JP2022123415A - 多相変圧制御装置及び多相変圧装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る多相変圧装置Aは、図1に示すように多相変圧回路Bと変圧制御回路Cとを備えている。
この多相変圧装置Aにおいて、変圧制御回路Cは、第1電圧センサ7から入力される第1電圧信号、電流センサ8から入力される電流信号及び第2電圧センサ9から入力される第2電圧信号に基づいて多相変圧回路Bの通常制御を行う。すなわち、変圧制御回路Cは、一次側電圧V1、リアクトル電流I及び二次側電圧V2に基づいて第1~第4ゲート信号を生成して第1~第4のIGBT3a~3dの各ゲート端子に出力する。
(1)上記実施形態では、磁気結合型の二相チョッパ回路として構成された多相変圧回路Bを制御対象としたが、本発明はこれに限定されない。本発明は、例えば三相以上のチョッパ回路にも適用可能である。また、本発明は、磁気結合型ではない多相チョッパ回路にも適用することができる。
B 多相変圧回路
C 変圧制御回路(スイッチ故障判定部)
D1、D2 一次側端子
E1、E2 二次側端子
F 二次側回路
P 電池
1 第1コンデンサ
2 トランス
2a 一次巻線
2b 二次巻線
3a~3d IGBT(半導体スイッチング素子)
4a~4d 還流ダイオード
5a~5d 感温ダイオード
6 第2コンデンサ
7 第1電圧センサ
8 電流センサ
9 第2電圧センサ
Claims (5)
- 複数相に対応するスイッチング回路を用いて入力電力を変圧して出力電力を生成する多相変圧回路を制御する多相変圧制御装置であって、
前記スイッチング回路を構成する複数の半導体スイッチング素子の動作温度をスイッチ温度として検出する温度センサと、
前記半導体スイッチング素子における相毎のスイッチ温度に基づいて前記半導体スイッチング素子の故障を判定するスイッチ故障判定部と
を備えることを特徴とする多相変圧制御装置。 - 前記スイッチ故障判定部は、前記スイッチ温度における相毎の温度変化率に基づいて前記半導体スイッチング素子の故障を判定することを特徴とする請求項1に記載の多相変圧制御装置。
- 前記スイッチ故障判定部は、出力電力が所定の電力しきい値以下の場合に前記半導体スイッチング素子の故障を判定することを特徴とする請求項1または2に記載の多相変圧制御装置。
- 前記温度センサは、前記半導体スイッチング素子に設けられた感温ダイオードであり、前記半導体スイッチング素子の中央部に配置されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の多相変圧制御装置。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の多相変圧制御装置と、
前記多相変圧回路と
を備えることを特徴とする多相変圧装置。
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