JP2022129553A - センサーモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】信頼性の高いセンサーモジュールを提供すること。【解決手段】センサーモジュール１は、第１面２１と、第１面２１とは表裏関係にある第２面２２と、第１面２１又は第２面２２の一方に設けられる第１端子２９２と、第１面２１に設けられる第２端子２９４と、を有する基板２と、第１端子２９２に接合されるリード９と、第１融点を有し、第１ヤング率を有し、リード９と第１端子２９２とを接合する第１導電性接合部材５１と、第２端子２９４に接合される慣性センサー３と、第１融点よりも低い第２融点を有し、第１ヤング率よりも高い第２ヤング率を有し、慣性センサー３と第２端子２９４とを接合する第２導電性接合部材５２と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、センサーモジュールに関する。
従来、特許文献１に示すように、気密パッケージ内に圧電素子片を固着した圧電素子などの電子部品を基板にはんだ固着して電子装置を製造する際に、先にはんだ固着する作業に高い溶融温度のはんだを用い、後ではんだ固着する作業に低い溶融温度のはんだを用い、後で行なわれるはんだ付けが前に行なわれたはんだに影響しないようにはんだの溶融温度を異ならせること、が知られている。
特開平１０－２４２６３３号公報
しかしながら、特許文献１に記載の電子装置では、溶融温度の低い方のはんだ材料として、例えば、Ｓｎ－Ｂｉ共晶はんだが用いられており、Ｓｎ－Ｂｉ共晶はんだは、機械的強度や熱疲労耐性が低く、電子装置用はんだとしての信頼性が十分ではない。このため、特許文献１に記載されている電子装置におけるはんだの使い分けを、例えば、加速度センサーや角速度センサーなどの慣性センサーを基板に搭載したセンサーモジュールに適用した場合、センサーモジュールの使用環境において、慣性センサーと基板との熱膨張率の差に起因する応力が、慣性センサーと基板との接合部であるはんだに繰り返し加わることにより、はんだが劣化し、センサーモジュールの機能が不安定になるなど、センサーモジュールの信頼性が低下するという課題がある。
センサーモジュールは、第１面と、前記第１面とは表裏関係にある第２面と、前記第１面又は前記第２面の一方に設けられる第１端子と、前記第１面に設けられる第２端子と、を有する基板と、前記第１端子に接合されるリードと、第１融点を有し、第１ヤング率を有し、前記リードと前記第１端子とを接合する第１導電性接合部材と、前記第２端子に接合される慣性センサーと、前記第１融点よりも低い第２融点を有し、前記第１ヤング率よりも高い第２ヤング率を有し、前記慣性センサーと前記第２端子とを接合する第２導電性接合部材と、を備える。
実施形態１に係るセンサーモジュールの平面図。 実施形態１に係るセンサーモジュールの下面図。 図１中のＡ－Ａ線での断面図。 図１中のＥ部を示す平面図。 実施形態１に係るセンサーモジュールの主要な製造工程を示すフローチャート。 実施形態１に係るセンサーモジュールの製造工程を表す断面模式図。 実施形態１に係るセンサーモジュールの製造工程を表す断面模式図。 実施形態１に係るセンサーモジュールの製造工程を表す断面模式図。 実施形態１に係るセンサーモジュールの製造工程を表す断面模式図。 実施形態２に係るセンサーモジュールの平面図。 図１０中のＢ－Ｂ線での断面図。 実施形態３に係るセンサーモジュールの平面図。 図１２中のＣ－Ｃ線での断面図。
１．実施形態１
実施形態１に係るセンサーモジュール１について、図１～図４を参照して説明する。なお、図１は、センサーモジュール１の内部の構成を説明する便宜上、キャップ７の天板部７０を取り外した状態を図示している。図４は、第１慣性センサー３１の内部の構成を説明する便宜上、加速度センサー素子３１０、角速度センサー素子３ｒ、及び内部電極３１３以外の構成要素を省略して図示している。なお、各図の各構成要素の寸法比率は実際とは異なる。
図面に付記する座標においては、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸として説明する。Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」とし、矢印の方向がプラス方向である。また、Ｚ方向のプラス方向を「上」又は「上方」、Ｚ方向のマイナス方向を「下」又は「下方」として説明する。また、Ｚ方向からの平面視において、Ｚ方向プラス側の面を上面、これと反対側となるＺ方向マイナス側の面を下面として説明する。
図１～図３に示すように、センサーモジュール１は、基板２と、基板２の第１面２１に接合されたキャップ７と、第１面２１に接合された慣性センサー３と、第１面２１とは表裏関係にある基板２の第２面２２に接合されたリード９と、第２面２２に接合された回路素子８と、を有する。本実施形態では、基板２の第１面２１は、基板２の上面であり、第２面２２は、基板２の下面である。
基板２の第２面２２には、センサーモジュール１の外部接続端子である第１端子２９２と、センサーモジュール１の内部接続端子である第３端子２９６と、が設けられる。第１端子２９２と、リード９と、は、第１導電性接合部材５１を介して接合している。なお、本実施形態では、第１端子２９２は、第２面２２に設けられているが、第１面２１に設けられていても構わない。言い換えると、第１端子２９２は、第１面２１又は第２面２２の一方に設けられていれば構わない。
また、第３端子２９６と、回路素子８と、は、第３導電性接合部材５３を介して接合している。
基板２の第１面２１には、センサーモジュール１の内部接続端子である第２端子２９４が設けられる。第２端子２９４と、慣性センサー３と、は、第２導電性接合部材５２を介して接合している。
まず、基板２について説明する。
図１及び図２に示すように、基板２は、プリント基板である。本実施形態では、基板２は、第１面２１に直交するＺ方向からの平面視で、外形が矩形状の板状である。基板２としては、例えば、セラミック基板、ガラスエポキシ基板などを用いることができる。なお、説明の便宜上、基板２に形成される配線については図示を省略し、第１面２１に設けられる第２端子２９４と、第２面２２に設けられる第１端子２９２、第３端子２９６のみを図示している。第１端子２９２、第２端子２９４、及び第３端子２９６は、基板２に形成される図示しない配線と電気的に接続している。
基板２は、Ｚ方向からの平面視で、第１の辺２Ａと、第１の辺２Ａに対向する第２の辺２Ｂと、第１の辺２Ａと第２の辺２Ｂとに隣り合う第３の辺２Ｃと、第３の辺２Ｃに対向する第４の辺２Ｄと、を有する。
基板２の第１面２１において、第１の辺２Ａには第１の凹部２３Ａが設けられ、第２の辺２Ｂには第２の凹部２３Ｂが設けられ、第３の辺２Ｃには第３の凹部２３Ｃが設けられ、第４の辺２Ｄには第４の凹部２３Ｄが設けられる。
次に、基板２の第１面２１側に位置する各部について説明する。
図１及び図３に示すように、基板２の第１面２１には、慣性センサー３が接合されている。第１面２１に、キャップ７が接合されることにより、第１面２１と、キャップ７と、の間に、慣性センサー３が収容される。
キャップ７は、Ｚ方向からの平面視で、基板２とほぼ相似形を呈する矩形状である。キャップ７としては、例えば、鉄－ニッケル系合金である４２アロイを用いることができる。
キャップ７は、天板部７０と、天板部７０の外周縁から下方に延設される側壁７１と、天板部７０と側壁７１とにより形成される凹部７１１と、側壁７１の下端部から内側に向けて突出する第１の凸部７２Ａ、第２の凸部７２Ｂ、第３の凸部７２Ｃ、第４の凸部７２Ｄと、を有する。
キャップ７の凸部７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄは、Ｚ方向からの平面視で、基板２の凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄとそれぞれ重なるように配置される。
キャップ７の第１の凸部７２Ａは、基板２の第１の凹部２３Ａと、図示しない接合部材を介して接着される。同様に、キャップ７の第２の凸部７２Ｂ、第３の凸部７２Ｃ、第４の凸部７２Ｄは、それぞれ基板２の第２の凹部２３Ｂ、第３の凹部２３Ｃ、第４の凹部２３Ｄと、図示しない接合部材を介して接合される。
キャップ７と、基板２の第１面２１と、が接合されることにより、凹部７１１内に慣性センサー３が収容される。
慣性センサー３は、第１慣性センサー３１と、第２慣性センサー３２と、角速度センサー３３と、を含む。
第１慣性センサー３１と、第２慣性センサー３２と、はＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３軸回りの角速度と、３軸に沿った方向の加速度と、を検出する、いわゆる６軸慣性センサーである。角速度センサー３３は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３軸のうち、所望の検出軸回りの角速度を高精度に検出するために設けられる。本実施形態では、角速度センサー３３は、Ｚ軸回りの角速度を検出する。なお、慣性センサー３は、このような構成に限定されず、各軸に沿った方向の加速度又は各軸回りの角速度のうち少なくとも１つを検出するセンサーであれば構わない。
慣性センサー３は、慣性センサー３の下面に接続端子３０１を有する。接続端子３０１は、慣性センサー３を制御する制御信号を慣性センサー３に入力するために、また、慣性センサー３が検出した加速度又は角速度などの検出信号を慣性センサー３から出力するために用いられる。
接続端子３０１と、基板２の第１面２１に設けられる第２端子２９４と、を第２導電性接合部材５２を介して接合することにより、接続端子３０１と、第２端子２９４と、が電気的に接続されるとともに、慣性センサー３が、基板２の第１面２１に固定される。
本実施形態では、第２導電性接合部材５２は、鉛フリーはんだであり、その組成を示す記号は、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉである。なお、組成を示す記号の表記は、日本産業規格Ｚ３２８２：２０１７に準じて表記する。具体的には、組成を示す記号は、鉛フリーはんだを主に構成する各元素の元素記号と、各元素の重量比を示す。例えば、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉは、すず（Ｓｎ）は残部として重量比の表示は省略し、すず（Ｓｎ）以外の元素について、それぞれ元素の重量比を表記し、具体的には、銀（Ａｇ）３．０％、銅（Ｃｕ）０．８％、ビスマス（Ｂｉ）３．０％、ニッケル（Ｎｉ）０．０２％含むことを示す。
第２導電性接合部材５２として用いたＳｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉの融点は２０５℃、ヤング率は５２．２ＧＰａである。言い換えると、第２導電性接合部材５２としてＳｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉを用いたとき、第２導電性接合部材５２の融点である第２融点は２０５℃であり、第２導電性接合部材５２のヤング率である第２ヤング率は５２．２ＧＰａである。
なお、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉなどの合金系の鉛フリーはんだは、Ｓｎ－ＢｉやＳｎ－Ｉｎなどの共晶系のはんだなどとは異なり、固相と液相とが共存する状態を有する。そのため、はんだの溶融状態を示す温度として、固相線温度と、液相線温度と、の２つの温度が定義されるが、本発明における融点は、固相線温度である。また、ヤング率は、２５℃における測定値である。
ここで、本実施形態における第１慣性センサー３１及び第２慣性センサー３２について、説明する。
図４に示すように、第１慣性センサー３１は、Ｚ方向からの平面視で、長辺３１１と、長辺３１１とは長さが異なる短辺３１２と、により囲まれた長方形状の外形を有する。本実施形態では、長辺３１１はＸ方向に平行であり、短辺３１２はＹ方向に平行である。
第１慣性センサー３１は、加速度センサー素子３１０と、角速度センサー素子３ｒと、図示しない配線により加速度センサー素子３１０と角速度センサー素子３ｒとに電気的に接続される複数の内部電極３１３と、を有する。
加速度センサー素子３１０と、角速度センサー素子３ｒと、は長辺３１１に沿ったＸ方向に並んで配置される。
加速度センサー素子３１０は、長辺３１１に沿ったＸ方向の加速度を検出するＸ軸加速度センサー素子３ｘと、長辺３１１と短辺３１２とを含む平面に垂直なＺ方向の加速度を検出するＺ軸加速度センサー素子３ｚと、短辺３１２に沿ったＹ方向の加速度を検出するＹ軸加速度センサー素子３ｙと、を有する。
Ｘ軸加速度センサー素子３ｘと、Ｚ軸加速度センサー素子３ｚと、Ｙ軸加速度センサー素子３ｙと、は短辺３１２に沿ったＹ方向において、Ｙ方向プラス側からＹ方向マイナス側に向かって、この順に並んで配置されている。ただし、Ｘ軸加速度センサー素子３ｘ、Ｚ軸加速度センサー素子３ｚ、Ｙ軸加速度センサー素子３ｙの配置は、これに限らず、例えば、Ｘ軸加速度センサー素子３ｘ、Ｚ軸加速度センサー素子３ｚ、Ｙ軸加速度センサー素子３ｙが、長辺３１１に沿ったＸ方向に並んで配置されていても構わない。
角速度センサー素子３ｒは、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の各軸回りの角速度を検出する３軸角速度センサー素子である。
複数の内部電極３１３は、長辺３１１に沿ったＸ方向に並んで配置されている。加速度センサー素子３１０と、複数の内部電極３１３と、は短辺３１２に沿った方向であるＹ方向に並んで配置されている。
第２慣性センサー３２は、第１慣性センサー３１を、Ｚ方向からの平面視で、反時計回りに９０度回転させた姿勢で基板２に実装している点以外は、第１慣性センサー３１と同一であるので、説明を省略する。
以上、基板２の第１面２１側に位置する各部について説明した。次に、基板２の第２面２２側に位置する各部について説明する。
図２及び図３に示すように、基板２の第２面２２には、センサーモジュール１の外部接続端子である第１端子２９２と、センサーモジュール１の内部接続端子である第３端子２９６と、が設けられる。第１端子２９２と、リード９と、は、第１導電性接合部材５１を介して接合している。第３端子２９６と、回路素子８と、は、第３導電性接合部材５３を介して接合している。
リード９は、例えば、製造時においてリードフレームを切断加工することにより形成されたものであり、例えば、鉄系材料や銅系材料で形成される。
リード９は、接続部９１を有し、接続部９１と、第１端子２９２と、が第１導電性接合部材５１を介して接合されることにより、第１端子２９２と、リード９と、が電気的に接続されるとともに、リード９が、基板２に固定される。
本実施形態では、第１導電性接合部材５１は、鉛フリーはんだであり、その組成を示す記号は、Ｓｎ－５．０Ｓｂである。Ｓｎ－５．０Ｓｂは、すず（Ｓｎ）以外の元素について、アンチモン（Ｓｂ）５．０％含むことを示す。
第１導電性接合部材５１として用いたＳｎ－５．０Ｓｂの融点は２４０℃、ヤング率は４５．４ＧＰａである。言い換えると、第１導電性接合部材５１としてＳｎ－５．０Ｓｂを用いたとき、第１導電性接合部材５１の融点である第１融点は２４０℃であり、第１導電性接合部材５１のヤング率である第１ヤング率は４５．４ＧＰａである。
上述したように、本実施形態では、第２導電性接合部材５２の融点である第２融点は２０５℃であり、第２導電性接合部材５２のヤング率である第２ヤング率は５２．２ＧＰａである。すなわち、第２導電性接合部材５２は、第１導電性接合部材５１の第１融点２４０℃よりも低い第２融点２０５℃を有し、第１導電性接合部材５１の第１ヤング率４５．４ＧＰａよりも高い第２ヤング率５２．２ＧＰａを有する。
このように、第２導電性接合部材５２の第２ヤング率を、第１導電性接合部材５１の第１ヤング率よりも高くすることにより、慣性センサー３と基板２との熱膨張率の差に起因する応力が、慣性センサー３と基板２との接合部である第２導電性接合部材５２に繰り返し加わる場合でも、第２導電性接合部材５２の劣化を抑制することができる。具体的には、第２導電性接合部材５２にクラックが発生し難くなり、また、発生したクラックが拡大し難くなる。そのため、慣性センサー３と基板２との電気的な接続を長期間確保することができるので、センサーモジュール１の機能が安定し、センサーモジュール１の信頼性を高めることができる。
なお、本実施形態では、第１導電性接合部材５１として、Ｓｎ－５．０Ｓｂを用いているが、これに限らず、Ｓｎ－５．０Ｓｂ以外のはんだを用いても構わない。Ｓｎ－５．０Ｓｂ以外のはんだとしては、例えば、Ｓｎ－１０．０Ｓｂなどを第１導電性接合部材５１として用いることができる。Ｓｎ－１０．０Ｓｂの融点は、２４５℃、ヤング率は４７．９ＧＰａである。第１導電性接合部材５１として用いるはんだとしては、融点が２３０℃以上のはんだが好ましい。また、本実施形態では、第１導電性接合部材５１として、鉛フリーはんだを用いているが、鉛含有はんだでも構わない。
また、第１導電性接合部材５１としてＳｎ－５．０Ｓｂなどの高温系はんだを用いることにより、顧客がセンサーモジュール１を顧客基板に実装するためにリード９と顧客基板とをはんだ付けする際における、第１導電性接合部材５１の再溶融を抑制することができる。センサーモジュール１は、顧客に出荷する前に較正を行い、慣性センサー３の検出軸のずれなどを補正しているが、顧客がセンサーモジュール１を顧客基板に実装する際に、第１導電性接合部材５１が再溶融すると、リード９と基板２との接合状態が変化し、すなわち、慣性センサー３の検出軸のずれなどが出荷前の状態から変化し、センサーモジュール１の検出精度が低下してしまう。しかし、第１導電性接合部材５１の再溶融を抑制することにより、センサーモジュール１の検出精度の低下を防ぐことができる。
また、図２及び図３に示すように、基板２の第２面２２には、第３端子２９６が設けられており、第３端子２９６と、回路素子８と、は、第３導電性接合部材５３を介して接合している。
回路素子８は、例えば、半導体チップであるベアチップをモールドした構成である。回路素子８は、慣性センサー３の駆動を制御するとともに、慣性センサー３から出力される検出信号を処理する。具体的には、回路素子８は、慣性センサー３から出力される検出信号に対するサンプリング処理、ゼロ点補正、感度調整、フィルター処理、温度補正、検出信号の合成等の各種の処理を行い、処理後の検出信号を出力する。
回路素子８の上面、すなわち、回路素子８において第３端子２９６と対向する面には、接続端子８０１が設けられる。接続端子８０１と、第３端子２９６と、は第３導電性接合部材５３を介して接合している。
接続端子８０１は、慣性センサー３が検出した加速度又は角速度などの検出信号を回路素子８に入力するために、また、慣性センサー３を制御する制御信号や、慣性センサー３から入力された検出信号を回路素子８において処理した処理後の検出信号などを回路素子８から出力するために用いられる。
接続端子８０１と、基板２の第２面２２に設けられる第３端子２９６と、を第３導電性接合部材５３を介して接合することにより、接続端子８０１と、第３端子２９６と、が電気的に接続されるとともに、回路素子８が、基板２の第２面２２に固定される。
本実施形態では、第３導電性接合部材５３は、第２導電性接合部材５２と同一組成の鉛フリーはんだを用いている。具体的には、第３導電性接合部材５３としてＳｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉを用いており、第３導電性接合部材５３の融点である第３融点は２０５℃であり、第３導電性接合部材５３のヤング率である第３ヤング率は５２．２ＧＰａである。
上述したように、本実施形態では、第１導電性接合部材５１の融点である第１融点は２４０℃であり、第１導電性接合部材５１のヤング率である第１ヤング率は４５．４ＧＰａである。すなわち、第３導電性接合部材５３は、第１導電性接合部材５１の第１融点２４０℃よりも低い第２融点２０５℃を有し、第１導電性接合部材５１の第１ヤング率４５．４ＧＰａよりも高い第３ヤング率５２．２ＧＰａを有する。
このように、第３導電性接合部材５３の第３ヤング率を、第１導電性接合部材５１の第１ヤング率よりも高くすることにより、回路素子８と基板２との熱膨張率の差に起因する応力による第３導電性接合部材５３の劣化を抑制することができる。そのため、回路素子８と基板２との電気的な接続を長期間確保することができるので、センサーモジュール１の機能が安定し、センサーモジュール１の信頼性を高めることができる。
なお、本実施形態では、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３として、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉを用いているが、これに限らず、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉ以外のはんだを用いても構わない。具体的には、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３として用いるはんだとしては、第２融点及び第３融点が第１融点よりも低く、第２ヤング率及び第３ヤング率が第１ヤング率よりも高いはんだであれば構わない。
Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉ以外のはんだとしては、例えば、Ｓｎ－３．０Ａｇ－３．０Ｂｉ－３．０Ｉｎ、Ｓｎ－３．９Ａｇ－０．６Ｃｕ－３．０Ｓｂ、Ｓｎ－３．８Ａｇ－０．７Ｃｕ－３．０Ｂｉ－１．４Ｓｂ－０．１５Ｎｉなどを用いることができる。Ｓｎ－３．０Ａｇ－３．０Ｂｉ－３．０Ｉｎの融点は１９８℃、ヤング率は４７．７ＧＰａである。Ｓｎ－３．９Ａｇ－０．６Ｃｕ－３．０Ｓｂの融点は２２１℃、ヤング率は５０．１ＧＰａである。Ｓｎ－３．８Ａｇ－０．７Ｃｕ－３．０Ｂｉ－１．４Ｓｂ－０．１５Ｎｉの融点は２０７℃、ヤング率は５３．０ＧＰａである。
なお、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３としては、それぞれのヤング率である第２ヤング率及び第３ヤング率が５０ＧＰａ以上のはんだが好ましい。また、本実施形態では、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３として、鉛フリーはんだを用いているが、鉛含有はんだでも構わない。
また、本実施形態では、第２導電性接合部材５２に用いるはんだと、第３導電性接合部材５３に用いるはんだと、は同じ組成のはんだを使用しているが、それぞれ異なる組成のはんだを使用しても構わない。言い換えると、第２融点と、第３融点は、異なっていても構わない。また、第２ヤング率と、第３ヤング率と、は異なっていても構わない。なお、第２融点と、第３融点と、を異ならせる場合は、基板２に先に回路素子８を接合し、後に慣性センサー３を接合する時は、第３融点を第２融点よりも高くし、逆に、基板２に先に慣性センサー３を接合し、後に回路素子８を接合する時は、第２融点を第３融点よりも高くすることが好ましい。
次に、センサーモジュール１の製造方法について、図５～図９を参照して説明する。センサーモジュール１の製造方法は、図５に示すように、リード接合工程と、回路素子実装工程と、慣性センサー実装工程と、リードフォーミング工程と、を含む。
１．１ リード接合工程
図６に示すように、ステップＳ１において、基板２の第２面２２に設けられる第１端子２９２と、リード９の接続部９１と、を第１導電性接合部材５１を介して接合する。第１端子２９２と、リード９の接続部９１と、を第１導電性接合部材５１を介して接合する方法としては、例えば、リフローソルダリング法を用いることができる。
まず、第１面２１に第２端子２９４が設けられており、第２面２２に第１端子２９２と、第３端子２９６と、が設けられている基板２と、リード９と、を準備する。なお、本実施形態では、ステップＳ１において準備されるリード９は、図示しない枠体を有する平板状のリードフレームである。
次に、リード９の接続部９１に、第１導電性接合部材５１を塗布する。第１導電性接合部材５１を塗布する方法としては、例えば、第１導電性接合部材５１の粉末をフラックスに分散したペーストを塗布することにより行うことができる。
そして、第１導電性接合部材５１が塗布された接続部９１と、第１端子２９２と、を第１導電性接合部材５１を介して接触させた状態で、リフロー炉において加熱することにより、第１導電性接合部材５１を溶融させる。これにより、リード９と、第１端子２９２と、を第１導電性接合部材５１を介して接合することができる。
なお、本実施形態では、第１導電性接合部材５１はリード９の接続部９１に塗布しているが、第１端子２９２に塗布することにしても構わない。
１．２ 回路素子実装工程
図７に示すように、ステップＳ２において、基板２の第２面２２に設けられる第３端子２９６と、回路素子８に設けられる接続端子８０１と、を第３導電性接合部材５３を介して接合する。第３端子２９６と、回路素子８と、を第３導電性接合部材５３を介して接合する方法としては、例えば、リフローソルダリング法を用いることができる。
上述したように、第３導電性接合部材５３は、第１導電性接合部材５１の第１融点よりも低い第３融点を有するので、ステップＳ２において、リフロー炉内の温度を第３融点よりも高く、かつ、第１融点よりも低くすることにより、第１導電性接合部材５１の再溶融を抑制することができる。これにより、第１導電性接合部材５１の再溶融による基板２とリード９との接合不良を生じ難くすることができ、センサーモジュール１の製造歩留まりを向上させることができる。
１．３ 慣性センサー実装工程
図８に示すように、ステップＳ３において、基板２の第１面２１に設けられる第２端子２９４と、慣性センサー３に設けられる接続端子３０１と、を第２導電性接合部材５２を介して接合する。第２端子２９４と、慣性センサー３と、を第２導電性接合部材５２を介して接合する方法としては、例えば、リフローソルダリング法を用いることができる。
上述したように、第２導電性接合部材５２は、第１導電性接合部材５１の第１融点よりも低い第２融点を有するので、ステップＳ３において、リフロー炉内の温度を第２融点よりも高く、かつ、第１融点よりも低くすることにより、第１導電性接合部材５１の再溶融を抑制することができる。これにより、第１導電性接合部材５１の再溶融による基板２とリード９との接合不良を生じ難くすることができ、センサーモジュール１の製造歩留まりを向上させることができる。
１．４ リードフォーミング工程
図９に示すように、ステップＳ４において、リード９を所望の形状に加工する。
まず、図示しない枠体を有するリードフレームから枠体を切断し、さらにリード９を折り曲げることにより、リード９を所望の形状に加工する。本実施形態では、リード９は、その形状がいわゆるガルウイング形状となるように加工される。
次に、キャップ７を図示しない接合部材を介して基板２の第１面２１に接合する。なお、本実施形態では、リード９を所望の形状に加工した後にキャップ７を基板２に接合しているが、キャップ７を基板２に接合した後にリード９を所望の形状に加工することにしても構わない。
以上の製造工程により、センサーモジュール１を製造することができる。
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
センサーモジュール１は、リード９と基板２に設けられる第１端子２９２とを接合する、第１融点と第１ヤング率とを有する第１導電性接合部材５１と、慣性センサー３と基板２に設けられる第２端子２９４とを接合する、第１融点よりも低い第２融点と、第１ヤング率よりも高い第２ヤング率とを有する第２導電性接合部材５２と、を備える。このように、第２導電性接合部材５２の第２ヤング率を、第１導電性接合部材５１の第１ヤング率よりも高くすることにより、慣性センサー３と基板２との熱膨張率の差に起因する応力による第２導電性接合部材５２の劣化を抑制することができる。そのため、慣性センサー３と基板２との電気的な接続を長期間確保することができるので、センサーモジュール１の機能が安定し、センサーモジュール１の信頼性を高めることができる。
また、第２導電性接合部材５２の第２融点を、第１導電性接合部材５１の第１融点よりも低くすることにより、まず先に基板２とリード９とを第１導電性接合部材５１により接合し、その後で基板２と慣性センサー３とを第２導電性接合部材５２により接合する場合、第２導電性接合部材５２による接合時における第１導電性接合部材５１の再溶融が抑制される。これにより、第１導電性接合部材５１の再溶融による基板２とリード９との接合不良を生じ難くすることができ、センサーモジュール１の製造歩留まりを向上させることができる。
２．実施形態２
次に、実施形態２に係るセンサーモジュール１ａを、図１０及び図１１を参照して説明する。なお、以下の説明では、上述した実施形態１との相違点を中心に説明し、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
本実施形態に係るセンサーモジュール１ａは、第１端子２９２ａが基板２の第１面２１に設けられている点が、実施形態１とは異なる。
図１０に示すように、基板２の上面である第１面２１には、第１端子２９２ａが設けられており、Ｚ方向からの平面視で、第１端子２９２ａと、リード９ａの接続部９１ａと、はそれぞれ重なるように配置される。
図１１に示すように、基板２の第１面２１に設けられている第１端子２９２ａと、リード９ａの接続部９１ａと、は第１導電性接合部材５１ａを介して接合している。なお、基板２の第１の凹部２３Ａにおいて、リード９ａは、第１の凹部２３Ａの側面及び底面に沿うように折り曲げられた形状を有する。図示は省略するが、基板２の第２の凹部２３Ｂ、第３の凹部２３Ｃ、及び第４の凹部２３Ｄにおいても、第１の凹部２３Ａと同様に、リード９ａは、それぞれの凹部２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄの側面及び底面に沿うように折り曲げられた形状を有する。
また、リード９ａがキャップ７の側壁７１の下端部と対向する面であるリード９ａの上面には、絶縁膜９３が設けられる。キャップ７と、リード９ａと、の間に絶縁膜９３を設けることにより、キャップ７と、リード９ａと、の接触による短絡を防止することができる。絶縁膜９３は、例えば、ポリイミド系やエポキシ系などの絶縁性樹脂などにより形成することができる。なお、キャップ７の側壁７１の下端部と、リード９ａの上面と、を離間させることにより、キャップ７と、リード９ａと、の接触による短絡を防止しても構わない。
本実施形態では、実施形態１と同様に、第１導電性接合部材５１ａとしてＳｎ－５．０Ｓｂを用いており、また、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３として、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３．０Ｂｉ－０．０２Ｎｉを用いている。これにより、実施形態１と同様に、第２導電性接合部材５２は、第１導電性接合部材５１ａの第１融点よりも低い第２融点を有し、第１導電性接合部材５１ａの第１ヤング率よりも高い第２ヤング率を有する。また、第３導電性接合部材５３は、第１導電性接合部材５１ａの第１融点よりも低い第３融点を有し、第１導電性接合部材５１ａの第１ヤング率よりも高い第３ヤング率を有する。
本実施形態によれば、第１端子２９２ａが基板２の第１面２１に設けられている場合でも、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
３．実施形態３
次に、実施形態３に係るセンサーモジュール１ｂを、図１２及び図１３を参照して説明する。なお、以下の説明では、上述した実施形態１との相違点を中心に説明し、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
本実施形態に係るセンサーモジュール１ｂは、慣性センサー３と、基板２と、が絶縁性接合部材６０を介して接合している点が、実施形態１とは異なる。また、回路素子８と、基板２と、が絶縁性接合部材６１を介して接合している点が、実施形態１とは異なる。
図１２に示すように、Ｚ方向からの平面視で、慣性センサー３の下面の中央部に絶縁性接合部材６０が配置されており、図１３に示すように、慣性センサー３の下面と、基板２の上面である第１面２１と、は絶縁性接合部材６０を介して接合している。
絶縁性接合部材６０としては、例えば、エポキシ系、シリコーン系などの熱硬化型樹脂による接着剤を用いることができる。また、絶縁性接合部材６０のガラス転移温度は、センサーモジュール１ｂの動作保証温度範囲の上限温度よりも高いことが好ましい。
顧客がセンサーモジュール１ｂを顧客基板に実装するためにリード９と顧客基板とをはんだ付けする際に、慣性センサー３と基板２とを接合している第２導電性接合部材５２が再溶融する虞がある。第２導電性接合部材５２が再溶融すると、慣性センサー３と基板２との接合状態が変化し、すなわち、慣性センサー３の検出軸のずれなどが出荷前の状態から変化し、センサーモジュール１ｂの検出精度が低下してしまう。しかし、慣性センサー３と、基板２と、を絶縁性接合部材６０を介して接合することにより、第２導電性接合部材５２が再溶融した場合でも、慣性センサー３と基板２との接合状態が変化し難くなるので、センサーモジュール１ｂの検出精度の低下を防ぐことができる。
また、図１２に示すように、Ｚ方向からの平面視で、回路素子８の上面の中央部に絶縁性接合部材６１が配置されており、図１３に示すように、回路素子８の上面と、基板２の下面である第２面２２と、は絶縁性接合部材６１を介して接合している。絶縁性接合部材６１としては、絶縁性接合部材６０と同様に、エポキシ系、シリコーン系などの熱硬化型樹脂による接着剤を用いることができる。
基板２と、慣性センサー３及び回路素子８と、をそれぞれ絶縁性接合部材６０，６１を介して接合する方法としては、例えば、基板２と、慣性センサー３及び回路素子８と、をそれぞれ第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３を介して接合した後に、基板２の第１面２１と慣性センサー３の下面との間隙と、基板２の第２面２２と回路素子８の上面との間隙と、にそれぞれ未硬化状態の絶縁性接合部材６０，６１を注入し、さらに注入した絶縁性接合部材６０，６１を熱硬化することにより行うことができる。ただし、このように、第２導電性接合部材５２及び第３導電性接合部材５３による接合と、絶縁性接合部材６０，６１による接合を、それぞれ別の工程を行うのではなく、第２導電性接合部材５２による接合と絶縁性接合部材６０による接合を同時に行い、また、第３導電性接合部材５３による接合と絶縁性接合部材６１による接合を同時に行うようにしても構わない。
本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
慣性センサー３と、基板２と、を絶縁性接合部材６０を介して接合することにより、顧客がセンサーモジュール１ｂを顧客基板に実装する際に、第２導電性接合部材５２が再溶融した場合でも、慣性センサー３と基板２との接合状態が変化し難くなるので、センサーモジュール１ｂの検出精度の低下を防ぐことができる。
なお、センサーモジュール１，１ａ，１ｂは、例えば、建設機械や農業機械などの車両、ロボット、ドローン等の移動体や、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ等の電子機器等に適用することができる。
１，１ａ，１ｂ…センサーモジュール、２…基板、３…慣性センサー、７…キャップ、８…回路素子、９，９ａ…リード、２１…第１面、２２…第２面、３１…第１慣性センサー、３２…第２慣性センサー、３３…角速度センサー、５１，５１ａ…第１導電性接合部材、５２…第２導電性接合部材、５３…第３導電性接合部材、６０，６１…絶縁性接合部材、２９２，２９２ａ…第１端子、２９４…第２端子、２９６…第３端子、３０１…接続端子、８０１…接続端子。

Claims (3)

  1. 第１面と、前記第１面とは表裏関係にある第２面と、前記第１面又は前記第２面の一方に設けられる第１端子と、前記第１面に設けられる第２端子と、を有する基板と、
    前記第１端子に接合されるリードと、
    第１融点を有し、第１ヤング率を有し、前記リードと前記第１端子とを接合する第１導電性接合部材と、
    前記第２端子に接合される慣性センサーと、
    前記第１融点よりも低い第２融点を有し、前記第１ヤング率よりも高い第２ヤング率を有し、前記慣性センサーと前記第２端子とを接合する第２導電性接合部材と、
    を備える、
    センサーモジュール。
  2. 前記基板の前記第２面に設けられる第３端子と、
    前記第３端子に接合され、前記慣性センサーから出力される検出信号を処理する回路素子と、
    前記第１融点よりも低い第３融点を有し、前記第１ヤング率よりも高い第３ヤング率を有し、前記回路素子と前記第３端子とを接合する第３導電性接合部材と、
    を備える、
    請求項１記載のセンサーモジュール。
  3. 前記慣性センサーと前記基板の前記第１面とを接着する絶縁性接合部材を備える、
    請求項１又は請求項２記載のセンサーモジュール。
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Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3345878B2 (ja) * 1997-02-17 2002-11-18 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
JPH10242633A (ja) 1997-02-25 1998-09-11 Nec Kansai Ltd 電子装置の製造方法
DE69830883T2 (de) * 1997-03-10 2006-04-20 Seiko Epson Corp. Halbleiterbauelement und mit diesem Bauelement bestückte Leiterplatte
JP3567822B2 (ja) * 1999-10-29 2004-09-22 株式会社村田製作所 電子部品と通信機装置および電子部品の製造方法
KR100407448B1 (ko) * 2000-06-12 2003-11-28 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 전자 기기 및 반도체 장치
JP4565728B2 (ja) * 2000-10-10 2010-10-20 三洋電機株式会社 中空気密パッケージ型の半導体装置
JP4416373B2 (ja) * 2002-03-08 2010-02-17 株式会社日立製作所 電子機器
US20080251866A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Honeywell International Inc. Low-stress hermetic die attach
DE102009001969A1 (de) * 2009-03-30 2010-10-07 Robert Bosch Gmbh Sensormodul
JP5779946B2 (ja) * 2011-04-07 2015-09-16 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイスの製造方法
JP2013073945A (ja) 2011-09-26 2013-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線シート付き電極端子、配線構造体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法
JP2013149876A (ja) 2012-01-23 2013-08-01 Hitachi Automotive Systems Ltd パッケージオンパッケージ型半導体装置およびパッケージオンパッケージ型半導体装置の製造方法
DE102013100388B4 (de) 2013-01-15 2014-07-24 Epcos Ag Bauelement mit einer MEMS Komponente und Verfahren zur Herstellung
US20200115224A1 (en) * 2018-10-12 2020-04-16 Stmicroelectronics S.R.L. Mems device having a rugged package and fabrication process thereof
JP2020136324A (ja) 2019-02-13 2020-08-31 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法
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