JP2022113963A - ウェーハの研削方法 - Google Patents

Abstract

【課題】セルフグラインドによって湾曲した保持面に表面側が保持されたウェーハの裏面に対してＴＡＩＫＯ研削を行って得られるウェーハのデバイス領域を含む部分（凹部と重なる部分）の厚さのばらつきを低減する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面の直径をデバイス領域の直径より大きく、かつ、ウェーハの直径より小さくする。この場合、セルフグラインドに用いられる研削ホイールの直径と、ＴＡＩＫＯ研削に用いられる研削ホイールの直径とを同じにすることができる。これにより、チャックテーブルの保持面と、ＴＡＩＫＯ研削を行って得られるウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する領域とを同様の形状にすることができる。その結果、デバイス領域を含む部分（凹部と重なる部分）の厚さのばらつきを低減することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法に関する。

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域を表面に有するウェーハを薄化した後、個々のデバイスを含む領域毎に分割することで製造される。

ウェーハを薄化する方法としては、例えば、ウェーハの表面側を円状の上面（保持面）で保持するチャックテーブルと、チャックテーブルの上方に設けられ、かつ、円環状に離散して配置された複数の研削砥石を備える円環状の研削ホイールとを有する研削装置による研削が挙げられる。この研削装置においては、チャックテーブル及び研削ホイールの双方を回転させながらウェーハの裏面に研削砥石の下面を接触させてウェーハの裏面を研削する。

ただし、ウェーハを薄くすると剛性が低くなり、その後の工程におけるウェーハの取り扱いが困難になるおそれがある。この点に鑑み、ウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する領域に凹部を形成するとともに、この凹部の外周の外側に円環状の補強部を形成する研削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７－１９４６１号公報

ウェーハの裏面に凹部及び補強部を形成する研削は、ＴＡＩＫＯ研削とも呼ばれ、一般的に、ウェーハの直径の約半分の直径を有する研削ホイールを用いて行われる。すなわち、ＴＡＩＫＯ研削では、上面視において、研削ホイールを回転させたときの研削砥石の軌跡上の点（第１の点）がウェーハの中心の近傍に位置付けられ、かつ、研削砥石の軌跡上の第１の点から最も遠い点（第１の点と軌跡の中心とを通る直線と、軌跡とが交差する点（第２の点））がウェーハの外周の僅かに内側に位置付けられるようなサイズの研削ホイールが用いられる。

また、研削装置においては、チャックテーブルの保持面の回転中心から外周に至る領域が湾曲するようにチャックテーブルの保持面の全域が研削されることがある。このような研削は、セルフグラインドとも呼ばれ、チャックテーブルの交換時に又は定期的に行われる。

セルフグラインドは、一般的に、保持面の直径の半分より大きい直径を有する研削ホイールを用いて行われる。すなわち、セルフグラインドでは、上面視において、研削ホイールを回転させたときの研削砥石の軌跡上の点（第３の点）が保持面の回転中心の近傍に位置付けられ、かつ、研削砥石の軌跡上の第３の点から最も遠い点（第３の点と軌跡の中心とを通る直線と、軌跡とが交差する点（第４の点））が保持面の外周の外側に位置付けられるようなサイズの研削ホイールが用いられる。

セルフグラインドによって湾曲する保持面の形状は、用いられる研削ホイールの直径に依存して変化する。例えば、この研削ホイールの直径が保持面の直径の半分より僅かに大きい程度であれば、回転中心と外周とがほぼ同じ高さとなり、また、回転中心と外周との中間付近に位置する箇所が最も低くなるように保持面が湾曲する。また、この研削ホイールの直径が保持面の直径の半分の１．２倍程度であれば、回転中心が外周より高くなり、また、回転中心よりも外周に近接する箇所が最も低くなるような保持面が湾曲する。

さらに、湾曲した保持面に保持されたウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する領域が平坦になるようにＴＡＩＫＯ研削を行うと、得られるウェーハのデバイス領域を含む部分（凹部と重なる部分）の厚さがばらつく。例えば、保持面のうち高さが高い箇所（例えば、保持面の回転中心）に保持されるウェーハの領域（例えば、ウェーハの中心）の厚さがその他の領域の厚さより薄くなる。

このようなばらつきを低減するためには、保持面と同様に湾曲するようにウェーハの裏面を研削する必要がある。そのためには、ＴＡＩＫＯ研削に用いられる研削ホイールの直径をセルフグラインドに用いられる研削ホイールの直径と同程度にすることが必要とされる。

しかしながら、研削装置においては、一般的に、ウェーハの表面側の全域がチャックテーブルに保持された状態でウェーハの研削が行われる。すなわち、チャックテーブルの保持面は、一般的に、ウェーハの表面より大きい。そのため、セルフグラインドに用いられる研削ホイールの直径は、ウェーハの直径の半分よりも大きくなる。

ここで、上述のとおり、ＴＡＩＫＯ研削は、ウェーハの直径の約半分の直径を有する研削ホイールを用いて行われる。そのため、ＴＡＩＫＯ研削に用いられる研削ホイールは、セルフグラインドに用いられる研削ホイールより小さくならざるを得ない。

この点に鑑み、本発明の目的は、セルフグラインドによって湾曲した保持面に表面側が保持されたウェーハの裏面に対してＴＡＩＫＯ研削を行って得られるウェーハのデバイス領域を含む部分（凹部と重なる部分）の厚さのばらつきを低減することである。

本発明の一側面によれば、複数のデバイスが形成された円状のデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する円環状の外周余剰領域とを表面に有するウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、該デバイス領域の直径より大きく、且つ該ウェーハの直径より小さい直径を有する円状の保持面を有し、該保持面の周方向に回転するチャックテーブルの該保持面を円環状の第１研削ホイールの研削砥石で研削し、該保持面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる保持面整形ステップと、該保持面整形ステップ後、該保持面に該ウェーハの表面側を保持させる保持ステップと、該保持ステップ後、該デバイス領域に対応する該ウェーハの裏面を該第１研削ホイールと同じ外径の円環状の第２研削ホイールの研削砥石で研削し、円状の凹部と該凹部を囲繞する円環状の補強部とを形成するとともに、該凹部の底面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる研削ステップと、を備えるウェーハの研削方法が提供される。

また、本発明の他の側面によれば、複数のデバイスが形成された円状のデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する円環状の外周余剰領域とを表面に有するウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、該デバイス領域の直径より大きく、且つ該ウェーハの直径より小さい直径を有する円状の保持面を有し、該保持面の周方向に回転するチャックテーブルの該保持面を円環状の第１研削ホイールの研削砥石で研削することによって、該保持面の回転中心から外周に至る領域が湾曲した該保持面に該ウェーハの表面側を保持させる保持ステップと、該保持ステップ後、該デバイス領域に対応する該ウェーハの裏面を該第１研削ホイールと同じ外径の円環状の第２研削ホイールの研削砥石で研削し、円状の凹部と該凹部を囲繞する円環状の補強部とを形成するとともに、該凹部の底面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる研削ステップと、を備えるウェーハの研削方法が提供される。

さらに、本発明においては、該第１研削ホイールと該第２研削ホイールは、同一の研削ホイールであることが好ましい。

本発明においては、チャックテーブルの保持面の直径が、デバイス領域の直径より大きく、かつ、ウェーハの直径より小さい。この場合、セルフグラインドに用いられる研削ホイールの直径と、ＴＡＩＫＯ研削に用いられる研削ホイールの直径とを同じにすることができる。

これにより、チャックテーブルの保持面と、ＴＡＩＫＯ研削を行って得られるウェーハの裏面のうちデバイス領域に相当する領域とを同様の形状にすることができる。その結果、デバイス領域を含む部分（凹部と重なる部分）の厚さのばらつきを低減することができる。

図１は、研削装置の一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、研削装置の構成要素の一部を模式的に示す一部断面側面図である。 図３は、ウェーハの一例を模式的に示す斜視図である。 図４は、ウェーハの研削方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図５は、セルフグラインドの際のチャックテーブルの保持面を模式的に示す上面図である。 図６は、研削砥石でチャックテーブルの保持面が研削される様子を模式的に示す図である。 図７は、ＴＡＩＫＯ研削の際のチャックテーブルの保持面を模式的に示す上面図である。 図８は、研削砥石でウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、研削装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１に示されるＸ軸方向（前後方向）及びＹ軸方向（左右方向）は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向（鉛直方向）である。

図１に示される研削装置２は、各構成要素を支持する基台４を有する。基台４の上面にはＸ軸方向に沿って延在する長手部を有する開口４ａが形成されている。開口４ａの内部には、ボールねじ式のＸ軸方向移動機構（不図示）が配置されている。Ｘ軸方向移動機構は、Ｘ軸方向に沿って延在する一対のガイドレール（不図示）を有する。

一対のガイドレールの上部には、一対のガイドレールに沿ってスライド可能な態様でＸ軸移動プレート（不図示）が連結されている。また、一対のガイドレールの間には、Ｘ軸方向に沿って延在するねじ軸（不図示）が配置されている。ねじ軸の一端部には、ねじ軸を回転させるためのモータ（不図示）が連結されている。

ねじ軸の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸の表面を転がるボールを収容するナット部（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸が回転するとボールがナット部内を循環してナット部がＸ軸方向に沿って移動する。

また、このナット部は、Ｘ軸移動プレート（不図示）の下面側に固定されている。そのため、モータでねじ軸を回転させれば、ナット部とともにＸ軸移動プレートがＸ軸方向に沿って移動する。

Ｘ軸移動テーブル上には、テーブルカバー６が設けられている。また、テーブルカバー６上には、Ｘ軸移動テーブルとともにＸ軸方向に沿って移動するチャックテーブル８が設けられている。ここで、図２を参照してチャックテーブル８等について説明する。なお、図２は、チャックテーブル８等の研削装置２の構成要素の一部を模式的に示す一部断面側面図である。

チャックテーブル８は、ステンレス鋼等の金属材料又はセラミックスからなる枠体１０を有する。枠体１０は、円盤状の底壁と、この底壁の外周部から上方に延在する円環状の側壁とを有し、この側壁によって凹部が画定されている。凹部の底部には、吸引路（不図示）が形成されている。この吸引路の一端は、凹部の底面に露出しており、吸引路の他端は、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

枠体１０の凹部には、ポーラス板１２が固定されている。ポーラス板１２の下面は概ね平坦であり、その上面は中央部が外周部に比べてわずかに突出した形状、すなわち、円錐の側面に相当する形状になっている。吸引源を動作させると、ポーラス板１２の上面（チャックテーブル８の保持面８ａ）には負圧が生じる。

チャックテーブル８の下部には、円柱状のスピンドル１４の上部が連結されている。なお、チャックテーブル８は、スピンドル１４から取り外し可能である。スピンドル１４の下部は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持面８ａの中心を通る回転軸１６を中心としてチャックテーブル８が回転する。すなわち、チャックテーブル８は、保持面８ａの周方向に回転する。

チャックテーブル８の下方には、チャックテーブル８が回転可能な態様でチャックテーブル８を支持する環状のベアリング１８が設けられている。ベアリング１８の下方には、環状の支持板２０が固定されている。支持板２０の下方には、環状のテーブルベース２２が設けられている。スピンドル１４は、ベアリング１８、支持板２０及びテーブルベース２２のそれぞれの中央に設けられた開口に位置する。

テーブルベース２２の下面側には、テーブルベース２２の下面の周方向に沿って互いに離れる様に、３つの支持機構（固定支持機構２６ａ、第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃ）が設けられている。なお、本明細書では、これら３つの支持機構をまとめて、傾き調整ユニット２６と称する。

テーブルベース２２は、固定支持機構２６ａ、第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃに支持されている。固定支持機構２６ａは、所定長さの支柱（固定軸）を有する。この支柱の上部は、テーブルベース２２の下面に固定された上部支持体を支持しており、この支柱の下部は、支持ベースに固定されている。

第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃのそれぞれは、先端部に雄ねじが形成された支柱（可動軸）２８を有する。支柱２８の先端部（上部）は、テーブルベース２２の下面に固定された上部支持体３０に回転可能な態様で連結されている。より具体的には、上部支持体３０は、雌ネジを有するロッド等の金属製柱状部材であり、支柱２８の雄ねじは、上部支持体３０の雌ネジに回転可能な態様で連結されている。

第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃの支柱２８の外周には、所定の外径を有する円環状のベアリング３２が固定されている。ベアリング３２の一部は、階段状の支持板３４に支持されている。すなわち、第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃは、支持板３４に支持されている。

支柱２８の下部には、支柱２８を回転させるモータ３６が連結されている。モータ３６を動作させて支柱２８を一方向に回転させることで、上部支持体３０が上昇する。また、モータ３６を動作させて支柱２８を他方向に回転させることで、上部支持体３０が下降する。このように、第１可動支持機構２６ｂ及び第２可動支持機構２６ｃの上部支持体３０が昇降することで、テーブルベース２２（すなわち、チャックテーブル８）の傾きが調整される。

再び図１を参照して、研削装置２のその他の構成要素について説明する。開口４ａには、テーブルカバー６を挟む様に、Ｘ軸方向に伸縮可能な蛇腹状の防塵防滴カバー３８が設けられている。開口４ａの前端近傍には、研削条件等を入力するための操作パネル４０が設けられている。

また、開口４ａの後端近傍には、上方に延在する直方体状の支持構造４２が設けられている。支持構造４２の前面側（すなわち、操作パネル４０側）には、Ｚ軸方向移動機構４４が設けられている。Ｚ軸方向移動機構４４は、Ｚ軸方向に沿って延在する一対のＺ軸ガイドレール４６を備える。

一対のＺ軸ガイドレール４６の前面側には、一対のＺ軸ガイドレール４６に沿ってスライド可能な態様でＺ軸移動プレート４８が連結されている。また、一対のＺ軸ガイドレール４６の間には、Ｚ軸方向に沿って延在するねじ軸５０が配置されている。ねじ軸５０の一端部には、ねじ軸５０を回転させるためのモータ５２が連結されている。

ねじ軸５０の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸５０の表面を転がるボールを収容するナット部（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸５０が回転するとボールがナット部内を循環してナット部がＺ軸方向に沿って移動する。

また、このナット部は、Ｚ軸移動プレート４８の裏面側に固定されている。そのため、モータ５２でねじ軸５０を回転させれば、ナット部とともにＺ軸移動プレート４８がＺ軸方向に沿って移動する。

Ｚ軸移動プレート４８の前面側には、支持具５４が設けられている。支持具５４は、研削ユニット５６を支持している。研削ユニット５６は、支持具５４に固定された円筒状のスピンドルハウジング５８を有する。スピンドルハウジング５８には、Ｚ軸方向に沿う円柱状のスピンドル６０の一部が、回転可能な状態で収容されている。

スピンドル６０の上端部には、スピンドル６０を回転させるためのモータ６２が連結されている。スピンドル６０の下端部は、スピンドルハウジング５８から露出しており、この下端部には、ステンレス鋼等の金属材料で形成された円盤状のホイールマウント６４の上面が固定されている。

ホイールマウント６４の下部には、ホイールマウント６４と概ね径が等しい円環状の研削ホイール６６が取り付けられている。研削ホイール６６は、取り外し可能な態様でホイールマウント６４の下部に連結され、チャックテーブル８の保持面８ａの直径の約半分の直径を有する。

図２に示される様に、研削ホイール６６は、円環状のホイール基台６８を有する。ホイール基台６８は、例えば、ステンレス鋼等の金属材料からなり、その下面側には、この下面の周方向に沿って複数の研削砥石７０が離散的に配置されている。複数の研削砥石７０の下面は、Ｚ軸方向において概ね同じ高さに配置されており、この下面により被研削物を研削するための研削面７２が規定される。

そして、モータ６２が動作してスピンドル６０を回転させると、研削面７２の中心を通る回転軸７４を中心として研削ホイール６６が回転する。さらに、研削ホイール６６の近傍又はその内部には、所望の研削（例えば、ＴＡＩＫＯ研削又はセルフグラインド）を行う際に研削面７２に水等の研削液を供給するノズル（不図示）が設けられている。

図３は、研削装置２によって研削されるウェーハの一例を模式的に示す斜視図である。図３に示されるウェーハ１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる。ウェーハ１１は、互いに交差する複数の分割予定ライン１３で複数の領域に区画されている。

また、ウェーハ１１の表面１１ａは、チャックテーブル８の保持面８ａ（図１及び２参照）より直径が小さい円状のデバイス領域１５ａ（図３に示される点線の内側の領域）を有する。そして、デバイス領域１５ａ内の分割予定ライン１３によって区画された複数の領域のそれぞれには、ＩＣ又はＬＳＩ等のデバイス１７が形成されている。

さらに、ウェーハ１１の表面１１ａは、デバイス領域１５ａを囲繞し、かつ、保持面８ａの直径より外径が大きい円環状の外周余剰領域１５ｂ（図３に示される点線の外側の領域）を有する。すなわち、ウェーハ１１の表面１１ａの直径は、保持面８ａの直径より大きい。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。例えば、ウェーハ１１は、シリコン以外の半導体材料、セラミックス、樹脂及び金属等の材料でなる基板であってもよい。同様に、デバイス１７の種類、数量、形状、構造、大きさ及び配置等にも制限はない。

また、ウェーハ１１の表面１１ａには、ウェーハ１１の直径と概ね等しい直径を有するフィルム状の保護部材１９が貼着されている。保護部材１９は、例えば、樹脂からなり、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する際に表面１１ａ側に加わる衝撃を緩和してデバイス１７を保護する。

保護部材１９は、例えば、基材層と、基材層の一面に設けられた糊層（粘着層）とを有し、この糊層がウェーハ１１の表面１１ａに貼着される。あるいは、保護部材１９は、基材層のみで構成され、熱圧着等で表面１１ａ側に貼り付けられてもよい。

図４は、研削装置２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂを研削するウェーハの研削方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法では、まず、チャックテーブル８の保持面８ａの回転中心から外周に至る領域が湾曲するように保持面８ａをセルフグラインド用の研削ホイール（第１研削ホイール）の研削砥石で研削する（保持面整形ステップ：Ｓ１）。

保持面整形ステップ（Ｓ１）の具体例について、図５及び図６を参照して説明する。なお、図５は、セルフグラインドの際のチャックテーブル８の保持面８ａを模式的に示す上面図である。また、図６は、セルフグラインド用の研削ホイール６６ａのホイール基台６８ａの下面側に配置された研削砥石７０ａで保持面８ａが研削される様子を模式的に示す図である。さらに、図５においては、回転する研削砥石７０ａの軌跡７６が点線で示されている。

保持面整形ステップ（Ｓ１）では、まず、開口４ａ（図１参照）の内部に設けられたＸ軸方向移動機構を動作させて、上面視において、軌跡７６上の点（第１の点）が保持面８ａの回転中心の近傍に位置付けられ、かつ、軌跡７６上の第１の点から最も遠い点（第１の点と軌跡７６の中心とを通る直線と、軌跡７６とが交差する点（第２の点））が保持面８ａの外周の外側に位置付けられるようにチャックテーブル８をＸ軸方向に沿って移動させる（図５参照）。

次いで、傾き調整ユニット２６によってチャックテーブル８の回転軸１６の傾きを調整する。以下では、この点について詳細に説明する。仮に軌跡７６の一端から他端まで延在する線に重なる保持面８ａの母線８ｂと、研削面７２とが平行である場合、母線８ｂが保持面８ａのうち研削面７２に最も近接する部分になる。すなわち、この場合には、母線８ｂの一端に位置する保持面８ａの回転中心と、母線８ｂの他端に位置する保持面８ａの外周上の点とが研削砥石７０に最も近接する保持面８ａ上の点となる。

この状態において、チャックテーブル８を上昇させるように第１可動支持機構２６ｂが動作すれば、図５に示される保持面８ａのうち第１可動支持機構２６ｂに近接する領域が残りの領域よりも研削面７２に近接するように保持面８ａの回転軸１６の傾きが変化する。すなわち、傾き調整ユニット２６によってチャックテーブル８の回転軸１６の傾きが調整される。

これにより、例えば、第１可動支持機構２６ｂに近接する研削砥石７０と保持面８ａとの間隔を、母線８ｂの一端及び他端と研削砥石７０との間隔より短くすることができる。そして、この回転軸１６の傾きを維持したまま、図６に示されるようにセルフグラインドを行えば、保持面８ａの回転中心と外周との中間に位置する領域の研削量が残りの領域の研削量よりも多くなる。その結果、保持面８ａの回転中心から外周に至る領域が湾曲する。

図４に示されるウェーハの研削方法では、保持面整形ステップ（Ｓ１）後、チャックテーブル８の保持面８ａにウェーハ１１の表面１１ａ側を保持させる（保持ステップ：Ｓ２）。具体的には、まず、開口４ａの内部に設けられたＸ軸方向移動機構を動作させて、ウェーハ１１の搬入が可能な位置までチャックテーブル８をＸ軸方向に沿って前方に移動させる（図１参照）。

次いで、ウェーハ１１の中心が保持面８ａの回転中心の直上に位置付けられるように保護部材１９を介してウェーハ１１を保持面８ａに載置する。この時、ウェーハ１１の表面１１ａの直径が保持面８ａの直径より大きいため、ウェーハ１１の外周は、保持面８ａの外周の外側に位置付けられる。すなわち、ウェーハ１１の外周近傍は、保持面８ａと接触しない。

次いで、チャックテーブル８に接続された吸引源を動作させて保持面８ａに負圧を生じさせる。これにより、保護部材１９を介してウェーハ１１の表面１１ａ側がチャックテーブル８の保持面８ａに吸引保持される。

図４に示されるウェーハの研削方法では、保持ステップ（Ｓ２）後、デバイス領域１５ａに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂをセルフグラインド用の研削ホイール６６ａと同じ外径のＴＡＩＫＯ研削用の研削ホイール（第２研削ホイール）の研削砥石で研削する（研削ステップ：Ｓ３）。

研削ステップ（Ｓ３）の具体例について、図７及び図８を参照して説明する。なお、図７は、ＴＡＩＫＯ研削の際のチャックテーブル８の保持面８ａを模式的に示す上面図である。また、図８は、ＴＡＩＫＯ研削用の研削ホイール６６ｂのホイール基台６８ｂの下面側に配置された研削砥石７０ｂでウェーハ１１の裏面１１ｂが研削される様子を模式的に示す図である。さらに、図７においては、保持面８ａに保持されるウェーハ１１及び回転する研削砥石７０ｂの軌跡７８が点線で示されている。

研削ステップ（Ｓ３）では、まず、ホイールマウント６４に取り付けられたセルフグラインド用の研削ホイール６６ａが、研削ホイール６６ａと同じ外径を有するＴＡＩＫＯ研削用の研削ホイール６６ｂに交換される。そのため、セルフグラインド用の研削ホイール６６ａが回転する際の研削砥石７０ａの軌跡７６の外径と、ＴＡＩＫＯ研削用の研削ホイール６６ｂが回転する際の研削砥石７０ｂの軌跡７８の外径とは、概ね等しい。なお、研削ホイール６６ａと研削ホイール６６ｂとは、同一の研削ホイールであってもよい。この場合、研削ホイールを交換する必要がなくなる点で好ましい。

次いで、開口４ａ（図１参照）の内部に設けられたＸ軸方向移動機構を動作させて、上面視において、軌跡７８上の点（第３の点）がウェーハ１１の中心（すなわち、保持面８ａの回転中心）の近傍に位置付けられ、かつ、軌跡７８上の第３の点から最も遠い点（第３の点と軌跡７８の中心とを通る直線と、軌跡７８とが交差する点（第４の点））が保持面８ａの外周の僅かに内側に位置付けられるようにチャックテーブル８をＸ軸方向に沿って後方に移動させる（図７参照）。

次いで、ＴＡＩＫＯ研削において、ウェーハ１１の裏面１１ｂのうちデバイス領域１５ａに相当する領域が保持面８ａと同様に湾曲するように傾き調整ユニット２６によってチャックテーブル８の回転軸１６の傾きを調整する。なお、保持面整形ステップ（Ｓ１）において調整された回転軸１６の傾きが変更されていない場合には、再度、回転軸１６の傾きを調整しなくてもよい。

そして、この回転軸１６の傾きを維持したまま、図８に示されるようにＴＡＩＫＯ研削を行えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂに円状の凹部１１ｃと凹部１１ｃを囲繞する円環状の補強部１１ｄとが形成されるとともに、凹部１１ｃの底面の回転中心から外周に至る領域が湾曲する。

図４に示されるウェーハの研削方法においては、セルフグラインドが行われるチャックテーブル８の保持面８ａの直径が、デバイス領域１５ａの直径より大きく、かつ、ウェーハ１１の直径より小さい。この場合、セルフグラインドに用いられる研削ホイール６６ａの直径と、ＴＡＩＫＯ研削に用いられる研削ホイール６６ｂの直径とを同じにすることができる。

これにより、チャックテーブル８の保持面８ａと、ＴＡＩＫＯ研削を行って得られるウェーハ１１の裏面１１ｂのうちデバイス領域１５ａに相当する領域とを同様の形状にすることができる。その結果、デバイス領域１５ａを含む部分（凹部１１ｃと重なる部分）の厚さのばらつきを低減することができる。

なお、図４に示されるウェーハの研削方法は、本発明の一態様に過ぎず、本発明のウェーハの研削方法は、図４に示されるウェーハの研削方法に限定されない。例えば、本発明においては、上述の保持ステップ（Ｓ２）及び研削ステップ（Ｓ３）に先立って常に保持面整形ステップ（Ｓ１）を行う必要はない。

すなわち、複数のウェーハに対してＴＡＩＫＯ研削を行うような場合には、１枚目のウェーハに対する処理に先立って保持面整形ステップ（Ｓ１）を行えばよく、各ウェーハに対する処理に先立って保持面整形ステップ（Ｓ１）を行う必要はない。

また、スピンドル１４の上部に連結された既存のチャックテーブルを、事前に保持面整形ステップ（Ｓ１）が行われること等によって保持面の回転中心から外周に至る領域が湾曲したチャックテーブルに交換した後、上述の保持ステップ（Ｓ２）及び研削ステップ（Ｓ３）が行われてもよい。

その他、上述した実施形態及び変形例にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ：研削装置
４ ：基台（４ａ：開口）
６ ：テーブルカバー
８ ：チャックテーブル（８ａ：保持面）
１０：枠体
１２：ポーラス板
１４：スピンドル
１６：回転軸
１８：ベアリング
２０：支持板
２２：テーブルベース
２６：調整ユニット（２６ａ：固定支持機構、２６ｂ，２６ｃ：可動支持機構）
２８：支柱
３０：上部支持体
３２：ベアリング
３４：支持板
３６：モータ
３８：防塵防滴カバー
４０：操作パネル
４２：支持構造
４４：Ｚ軸方向移動機構
４６：Ｚ軸ガイドレール
４８：Ｚ軸移動プレート
５０：ねじ軸
５２：モータ
５４：支持具
５６：研削ユニット
５８：スピンドルハウジング
６０：スピンドル
６２：モータ
６４：ホイールマウント
６６（６６ａ，６６ｂ）：研削ホイール
６８（６８ａ，６８ｂ）：ホイール基台
７０（７０ａ，７０ｂ）：研削砥石
７２：研削面
７４：回転軸
７６，７８：軌跡
１１：ウェーハ（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面）
１３：分割予定ライン
１５ａ：デバイス領域
１５ｂ：外周余剰領域
１７：デバイス
１９：保護部材

Claims (3)

1. 複数のデバイスが形成された円状のデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する円環状の外周余剰領域とを表面に有するウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、
   該デバイス領域の直径より大きく、且つ該ウェーハの直径より小さい直径を有する円状の保持面を有し、該保持面の周方向に回転するチャックテーブルの該保持面を円環状の第１研削ホイールの研削砥石で研削し、該保持面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる保持面整形ステップと、
   該保持面整形ステップ後、該保持面に該ウェーハの表面側を保持させる保持ステップと、
   該保持ステップ後、該デバイス領域に対応する該ウェーハの裏面を該第１研削ホイールと同じ外径の円環状の第２研削ホイールの研削砥石で研削し、円状の凹部と該凹部を囲繞する円環状の補強部とを形成するとともに、該凹部の底面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる研削ステップと、を備える
   ことを特徴とするウェーハの研削方法。
2. 複数のデバイスが形成された円状のデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する円環状の外周余剰領域とを表面に有するウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、
   該デバイス領域の直径より大きく、且つ該ウェーハの直径より小さい直径を有する円状の保持面を有し、該保持面の周方向に回転するチャックテーブルの該保持面を円環状の第１研削ホイールの研削砥石で研削することによって、該保持面の回転中心から外周に至る領域が湾曲した該保持面に該ウェーハの表面側を保持させる保持ステップと、
   該保持ステップ後、該デバイス領域に対応する該ウェーハの裏面を該第１研削ホイールと同じ外径の円環状の第２研削ホイールの研削砥石で研削し、円状の凹部と該凹部を囲繞する円環状の補強部とを形成するとともに、該凹部の底面の回転中心から外周に至る領域を湾曲させる研削ステップと、を備える
   ことを特徴とするウェーハの研削方法。
3. 該第１研削ホイールと該第２研削ホイールは、同一の研削ホイールであることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハの研削方法。

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