を発生するように適合されたレーザと、
前記レーザ放射を受容するように配置され、前記レーザ放射を前記容器内の照射領域に誘導するように適合されたレーザステアリングシステムと、
前記レーザによって照射される前記照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、前記レーザによる前記ターゲット材料の前記照射が前記EUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
前記照射領域内の前記ターゲット材料の位置を調整するための、前記ターゲット材料デリバリシステムに結合されたターゲット材料ステアリングシステムと、
前記EUV放射の少なくとも1つの動作パラメータを測定するように、かつ、前記動作パラメータの値を示す第1の信号を発生するように適合されたEUV放射メトロロジシステムと、
前記容器内の位置に配置され、前記位置における前記容器内の温度を測定するように、かつ、前記測定した温度の値を示す温度信号を発生するように適合された温度センサと、
前記第1の信号及び前記温度信号を受信し、少なくとも部分的に前記測定した温度に基づいて制御信号を発生し、更に、前記制御信号を前記レーザステアリングシステム及び前記ターゲット材料ステアリングシステムのうち少なくとも1つに提供して前記照射領域における前記レーザ放射と前記ターゲット材料との相互作用を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。 - 前記容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、前記温度センサが配置されている前記位置は前記EUV光学要素の重力的に上方である、請求項1に記載の装置。
- 前記EUV光学要素はコレクタミラーを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記温度センサが配置されている前記位置は前記容器の内壁上である、請求項1に記載の装置。
- 前記温度センサは熱電対を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記容器内の第2の位置に配置され、前記第2の位置における前記容器内の第2の温度を測定するように、かつ、前記第2の測定した温度の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサを更に備え、前記コントローラは、前記第2の温度信号を受信するように、かつ、少なくとも部分的に前記第2の測定した温度に基づいて前記制御信号を発生するように適合されている、請求項1に記載の装置。
- EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザ放射を発生するように適合されたレーザと、
前記レーザ放射を受容するように配置され、前記レーザ放射を前記容器内の照射領域に誘導するように適合されたレーザステアリングシステムと、
前記レーザによって照射される前記照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、前記レーザによる前記ターゲット材料の前記照射が前記EUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
前記照射領域内の前記ターゲット材料の位置を調整するための、前記ターゲット材料デリバリシステムに結合されたターゲット材料ステアリングシステムと、
前記容器内に位置付けられたEUV光学要素と、
前記EUV光学要素の重力的に上方の前記容器内の第1の位置に配置され、前記第1の位置における前記容器内の第1の測定温度を測定するように、かつ、前記第1の測定温度の値を示す第1の温度信号を発生するように適合された第1の温度センサと、
前記容器内の第2の位置に配置され、前記第2の位置における前記容器内のガスの第2の温度を測定するように、かつ、前記第2の測定温度の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサと、
前記第1の信号及び前記温度信号を受信するように、かつ、少なくとも部分的に前記第1の測定温度及び前記第2の測定温度に基づいて制御信号を発生して、前記制御信号を前記レーザステアリングシステムに提供して、前記レーザ放射が前記照射領域において前記ターゲット材料に当たる角度を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。 - 前記EUV光学要素はコレクタミラーを含む、請求項7に記載の装置。
- 前記第1の温度センサは前記容器の内壁上に配置され、前記第2の温度センサは前記容器の内壁上に配置されている、請求項7に記載の装置。
- 前記第1の温度センサは第1の熱電対を含み、前記第2の温度センサは第2の熱電対を含む、請求項7に記載の装置。
- EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザビームを発生するように適合されたレーザと、
前記レーザビームを受容するように配置され、前記レーザビームを前記容器内の照射領域に誘導すると共に前記照射領域における前記レーザビームの傾斜を調整するように適合されたレーザステアリングシステムと、
前記レーザビームによって照射される前記照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、前記レーザビームによる前記ターゲット材料の前記照射が前記EUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
前記容器内の位置に配置され、前記位置における前記容器内の温度を測定するように、かつ、前記測定した温度の値を示す温度信号を発生するように適合された温度センサと、
前記温度信号を受信し、少なくとも部分的に前記温度信号の前記値に基づいて制御信号を発生し、更に、前記制御信号を前記レーザステアリングシステムに提供して前記レーザビームの前記傾斜を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。 - 前記傾斜は前記温度を所定の最大値未満に維持するように調整される、請求項11に記載の装置。
- 前記容器内の第2の位置に配置され、前記第2の位置における前記容器内の第2の温度を測定するように、かつ、前記測定した温度の第2の値を示す第2の温度信号を発生するように適合された第2の温度センサを更に備え、前記コントローラは更に、前記第2の温度信号を受信し、少なくとも部分的に前記第2の温度信号の前記第2の値に基づいて前記制御信号を発生し、前記制御信号を前記レーザステアリングシステムに提供して前記レーザビームの前記傾斜を調整するように適合されている、請求項11に記載の装置。
- 前記容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、前記温度センサが配置されている前記位置は前記EUV光学要素の重力的に上方である、請求項13に記載の装置。
- 前記EUV光学要素はコレクタミラーを含む、請求項14に記載の装置。
- 前記温度センサが配置されている前記位置は前記容器の内壁上である、請求項14に記載の装置。
- 前記温度センサは熱電対を含み、前記第2の温度センサは熱電対を含む、請求項13に記載の装置。
- EUV放射を発生するための装置であって、
容器と、
レーザビームを発生するように適合されたレーザと、
前記レーザビームを受容するように配置され、前記レーザビームを前記容器内の照射領域に誘導すると共に前記照射領域における前記レーザビームの傾斜を調整するように適合されたレーザステアリングシステムと、
前記レーザビームによって照射される前記照射領域にターゲット材料を送出するように適合されたターゲット材料デリバリシステムであって、前記レーザビームによる前記ターゲット材料の前記照射が前記EUV放射を発生する、ターゲット材料デリバリシステムと、
前記容器内の各位置に配置され、前記各位置における前記容器内の温度を測定するように、かつ、前記測定した温度の値を示す複数の温度信号を発生するように適合された複数の温度センサと、
前記複数の温度信号を受信し、少なくとも部分的に前記温度信号の前記値に基づいて制御信号を発生し、更に、前記制御信号を前記レーザステアリングシステムに提供して前記レーザビームの前記傾斜を調整するように適合されたコントローラと、
を備える装置。 - 前記容器内に位置付けられたEUV光学要素を更に備え、前記複数の温度センサのうち少なくとも1つが配置されている前記位置は前記EUV光学要素の重力的に上方である、請求項18に記載の装置。
- 前記複数の温度センサの各々は熱電対を含む、請求項18に記載の装置。
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