JP2022109400A - レーザ加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被加工面を覆う保護膜を介して被加工物にレーザビームを照射することによって被加工物を分割してチップを製造できるレーザ加工装置であって、チップに含まれるデバイスに生じる特性不良と保護膜の厚さとの関係を容易に把握可能なレーザ加工装置を提供する。【解決手段】制御ユニットの記憶部が、チャックテーブルの保持面と平行な座標平面上の該保護膜に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれと、複数の座標のそれぞれにおいて測定された保護膜の厚みの値とを関連付けて記憶する。これにより、被加工物を分割することで製造されるチップに含まれるデバイスに生じる特性不良と保護膜の厚さとの関係を容易に把握することができる。【選択図】図４

Description

本発明は、レーザ加工装置に関する。

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、一般的に、表面に多数のデバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスを含む領域毎に分割することで製造される。

ウェーハ等の被加工物の分割は、例えば、デバイスを含む領域の境界にレーザビームを照射してアブレーションを生じさせることで被加工物の一部を除去すること（レーザ加工すること）によって行われる。ただし、レーザ加工によってチップを製造すると、被加工物から発生するデブリとも呼ばれる微粒子が周囲に飛散して被加工物の被加工面に付着することがある。

デブリが被加工物の表面に付着すると、被加工物を分割することで製造されるチップに含まれるデバイスに特性不良が生じるおそれがある。この点に鑑み、被加工面を覆う保護膜を介して被加工物にレーザビームを照射するレーザ加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、被加工面へのデブリの付着が抑制される。

特開２００４－１８８４７５号公報

被加工面を覆う保護膜は、レーザ加工後に除去される。そのため、保護膜は、容易に除去が可能な水溶性樹脂によって構成されていることが好ましい。ただし、保護膜が水溶性樹脂によって構成される場合、保護膜の厚さが所望の厚さからずれる、又は、領域毎にばらつくおそれがある。

このような場合、レーザ加工によって被加工面にデブリが付着する等の不具合が生じる蓋然性が高くなる。その結果、被加工物を分割することで製造されるチップに含まれるデバイスに特性不良が生じるおそれがある。

この点に鑑み、本発明の目的は、被加工面を覆う保護膜を介して被加工物にレーザビームを照射することによって被加工物を分割してチップを製造できるレーザ加工装置であって、チップに含まれるデバイスに生じる特性不良と保護膜の厚さとの関係を容易に把握可能なレーザ加工装置を提供することである。

本発明によれば、粘着テープを介して環状フレームと一体化された被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニットと、レーザ加工前の該被加工物の被加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給ユニットと、該被加工面を覆う該水溶性樹脂によって構成される保護膜の厚みを測定するための測定ユニットと、該保持面と平行な方向において該チャックテーブルと該測定ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、該制御ユニットは、該保持面と平行な座標平面上の該保護膜に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれと、該複数の座標のそれぞれにおいて測定された該保護膜の厚みの値と、を関連付けて記憶する記憶部を備えるレーザ加工装置が提供される。

さらに、本発明においては、該制御ユニットは、該被加工物に対するレーザ加工が可能か否かを判定する判定部を備え、該記憶部は、該保護膜の厚みの値の許容範囲と、該複数の座標の数以下の閾値と、を記憶し、該判定部は、関連付けられた該保護膜の厚みの値が該許容範囲外となる座標の数が該閾値以上である場合に、該被加工物に対するレーザ加工が不可能であると判定し、関連付けられた該保護膜の厚みの値が該許容範囲外となる座標の数が該閾値未満である場合に、該被加工物に対するレーザ加工が可能であると判定することが好ましい。

また、本発明においては、表示ユニットを更に備え、該制御ユニットは、該被加工物に対応する図形を該表示ユニットに表示させる表示部を備え、該表示部は、該複数の座標のそれぞれに関連付けられた該保護膜の厚みの値に応じて、該図形において複数の座標のそれぞれに対応する複数の箇所のそれぞれの色を設定することが好ましい。

本発明においては、制御ユニットの記憶部が、チャックテーブルの保持面と平行な座標平面上の保護膜に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれと、複数の座標のそれぞれにおいて測定された保護膜の厚みの値とを関連付けて記憶する。これにより、被加工物を分割することで製造されるチップに含まれるデバイスに生じる特性不良と保護膜の厚さとの関係を容易に把握することができる。

図１は、レーザ加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、フレームユニットの一例を模式的に示す斜視図である。 図３は、測定ユニットの一例を模式的に示す図である。 図４は、制御ユニットの一例を模式的に示すブロック図である。 図５は、表示ユニットに表示される被加工物に対応する図形の一例を模式的に示す図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、レーザ加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１に示されるＸ軸方向（左右方向）及びＹ軸方向（前後方向）は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向（鉛直方向）である。

図１に示されるレーザ加工装置２は、各構成要素を支持する基台４を有する。基台４の上面の角部には、上方に突き出た突出部６が設けられている。突出部６は、上面側が開口した筒状の形状を有する。

突出部６の内側には、上下に昇降可能なカセットエレベータ８が設けられている。カセットエレベータ８の上面には、複数のフレームユニットを収容可能なカセット１０が載置されている。

図２は、カセット１０に収容されるフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図である。図２に示されるフレームユニット１は、円盤状の形状を有する被加工物１１を有する。

被加工物１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなるウェーハである。被加工物１１の表面１１ａ側は、互いに交差する複数の分割予定ライン１３で複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１５が形成されている。

なお、被加工物１１の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。被加工物１１は、例えば、シリコン以外の半導体、セラミックス、樹脂及び金属等の材料でなっていてもよい。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ及び配置等にも制限はない。

被加工物１１の裏面１１ｂには、粘着テープ１７が貼着されている。粘着テープ１７は、例えば、力が加えられると伸びる樹脂製のフィルムである。さらに、粘着テープ１７の直径は、被加工物１１の直径よりも長い。

また、粘着テープ１７の外周部分は、環状フレーム１９に貼着される。すなわち、被加工物１１の裏面１１ｂに貼着された粘着テープ１７が環状フレーム１９の開口を塞ぐ。これにより、被加工物１１は、粘着テープ１７を介して環状フレーム１９と一体化される。

図１に示されるように、突出部６の後方にはフレームユニット１を仮置きするための仮置き機構１２が設けられている。仮置き機構１２は、Ｙ軸方向に平行になるように延在する一対の調整ガイドレール（Ｌ型レール）１２ａを含む。

フレームユニット１は、搬送機構１４によって一対の調整ガイドレール１２ａ上に搬送される。そして、一対の調整ガイドレール１２ａが互いに近づくように各調整ガイドレール１２ａがＸ軸方向に沿って移動することにより、フレームユニット１のＸ軸方向の位置が調整される。

一対の調整ガイドレール１２ａの側方には、移動機構１６が設けられている。移動機構１６は、基台４の上面に固定されている一対のＹ軸ガイドレール１８を有する。一対のＹ軸ガイドレール１８は、Ｙ軸方向に平行になるように延在する。また、一対のＹ軸ガイドレール１８上には、Ｙ軸移動テーブル２０が一対のＹ軸ガイドレール１８に沿ってスライド可能な態様で取り付けられている。

Ｙ軸移動テーブル２０の裏面（下面）には、ナット部（不図示）が固定され、このナット部には、一対のＹ軸方向に平行になるように延在するＹ軸ねじ軸２２が回転可能な態様で連結されている。

Ｙ軸ねじ軸２２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ２４が連結されている。そして、Ｙ軸パルスモータ２４が動作すると、Ｙ軸ねじ軸２２が回転する。これにより、ナット部とともにＹ軸移動テーブル２０がＹ軸ガイドレール１８に沿って移動する。

Ｙ軸移動テーブル２０の表面（上面）には、一対のＸ軸ガイドレール２６が固定されている。一対のＸ軸ガイドレール２６は、Ｘ軸方向に平行になるように延在する。また、一対のＸ軸ガイドレール２６上には、Ｘ軸移動テーブル２８が一対のＸ軸ガイドレール２６に沿ってスライド可能な態様で取り付けられている。

Ｘ軸移動テーブル２８の裏面（下面）には、ナット部（不図示）が固定され、このナット部には、Ｘ軸方向に平行になるように延在するＸ軸ねじ軸３０が回転可能な態様で連結されている。

Ｘ軸ねじ軸３０の一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。そして、Ｘ軸パルスモータが動作すると、Ｘ軸ねじ軸３０が回転する。これにより、ナット部とともにＸ軸移動テーブル２８が一対のＸ軸ガイドレール２６に沿って移動する。

Ｘ軸移動テーブル２８の表面（上面）には、円筒状のテーブルベース３２が設けられている。テーブルベース３２の内部には、モータ等の回転駆動源（不図示）と、この回転駆動源が動作することでＺ軸方向に平行な直線を回転軸として回転するスピンドル（不図示）とが設けられている。

テーブルベース３２の上方には、円盤状のチャックテーブル３４が配置されている。チャックテーブル３４の下部には、テーブルベース３２の内部に設けられたスピンドルの上端部が連結されている。また、チャックテーブル３４は、搬送機構１４によって搬送されたフレームユニット１が載置される保持面３４ａを有する。

保持面３４ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な面であり、その中心がスピンドルの中心と重なる。そのため、テーブルベース３２の内部に設けられた回転駆動源が動作すると、チャックテーブル３４は、保持面３４ａの中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に平行な直線を回転軸として回転する。

チャックテーブル３４の下面側は、テーブルベース３２の内部に設けられたスピンドルに形成された流路（不図示）を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に連結されている。

そして、この吸引源を動作させれば、保持面３４ａには負圧が生じてフレームユニット１を吸引保持することが可能になる。さらに、チャックテーブル３４の周囲には、環状フレーム１９を挟持する複数のクランプ３６が設けられている。

基台４の後端側には、Ｚ軸方向に延在する板状の支持構造３８が設けられている。一対の調整ガイドレール１２ａと支持構造３８との間には、塗布洗浄ユニット４０が設けられている。

塗布洗浄ユニット４０は、モータ等の回転駆動源（不図示）と、この回転駆動源が動作することでＺ軸方向に平行な直線を回転軸として回転するスピンドル（不図示）とを有する。

このスピンドルの上端部は、円盤状のスピンナテーブル４２の下部に連結されている。スピンナテーブル４２は、搬送機構１４によって搬送されたフレームユニット１が載置される保持面４２ａを有する。

保持面４２ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に概ね平行な面であり、その中心がスピンドルの中心と重なる。そのため、塗布洗浄ユニット４０に含まれる回転駆動源が動作すると、スピンナテーブル４２は、保持面４２ａの中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に平行な直線を回転軸として回転する。

スピンナテーブル４２の下面側は、塗布洗浄ユニット４０に含まれるスピンドルに形成された流路（不図示）を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に連結されている。そして、この吸引源を動作させれば、保持面４２ａには負圧が生じてフレームユニット１を吸引保持することが可能になる。

スピンナテーブル４２の近傍には、樹脂ノズルユニット（樹脂供給ユニット）４４が設けられている。樹脂ノズルユニット４４は、アーム４６を含む。アーム４６は、Ｚ軸方向に平行になるように延在する垂直部を有する。この垂直部の上端には、Ｚ軸方向に直交するように延在する水平部の一端が連結されている。

この水平部の他端には、樹脂用ノズル４８が設けられている。また、アーム４６の垂直部及び水平部の内部には、樹脂の供給路（不図示）が形成されている。そして、この供給路は、液状の水溶性樹脂を貯蔵するタンク及びこの水溶性樹脂を樹脂用ノズル４８に送るポンプ等を含む樹脂供給源（不図示）に接続されている。なお、この水溶性樹脂は、蛍光物質を含む。

アーム４６の垂直部の下部には、モータ等の回転駆動源が連結されている。この回転駆動源が動作するとＺ軸方向に平行な直線を回転軸として垂直部が回転する。これにより、スピンナテーブル４２の直上の滴下領域とスピンナテーブル４２の直上から待避した待避領域とのいずれかに樹脂用ノズル４８を位置付けることができる。

樹脂用ノズル４８が滴下領域に位置付けられると、樹脂用ノズル４８の開口はスピンナテーブル４２の保持面４２ａを向く。そのため、この状態で樹脂供給源に含まれるポンプが動作すると、樹脂用ノズル４８から保持面４２ａに液状の水溶性樹脂が滴下（供給）される。

レーザ加工装置２においては、例えば、レーザ加工前の被加工物１１の表面１１ａが上を向くように保持面４２ａでフレームユニット１を吸引保持した状態で、表面１１ａ側に液状の水溶性樹脂を滴下（供給）してからスピンナテーブル４２を回転させる。

これにより、遠心力等によって水溶性樹脂が被加工物１１の表面１１ａの全域に広がる。その結果、被加工物１１の表面１１ａが水溶性樹脂によって構成される保護膜によって覆われる。

また、スピンナテーブル４２の近傍には、洗浄ノズルユニット５０も設けられている。洗浄ノズルユニット５０は、アーム５２を含む。アーム５２は、Ｚ軸方向に平行になるように延在する垂直部を有する。この垂直部の上端には、Ｚ軸方向に直交するように延在する水平部の一端が連結されている。

この水平部の他端には、洗浄用ノズル５４が設けられている。また、アーム５２の垂直部及び水平部の内部には、洗浄水及びエアーの供給路（不図示）が形成されている。そして、この供給路は、水等の洗浄水を貯蔵するタンク、洗浄水を洗浄用ノズル５４に送るポンプ、エアーを貯蔵するボンベ及び洗浄用ノズル５４とボンベとの間に設けられたバルブ等を含む流体供給源（不図示）に接続されている。

アーム５２の垂直部の下部には、モータ等の回転駆動源が連結されている。この回転駆動源が動作するとＺ軸方向に平行な直線を回転軸として垂直部が回転する。これにより、スピンナテーブル４２の直上の噴射領域とスピンナテーブル４２の直上から待避した待避領域とのいずれかに洗浄用ノズル５４を位置付けることができる。

洗浄用ノズル５４が噴射領域に位置付けられると、洗浄用ノズル５４の開口はスピンナテーブル４２の保持面４２ａを向く。そのため、流体供給源に含まれるポンプが動作すると、洗浄用ノズル５４から保持面４２ａに洗浄水が供給される。

また、洗浄用ノズル５４とボンベとの間に設けられたバルブが開くと、洗浄用ノズル５４から保持面４２ａにエアーが供給される。また、ポンプが動作し、かつ、バルブが開くと、洗浄用ノズル５４から保持面４２ａに洗浄水とエアーとが混合された気液混合流体が供給される。

レーザ加工装置２においては、例えば、レーザ加工後の被加工物１１の表面１１ａが上を向くように保持面４２ａでフレームユニット１を吸引保持した状態で、スピンナテーブル４２を回転させながら表面１１ａ側に洗浄水が供給される。

これにより、レーザ加工前に被加工物１１の表面１１ａに設けられた保護膜（レーザ加工によって生じて当該保護膜に付着したデブリを含む）が除去される。さらに、スピンナテーブル４２を回転させながら表面１１ａ側にエアーが供給される。これにより、被加工物１１の表面１１ａが乾燥される。

支持構造３８のチャックテーブル３４側の面（前面）には、片持ち梁状の支持アーム５６の基端（後端）部が固定されている。支持アーム５６の先端（前端）部には、測定ユニットのヘッド５８が設けられている。この測定ユニットは、被加工物１１の表面１１ａ側に設けられた水溶性樹脂によって構成される保護膜２１の厚みの測定に利用される。

図３は、この測定ユニットの一例の構成要素を模式的に示す図である。なお、図３では、便宜上、測定ユニットの構成要素の一部がブロックで描かれている。図３に示される測定ユニットは、励起光を出射する発光部６０を有する。

発光部６０は、例えば、ＧａＮ系発光素子を有し、上記の水溶性樹脂によって構成される保護膜２１に含まれる蛍光物質に吸収される波長（例えば、３６５ｎｍ）の励起光を出射する。発光部６０とヘッド５８との間には、ハーフミラー６２が設けられている。

ハーフミラー６２では、発光部６０から出射された励起光が透過し、かつ、この励起光とは反対の方向に進む光が反射される。そして、ハーフミラー６２を透過した励起光はヘッド５８に入射する。

ヘッド５８は、ミラー６４及びレンズ６６を有する。ミラー６４は、ハーフミラー６２を透過した励起光を反射する。また、レンズ６６は、ミラー６４によって反射された励起光を集光する。

さらに、ヘッド５８は、レンズの焦点の位置（高さ）を調整するために調整機構を有してもよい。この調整機構は、例えば、ボイスコイルモータを含み、ボイスコイルモータのコイルに電流を生じさせてレンズ６６のＺ軸方向における位置（高さ）を調整する。

レンズ６６によって集光された励起光は、レーザ加工前に被加工物１１の表面１１ａに設けられた保護膜２１に照射されて保護膜２１に含まれる蛍光物質に吸収される。そして、この蛍光物質からは蛍光が放射される。

この蛍光は、レンズ６６によって平行光へと変換された後、ミラー６４及びハーフミラー６２によって反射されて受光部６８に入射する。受光部６８は、例えば、ＣＣＤイメージセンサ又はＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子を有し、この蛍光を受光して、その強度に応じた電気信号を生成する。

また、図１に示されるように、支持アーム５６の先端部には、測定ユニットのヘッド５８と隣接してレーザビーム照射ユニットのヘッド７０が設けられている。このレーザビーム照射ユニットは、支持アーム５６の基端部側に設けられたレーザ発振器（不図示）を有する。

このレーザ発振器は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４等で形成されたロッド状のレーザ媒質を含み、被加工物１１に吸収される波長を有するパルス状のレーザビームを出射する。レーザ発振器から出射されたレーザビームは、所定の光学系を介して、ヘッド７０に入射する。

ヘッド７０の内部には、ミラー（不図示）及び集光レンズ（不図示）等の光学系と、集光レンズの位置（高さ）を調整するためのボイスコイルモータ等の調整機構とが配置されている。そして、ヘッド７０にレーザビームが入射すると、このレーザビームは、ミラーにより下方へ反射された後、集光レンズによって集光される。また、このレーザビームの集光点の位置（高さ）は、調整機構によって調整される。

このレーザビームは、例えば、チャックテーブル３４の保持面３４ａで保持されたフレームユニット１に含まれる被加工物１１の表面１１ａ近傍にレーザビームの集光点が位置付けられた状態で被加工物１１に照射される。これにより、被加工物１１においてアブレーションが生じて被加工物１１の一部が除去される。

また、支持アーム５６の先端部には、レーザビーム照射ユニットのヘッド７０と隣接してカメラユニットのヘッド７２が設けられている。このカメラユニットは、レンズ（不図示）及び撮像素子（不図示）等を含み、例えば、保持面３４ａで保持されたフレームユニット１に含まれる被加工物１１を撮像する。

さらに、支持構造３８の前面側には、移動機構１６、チャックテーブル３４、塗布洗浄ユニット４０及び支持アーム５６等を囲むカバー７４が設けられている。なお、図１においては、便宜上、カバー７４の辺のみが二点鎖線で示されている。また、カバー７４の前面側には、表示ユニット７６が設けられている。

表示ユニット７６は、例えば、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ等の表示デバイスである。あるいは、表示ユニット７６は、オペレータからの指示をレーザ加工装置２へ入力するための入力ユニットとして機能するタッチセンサを含むタッチパネルであってもよい。

図１に示されるレーザ加工装置２の構成要素は、レーザ加工装置２に内蔵される制御ユニットによって制御される。図４は、このような制御ユニットの一例を模式的に示すブロック図である。図４に示される制御ユニット７８は、例えば、レーザ加工装置２の構成要素を制御するための信号を生成する処理部８０と、処理部８０において用いられる各種の情報（データ及びプログラム等）を記憶する記憶部８２とを有する。

処理部８０の機能は、記憶部８２に記憶されたプログラムを読みだして実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって具現される。また、記憶部８２の機能は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の半導体メモリと、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等の磁気記憶装置との少なくとも一つによって具現される。

処理部８０は、測定部８４、判定部８６及び表示部８８を有する。測定部８４は、支持アーム５６の先端部にヘッド５８が設けられた測定ユニットを用いて被加工物１１の表面（被加工面）１１ａ側に設けられた保護膜２１の厚みを測定する。

例えば、測定部８４は、図３に示される測定ユニットを用いて保護膜２１の複数の箇所から放射される蛍光の強度に基づいて当該複数の箇所のそれぞれにおける保護膜２１の厚みを測定する。すなわち、測定部８４は、チャックテーブル３４の保持面３４ａと平行な座標平面（端的には、ＸＹ平面）上の保護膜２１に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれにおける保護膜２１の厚みを測定する。

そして、測定部８４によって測定された保護膜２１の厚みの値は、座標と関連付けて記憶部８２に記憶される。すなわち、記憶部８２は、複数の座標のそれぞれと、複数の座標のそれぞれにおいて測定された保護膜２１の厚みの値とを関連付けて記憶する。

さらに、記憶部８２には、保護膜２１の厚みの値の許容範囲（すなわち、被加工物１１のレーザ加工に適した保護膜２１の厚みの値の範囲）が予め記憶されている。また、記憶部８２には、支持アーム５６の先端部にヘッド７０が設けられたレーザビーム照射ユニットを用いた被加工物１１のレーザ加工が可能か否かの判定に用いられる閾値が記憶されている。

判定部８６は、記憶部８２に記憶された上記の許容範囲及び閾値並びに複数の座標のそれぞれに関連付けられた保護膜２１の厚みの値を参照して、レーザビーム照射ユニットを用いた被加工物１１に対するレーザ加工が可能か否かを判定する。

具体的には、判定部８６は、関連付けられた保護膜２１の厚みが許容範囲外となる座標の数が閾値以上である場合に、被加工物１１に対するレーザ加工が不可能であると判定し、関連付けられた保護膜２１の厚みが許容範囲外となる座標の数が閾値未満である場合に、被加工物１１に対するレーザ加工が可能であると判定する。

なお、被加工物１１に対するレーザ加工が不可能であると判定部８６が判定した場合には、被加工物１１の表面１１ａ側への保護膜２１の成膜をやり直してから判定部８６が被加工物１１に対するレーザ加工が可能か否かを再び判定してもよい。具体的には、例えば、以下の順序で被加工物１１に対するレーザ加工が可能か否かの判定を再び行ってもよい。

まず、フレームユニット１をチャックテーブル３４の保持面３４ａからスピンナテーブル４２の保持面４２ａに搬送機構１４が搬送する。次いで、保持面４２ａでフレームユニット１を吸引保持した状態で、スピンナテーブル４２を回転させながら表面１１ａ側に洗浄水を供給して被加工物１１の表面１１ａに設けられた保護膜２１を除去する。

次いで、スピンナテーブル４２を回転させながら表面１１ａ側にエアーを供給することで、被加工物１１を乾燥させる。次いで、表面１１ａに液状の水溶性樹脂を滴下（供給）してからスピンナテーブル４２を回転させて水溶性樹脂を表面１１ａの全域に広げる。

これにより、被加工物１１の表面１１ａに水溶性樹脂によって構成される保護膜２１が再び設けられる。次いで、フレームユニット１をスピンナテーブル４２の保持面４２ａからチャックテーブル３４の保持面３４ａに搬送機構１４が搬送する。

次いで、支持アーム５６の先端部にヘッド５８が設けられた測定ユニットを用いて被加工物１１の表面（被加工面）１１ａ側に設けられた保護膜２１の厚みを測定部８４が測定する。その結果、被加工物１１に対するレーザ加工が可能か否かを判定部８６が再び判定することができる。

表示部８８は、被加工物１１に対応する図形を表示ユニット７６に表示させる。例えば、表示部８８は、図５に示されるように、被加工物１１の表面１１ａを表す円状の図形９０を表示ユニット７６に表示させる。

さらに、表示部８８は、座標と関連付けて記憶部８２に記憶された保護膜２１の厚みの値を参照して、この図形の色を設定する。すなわち、表示部８８は、複数の座標のそれぞれに関連付けられた保護膜２１の厚みの値に応じて、この図形において複数の座標のそれぞれに対応する複数の箇所のそれぞれの色を設定する。

例えば、図５に示される領域Ａに含まれる座標における保護膜２１の厚みと、領域Ｂに含まれる座標における保護膜２１の厚みと、領域Ｃに含まれる座標における保護膜２１の厚みとが異なる場合には、表示部８８は、領域Ａ、領域Ｂ及び領域Ｃのそれぞれに異なる色を設定して表示ユニット７６に表示させる。

あるいは、領域Ａ及び領域Ｃに含まれる座標における保護膜２１の厚みが上記の許容範囲外にあり、かつ、領域Ｂに含まれる座標における保護膜２１の厚みが上記の許容範囲内にあるのであれば、表示部８８は、領域Ａ及び領域Ｃに同じ色を設定し、かつ、領域Ａ及び領域Ｃに設定した色とは異なる色を領域Ｂに設定して表示ユニット７６に表示させてもよい。

レーザ加工装置２においては、チャックテーブル３４の保持面３４ａと平行な座標平面上の保護膜２１に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれと、複数の座標のそれぞれにおいて測定された保護膜２１の厚みの値とを関連付けて記憶部８２が記憶する。これにより、被加工物１１を分割することで製造されるチップに含まれるデバイスに生じる特性不良と保護膜２１の厚さとの関係を容易に把握することができる。

さらに、レーザ加工装置２においては、記憶部８２に記憶された保護膜２１の厚みの値等を参照して、被加工物１１に対するレーザ加工が可能か否かを判定部８６が判定する。これにより、レーザ加工によって被加工物１１の表面（被加工面）１１ａにデブリが付着する等の不具合を防止できる。

また、レーザ加工装置２においては、記憶部８２に記憶された保護膜２１の厚みの値等を参照して、被加工物１１に対応する図形の複数の箇所のそれぞれの色を表示部８８が設定して表示ユニット７６に表示させる。これにより、オペレータが被加工物１１の表面（被加工面）１１ａに設けられた保護膜２１の厚みの分布を把握することが容易になる。

なお、上述した実施形態かかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ：フレームユニット
１１ ：被加工物（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面）
１３ ：分割予定ライン
１５ ：デバイス
１７ ：粘着テープ
１９ ：環状フレーム
２１ ：保護膜
２ ：レーザ加工装置
４ ：基台
６ ：突出部
８ ：カセットエレベータ
１０ ：カセット
１２ ：仮置き機構（１２ａ：調整ガイドレール）
１４ ：搬送機構
１６ ：移動機構
１８ ：Ｙ軸ガイドレール
２０ ：Ｙ軸移動テーブル
２２ ：Ｙ軸ねじ軸
２４ ：Ｙ軸パルスモータ
２６ ：Ｘ軸ガイドレール
２８ ：Ｘ軸移動テーブル
３０ ：Ｘ軸ねじ軸
３２ ：テーブルベース
３４ ：チャックテーブル（３４ａ：保持面）
３６ ：クランプ
３８ ：支持構造
４０ ：塗布洗浄ユニット
４２ ：スピンナテーブル（４２ａ：保持面）
４４ ：樹脂ノズルユニット
４６ ：アーム
４８ ：樹脂用ノズル
５０ ：洗浄ノズルユニット
５２ ：アーム
５４ ：洗浄用ノズル
５６ ：支持アーム
５８ ：ヘッド
６０ ：発光部
６２ ：ハーフミラー
６４ ：ミラー
６６ ：レンズ
６８ ：受光部
７０ ：ヘッド
７２ ：ヘッド
７４ ：カバー
７６ ：表示ユニット
７８ ：制御ユニット
８０ ：処理部
８２ ：記憶部
８４ ：測定部
８６ ：判定部
８８ ：表示部
９０ ：図形

Claims (3)

1. 粘着テープを介して環状フレームと一体化された被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、
   該チャックテーブルに保持された該被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニットと、
   レーザ加工前の該被加工物の被加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給ユニットと、
   該被加工面を覆う該水溶性樹脂によって構成される保護膜の厚みを測定するための測定ユニットと、
   該保持面と平行な方向において該チャックテーブルと該測定ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、
   各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
   該制御ユニットは、該保持面と平行な座標平面上の該保護膜に含まれる複数の点の位置を示す複数の座標のそれぞれと、該複数の座標のそれぞれにおいて測定された該保護膜の厚みの値と、を関連付けて記憶する記憶部を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
2. 該制御ユニットは、該被加工物に対するレーザ加工が可能か否かを判定する判定部を備え、
   該記憶部は、該保護膜の厚みの値の許容範囲と、該複数の座標の数以下の閾値と、を記憶し、
   該判定部は、関連付けられた該保護膜の厚みの値が該許容範囲外となる座標の数が該閾値以上である場合に、該被加工物に対するレーザ加工が不可能であると判定し、関連付けられた該保護膜の厚みの値が該許容範囲外となる座標の数が該閾値未満である場合に、該被加工物に対するレーザ加工が可能であると判定することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 表示ユニットを更に備え、
   該制御ユニットは、該被加工物に対応する図形を該表示ユニットに表示させる表示部を備え、
   該表示部は、該複数の座標のそれぞれに関連付けられた該保護膜の厚みの値に応じて、該図形において複数の座標のそれぞれに対応する複数の箇所のそれぞれの色を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。

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