JP2017528758A - 放射源を監視するためのデバイス、放射源、放射源を監視する方法、デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[001] 本願は、2014年9月11日に出願した欧州特許出願第14184445.6号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
CεA/d
Claims (20)
- リソグラフィ装置用の放射源を監視するためのデバイスであって、前記放射源は、燃料からプラズマを生成することによって放射を発生させるように構成され、前記デバイスは、
1つ以上のキャパシタであって、各キャパシタは、蒸気が導体間のギャップを流れることができるように設置された少なくとも2つの導体を含み、前記ギャップ内の前記蒸気の濃度及び前記蒸気から前記ギャップに形成される堆積物の量のうちの一方又は両方は、前記キャパシタの静電容量に対して影響を与える、1つ以上のキャパシタと、
測定システムであって、前記1つ以上キャパシタのうちの少なくとも1つに対して、前記キャパシタの前記ギャップ内の前記蒸気の濃度の測定値及び前記キャパシタの前記ギャップ内の前記堆積物の量の測定値のうちの一方又は両方を、前記1つ以上のキャパシタのうちの少なくとも1つの静電容量又は前記静電容量に依存するパラメータを測定することによって出力するように構成された測定システムと
を備える、デバイス。 - 前記測定システムによって出力された前記蒸気の前記濃度の前記測定値又は前記堆積物の前記量の前記測定値を用いて前記放射源の1つ以上の動作パラメータを制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記1つ以上の動作パラメータは、前記プラズマを生成するためにレーザ放射を前記燃料に供給するように構成されたレーザデリバリシステムの動作パラメータを含む、請求項2に記載のデバイス。
- 前記1つ以上の動作パラメータは、蒸発される前記燃料の流れを生成するように構成された燃料デリバリシステムの動作パラメータを含む、請求項2又は3に記載のデバイス。
- 前記コントローラは、前記測定システムによって測定された前記蒸気の前記濃度の前記測定値が低限閾値を下回ったときに前記プラズマの生成速度が上昇するように前記1つ以上の動作パラメータを制御するように構成される、請求項2〜4のいずれかに記載のデバイス。
- 前記1つ以上の動作パラメータは、前記放射源から蒸気を除去するために放射源中にガス流を提供するように構成されたガスデリバリシステムの動作パラメータを含む、請求項2〜5のいずれかに記載のデバイス。
- 前記コントローラは、前記測定システムによって測定された前記堆積物の前記量の前記測定値が上限閾値を上回ったときを検出するように構成される、請求項2〜6のいずれかに記載のデバイス。
- 前記コントローラは、前記測定システムによって測定された前記堆積物の前記量の前記測定値が前記上限閾値を上回ったことを示すアラーム信号を出力するか、洗浄手順を開始するか、又は前記放射源をセーフティモードに入れるか若しくはシャットダウンさせるようにさらに構成される、請求項7に記載のデバイス。
- 前記1つ以上のキャパシタは、第1キャパシタ及び第2キャパシタを含み、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタの各々は、少なくとも2つの導体を含み、
前記第1キャパシタの前記少なくとも2つの導体は、前記第2キャパシタの前記少なくとも2つの導体とは異なって構成され、
前記測定システムは、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタの両方からの測定値を用いて、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタのうちの一方又は両方に対して、前記キャパシタの前記ギャップ内の蒸気の濃度によってもたらされる前記キャパシタの前記静電容量に対する影響と前記キャパシタの前記ギャップ内の前記蒸気から形成される堆積物の量によってもたらされる前記キャパシタの前記静電容量に対する影響とを区別するように構成される、請求項1〜8のいずれかに記載のデバイス。 - 前記第1キャパシタは、第1表面積にわたって互いに向かい合う2つの導体を含み、
前記第2キャパシタは、第2表面積にわたって互いに向かい合う2つの導体を含み、
前記第1表面積のサイズは、前記第2表面積のサイズとは異なる、請求項9に記載のデバイス。 - 前記第1キャパシタは、互いに向かい合う2つの導体を含み、
前記第2キャパシタは、互いに向かい合う2つの導体を含み、
前記第1キャパシタの前記2つの導体間の平均離隔距離は、前記第2キャパシタの前記2つの導体間の平均離隔距離とは異なる、請求項9又は10に記載のデバイス。 - 前記1つ以上のキャパシタは、平行プレートである少なくとも2つの導体を有するキャパシタを含む、請求項1〜11のいずれかに記載のデバイス。
- 前記1つ以上のキャパシタは、少なくとも2つの導体を有するキャパシタ及び前記キャパシタの前記静電容量を変化させるために前記導体間に相対運動を提供するように構成された運動機構を含む、請求項1〜12のいずれかに記載のデバイス。
- 前記運動機構は、互いに向かい合う2つの導体の表面積のサイズを変化させるために前記2つの導体の間に相対回転を提供するように構成された回転機構を含む、請求項13に記載のデバイス。
- 前記1つ以上のキャパシタは、前記蒸気が複数のギャップを流れることができるように設置された3つ以上の導体を有するキャパシタを含み、前記複数のギャップのうちの各々は、前記導体の異なる対の間に設けられる、請求項1〜14のいずれかに記載のデバイス。
- 前記燃料は、Li、Sn、Gd又はTbを含む、請求項1〜15のいずれかに記載のデバイス。
- 前記1つ以上のキャパシタの温度を測定するように構成された温度測定システム及び前記1つ以上のキャパシタに熱を加えるように構成された加熱システムのうちの一方又は両方をさらに備える、請求項1〜16のいずれかに記載のデバイス。
- 請求項1〜17のいずれかに記載の放射源を監視するためのデバイスを備える、放射源。
- リソグラフィ装置用の放射源を監視する方法であって、前記放射源は、燃料からプラズマを生成することによって放射を発生させるように構成され、前記方法は、
1つ以上のキャパシタを提供することであって、各キャパシタは、蒸気が導体間のギャップを流れることができるように設置された少なくとも2つの導体を含み、前記ギャップ内の前記蒸気の濃度及び前記蒸気から前記ギャップに形成される堆積物の量のうちの一方又は両方は、前記キャパシタの静電容量に対して影響を与える、提供することと、
前記1つ以上のキャパシタのうちの少なくとも1つの静電容量又は前記静電容量に依存するパラメータを測定し、測定した前記静電容量又は前記パラメータを用いて前記キャパシタの前記ギャップ内の前記蒸気の濃度の測定値及び前記キャパシタの前記ギャップ内の前記堆積物の量の測定値のうちの一方又は両方を含む出力を提供することとを含む、方法。 - デバイス製造方法であって、
放射をリソグラフィ装置に供給するために放射源を用いることと、
デバイスを製造するために前記リソグラフィ装置を用いることと、
前記放射源を以下の、
1つ以上のキャパシタ提供することであって、各キャパシタは、蒸気が導体間のギャップを流れることができるように設置された少なくとも2つの導体を含み、前記ギャップ内の前記蒸気の濃度及び前記蒸気から前記ギャップに形成される堆積物の量のうちの一方又は両方は、前記キャパシタの静電容量に対して影響を与える、提供すること、
前記1つ以上のキャパシタのうちの少なくとも1つの静電容量又は前記静電容量に依存するパラメータを測定し、測定した前記静電容量又は前記パラメータを用いて前記キャパシタの前記ギャップ内の前記蒸気の濃度の測定値及び前記キャパシタの前記ギャップ内の前記堆積物の量の測定値のうちの一方又は両方を含む出力を提供すること、及び
前記出力を用いて前記放射源の1つ以上の動作パラメータを制御するためにコントローラを使用すること
によって制御することと
を含む、デバイス製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022132361A (ja) * | 2017-05-12 | 2022-09-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10495987B2 (en) * | 2017-09-28 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source apparatus, EUV lithography system, and method for decreasing debris in EUV lithography system |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722482A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-24 | Hitachi Ltd | 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 |
US5767687A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Geist; Jon | Surface-capacitor type condensable-vapor sensor |
JPH11248665A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-09-17 | St Microelectronics Inc | 容量性センサの検知表面上の物理的物体の非侵襲性検知方法 |
JPH11293481A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Toshiba Corp | 薄膜処理方法及びその装置 |
JP2000018020A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-18 | Nippon Soken Inc | 内燃機関の排出黒煙低減システム |
US20050225308A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Orvek Kevin J | Real-time monitoring of particles in semiconductor vacuum environment |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
JP2006245255A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
JP2007258239A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法 |
US20090021270A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | International Business Machines Corporation | Capacitive detection of dust accumulation in a heat sink |
JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びeuv放射を検出する方法 |
JP2011228420A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Meidensha Corp | 真空コンデンサ |
JP2013157556A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 回転コンデンサー |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0317871A3 (de) | 1987-11-24 | 1991-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensor zum Nachweis gasförmiger Stoffe |
JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1996-12-11 | 松下電子工業株式会社 | 異物検査装置 |
US6210368B1 (en) * | 1998-04-30 | 2001-04-03 | Medtronic, Inc. | Reservoir volume sensors |
US6917885B2 (en) | 2003-06-06 | 2005-07-12 | Steris Inc. | Method and apparatus for formulating and controlling chemical concentration in a gas mixture |
WO2005031169A1 (en) | 2003-09-26 | 2005-04-07 | The Boc Group Plc | Detection of contaminants within fluid pumped by a vacuum pump |
US7196342B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
US7986146B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-07-26 | Globalfoundries Inc. | Method and system for detecting existence of an undesirable particle during semiconductor fabrication |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
US9039362B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-05-26 | Minebea Co., Ltd. | Impeller and centrifugal fan using the same |
NL2013493A (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-20 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus device manufacturing method, sensor system and sensing method. |
-
2015
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722482A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-24 | Hitachi Ltd | 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置 |
US5767687A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Geist; Jon | Surface-capacitor type condensable-vapor sensor |
JPH11248665A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-09-17 | St Microelectronics Inc | 容量性センサの検知表面上の物理的物体の非侵襲性検知方法 |
JPH11293481A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Toshiba Corp | 薄膜処理方法及びその装置 |
JP2000018020A (ja) * | 1998-04-30 | 2000-01-18 | Nippon Soken Inc | 内燃機関の排出黒煙低減システム |
US20050225308A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Orvek Kevin J | Real-time monitoring of particles in semiconductor vacuum environment |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
JP2006245255A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
JP2007258239A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法 |
JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びeuv放射を検出する方法 |
US20090021270A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | International Business Machines Corporation | Capacitive detection of dust accumulation in a heat sink |
JP2011228420A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Meidensha Corp | 真空コンデンサ |
JP2013157556A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 回転コンデンサー |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022132361A (ja) * | 2017-05-12 | 2022-09-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法 |
JP7312893B2 (ja) | 2017-05-12 | 2023-07-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6647282B2 (ja) | 2020-02-14 |
NL2015292A (en) | 2016-08-18 |
KR20170051514A (ko) | 2017-05-11 |
US20170307978A1 (en) | 2017-10-26 |
WO2016037786A1 (en) | 2016-03-17 |
CN107077073A (zh) | 2017-08-18 |
US10042260B2 (en) | 2018-08-07 |
CN107077073B (zh) | 2018-12-07 |
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