JP2022116085A - 表示パネル、表示装置及び補償方法 - Google Patents

表示パネル、表示装置及び補償方法 Download PDF

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Abstract

【課題】検知駆動ラインを多重化して、検知と駆動トランジスタの閾値電圧ドリフトに対する補償とを完成する表示パネルを提供する。【解決手段】該表示パネル（１０）は、それぞれに画素回路を含むサブ画素（１００）であって、複数の行と複数の列とに配列される複数のサブ画素（１００）と、複数のサブ画素（１００）の画素回路のそれぞれと接続される複数の検知駆動ライン（Ｓｅ）と、複数の検知駆動ライン（Ｓｅ）と接続される検知ドライバ（１１）とを含む。画素回路は、発光素子（ＯＬＥＤ）を含み、検知ドライバ（１１）は、複数の検知駆動ライン（Ｓｅ）を介して複数のサブ画素の画素回路の発光素子の電気パラメータを検知するように配置され、そして、電気パラメータに従って補償信号を生成し、複数の検知駆動ライン（Ｓｅ）を介して複数のサブ画素の画素回路に対して前記補償信号を伝送するように配置される。【選択図】図２

Description

本開示の実施例は、表示パネル、表示装置及び補償方法に関する。
表示分野において、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示パネルは、自発光、ハイコントラスト、省エネ、広視野角、高速応答、可撓性パネルへの適用、広い使用温度、簡単な製造といった特長を有し、且つ、広い発展の展望を有する。
上記の特長によれば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示パネルは、携帯電話、ディスプレイ、ノートブック型パソコン、デジタルカメラ、計量器やメーターといった、表示機能を備える装置に適用することが可能である。
国際公開第２０１５／１７６１０８号 特開２０１１－０９５７２０号公報 特開２０１６－１２６３３７号公報 特開２００７－２８６１５０号公報
本開示の少なくとも一つの実施例は、表示パネルを提供する。該表示パネルは、それぞれに画素回路を含むサブ画素であって複数の行と複数の列とに配列される複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素の画素回路のそれぞれと接続される複数の検知駆動ラインと、前記複数の検知駆動ラインと接続される検知ドライバとを含む。前記画素回路は、発光素子を含み、前記検知ドライバは、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路の発光素子の電気パラメータを検知するように配置され、そして、前記電気パラメータに従って補償信号を生成し、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路に対して前記補償信号を伝送するように配置される。
例えば、一実施例による表示パネルは、前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のデータラインをさらに含み、各データラインは、同一の行における少なくとも二つのサブ画素の前記画素回路と接続されている。
例えば、一実施例による表示パネルは、前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のゲートラインをさらに含み、各行の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記ゲートラインと接続されている。
例えば、一実施例による表示パネルは、前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のゲートラインをさらに含み、第２ｍ－１行の前記サブ画素の画素回路と第２ｍ行の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記ゲートラインと接続されており、ここで、ｍが０より大きな整数である。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、各列の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記検知駆動ラインと接続されている。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記複数のデータラインと前記複数の検知駆動ラインは、延伸方向が同じである。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、各二列の前記サブ画素の画素回路の間には、前記データラインのみが設置され、又は、前記検知駆動ラインのみが設置されている。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記複数のデータラインと前記複数の検知駆動ラインは、同一の層において形成される。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、第２ｎ－１列のサブ画素の画素回路と第２ｎ列のサブ画素の画素回路は、同一のデータラインと接続され、ここで、ｎが０より大きな整数である。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記画素回路は、前記発光素子が動作の際に発光するように駆動する発光駆動回路と、前記検知駆動ラインと前記画素回路における発光駆動回路との接続及び切断を制御するように配置される検知駆動制御回路とをさらに含む。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記発光駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、蓄積容量とを含む。前記第１のトランジスタの第１の極は、第１の電源電圧を受信するように第１の電源ラインと接続され、前記第１のトランジスタのゲートは、第１のノードと接続され、前記第１のトランジスタの第２の極は、第２のノードと接続されており、前記第２のトランジスタの第１の極は、データ信号を受信するように前記データラインと接続され、前記第２のトランジスタのゲートは、ゲート駆動信号を受信するようにゲートラインと接続され、前記第２のトランジスタの第２の極は、前記第１のノードと接続されており、前記蓄積容量の第１の端は、前記第１のノードと接続され、前記蓄積容量の第２の端は、前記第２のノードと接続されている。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記検知駆動制御回路は、第３のトランジスタを含み、前記第３のトランジスタの第１の極は、第２のノードと接続され、前記第３のトランジスタのゲートは、検知駆動制御信号を受信するように検知駆動制御ラインと接続され、前記第３のトランジスタの第２の極は、前記検知駆動ラインと接続されている。
例えば、一実施例による表示パネルは、前記画素回路にデータ信号を提供するように配置されるデータドライバと、前記画素回路にゲート駆動信号を提供するように配置される走査ドライバとをさらに含む。
例えば、一実施例による表示パネルにおいて、前記発光素子は、有機発光ダイオードであり、前記電気パラメータは、前記発光ダイオードの発光電流又は発光電圧であり、前記補償信号は、補償電圧又は補償電流である。
本開示の少なくとも一つの実施例は、上記いずれか１つに記載の表示パネルを含む表示装置を提供する。
本開示の少なくとも一つの実施例は、上記いずれか１つに記載の表示パネルにおける補償方法を提供する。該補償方法は、前記検知駆動ラインを介して前記発光素子の電気パラメータを検知するステップと、前記電気パラメータに従って補償信号を生成するステップと、前記検知駆動ラインを介して前記画素回路に前記補償信号を伝送するステップとを含む。
例えば、少なくとも一つの実施例による方法は、前記発光素子の電気パラメータを検知する前に、前記データラインを介して前記画素回路にデータ信号を伝送するステップをさらに含む。
以下、本開示の実施例の技術案をさらに明確に説明するために、実施例又は関連する技術を記述するに必要な図面を簡単に説明し、もちろん、次の記述における図面は、本開示の一部の実施例に関するものに過ぎず、本開示を限定するものではない。
本開示の実施例が提供する表示パネルの模式図である。 本開示の実施例が提供する図１の区域Ａにおける画素回路の接続関係の模式図のその１である。 本開示の実施例が提供する図１の区域Ａにおける画素回路の接続関係の模式図のその２である。 本開示の実施例が提供する図１の区域Ａにおける画素回路の接続関係の模式図のその３である。 本開示の実施例が提供する表示パネルにおける画素回路の模式図のその１である。 本開示の実施例が提供する表示パネルにおける画素回路の模式図のその２である。 本開示の実施例が提供する表示パネルにおける画素回路の模式図のその３である。 図６Ａに示す画素回路における第１のトランジスタを流す電流を検知する模式図である。 図６Ａに示す画素回路における有機発光ダイオードの発光電圧を検知する模式図である。 本開示の実施例が提供する表示装置の模式図である。 本開示の実施例が提供する補償方法のフローチャートのその１である。 本開示の実施例が提供する補償方法のフローチャートのその２である。
本開示の実施例の目的、技術案、及び利点がさらに明確になるように、以下に本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示実施例の技術案を明確かつ完全に記述する。もちろん、記述される実施例は、本開示の一部の実施例だけであり、全ての実施例ではない。記述される本開示の実施例に基づいて、当業者にとって創造的な労働を必要しないことを前提に得られる全ての他の実施例は、本開示の保護の範囲に入る。
特別な定義がない限り、ここで使用される技術用語又は科学用語は、当業者にとって理解される通常の意味であるべきである。本開示で使用される「第１」、「第２」、及び類似する言葉は、順序、数量又は重要性のいずれかを示すものではなく、異なる構成部分を区別するためのものに過ぎない。同様に、「含む」又は「含める」といった言葉は、該言葉の前に現れた素子又は部品が該言葉の後に例示された素子又は部品及びその等価物をカバーすることを意味するが、他の素子又は部品を排除しない。「接続」又は「連続」といった言葉は、物理的又は機械的接続に限定されなく、直接又は間接を問わず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対位置の関係を示すものだけであり、記述する対象の絶対位置が変ると、該相対位置の関係もそれに応じて変わる可能性がある。
例えば、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）表示パネルにおいて、各画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧は、製造プロセスにより互いに異なり、且つ、駆動トランジスタの閾値電圧は、例えば温度変化の影響により、ドリフトの現象が生じる可能性がある。従って、各駆動トランジスタの閾値電圧の違いにより、表示パネルの表示が不均一になってしまう可能性もある。従って、駆動トランジスタの閾値電圧に対して補償することが必要とされる。
表示パネルにおける画素回路については、有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知することで、画素回路における駆動トランジスタの閾値補償を実現してもよい。上記の補償方式を採用する場合は、検知ラインを設置することが必要とされ、検知ラインと他の線路（例えば、ゲートライン又はデータライン）との間に寄生容量が生じ、それりより、回路のＲＣ負荷が増加されて検知速度が低減され、検知時間が不十分になりやすい。
一方、表示パネルの開口率が表示の輝度に影響し、従って、どのように表示パネルの開口率を向上するかも、解決すべき問題点となる。
本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネル、表示装置及び補償方法は、隣接する画素回路がデータラインを共用することで開口率を向上し、寄生容量を減少することができ、さらに、検知駆動ラインを多重化することで、有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧の検知と、駆動トランジスタの閾値電圧ドリフトに対する補償とを完成することができる。
本開示の少なくとも一つの実施例は、表示パネルを提供する。該表示パネルは、それぞれに画素回路を含むサブ画素であって複数の行と複数の列とに配列される複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素の画素回路のそれぞれと接続される複数の検知駆動ラインと、前記複数の検知駆動ラインと接続される検知ドライバとを含む。前記画素回路は、発光素子を含み、前記検知ドライバは、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路の発光素子の電気パラメータを検知するように配置され、そして、前記電気パラメータに従って補償信号を生成し、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路に対して前記補償信号を伝送するように配置される。
本開示の少なくとも一つの実施例は、表示パネルを提供する。該表示パネルは、それぞれに画素回路を含むサブ画素であってアレイに配列される複数のサブ画素と、画素回路のと接続される検知駆動ラインと、同一の行における少なくとも二つの画素回路と接続されるデータラインと、検知駆動ラインと接続される検知ドライバとを含む。画素回路は、有機発光ダイオードを含み、検知ドライバは、検知駆動ラインを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知するように配置され、検知ドライバは、発光電流又は発光電圧に従って補償信号を生成し、検知駆動ラインを介して画素回路に対して補償信号を伝送するようにさらに配置される。
例えば、発光素子（例えば、有機発光ダイオード）の発光電流の検知とは、有機発光ダイオードを流れる又は流れている発光電流を検知することを指し、発光素子（例えば、有機発光ダイオード）の発光電圧の検知とは、有機発光ダイオードの発光の際の陽極の電圧を検知することを指す。
以下、表示パネルとして有機発光ダイオード表示パネルを例に説明するが、本開示の実施例は、これに限られなく、例えば、発光素子は、無機発光ダイオードといった他のエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
例えば、図１は、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルの模式図であり、図２は、本開示の実施例が提供する図１の区域Ａにおける画素回路の接続関係の模式図のその１である。
例えば、図１と図２に示すように、本開示の実施例が提供する表示パネル１０は、アレイに配列される複数のサブ画素を含み、これらのサブ画素が複数の行及び複数の列に配列され、且つ、これらのサブ画素は、規則的な行及び列に配列され、つまり、行方向と列方向との両方においてサブ画素が互いに揃えられてもよく、不規則な行及び列に配列され、例えば、隣接する二行又は隣接する二列の間に互いに所定の距離（例えば、半のサブ画素の広さ又は高さ）ずれてもよく、本開示の実施例では、これを特に制限しない。各サブ画素は、画素回路１００を含み、画素回路１００は、有機発光ダイオードといった発光素子を含む。表示パネル１０は、データドライバ１１、検知ドライバ１２、走査ドライバ１３、データラインＤａｔａ、ゲートラインＧａｔｅ、及び検知駆動ラインＳｅをさらに含む。図１と図２においては、複数のデータラインＤａｔａが互いに平行であって縦方向に延伸し、複数のゲートラインＧａｔｅが互いに平行であって横方向に延伸し、複数の検知駆動ラインＳｅが互いに平行であって縦方向に延伸する。
例えば、データドライバ１１は、画素回路１００にデータ信号を提供するように配置されている。検知ドライバ１２は、検知駆動ラインＳｅを介して発光素子（例えば、有機発光ダイオード）の電気パラメータを検知するように配置されており、該電気パラメータは、例えば、発光素子の発光電流又は発光電圧である。検知ドライバ１２は、検知された発光電流又は発光電圧に従って補償信号を生成し、検知駆動ラインＳｅを介して画素回路１００に該補償信号を伝送するようにさらに配置されており、該補償信号は、例えば、補償電流又は補償電圧である。走査ドライバ１３は、画素回路１００にゲート駆動信号を提供するように配置されている。
例えば、各データラインＤａｔａは、同一の行における少なくとも二つのサブ画素の画素回路１００及びデータドライバ１１と接続されており、データドライバ１１は、同一のデータラインＤａｔａを介して同一の行における少なくとも二つのサブ画素の画素回路１００にデータ信号を提供する。
例えば、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、各列のサブ画素の画素回路１００は、同一の検知駆動ラインＳｅと接続されることができる。検知ドライバ１２は、１つの検知駆動ラインＳｅを介して、例えば、時分割で１つの列のサブ画素の画素回路１００における発光素子の電気パラメータ（発光電流又は発光電圧）を検知することができる。検知ドライバ１２は、検知された電気パラメータに従って補償信号（例えば、補償電流又は補償電圧）を生成し、且つ、該検知駆動ラインＳｅを介して、例えば、時分割で該列の画素回路１００に該補償信号を伝送することで、発光素子の光度を制御することもできる。
例えば、データドライバ１１、検知ドライバ１２、及び走査ドライバ１３のそれぞれは、専用集積回路チップによって実現されてもよく、回路又はソフトウェア、ハードウェア（回路）、ファームウェア又はこれらの任意の組み合わせを採用して実現されてもよい。例えば、少なくとも一つの実施例において、データドライバ１１と検知ドライバ１２は、同一の集積回路チップによって実現されてもよく、走査ドライバ１３は、ＧＯＡ（ｇａｔｅ ｏｎ ａｒｒａｙ）ゲート駆動回路によって実現されてもよく、これによって、表示パネル上に直接に製造することが可能となり、走査ドライバ１３は、集積回路チップによって実現され、その後、回路基板（例えば、フレキシブル回路基板）等の方式でゲートライン等に電接続されてもよい。
さらに例えば、検知ドライバ１２は、プロセッサ、メモリを含んでもよい。本開示の実施例において、プロセッサは、データ信号を処理することができ、例えば、複雑命令セットコンピュータ（ＣＩＳＣ）構造、構造縮小命令セットコンピュータ（ＲＩＳＣ）構造、又は複数の命令セットの組み合わせを実行するための構造といった各種の計算構造を含んでもよい。いくつかの実施例において、プロセッサは、Ｘ８６プロセッサやＡＲＭプロセッサといったマイクロプロセッサであってもよく、又は、デジタルプロセッサ（ＤＳＰ）等であってもよい。プロセッサは、所望の機能を実行するように他の部品を制御することができる。本開示の実施例において、メモリは、プロセッサによって実行される命令及び／又はデータを記憶してもよい。例えば、メモリは、一つまたは複数のコンピュータプログラム製品を含んでもよく、前記コンピュータプログラム製品は、例えば、揮発性メモリ及び／又は非揮発性メモリといった様々な形態のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含んでもよい。前記揮発性メモリは、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及び／又はキャッシュ（ｃａｃｈｅ）等を含んでもよい。前記非揮発性メモリは、例えば、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ハードディスク、フラッシュメモリ等を含んでもよい。前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体には、一つ又は複数のコンピュータプログラム命令を記憶してもよく、プロセッサは、前記プログラム命令を実行することにより、本開示の実施例において（プロセッサによって実現される）所望の機能を実現する。前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体には、各種のアプリケーションプログラム及び各種のデータ、例えば前記アプリケーションプログラムによって使用される及び／又は生成される各種のデータを記憶してもよい。
例えば、表示パネル１０は、コントローラ（図示せず）を含んでもよい。該コントローラは、データドライバ１１、検知ドライバ１２、及び走査ドライバ１３と信号的に結合され、データドライバ１１、検知ドライバ１２、及び走査ドライバ１３が協同して動作するように、データドライバ１１、検知ドライバ１２、及び走査ドライバ１３に制御命令及び／又はシーケンス信号を提供するように配置されている。例えば、コントローラは、回路又はソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア又はこれらの任意の組み合わせを採用して実現してもよい。例えば、該コントローラは、タイミングコントローラ（Ｔ－ＣＯＮ）であり、表示パネルの外部から入力される画像データを受信し、データドライバに復号された画像データを提供し、そして、ゲートドライバとデータドライバに走査制御信号とデータ制御信号等を出力する。
例えば、データドライバ１１と検知ドライバ１２は、検知ドライバ１２とデータドライバ１１との間にデータが交換するように、一緒に接続されてもよい。
例えば、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、同一の行における第２ｎ－１列のサブ画素の画素回路１００と第２ｎ列のサブ画素の画素回路１００は、同一のデータラインＤａｔａと接続されており、ここで、ｎが０より大きな整数である。
例えば、図２に示すように、同一の行において同一のデータラインＤａｔａに接続される二つの画素回路１００は、それぞれに、二つの異なるゲートラインＧａｔｅと接続されている。さらに例えば、同一の行のおいて、第２ｎ－１列のサブ画素の画素回路１００は、一つのゲートラインＧａｔｅと接続され、隣接する第２ｎ列のサブ画素の画素回路１００は、他の一つのゲートラインＧａｔｅと接続されており、ここで、二つのゲートラインは、互いに隣接して設置されてもよく、例えば、隣接する二行のサブ画素の間に設置されてもよい。このように設置すれば、第２ｎ－１列のサブ画素の画素回路１００と第２ｎ列のサブ画素の画素回路１００が時分割にオンにすることができ、これによって、共用のデータラインＤａｔａを利用して、該データラインＤａｔａを共用する画素回路１００のそれぞれに対して異なるデータ信号を提供し易くする。
例えば、図２に示すように、表示パネル１０は、検知駆動制御ラインＳＣをさらに含み、検知駆動制御ラインＳＣは、走査ドライバ１３と接続されており、検知駆動制御ラインＳＣとゲートラインＧａｔｅは、走査ドライバ１３を共用することができる。つまり、走査ドライバ１３は、検知駆動制御ラインＳＣとゲートラインＧａｔｅのそれぞれに対して検知駆動制御信号とゲート駆動信号を提供することができる。
例えば、図３に示すように、本開示の実施例が提供する表示パネルにおいて、各行のサブ画素の画素回路１００は、同一のゲートラインＧａｔｅと接続されてもよい。このように設置すれば、同一の行の画素回路１００は、同時にオンにされ、共用のデータラインＤａｔａは、該データラインＤａｔａを共用する同一行における画素回路１００に同じデータ信号を提供してもよい。この場合に、該データラインＤａｔａを共用する画素回路１００において、有機発光ダイオードの発光輝度は、検知駆動ラインＳｅが画素回路１００に伝送する補償電圧により制御されてもよく、具体的な補償手順は、下文に詳しく説明する。図２に示す設置方式と比べると、図３に示す設置方式は、ゲートラインＧａｔｅの数量を低減（ゲートラインＧａｔｅの数量は、例えば、図２に示す設置方式の半分に低減）することで、さらに、表示パネルの開口率を増大して寄生容量を減少するとともに、表示パネルの配線及び生産をし易くする。
例えば、図４に示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、第２ｍ－１行のサブ画素の画素回路と第２ｍ行のサブ画素の画素回路は、同一のゲートラインと接続されてもよく、ここで、ｍが０より大きな整数である。このように設置すれば、第２ｍ－１行のサブ画素の画素回路１００と第２ｍ行のサブ画素の画素回路１００は、同時にオンにされ、共用のデータラインＤａｔａは、その隣接する二列において該データラインＤａｔａを共用する二行の画素回路１００に同じデータ信号を提供し、該データラインＤａｔａを共用する二行の画素回路１００において有機発光ダイオードの発光輝度は、検知駆動ラインＳｅから画素回路１００へ伝送する補償電圧により制御されてもよく、具体的な補償手順は、下文に詳しく説明する。図２と図３に示す実施例の設置方式と比べて、図４に示す実施例の設置方式は、ゲートラインＧａｔｅの数量を低減（ゲートラインＧａｔｅの数量は、例えば、図２に示す設置方式の四分の一に低減）することで、さらに、表示パネルの開口率を増大して寄生容量を減少するとともに、表示パネルの配線及び生産をし易くする。つまり、表示パネルは、二行走査という方式を採用してもよい。つまり、いつでも二行の画素回路が充電状態にあり、元の順次走査方式の二倍の充電時間を画素回路ごとに提供することができ、画面品質を保証し、特に、大型、高解像度のＯＬＥＤ表示製品に好適である。
例えば、検知駆動制御ラインＳＣとゲートラインＧａｔｅは、走査ドライバ１３を共用するケースに限定されない。図４に示すように、少なくとも一つの実施例において、表示パネル１０は、走査ドライバ１３と独立する検知駆動制御回路１４をさらに含み、検知駆動制御ラインＳＣと検知駆動制御回路１４とが接続され、検知駆動制御回路１４は、検知駆動制御ラインＳＣに検知駆動制御信号を提供することができる。図に示すように、走査ドライバ１３と検知駆動制御回路１４は、サブ画素アレイの両側に位置されるが、両者が同一側に位置してもよい。
例えば、図４に示す実施例において同一列の異なる行の画素回路１００は、検知駆動ラインＳｅを共用し、従って、同一列の異なる行の画素回路１００については、同一列の異なる行の画素回路１００と検知駆動ラインＳｅが時分割に接続するように検知駆動制御ラインＳＣを介して制御し、これによって、検知駆動ラインＳｅを介して同一列の異なる行の画素回路１００に対して異なる補償電圧を伝送することを実現する。
例えば、図２乃至図４に示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、データラインＤａｔａと検知駆動ラインＳｅとは、延伸方向が同じであってもよい。このように設置方式によれば、データドライバ１１と検知ドライバ１２との設置をし易くするとともに、データラインＤａｔａと検知駆動ラインＳｅが重なることを回避することで寄生容量を減少する。
例えば、図２乃至図４に示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、各二列のサブ画素の画素回路１００の間には、データラインＤａｔａ又は検知駆動ラインＳｅのいずれか１つのみが設置されている。このような設置方式によれば、データラインＤａｔａと検知駆動ラインＳｅとの間の相互影響を減小し、さらに、寄生容量を減少し、表示品質を向上することができる。
例えば、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、データラインＤａｔａと検知駆動ラインＳｅは、同一層において形成されてもよい。つまり、データラインＤａｔａと検知駆動ラインＳｅは、同一のパターニングプロセスを採用して同一の材料層を使用して形成されてもよい。このようにすれば、パターニングプロセスの数量（つまり、マスクの使用量）を減少し、製造プロセスを簡単化し、コストを削減することができる。
例えば、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネル１０は、第１の電源ライン（図示せず）をさらに含んでもよく、第１の電源ラインは、複数の画素回路１００に第１の電源電圧ＶＤＤを提供するように配置されている。
例えば、表示パネル１０は、第２の電源ライン（図示せず）をさらに含んでもよく、第２の電源ラインは、複数の画素回路１００に第２の電源電圧ＶＳＳを提供するように配置されている。例えば、第２の電源ラインは、有機発光ダイオードＯＬＥＤの陰極と接続されてもよい。
例えば、第１の電源電圧ＶＤＤは、高レベル電圧（例えば、５Ｖ）であってもよく、第２の電源電圧ＶＳＳは、例えば、低レベル電圧（例えば、０Ｖ又はアース）である。
例えば、図５に示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、画素回路１００は、発光駆動回路１１０と、検知駆動制御回路１２０とをさらに含む。発光駆動回路１１０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤが動作の際に発光するように駆動する。検知駆動制御回路１２０は、検知駆動ラインＳｅと画素回路１００における発光駆動回路１１０との接続及び切断を制御するように配置されている。
例えば、図５及び図６Ａに示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、発光駆動回路１１０は、第１のトランジスタＴ１（駆動トランジスタ）、第２のトランジスタＴ２、及び蓄積容量Ｃｓｔを含む。第１のトランジスタＴ１の第１の極は、第１の電源電圧ＶＤＤを受けるように第１の電源ラインと接続され、第１のトランジスタＴ１のゲートは、第１のノードＮ１と接続され、第１のトランジスタＴ１の第２の極は、第２のノードＮ２と接続されており、第２のトランジスタＴ２の第１の極は、データ信号を受けるようにデータラインＤａｔａと接続され、第２のトランジスタＴ２のゲートは、ゲート駆動信号を受けるようにゲートラインＧａｔｅと接続され、第２のトランジスタＴ２の第２の極は、第１のノードＮ１と接続されており、蓄積容量Ｃｓｔの第１の端は、第１のノードＮ１と接続され、蓄積容量Ｃｓｔの第２の端は、第２のノードＮ２と接続されている。
例えば、有機発光ダイオードＯＬＥＤの陽極が第２のノードＮ２が接続される場合に、有機発光ダイオードＯＬＥＤの陰極が第２の電源電圧ＶＳＳが電接続され、例えば、第２の電源ラインを介して第２の電源電圧ＶＳＳと電接続される。
例えば、図５及び図６Ａに示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する表示パネルにおいて、検知駆動制御回路１２０は、第３のトランジスタＴ３を含み、第３のトランジスタＴ３の第１の極は、第２のノードＮ２と接続され、第３のトランジスタＴ３のゲートは、検知駆動制御信号を受けるように検知駆動制御ラインＳＣと接続され、第３のトランジスタＴ３の第２の極は、検知駆動ラインＳｅと接続されている。
図６Ｂは、四つのサブ画素ユニットを示し、各サブ画素は、図６Ａに示す画素回路を有する。例えば、図に第１の行に位置して互いに隣接する二つのサブ画素は、同一のデータラインＤａｔａを共有し、同一のゲートラインＧａｔｅ１及び同一の検知制御ラインＳＣ１に接続されているが、各サブ画素は、それぞれに異なる検知ラインＳｅ１とＳｅ２に接続されている。図に第２の行に位置して互いに隣接する二つのサブ画素は、同じ方式で接続されている。図に左側の一列に位置するサブ画素は、同一のデータラインＤａｔａを共有し、異なるゲートラインＧａｔｅ１及びＧａｔｅ２に接続され、異なる検知制御ラインＳＣ１及びＳＣ２に接続され、異なる検知ラインＳｅ１及びＳｅ３に接続される、又は同じ検知ラインに接続されている。図に右側の一列に位置するサブ画素は、同じ方式で接続されている。
なお、本開示の実施例において採用されるトランジスタのすべては、薄膜トランジスタや電界効果トランジスタ、又は他の特性の同じであるスイッチング装置であってもよい。ここで採用されるトランジスタのソース、ドレインは、構造的に対称であってもよいので、そのソースとドレインは、構造的に違いがなくてもよい。本開示の実施例では、トランジスタのゲート以外の両極を区別するために、直接に、その中の一極を第１の極とし、他の一極を第２の極として記述した。従って、本開示実施例において全て又は一部のトランジスタの第１の極と第２の極は、必要に応じて交換することができる。例えば、本開示実施例のトランジスタの第１の極は、ソースであってもよく、第２の極は、ドレインであってもよい。又は、トランジスタの第１の極は、ドレインであり、第２の極は、ソースである。また、トランジスタの特性に従って区別すると、トランジスタをＮ型及びＰ型トランジスタに分け、本開示の実施例は、トランジスタのタイプを限定しなく、当業者は、実際の必要に応じてＮ型及び／又はＰ型トランジスタを利用して本開示における実施例を実現することができる。
なお、本開示の少なくとも一つの実施例は、図５又は図６Ａ及び図６Ｂに示す画素回路を含むが、これに限定されるものではなく、他の構造の画素回路であってもよい。例えば、少なくとも一つの実施例において、画素回路は、他のサブ回路をさらに含んでもよい。例えば、第１のトランジスタのゲートをリセットするためのリセット回路、有機発光ダイオードの発光を制御するための発光制御回路等をさらに含んでもよい。例えば、トランジスタ、容量等の素子をさらに含んで内部補償等の機能を実現してもよい。ここで重複の説明を省略する。
例えば、図６Ａに示す画素回路については、有機発光ダイオードの検知段階において、画素回路１００における第３のトランジスタＴ３をオンにするように検知駆動制御ラインＳＣによって制御し、これによって、検知ドライバ１２が検知駆動ラインＳｅを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知し、これによって、該有機発光ダイオードの電気パラメータ（電気パラメータの変化も含める）を取得する。例えば、図７に示すように、第１のトランジスタＴ１を流れる電流（発光段階において、第１のトランジスタＴ１を流れる電流は、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光するように駆動する）を検知する場合に、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、及び第３のトランジスタＴ３の全てがオンにされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤがオフにされている。例えば、図８に示すように、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電圧を検知する場合に、第１のトランジスタＴ１がオフにされ、第２のトランジスタＴ２と第３のトランジスタＴ３との全てがオンにされており、例えば、この時、データ信号が低レベルである。例えば、検知ドライバ１２によって検知された発光電流又は発光電圧と、該画素回路に予め定められた発光電流又は発光電圧とが一致しない場合に、検知ドライバ１２は、検知された発光電流又は発光電圧に従って補償電圧Ｖｓｅを生成する、又は補償電流を生成する。
例えば、発光段階において、例えば、電圧源又は電流源によって、検知駆動ラインＳｅを介して該画素回路に該補償電圧Ｖｓｅ又は補償電流を印加してもよい。例えば、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電流Ｉｏｌｅｄは、次の飽和電流公式を満たすものである。
Ｉｏｌｅｄ＝Ｋ（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）２＝Ｋ（Ｖｄａｔａ－Ｖｓｅ－Ｖｔｈ）２
ここで、
Figure 2022116085000002
 μｎが第１のトランジスタＴ１のトンネル移動度であり、Ｃｏｘが第１のトランジスタＴ１の単位面積のトンネル容量であり、ＷとＬのそれぞれが第１のトランジスタＴ１のトンネル広さとトンネル長さであり、Ｖｔｈが第１のトランジスタＴ１の閾値電圧であり、Ｖｇｓが第１のトランジスタＴ１（駆動トランジスタ）のゲートソース電圧（第１のトランジスタＴ１のゲート電圧とソース電圧との差）である。データラインＤａｔａが第１のトランジスタＴ１のゲートと接続されるため、第１のトランジスタＴ１のゲート電圧がデータラインから伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａである。検知駆動ラインＳｅが第３のトランジスタＴ３を介して第１のトランジスタＴ１のソースと接続されるため、第３のトランジスタＴ３がオンにされる場合に、第１のトランジスタＴ１のソース電圧が検知駆動制御ラインＳＣから伝送される補償電圧Ｖｓｅである。上記の有機発光ダイオードＯＬＥＤの飽和電流公式から分かるように、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電流Ｉｏｌｅｄは、トンネル移動度μｎと、データラインから伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａと、検知ドライバ１２から検知駆動ラインＳｅを介して伝送される補償電圧Ｖｓｅと、第１のトランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈと関係し、従って、補償電圧Ｖｓｅの大きさを調整することで、閾値電圧Ｖｔｈドリフトの影響を補償することができ、これによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電流Ｉｏｌｅｄを、予め定められた発光電流にする。
また、第１のトランジスタＴ１のトンネル移動度μｎがドリフトする場合に、補償電圧Ｖｓｅの大きさを調整することで、トンネル移動度μｎのドリフトによる影響を補償してもよい。
また、例えば、図３及び図４に示す実施例において、複数の画素回路１００がデータラインＤａｔａを共用するとともにゲートラインＧａｔｅを共用する場合に、例えば、図３に二つの画素回路が同一のデータラインＤａｔａ及び同一のゲートラインＧａｔｅを共用する場合に、この二つの画素回路１００における有機発光ダイオードＯＬＥＤに対してそれぞれの予め定められた発光電流を満たすために、検知ドライバ１２は、それぞれに、この二つの画素回路１００に接続される異なる検知駆動ラインＳｅを介して各サブ画素に応じた補償電圧Ｖｓｅをこの二つの画素回路１００に伝送することができ、例えば、これらの補償電圧Ｖｓｅは、互いに異なってもよい。例えば、図４の実施例において、四つの画素回路が同一のデータラインＤａｔａ及び同一のゲートラインＧａｔｅを共用し、この四つの画素回路１００における有機発光ダイオードＯＬＥＤがそれぞれの予め定められた発光電流を満たすために、検知ドライバ１２は、それぞれに、この四つの画素回路１００に接続される異なる検知駆動ラインＳｅを介して各サブ画素に応じた補償電圧Ｖｓｅをこの四つの画素回路１００に伝送することができ、例えば、これらの補償電圧Ｖｓｅは、互いに異なってもよい。例えば、図４に同一列の異なる行の画素回路１００が検知駆動ラインＳｅを共用し、従って、同一列の異なる行の画素回路１００については、検知駆動制御ラインＳＣを介して同一列の異なる行の画素回路１００における第３のトランジスタＴ３を時分割にオンにするように制御し、これによって、検知駆動ラインＳｅを介して同一列の異なる行の画素回路１００に異なる補償電圧Ｖｓｅを伝送することを実現する。
例えば、本開示の実施例は、検知駆動ラインＳｅから伝送される補償電圧Ｖｓｅを利用して独自に補償することに限定されなく、データラインから伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａと、検知駆動ラインＳｅから伝送される補償電圧Ｖｓｅとを同時に利用して共同補償を行うこともでき、これによって、第１のトランジスタＴ１のゲートソース電圧Ｖｇｓの調整可能な範囲をさらに広くする。このような補償方式では、データドライバ１１と検知ドライバ１２は、協同して動作するように一緒に接続され、又は共にコントローラに接続されることで、補償を共同で実現してもよい。このように、補償可能な範囲をさらに広くし、補償をさらに精確にすることができる。
例えば、表示画面の各フレームにおいて有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電流を検知し、且つ、補償電圧Ｖｓｅ又は補償電流の大きさを調整することで各画素回路について動的調整を行い、これによって、表示品質を向上することができる。
例えば、検知された発光電流又は発光電圧が予め定められた発光電流又は発光電圧未満である場合に、一つの例示において補償電圧を減少し、又は、他の一つの例示において補償電流を増大する。
例えば、検知された発光電流又は発光電圧が予め定められた発光電流又は発光電圧より大きい場合に、一つの例示において補償電圧を増大し、又は、他の一つの例示において補償電流を減少する。
例えば、補償電圧Ｖｓｅ又は補償電流と、有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光電流Ｉｏｌｅｄと、トンネル移動度μｎと、データラインから伝送されるデータ電圧Ｖｄａｔａと、閾値電圧Ｖｔｈとの関数関係又は対応表を作成してもよい。検知ドライバ１２は、該関数関係又は対応表に従って、検知駆動ラインＳｅを介して各画素回路１００に異なる補償電圧Ｖｓｅ又は補償電流を提供することができる。読取や使用のために、該関数関係又は対応表は、例えば、記憶装置に記憶されてもよい。該記憶装置は、例えば、半導体メモリや磁気メモリといった各種の適切なタイプの記憶装置であってもよい。
例えば、検知ドライバ１２が検知駆動ラインＳｅを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知するのは、有機発光ダイオードの発光段階内に限定されるものではなく、有機発光ダイオードの発光段階と異なる検知段階を設けて、有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知してもよい。
例えば、有機発光ダイオードの発光段階のうち初期の期間内、検知ドライバ１２は、検知駆動ラインＳｅを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知してもよい。さらに例えば、データラインを介してデータ電圧Ｖｄａｔａを第１のノードＮ１に伝送した後に、一つの検知段階を専用に設け、該検知段階内において検知ドライバ１２が検知駆動ラインＳｅを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知してもよい。
例えば、図３及び図４に示す実施例において、複数の画素回路１００がデータラインＤａｔａを共用するとともにゲートラインＧａｔｅを共用する場合に、補償電圧Ｖｓｅの絶対値を減少してさらに検知ドライバ１２の負荷を減少するために、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００に対して、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値の和を最小にするデータ電圧Ｖｄａｔａを印加することができる。
さらに例えば、データ信号を施加する方式は、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値の和を最小にする方式に限定されなく、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００に対して、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値のうち最大値を最小にするデータ電圧Ｖｄａｔａを印加してもよい。
本開示の実施例は、表示装置１をさらに提供し、図９に示すように、表示装置１は、本開示のいずれか１つの実施例が提供する表示パネル１０を含む。本開示の少なくとも一つの実施例において、表示装置１は、動画信号を受信、処理できるように、信号受信回路、動画信号復号回路等をさらに含んでよく、又は、ネットワーク、無線信号等により他の装置と信号接続するできるように、必要に応じてモデム回路又はアンテナ等をさらに含んでもよい。
例えば、本開示の実施例が提供する表示装置１は、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートブック型パソコン、デジタルフレーム、ナビゲータといった、表示機能を有する任意の製品又は部件であってもよい。
本開示の実施例は、本開示のいずれか１つの実施例が提供する表示パネル１０における補償方法をさらに提供し、図１０に示すように、該方法は、次のステップを含む。
ステップＳ１０：検知駆動ラインを介して有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知する。
ステップＳ２０：発光電流又は発光電圧に従って補償電圧を生成する。
ステップＳ３０：検知駆動ラインを介して画素回路に補償電圧を伝送する。
ここで、発光電流又は発光電圧は、電気パラメータの例示であり、補償電圧は、補償信号の例示であるが、本開示の実施例は、これに限定されるものではない。
例えば、ステップＳ２０において、検知された発光電流又は発光電圧と、予め定められた発光電流又は発光電圧とを比較することで、有機発光ダイオードＯＬＥＤの飽和電流公式に従って補償電圧を計算して生成してもよい。
例えば、検知された発光電流又は発光電圧が予め定められた発光電流又は発光電圧未満である場合に、補償電圧を減少する。
例えば、検知された発光電流又は発光電圧が予め定められた発光電流又は発光電圧より大きい場合に、補償電圧を増大する。
例えば、図１１に示すように、本開示の少なくとも一つの実施例が提供する方法は、有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧を検知する前に、次のステップを含む。
ステップＳ０５：データラインを介して画素回路にデータ信号を伝送する。
例えば、図３及び図４に示す実施例において、複数の画素回路１００がデータラインＤａｔａを共用するとともにゲートラインＧａｔｅを共用する場合に、補償電圧Ｖｓｅの絶対値を減少してさらに検知ドライバ１２の負荷を減少するために、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００に対して、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値の和を最小にするデータ電圧Ｖｄａｔａを印加してもよい。
さらに例えば、データ信号を施加する方式は、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値の和を最小にするのに限定されなく、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００に対して、データラインＤａｔａを共用する同時にゲートラインＧａｔｅを共用する画素回路１００のそれぞれの補償電圧Ｖｓｅの絶対値のうち最大値を最小にするデータ電圧Ｖｄａｔａを印加してもよい。
本開示の実施例が提供する表示パネル、表示装置、及び補償方法は、隣接する画素回路がデータラインを共用することで、開口率を向上して寄生容量を減少し、且つ、検知駆動ラインを多重化することで、有機発光ダイオードの発光電流又は発光電圧の検知と、駆動トランジスタの閾値電圧ドリフトに対する補償とを完成することができる。
上記した内容は、本開示の例示的な実施方式に過ぎず、本開示の保護の範囲を制限するものではなく、本開示の保護の範囲は、添付の請求項によって決まる。
本出願は、２０１７年５月１２日に提出した中国特許出願の第２０１７１０３３５１９４．４号の優先権を要求し、ここで、上記中国特許出願に開示された内容の全文が本出願の一部として引用される。
１０ 表示パネル
１１ データドライバ
１２ 検知ドライバ
１３ 走査ドライバ
１４ 検知駆動制御回路
１００ 画素回路
１１０ 発光駆動回路
１２０ 検知駆動制御回路

Claims (17)

  1. 表示パネルであって、
    それぞれに画素回路を含むサブ画素であって、複数の行と複数の列とに配列される複数のサブ画素と、
    前記複数のサブ画素の画素回路のそれぞれと接続される複数の検知駆動ラインと、
    前記複数の検知駆動ラインと接続される検知ドライバとを含み、
    前記画素回路は、発光素子を含み、
    前記検知ドライバは、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路の発光素子の電気パラメータを検知するように配置され、そして、前記電気パラメータに従って補償信号を生成し、前記複数の検知駆動ラインを介して前記複数のサブ画素の画素回路に対して前記補償信号を伝送するように配置される
    表示パネル。
  2. 前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のデータラインをさらに含み、
    各データラインは、同一の行における少なくとも二つのサブ画素の前記画素回路と接続されている
    請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のゲートラインをさらに含み、
    各行の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記ゲートラインと接続されている
    請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
  4. 前記複数のサブ画素の画素回路と接続される複数のゲートラインをさらに含み、
    第２ｍ－１行の前記サブ画素の画素回路と第２ｍ行の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記ゲートラインと接続されており、ここで、ｍが０より大きな整数である
    請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
  5. 各列の前記サブ画素の画素回路は、同一の前記検知駆動ラインと接続されている
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の表示パネル。
  6. 前記複数のデータラインと前記複数の検知駆動ラインは、延伸方向が同じである
    請求項２または請求項３に記載の表示パネル。
  7. 各二列の前記サブ画素の画素回路の間には、前記データラインのみが設置され、又は、前記検知駆動ラインのみが設置されている
    請求項２または請求項３に記載の表示パネル。
  8. 前記複数のデータラインと前記複数の検知駆動ラインは、同一の層において形成される
    請求項２、請求項３、請求項６又は請求項７に記載の表示パネル。
  9. 第２ｎ－１列のサブ画素の画素回路と第２ｎ列のサブ画素の画素回路は、同一のデータラインと接続され、ここで、ｎが０より大きな整数である
    請求項２から請求項３、及び請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の表示パネル。
  10. 前記画素回路は、
    前記発光素子が動作の際に発光するように駆動する発光駆動回路と、
    前記検知駆動ラインと前記画素回路における発光駆動回路との接続及び切断を制御するように配置される検知駆動制御回路とをさらに含む
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の表示パネル。
  11. 前記発光駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、蓄積容量とを含み、
    前記第１のトランジスタの第１の極は、第１の電源電圧を受信するように第１の電源ラインと接続され、前記第１のトランジスタのゲートは、第１のノードと接続され、前記第１のトランジスタの第２の極は、第２のノードと接続されており、
    前記第２のトランジスタの第１の極は、データ信号を受信するように前記データラインと接続され、前記第２のトランジスタのゲートは、ゲート駆動信号を受信するようにゲートラインと接続され、前記第２のトランジスタの第２の極は、前記第１のノードと接続されており、
    前記蓄積容量の第１の端は、前記第１のノードと接続され、前記蓄積容量の第２の端は、前記第２のノードと接続されている
    請求項１０に記載の表示パネル。
  12. 前記検知駆動制御回路は、第３のトランジスタを含み、
    前記第３のトランジスタの第１の極は、第２のノードと接続され、前記第３のトランジスタのゲートは、検知駆動制御信号を受信するように検知駆動制御ラインと接続され、前記第３のトランジスタの第２の極は、前記検知駆動ラインと接続されている
    請求項１０又は請求項１１に記載の表示パネル。
  13. 前記画素回路にデータ信号を提供するように配置されるデータドライバと、
    前記画素回路にゲート駆動信号を提供するように配置される走査ドライバとをさらに含む
    請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の表示パネル。
  14. 前記発光素子は、有機発光ダイオードであり、
    前記電気パラメータは、前記発光ダイオードの発光電流又は発光電圧であり、
    前記補償信号は、補償電圧又は補償電流である
    請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の表示パネル。
  15. 請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の表示パネルを含む表示装置。
  16. 請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の表示パネルにおける補償方法であって、
    前記検知駆動ラインを介して前記発光素子の電気パラメータを検知するステップと、
    前記電気パラメータに従って補償信号を生成するステップと、
    前記検知駆動ラインを介して前記画素回路に前記補償信号を伝送するステップとを含む
    補償方法。
  17. 前記発光素子の電気パラメータを検知する前に、
    前記データラインを介して前記画素回路にデータ信号を伝送するステップをさらに含む
    請求項１６に記載の補償方法。
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