JP2022124055A - 電極埋設部材及び半導体製造装置部品 - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極と電極端子との間の接続箇所が熱の影響で破損することが抑制された電極埋設部材及び半導体製造装置部品を提供する。
【解決手段】加熱装置（半導体製造装置部品１００）において、電極埋設部材１０は、表面１１ａと、表面１１ａの反対側に配される裏面１１ｂとを含む板状のセラミックス部材１１と、セラミックス部材１１の内部に設けられる内部電極１２と、内部電極１２と電気的に接続され、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に露出する外部電極１３と、外部電極１３に、金属材料を介して接続される電極端子３１と、セラミックス部材１１の内部に形成され、外部電極１３を冷却する冷媒通路１４と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、電極埋設部材及び半導体製造装置部品に関する。

半導体製造装置部品は、半導体製造装置の一部を構成する部品であり、板状のセラミックス部材の内部に電極（以下、内部電極）が埋設されてなる電極埋設部材を備えている。この種の電極埋設部材は、例えば、表面側で対象物（ウェハ等）を保持する機能を備えた保持装置、表面側に載せられた対象物を加熱する機能を備えた加熱装置、表面側に設けられた複数の噴射口から離間配置された対象物に対してプロセスガスを噴射するシャワーヘッド等の様々な半導体製造装置部品に使用されている。

このような電極埋設部材の裏面側には、通常、セラミックス部材の外部に露出する形で、外部電極が設けられている。外部電極は、セラミックス部材の内部に埋設されている内部電極に対して電気的に接続されると共に、セラミックス部材の外部に配置された給電用の電極端子に対して、ろう材からなる接合部を介して電気的に接続されている。

例えば、特許文献１には、対象物を表面側で保持しつつ、内部に埋設されたヒータ電極（内部電極）によって対象物を加熱する電極埋設部材を備えた加熱装置が示されている。この装置が備える電極埋設部材の裏面側には、外部電極としてパッド状の受電電極が形成されており、その受電電極に対して、棒状の電極端子が電気的に接続されている。具体的には、受電電極と電極端子との間に、それらの熱膨張差を緩和させるための緩衝部材が配され、かつその緩衝部材と受電電極との間、及び緩衝部材と電極端子との間にそれぞれろう材からなる接合部を介在させることで、受電電極及び電極端子が互いに電気的に接続されている。

特開２０２０－１１３６６７号公報

半導体製造装置部品は、使用時に高温環境下（例えば、加熱装置の場合、７５０℃以上）に晒されるため、使用時と非使用時との間における温度差が激しい。そのため、電極埋設部材における外部電極と電極端子との間の接続箇所が熱の影響で破損（例えば、クラックの発生）し、導通不良となることがあった。

例えば、外部電極と電極端子とが直接、接合部で接続されている場合や、外部電極と電極端子との間に緩衝部材を介在させつつ、外部電極と緩衝部材との間及び電極端子と緩衝部材との間がそれぞれ接合部で接続されている場合に、接合部に隣接する部材間の熱膨張差の影響により、各接合部が破損してしまうことがあった。

本発明の目的は、外部電極と電極端子との間の接続箇所が熱の影響で破損することが抑制された電極埋設部材及び前記電極埋設部材を備える半導体製造装置部品を提供することである。

前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 表面と、前記表面の反対側に配される裏面とを含む板状のセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に設けられる内部電極と、前記内部電極と電気的に接続され、前記セラミックス部材の前記裏面側に露出する外部電極と、前記外部電極に、金属材料を介して接続される電極端子とを備える電極埋設部材であって、前記セラミックス部材の内部に形成され、前記外部電極を冷却する冷媒通路を備える電極埋設部材。

＜２＞ 前記冷媒通路は、前記表面側から平面視した際に、環状である環状通路部を有する前記＜１＞に記載の電極埋設部材。

＜３＞ 前記冷媒通路は、前記外部電極よりも前記表面側に配され、かつ前記表面側から平面視した際に、前記外部電極と重なるように配される重畳通路部を有する前記＜１＞又は＜２＞に記載の電極埋設部材。

＜４＞ 前記冷媒通路は、前記セラミックス部材の前記裏面側に開口する形で設けられ、前記セラミックス部材の外部から前記冷媒通路に冷媒を供給する供給口と、前記セラミックス部材の前記裏面側に開口する形で設けられ、前記冷媒通路から前記セラミックス部材の外部へ前記冷媒を排出させる排出口とを含む前記＜１＞から＜３＞の何れか１つに記載の電極埋設部材。

＜５＞ 前記内部電極は、前記冷媒通路よりも前記表面側に配され、かつ前記表面を加熱するメインヒータ電極からなり、前記メインヒータ電極よりも前記表面側に配され、かつ前記表面のうち前記冷媒通路の影響で温度が相対的に低下した範囲を加熱できるように、前記セラミックス部材の内部に設けられるサブヒータ電極とを備える前記＜１＞から＜４＞の何れか１つに記載の電極埋設部材。

＜６＞ 前記セラミックス部材は、窒化アルミニウムを主成分とする前記＜１＞から＜５＞の何れか１つに記載の電極埋設部材。

＜７＞ 前記＜１＞から＜６＞の何れか１つに記載の電極埋設部材と、一端が前記裏面と対向する形で前記セラミックス部材を支持する筒状の周壁部を有する支持体を備え、 前記支持体は、前記供給口と接続するように前記周壁部の内部に形成され、かつ外部より前記冷媒通路に前記冷媒を供給する壁内供給路と、前記排出口と接続するように前記周壁部の内部に形成され、かつ前記冷媒通路から外部へ前記冷媒を排出させる壁内排出路とを有する半導体製造装置部品。

本発明によれば、外部電極と電極端子との間の接続箇所が熱の影響で破損することが抑制された電極埋設部材及び前記電極埋設部材を備える半導体製造装置部品を提供することができる。

実施形態１に係る加熱装置の断面構成を模式的に表した説明図 図１の収容部付近の断面構成を拡大した説明図 図２のＡ－Ａ線断面図 図２のＢ－Ｂ線断面図 実施形態２に係る加熱装置の断面構成を模式的に表した説明図 図５のＣ－Ｃ線断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を、図１～図４を参照しつつ説明する。図１は、実施形態１に係る加熱装置１００の断面構成を模式的に表した説明図である。説明の便宜上、図１の上側を、加熱装置１００の上側とし、図１の下側を、加熱装置１００の下側とする。図１には、加熱装置１００を上下方向に切断した断面が模式的に示されている。

加熱装置１００（半導体製造装置部品の一例）は、対象物（例えば、半導体ウェハ）Ｗを真空吸着して保持しつつ、所定の処理温度（例えば、４００℃～８００℃程度）に加熱する装置である。このような加熱装置１００は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置、スパッタリング成膜装置等）、エッチング装置（プラズマエッチング装置）等として使用される。

加熱装置１００は、図１に示されるように、上側に配される保持体（電極埋設部材の一例）１０と、下側に配される支持体２０とを備える。

保持体１０は、上側から平面視した際に、略円形をなす板状の部材（つまり、略円板状の部材）である。保持体１０は、主として、セラミックス部材１１、メインヒータ電極（内部電極）１２、受電電極（外部電極）１３、冷媒通路１４を備えている。保持体１０は、その他に、ＲＦ電極１５、サブヒータ電極１６、電極端子３１等を備えている。

セラミックス部材１１は、主に、保持体１０の外観形状を構成する部材であり、略円形の板状をなしている。セラミックス部材１１は、対象物Ｗが載せられる表面１１ａと、表面１１ａの反対側に配される裏面１１ｂとを備えている。なお、保持体１０の表面は、セラミックス部材１１の表面１１ａにより構成され、保持体１０の裏面は、セラミックス部材１１の裏面１１ｂにより構成される。そのため、保持体１０の表面を、「表面１１ａ」と表し、保持体１０の裏面を、「裏面１１ｂ」と表す。

セラミックス部材１１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスにより形成される。なお、ここでいう主成分とは、セラミックス部材１１を構成するセラミックスのうち、含有割合の最も多い成分を意味する。セラミックス部材１１の直径（最大部分の直径）は、本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、例えば、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下程度に設定される。また、セラミックス部材１１の厚み（表面１１ａから裏面１１ｂまでの距離）は、本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、例えば、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下程度に設定される。

なお、セラミックス部材１１の上側には、複数の凸部１１ｃと、複数の凸部１１ｃの周りを取り囲む円環状の枠部１１ｄとが設けられている。複数の凸部１１ｃは、互いに間隔を保ちつつ、面状に分布する形で設けられている。凸部１１ｃは、表面（頂面）が平坦な柱状（円柱状等）をなしている。枠部１１ｄは、全体的には、円環状をなしており、その円環状の表面（頂面）は、平坦である。セラミックス部材１１の表面１１ａは、複数の凸部１１ｃの各表面と、枠部１１ｄの表面とからなる。

また、セラミックス部材１１の内部には、図示されない真空流路が形成されており、その端部に位置する開口状の吸着孔（不図示）が、セラミックス部材１１の表面１１ａ側に複数個形成されている。そして、外部に設置された負圧供給装置（真空ポンプ）によって真空流路に負圧が供給されると、セラミックス部材の表面１１ａ上に載せられた対象物Ｗが、吸着孔から供給される負圧により、吸着固定（真空吸着）される。

セラミックス部材１１の内部には、保持体１０の表面１１ａを全体的に加熱可能なメインヒータ電極（内部電極の一例）１２が設けられている。メインヒータ電極１２は、抵抗発熱体であり、導電性材料（タングステン、モリブデン等）により形成される。メインヒータ電極１２は、上側から平面視した際に、略同心円状に延びる線状のパターンを構成している。メインヒータ電極１２は、セラミックス部材１１（保持体１０）の表面１１ａを万遍なく加熱できるように、全体的に水平方向（表面１１ａが広がる方向）に広がった形となっている。

メインヒータ電極１２の線状パターンの両端部は、保持体１０（セラミックス部材１１）の中心近傍に配置されている。一方の端部は、後述する受電電極１３及び給電用（プラス側）の電極端子３１に、電気的に接続されている。また、他方の端部も、図示されない他の受電電極及び他の給電用（マイナス側）の電極端子に電気的に接続されている。メインヒータ電極１２は、電圧が印加されて電流が流れると発熱し、セラミックス部材１１（保持体１０）の表面１１ａを全体的に加熱する。そして、表面１１ａに載せられた対象物Ｗが全体的に加熱される。

メインヒータ電極１２は、セラミックス部材１１の内部（厚み方向）において、後述するＲＦ電極１５やサブヒータ電極１６よりも、裏面１１ｂ側に配置されている。メインヒータ電極１２は、導体ペーストを印刷した導体層を焼結してメタライズしたものからなる。

また、セラミックス部材１１の内部には、プラズマを発生させるＲＦ（高周波）電極１５が設けられている。ＲＦ電極１５は、導電性材料（タングステン、モリブデン、白金等）により形成される。ＲＦ電極１５は、上側から平面視した際、略円形状をなしている。ＲＦ電極１５は、導体ペーストを印刷した導体層を焼結してメタライズしたものからなる。ＲＦ電極１５は、セラミックス部材１１の内部（厚み方向）において、表面１１ａ側に配置されている。なお、ＲＦ電極１５に電力を供給するための受電電極は、図示されないがセラミックス部材１１の裏面１１ｂ側（具体的には、後述する収容部１１ｅの天井面１１ｆ）に形成されている。また、ＲＦ電極１５用の受電電極は、ＲＦ電極１５に対して、セラミックス部材１１内に設けられたビア導体（不図示）を介して電気的に接続されている。また、ＲＦ電極１５用の受電電極に接続される給電用の電極端子は、図示されないが、後述するメインヒータ電極１２用の電極端子３１と同様、支持体２０の周壁部２１内（中空部）に配置されている。

このようなＲＦ電極１５に電源（不図示）から直流高電圧が印加されると、ＲＦ電極１５からプラズマが発生する。

また、セラミックス部材１１の内部には、保持体１０の表面を部分的に加熱可能なサブヒータ電極１６が設けられている。サブヒータ電極１６は、メインヒータ電極１２と同様、抵抗発熱体であり、導電性材料（タングステン、モリブデン等）により形成される。サブヒータ電極１６は、上側から平面視した際に、表面１１ａの中心側に配され、かつメインヒータ電極１２よりも小さな略同心円状に延びる線状のパターンを構成している。

サブヒータ電極１６は、上側から平面視した際に、メインヒータ電極１２よりも直径が小さく、主に、セラミックス部材１１（保持体１０）の中心側の部分を加熱するように構成されている。なお、セラミックス部材１１の中心側の部分は、後述するように冷媒通路１４を流れる冷媒の影響で温度が周囲側の部分と比べて相対的に低下し易い。サブヒータ電極１６は、メインヒータ電極１２と同様、導体ペーストを印刷した導体層を焼結してメタライズしたものからなる。

サブヒータ電極１６は、セラミックス部材１１の内部（厚み方向）において、メインヒータ電極１２よりも上側に配され、かつＲＦ電極１５よりも下側に配されている。つまり、サブヒータ電極１６は、セラミックス部材１１の内部において、ＲＦ電極１５とメインヒータ電極１２との間に配されている。なお、サブヒータ電極１６も、メインヒータ電極と同様、プラス側及びマイナス側のそれぞれにおいて、受電電極を介して給電用の電極端子が接続されている。

サブヒータ電極１６は、電圧が印加されて電流が流れると発熱し、セラミックス部材１１（保持体１０）の表面１１ａのうち、冷媒通路１４を流れる冷媒の影響で温度が相対的に低下した範囲（セラミックス部材１１の中心側の部分）を加熱できるように、セラミックス部材１１の内部に設けられている。冷媒通路１４等の詳細は後述する。

セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側には、凹状に窪んだ収容部１１ｅが設けられている。収容部１１ｅは、裏面１１ｂの略中央に設けられている。この収容部１１ｅの内側に、受電電極（外部電極の一例）１３が設けられている。

図２は、図１の収容部１１ｅ付近の断面構成を拡大した説明図である。収容部１１ｅは、図２に示されるように、上側に配される平坦な天井面１１ｆと、天井面１１ｆの周りを取り囲む周面１１ｇとを備えている。受電電極１３は、導電性の電極パッドであり、天井面１１ｆに設けられている。受電電極１３は、このような収容部１１ｅに収容されつつ、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に露出した状態となっている。天井面１１ｆは、下側から平面視した際に、略円形状をなしており、また、受電電極１３も略円形状をなしている。本実施形態の場合、収容部１１ｅの内径は、後述する支持体２０の周壁部２１の内径と略同じとなるように設定されている。

なお、図２等では、説明の便宜上、収容部１１ｅ内に１つの受電電極１３が示されている。実際には、収容部１１ｅ内に受電電極１３以外の複数の受電電極が形成されている。ここでは、メインヒータ電極１２の一方の端部に接続する受電電極１３を、例に挙げて説明する。

受電電極１３は、略円板状をなしており、タングステン、モリブデン等の導電性材料から形成される。受電電極１３は、セラミックス部材１１の内部で上下方向に延びたビア導体１７を介して、メインヒータ電極（内部電極）１２と電気的に接続されている。受電電極１３には、ビア導体１７の下端部が接続され、ビア導体１７の上端部には、上述したメインヒータ電極１２の線状パターンの一方の端部が接続されている。

支持体２０は、図１に示されるように、上下方向に延びる略円筒状の部材である。このような支持体２０は、一端（上端）２１ａが裏面１１ｂと対向する形でセラミックス部材１１を支持する筒状の周壁部２１を備えている。支持体２０は、セラミックス部材１１と同様、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスにより形成される。支持体２０の外径は、例えば５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下程度であり、支持体２０の高さ（上下方向の長さ）は、例えば１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下程度である。

支持体２０の周壁部２１の上端２１ａは、セラミックス部材１１の裏面１１ｂの中心部付近に、公知の接合材料により形成された接合部３０（図２参照）を介して接合されている。なお、接合部３０は、冷媒通路１４の供給口１４ａや排出口１４ｂ等を塞がないように、周壁部２１とセラミックス部材１１との間に形成される。

支持体２０の中央には、上下方向に延びつつ、上端２１ａ側が開口した貫通孔状の中空部２２を備えている。中空部２２は、上下方向に延びた周壁部２１の内周面２１ｂによって囲まれた空間である。本実施形態の場合、周壁部２１の内径は、上下方向で略同一に設定されている。このような中空部２２に、受電電極１３に電気的に接続される給電用の電極端子３１が収容されている。なお、実際には、周壁部２１の内側（中空部２２）に、電極端子３１以外に複数の電極端子が収容されており、それらが対応する受電電極に対して電気的に接続されている。ここでは、受電電極１３に接続される電極端子３１を例に挙げて説明する。

電極端子３１は、一方向に延びた略円柱状の部材であり、ニッケル等の導電性材料により形成される。電極端子３１の直径は、例えば２ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度に設定される。電極端子３１は、中空部２２において、上下方向に沿って配置される。

電極端子３１の上端部３１ａと、受電電極１３との間には、緩衝部材（金属材料の一例）３２が配置されている。緩衝部材３２は、略円形の板状部材であり、電極端子３１と受電電極１３との間の熱膨張差を緩和する機能を備えている。緩衝部材３２は、タングステン、モリブデン、コバール等の金属材料により形成されている。なお、緩衝部材３２を構成する材料としては、電極端子３１の熱膨張係数と受電電極１３の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有するものが使用される。緩衝部材３２の直径は、例えば３ｍｍ以上１５ｍｍ以下程度であり、緩衝部材３２の厚みは、例えば１ｍｍ以上６ｍｍ以下程度に設定される。

緩衝部材３２は、収容部１１ｅに収容された状態で、受電電極１３に対してろう付けされている。具体的には、緩衝部材３２の上面３２ａと、受電電極１３の下面１３ａとの間に、非活性ろう材により形成された第１接合部（金属材料の一例）３３が介在され、その第１接合部３３により、受電電極１３と緩衝部材３２とが接続されている。なお、非活性ろう材は、セラミックスに対して実質的に化学的結合しないろう材を意味し、例えば、Ｎｉ系（Ｎｉ－Ｃｒ系合金等）、Ａｕ系（純Ａｕ系、Ａｕ－Ｎｉ系合金等）、Ａｇ系（純Ａｇ等）のろう材である。加熱装置１００は、後述するように、４００～８００℃程度の高温環境下で使用される。ろう材にＣｕ等の酸化され易い成分が含まれていると、ろう材が劣化する虞があるため、ろう材はＣｕ等の酸化され易い成分を含まないことが好ましい。

また、緩衝部材３２は、電極端子３１の上端部３１ａに対してろう付けされている。具体的には、緩衝部材３２の下面３２ｂと、電極端子３１の上端部３１ａとの間に、ろう材（Ａｕ系のろう材）により形成された第２接合部（金属材料の一例）３４が介在され、その第２接合部３４により、緩衝部材３２と電極端子３１とが接続されている。

図示されない電源から、電極端子３１、緩衝部材３２、受電電極１３及びビア導体１７を介して、抵抗発熱体であるメインヒータ電極１２に電圧が印加されると、メインヒータ電極１２が発熱し、保持体１０の表面１１ａ上に保持された対象物Ｗが所定の温度（例えば、４００～８００℃）に加熱される。

このように保持体１０が加熱されると、受電電極１３等も加熱されることになり、受電電極１３と電極端子３１との間の接続箇所が熱の影響を受けて破損する虞がある。具体的には、受電電極１３と緩衝部材３２との間に介在される第１接合部３３や、緩衝部材３２と電極端子３１との間に介在される第２接合部３４が熱の影響で剥離等して破損する虞がある。そこで、本実施形態の保持体１０は、熱の影響を受け易い受電電極１３と電極端子３１との間の接続箇所を保護するべく、受電電極（外部電極）１３付近を、冷却するための冷却機構を備えている。受電電極１３は、電極端子３１等と比べて、熱の影響を受けて熱膨張及び熱収縮し易いため、受電電極（外部電極）１３付近が冷却機構（冷媒通路１４）によって冷却される。

冷却機構は、冷媒が加熱装置１００の支持体２０と保持体１０との間を循環できるように構成されている。本実施形態では、冷媒として希ガス（アルゴンガス、ヘリウムガス等）が使用される。冷媒機構は、保持体１０（セラミックス部材１１）内に形成される冷媒通路１４と、支持体２０の周壁部２１の内部に形成される壁内通路２３とを備えている。また、冷却機構は、図示されない公知の放熱手段を備えており、その放熱手段によって、冷媒の温度を、保持体１０に供給する前に、所定の温度以下に保つことができる。

壁内通路２３は、外部よりセラミックス部材１１内の冷媒通路１４に冷媒を供給する壁内供給路２３ａと、冷媒通路１４から外部へ冷媒を排出させる壁内排出路２３ｂとを有する。壁内供給路２３ａ及び壁内排出路２３ｂは、支持体２０の周壁部２１に対して、ドリル等を利用して長手方向（上下方向）に沿って穴加工を施すことにより形成される。周壁部２１の上端２１ａには、壁内供給路２３ａの下流側の端部に位置する開口部２３ａ１と、壁内排出路２３ｂの上流側の端部に位置する開口部２３ｂ１とがある。

冷媒通路１４は、セラミックス部材１１内に形成される冷媒用の通路であり、その上流側が壁内供給路２３ａと接続し、その下流側が壁内排出路２３ｂと接続する。冷媒通路１４の上流側の端部は、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に開口する形で設けられた供給口１４ａからなり、冷媒通路１４の下流側の端部は、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に開口する形で設けられた排出口１４ｂからなる。

供給口１４ａは、壁内供給路２３ａの開口部２３ａ１と上下方向で対向しつつ接続し、セラミックス部材１１の外部から冷媒通路１４に冷媒を供給するために利用される。排出口１４ｂは、壁内排出路２３ｂの開口部２３ｂ１と上下方向で対向しつつ接続し、冷媒通路１４からセラミックス部材１１の外部へ冷媒を排出させるために利用される。なお、図２において、冷媒通路１４内に示される矢印の向きは、冷媒の流れる向きを表す。

図３は、図２のＡ－Ａ線断面図であり、図４は、図２のＢ－Ｂ線断面図である。図３には、保持体１０の厚み方向（上下方向）において、緩衝部材３２と共にセラミックス部材１１が水平方向（上下方向に対して垂直に交わる方向）に切断された断面構成が模式的に示されている。また、図４には、保持体１０の厚み方向（上下方向）において、冷媒通路１４の一部と、ビア導体１７等が水平方向（上下方向に対して垂直に交わる方向）に切断された断面構成が模式的に示されている。

冷媒通路１４は、説明の便宜上、上下方向に延びる上流側の縦冷媒通路１４ｃと、上下方向に延びる下流側の縦冷媒通路１４ｄと、水平方向に延びつつ縦冷媒通路１４ｃと縦冷媒通路１４ｄとの間を繋ぐ横冷媒通路１４ｅとに分けられる。なお、縦冷媒通路１４ｃの上流側の端部が供給口１４ａとなり、縦冷媒通路１４ｄの下流側の端部が排出口１４ｂとなる。

縦冷媒通路１４ｃは、壁内供給路２３ａ側から供給口１４ａを介して供給された冷媒を横冷媒通路１４ｅへ供給する通路であり、上下方向に延びつつ、受電電極１３と電極端子３１との間の接続箇所の近傍（特に受電電極１３の近傍）に配置されている。また、縦冷媒通路１４ｄは、横冷媒通路１４ｅ側から供給された冷媒を、壁内排出路２３ｂ側へ排出口１４ｂを介して排出する通路であり、上下方向に延びつつ、受電電極１３と電極端子３１との間の接続箇所の近傍（特に受電電極１３の近傍）に配置されている。

本実施形態の場合、縦冷媒通路１４ｃ及び縦冷媒通路１４ｄは、互いに平行に並ぶように配されている。縦冷媒通路１４ｃ及び縦冷媒通路１４ｄは、受電電極１３からの距離Ｌ（図２参照）が、例えば、２ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲に設定される。

横冷媒通路１４ｅは、セラミックス部材１１の内部（厚み方向）において、受電電極１３よりも表面１１ａ側に配置されている。本実施形態の場合、横冷媒通路１４ｅは、収容部１１ｅよりも表面１１ａ側に配置されている。このような横冷媒通路１４ｅは、主に受電電極１３を冷却できるように、受電電極（外部電極）１３の近傍に配置される。横冷媒通路１４ｅと受電電極１３との間の距離Ｍ（上下方向における距離）（図２参照）は、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲に設定される。

横冷媒通路１４ｅは、図４に示されるように、縦冷媒通路１４ｃから受電電極１３側へ延びる第１横通路部１４ｅ１と、受電電極１３側から縦冷媒通路１４ｄへ延びる第２横通路部１４ｅ２と、第１横通路部１４ｅ１と第２横通路部１４ｅ２との間に配される第３横通路部１４ｅ３とを備えている。なお、図４において、冷媒通路１４（横冷媒通路１４ｅ）内に示される矢印の向きは、冷媒が流れる向きを表す。

第３横通路部１４ｅ３は、環状であり、表面１１ａ側から平面視した際に、受電電極１３の中心位置Ｘを取り囲むような形をなしている。このような環状の冷媒通路１４（第３横通路部１４ｅ３）を、特に「環状通路部１４ｅ３」と称する。環状通路部１４ｅ３は、受電電極１３を平面視した状態で万遍なく均等に冷却し易い構造となっている。

また、本実施形態の第３横通路部１４ｅ３は、図４に示されるように、表面１１ａ側から平面視した際に、受電電極１３と重なるように配されている。このように第３横通路部１４ｅ３は、受電電極１３と重なるため、特に「重畳通路部１４ｆ」とも称する。重畳通路部１４ｆは、平面視で受電電極１３と重なるように配置されることで、受電電極１３をより確実に冷却することができる。

第１横通路部１４ｅ１は、一方向に延びた形をなし、その下流側の端部が環状をなした第３横通路部（環状通路部）１４ｅ３に接続されている。第３横通路部１４ｅ３に第１横通路部１４ｅ１側から冷媒が供給されると、冷媒の流れは、環状の第３横通路部１４ｅ３で二手に分かれ、その後、再び合流して、第２横通路部１４ｅ２へ移動する。なお、第２横通路部１４ｅ２も、第１横通路部１４ｅ１と同様、一方向に延びた形をなし、その上流側の端部が環状をなした第３横通路部（環状通路部）１４ｅ３に接続されている。

なお、冷媒通路１４（縦冷媒通路１４ｃ、縦冷媒通路１４ｄ及び横冷媒通路１４ｅ）の断面形状は、本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、例えば、正方形等の四角形状に設定される。また、冷媒通路１４の断面積は、０．１ｍｍ^２以上１５０ｍｍ^２以下が好ましい。冷媒通路１４の断面積が０．１ｍｍ^２未満であると、圧力損失が増加し、冷媒通路１４内を冷媒が流れ難くなる。また、冷媒通路１４の断面積が１５０ｍｍ^２を超えると、冷媒通路１４の周囲を構成する部材（未焼成のグリーンシート）が、冷媒通路１４内の空間に向かって撓む等の不具合が生じ、冷媒通路１４を所望の形状に作製することが難しくなる。なお、冷媒通路１４の断面とは、冷媒通路１４の長手方向に対して垂直に交わる方向で切断した断面である。

冷媒は、外部に設置された圧送装置（不図示）から、支持体２０の壁内供給路２３ａに供給され、更に壁内供給路２３ａを通って供給口１４ａから冷媒通路１４に供給される。冷媒通路１４に供給された冷媒は、縦冷媒通路１４ｃ、横冷媒通路１４ｅ及び縦冷媒通路１４ｄの順に流れる。冷媒は、冷媒通路１４（縦冷媒通路１４ｃ、横冷媒通路１４ｅ及び縦冷媒通路１４ｄ）を流れる際に、冷媒通路１４の周囲から熱を受け取って温められる。その後、冷媒は、排出口１４ｂから排出されて壁内排出路２３ｂに移動される。壁内排出路２３ｂに移動した冷媒は、放熱手段（不図示）で所定の温度以下に冷却された後、再び圧送装置へ戻される。このようにして、冷媒は、支持体２０及び保持体１０の各内部を循環しつつ、セラミックス部材１１内の受電電極１３等を冷却することができる。

ここで、加熱装置１００の製造方法を説明する。本実施形態の加熱装置１００の製造方法は、例えば以下の通りであり、初めに、保持体（電極埋設部材）１０と、支持体２０とを作製する。

保持体１０の作製方法は、シート積層法を利用したものであり、例えば以下の通りである。先ず、窒化アルミニウム粉末１００質量部に、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末１質量部と、バインダ２０質量部と、適量の分散剤及び可塑剤とを加えた混合物に、有機溶剤を加え、ボールミルを用いて２０時間混合し、グリーンシート用スラリーを作製する。

得られたグリーンシート用スラリーをキャスティング装置でシート状に成形し、その後、シート状の成形物を乾燥させることでグリーンシートが得られる。このようにしてグリーンシートを複数枚作製する。

また、窒化アルミニウム粉末、バインダ、有機溶剤の混合物に、タングステンやモリブデン等の金属粉末を添加して混練することにより、メタライズペースト（導体ペースト）を作製する。このメタライズペーストを例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定の各グリーンシートに、後にメインヒータ電極１２、サブヒータ電極１６、ＲＦ電極１５、受電電極１３等となる未焼結導体層を形成する。また、グリーンシートに予めビア孔を設けた状態で印刷することにより、後にビア導体１７等となる未焼結導体部を形成する。

また、特定の各グリーンシートに対して、マシニングにより、後に冷媒通路１４や収容部１１ｅ等となる溝部や孔部を形成する。

次に、これらのグリーンシートを複数枚（例えば２０枚）重ねて熱圧着し、必要に応じて外周を切断して、グリーンシート積層体（例えば厚み８ｍｍ）を作製する。このグリーンシート積層体をマシニングによって切削加工して円板状の成形体を作製する。

得られた成形体を例えば３００～６００℃の温度条件下で脱脂し、更に脱脂後の成形体（脱脂体）を焼成して焼成体を作製する。この焼成体の表面を研磨加工することで、本実施形態の保持体（電極埋設部材）１０が得られる。

また、支持体２０の作製方法は、例えば以下の通りである。先ず、窒化アルミニウム粉末１００質量部に、酸化イットリウム粉末１質量部と、バインダ３質量部と、適量の分散剤及び可塑剤とを加えた混合物に、有機溶剤を加え、ボールミルを用いて混合することで、スラリーを得る。このスラリーを、スプレードライヤーを用いて顆粒化し、得られた顆粒を原料粉末とする。次に、中空部２２に対応する中子が配置されたゴム型に原料粉末を充填し、ゴム型内の原料粉末を冷間静水圧プレスすることで成形体を得る。得られた成形体を脱脂し、更に脱脂後の成形体（脱脂体）を焼成して筒状体を得る。得られた筒状体の周壁部に、ドリル等で穴加工を施して、壁内供給路２３ａと壁内排出路２３ｂとを形成する。このようにして、支持体２０が得られる。

次に、保持体１０と支持体２０とを接合する。保持体１０の裏面１１ｂ及び支持体２０（周壁部２１）の上端２１ａに対して、必要によりラッピング加工を行った後、保持体１０の裏面１１ｂと支持体２０の上端２１ａの少なくとも一方に、例えば希土類や有機溶剤等を混合してペースト状にした公知の接合剤を均一に塗布する。接合剤を塗布する際は、裏面１１ｂ側に設けられた供給口１４ａ及び排出口１４ｂ、並びに上端２１ａ側に設けられた開口部２３ａ１及び開口部２３ｂ１をそれぞれ塞がないように、接合剤の塗布箇所が設定される。このよう接合剤が塗布された後、脱脂処理が行われる。次いで、保持体１０の裏面１１ｂと支持体２０の上端２１ａとを、冷媒通路１４及び壁内通路２３（壁内供給路２３ａ、壁内排出路２３ｂ）が互いに連通するように重ね合わせ、その状態で、焼成を行うことにより、保持体１０と支持体２０とを接合する。

保持体１０と支持体２０との接合の後、緩衝部材３２を、支持体２０の周壁部２１の内側（中空部２２）に挿入し、緩衝部材３２の上面３２ａを、受電電極１３の下面１３ａに対して、非活性ろう材（例えば、Ｎｉ系、Ａｕ系、Ａｇ系のろう材）を用いてろう付け（温度条件：６００～１２００℃、処理時間：１０～３０分）することにより、第１接合部３３を形成する。次いで、電極端子３１を周壁部２１の内側（中空部２２）に挿入し、電極端子３１の上端部３１ａを、緩衝部材３２の下面３２ｂに対して、例えばＡｇ系のろう材を用いてろう付けすることにより、第２接合部３４を形成する。以上のような製造方法により、上述した構成の加熱装置１００が製造される。

以上説明したように、本実施形態の加熱装置１００は、電極埋設部材として保持体１０を備えており、その保持体１０は、表面１１ａ上に対象物Ｗを吸着固定した状態で、メインヒータ電極１２を発熱させて、対象物Ｗが所定の温度に加熱される。この加熱の際に、対象物Ｗの温度（表面１１ａの温度）が例えば７５０℃以上に設定されると、裏面１１ｂ側に露出した受電電極（外部電極）１３付近も高温となり得るが、本実施形態では、受電電極（外部電極）１３付近に冷媒通路１４が配置されており、その冷媒通路１４に冷媒（希ガス）が流されることによって、受電電極１３付近の温度上昇が抑制される。

受電電極１３付近の熱は、セラミックス部材１１内を移動しつつ、冷媒通路１４内の冷媒（希ガス）が受け取り、最終的に加熱装置１００の外部へ放出される。このように、本実施形態の加熱装置１００（保持体１０）は、冷媒を通すための冷媒通路１４を備えるため、受電電極（外部電極）１３付近の温度上昇を抑制することができ、第１接合部３３や第２接合部３４付近が破損（剥離等）することが抑制される。

また、本実施形態の保持体（電極埋設部材）１０は、表面１１ａ側から平面視した際に、環状である環状通路部（第３横通路部）１４ｅ３を備えている。平面視した際に、環状通路部１４ｅ３の少なくとも内側には、受電電極（外部電極）１３の一部が配されている。このような環状通路部１４ｅ３は、受電電極（外部電極）１３等を均等に冷却し易い。

また、保持体１０は、平面視した際に、受電電極（外部電極）１３と重なるように配される重畳通路部１４ｆを備えている。重畳通路部１４ｆは、平面視で受電電極１３と重なるように配置されることで、受電電極１３をより確実に冷却することができる。

また、保持体１０の冷媒通路１４は、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に開口する形で設けられた供給口１４ａを備えており、その供給口１４ａを介して、セラミックス部材１１の外部から冷媒通路１４に冷媒が供給される。また、冷媒通路１４は、セラミックス部材１１の裏面１１ｂ側に開口する形で設けられた排出口１４ｂを備えており、その排出口１４ｂを介して、冷媒通路１４からセラミックス部材１１の外部へ冷媒が排出される。このように、保持体１０には、供給口１４ａ及び排出口１４ｂが設けられているため、冷媒通路１４に冷媒を循環させることができる。

また、本実施形態の保持体１０では、冷媒通路１４が受電電極１３近傍に配置されているため、保持体１０の表面１１ａのうち、冷媒通路１４が配置された箇所（受電電極１３近傍）に対応する部分の表面温度が、その周りの表面温度よりも相対的に低くなり易い。そのため、メインヒータ電極１２のみで、保持体１０の表面１１ａを加熱すると、表面１１ａの温度分布にムラが生じる場合がある。本実施形態の保持体１０は、メインヒータ電極１２以外に、サブヒータ電極１６を備えているため、サブヒータ電極１６によって、表面１１ａのうち、冷媒通路１４の影響で温度が相対的に低下し易い範囲を選択的に加熱することができる。したがって、本実施形態の保持体１０は、表面１１ａを均一な温度で加熱し易い。

なお、本実施形態のサブヒータ電極１６は、上述したように、略同心円状に延びる線状のパターンを備えており、そのような略同心円状の線状パターンの外縁部分は、冷媒通路１４が形成されている範囲（外縁部分）よりも、外側へはみ出すように設定されることが好ましい。セラミックス部材１１の内部に冷媒通路１４が配置されていると、平面視した際に、冷媒通路１４と重畳する範囲よりも広い範囲（冷媒通路１４と重畳する範囲を含む広い範囲）が、冷媒通路１４の影響で温度が相対的に低下し易い。そこで、本実施形態の保持体１０では、平面視した際に、サブヒータ電極１６の形成される範囲が、冷媒通路１４が形成される範囲よりも大きくなるように、サブヒータ電極１６の線状パターンの外縁部分が、冷媒通路１４が形成されている範囲（外縁部分）よりも、外側へはみ出すように設定されている。そのため、本実施形態の保持体１０では、表面１１ａのうち、冷媒通路１４を通過する冷媒の影響で温度が相対的に低下した範囲を、サブヒータ電極１６により確実に加熱することができ、表面１１ａの温度ムラを抑制し易い。

また、本実施形態の保持体１０では、セラミックス部材１１が、窒化アルミニウムを主成分としている。窒化アルミニウムは耐熱性、熱伝導性に優れ、セラミックス部材１１を構成する材料として好ましい。特に、セラミックス部材１１の表面１１ａに均一に熱を伝え易く、好ましい。ただし、窒化アルミニウムは、水に対して溶解性を示すため、セラミックス部材１１が窒化アルミニウムを含む場合、水以外の冷媒（特に、化学的に安定なヘリウム、アルゴン等の希ガス）を使用することが好ましい。

また、本実施形態の加熱装置１００は、保持体１０と共に、冷媒通路１４に接続する壁内通路２３（壁内供給路２３ａ、壁内排出路２３ｂ）を有する支持体２０を備えている。壁内通路２３（壁内供給路２３ａ、壁内排出路２３ｂ）は、支持体２０の周壁部２１の内部に形成されているため、冷媒通路１４に接続させる専用の通路を、例えば、周壁部２１の内側（中空部２２）等に別途設ける必要がなく、部品点数の削減や、省スペース化等が図れる。

＜実施形態２＞
次いで、本発明の実施形態２を、図５及び図６を参照しつつ説明する。図６は、実施形態２に係る加熱装置（半導体製造装置部品の一例）１００Ａの断面構成を模式的に表した説明図であり、図６は、図５のＣ－Ｃ断面図である。図５には、加熱装置１００Ａを上下方向に切断した断面が模式的に示されている。また、図６には、保持体（電極埋設部材の一例）１０Ａの厚み方向（上下方向）において、冷媒通路１１４の一部と、ビア導体１７等が水平方向（上下方向に対して垂直に交わる方向）に切断された断面構成が模式的に示されている。

本実施形態の加熱装置１００Ａは、保持体１０Ａのセラミックス部材１１Ａの内部に設けられる冷媒通路１１４の構成のみが、上述した実施形態１と異なっており、それ以外の構成については、実施形態１と同様である。そのため、実施形態１と同じ構成については、実施形態１と同じ符号を付し、詳細説明は省略する。

冷媒通路１１４は、上下方向に延びる上流側の縦冷媒通路１１４ｃと、上下方向に延びる下流側の縦冷媒通路１１４ｄと、水平方向に延びつつ縦冷媒通路１１４ｃと縦冷媒通路１１４ｄとの間を繋ぐ横冷媒通路部１１４ｅとに分けられる。縦冷媒通路１１４ｃの上流側の端部が供給口１１４ａとなり、縦冷媒通路１１４ｄの下流側の端部が排出口１１４ｂとなる。縦冷媒通路１１４ｃ及び縦冷媒通路１１４ｄは、互いに平行に配され、かつ共に受電電極１３と電極端子３１との間の接続箇所の近傍（特に受電電極１３の近傍）に配置される。

横冷媒通路１１４ｅは、セラミックス部材１１の内部（厚み方向）において、実施形態１と同様、受電電極１３よりも表面１１ａ側に配置されている。横冷媒通路１１４ｅは、収容部１１ｅよりも表面１１ａ側に配置されている。このような横冷媒通路１１４ｅは、主に受電電極１３を冷却できるように、受電電極（外部電極）１３の近傍に配置される。

横冷媒通路１１４ｅは、表面１１ａ側から平面視した際に、環状であり、受電電極１３（中心位置Ｘ）を取り囲むような形をなしている。本実施形態の場合、平面視した際に、環状の横冷媒通路１４ｅは、受電電極１３よりも大きく、受電電極１３の外側に配置されている。上流側の縦冷媒通路１１４ｃから冷媒が横冷媒通路１１４ｅへ供給されると、冷媒は二手に分かれ、一方が中心位置Ｘを基準として時計回りに半円弧状に移動し、他方が中心位置Ｘを基準として半時計回りに半円弧状に移動する。その後、それらは合流して、縦冷媒通路１１４ｄへ移動する。なお、図６において、冷媒通路１１４（横冷媒通路１１４ｅ）内に示される矢印の向きは、冷媒が流れる向きを表す。

このような環状の横冷媒通路１１４ｅを、特に「環状通路部１１４ｅ」と称する。環状通路部１１４ｅは、受電電極１３を取り囲むことで、受電電極１３を周囲から万遍なく均等に冷却し易い構造となっている。

本実施形態の冷媒通路１１４の断面も、本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、例えば、実施形態１と同様、正方形等の四角形状に設定される。

このように本実施形態の保持体１０Ａは、平面視で受電電極１３の周りを取り囲むような形の冷媒通路１１４を備えることにより、受電電極１３付近を冷却し、受電電極１３付近の温度上昇を抑制してもよい。

以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例１～１２）
冷媒通路の断面積（ｍｍ^２）と、受電電極と冷媒通路との距離Ｌ（ｍｍ）を、それぞれ表１に示される各値に設定しつつ、実施形態１と同様の構成の保持体を備える加熱装置を、１２種類作製した。各加熱装置は、冷媒通路の構成（距離Ｌ、断面積）が異なること以外は、互いに同じ条件で製造されている。なお、冷媒通路の断面は正方形であり、受電電極と冷媒通路との距離Ｌ（ｍｍ）は、受電電極と冷媒通路との間の最短距離である。

（熱サイクル評価）
実施例１～１２の加熱装置について、熱サイクル評価を行った。具体的には、冷媒として、アルゴンガスを使用しつつ、１００℃と７５０℃との間の昇降温を複数回繰り返し行った。このような昇降温は、受電電極と電極端子との間の接続箇所（第１接合部、第２接合部）が破損して導通不良が確認されるまで繰り返し行った。昇温とそれに続けて行う降温を１サイクルとし、導通不良が確認されるサイクル数を確認した。結果は、表１に示した。なお、表１では、以下に示される評価基準に従って、熱サイクル評価の結果を示した。

＜評価基準＞
・導通不良が発生したサイクル数が３５０回以上の場合 ・・・「Ａ」
・導通不良が発生したサイクル数が２５０回以上３４９回以下の場合 ・・・「Ｂ」
・導通不良が発生したサイクル数が１５０回以上２４９回以下の場合 ・・・「Ｃ」
・導通不良が発生したサイクル数が１４９回以下の場合 ・・・「Ｄ」

実施例１～１２の加熱装置は、冷媒通路を備えており、受電電極近傍を冷却することが可能であるため、表１に示されるように、少なくとも１５０回の昇降温に耐えられる耐熱性を備えていることが確かめられた。

実施例の中でも、特に、実施例１、実施例２、実施例３、実施例５、実施例６及び実施例９については、３５０回以上の昇降温に耐えられる耐熱性を備えていることが確かめられた。

表１に示されるように、冷媒通路の断面積は、大きい程、受電電極近傍を効果的に冷却できることが確かめられた。また、受電電極と冷媒通路との距離は、短い程、受電電極近傍を効果的に冷却ができることが確かめられた。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記実施形態１，２は、内部電極がメインヒータ電極からなり、外部電極がメインヒータ電極に電気的に接続された受電電極からなり、冷媒通路は、そのようなメインヒータ電極用の受電電極付近を冷却する構成であったが、本発明はこれに限られず、他の実施形態においては、例えば、内部電極がＲＦ電極からなり、外部電極がＲＦ電極に電気的に接続された受電電極からなり、冷媒通路が、そのようなＲＦ電極用の受電電極付近を冷却するように構成されてもよい。

（２）他の実施形態においては、例えば、メインヒータ電極用の受電電極（外部電極）と、ＲＦ電極用の受電電極（外部電極）のように、用途の異なる複数種の受電電極を冷却するような冷媒通路を備える電極埋設部材（加熱装置）が提供されてもよい。

（３）更に、他の実施形態では、メインヒータ電極やＲＦ電極以外に、例えば、半導体製造装置部品のセラミックス部材内に形成されるランド電極が、内部電極となるような電極埋設部材（加熱装置）が提供されてもよい。

（４）また、他の実施形態では、加熱装置が備えるメインヒータ電極等のヒータ電極が、セラミックス部材の表面を、複数の区域（ゾーン）に分けて加熱できるように、複数のヒータ電極を備えていてもよい。例えば、セラミックス部材の表面が、４つの区域に分けられる場合、セラミックス部材には、それらの区域に割り当てられる形で、４つのヒータ電極が設けられる。この場合、例えば、４つのヒータ電極にそれぞれ給電するための４つの独立した受電電極と、１つの共通化された受電電極との合計５つの受電電極が必要となる。他の実施形態においては、このような５つの受電電極付近を、それぞれ１つずつ冷却又は複数まとめて冷却できるように、冷媒通路が適宜、設けられてもよい。

（５）上記実施形態１，２では、冷媒として、希ガスを使用したが、本発明はこれに限られず、例えば、希ガス以外の公知のガス（窒素、空気等）や、液体状の公知の冷媒（水、オイル等）が適宜、使用されてもよい。

（６）上記実施形態１において、重畳通路部は、平面視した際、環状をなしていたが、本発明はこれに限られず、例えば、直線、曲線等の他の形状であってもよい。

（７）上記実施形態１，２では、セラミックス部材内に形成される内部電極（メインヒータ電極等）や外部電極（受電電極等）が、導体ペーストを印刷した導体層を焼結してメタライズしたものからなるが、本発明はこれに限られず、他の実施形態においては、内部電極や外部電極等を、例えば、金属箔、金属メッシュ等から形成してもよい。

（８）外部電極と電極端子との間の接続箇所は、半導体製造装置部品（電極埋設部材）自身が備える加熱手段（例えば、メインヒータ電極）により加熱される場合だけでなく、半導体製造装置部品が設置される周囲の環境（例えば、プラズマが生成される環境）等の影響で、加熱される場合もある。そのため、電極埋設部材や半導体製造装置部品としては、それ自身を加熱する加熱手段（例えば、メインヒータ電極）を備えていないものであってもよい。

（９）上記実施形態１，２では、真空吸着によって対象物を保持する機構を備えていたが、対象物を保持する場合の機構はこれに限られず、例えば、チャック電極による静電作用で対象物を保持する機構や、ベルヌーイ力を利用した吸着方法で対象物を保持する機構であってもよい。

（１０）他の実施形態においては、対象物を保持しない構成の半導体製造装置部品に、外部電極付近を冷却するための冷媒通路が設けられてもよい。

１０，１０Ａ…保持体（電極埋設部材）、１１，１１Ａ…セラミックス部材、１２…メインヒータ電極（内部電極）、１３…受電電極（外部電極）、１４…冷媒通路、１４ａ…供給口、１４ｂ…排出口、１４ｅ３…第３横通路部（環状通路部）、１４ｆ…重畳通路部、１５…ＲＦ電極、１６…サブヒータ電極、２０…支持体、２１…周壁部、２２…中空部、２３ａ…壁内供給路、２３ｂ…壁内排出路、３０…接合部、３１…電極端子、３２…緩衝部材（金属材料）、３３…第１接合部（金属材料）、３４…第２接合部（金属材料）、１００，１００Ａ…加熱装置（半導体製造装置部品）、１１４…冷媒通路、１１４ａ…供給口、１１４ｂ…排出口、１１４ｅ…横冷媒通路（環状通路部）

Claims (7)

1. 表面と、前記表面の反対側に配される裏面とを含む板状のセラミックス部材と、
   前記セラミックス部材の内部に設けられる内部電極と、
   前記内部電極と電気的に接続され、前記セラミックス部材の前記裏面側に露出する外部電極と、
   前記外部電極に、金属材料を介して接続される電極端子とを備える電極埋設部材であって、
   前記セラミックス部材の内部に形成され、前記外部電極を冷却する冷媒通路を備える電極埋設部材。
2. 前記冷媒通路は、前記表面側から平面視した際に、環状である環状通路部を有する請求項１に記載の電極埋設部材。
3. 前記冷媒通路は、前記外部電極よりも前記表面側に配され、かつ前記表面側から平面視した際に、前記外部電極と重なるように配される重畳通路部を有する請求項１又は請求項２に記載の電極埋設部材。
4. 前記冷媒通路は、前記セラミックス部材の前記裏面側に開口する形で設けられ、前記セラミックス部材の外部から前記冷媒通路に冷媒を供給する供給口と、前記セラミックス部材の前記裏面側に開口する形で設けられ、前記冷媒通路から前記セラミックス部材の外部へ前記冷媒を排出させる排出口とを含む請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電極埋設部材。
5. 前記内部電極は、前記冷媒通路よりも前記表面側に配され、かつ前記表面を加熱するメインヒータ電極からなり、
   前記メインヒータ電極よりも前記表面側に配され、かつ前記表面のうち前記冷媒通路の影響で温度が相対的に低下した範囲を加熱できるように、前記セラミックス部材の内部に設けられるサブヒータ電極とを備える請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電極埋設部材。
6. 前記セラミックス部材は、窒化アルミニウムを主成分とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電極埋設部材。
7. 請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電極埋設部材と、
   一端が前記裏面と対向する形で前記セラミックス部材を支持する筒状の周壁部を有する支持体を備え、
   前記支持体は、前記供給口と接続するように前記周壁部の内部に形成され、かつ外部より前記冷媒通路に前記冷媒を供給する壁内供給路と、前記排出口と接続するように前記周壁部の内部に形成され、かつ前記冷媒通路から外部へ前記冷媒を排出させる壁内排出路とを有する半導体製造装置部品。

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