JP2022113418A - 樹脂フラックスはんだペーストおよび実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、高融点はんだへの適用性に優れ、かつ優れた接続安定性（はんだ溶融性）と優れたせん断密着力とを兼ね備える樹脂フラックスはんだペーストおよびそれを用いて電子部品を実装した実装構造体を提供する。【解決手段】樹脂フラックスはんだペーストは、はんだ粉末とフラックスとを含むはんだペーストである。前記フラックスは、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と活性剤と硬化反応調整剤とを含む。前記硬化剤は、フェノールノボラック樹脂を含む。前記硬化促進剤は、ホウ素含有化合物を含む。前記硬化反応調整剤は、リン含有化合物を含む。前記硬化反応調整剤と前記硬化促進剤との比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））は、５／１～１／１である。【選択図】図１

Description

本発明は、主として回路基板に半導体部品または電子部品などをはんだ付けする際に用いられるはんだペーストのうち、フラックス成分にエポキシ樹脂を含むはんだペーストおよび実装構造体に関するものである。

近年、携帯電話またはＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などのモバイル機器の小型化、高機能化が進んでいる。これに対応できる実装技術として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）またはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などの実装構造が多く用いられている。モバイル機器は、落下衝撃などの機械的負荷にさらされやすい。ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）では、そのリード部分において、衝撃を吸収する。しかし、衝撃を緩和するリードを持たないＢＧＡまたはＣＳＰなどでは、耐衝撃信頼性を確保することが重要となってきている。そのため、デバイス実装での高いはんだ接続信頼性が必須となってきており、それを実現できる構造的な手法およびはんだ材料が望まれている。

そこで、さらなる対策として、フラックスに熱硬化性樹脂を含むはんだペーストを用いた半導体実装構造体およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

フラックスに熱硬化性樹脂を含むはんだペースト（以下、樹脂フラックスはんだペーストと称する）は、加熱してはんだが溶融接続する工程で、フラックス中に含まれる樹脂とはんだが分離して、はんだの周辺を樹脂が覆う補強構造を形成し得る。その補強の結果、はんだの接続部の強度を高くすることが可能になる。

図３は、上記はんだペーストを用いて接合した接続部の断面図である。図３に示すように、回路基板１に設けた電極２と、回路基板３に設けた電極４との間を、はんだ導電部９Ａで接合し、その周囲が硬化後の固体樹脂である補強部６ｂで補強された構造となっている。

この樹脂フラックスはんだペーストを用いた実装工程では、樹脂フラックスはんだペーストをメタルマスクを用いて回路基板の配線電極など所定の位置に印刷後、リフロー炉で加熱される。その際、フラックスによって、はんだ付けされる金属表面の酸化膜およびはんだ粉末表面の酸化膜を還元反応で化学的に除去する作用、すなわちフラックス作用が働き、はんだの溶融接続が可能となる。その後、引き続きエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化が進み、回路基板の配線電極と電子部品の接合および樹脂での補強が、１回の加熱リフロー工程で行われる。

一方、通常の（熱硬化性樹脂含まない）クリームはんだペーストに用いられるはんだ材料としては、従来はＰｂ共晶はんだが利用されていたが、昨今では環境への配慮から鉛フリーはんだが利用されている。この鉛フリーはんだには、Ｓｎ－Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系はんだ（以下、単にＳＡＣはんだとも称する）、Ｓｎ－Ｃｕ系はんだなどがある。ＳＡＣはんだなどを用いた実装では、高接続信頼性の実現の対策として、金属組成の異なるＩｎ入りのはんだなども実用化されてきている。ＳＡＣはんだは、その代表格として、ＳＡＣ３０５（Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ）はんだ（以下、単にＳＡＣ３０５はんだとも称する）およびより銀比率の低いＳＡＣ１０５（Ｓｎ－１．０Ａｇ－０．５Ｃｕ）はんだ（銀比率１％）（以下、単にＳＡＣ１０５はんだとも称する）が検討されて、徐々に実用化されてきている。

前述したように、樹脂フラックスはんだペーストを用いることで、プロセスの遅延およびコストの問題が生じることなく、樹脂で形成された補強構造によって接続信頼性を高めることができる。しかしながら、このような樹脂フラックスはんだペーストで実用化されているものは、特許文献１に示されるような、Ｓｎ－Ｂｉ系はんだなどの低融点はんだを用いたものである。例えば、ＳＡＣはんだなどの高融点はんだを用いた熱硬化性樹脂を含むはんだペーストは、まだほとんど実用化されていない。

特許第５２０４２４１号公報

本発明者らは、鋭意検討した結果、上記実用されていない原因は、以下に示すものであることを見出した。例えば、融点が約２２０℃であるＳＡＣ３０５はんだをリフロープロファイルにおいて十分に溶融させるためには、実装のリフロー炉のピーク温度を２４０～２６０℃まで上げる必要がある。一般的に、樹脂フラックスはんだペーストのフラックス中の熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂は、通常１００～１５０℃で硬化反応を開始する。そのため、リフロープロファイルにおいて、樹脂フラックスはんだペースト中に分散しているはんだ粒子が、融点で溶融し凝集接合する前に、エポキシ樹脂が先に硬化を始めて増粘してしまう。そのため、はんだ粒子は粒子同士の溶融合体が阻害され、はんだ接合ができず、はんだ周囲の樹脂補強構造の形成も困難となる。しかも、エポキシ樹脂は、２００℃付近の高い温度では、１５０℃付近の温度と比べて非常に硬化速度が速くなり短時間で固化してしまう。そのため、特に高融点のはんだの場合、高温での樹脂フラックスはんだペーストでのはんだ接合部分および樹脂補強部分の形成は、非常に困難となっていた。つまり、はんだの溶融前に樹脂の硬化が起こってしまい、はんだの溶融接続が十分に形成できなかった。

一般的には、エポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン化合物やイミダゾールや酸無水物などがよく知られている。そこで、本発明者らは、先述のように、ＳＡＣ３０５はんだの融点の約２２０℃まではエポキシ樹脂の硬化がほとんど進まず、融点より高い温度域（高温域）にて硬化反応が始まるような硬化系を鋭意検討した。その結果、本発明者らは、フェノールノボラック樹脂が、その高温域で硬化剤として機能し、その高温域での求められる硬化反応挙動に合致することを見つけだした。

本発明者らはさらに検討した結果、以下の課題を見出した。硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂は、室温（例えば、２５℃）から、ＳＡＣ３０５はんだの融点２２０℃までの低い温度域では、エポキシ樹脂との反応性は低いため、室温での保存安定性に優れている。その一方で、２２０℃以上の高い温度域でのエポキシ樹脂との反応性が十分に高くなく、完全硬化までには長時間を要するという欠点を見出した。そこで、高い温度域でのエポキシ樹脂と硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂との反応性を向上させるために、硬化促進剤としてホウ素含有化合物を添加することを見出した。

本発明者らのさらなる検討の結果、硬化促進剤を添加することの弊害、つまり、低い温域でのフェノールノボラック樹脂のエポキシ樹脂との反応が低い温度域で進行するとの弊害を抑制するために、硬化反応調整剤としてリン含有化合物を添加することを見出した。

本発明者らは、要するに、樹脂フラックスはんだペーストによる望ましい硬化系は、はんだの融点未満の温度域（低温域）では樹脂の硬化反応は殆ど進まず、はんだの融点以上の温度域（高温域）では、短時間で急速に硬化反応が完了するという硬化挙動を示す硬化系であるとの技術思想に至った。このような技術思想に基づけば、低温域では、樹脂の硬化反応がほとんど進行しないため、樹脂フラックスはんだペーストの保存安定性に優れる。一方、高温域で短時間で急速に硬化反応が完了するため、はんだの溶融と樹脂の硬化が並行して進行する。これにより、樹脂フラックスはんだペースト中に分散するはんだ粒子が溶融して凝集接合し、溶融合体が形成され、溶融合体の少なくとも一部を被覆する樹脂補強構造も形成される。

本発明は、以上の様な最適な硬化バランスのとれた樹脂硬化系を有する樹脂フラックスはんだペーストを提供することを目的とする。つまり、本発明は、高融点はんだへの適用性に優れ、かつ優れた接続安定性（はんだ溶融性）と高いせん断密着力とを兼ね備える樹脂フラックスはんだペーストおよびそれを用いて電子部品を実装した実装構造体を提供することを目的とする。

本発明の第１の要旨によれば、
はんだ粉末とフラックスとを含むはんだペーストであって、
前記フラックスは、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と活性剤と硬化反応調整剤とを含み、
前記硬化剤は、フェノールノボラック樹脂を含み、
前記硬化促進剤は、ホウ素含有化合物を含み、
前記硬化反応調整剤は、リン含有化合物を含み、
前記硬化反応調整剤と前記硬化促進剤との比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））は、５／１～１／１である、樹脂フラックスはんだペースト。

本発明の第２の要旨によれば、
回路基板に、上記樹脂フラックスはんだペーストを用いて電子部品を実装した実装構造体であって、
前記電子部品と前記回路基板とが金属接合された導電部と、前記導電部との周囲の少なくとも一部が前記フラックスの硬化物で覆われることによって形成された補強部とを備える、実装構造体。

本発明は、高融点（例えば、２００℃以上の高い融点）のはんだの接続に適用することができ、かつ優れた接続安定性と高い密着力を有するはんだペーストおよび、それを用いて電子部品を実装した実装構造体を提供することができる。

本発明の樹脂フラックスはんだペーストを用いて接合されたＣＳＰのはんだ接合部分の断面図である。 本発明の樹脂フラックスはんだペーストを用いたＣＳＰのボール部の接合工程を模式的に示した断面説明図である。 本発明の樹脂フラックスはんだペーストを用いたＣＳＰのボール部の接合工程を模式的に示した断面説明図である。 本発明の樹脂フラックスはんだペーストを用いたＣＳＰのボール部の接合工程を模式的に示した断面説明図である。 本発明の樹脂フラックスはんだペーストを用いたＣＳＰのボール部の接合工程を模式的に示した断面説明図である。 従来のはんだペーストを用いて接合されたＣＳＰのはんだ接合部分の断面図である。 実施例２の樹脂フラックスはんだペーストのフラックスをＴＡインスツルメント社製レオメーター『ＤＨＲ－２』粘弾性測定装置にて、定速で加熱および冷却した時の弾性率の挙動を示している。 比較例３の樹脂フラックスはんだペーストのフラックスをＴＡインスツルメント社製レオメーター『ＤＨＲ－２』粘弾性測定装置にて、定速で加熱および冷却した時の弾性率の挙動を示している。

以下、本発明の実施形態について、具体的に説明する。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。本発明は、本発明の目的の範囲内で適宜変更して実施することができる。以下、樹脂フラックスはんだペーストおよび実施構造体について詳細に説明する。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら具体的に説明する。

＜樹脂フラックスはんだペースト＞
本発明の実施形態に係る樹脂フラックスはんだペースト（以下、単に「はんだペースト」とも称する）は、
はんだ粉末とフラックスとを含むはんだペーストであって、
前記フラックスは、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と活性剤と硬化反応調整剤とを含み、
前記硬化剤は、フェノールノボラック樹脂を含み、
前記硬化促進剤は、ホウ素含有化合物を含み、
前記硬化反応調整剤は、リン含有化合物を含み、
前記硬化反応調整剤と前記硬化促進剤との比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））は、５／１～１／１である。

本実施形態に係るはんだペーストは、高融点はんだへの適用性に優れ、かつ優れた接合安定性および優れた密着性を兼ね備える。その理由は以下のように推測される。本実施形態に係るはんだペーストでは、フラックスがエポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂と、硬化促進剤としてのホウ素含有化合物と、硬化反応調整剤としてのリン含有化合物とを含む。硬化反応調整剤と硬化促進剤との比率が５／１～１／１である。このように、本実施形態に係るはんだペーストは、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を含み、硬化促進剤としてのホウ素含有化合物と硬化反応調整剤とを所定の比率で含む。これにより、はんだ粉末の融点未満の低温域（例えば、２００℃未満の温度域）での硬化反応の進行を抑制しつつ、はんだ粉末の融点以上の高温域（例えば、２００℃以上の温度域）での硬化反応を効率よく加速させるというエポキシ樹脂の温度域ごとの反応性を調整することが可能となる。これにより、はんだペーストを加熱すると、その温度がはんだ粉末の融点に達してからはんだ粒子の溶融および凝集が起こり、さらに過熱してその温度が硬化反応開始温度に達してから硬化反応の進行が加速する。このため、はんだ粒子の溶融および凝集が、硬化反応に起因するフラックスの増粘に阻害されにくくなり、はんだが適切に溶融接続して接合部を形成できる。硬化反応は、はんだの溶融および凝集の後に急激に加速するため、はんだ接合部外部に硬化反応で形成される樹脂硬化物によって被覆される。これにより、接合部の少なくとも一部を被覆する樹脂補強部が形成される。
以上から、本実施形態に係るはんだペーストは、高融点のはんだ適用性に優れ、かつ優れた接続安定性および高い密着力を兼ね備える。

［はんだ粉末］
本実施形態に係るはんだペーストに含まれるはんだ粉末は、特に限定されないが、融点が１８０℃以上、特に２００℃以上のはんだ粉末が用いられることが好ましい。はんだ粉末の組成は、特に限定されないが、Ｓｎ単体、またははんだ合金の形態であってもよい。はんだ合金としては、例えば、Ｓｎをベースとした、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系（ＳＡＣはんだ）、Ｓｎ－Ｃｕ系はんだ、またはＳｎ－Ａｇ系はんだの合金などが挙げられる。ＳＡＣはんだとしては、例えば、融点が２２０℃であるＳＡＣ３０５（Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ）はんだ、または融点が２２５℃であるＳＡＣ１０５（Ｓｎ－１．０Ａｇ－０．５Ｃｕ）はんだなどが挙げられる。Ｓｎ－Ａｇ系はんだとしては、例えば、融点が２２１℃であるＳｎ－３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。Ｓｎ－Ｃｕ系はんだとしては、例えば、融点が２２７℃であるＳｎ－０．７Ｃｕはんだなどが挙げられる。これらのはんだ合金のうち、好ましくは、ＳＡＣ３０５はんだまたはＳＡＣ１０５はんだであり、より好ましくはＳＡＣ３０５である。これは、現在、ＳＡＣ３０５はんだは、民生電子機器に汎用的に用いられており、高い接続信頼性と低コストを実現しているため、および、ＣＳＰやＢＧＡパッケージのはんだボール用としても汎用的に用いられているためである。

はんだ粉末の含有率は、本実施形態に係るはんだペーストの全質量１００重量％に対して、好ましくは６０質量％以上９５質量％以下である。はんだ粉末の含有率が６０質量％以上である場合、金属比率が高いため、はんだ部分が細い形状になりにくく、強度および電気導通性が大きくなる傾向にあり、十分な金属接続を形成することができる。また、はんだ粉末の含有率が９５質量％以下である場合、はんだ表面の酸化膜を還元する活性剤の比率が、エポキシ樹脂の比率に対して高くなりすぎないため、はんだ接続の周囲の少なくとも一部を効果的に樹脂補強することができる。よって、はんだ含有率が６０質量％以上９５重量％以下である場合、優れた接続構造を形成することができる。

本明細書におけるはんだ粉末の組成は、はんだ粉末に含まれる元素の元素記号をハイフンで結んで表記している。本明細書中、はんだ粉末の金属組成を説明するのに、金属元素の直前に数値または数値範囲を示すことがあるが、これは、当該技術分野において一般的に使用されているように、金属組成中に占める各元素の質量％（＝質量％）を数値または数値範囲で示すものである。はんだ粉末は、列挙した元素で実質的に構成されている限り、不可避的に混入する微量金属であって、例えばＮｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｕなどである金属を含んでいてもよい。

本明細書におけるはんだ粉末（またははんだ）の融点は、試料の加熱昇温過程での状態変化を観察したときの、融け終わりの温度をいい、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）、示差熱・熱重量測定（ＴＧ－ＤＴＡ）などを使用して測定することができる。

［フラックス］
本実施形態では、フラックスは、少なくともエポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、活性剤と、硬化反応調整剤とを含む。フラックスは、これらの成分に加え、その他の成分をさらに含んでもよい。

フラックスは、好ましくはレオメータを用いて弾性率を測定したときに、フラックスを２０℃／分で定速昇温加熱した際の弾性率上昇開始温度が２２０℃以上である。かかる場合、フラックスの弾性率上昇開始温度がはんだ粉末の融点に比べて高くなる傾向にある。このため、はんだフラックスを加熱した場合に、先にはんだが溶融および凝集し、後にまたは並行してエポキシ樹脂と硬化剤とが反応する。よって、はんだ粉末の溶融および凝集が硬化反応によるはんだペースの増粘によって阻害されにくいため、はんだ接合部を形成しやすい。フラックスの弾性率上昇開始温度およびその測定方法は、実施例にて詳細に説明する。

以下で、フラックスに含まれる各必須成分についてさらに詳細に説明する。

（エポキシ樹脂）
本実施形態ではフラックスはエポキシ樹脂を含む。フラックスがエポキシ樹脂を含むと、はんだ粉末など他の成分がエポキシ樹脂に容易に分散される。エポキシ樹脂は、常温で液体（液状）であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂を液体のエポキシ樹脂と混合することで液体化してもよく、または常温で固体のエポキシ樹脂に溶剤を添加することで液体化してもよい。

常温で液状のエポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２つ以上有するものであれば、その分子量および分子構造は特に限定されず、各種のものを用いることができる。具体的には、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型またはオレフィン酸化型（脂環式）などの各種の液状のエポキシ樹脂を用いることができる。具体的に市販されている商品としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製：品番ｊＥＲ８２８）およびＹＤ８１２５（日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、エポキシ当量１７０)などを挙げることができる。
エポキシ樹脂は、先述のように、エポキシ樹脂にはんだ粉末（より具体的には、ＳＡＣはんだ）を分散させるため、液状エポキシ樹脂に溶剤を添加することが好ましい。つまり、好適な一態様では、はんだペーストの成分の分散性をさらに向上させる観点から、好ましくは、フラックスは溶剤をさらに含み、エポキシ樹脂は常温で液状である。

（硬化剤）
本実施形態では、フラックスは硬化剤を含む。硬化剤はフェノールノボラック樹脂を含む。硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂は、はんだペーストが例えば２２０℃に加熱された場合に、エポキシ樹脂と硬化反応を起こして、エポキシ樹脂を硬化させる。フェノールノボラック樹脂は、好ましくは１分子内（１分子鎖内）に少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と、アリル基とを有する。フェノールノボラック樹脂は、１種類を用いてもよく、または２種類以上を用いてもよい。フェノールノボラック樹脂が２種類以上である場合、好ましくは、そのうちの１つは、繰り返し単位中（フェノールユニット中）にフェノール性水酸基およびアリル基の両方を有するフェノールノボラック樹脂（例えば、［化１］参照）であり、そのうちの別の１つが、ビフェニルアラルキル樹脂である。

前者のフェノールノボラック樹脂は、アリル基の立体障害効果で、フェノール性水酸基同士の水素結合による分子鎖の整列が妨げられるために、本来は固体であるべきところを、この効果により低粘度化されるものと推測される。特に、このフェノール樹脂のうち、低分子量の二量体（例えば、［化１］におけるｎ＝０である化合物）のものは、液状の形態をとることができる。具体的に市販されている商品として、例えば、明和化成（株）製：ＭＥＨ－８０００Ｈ（粘度１５００～３５００ｍＰａ・ｓ、水酸基当量１３９～１４３）や、ＭＥＨ－８００５（粘度４５００～７５００ｍＰａ・ｓ、水酸基当量１３３～１３８）などが挙げられる。なお、本開示において、水酸基当量とは、日本工業規格（ＪＩＳ）－Ｋ００７０に準拠した中和滴定法によって測定した数値を指す。

この繰り返し単位中にフェノール性水酸基とアリル基の両方を有するフェノールノボラック樹脂は、エポキシ樹脂との硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が、６０～７０℃と低い値になる。そこで、８０℃以上の高いＴｇにするために、エポキシ樹脂の場合と同様に、硬直な骨格のフェノールノボラック樹脂を用いることが好ましい。それを用いることで、硬化物の架橋密度を上げることが硬化物の剛性を向上することができる。

そこで、本発明者らが硬直な骨格のフェノールノボラック樹脂を鋭意検討した結果、ビフェニルアラルキルフェノール樹脂（上述した、後者のフェノールノボラック樹脂）がもっとも優れていることを発見した。また、エポキシ樹脂の場合と同様に、ＳＡＣはんだが溶融するまでは、樹脂の硬化が進まないことが望ましい。このような観点から、好適な一態様では、硬化剤は、水酸基当量が１５０～３５０のビフェニルアラルキルフェノール樹脂を硬化剤の全量１００重量％に対して３０～９５重量％含み、水酸基当量が１００～２００のアリル基を有するフェノールノボラック樹脂を硬化剤の全量１００重量％に対して５～７０重量％含む。この固形のフェノールノボラック樹脂は、具体的には、ビフェニルアラルキル樹脂：品番ＭＥＨ－７８５１(明和化成製、水酸基当量２１０)が挙げられる。

（活性剤）
活性剤は、例えば、はんだペーストを加熱する温度域（より具体的には、高温域）において、被接合部材（より具体的には、電子部品の電極、配線および／またははんだ粉末）の表面に存在する金属酸化膜を除去する。
活性剤の種類は、金属酸化膜を除去する機能を有する限り任意の適切なものであり得、種類は限定されない。例えば、はんだペーストを加熱する温度域において、被接合部材である電子部品の電極、配線および／またははんだ粉末表面に存在し得る酸化膜を除去する還元力を有する有機酸、ハロゲンまたはアミン塩などが用いられ得る。電気・電子用途では、ハロゲン化合物は、エポキシ樹脂硬化物に含まれると絶縁不良の原因となるため、好ましくない。また、一般的なアミン塩は、エポキシ樹脂と反応するため、保存性を損なう傾向がある。それらを考慮すると、活性剤は、絶縁性の耐劣化特性に優れる有機酸が好ましい。

有機酸は、特に優れたフラックス作用（ここで、フラックス作用とは、はんだペーストが塗布される金属表面に生じた酸化皮膜を除去するという還元作用、および、溶融はんだの表面張力を低下させて、はんだの接合金属表面への濡れ性を促進する作用を意味する）を有する。さらには、エポキシ樹脂との反応性は、室温下ではアミン塩ほど強い反応性はなく、加熱時には、エポキシ樹脂と反応することができる。

有機酸は、はんだを還元させて酸化膜を取り除いた後は、エポキシ樹脂の硬化物中に取り込まれるため、殆ど腐食性等の弊害も起こさない。
有機酸の種類は、特に限定されるものではなく、任意の有機化合物の酸を用いることができる。例えばアビエチン酸に代表されるロジン成分材料や、セバシン塩、アジピン酸、グルタル酸、コハク酸、マロン酸、クエン酸、ピメリン酸などを用いることができる。
特に、エポキシとの反応を考慮すると、架橋密度を低下させない２塩基酸が好ましい。
なお、有機酸は、そのカルボキシル基が、２００℃以下でもエポキシ基と反応するため、はんだペースト中のフラックスの増粘に関与する。そのため、活性剤として有機酸を用いる場合、該有機酸の融点は、好ましくは１３０℃以上２２０℃以下、より好ましくは１４０℃以上２００℃以下である。これは、かかる高融点を有する２塩基酸の有機酸を用いることによって、後述するようなはんだの溶融および凝集を阻害し難いということが分かったためである。

具体的には、高融点の例えばＳＡＣはんだのようなはんだに対しては、１３０℃以下の低温域では活性力（すなわち、はんだ表面の酸化膜の除去という還元作用）は小さく、高温域で活性力を発現することが望ましい。融点が１３０℃以上２２０℃以下である有機酸としては、例えば、２塩基酸の一種であるコハク酸（融点１８６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、コルク酸（融点１４２℃）、セバシン酸（融点１３３℃）などが挙げられる。なお、シュウ酸無水和物は、融点が１８９℃と高いが、吸湿性が高く、吸湿により低融点（融点１０１℃）の２水和物になる。また、イソフタル酸（融点３４０℃）のようにＳＡＣはんだの融点よりも高い融点の有機酸は、はんだの酸化膜を除去する働きが通常期待できない。しかしながら、本発明に利用可能な有機酸から、融点が１３０℃未満または２２０℃超であるこれら有機酸を排除する趣旨ではなく、実際に使用するはんだおよびリフロー温度等に応じて適宜使用されてもよい。これらの有機酸は、１種類の成分であってもよく、２種類以上の成分を混合してもよい。

（硬化促進剤）
硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤（フェノールノボラック樹脂）との硬化反応を促進する。硬化促進剤は、ホウ素含有化合物を含む。エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂との硬化反応は、比較的反応性が低い部類に入る。このため、はんだペーストが硬化促進剤を含まない場合、高温域であっても硬化反応がほとんど起こらない。硬化反応は、高温域において比較的短時間で進行することが望ましい。このため、硬化促進剤の添加が必要となる。

本発明者らが硬化促進剤の種類について鋭意検討した結果、ホウ素含有化合物を導き出した。具体的には、通常よく使用される効果促進剤としてイミダゾールやＤＢＵ系の塩や三級アミン系化合物が挙げられるが、これらは、低温域でも活発に硬化促進するため、ＳＡＣはんだ溶融前に樹脂が反応して、はんだペーストが増粘・固化してしまい、適切なはんだ接続ができなくなってしまうことを見出した。

本発明者らはさらに検討し、低温域で硬化反応がほとんど進行せず、かつ高温域で硬化反応が進行する（好ましくは、比較的短時間に急激に硬化反応が進行する）硬化促進剤として、ホウ素含有化合物を導き出した。本実施形態では、硬化促進剤はホウ素化合物を含む。
硬化促進剤としてのホウ素含有化合物としては、例えば、アリールボラン錯体およびアリールボレート塩（より具体的には、リン含有のアリールボラン錯体およびアリールボレート塩）が挙げられる。リン含有のアリールボラン錯体およびアリールボレート塩は、有機ホスフィン化合物およびその塩、ならびに４級ホスホニウム化合物およびその塩の何れかに相当する。つまり、ホウ素含有化合物は、有機ホスフィン化合物およびその塩、ならびに４級ホスホニウム化合物およびその塩のうちの一つ以上を含み得る。有機ホスフィン化合物およびその塩、ならびに４級ホスホニウム化合物およびその塩としては、例えば、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびテトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートが挙げられる。硬化促進剤は、これらの複数のホウ素含有化合物のうちの１種であってもよく、２種以上であってもよい。すなわち、ホウ素含有化合物は、［化２］に示すように、好ましくは、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびテトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートのうちの一つ以上であり、より好ましくはテトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートである。

特に、テトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートはその融点も３０５℃と高いため、本実施形態に係るはんだペーストが硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートを含むと、さらなる高融点はんだへの適用性に優れる。なお、これらの好適なホウ素含有化合物はまた、リン系の第４級ホスホニウム化合物および第３級ホスフィン化合物である。

硬化促進剤の含有率は、好ましくは、全フラックス量に対して、０．５～３．０ｐｈｒである。硬化促進剤の含有率が、全フラックス量に対して０．５ｐｈｒ以上であると、硬化反応が比較的半時間で進行する傾向にある。また、硬化促進剤の含有率が、全フラックス量に対して３．０ｐｈｒ以下であると、低温域における硬化反応の進行が効果的に抑制される傾向にある。ここで、含有率の単位「ｐｈｒ」は、溶剤を除いた全フラックス重量（フラックスの固形分全重量）に対する添加物の重量％を数値で示したものである。

（硬化反応調整剤）
本実施形態に係るはんだペーストは、硬化反応調整剤を含む。硬化反応調整剤は、エポキシ樹脂と硬化剤（フェノールノボラック樹脂）との硬化反応の進行を調整する。はんだペーストが硬化反応調整剤を含まない場合、はんだペーストは、反応促進剤（例えば、リン系第４級ホスホニウム化合物）を含むため、低温域であっても硬化反応の進行が促進されることがあった。本発明者らによる鋭意検討の結果、硬化反応調整剤を添加することで、本実施形態に係るはんだペーストは、低温域において硬化反応の進行が効果的に抑制されることが見出された。

硬化反応調整剤は、低温域で硬化反応の進行を抑制する機能を有するが、好ましくは、さらに高温域において活性剤としての機能も有することができる。このような硬化反応調整剤としては、例えば、リン含有化合物（より具体的には、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド（以下、ＨＣＡと称する）等）が挙げられる（［化３］参照）。

以下、ＨＣＡを例に挙げて、硬化反応調整剤が硬化反応の進行を調整するメカニズムを説明する。［化３］に示すように、ＨＣＡは、その化合物中のリン原子（Ｐ）と繋がった活性水素を一つ有している。この活性水素が、還元反応に寄与することが知られている（つまり、ＨＡＣは還元剤としても機能する）。

低温域では、ＨＣＡが本実施形態に係るはんだペースト中に含まれる場合、ＨＣＡの活性水素がフェノールノボラック樹脂のフェノール性水酸基（の酸素原子）と弱い水素結合を形成し、これにより、ＨＣＡがフェノールノボラック樹脂と錯体を形成すると推測される（［化４］参照）。

フェノールノボラック樹脂のフェノール性水酸基は、エポキシ樹脂との硬化反応において反応部位として機能するが、ＨＣＡとの錯体形成によって安定化するため、エポキシ樹脂との反応性が低下する。このため、低温域では、フェノールノボラック樹脂の反応部位の活性がＨＣＡによって低下するため、硬化反応の進行が抑制されると推察される。

一方、フェノールノボラック樹脂のフェノール性水酸基と、ＨＣＡの活性水素とで形成される水素結合は、その強度が比較的弱い。このため、［化４］の下部に示すように、高温域では、水素結合が切れて、フェノールノボラック樹脂とＨＣＡとが解離して、はんだペースト中で錯体が形成されにくくなる。解離したフェノールノボラック樹脂は、硬化促進剤（例えば、リン系第４級ホスホニウム化合物）の作用を受けて、エポキシ樹脂と効率的に反応すると推察される。このようにして、ＨＣＡは、本実施形態に係るはんだペーストにおいて、硬化反応調整剤として作用すると推測される。

さらに、ＨＣＡは、上述のように還元性も有する。このため、高温域では、解離したＨＣＡがはんだ表面の酸化膜と還元反応を起こして、はんだの溶融を促進する。このようにＨＡＣは高温域で活性剤としても機能する。このようにＨＣＡは活性剤としても機能するため、リン含有化合物はＨＣＡを含むことが好ましい。

硬化反応調整剤の含有率は、好ましくは、全フラックス量に対して、１．０～９．０ｐｈｒである。

（硬化反応調整剤と硬化促進剤との比率）
前記硬化反応調整剤（例えば、ＨＣＡ）と硬化促進剤（例えば、リン系第４級ホスホニウム化合物）との比率（硬化反応調整剤/硬化促進剤（質量比：ｗ／ｗ））は、５／１～１／１である。
比率（硬化反応調整剤/硬化促進剤）が５／１～１／１の範囲内である場合、低温域では、フェノールノボラック樹脂とエポキシ樹脂との硬化反応を抑制させることができる。また高温域では、硬化反応調整剤は、フェノールノボラック樹脂とで形成される錯体から解離して、単独の存在となる。硬化促進剤の促進作用を受けてエポキシ樹脂と効率的に反応することができる。さらに、硬化反応調整剤がＨＡＣのように活性剤としても機能する硬化反応調整剤である場合、この硬化反応調整剤は、活性剤としてはんだ表面の酸化膜と還元反応を起こして、はんだの溶融を促進することができる。

比率（硬化反応調整剤/硬化促進剤）が５／１～１／１の範囲外である場合、より具体的には、硬化反応調整剤の比率が、硬化促進剤１に対して５よりも多い場合（前記比率が５／１より大きい場合）は、硬化反応調整剤の反応抑制効果が大きくなり過ぎて、高温域におけるフェノールノボラック樹脂とエポキシ樹脂との反応性が弱くなり完全硬化までの時間がかかるため、一定のリフロー時間内では十分な硬化物が得られず、樹脂特性が劣ってしまう。
逆に、硬化反応調整剤の比率が、硬化促進剤１に対して１よりも小さい場合（前記比率が１／１より小さい場合）は、硬化反応調整剤の硬化抑制効果が小さくなり、低温域であってもフェノールノボラック樹脂とエポキシ樹脂との反応が進行し、はんだの溶融性を阻害してしまう。

（その他の成分）
本実施形態では、フラックスは、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、活性剤、および硬化反応調整剤に加え、これらの成分以外のその他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、例えば、通常用いられる改質剤（より具体的には、ロジン）、溶剤、およびチクソ付与剤などが挙げられる。溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルが挙げられる。フラックスに溶剤を添加して、はんだペーストの粘度および流動性を調整すること（より具体的には、その粘度の低減および流動性の付与等）ができ、これにより、はんだペーストの成分（例えば、はんだ粉末）の分散性を向上することができる。チクソ性付与剤としては、例えば、硬化ヒマシ油、ステアリン酸アミド、ソルビトール化合物、および水素添加ヒマシ油が挙げられる。フラックスにチクソ付与剤を添加して、はんだペーストの形状（例えば、印刷形状）を保持することができる。チクソ付与剤の具体的な商品としては、例えば、新日本理化株式会社製：ゲルオールＤなどが挙げられる。

（はんだペーストの製造方法）
次に、上述した本発明の実施の形態におけるはんだペーストの調製方法、および当該はんだペーストを用いて回路基板に電子部品を実装して実装構造体を作製（または製造）する具体的な方法の１例を示す。

まず、前述したエポキシ樹脂、硬化剤（フェノールノボラック樹脂）を加熱溶解して、均一な樹脂混合物を作製する。次いで、活性剤、硬化反応調整剤、および硬化促進剤をそれぞれ秤量し、樹脂混合物に混合して、フラックスを作製する。その後、フラックスに、はんだ粉末を添加して混合・混練する。このようにしてはんだペーストを作製する。
なお、溶剤は、活性剤等の添加前に必要に応じて添加してフラックスを低粘度化してもよい。また、印刷性を改善するために必要に応じて、チクソ性付与剤を加えてもよい。

＜実装構造体＞
本発明の実施形態に係る実装構造体は、回路基板に、上述のはんだペーストを用いて電子部品を実装した実装構造体であって、電子部品と回路基板とが金属接合された導電部と、導電部との周囲がフラックスの硬化物で覆われることにより形成された補強部とを備える。

図１を参照して、本実施形態に係る実装構造体を説明する。図１は、はんだペーストを用いて接合されたＣＳＰのはんだ接合部分の断面図である。図１に示すように、実装構造体（例えば、半導体装置）は、回路基板１および回路基板３と、回路基板１，３に設けた電極２，４と、電極２，４間を金属接合するはんだ導電部（接合部）９と、はんだ導電部９の表面の少なくとも一部を被覆する補強部６ｂとを備える。電極２を設けた回路基板１は、電子部品（例えば、チップ部品および半導体部品）である。チップ部品としては、例えば、チップ抵抗およびチップコンデンサである。電極４を設けた回路基板３は、例えば、プリント基板である。半導体部品としては、例えば、端子としてはんだボールを設けて形成されたＣＳＰもしくはＢＧＡ、端子としてリードを設けて形成されたＱＦＰなどの半導体パッケージ、およびパッケージに収容されずに端子を設けて形成された半導体素子（ベアチップ）である。回路基板１，３は導電配線を有する。電極２は電子部品の端子である。電極２，４は、はんだ導電部９を介しては電気的に接続する。補強部６ｂは、フラックスの硬化物で構成され、はんだ導電部９の表面（周囲）の少なくとも一部を覆うことにより、はんだ導電部９を補強し、機械的強度を向上させる。フラックスの硬化物は、はんだペースト中のエポキシ樹脂が熱硬化した硬化物である。

（実装構造体の製造方法）
本発明の実施形態に係るはんだペーストを用いて、例えば、導体配線を有する回路基板などに電子部品（より具体的には、半導体部品等）を実装して本実施形態に係る実装構造体を製造することができる。この実装では、上記はんだペーストを用いて、電子部品の端子と回路基板の電極とを接合させ、はんだ導電部（接合部）９を形成する。図２Ａ～図２Ｄを参照して、実装構造体の製造方法の一例を説明する。図２Ａ～図２Ｄは、本発明の実施形態に係るはんだペーストを用いたＣＳＰのボール部の接合工程を模式的に示した断面説明図である。実装構造体の製造方法は、例えば、塗布工程と、搭載工程と、接合工程とを含む。

塗布工程は、図２Ａに示すように、回路基板３の電極４にはんだペースト７を塗布する。はんだペースト７の塗布は、例えば、電極４と同じ位置に貫通孔を設けたメタルマスクを回路基板３に重ねた後、メタルマスクの表面にはんだペースト７を供給し、スキージで貫通孔に充填することによって行うことができる。その後、メタルマスクを回路基板３から離すと、電極４ごとにはんだペースト７が塗布された回路基板３を得ることができる。

搭載工程は、図２Ｂに示すように、チップマウンターなどを用いて、はんだペースト７が塗布された電極４と、回路基板１の電極２とが互いに対向するようにして電子部品（回路基板１）を回路基板３に搭載する。具体的には、塗布したはんだペースト７が未硬化状態のまま、塗布された回路基板３の電極４とその上に電子部品（例えば、チップ部品または半導体部品）の端子とが対向するように、電子部品を回路基板とを重ねる。なお、搭載工程に用いる回路基板１の電極２上には、はんだバンプ５が形成されている。

接合工程（リフロー工程）は、図２Ｃに示すように、電子部品が搭載された回路基板１を、加熱機８を用いて加熱する。例えば、チップ部品が配置されたプリント配線板をリフロー炉で所定の加熱温度まで加熱する。これにより、図２Ｄに示すように、はんだ粉末が溶融してはんだボールとが一体化したはんだ導電部９と、導電部９の表面がフラックスの硬化物（エポキシ樹脂の硬化物）から構成される補強部６ｂとが形成される。電子部品と回路基板１とは、はんだ導電部９を介して電気的に接合している。

接合工程では、はんだ粉末を十分に溶融・凝集させ、その後フラックスの樹脂成分の硬化反応が充分かつ適切に進行する必要がある。詳細には、接合工程において、はんだ粉末が十分に溶融する前に、はんだペースト中のフラックス成分であるエポキシ樹脂の硬化反応が進行してしまうと、フラックスが増粘してしまう。すると、はんだ粒子の凝集および溶融が阻害されて、適切な金属導通が取れなくなる。このような事態を避け、かつ適切な導通を得て良好な機械的強度を得るために、加熱機８（例えば、リフロー炉）の温度が使用するはんだ粉末の融点に昇温するまでは、フラックスの樹脂の硬化反応を遅くさせる（硬化反応の進行を抑制する）必要がある。かつ、加熱機８の温度がはんだ粉末の融点に到達して、はんだ粉末が十分に溶融し、電子部品（例えば、半導体部品）のはんだボールと溶融合体し、回路部品の電極金属と溶融接合した後は、フラックスの樹脂は短時間（例えば、数分程度）で硬化反応を完了することが必要である。

以下、本発明について実施例を用いてより具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例により何ら限定されるものではない。また、特に明記しない限り、実施例における「部」および「％」は、質量基準である。

＜はんだペーストの作製＞
はじめに、以下に示すはんだペーストを構成する成分（はんだ粉末、およびフラックスの原料等）を準備した。
［はんだ粉末］
・ＳＡＣ３０５：Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ、平均粒径は１０～２５μｍ、融点は２１９℃（三井金属鉱業株式会社製）
・ＳＡＣ１０５：Ｓｎ－１．０Ａｇ－０．５Ｃｕ、平均粒径は１０～２５μｍ、融点は２２５℃（三井金属鉱業株式会社製）
［フラックス］
（エポキシ樹脂：ベースエポキシ樹脂）
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＹＤ８１２５（日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、エポキシ当量１７０）
（硬化剤：アリル基を有するフェノールノボラック樹脂（液状フェノール樹脂））
・アリル化フェノールノボラック樹脂（アリル変性フェノールノボラック樹脂）:ＭＥＨ８０００Ｈ（明和化成株式会社製、水酸基当量１４０）
（硬化剤：ビフェニルアラルキルフェノール樹脂（高剛性フェノール樹脂））
・ビフェニルアラルキル型フェノールノボラック樹脂、ＭＥＨＣ７８５１Ｓ（明和化成株式会社製、水酸基当量２１０）
（硬化促進剤）
・テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（ＴＰＰ－Ｋ）
・テトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリート（ＴＰＰ－ＭＫ）
（活性剤：有機酸）
・アジピン酸（東京化成工業株式会社製）
（硬化反応調整剤）
・ＨＣＡ(９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド）（三光株式会社製）
［その他］
（溶剤）
・ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（日本乳化剤製）
（チキソ性付与剤）
・ゲルオールＤ（新日本理化株式会社製)

次いで、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、活性剤と、硬化反応調整剤と、チキソ性付与剤（チキソ性付与剤）と、溶剤とを、以下に示す表１に記載の質量部を占めるような割合となるようにそれぞれ秤量した。それらを加熱混合して、均一な樹脂混合物をフラックスを作製した。このフラックスにＳＡＣはんだを加えてプラネタリーミキサーを用いて所定時間混錬して、実施例１～９および比較例１～４のはんだペーストを作製した。得られたはんだペーストの組成を表１～４にまとめた。なお、配合量は質量部を表す。単位ｐｈｒは、溶剤を除いた全フラックス重量（フラックスの固形分全重量）に対する添加物の重量％を数値で示したものである。

＜評価方法＞
実施例１～８および比較例１～４について、以下の項目について評価した。評価結果は、各例におけるはんだペーストの特性として表１～３に併せて示した。

［高融点はんだへの適用性評価：弾性率上昇開始温度の測定］
粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製「レオメーターＤＨＲ－２」）を用いて、フラックスの加熱硬化時、および冷却時の弾性率変化の挙動を測定した。一例として図４および図５を参照して弾性率変化（貯蔵弾性率（Ｇ）変化）の挙動を説明する。図４は、実施例２のはんだペーストに含まれるフラックスの弾性率変化の挙動を示す。図５は、比較例３のはんだペーストに含まれるフラックスの弾性率変化の挙動を示す。表１に示す配合量を参照して、測定試料としてフラックスを調製した。所定の温度プロファイルに従ってフラックスを加熱および冷却し、並行して各時間における弾性率（図４および図５中、実線で示される）を測定した。温度プロファイルは、図４および図５中では点線で示されており、常温（２５℃）から２０℃／分で定速昇温し、２４０℃で８分間保持し、その後、低速－２０℃／分で冷却するものであった。

図３では、貯蔵弾性率（Ｇ）は、フラックスを常温から定速昇温していくと、粘度の低下に伴い減少し、８０℃付近で安定しほぼ一定となる。その後、フラックスの定速昇温を続けると、貯蔵弾性率（Ｇ）は２３０℃付近で急激な粘度上昇に伴い増加した。その後、温度が２４０℃で一定値となると、貯蔵弾性率（Ｇ）は安定しなだらかに増加した。このような貯蔵弾性率（Ｇ）のグラフが得られた。

得られたグラフから、フラックスを２０℃／分で定速昇温加熱した時に、樹脂の硬化反応に伴う弾性率の“急上昇開始時点の温度”を読み取った。詳しくは、エポキシ樹脂と硬化剤（フェノールノボラック樹脂）とが硬化促進剤の促進効果により化学反応（硬化反応）を開始すると、この反応は高温のため一気に進んでフラックスの樹脂が架橋により三次元化し、硬化物の弾性率がアップしてくる。その弾性率変化を示すカーブ形状は、反応開始前のほぼフラットな形から、反応開始と共に急に右上がりに変化する。その急な右上がりとなる温度を“急上昇開始時点の温度”とした。このように得られた温度を粘弾性上昇開始温度とした。図４では、実施例２の粘弾性上昇開始温度は、２２９℃であった。

実施例２と同様にして、比較例３についてフラックスの貯蔵弾性率（Ｇ）のグラフを得た（図５参照）。得られたグラフから弾性率上昇開示温度（１９６℃）を読み取った。

得られた弾性率上昇開始温度から下記判定基準に基づいて、はんだペーストを判定した。判定結果○は×に対して、高融点はんだへの適用性に優れることを示す。
（判定基準）
○ ：弾性率上昇開始温度が、２２０℃以上である
× ：弾性率上昇開始温度が、２２０℃未満である

粘弾性上昇開始温度は、硬化反応が開始する温度（硬化反応開始温度）に相当する。図２に示すように、実施例２では、図４の示すように、硬化反応開始温度は２２９℃であり、ＳＡＣはんだの融点（２２０℃）よりも高かった。よって、実施例２のはんだペーストを２２０℃に加熱した場合には、樹脂の反応および増粘がほとんど始まっていないため、はんだが溶融し凝集することができる。その結果、金属接続し、はんだ接合部を形成することができる。

比較例３では、図５に示すように、硬化反応開始温度（１９６℃）は、ＳＡＣはんだの融点（２２０℃）よりも低かった。よって、比較例３のはんだペーストが１９６℃に加熱した場合に、樹脂の硬化が始まる。そのため、前記はんだペーストを２２０℃に加熱した場合に、すでに樹脂が硬化し増粘しているため、はんだが溶融して凝集することができず、はんだボールとして残ってしまう。

［接続安定性（はんだ溶融性）評価：はんだボールの外観］
はんだボールの外観を観察した。得られた外観結果から下記判定基準に基づいて、はんだボールを介した電極間の接続性（接続安定性）を評価した。評価結果を表１～２にまとめた。接続安定性は日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ３１９７に準拠して評価した。判定結果×、△、〇、および◎の順に接続安定性が向上することを示す。評価結果を表１～３にまとめた。
（判定基準）
◎（レベル１）：はんだが溶融して大きな球になり、周囲にソルダーボールがない
○（レベル２）：はんだが溶融して大きな球になり、周囲に直径７５μｍ以下のソルダーボールが３つ以下ある
△（レベル３）：はんだが溶融して大きな球になり、周囲に直径７５μｍ以下のソルダーボールが４つ以上あり、半連続の環状に並んではいない。
×（レベル４）：はんだが溶融して大きな球になり、周囲に多数の細かい球が半連続の環状に並んでいる

［密着力の評価：せん断密着力の測定］
実施例１～８および比較例１～４のはんだペーストを、メタルマスクを用いてガラスエポキシ基板上に印刷し、印刷部を形成した。印刷部上に搭載部品として1005チップ抵抗を搭載し、リフロー実装した。このようにして評価用試料を作製した。ボンドテスターを用いて、搭載部品の接続部のせん断強度（Ｋｇｆ／チップ）を測定した。測定サンプル数ｎは５であり、５つの測定値の平均値を算出し、得られた平均値をせん断密着力とした。得られたせん断密着力から下記評価基準に基づいて密着力を評価した。判定結果×、△、および〇の順に密着力が高くなることを示す。
（判定基準）
× ：密着力は、１．０未満である
△ ：密着力は、１．０Ｋｇｆ以上２．０Ｋｇｆ未満である
〇 ：密着力は、２．０Ｋｇｆ以上である

［総合判定］
上記３つの評価（高融点はんだへの適用性評価、接続安定性の評価および密着力の評価）から下記評価基準に基づいてはんだペーストの総合判定を行った。
（判定基準）
○ ：３つの評価結果のうち、いずれも◎および〇の何れかである
△ ：３つの評価結果のうち、１つも×ではなく、少なくとも１つが△である
× ：３つの評価結果のうち、少なくとも１つが×である

＜構成および評価結果＞
［実施例１］
（構成）
例えば、表１に示すとおり、実施例１のはんだペーストは、はんだ粉末としてのＳＡＣ３０５はんだ４０２質量部と、フラックス７９．９６質量部(溶剤も含む値)とを含むはんだペーストであった。
フラックスは、エポキシ樹脂としてのＹＤ８１２５（日鉄ケミカル＆マテリアル社製、エポキシ当量１７０)３０．０質量部と、硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂と、硬化促進剤としてのホウ素含有化合物（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート）０．６５８量部（１．００ｐｈｒ）と、活性剤としてのアジピン酸（東京化成工業（株）製）７．８６重量部(１２．０ｐｈｒ)と、硬化反応調整剤としてのリン含有化合物（９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド（ＨＣＡ））（三光（株）社製）)１．９７重量部(３．０ｐｈｒ)とを少なくとも含んでいた。フェノールノボラック樹脂は、液状フェノールであるＭＥＨ８０００Ｈ(明和化成製、水酸基当量１４０)１１．８６重量部(１８．１０ｐｈｒ)、および固形フェノールであるＭＥＨＣ７８５１（明和化成（株）製、水酸基当量２１０）１１．８６重量部(１８．１０ｐｈｒ)であった。実施例１のフラックスは、さらにチキソ性付与剤としてのゲルオールＤ（新日本理科社製）１．３１重量部（２．００ｐｈｒ）と、溶剤としてのジエチレングリコールモノヘキシルエーテル１４．４５重量部（３．０％対はんだペースト全量）を含んでいた。硬化反応調剤剤と硬化反応促進剤との比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））は、３．０／１．０であった。実施例１は、請求項１に係る発明の範囲に包含される例であった。実施例２～８も、請求項１に係る発明の範囲に包含される発明であった。

（評価結果）
実施例１の評価結果は、弾性率上昇開始温度が２２７℃であり、２２０℃より高いため、高融点はんだへの適用性評価の判定結果は○であった。また、はんだボールの外観がレベル２であり、接続安定性（はんだ溶融性）評価の判定結果は〇であった。さらに、せん断密着力が２．２Ｋｇｆであり、密着力の判定結果は○であった。その結果、実施例１の総合判定は、○であった。

［実施例２～８］
実施例２～８は、表１～２に示すように、はんだの種類および比率、活性剤の配合量、硬化反応調整剤の配合量、硬化促進剤の種類および配合量、溶剤の配合量、ならびにチキソ性付与剤の配合量のうちの少なくとも１つを変更した以外は、実施例１と同様にして、はんだペーストをそれぞれ作製した。

実施例２は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が１．５ｐｈｒ／０．５ｐｈｒ（＝３／１）であった。弾性率上昇開始温度は２２９℃であり、高融点はんだへの適用性評価の判定結果は〇であった。はんだボールの外観はレベル３であり、接続安定性評価の判定結果は△であった。せん断密着力は１．２Ｋｇｆであり、密着力の判定結果は△であった。よって実施例２の総合判定は、△であった。
実施例３は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が６．０ｐｈｒ／３．０ｐｈｒ（＝２／１）であった。評価結果は表１に示す通りであった。以下、同様に表１または表２に示している。
実施例４は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が２．０ｐｈｒ／２．０ｐｈｒ（＝１／１）であり、硬化促進剤の種類は、ＴＰＰ－ＭＫ(テトラフェニルホスホニウムテトラｐ－トリルボレート)であった。この比率は請求項１で規定する範囲の最小値を示す。

実施例５は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が８．０ｐｈｒ／１．６ｐｈｒ（＝５／１）であり、この比率は請求項１で規定する範囲の最大値を示す。
実施例６は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が１．０ｐｈｒ／１．０ｐｈｒ（＝１／１）であり、はんだ比率６０．１％であった。
実施例７は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が９．０ｐｈｒ／３．０ｐｈｒ（＝３／１）であり、はんだ比率９５％であった。
実施例８は、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が３．０ｐｈｒ／１．０ｐｈｒ（＝３／１）であり、はんだの種類がＳＡＣ１０５であった。

［比較例１～４］
（比較例１）
比較例１は、実施例１の組成（配合）と比べ、硬化促進剤の添加が無いものであった（硬化促進剤を含まなかった）。
比較例１の評価結果は、弾性率上昇開始温度が２４０℃より高いため、高融点はんだへの適用性評価の判定結果は×であった。はんだボールの外観はレベル２であり、接続安定性評価の判定結果は〇であったが、せん断密着力は０．８Ｋｇｆであり密着力の判定結果が×であった。以上の結果、比較例１の総合評価は、×であった。

（比較例２）
比較例２は、実施例１の組成に比べ、硬化反応調整剤の添加が無いものであった（硬化反応調整剤を含まなかった）。比較例２の評価結果は、弾性率上昇開始温度が２１１℃であり、２２０℃よりも低かったため、高融点はんだへの適用性評価の判定結果は×であった。はんだボールの外観はレベル４であり、接続安定性の評価結果は×であった。接続安定性の評価結果は、弾性率上昇温度が２２０℃未満であったため、比較例２のはんだペーストの温度がＳＡＣ３０５はんだの融点の２２０℃に到達する前に樹脂の硬化がはじまり、はんだ粒子の溶融集合が阻害されたためと考えられる。せん断密着力は１．１Ｋｇｆであり。密着力の判定結果は△であった。以上の結果、比較例２の総合評価は、×であった。

（比較例３）
比較例３は、実施例１の組成に比べて、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が３．０ｐｈｒ／５．０ｐｈｒ（＝０．６／１）であり、この比率は請求項１で規定する比率の範囲に含まれないものであった。
比較例３の評価結果は、弾性率上昇開始温度が１９６℃であり、２２０℃よりも低いため、高融点はんだへの適用評価は×であった。はんだボールの外観はレベル４であり、接続安定性の判定結果は×であった。せん断密着力は０．５Ｋｇｆであり、密着力の判定結果は×であった。以上の結果、比較例３の総合判定は、×であった。

（比較例４）
比較例４は、実施例１の組成に比べて、比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤）が６．０ｐｈｒ／1．０ｐｈｒ（＝６／１）であり、この比率は請求項１で規定する比率の範囲に含まれないものであった。
比較例４の評価結果は、弾性率上昇開始温度が２４０℃よりも高いため、高融点はんだへの適用性の判定結果は×であった。はんだボールの外観はレベル１であり接続安定性の判定結果は◎であった。せん断密着力は０．９Ｋｇｆであり、密着力の判定結果は×であった。以上の結果、比較例４の総合判定は、×とであった。

表１～３の結果から考察すると、実施例１～８に示すように、はんだペーストが、はんだ粉末とフラックスとを含むはんだペーストであって、フラックスが、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と活性剤と硬化反応調整剤を含み、硬化剤がフェノールノボラック樹脂を含み、硬化促進剤はホウ素含有化合物を含み、硬化反応調整剤はリン含有化合物を含み、（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））が５／１～１／１である場合、２００℃以上の高融点はんだの接続に適用することができ、かつ優れた接続安定性と高い密着力を有する。これは、はんだペーストを加熱する場合、はんだの融点未満の温度域では樹脂の硬化反応は殆ど進まず、はんだの融点以上の温度域では短時間に硬化反応が完了するため、高融点はんだへの適用性に優れ、かつ優れた接続安定性（はんだ溶融性）と優れたせん断密着力とを両立するができるものと考えられる。

本発明のはんだペーストおよび実装構造体は、電気／電子回路形成技術の分野において、広範な用途に使用できる。例えば、各種の電子部品の接続用およびそれらを基板に接合する用途に用いることができる。さらに、例えば、これらの素子、部品、または基板を内蔵する製品、例えば、ＤＶＤ、携帯電話、汎用家電、車載電化製品などに使用することができる。

１ ＣＳＰ基板
２ ＣＳＰの電極
３ 回路基板
４ 回路基板の電極
５ はんだバンプ（ＣＳＰのはんだボール）
７ 樹脂フラックスはんだペースト
６ｂ 補強部
８ 加熱機
９ はんだ導電部

Claims (9)

1. はんだ粉末とフラックスとを含むはんだペーストであって、
   前記フラックスは、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と活性剤と硬化反応調整剤とを含み、
   前記硬化剤は、フェノールノボラック樹脂を含み、
   前記硬化促進剤は、ホウ素含有化合物を含み、
   前記硬化反応調整剤は、リン含有化合物を含み、
   前記硬化反応調整剤と前記硬化促進剤との比率（硬化反応調整剤／硬化促進剤（ｗ／ｗ））は、５／１～１／１である、樹脂フラックスはんだペースト。
2. 前記リン含有化合物は、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイドを含む、請求項１に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
3. 前記リン含有化合物の含有率は、全フラックス量に対して、１．０～９．０ｐｈｒである、請求項１または２に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
4. 前記ホウ素含有化合物は、有機ホスフィン化合物およびその塩、ならびに４級ホスホニウム化合物およびその塩のうちの一つ以上を含む、請求項１～３の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
5. 前記樹脂フラックスはんだペーストの全量１００重量ｗｔ％に対して、前記はんだ粉末の含有率が６０～９５重量％である、請求項１～４の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
6. 前記ホウ素含有化合物は、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびテトラフェニルホスホニウム－ｐ－トリルボリートのうちの一つ以上であり、
   前記ホウ素含有化合物の含有率は、全フラックス量に対して、０．５～３．０ｐｈｒである、請求項１～５の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
7. 前記はんだ粉末は、２００℃以上の融点を有し、
   前記はんだ粉末は、Ｓｎ単体、または、Ｓｎ－Ａｇ合金系、Ｓｎ－Ｃｕ合金系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ合金系、もしくは追加金属をさらに含む前記合金を含む、請求項１～６の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
8. レオメータを用いて前記フラックスの弾性率を測定したときに、前記フラックスを２０℃／分で定速昇温加熱した際の弾性率上昇開始温度が２２０℃以上である、請求項１～７の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペースト。
9. 回路基板に、請求項１～８の何れか１項に記載の樹脂フラックスはんだペーストを用いて電子部品を実装した実装構造体であって、
   前記電子部品と前記回路基板とが金属接合された導電部と、前記導電部との周囲の少なくとも一部が前記フラックスの硬化物で覆われることによって形成された補強部とを備える、実装構造体。

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